TWI472037B

TWI472037B - 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法

Info

Publication number: TWI472037B
Application number: TW95101473A
Authority: TW
Inventors: 伊佐敏行; 藤井嚴; 森末將文; 川俣郁子
Original assignee: 半導體能源研究所股份有限公司
Priority date: 2005-01-28
Filing date: 2006-01-13
Publication date: 2015-02-01
Also published as: KR20060087458A; TWI562380B; US7635889B2; TW201029188A; KR101141034B1; KR101139714B1; US20060170111A1; KR20100033393A; US8324018B2; TWI505473B; KR101165582B1; TWI412138B; TW201027757A; TW201025617A; CN1828931A; TW200629570A; US20100099217A1; CN100565909C; KR20100033989A

Description

半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法

本發明係關於半導體裝置、電子裝置和利用印刷法製造半導體裝置的方法。

在薄膜電晶體(以下簡稱TFT)和使用薄膜電晶體的電子電路中，半導體、絕緣體、導體等的各種薄膜層疊於基板上，它們藉由光微影技術加以適當處理成預定圖形。光微影技術是藉由利用光將利用稱作光掩模的透明平板上的不透光材料構成的電路等的圖形轉移到預定基板上的技術。光微影技術廣泛用於半導體積體電路等的製造技術中。

使用光微影技術的習知製造技術需要多個步驟，諸如曝光、顯影、烘培和僅用於處理稱作抗蝕劑的感光有機樹脂材料形成的掩模圖形的剝離。因此，隨著光微影步驟數量的增加，不可避免地會增加製造成本。為了解決該問題，已嘗試用較少數量的光微影步驟來製造TFT(參考文獻1：日本專利特許公開No.H11－251259)。

本發明的目的在於提供製造TFT、使用TFT的電子電路、半導體裝置或顯示裝置的技術，其藉由減少光微影步驟數，而可以低成本、高產量在具有1米或以上側邊的大尺寸基板上用TFT形成，從而簡化製造過程。

此外，本發明的目的在於提供一種技術，它穩定地形成半導體裝置或顯示裝置中包含的具有期望形狀的諸如配線的元件。

本發明中，在幾個分開的排放過程中，液體組合物被附著到控制濕潤性的形成區，且相鄰導電層、當成形成相鄰導電層的掩模層的絕緣層等是藉由烘培、乾燥等固化液體組合物而形成的。當分開幾次排放組合物時，可以獲得穩定的圖形形狀而沒有由於微滴等的聚集引起的斷開。在依以上方式形成的導電層或絕緣層中，由於形成區的濕潤性的差異，後續步驟中排放的微滴不留在目標位置，並移到高濕潤性區域以穩定化。因此，所獲得的導電層或掩模層具有含不同線寬的波節形狀。此外，線寬連續變化，且最寬的線寬和最窄的線寬規則地重復。這裏最寬的線寬不必都沿導電層或掩模層恆定，而是嚴格地參考導電層或掩模層的局部最大寬度。類似地，最窄的線寬不必都沿導電層或掩模層恆定，而是嚴格地參考導電層或掩模層的局部最小寬度。

本發明中，具有波節的導電層鄰接地形成為其間具有均勻距離。排放導電層的微滴以便在相鄰導電層之間沿長度方向交錯微滴中心，使得排放微滴的中心在相鄰導電層之間沿線寬方向不在同一線上。這樣，導電層的每個微滴不在線寬方向上直接地與相鄰導電層的每個微滴對準。由於交錯微滴中心，具有最寬線寬(波節的最寬寬度)的各導電層部分彼此不相鄰，且導電層可以相鄰地形成為其間具有更短的距離。

此外，本發明中形成的導電層(配線)或絕緣層包括多個厚度以及側部分並表面上具有反映微滴的突出和凹入。這是因為導電層或絕緣層是藉由固化包含導電或絕緣材料的液體組合物並藉由在排放後乾燥或烘培而形成的。這應用於用本發明形成的掩模層，且該掩模層包括多個膜厚度以及表面上的突出和凹入。因此，用這種掩模層處理的導電層或絕緣層的形狀反映出掩模形狀。表面上突出和凹入的形狀和大小根據液體組合物的黏性、用於藉由去除溶劑等固化液體組合物的乾燥步驟而變化。

固態物體的表面濕潤性受表面狀態的影響。當形成相對於液體組合物具有低濕潤性的物質時，該表面變成相對於液體組合物具有低濕潤性的區域(以下，也稱作低濕潤性區域)。另一方面，當形成相對於液體組合物具有高濕潤性的物質時，該表面變成具有相對於液體組合物的高濕潤性的區域(以下，也稱作高濕潤性區域)。本發明中，控制表面濕潤性的處理意味著在由液體組合物附著的區域中形成各自具有相對於液體組合物的不同濕潤性的區域。

具有不同濕潤性的區域是相對於液體組合物具有不同濕潤性的區域以及具有液體組合物的不同接觸角的區域。具有較大液體組合物的接觸角的區域是低濕潤性區域，而具有較小接觸角的區域是高濕潤性區域。在接觸角較大的情況下，具有流動性的液體組合物在區域表面上不擴散，為該表面所排斥，且不弄濕該表面。在接觸角較小的情況下，具有流動性的液體組合物在表面上擴散並弄濕該表面。因此，具有不同濕潤性的區域具有不同的表面能。低濕潤性區域的表面具有較低的表面能，而高濕潤性區域的表面具有較高的表面能。

在本說明書中，半導體裝置表示可利用半導體特性工作的裝置。藉由使用本發明，可以製造諸如多層配線、包括處理器電路的晶片(以下也稱作處理器晶片)等的半導體裝置。

本發明可應用於具有顯示功能的顯示裝置。使用本發明的顯示裝置包括發光顯示裝置，其中TFT連接到在電極之間插入包含發光的有機材料或有機和無機材料的混合物的層又稱場致發光(也稱作EL)的發光元件，使用具有液晶材料的液晶元件當成顯示元件的液晶顯示裝置等等。

本發明的半導體裝置的一個特點在於包括第一配線，它具有多個線寬並在至少一部分中彎曲；以及第二配線，它具有多個線寬並在至少一部分中彎曲，其中第一配線是沿中心線對稱的，第二配線是沿中心線對稱的；且第一和第二配線之間的距離是均勻的。

本發明的半導體裝置的一個特點在於包括第一導電層，其中線寬連續變化，以及第二導電層，其中線寬連續變化，其中第一和第二導電層的側部分各自具有連續的波形，以及其中第一和第二導電層之間的距離是均勻的。

本發明的半導體裝置的一個特點在於包括閘極電極層；閘極絕緣層；半導體層；源極電極層；以及汲極電極層，其中所述源和汲極電極層具有多個線寬並在至少一部分中彎曲；所述源極電極層沿中心線對稱；所述汲極電極層沿中心線對稱；以及所述源和汲極電極層之間的距離是均勻的。

本發明的半導體裝置的一個特點在於包括閘極電極層；閘極絕緣層；半導體層；源極電極層；以及汲極電極層，其中源和汲極電極層的線寬連續變化；所述第一和第二導電層的側部分各自具有連續的波形；以及所述源和汲極電極層之間的距離是均勻的。

本發明的製造半導體裝置的方法的一個特點在於包括以下步驟：在由包含導電材料的組合物製成的多個微滴的第一排放步驟中，在基板上排放在基板上的第一線上具有中心的第一微滴，以及在與第一線平行的第二線上具有中心的第二微滴；在多個微滴的第二排放步驟中，在第一微滴之間排放在第一線上具有中心的第三微滴，以形成第一導電層，它是沿第一線線對稱的並具有多個線寬；以及在多個微滴的第二排放步驟中，在第二微滴之間排放在第二線上具有中心的第四微滴，以形成第二導電層，它是沿第二線線對稱的並具有多個線寬；其中第一和第二導電層形成為其間具有均勻的距離。

本發明的製造半導體裝置的方法的一個特點在於包括以下步驟：在由包含導電材料的組合物製成的多個微滴的第一排放步驟中，在基板上排放在基板上的第一線上具有中心的第一微滴以及在與第一線平行的第二線上具有中心的第二微滴；在多個微滴的第二排放步驟中，在第一微滴之間排放在第一線上具有中心的第三微滴，以形成第一導電層，它具有側部分處的連續波形和連續變化的線寬；在多個微滴的第二排放步驟中，在第二微滴之間排放在第二線上具有中心的第四微滴，以形成第二導電層，它具有側部分處的連續波形和連續變化的線寬，其中第一和第二導電層形成為其間具有均勻的距離。

本發明的製造半導體裝置的方法的一個特點在於包括以下步驟：在基板上形成導電膜；在由包含掩模層材料的組合物製成的多個微滴的第一排放步驟中，在導電膜上排放在基板上的第一線上具有中心的第一微滴以及在與第一線平行的第二線上具有中心的第二微滴；在多個微滴的第二排放步驟中，在第一微滴之間排放在第一線上具有中心的第三微滴，以形成第一掩模層，它沿著第一線對稱並具有多個線寬；在多個微滴的第二排放步驟中，在第二微滴之間排放在第二線上具有中心的第四微滴，以形成第二掩模層，它沿著第二線對稱並具有多個線寬；用第一和第二掩模層處理導電膜以形成其間具有均勻距離的第一和第二導電層。

本發明的製造半導體裝置的方法的一個特點在於包括以下步驟：在基板上形成導電膜；在由包含掩模層材料的組合物製成的多個微滴的第一排放步驟中，在導電膜上排放在基板上的第一線上具有中心的第一微滴以及在與第一線平行的第二線上具有中心的第二微滴；在多個微滴的第二排放步驟中，在第一微滴之間排放在第一線上具有中心的第三微滴，以形成第一掩模層，它在側部分處具有連續波形以及連續變化的線寬；在多個微滴的第二排放步驟中，在第二微滴之間排放在第二線上具有中心的第四微滴，以形成第二掩模層，它在側部分處具有連續波形以及連續變化的線寬；以及用第一和第二掩模層處理導電膜，以形成其間具有均勻距離的第一和第二導電層。

根據本發明，諸如半導體裝置、顯示裝置等中包含的配線等的元件可穩定地形成為具有期望的形狀。此外，可以減少材料損耗和成本。因此，可以以高產量製造具有高性能和高可靠性的半導體裝置和顯示裝置。

以下參考附圖詳細說明本發明的實施例模式。但本領域的熟練技術人員可以理解：本發明不受以下說明限制且可以在形式和細節上進行各種變化而不背離本發明的精神和範圍。因此，本發明不應被限制於以下實施例模式的說明。通常對本發明結構中的同一元件或具有相同功能的元件提供相同的標號，並將省去重復說明。

實施例模式1

以下參考圖1A到1C說明本發明的實施例模式1。

本發明的一項特點在於製造半導體裝置或顯示裝置所需的元件中的至少一個或更多元件，諸如用於形成配線層或電極的導電層或者用於形成預定圖形的掩模層，藉由能選擇性地將圖形形成為期望形狀以製造半導體裝置或顯示裝置的方法而形成。本發明中，元件(也稱作圖形)表示薄膜電晶體或顯示裝置中包含的諸如配線層、閘極電極層、源極電極層或汲極電極層的導電層；半導體層、掩模層、絕緣層等，並且包括形成為具有預定形狀的所有元件。微滴排放(排出)法(也稱作噴墨法，這取決於其模式)可以藉由選擇性地排放(排出)為特殊用途混合的組合物微滴將導電層、絕緣層等形成為預定圖形，該方法被當成能選擇性地將物質形成至構成期望圖形的方法。此外，也可以採用能將元件轉移或繪製成期望圖形的方法，例如各種印刷法(將要形成的物質形成為期望圖形的方法，諸如絲網(油印)印刷、膠印(平版)印刷、凸版印刷、凹版(凹雕)印刷等)、分配法、選擇塗佈法等。

本實施例模式使用將液體的包含元件形成材料的組合物作為微滴進行排放(排出)以將該包含元件形成材料的組合物形成為期望圖形的方法。包含元件形成材料的微滴被排放到元件形成區域，並藉由烘培、乾燥等固定該組合物以形成具有期望圖形的元件。

圖25顯示用於微滴排放法的微滴排放裝置的一種模式。微滴排放裝置1403的每個頭部1405和1412連接到控制裝置1407，且該控制裝置1407由電腦1410控制，從而可以形成預編程的圖形。例如可以基於基板1400上形成的標記物1411來確定形成位置。或者，可以基於基板1400的邊緣來固定參考點。參考點由成像裝置1404檢測並由影像處理電路1409變成數位訊號。隨後，數位訊號由電腦1410識別以生成控制訊號，並將該控制訊號發送給控制裝置1407。使用電荷耦合裝置(CCD)或互補金屬氧化物半導體的影像感測器等可當成上述成像裝置1404。自然地，關於基板1400上要形成的圖形的資訊儲存在儲存媒體1408中，且控制訊號基於該資訊發送給控制裝置1407，使得能單獨控制微滴排放裝置1403的每個頭部1405和1412。藉由管道分別從材料供應源1413和1414向頭部1405和1412提供要排放的材料。

頭部1405具有如虛線1406所示的用液體材料填充的空間的內部結構和作為排放開口的噴嘴。儘管未示出，頭部1412的內部結構與頭部1405的相類似。當頭部1405和1412的噴嘴大小彼此不同時，可以同時排放具有不同寬度的不同材料。此外，可以從一個頭部分別排放導電材料、有機材料、無機材料等。在諸如夾層膜的較寬區域上繪製時，可以從多個噴嘴同時排放一種材料以提升通過量，因此可以進行繪製。當使用大尺寸基板時，頭部1405和1412可以按圖25的箭頭所示的方向在基板上自由掃描，且要繪製的區域可以自由設定。因此，可以在一個基板上繪製多個相同圖形。

在藉由微滴排放法形成導電層的情況下，包含導電材料顆粒的組合物被排放、並藉由烘培被熔合或焊接以固化該組合物。在許多情況下，藉由排放和烘培包含導電材料的組合物形成的導電層(或絕緣層)是具有許多晶界的多晶狀態，而藉由濺射等形成的導電層(或絕緣層)在許多情況下具有柱狀結構。

以下參考圖1A到1C利用形成導電層的方法來說明本發明實施例模式的一般概念。圖1A到1C是導電層的俯視圖。

如圖1A到1C所示，導電層形成於基板50上。因此，必要地控制作為導電層形成區域的基板50相對於形成導電層的包含導電材料的液體組合物的表面濕潤性。可以根據要形成的導電層的寬度或圖形形狀適當地設定濕潤度，且可以藉由後續處理控制該濕潤性。在該實施例模式中，在形成導電層過程中，形成區域和包含導電材料的組合物之間的接觸角較佳的是20度或以上，更佳的從20度到40度。

首先，說明形成具有較低濕潤性的物質並控制以降低形成區表面的濕潤性的方法。作為具有較低濕潤性的物質，可以使用包含氟碳基團(氟碳鏈)的物質或者包含矽烷偶聯劑的物質。所述矽烷偶聯劑由下式表示：R_n －Si－X₍ ₄ _－ _n ₎ (n＝1、2和3)。在這一化學式中，R表示包含相對非活性基如烷基的物質。X表示可水解的基團，如鹵素、甲氧基、乙氧基或乙酸基，它們可以與羥基或物質表面上的吸附水藉由凝聚作用而結合。

至於所述矽烷偶聯劑的代表性例子，藉由使用具有R為氟烷基的氟基矽烷偶聯劑(如氟烷基矽烷(FAS))可以進一步降低濕潤性。FAS中的R具有(CF₃ )(CF₂ )_x (CH₂ )_y 所示的結構，其中，x是0－10的整數，y是0－4的整數。當許多R或X結合Si時，R或X彼此可以相同或不同。通常，以下可以作為FAS：氟烷基矽烷，如十七氟四氫癸基三乙氧基矽烷、十七氟四氫三氯矽烷、十三氟四氫辛基三氯矽烷或三氟丙基三甲氧基矽烷。

至於濕潤性低的物質，可以使用不具有氟碳鏈但是具有烷基的物質作為矽烷偶聯劑的R，例如，可以使用十八烷基三甲氧基矽烷等作為有機矽烷。

至於包含濕潤性低的物質的溶液的溶劑，可以使用包含烴的溶劑，所述烴如正丙烷、正己烷、正辛烷、正庚烷、二環戊烷、苯、甲苯、二甲苯、均四甲苯、茚、四氫萘、十氫萘或者角鯊烷、四氫呋喃等。

至於可以降低濕潤性並形成低濕潤區域的組合物的例子，可以使用具有氟碳鏈的物質(例如，氟基樹脂)。至於氟基樹脂，可以使用以下所列的物質：聚四氟乙烯(PTFE)樹脂、全氟烷氧基烷烴(PFA)或四氟乙烯－全氟烷基乙烯醚共聚物樹脂、全氟乙烯丙烯共聚物(PFEP)或四氟乙烯－餾分丙烯共聚物樹脂、乙烯－四氟乙烯共聚物(ETFE)或四氟乙烯－乙烯共聚物樹脂、聚偏二氟乙烯(PVDF)樹脂，聚三氟氯乙烯(PCTFE)或聚三氟氯乙烯樹脂、乙烯－三氟氯乙烯共聚物(ECTFE)或聚三氟氯乙烯－乙烯共聚物樹脂、聚四氟乙烯－全氟間二氧雜環戊烯(TFE/PDD)、聚氟乙烯(PVF)或氟乙烯樹脂等。

此外，當利用無機或有機材料進行CF₄ 電漿等的處理時，可以降低濕潤性。例如，作為有機材料，可以使用與諸如聚乙烯醇(PVA)的水溶性樹脂混合的諸如H₂ O的溶劑的材料。此外，可以使用PVA和另一水溶性樹脂的組合。可以使用有機材料(有機樹脂材料)(聚醯亞胺或丙烯)或者矽氧烷材料。注意，矽氧烷材料對應於包含Si－O－Si鍵的樹脂。矽氧烷具有藉由矽(Si)和氧(O)的鍵形成的骨架結構。作為取代基，可以使用至少包含氫的有機基團(例如，烷基基團或芳烴)。或者，氟基團可以當成取代基。至少包含氫的有機基團和氟基團也可當成取代基。

在該實施例模式中，FAS藉由旋塗形成於基板50上；因此調節基板50表面的濕潤性。該濕潤性相對於包含在後續步驟中要形成的導電層中包含的導電材料的液體組合物。

當導電層藉由一次連續排放形成時，微滴被聚集，並形成稱作鼓起的液體窩。因此，有時導電層被斷開。因此本發明中，導電層藉由多次排放形成。換句話說，在第一排放步驟中，包含導電材料的液體組合物被附著以點著形成區，從而微滴不會彼此接觸。接著，在第二排放步驟中，包含導電材料的組合物被排放以填充第一排放步驟中排放的導電材料微滴之間的空間。從而形成連續的導電層。由於時間過去，第一排放步驟中排放的包含導電材料的組合物藉由乾燥而被固化。因此，不會出現第一和第二排放步驟中排放的導電材料之間的聚集。當按此方式形成導電層時，即便在該層具有細線形狀的情況下也可以形成穩定的導電層。

但是，按以上方式藉由多次排放形成的導電層沒有均勻的線寬且形狀具有波節。相對於包含導電材料的液體組合物的濕潤性在由第一排放步驟中排放的包含導電材料的組合物所構成的固化導電層的表面以及如前所述地控制其濕潤性的基板50的表面之間是不同的。要在第二排放步驟中排放的包含導電材料的液體組合物被排放到第一排放步驟中排放的導電層以及基板50的表面上，以使在其間進行橋接。極大地受表面濕潤性影響的包含導電材料的液體組合物移動，在藉由第一排放步驟形成的具有高濕潤性的導電層上流動。結果，增加了藉由第一排放步驟形成的一部分導電層的線寬，而減小了藉由第二排放步驟形成的一部分導電層的線寬。因此，形成了規則地具有波節並具有不均勻線寬的導電層。

