DE2738384A1

DE2738384A1 - Verfahren zur herstellung eines halbleiters

Info

Publication number: DE2738384A1
Application number: DE19772738384
Authority: DE
Inventors: Takashi Ajima; Shunichi Hiraki; Yutaka Koshino; Toshio Yonezawa
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1976-08-27
Filing date: 1977-08-25
Publication date: 1978-03-02
Also published as: US4351894A; DE2738384C2; US4560642A; GB1548520A

Description

TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO., LTD, 72 Horikawa-cho, Saiwai-ku

Kawasaki-shi, Japan

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters und insbesondere auf Verbesserungen bezüglich eines Maskenfilms, der beim selektiven Ätzen oder der Diffusion von Störstoffen verwendet wird.

Bisher wurde das selektive Ätzen eines Siliciumdioxidfilms, der auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, durchgeführt, indem ein Photoresistfilm mit vorgegebenem Muster als Ätzmaske aufgebracht wurde und eine Ätzlösung, wie Ammoniumfluorid oder Flußsäure, verwendet wurde. Dieser selektiv perforierte Siliciumdioxidfilm wurde dann in unveränderter Form als Maskenfilm für die Diffusion von Störstoffen, jedoch auch als Schutz- oder Isolierfilm verwendet.

Photoresiste, insbesondere solche, die als Ätzmaske verwendet werden, zeigen jedoch unzureichende Adhäsivität gegenüber einem Siliciumdioxidfilm. Aus diesem Grund erwiesen sie sich als ungeeignet zum Langzeitätzen und

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bezüglich der Ätzung sehr feiner Muster. Die Anwendung eines Photoresists erwies sich ferner deshalb als nachteilig, da die durch den Photoresist in dem Siliciumdioxidfilm, der auf dem Substrat aufgebracht ist, perforierten Muster beträchtlich in ihren Abmessungen schwanken, und zwar in Abhängigkeit der Lichtmenge, der der Photoresist anfänglich zur Herstellung der Ätzmaske ausgesetzt wird. Ferner ist nachteilig, daß ein mit Hilfe eines Photoresists selektiv perforierter Siliciumdioxidfilm bei Verwendung als Maske zum Diffundieren von Störstoffen dazu führt, daß die Dimensionen des in einem Substrat gebildeten Halbleiterbereichs stark in Abhängigkeit von der Belichtung variieren.

Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer neuen Maske, die so ausgestaltet ist, daß sie bei der Herstellung von Halbleitern angewandt werden kann.

Ferner ist Aufgabe der Erfindung die Schaffung eines Verfahrens zur Herstellung von Halbleitern, bei dem ein Maskenfilm mit hoher Adhäsivität zu einem darunterliegenden Film verwendet wird, um eine ausgezeichnete Präzision bezüglich der Abmessungen eines perforierten Musters zu erreichen.

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters unter Ausbildung ein oder mehrerer Filme auf der Oberfläche eines Halbleiter-Substrats, wobei wenigstens ein Film als Maskenfilm dient, das dadurch gekennzeichnet ist, daß als Maskenfilm ein Siliciumcarbidfilm verwendet wird, der mit

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- 6 einem vorgegebenen Muster versehen wird.

Dieser Maskenfilm aus Siliciumcarbid ist so ausgebildet, daß er zum Ätzen eines darunterliegenden Siliciumdioxidfilmes oder zur Diffusion von Störstoffen in das Substrat verwendet werden kann.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
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Fig. 1a bis 1c schematische Querschnittsansichten,

die die Aufeinanderfolge der Stufen bei der erfindungsgemäßen Herstellung eines Halbleiters zeigen; 15

Fig. 2a bis 2c schematische Querschnittsansichten, die die aufeinanderfolgenden Stufen bei der erfindungsgemäßen Herstellung eines Maskenfilms aus Siliciumcarbid zeigen;

Fig. 3 ein Kurvendiagramm, das die tatsäch

liche Adhäsivität eines Photoresistmaskenfilms und eines Siliciumcarbidmaskenfilms gegenüber einem Silicium-

dioxidfilm im Vergleich zu den Bedingungen idealer Adhäsivität wiedergibt;

