[go: up one dir, main page]

DE1119330B - Monostabile Kippschaltung mit sehr grossem Arbeitslage-Ruhelage-Verhaeltnis - Google Patents

Monostabile Kippschaltung mit sehr grossem Arbeitslage-Ruhelage-Verhaeltnis

Info

Publication number
DE1119330B
DE1119330B DES64578A DES0064578A DE1119330B DE 1119330 B DE1119330 B DE 1119330B DE S64578 A DES64578 A DE S64578A DE S0064578 A DES0064578 A DE S0064578A DE 1119330 B DE1119330 B DE 1119330B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
capacitor
transistor
voltage
breakover
rest position
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES64578A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Phys Hans Neuss
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES64578A priority Critical patent/DE1119330B/de
Publication of DE1119330B publication Critical patent/DE1119330B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/284Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator monostable

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

  • Monostabile Kippschaltung mit sehr großem Arbeitslage-Ruhelage-Verhältnis Die Erfindung bezieht sich auf eine monostabile Kippschaltung.
  • Eine monostabile Kippschaltung ist bekanntlich so aufgebaut, daß sie bei Anlegen eines bestimmten Steuerkriteriums von einer Ruhelage aus in eine Arbeitslage kippt und nach Ablauf einer bestimmten Zeit, der Kippzeit, selbsttätig wieder in die Ruhelage zurückkippt. Als zeitbestimmendes Glied wird hierbei ein Kondensator verwendet, der beim Kippen in die Arbeitslage mit einer bestimmten Zeitkonstante entladen wird und der beim Erreichen eines bestimmten Ladezustandes das Zurückkippen in die Ruhelage veranlaßt. Damit die monostabile Kippschaltung erneut auslösbar ist, ist es erforderlich, daß der Kondensator in seinen Ausgangsladezustand gebracht wird.
  • In vielen Fällen ist es erforderlich, diese Rückladezeit des Kondensators sehr klein zu halten, beispielsweise wenn ein sehr großes Verhältnis von Arbeitslage zu Ruhelage gefordert wird (wie es z. B. bei einem Eingangsschalter für Start-Stop-Generatoren der Fall ist).
  • Es ist bereits eine Schaltung mit vier Elektronenröhren bekannt, die diese Eigenschaft besitzt. Bei dieser Schaltung ist neben diesem hohen Schaltangsaufwand in der Ruhelage eine hohe Leistung erforderlich, da die eine Röhre in der Ruhelage stark leitend ist.
  • Weiterhin ist eine Schaltung bekannt, bei der drei Transistoren vorgesehen sind. Der die Kippzeit bestimmende Kippkondensator dieser Schaltung wird beim Zurückkippen der Schaltung in der Ausgangslage über einen Transistor; der parallel zu dem Arbeitswiderstand des im Arbeitszustand leitenden Transistors liegt, auf eine definierte Spannung aufgeladen. Die Steuerung dieses Transistors erfolgt differentiell über einen Kondensator, und die Zeit der Durchlässigsteuerung dieses Transistors ist durch eine RC-Zeitkonstante bestimmt. Damit der Kippkondensator auf eine definierte Spannung aufgeladen bzw. umgeladen werden kann, maß diese Zeitkonstante einen genau vorgegebenen Wert aufweisen.
  • Bei der monostabilen Kippschaltung gemäß der Erfindung werden die Nachteile der bekannten Schaltungen vermieden. Sie besteht ebenfalls aus wechselweise leitenden elektronischen Schaltstrecken und einem Kippzeit bestimmenden Kippkondensator, der beim Zurückkippen der monostabilen Kippschaltung in die Ruhelage über eine weitere elektronische Schaltstrecke, die parallel- zu dem hochohmigen Arbeitswiderstand der im Arbeitszustand leitenden Schaltstrecke liegt, niederohmig auf eine bestimmte Spannung aufgeladen wird. Gemäß der Erfindung wird diese weitere Schaltstrecke beim Zurückkippen der monostabilen Kippschaltung in die Ruhelage durch die Differenzspannung zwischen der Spannung am Kippkondensator und einer Bezugsspannung so lange durchlässig gesteuert und dadurch ein hoher Stromfluß über den Kippkondensator ermöglicht, bis diese Schaltstrecke beim Erreichen einer definierten Spannung am Kippkondensator selbsttätig gesperrt wird. Die Steuerung erfolgt also im Gegensatz zu der einen bekannten Schaltung gleichstrommäßig- Hierdurch ergibt sich die Möglichkeit einer sehr genauen Festlegung der Spannung im Kippkondensator.
  • Bei einem vorteilhaften Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung werden als elektronische Schaltstrecken Transistoren verwendet. Hierbei ist es vorteilhaft, parallel zu der Basis-Emitter-Strecke des im Ruhezustand leitenden Transistors und gegebenenfalls einem strombegrenzenden Widerstand einen ersten richtungsabhängigen Widerstand einzuschalten, der beim Zurückkippen der monostabilen Kippschaltung in die Ruhelage den kurzzeitig hohen Ladestrom des Kippkondensators übernimmt und so .die Emitter-Basis-Strecke dieses Transistors vor überlastung schützt.