在形成具有彼此相鄰的波節的導電層的情況下，如果彼此鄰接地形成各導電層的具有較大線寬的部分，則這些導電層部分之間的距離變得較短，且如果彼此鄰接地形成各導電層的具有較小線寬的部分，則這些導電層部分之間的距離變得較長。因此，導電層之間的距離是變化和不均的。此外，造成了其中導電層彼此接觸的缺陷形成的問題，且很難形成具有穩定距離的精細導電或絕緣層。

在該實施例模式中，如圖1A所示，導電層51a到51e以及導電層51f到51j在第一排放步驟中形成。此時，作為第一導電層的一些部分的導電層51a到51e的微滴中心以及作為與第一導電層相鄰的第二導電層的一些部分的導電層51f到51j的微滴中心沿線寬方向不在同一線上。導電層51f的中心被設定於導電層51a和51b的中心之間的區域的線寬方向內的一區域中。導電層51f的中心更較佳地設定於導電層51a和51b的中心之間的長度所分成的三個區域的中心區域的線寬方向內的一區域中。第一排放步驟中形成的導電層51a到51e和導電層51f到51j的最大寬度分別變成第一導電層和第二導電層的最大寬度。因此，如果導電層51a到51e和導電層51f到51j在圖1A的步驟中未接觸，則第一導電層和第二導電層不可能彼此接觸且不可能出現缺陷形成。

接著，如圖1B所示，藉由在第二排放步驟中排放包含導電材料的組合物以填充第一排放步驟中形成的導電層51a到51e之間的空間形成導電層52a到52d，從而形成第一導電層53a。類似地，藉由在第二排放步驟中排放包含導電材料的組合物以填充導電層51f到51j之間的空間形成導電層52e到52h，從而形成第二導電層53b。

如上所述，由於附著區中濕潤性的差異，具有流動性的包含導電材料的液體組合物的一部分(它是在第二排放步驟中附著的)移動到具有高濕潤性的導電層51a到51j，以便穩定。此後，藉由利用乾燥、烘培等進行固化，形成規則地具有波節的第一導電層53a和第二導電層53b，如圖1C所示。第一導電層53a的側部分54a和第二導電層53b的側部分54b具有連續的波形。第一導電層53a和第二導電層53b藉由本發明的排放法形成，以使具有第一導電層53a和第二導電層53b的最寬線寬的區域不會彼此接觸。第一導電層53a和第二導電層53b之間的距離會比以下的總和更短：第一導電層53a的最寬線寬和最短線寬之差的一半；以及第二導電層53b的最寬線寬和最短線寬之差的一半。因此，即使在第一導電層53a和第二導電層53b之間的距離較短時，也可以穩定地形成第一導電層53a和第二導電層53b。此外，可以按類似方式藉由排放絕緣材料來形成絕緣層。由於可以將絕緣層形成為其間具有均勻距離，在使用以這種方式形成的掩模層時，可以進行精密的精細處理。由於可以減小導電層之間的距離，在將導電層當成源極電極層和汲極電極層時，可以減小通道寬度。因此，可以製造高可靠性的半導體裝置，它們可以以較高的性能在高速下運行。由於在製造過程中減少了由於缺陷形成引起的故障數量，故具有改善產量並提高生產率的作用。

在本實施例模式中，利用微滴排放裝置形成第一導電層53a和第二導電層53b。該微滴排放裝置是排放微滴的裝置的一般術語，它包括具有組合物的排放開口的噴嘴、具備單個或多個噴嘴的頭部等。微滴排放裝置中包含的噴嘴的直徑被設定為在0.02 μ m到100 μ m的範圍內(較佳的，0.02 μ m到30 μ m)，且從噴嘴排出的組合物量被設定為在0.001pl到100pl的範圍內(較佳的0.1pl到40pl，更佳的為0.1pl到10pl)。要排放的組合物量與噴嘴直徑大小成比例地增加。此外，較佳的使要處理的物件和噴嘴的排放開口之間的距離盡可能短以便在期望的位置上滴落微滴。較佳地，該距離被設定在約0.1mm到3mm的範圍內(更佳的為，0.1mm到1mm)。

對於要從排放開口排放的組合物，使用溶劑中溶解或擴散的導電材料。導電材料對應於選自Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W和Al的一種或多種金屬的精細顆粒或擴散奈米顆粒，並且可以與諸如Cd或Zn的金屬的一種或多種硫化物、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba等的氧化物、鹵化銀等的精細顆粒或擴散奈米顆粒混合。此外，導電材料可對應於氧化銦錫(ITO)、包含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)、有機銦、有機錫、氧化鋅、氮化鈦等，它用於透明導電膜。但是，對於要從排放開口排放的組合物，較佳的考慮特定的電阻值而使用溶劑中溶解或擴散的金、銀或銅材料中的一種。更佳的為使用具有較低阻值的銀或銅。但是，在使用銀或銅時，附加地提供阻擋膜作為對雜質的對策。可以將氮化矽膜或硼化鎳(NiB)用於該阻擋膜。

要排放的組合物是溶劑中溶解或擴散的導電材料，且進一步包含稱作黏合劑的分散劑或熱固樹脂。特別是，該黏合劑具有防止烘培期間裂縫的生成或不均勻烘培狀態的作用。因此，要形成的導電層有時包含有機材料。所包含的有機材料根據加熱溫度、氣氛或時間而變化。有機材料表示當成金屬顆粒的黏合劑、溶劑、分散劑和塗佈劑的有機樹脂等。通常，可以使用諸如聚醯亞胺樹脂、丙烯樹脂、酚醛清漆樹脂、三聚氰胺樹脂、酚醛樹脂、環氧樹脂、矽基樹脂、呋喃樹脂或鄰苯二甲酸二烯丙基樹脂的有機樹脂。

此外，可以使用具有多個層的顆粒，其中導電材料用另一導電材料塗佈。例如，可以使用三層結構的顆粒，其中銅用硼化鎳(NiB)塗佈，再用銀塗佈。對於溶劑，可以使用諸如醋酸丁酯或乙酸乙酯的酯；諸如異丙醇或乙醇的醇；諸如甲基乙基酮或丙酮的有機溶劑；水等。該組合物的黏度較佳的為20mPa．s或以下。這防止組合物乾燥，並使組合物能從排放開口平滑地被排放。組合物的表面張力較佳的為40 mN/m或以下。但是，組合物的黏度等可以根據所使用的溶劑以及期望的用途而適當加以控制。例如，其中溶劑中溶解或擴散了ITO、有機銦或有機錫的組合物的黏度可以被設定為從5mPa．s到20mPa．s，其中溶劑中溶解或擴散了銀的組合物的黏度可以被設定為從5mPa．s到20mPa．s，而其中溶劑中溶解或擴散了金的組合物的黏度可以被設定為從5mPa．s到20mPa．s。

導電層可以藉由層疊多個導電材料形成。此外，導電層可以首先利用銀作為導電材料藉由微滴排放法形成，且隨後可以用銅等進行鍍敷。鍍敷可以藉由電鍍或化學(無電)鍍方法進行。鍍敷可以藉由將基板表面浸入裝填了包含鍍敷材料的溶液的容器中而進行，或者可以藉由將基板按傾斜(或垂直)位置放置並將該溶液傾瀉於基板表面上而施加包含鍍敷材料的溶劑。在藉由用傾斜或垂直放置的基板施加溶液進行鍍敷時，具有一優點，即、即使在使用較大尺寸的基板的情況下使用於該處理的裝置也可縮小尺寸。

雖然取決於每個噴嘴的直徑，但圖形的期望形狀等、導電材料的顆粒直徑較佳的盡可能小，以防止噴嘴被阻塞並便於製造精細圖形。較佳地，導電材料的顆粒直徑是0.1 μ m或以下。組合物藉由諸如電解法、霧化法或濕法還原法的方法形成，且要獲得的顆粒大小通常約0.01 μ m到10 μ m。但是，在使用氣體蒸發法時，分散劑保護的奈米顆粒是微小的，約7nm。在用塗層覆蓋每個顆粒的表面時，奈米顆粒不在溶劑中聚集，在室溫下在溶劑中均勻擴散，且表現類似於液體。因此，較佳的使用塗層。

在使用具有流動性的組合物和形成區附近之間的濕潤性差異時，即使在將組合物附著到要處理的物件時，組合物需要具有流動性，以便處理成期望的圖形。但是，只要不失去流動性，排放組合物的步驟就可以在較低的壓力下進行。此外，當在較小壓力下進行處理時，較佳的不在導電材料表面上形成氧化物膜等。在排放組合物之後，執行乾燥和烘培的任一步驟或這兩個步驟。乾燥和烘培步驟都是熱處理。例如，乾燥可以在100℃下進行三分鐘而烘培可以在200℃到550℃的溫度下進行15分鐘到60分鐘，且處理溫度和處理周期可對應於用途而變化。乾燥和烘培步驟在正常壓力或較小的壓力下藉由雷射輻射、快速熱退火、利用加熱熔爐加熱等進行。注意，熱處理的計時和熱處理的次數未特殊地限制。可以將基板預先加熱以良好地進行乾燥和烘培步驟，且儘管當時基板的溫度取決於基板材料等，但它通常是100℃到800℃(較佳的，200℃到550℃)。藉由這些步驟，使奈米顆粒彼此接觸且藉由週邊樹脂的變硬和收縮來加速熔合和焊接，同時組合物中的溶劑揮發或者用化學法去除分散劑。

連續振盪或脈衝振盪的氣體雷射器或固態雷射器可用於雷射輻射。受激準分子雷射器、YAG雷射器等可當成前者的氣體雷射器。使用用Cr、Nd等摻雜的YAG晶體、YVO₄ 、GdVO₄ 等的雷射器等可當成後者的固態雷射器。注意，考慮到雷射的吸收率，較佳的使用連續波雷射器。此外，可以使用組合了脈衝和連續波雷射器的雷射器輻射方法。但是，較佳的在幾個微秒到幾十秒內瞬間進行藉由雷射輻射進行的熱處理，以便不破壞基板，這取決於基板的耐熱性。藉由快速升溫並使用在惰性氣體氣氛中發射紫外線到紅外線光的紅外線燈或鹵素燈瞬間加熱幾微秒到幾分鐘來實施快速熱退火(RTA)。由於該處理瞬間進行，所以可以實際上只加熱頂表面上的薄膜而不影響膜的較低層。換句話說，不會影響諸如塑膠基板的具有較低耐熱性的基板。

在藉由用微滴排放法排放組合物形成導電層、絕緣層等後，可以藉由用壓力按壓使其表面平面化，以提升平面度。作為一種按壓方法，可以藉由在表面上移動滾筒形物體使表面的粗糙度平滑並減小，或者可以用平坦的板形物體垂直按壓該表面。加熱步驟可以在按壓時進行。或者，表面的粗糙度可以在用溶劑等軟化或熔化該表面之後用氣刀消除。CMP也可用於拋光表面。在微滴排放法引致粗糙時，該步驟可應用於使表面平面化。

藉由使用本發明，即使在作為膜縮小尺寸或薄化的結果將配線等被複雜地設計成彼此靠近時，它們也可被穩定地形成為具有良好形狀的期望圖形，改善穩定性和生產率。此外，可以減少材料損耗和成本。因此，可以以較高的產量製造具有高性能和高可靠性的半導體裝置或顯示裝置。

實施例模式2

圖26A顯示使用本發明的顯示面板的結構的俯視圖。其中圖素2702依矩陣排列的圖素部分2701、掃描線輸入端子2703以及訊號線輸入端子2704形成於具有絕緣表面的基板2700上。圖素數量可根據各種標準而確定。在XGA和RGB顯示器的情況下，圖素數量可以是1024×768×3(RGB)。類似地，在UXGA和RGB顯示器的情況下，圖素數量可以是1600×1200×3(RGB)，且在全規格高清晰和RGB顯示器的情況下，它可以是1920×1080×3(RGB)。

圖素2702形成於矩陣中從掃描線輸入端子2703延伸的掃描線和從訊號線輸入端子2704延伸的訊號線的交叉處。每個圖素2702都具備開關元件和與之連接的圖素電極。開關元件的典型示例是TFT。TFT的閘極電極連接到掃描線，TFT的源極電極或汲極電極連接到訊號線，它使得每個圖素能由從外部輸入的訊號獨立控制。

作為TFT的主要元件，於此為半導體層、閘極絕緣層和閘極電極層，以及與半導體層中形成的源極和汲極區相連的配線層。按照結構，典型地已知其中從基板側邊起提供的半導體層、閘極絕緣層和閘極電極層的頂部閘極型；其中從基板側邊起提供閘極電極層、閘極絕緣層和半導體層的底部閘極型等。可以將任何結構應用於本發明。

圖26A顯示顯示面板的結構，其中要輸入到掃描線和訊號線的訊號由外部驅動器電路控制。或者，驅動器IC 2751可以藉由COG(玻板基晶片)方法安裝於基板2700上，如圖27A所示。作為另一安裝模式，也可使用TAB(帶自動接合)方法，如圖27B所示。驅動器IC可以形成於單晶半導體基板上或者可以由玻璃基板上的TFT形成。在圖27A和27B中，驅動器IC 2751連接到FPC(撓性印刷電路)2750。

當圖素中提供的TFT由具有高結晶度的多晶(微晶)半導體構成時，掃描線驅動器電路3702可形成於基板3700上，如圖26B所示。在圖26B中，標號3701標注圖素部分，且訊號線驅動器電路按與圖26A中相同的方式由外部驅動器電路控制。標號3704標注訊號線輸入端子。像本發明中形成的TFT一樣，當圖素中提供的TFT用具有較高電子遷移率的多晶(微晶)半導體、單晶半導體等形成時，圖素部分4701、掃描線驅動器電路4702和訊號線驅動器電路4704可與玻璃基板4700整合，如圖26C所示。

以下參考圖2A到8B說明本發明的實施例模式。特別是，將說明使用本發明製造具有反交錯薄膜電晶體的顯示裝置的方法。圖2A、3A、4A、5A和6A是顯示裝置的圖素區的俯視圖。圖2B、3B、4B、5B和6B分別是沿圖2A、3A、4A、5A和6A中的線A－C獲取的剖視圖。圖2C、3C、4C、5C和6C分別是沿圖2A、3A、4A、5A和6A中的線B－D獲得的剖視圖。圖7A和7B是顯示裝置的剖視圖。圖8A是俯視圖，圖8B是沿圖8A中的線L－K(包括線I－J)獲得的剖視圖。

可使用諸如硼矽酸鋇玻璃、硼矽酸鋁玻璃等構成的玻璃基板；石英基板；金屬基板；或可經受製造過程的處理溫度的塑膠基板作為基板100。基板100的表面藉由CMP等進行拋光而予平面化。此外，絕緣層可形成於基板100上。絕緣層藉由諸如CVD、電漿CVD、濺射和旋塗的已知方法由包含矽的氧化物材料或者包含矽的氮化物材料的單層或堆疊層構成。雖然形成絕緣層不是必要的，但它具有阻止基板100不受雜質等影響。

閘極電極層103和閘極電極層104形成於基板100上。閘極電極層103和104可藉由CVD、濺射、微滴排放法等形成。閘極電極層103和104可由選自Ag、Au、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu的元素、包含該元素作為其主要組分的合金材料或組合物材料構成。或者，可以使用由用諸如磷或AgPdCu合金的雜質元素摻雜的多晶矽膜所代表的半導體膜。可以使用單層結構或分層結構。例如，可以使用氮化鎢(WN)膜和鉬(Mo)膜的兩層結構，或者其中50nm厚的鎢膜、500nm厚的鋁和矽的合金(Al－Si)膜以及30nm厚的氮化鈦膜按此順序層疊的三層結構。此外，在三層結構的情況下，可以使用氮化鎢代替第一導電膜的鎢，可以使用鋁和鈦的合金(Al－Ti)膜來代替第二導電膜的鋁和矽的合金(Al－Si)膜，以及使用鈦膜來代替第三導電膜的氮化鈦膜。

在要求閘極電極層103和104被處理成某些形狀的情況下，它們可以在形成掩模後藉由乾蝕刻或濕蝕刻被處理成期望的形狀。藉由適當控制蝕刻條件(施加到線圈電極上的電功率量、施加到基板側的電極的電功率量、基板側電極的溫度等)的ICP(感應耦合電漿)蝕刻電極層可蝕刻成具有錐形形狀。注意，可適當使用由Cl₂ 、BCl₃ 、SiCl₄ 或CCl₄ 等所代表的氯基氣體；CF₄ 、SF₆ 或NF₃ 等所代表的氟基氣體或者O₂ 作為蝕刻氣體。

可以藉由選擇性地排放組合物來形成用於處理成期望形狀的掩模。當按此方式選擇性地形成掩模時，簡化處理步驟成為可能。可以將諸如環氧樹脂、酚樹脂、酚醛清漆樹脂、丙烯樹脂、三聚氰胺樹脂、或聚氨酯樹脂的樹脂材料用於掩模。此外，掩模可藉由微滴排放法利用諸如苯並環丁烷、聚對二甲苯基、氟化－亞芳基－醚或可滲透的聚醯亞胺的有機材料；藉由矽氧烷基聚合物的聚合製成的化合物材料；包含水溶性均聚物和水溶性共聚物的組合物材料等形成。或者，可以使用包含感光劑的商用抗蝕材料。例如，可以使用典型的正型抗蝕劑，諸如酚醛清漆樹脂或作為光敏劑的萘醌二嗪農化合物，或者負型抗蝕劑，諸如基礎樹脂、或二苯基矽二醇或酸發生劑。在使用任何一種材料的情況下，藉由設置溶劑的濃度或者添加表面活性劑等來適當地控制表面張力和黏度。

在本實施例模式中，藉由形成導電膜並用掩模層將該導電膜處理成期望形狀形成閘極電極層103和104。藉由在導電膜表面上形成FAS可以控制濕潤性，且掩模層藉由微滴排放法形成。由於掩模層藉由如實施例模式1中說明的微滴排放法形成，掩模層的形狀具有波節，且這些形狀反映於可以藉由用掩模層進行處理而獲得的閘極電極層103和104的形狀(圖2A和2B)。

隨後，閘極絕緣層105形成於閘極電極層103和104上。閘極絕緣層105可以用諸如氧化矽材料或氮化矽材料的材料構成，並且是單層或堆疊層。在本實施例模式中，使用氮化矽膜和氧化矽膜的兩層結構。或者，閘極絕緣層105可以具有單層氮氧化矽膜或者三層或更多層的氮氧化矽膜、氮化矽膜和氧化矽膜。最好使用緻密氮化矽。在使用銀、銅等用於藉由微滴排放法形成的導電層時，藉由在其上形成氮化矽膜或NiB膜作為阻擋膜來防止雜質擴散並使表面平面化。為了形成在低溫下具有較少閘極漏電流的緻密絕緣膜，可使用包含諸如氬的稀有氣體元素的反應氣體以將該稀有氣體元素混合入要形成的絕緣膜。

接著，形成半導體層。如有必要，可以形成具有一種導電類型的半導體層。可以製造具備n型半導體層的n通道TFT的NMOS結構，具備p型半導體層的p通道TFT的PMOS結構，以及n通道TFT和p通道TFT的CMOS結構。藉由摻雜以添加提供傳導性的元素而使雜質區進入半導體層可以形成n通道TFT或p通道TFT提供傳導性。藉由使用PH₃ 氣體的電漿處理代替形成n型半導體層可以向半導體層提供傳導性。

