WO2010038773A1 - 磁気ディスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気ディスクの耐久性、特にＬＵＬ耐久性及びＣＦＴ特性に優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクを提供する。 【解決手段】本発明の磁気ディスクは、基板上に、少なくとも磁性層と炭素系保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、上記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有する２種類の化合物を含有し、かつ該２種類の化合物全体の分子量分布が１～１．２の範囲内であり、該２種類の化合物は、末端にヒドロキシル基を有する化合物ａ、及び、数平均分子量が化合物ａの数平均分子量よりも小さく且つ１５００以下である化合物ｂを含有し、該２種類の化合物中の化合物ｂの含有率が１０％以下である潤滑剤が成膜されてなる。

Description

磁気ディスク及びその製造方法

本発明はハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤと略記する）などの磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクに関する。

近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクにして、１枚当り２５０Ｇバイトを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような所要に応えるためには１平方インチ当り４００Ｇビットを超える情報記録密度を実現することが求められる。ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するためには、情報信号の記録を担う磁気記録層を構成する磁性結晶粒子を微細化すると共に、その層厚を低減していく必要があった。ところが、従来より商業化されている面内磁気記録方式（長手磁気記録方式、水平磁気記録方式とも呼称される）の磁気ディスクの場合、磁性結晶粒子の微細化が進展した結果、超常磁性現象により記録信号の熱的安定性が損なわれ、記録信号が消失してしまう、熱揺らぎ現象が発生するようになり、磁気ディスクの高記録密度化への阻害要因となっていた。

　この阻害要因を解決するために、近年、垂直磁気記録方式用の磁気記録媒体が提案されている。垂直磁気記録方式の場合では、面内磁気記録方式の場合とは異なり、磁気記録層の磁化容易軸は基板面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて、熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。このような垂直磁気記録媒体としては、例えば特開2002-74648号公報に記載されたような、基板上に軟磁性体からなる軟磁性下地層と、硬磁性体からなる垂直磁気記録層を備える、いわゆる二層型垂直磁気記録ディスクが知られている。

ところで、従来の磁気ディスクは、磁気ディスクの耐久性、信頼性を確保するために、基板上に形成された磁気記録層の上に、保護層と潤滑層を設けている。特に最表面に用いられる潤滑層は、長期安定性、化学物質耐性、摩擦特性、耐熱特性等の様々な特性が求められる。

このような要求に対し、従来は磁気ディスク用潤滑剤として、分子中にヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤が多く用いられてきた。例えば、特開昭６２－６６４１７号公報（特許文献１）などには、分子の両末端にヒドロキシル基を有するHOCH₂CF₂O(C₂F₄O)_p(CF₂O)_qCH₂OHの構造をもつパーフルオロアルキルポリエーテル潤滑剤を塗布した磁気記録媒体などがよく知られている。潤滑剤の分子中にヒドロキシル基が存在すると、保護層とヒドロキシル基との相互作用により、潤滑剤の保護層への付着特性が得られることが知られている。

特開昭６２－６６４１７号公報

上述したように、最近のＨＤＤでは４００Gbit／inch^２以上の情報記録密度が要求されるようになってきたが、これは一つに、ＨＤＤが従来のコンピュータ用記憶装置としてのニーズに加えて、携帯電話やカーナビゲーションシステム、デジタルカメラ等に搭載されるようになってきたことと関係がある。
これらの新規用途の場合、ＨＤＤを搭載する筐体スペースがコンピュータに比べて著しく小さいので、ＨＤＤを小型化する必要がある。このためには、ＨＤＤに搭載する磁気ディスクの径を小径化する必要がある。例えば、コンピュータ用途では３．５インチ型や２．５インチ型の磁気ディスクを用いることが出来たが、上記新規用途の場合では、これよりも小径の、例えば１．８インチ型～０．８インチ型などの小径磁気ディスクが用いられる。このように磁気ディスクを小径化した場合であっても一定以上の情報容量を格納させる必要があるので、勢い、情報記録密度の向上に拍車がかかることになる。

また、限られたディスク面積を有効に利用するために、従来のＣＳＳ（Contact Start and Stop）方式に代えてＬＵＬ（Load Unload：ロードアンロード）方式のＨＤＤが用いられるようになってきた。ＬＵＬ方式では、ＨＤＤの停止時には、磁気ヘッドを磁気ディスクの外に位置するランプと呼ばれる傾斜台に退避させておき、起動動作時には磁気ディスクが回転開始した後に、磁気ヘッドをランプから磁気ディスク上に滑動させ、浮上飛行させて記録再生を行なう。停止動作時には磁気ヘッドを磁気ディスク外のランプに退避させたのち、磁気ディスクの回転を停止する。この一連の動作はＬＵＬ動作と呼ばれる。ＬＵＬ方式のＨＤＤに搭載される磁気ディスクでは、ＣＳＳ方式のような磁気ヘッドとの接触摺動用領域（ＣＳＳ領域）を設ける必要がなく、記録再生領域を拡大させることができ、高情報容量化にとって好ましいからである。

このような状況の下で情報記録密度を向上させるためには、磁気ヘッドの浮上量を低減させることにより、スペーシングロスを限りなく低減する必要がある。１平方インチ当り１００Ｇビット以上の情報記録密度を達成するためには、磁気ヘッドの浮上量は１０ｎｍ以下にする必要がある。ＬＵＬ方式ではＣＳＳ方式と異なり、磁気ディスク面上にＣＳＳ用の凸凹形状を設ける必要が無く、磁気ディスク面上を極めて平滑化することが可能となる。よってＬＵＬ方式のＨＤＤに搭載される磁気ディスクでは、ＣＳＳ方式に比べて磁気ヘッド浮上量を一段と低下させることができるので、記録信号の高Ｓ／Ｎ比化を図ることができ、磁気ディスク装置の高記録容量化に資することができるという利点もある。

最近のＬＵＬ方式の導入に伴う、磁気ヘッド浮上量の一段の低下により、１０ｎｍ以下の低浮上量においても、磁気ディスクが安定して動作することが求められるようになってきた。とりわけ上述したように、近年、磁気ディスクは面内磁気記録方式から垂直磁気記録方式に移行しており、磁気ディスクの大容量化、それに伴うフライングハイトの低下が強く要求されている。

前述したように、最近では、磁気ディスク装置は、従来のパーソナルコンピュータの記憶装置としてだけでなく、携帯電話、カーナビゲーションシステムなどのモバイル用途にも多用されるようになってきており、使用される用途の多様化により、磁気ディスクに求められる環境耐性は非常に厳しいものになってきている。したがって、これらの状況に鑑みると、従来にもまして、磁気ディスクの耐久性や、潤滑層を構成する潤滑剤の耐久性などの更なる向上が急務となっている。

また、近年の磁気ディスクの急速な情報記録密度向上に伴い、磁気ヘッドと磁気ディスクの記録層間の磁気スペーシングの低減が求められており、磁気ヘッドと磁気ディスクの記録層の間に存在する潤滑層は、より一層の薄膜化が必要となってきている。磁気ディスクの最表面の潤滑層に用いられる潤滑剤は、磁気ディスクの耐久性に大きな影響を及ぼすが、たとえ薄膜化しても、磁気ディスクにとって安定性、信頼性は不可欠である。