Fig. 4 ein Kurvendiagramm, das die Änderungen

der Abmessungen des perforierten Mu

sters von Proben eines Siliciumdioxidfilms, hergestellt nach dem Verfahren

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gemäß der Erfindung und nach dem Stand der Technik, wiedergibt, die auf Änderungen der Lichtmenge, der die Photomaske ursprünglich ausgesetzt wird, resultiert;

Fig. 5 ein Kurvendiagramm, das die Stromverstärkung zahlreicher Transistoren, hergestellt nach dem Verfahren gemäß der Erfindung und nach Verfahren

gemäß dem Stand der Technik, zeigt; und

Fig. 6 eine graphische Wiedergabe der Ober-

flächenladung von MOS-Varactordioden,

hergestellt nach dem Verfahren gemäß der Erfindung und bekannten Verfahren und bestimmt mit einem Vorspannungs-Tempera turtest . 20

Die Herstellung eines Halbleiters gemäß der Erfindung umfaßt gemäß einer ersten Ausführungsform die Ausbildung eines Siliciumdioxidfilms auf einem Halbleitersubstrat. Danach wird auf dem Siliciumdioxidfilm ein Maskenfilm aus Siliciumcarbid ausgebildet, der ein vorgegebenes Muster zeigt. Danach wird der Siliciumdioxidfilm durch den Maskenfilm aus Siliciumcarbid selektiv geätzt. Gemäß einer zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiters wird ein Maskenfilm aus Siliciumcarbid direkt auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet und das vorgegebene Muster erzeugt und anschließend ein Störstoff in das

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Halbleitersubstrat durch das perforierte Muster des Siliciumcarbidmaskenfilms diffundiert.

Nachstehend wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen das erfindungsgemäße. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters gemäß der ersten Ausführungsform näher erläutert. Bei diesem Verfahren wird ein Siliciumdioxidfilm 2 auf einem Halbleitersubstrat 1 in bekannter Weise ausgebildet. Anschließend wird ein Siliciumcarbidfilm 3 über den gesamten Siliciumdioxidfilm 2 aufgebracht. Danach wird ein Photoresist, der ein vorgegebenes Muster aufweist, in üblicher Weise auf den Siliciumcarbidfilm 3 aufgebracht (Fig. 1a). Der SiIiciumcarbidfilm 3 kann auf den darunterliegenden Film mittels einem der nachstehend genannten Verfahren aufgebracht werden:

(1) Eine Möglichkeit ist die chemische Dampfablagerung (nachstehend als "CVD" bezeichnet). Bei diesem Verfahren wird ein Silan, wie Siliciumtetrahydrid, mit Toluol in einer Wasserstoffatmosphäre thermisch umgesetzt und das erhaltene Siliciumcarbid auf dem darunterliegenden Film niedergeschlagen. Die Reaktionstemperatur liegt vorzugsweise im Bereich zwischen etwa 600 und 1200⁰C. Bei Anwendung einer fceaktionstemperatur im unteren Teil des angegebenen Bereiches bildet sich amorphes Siliciumcarbid. Bei Anwendung einer Reaktionstemperatur im oberen Teil des angegebenen Bereiches bildet sich hingegen kristallines Siliciumcarbid. Mit diesem Verfahren bildet sich Siliciumcarbid in einer Menge von 500 bis 3000 Ä/min.

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(2) Als zweites Verfahren kommt die Zerstäubung in Betracht. Bei diesem Verfahren wird durch Hochfrequenzwellen beschleunigtes Argon auf Siliciumcarbid aufprallen gelassen, wodurch das Siliciumcarbid zur Ablagerung auf dem darunterliegenden Film zerstreut wird. Mit diesem Verfahren bildet sich Siliciumcarbid in einer Menge von etwa 100 A/min.