利用由矽烷或鍺烷所代表的半導體材料氣體，藉由氣相生長法或濺射製造的非晶半導體(以下也稱作〝AS〞)；藉由利用光能或熱能使非晶半導體結晶形成的多晶半導體；半非晶(也稱作微晶質或微晶)半導體(以下簡稱〝SAS〞)；等都可當成用於形成半導體層的材料。半導體層可藉由各種方法(濺射，LPCVD、電漿CVD等)形成。

SAS是具有非晶結構和晶體結構(包括單晶和多晶)之間的中間結構並具有藉由自由能穩定的第三狀態的半導體，且包括具有近程有序和晶格畸變的結晶區。在膜的至少一部分中可以觀察到0.5 nm到20 nm的結晶區。當包含矽作為主要組分時，拉曼譜移動到低於520 cm^－ ¹ 的波數。在X射線衍射中觀察到由矽晶格引起的(111)或(220)的衍射峰。包含至少1原子%或以上的氫或鹵素以終止不飽和鍵。藉由矽源氣體的輝光放電分解(電漿CVD)形成SAS。可使用SiH₄ 作為矽源氣體。或者，Si₂ H₆ 、SiH₂ Cl₂ 、SiHCl₃ 、SiCl₄ 、SiF₄ 等可當成矽源氣體。此外，可以混合F₂ 或GeF₄ 。該矽源氣體可用H₂ 或H₂ 以及選自He、Ar、Kr和Ne的一種或多種稀有氣體元素加以稀釋。稀釋比從1：2到1：1000。壓力約從0.1 Pa到133 Pa，電源頻率從1 MHz到120 MHz，較佳的從13 MHz到60 MHz。較佳地，基板加熱溫度為300℃或以下，且膜在從100℃到200℃的溫度下仍可形成。期望作為膜形成步驟中採用的雜質元素的諸如氧、氮和碳的大氣成分雜質為1×10² ⁰ 原子/cm³ 或以下；特別是，氧濃度為5×10¹ ⁹ 原子/cm³ 或以下，較佳的為1×10¹ ⁹ 原子/cm³ 或以下。藉由添加諸如氦、氬、氪或氖的稀有氣體元素進一步促進晶格畸變，可獲得良好SAS，以提升穩定性。此外，作為半導體層，用氫基氣體形成的SAS層可形成於用氟基氣體形成的SAS層上。

非晶半導體由氫化非晶矽代表，而結晶半導體由多晶矽等代表。多晶矽包括包含在800℃或以上的處理溫度下形成的多晶矽作為主要組分的高溫多晶矽；包含在600℃或以下的處理溫度下形成的多晶矽作為主要組分的低溫多晶矽；藉由添加促進結晶的元素等而結晶的多晶矽等。當然，如上所述，可使用半非晶半導體或包含一部分半導體層中的結晶相的半導體。

作為半導體材料，與矽(Si)、鍺(Ge)等元素一樣，可以使用諸如GaAs、InP、SiC、ZnSe、GaN或SiGe的化合物半導體。此外，還可以使用氧化鋅(ZnO)。在使用ZnO用於半導體層的情況下，Y₂ O_x 、Al₂ O₃ 或TiO₂ 的單層或堆疊層較佳的當成閘極絕緣層，而ITO、Au、Ti等較佳的用於閘極電極層、源極電極層或汲極電極層。此外，In、Ga等可添加入ZnO。

在將結晶半導體層當成半導體層的情況下，各種方法(雷射結晶法、熱結晶法、使用諸如鎳等的促進結晶的元素的熱結晶法)可當成為製造結晶半導體層的方法。作為SAS的微晶半導體可以藉由用雷射輻射被結晶以改善結晶度。在未引入促進結晶的元素的情況下，在用雷射照射非晶半導體膜之前，藉由在氮氣氛中以500℃的溫度將非晶半導體膜加熱一個小時，釋放氫直到非晶半導體膜中包含的氫濃度變成1×10² ⁰ 原子/cm³ 或以下。這是因為在用雷射照射膜時，會破壞包含太多氫的非晶半導體膜。

任何方法都可用於將金屬元素引入非晶半導體層，只要該方法能使該金屬元素存在於非晶半導體層的表面上或其內部。例如，可以使用濺射、CVD、電漿處理法(包括電漿CVD)、吸收法或者引用金屬鹽溶液的方法。在上述方法中，在金屬元素的濃度控制方面，使用溶液的方法是簡單、方便和有利的。為了改善非晶半導體層表面的濕潤性並且為了在非晶半導體層的整個表面上擴散水溶液，氧化物膜較佳的藉由氧氣氛中的UV光照射、熱氧化、使用臭氧水或包含羥自由基的過氧化氫的處理等而形成。

可組合熱處理和雷射照射來結晶化非晶半導體層。或者，熱處理和雷射照射之一可被多次執行。

此外，結晶半導體層可藉由線性電漿法直接形成於基板上。或者，結晶半導體層可利用線性電漿法選擇性地形成於基板上。

藉由印刷法、分配法、噴射法、旋塗法、微滴排放法等等，可利用有機半導體材料形成半導體層。在這種情況中，由於不需要上述蝕刻步驟，所以能減少步驟數。低分子量材料、高分子量材料等可用於有機半導體，此外可以使用諸如有機顏料或導電高分子量材料的材料。較佳地，具有含共軛雙鍵組成的骨架的π電子共軛高分子量材料當成本發明中使用的有機半導體材料。通常，可使用可溶的高分子量材料，如聚噻吩、聚芴、聚(3－烷基噻吩)、聚噻吩衍生物或並五苯。

現有一種材料，它可在可溶前體沈積後被處理以形成半導體層，作為可應用於本發明的有機半導體材料。注意，聚亞乙基亞乙烯基(polyethylene vinylene)、聚(2,5－亞噻吩基亞乙烯基)、聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚亞芳基亞乙烯基等可以當成這種有機半導體材料。

當把前體轉化成有機半導體時，除了進行熱處理以外，可以加入活性催化劑如氯化氫氣體。以下可當成溶解可溶有機半導體材料的典型溶劑：甲苯、二甲苯、氯苯、二氯苯、苯甲醚、氯仿、二氯甲烷、γ－丁基內酯、丁基纖維素、環己烷、NMP(N－甲基－2－吡咯烷酮)、環己酮、2－丁酮、二噁烷、二甲基甲醯胺(DMF)、THF(四氫呋喃)等。

半導體層107和半導體層108形成於閘極絕緣層105上。在該實施例模式中，非晶半導體層被結晶化為半導體層107和108，以形成結晶半導體層。在結晶步驟中，促進結晶的元素(也稱作催化元素或金屬元素)被添加到非晶半導體層，且進行熱處理(在550到750℃的溫度下進行3分鐘到24小時)以結晶該非晶半導體層。作為促進結晶的元素，可以使用選自鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉑(Pt)、銅(Cu)和金(Au)的一種或多種。本實施例模式中使用鎳。

為了從結晶半導體層中去除或減少促進結晶的元素，形成與結晶半導體層接觸的包含雜質元素的半導體層，並將其當成吸氣裝置。雜質元素可以是提供n型傳導性的雜質元素、提供p型傳導性的雜質元素、稀有氣體元素等的雜質元素。例如，可使用選自磷(P)、氮(N)、神(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)、硼(B)、氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)的一種或多種。在該實施例模式中，形成包含氬的半導體層作為包含雜質元素的半導體層，並當成吸氣裝置。含氬的半導體層形成於包含促進結晶的元素的結晶半導體層上，並進行熱處理(在550到750℃的溫度下進行3分鐘到24小時)。結晶半導體層中的促進結晶的元素移入含氬的半導體層，且結晶半導體層中的促進結晶的元素被去除或減少。隨後，去除當成吸氣裝置的含氬的半導體層。含提供n型導電性的摻雜元素磷的n型半導體層形成於結晶半導體層上。n型半導體層當成源極區或汲極區。在該實施例模式中，用半非晶半導體形成n型半導體層。藉由以上步驟形成的半導體層和n型半導體層被處理成期望的形狀以形成半導體層107和108以及n型半導體層109和110(圖3A到3C)。在該實施例模式中，由於處理半導體層和n型半導體層中使用的掩模層是藉由微滴排放法形成，所以具有波節的形狀反映在半導體層的形狀中。

控制n型半導體層109和110以及閘極絕緣層105的表面的濕潤性。在該實施例模式中，形成低濕潤性物質102，以降低表面的濕潤性。作為低濕潤性物質，可以使用包含氟碳鏈的物質或者包含矽烷耦合劑的物質。在本實施例模式中，FAS當成低濕潤性物質102，且FAS膜藉由塗佈法形成。該濕潤性是相對於包含導電材料的液體組合物的，該導電材料包括在後續步驟中要形成的源極電極或汲極電極層中。

由諸如抗蝕劑或聚醯亞胺的絕緣材料構成的掩模藉由微滴排放法形成。藉由使用該掩模，經蝕刻在閘極絕緣層105的一部分中形成通孔125，從而露出閘極絕緣層105下形成的閘極電極層104的一部分(圖4A到4C)。藉由該步驟，還去除了通孔125中存在的低濕潤性物質。藉由電漿蝕刻(乾蝕刻)或濕蝕刻進行蝕刻過程，但電漿蝕刻適合於處理較大尺寸的基板。使用氟基或氯基氣體作為蝕刻氣體，如CF₄ 、NF₃ 、Cl₂ 或BCl₃ ，且可以適當向其添加惰性氣體，如He或Ar。或者，當藉由大氣壓放電進行蝕刻時，放電處理可局部進行，在該情況下，掩模層不必形成於基板的整個表面上。

用於處理成期望的形狀以形成通孔125的掩模可藉由選擇性地排放組合物形成。當按此方式選擇性地形成掩模時，簡化處理步驟變得可能。諸如環氧樹脂、酚樹脂、酚醛清漆樹脂、丙烯樹脂、三聚氰胺樹脂、或聚氨酯樹脂的樹脂材料可用於該掩模。此外，掩模可藉由微滴排放法利用諸如苯並環丁烷、聚對二甲苯基、氟化－亞芳基－醚或可滲透的聚醯亞胺的有機材料；藉由矽氧烷基聚合物的聚合製成的化合物材料；包含水溶性均聚物和水溶性共聚物的組合物材料等形成。或者，可以使用包含感光劑的商業抗蝕材料。例如，可以使用典型的正型抗蝕劑，諸如酚醛清漆樹脂或作為光敏劑的萘醌二嗪農化合物，或者負型抗蝕劑，諸如基礎樹脂、或二苯基矽二醇或酸發生劑。在使用任何一種材料的情況下，藉由設置溶劑的濃度或者添加表面活性劑等來適當地控制表面張力和黏度。

此外，在本實施例模式中，在藉由微滴排放法形成用於處理的掩模時，較佳的在預處理中控制形成區的濕潤性。控制微滴的濕潤性和直徑；因此，可以穩定地獲得期望的形狀(線寬等)。在使用液體材料的情況下，可以使用該步驟作為對任何形成的元件(諸如絕緣層、導電層、掩模層或配線層)的預處理。

包含導電材料的液體組合物如實施例模式1所述地由微滴排放裝置118a、1l8b、118c和118d排放於n型半導體層109和110上，以形成源或汲極電極層111、112、113和114(圖4A到4C)。藉由經兩次排放形成的交錯相鄰源或汲極電極層的排放微滴中心以具有含波節的形狀，相鄰的源或汲極電極層可形成為在其間具有均勻的距離而不接觸。因此，即使在源或汲極電極層之間的距離設定為較短時，也可形成源或汲極電極層而沒有由於缺陷形成造成的相互接觸。由於根據源或汲極電極層之間的距離確定通道寬度，所以具有這種源或汲極電極層的薄膜電晶體可以以較高的可靠性高速運行。

類似地，藉由微滴排放法形成配線層115、116和117中的每一個以便與源或汲極電極層111、112、113或114相接觸。

在形成具有期望圖形的源或汲極電極層111、112、113和114以及配線層115、116和117之後，剩餘的低濕潤性物質可保持完整或者可以去除不必要的部分。去除可以藉由使用氧等的灰化、蝕刻等來實現。源或汲極電極層可當成掩模。在該實施例模式中，在形成源或汲極電極層111、112、113和114以及配線層115、116和117之後，進行紫外線照射，以分解並去除剩餘的低濕潤性物質(圖5A到5C)。

配線層115還當成源配線層，且配線層117還當成電源線。在形成源或汲極電極層111、112、113和114之後，半導體層107和108以及n型半導體層109和110被處理成期望的形狀。在該實施例模式中，藉由微滴排放法形成掩模，並進行處理。或者，半導體層和n型半導體層可藉由用源或汲極電極層當成掩模進行蝕刻處理。

作為用於形成源或汲極電極層111、112、113和114以及配線層115、116和117的導電材料，可以使用包含諸如Ag(銀)、Au(金)、Cu(銅)、W(鎢)、Al(鋁)或Mo(鉬)的金屬顆粒作為主要組分的組合物。此外，可以組合氧化銦錫(ITO)、由氧化銦錫和氧化矽構成的ITSO、有機銦、有機錫、氧化鋅或具有透光屬性的氮化鈦。

在閘極絕緣層105中形成的通孔125中，配線層116和閘極電極層104彼此電連接。配線層117部分構成電容器元件。

藉由將微滴排放法使用幾次，與藉由旋塗等在整個表面上進行塗佈相比，可以更多地減少材料損耗和成本。藉由使用本發明，即使在作為膜的減小尺寸或薄化的結果而使配線等被複雜地設計成彼此靠近時，它們也能被穩定地形成。

接著，藉由在閘極絕緣層105上選擇性地排放包含導電材料的組合物形成第一電極層119(圖6A到6C)。當光從基板100側發出時，藉由用包含氧化銦錫(ITO)、包含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)、包含氧化鋅(ZnO)的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、用鎵(Ga)摻雜的ZnO、氧化錫(SnO₂ )等形成預定圖形並藉由烘培該圖形，形成第一電極層119。

較佳地，第一電極層119用氧化銦錫(ITO)、含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)等藉由濺射形成。更佳地，使用藉由用含2到10重量%的氧化矽的ITO靶子進行濺射而形成的含氧化矽的氧化銦錫。此外，可以使用一種導電材料，其中ZnO用鎵(Ga)或用包含氧化矽的靶形成的氧化銦鋅(IZO)摻雜，其中氧化銦與2重量%到20重量%的氧化鋅(ZnO)混合。在藉由濺射形成第一電極層119之後，藉由微滴排放法形成掩模層，且可以藉由蝕刻形成期望的圖形。在該實施例模式中，第一電極層119藉由微滴排放法由透光導電材料形成。特別是，它利用氧化銦錫或由ITO和氧化矽構成的ITSO形成。

在該實施例模式中，詳細說明了一示例，其中閘極電極層、半導體層、源或汲極電極層以及第一電極層藉由多個排放步驟直接形成，或者其中這些層藉由多個排放步驟用形成為具有含波節的形狀掩模層來形成。因此，如圖6A所示，微滴形狀反映於閘極電極層、半導體層、源或汲極電極層和第一電極層的形狀中，它們具有非線性形狀並具有線寬不均勻的波節的形狀。

特別是，可以使用本發明以形成穩定的源極電極層和汲極電極層，且藉由使用抗蝕劑掩模等可以進行閘極電極層、半導體層等的處理。這種情況的示例在圖34中示出。圖34中，由於用本發明形成源或汲極電極層111和112，即使在它們之間的距離較短時，它們也能穩定地形成。其同樣地適用於源或汲極電極層113和114的情況。

在形成源或汲極電極層113之前，第一電極層119可以選擇性地形成於閘極絕緣層105上。在這種情況下，與該實施例模式不同，第一電極層119和源或汲極電極層113具有連接結構，其中源或汲極電極層113的一部分與第一電極層119的一部分重疊。當第一電極層119形成於源或汲極電極層113前面時，第一電極層119可以形成於平面形成區上。因此，由於能充分地進行諸如CMP的拋光處理，第一電極層119可以形成具有較高的平面性和良好的覆蓋性。

此外，要作為中間層絕緣層的絕緣層可進一步地形成於源或汲極電極層113上並經由配線層電連接到第一電極層119。在這種情況下，可以藉由去除該絕緣層來形成開口部分(接觸孔)。或者，可以在源或汲極電極層113上形成相對於該絕緣層的低濕潤性物質。隨後，藉由塗佈法形成包含絕緣材料的組合物，並且除了形成低濕潤性物質的區域之外的區域中形成絕緣層。

在藉由加熱或乾燥以固化絕緣層後，去除低濕潤性物質以形成開口部分。形成配線層以便填充該開口部分，並形成第一電極層119以便與配線層接觸。按此方式，不需要進行蝕刻來形成開口部分，這在簡化製造過程方面是有效的。

在具有將生成的光發射到與基板100側相對的側邊的結構的情況中或者在製造頂部發射型EL顯示面板時，可以使用包含Ag(銀)、Au(金)、Cu(銅)、W(鎢)、Al(鋁)等的金屬顆粒作為主要組分的組合物。或者，可以藉由濺射形成透明導電膜或者光反射導電膜，藉由微滴排放法形成掩模圖形，隨後與蝕刻技術組合，來形成第一電極層119。

第一電極層119可藉由CMP或者藉由用聚乙烯醇基多孔體清潔進行拋光，以平面化第一電極層119的表面。此外，在藉由CMP進行拋光後，可以在第一電極層119的表面上進行紫外線照射、氧電漿處理等等。

藉由以上步驟，完成了用於顯示面板的TFT基板，其中底部閘極型TFT連接到基板100上的第一電極層119。本實施例模式中的TFT是反交錯型。

隨後，選擇性地形成絕緣層(也稱作隔離壁)121。在第一電極層119上，絕緣層121形成為具有開口部分。在該實施例模式中，絕緣層121形成於整個表面上，並利用由抗蝕劑等的掩模被蝕刻和處理成期望的形狀。當絕緣層121藉由可直接和選擇性地形成絕緣層121的微滴排放法、印刷法、分配法等形成時，不必需要使用蝕刻的過程。絕緣層121還可藉由本發明的預處理被形成為期望的形狀。

絕緣層121可由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁或其他無機絕緣材料；丙烯酸、甲基丙烯酸及其衍生物；諸如聚醯亞胺、芬芳聚醯胺或聚苯並咪唑的耐熱高分子量材料；或者矽氧烷基材料。絕緣層121也可由光敏或非光敏材料製成，如丙烯酸或聚醯亞胺。絕緣層121較佳的具有其中曲率半徑連續變化的形狀。從而，改善絕緣層121上形成的場致發光層122和第二電極層123的覆蓋。

在藉由用微滴排放法排放組合物形成絕緣層121後，用壓力按壓絕緣層121的表面以平面化，從而改善其平面性。作為按壓方法，可以藉由在表面上移動滾筒狀物體來平整粗糙度，或者可用平板形物體等垂直接壓其表面。或者，表面上的粗糙部分可在用溶劑等軟化或溶解表面後用氣刀來消除。CMP也可用於拋光該表面。該步驟可應用於在由微滴排放法造成粗糙時對表面進行平面化。當藉由該步驟改善平面性時，可以避免顯示面板的顯示不均勻等；因此，可以顯示高清晰度的影像。

發光元件形成於基板100上，該基板是用於顯示面板的TFT基板(圖7A和7B)。

在形成場致發光層122前，在大氣壓下，以200℃進行熱處理以消除第一電極119和絕緣層121中的濕氣或表面上吸收的濕氣。此外，在減小壓力下以200到400℃(較佳的250到350℃)進行熱處理，且場致發光層122較佳的藉由真空沈積或在減小壓力下微滴排放法形成而不暴露至大氣中。