このように、潤滑層の長期安定性に優れ、近年の高記録密度化に伴う磁気スペーシングの低減や、磁気ヘッドの低浮上量のもとでの高信頼性を有する磁気ディスクの実現が求められ、さらには使用される用途の多様化などにより、磁気ディスクに求められる環境耐性は非常に厳しいものになってきているため、従来にもまして、磁気ディスクの耐久性に大きな影響を及ぼす潤滑層を構成する潤滑剤の耐久性、特にＬＵＬ耐久性や定点浮上特性（ＣＦＴ特性）などの特性のより一層の向上が求められている。

本発明は、このような従来の状況に鑑みなされたもので、その目的とするところは、磁気ディスクの耐久性、特にＬＵＬ耐久性及びＣＦＴ特性に優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクを提供することである。

本発明者は、潤滑剤の耐久性に大きな影響を及ぼす潤滑剤の保護層への付着性について検討した。従来の分子末端にヒドロキシル基を有するような潤滑剤の場合、ディスク上に塗布した後、ベーク処理によって、保護膜と上記ヒドロキシル基との間で化学結合が生じ、潤滑剤の保護層への付着特性が得られるが、この際、保護膜上の活性点（吸着点）すべてが潤滑剤との結合に関与しているわけではない。このような磁気ディスクが磁気ディスク装置に搭載されて使用された場合、潤滑剤との結合に関与していない保護膜上の活性点は、雰囲気中の主にＳｉガス等の有機ガスを次第に吸引し、特に低浮上量の下では、潤滑層表面に吸着された有機コンタミ等が磁気ヘッドへ移着する可能性が高くなり、結果として、ヘッドコンタミによるフライスティクション障害を引き起こす原因となっていた。

本発明者は、鋭意検討の結果、以下の発明により、前記課題が解決できることを見い出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有する２種類の化合物を含有し、かつ該２種類の化合物全体の分子量分布が１～１．２の範囲内であり、該２種類の化合物は、末端にヒドロキシル基を有する化合物ａ、及び、数平均分子量が前記化合物ａの数平均分子量よりも小さく且つ１５００以下である化合物ｂを含有し、該２種類の化合物中の前記化合物ｂの含有率が１０％以下である潤滑剤が成膜されてなることを特徴とする磁気ディスク。
（構成２）前記化合物ａの数平均分子量が、１０００～１００００の範囲であることを特徴とする構成１に記載の磁気ディスク。

　構成１に係る発明によれば、潤滑剤が低分子量の化合物ｂを含有するため、高分子量の潤滑剤化合物ａと結合しなかった保護膜上の活性点は、低分子量の化合物ｂと結合し、結果的に潤滑剤と結合していない保護膜上の活性点を少なくすることで、有機コンタミの吸着を抑制することが可能であり、フライスティクション障害の発生を抑止し、磁気ディスクのＬＵＬ耐久性やＣＦＴ特性などの特性が従来にもまして優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、しかも用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクが得られる。
また、構成２に係る発明にあるように、前記潤滑層中に含有される前記潤滑剤化合物ａの数平均分子量は、１０００～１００００の範囲であることが特に好ましい。適度な粘度による修復性を備え、好適な潤滑性能を発揮し、しかも優れた耐熱性を兼ね備えることができるからである。

（構成３）基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有する化合物を含有し、該化合物の分子量分布が１～１．２の範囲で且つ数平均分子量が１５００以下のものを１０％以下含有することを特徴とする磁気ディスク。

（構成４）前記化合物は、分子の末端にヒドロキシル基を有する化合物であることを特徴とする構成３に記載の磁気ディスク。
（構成５）前記潤滑層中に含有される前記化合物の数平均分子量が、１０００～１００００の範囲であることを特徴とする構成３又は４に記載の磁気ディスク。

（構成６）前記保護層は、プラズマＣＶＤ法により成膜された炭素系保護層であることを特徴とする構成３乃至５のいずれか１項に記載の磁気ディスク。
（構成７）ロードアンロード方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクであることを特徴とする構成３乃至６のいずれか１項に記載の磁気ディスク。

（構成８）基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクの製造方法であって、前記潤滑層は、分子中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有するパーフルオロポリエーテル化合物を含有する潤滑剤を分子蒸留精製し、前記化合物の分子量分布が１～１．２の範囲で、且つ数平均分子量が１５００以下のものの含有量を１０％以下とした潤滑剤を前記保護層上に成膜して形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
（構成９）前記潤滑層を成膜した後に、前記磁気ディスクを５０℃～１５０℃の雰囲気に曝すことを特徴とする構成８に記載の磁気ディスクの製造方法。

　構成３に係る発明によれば、潤滑剤化合物の分子量分布が低分子領域側を含み、低分子量の潤滑剤化合物を含有するため、高分子量の潤滑剤化合物と結合しなかった保護膜上の活性点は、低分子量の潤滑剤化合物と結合し、結果的に潤滑剤と結合していない保護膜上の活性点を少なくすることで、有機コンタミの吸着を抑制することが可能であり、フライスティクション障害の発生を抑止し、磁気ディスクのＬＵＬ耐久性やＣＦＴ特性などの特性が従来にもまして優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、しかも用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクが得られる。

また、構成４に係る発明にあるように、潤滑層に含有される前記化合物は、分子の末端にヒドロキシル基を有する化合物であることが特に好ましい。ヒドロキシル基は、保護層、とりわけ炭素系保護層との相互作用が大きく、潤滑層と保護層の付着性を高められるからである。

また、構成５に係る発明にあるように、前記潤滑層中に含有される前記化合物の数平均分子量は、１０００～１００００の範囲であることが特に好ましい。適度な粘度による修復性を備え、好適な潤滑性能を発揮し、しかも優れた耐熱性を兼ね備えることができるからである。

また、構成６に係る発明にあるように、前記保護層は、プラズマＣＶＤ法により成膜された炭素系保護層であることが特に好ましい。プラズマＣＶＤ法によれば、表面が均一で密に成膜された炭素系保護層を形成でき、本発明にとっては好適だからである。

また、構成７に係る発明にあるように、本発明の磁気ディスクは、特にＬＵＬ方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクとして好適である。ＬＵＬ方式の導入に伴う磁気ヘッド浮上量の一段の低下により、１０ｎｍ以下の低浮上量においても磁気ディスクが安定して動作することが求められるようになってきており、低浮上量のもとで高い信頼性を有する本発明の磁気ディスクは好適である。

また、構成８に係る発明にあるように、低浮上量のもとで高い信頼性を有する本発明の磁気ディスクは、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクの製造方法であって、前記潤滑層は、分子中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有するパーフルオロポリエーテル化合物を含有する潤滑剤を分子蒸留精製し、前記化合物の分子量分布が１～１．２の範囲で、且つ数平均分子量が１５００以下のものの含有量を１０％以下とした潤滑剤を前記保護層上に成膜して形成する磁気ディスクの製造方法によって好適に得られる。

