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TW202136181A - 有機電致發光裝置用的材料 - Google Patents

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TW202136181A
TW202136181A TW109142196A TW109142196A TW202136181A TW 202136181 A TW202136181 A TW 202136181A TW 109142196 A TW109142196 A TW 109142196A TW 109142196 A TW109142196 A TW 109142196A TW 202136181 A TW202136181 A TW 202136181A
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TW
Taiwan
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substituted
atoms
group
aromatic ring
Prior art date
Application number
TW109142196A
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English (en)
Inventor
艾歐娜 史坦杰
克里斯多夫 普夫路姆
阿梅爾 梅克
Original Assignee
德商麥克專利有限公司
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Abstract

本發明關於式(1)化合物，其適合使用於電子裝置，特別是有機電致發光裝置，及關於包含此等化合物之有機電致發光裝置。

Description

有機電致發光裝置用的材料
本發明關於一種式(1)化合物、該化合物在電子裝置之用途、及包含式(1)化合物之電子裝置。
用於電子裝置的功能性化合物之開發為目前深入研究的主題。特別地，目的為開發用其可達成改良電子裝置在一或多個相關要點的性質(諸如，例如，裝置的功率效率和壽命以及發射光的色坐標)之化合物。 根據本發明，術語電子裝置尤其意指有機積體電路(OIC)、有機場效電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光電晶體(OLET)、有機太陽能電池(OSC)、有機光學偵測器、有機感光器(photoreceptor)、有機場淬滅裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC)、有機雷射二極體(O-雷射)和有機電致發光裝置(OLED)。 特別感興趣的是提供用於最後提到的所謂OLED之電子裝置的化合物。OLED的一般結構以及功能原理為熟習該項技術者已知且已描述於例如US 4539507中。 仍然需要關於OLED之性能數據的進一步改良，特別是鑑於廣泛商業用途，例如，在顯示裝置或作為光源的用途。就此而論，特別重要的是OLED的壽命、效率和操作電壓以及所達成的色值。特別地，在藍色發光OLED的情況下，關於裝置的壽命、效率和發光體的色純度之改良是有可能的。 達到該等改良之一重要起點為電子裝置中所使用之發光體化合物和主體化合物的選擇。 先前技術中已知的藍色螢光發光體是多樣性化合物。從先前技術中已知含有一或多種稠合芳基的芳胺。蒽和胺基蒽也為OLED領域中眾所周知的材料。蒽主要用作為藍色螢光OLED之主體材料。蒽作為藍色發光體的應用也是已知的，尤其是9,10-二苯基蒽的衍生物，如例如J. Mater. Chem. C, 2015, 3, 913中所揭示。 然而，仍然需要其他螢光發光體，尤其是藍色螢光發光體，其可用於OLED中並導致在壽命、顏色發射和效率方面具有非常好的性質之OLED。更特別地，需要兼備非常高的效率、非常好的壽命時間和適當色坐標以及高色純度之藍色螢光發光體。 最近，已描述發光層中具有TADF化合物(呈現熱活化延遲螢光的化合物)或磷光化合物(作為敏化劑)和具有關於其環境之空間屏蔽的螢光化合物(作為發光體)之有機電致發光裝置(例如WO2015/135624中)。此裝置構造使得可能提供發射所有發光顏色之有機電致發光裝置，從而可能使用已知螢光發光體(雖然其呈現使用TADF或磷光化合物之電致發光裝置的高效率)的基礎結構。當敏化劑是TADF化合物時，此也稱為高螢光(hyperfluorescence)，及當敏化劑為磷光化合物時，此也稱為高磷光(hyperphosphorescence)。 TADF化合物係描述於例如H. Uoyama等人，Nature 2012, vol. 492, 234中。TADF化合物通常為其中最低三重態T1 和第一激發單重態S1 之間的能隙足夠小，使得S1 態可從T1 態熱獲得的有機材料。為了量子統計原因，在OLED中電子激發時，75%的激發態處於三重態和25%處於單重態。因為純有機分子通常不能從三重態有效率地發射，所以75%的激發態不能用於發光，這意味著原則上可能只有25%的激發能量轉化為光。然而，若在最低三重態和最低激發單重態之間的能隙足夠小，則分子之第一激發單重態藉由熱激發可從三重態獲得且可熱填充(populated thermally)。因為此單重態為可能從其發射螢光之發射態，所以此態可用於產生光。因此，原則上，當使用純有機材料作為發光體時，高至100%的電能轉化為光是可能的。 關於高磷光，先前技術描述有機電致發光裝置，其在發光層中包含作為敏化劑的磷光有機金屬錯合物(其顯示由於大自旋-軌道偶合的S1和T1態之混合)，以及作為發光體的螢光化合物，以致可顯著縮短發光衰減時間。 高螢光和高磷光為改良OLED性質之有希望的技術，尤其是就深藍色發光而言。 然而，關於OLED的性能數據仍然需要進一步改良，特別是為了廣泛的商業用途，例如在顯示裝置中或作為光源。就此而論特別重要的是OLED的壽命、效率和操作電壓以及達成的色值，特別地色純度。 達成高螢光和高磷光系統中之該等改良的重要起點為空間位阻螢光發光體化合物的選擇。螢光發光體化合物之空間屏蔽係藉由電子惰性空間要求的取代基實現，該等取代基圍繞著螢光化合物的電子活性核心且從而實質上屏蔽了其與層中相鄰分子的接觸。 在WO 2015/135624中，描述基於紅螢烯之空間位阻螢光發光體。然而，仍然需要其他空間位阻螢光發光體，尤其是空間位阻藍色螢光發光體，其導致就效率和顏色發射而言具有非常好性質的OLED。更特別地，需要兼備非常高的效率、非常好的壽命和適當色坐標以及高色純度之深藍色螢光發光體。 此外，已知OLED可包含不同的層，其可藉由在真空室中蒸氣沈積或藉由從溶液處理來施加。以蒸氣沈積為基礎之方法導致良好的結果，但是該等方法複雜且昂貴。因此，也需要可從溶液容易且可靠地處理之OLED材料。在此情況下，該等材料應該在包含彼等的溶液中具有良好的溶解度。另外，從溶液處理之OLED材料應能夠在沈積的膜中定向其本身以改良OLED的整體效率。術語定向在此意指化合物的水平分子定向，如Zhao等人之 Horizontal molecular orientation in solution-processed organic light-emitting diodes，Appl. Phys. Lett. 106063301，2015中所說明。
因此，本發明基於提供空間位阻螢光發光體之技術目的，其可與敏化劑化合物組合用於高螢光和高磷光系統中。更特別地，需要兼備非常高的效率、非常好的壽命和適合的色坐標以及高色純度之空間位阻深藍色螢光發光體。 本發明亦基於提供化合物，其適用於電子裝置，諸如OLED，更特別地作為發光體，且其適合用於真空處理或溶液處理。 在對用於電子裝置中的新穎化合物的研究中，現已發現，如以下定義之式(1)化合物非常適合用於電子裝置中。特別地，彼等達成上述技術目的中的一或多者，較佳地全部。 本發明因此關於式(1)化合物，
Figure 02_image001
其中下列適用於所使用的符號和標號： G為式(G-1)之基團，
Figure 02_image003
其中虛線鍵表示至ArS 之鍵結，或若ArS 不存在，則表示至如式(1)中所示之蒽的中心苯之鍵結； R1 、R2 在每次出現時相同或不同地代表具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下也可經一或多個基團R取代； R3 、R4 、R5 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR 置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個基團R取代；其中選自R3 、R4 、R5 的二個相鄰基團可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代； RA 在每次出現時相同或不同地代表F、CN、N(ArN )2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，可經一或多個R基團取代； ArN 在每次出現時相同或不同地代表單鍵或代表具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下也可經一或多個基團R取代，其中二個基團ArN 可以單鍵或選自下列之二價橋彼此連接：N(R)、O、S、C(R)2 、C(R)2 -C(R)2 、Si(R)2 或B(R)； ArS 在每次出現時相同或不同地代表單鍵或代表具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代； R    在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R´)3 、B(OR´)2 、OSO2 R´、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R´取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經R´C=CR´、C≡C、Si(R´)2 、Ge(R´)2 、Sn(R´)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R´)、SO、SO2 、O、S或CONR´置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R´取代、或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R´取代，其中二個相鄰的基團R可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R´取代； Ar   在每次出現時相同或不同地為具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R´取代； R´   在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經SO、SO2 、O、S置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換、或具有5至24個C原子之芳族或雜芳族環系統；及 n、m、p、q  相同或不同地為0、1或2。 