作為場致發光層122，利用各蒸發掩模等藉由蒸發法選擇性地形成呈現紅(R)、綠(G)和藍(B)光發射的材料。如同在濾色片的情況，呈現紅(R)、綠(G)和藍(B)光發射的材料(低分子量材料、高分子量材料等)可藉由微滴排放法形成。微滴排放法是較佳的，因為呈現R、G和B光的材料可單獨應用而不使用掩模。第二電極層123形成為堆疊在場致發光層122上，完成使用發光元件的具有顯示功能的顯示裝置。

雖然未示出，但提供鈍化膜以覆蓋第二電極層123是有效的。形成顯示裝置時提供的鈍化膜可具有單層結構或多層結構。作為鈍化膜，可使用包含氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO₂ )、氮氧化矽(SiON)、氧氮化矽(SiNO)、氮化鋁(AlN)、氮氧化鋁(AlON)、其中氮含量高於氧含量的氧氮化鋁(AlNO)、氧化鋁、菱形碳(DLC)或氮化碳(CNx)膜的單層絕緣膜，或者組合這些絕緣膜的堆疊結構。例如，可使用氮化碳(CNx)膜和氮化矽(SiN)膜的堆疊結構。或者，可使用有機材料，例如諸如苯乙烯聚合物的高分子量材料的堆疊結構。此外，也可使用矽氧烷基材料。

此時，對於鈍化膜，較佳的使用具有良好覆蓋性的膜。碳膜(特別是DLC膜)是有效的。DLC膜可在室溫到100℃的溫度範圍內形成，所以DLC膜可以方便地形成於耐熱性較低的場致發光層上。DLC膜可藉由電漿CVD(通常，RF電漿CVD、微波CVD、電子迴旋加速諧振(ECR)CVD)、熱燈絲CVD等)、燃燒火焰法、濺射、粒子束沈積法、雷射沈積法等形成。氫氣和碳氫基氣體(例如，CH₄ 、C₂ H₂ 、C₆ H₆ 等)被當成形成鈍化膜的反應氣體。這些反應氣體藉由輝光放電被離子化，且使離子加速以與負自偏陰極碰撞；從而形成鈍化膜。可使用C₂ H₄ 氣體和N₂ 氣體作為反應氣體來形成CN膜。DLC膜對於氧具有高阻斷效果並可抑制場致發光層的氧化。因此，在後續密封步驟期間，可防止場致發光層氧化。

如圖8B所示，形成密封材料136並用密封基板140進行密封。此後，撓性配線基板可連接到與閘極電極層103電連接的閘極配線層，以便與外部電連接。同樣地應用於源配線層，它被形成為與同樣當成源配線層的配線層115電連接。

具有元件的基板100用密封基板140密封，其中填充劑135封裝在它們之間。按與液晶材料相同的方式利用滴落封裝填充劑。可用諸如氮的惰性氣體代替填充劑135填充該空間。此外，藉由在顯示裝置中提供乾燥劑，可以防止由於濕氣引起的發光元件劣化。乾燥劑的位置可以在密封基板140側或其上形成元件的基板100側。或者，乾燥劑可設置於基板內形成的凹部分中，它也是被提供密封材料136的區域。當乾燥劑被設置於不進行顯示的區域中(諸如密封基板140的驅動器電路區或配線區)時，即便該乾燥劑不透明也不會減小孔徑比。或者，可形成填充劑135以包含吸濕材料，從而具有如同乾燥劑的功能。因此，完成了使用發光元件並具有顯示功能的顯示裝置(圖8A和8B)。

用各向異性的導電膜138將FPC139附著到端電極層137，用於將顯示裝置的內部電連接到其外部，以便電連接到端電極層137。

圖8A顯示顯示裝置的俯視圖。如圖8A所示，圖素區150、掃描線驅動器區域151a和151b以及連接區域153用其間的密封材料136密封於基板100和密封基板140之間，且具有驅動器IC的訊號線驅動器電路152形成於基板100上。薄膜電晶體133和134設置於驅動器電路區域中，且薄膜電晶體130和131各自設置於圖素區中。

在該實施例模式中，說明了使用玻璃基板密封發光元件的情況。密封是用於保護發光元件不受濕氣影響的處理。因此，可以使用利用覆蓋材料機械密封發光元件的方法、利用熱固性樹脂或紫外線固化樹脂密封發光元件的方法和利用高阻斷性能的金屬氧化物或金屬氮化物等的薄膜密封發光元件的方法中的任一種。可使用玻璃、陶瓷、塑膠或金屬作為覆蓋材料。但在光被發射到覆蓋材料側時，覆蓋材料需要具有透光性。覆蓋材料用如熱固性樹脂或紫外線固化樹脂的密封材料附著到形成了上述發光元件的基板，且藉由用熱處理或紫外線光照射處理固化樹脂而形成封閉空間。在該密封空間中提供由氧化鋇代表的吸收劑也是有效的。該吸收劑可設置於密封材料上，或者在隔離壁或週邊部分上，以便不阻礙來自發光元件的光。此外，覆蓋材料和其上形成發光元件的基板之間的空間可用熱固性樹脂或紫外線固化樹脂進行填充。在這種情況下，將由氧化鋇所代表的吸收劑加入熱固性樹脂或紫外線固化樹脂是有效的。

在該實施例模式中，雖然詳細說明了開關TFT的單閘極結構，但也可使用諸如雙閘極結構的多閘極結構。圖36A和36B顯示薄膜電晶體130具有雙閘極結構的示例。圖36A是圖素的俯視圖，圖36B是沿圖36A中的線X－Y獲得的剖視圖。薄膜電晶體130包括閘極電極層103a和103b、半導體層107、源或汲極電極層111、120和112，它們分別與n型半導體層109a、109b和109c相接觸。這樣，當存在彼此相鄰的三個或更多源或汲極電極層時，藉由利用本發明，它們可以穩定地形成為其間具有均勻的距離。

在使用SAS或結晶半導體製造半導體時，可以藉由添加提供一種導電類型的雜質形成雜質區。在這種情況中，半導體層可具有濃度不同的雜質區。例如，半導體層可在通道形成區和與閘極電極層重疊的區域附近具有低濃度雜質區，以及在它們之外是高濃度雜質區。

如上所述，藉由用微滴排放法直接在基板上形成各種圖形，在本實施例模式中，可以使用具有1000 mm或以上的側邊的第五代或以後的玻璃基板方便地製造顯示面板。

根據本發明，可以穩定地形成期望的圖形。此外，可以減少材料損耗和成本。因此，可以較高的產量製造高性能和高可靠性的顯示裝置。

實施例模式3

參考圖13A到19B說明本發明的實施例模式3。更詳細地，說明利用本發明製造包括頂部閘極平面結構的薄膜電晶體的顯示裝置的方法。圖13A、14A、15A、16A、17A和18A顯示顯示裝置的圖素部分的俯視圖。圖13B、14B、15B、16B、17B和18B顯示沿線E－F獲得的剖視圖。圖19A也是顯示裝置的俯視圖，圖19B顯示沿圖19A中的線O－W和線E－P獲得的剖視圖。此外，說明了使用用於顯示元件的液晶材料的液晶顯示裝置的示例。省去了相同部分和具有相同功能的部分的重復說明。

由硼矽酸鋇玻璃、硼矽酸鋁玻璃等製成的玻璃基板；石英基板；金屬基板；或者可承受製造過程的處理溫度的塑膠基板被當成為基板200。此外，絕緣層可形成於基板200上。絕緣層藉由CVD、電漿CVD、濺射、旋塗等由含矽的氧化物材料或氮化物材料的單層或堆疊層構成。雖然不必形成絕緣層，但它具有阻斷基板200不受污染等的效果。

導電膜201形成於基板200上。導電膜201藉由CVD、濺射、微滴排放法等形成。導電膜201可由選自Ag、Au、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu的元素、包含該元素作為其主要組分的合金材料或化合物材料構成。或者，可以使用由用雜質元素摻雜的多晶矽膜所代表的半導體膜，該雜質元素諸如磷或AgPdCu合金。可以使用單層結構或分層結構。例如，可以使用氮化鎢(WN)膜和鉬(Mo)膜的雙層結構或者其中鎢膜、鋁和矽的合金(Al－Si)膜以及氮化鈦膜按此順序堆疊的三層結構。在本實施例中，Al用於導電膜201。

在本實施例模式中，掩模層藉由微滴排放法形成於導電膜201上。隨後，將導電膜201處理成期望的形狀，以形成源或汲極電極層。為了形成確定通道寬度並具有良好可控性的源或汲極電極層，如實施例模式1中說明地形成掩模層。控制相對於包含掩模層形成材料的組合物的導電膜201的表面濕潤性。在本實施例模式中，源或汲極電極層必要地形成為具有較窄的線寬，以形成具有精細設計的圖素區。因此，在本實施例模式中，進行降低導電膜201的表面濕潤性的處理，以使微滴不在表面上擴展。特別是，在導電膜201上形成低濕潤性物質202(圖13A和13B)。

作為低濕潤性物質，可以使用包含氟碳鏈的物質或包含矽烷偶合劑的物質。在本實施例模式中，FAS當成低濕潤性物質202且FAS膜藉由塗佈法形成。該濕潤性是相對於包含在後續步驟中要形成的掩模層形成材料的液體組合物的。在本實施例模式中，在形成掩模層時，形成區和包含掩模層形成材料的組合物之間的接觸角較佳的是20度或以上，更佳的在20度到40度的範圍之內。

在兩個分開的步驟中，包含掩模層形成材料的組合物藉由微滴排放裝置213被排放到低濕潤性物質202上，從而形成掩模層203a和203b。相鄰的掩模層203a和203b藉由交錯微滴中心而形成，以使微滴中心在線寬方向上不對準且同一步驟中形成的掩模層不會彼此相鄰。藉由排放多個步驟的微滴，各掩模層203a和203b具有連續形狀，使得微滴彼此重疊。因此，這些形狀包括如圖14A所示的波節，它具有不均勻的線寬。在本實施例模式的排放步驟中，由於控制要排放的微滴的位置，各自具有最寬線寬的相鄰掩模層203a和203b部分相互不接觸，且掩模層203a和203b可以穩定地以其間更短的距離鄰近地形成。掩模層204a、204b和204c藉由微滴排放法形成具有連續形狀，其中微滴藉由多個步驟進行排放(圖14A和14B)。

藉由使用掩模層203a、203b、204a、204b和204c，導電膜201被處理成期望的形狀，以形成源或汲極電極層205和206以及電容器配線層207(圖15A和15B)。源或汲極電極層205和206可形成為其間具有穩定的距離並具有期望的形狀而無缺陷形成。由於可以減小導電層之間的距離，在將導電層當成源極電極層和汲極電極層時可以減小通道寬度。因此，可以以較高的性能和可靠性製造能高速運行的半導體裝置。由於在製造過程中減少了缺陷形成，所以具有提高產量和提升生產率的效果。

在該實施例模式中，在形成源或汲極電極層205和206以及電容器配線層207後，去除掩模層，進行紫外線照射，並分解和去除低濕潤性物質202。

N型半導體層形成於源或汲極電極層205和206上並使用由抗蝕劑等製成的掩模進行蝕刻。抗蝕劑可以藉由微滴排放法形成。半導體層形成於n型半導體層上並再次藉由使用掩模等被處理。隨後，形成n型半導體層208a和208b以及半導體層209(圖16A和16B)。藉由在源或汲極電極層上順序地堆疊包含以較高濃度提供n型傳導性的雜質元素的半導體層以及包含以較低濃度提供n型傳導性的雜質元素的半導體層，形成n型半導體層。

接著，閘極絕緣層212形成於源極電極層、汲極電極層和半導體層上。閘極絕緣層212可由諸如氧化矽材料或氮化矽材料的材料的單層或堆疊層構成。在本實施例模式中，使用氮化矽膜、氧化矽膜和氮化矽膜的三層堆疊結構。

隨後，在閘極絕緣層212上形成抗蝕劑等製成的掩模並蝕刻該閘極絕緣層212以形成通孔215(圖17A和17B)。在該實施例模式中，藉由微滴排放法選擇性地形成掩模。

用微滴排放裝置214將包含導電材料的組合物排放到閘極絕緣層212上，以形成閘極電極層210。如同形成源或汲極電極層的情況，可以控制閘極電極層的形成區的濕潤性。在該實施例模式中，控制閘極電極層210的形成區的濕潤性，且閘極電極層210具有藉由多個排放步驟形成的連續形狀。因此，閘極電極層210的形狀也具有波節。儘管未示出，但形成中閘極電極層210的濕潤性按與在導電膜201上形成低濕潤性物質202相同的方式加以控制。

如同源或汲極電極層的情況，藉由形成導電膜和藉由微滴排放法使用掩模層並處理該導電膜，形成圖素電極層211。因此，圖素電極層211在週邊處具有含曲率的形狀，它反映了藉由微滴排放法形成的掩模層的形狀(圖18A)。圖素電極層211藉由先前形成的通孔215電連接到源或汲極電極層206。圖素電極層211可以藉由使用與實施例模式2中的第一電極層119相同的材料構成。在製造透射液晶顯示面板的情況下，藉由使用包含氧化銦錫(ITO)、包含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO₂ )等，藉由烘培形成預定圖形。這樣，製造了薄膜電晶體250，它是本實施例模式的交錯型薄膜電晶體(圖18B)。

在本實施例模式中，詳細說明了一示例，其中閘極電極、半導體層、源或汲極電極層以及圖素電極層藉由多個排放步驟直接形成，或者其中以上層藉由使用掩模層而被形成，該掩模層藉由多個排放步驟形成為具有含波節的形狀。如圖18A所示，閘極電極層、半導體層、源或汲極電極層以及圖素電極層的形狀反映了微滴的形狀並具有線寬不均勻的具有波節的非線性形狀。

本發明可特別地用於形成穩定的源或汲極電極層。其他閘極電極層、半導體層等可用抗蝕劑掩模等進行處理。這種情況的一示例在圖35中示出。圖35中，由於將本發明用於形成源或汲極電極層205和206，即使在其間距離較短時也能穩定地形成源或汲極電極層205和206。

接著，藉由分配法、印刷法或旋塗法形成稱作定向膜的絕緣層261，以覆蓋圖素電極層211和薄膜電晶體250。絕緣層261可利用絲網印刷法或膠印法被選擇性地形成。隨後，進行磨擦處理。密封材料282形成於藉由微滴排放法形成圖素的區域的週邊。

隨後，具備當成定向膜的絕緣層263、當成濾色片的彩色層264、當成相對電極的導電層265以及偏振片267的相對基板266附著到TFT基板200，它們之間插入了隔離物281。藉由向一空間提供液晶層262，可以製造液晶顯示裝置(圖18A到19B)。偏振片268形成於與具有TFT的基板200的側邊相對的側邊上。密封材料可與填料混合，且可以向相對基板266提供遮罩膜(黑矩陣)等。注意，在附著相對基板266後利用毛細現象注入液晶的分配法(滴落法)或者浸染法(泵浦法)可當成為形成液晶層262的方法。

將參考圖30說明使用分配法的液晶滴注法。圖30中，標號40標注控制裝置、42為成像裝置、43為頭部、33為液晶、35和45為標記物、34為阻擋層、32為密封材料、30為TFT基板和20為相對基板。用密封材料32形成閉合環，且從頭部43將液晶33一次或多次滴入其中。因為頭部43具備多個噴嘴，它可以一次滴落大量液晶材料，這能提升產量。當液晶材料黏性較高時，液晶材料被連續排放並在沒有打斷的情況下黏附到液晶形成區。另一方面，當液晶材料黏性較低時，液晶材料被間歇性排放以滴落微滴。為防止密封材料32和液晶33相互反應，此時提供阻擋層34。隨後，在真空中附著基板，接著進行紫外線固化以使空間裝填液晶。或者，密封材料可形成於TFT基板側上，並可滴落液晶。

隔離物可藉由分配幾μ m的顆粒提供，但在該實施例模式中，藉由在基板的整個表面上形成樹脂膜並將其處理成期望的形狀，提供隔離物。在用旋轉器用這種隔離物材料塗佈基板後，隔離物材料藉由曝光和顯影處理形成為預定圖形。此外，藉由用清潔的烘箱在150到200℃的溫度下進行加熱，以固化該圖形。根據曝光或顯影處理的條件，按此方式製造的隔離物可具有不同的形狀。隔離物的形狀較佳的是柱狀且頂部平坦，因為在將相對基板附著到基板時可確保作為液晶顯示裝置的機械強度。隔離物的形狀可以是圓錐、錐形等而無特殊限制。

形成連接部分以連接藉由上述步驟形成的顯示裝置的內部和外部配線基板。在大氣壓或接近於大氣壓的壓力下，連接部分中的絕緣層利用氧氣藉由灰化處理去除。藉由使用氧氣以及氫、CF₄ 、NF₃ 、H₂ O和CHF₃ 的一種或多種氣體進行該處理。在該過程中，利用相對基板在密封後進行灰化處理以防止由於靜電引起的損壞或破壞，但只要靜電效應較少，可以在任何時間進行灰化處理。

作為用於連接的配線基板的FPC(撓性印刷電路)286藉由其間插入的各向異性導電層285被附著到與圖素部分電連接的端電極層287(圖19B)。FPC286用於發送來自外部的訊號或電位。藉由上述步驟，可以製造具有顯示功能的液晶顯示裝置。

圖19A是液晶顯示裝置的俯視圖。如圖19A所示，圖素區290以及掃描線驅動器區域291a和291b藉由密封材料282被密封於基板200和相對基板280之間，且將藉由IC驅動器形成的訊號線驅動器電路292設在基板200上。在驅動器區域中，設有薄膜電晶體283和284的驅動器電路。

由於薄膜電晶體283和284是n通道薄膜電晶體，因此提供包括薄膜電晶體283和284的NMOS電路作為本實施例模式中的週邊驅動器電路。

在該實施例中，在驅動器電路中使用NMOS結構以獲得反相器功能。在如同這種情況僅使用PMOS結構或NMOS結構的情況下，TFT的一部分的閘極電極層連接到每個源或汲極電極層。

在該實施例模式中，雖然顯示開關TFT的單閘極結構，但也可使用雙閘極結構或多閘極結構。在用SAS或結晶半導體製造半導體的情況下，藉由添加提供一種導電類型的雜質來形成雜質區。在這種情況下，半導體層可具有濃度不同的雜質區。例如，半導體層可具有通道形成區或與閘極電極層重疊的區域附近的低濃度雜質區，以及它們之外的高濃度雜質區。

如上所述，在該實施例模式中可簡化過程。此外，在使用具有1000 mm或以上側邊的第五代或往後的玻璃基板的情況下，藉由用微滴排放法在基板上直接形成各種元件(部分)或掩模層，可方便地製造顯示面板。

根據本發明，可以以良好的可控性形成具有期望圖形的顯示裝置的元件。此外，可以減少材料損耗和成本。因此，可以以較高的產量製造具有高性能和高可靠性的液晶顯示裝置。

實施例模式4

可以用本發明形成薄膜電晶體，且可以用該薄膜電晶體形成顯示裝置。當使用發光元件且將n通道晶體管當成驅動該發光元件的電晶體時，從發光元件發出的光進行底部發射、頂部發射和雙重發射中的任一種。這裏，將參考圖12A到12C說明與每種發射相對應的發光元件的堆疊結構。