また、構成９に係る発明にあるように、構成８の磁気ディスクの製造方法において、前記潤滑層を成膜した後に、前記磁気ディスクを５０℃～１５０℃の雰囲気に曝すことにより、成膜した潤滑層の保護層への付着力をより向上させることができる。

（構成１０）基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にはヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル化合物ａ、及び、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つヒドロキシル基と鎖状分子の両末端に芳香族基とを有する数平均分子量が１５００以下の化合物ｂを含有する潤滑剤が成膜されてなることを特徴とする磁気ディスク。

（構成１１）前記潤滑層中に含有される前記化合物ａの数平均分子量が、１０００～１００００の範囲であることを特徴とする構成１０に記載の磁気ディスク。

（構成１２）前記保護層は、プラズマＣＶＤ法により成膜された炭素系保護層であることを特徴とする構成１０又は１１に記載の磁気ディスク。
（構成１３）ロードアンロード方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクであることを特徴とする構成１０乃至１２のいずれか１項に記載の磁気ディスク。

　構成１０に係る発明によれば、前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にはヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル化合物ａ（以下、潤滑剤化合物ａと称する）、及び、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つヒドロキシル基と鎖状分子の両末端に芳香族基とを有する数平均分子量が１５００以下の化合物ｂを含有する潤滑剤が成膜されてなるため、保護膜上の活性点との吸着力が強いヒドロキシル基及び比較的広い範囲で活性点と相互作用し得る芳香族基の両方を有する低分子量の化合物ｂは、高分子量の潤滑剤化合物ａの空間的な隙間にも入り込み、高分子量の潤滑剤化合物ａと結合していない保護膜上の活性点と効率的に結合し、結果的に潤滑剤化合物ａまたは化合物ｂのいずれとも結合していない保護膜上の活性点を少なくすることで、有機コンタミの吸着を抑制することが可能であり、フライスティクション障害の発生を抑止し、磁気ディスクのＬＵＬ耐久性やＣＦＴ特性などの特性が従来にもまして優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、しかも用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクが得られる。

また、構成１１に係る発明にあるように、前記潤滑層中に含有される前記化合物ａの数平均分子量は、１０００～１００００の範囲であることが特に好ましい。適度な粘度による修復性を備え、好適な潤滑性能を発揮し、しかも優れた耐熱性を兼ね備えることができるからである。

また、構成１２に係る発明にあるように、前記保護層は、プラズマＣＶＤ法により成膜された炭素系保護層であることが特に好ましい。プラズマＣＶＤ法によれば、表面が均一で密に成膜された炭素系保護層を形成でき、本発明にとっては好適だからである。

また、構成１３に係る発明にあるように、本発明の磁気ディスクは、特にＬＵＬ方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクとして好適である。ＬＵＬ方式の導入に伴う磁気ヘッド浮上量の一段の低下により、１０ｎｍ以下の低浮上量においても磁気ディスクが安定して動作することが求められるようになってきており、低浮上量のもとで高い信頼性を有する本発明の磁気ディスクは好適である。

（構成１４）基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にはヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル化合物ａ、及び、
　化学式

で示される化合物ｂと酸化アルミニウムとの反応により得られる化合物ｃを含有する潤滑剤が成膜されてなることを特徴とする磁気ディスク。

（構成１５）前記潤滑層中に含有される前記化合物ａの数平均分子量が、１０００～１００００の範囲であることを特徴とする構成１４に記載の磁気ディスク。

（構成１６）前記保護層は、プラズマＣＶＤ法により成膜された炭素系保護層であることを特徴とする構成１４又は１５に記載の磁気ディスク。
（構成１７）ロードアンロード方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクであることを特徴とする構成１４乃至１６のいずれか１項に記載の磁気ディスク。

　構成１４に係る発明によれば、前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にはヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル化合物ａ（以下、潤滑剤化合物ａと称する）、及び、前記化合物ｂと酸化アルミニウムとの反応により得られる低分子量の化合物ｃを含有する潤滑剤が成膜されてなるため、低分子量の化合物ｃは、高分子量の潤滑剤化合物ａの空間的な隙間にも入り込み、高分子量の潤滑剤化合物ａと結合していない保護膜上の活性点と結合し、結果的に潤滑剤化合物ａまたは化合物ｃのいずれとも結合していない保護膜上の活性点を少なくすることで、有機コンタミの吸着を抑制することが可能であり、フライスティクション障害の発生を抑止し、磁気ディスクのＬＵＬ耐久性やＣＦＴ特性などの特性が従来にもまして優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、しかも用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクが得られる。

また、構成１５に係る発明にあるように、前記潤滑層中に含有される前記化合物ａの数平均分子量は、１０００～１００００の範囲であることが特に好ましい。適度な粘度による修復性を備え、好適な潤滑性能を発揮し、しかも優れた耐熱性を兼ね備えることができるからである。

また、構成１６に係る発明にあるように、前記保護層は、プラズマＣＶＤ法により成膜された炭素系保護層であることが特に好ましい。プラズマＣＶＤ法によれば、表面が均一で密に成膜された炭素系保護層を形成でき、本発明にとっては好適だからである。

また、構成１７に係る発明にあるように、本発明の磁気ディスクは、特にＬＵＬ方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクとして好適である。ＬＵＬ方式の導入に伴う磁気ヘッド浮上量の一段の低下により、１０ｎｍ以下の低浮上量においても磁気ディスクが安定して動作することが求められるようになってきており、低浮上量のもとで高い信頼性を有する本発明の磁気ディスクは好適である。

本発明によれば、磁気ディスクの耐久性、特にＬＵＬ耐久性及びＣＦＴ特性に優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、しかも用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する（安定した動作を保証できる）磁気ディスクを提供することができる。

本発明の磁気ディスクの一実施例の模式的断面図である。

　以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の磁気ディスクは、構成１にあるように、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有する２種類の化合物を含有し、かつ該２種類の化合物全体の分子量分布が１～１．２の範囲内であり、該２種類の化合物は、末端にヒドロキシル基を有する化合物ａ、及び、数平均分子量が前記化合物ａの数平均分子量よりも小さく且つ１５００以下である化合物ｂを含有し、該２種類の化合物中の前記化合物ｂの含有率が１０％以下である潤滑剤が成膜されてなることを特徴とする磁気ディスクである。

　かかる発明によれば、潤滑剤が低分子量の化合物ｂを含有するため、高分子量の潤滑剤化合物ａと結合しなかった保護膜上の活性点は、低分子量の化合物ｂと結合し、結果的に潤滑剤と結合していない保護膜上の活性点を少なくすることで、有機コンタミの吸着を抑制することが可能であり、フライスティクション障害の発生を抑止し、磁気ディスクのＬＵＬ耐久性やＣＦＴ特性などの特性が従来にもまして優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、しかも用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクが得られる。
ここで、潤滑層中に含有される前記潤滑剤化合物ａの数平均分子量は、１０００～１００００の範囲であることが特に好ましい。適度な粘度による修復性を備え、好適な潤滑性能を発揮し、しかも優れた耐熱性を兼ね備えることができるからである。