相鄰的取代基就本發明之意義而言為鍵結至彼此直接連接的原子或鍵結至相同原子之取代基。 此外，下列化學基團的定義適用於本申請案之目的： 芳基就本發明之意義而言含有6至60個芳族環原子，較佳地6至40個芳族環原子，更佳地6至20個芳族環原子；雜芳基就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子，較佳地5至40個芳族環原子，更佳地5至20個芳族環原子，其中至少一者為雜原子。雜原子較佳係選自N、O及S。此表示基本定義。若在本發明之說明中指示其他較佳選擇，例如有關所存在之芳族環原子或雜原子之數目，則這些適用。 芳基或雜芳基在此意指簡單芳族環(即苯)或簡單雜芳族環(例如吡啶、嘧啶或噻吩)或縮合(稠合(annellated))芳族或雜芳族多環(例如萘、菲、喹啉或咔唑)。縮合(稠合)芳族或雜芳族多環就本申請案的意義而言由彼此縮合之二或更多個簡單芳族或雜芳族環組成。 在各情況下可經上述基團取代且可經由任何所欲位置連接至芳族或雜芳族環系統之芳基或雜芳基特別意指衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、
Figure 109142196-A0304-12-0000-3
(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯并蒽、苯并菲、稠四苯、稠五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡𠯤并咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑(naphthoxazole)、蒽并㗁唑(anthroxazole)、菲并㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒𠯤、苯并嗒𠯤、嘧啶、苯并嘧啶、喹㗁啉、吡𠯤、啡𠯤、㖠啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、四唑、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤、嘌呤、蝶啶、吲
Figure 109142196-A0101-12-0029-1
及苯并噻二唑。 根據本發明之定義的芳氧基意指經由氧原子鍵結的如上述所定義之芳基。類似定義適用於雜芳氧基。 根據本發明之定義的芳烷基意指其中至少一個氫原子經芳基置換之烷基。類似的定義適用於雜芳烷基。 芳族環系統就本發明之意義而言在環系統中含有6至60個C原子，較佳地6至40個C原子，更佳地6至20個C原子。雜芳族環系統就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子，較佳地5至40個芳族環原子，更佳地5至20個芳族環原子，其中至少一個為雜原子。雜原子較佳地選自N、O及/或S。芳族或雜芳族環系統就本發明之意義而言意指不一定只含有芳基或雜芳基，而是其中另外多個芳基或雜芳基可以非芳族單元(較佳為少於10%之非H的原子)(諸如，例如sp3 -混成之C、Si、N或O原子、sp2 -混成之C或N原子或sp-混成之C原子)連接的系統。因此，例如系統諸如9,9’-螺二茀、9,9’-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、二苯乙烯、等等亦意欲為就本發明之意義而言的芳族環系統，如為其中二或更多個芳基例如以直鏈或環狀烷基、烯基或炔基或以矽基連接之系統。此外，其中二或更多個芳基或雜芳基係經由單鍵彼此連接之系統亦為就本發明之意義而言的芳族或雜芳族環系統，諸如，例如系統諸如聯苯、聯三苯或二苯基三𠯤。 在各情況下亦可經如上述所定義之基團取代且可經由任何所欲位置連接至芳族或雜芳族基團之具有5-60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統特別意指衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、
Figure 109142196-A0304-12-0000-3
(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、稠四苯、稠五苯、苯并芘、聯苯、聯伸二苯(biphenylene)、聯三苯(terphenyl)、伸聯三苯(terphenylene)、聯四苯(quaterphenyl)、茀、螺二茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并茀、三聚茚(truxene)、異三聚茚(isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡𠯤并咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑(naphthoxazole)、蒽并㗁唑(anthroxazole)、菲并㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒𠯤、苯并嗒𠯤、嘧啶、苯并嘧啶、喹㗁啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡𠯤、啡𠯤、啡㗁𠯤、啡噻𠯤、螢紅環(fluorubin)、㖠啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、四唑、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤、嘌呤、喋啶、吲
Figure 109142196-A0101-12-0029-1
和苯并噻二唑、或這些基團的組合。 就本發明之目的而言，具有1至40個C原子之直鏈烷基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基或具有2至40個C原子之烯基或炔基，其中，此外，個別H原子或CH2 基團可經上述在該等基團定義下之基團取代，較佳意指基團甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。具有1至40個C原子之烷氧基或烷硫基(thioalkyl)較佳意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、二級戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、正戊硫基、二級戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。 就本申請案之目的而言，二或更多個基團彼此可形成環之表述特別意欲意指：二個基團彼此以一化學鍵鍵聯。此以下列圖示說明：
Figure 02_image005
然而，此外，上述表述也意欲意指：在其中二基團之一者表示氫的情況中，第二基團係鍵結於氫原子所鍵結之位置，且形成環。此以下列圖示說明：
Figure 02_image007
較佳地，基團R1 和R2 在每次出現時相同或不同地代表具有6至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代。 較佳地，基團R1 和 R2 在每次出現時相同或不同地代表選自苯、萘、聯苯、茀、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、吡啶、嘧啶、吡𠯤或三𠯤的芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代。 更佳地，基團R1 和R2 在每次出現時相同或不同地代表選自苯、聯苯、吡啶、嘧啶、吡𠯤或三𠯤的芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代。 特佳地，基團R1 和R2 在每次出現時相同或不同地代表苯或聯苯環，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代。 較佳地，基團R3 、R4 、R5 在每次出現時相同或不同地代表具有1至10個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至40個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至40個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個R基團取代。 更佳地，基團R3 、R4 、R5 在每次出現時相同或不同地代表具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代。 根據一較佳實施態樣，基團G代表式(G-2)、(G-3)或(G-4)之基團，
Figure 02_image009
其中R1 和R2 具有與上述相同的定義；及 R3 、R4 、R5 在每次出現時相同或不同地代表具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個R基團取代。 根據一非常佳實施態樣，基團G代表式(G-2-1)、(G-3-1)或(G-4-1)之基團，
Figure 02_image011