此外，在該實施例模式中，使用應用本發明的通道保護薄膜電晶體461、471和481。薄膜電晶體481設置於透光基板480上並包括閘極電極層493、閘極絕緣層497、半導體層494、n型半導體層495a和495b、低濕潤性基板482a和482b、源或汲極電極層487a和487b以及通道保護層496。當源或汲極電極層487a和487b藉由實施例模式1所示的微滴排放法形成時，該源和汲極電極層可形成於預定位置中以其間具有一定距離。因此，由於根據源和汲極電極層之間的距離確定通道寬度，即使在源和汲極電極層之間的距離設定得較短時，也可形成源和汲極電極層而沒有由於缺陷形成引起的相互接觸。具有這種源和汲極電極層的薄膜電晶體481可高速運行並具有較高的可靠性。

在該實施例模式中，結晶半導體層被當成半導體層，且n型半導體層被當成具有一種傳導類型的半導體層。代替形成n型半導體層，提供的該半導體層可以使用PH₃ 氣體藉由電漿處理而具備傳導性。半導體層不限於本實施例模式，如實施例模式1中，可以使用非晶半導體層。在本實施例模式中使用多晶矽等的結晶半導體層的情況下，藉由將雜質引入(加入)結晶半導體層可以形成具有一種傳導類型的雜質區，而不形成具有一種傳導類型的半導體層。此外，可以使用諸如並五苯的有機半導體。當藉由微滴排放法等選擇性地形成有機半導體時，可以簡化處理成期望形狀的步驟。

在本實施例模式中，非晶半導體層結晶以形成結晶半導體層作為半導體層494。在結晶步驟中，用促進結晶的元素(也稱作催化劑元素或金屬元素)摻雜非晶半導體層，並進行熱處理(在550到750℃的溫度下進行3分鐘到24小時)以使該非晶半導體層結晶。作為促進結晶的元素，可使用選自鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉑(Pt)、銅(Cu)和金(Au)中的一種或多種。在本實施例模式中，使用鎳。

為從結晶半導體層中去除或減少促進結晶的元素，形成包含雜質元素的半導體層以與結晶半導體層相接觸以當成吸氣裝置。雜質元素可以是提供n型傳導性的雜質元素、提供p型傳導性的雜質元素、稀有氣體元素等。例如，可使用選自磷(P)、氮(N)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)、硼(B)、氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)的一種或多種。在該實施例模式中，形成有提供含n型傳導性的雜質元素磷(P)的n型半導體層作為含有雜質元素的半導體層當成為吸氣裝置，n型半導體層被形成於包含促進結晶的元素的結晶半導體層上，且進行熱處理(以550到750℃的溫度，持續3分鐘到24小時)。結晶半導體層中的促進結晶的元素移入n型半導體層，且結晶半導體中的促進結晶的元素被去除或減少，形成半導體層494。另一方面，所述n型半導體層變成包含促進結晶的金屬元素的n型半導體層，隨後被處理成預定形狀以變成n型半導體層495a和495b。n型半導體層495a、495b當成半導體層494的吸氣裝置並直接當成源極區或汲極區。

在本實施例模式中，藉由多個熱處理進行半導體層的結晶步驟和吸氣步驟，但可以藉由一個熱處理執行結晶步驟和吸氣步驟。在該情況下，可在形成非晶半導體層，摻雜促進結晶的元素，並形成作為吸氣裝置的半導體層之後，進行熱處理。

在本實施例模式中，閘極絕緣層藉由堆疊多個層形成，且閘極絕緣層497具有藉由按此順序從閘極電極層493側起堆疊氧氮化矽膜和氮氧化矽膜形成的雙層結構。堆疊的絕緣層較佳的藉由改變反應氣體同時維持真空狀態在同一腔中以相同的溫度連續形成。當在維持真空狀態時連續堆疊這些層時，可防止堆疊膜之間的介面被污染。

利用聚醯亞胺、聚乙烯醇等，藉由微滴排放法形成通道保護層496。結果，可省去光微影步驟。通道保護層可以是由無機材料(諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或氧氮化矽)、光敏或非光敏有機材料(有機樹脂材料)(聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、抗蝕劑、苯並環丁烯等)、低介電常數材料(低k材料)等中的一種或多種構成的膜；這些膜構成的堆疊層；等等。此外，也可使用矽氧烷材料。作為製造方法，可使用諸如電漿CVD或熱CVD的氣相生長方法或者濺射法。也可使用微滴排放法、印刷法(用於形成圖形的方法，諸如絲網印刷或膠印)、分配法。還可使用藉由塗佈法獲得的塗佈膜。

首先，將參考圖12A說明向基板480發射光的情況，換句話說底部發射的情況。在這種情況中，第一電極層484形成為連接到源或汲極電極層487b，且在該第一電極層484上方，場致發光層485和第二電極層486被順序堆疊以電連接到薄膜電晶體481。透射光的基板480需要具有至少相對於可見光範圍內的透光性。接著，將參考圖12B說明在將光發射到與基板460相對的側部的情況，換句話說頂部發射的情況。薄膜電晶體461可按與上述薄膜電晶體相類似的方式形成。

與薄膜電晶體461電連接的源或汲極電極層462與第一電極層463相接觸並相互電連接。第一電極層463、場致發光層464和第二電極層465順序堆疊。源或汲極電極層462是反射性的金屬層，且將從發光元件發出的光按箭頭所示地向上反射。源或汲極電極層462和第一電極層463被堆疊，因此當第一電極層463用透光性材料形成並經由其透光時，光由源或汲極電極層462反射並被發射到基板460的相對方向。當然，第一電極層463可由反射性的金屬膜構成。由於發光元件中生成的光被發射經由第二電極層465，所以第二電極層465由具有至少相對於可見光的透光性的材料構成。最後，將參考圖12C說明光被發射到基板470側和其相對側的情況，換句話說雙重發射的情況。薄膜電晶體471也是通道保護薄膜電晶體。電連接到薄膜電晶體471的半導體層的源或汲極電極層475電連接到第一電極層472。第一電極層472、場致發光層473和第二電極層474順序堆疊。當第一電極層472和第二電極層474由具有至少相對於可見光的透光性的材料構成並形成為具有能透光的厚度時，實現雙重發射。在這種情況中，絕緣層和光通過的基板470也必要地形成為具有相對於至少可見光的透光性。

圖11A－11D顯示可應用於本實施例模式的發光元件的結構。每個發光元件都具有將場致發光層860設置於第一電極層870和第二電極層850之間的結構。有必要考慮其工作功能選擇用於第一和第二電極層的材料。根據圖素結構，第一和第二電極層分別可以當成陽極或陰極。在本實施例模式中，由於驅動TFT的極性是n通道型，因此第一電極層較佳的作為陰極而第二電極層較佳的當成陽極。此外，當驅動TFT的極性是p通道型時，第一電極層較佳的當成陽極而第二電極層當成陰極。

圖11A和11B顯示第一電極層870是陽極而第二電極層850是陰極的情況；因此場致發光層860較佳的藉由在第一電極層870上順序層疊由HIL(電洞注入層)和HTL(電洞傳送層)的堆疊物構成的緩衝層804、EML(發光層)803以及由ETL(電子傳送層)和EIL(電子注入層)的堆疊物構成的緩衝層802而形成，且第二電極層850形成於其上。圖11A顯示光經由第一電極層870發射的結構，其中第一電極層870由具有透光性的導電氧化物材料製成的電極層805構成，且其中第二電極層850藉由在場致發光層860上順序堆疊包含諸如LiF或MgAg的鹼金屬或鹼土金屬的電極層801和由諸如鋁的金屬材料製成的電極層800而構成。圖11B顯示光發射經由第二電極層850的結構，其中第一電極層870包括由諸如鋁或鈦的金屬或者包含這種金屬和濃度在化學計量比例中或以下的氮的金屬材料形成的電極層807；以及由包含1到15原子%氧化矽的導電氧化物材料形成的第二電極層806。第二電極層850藉由在場致發光層860上順序堆疊包含諸如LiF或MgAg的鹼金屬或鹼土金屬的電極層801以及由諸如鋁的金屬材料製成的電極層800構成。電極層的厚度被設定為100 nm或以下，以透光，因此光可以經由第二電極層850發射。

圖11C和11D顯示第一電極層870是陰極和第二電極層850是陽極的情況。場致發光層860較佳的藉由按此順序在作為陰極的第一電極層870和在其上形成的作為陽極的第二電極層850上堆疊由EIL(電子注入層)和ETL(電子傳送層)的堆疊物形成的緩衝層802、由EML(發光層)803以及由HTL(電洞傳送層)或HIL(電洞注入層)的堆疊物構成的緩衝層804而形成。圖11C顯示光經由第一電極層870發射的結構，其中第一電極層870藉由在場致發光層860上順序地堆疊包含諸如LiF或MgAg的鹼金屬或鹼土金屬的電極層801和由諸如鋁的金屬材料製成的電極層800而構成。電極層的厚度被設定為100 nm或以下以透射光，因此光可發射通過第一電極層870。第二電極層850藉由在場致發光層860上順序堆疊由包含1到15原子%氧化矽的導電氧化物材料形成的第二電極層806以及由諸如鋁或鈦的金屬或者包含這種金屬和濃度在化學計量比例中或以下的氮形成的電極層807構成。圖11D顯示光發射通過第二電極層850的情況，其中第一電極層870藉由在場致發光層860上順序堆疊由包含諸如LiF或MgAg的鹼金屬或鹼土金屬的電極層801以及由諸如鋁的金屬材料形成的電極層800構成。電極層的厚度被設定為較厚，以使場致發光層860中生成的光能由第一電極層870反射。第二電極層850用具有至少相對於可視光的透光性的導電氧化物材料製成的電極層805構成。此外，除以上堆疊層結構之外，場致發光層可形成為具有單層結構或混合結構。

作為場致發光層，利用各蒸發掩模等藉由蒸發法選擇性地形成呈現紅(R)、綠(G)和藍(B)的材料。呈現紅(R)、綠(G)和藍(B)的光發射的這些材料(低分子量材料或高分子量材料等)可按與濾色片的情況相同的方式藉由微滴排放法形成。微滴排放法是較佳的，因為可以分開應用呈現R、G、B的材料而不使用掩模。

在第二電極層使用具有透光性的ITO或ITSO的頂部發射型的情況中，可使用其中將Li添加到苯並唑衍生物(BzOs)的BzOs－Li等。此外例如，作為EML，可以使用用與R、G和B的每種熒光色相對應的摻雜物摻雜的Alq₃ (用於R的DCM等，和用於G的DMQD等)。

注意，場致發光層的材料不限於上述材料。例如，藉由共同蒸發諸如氧化鉬(MoOx：x＝2比3)的氧化物和α－NPD或紅熒烯代替使用CuPc或PEDOT可改善電洞注入屬性。此外，有機材料(包括低分子量材料和高分子量材料)或有機材料和無機材料的合成材料可當成場致發光層的材料。以下將詳細說明形成發光元件的材料。

作為電荷注入/傳送物質中具有高電子傳送屬性的物質，可提出具有喹啉主鏈或苯並喹啉主鏈的金屬絡合物如三(8－喹啉根)合鋁(Alq₃ )、三(4－甲基－8－喹啉根)合鋁(Almq₃ )、二(10－羥基苯並[h]－喹啉根)合鈹(BeBq₂ )、二(2－甲基－8－喹啉根)－4－苯基苯酚根合鋁(BALq)。至於具有高電洞傳送性的物質，例如可提出芳香胺基(即具有苯環狀氮源自鍵的－種東西)複合物，如4，4’－二[N－(1－萘基)－N－苯基－氨基]聯苯(α－NPD)、4，4’－二[N－(3－甲基苯基)－N－苯基－氨基]聯苯(TPD)、4，4’，4”－三[N，N－聯苯－氨基]－三苯胺(TDATA)或者，4，4’，4”－三[N(3－甲基苯基)－N－苯基－氨基]三苯胺(MTDATA)。

作為電荷注入/傳送物質中具有高電子注入屬性的物質，可提出諸如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)或氟化鈣(CaF₂ )的鹼金屬或鹼土金屬的化合物。此外，可使用具有高電子傳送屬性的物質的混合物，諸如Alq₃ 和諸如鎂(Mg)的鹼土金屬。

作為電荷注入/傳送物質中具有高電洞注入屬性的物質，例如可提出諸如氧化鉬(MoO_x )、氧化礬(VO_x )、氧化釕(RuO_x )、氧化鎢(WO_x )、氧化錳(MnO_x )的金屬氧化物。此外，可提出諸如酞菁(H₂ Pc)或銅酞菁(CuPc)的酞菁基化合物。

具有不同光發射波長範圍的發光層可分別形成於每個圖素中以進行顏色顯示。通常，形成分別對應於R(紅)、G(綠)和B(藍)色的各發光顏色的發光層。在這種情況中，在將透射某一光發射波長範圍的光的篩檢程式設置於圖素的光發射側上時，可以改善色純度並可以避免圖素部分的鏡反射(反射)。藉由提供篩檢程式，可省去習如需要的圓偏振片等並可消除從發光層發出的光的損耗。此外，還可減小當斜向觀看圖素部分(顯示幕)時出現的色調變化。

存在多種發光材料。作為低分子量有機發光材料，可以使用下列物質：4－二氰基亞己基－2－甲基－6－[2－(1,1,7,7－四甲基－9－久洛尼定基)乙烯基]－4H－吡喃(縮寫：DCJT)，4－二氰基乙烯－2－叔丁基－6－[2－(1,1,7,7－四甲基－9－久洛尼定基)乙烯基]－4H－吡喃(縮寫：DCJTB)，periflanthene；2,5－二氰基－1，4－二[2－(10－甲氧基－1,1,7,7－四甲基－9－久洛尼定基)乙烯基]苯；N,N’－二甲基喹吖二酮(縮寫：DMQd)、香豆素6、香豆素545T，三(8－喹啉根)合鋁(縮寫：Alq₃ )、9,9’－聯蒽，9,10－聯苯蒽(縮寫：DPA)，9,10－二(2－萘基)蒽(縮寫：DNA)等。也可以使用其他的材料。

另一方面，與低分子量有機發光材料相比，高分子量有機發光材料具有較高的物理強度，這意味著元件較耐用。此外，由於高分子量有機發光材料可藉由塗佈形成，因此元件可相對較容易地進行製造。使用高分子量有機發光材料的發光元件的結構基本上與使用低分子量有機發光材料的結構相類似，由陰極、有機發光層和陽極按此順序從陰極側起進行堆疊而形成。但，在用高分子量有機發光材料製成發光層時，很難形成與使用低分子量有機發光材料的情況相同的堆疊結構。在許多情況下，由高分子量有機發光材料製成的這種發光元件具有雙層結構。特別是，它是藉由從陰極側起順序堆疊陰極、發光層、電洞傳送層和陽極而形成的堆疊結構。

由於藉由發光層的材料確定發射色彩；因此藉由選擇該材料可形成呈現預定光顏色的發光元件。作為可用於形成發光層的高分子量場致發光材料，可提出聚對亞苯基－亞乙烯基材料、聚對亞苯基材料、聚噻吩基材料，或者聚芴基材料。

至於聚對亞苯基－亞乙烯基材料，可以提出聚(聚亞苯基亞乙烯基)[PPV]，聚(2,5－二烷氧基－1,4－亞苯基亞乙烯基)[RO－PPV]，聚(2－(2’－乙基－己氧基)－5－甲氧基－1,4－亞苯基乙烯基)[MEH－PPV]，聚(2－(二烷氧基苯基)－1,4－亞苯基亞乙烯基)[ROPh－PPV]等的衍生物。至於聚對亞苯基材料，可以提出聚對亞苯基(PPP)，聚(2,5－二烷氧基－1,4－亞苯基)[RO－PPP]，聚(2,5－二己氧基－1,4－亞苯基)等的衍生物。至於聚噻吩基材料，可以提出聚噻吩(PT)，聚(3－烷基噻吩)[PAT]，聚(3－己基噻吩)[PHT]，聚(3－環己基噻吩)[PCHT]，聚(3－環己基－4－甲基噻吩)[PCHMT]，聚(3,4－二環己基噻吩)[PDCHT]，聚(3－(4－辛基苯基)－噻吩)[POPT]，聚[3－(4－辛基苯基)－2,2－二噻吩][PTOPT]等的衍生物。至於聚芴基材料，可以提出聚芴[PF]，聚(9,9－二烷基芴)[PDAF]，聚(9,9－二辛基芴)[PDOF]等的衍生物。

當具有電洞傳送屬性的高分子量有機發光材料被插入陽極和具有發光屬性的高分子量有機發光材料之間時，可改善來自陽極的電洞注入屬性。通常，藉由旋塗法等應用與受體材料一起在水中溶解的具有電洞傳送屬性的高分子量有機發光材料。由於具有電洞傳送屬性的高分子量發光材料在有機溶劑中是不可溶的，因此它可與具有發光屬性的上述有機發光材料堆疊在一起。作為具有電洞傳送屬性的高分子量有機發光材料，可提出當成受體材料的PEDOT和樟腦－磺酸(CSA)的混合物、當成受體材料的聚苯胺[PANI]和聚苯乙烯磺酸[PSS]的混合物等。

發光層可發射單色或白色光。在使用白光發射材料的情況下，藉由將透射特定波長光的篩檢程式(彩色層)設置於圖素的發光側上，可實現顏色顯示。

為了形成發射白光的發光層，例如Alq₃ ，當成為紅光發射顏料的Nile紅部分摻雜的Alq₃ ，Alq₃ ，p－EtTAZ，TPD(芳族二胺)藉由蒸發法順序地堆疊。此外，在藉由使用旋塗的塗佈法形成EL的情況下，較佳的在塗佈後藉由真空加熱烘培該EL。例如，整體施塗聚(亞乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)溶液(PEDOT/PSS)的水溶液作為電洞注入層和烘焙。然後，可以整體施塗摻有熒光中心的顏料(1,1,4,4－四苯基－1,3－丁二烯(TPB)，4－二氰基亞甲基－2－甲基－6－(p－二甲基氨基－苯乙烯基)－4H－吡喃(DCM1)，Nile紅，香豆素6等)的聚乙烯哢唑(PVK)溶液作為發光層和烘培。

發光層可形成為具有單層。這樣，具有電子傳送屬性的1,3,4－惡二唑衍生物(PBD)可在具有電洞傳送屬性的聚乙烯哢唑(PVK)中擴散。此外，白光發射可藉由擴散作為電子傳送劑的30wt%的PBD和擴散合適量的四種顏料(TPB、香豆素6、DCM1和Nile紅)獲得。藉由適當的選擇發光層材料也可獲得能發射紅光、綠光或藍光的發光元件，如這裏所示的可獲得白光發射的發光元件一樣。

此外，包括金屬絡合物等的三重激發發光材料以及單激發發光材料可用於發光層。例如，發出紅光的圖素的亮度在相對較短時間內減半，它由三重激發發光材料構成，且發射綠和藍光的圖素由單激發發光材料構成。由於三重激發發光材料具有材料有良好的發光效率，所以與單激發發光材料相比它具有需要較少功率獲得相同亮度的特點。這樣，當發紅光的圖素由三重激發發光材料構成時，僅需要少量電流流經發光元件，從而改善可靠性。為減少功耗，發出紅光和綠光的圖素可由三重激發發光材料構成，而發出藍光的圖素可由單激發發光材料構成。在由三重激發發光材料形成具有高可見度的發綠光的發光元件的情況下，可以進一步降低功耗。

作為三重激發發光材料的示例，可提出當成摻雜物的金屬絡合物。特別是，具有作為中心金屬的第三過渡元素鉑的金屬絡合物、具有銥作為中心金屬的金屬絡合物等是已知的。三重激發發光材料不限於這些化合物，也可使用具有上述結構以及包括作為中心金屬並屬於周期表族8到10的元素的上述結構的化合物。