(3) Eine dritte Möglichkeit ist die Plasmaablagerung. Bei diesem Verfahren wird eine gasförmige Mischung aus Silicium oder Silan und Toluol oder Acetylen in ein Plasma überführt, beispielsweise durch Glühentladung, zur Umsetzung der Gasbestandteile. Bei Verwendung von Silicium wird das Silicium beispielsweise mittels Elektronenstrahl verdampft. Das verdampfte Silicium wird in eine Vakuumreaktionskammer zusammen mit dem Toluol- oder Acetylengas zur Umsetzung in die Form eines Plasmas eingeführt. Das erhaltene Siliciumcarbid wird auf dem Halbleitersubstrat niedergeschlagen. In diesem Fall kann das Substrat direkt mit Strom beaufschlagt werden oder nicht oder erhitzt werden. Das angewandte Vakuum wird im Bereich zwischen etwa 10 und 10*" Torr gewählt. Bei diesem Verfahren wächst das Siliciumcarbid mit einer Geschwindigkeit von etwa 100 A/min.

Wenn es nicht erwünscht ist, das Halbleitersubstrat auf erhöhte Temperatur zu erhitzen, werden die Verfahren und 3 bevorzugt.

Soll ein dicker Film aus Siliciumcarbid erhalten werden, dann ist das Verfahren 1 vorteilhaft.

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Der Siliciumcarbidfilm hat im allgemeinen vorzugsweise eine Dicke von 50 Ä. Dies ist jedoch nicht kritisch.

Der solchermaßen hergestellte Siliciumcarbidfilm 3 wird anschließend durch den Photoresistfilm 4 als Ätzmaske selektiv geätzt (Fig. 1b). Der Siliciumcarbidfilm 3 kann unter Anwendung eines der nachstehend genannten Verfahren geätzt werden.

(1) Als erstes Ätzverfahren kommt das Plasmaätzen in Betracht. Bei diesem Verfahren wird Kohlenstofftetrafluorid oder eine Mischung desselben mit Sauerstoff in ein Plasma überführt, beispielsweise durch Glimmentladung, und das Siliciumcarbid durch Aussetzen an dieses Plasma geätzt. Die Temperatur, bei der das Plasmaätzen durchgeführt wird, wird zwischen Raumtemperatur und etwa 100⁰C gewählt. Die Ätzgeschwindigkeit beträgt im allgemeinen etwa 100 bis 500 A/min.

(2) Als weiteres Ätzverfahren kommt das elektrolytische Ätzen in Betracht. Als Elektrolyt können folgende Verbindungen verwendet werden:

(a) HClO- + CH₀COOH + H_0
4 3 2

(b) H₂C₃O₄

(c) H-SO. + H-O
2 4 2

Das elektrolytische Ätzen wird bei Raumtemperatur durchgeführt, wobei ein elektrisches Gleichstromfeld von 1 bis 10 V angelegt wird und ein Elektrolysierstrom von 0,1 bis 5 Ampere angewandt wird. Die Ätzgeschwindigkeit wird in einem Bereich zwischen etwa

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- 11 50 und 200 Ä/min gewählt.

Von den vorerwähnten Ätzverfahren wird das erstgenannte Verfahren bevorzugt, da bei diesem die Notwendigkeit der Aufbereitung von Abfallflüssigkeit entfällt.

Der mit einem vorgegebenen Muster perforierte Siliciumcarbidfilm 3 wird beim selektiven Ätzen des darunterliegenden Siliciumdioxidfilms 2 als Maske verwendet (Fig.

1c). Der Siliciumdioxidfilm 2 kann in üblicher Weise geätzt werden, beispielsweise unter Verwendung von Flußsäure oder Ammoniumfluorid. Fig. 1c zeigt, daß der Photoresistfilm 4 auf dem Halbleiter verbleibt. Dieser Photoresistfilm 4 kann jedoch vor dem Ätzen des Siliciumdioxidfilmes 2 entfernt werden.

