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WO2005097940A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 Download PDF

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WO2005097940A1
WO2005097940A1 PCT/JP2005/004678 JP2005004678W WO2005097940A1 WO 2005097940 A1 WO2005097940 A1 WO 2005097940A1 JP 2005004678 W JP2005004678 W JP 2005004678W WO 2005097940 A1 WO2005097940 A1 WO 2005097940A1
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organic
organic electroluminescent
layer
group
light
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PCT/JP2005/004678
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French (fr)
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Tomohiro Oshiyama
Yoshiyuki Suzuri
Hiroshi Kita
Eisaku Katoh
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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    • Y10S428/917—Electroluminescent

Definitions

  • Organic electroluminescent device organic electroluminescent device
  • the present invention relates to a material for an organic electroluminescent device, a device for an organic electroluminescent device, a display device, and a lighting device.
  • ELD electroluminescent display
  • examples of ELD components include an inorganic electroluminescent device and an organic electroluminescent device (hereinafter, referred to as an organic EL device).
  • Inorganic electroluminescent devices have been used as flat light sources, but high voltage AC is required to drive the light emitting devices.
  • An organic EL device has a configuration in which a light-emitting layer containing a compound that emits light is sandwiched between a cathode and an anode. Electrons and holes are injected into the light-emitting layer and recombined to generate excitons (excitons).
  • an element having an organic light-emitting layer obtained by using an 8-hydroxyquinoline aluminum complex as a host conjugate and adding a small amount of a phosphor thereto for example, JP-A-63-264692
  • a device having an organic light emitting layer in which a quinoline aluminum complex is used as a host conjugate and doped with a quinacridone dye for example, JP-A-3-255190
  • the upper limit of the internal quantum efficiency is 100%, so that the luminous efficiency is twice as high as that of the excited singlet, and performance almost equivalent to that of a cold cathode tube is not obtained. Because of the possibility that it may be used, it is attracting attention as a lighting application.
  • the light emission luminance and the light emission efficiency of the light emitting element are greatly improved as compared with the conventional element because the emitted light is derived from phosphorescence. There is a problem that the light lifetime is shorter than that of the conventional device.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-332291
  • Patent Document 2 JP-A-2002-332292
  • Patent Document 3 JP-A-2002-338588
  • Patent Document 4 JP 2002-226495 A
  • Patent Document 5 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-234894
  • Patent Document 6 International Publication No. 02Z15645 pamphlet
  • Patent Document 7 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-123982
  • Patent Document 8 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-117978
  • Non-Patent Document 1 Inorganic Chemistry, Vol. 41, No. 12, pp. 3055-3066 (2002)
  • Non-Patent Document 2 Ap Physics Letters., Vol. 79, page 2082 (2001)
  • Non-Patent Document 3 Applied Physics Letters., Vol. 83, page 3818 (2003)
  • Non-Patent Document 4 New Journal of Chemistry. , Vol. 26, p. 1171 (2002)
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an organic EL device material which is a metal complex having a specific ligand and a high luminous efficiency using the device material. And an organic EL element, a lighting device, and a display device having a long emission life.
  • a material for an organic EL device comprising a metal complex having a ligand represented by the following general formula (1).
  • X, X, X and X each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom;
  • 1 2 3 4 1 2 represents an elemental atom
  • Z1 is with C, X, X
  • ⁇ 2 is with C, X, X It represents an atomic group necessary to form a hydrogen ring or an aromatic heterocyclic ring.
  • A is a nitrogen atom
  • Item 3 The organic electroluminescent device material according to Item 1, wherein 36- ⁇ : 1 R-1 in the general formula (1) is an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.
  • C, C, C, C, and C each represent a carbon atom, and ⁇ 3 is aromatic together with C, C, and C.
  • C, ⁇ represents an atomic group necessary for forming an aromatic heterocyclic ring.
  • ⁇ is a nitrogen atom
  • R represents a substituent
  • M represents group 8 in the periodic table.
  • the bond between C and N represents a single bond or a double bond.
  • R in the general formula (2) is an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.
  • Item 5 The organic electroluminescent material according to item 3 or 4, wherein the metal complex is a metal complex having the following general formula (3) or a tautomer thereof as a partial structure. -General formula (3)
  • A represents a nitrogen atom or a boron atom
  • R represents a substituent
  • nl and n2 each represent an integer of 0-3.
  • M is group 8 in the periodic table
  • Organic electroluminescent material for organic electroluminescence for organic electroluminescence.
  • Item 18 An organic electroluminescent device comprising the organic electroluminescent device according to any one of Items 117 to 127.
  • Item 10 The organic electret according to Item 8, which has at least one light-emitting layer as a constituent layer, and wherein the light-emitting layer contains the organic electroluminescent device material according to any one of Items 117 to 17. Mouth luminescence element.
  • the hole-blocking layer contains the organic electroluminescent device material according to Item 1-17.
  • Item 10 The organic electroluminescent device according to Item 8 or 9, wherein:
  • FIG. 11 A display device comprising the organic electroluminescent device according to any one of Items 8 to 10.
  • Item 11 An illuminating device comprising the organic electroluminescent device according to any one of Items 8 to 10.
  • an organic EL device material which is a metal complex having a specific ligand and an organic EL device having high luminous efficiency and a long luminescent life, a lighting device, A display device could be provided.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a display device configured with an organic EL element.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a display unit A.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a driving circuit constituting a pixel.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a display device using a passive matrix method.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of a sealing structure of an organic EL element OLED1-1.
  • FIG. 6 (a) is a schematic plan view of a lighting device including an organic EL element.
  • FIG. 6 (b) is a schematic sectional view of a lighting device including an organic EL element.
  • an organic EL device material which is a metal complex having a specific ligand is obtained by adopting the constitution defined in any one of claims 17 to 17. I was able to do it.
  • an organic EL device material By using the organic EL device material, an organic EL device having high luminous efficiency and a long luminescent life can be obtained.
  • the display device according to claim 11 and the lighting device according to claim 12 which exhibit high luminance and high durability, respectively.
  • the present inventors have conducted intensive studies in view of the above problems, and as a result, have found that a metal complex having a ligand represented by the general formula (1) and a metal complex having a ligand represented by the general formula (2) Metal complex with structure
  • a metal complex having a specific ligand such as a complex or a metal complex having a partial structure represented by the general formula (3)
  • the effects described in the present invention can be achieved immediately. In other words, it was found that an organic EL device exhibiting high luminous efficiency and having a long luminous life was obtained.
  • the "metal complex having a specific ligand" used in the present invention means that when a metal complex is formed from a ligand and a central metal, the central metal of the metal complex and the ligand Of the ligand molecules located on the side opposite to the side where the complex is formed (that is, the side opposite to the side where a coordination bond is formed between the ligand and the central metal). Have a molecular structure linked by one nitrogen atom or one boron atom.
  • an organic EL device manufactured using a conventional organic EL device material containing a metal complex can be used. It was found that the short emission lifetime, which was a problem of the device, was greatly improved.
  • a layer containing the metal complex in the device a light emitting layer and Z or a hole blocking layer are preferable, and when the metal complex is contained in the light emitting layer, it is used as a light emitting dopant in the light emitting layer.
  • the effect described in the present invention that is, a longer luminescent lifetime of the organic EL element, was achieved.
  • the metal complex having a ligand represented by the general formula (1) according to the present invention will be described.
  • Z forms together with C, X, and X
  • Z forms together with C, X, and X, respectively.
  • aromatic hydrocarbon ring examples include a benzene ring, a biphenyl ring, a naphthalene ring, an azulene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, a thalicene ring, a naphthacene ring, a triphenylene ring, and o-tenolene phenol.
  • Ring m-tenorpheninole ring, p-tenolefeninole ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphene ring, picene ring, pyrene ring, pyrantrene And an anthra anthrene ring.
  • a benzene ring is preferably used.
  • the aromatic hydrocarbon ring is represented by the following general formula (1):
  • Z forms together with C, X, and X
  • Z forms together with C, X, and X, respectively.
  • aromatic heterocyclic ring examples include, for example, a furan ring, a thiophene ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, a benzimidazole ring, an oxadiazole ring, a triazole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a thiazole ring, and an indole.
  • a pyridine ring is preferable.
  • the aromatic heterocyclic ring may have a substituent represented by R in the above-mentioned general formula (1) described later.
  • examples of the substituent represented by R include an alkyl group (for example,
  • At least one of the groups represented by R is an aromatic carbon
  • It is preferably a hydride group or an aromatic heterocyclic group.
  • a coordination bond is formed between the ligand represented by the general formula (1) and the central metal (which may be a metal or an ion) (also complex formation!) To form a metal complex. You.
  • the formation of the coordination bond between the ligand and the central metal is caused by the formation of the ligand constituting the ligand represented by the general formula (1).
  • the ligand constituting the ligand represented by the general formula (1) In, between X and between
  • a coordination bond or a covalent bond is formed.
  • Z has the same meaning as an aromatic hydrocarbon ring formed together with C, X, and X.
  • Z has the same meaning as C, X, and an aromatic heterocyclic ring formed together with X.
  • the aromatic heterocyclic ring formed by Z together with C, C, and N is a pyridine ring
  • it may be a metal or an ion.
  • the metal complex having the general formula (3) or a tautomer thereof as a partial structure according to the present invention will be described.
  • it may be a metal or an ion.
  • organic EL device material of the present invention it is preferable to use the organic EL device as a light emitting layer or a hole blocking layer among constituent layers of the organic EL device (details will be described later).
  • the light emitting layer as described above, it is preferably used as a light emitting dopant.
  • the mixing ratio of the light-emitting dopant to the light-emitting host, which is the main component in the light-emitting layer, is preferably adjusted to a range of 0.1% by mass to less than 30% by mass.
  • the light-emitting dopant may be a mixture of a plurality of types of compounds, and the mixing partner may have a different structure.
  • Other metal complexes or phosphorescent dopants or fluorescent dopants having other structures may be used.
  • dopants phosphorescent dopants, fluorescent dopants, and the like
  • metal complex used as the luminescent dopant
  • the light-emitting dopant is roughly classified into two types, a fluorescent dopant that emits fluorescence and a phosphorescent dopant that emits phosphorescence.
  • fluorescent dopant include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squarium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, and rhodamines Dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, styrven dyes, polythione dyes, and rare earth complex fluorescent materials.
  • a typical example of the latter is preferably a complex compound containing a metal belonging to Groups 8, 9, or 10 of the periodic table of the elements, and more preferably an iridium compound or an iridium compound. Sumidium compounds are the most preferred, and iridium compounds are the most preferred.
  • JP 2002-280178 JP 2001-181616, JP 2002-280179, JP 2001-181617, JP 2002-280180, JP 2001-247859 JP, JP 2002-299060 JP, JP 2001-313178 JP, JP 2002-302671 JP, JP 2001-345183 JP, JP 2002-324679 JP, WO 02/15645 pamphlet, JP-A-2002-332291, JP-A-2002-50484, JP-A-2002-332292 JP, JP-A-2002-83684, JP-T-2002-540572, JP-A-2002-117978, JP-A-2002-338588, JP-A-2002-170684, JP-A-2002-352960 WO 01Z93642 pamphlet, JP-A-2002-50483, JP-A-2002-100, JP-A-2002-173674, JP-A-2002-359
  • a light-emitting host (also referred to simply as a host!) Means a compound having the highest mixing ratio (mass) in a light-emitting layer composed of two or more compounds, and the other compounds are referred to as “do”.
  • One panto compound also simply referred to as a dopant
  • the light emitting layer is composed of three types of compound A, compound B, and compound C, and if the mixing ratio is 8: 5: 5: 10: 85, compound A, Compound B is a dopant compound, and compound C is a hostile conjugate.
  • the luminescent host used in the present invention a compound having a shorter wavelength than the phosphorescent 0-0 band of the luminescent dopant used in combination is preferable, and the luminescent dopant is preferably the phosphorescent 0-0 band.
  • the emission host preferably has a phosphorescent 0-0 band power of 50 nm or less.
  • the luminescent host of the present invention is not particularly limited in structure, but is typically a carbazole derivative, a triarylamine derivative, an aromatic borane derivative, a nitrogen-containing heterocyclic compound, a thiophene derivative, A compound having a basic skeleton such as a furan derivative or an oligoarylene compound and having the 0-0 band of 450 nm or less is a preferable compound.
  • the luminescent host of the present invention may be a low-molecular compound, a high-molecular compound having a repeating unit, or a low-molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (a vapor-deposited polymerizable luminescent host). Good.
  • the luminescent host a compound which has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents a longer wavelength of light emission, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
  • the blocking layer for example, an electron blocking layer and a hole blocking layer
  • the organic EL device material of the present invention for the hole blocking layer, the electron blocking layer, and the like, and it is particularly preferable to use the organic EL device material for the hole blocking layer.