　本発明の効果を好適に発揮させるためには、高分子量の前記潤滑剤化合物ａとこれよりも低分子量の前記化合物ｂとの分子量の差は、数平均分子量で、５００～２０００程度の範囲であることが好ましい。

本発明としては、以下の実施の形態が好ましく挙げられる。
次に、本発明の実施の形態を挙げて更に詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
本発明の第１の実施の形態に係る磁気ディスクは、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有する化合物を含有し、該化合物の分子量分布が１～１．２の範囲で且つ数平均分子量が１５００以下のものを１０％以下含有することを特徴としている。

本発明の磁気ディスクにおける潤滑層に含有される潤滑剤化合物は構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有する化合物であって、例えば、
　化学式

で示される化合物（以下、本発明に係る潤滑剤化合物(I)と称する）、または、
　化学式

で示される化合物（以下、本発明に係る潤滑剤化合物(II)と称する）が挙げられる。
また、この他には、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にはヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル基同士が、構造中に少なくともヒドロキシル基を有する連結基を介して結合している化合物（以下、本発明に係る潤滑剤化合物(III)と称する）が好ましく挙げられる。

本発明の磁気ディスクにおける潤滑層に含有される本発明に係る潤滑剤化合物(I)は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ末端には４個のヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル系化合物である。また、本発明に係る潤滑剤化合物(II)は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ末端には２個のヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル系化合物である。なお、これらのパーフルオロポリエーテル系潤滑剤は、市販品としては、例えばソルベイソレクシス社製のフォンブリンゼットテトラオール（商品名）およびフォンブリンゼットドール（商品名）を用いることができる。

また、本発明に係る潤滑剤化合物(III)は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ末端にはヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル基同士が、構造中に少なくともヒドロキシル基を有する連結基を介して結合している化合物であるが、上記連結基は、構造中に少なくともヒドロキシル基を有するものであればよく、たとえば、－(ＣＲ_１Ｒ_２)－で示される基を有する基である。ここで、Ｒ_１、Ｒ_２はそれぞれ水素原子またはヒドロキシル基である。

上記パーフルオロポリエーテル基は、その構造中に例えば、－(Ｏ-Ｃ_２Ｆ_４)ｍ－(Ｏ-ＣＦ_２)ｎ－（ｍ、ｎはそれぞれ１以上の整数である。）で示されるパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ末端にはヒドロキシル基を有するものであり、かかるパーフルオロポリエーテル基としては、例えば下記式（I）で示される基が好ましく挙げられる。
式（I）

式中、ｍ、ｎはそれぞれ１以上の整数である。

本発明に係る潤滑剤化合物(III)の製造方法としては、たとえば、分子中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル化合物の２当量又は３当量と、該パーフルオロポリエーテル化合物と反応してヒドロキシル基を生成しうる構造を有する脂肪族化合物の１当量とを反応させることによる製造方法が好ましく挙げられる。
上記脂肪族化合物としては、例えば、末端にエポキシド構造を有するジエポキシ化合物が好ましく挙げられる。このような化合物を用いることにより、本発明に係る潤滑剤化合物(III)を高純度、高収率で得ることが可能である。このようなジエポキシ化合物の具体的例示を以下に挙げるが、本発明はこれには限定されない。

また、上記パーフルオロポリエーテル化合物としては、たとえば分子末端にヒドロキシル基を有する下記式（II）で示されるパーフルオロジオール化合物が挙げられる。
式（II）

式中、ｍ、ｎはそれぞれ１以上の整数である。

つまり、塩基条件下で、末端にヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル化合物を塩基に作用させアルコキシドとし、このアルコキシドが、末端にエポキシド構造を有する脂肪族化合物と求核開環反応を行うことにより、パーフルオロポリエーテル化合物同士が上記脂肪族化合物から変じた連結基を介して結合された２量体又は３量体化合物が得られる。
　以下に、本発明に係る潤滑剤化合物(III)の例示化合物を挙げるが、本発明はこれらの化合物には限定されない。

本発明では、潤滑層を構成する潤滑剤として、例えば上記本発明に係る潤滑剤化合物(I)、(II)、(III)をそれぞれ単独で使用してもよいし、これらを適宜混合して使用してもよい。混合して使用する場合の組合せは任意である。

　本発明では、適当な方法で分子量分画することにより、潤滑層中に含有される潤滑剤化合物の分子量分布（重量平均分子量（Mw）／数平均分子量（Mn）比）が１～１．２の範囲で且つ数平均分子量が１５００以下のものの含有量を１０％以下とする。特に好ましくは、分子量分布が１～１．２の範囲で且つ数平均分子量が８００～１５００の範囲のものを５～１０％の範囲内で含有することである。
本発明の潤滑層中に含有される潤滑剤化合物は、要するに、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有する高分子量の化合物と低分子量の化合物の２種類の化合物を含有していることになり、該２種類の化合物全体の分子量分布が１～１．２の範囲である。この２種類の化合物は、好ましくは末端にヒドロキシル基を有する高分子量の化合物ａ、及び、該化合物ａよりも低分子量、つまり該化合物ａよりも数平均分子量が小さく且つ１５００以下である化合物ｂを含有する。そして、この２種類の化合物中の化合物ｂの含有率が１０％以下である。

　従来の潤滑剤は、分子量分布をできるだけ狭く、なお且つ低分子量領域側が除去されるように分子量分画を行っていたが、このような潤滑剤を用いて潤滑層を形成した場合、潤滑剤との結合に関与していない保護膜上の活性点が多く残ったままとなり、有機コンタミの吸着によるフライスティクション障害の発生の原因となっていた。

これに対し本発明においては、潤滑剤化合物の分子量分布が低分子領域側を含み、低分子量の潤滑剤化合物を含有するため、高分子量の潤滑剤化合物と結合しなかった保護膜上の活性点は、低分子量の潤滑剤化合物と結合し、結果的に潤滑剤と結合していない保護膜上の活性点を少なくすることで、有機コンタミの吸着を抑制することが可能であり、フライスティクション障害の発生を抑止する。これによって、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、しかも用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクが得られる。

本発明において、分子量分画する方法に特に制限を設ける必要は無いが、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（GPC）法による分子量分画や、超臨界抽出法による分子量分画などを用いることができる。
本発明に係る潤滑剤の分子量は特に制約はされないが、例えば数平均分子量（Ｍｎ）が、１０００～１００００の範囲であることが好ましく、１０００～６０００の範囲であることが更に好ましい。適度な粘度による修復性を備え、好適な潤滑性能を発揮できるからである。

なお、本発明に係る潤滑剤化合物(III)は、パーフルオロポリエーテル化合物同士が結合基を介して結合している化合物からなるため、パーフルオロポリエーテルの２量化または３量化による高分子量のものが得られ、熱分解による低分子化を抑制できるので、かかる潤滑剤を用いて磁気ディスクとした場合、その耐熱性を向上させることができる。近年の高記録密度化に伴う磁気ヘッドの浮上量が一段と低下（１０ｎｍ以下）したことにより、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との接触、摩擦が頻発する可能性が高くなる。また、磁気ヘッドが接触した場合には磁気ディスク表面からすぐに離れずにしばらく摩擦摺動することがある。また、近年の磁気ディスクの高速回転による記録再生のため、従来以上に接触や摩擦による発熱が生じている。従って、このような熱の発生により、磁気ディスク表面の潤滑層材料が熱分解を起こす可能性が従来よりも高くなり、この熱分解され低分子化し流動性の高まった潤滑剤が磁気ヘッドに付着することで、データの読み込み、書き込みに支障を来たす可能性が懸念される。さらに、近い将来の磁気ヘッドと磁気ディスクとを接触させた状態でのデータの記録再生を考えたとき、常時接触による熱発生の影響がさらに懸念される。このような状況を考えると、潤滑層に求められる耐熱性の更なる向上が望まれており、潤滑剤化合物(III)は特に好適である。