  • Das Emitterpotential für den weiteren Transistor kann vorteilhaft über einen aus Widerständen und Richtleitern bestehenden Spannungsteiler zugeführt werden. Ebenso kann das Basispotential für diesen Transistor über einen Spannungsteiler zugeführt werden, dessen einer Widerstand durch den im Arbeitszustand leitenden Transistor kurzgeschlossen wird.
  • Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der Zeichnung erläutert, die ein vorteilhaftes Ausführungsbeispiel mit pnp-Transistoren gemäß der Erfindung zeigt. Die Wirkungsweise ist folgende: Im Ruhezustand- der Schaltungsanordnung ist der Transistor T 1 geöffnet und sind die Transistoren T 2 und T3 gesperrt. Vom positiven Pol (-f-) einer nicht dargestellten Spannungsquelle fließt ein Steuerstrom über den Widerstand R 9, die Emitter-Basis-Strecke des Transistors T 1 und den Widerstand R 2 und gegen Erde. Hierdurch wird der Transistor T1 leitend. Der Transistor T2 ist durch den aus den Widerständen R10 und R 6 gebildeten Spannungsteiler gesperrt. Ein weiterer Strom fließt über die Widerstände R 9, R 8, die Diode D 2 und den Widerstand R 3. Durch den Spannungsabfall an der Diode D 2 ist auch der Transistor T 3 gesperrt. Die linke Seite des Kippkondensators C 2 befindet sich annähernd auf dem Emitterpotential des Transistors T1, während das Potential auf der rechten Seite des Kippkondensators C2. durch den Spannungsteiler aus R 8, D 2 und R 3 bestimmt ist.
  • Wird über die Steuerleitung SL und den Kondensator C3 ein negativer Impuls der Basis des Transistors T2 zugeführt, so wird dieser Transistor geöffnet, und das Potential an der rechten Seite des Kippkondensators C 2 steigt sprunghaft an. Die am Kippkondensator C2 liegende Spannung wird zu dieser Spannung addiert, so daß die Diode D 1 gesperrt wird. Da auch die Spannung am Verbindungspunkt zwischen R 2 und R 7 ansteigt, wird der Steuerstrom durch den Transistor T 1 unterbrochen und dieser Transistor gesperrt. Dadurch sinkt das Potential an R 1 ab, und es fließt ein Steuerstrom durch die Emitter-Basis-Strecke von T 2 über R 9, T2, R6, R l, so daß T2 leitend wird. Der Kippkondensator C2 entlädt sich jetzt langsam über die Widerstände R 7 und R2. Nach einer bestimmten, durch die Zeitkonstante des Entladungskreises bestimmten Zeit wird somit die Basis des Transistors T1 wieder negativer als dessen Emitter. Zu diesem Zeitpunkt wird der Transistor T 1 wieder leitend und sperrt den Transistor T2. Der Kollektor des Transistors T 2 und damit die Basis des Transistors T3 wird durch den aus den Widerständen R 8 und R 5 gebildeten Spannungsteiler auf ein definiertes Potential gelegt. Der Emitter des Transistors T3 bleibt jedoch durch die Ladung des Kippkondensators C 2 zunächst auf dem vorherigen Potential. Die Diode D 2 wird also gesperrt. Dadurch kann durch die nunmehr wieder entsperrte Diode Dl, den Kippkondensator C2, die Emitter-Basis-Strecke des Transistors T3 und den Widerstand R 5 ein Steuerstrom durch den Transistor T3 fließen, der diesen öffnet. Nunmehr kann der Kippkondensator C2 über den niederohmigen Widerstand R 9, die durchlässige Diode D 1, den leitenden Transistor T 3 und den niederohmigen Strombegrenzungswiderstand R 4 schnell aufgeladen werden. Die Diode D 1 übernimmt im wesentlichen den hohen Ladestrom des Kippkondensators, so daß die Emitter-Basis-Strecke des Transistors T1 durch den vorgeschalteten strombegrenzenden Widerstand R7 vor Überlastung geschützt wird. Infolge des exponentiellen Stromverlaufs fällt die Spannung am Emitter des Transistors T3 ab. Bei Unterschreiten der an der Basis des Transistors T3 und damit am Kollektor des Transistors T2 herrschenden Spannung wird die Diode D 2 wieder durchlässig und der Transistor T 3 wieder gesperrt. Der niederohmige Ladekreis für den Kippkondensator C 2 ist damit unterbrochen.
  • Durch die Verwendung eines eigenen niederohmigen Ladekreises zur Aufladung des Kippkondensators C 2 wird also in zuverlässiger Weise erreicht, daß der Kippkondensator C2 sehr schnell auf eine definierte Ausgangsspannung aufgeladen wird. Daraus ergibt sich ein sehr großes Verhältnis von Arbeitslage zur Ruhelage bei der erfindungsgemäßen monostabilen Kippschaltung. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß die Schaltung mit Ausnahme des Kollektorkreises von T3 hochohmig ausgeführt werden kann und somit die Transistoren T 1 und T 3 nur gering belastet werden. Der Transistor T3 führt nur impulsweise einen hohen Strom.
  • Die Erfindung ist überall dort anwendbar, wo ein solches extrem großes Verhältnis von Arbeitslage zur Ruhelage einer monostabilen Kippschaltung gefordert wird. Dies ist beispielsweise bei einem Eingangsschalter für einen Entzerrer für Start-Stop-Telegrafiezeichen der Fall.
  • Selbstverständlich ist es, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen, möglich, die verwendeten pnp-Transistoren ganz oder teilweise durch n-p-n-Transistoren zu ersetzen.