用於形成發光層的上述物質是示例，且可藉由適當地堆疊具有各種屬性的各層來形成發光元件，所述各層諸如電洞注入/傳送層、電洞傳送層、電子注入/傳送層、電子傳送層、發光層、電子阻斷層或電洞阻斷層。此外，可形成這些層的混合層或混合組。可改變發光層的層結構。只要不背離本發明的精神，發光層結構變化是允許的，諸如提供電極層或擴散發光材料代替提供某一電子注入區或發光區。

當向由上述材料構成的發光元件施加正向偏壓時，該發光元件可發光。用發光元件形成的顯示裝置的每個圖素都可藉由簡單矩陣法或主動矩陣法驅動。無論哪種情況，每個圖素在特定計時藉由向其施加正向偏壓而發光；但每個圖素在某一周期內不發光。在該不發光周期內，向該發光元件施加反向偏壓以改善發光元件的可靠性。發光元件具有特定驅動條件下降低發射強度或者由於圖素內非發光區的擴大引起亮度明顯減少的劣化模式。在藉由施加正向和反向偏壓的交流電驅動發光元件時，可阻礙發光元件的劣化，從而改善發光裝置的可靠性。此外，可應用數位驅動或類比驅動。

儘管圖12A到12C未示出，濾色片(彩色層)可形成於與包括元件的基板相對的密封基板上。濾色片(彩色層)可藉由微滴排放法選擇性地形成。由於R、G、B的發光譜中的寬峰可由濾色片(彩色層)明顯地調節，藉由使用濾色片(彩色層)，可顯示高清晰影像。

儘管以上顯示形成呈現各R、G和B的光發射的材料的情況；但是，藉由形成呈現單色光的材料並組合濾色片和色彩轉換層可實現全色顯示。例如，濾色片(彩色層)或色轉換層可形成於密封基板上並被附著到基板。如上所述，呈現單色光的材料、濾色片(彩色層)或色彩轉換層可藉由微滴排放法形成。

當然，可以進行單色發光顯示。例如，可以形成使用單色光的區域色顯示裝置。被動矩陣顯示部分適合於該區域色顯示裝置，且主要可以在其上顯示字元和符號。

在上述結構中，可以用低功函材料形成陰極。例如，該陰極理想地由Ca、Al、CaF₂ 、MgAg、AiLi等形成。場致發光層可以具有單層結構、堆疊層結構、層間無介面的混合結構中的任一種。此外，場致發光層可由單重材料；三重材料；具有單重和三重材料的組合的材料；包括有機化合物或無機化合物的電荷注入/傳送物質；或者發光材料構成。場致發光層可包括選自根據分子數量的低分子量有機化合物、中間分子量有機化合物(這表示沒有昇華屬性的有機化合物，分子數量為20或以下，或者分子鏈長度為10 μ m或以下)和高分子量有機化合物的一種或多種層，並可與具有電子注入/傳送屬性或電洞注入/傳送屬性的無機化合物組合。第一電極層484和472以及第二電極層465和474由透射光的透明導電膜形成。例如，除了ITO或ITSO之外，使用在氧化銦中混合了2到20重量%的氧化鋅(ZnO)的靶而形成的透明導電膜。在形成第一電極層484、463和472之前，較佳的進行氧氣氛中的電漿處理或真空氣氛中的熱處理。用包含矽的材料、有機材料或化合物材料形成隔離壁。此外，也可使用多孔膜。較佳地，該隔離壁由諸如丙烯酸或聚醯亞胺的光敏材料或非光敏材料構成，由於其每個側表面的曲率半徑連續變化，所以每個隔離壁上形成的薄膜不會斷開。該實施例模式可自由地與實施例模式1或實施例模式2組合。

實施例模式5

接著，將說明用於驅動根據實施例模式2到4製造的顯示面板上驅動器電路安裝的模式。

首先，參考圖27A說明採用COG模式的顯示裝置。顯示字元、影像等的資訊的圖素部分2701設置於基板2700之上。具備多個驅動器電路的基板被分成矩形，且在劃分後驅動器電路(也稱作驅動器IC)2751被安裝於基板2700上。圖27A顯示將多個驅動器IC 2751和將FPC 2750安裝於驅動器IC 2751端部的模式。或者，可使劃分大小與訊號線側上的圖素部分的側邊的長度幾乎相同，且可以提供單個驅動器IC，並可將FPC 2750附著和安裝於驅動器IC的端部上。

也可採用TAB方法。在這種情況下，可安裝多個FPC 2750且驅動器IC可安裝於FPC 2750上，如圖27B所示。類似於COG方法的情況，可在單個FPC 2750上安裝單個驅動器IC。在這種情況中，在強度方面，用於固定驅動器IC的金屬件等可被附著到一起。

在改善生產率方面，顯示面板上要安裝的多個驅動器IC較佳的形成於具有300 mm到1000 mm或以上的側邊的矩形基板上。

換句話說，各自包括驅動器電路部分和輸入－輸出端子作為一單元的多個電路圖形形成於基板上，並可最終被劃分，加以使用。考慮到圖素部分的側邊長度或圖素間距，驅動器IC可形成為矩形，其長側為15到80 mm且短側為1到6 mm。或者，驅動器IC可形成為具有圖素部分側長度的長側長度或者圖素部分的側長度加上每個驅動器電路的側長度的長側長度。

IC晶片上的驅動器IC的外部尺寸優點是長側的長度。當使用具有15到80 mm長側的驅動器IC時，根據圖素部分的安裝所必需的驅動器IC的數量少於使用IC晶片的情況中的數量。因此，可改善製造產量。由於當成母體的基板的形狀是非限制的，因此當驅動器IC形成於玻璃基板上時不會削弱生產率。與將IC晶片從圓形矽晶片中取出的情況相比，這是很大的優點。

當掃描線驅動器電路3702如圖25B所示地與基板整合時，具備訊號線驅動器電路的驅動器IC安裝於圖素部分3701外的區域。該驅動器IC是訊號線驅動器電路。為了形成與RGB全色相對應的圖素部分，XGA級需要3072條訊號線且UXGA級需要4800條訊號線。按這種數量形成的訊號線在圖素部分3701的端部被分成幾塊，並形成引線。與驅動器IC的輸出端子的間距相對應地收集訊號線。

驅動器IC較佳的由基板上形成的結晶半導體製成。結晶半導體較佳的藉由用連續波雷射照射而形成。因此，連續波固體雷射器或氣體雷射器當成生成雷射的振盪器。在使用連續波雷射器時存在很少的晶體缺陷，結果可藉由使用具有較大粒度的多晶半導體層製造電晶體。此外，由於遷移率或回應速度良好，高速驅動是可能的，且同習知元件相比可以進一步改善元件的工作頻率。存在很少的特徵變化。因此可獲得較高的可靠性。電晶體的通道長度方向和雷射的掃描方向以相同的方向引導，從而進一步改善工作頻率。這是因為在藉由連續波雷射器進行的雷射器結晶步驟中當相對於基板的電晶體的通道長度方向和雷射的掃描方向基本平行時(較佳的從－30°到30°)時可獲得最高的遷移率。注意，通道長度方向與電流的流動方向(換句話說電荷在通道形成區中移動的方向)一致。這樣製造的電晶體具有包括多晶半導體層的主動層，其中晶粒在通道方向上延伸，這意味著晶粒介面幾乎沿著通道方向形成。

為了進行雷射器結晶，較佳的廣泛地變窄雷射，且雷射(射束點)的形狀的寬度較佳的與驅動器IC的短側寬度相同，約從1到3 mm。此外，為確保用於用照射物體的足夠和有效的能量密度，雷射的照射區域較佳的具有直線形狀。然而，這裏所使用的術語〝直線〞在嚴格意義上不表示直線而是具有較大縱橫比的矩形或長方形。例如，直線形狀表示縱橫比為2或以上的矩形或長方形(較佳的10到10000)。因此，可以提供一種用於製造顯示裝置的方法，其中藉由使得雷射形狀(射束點)寬度等於驅動器IC的短側的寬度來改善生產率。

如圖27A和27B所示，驅動器IC可作為掃描線驅動器電路和訊號線驅動器電路加以安裝。在這種情況中，較佳的在掃描線側和訊號線側之間使用不同的驅動器IC規範。

在圖素部分中，訊號線和掃描線相交形成矩陣，且根據每個交叉設置電晶體。本發明的一個特點在於：具有非晶半導體或半非晶半導體作為通道部分的TFT當成圖素部分中設置的電晶體。非晶半導體藉由諸如電漿CVD或濺射的方法形成。藉由電漿CVD可以300℃或以下的溫度形成半非晶半導體。即使在例如550×650 mm的外部尺寸的非鹼性玻璃基板的情況下，短時間內形成構成電晶體所必需的膜厚。製造技術的這種特點在製造大螢幕顯示裝置過程中是有效的。此外，藉由用SAS形成通道形成區，半非晶TFT可獲得從2到10 cm² /V．sec的場效應遷移率。在應用本發明時，由於可以良好的可控性形成具有期望形狀的圖形，所以可穩定地形成具有短通道寬度的精細配線而沒有諸如短路的缺陷。因此，可以形成具有充分操作圖素所需的電特性的TFT。因此，該TFT可當成圖素的開關元件或者作為掃描線驅動器電路中包括的元件。因此，可以製造實現面板系統的顯示面板。

藉由使用具有用SAS形成的半導體層的TFT，掃描線驅動器電路也可與基板整合。在使用具有用AS形成的半導體層的TFT的情況下，驅動器IC可安裝於掃描線驅動器電路和訊號線驅動器電路上。

在這種情況中，較佳的在掃描線側和訊號線側之間使用不同的驅動器IC規範。例如，掃描線驅動器IC中包含的電晶體需要承受約30V的電壓，但驅動頻率是100 kHz或以下，比較來說不需要高速操作。因此，構成掃描線驅動器中包含的電晶體的通道長度(L)較佳的被設定成足夠長。另一方面，儘管訊號線驅動器IC的電晶體僅需要承受約12V的電壓，但驅動頻率在3V時約65 MHz並需要高速操作。所以，驅動器中包含的電晶體的通道長度等較佳的被設定為符合微米規則。藉由使用本發明，可以良好的可控性形成微觀圖案。因此本發明足以處理這種微米規則。

沒有特殊限制安裝驅動器IC的方法，且可以使用已知的COG方法、引線結合法或TAB方法。

將驅動器IC的厚度和相對基板的厚度被設定為相同，這有助於整體顯示裝置變薄。當用相同材料形成這兩個基板時，即使顯示裝置中產生溫度變化，也不會產生熱應力且不會破壞由TFT形成的電路的特性。此外，如本實施例模式中所說明的，藉由將比IC晶片長的驅動器IC安裝於本實施例模式中說明的驅動器電路上，可以減少一個圖素部分上安裝的驅動器IC的數量。

如上所述，驅動器電路可被結合入顯示面板。

實施例模式6

將說明本發明的顯示裝置中包含的保護電路的示例。

如圖27B所示，保護電路2713形成於外部電路和內部電路之間。保護電路由選自TFT、二極體、電阻器元件、電容器元件等的一個或多個元件構成。以下說明保護電路的幾種結構及其操作。首先，將參考圖24A－24E說明設置於外部電路和內部電路之間並對應於一個輸入端子的保護電路的等效電路的結構。圖24A所示的保護電路包括p通道薄膜電晶體7220和7230、電容器元件7210和7240以及電阻器元件7250。電阻器元件7250有兩個端子，向一個端子提供輸入電壓Vin(以下稱作Vin)並向另一個提供低電位電壓VSS(以下稱作VSS)。

圖24B為保護電路的等效電路圖，其中用整流二極體7260和7270代替p通道薄膜電晶體7220和7230。圖24C為保護電路的等效電路圖，其中用TFT 7350、7360、7370、7380代替p通道薄膜電晶體7220和7230。此外，作為結構不同於以上結構的保護電路，圖24D顯示一保護電路，它包括電阻器7280和7290以及n通道薄膜電晶體7300。圖24E所示的保護電路包括電阻器7280和7290、p通道薄膜電晶體7310和n通道薄膜電晶體7320。藉由提供保護電路，可防止電位的突然波動，從而防止元件被擊穿或破壞，改善可靠性。注意，具有上述保護電路的元件較佳的用具有耐高壓的非晶半導體形成。該實施例模式可自由地與上述實施例模式組合。

該實施例模式可與實施例模式1到5中的任何一個組合。

實施例模式7

將參考圖10A到10F的等效電路圖說明本實施例模式中示出的顯示面板的圖素結構。本實施例模式中，說明了將發光元件(EL元件)當成圖素顯示元件的示例。

在圖10A所示的圖素中，訊號線710以及電源線711、712和713在行方向上排列，且掃描線714在列方向上排列。圖素還包括作為開關TFT的TFT701、作為驅動TFT的TFT703、作為電路控制TFT的TFT704、電容器元件702和發光元件705。

除了將TFT703的閘極電極連接到列方向上排列的電源線712之外，圖10C所示的圖素的結構與圖10A所示的相同。圖10A和10C所示的圖素顯示相同的等效電路圖。但是，在電源線712在行方向上排列的情況(圖17A)和電源線715在列方向上排列的情況(圖17C)之間每個電源線都由具有不同層的導電層形成。圖10A和10C中分開顯示兩個圖素，以示出在圖10A和10C之間層是不同的，其中與TFT703的閘極電極相連的配線由這些層形成。

在圖10A和10C中，TFT703和TFT704在圖素中是串聯的，且TFT703的通道長度L3/通道寬度W3與TFT704的通道長度L4/通道寬度W4的比率被設定為：L3/W3：L4/W4＝5到6000：1。例如，當L3、W3、L4和W4分別設定為500 μ m、3 μ m、3 μ m和100 μ m時，可以獲得6000：1比。

TFT703在飽和區中操作並控制流入發光元件705的電流量，而TFT704在線性區中操作並控制提供給發光元件705的電流。考慮到製造過程，TFT703和704兩者較佳的具有相同的導電類型。對於驅動TFT703，可使用耗盡型TFT代替增強型TFT。在具有上述結構的本發明中，TFT704的VGS的輕微變化不會不利地影響流到發光元件705的電流量，因為TFT704在線性區中操作。換句話說，流到發光元件705的電流量由飽和區中操作的TFT703確定。因此，可以提供一種顯示裝置，其中藉由減少由於TFT特性變化引起的發光元件亮度的變化來改善影像品質。

圖10A到10D所示的每個圖素的TFT701控制輸入到圖素的視頻訊號。當TFT701被導通且視頻訊號被輸入圖素時，該視頻訊號保持在電容器元件702中。雖然圖10A和10C顯示提供電容器元件702的結構，但本發明不限於這些結構。當閘極電容器等可當成保持視頻訊號的電容器時，不必提供電容器元件702。

發光元件705具有將場致發光層夾在一對電極之間的結構。圖素電極和反電極(陽極和陰極)之間具有電位差，以便施加正向偏壓。場致發光層由各種類型的材料構成，諸如有機材料和無機材料。場致發光層中的發光包括當單重激發態回到基態(熒光)時產生的發光以及當三重激發態返回到基態(磷光)時產生的發光。

除了添加了TFT706和掃描線716之外，圖10B所示的圖素結構與圖10A所示的相同。類似地，除了添加了TFT706和掃描線716之外，圖10D所示圖素的結構與圖10C所示的相同。

藉由添加的掃描線716控制TFT706被導通或截止。當導通TFT706時，排放電容器元件702中保存的電荷，從而使TFT704截止。換句話說，藉由提供TFT706可強制停止流到發光元件TFT705的電流供應。因此，藉由採用圖10B和10D所示的結構，發光周期可以與寫入周期的開始同時開始或稍許之後，而不會等待直到訊號被寫入所有圖素；因此，可以改善占空比。

在圖10E所示的圖素中，訊號線750以及電源線751和752按行方向排列，且掃描線753按列方向排列。圖素還包括作為開關TFT的TFT741、作為驅動TFT的TFT743、電容器元件742和發光元件744。除添加TFT745和掃描線754之外，圖10F所示的圖素的結構與圖10E所示的相同。此外，在圖10F的結構使得能藉由提供TFT745能使占空比得以改善。

如上所述，根據本發明，可穩定和精確地形成配線等並沒有缺陷形成。因此，TFT可具備較高的電子特性和可靠性，且根據期望的用途，本發明可令人滿意地用於改善圖素顯示功能的應用技術。

本實施例模式可結合實施例模式1、2、4到6中的任何一個。

實施例模式8

將參考圖9說明實施例模式8。圖9顯示藉由使用根據本發明製造的TFT基板2800構成EL顯示模組的示例。圖9中，包括圖素的圖素部分形成於TFT基板2800上。

圖9中，結構與圖素中形成的結構相同的TFT或者藉由將閘極連接到TFT的源或汲極按與二極體相同方式工作的保護電路部分2801設置於驅動器電路和圖素之間，它在圖素部分的外側。單晶半導體形成的驅動器IC、用多晶半導體膜在玻璃基板上形成的自保驅動器IC或用SAS形成的驅動器電路可應用於驅動器電路2809。

TFT基板2800藉由插入以微滴排放法在其間形成的隔離物2806a和2806b被結合到密封基板2820。較佳的提供隔離物以維持兩基板之間的間隙恆定，即使是在基板較薄或者圖素部分面積被擴大的情況下。分別連接到TFT2802和2803的發光元件2804和2805之上的TFT基板2800和密封基板2820之間的空間可用具有至少相對於可視光的透光性樹脂材料填充並被固化，或者可以用脫水氮或惰性氣體填充。

圖9顯示一種情況，其中發光元件2804、2805和1815具有頂部發射型結構並具有其中光以圖中所示的箭頭方向發射的結構。藉由具有每個圖素中紅、綠或藍的不同發光顏色，可進行多色顯示。此外，藉由形成與密封基板2820側上的每種顏色相對應的彩色層2807a、2807b和2807c，可以改善外部發射的發光的色純度。此外，彩色層2807a、2807b和2807c可彼此組合，以便將該圖素當成白光發射元件。

作為外部電路的驅動器電路2809與藉由配線基板2810在外部電路基板2811的一端上提供的掃描線或訊號線連接端子相接觸。此外，提供熱管2813和散熱片2812與TFT基板2800接觸或靠近以具有提升散熱效果的結構，其中熱管2813是具有管形的用於將熱量傳導到裝置外的高效熱傳導裝置。

圖9顯示頂部發射型EL模組；但藉由改變發光元件的結構和外部電路基板的設置，它可以是底部發射結構。當然，可以使用雙發射結構，其中光從頂部和底部表面的兩側發出。在頂部發射結構的情況下，將要成為隔離壁的絕緣層會被著色以當成黑矩陣。該隔離壁可藉由微滴排放法形成，且它可以藉由將顏料材料的黑樹脂、炭黑等混入諸如聚醯亞胺的樹脂材料而形成。也可使用其堆疊物。

此外，藉由用EL顯示模組中的延遲膜或偏振片來遮罩從外部進入的光的反射光。在頂部發射型顯示裝置的情況下，要成為隔離壁的絕緣層可以被著色以當成黑矩陣。隔離壁可藉由微滴排放法等形成。可以將炭黑等混入顏料材料或諸如聚醯亞胺的樹脂材料的黑樹脂，且也可以使用其堆疊物。藉由微滴排放法，不同材料可多次排放於同一區域以形成隔離壁。四分之一波片和半波片可當成延遲膜並可被設計成控制光。作為該結構，發光元件、密封基板(密封材料)、延遲膜(四分之一波片)、延遲膜(半波片)、偏振片順序地堆疊於TFT元件基板上，其中從發光元件發出的光被透射並從偏振片側向外發射。延遲膜或偏振片可以設置於向外部發射光的一側上，或者可以在從兩個表面發出光的雙發射型顯示裝置的情況下設置於兩側上。此外，防反射膜可設置於偏振片的外側上。因此，可以顯示更高的清晰度和更精確的影像。