其中R具有與上述相同的定義。 根據一較佳實施態樣，基團RA 在每次出現時相同或不同地代表F、CN、N(ArN )2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個R基團取代。 根據一非常佳實施態樣，基團RA 在每次出現時係相同或不同地 - 選自N(ArN )2 ；其中ArN 具有與上述相同的定義； - 選自以下列通式(RS-a)表示的支鏈或環狀烷基
Figure 02_image013
其中 R22 、R23 、R24 在每次出現時係相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個基團R25 取代，且其中基團R22 、R23 、R24 中之二者或所有基團R22 、R23 、R24 可連接以形成(多)環狀烷基，其可經一或多個基團R25 取代； R25 在每次出現時係相同或不同地選自具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基； 其先決條件為在每次出現時，基團R22 、R23 和R24 中之至少一者不為H，其先決條件為在每次出現時，所有基團R22 、R23 和R24 一起具有至少4個碳原子且先決條件為在每次出現時，若基團R22 、R23 、R24 中之二者為H，則其餘基團不為直鏈； -     或選自以下列通式(RS-b)表示之支鏈或環狀烷氧基
Figure 02_image015
其中 R26 、R27 、R28 在每次出現時係相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個如上定義之基團R25 取代，且其中基團R26 、R27 、R28 中之二者或所有基團R26 、R27 、R28 可連接以形成(多)環狀烷基，其可經一或多個如上定義之基團R25 取代； 其先決條件為在每次出現時，基團R26 、R27 和R28 中只有一者可為H； -     或選自以下列通式(RS-c)表示之芳烷基
Figure 02_image017
其中 R29 、R30 、R31 在每次出現時係相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個基團R32 取代、或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R32 取代，且其中基團R29 、R30 、R31 中之二者或全部可連接以形成(多)環狀烷基或芳族環系統，彼等各自可經一或多個基團R32 取代； R32 在每次出現時係相同或不同地選自具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基、或具有6至24個芳族環原子之芳族環系統； 其先決條件為在每次出現時，基團R29 、R30 和R31 中之至少一者不為H，且在每次出現時，基團R29 、R30 和R31 中之至少一者為或含有具有至少6個芳族環原子之芳族環系統； -     或選自以下列通式(RS-d)表示之芳族環系統
Figure 02_image019
其中 R40 至R44 在每次出現時係相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個基團R32 取代、或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R32 取代，且其中基團R40 至R44 中之二或更多者可連接以形成(多)環狀烷基或芳族環系統，彼等各自可經一或多個如上定義之基團R32 取代。 式(RS-a)至(RS-d)之適當基團的實例為基團(RS-1)至(RS-78)：
Figure 02_image021
Figure 02_image023
Figure 02_image025
其中虛線鍵表示此等基團與式(1)之結構的鍵結及其中式(RS-1)至(RS-47)的基團可進一步經至少一個如上述所定義的基團R25 取代和基團(RS-48)至(RS-78)可進一步經至少一個如上述所定義的基團R32 取代。 較佳地，基團ArS 代表苯、聯苯、聯三苯、萘、茀、茚并茀、螺二茀、三𠯤、苯并喹啉、苯并喹唑啉、二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑，其中上述基團之各者可經一或多個基團R取代。更佳地，基團ArS 代表苯、聯苯、聯三苯、萘、茀、茚并茀或螺二茀，其中上述基團之各者可經一或多個基團R取代。特佳地，基團ArS 代表苯，其可經一或多個基團R取代。 較佳為m=n=0。 較佳亦為p=q=0。 甚至更佳地，m=n=0和p=q=0。當m=n=p=q=0時，則對應基團ArS 不存在及式(1)化合物對應於式(1-A)的化合物，
Figure 02_image027
根據一較佳實施態樣，式(1)化合物為選自式(2)、(3)或(4)之化合物，
Figure 02_image029
Figure 02_image031
其中R3 、R4 、R5 在每次出現時相同或不同地代表具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個基團R取代；及 其中其他符號和標號具有與上述相同的意義。 根據一較佳實施態樣，式(1)化合物係選自(2-1a)至(2-5a)、(3-1a)至(3-5a)和(4-1a)至(4-5a)之化合物，
Figure 02_image033
Figure 02_image035
Figure 02_image037
Figure 02_image039
其中 R3 、R4 、R5 在每次出現時相同或不同地代表具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個基團R取代； R40 至R44 在每次出現時係相同或不同地選自具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個基團R32 取代、或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R32 取代；其中R32 係如上述所定義； 及其中R1 、R2 、R、m、n、p和q具有與上述相同的定義。 較佳地，基團R40 至R44 在每次出現時係相同或不同地選自具有6至30個芳族環原子之芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R32 取代；其中R32 係如上述所定義。 根據一特佳實施態樣，式(1)化合物為選自式(2-1-a')至(4-5-a')之化合物，
Figure 02_image041
Figure 02_image043
Figure 02_image045
Figure 02_image047
其中符號和標號具有與上述相同的意義。 根據一非常特佳實施態樣，式(1)化合物選自式(2-b)至(4-b)之化合物，
Figure 02_image049
其中符號和標號具有與上述相同的意義。 較佳地，ArN 在每次出現時相同或不同地代表具有5至40個，較佳地5至30個，更佳地6至25個，特佳地6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下也可經一或多個基團R取代，及其中二個基團ArN 可以單鍵或以選自N(R)、O、S、C(R)2 、C(R)2 -C(R)2 、Si(R)2 或B(R)之二價橋彼此連接。 當二個基團ArN 彼此連接時，則基團N(ArN )2 較佳地具有下列式(E1)至(E7)中之一者的結構，
Figure 02_image051
其中虛線鍵表示與式(1)中之結構的鍵結且其中基團R具有與上述相同的意義。 更佳地，當ArN 為芳族或雜芳族環系統時，則ArN 在每次出現時相同或不同地代表選自下列之芳族或雜芳族環系統：苯、萘、蒽、菲、聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺二茀、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、吲哚并咔唑或茚并咔唑，其在各情況下可經一或多個基團R取代，或這些基團的組合。 特佳地，當ArN 為芳族或雜芳族環系統時，則ArN 在每次出現時相同或不同地代表選自下列之芳族或雜芳族環系統：苯、萘、聯苯、聯三苯、茀或螺二茀，其在各情況下可經一或多個基團R取代，或這些基團的組合。 較佳地，基團R在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、Si(R´)3 、具有1至40個，較佳地1至20個，更佳地1至10個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫或具有3至40個，較佳地3至20個，更佳地3至10個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R´取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經R´C=CR´、O或S置換和其中一或多個H原子可經D、F或CN置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R´取代、或具有5至60個，較佳地5至40個，更佳地5至30個，非常佳地5至18個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R´取代，其中二個相鄰的基團R可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R´取代。當R係選自芳族和雜芳族環系統時，其較佳地選自具有5至40個，較佳地5至30個，更佳地5至18個芳族環原子之芳族和雜芳族環系統。 較佳地，基團Ar在每次出現時相同或不同地為具有5至18個，較佳地6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R´取代。 較佳地，R´ 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至10個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkoxy)或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，其中一或多個H原子可經D或F置換、或具有5至18個，較佳地6至18個C原子之芳族或雜芳族環系統。 下列化合物為式(1)化合物的實例：