  • the metal complex according to the present invention may be contained in a state of 100% by mass as a layer component of a hole blocking layer, an electron blocking layer, or the like, as described in any one of Items 1 to 17 above. However, it may be mixed with other organic compounds (for example, compounds used for the constituent layers of the organic EL device of the present invention) and the like.
  • the thickness of the blocking layer according to the present invention is preferably from 3 nm to 100 nm, more preferably from 5 nm to 30 nm.
  • the hole blocking layer has the function of an electron transporting layer in a broad sense, and has the ability to transport electrons and has a very small ability to transport holes, and thus blocks holes while transporting electrons. By doing so, the recombination probability of electrons and holes can be improved.
  • hole blocking layer for example, JP-A Nos. 11-204258 and 11-204359, and “Organic EL Devices and Their Forefront of Industrialization” (November 30, 1998, published by N.T.S. )) On page 237 etc. can be applied as the hole blocking layer according to the present invention.
  • the configuration of the electron transport layer described later may be changed according to necessity. It can be used as a hole blocking layer according to the present invention.
  • Electron blocking layer >>
  • an electron blocking layer has the function of a hole transporting layer in a broad sense, and has the ability to transport holes and has a very small ability to transport electrons. By blocking the electrons, the recombination probability of electrons and holes can be improved. Further, the configuration of the hole transport layer described later can be used as an electron blocking layer as needed.
  • the above-mentioned organic EL device material of the present invention for the adjacent layer adjacent to the light emitting layer, ie, the hole blocking layer and the electron blocking layer, particularly It is preferably used for a blocking layer.
  • the hole transport layer includes a material having a function of transporting holes.
  • a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
  • the hole transport layer may be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • the hole transport material is not particularly limited, and is conventionally used as a hole charge injection / transport material in photoconductive materials, and is used for a hole injection layer and a hole transport layer of an EL element. Any one of known ones used can be selected and used.
  • the hole transporting material has any of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be any of an organic substance and an inorganic substance.
  • triazole derivatives oxazidazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, furylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives , Stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline-based copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.
  • the hole transporting material the above-mentioned materials can be used. It is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound. ,.
  • aromatic tertiary amyloid and the styryl amyloid include N, N, N
  • N, -tetraphenyl-4,4,1-diaminophenol N, N, z-phenyl, N, N, bis (3 Methylphenyl)-[1,1, -biphenyl] 4,4, diamine (TPD); 2,2 bis (4-zy P-tolylaminophen) propane; 1,1, bis (4-zy p-tolylaminophen) N, N, ⁇ ', ⁇ , -tetra- ⁇ -tolyl 4,4, diaminobiphenyl; 1,1 bis (4-di ⁇ -tolylaminophenyl) 4-phenylcyclohexane; Bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di ⁇ -tolylaminophenyl) phenylmethane; ⁇ , ⁇ , diphenyl- ⁇ , ⁇ , di (4-methoxyphenyl) 4, 4 —, ⁇ , ⁇ ', ⁇ ,
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain, or in which these materials are used as a polymer main chain, can also be used.
  • inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC can also be used as hole injection materials and hole transport materials.
  • the hole transport material preferably has a high Tg.
  • the hole transporting layer is formed by thinning the hole transporting material by a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, an inkjet method, and an LB method. be able to.
  • the thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually 5 nm—50 nm.
  • the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the above materials.
  • the electron transport layer is a material having a function of transporting electrons.
  • an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer may be a single layer or multiple layers. Can be opened.
  • the electron transporting material also serving as a hole blocking material used for the electron transporting layer having a single layer and the electron transporting layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side with respect to the light emitting layer includes the following.
  • the above materials are known.
  • the electron transporting layer may be any material selected from conventionally known compounds as long as it has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. You can be there.
  • Examples of the material used for the electron transporting layer include: -a substituted fluorene derivative, a difluoroquinone derivative, a thiopyrandioxide derivative, and a heterocyclic ring such as naphthaleneperylene.
  • Examples include tetracarboxylic anhydride, carbodiimide, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, and oxaziazole derivatives.
  • a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxaziazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring which is known as an electron-withdrawing group, can also be used as the electron transporting material.
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain, or in which these materials are used as a polymer main chain, can also be used.
  • metal complexes of 8-quinolinol derivatives for example, tris (8-quinolinol) aluminum- (Alq), tris (5,7-dicrochloride-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibumodium) — 8- (quinolinol) aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc.
  • Metal complexes replaced by Mg, Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as electron transport materials.
  • metal-free or metal phthalocyanine or those whose terminals are substituted with an alkyl group ⁇ sulfonic acid group or the like can be preferably used as the electron transporting material.
  • the distyryl virazine derivative exemplified as a material for the light emitting layer can be used as an electron transporting material, and like the hole injection layer and the hole transporting layer, n-type Si, n-type SiC, etc.
  • Inorganic semiconductors can also be used as electron transport materials.
  • the electron transporting layer can be formed by thinning the electron transporting material by a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, an inkjet method, and an LB method. it can.
  • the thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 to 5000 nm.
  • the electron transport layer may have a single-layer structure made of one or more of the above materials.
  • Injection layer >>: electron injection layer, hole injection layer
  • the injection layer is provided as needed, and has an electron injection layer and a hole injection layer. As described above, the injection layer exists between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer, and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. May be present.
  • the injection layer is a layer provided between the electrode and the organic layer for lowering the driving voltage and improving the light emission luminance, and is referred to as "the organic EL device and its industrial frontier (November 30, 1998, The details are described in Chapter 2, Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123-166) of Vol. 2, No. 2, pp. 123-166, and the hole injection layer (anode buffer layer) and the electron injection layer (cathode buffer). One).
  • the anode buffer layer (hole injection layer) is described in detail in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like.
  • Copper phthalate One layer of phthalocyanine buffer typified by cyanine, one layer of oxide buffer typified by vanadium oxide, one layer of amorphous carbon buffer, polymer buffer using conductive polymer such as polyaline (emeraldine) or polythiophene And one layer.
  • the thickness of the buffer layer is preferably in the range of 0.1 nm to 100 nm, although it depends on the desired material.
  • This injection layer can be formed by applying a thin film to the above-mentioned material by a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, and an LB method.
  • the thickness of the injection layer is not particularly limited, but is usually about 5 to 5000 nm.
  • the injection layer may have a single-layer structure in which one or more of the above-mentioned materials are used.
  • anode for the organic EL device of the present invention a material having a large work function (4 eV or more), such as a metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof is preferably used.
  • a metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof is preferably used.
  • an electrode substance include metals such as Au, and conductive transparent materials such as Cul, indium tin oxide (ITO), SnO, and ZnO.
  • ITO indium tin oxide
  • SnO Tin Oxide
  • ZnO ZnO
  • IDIXO In O-
  • a material capable of forming an amorphous transparent conductive film such as ZnO may be used.
  • the anode is used to form a thin film by depositing these electrode materials by vapor deposition or sputtering, etc., and to form a pattern of a desired shape by one photolithography method. m or more), a pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.
  • the transmittance be greater than 10%
  • the sheet resistance of the anode is preferably several hundred ⁇ / square or less.
  • the film thickness is selected in the range of usually 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm, depending on the material.
  • a metal having a low work function (4 eV or less) (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof are used as an electrode material.
  • an electrode material include sodium, sodium monolithium alloy, magnesium, lithium, a mixture of magnesium and copper, a mixture of magnesium and silver, a mixture of magnesium and aluminum, a mixture of indium magnesium and a mixture of aluminum and aluminum, and a mixture of aluminum and zinc oxide. (Al 2 O 3) mixture, indium, lithium
  • Examples include a 23Z aluminum mixture, a rare earth metal, and the like.
  • a mixture of an electron-injection metal and a second metal which is a stable metal having a large work function, such as a magnesium Z-silver mixture, Magnesium Z aluminum mixture, Magnesium Z indium mixture, Aluminum Z oxidized aluminum (Al O) mixture , Lithium z-aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.
  • the cathode can be manufactured by forming a thin film of these electrode materials by a method such as evaporation or sputtering.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundreds ⁇ / square or less, and the preferred film thickness is usually selected in the range of lOnm-1000 nm, preferably 50 nm-200 nm.
  • the preferred film thickness is usually selected in the range of lOnm-1000 nm, preferably 50 nm-200 nm.
  • the substrate for the organic EL device of the present invention is not particularly limited in the type of glass, plastic, etc., and is not particularly limited as long as it is transparent. And a light-transmitting resin film.
  • Particularly preferred V is a resin film that can provide flexibility to the organic EL device.
  • Examples of the resin film include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), polyether imide, polyether ether ketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, and polycarbonate (PC). And cellulose triacetate (TAC) and cellulose acetate propionate (CAP).
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PES polyether sulfone
  • PES polyether imide
  • polyether ether ketone polyphenylene sulfide
  • PC polycarbonate
  • TAC cellulose triacetate
  • CAP cellulose acetate propionate
  • the resin film is a high-nore film having a water vapor permeability of 0.01 gZm 2 'dayatm or less, regardless of whether an inorganic or organic coating or a hybrid coating of both is formed on the surface of the resin film. .
  • the organic light-emitting device of the present invention has an emission efficiency at room temperature of preferably 1% or more, more preferably 2% or more.
  • the quantum efficiency (%) extracted from the outside is the number of photons emitted to the outside of the organic EL element Z The number of electrons flowing to the organic EL element X 100.
  • a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination.
  • a film having a roughened surface (such as an anti-glare film) may be used in combination to reduce uneven light emission.
  • a method for producing an organic EL device of the present invention a method for producing an organic EL device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer Z light-emitting layer Z hole blocking layer Z electron transport layer Z cathode buffer layer Z cathode Will be described.
  • a desired electrode material for example, a thin film as a material for an anode is formed on an appropriate substrate by a method such as evaporation or sputtering so as to have a thickness of 1 ⁇ m or less, preferably 10 nm to 200 nm.
  • a thin film containing an organic compound such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, and an electron transport layer, which are element materials, is formed thereon.
  • Examples of the method for forming a thin film containing an organic compound include a spin coating method, a casting method, an ink jet method, a vapor deposition method, and a printing method, as described above.
  • the vacuum evaporation method or the spin coating method is particularly preferable in that pinholes are hardly generated. Further, a different film forming method may be applied to each layer. If you use the film adopts the deposition, the deposition conditions vary due to kinds of materials used, generally baud preparative heating temperature 50 ° C- 450 ° C, vacuum degree of 10- 6 Pa- 10- 2 It is desirable to select appropriate values within the range of Pa, deposition rate of 0. Olnm—50 nm / sec, substrate temperature of -50 ° C to 300 ° C, and film thickness of 0.1 nm to 5 m.
  • a thin film also having a cathode material force is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness of 1 ⁇ m or less, preferably 5 Onm-200 nm.
  • a desired organic EL device can be obtained by forming and providing a cathode. In the production of this organic EL device, it is preferable to produce from the hole injection layer to the cathode consistently by one evacuation, but it is not tough to take it out and apply a different film forming method. At that time, consideration must be given to performing the work in a dry inert gas atmosphere.
  • the display device of the present invention will be described.
  • the display device of the present invention may be monochromatic or multicolored.
  • a multicolored display device will be described.
  • a shadow mask is provided only when the light-emitting layer is formed, and a film can be formed on one surface by an evaporation method, a casting method, a spin coating method, an inkjet method, a printing method, or the like.
  • the method is not particularly limited, but is preferably an evaporation method, an inkjet method, or a printing method. In the case of using a vapor deposition method, a pattern Jung using a shadow mask is preferable.
  • the multicolor display device can be used as a display device, a display, and various light emission light sources.
  • full-color display can be achieved by using three types of organic EL elements that emit blue, red, and green light.
  • Examples of the display device and display include a television, a computer, a monophonic device, an AV device, a character broadcast display, and an information display in a car.
  • the driving method may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
  • Light-emitting sources include home lighting, car interior lighting, backlights for watches and LCDs, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copiers, light sources for optical communication processors, and light sensors.
  • a light source or the like may be mentioned, but the light source is not limited to this.
  • the lighting device of the present invention will be described.
  • the organic EL device of the present invention may be used as an organic EL device having a resonator structure.
  • the organic EL device having such a resonator structure may be used as a light source for an optical storage medium, an electronic device, or the like.
  • Light source of a photocopier, light source of an optical communication processor, light source of an optical sensor, etc. 1S is not limited to these.
  • the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp such as an illumination light source or an exposure light source, a projection device of an image projection type, or a still image or a moving image. You may use it as a display device (display) of the type which can be visually recognized directly.