在TFT基板2800中，藉由利用密封材料或黏合樹脂將樹脂膜附著到形成圖素部分的一側，可形成密封結構。在該實施例模式中，說明了使用玻璃基板的玻璃密封；但也可以使用各種密封方法，如使用樹脂的樹脂密封、使用塑膠的塑膠密封和使用膜的膜密封。防止濕氣穿透入樹脂膜的氣體阻擋膜較佳的被設置於樹脂膜的表面上。藉由應用膜密封結構，可以實現更輕薄的EL顯示模組。

本實施例模式可與實施例模式1、2和4到7中的任何一個組合。

實施例模式9

以下參考圖20A和20B說明實施例模式9。圖20A和20B顯示用根據本發明製造的TFT基板2600形成液晶顯示模組的示例。

圖20A顯示液晶顯示模組的一示例，其中TFT基板2600和相對基板2601藉由密封材料2602牢固地彼此附著，且圖素部分2603和液晶層2604設置於基板之間以形成顯示區。彩色層2605是進行色顯示所必需的。在RGB系統的情況下，與諸如紅綠藍的各顏色相對應的彩色層設置在相關的各圖素中。TFT基板2600和相對基板2601的外部分別被提供了偏振片2606和2607。此外，對偏振片2607的外部設置透鏡膜2613。光源包括冷陰極管2610和反射片2611。電路基板2612藉由撓性配線基板2609連接到配線電路2608和TFT基板2600。諸如控制電路和電源電路的外部電路被結合入電路基板2612。液晶顯示模組可使用TN(扭轉向列)模式、IPS(平面內切換)模式、MVA(多疇垂直排列)模式、和ASM(軸線對稱排列微單元)模式、OCB模式等。

特別是，利用可以高速進行回應的OCB模式，可以改善根據本發明製造的顯示裝置的性能。圖20b示出一示例，其中OCB模式被應用於圖20A的液晶顯示模組，以使該液晶顯示模組變成FS－LCD(場序LCD)。FS－LCD在一個幀周期內發射紅、綠、藍光中的每一個。藉由使用時間分隔來形成影像，以進行顏色顯示。此外，用發光二極體、冷陰極管等進行各顏色的發射；因此不需要濾色片。因此，由於不需要紅綠藍的濾色片的設置，可以在與使用濾色片的情況相同的面積中設置九倍多的圖素。另一方面，三種顏色的光發射在一個框周期內進行；從而需要液晶的高速回應。當將FS系統或OCB模式應用於本發明的顯示裝置時，可以實現性能更高的高清晰度顯示裝置或高清晰度液晶電視裝置。

OCB模式的液晶層包括所謂的π單元結構。在π單元結構中，液晶分子被取向，使得分子的預傾角沿著主動矩陣基板和相對基板之間的中心平面對稱。當未將電壓施加到基板上時，π單元結構中的取向是張開取向，並在施加電壓時轉入彎曲定向。電壓的進一步施加使彎曲取向中的液晶分子進入與兩個基板的垂直取向，這允許光藉由。注意，藉由使用OCB模式可實現約十倍於習知TN模式的高回應速度。

此外，為與FS模式相對應的模式，使用可進行高速操作的鐵電液晶(FLC)的HV－FLC、SS－FLC等。黏度相對較低的向列液晶用於OCB模式。碟狀液晶用於HV－FLC和SS－FLC，但作為液晶材料，可以使用FLC、向列液晶、碟狀液晶等。

藉由使液晶顯示模組的單元間隙變窄來提升液晶顯示模組的光學回應速度。或者，可以藉由降低液晶材料的黏度來提升該光學回應速度。以上的提升回應速度的方法在TN模式液晶顯示模組的圖素區域中的圖素(點)間距為30 μ m或以下的情況中更加有效。

圖20B的液晶顯示模組具有透光型，其中紅光源2910a、綠光源2910b、藍光源2910c作為光源提供。在該液晶顯示模組中提供控制部分2912來控制紅光源2910a、綠光源2910b、藍光源2910c的開或關。藉由控制部分2912控制各顏色的發光，光進入液晶，用時間分隔形成影像，從而進行色彩顯示。

如上所述，可以用本發明製造更高解析度和高可靠性的液晶顯示模組。

該實施例模式可組合實施例模式1、3、5和6的任何一種。

實施例模式10

使用根據本發明製造的顯示裝置可完成電視裝置。圖21是示出電視裝置的主要結構的方塊圖。如同圖26A所示的結構，存在一種情況，其中僅形成圖素部分601，且掃描線驅動器電路603和訊號線驅動器電路602藉由TAB方法安裝，如圖27B；一種情況，其中基板上僅形成圖素部分601且掃描線驅動器電路603和訊號線驅動器電路602藉由COG方法安裝，如圖27A；一種情況，其中TFT如圖26B所示地形成，圖素部分601和掃描線驅動器電路603也與基板整合，且訊號線驅動器電路602獨立地作為驅動器IC安裝；以及一種情況，其中圖素部分601、訊號線驅動器電路602和掃描線驅動器電路603如圖26C所示地整體形成於基板上等。可以使用任何結構的顯示面板。

此外，作為另一外部電路，顯示裝置可包括，在視頻訊號的輸入側中，在調諧器604接收的訊號中放大視頻訊號的視頻訊號放大器電路605，將從視頻訊號放大器電路605輸出的訊號轉換成與紅綠藍各色相對應的色度訊號的視頻訊號處理電路606，將視頻訊號轉換成驅動器IC的輸入規範的控制電路607，等。控制電路607將訊號輸出到掃描線側和訊號線側。在數位驅動的情況下，訊號劃分電路608可設置於訊號線側且輸入數位訊號可以被分層為m片，而予以提供。

調諧器604接收的訊號中的音頻訊號被發送給音頻訊號放大器電路609，並藉由音頻訊號處理電路610提供給揚聲器613。控制電路611從輸入部分612接收接收站(接收頻率)或聲音音量的控制資訊並將訊號發送給調諧器604或音頻訊號處理電路610。

可以藉由將這種液晶顯示模組或EL顯示模組結合入外殼來完成電視裝置，如圖23a和23B所示。當使用如圖9所示的EL顯示模組時，可以獲得EL電視裝置。當使用如圖20A或圖20B所示的液晶顯示模組時，可以獲得液晶電視裝置。主螢幕2003用顯示模組形成，且揚聲器部分2009、操作開關等提供作為其附屬設備。因此，可以根據本發明完成電視裝置。

將顯示面板2002結合入外殼2001，可以藉由接收器2005接收普通TV廣播。藉由經由數據機2004以有線或無線連接而連接到通信網路，可以進行單向(從發送器到接收器)或雙向(發送器和接收器之間或者接收器之間)資訊通信。可利用外殼2001中構造的開關或遙控單元2006操作電視裝置。此外，用於顯示輸出資訊的顯示部分2007也可設置於遙控單元2006中。

此外，除了主螢幕2003之外，電視裝置可包括用第二顯示面板形成的子螢幕2008，以顯示頻道、音量等。在該結構中，主螢幕2003可以用具有寬視角的EL顯示面板形成，且子螢幕2008可以用能以低功耗顯示影像的液晶顯示面板形成。為了較佳地減少功耗，主螢幕2003可以用液晶顯示面板形成，且子螢幕可用能開關的EL顯示面板形成。根據本發明，即使在使用大尺寸基板和使用大量TFT或電子部件時，可以形成高可靠性顯示裝置。

圖23B顯示具有較大顯示部分的電視裝置，例如具有20英寸到80英寸的大小。該電視裝置包括外殼2010、顯示部分2011、作為操作部分的遙控單元2012、揚聲器部分2013等。本發明被應用於製造顯示部分2011。由於圖23B中的電視裝置是壁掛型的，不需要較大的安裝空間。

當然，本發明不限於電視裝置，並可應用於各種應用；例如大尺寸顯示媒介，諸如火車站、機場等的資訊顯示板，或者街道上的廣告顯示板，以及個人電腦的監視器。

實施例模式11

根據本發明，可以製造各種顯示裝置。換句話說，藉由將本發明的顯示裝置結合入電子設備的顯示部分可以製造各種電子設備。

作為電子設備的示例，可提出視頻相機、數位相機、投影儀、頭戴式顯示器(護目鏡型顯示器)、汽車導航系統、汽車音響、個人電腦、遊戲機、攜帶型資訊終端(諸如移動電腦、行動電話或電子書)、具備記錄媒體的影像再生裝置(具體是，可以再生諸如數位通用盤(DVD)的記錄媒體上記錄的資訊並包括能顯示其影像的顯示部分)等等。其具體示例於圖22A－22D中示出。

圖22A顯示個人電腦，它包括主體2101、外殼2102、顯示部分2103、鍵盤2104、外部連接埠2105、定位滑鼠2106等。可使用本發明製造顯示部分2103。根據本發明，即使在個人電腦小型化且配線等變得更精細時，也可製造可以在顯示部分2103上顯示高品質影像的高可靠性的個人電腦。

圖22B顯示包括記錄媒體的影像再生裝置(特別是DVD再生裝置)，它包括主體2201、外殼2202、顯示部分A2203、顯示部分B2204、記錄媒體(DVD等)讀取部分2205、操作鍵2206、揚聲器部分2207等等。顯示部分A2203主要顯示影像資訊而顯示部分B2204主要顯示字元資訊。可使用本發明製造這些顯示部分A2203和B2204。根據本發明，即使在影像再生裝置被小型化且配線等變得更精細時，也可製造能在顯示部分上顯示高品質影像的高可靠性的影像再生裝置。

圖22C示出行動電話，它包括主體2301、音頻輸出部分2302、音頻輸入部分2303、顯示部分2304、操作開關2305、天線2306等。藉由將用本發明製造的顯示裝置應用於顯示部分2304，即使在該行動電話被小型化且配線等變得更精細時，也可製造在顯示部分2304上顯示高品質影像的高可靠性的行動電話。

圖22D是視頻相機，它包括主體2401、顯示部分2402、外殼2403、外部連接埠2404、遙控接收器2405、影像接收部分2406、電池2407、音頻輸入部分2408、目鏡部分2409、操作鍵2410等。可使用本發明製造該顯示部分2402。藉由將用本發明製造的顯示裝置應用於顯示部分2402，即使在視頻相機被小型化且配線等變得更精細時，也可製造能在顯示部分2402上顯示高品質影像的高可靠性的視頻相機。該實施例模式可自由地與上述實施例模式組合。

實施例模式12

藉由本發明，可形成具有當成處理器電路的晶片的半導體裝置(也稱作無線晶片、無線處理器、無線記憶體或無線標簽)。本發明的半導體裝置的使用是廣範圍的。例如，本發明的半導體裝置可用於紙幣、硬幣、有價證券、證書、無記名債券、包裝容器、文檔、記錄媒體、個人財物、交通工具、食物、衣服、健康物品、生活器具、藥品、電子器具等。

紙幣或硬幣是市場上流通的貨幣，並包括在特定區域內可用的現金憑證的貨幣或紀念幣。有價證券指支票、證明書、本票等，它們可配備具有處理器電路的晶片90(圖28A)。證書指駕駛證、居住證等，它們可配備具有處理器電路的晶片91(圖28B)。個人財物指包、眼鏡等，它們可配備具有處理器電路的晶片97(圖28C)。無記名債券指郵票、米劵、各種商品息票等。包裝容器指用於飯盒、塑膠瓶等的包裝紙，它們可配備具有處理器電路的晶片93(圖28D)。文檔指書等，它們可配備具有處理器電路的晶片94(圖28E)。記錄媒體指DVD軟體、錄影帶等，它們可配備具有處理器電路的晶片95(圖28F)。交通工具指船、諸如自行車的有輪交通工具、船隻等等，它們可配備具有處理電路的晶片96(圖28G)。食物指食品、飲料等。服裝指衣服、鞋襪等。健康物品指醫療器具、健康器具等。生活器具指家具、照明設備等。藥品指藥物產品、殺蟲劑等。電子器具指液晶顯示裝置、EL顯示裝置、電視裝置(電視機或平面電視機)、行動電話等。

藉由將具有處理器電路的晶片提供給這些事物，如票據、硬幣、有價證券、證書、無記名債券，可防止偽造。此外，藉由將晶片提供給各包裝容器、文檔、記錄媒體、個人財物、交通工具、食物、衣服、健康物品、生活器具、藥品、電子器具等可促進檢查系統或出租商店中使用的系統的效率改善。藉由將具有處理器電路的晶片提供給各交通工具、健康物品、藥品等，可防止偽造或盜竊，並可防止藥品被誤拿。藉由將它貼到表面或嵌入其中可以將具有處理器電路的晶片提供給前述物品。例如，對於書，可將具有處理電路的晶片嵌入頁中或者在用有機樹脂製成包裝的情況下具有處理電路的晶片可嵌入有機樹脂中。

藉由將具有藉由本發明形成的處理電路的晶片應用於產品管理系統或分配系統，可使系統具有較高的功能性。例如，記錄在具有標簽中提供的處理器電路的晶片中的資訊藉由在傳送帶側面提供的讀取器/寫入器讀取，從而讀出關於分配過程或傳遞目的地的資訊，並更容易地進行產品的檢查或貨物分配。

圖29顯示具有根據本發明形成的處理器電路的晶片結構。具有處理器電路的晶片由薄膜積體電路9303和連接至薄膜積體電路9303的天線9304構成。該薄膜積體電路9303和天線9304被插入覆蓋材料9301和9302之間。藉由使用黏合劑可將薄膜積體電路9303接合至覆蓋材料9301。圖29中，使用其間插入的黏合劑9320將薄膜積體電路9303一側接合至覆蓋材料9301。

薄膜積體電路9303按與任何上述實施例模式所示的TFT相同的方式形成，並在剝離步驟中被剝離，並設置於覆蓋材料上。當薄膜積體電路9303的TFT的源和汲極電極層利用如實施例模式1所示的微滴排放法形成時，該源和汲極電極層可形成於預定位置以便在其間具有一定距離。由於根據源和汲極電極層之間的距離確定通道寬度，即使在源和汲極電極層之間的距離設定為較短時，也可形成源和汲極電極層而不會由於缺陷形成而彼此接觸。具有這種源和汲極電極層的薄膜電晶體可以高速工作並具有較高的可靠性。薄膜積體電路9303中使用的半導體元件不限於以上半導體元件。例如，記憶體元件、二極體、光電轉換元件、電阻器元件、線圈、電容器元件、電感器等等可與TFT一樣使用。

如圖29所示，中間層絕緣膜9311形成於薄膜積體電路9303的TFT上，且形成連接到TFT的天線9304，其中中間層絕緣膜9311被插入其間。此外，導電膜9313形成於中間層絕緣膜9311上，且由氮化矽膜等形成的阻擋膜9312形成於中間層絕緣膜9311和導電膜9313上。

天線9304藉由微滴排放法排放包含諸如金、銀或銅的導體的微滴、乾燥和烘培而形成。藉由微滴排放法形成天線能減少步驟數量並由於步驟減少而降低成本。

對於覆蓋材料9301和9302，較佳的使用膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯、聚氟乙烯、聚氯乙烯等製成)、由纖維材料製成的紙、底材料膜(聚酯、聚醯胺、無機蒸發膜、各種紙等)以及黏性合成樹脂膜(丙烯酸基合成樹脂、環氧基合成樹脂等)的堆疊膜等。膜將隨物體藉由熱壓縮結合過程進行密封處理。在進行密封處理的情況下，膜頂表面上設置的黏著層或最外層中設置的一層(它不是黏著層)藉由熱處理融化，並藉由施加壓力與該物體結合。

藉由將可燃的無污染材料(如紙、纖維、碳－石墨等)當成覆蓋材料，可以燒掉或切掉使用過的具有處理器電路的晶片。使用前述材料的具有處理器電路的晶片是無污染的，因為在燃燒時它不產生有毒氣體。

在圖29中，具有處理電路的晶片被設置於覆蓋材料9301上，且其中插入了黏合劑9320；但具有處理器的晶片可附著到物品上，而非附著到覆蓋材料9301上。

實施例1

在實施例1中，說明了一示例，其中使用本發明在具有控制濕潤性的表面的基板上形成掩模層。

被處理成期望形狀的兩個導電膜堆疊預基板上，且掩模層形成於其上。考慮到藉由處理導電膜形成兩個並行的導電層，掩模層被形成為具有導電層的期望形狀。

玻璃基板當成基板，且由TaN製成的第一導電膜和由W製成的第二導電膜被堆疊。FAS藉由塗佈法形成於第二導電膜上，並控制掩模層的形成區的濕潤性。利用微滴排放法將包含掩模層形成材料的液體組合物排放到控制濕潤性的第二導電膜的表面上。該基板在45℃的溫度下被加熱。包含掩模層形成材料的組合物的主要組分是聚醯亞胺，且可以向其混入surflon和乙二醇－n－單丁基醚。就在將微滴附著到形成區後微滴直徑是70 μ m。微滴的重疊長度是20 μ m。圖31A是所製造的掩模層的光學顯微鏡照片。如圖31A所示，鄰接地形成掩模層83和84。

參考圖31B詳細說明微滴排放法。圖31B是示出就在將微滴附著到形成區後所形成的掩模層和微滴形狀的示意圖。微滴排放主要分成四個步驟，且每個排放步驟中附著的每個微滴由不同的圓圈示出，如示意圖的邊上示出的。第一排放步驟中排放的微滴由具有左對角線的圓圈表示，第二排放步驟中排放的微滴由具有右對角線的圓圈表示，第三排放步驟中排放的微滴由用虛線示出的圓圈表示，而第四排放步驟中排放的微滴由用點線示出的圓圈表示。藉由接合所排放的微滴的中心來形成中心線85，以形成掩模層83。類似地，藉由接合排放的微滴中心來形成中心線86以形成掩模層84。

在每個步驟中，要在同一步驟中排放的微滴被排放使得在同一步驟中相互不連接。在該實施例中，同一步驟中排放的微滴之間的距離是100 μ m。在中心線85上，第三步驟中排放的微滴與第一步驟中排放的微滴重疊20 μ m，且在中心線86上，第四步驟中排放的微滴與第二步驟中排放的微滴重疊20 μ m。此外，下一步驟中的微滴被排放使得微滴中心位於中心線85和86的每一個上，並且離開前一步驟中排放的微滴的中心50 μ m。

藉由一次排放不能形成連續掩模層83和84，它們是藉由兩次排放形成的。因此，隨時間過去，藉由組合物內包含的溶劑的蒸發，先前排放的液體組合物開始固化。由於重疊在先前排放的組合物的被排放的液體組合物具有更高的流動性，所以它流向先前排放的組合物並在被附著到形成區時不保持形狀。因此，如圖31A所示，形成具有波節的掩模層83和84，它在先前排放的組合物區域處具有較大的線寬而在以後排放的組合物區處具有較小的線寬。

在該實施例中，在相互鄰近地形成掩模層時，第二步驟中排放的微滴被排放以使微滴的中心在各個中心線85和86上並離開第一步驟中排放的微滴中心。因此，各個掩模層83和84中包括的波節的最寬線寬位置彼此不同，掩模層83和84被形成為相互不接觸並在其間具有一定距離。因此，在本實施例中可以確定，可以製造具有期望形狀的掩模層和導電層，而不存在由於缺陷形成等引起的電氣特性等的問題。

在將這種掩模層83和84用於處理第一和第二導電膜時，可以形成其間具有較短距離並具有期望形狀的導電層，而沒有缺陷形成。由於可以減小導電層之間的距離，藉由將導電層當成源和汲極電極層，可以減小通道寬度。因此，可以製造高可靠性的半導體裝置，它可以良好的性能高速工作。因為在製造過程中減少了缺陷形成引起的故障數量，所以能改善產量並提升生產率。