Figure 02_image053
Figure 02_image055
Figure 02_image057
Figure 02_image059
根據本發明之化合物可藉由熟習該項技術者已知的合成步驟製備，諸如，例如溴化、Suzuki偶合、Kumada偶合、Sonogashira偶合、Ullmann偶合、Hartwig-Buchwald偶合、Diels-Alder反應、等等。適當合成方法的實例概括地描述於下述流程1a、1b、2a和2b中。
Figure 02_image061
其中，在流程1a中： X1 代表脫離基，較佳地選自鹵素(如Cl、Br、I)、硼酸、硼酸酯或三氟甲磺酸酯，選自硼酸、硼酸酯或三氟甲磺酸酯； X2 為B(OR)2 、MgBr或CuI； Ar1 和Ar2 是芳族或雜芳族環系統。
Figure 02_image063
其中，在流程1b中，X1 為脫離基，其具有與上述相同意義。
Figure 02_image065
其中X1 和X2 具有與上述相同的意義。
Figure 02_image067
其中，在流程2b中，基團Ar為芳族或雜芳族環系統。 為了從液相處理根據本發明之化合物(例如藉由旋轉塗佈或藉由印刷方法)需要根據本發明之化合物的調配物。此等調配物可為(例如)溶液、分散液或乳液。為此目的較佳可使用二或更多種溶劑之混合物。適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、對稱三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二㗁烷、苯氧基甲苯(特別是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基-乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、苯甲酸甲酯、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚、1,4-二異丙基苯、二苯甲基醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷或此等溶劑之混合物。 本發明因此另外關於一種調配物，其包含根據本發明之化合物和至少一種其他化合物。其他化合物可為(例如)溶劑，特別是上述溶劑中之一者或此等溶劑之混合物。然而，其他化合物也可為至少一種同樣可用於電子裝置之其他有機或無機化合物，例如發光化合物(特別是磷光摻雜劑)及/或其他基質材料。適當發光化合物和其他基質材料係指示於下述與有機電致發光裝置有關者。此其他化合物也可為聚合的。 根據本發明之化合物和混合物係適合使用於電子裝置中。電子裝置在本文中意指一種包含至少一個包含至少一種有機化合物之層的裝置。然而，組分(component)在本文中亦可包含無機材料或完全由無機材料構成的層。 本發明因此另外關於根據本發明之化合物或混合物於電子裝置之用途，特別是於有機電致發光裝置之用途。 本發明另外又關於一種電子裝置，其包括至少一種上述根據本發明之化合物或混合物。 電子裝置較佳係選自由下列組成的群組：有機電致發光裝置(OLED、PLED)、有機積體電路(O-IC)、有機場效電晶體(O-FET)、有機薄膜電晶體(O-TFT)、有機發光電晶體(O-LET)、有機太陽能電池(O-SC)、有機染料敏化太陽能電池、有機光學檢測器、有機感光器(photoreceptor)、有機場淬滅裝置(O-FQD)、發光電化學電池(LEC)、有機雷射二極體(O-雷射)和“有機電漿子發射裝置”(D. M. Kolleret al., Nature Photonics 2008, 1-4)，較佳為有機電致發光裝置(OLED、PLED)，特別是磷光OLED。 有機電致發光裝置包含陽極、陰極及至少一個發光層。除了此等層以外，有機電致發光裝置亦可包含其他層，例如在各情況下一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層、及/或電荷產生層。同樣可能在二個發光層之間引入具有(例如)激子阻擋功能之中間層。然而，應指出的是此等層各者不一定必須存在。有機電致發光裝置在此可包含一個發光層或多個發光層。若存在多個發光層，則此等較佳地具有總計多個在380奈米和750奈米之間的發光最大值，整體導致為白色發光，亦即將能夠發螢光或磷光的各種發光化合物使用於發光層中。特佳者為具有三個發光層之系統，其中該三層呈現藍色、綠色及橙色或紅色發光(基本結構參見例如WO 2005/011013)。此等可為螢光或磷光發光層或其中螢光和磷光發光層彼此合併的混合系統。 用作為根據本發明之有機電致發光裝置中的對應功能性材料的材料之一般較佳類別係指示於下。 適當電荷傳輸材料，如可使用於根據本發明之電子裝置的電洞注入或電洞傳輸層或電子阻擋層或於電子傳輸層中，為(例如)在Y. Shirota等人之Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010中所揭示之化合物或根據先前技術使用於此等層中之其他材料。 可用於電子傳輸層之材料為根據先前技術用作為電子傳輸層中之電子傳輸材料的所有材料。特別適合的是鋁錯合物(例如，Alq3 )、鋯錯合物(例如，Zrq4 )、鋰錯合物(例如LiQ)、苯并咪唑衍生物、三𠯤衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡𠯤衍生物、喹㗁啉衍生物、喹啉衍生物、㗁二唑衍生物、芳族酮、內醯胺、硼烷、二氮雜磷雜呃(diazaphosphole)衍生物及膦氧化物衍生物。此外，適當材料為上述化合物之衍生物，如JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975和WO 2010/072300中所揭示。 可用於根據本發明之電致發光裝置中的電洞傳輸、電洞注入或電子阻擋層的較佳電洞傳輸材料為茚并茀胺衍生物(例如根據WO 06/122630或WO 06/100896)、EP 1661888中所揭示之胺衍生物、六氮雜聯伸三苯衍生物(例如根據WO 01/049806)、含有縮合芳族環之胺衍生物(例如根據US 5,061,569)、WO 95/09147中揭示之胺衍生物、單苯并茚并茀胺(例如根據WO 08/006449)、二苯并茚并茀胺(例如根據WO 07/140847)、螺二茀胺(例如根據WO 2012/034627或WO 2013/120577)、茀胺(例如根據申請案EP 2875092、EP 2875699和EP 2875004)、螺二苯并哌喃胺(例如根據WO 2013/083216)及二氫吖啶衍生物(例如根據WO 2012/150001)。根據本發明之化合物亦可用作為電洞傳輸材料。 較佳地，有機電致發光裝置包含至少一種式(1)或根據較佳實施態樣之化合物，作為螢光發光體、作為顯示TADF(熱活化延遲螢光)的發光體、或作為螢光發光體之基質材料。更佳地，有機電致發光裝置包含至少一種式(1)或根據較佳實施態樣之化合物作為螢光發光體，更特別地藍色發光螢光化合物。特佳地，有機電致發光裝置包含至少一種式(1)或根據較佳實施態樣之化合物作為發光層中的螢光發光體，較佳與選自呈現延遲螢光或磷光化合物的化合物之敏化劑組合。 敏化劑就本發明之意義而言意指發生能量從其轉移至另一種化合物(受體)之化合物(供體)。 根據一較佳實施態樣，本發明之有機電致發光裝置可包含發光層，其包含選自式(1)化合物的螢光發光體，其與選自呈現延遲螢光的化合物之敏化劑組合。 呈現延遲螢光的化合物較佳為呈現熱活化延遲螢光的化合物。這些化合物在下列說明中係縮寫為“TADF化合物”。 TADF化合物為其中最低三重態T1 和第一激發單重態S1 之間的能隙足夠小而使得S1 態可從T1 態熱獲得的化合物。較佳地，TADF化合物具有≤0.30 eV之最低三重態T1 和第一激發單重態S1 之間的能隙。更佳地，S1 和T1 之間的能隙為≤0.20 eV，甚至更佳地為≤0.15 eV，尤其更佳地為≤0.10 eV，及甚至更尤佳地為≤0.08 eV。藉由量子化學計算可測定最低激發單重態(S1 )和最低三重態(T1 )的能量，如本說明中下文所詳述。 較佳地，TADF化合物為一種有機化合物。有機化合物在本發明的情況下為不含任何金屬的碳質化合物。更特別地，有機化合物係由元素C、H、D、B、Si、N、P、O、S、F、Cl、Br和I形成。 TADF化合物更佳為具有供體和受體取代基的芳族化合物，在該化合物的LUMO和HOMO之間僅具有很小的空間重疊。所理解的供體和受體取代基原則上是熟習該項技術者已知的。適當供體取代基尤其為二芳基-或-雜芳基胺基和咔唑基或咔唑衍生物，各自較佳經由N與芳族化合物鍵結。這些基團也可具有其他取代基。適當受體取代基尤其為氰基，但亦為例如缺電子雜芳基，其也可具有其他取代基，例如經取代或未經取代之三𠯤基。 下文描述發光層中TADF化合物的較佳摻雜劑濃度。由於有機電致發光裝置製造上的差異，在藉由氣相沈積製造發光層的情況下，摻雜劑濃度以體積%報告，及在從溶液製造發光層的情況下，以重量%報告。以體積%和重量%表示的摻雜劑濃度通常非常相似。 在本發明之一較佳實施態樣中，在藉由氣相沈積製造發光層的情況下，TADF化合物係以1體積%至70體積%的摻雜劑濃度存在於發光層中，更佳地5體積%至50體積%，甚至更佳地5體積%至30體積%。 在本發明之一較佳實施態樣中，在從溶液製造發光層的情況下，TADF化合物係以1重量%至70重量%的摻雜劑濃度存在於發光層中，更佳地5重量%至50重量%，甚至更佳地5重量%至30重量%。 熟習該項技術者的一般技術知識包括通常適合作為TADF化合物的材料之知識。下列參考文獻以舉例方式揭示可能適合作為TADF化合物的材料：
Figure 02_image069
此外，下列專利申請案揭示可能的TADF化合物：WO 2013/154064、WO 2013/133359、WO 2013/161437、WO 2013/081088、WO 2013/081088、WO 2013/011954、JP 2013/116975和US 2012/0241732。 此外，熟習該項技術者能夠從這些出版物中推斷出TADF化合物的設計原理。例如，Valchanov等人說明如何可調整TADF化合物的顏色。 呈現TADF之適當分子的實例為下表中所示之結構：