  • the driving method may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
  • a full-color display device can be manufactured by using two or more kinds of the organic EL elements of the present invention having different emission colors.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a display device configured with an organic EL element.
  • FIG. 2 is a schematic view of a display such as a mobile phone for displaying image information by light emission of an organic EL element.
  • the display 1 also includes a display unit A having a plurality of pixels and a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information.
  • the control unit B is electrically connected to the display unit A, sends a scan signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside, and controls the pixels for each scan line by the scan signal. , Sequentially emit light according to the image data signal, perform image scanning, and display image information on the display unit A.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of the display unit A.
  • the display section A has a wiring section including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 and a plurality of pixels 3 and the like on a substrate.
  • the main members of the display unit A will be described below.
  • the figure shows a case where the light power emitted by the pixel 3 is extracted in the direction of the white arrow (downward).
  • the scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 of the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and are connected to the pixels 3 at orthogonal positions ( Details are not shown).
  • the pixel 3 When a scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 outputs an image data signal from the data line 6. Receiving and emitting light according to the received image data. By properly arranging pixels in the red, green, and blue light emission regions on the same substrate, full color display is possible.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a pixel.
  • the pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like.
  • a full-color display can be performed by using red, green, and blue light emitting organic EL elements as the organic EL elements 10 for a plurality of pixels and juxtaposing them on the same substrate.
  • an image data signal is applied to the drain of the switching transistor 11 via the data line 6 in the control unit B.
  • a scanning signal is applied to the gate of the switching transistor 11 via the control unit B scanning line 5
  • the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is transferred to the capacitor 13 and the driving transistor. It is transmitted to the gate of star 12.
  • the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the driving of the drive transistor 12 is turned on.
  • the drive transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7, a source connected to the electrode of the organic EL element 10, and an organic EL element connected from the power supply line 7 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Element 10 is supplied with current.
  • the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, even if the driving of the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 holds the potential of the charged image data signal, so that the driving of the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied.
  • the organic EL element 10 continues to emit light until the light is emitted.
  • the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.
  • light emission of the organic EL element 10 is provided by providing a switching transistor 11 and a driving transistor 12 as active elements for the organic EL element 10 of each of a plurality of pixels.
  • the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels 3 emits light.
  • Such a light emitting method is called an active matrix method.
  • the light emission of the organic EL element 10 may be a light emission of a plurality of gradations by a multi-valued image data signal having a plurality of gradation potentials, or a predetermined light emission amount by a binary image data signal. No, it's a talent! /.
  • the potential of the capacitor 13 may be maintained until the next scan signal is applied, or may be discharged immediately before the next scan signal is applied.
  • the present invention is not limited to the active matrix method described above, but may be a passive matrix light emission drive in which an organic EL element emits light in accordance with a data signal only when a scanning signal is scanned.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a display device using a noisy matrix system.
  • a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a grid pattern facing each other with the pixel 3 interposed therebetween.
  • the pixels 3 connected to the applied scanning line 5 emit light according to the image data signal.
  • the organic EL device material of the present invention can also be applied to an organic EL device that emits substantially white light as a lighting device.
  • a plurality of light-emitting materials emit light of a plurality of colors at the same time, and white light is obtained by mixing colors.
  • a combination of a plurality of emission colors a combination containing three emission maximum wavelengths of the three primary colors of blue, green, and blue may be used, or a combination of complementary colors such as blue and yellow, or blue-green and orange may be used.
  • One containing two emission maximum wavelengths is acceptable.
  • the combination of light-emitting materials for obtaining a plurality of light-emitting colors is a combination of a plurality of materials that emit light by phosphorescence or fluorescence, a light-emitting material that emits light by fluorescence or phosphorescence, and a light-emitting material. Any combination of a dye material that emits the above-mentioned light as excitation light may be used. However, in the white organic electroluminescent device according to the present invention, it is only necessary to mix and combine a plurality of light-emitting dopants. A mask is provided only when a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, or the like is formed, and the mask is separately applied by using a mask.
  • an electrode film can be formed on one surface by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, etc. , Productivity also improves. According to this method, the element itself emits white light, unlike a white organic EL device in which light-emitting elements of a plurality of colors are arranged in parallel in an array.
  • the light emitting material used for the light emitting layer is not particularly limited.
  • the platinum complex according to the present invention is adjusted so as to conform to a wavelength range corresponding to CF (color filter) characteristics. Also, it is only necessary to select and combine arbitrary materials from known light emitting materials to whiten them.
  • the white light-emitting organic EL device of the present invention can be used as a kind of lamp such as a home light, a vehicle light, or an exposure light as various light-emitting light sources and lighting devices. Also, it is usefully used for display devices such as backlights of liquid crystal display devices.
  • a backlight such as a clock, a signboard advertisement, a traffic light, a light source such as an optical storage medium, a light source of an electronic photocopier, a light source of an optical communication processor, a light source of an optical sensor, and a display device are required.
  • a wide range of applications such as general household electric appliances.
  • the luminescent host material the luminescent dopant, and the materials used for forming the hole blocking layer and the like used in any one of Examples 1 to 6 are shown.
  • the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrodes was ultrasonically irradiated with iso-propyl alcohol. After washing, drying with dry nitrogen gas, UV ozone washing was performed for 5 minutes.
  • the transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus, while five tantalum-made resistance boats were coated with ⁇ -NPD, CBP, Ir-10, BCP, and Alq, respectively. Entering
  • lithium fluoride was placed in a tantalum resistance heating boat, and aluminum was placed in a tungsten resistance heating boat, and they were attached to a second vacuum tank of a vacuum evaporation apparatus.
  • the heating boat containing the BCP was energized and heated to provide a hole blocking layer having a thickness of lOnm at a deposition rate of 0.2 InmZ seconds to 0.2 nmZ seconds. Further, the heating containing Alq
  • the boat was energized and heated, and a 40 nm-thick electron transport layer was provided at a deposition rate of 0.2 InmZ seconds to 0.2 nmZ seconds.
  • a cathode buffer steam Chakusokudo 0. OlnmZ seconds thickness 0. 5 nm in one 0. 02NmZ seconds by supplying an electric current to the boat lithium fluoride-containing One layer was provided, and then a boat containing aluminum was energized to apply a 150 nm-thick cathode at a deposition rate of 1 nmZ second to 12 nmZ second.
  • the organic EL element was transferred to a glove box (a glove box replaced with a high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more) in a nitrogen atmosphere without being brought into contact with the atmosphere.
  • OL ED1-1 was produced with the sealing structure replaced with.
  • barium oxide 105 as a water trapping agent is obtained by sealing a high-purity barium oxide powder manufactured by Aldrich Co. with a fluororesin semi-permeable membrane (Microtex SN TF8031Q manufactured by Nitto Denko) with an adhesive. What was pasted on was prepared and used in advance. The sealing can was bonded to the organic EL element using an ultraviolet-curing adhesive 107, and the two were bonded by irradiating an ultraviolet lamp to produce a sealing element.
  • a fluororesin semi-permeable membrane Microtex SN TF8031Q manufactured by Nitto Denko
  • reference numeral 101 denotes a glass substrate provided with a transparent electrode
  • 102 denotes an organic EL layer composed of a hole injection Z transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer and the like
  • 103 denotes a cathode.
  • Organic EL elements OLED1-2-1-17 were produced in the same manner as above, except that the emission dopant was changed as described in Table 1 in the production of OLED1-1.
  • the external extraction quantum efficiency was expressed as a relative value when the organic EL element OLED1-1 was set to 100.
  • each element of the organic EL element OLED1-1- 1-18 performs continuous lighting by constant current conditions 2.5mAZcm 2, the time required to becomes half of the initial luminance (tau
  • the light emission lifetime was expressed as a relative value when the organic EL element OLED1-1 was set to 100.
  • OLED1-18 1-68 129 220 The present invention [0202] From Table 1, it can be seen that the organic EL device manufactured using the metal complex according to the present invention as the organic EL device material achieved higher luminous efficiency and longer luminescent life than the comparative device. Is evident. The emission colors of the devices of the present invention were all blue.
  • An organic EL device OLED2-1-2-17 was produced in the same manner as in Example 1 except that the luminescent dopant was changed as shown in Table 2.
  • OLED2-1 In the preparation of OLED2-1, the organic light-emitting host was changed from CBP to AZ1, and the light-emitting dopant used was the metal complex of the present invention (indicated by the compound No. in the table).
  • EL device OLED2-18 was fabricated.
  • An organic EL device OLED3-1-3-9 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the luminescent dopant was changed as shown in Table 3.
  • OLED3-1 was prepared in the same manner as OLED3-1 except that the light emitting host was changed from CBP to AZ1 and the light emitting dopant was the metal complex of the present invention (indicated by compound No. in the table).
  • EL device OLED3-10 was fabricated.
  • An organic EL element OLED4-1 was produced in exactly the same manner as the organic EL element OLED2-1 of Example 2. Next, in the production of the organic EL element OLED4-1, the organic EL element OLED4-2-3-13 was produced in the same manner except that the hole blocking material was changed as shown in Table 4. did.
  • Table 4 shows that the device of the present invention has higher luminous efficiency and luminous life than the comparative device.
  • the emission colors of the organic EL devices of the present invention were all green.
  • the organic EL element OLED 1-5 of Example 1 was used as a blue light emitting element.
  • the organic EL element OLED2-7 of Example 2 was used as a green light emitting element.
  • the organic EL element OLED3-6 of Example 3 was used as a red light emitting element.
  • FIG. 1 An active matrix type full-color display device having the form as shown in FIG. 1 was manufactured, and FIG. 2 shows only a schematic diagram of a display portion A of the manufactured display device.
  • a wiring portion including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 and a plurality of juxtaposed pixels 3 (pixels in a red region, pixels in a green region, pixels in a blue region, etc.)
  • the scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 of the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid and are connected to the pixels 3 at orthogonal positions. (Details not shown).
  • the plurality of pixels 3 are driven by an active matrix method provided with an organic EL element corresponding to each emission color, a switching transistor as an active element, and a driving transistor, and a scanning signal is applied from a scanning line 5. Then, an image data signal is received from the data line 6 and light is emitted according to the received image data.
  • a full-color display device was manufactured by juxtaposing the red, green, and blue pixels as appropriate.
  • the electrode of the transparent electrode substrate of Example 1 was patterned into 20 mm ⁇ 20 mm, and ⁇ -NPD was formed thereon as a hole injection / transport layer with a thickness of 25 nm as in Example 1, and further,
  • the heating boat containing CBP, the boat containing I4, and the boat containing Ir9 are independently energized to deposit CBP as a light-emitting host and 1-4 and Ir-9 as light-emitting dopants, respectively.
  • BCP was formed by lOnm to form a hole blocking layer.
  • Alq was deposited at 40nm.
  • An electron transport layer was provided.
  • Example 2 a square perforated mask having substantially the same shape as the transparent electrode made of stainless steel was placed on the electron injection layer, and 0.5 nm of lithium fluoride and a cathode were formed as a cathode buffer layer.
  • a cathode buffer layer was formed by vapor deposition of aluminum with a thickness of 150 nm.
  • FIG. 6 shows a schematic diagram of a flat lamp.
  • Fig. 6 (a) shows a schematic plan view, and
  • Fig. 6 (b) Shows a schematic sectional view.
  • an organic electroluminescent device material which is a metal complex having a specific ligand and an organic EL exhibiting high luminous efficiency and having a long luminous life, using the device material
  • An element, a lighting device, and a display device can be provided.
  • the electroluminescent device material comprises a metal complex having a ligand represented by the following general formula (1).