Claims (4)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Monostabile Kippschaltung mit sehr großem Arbeitslage-Ruhelage-Verhältnis mit wechselweise leitenden elektrischen Schaltstrecken und einem die Kippzeit bestimmenden Kippkondensator, der beim Zurückkippen der monostabilen Kippschaltung in die Ruhelage über eine weitere elektronische Schaltstrecke, die parallel zu dem hochohmigen Arbeitswiderstand der im Arbeitszustand leitenden Schaltstrecke liegt, niederohmig auf eine definierte Spannung aufgeladen wird, dadurch gekennzeichnet, daß die weitere Schaltstrecke (T3) beim Zurückkippen der monostabilen Kippschaltung in die Ruhelage durch die Differenzspannung zwischen der Spannung am Kippkondensator (C 2) und eine Bezugsspannung (zwischen R 5 und R8) so lange durchlässig gesteuert wird und dadurch einen hohen Stromfluß über den Kippkondensator ermöglicht, bis sie beim Erreichen einer definierten Spannung am Kippkondensator selbsttätig gesperrt wird.
  2. 2. Monostabile Kippschaltung nach Anspruch 1 mit Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu der steuernden Basis-Emitter-Strecke des im Ruhezustand leitenden Transistors (T 1) und gegebenenfalls einem strombegrenzenden Widerstand (R 7) ein erster richtungsabhängiger Widerstand (D 1) geschaltet ist, der beim Zurückkippen der monostabilen Kippstufe in die Ruhelage den kurzzeitig hohen Ladestrom des Kippkondensators übernimmt.
  3. 3. Monostabile Kippschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Emitterpotential für den weiteren Transistor (T3) über einen aus Widerständen (R 8, R 3) und Richtleitern (D 2) bestehenden Spannungsteiler zugeführt wird.
  4. 4. Monostabile Kippschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daB das Basispotential für den weiteren Transistor (T 3) über einen Spannungsteiler (R 8; R 5) zugeführt wird, dessen einer Widerstand (R 8) durch den im Arbeitszustand leitenden Transistor (T2) kurzgeschlossen wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1053 566; USA.-Patentschrift Nr. 2 784 309.
DES64578A 1959-08-25 1959-08-25 Monostabile Kippschaltung mit sehr grossem Arbeitslage-Ruhelage-Verhaeltnis Pending DE1119330B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES64578A DE1119330B (de) 1959-08-25 1959-08-25 Monostabile Kippschaltung mit sehr grossem Arbeitslage-Ruhelage-Verhaeltnis