Figure 02_image071
Figure 02_image073
根據另一較佳地實施態樣，有機電致發光裝置包括發光層，該發光層包含選自式(1)化合物的螢光發光體，其與選自磷光化合物的敏化劑組合。 適合作為根據本發明之敏化劑的磷光化合物可為任何磷光化合物，只要系統間跨越速率足夠快即可。熟習該項技術者可沒有困難地從其已知的各種適當化合物中選擇用於本發明目的之適當化合物。更特別地，磷光化合物在本發明的情況下為能夠在諸如有機電致發光裝置的環境中在光學或電化學激發下於室溫發光的化合物，該發光係由自旋禁止躍遷(spin-forbidden transition)產生，例如，從激發三重態或混合的單重態/三重態躍遷。 適當磷光發光化合物(=三重態發光體)特別是使用適當激發發光(較佳在可見光區)且亦含有至少一種原子序大於20(較佳為大於38且小於84，特佳為大於56且小於80)的原子，特別是具有此原子序數的金屬之化合物。 較佳地，敏化劑較佳為選自有機金屬錯合物的群組(特別是選自過渡金屬錯合物的群組)之磷光化合物。 非常佳地，敏化劑為磷光化合物，其選自含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪之有機金屬錯合物，特別是含有銅、銥或鉑之有機金屬錯合物，且非常特別是含有銥和鉑之有機金屬錯合物。就本發明之目的而言，含有前述金屬之所有發光化合物均被視為磷光化合物。 特佳的是磷光有機金屬錯合物，其係描述於例如WO2015/091716中。亦特佳的是磷光有機金屬錯合物，其描述於WO2000/70655、WO2001/41512、WO2002/02714、WO2002/15645、EP1191612、WO2005/033244、WO2005/019373、US2005/0258742、WO2006/056418、WO2007/115970、WO2007/115981、WO2008/000727、WO2009/050281、WO2009/050290、WO2011/051404、WO2011/073149、WO2012/121936、US2012/0305894、WO2012/170571、WO2012/170461、WO2012/170463、WO2006/121811、WO2007/095118、WO2008/156879、WO2008/156879、WO2010/068876、WO2011/106344、WO2012/172482、EP3126371、WO2015/014835、WO2015/014944、WO2016/020516、US20160072081、WO2010/086089、WO2011/044988、WO2014/008982、WO2014/023377、WO2014/094961、WO2010/069442、WO2012/163471、WO2013/020631、US20150243912、WO2008/000726、WO2010/015307、WO2010/054731、WO2010/054728、WO2010/099852、WO2011/032626、WO2011/157339、WO2012/007086、WO2015/036074、WO2015/104045、WO2015/117718、WO2016/015815，彼等較佳為銥和鉑錯合物。 特佳的亦是具有多牙配位基的磷光有機金屬錯合物，如描述於例如WO2004/081017、WO2005/042550、US2005/0170206、WO2009/146770、WO2010/102709、WO2011/066898、WO2016124304、WO2017/032439、WO2018/019688、EP3184534和WO2018/011186中者。 特佳的亦是磷光雙核有機金屬錯合物，如描述於例如WO2011/045337、US20150171350、WO2016/079169、WO2018/019687、WO2018/041769、WO2018/054798、WO2018/069196、WO2018/069197和WO2018/069273中者。 特佳的亦是銅錯合物，如描述於例如WO2010/031485、US2013150581、WO2013/017675、WO2013/007707、WO2013/001086、WO2012/156378、WO2013/072508及EP2543672中者。 通常，根據先前技術用於磷光OLED並且熟習有機電致發光領域之技術者已知的所有磷光錯合物皆適合。熟習該項技術者可在沒有任何進步性的情況下使用其他磷光錯合物。 在本發明之一較佳實施態樣中，發光層是藉由氣相沈積製造，並且磷光化合物以5體積至99.9體積%的摻雜濃度存在於發光層中，較佳5體積至60體積%，非常佳10體積至50體積%，最佳20體積至40體積%。 在本發明之另一較佳實施態樣中，發光層是經由溶液方式製造，並且磷光化合物以5重量至99.9重量%的摻雜濃度存在於發光層中，較佳5重量至60重量%，特佳10重量至50重量%，最佳20重量至40重量%。 磷光敏化劑的明確實例為Ir(ppy)3 及其衍生物以及下列結構：
Figure 02_image075
Figure 02_image077
Figure 02_image079
Figure 02_image081
Figure 02_image083
Figure 02_image085
Figure 02_image087
Figure 02_image089
磷光敏化劑的其他明確實例為含有碳烯(carbene)配位基及下列結構的銥和鉑錯合物，其中全同配位基(homoleptic)和雜配位基(heteroleptic)錯合物及經向式(meridional)和面式(facial)異構物為適當的：
Figure 02_image091
Figure 02_image093
磷光敏化劑之其他明確實例亦為銅錯合物和下列結構：
Figure 02_image095
因為有機電致發光裝置製造的差異，在藉由氣相沈積製造發光層的情況下，式(1)化合物之摻雜劑濃度以體積%報告，而在從溶液製造發光層的情況下則以重量%報告。 在本發明之一較佳實施態樣中，在藉由氣相沈積製造發光層的情況下，式(1)化合物以0.1體積%至25體積%的摻雜劑濃度存在於發光層中，較佳1體積%至20體積%，更佳2體積%至12體積%，甚至更佳3體積%至10體積%。 在本發明之一較佳實施態樣中，在從溶液製造發光層的情況下，式(1)化合物以0.1重量%至25重量%的摻雜劑濃度存在於發光層中，較佳1重量%至20重量%，更佳2重量%至12重量%，甚至更佳3重量%至10重量%。 在此可能的是，尤其是在式(1)化合物之低摻雜劑濃度的情況下，OLED呈現由螢光化合物和敏化劑化合物的剩餘發光所組成的混合發光。這也可以受控方式利用以產生混合的顏色。 又根據另一較佳實施態樣，有機電致發光裝置包含發光層，該發光層包含選自式(1)化合物之螢光發光體，合併上選自呈現延遲螢光或磷光化合物之化合物的敏化劑及至少一種選自由下列所組成群組的有機功能性材料：HTM、HIM、HBM、p-摻雜劑、ETM、EIM、EBM、n-摻雜劑、螢光發光體、磷光發光體、延遲螢光材料、基質材料、主體材料、寬帶隙材料、量子材料(較佳量子點)。較佳地，該至少一種有機功能性材料係選自基質材料。此其他化合物在下文中稱為基質化合物或基質材料。此可為在以上詳述之定義的情況下之其他敏化劑化合物。然而，通常，基質化合物不為敏化劑化合物。 在本發明之一較佳實施態樣中，若有的話，基質化合物對混合物的發光沒有顯著貢獻。 當發光層化合物包含式(1)化合物作為發光體、TADF化合物作為敏化劑，和其他基質化合物時，較佳的是避免在發光層中之激發錯合體(exciplex)形成。因此，較佳的是下列適用於LUMO(TADF)，即TADF化合物的LUMO，以及HOMO(基質)，即基質化合物的HOMO： LUMO(TADF) - HOMO(基質) ≥ S1 (TADF) - 0.4 eV， 更佳地： LUMO(TADF) - HOMO(基質) ≥ S1 (TADF) - 0.3 eV， 及甚至更佳地： LUMO(TADF) - HOMO(基質) ≥ S1 (TADF) - 0.2 eV。 S1 (TADF)在此為TADF化合物的第一激發單重態S1 。 最低激發單重態(S1 )及最低三重態(T1 )的能量以及HOMO和LUMO值係由量子化學計算確定。使用Gaussian09套裝程式(D版本或更高版本)。所有純有機分子的中性基態幾何均在理論之AM1能階(level)進行最佳化。隨後，B3PW91/6-31G(d)單點計算，包括使用TD-B3PW91/6-31G(d)之最低單重態及三重態激發態的計算。HOMO及LUMO值以及S1及T1激發能量在理論之B3PW91/6-31G(d)能階(level)從此單點計算取得。 同樣地，對於金屬有機化合物，中性基態幾何形狀在在理論之HF/LANL2MB能階(level)進行最佳化。隨後使用B3PW91/6-31G(d)+LANL2DZ(LANL2DZ用於所有金屬原子，6-31G(d)用於所有低重量元素)計算HOMO和LUMO值以及TD-DFT激發能量。 來自計算的HOMO(HEh)和LUMO(LEh)值係以哈崔單位(Hartree unit)給出。由此測定參考循環伏安法測量校準之HOMO和LUMO能階(以電子伏特表示)如下： HOMO(eV) = ((HEh*27.212)-0.9899)/1.1206 LUMO(eV) = ((LEh*27.212)-2.0041)/1.385 此等值就本發明之意義而言係認為是材料之HOMO及LUMO能階。 最低三重態T1 係定義為最低TD-DFT三重態激發能量。 最低激發單重態S1 係定義為最低TD-DFT單重態激發能量。 當發光層包含式(1)化合物作為發光體，選自TADF化合物和磷光化合物的敏化劑，及其他基質化合物時，較佳亦基質化合物的最低三重態能量比敏化劑化合物的三重態能量低不超過0.1eV。尤佳地，T1 (基質)≥T1 (敏化劑)。 更佳地：T1 (基質)-T1 (敏化劑)≥0.1 eV； 最佳地：T1 (基質)-T1 (敏化劑)≥0.2eV。 T1 (基質)在此為基質化合物的最低三重態能量及T1 (敏化劑)為敏化劑化合物的最低三重態能量。基質化合物的三重態能量T1 (基質)在此係藉由如上所述的量子化學計算來確定。 