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Description

明 細 書
有機エレクト口ルミネッセンス素子材料、有機エレクト口ルミネッセンス素子
、表示装置及び照明装置
技術分野
[0001] 本発明は、有機エレクト口ルミネッセンス素子材料、有機エレクト口ルミネッセンス素 子、表示装置及び照明装置に関する。
背景技術
[0002] 従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクト口ルミネッセンスディスプレ ィ（以下、 ELDという）がある。 ELDの構成要素としては、無機エレクト口ルミネッセン ス素子や有機エレクト口ルミネッセンス素子（以下、有機 EL素子という）が挙げられる 。無機エレクト口ルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子 を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。有機 EL素子は、発光する化合 物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を 注入して、再結合させることにより励起子 (エキシトン)を生成させ、このエキシトンが 失活する際の光の放出 (蛍光'燐光)を利用して発光する素子であり、数 V—数十 V 程度の電圧で発光が可能であり、さらに、 自己発光型であるために視野角に富み、 視認性が高ぐ薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点か ら注目されている。
[0003] し力しながら、今後の実用化に向けた有機 EL素子においては、さらに低消費電力 で効率よく高輝度に発光する有機 EL素子の開発が望まれている。
[0004] 特許第 3093796号明細書では、スチルベン誘導体、ジスチリルァリーレン誘導体 又はトリススチリルァリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、 素子の長寿命化を達成して！/ヽる。
[0005] また、 8—ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホストイ匕合物として、これに微量の蛍 光体をドープした有機発光層を有する素子 (例えば、特開昭 63— 264692号公報）、 8—ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホストイ匕合物として、これにキナクリドン系色 素をドープした有機発光層を有する素子 (例えば、特開平 3— 255190号公報)等が 知られている。
[0006] 以上のように、励起一重項力 の発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起 子の生成比が 1 : 3であるため発光性励起種の生成確率が 25%であり、光の取り出し 効率が約 20%であるため、外部取り出し量子効率（ r? ext)の限界は 5%とされている
[0007] ところが、プリンストン大より励起三重項力もの燐光発光を用いる有機 EL素子の報 告（M. A. Baldo et al. , nature, 395卷、 151— 154ページ（1998年））力 れて 以来、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきている。
[0008] 例えば M. A. Baldo et al. , nature, 403卷、 17号、 750— 753ページ（2000 年)、又米国特許第 6, 097, 147号明細書などにも開示されている。
[0009] 励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が 100%となるため、励起一重項 の場合に比べて原理的に発光効率力 倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得ら れる可能性があることから照明用途としても注目されている。
[0010] 例えば、 S. Lamansky et al. , J. Am. Chem. Soc. , 123卷、 4304ページ（2
001年)等においては、多くの化合物がイリジウム錯体系など重金属錯体を中心に合 成検討されている。
[0011] 又、前述の M. A. Baldo et al. , nature, 403卷、 17号、 750— 753ページ（20 00年）においては、ドーパントとして、トリス（2—フエ-ルビリジン)イリジウムを用いた 検討がされている。
[0012] その他、 M. E. Tompsonらは、 The 10th International Workshop on In organic and Organic Electroluminescence (EL ' 00、浜松)【こお ヽて、ド ~~ノヽ ン卜として L2Ir (acac)例えば（ppy) 2Ir (acac)を、又、 Moon— Jae Youn. Og, Tet suo Tsutsui等は、やはり、 The 10th International Workshop on Inorga nic and Organic Electroluminescence (EL， 00、浜松)【こお ヽて、ドーノ ント として、トリス（2— (p—トリル)ピリジン)イリジウム (Ir (ptpy) ) , トリス (ベンゾ [h]キノリン
3
)イリジウム (Ir (bzq) )等を用いた検討をおこなっている（なおこれらの金属錯体は
3 一 般にオルトメタル化イリジウム錯体と呼ばれて 、る。）。
[0013] 又、前記、 S. Lamansky et al. , J. Am. Chem. Soc. , 123卷、 4304ページ (2001年)等にぉ 、ても、各種イリジウム錯体を用いて素子化する試みがされて!/、る
[0014] 又、高い発光効率を得るために、 The 10th International Workshop on I norganic and Organic Electroluminescence (EL ' 00、浜松)では、 Ikaiらは ホール輸送性の化合物を燐光性ィ匕合物のホストとして用いている。また、 M. E. To mpsonらは、各種電子輸送性材料を燐光性ィ匕合物のホストとして、これらに新規なィ リジゥム錯体をドープして用いて 、る。
[0015] 中心金属をイリジウムの代わりに白金としたオルトメタルイ匕錯体も注目されて 、る。こ の種の錯体に関しては、配位子に特徴を持たせた例が多数知られている（例えば、 特許文献 1一 5及び非特許文献 1参照。 ) 0
[0016] 何れの場合も発光素子とした場合の発光輝度や発光効率は、その発光する光が燐 光に由来することから、従来の素子に比べ大幅に改良されるものである力 素子の発 光寿命にっ 、ては従来の素子よりも低 、と 、う問題点があった。
[0017] また、りん光性の高効率の発光材料としては色純度の良い青色発光材料が求めら れているにも関わらず、発光波長の短波化が難しく実用に耐えうる性能を十分に達 成できていないのが現状である。波長の短波化に関してはこれまで、フエニルピリジ ンにフッ素原子等の電子吸引基を置換基として導入すること、配位子としてピコリン 酸やビラザボール系の配位子を導入することが知られている（例えば、特許文献 6— 8及び非特許文献 1一 4参照)。しかしこのような置換基効果を利用して発光波長を短 波化し青色を出そうとするとすると、高効率の素子を達成できる一方、オルトメタルイ匕 錯体自体の発光寿命は大幅に劣化するため、そのトレードオフの改善が求められて いた。
特許文献 1：特開 2002— 332291号公報
特許文献 2：特開 2002-332292号公報
特許文献 3：特開 2002-338588号公報
特許文献 4:特開 2002-226495号公報
特許文献 5：特開 2002— 234894号公報
特許文献 6 :国際公開第 02Z15645号パンフレット 特許文献 7：特開 2003— 123982号公報
特許文献 8：特開 2002—117978号公報
非特許文献 1 : Inorganic Chemistry,第 41卷、第 12号、 3055— 3066ページ（2 002年）
非特許文献 2 :Ap Physics Letters. ,第 79卷、 2082ページ（2001年） 非特許文献 3 :Aplied Physics Letters. ,第 83卷、 3818ページ（2003年） 非特許文献 4 : New Journal of Chemistry. , 第 26卷、 1171ページ（2002年 )
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0018] 本発明は係る課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、特定の配位子 を持つ金属錯体である有機 EL素子材料と該素子材料を用いて、高 ヽ発光効率を示 し、且つ、発光寿命の長い有機 EL素子、照明装置及び表示装置を提供することで ある。
課題を解決するための手段
[0019] 本発明の上記目的は下記の構成により達成された。
[0020] (項 1)
下記一般式 (1)で表される配位子を有する金属錯体を含むことを特徴とする有機ェ レクト口ルミネッセンス素子材料。 一般
Figure imgf000006_0001
[0021] 〔式中、 X、 X、 X、 Xは、各々独立に炭素原子または窒素原子を表し、 C、 Cは炭
1 2 3 4 1 2 素原子を表し、 Z1は、 C、 X、 Xと共に、 Ζ2は、 C、 X、 Xと共に、各々芳香族炭化 水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。 Aは窒素原子ま
1
たはホウ素原子を表し、 Rは置換基を表す。 Cと Xとの間の結合、 Cと Xとの間の結
1 1 1 2 2 合、 Xと Xとの間の結合、 Xと Xとの間の結合は単結合または二重結合を表す。〕
1 3 2 4
(項 2)
、 C？
前記一般式 (1)の 36 -\：一 R - 1は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることを特徴 とする項 1に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子材料。
[0022] (項 3)
下記一般式 (2)で表される部分構造を有する金属錯体を含むことを特徴とする有機 エレクトロノレミネッセンス素子材料。 一般式 (2)
. Z3-
R2
N
' Ζ4-
[0023] 〔式中、 C、 C、 C、 C、 Cは、各々炭素原子を表し、 Ζ3は、 C、 C、 Cと共に芳香
3 4 5 6 7 3 4 5
族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、 Ζ4は、 C
6
、 C、 Νと共に芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。 Αは窒素原子ま
7 2 たはホウ素原子を表し、 Rは置換基を表し、 M は、元素周期表における第 8族
2 11 一第
10族の元素を表す。 Cと Cとの間の結合、 Cと Cとの間の結合、 Cと Cとの間の結
3 4 4 5 6 7 合、 Cと Nとの間の結合は単結合または二重結合を表す。〕
7
刚
前記一般式 (2)の Rは、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることを特徴
2
とする項 3に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子材料。
[0024] (項 5)
前記金属錯体が、下記一般式 (3)またはその互変異性体を部分構造として有する金 属錯体であることを特徴とする項 3または 4に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素 子材料。 -般式 (3)
Figure imgf000008_0001
[0025] 〔式中、 Aは窒素原子またはホウ素原子を表し、 Rは置換基を表し、 R 基
3 3 4、 Rは置換
5 を表す。 nl、 n2は、各々 0— 3の整数を表す。 M は元素周期表における第 8族
12 一第
10族の元素を表す。〕
(項 6)
前記 M または前記 M 力 イリジウムであることを特徴とする項 3— 5のいずれか 1項
11 12
に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子材料。
[0026] (項 7)
前記 M または前記 M 1S 白金であることを特徴とする項 3— 5のいずれか 1項に記
11 12
載の有機エレクト口ルミネッセンス素子材料。
[0027] (項 8)
項 1一 7のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子材料を含有するこ とを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0028] (項 9)
構成層として、少なくとも一層の発光層を有し、該発光層が項 1一 7のいずれか 1項に 記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子材料を含有する事を特徴とする項 8に記載 の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0029] (項 10)
構成層として、少なくとも一層の発光層及び少なくとも一層の正孔阻止層を有し、該 正孔阻止層が、項 1一 7のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子材 料を含有することを特徴とする項 8または 9に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素 子。
[0030] (項 11) 項 8— 10のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を具備してなるこ とを特徴とする表示装置。
[0031] (項 12)
項 8— 10のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を具備してなるこ とを特徴とする照明装置。
発明の効果
[0032] 本発明により、特定の配位子を持つ金属錯体である有機 EL素子材料と該素子材 料を用いて、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機 EL素子、照明装置 及び表示装置を提供することが出来た。
図面の簡単な説明
[0033] [図 1]有機 EL素子力 構成される表示装置の一例を示した模式図である。
[図 2]表示部 Aの模式図である。
[図 3]画素を構成する駆動回路の等価回路図である。
[図 4]パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。
[図 5]有機 EL素子 OLED1— 1の封止構造の概略模式図である。
[図 6(a)]有機 EL素子を具備してなる照明装置の平面模式図である。
[図 6(b)]有機 EL素子を具備してなる照明装置の断面模式図である。
発明を実施するための最良の形態
[0034] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子材料において、請求項 1一 7のいずれか 1項で規定する構成とすることにより、特定の配位子を持つ金属錯体である有機 EL 素子材料を得ることが出来た。該有機 EL素子材料を用いることにより、高い発光効 率を示し、且つ、発光寿命の長い有機 EL素子を得ることが出来る。更に、前記有機 エレクト口ルミネッセンス素子を用いることにより、高輝度で、且つ、高耐久性を示す、 請求項 11に記載の表示装置、請求項 12に記載の照明装置を各々得ることが出来た
[0035] 以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。
[0036] 本発明者等は、上記問題点に鑑み鋭意検討を行った結果、前記一般式（1)で表さ れる配位子を有する金属錯体、前記一般式 (2)で表される部分構造を有する金属錯 体、または、前記一般式 (3)で表される部分構造を有する金属錯体のように、特定の 配位子を持つ金属錯体を有機 EL素子に用いることにより、本発明に記載の効果、即 ち、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機 EL素子が得られることが判つ た。
[0037] ここで、本発明に用いられる『特定の配位子を持つ金属錯体』とは、配位子と中心 金属から金属錯体が形成される場合に、金属錯体の中心金属と配位子が錯形成さ れる側とは反対側 (即ち、配位子と中心金属との間で配位結合が形成される側とは逆 側を示す。 )に位置する配位子分子のオルト位同士が、窒素原子 1個またはホウ素原 子 1個で連結した分子構造を有することが特徴である。
[0038] 上記のような特徴を有する配位子を持つ金属錯体を本発明の有機 EL素子材料と して用いることにより、従来の金属錯体を含む有機 EL素子材料を用いて作製された 有機 EL素子の問題点であった短い発光寿命が大幅に改善されることが判った。
[0039] また、前記金属錯体の素子中の含有層としては、発光層及び Zまたは正孔阻止層 が好ましぐまた、発光層に含有される場合は、前記発光層中の発光ドーパントとして 用いられることにより、本発明に記載の効果である、有機 EL素子の発光寿命の長寿 命化を達成することが出来た。
[0040] 本発明の有機 EL素子材料として、前記金属錯体を用いたことにより、素子の長寿 命化が達成された理由は、現在、解析中であるが、本発明者等は、金属錯体が本来 的に有する平面性が、上記の置換様式を有する配位子の立体障害により、前記平面 性が阻害される結果、エキシマーの形成が抑えられることによると推定している。
[0041] また、従来知られて!/、る金属錯体はホール輸送性は高 、が、電子輸送性が低 、た めに電界をかけた時の発光が、正孔阻止層や電子輸送層側で起こる場合が多ぐこ の点でも素子の寿命を劣化させる要因になっていた。本発明のように窒素原子ゃホ ゥ素原子を含有した電子輸送性の基を導入することにより、発光層の中心近傍で発 光させることが可能となり、寿命の改良効果が得られているものと推定している。尚、 発光層、正孔阻止層等の層構成や、発光ドーパント等の層を構成する材料等につい ては、後で詳細に説明する。
[0042] 《金属錯体》 本発明の有機 EL素子材料に係る金属錯体について説明する。
[0043] 《一般式 (1)で表される配位子を有する金属錯体》
本発明に係る一般式（ 1)で表される配位子を有する金属錯体について説明する。
[0044] 最初に、一般式（1)で表される配位子について説明する。
[0045] 一般式（1)において、 Zが C、 X、 Xと共に、 Zが C、 X、 Xと共に、各々形成する
1 1 1 3 2 2 2 4
芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフエ-ル環、ナフタレン環、ァズ レン環、アントラセン環、フエナントレン環、ピレン環、タリセン環、ナフタセン環、トリフ ェニレン環、 o—テノレフエ二ノレ環、 m—テノレフエ二ノレ環、 p—テノレフエ二ノレ環、ァセナフテ ン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、 ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン 環等が挙げられる。
[0046] 中でも好ましく用いられるのは、ベンゼン環である。更に、前記芳香族炭化水素環 は、後述する、前記一般式（1)において R
1で表される置換基を有してもよい。
[0047] 一般式（1)において、 Zが C、 X、 Xと共に、 Zが C、 X、 Xと共に、各々形成する
1 1 1 3 2 2 2 4
芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チォフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、 ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、ォキサジァゾール環、 トリァゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾ イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾォキサゾール環、キノキサリン環、キナ ゾリン環、フタラジン環、力ルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化 水素環の炭素原子の少なくともひとつが更に窒素原子で置換されている環等が挙げ られる。
[0048] 中でも好ましいのは、ピリジン環である。更に、前記芳香族複素環は、後述する、前 記一般式（1)において Rで表される置換基を有してもよい。
1
[0049] 一般式（1)にお 、て、 Rで表される置換基としては、例えば、アルキル基 (例えば、
1
メチル基、ェチル基、イソプロピル基、ヒドロキシェチル基、メトキシメチル基、トリフル ォロメチル基、 t ブチル基等）、シクロアルキル基 (例えば、シクロペンチル基、シクロ へキシル基等）、ァラルキル基 (例えば、ベンジル基、 2—フ ネチル基等）、芳香族炭 化水素基（例えば、フエ-ル基、 p—クロロフヱ-ル基、メシチル基、トリル基、キシリル 基、ビフヱ-リル基、ナフチル基、アントリル基、フエナントリル基等）、芳香族複素環 基 (例えば、フリル基、チェニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ビラ ジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリ-ル 基、カルバゾリル基、フタラジニル基等）、アルコキシル基 (例えば、メトキシ基、ェトキ シ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、ァリールォキシ基 (例えば、フエノキシ基、ナ フチルォキシ基等）、シァノ基、水酸基、アルケニル基 (例えば、ビニル基等）、スチリ ル基、ハロゲン原子 (例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子、フッ素原子等)等が 挙げられる。これらの基は、更に置換されていてもよい。
[0050] 中でも、本発明では、上記 Rで表される基の少なくともひとつは、上記の芳香族炭
1
化水素基または芳香族複素環基であることが好ま 、。
[0051] 上記一般式（1)で表される配位子と中心金属 (金属でもイオンでもよい）との間で配 位結合が形成 (錯形成とも!ヽぅ)されて金属錯体が形成される。
[0052] ここで、前記配位子と中心金属（後述する）との間で配位結合が形成されるのは、前 記一般式（1)で表される配位子を構成する原子の中で、 X及び 間で
3 Zまたは Xとの
4 配位結合または共有結合が形成されることが好ましい。
[0053] 《一般式 (2)で表される配位子を有する金属錯体》
本発明に係る一般式 (2)で表される部分構造を有する金属錯体につ!/ヽて説明する
[0054] 一般式（2)にお 、て、 Zが C、 C、 Cと共に形成する芳香族炭化水素環は、前記
3 3 4 5
一般式（1)において、 Zが C、 X、 Xと共に形成する芳香族炭化水素環と同義であ
1 1 1 3
る。
[0055] 一般式 (2)にお 、て、 Zが C、 C、 Cと共に形成する芳香族複素環は、前記一般
3 3 4 5
式（1)において、 Zが C、 X、 Xと共に形成する芳香族複素環と同義である。
1 1 1 3
[0056] 一般式（2)にお 、て、 Zが C、 C、 Nと共に形成する芳香族複素環は、ピリジン環、
4 6 7
ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、ォキサ ジァゾール環、トリァゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インド ール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾォキサゾール環、キノキ サリン環、キナゾリン環、フタラジン環、力ルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環 を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくともひとつが更に窒素原子で置換されて いる環等が挙げられる。更に、前記芳香族複素環は、前記一般式（1)において R
1で 表される置換基を有してもょ ヽ。
[0057] 一般式（2)において、 Rで表される置換基は、前記一般式（1)において Rで表さ
2 1 れる置換基と同義である。
[0058] 一般式（2)にお 、て、 M で表される、元素周期表における第 8族一第 10族の元素
11
としては、白金 (Pt)、イリジウム (Ir)等が好ましい。また、一般式（2)において、 M は
11
、金属でもよぐイオンでもよい。
[0059] 《一般式 (3)またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体》
本発明に係る一般式 (3)またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体 について説明する。
[0060] 一般式（3)において、 Rで表される置換基は、前記一般式（1)において Rで表さ
3 1 れる置換基と同義である。
[0061] 一般式（3)において、 R、 Rで各々表される置換基は、前記一般式（1)において R
4 5
1で表される置換基と同義である。
[0062] 一般式（3)にお 、て、 M で表される、元素周期表における第 8族
12 一第 10族の元素 としては、白金 (Pt)、イリジウム (Ir)等が好ましい。また、一般式（3)において、 M は
12
、金属でもよぐイオンでもよい。
[0063] 以下に、本発明の有機 EL素子材料として用いられる金属錯体ィ匕合物の具体例を 示すが、本発明はこれらに限定されない。
Figure imgf000014_0001
Figure imgf000015_0001
ム9簡 SOOZdf/ェ:) d 0176.60/S00Z OAV
Figure imgf000016_0001
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ム9簡 SOOZdf/ェ:) d 0176.60/S00Z OAV
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PZ-d
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[ 900]
0176.60/S00Z OAV
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[8900] L9fOO/SOOZ<ir/13<I L i 0f6L60/S00∑: OAV
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[6900]
81· 0176.60/S00Z OAV
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ム9簡 SOOZdf/ェ:) d 61· 0176.60/S00Z OAV
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ム9簡 SOOZdf/ェ:) d 93 0176.60/S00Z OAV [0078]
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[0079] 本発明の有機 EL素子材料に係る金属錯体は、例えば Organic Letter誌、 vol3 、 No. 16、 p2579— 2581 (2001)、 Inorganic Chemistry,第 30卷、第 8号、 16 85— 1687ページ（1991年）、 J. Am. Chem. Soc. , 123卷、 4304ページ（2001 年）、 Inorganic Chemistry,第 40卷、第 7号、 1704— 1711ページ（2001年）、 I norganic Chemistry,第 41卷、第 12号、 3055— 3066ページ（2002年;)、 New Journal of Chemistry. , 第 26卷、 1171ページ（2002年）、 Journal of th e Chemical society Perkm Transactions 1,丄 1, 1505— 1510へ ~~ン (19 99年）、さらにこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成 できる。
[0080] 《金属錯体を含む有機 EL素子材料の有機 EL素子への適用》 本発明の有機 EL素子材料を用いて、有機 EL素子を作製する場合、有機 EL素子 の構成層（詳細は後述する）の中で、発光層または正孔阻止層に用いることが好まし い。また、発光層中では上記のように、発光ドーパントとして好ましく用いられる。
[0081] (発光ホストと発光ドーパント）
発光層中の主成分であるホストイ匕合物である発光ホストに対する発光ドーパントとの 混合比は好ましくは質量で 0. 1質量％— 30質量％未満の範囲に調整することであ る。
[0082] ただし、発光ドーパントは複数種の化合物を混合して用いても良ぐ混合する相手 は構造を異にする、その他の金属錯体やその他の構造を有するリン光性ドーパント や蛍光性ドーパントでもよ 、。
[0083] ここで、発光ドーパントとして用いられる金属錯体と併用しても良いドーパント（リン 光性ドーパント、蛍光性ドーパント等）について述べる。
[0084] 発光ドーパントは、大きくわけて、蛍光を発光する蛍光性ドーパントとリン光を発光 するリン光性ドーパントの 2種類がある。
[0085] 前者 (蛍光性ドーパント)の代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シ了ニ ン系色素、クロコニゥム系色素、スクァリウム系色素、ォキソベンツアントラセン系色素 、フルォレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチ ルベン系色素、ポリチオフ ン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
[0086] 後者 (リン光性ドーパント）の代表例としては、好ましくは元素の周期表で 8属、 9属、 10属の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくは、イリジウム化合物、ォ スミゥム化合物であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
[0087] 具体的には以下の特許公報に記載されている化合物である。
[0088] 国際公開第 OOZ70655号パンフレツ K特開 2002— 280178号公報、特開 2001 —181616号公報、特開 2002— 280179号公報、特開 2001— 181617号公報、特 開 2002— 280180号公報、特開 2001— 247859号公報、特開 2002— 299060号公 報、特開 2001— 313178号公報、特開 2002— 302671号公報、特開 2001— 3451 83号公報、特開 2002— 324679号公報、国際公開第 02/15645号パンフレット、 特開 2002— 332291号公報、特開 2002— 50484号公報、特開 2002— 332292号 公報、特開 2002— 83684号公報、特表 2002— 540572号公報、特開 2002— 1179 78号公報、特開 2002— 338588号公報、特開 2002— 170684号公報、特開 2002 —352960号公報、国際公開第 01Z93642号パンフレット、特開 2002— 50483号 公報、特開 2002— 100 号公報、特開 2002— 173674号公報、特開 2002— 359 082号公報、特開 2002— 175884号公報、特開 2002— 363552号公報、特開 200 2— 184582号公報、特開 2003— 7469号公報、特表 2002— 525808号公報、特開 2003— 7471号公報、特表 2002— 525833号公報、特開 2003— 31366号公報、特 開 2002— 226495号公報、特開 2002— 234894号公報、特開 2002— 235076号公 報、特開 2002— 241751号公報、特開 2001— 319779号公報、特開 2001— 3197 80号公報、特開 2002— 62824号公報、特開 2002— 100474号公報、特開 2002— 203679号公報、特開 2002— 343572号公報、特開 2002— 203678号公報等。 その具体例の一部を下記に示す。
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Ζ1-Λ\
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[0091]
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[0092] (発光ホスト）
発光ホスト（単にホストとも!、う）とは、 2種以上の化合物で構成される発光層中にて 混合比 (質量)の最も多い化合物のことを意味し、それ以外の化合物については「ド 一パント化合物（単に、ドーパントともいう）」という。例えば、発光層をィ匕合物 A、化合 物 Bという 2種で構成し、その混合比が A:B= 10 :90であれば化合物 Aがドーパント 化合物であり、化合物 Bがホストイ匕合物である。更に、発光層をィ匕合物 A、化合物 B、 化合物 Cの 3種力 構成し、その混合比が八^:じ=5:10:85でぁれば、化合物 A、 化合物 Bがドーパント化合物であり、化合物 Cがホストイ匕合物である。
[0093] 本発明に用いられる発光ホストとしては、併用される発光ドーパントのリン光 0— 0バ ンドよりも短波長なそれをもつ化合物が好ましぐ発光ドーパントにそのリン光 0— 0バ ンドが 480nm以下である青色の発光成分を含む化合物を用いる場合には、発光ホ ストとしてはリン光 0—0バンド力 50nm以下であることが好ましい。
[0094] 本発明の発光ホストとしては、構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾ ール誘導体、トリアリールァミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物 、チォフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴァリーレン化合物等の基本骨格を有し、か つ前記 0— 0バンドが 450nm以下の化合物が好ましい化合物として挙げられる。
[0095] また、本発明の発光ホストは低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物 でもよぐビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物 (蒸着重合 性発光ホスト)でもいい。
[0096] 発光ホストとしては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化 を防ぎ、なおかつ高 Tg (ガラス転移温度)である化合物が好ま U、。
[0097] 発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が好適である。
例えば、特開 2001— 257076号公報、特開 2002— 308855号公報、特開 2001— 3 13179号公報、特開 2002— 319491号公報、特開 2001— 357977号公報、特開 2 002— 334786号公報、特開 2002— 8860号公報、特開 2002— 334787号公報、特 開 2002— 15871号公報、特開 2002— 334788号公報、特開 2002— 43056号公報 、特開 2002— 334789号公報、特開 2002— 75645号公報、特開 2002— 338579 号公報、特開 2002— 105445号公報、特開 2002— 343568号公報、特開 2002— 1 41173号公報、特開 2002— 352957号公報、特開 2002— 203683号公報、特開 2 002— 363227号公報、特開 2002— 231453号公報、特開 2003— 3165号公報、特 開 2002— 234888号公報、特開 2003— 27048号公報、特開 2002— 255934号公 報、特開 2002— 260861号公報、特開 2002— 280183号公報、特開 2002— 2990 60号公報、特開 2002— 302516号公報、特開 2002— 305083号公報、特開 2002 —305084号公報、特開 2002-308837号公報等。具体的な発光ホストの例を以下 に示すが、本発明はこれらに限定されない。
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[0100] 次に、代表的な有機 EL素子の構成について述べる。
[0101] 《有機 EL素子の構成層》
本発明の有機 EL素子の構成層につレ、て説明する。
[0102] 本発明の有機 EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれ らに限定されない。 (i)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 z 陰極 )陽極 Z電子阻止層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極 (iii)陽極