Nachstehend wird das sogenannte Abhebeverfahren beschrieben. Bei diesem Verfahren wird ein Siliciumcarbidmaskenfilm mit vorgegebenem Muster ohne vorhergehender Ätzung des Siliciumcarbidfilms gebildet. In den Fig. 2a bis 2c wird ein konkretes Beispiel des Abhebeverfahrens gezeigt. Dabei wird ein Siliciumcarbidmaskenfilm gemäß der zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens direkt auf ein Halbleitersubstrat aufgebracht. Bei diesem Abhebeverfahren wird zuerst auf dem Halbleitersubstrat 11 in üblicher Heise ein Photoresistfilm 12, der ein vorgegebenes Muster aufweist, ausgebildet (Fig. 2a). Danach wird ein Siliciumcarbidfilm auf die freiliegenden Teile des Substrates 11 und den Photoresist 12 unter Anwendung einer der vorerwähnten Verfahren zur Ablagerung eines Siliciumcarbidfilms aufgebracht (Fig. 2b). Der auf dem Photoresistfilm 12 ausgebildete Siliciumcarbidfilm

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ist mit 13 bezeichnet und mit 14 ist der auf dem Halbleitersubstrat 11 gewachsene Siliciumcarbidfilm bezeichnet. In diesem Fall sollte der Siliciumcarbidfilm 14 dünner als der Photoresistfilm 12 ausgebildet werden. Beispielsweise wird eine gute Wirkung erzielt, wenn der Photoresistfilm 12 in einer Dicke von 1 bis 3 u und der Siliciumcarbidfilm 14 mit einer Dicke von etwa 0,3 bis 1 μ ausgebildet werden. Schließlich wird der Photoresistfilm 12 mit einem geeigneten Lösungsmittel entfernt und der auf dem Photoresistfilm 12 aufgebrachte Siliciumcarbidfilm 13 gleichfalls abgenommen (Fig. 2c)

Der bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzte Siliciumcarbidf ilm kann eine oder mehrere der folgenden Störstoffe enthalten: Phosphor, Aluminium, Blei, Bor Titan, Gallium, Zink, Zirkon, Strontium, Chrom, Molybden, Wolfram, Nickel, Eisen, Kobalt, Arsen und Tantal.

Die Konzentration der Störstoffe wird im Bereich zwi-

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sehen 10 und 10 Atome/cm³ gewählt und beträgt vor-

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zugsweise 10 bis 10 Atome/cm³.

Gemäß der ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein Siliciumcarbidmaskenfilm zur selektiven Perforierung eines Siliciumdioxidfilms verwendet.

Danach kann das Muster des Siliciumdioxidfilms bei der Diffusion von Störmaterialien oder der Ablagerung einer Elektrode angewandt werden. Gemäß einer zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der Siliciumcarbidmaskenfilm bei der Diffusion von Störstoffen verwendet. Der Siliciumcarbidmaskenfilm kann nach Durchführung des Prozesses anschließend weggeätzt werden oder intakt belassen werden. Verbleibt der Siliciumcarbidfilm auf dem Halbleiter, verhindert

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dieser wirksam das Eindringen von Verunreinigungen, beispielsweise Natriumionen.

Es wurde ein Versuch bezüglich der Adhäsivität eines Siliciumdioxidfilms auf einem Siliciumcarbidmaskenfilm, hergestellt nach dem Verfahren gemäß der Erfindung, durchgeführt. Der Test wurde folgendermaßen ausgeführt. Ein Siliciumcarbidmaskenfilm wurde auf einen bereits auf einem Siliciumsubstrat befindlichen SiIiciumdioxidfilm niedergeschlagen. Der darunterliegende Siliciumdioxidfilm wurde durch den Siliciumcarbidmaskenfilm mit einer sauren Lösung von Ammoniumfluorid selektiv geätzt. Zum Vergleich wurde der Siliciumdioxidfilm durch einen gewöhnlichen Photoresistmaskenfilm anstelle des Siliciumcarbidmaskenfilrns unter Verwendung des gleichen Ätzmittels selektiv geätzt. Bei diesem Test wurde die Zeit, die für jene Seite eines Siliciumdioxidfilms mit einer Dicke D, der mit der Oberfläche eines Siliciumsubstrats in Berührung steht, die in Ätzrichtung liegt, zur progressiven Ätzung bis zu einem Punkt direkt unter dem Rand des darüberliegenden Siliciumcarbidmaskenfilms erforderlich ist, als Ätzzeit T bezeichnet. Bei Änderung der Ätzzeit wurde der Abstand d bestimmt, das ist die Entfernung, die .