可使用於本發明發光層中之適當基質化合物的實例為：酮、膦氧化物、亞碸及碸(例如根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680)、三芳基胺、咔唑衍生物(例如，CBP (N,N-雙咔唑基聯苯)、m-CBP或在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、WO 2008/086851或US 2009/0134784中揭示之咔唑衍生物)、二苯并呋喃衍生物、吲哚并咔唑衍生物(例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)、茚并咔唑衍生物(例如根據WO 2010/136109或WO 2011/000455)、氮雜咔唑(例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)、雙極性基質材料(例如根據WO 2007/137725)、矽烷(例如根據WO 2005/111172)、氮雜硼雜呃(azaborole)或硼酸酯(例如根據WO 2006/117052)、二氮雜矽雜呃(diazasilole)衍生物(例如根據WO 2010/054729)、二氮雜磷雜呃(diazaphosphole)衍生物(例如根據WO 2010/054730)、三𠯤衍生物(例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746)、嘧啶衍生物、喹㗁啉衍生物、Zn錯合物、Al複合物或Be複合物(例如根據EP 652273或WO 2009/062578)、橋連之咔唑衍生物(例如根據US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107或WO 2011/088877)。適當基質材料亦為彼等WO 2015/135624中所述者。此等以引用方式併入本發明中。亦可能使用此等基質材料中之二或更多者的混合物。 較佳地，基質化合物具有大於70℃，更佳地大於90℃，最佳地大於110℃的玻璃轉移溫度TG 。 用於敏化劑之基質化合物較佳為電荷傳輸(亦即電子傳輸或電洞傳輸)或雙極性(bipolar)化合物。在本申請案的情況下，所使用的基質化合物也可另外為既非電洞傳輸亦非電子傳輸的化合物。電子傳輸化合物在本發明的情況下為具有LUMO ≤ -2.50 eV的化合物。較佳地，LUMO為 ≤ -2.60 eV，更佳為≤ -2.65 eV，最佳為 ≤ -2.70 eV。化合物之LUMO的值係藉由量子化學計算確定，如上述一般術語所述。電洞傳輸性化合物在本發明的情況下為具有HOMO ≥ -5.5 eV的化合物。HOMO較佳為 ≥ -5.4 eV，更佳地 ≥ -5.3 eV。HOMO為最高佔用分子軌域。化合物之HOMO的值係藉由量子化學計算確定，如上所述。雙極性化合物在本發明的情況下為電洞傳輸和電子傳輸二者的化合物。適當電子傳導性基質化合物係選自下列的類別之物質：三𠯤、嘧啶、內醯胺、金屬錯合物，尤其是Be、Zn和Al錯合物、芳族酮、芳族膦氧化物、二氮雜磷雜呃(diazaphosphole)、經至少一個電子傳導性取代基取代的氮雜硼雜呃(azaborole)、和喹噁啉。在本發明之一較佳實施態樣中，電子傳導性化合物為純有機化合物，即不含金屬的化合物。 在本發明有機電致發光裝置之其他層中，尤其在電洞注入和傳輸層中以及在電子注入和傳輸層中，可能使用根據先前技術通常使用的任何材料。電洞傳輸層也可經p-摻雜或電子傳輸層也可經n-摻雜。經p-摻雜層應理解為意指其中產生自由電洞且其因此具有增加的導電性之層。OLED中經摻雜傳輸層的全面討論可見於Chem. Rev. 2007, 107, 1233。更佳地，p-摻雜劑能夠氧化電洞傳輸層中的電洞傳輸材料，即具有足夠高的氧化還原電位，尤其是比電洞傳輸材料高的氧化還原電位。適當摻雜劑原則上為任何化合物，其為電子受體化合物且其可藉由氧化主體來增加有機層的導電性。熟習該項技術者在其之該項技術常識範圍內能夠毫不費力地識別出適當化合物。尤其適合的摻雜劑為WO 2011/073149、EP 1968131、EP 2276085、EP 2213662、EP 1722602、EP 2045848、DE 102007031220、US 8044390、US 8057712、WO 2009/003455、WO 2010/094378、WO 2011/120709和US 2010/0096600中所揭示的化合物。 熟習該項技術者將因此能夠在不行使發明性技術的情況下，將所有已知用於有機電致發光裝置的材料與本發明的發光層組合使用。 較佳陰極為具有低功函數之金屬、金屬合金或由各種金屬(例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm、等等)所組成的多層結構。另外，適合的是由鹼金屬或鹼土金屬和銀所組成的合金，例如由鎂和銀所組成的合金。在多層結構之情況下，除了所述金屬之外，亦可能使用具有比較高的功函數之其他金屬，例如Ag，在該情況下通常使用例如金屬之組合，諸如Ca/Ag或Ba/Ag。較佳亦為在金屬陰極和有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。用於此目的之有用材料的實例為鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物，但亦為對應氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2 O、BaF2 、MgO、NaF、CsF、Cs2 CO3 、等等)。此層的層厚度較佳介於0.5和5 nm。 較佳陽極為具有高功函數之材料。較佳地，陽極具有具有相對於真空為大於4.5 eV之功函數。首先，具有高氧化還原電位之金屬適用於此目的，例如Ag、Pt或Au。另一方面，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiOx 、Al/PtOx )亦可為較佳的。在此情況下，電極中至少一者必須為透明或半透明，以便能夠發光。較佳結構使用透明陽極。較佳陽極材料在此為導電性混合金屬氧化物。特佳者為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外較佳者為導電性經摻雜有機材料，特別為導電性經摻雜聚合物。 裝置係對應地(視應用而定)結構化，連接接點且最後密封，因為該等裝置的壽命在水及/或空氣存在下被縮短。 額外地，較佳的是一種有機電致發光裝置，其特徵在於以昇華方法塗布一或多層。在此情況下，該等材料係在真空昇華系統中在低於10-5 毫巴，較佳低於10-6 毫巴之初壓力下以氣相沈積施加。初壓力也可能甚至更低，例如低於10-7 毫巴。 同樣較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於以OVPD(有機氣相沈積)方法或輔以載體氣體昇華法塗布一或多層。在此情況下，該等材料係在介於10-5 毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊例子為OVJP(有機氣相噴墨印刷)方法，其中該等材料係以噴嘴直接施加且因此結構化(例如，M. S. Arnoldet al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301)。 另外較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於例如以旋轉塗布或以任何印刷方法(例如網版印刷、快乾印刷、平版印刷、LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)、噴墨印刷或噴嘴印刷)從溶液製造一或多層。為此目的，需要可溶性化合物，其可例如透過適當取代獲得。因為具有高空間屏蔽的螢光化合物由於屏蔽基團而通常在多種標準有機溶劑中具有良好的溶解性，所以從溶液製造發光層為較佳。 此等方法為熟習該項技術者概括已知的且可由熟習該項技術者在不行使發明性技術的情況下施加於包含本發明化合物的有機電致發光裝置。 亦可能者為混合方法，其中，例如，一或多層係從溶液施加且一或多個其他層係藉由蒸氣沈積施加。因此，例如，可能從溶液施加發光層且可能藉由蒸氣沈積施加電子傳輸層。 此等方法通常為熟習此項技術者已知且可由該熟習此項技術者在無進步性(inventive step)下應用於包含本發明化合物之有機電致發光裝置。 根據本發明，包含一或多種本發明化合物的電子裝置可使用於顯示器中、作為照明應用中之光源及作為醫學及/或美容應用(例如光療法)中之光源。
現在將藉由下列實施例更詳細地說明本發明，而不希望因此限制本發明。 A) 合成例 實施例A-1：2,6,9,10-四(2,3,4,5,6-五-苯基苯基)-蒽(1) a) 2,6-二溴-9,10-雙(2-苯基乙炔基)蒽(2)
Figure 02_image097
將苯乙炔(4.2 g，4.5 mL，41.0 mmol，3.0當量)在THF(200 mL)中的溶液放置於在氬氣氛圍下之配備磁攪拌棒的三頸燒瓶中。將反應混合物用氬氣脫氣20 min，接著將其冷卻至-78℃。接著將反應混合物攪拌10 min，之後將正丁基鋰(在己烷中2.5M，16.4mL，40.0mmol，2.9當量)緩慢加至其中。將反應混合物另外攪拌2小時，之後將2,6-二溴-9,10-蒽二酮(5.0g，13.7mmol，1.0當量)以固體加至混合物中。接著將反應混合物在室溫下加熱過夜。接著，將氯化錫(II)二水合物(12.6 g，50.0 mmol，3.7當量)溶解於鹽酸(12%，20 mL)中，並加至混合物中。將反應混合物在回流下加熱1 h。產物(2)沉澱為紅色固體，接著將其過濾，用庚烷洗滌並在真空中乾燥(4.7g，8.8mmol，62%)。 b) 2,6,9,10-四(2-苯基乙炔基)蒽(3)
Figure 02_image099
將在TEA(1000 mL)中之5.00 g的2,6-二溴-9,10-雙(2-苯基乙炔基)蒽(2)(9.3 mmol，1.0當量)引入在氬氣下之配備磁攪拌棒的四頸燒瓶中。將反應混合物在氬氣下脫氣20 min，之後添加CuI(0.05 g，0.3 mmol，0.03當量)、Pd(PPh3 )2 Cl2 (0.13 g，0.2 mmol，0.02當量)和苯乙炔(5.71 g，6.1 mL，55.9 mmol，6.0當量)。接著將反應混合物在回流下攪拌3 h。將反應冷卻至室溫。除去溶劑。用甲苯回收黑色殘餘物，並用氧化鋁過濾。除去溶劑。剩下紅色固體殘餘物，將其從甲苯(120 mL)中再結晶。將所需產物(3)分離成紅色固體(2.2g，5.9mmol，41%)。 c) 2,6,9,10-四(2,3,4,5,6-五-苯基苯基)-蒽(1)