Z正孔輸送層 Z電子阻止層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極 (iv)陽極 Z正孔輸送層 Z電子阻止層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極 (V)陽極 Z正孔輸送層 Z電子阻止層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極バッファ 一層 Z陰極 (vi)陽極 Z陽極バッファ一層 Z正孔輸送層 Z電子阻止層 Z発光層 Z 正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極バッファ一層 Z陰極 (vii)陽極 z陽極バッファ一層 Z正孔輸送層 Z電子阻止層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極バッファ 一層 Z陰極
《阻止層 (電子阻止層、正孔阻止層)》
本発明に係る阻止層（例えば、電子阻止層、正孔阻止層）について説明する。
[0103] 本発明においては、正孔阻止層、電子阻止層等に、本発明の有機 EL素子材料を を用いることが好ましぐ特に好ましくは正孔阻止層に用いることである。
[0104] 本発明の有機 EL素子材料を正孔阻止層、電子阻止層に含有させる場合、請求項
1一 17の ヽずれか 1項に記載されて!ヽる、本発明に係る金属錯体を正孔阻止層ゃ電 子阻止層等の層構成成分として 100質量％の状態で含有させてもよいし、他の有機 化合物 (例えば、本発明の有機 EL素子の構成層に用いられる化合物等)等と混合し てもよい。
[0105] 本発明に係る阻止層の膜厚としては好ましくは 3nm— lOOnmであり、更に好ましく ίま 5nm— 30nmでめる。
[0106] 《正孔阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有 しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料力 なり、電子を輸送しつつ正孔を阻 止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
[0107] 正孔阻止層としては、例えば特開平 11— 204258号公報、同 11 204359号公報 、及び「有機 EL素子とその工業化最前線（1998年 11月 30日 ェヌ 'ティー'エス社 発行)」の 237頁等に記載の正孔阻止（ホールブロック)層等を本発明に係る正孔阻 止層として適用可能である。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発 明に係る正孔阻止層として用 、ることが出来る。
[0108] 《電子阻止層》
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機 能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料力 なり、正孔を輸送しつつ電 子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述 する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることが出来る。
[0109] また、本発明においては、発光層に隣接する隣接層、即ち、正孔阻止層、電子阻 止層に、上記の本発明の有機 EL素子材料を用いることが好ましぐ特に正孔阻止層 に用いることが好ましい。
[0110] 《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料を含み、広い意味で正孔注入 層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設ける ことができる。
[0111] 正孔輸送材料としては、特に制限はなぐ従来、光導伝材料において、正孔の電荷 注入輸送材料として慣用されて 、るものや EL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使 用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
[0112] 正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するも のであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えばトリァゾール誘導体、ォキ サジァゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン 誘導体及びピラゾロン誘導体、フ 二レンジァミン誘導体、ァリールァミン誘導体、アミ ノ置換カルコン誘導体、ォキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルォレ ノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ァニリン系共重 合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチォフェンオリゴマー等が挙げられる。
[0113] 正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができる力 ポルフィリン化合物 、芳香族第三級ァミン化合物及びスチリルァミン化合物、特に芳香族第三級ァミン化 合物を用いることが好まし 、。
[0114] 芳香族第三級アミンィ匕合物及びスチリルアミンィ匕合物の代表例としては、 N, N, N
' , N，ーテトラフエ-ルー 4, 4，一ジァミノフエ-ル； N, N，ージフエ-ルー N, N，一ビス（3 メチルフエ-ル)—〔1, 1，ービフエ-ル〕 4, 4，ージァミン (TPD) ; 2, 2 ビス（4ージー P—トリルァミノフエ-ル）プロパン； 1 , 1—ビス（4—ジー p—トリルァミノフエ-ル）シクロへ キサン； N, N, Ν' , Ν，ーテトラー ρ—トリル 4, 4，ージアミノビフエニル； 1, 1 ビス（4 ジー ρ—トリルァミノフエ-ル) 4—フエ-ルシクロへキサン；ビス（4—ジメチルァミノ— 2— メチルフエ-ル）フエニルメタン；ビス（4—ジー ρ—トリルァミノフエ-ル）フエニルメタン； Ν , Ν，—ジフエ-ルー Ν, Ν，—ジ（4ーメトキシフエ-ル） 4, 4'—ジアミノビフエ-ル； Ν, Ν, Ν' , Ν，ーテトラフエ-ルー 4, 4'—ジァミノジフエ-ルエーテル； 4, 4'—ビス（ジフエ -ルァミノ）クオードリフエ-ル； Ν, Ν, Ν—トリ（ρ—トリル）ァミン； 4— (ジー ρ—トリルァミノ ) 4，—〔4— (ジー ρ—トリルァミノ）スチリル〕スチルベン； 4 Ν, Ν—ジフエ-ルァミノ—（2 —ジフエ-ルビ-ル）ベンゼン； 3—メトキシー 4，一 Ν, Ν—ジフエ-ルアミノスチルベンゼ ン； Ν フエ-ルカルバゾール、さらには、米国特許第 5, 061, 569号明細書に記載 されている 2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば 4, 4' ビス〔Ν—（1 ナフチル) Ν フエ-ルァミノ〕ビフエ-ル（NPD)、特開平 4 308688号公報に記 載されているトリフエ-ルァミンユニットが 3つスターバースト型に連結された 4, 4，， 4 ，，—トリス〔?^— (3—メチルフエ-ル） Ν フエ-ルァミノ〕トリフエ-ルァミン（MTD AT A)等が挙げられる。
[0115] さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖と した高分子材料を用いることもできる。
[0116] また、 p型 Si、 p型 SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使 用することができる。また、正孔輸送材料は、高 Tgであることが好ましい。
[0117] この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キ ヤスト法、インクジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成す ることができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5nm— 50
OOnm程度である。この正孔輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一 層構造であってもよい。
[0118] 《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料力 なり、広い意味で電子注入 層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層もしくは複数層を設 けることができる。
[0119] 従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣 接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料 (正孔阻止材料を兼ねる）としては、下 記の材料が知られて 、る。
[0120] さらに、電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有して いればよぐその材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用 いることがでさる。
[0121] この電子輸送層に用いられる材料 (以下、電子輸送材料という）の例としては、 -ト 口置換フルオレン誘導体、ジフヱ-ルキノン誘導体、チォピランジオキシド誘導体、ナ フタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリ デンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、ォキサジァゾール誘導 体などが挙げられる。さらに、上記ォキサジァゾール誘導体において、ォキサジァゾ ール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として 知られて!/ヽるキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用い ることがでさる。
[0122] さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖と した高分子材料を用いることもできる。
[0123] また、 8 キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス（8 キノリノール)アルミ-ゥ ム（Alq)、トリス（5, 7—ジクロ口— 8—キノリノール）アルミニウム、トリス（5, 7—ジブ口モ— 8—キノリノール）アルミニウム、トリス（2—メチルー 8 キノリノール）アルミニウム、トリス（ 5—メチルー 8—キノリノール）アルミニウム、ビス（8—キノリノール）亜鉛（Znq)など、及 びこれらの金属錯体の中心金属が In、 Mg、 Cu、 Ca、 Sn、 Ga又は Pbに置き替わつ た金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリー若しくは メタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基ゃスルホン酸基などで置換さ れているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材 料として例示したジスチリルビラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができ るし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、 n型 Si、 n型 SiCなどの無機半導体も電 子輸送材料として用いることができる。 [0124] この電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キ ヤスト法、インクジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成す ることができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5— 5000 nm程度である。この電子輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層 構造であってもよい。
[0125] 次に、本発明の有機 EL素子の構成層として用いられる、注入層について説明する
[0126] 《注入層》:電子注入層、正孔注入層
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と 発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存 在させてもよい。
[0127] 注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる 層のことで、「有機 EL素子とその工業ィ匕最前線（1998年 11月 30日 ェヌ'ティー'ェ ス社発行)」の第 2編第 2章「電極材料」（123— 166頁）に詳細に記載されており、正 孔注入層（陽極バッファ一層）と電子注入層（陰極バッファ一層）とがある。
[0128] 陽極バッファ一層（正孔注入層）は、特開平 9 45479号公報、同 9— 260062号公 報、同 8— 288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタ口 シァニンに代表されるフタロシアニンバッファ一層、酸ィ匕バナジウムに代表される酸 化物バッファ一層、アモルファスカーボンバッファ一層、ポリア-リン（ェメラルディン） やポリチォフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファ一層等が挙げられる。
[0129] 陰極バッファ一層（電子注入層）は、特開平 6— 325871号公報、同 9— 17574号公 報、同 10— 74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的には、ストロンチ ゥムゃアルミニウム等に代表される金属バッファ一層、フッ化リチウムに代表されるァ ルカリ金属化合物バッファ一層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属 化合物バッファ一層、酸ィ匕アルミニウムに代表される酸ィ匕物バッファ一層等が挙げら れる。
[0130] 上記バッファ一層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましぐ素材にもよるが、そ の膜厚は 0. lnm— lOOnmの範囲が好ましい。 [0131] この注入層は、上記材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インク ジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜ィ匕することにより形成することができる 。注入層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5— 5000nm程度である。こ の注入層は、上記材料の一種または二種以上力もなる一層構造であってもよい。
[0132] 《陽極》
本発明の有機 EL素子に係る陽極としては、仕事関数の大きい (4eV以上)金属、 合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用い られる。このような電極物質の具体例としては Au等の金属、 Cul、インジウムチンォキ シド (ITO)、 SnO、 ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、 IDIXO (In O -
2 2 3
ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの 電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィ 一法で所望の形状のパターンを形成してもよぐあるいはパターン精度をあまり必要 としない場合は（100 m以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所 望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場 合には、透過率を 10%より大きくすることが望ましぐまた、陽極としてのシート抵抗は 数百 ΩΖ口以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよる力 通常 10— 1000nm、好 ましくは 10— 200nmの範囲で選ばれる。
[0133] 《陰極》
一方、本発明に係る陰極としては、仕事関数の小さい (4eV以下)金属 (電子注入 性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするも のが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム一力リウ ム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム Z銅混合物、マグネシウム Z銀混合物 、マグネシウム /アルミニウム混合物、マグネシウム Zインジウム混合物、アルミニウム Z酸ィ匕アルミニウム (Al O )混合物、インジウム、リチウム
2 3 Zアルミニウム混合物、希 土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の 点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金 属との混合物、例えばマグネシウム Z銀混合物、マグネシウム Zアルミニウム混合物 、マグネシウム Zインジウム混合物、アルミニウム Z酸ィ匕アルミニウム (Al O )混合物 、リチウム zアルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電 極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることにより、作製す ることができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百 Ω Ζ口以下が好ましぐ膜厚は 通常 lOnm— 1000nm、好ましくは 50nm— 200nmの範囲で選ばれる。なお、発光 を透過させるため、有機 EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または 半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