die Seite des Siliciumdioxidfilms, der mit der Oberfläche des Substrats in Verbindung steht, über einen Punkt direkt unterhalb des vorgenannten Randes des darüberliegenden Siliciumcarbidmaskenfilms geätzt wird. Die Verhältnisse d/D und t/T sind auf der Ordinate bzw. Abszisse der Fig. 3 aufgetragen. Bei Verwendung des Siliciumcarbidmaskenfilms erfolgte das Ätzen in allen Richtungen des Siliciumdioxidfilms mit gleicher Ge-

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schwindigkeit. Dieser Fall ist in Fig. 3 als Idealfall wiedergegeben, was zeigt, daß der Siliciumcarbidmaskenfilm besser an dem Siliciumdioxidfilm haftet als die bekannten Photoresistmaskenfilme.
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Ferner wurde ein Vergleich bezüglich der Präzision, mit der ein Halbleiter mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens und bekannten Verfahren hergestellt werden kann, durchgeführt. Ein Photoresistfilm, Siliciumcarbidfilm und Siliciumdioxidfilm wurden in der angegebenen Reihenfolge von oben gesehen aufgebracht. Der Siliciumcarbidfilm wurde durch Photoätzen durch den darüberliegenden Photoresistfilm selektiv perforiert. Der Siliciumdioxidfilm wurde durch den perforierten Siliciumcarbidmaskenfilm selektiv geätzt. Zum Vergleich wurde der Siliciumdioxidfilm nur durch den Photoresistfilm in bekannter Weise selektiv geätzt. Diese Versuche wurden bei Änderung der Lichtmenge, die anfänglich zur Aushärtung des vorgegebenen Musters auf den Photoresistfilm projiziert wurde, ausgeführt. Bei den nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Halbleitern und jenen mittels bekannten Verfahren hergestellten Halbleitern wurden die ursprünglichen Dimensionen eines vorgegebenen Punktes einer lichtproj!zierenden Photomaske von den Dimensionen eines korrespondierenden Punktes auf dem Siliciumdioxidisolierfilm substrahiert, um die Änderungen der Abmessungen bei der Übertragung eines perforierten Musters von der Photomaske auf den Siliciumdioxidisolierfilm zu bestimmen. Die Lichtmenge (μ«·sek/cm*), die anfänglich auf eine Photomaske projiziert wird, ist auf der Abszisse der Fig. 4 aufgetragen und die Dimensionsänderung (μπι) , die bei der Übertragung des perforierten Musters

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von der Photoroaske auf den Siliciumdioxidisolationsfilra erfolgt, ist auf der Ordinate aufgetragen. Fig. 4 zeigt, daß die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Halbleiter viel geringere Dimensionsänderungen eines perforierten Musters bei übertragung von der Photoroaske auf den Siliciumdioxidisolationsfilm zeigen und eine bedeutend bessere Reproduzierbarkeit der Muster erzielt wird als dies bisher mit bekannten Verfahren möglich war.

In Fig. 5 ist graphisch ein Vergleich zwischen der Gleichförmigkeit der Stromverstärkung von Transistoren, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt sind und solchen, die nach bekannten Verfahren hergestellt sind, wiedergegeben. Es wurde jeweils eine Gruppe von 15 Transistoren, die gemäß den beiden Verfahren hergestellt wurden, bestimmt, wobei diese aus einer großen Anzahl von Transistoren, die auf einer einzigen SiIiciumscheibe hergestellt wurden, in schiefer Richtung ausgewählt wurden. Aus Fig. 5 ist ersichtlich, daß ein Transistor, der mit dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt wurde, eine größere Stromverstärkung aufweist und kleinere Änderungen der Verstärkung auftreten als bei nach üblichen Verfahren hergestellten Transistoren.