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES64578A DE1119330B (de) 1959-08-25 1959-08-25 Monostabile Kippschaltung mit sehr grossem Arbeitslage-Ruhelage-Verhaeltnis

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1119330B true DE1119330B (de) 1961-12-14

Family

ID=7497298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES64578A Pending DE1119330B (de) 1959-08-25 1959-08-25 Monostabile Kippschaltung mit sehr grossem Arbeitslage-Ruhelage-Verhaeltnis

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1119330B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1231290B (de) * 1964-03-16 1966-12-29 Philips Nv Monostabiler Transistor-Multivibrator zur Erzeugung von Impulsen grosser Dauer

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2784309A (en) * 1953-02-04 1957-03-05 Rca Corp Monostable multivibrator circuit
DE1053566B (de) * 1957-02-12 1959-03-26 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Erzeugung steilflankiger Impulse mit einem Zwei-Transistor-Multivibrator

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2784309A (en) * 1953-02-04 1957-03-05 Rca Corp Monostable multivibrator circuit
DE1053566B (de) * 1957-02-12 1959-03-26 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Erzeugung steilflankiger Impulse mit einem Zwei-Transistor-Multivibrator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1231290B (de) * 1964-03-16 1966-12-29 Philips Nv Monostabiler Transistor-Multivibrator zur Erzeugung von Impulsen grosser Dauer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1095879B (de) Transistor-Verzoegerungsstromkreis
DE1277915B (de) Zeitverzoegertes elektronisches Relais
DE1254186B (de) Impulsdauermodulator mit einem monostabilen Multivibrator
DE1119330B (de) Monostabile Kippschaltung mit sehr grossem Arbeitslage-Ruhelage-Verhaeltnis
DE1050810B (de) Bistabile Schaltung mit Flächentransistoren
DE2250716B1 (de) Elektronische Sicherung mit monostabiler Kippstufe
DE2237764C3 (de) Schaltung zum bevorrechtigten Inbetriebsetzen einer Stufe einer elektronischen Folgeschaltung mit Halteschaltung
DE1788003B2 (de) Elektrische Schaltungsanordnung zur Zweipunktregelung eines eine induktive Last durchfließenden Stromes
DE2729439C2 (de) Elektronen-Blitzgerät
DE2415629B2 (de) Schaltungsanordnung zum zeitweiligen, von der Größe der veränderlichen Betriebsspannung abhangigen Blockieren eines Stromzweiges
DE1189585B (de) Monostabile Kippschaltung
DE2445799B2 (de) Monostabiler Multivibrator
DE2100929A1 (de) Steuerschaltung zur Versorgung eines induktiven Verbrauchers
DE2506582A1 (de) Schaltungsanordnung zur verlustarmen speisung mehrerer steuerbarer verbraucher
DE1257833B (de) Gegen Stoerimpulse unempfindliche Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Impulses
DE1080606B (de) Wenigstens zwei Transistorverstaerker-stufen aufweisender Kippschalter zum Schalten von Gleichstrom
DE1183577B (de) Schaltungsanordnung zur Erzielung einer Schaltverzoegerung
DE2639971C2 (de) Schaltverstärker für einen Steuerungsrechner
DE2454162C3 (de) Gerät zur elektrischen Trefferanzeige im Fechtsport
DE1257201B (de) Elektronischer Schalter
DE1093821B (de) Astabiler Multivibrator mit Kipptransistoren
DE2544548B2 (de) Schaltungsanordnung zum Laden eines Akkumulators
DE1222107C2 (de) Schaltungsanordnung fuer einen elektronischen Schalter mit Ein- und Ausschaltverzoegerung
DE1256691B (de) Monostabile oder astabile Transistor-Multivibratorschaltung
DE1921476A1 (de) Kontaktloses,elektronisches Schaltgeraet