[0134] 《基体 (基板、基材、支持体等とも!ヽぅ)》
本発明の有機 EL素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に 限定はなぐまた、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板と しては例えばガラス、石英、光透過性榭脂フィルムを挙げることができる。特に好まし V、基体は、有機 EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な榭脂フィルムである。
[0135] 榭脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（PET)、ポリエチレンナフ タレート（PEN)、ポリエーテルスルホン（PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエ ーテルケトン、ポリフエ-レンスルフイド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（P C)、セルローストリアセテート (TAC)、セルロースアセテートプロピオネート（CAP) 等力 なるフィルム等が挙げられる。
[0136] 榭脂フィルムの表面には、無機物もしくは有機物の被膜またはその両者のハイプリ ッド被膜が形成されていてもよぐ水蒸気透過率が 0. 01gZm2'dayatm以下の高 ノ リア性フィルムであることが好まし ヽ。
[0137] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子の発光の室温における外部取り出し効 率は 1%以上であることが好ましぐより好ましくは 2%以上である。ここに、外部取り出 し量子効率 (％) =有機 EL素子外部に発光した光子数 Z有機 EL素子に流した電子 数 X 100である。
[0138] また、カラーフィルタ一等の色相改良フィルタ一等を併用してもよい。
[0139] 照明用途で用いる場合には、発光ムラを低減させるために粗面加工したフィルム（ アンチグレアフィルム等）を併用することもできる。
[0140] 多色表示装置として用いる場合は少なくとも 2種類の異なる発光極大波長を有する 有機 EL素子カゝらなるが、有機 EL素子を作製する好適な例を説明する。 [0141] 《有機 EL素子の作製方法》
本発明の有機 EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極バッファ一層 Z陰極からなる有機 EL 素子の作製法について説明する。
[0142] まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質力 なる薄膜を、 1 μ m 以下、好ましくは 10nm— 200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方 法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正 孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等の有機化合物を含有する薄膜を形 成させる。
[0143] この有機化合物を含有する薄膜の薄膜ィ匕の方法としては、前記の如くスピンコート 法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られや すぐかつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法 が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採 用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボ ート加熱温度 50°C— 450°C、真空度 10— 6Pa— 10— 2Pa、蒸着速度 0. Olnm— 50nm /秒、基板温度- 50°C— 300°C、膜厚 0. lnm— 5 mの範囲で適宜選ぶことが望 ましい。
[0144] これらの層の形成後、その上に陰極用物質力もなる薄膜を、 1 μ m以下好ましくは 5 Onm— 200nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法に より形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機 EL素子が得られる。この有機 EL 素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが 好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても力まわない。その際、作業を 乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
[0145] 《表示装置》
本発明の表示装置について説明する。
[0146] 本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは、多色表示装置について 説明する。多色表示装置の場合は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面 に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる [0147] 発光層のみパターユングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法 、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを 用いたパターユングが好まし 、。
[0148] また作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、 陽極の順に作製することも可能である。
[0149] このようにして得られた多色表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を + 、陰極を一の極性として電圧 2— 40V程度を印加すると、発光が観測できる。また、逆 の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧 を印加する場合には、陽極が +、陰極が一の状態になったときのみ発光する。なお、 印加する交流の波形は任意でょ 、。
[0150] 多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることがで きる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、青、赤、緑発光の 3種の有機 EL素子を 用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。
[0151] 表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、ノ ソコン、モノくィル機器、 AV機器、文 字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生 する表示装置として使用してもよぐ動画再生用の表示装置として使用する場合の駆 動方式は単純マトリックス (パッシブマトリックス）方式でもアクティブマトリックス方式で もどちらでもよい。
[0152] 発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告 、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光 センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。
[0153] 《照明装置》
本発明の照明装置につ居て説明する。
[0154] 本発明の有機 EL素子に共振器構造を持たせた有機 EL素子として用いてもよぐこ のような共振器構造を有した有機 EL素子の使用目的としては光記憶媒体の光源、 電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる 1S これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより、上記用途に使用 してちよい。
[0155] また、本発明の有機 EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使 用しても良いし、画像を投影するタイプのプロジェクシヨン装置や、静止画像や動画 像を直接視認するタイプの表示装置 (ディスプレイ）として使用しても良い。動画再生 用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス (パッシブマトリクス） 方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。または、異なる発光色を有する 本発明の有機 EL素子を 2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製す ることが可能である。
[0156] 以下、本発明の有機 EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する
[0157] 図 1は、有機 EL素子力 構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機 EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの 模式図である。
[0158] ディスプレイ 1は、複数の画素を有する表示部 A、画像情報に基づいて表示部 Aの 画像走査を行う制御部 B等力もなる。
[0159] 制御部 Bは、表示部 Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画 像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画 素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部 A に表示する。
[0160] 図 2は、表示部 Aの模式図である。
[0161] 表示部 Aは基板上に、複数の走査線 5及びデータ線 6を含む配線部と、複数の画 素 3等とを有する。表示部 Aの主要な部材の説明を以下に行う。
[0162] 図においては、画素 3の発光した光力 白矢印方向（下方向）へ取り出される場合 を示している。
[0163] 配線部の走査線 5及び複数のデータ線 6は、それぞれ導電材料からなり、走査線 5 とデータ線 6は格子状に直交して、直交する位置で画素 3に接続している（詳細は図 示していない）。
[0164] 画素 3は、走査線 5から走査信号が印加されると、データ線 6から画像データ信号を 受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑 領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラ 一表示が可能となる。
[0165] 次に、画素の発光プロセスを説明する。
[0166] 図 3は、画素の模式図である。
[0167] 画素は、有機 EL素子 10、スイッチングトランジスタ 11、駆動トランジスタ 12、コンデ ンサ 13等を備えている。複数の画素に有機 EL素子 10として、赤色、緑色、青色発 光の有機 EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行 うことができる。
[0168] 図 3において、制御部 B力もデータ線 6を介してスイッチングトランジスタ 11のドレイ ンに画像データ信号が印加される。そして、制御部 B力 走査線 5を介してスィッチン グトランジスタ 11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ 11の 駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ 13と駆動トランジ スタ 12のゲートに伝達される。
[0169] 画像データ信号の伝達により、コンデンサ 13が画像データ信号の電位に応じて充 電されるとともに、駆動トランジスタ 12の駆動がオンする。駆動トランジスタ 12は、ドレ インが電源ライン 7に接続され、ソースが有機 EL素子 10の電極に接続されており、ゲ 一トに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン 7から有機 EL素子 10に 電流が供給される。
[0170] 制御部 Bの順次走査により走査信号が次の走査線 5に移ると、スイッチングトランジ スタ 11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ 11の駆動がオフしてもコン デンサ 13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ 12 の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機 EL素子 1 0の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に 同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ 12が駆動して有機 E L素子 10が発光する。
[0171] すなわち、有機 EL素子 10の発光は、複数の画素それぞれの有機 EL素子 10に対 して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ 11と駆動トランジスタ 12を設けて 、複数の画素 3それぞれの有機 EL素子 10の発光を行っている。このような発光方法 をアクティブマトリクス方式と呼んで 、る。
[0172] ここで、有機 EL素子 10の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号 による複数の階調の発光でもよ 、し、 2値の画像データ信号による所定の発光量の オン、才フでもよ！/、。
[0173] また、コンデンサ 13の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持して もよ 、し、次の走査信号が印加される直前に放電させてもょ 、。
[0174] 本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査さ れたときのみデータ信号に応じて有機 EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の 発光駆動でもよい。
[0175] 図 4は、ノッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図 4において、複 数の走査線 5と複数の画像データ線 6が画素 3を挟んで対向して格子状に設けられ ている。
[0176] 順次走査により走査線 5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線 5に接続 して ヽる画素 3が画像データ信号に応じて発光する。
[0177] ノ¾ /シブマトリクス方式では画素 3にアクティブ素子が無ぐ製造コストの低減が計れ る。
[0178] 本発明の有機 EL素子材料は、また、照明装置として、実質白色の発光を生じる有 機 EL素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて 混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色 の 3原色の 3つの発光極大波長を含有させたものでも良いし、青色と黄色、青緑と橙 色等の補色の関係を利用した 2つの発光極大波長を含有したものでも良 、。
[0179] また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または 蛍光で発光する材料を、複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光 材料と、発光材料力 の光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもの のいずれでも良いが、本発明に係わる白色有機エレクト口ルミネッセンス素子におい ては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。発光層もしくは正孔輸 送層或いは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分けるなど単 純に配置するだけでよぐ他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であ り、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば 電極膜を形成でき、生産性も向上する。この方法によれば、複数色の発光素子をァ レー状に並列配置した白色有機 EL装置と異なり、素子自体が発光白色である。
[0180] 発光層に用いる発光材料としては特に制限はなぐ例えば液晶表示素子における ノ ックライトであれば、 CF (カラーフィルター)特性に対応した波長範囲に適合するよ うに、本発明に係わる白金錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択し て組み合わせて白色化すれば良 、。
[0181] このように、本発明の白色発光有機 EL素子は、前記表示デバイス、ディスプレーに カロえて、各種発光光源、照明装置として、家庭用照明、車内照明、また露光光源の ような一種のランプとして、また、液晶表示装置のバックライト等、表示装置にも有用 に用いられる。
[0182] その他、時計等のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体等の光源、電子写 真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等、更には表示装置を 必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられる。
実施例
[0183] 以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。
[0184] ここで、実施例 1一 6のいずれかにおいて用いられる発光ホスト材料、発光ドーパン ト、正孔阻止層の形成等に用いられる素材を示す。
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Figure imgf000052_0002
ム9簡 SOOZdf/ェ:) d 09 0176.60/S00Z OAV
Figure imgf000053_0001
Figure imgf000053_0002