本発明に係る潤滑剤を用いて潤滑層を成膜するにあたっては、潤滑剤を適当な溶媒に分散溶解させた溶液を用いて、例えばディップ法により塗布して成膜することができる。溶媒としては、例えばフッ素系溶媒（三井デュポンフロロケミカル社製商品名バートレルＸＦなど）を好ましく用いることができる。潤滑層の成膜方法はもちろん上記ディップ法には限らず、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法などの成膜方法を用いてもよい。
本発明においては、成膜した潤滑層の保護層への付着力をより向上させるために、成膜後に磁気ディスクを５０℃～１５０℃の雰囲気に曝してもよい。

本発明にあっては、潤滑層の膜厚は、５～２０Åとするのがよい。５Å未満では、潤滑層としての潤滑性能が低下する場合がある。また２０Åを超えると、薄膜化の観点から好ましくない。

［第２の実施の形態］
本発明の第２の実施の形態に係る磁気ディスクは、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、前記潤滑層は、潤滑剤化合物ａ、及び、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つヒドロキシル基と鎖状分子の両末端に芳香族基とを有する数平均分子量が１５００以下の化合物ｂを含有する潤滑剤が成膜されてなることを特徴としている。

本発明の磁気ディスクにおける潤滑層に含有される上記潤滑剤化合物ａは構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にはヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル化合物であって、例えば、
　化学式

で示される化合物が好ましく挙げられる。

本発明の磁気ディスクにおける潤滑層に含有される潤滑剤化合物ａの上記例示化合物は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ末端には４個のヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル系化合物である。また、本発明に係る潤滑剤化合物ａとして、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ末端には２個のヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル系化合物を用いることもできる。なお、これらのパーフルオロポリエーテル系潤滑剤は、市販品としては、例えばソルベイソレクシス社製のフォンブリンゼットテトラオール（商品名）およびフォンブリンゼットドール（商品名）を用いることができる。

　また、本発明における潤滑層を形成するための潤滑剤中に含有される化合物ｂは、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つヒドロキシル基と鎖状分子の両末端に芳香族基とを有する数平均分子量が１５００以下の化合物である。
この場合の芳香族基としては、例えばフェニル基が代表例として挙げられるが、このほかに、ナフチレン基、ビフェニレン基、フタルイミジル基、アニリン基なども挙げられる。なお、芳香族基は適当な置換基を有していてもよい。

このように潤滑層に潤滑剤化合物ａとともに含有される化合物ｂは、例えば構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有する鎖状分子の両末端に例えばフェニル基等の芳香族基を有する化合物であるが、本発明による作用効果が更に好ましく発揮されるためには、構造中に芳香族基のほかにヒドロキシル基を有する化合物であることが好ましい。例えば構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有する鎖状分子の両末端に芳香族基とヒドロキシル基の両方を有する化合物であることが特に好ましい。

以下に、本発明に係る上記化合物ｂの例示化合物を挙げるが、本発明はこれらの化合物には限定されない。

本発明に係る上記化合物ｂの製造方法としては、たとえば、分子中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有するパーフルオロポリエーテル化合物に対して、例えばエポキシ基と芳香族基を有している化合物（例えばグリシジルフェニルエーテル）の２当量を反応させることによる製造方法が好ましく挙げられる。

上記エポキシ基と芳香族基を有している化合物としては特に限定されず、例えば、下記化合物等が挙げられる。

本発明に係る上記化合物ｂの分子量は、本発明による作用効果が好ましく発揮されるためには、例えば数平均分子量（Ｍｎ）が１５００以下の範囲であることが好ましく、５００～１５００の範囲であることが更に好ましい。

本発明では、潤滑層を形成する潤滑剤として、上記潤滑剤化合物ａと上記化合物ｂを混合して使用する。混合して使用する場合の混合比は、潤滑剤化合物ａ／化合物ｂの重量比が、８：２～９：１程度の範囲内とすることが好ましい。潤滑剤中における潤滑剤化合物ａの割合が上記範囲よりも少ないと、良好な潤滑性能が得られない場合が生じる。また、潤滑剤中における化合物ｂの割合が上記範囲よりも少ないと、低分子量の化合物ｂが、高分子量の潤滑剤化合物ａと結合していない保護膜上の活性点と効率的に結合し、結果的に潤滑剤化合物ａまたは化合物ｂのいずれとも結合していない保護膜上の活性点を少なくすることで、有機コンタミの吸着を抑制するという作用効果が得られにくい。

本発明に係る潤滑剤化合物ａの分子量は特に制約はされないが、例えば数平均分子量（Ｍｎ）が、１０００～１００００の範囲であることが好ましく、１０００～６０００の範囲であることが更に好ましい。適度な粘度による修復性を備え、好適な潤滑性能を発揮できるからである。
分子量分画する方法に特に制約されないが、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（GPC）法による分子量分画や、超臨界抽出法による分子量分画などを用いることができる。
本実施の形態によれば、潤滑層中に含有される潤滑剤化合物は、要するに、好ましくは構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有する高分子量の化合物と低分子量の化合物の２種類の化合物を含有していることになり、この２種類の化合物は、好ましくは末端にヒドロキシル基を有する高分子量の化合物ａ、及び、該化合物ａよりも低分子量、つまり該化合物ａよりも数平均分子量が小さく且つ１５００以下である化合物ｂである。本実施の形態において、この２種類の化合物全体の分子量分布は１～１．２の範囲内であることが好ましい。そして、この２種類の化合物中の化合物ｂの含有率が特に１０％以下であることが好ましい。

本実施の形態における上記潤滑剤を用いて潤滑層を成膜する方法は前述の第１の実施の形態と同様である。
また、潤滑層の膜厚についても、第１の実施の形態と同様、５～２０Åとするのがよい。

［第３の実施の形態］
本発明の第３の実施の形態に係る磁気ディスクは、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、前記潤滑層は、潤滑剤化合物ａ、及び、
　化学式

で示される化合物ｂと酸化アルミニウムとの反応により得られる化合物ｃを含有する潤滑剤が成膜されてなることを特徴としている。

本実施の形態の磁気ディスクにおける潤滑層に含有される潤滑剤化合物ａは構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にはヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル化合物であって、例えば、
　化学式