實施例2

在實施例2中，說明了薄膜電晶體的示例，其中使用實施例1中形成的掩模層形成源和汲極電極層。

圖32A和32B顯示該實施例中形成的薄膜電晶體。圖32A是用光學顯微鏡獲得的薄膜電晶體的照片，圖32B是沿圖32A的線Q－R獲得的截面的示意圖。本實施例中製造的薄膜電晶體形成於絕緣層61上，它形成於由玻璃基板製成的基板60上，並包括閘極電極層、閘極絕緣層63、半導體層64、具有一種導電類型的半導體層65a和65b以及源或汲極電極層66a和66b。

此外，可以藉由本實施例中製造的薄膜電晶體獲得圖33所示的特性。測量中使用三個樣品。圖33中的實線顯示1V和14V的汲極電壓(以下也稱作VD)值下相對於閘極電壓(以下也稱作VG)的汲極電流(以下也稱作ID)值的變化。同時，圖33中的點線顯示1V和14V的VD值下相對於VG值的場效應遷移率(以下也稱作μ FE)的變化。

絕緣層61用氮氧化矽(SiON)形成，具有100 nm的厚度，閘極電極層62用鎢形成，具有100 nm的厚度，且半導體層64用非晶矽膜形成，具有100 nm的厚度。具有一種導電類型的半導體層65a和65b用n型半導體層形成，具有100 nm的厚度。源或汲極電極層66a和66b藉由堆疊100 nm的鉬膜和100 nm的鋁膜而形成。在該實施例中，源或汲極電極層66a和66b用具有期望形狀的掩模層進行處理，它被設置為其間具有較短的距離，如實施例1所示的，並不引起缺陷形成。因此，可以減小源或汲極電極層66a和66b之間的距離，且因此可以減少通道寬度。因此，可以製造高可靠性的半導體裝置，它可以較高的性能高速工作。由於在製造過程中減少了由於缺陷形成引起的缺陷數量，可以改善產量並提升生產率。

30．．．密封材料

32．．．密封材料

33．．．液晶

34．．．阻擋層

35．．．標記物

42．．．控制裝置

43．．．頭部

50．．．基板

51．．．導電層

51a．．．導電層

51f．．．導電層

52a．．．導電層

52e．．．導電層

53a．．．第一導電層

53b．．．第二導電層

54a．．．側部份

54b．．．側部份

60．．．基板

61．．．絕緣層

62．．．閘極電極層

63．．．閘極絕緣層

64．．．半導體層

65a．．．半導體層

66a．．．源或汲極電極層

83．．．掩模層

84．．．掩模層

85．．．中心線

86．．．中心線

90．．．晶片

91．．．晶片

93．．．晶片

94．．．晶片

95．．．晶片

96．．．晶片

97．．．晶片

100．．．基板

102．．．低溼潤性物質

103．．．閘極電極層

103a．．．閘極電極層

104．．．閘極電極層

105．．．閘極絕緣層

107．．．半導體層

108．．．半導體層

109．．．n型半導體層

109a．．．n型半導體層

111．．．源或汲極電極層

113．．．源或汲極電極層

115．．．配線層

116．．．配線層

117．．．配線層

118a．．．微滴排放裝置

118b．．．微滴排放裝置

118c．．．微滴排放裝置

118d．．．微滴排放裝置

119．．．第一電極層

121．．．絕緣層

122．．．場致發光層

123．．．第二電極層

125．．．通孔

130．．．薄膜電晶體

131．．．薄膜電晶體

133．．．薄膜電晶體

135．．．填充劑

136．．．密封材料

137．．．端電極層

138．．．各向異性導電膜

139．．．FPC

140．．．密封基板

150．．．圖素區

151a．．．掃描線驅動器電路

152．．．訊號線驅動器電路

153．．．連接區

200．．．TFT基板

201．．．導電膜

202．．．低溼潤性物質

203a．．．掩模層

203b．．．掩模層

204a．．．掩模層

205．．．源或汲極電極層

206．．．源或汲極電極層

207．．．電容器配線層

208a．．．n型半導體層

209．．．半導體層

210．．．閘極電極層

211．．．圖素電極層

212．．．閘極絕緣層

213．．．微滴排放裝置

214．．．微滴排放裝置

215．．．通孔

250．．．薄膜電晶體

261．．．絕緣層

262．．．液晶層

263．．．絕緣層

264．．．彩色層

265．．．導電層

266．．．相對基板

267．．．偏振片

268．．．偏振片

280．．．相對基板

282．．．密封材料

283．．．薄膜電晶體

285．．．各向異性導電膜

286．．．FPC(撓性印刷電路)

287．．．端電極層

290．．．圖素區域

291a．．．掃描線驅動器區域

291b．．．掃描線驅動器區域

292．．．訊號線驅動器電路

460．．．基板

461．．．通道保護薄膜電晶體

462．．．源或汲極電極層

463．．．第一電極層

464．．．場致發光層

465．．．第二電極層

470．．．基板

471．．．薄膜電晶體

472．．．第一電極層

473．．．場致發光層

474．．．第二電極層

475．．．源或汲極電極層

480．．．基板

481．．．薄膜電晶體

482a．．．低溼潤性物質

484．．．第一電極層

485．．．場致發光層

486．．．第二電極層

487a．．．源或汲極電極層

487b．．．源或汲極電極層

493．．．閘極電極層

494．．．半導體層

495a．．．n型半導體層

496．．．通道保護層

497．．．閘極絕緣膜

601．．．圖素部份

602．．．訊號線驅動器電路

603．．．掃描線驅動器電路

604．．．調諧器

605．．．視頻訊號放大器電路

606．．．視頻訊號處理電路

607．．．控制電路

608．．．訊號劃分電路

609．．．音頻訊號放大器電路

610．．．音頻訊號處理

611．．．控制電路

612．．．輸入部份

613．．．揚聲器

702．．．電容器元件

705．．．發光元件

710．．．訊號線

711．．．電源線

712．．．電源線

714．．．掃描線

716．．．掃描線

741．．．TFT

742．．．電容器元件

743．．．TFT

744．．．發光元件

750．．．訊號線

751．．．電源線

753．．．掃描線

754．．．掃描線

800．．．電極層

801．．．電極層

802．．．緩衝層

803．．．發光層

804．．．緩衝層

805．．．電極層

806．．．第二電極層

807．．．電極層

850．．．第二電極層

860．．．場致發光層

870．．．第一電極層

1400．．．基板

1403．．．微滴排放裝置

1404．．．成像裝置

1405．．．頭部

1406．．．虛線

1407．．．控制裝置

1408．．．儲存媒體

1409．．．影像處理電路

1410．．．電腦

1411．．．標記物

1412．．．頭部

1413．．．材料供應源

2001．．．外殼

2002．．．顯示面板

2003．．．主螢幕

2005．．．接收器

2006．．．遙控單元

2007．．．顯示部份

2008．．．子螢幕

2009．．．揚聲器部份

2010．．．外殼

2011．．．顯示部份

2012．．．遙控單元

2013．．．揚聲器部份

2101．．．主體

2102．．．外殼

2103．．．顯示部份

2104．．．鍵盤

2105．．．外部連接埠

2106．．．定位滑鼠

2201．．．主體

2202．．．外殼

2203．．．顯示部份A

2204．．．顯示部份B

2205．．．讀取部份

2206．．．操作鍵

2207．．．揚聲器部份

2301．．．主體

2302．．．音頻輸出部份

2303．．．音頻輸入部份

2304．．．顯示部份

2305．．．操作開關

2401．．．主體

2402．．．顯示部份

2403．．．外殼

2404．．．外部連接埠

2405．．．遙控接收器

2406．．．影像接收部份

2407．．．電池

2408．．．音頻輸入部份

2409．．．目鏡部份

2410．．．操作鍵

2600．．．TFT基板

2601．．．相對基板

2602．．．密封材料

2603．．．圖素部份

2604．．．液晶層

2605．．．彩色層

2606．．．偏振片

2607．．．偏振片

2608．．．配線電路

2609．．．撓性配線基板

2610．．．冷陰極管

2611．．．反射片

2612．．．電路基板

2613．．．透鏡膜

2700．．．基板

2701．．．圖素部份

2702．．．圖素

2703．．．掃描線輸入端

2704．．．訊號線輸入端

2713．．．保護電路

2750．．．FPC(撓性印刷電路)

2751．．．驅動器電路

2800．．．TFT基板

2801．．．保護電路部份

2804．．．發光元件

2805．．．發光元件

2806a．．．隔離物

2807a．．．彩色層

2807b．．．彩色層

2809．．．驅動器電路

2810．．．配線基板

2811．．．外部電路基板

2812．．．散熱片

2813．．．熱管

2820．．．密封基板

2910a．．．紅光源

2910b．．．綠光源

2910c．．．藍光源

2912．．．控制部份

3700．．．基板

3701．．．圖素部份

3702．．．掃描線驅動器電路

4700．．．玻璃基板

4701．．．圖素部份

4702．．．掃描線驅動器電路

4704．．．訊號線驅動器電路

7210．．．電容器元件

7220．．．p通道薄膜電晶體

7250．．．電阻元件

7260．．．二極體

7280．．．電阻器

7300．．．n通道薄膜電晶體

7310．．．p通道薄膜電晶體

7320．．．n通道薄膜電晶體

7350．．．TFT

9301．．．覆蓋材料

9302．．．覆蓋材料

9303．．．薄膜撓體電路

9311．．．中間層絕緣膜

9312．．．阻擋膜

9313．．．導電膜

9320．．．黏合劑

L4．．．通道長度

W4．．．通道寬度

附圖中：

圖1A到1C是本發明的示意圖。

圖2A到2C顯示本發明的顯示裝置的製造方法。

圖3A到3C顯示本發明的顯示裝置的製造方法。

圖4A到4C顯示本發明的顯示裝置的製造方法。

圖5A到5C顯示本發明的顯示裝置的製造方法。

圖6A到6C顯示本發明的顯示裝置的製造方法。

圖7A和7B顯示本發明的顯示裝置的製造方法。

圖8A和8B顯示本發明的顯示裝置。

圖9是顯示本發明的EL顯示模組的結構示例的剖視圖。

圖10A到10F是顯示可應用於本發明的EL顯示面板的圖素的結構的電路圖。

圖11A到11D顯示可應用於本發明的發光元件的結構。

圖12A到12C顯示本發明的顯示裝置的製造方法。

圖13A和13B顯示本發明的顯示裝置的製造方法。

圖14A和14B顯示本發明的顯示裝置的製造方法。

圖15A和15B顯示本發明的顯示裝置的製造方法。

圖16A和16B顯示本發明的顯示裝置的製造方法。

圖17A和17B顯示本發明的顯示裝置的製造方法。

圖18A和18B顯示本發明的顯示裝置。

圖19A和19B顯示本發明的顯示裝置。

圖20A和20B顯示本發明的液晶顯示模組的結構示例的剖視圖。

圖21顯示使用本發明的電子裝置的主結構的方塊圖。

圖22A到22D顯示使用本發明的電子裝置。

圖23A和23B顯示使用本發明的電子裝置。

圖24A到24E顯示使用本發明的保護電路。

圖25顯示可應用於本發明的微滴排放裝置的結構。

圖26A到26C是本發明的顯示裝置的俯視圖。

圖27A和27B是本發明的顯示裝置的俯視圖。

圖28A到28G顯示使用本發明的半導體裝置。

圖29顯示使用本發明的半導體裝置。

圖30顯示可應用於本發明的微滴排放裝置的結構。

圖31A和31B顯示實施例1中製造的樣品的實驗資料。

圖32A和32B顯示實施例1中製造的樣品的實驗資料。

圖33顯示實施例1中製造的樣品的實驗資料。

圖34是本發明的顯示裝置的俯視圖。

圖35是本發明的顯示裝置的俯視圖。

圖36A和36B顯示本發明的顯示裝置。

53a．．．第一導電層

53b．．．第二導電層

54a．．．側部份

54b．．．側部份

Claims

一種半導體裝置，包含：第一配線，它具有多個線寬並在至少一部分中彎曲；和第二配線，它具有多個線寬並在至少一部分中彎曲，其中該第一配線是沿該第一配線的第一中心線對稱的，其中該第二配線是沿該第二配線的第二中心線對稱的，其中該第一和該第二配線之間的距離是均勻的，和其中彼此鄰近設置的該第一和該第二配線的側表面具有在相同的方向上的彎曲。
如申請專利範圍第1項的半導體裝置，其中該半導體裝置是顯示裝置、視頻相機、數位相機、個人電腦或攜帶型資訊終端機。
一種半導體裝置，包含：第一導電層，其中線寬是連續變化，和第二導電層，其中線寬是連續變化，其中該第一和該第二導電層的側部分各自具有連續的波形，其中該第一和該第二導電層之間的距離是均勻的，和其中彼此鄰近設置的該第一和該第二導電層的側表面具有在相同的方向上的彎曲。
如申請專利範圍第3項的半導體裝置，其中該半導體裝置是顯示裝置、視頻相機、數位相機、個人電腦或攜帶型資訊終端機。
一種半導體裝置，包含：第一導電層，其中線寬是連續變化，和第二導電層，其中線寬是連續變化，其中該第一和該第二導電層的側部分各自具有連續的波形，其中在該第一和該第二導電層的線寬方向上具有最寬寬度的該第一導電層的部分與具有最窄寬度的該第二導電層的部分對準，和其中彼此鄰近設置的該第一和該第二導電層的側表面具有在相同的方向上的彎曲。
如申請專利範圍第5項的半導體裝置，其中具有最窄寬度的該第一導電層的部分與具有最寬寬度的該第二導電層的部分在該第一和該第二導電層的線寬方向上對準。
如申請專利範圍第5項的半導體裝置，其中該半導體裝置是顯示裝置、視頻相機、數位相機、個人電腦或攜帶型資訊終端機。
一種半導體裝置，包含：閘極電極層；閘極絕緣層；半導體層；源極電極層；和汲極電極層，其中該源極和該汲極電極層具有多個線寬並在至少一部分中彎曲；該源極電極層沿第一中心線對稱；該汲極電極層沿第二中心線對稱；該源極和該汲極電極層之間的距離是均勻的；和其中彼此鄰近設置的該源極和該汲極電極層的側表面具有在相同的方向上的彎曲。
如申請專利範圍第8項的半導體裝置，其中該半導體裝置是顯示裝置、視頻相機、數位相機、個人電腦或攜帶型資訊終端機。
一種半導體裝置，包含：閘極電極層；閘極絕緣層；半導體層；源極電極層；和汲極電極層，其中該源極和該汲極電極層的線寬是連續變化；該第一和該第二導電層的側部分各自具有連續的波形；該源極和該汲極電極層之間的距離是均勻的；和其中彼此鄰近設置的該源極和該汲極電極層的側表面具有在相同的方向上的彎曲。
如申請專利範圍第10項的半導體裝置，其中該半導體裝置是顯示裝置、攝影相機、數位相機、個人電腦或攜帶型資訊終端機。
一種半導體裝置的製造方法，包含以下步驟：排放在基板上的第一線上具有中心的第一微滴，和在與該第一線平行的第二線上具有中心的第二微滴；在該第一微滴之間排放在該第一線上具有中心的第三微滴，以形成第一導電層，它是沿該第一線對稱的並具有多個線寬；和在該第二微滴之間排放在該第二線上具有中心的第四微滴，以形成第二導電層，它是沿該第二線對稱的並具有多個線寬；其中該第一微滴、該第二微滴、該第三微滴和該第四微滴由包含導電材料的組合物製成，其中該第一和該第二導電層形成為其間具有均勻的距離，和其中彼此鄰近設置的該第一和該第二導電層的側表面具有在相同的方向上的彎曲。
如申請專利範圍第12項的半導體裝置的製造方法，進一步包含進行控制相對於包含導電材料的該組合物的區域的濕潤性的處理步驟，在該區域中附著該第一微滴、該第二微滴、該第三微滴和該第四微滴。
如申請專利範圍第13項的半導體裝置的製造方法，其中控制該濕潤性的該處理包含形成一物質的步驟，該物質包含氟化碳基或者矽烷偶合劑。
一種半導體裝置的製造方法，包含以下步驟：在基板上排放在基板上的第一線上具有中心的第一微滴和在與該第一線平行的第二線上具有中心的第二微滴；在該第一微滴之間排放在該第一線上具有中心的第三微滴，以形成第一導電層，它在側部分處具有連續波形和連續變化的線寬；在該第二微滴之間排放在該第二線上具有中心的第四微滴，以形成第二導電層，它在側部分處具有連續波形和連續變化的線寬，其中該第一微滴、該第二微滴、該第三微滴和該第四微滴由包含導電材料的組合物製成；其中該第一和該第二導電層形成為其間具有均勻的距離，和其中彼此鄰近設置的該第一和該第二導電層的側表面具有在相同的方向上的彎曲。
如申請專利範圍第15項的半導體裝置的製造方法，進一步包含進行控制相對於包含導電材料的該組合物的區域的濕潤性的處理的步驟，在該區域中附著該第一微滴、該第二微滴、該第三微滴和該第四微滴。
如申請專利範圍第16項的半導體裝置的製造方法，其中控制該濕潤性的該處理包含形成一物質的步驟，該物質包含氟化碳基或者矽烷偶合劑。
一種半導體裝置的製造方法，包含以下步驟：在基板上形成導電膜；在該導電膜上排放在該基板上的第一線上具有中心的第一微滴和在與該第一線平行的第二線上具有中心的第二微滴；在該第一微滴之間排放在該第一線上具有中心的第三微滴，以形成第一掩模層，它沿著該第一線對稱並具有多個線寬；在該第二微滴之間排放在該第二線上具有中心的第四微滴，以形成第二掩模層，它沿著該第二線對稱並具有多個線寬；用該第一和該第二掩模層處理該導電膜以形成其間具有均勻距離的第一和第二導電層；其中該第一微滴、該第二微滴、該第三微滴和該第四微滴由包含掩模層材料的組合物製成，和其中彼此鄰近設置的該第一和該第二導電層的側表面具有在相同的方向上的彎曲。
如申請專利範圍第18項的半導體裝置的製造方法，進一步包含進行控制相對於包含該掩模層材料的組合物的該導電膜的濕潤性的處理的步驟。
如申請專利範圍第19項的半導體裝置的製造方法，其中控制該濕潤性的該處理包含形成一物質的步驟，該物質包含氟化碳基或者矽烷偶合劑。
一種半導體裝置的製造方法，包含以下步驟：在基板上形成導電膜；排放在該基板上的第一線上具有中心的第一微滴和在與該第一線平行的第二線上具有中心的第二微滴；在該第一微滴之間排放在該第一線上具有中心的第三微滴，以形成第一掩模層，它在側部分處具有連續波形和連續變化的線寬；在該第二微滴之間排放在該第二線上具有中心的第四微滴，以形成第二掩模層，它在側部分處具有連續波形和連續變化的線寬；和用該第一和該第二掩模層處理該導電膜，以形成其間具有均勻距離的第一和第二導電層，其中該第一微滴、該第二微滴、該第三微滴和該第四微滴由包含掩模層材料的組合物製成，和其中彼此鄰近設置的該第一和該第二導電層的側表面具有在相同的方向上的彎曲。
如申請專利範圍第21項的半導體裝置的製造方法，進一步包含進行控制相對於包含該掩模層材料的組合物的該導電膜的濕潤性的處理的步驟。
如申請專利範圍第22項的半導體裝置的製造方法，其中控制該濕潤性的該處理包含形成一物質的步驟，該物質包含氟化碳基或者矽烷偶合劑。