Figure 02_image101
將2,6,9,10-四(2-苯基乙炔基)蒽(3)(24.5 g，42.2 mmol，1.0當量)和四苯基環戊-2,4-二烯酮(74.0 g，192.5 mmol，4.6當量)放置於在氬氣下之配備磁攪拌棒的二頸燒瓶中。將二苯醚(1000mL)加至反應混合物中，將其在回流下加熱14 h。反應混合物冷卻後，添加MeOH(5000mL)。黑色固體沉澱，將其濾出。接著藉由在氧化鋁上使用甲苯進行熱萃取來純化固體。接著將固體從甲苯中再結晶三次。將所得固體(6.0g，3.0mmol，7%，HPLC：99.6%)從THF中再結晶。接著將產物(1)分離成淺黃色固體(2.0 g，1.0 mmol，2%，HPLC：99.9%)，並在高真空下於400℃乾燥。 實施例A-2：9,10-雙(2,3,4,5,6-五-苯基苯基)-N2,N2,N6, N6-四苯基-蒽-2,6-二胺(4) a) N2,N2,N6,N6-四苯基-9,10-雙(2-苯基乙炔基)蒽-2,6-二胺(5)
Figure 02_image103
將在乾燥甲苯(50mL)中之2,6-二溴-9,10-雙(2-苯基乙炔基)蒽(2)(1.35 g，2.52 mmol，1.0當量)和N-苯基苯胺(購買的產品，CAS：122-39-4)(0.94 g，5.54mmol，2.2當量)放置於在氬氣下之配備磁攪拌棒的四頸燒瓶中。將反應混合物用氬氣脫氣20 min。隨後，將三級戊醇鈉(0.83 g，7.55 mmol，3.0當量)，三-三級丁基膦四氟硼酸鹽(110 mg，378 µmol，0.15當量)和乙酸鈀(17 mg，76 µmol，0.03當量)加至混合物中。接著將反應混合物逐漸加熱至100℃，並在此溫度下攪拌17 h。反應混合物冷卻後，添加乙醯半胱胺酸水溶液並攪拌0.5小時，接著用甲苯萃取。將所得紅色固體從甲苯和庚烷中再結晶，接著用DCM/庚烷1：2進行管柱層析法。接著將產物(5)分離成紅色固體(1.4g，2.5mmol，78%)。 b) 9,10-雙(2,3,4,5,6-五-苯基苯基)-N2, N2, N6,N6-四苯基-蒽-2,6-二胺(4)
Figure 02_image105
將N2,N2,N6,N6-四苯基-9,10-雙(2-苯基乙炔基)蒽-2,6-二胺(5)(16.0 g，22 mmol，1.0當量)和四苯基-環戊二烯酮(購買，CAS：479-33-4)(19.37 g，49 mmol，2.2當量)懸浮在二苯醚(350 mL)中。將懸浮液用氬氣脫氣20 min並接著緩慢加熱至240℃經100 h。接著將懸浮液用氬氣脫氣。反應冷卻後，添加甲醇並濾出沉澱的黃色固體。將該固體從甲苯和大茴香醚中再結晶。接著將所需產物(4)(13.90g，9.75mmol，43%)昇華。 B) 裝置例 實施例B-1：光物理測量 峰值發射波長λmax 為了測量峰值發射波長，將材料以1 mg/100 mL之濃度溶解於甲苯中。將溶液在Hitachi F-4500螢光光譜儀中在室溫下激發。 峰值發射波長λmax 為於光譜顯示從低波長開始的第一最大值的波長。通常，第一最大值亦為全域最大值(global maximum)。若“第一最大值”不是全域最大值，則考慮具有至少為0.5或更高的強度之所有最大值。 光致發光量子產率PLQY 該PLQY係使用Hamamatsu C9920-02測量系統測定。原理係根據樣品以界定波長的光激發及吸收和發射之輻射的測量。在測量期間，樣品係在烏布里希球(Ulbricht sphere)("積分球")中。激發光的光譜為約具有＜10nm的半高寬之高斯(Gaussian)。PLQY由該測量系統慣用的評估方法測定。該測量在室溫下進行。 為了測定化合物的PLQY，將材料溶解在甲苯中。使用1 mg/100 mL的濃度。將溶液裝入適當石英光析管中。藉由在手套箱中處理溶液和光析管來確保溶液不會與空氣接觸。在370、380、390、400、410和420nm的激發波長下測量。PLQY為在不同波長下獲得之值的平均值。
Figure 02_image107
本發明化合物A-1顯示在藍色光譜區中的峰值發射波長，相較於在UV區中發射的先前技術化合物V-01，其更適合於顯示器應用(參見圖1)。再者，相較於V-01 (0.95)，A-1顯示0.98之較高光致發光量子產率。因此，就在顯示藍色發光的OLED顯示器應用中之使用而言，其為較佳的。 實施例B-2：有機電致發光裝置 將塗有結構化ITO(50 nm，氧化銦錫)的玻璃基板濕洗(洗碟機，Merck Extran清潔劑)，及接著用UV/臭氧處理15 min。然後將20 nm厚的PEDOT：PSS(HC-Starck Baytron PVPA14084)層旋轉塗佈在基板上。將基板在空氣中於180℃的熱板上退火10分鐘。接著將實施例中給出的不同層塗佈在這些基板上以形成OLED。將這些層中的材料在真空室中熱蒸發。 製造後，為了抗氧氣和水蒸氣之保護，在氮氛圍圍下在手套箱中封裝OLED。可在實施例中發現OLED的精確層結構。表3中顯示製造OLED所需的材料。 發光層總是由至少一種主體材料和發光材料組成。諸如DPEPO(59%)：TADF-01(40%)：A-1(1%)之標記意指於該層中材料DPEPO以59%的體積分率存在，TADF-01以40%的體積分率存在和A-1以1%的體積分率存在。類似地，電子傳輸層和電洞注入層由二種材料的混合物組成。 OLED係以標準方法示性。為此目的，使用校準的CAS140-CT光譜儀與來自Instrument Systems之TOP200伸縮式光學探針依據電流密度和電壓(用Keithley 2635B電源測量單元測量)記錄電致發光光譜和發光強度(以cd/m²測量)。假設Lambert發光特性從電流/電壓/發光強度特徵計算外部量子效率(EQE，以百分比測量)。標記U1000表示1000 cd/m²之發光強度所需的電壓。EQE1000係指在1000 cd/m²之操作發光強度下的外部量子效率。 裝置例 將下列層熱蒸發在PEDOT：PSS層的頂部以形成OLED： HTM(95%)：p-D(5%) 5nm/HTM 30nm/H-02 10nm/發光層/H-01 10nm/ETM(50%)：LiQ(50%) 20nm/鋁100nm。 表2中給出不同發光層的結果。OLED顯示深藍色發光與0.15/0.15 (Exp 1)和0.15/0.14 (Exp 2)之CIE x/y坐標。
Figure 02_image109
Figure 02_image111
Figure 02_image113
[圖1]實施例1之化合物和比較例之化合物V-01的發射光譜。
Figure 109142196-A0101-11-0002-1

Claims (21)

  1. 一種式(1)化合物，
    Figure 03_image001
    其中下列適用於所使用的符號和標號： G為式(G-1)之基團，
    Figure 03_image003
    其中虛線鍵表示至ArS 之鍵結，或若ArS 不存在，則表示至如式(1)中所示之蒽的中心苯之鍵結； R1 、R2 在每次出現時相同或不同地代表具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下也可經一或多個基團R取代； R3 、R4 、R5 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、 C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR 置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個R基團取代；其中選自R3 、R4 、R5 的二個相鄰基團可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代； RA 在每次出現時相同或不同地代表F、CN、N(ArN )2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，可經一或多個R基團取代； ArN 在每次出現時相同或不同地代表具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下也可經一或多個基團R取代，及其中二個基團ArN 可以單鍵或選自下列之二價橋彼此連接：N(R)、O、S、C(R)2 、C(R)2 -C(R)2 、Si(R)2 或B(R)； ArS 在每次出現時相同或不同地代表單鍵或具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代； R    在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R´)3 、B(OR´)2 、OSO2 R´ 、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R´取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經R´C=CR´、C≡C、Si(R´)2 、Ge(R´)2 、Sn(R´)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R´)、SO、SO2 、O、S或CONR´置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R´取代、或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R´取代，其中二個相鄰的基團R可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R´取代； Ar   在每次出現時相同或不同地為具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R´取代； R´ 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經SO、SO2 、O、S置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換、或具有5至24個C原子之芳族或雜芳族環系統；及 n、m、p、q  相同或不同地為0、1或2。