で示される化合物が好ましく挙げられる。

本発明の磁気ディスクにおける潤滑層に含有される潤滑剤化合物ａの上記例示化合物は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ末端には４個のヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル系化合物である。また、本発明に係る潤滑剤化合物ａとして、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ末端には２個のヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル系化合物を用いることもできる。なお、これらのパーフルオロポリエーテル系潤滑剤は、市販品としては、例えばソルベイソレクシス社製のフォンブリンゼットテトラオール（商品名）およびフォンブリンゼットドール（商品名）を用いることができる。

　また、本発明における潤滑層を形成するための潤滑剤中に含有される化合物ｃは、
化学式

で示される化合物ｂと酸化アルミニウムとの反応により得られる。すなわち、上記化合物ｂ（例えば重量平均分子量が３０００～７０００程度のもの）と酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ_２Ｏ_３）を適当な混合比で混合して加熱すると、上記化合物ｂの主鎖のＣ－Ｃ結合が切断されて、低分子量化した化合物ｃが得られる。なお、酸化アルミニウムは精製して除去する。
　上記化合物ｃは、上記化合物ｂと酸化アルミニウムとの反応によって得られる低分子量化したものであれば、化合物ｃの分子量は特に制約はないが、本発明による作用効果が好ましく発揮されるためには、例えば数平均分子量（Ｍｎ）が１５００以下の範囲であることが好ましく、５００～１５００の範囲であることが更に好ましい。

本発明では、潤滑層を形成する潤滑剤として、上記潤滑剤化合物ａと上記化合物ｃを混合して使用する。混合して使用する場合の混合比は、潤滑剤化合物ａ／化合物ｃの重量比が、８：２～９：１程度の範囲内とすることが好ましい。潤滑剤中における潤滑剤化合物ａの割合が上記範囲よりも少ないと、良好な潤滑性能が得られない場合が生じる。また、潤滑剤中における化合物ｃの割合が上記範囲よりも少ないと、低分子量の化合物ｃが、高分子量の潤滑剤化合物ａと結合していない保護膜上の活性点と結合し、結果的に潤滑剤化合物ａまたは化合物ｃのいずれとも結合していない保護膜上の活性点を少なくすることで、有機コンタミの吸着を抑制するという作用効果が得られにくい。

本発明に係る潤滑剤化合物ａの分子量は特に制約はされないが、例えば数平均分子量（Ｍｎ）が、１０００～１００００の範囲であることが好ましく、１０００～６０００の範囲であることが更に好ましい。適度な粘度による修復性を備え、好適な潤滑性能を発揮できるからである。
また、上記化合物ｂは、市販品のものを入手することが可能である。その分子量は特に制約されないが、市販品を用いる場合は、適当な分子量分画により、例えば重量平均分子量が３０００～７０００程度としたものが適当である。
分子量分画する方法に特に制約されないが、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（GPC）法による分子量分画や、超臨界抽出法による分子量分画などを用いることができる。
本実施の形態によれば、潤滑層中に含有される潤滑剤化合物は、要するに、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有する高分子量の化合物と低分子量の化合物の２種類の化合物を含有していることになり、この２種類の化合物は、末端にヒドロキシル基を有する高分子量の化合物ａ、及び、該化合物ａよりも低分子量、つまり該化合物ａよりも数平均分子量が小さく、好ましくは１５００以下である化合物ｃである。本実施の形態において、この２種類の化合物全体の分子量分布は１～１．２の範囲内であることが好ましい。そして、この２種類の化合物中の化合物ｃの含有率が特に１０％以下であることが好ましい。

本実施の形態における上記潤滑剤を用いて潤滑層を成膜する方法は前述の第１の実施の形態と同様である。
また、潤滑層の膜厚についても、第１の実施の形態と同様、５～２０Åとするのがよい。

また、上述した第１乃至第３の実施の形態において、保護層としては、炭素系保護層を好ましく用いることができる。特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層はとくに炭素系保護層であることにより、本発明に係る潤滑剤の極性基（特にヒドロキシル基）と保護層との相互作用が一層高まり、本発明による作用効果がより一層発揮されるため好ましい態様である。

本発明における炭素系保護層においては、たとえば保護層の潤滑層側に窒素を含有させ、磁性層側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。

本発明において炭素系保護層を用いる場合は、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができるが、特にプラズマＣＶＤ法により成膜されたアモルファス炭素保護層とすることが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜することで保護層表面が均一となり密に成膜される。従って、より粗さが小さいＣＶＤ法で成膜された保護層上に本発明による潤滑層を形成することは好ましい。
本発明にあっては、保護層の膜厚は、２０～７０Åとするのがよい。２０Å未満では、保護層としての性能が低下する場合がある。また７０Åを超えると、薄膜化の観点から好ましくない。

本発明の磁気ディスクにおいては、基板はガラス基板であることが好ましい。ガラス基板は剛性があり、平滑性に優れるので、高記録密度化には好適である。ガラス基板としては、例えばアルミノシリケートガラス基板が挙げられ、特に化学強化されたアルミノシリケートガラス基板が好適である。
　本発明においては、上記基板の主表面の粗さは、Ｒｍａｘが６ｎｍ以下、Ｒａが０．６ｎｍ以下の超平滑であることが好ましい。なお、ここでいう表面粗さＲｍａｘ、Ｒａは、ＪＩＳ　Ｂ０６０１の規定に基づくものである。

　本発明の磁気ディスクは、基板上に少なくとも磁性層と保護層と潤滑層を備えているが、本発明において、上記磁性層は特に制限はなく、面内記録方式用磁性層であっても、垂直記録方式用磁性層であってもよいが、とくに垂直記録方式用磁性層は近年の急速な高記録密度化の実現に好適である。とりわけ、ＣｏＰｔ系磁性層であれば、高保磁力と高再生出力を得ることができるので好適である。

　本発明の磁気ディスクにおいては、基板と磁性層との間に、必要に応じて下地層を設けることができる。また、該下地層と基板との間に付着層や軟磁性層等を設けることもできる。この場合、上記下地層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ，ＣｏＷ，ＣｒＷ，ＣｒＶ，ＣｒＴｉ合金層などが挙げられ、上記付着層としては、例えば、ＣｒＴｉ，ＮｉＡｌ，ＡｌＲｕ合金層などが挙げられる。また、上記軟磁性層としては、例えばＣｏＺｒＴａ合金膜などが挙げられる。
　高記録密度化に好適な垂直磁気記録ディスクとしては、基板上に付着層、軟磁性層、下地層、磁性層（垂直磁気記録層）、炭素系保護層、潤滑層を備える構成が好適である。この場合、上記垂直磁気記録層の上に交換結合制御層を介して補助記録層を設けることも好適である。

本発明の磁気ディスクは、特にＬＵＬ方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクとして好適である。ＬＵＬ方式の導入に伴う磁気ヘッド浮上量の一段の低下により、１０ｎｍ以下の低浮上量においても磁気ディスクが安定して動作することが求められるようになってきており、低浮上量のもとで高い信頼性を有する本発明の磁気ディスクは好適である。

　以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。
　なお、以下の実施例１及び実施例２は、前述の第１の実施の形態に対応する実施例である。
（実施例１）
図１は、本発明の一実施例による磁気ディスク１０である。
磁気ディスク１０は、基板１上に、付着層２、軟磁性層３、第１下地層４、第２下地層５、磁性層６、炭素系保護層７、潤滑層８が順次形成されてなる。