Es wurde ferner ein Versuch bezüglich der Eigenschaft eines Siliciumcarbidmaskenfilms zur Verhinderung des Einbringens von Verunreinigungen, beispielsweise eines Natriumions, in den Halbleiter durchgeführt, und zwar wenn der Siliciumcarbidmaskenfilm unverändert belassen wird. Es wurde die Menge der Oberflächenladung mittels Vorspannungs-Temperatur-Tests bestimmt, und zwar bei

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einer bekannten MOS-Varactordiode, die nur einen SiIiciumdioxidisolierfilm aufweist und einer MOS-Varactordiode, die nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt wurde, die nicht nur einen Siliciumdioxidisolierfilm sondern auch einen darauf gelassenen Siliciumcarbidmaskenfilm aufweist. Der Versuch wurde folgendermaßen durchgeführt. Die MOS-Varactordioden wurden 30 min in eine Lösung getaucht, die Natriumionen enthielt, und nach dem Herausnehmen 10 h bei einer Temperatur von 200⁰C erhitzt. Eine semiquantitative Messung der Menge an mobilen Ionen in den Varactordioden wurde unter drei Bedingungen vorgenommen, nämlich nur nach Erhitzen (dies ist in der Zeichnung mit NO BT bezeichnet), nach dem Anlegen einer positiven Vorspannung (als +BT bezeichnet) und nach Anlegen einer negativen Vorspannung (als -BT bezeichnet). Die Ergebnisse sind in Fig. 6 wiedergegeben. Aus der Zeichnung ist ersichtlich, daß bei einem Halbleiter, hergestellt gemäß der Erfindung, wobei der Siliciumcarbidmaskenfilm intakt gelassen wird, eine bedeutend kleinere Änderung der Oberflächenspannung erfolgt und das Eindringen von Verunreinigungen, beispielsweise von Natriumionen, wirksamer verhindert wird," als bei bekannten Halbleitern. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können feine Muster auf einem Siliciumdioxidisolierfilm oder Halbleiterbereichen genau reproduziert werden und sehr stabile Halbleiter hergestellt werden.

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Claims

PATKNTAN WALTE DR. KADOR & DR. KLUNKER

K 11 97C/3S

Patentansprüche

Malverfahren zur Herstellung eines Halbleiters unter Ausbildung eines oder mehrerer Filme, wobei wenigstens ein Film als Maskenfilm dient, dadurch gekennzeich net, daß als Maskenfilm ein Siliciumcarbidfilm verwendet wird, der mit einem vorgegebenen Muster versehen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η zeichnet, daß der Siliciumcarbidmaskenfilm auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrates ausgebildet und zur Diffusion von Störstoffen in das Halbleitersubstrat verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß der Silicumcarbidmaskenfilm auf einem auf dem Halbleitersubstrat ausgebildeten Siliciumdioxidfilm zur selektiven Ätzung des Siliciumdioxid films aufgebracht wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß der als Maskenfilm verwendete Siliciumcarbidfilm auf dem Halbleiter intakt belassen wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß der als Maskenfilm verwendete Siliciumcarbidfilm anschließend entfernt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß ein Siliciumcarbidfilm gleichförmig über den gesamten Bereich des darun-

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terliegenden Films ausgebildet wird und der Siliciumcarbidfilm unter Bildung eines Siliciumcarbidmaskenfilms mit einem vorgegebenen Muster selektiv geätzt wird.
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7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß der Siliciumcarbidfilm gleichförmig über den gesamten Bereich des darunterliegenden Films mittels chemischer Bedampfungsablagerung, Zerstäuben oder Plasmaablagerung ausgebildet wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet , daß der gleichförmig über den gesamten Bereich des darunterliegenden Films ausgebildete Siliciumcarbidfilm durch Plasmaätzen oder elektrolytisches Ätzen selektiv geätzt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliciumcarbidmaskenfilm mittels Abhebeverfahren mit dem vorgegebenen Muster ausgebildet wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein Siliciumcarbidfilm mit kristalliner Struktur ausgebildet wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet , daß ein Siliciumcarbidfilm mit amorpher Struktur ausgebildet wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet , daß ein Siliciumcarbid-

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film ausgebildet wird, der wenigstens einen der Störstoffe Phosphor, Aluminium, Blei, Bor, Titan, Gallium, Zink, Zirkon, Strontium, Chrom, Molybden, Wolfram, Nickel, Eisen, Kobalt, Arsen und Tantal in einer Konzentration zwischen 10¹⁹ und 10²² Atome/cm³ enthält.

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