  2. 根據前述請求項中一或多項之化合物，其中R3 、R4 、R5 在每次出現時相同或不同地代表具有1至10個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至40個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至40個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個R基團取代。
  3. 根據前述請求項中一或多項之化合物，其中R3 、R4 、R5 在每次出現時相同或不同地代表具有1至10個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至40個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至40個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個R基團取代。
  4. 根據前述請求項中一或多項之化合物，其中R3 、R4 、R5 在每次出現時相同或不同地代表具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代。
  5. 根據前述請求項中一或多項之化合物，其中基團G代表式(G-2)、(G-3)或(G-4)之基團，
    Figure 03_image005
    其中R1 和R2 具有與請求項1中相同的定義；及 R3 、R4 、R5 在每次出現時相同或不同地代表具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個R基團取代。
  6. 根據前述請求項中一或多項之化合物，其中RA 在每次出現時相同或不同地代表F、CN、N(ArN )2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個R基團取代。
  7. 根據前述請求項中一或多項之化合物，其中RA 在每次出現時係相同或不同地 - 選自N(ArN )2 ；其中ArN 具有與請求項1中相同的定義； - 選自以下列通式(RS-a)表示的支鏈或環狀烷基
    Figure 03_image007
    其中 R22 、R23 、R24 在每次出現時係相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個基團R25 取代，且其中基團R22 、R23 、R24 中之二者或所有基團R22 、R23 、R24 可連接以形成(多)環狀烷基，其可經一或多個基團R25 取代； R25 在每次出現時係相同或不同地選自具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基； 其先決條件為在每次出現時，基團R22 、R23 和R24 中之至少一者不為H，其先決條件為在每次出現時，所有基團R22 、R23 和R24 一起具有至少4個碳原子且先決條件為在每次出現時，若基團R22 、R23 、R24 中之二者為H，則其餘基團不為直鏈； -     或選自以下列通式(RS-b)表示之支鏈或環狀烷氧基
    Figure 03_image009
    其中 R26 、R27 、R28 在每次出現時係相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個如上定義之基團R25 取代，且其中基團R26 、R27 、R28 中之二者或所有基團R26 、R27 、R28 可連接以形成(多)環狀烷基，其可經一或多個如上定義之基團R25 取代； 其先決條件為在每次出現時，基團R26 、R27 和R28 中只有一者可為H； -     或選自以下列通式(RS-c)表示之芳烷基
    Figure 03_image011
    其中 R29 、R30 、R31 在每次出現時係相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個基團R32 取代、或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R32 取代，且其中基團R29 、R30 、R31 中之二者或全部可連接以形成(多)環狀烷基或芳族環系統，彼等各自可經一或多個基團R32 取代； R32 在每次出現時係相同或不同地選自具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基、或具有6至24個芳族環原子之芳族環系統； 其先決條件為在每次出現時，基團R29 、R30 和R31 中之至少一者不為H，且在每次出現時，基團R29 、R30 和R31 中之至少一者為或含有具有至少6個芳族環原子之芳族環系統； -     或選自以下列通式(RS-d)表示之芳族環系統
    Figure 03_image013
    其中 R40 至R44 在每次出現時係相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個基團R32 取代、或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R32 取代，且其中基團R40 至R44 中之二或更多者可連接以形成(多)環狀烷基或芳族環系統，彼等各自可經一或多個如上定義之基團R32 取代。
  8. 根據前述請求項中一或多項之化合物，其中ArS 代表苯、聯苯、聯三苯、萘、茀、茚并茀、螺二茀、三𠯤、苯并喹啉、苯并喹唑啉、二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑，其中上述基團之各者可經一或多個基團R取代。
  9. 根據前述請求項中一或多項之化合物，其中m=n=0。
  10. 根據前述請求項中一或多項之化合物，其中p=q=0。
  11. 根據前述請求項中一或多項之化合物，其係選自式(2)、(3)或(4)之化合物，
    Figure 03_image015
    Figure 03_image017
    其中R3 、R4 、R5 在每次出現時相同或不同地代表具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個R基團取代；及 其中其他符號和標號具有與請求項1中相同的意義。
  12. 根據前述請求項中一或多項之化合物，其係選自式(2-1a)至(2-4a)、(4-1a)至(4-3a)之化合物，
    Figure 03_image019
    Figure 03_image021
    Figure 03_image023
    Figure 03_image025
    Figure 03_image027
    其中 R3 、R4 、R5 在每次出現時相同或不同地代表具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳烷基或雜芳烷基，可經一或多個R基團取代； R40 至R44 在每次出現時係相同或不同地選自具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個之基團R32 取代、或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R32 取代；其中R32 係如請求項6中所定義； 且其中R1 、R2 、R、m、n、p和q具有與請求項1相同的定義。
  13. 根據請求項11之化合物，其中R40 至R44 在每次出現時係相同或不同地選自具有6至30個芳族環原子之芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R32 取代；其中R32 係如請求項6中所定義。
  14. 根據請求項11或12之化合物，其係選自式(2-1-a')至(4-5-a')之化合物，
    Figure 03_image029
    Figure 03_image031
    Figure 03_image033
    Figure 03_image035
    Figure 03_image037
    其中符號和標號具有與請求項11相同的意義。
  15. 根據請求項1至10中一或多項之化合物，其選自式(2-b)至(4-b)之化合物，
    Figure 03_image039
    Figure 03_image041
    其中符號和標號具有與請求項1相同的意義。
  16. 低聚物或樹狀聚合物，其含有一或多種根據請求項1中一或多項之化合物，其中至該聚合物、低聚物或樹狀聚合物之鍵可位於式(1)中經R1 至R5 或RA 取代的任何位置。
  17. 一種調配物，其包含至少一種根據請求項1至15中一或多項之化合物或至少一種根據請求項16之聚合物、低聚物或樹狀聚合物和至少一種溶劑。
  18. 一種有機電致發光裝置，其包含陽極、陰極和至少一個有機層，該有機層包含至少一種根據請求項1至15中一或多項之化合物或至少一種根據請求項16之聚合物、低聚物或樹狀聚合物，其特徵在於根據請求項1至15中一或多項之化合物或根據請求項16之聚合物、低聚物或樹狀聚合物係用作為發光層中之發光體。
  19. 根據請求項18之有機電致發光裝置，其中根據請求項1至15中一或多項之化合物或根據請求項16之聚合物、低聚物或樹狀聚合物係作為發光層中之螢光發光體，其中該發光層包含至少一種選自基質材料的其他組分。
  20. 根據請求項18或19之有機電致發光裝置，其中根據請求項1至15中一或多項之化合物或根據請求項16之聚合物、低聚物或樹狀聚合物係用作為發光層中之螢光發光體，其中該發光層包含至少一種選自呈現延遲螢光化之化合物和選自磷光化合物之敏化劑化合物。
  21. 根據請求項20之有機電致發光裝置，其中該發光層另外包含至少一種選自基質材料之有機功能材料。
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