（潤滑剤の製造）
前記式（II）で示されるパーフルオロジオール化合物の２当量と、前記例示のジエポキシ化合物の１当量とを塩基条件下で反応させることにより、本発明の潤滑剤化合物(III)の前記例示化合物を製造した。具体的には、上記の両化合物をアセトン中で撹拌し、水酸化ナトリウムを加えてさらにリフラックス（reflux）した。なお、反応温度、時間等の条件はそれぞれ適宜設定した。
上記のようにして得られた化合物からなる潤滑剤は、超臨界抽出法により分子量分画を行い、ＮＭＲ法で測定した数平均分子量が３０００、分子量分布（重量平均分子量（Mw）／数平均分子量（Mn）比）が１～１．２の範囲で且つ数平均分子量が１５００以下のものの含有量を１０％以下となるように調整した。

（磁気ディスクの製造）
化学強化されたアルミノシリケートガラスからなる２．５インチ型ガラスディスク（外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、ディスク厚０．６３５ｍｍ）を準備し、ディスク基板１とした。ディスク基板１の主表面は、Ｒｍａｘが２．１３ｎｍ、Ｒａが０．２０ｎｍに鏡面研磨されている。
このディスク基板１上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａｒガス雰囲気中で、順次、Ｔｉ系の付着層２、Ｆｅ系の軟磁性層３、ＮｉＷの第１下地層４、Ｒｕの第２下地層５、ＣｏＣｒＰｔ磁性層６を成膜した。この磁性層は垂直磁気記録方式用磁性層である。
引き続き、プラズマＣＶＤ法により、ダイヤモンドライク炭素保護層７を膜厚５０Åで成膜した。

次に、潤滑層８を以下のようにして形成した。
上記のように製造し、超臨界抽出法により分子量分画した本発明の潤滑剤（前記例示化合物）からなる潤滑剤を、フッ素系溶媒である三井デュポンフロロケミカル社製バートレルＸＦ（商品名）に０．２重量％の濃度で分散溶解させた溶液を調整した。この溶液を塗布液とし、保護層７まで成膜された磁気ディスクを浸漬させ、ディップ法で塗布することにより潤滑層８を成膜した。
成膜後に、磁気ディスクを真空焼成炉内で１３０℃、９０分間で加熱処理した。潤滑層８の膜厚をフーリエ変換型赤外分光光度計（ＦＴＩＲ）で測定したところ１２Åであった。こうして、実施例１の磁気ディスク１０を得た。

次に、以下の試験方法により、実施例１の磁気ディスクの評価を行った。
（磁気ディスクの評価）
（１）まず、ＣＦＴ特性評価試験（定位置浮上試験）を行った。
　上記で得られた磁気ディスクを予めＳｉガス雰囲気中に２４時間放置してから、試験を行った。定点位置は、ディスク内周側（ディスク半径１５ｍｍ位置）とした。なお、ＣＦＴ試験は過酷環境とするために、温度７０℃、相対湿度８０％の環境で実施した。
その結果、実施例１の磁気ディスクは、連続４週間の定点連続浮上に耐久することができ、過酷な条件下においても、ＣＦＴ特性に極めて優れていることがわかった。また、上記ＣＦＴ試験後の磁気ヘッド及び磁気ディスクの表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に調査したが、傷や腐食現象は観察されなかった。

（２）次に、磁気ディスクのＬＵＬ（ロードアンロード）耐久性を評価するために、ＬＵＬ耐久性試験を行なった。
ＬＵＬ方式のＨＤＤ（５４００ｒｐｍ回転型）を準備し、浮上量が５ｎｍの磁気ヘッドと実施例の磁気ディスクを搭載した。磁気ヘッドのスライダーはＮＰＡＢ（負圧）スライダーであり、再生素子は磁気抵抗効果型素子（ＧＭＲ素子）を搭載している。シールド部はＦｅＮｉ系パーマロイ合金である。このＬＵＬ方式ＨＤＤに連続ＬＵＬ動作を繰り返させて、故障が発生するまでに磁気ディスクが耐久したＬＵＬ回数を計測した。

その結果、実施例１の磁気ディスクは、５ｎｍの超低浮上量の下で障害無く７０万回のＬＵＬ動作に耐久し、フライスティクション障害も発生しなかった。通常のＨＤＤの使用環境下ではＬＵＬ回数が４０万回を超えるには概ね１０年程度の使用が必要と言われており、現状では６０万回以上耐久すれば好適であるとされているので、実施例１の磁気ディスクは極めて高い信頼性を備えていると言える。
ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ディスク表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したが、傷や汚れ等の異常は観察されず良好であった。また、ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ヘッドの表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したが、傷や汚れ等の異常は観察されず、また、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着や、腐食障害も観察されず良好であった。

（実施例２）
潤滑剤として、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤であるソルベイソレクシス社製のフォンブリンゼットテトラオール（商品名）をＧＰＣ法で分子量分画し、ＮＭＲ法で測定した数平均分子量が３０００、分子量分布（重量平均分子量（Mw）／数平均分子量（Mn）比）が１～１．２の範囲で且つ数平均分子量が１５００以下のものの含有量を１０％以下となるように調整したものを使用した。この点以外は実施例１と同様にして製造した磁気ディスクを実施例２とした。

次に、実施例１と同様に、磁気ディスクをＳｉガス雰囲気中にさらしてから、ＣＦＴ特性評価試験を行った結果、連続４週間の定点連続浮上に耐久することができ、過酷な条件下においても、ＣＦＴ特性に極めて優れていることがわかった。また、上記ＣＦＴ試験後の磁気ヘッド及び磁気ディスクの表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に調査したが、傷や腐食現象は観察されなかった。

また、実施例１と同様にして、ＬＵＬ耐久性試験を行なった結果、本実施例２の磁気ディスクは、５ｎｍの超低浮上量の下で障害無く７０万回のＬＵＬ動作に耐久し、フライスティクション障害も発生しなかった。実施例２の磁気ディスクは極めて高い信頼性を備えていると言える。
ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ディスク表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したが、傷や汚れ等の異常は観察されず良好であった。また、ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ヘッドの表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したが、傷や汚れ等の異常は観察されず、また、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着や、腐食障害も観察されず良好であった。

（比較例）
潤滑剤として、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤であるソルベイソレクシス社製のフォンブリンゼットテトラオール（商品名）をＧＰＣ法で分子量分画し、Ｍｗが３０００、分子量分散度が１．０８としたものを使用した。なお、この分子量分画により低分子量領域側は除去され、数平均分子量が１５００以下のものは含有されていない。これをフッ素系溶媒である三井デュポンフロロケミカル社製バートレルＸＦ（商品名）に分散溶解させた溶液を塗布液とし、保護層まで成膜された磁気ディスクを浸漬させ、ディップ法で塗布することにより潤滑層を成膜した。ここで、上記塗布液の濃度を適宜調整し、潤滑層膜厚が１０～１２Åの範囲内となるように成膜した。この点以外は実施例１と同様にして製造した磁気ディスクを比較例とした。