[0186] 実施例 1
《有機 EL素子 OLED1— 1の作製》
陽極としてガラス上に ITOを 150nm成膜した基板 (NHテクノグラス社製: NA-45) にパター-ングを行った後、この ITO透明電極を設けた透明支持基板を iso プロピ ルアルコールで超音波洗净し、乾燥窒素ガスで乾燥し、 UVオゾン洗浄を 5分間行つ た。
[0187] この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、 5つ のタンタル製抵抗力卩熱ボートに、 α— NPD、 CBP、 Ir—10、 BCP、 Alqをそれぞれ入
3
れ、真空蒸着装置 (第 1真空槽)に取付けた。
[0188] 更に、タンタル製抵抗加熱ボートにフッ化リチウムを、タングステン製抵抗加熱ボー トにアルミニウムをそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第 2真空槽に取り付けた。
[0189] まず、第 1の真空槽を 4 X 10—4Paまで減圧した後、 a NPDの入った前記加熱ボ ートに通電して加熱し、蒸着速度 0. InmZ秒一 0. 2nmZ秒で透明支持基板に膜 厚 25nmの厚さになるように蒸着し、正孔注入 Z輸送層を設けた。 [0190] さらに、 CBPの入った前記加熱ボートと Ir 10の入ったボートをそれぞれ独立に通 電して発光ホストである CBPと発光ドーパントである Ir~10の蒸着速度が 100 : 7にな るように調節し膜厚 30nmの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。
[0191] ついで、 BCPの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度 0. InmZ秒 一 0. 2nmZ秒で厚さ lOnmの正孔阻止層を設けた。更に、 Alqの入った前記加熱
3
ボートを通電して加熱し、蒸着速度 0. InmZ秒一 0. 2nmZ秒で膜厚 40nmの電子 輸送層を設けた。
[0192] 次に、前記の如く電子注入層まで製膜した素子を真空のまま第 2真空槽に移した 後、電子注入層の上にステンレス鋼製の長方形穴あきマスクが配置されるように装置 外部からリモートコントロールして設置した。
[0193] 第 2真空槽を 2 X 10—4Paまで減圧した後、フッ化リチウム入りのボートに通電して蒸 着速度 0. OlnmZ秒一 0. 02nmZ秒で膜厚 0. 5nmの陰極バッファ一層を設け、 次いでアルミニウムの入ったボートに通電して蒸着速度 1 nmZ秒一 2nmZ秒で膜厚 150nmの陰極をつけた。さらにこの有機 EL素子を大気に接触させることなく窒素雰 囲気下のグローブボックス（純度 99. 999%以上の高純度窒素ガスで置換したグロ ーブボックス)へ移し、図 5に示したような内部を窒素で置換した封止構造にして、 OL ED1-1を作製した。なお、捕水剤である酸化バリウム 105は、アルドリッチ社製の高 純度酸化バリウム粉末を、粘着剤付きのフッ素榭脂系半透過膜 (ミクロテックス S-N TF8031Q 日東電工製)でガラス製封止缶 104に貼り付けたものを予め準備して使 用した。封止缶と有機 EL素子の接着には紫外線硬化型接着剤 107を用い、紫外線 ランプを照射することで両者を接着し封止素子を作製した。図 5において 101は透明 電極を設けたガラス基板、 102が前記正孔注入 Z輸送層、発光層、正孔阻止層、電 子輸送層等カゝらなる有機 EL層、 103は陰極を示す。
[0194] 《有機EL素子OLEDl—2—l—17の作製》
上記の有機 EL素子 OLED1— 1の作製において、表 1に記載のように、発光ドーパ ントを変更した以外は同様にして、有機 EL素子 OLED1— 2— 1—17を各々作製した
[0195] 《有機 EL素子 OLED1— 18の作製方法》 OLED1— 1の作製において、発光ホストを CBPから AZ1に変更し、発光ドーパント を本発明の金属錯体 (表中に化合物 Noで示した)を使用した以外は、 OLED1— 1と 同様にして、有機 EL素子 OLED1-18を作製した。
[0196] 得られた有機 EL素子 OLED1— 1— 1— 18の各々について下記のような評価を行つ た。
[0197] 《外部取り出し量子効率》
有機 EL素子 OLED1—1— 1—18の各々の素子を室温（約 23°C— 25°C)、 2.5m
AZcm2の定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度 (L) [cd/m2
]を測定することにより、外部取り出し量子効率（ r? )を算出した。ここで、発光輝度の 測定は、 CS— 1000 (ミノルタ製)を用いた。
[0198] また、外部取り出し量子効率は、各々有機 EL素子 OLED1—1を 100とした時の相 対値で表した。
[0199] 《発光寿命》
有機 EL素子 OLED1—1— 1—18の各々の素子を室温下、 2.5mAZcm2の定電 流条件下による連続点灯を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間（ τ
1Z2)を測定した。また、発光寿命は、各々有機 EL素子 OLED1—1を 100とした時 の相対値で表した。
[0200] 得られた結果を表 1に示す。
[0201] [表 1]
素子 No, 発光ドーパント 外部取り出し量子効率 発光寿命 備 考
OLED1-1 Ir-10 100 100 比 較
OLED1-2 Ir-12 98 87 比 較
OLED1-3 比較 1 99 80 比 較
OLED1-4 比較 2 97 75 比 較
OLED1-5 1-4 119 180 本発明
OLED1-6 1-6 117 215 本発明
OLED1-7 128 177 本発明
OLED1-8 I 41 123 168 本発明
OLED1-9 118 177 本発明
OLED1-13 Ρ-4 118 177 本発明
OLED1-14 Ρ— 6 117 212 本発明
OLED1-15 P-13 121 170 本発明
OLED1-16 Ρ— 35 119 166 本発明
OLED1-17 Ρ-42 119 159 本発明
OLED1-18 1-68 129 220 本発明 [0202] 表 1から、有機 EL素子材料として、本発明に係る金属錯体を用いて作製した有機 E L素子は比較素子に比べ、高い発光効率と、発光寿命の長寿命化が達成できている ことが明らかである。なお、本発明の素子の発光色は全て青色だった。
[0203] 実施例 2
《有機EL素子OLED2—l— 2—17の作製》
実施例 1において、表 2に記載のように、発光ドーパントを変更した以外は実施例 1 と同様にして有機 EL素子 OLED2-1— 2-17を作製した。
[0204] 《有機 EL素子 OLED2— 18の作製方法》
OLED2— 1の作製において、発光ホストを CBPから AZ1に変更し、発光ドーパント を本発明の金属錯体 (表中に化合物 Noで示した)を使用した以外は、 OLED2— 1と 同様にして、有機 EL素子 OLED2-18を作製した。
得られた各々の素子の外部取り出し量子効率、発光寿命の測定も実施例 1に記載 の方法と同様にして行った。
[0205] この時、いずれも OLED2— 1の値を 100として、各有機 EL素子試料の値を相対値 で表した。得られた結果を表 2に示す。
[0206] [表 2]
Figure imgf000056_0001
[0207] 表 2から、本発明の有機 EL素子材料を発光ドーパントに用いた有機 EL素子は比 較素子に比べ、高い発光効率と、発光寿命が得られることがわ力つた。なお、本発明 の素子の発光色は全て緑色だった。
[0208] 実施例 3
《有機 EL素子 OLED3—1— 3—9の作製》
実施例 1において、表 3に記載のように、発光ドーパントを変更した以外は実施例 1 と同様にして有機 EL素子 OLED3— 1 3— 9を作製した。
[0209] 《有機 EL素子 OLED3— 10の作製方法》
OLED3— 1の作製において、発光ホストを CBPから AZ1に変更し、発光ドーパント を本発明の金属錯体 (表中に化合物 Noで示した)を使用した以外は、 OLED3— 1と 同様にして、有機 EL素子 OLED3— 10を作製した。
[0210] 外部取り出し量子効率、発光寿命の測定も実施例 1にならつて行った。この時、い ずれも OLED3—1の値を 100としたときの有機 EL素子各試料それぞれの相対値で 表している。結果を表 3に示す。
[0211] [表 3]
Figure imgf000057_0001
[0212] 表 3から、本発明の化合物を発光ドーパントに用いた有機 EL素子は比較素子に比 ベ、高い発光効率と、発光寿命が得られることがわ力つた。なお、本発明の素子の発 光色は全て赤色だった。
[0213] 実施例 4
《有機 EL素子 OLED4— 1— 4— 13の作製》
実施例 2の有機 EL素子 OLED2— 1と全く同様にして、有機 EL素子 OLED4— 1を 作製した。次いで、有機 EL素子 OLED4— 1の作製において、正孔阻止材料を表 4 に記載のように変更した以外は同様にして、有機 EL素子 OLED4— 2— 4 13を作製 した。
[0214] 得られた有機 EL素子 OLED4— 1一 4一 13について、外部取り出し量子効率、発光 寿命の測定を実施例 1に記載の方法を用いて行った。
[0215] 評価結果を示すに当たり、有機 EL素子 OLED4— 1の値を 100としたときの有機 EL 素子各試料の各々の相対値で表した。得られた結果を表 4に示す。
[0216] [表 4]
Figure imgf000058_0001
[0217] 表 4より、比較の素子に比べて、本発明の素子は、高い発光効率と、発光寿命が得 られることがわ力 た。なお、本発明の有機 EL素子の発光色は全て緑色だった。
[0218] 実施例 5
《フルカラー表示装置の作製》
(青色発光素子の作製）
実施例 1の有機 EL素子 OLED 1—5を青色発光素子として用いた。
[0219] (緑色発光素子の作製）
実施例 2の有機 EL素子 OLED2— 7を緑色発光素子として用いた。
[0220] (赤色発光素子の作製）
実施例 3の有機 EL素子 OLED3— 6を赤色発光素子として用いた。
[0221] 上記で作製した、各々赤色、緑色、青色発光有機 EL素子を同一基板上に並置し、 図 1に記載のような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製 し、図 2には、作製した前記表示装置の表示部 Aの模式図のみを示した。即ち、同一 基板上に、複数の走査線 5及びデータ線 6を含む配線部と、並置した複数の画素 3 ( 発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走 查線 5及び複数のデータ線 6はそれぞれ導電材料からなり、走査線 5とデータ線 6は 格子状に直交して、直交する位置で画素 3に接続している（詳細は図示せず)。前記 複数画素 3は、それぞれの発光色に対応した有機 EL素子、アクティブ素子であるス イッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方 式で駆動されており、走査線 5から走査信号が印加されると、データ線 6から画像デ ータ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、 青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。
[0222] 該フルカラー表示装置を駆動することにより、輝度が高ぐ高耐久性を有し、且つ、 鮮明なフルカラー動画表示が得られることが判った。
[0223] 実施例 6
《白色発光素子および白色照明装置の作製》
実施例 1の透明電極基板の電極を 20mm X 20mmにパターユングし、その上に実 施例 1と同様に正孔注入/輸送層として α— NPDを 25nmの厚さで製膜し、さらに、 CBPの入った前記加熱ボートと I 4の入ったボートおよび Ir 9の入ったボートをそれ ぞれ独立に通電して発光ホストである CBPと発光ドーパントである 1-4および Ir-9の 蒸着速度が 100 : 5 : 0. 6になるように調節し膜厚 30nmの厚さになるように蒸着し、 発光層を設けた。
[0224] っ 、で、 BCPを lOnm製膜して正孔阻止層を設けた。更に、 Alqを 40nmで製膜し
3
電子輸送層を設けた。
[0225] 次に、実施例 1と同様に、電子注入層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ 形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファ一層としてフッ化リチウム 0. 5nm 及び陰極としてアルミニウム 150nmを蒸着製膜した。
[0226] この素子を実施例 1と同様な方法および同様な構造の封止缶を具備させ平面ラン プを作製した。図 6に平面ランプの模式図を示した。図 6 (a)に平面模式を、図 6 (b) に断面模式図を示す。
[0227] この平面ランプに通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用でき ることがわかった。
産業上の利用可能性
[0228] 本発明によれば、特定の配位子を持つ金属錯体である有機エレクト口ルミネッセン ス素子材料と該素子材料を用いて、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有 機 EL素子、照明装置及び表示装置を提供することができる。 該エレクト口ルミネッ センス素子材料は、下記一般式（1)で表される配位子を有する金属錯体を含むこと を特徴とする。 一般式 (1)
Ri— A, I 3
2 、
V2 x4
、 Z2-

Claims

請求の範囲
下記一般式 (1)で表される配位子を有する金属錯体を含むことを特徴とする有機ェ レクト口ルミネッセンス素子材料。
Figure imgf000061_0001
〔式中、 X、 X、 X、 Xは、各々独立に炭素原子または窒素原子を表し、 C、 Cは炭
I 2 3 4 I 2 素原子を表し、 Zlは、 C、 X、 Xと共に、 Z2は、 C、 X、 Xと共に、各々芳香族炭化
I I 3 2 2 4
水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。 Aは窒素原子ま
I
たはホウ素原子を表し、 Rは置換基を表す。 Cと Xとの間の結合、 Cと Xとの間の結
I I I 2 2 合、 Xと Xとの間の結合、 Xと Xとの間の結合は単結合または二重結合を表す。〕
I 3 2 4
[2] 前記一般式 (I)の R
Iは、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることを特徴 とする請求の範囲第 I項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子材料。
[3] 下記一般式 (2)で表される部分構造を有する金属錯体を含むことを特徴とする有機 エレクトロノレミネッセンス素子材料。
-般式 (2)
R2—
Figure imgf000061_0002
〔式中、 C、 C、 C、 C、 Cは、各々炭素原子を表し、 Z3は、 C、 C、 Cと共に芳香
3 4 5 6 7 3 4 5
族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、 Z4は、 C
6
、 C、 Nと共に芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。 Aは窒素原子ま たはホウ素原子を表し、 Rは置換基を表し、 M は、元素周期表における第 8族
2 11 一第
10族の元素を表す。 Cと Cとの間の結合、 Cと Cとの間の結合、 Cと Cとの間の結
3 4 4 5 6 7 合、 Cと Nとの間の結合は単結合または二重結合を表す。〕
7
[4] 前記一般式 (2)の Rは、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることを特徴
2
とする請求の範囲第 3項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子材料。
[5] 前記金属錯体が、下記一般式 (3)またはその互変異性体を部分構造として有する金 属錯体であることを特徴とする請求の範囲第 3項に記載の有機エレクト口ルミネッセン ス素子材料。 般式 (3)
Figure imgf000062_0001
〔式中、 Aは窒素原子またはホウ素原子を表し、 Rは置換基を表し、 R
3 4、 Rは置換基
3 5 を表す。 nl、 n2は、各々 0— 3の整数を表す。 M は元素周期表における第 8族
12 一第
10族の元素を表す。〕
[6] 前記 M または前記 M 力 イリジウムであることを特徴とする請求の範囲第 3項に記
11 12
載の有機エレクト口ルミネッセンス素子材料。
[7] 前記 M または前記 M 力 イリジウムであることを特徴とする請求の範囲第 4項に記
11 12
載の有機エレクト口ルミネッセンス素子材料。
[8] 前記 M または前記 M 力 イリジウムであることを特徴とする請求の範囲第 5項に記
11 12
載の有機エレクト口ルミネッセンス素子材料。
[9] 前記 M または前記 M 白金であることを特徴とする請求の範囲第 3項に記載の
11 12
有機エレクト口ルミネッセンス素子材料。
[10] 前記 M または前記 M 白金であることを特徴とする請求の範囲第 4項に記載の
11 12
有機エレクト口ルミネッセンス素子材料。
[11] 前記 M または前記 M 白金であることを特徴とする請求の範囲第 5項に記載の 有機エレクト口ルミネッセンス素子材料。
[12] 請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子材料を含有することを 特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[13] 構成層として、少なくとも一層の発光層を有する事を特徴とする請求の範囲第 12項 に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[14] 構成層として、少なくとも一層の発光層及び少なくとも一層の正孔阻止層を有するこ とを特徴とする請求の範囲第 12項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[15] 請求の範囲第 12項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を具備してなることを 特徴とする表示装置。
[16] 請求の範囲第 12項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を具備してなることを 特徴とする照明装置。
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