次に、実施例と同様に、磁気ディスクをＳｉガス雰囲気中にさらしてから、ＣＦＴ特性評価試験を行った結果、過酷な条件下において、連続４週間に満たないうちに故障した。これは、潤滑剤と結合していない保護層表面の活性点が残っており、この活性点に雰囲気中の有機ガスが吸着され、これがヘッドコンタミとなったことによるものと考えられる。
また、実施例と同様にして、５ｎｍの超低浮上量の下でＬＵＬ耐久性試験を行なった結果、本比較例の磁気ディスクでは、途中でフライスティクション障害が発生し、３０万回でヘッドクラッシュにより故障した。ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ディスク表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したところ、若干の傷等が観察された。また、ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ヘッドの表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したところ、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着や、腐食障害が観察された。

なお、以下の実施例３は、前述の第２の実施の形態に対応する実施例である。
（実施例３）
（潤滑剤の調整）
潤滑剤化合物ａを含有する潤滑剤として、市販品のパーフルオロポリエーテル系潤滑剤であるソルベイソレクシス社製のフォンブリンゼットテトラオール（商品名）をＧＰＣ法で分子量分画し、Ｍｗが３０００、分子量分散度が１．０８としたものを使用した。
また、化合物ｂの前記例示化合物（２）を以下のようにして製造した。
分子中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有するパーフルオロポリエーテル化合物に対して２当量の塩基を作用させ、次いで２当量のグリシジルフェニルエーテルを反応させることにより製造した。上記のようにして得られた化合物ｂは、超臨界抽出法により適宜分子量分画を行い、Ｍｎが１５００以下としたものを使用した。
そして、上記のようにして得られた潤滑剤化合物ａと化合物ｂとを、重量比９：１で混合し、本実施例で使用する潤滑剤を調整した。

（磁気ディスクの製造）
化学強化されたアルミノシリケートガラスからなる２．５インチ型ガラスディスク（外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、ディスク厚０．６３５ｍｍ）を準備し、ディスク基板１とした。ディスク基板１の主表面は、Ｒｍａｘが２．１３ｎｍ、Ｒａが０．２０ｎｍに鏡面研磨されている。
このディスク基板１上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａｒガス雰囲気中で、順次、Ｔｉ系の付着層２、Ｆｅ系の軟磁性層３、ＮｉＷの第１下地層４、Ｒｕの第２下地層５、ＣｏＣｒＰｔ磁性層６を成膜した。この磁性層は垂直磁気記録方式用磁性層である。
引き続き、プラズマＣＶＤ法により、ダイヤモンドライク炭素保護層７を膜厚５０Åで成膜した。

次に、潤滑層８を以下のようにして形成した。
上記のように調整した潤滑剤を、フッ素系溶媒である三井デュポンフロロケミカル社製バートレルＸＦ（商品名）に０．２重量％の濃度で分散溶解させた溶液を調整した。この溶液を塗布液とし、保護層７まで成膜された磁気ディスクを浸漬させ、ディップ法で塗布することにより潤滑層８を成膜した。
成膜後に、磁気ディスクを真空焼成炉内で１３０℃、９０分間で加熱処理した。潤滑層８の膜厚をフーリエ変換型赤外分光光度計（ＦＴＩＲ）で測定したところ１２Åであった。こうして、実施例３の磁気ディスクを得た。

次に、実施例１と同じ試験方法により、実施例３の磁気ディスクの評価を行った。
まず、ＣＦＴ特性評価試験（定位置浮上試験）を行った結果、実施例３の磁気ディスクは、連続４週間の定点連続浮上に耐久することができ、過酷な条件下においても、ＣＦＴ特性に極めて優れていることがわかった。また、上記ＣＦＴ試験後の磁気ヘッド及び磁気ディスクの表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に調査したが、傷や腐食現象は観察されなかった。

次に、ＬＵＬ耐久性試験を行なった結果、実施例３の磁気ディスクは、５ｎｍの超低浮上量の下で障害無く８０万回のＬＵＬ動作に耐久し、フライスティクション障害も発生しなかった。実施例３の磁気ディスクは極めて高い信頼性を備えていると言える。ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ディスク表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したが、傷や汚れ等の異常は観察されず良好であった。また、ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ヘッドの表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したが、傷や汚れ等の異常は観察されず、また、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着や、腐食障害も観察されず良好であった。

なお、以下の実施例４は、前述の第３の実施の形態に対応する実施例である。
（実施例４）
（潤滑剤の調整）
潤滑剤化合物ａを含有する潤滑剤として、市販品のパーフルオロポリエーテル系潤滑剤であるソルベイソレクシス社製のフォンブリンゼットテトラオール（商品名）をＧＰＣ法で分子量分画し、Ｍｗが３０００、分子量分散度が１．０８としたものを使用した。
また、前記化合物ｂの市販品とアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）とを適当な混合比で混合して加熱することにより、前記化合物ｃを得た。なお、上記アルミナは精製により除去した。
そして、上記のようにして得られた潤滑剤化合物ａと化合物ｃとを、重量比９：１で混合し、本実施例で使用する潤滑剤を調整した。

（磁気ディスクの製造）
化学強化されたアルミノシリケートガラスからなる２．５インチ型ガラスディスク（外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、ディスク厚０．６３５ｍｍ）を準備し、ディスク基板１とした。ディスク基板１の主表面は、Ｒｍａｘが２．１３ｎｍ、Ｒａが０．２０ｎｍに鏡面研磨されている。
このディスク基板１上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａｒガス雰囲気中で、順次、Ｔｉ系の付着層２、Ｆｅ系の軟磁性層３、ＮｉＷの第１下地層４、Ｒｕの第２下地層５、ＣｏＣｒＰｔ磁性層６を成膜した。この磁性層は垂直磁気記録方式用磁性層である。
引き続き、プラズマＣＶＤ法により、ダイヤモンドライク炭素保護層７を膜厚５０Åで成膜した。

次に、潤滑層８を以下のようにして形成した。
上記のように調整した潤滑剤を、フッ素系溶媒である三井デュポンフロロケミカル社製バートレルＸＦ（商品名）に０．２重量％の濃度で分散溶解させた溶液を調整した。この溶液を塗布液とし、保護層７まで成膜された磁気ディスクを浸漬させ、ディップ法で塗布することにより潤滑層８を成膜した。
成膜後に、磁気ディスクを真空焼成炉内で１３０℃、９０分間で加熱処理した。潤滑層８の膜厚をフーリエ変換型赤外分光光度計（ＦＴＩＲ）で測定したところ１２Åであった。こうして、実施例４の磁気ディスクを得た。

次に、実施例１と同じ試験方法により、実施例４の磁気ディスクの評価を行った。
まず、ＣＦＴ特性評価試験（定位置浮上試験）を行った結果、実施例４の磁気ディスクは、連続４週間の定点連続浮上に耐久することができ、過酷な条件下においても、ＣＦＴ特性に極めて優れていることがわかった。また、上記ＣＦＴ試験後の磁気ヘッド及び磁気ディスクの表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に調査したが、傷や腐食現象は観察されなかった。

次に、ＬＵＬ耐久性試験を行なった結果、実施例４の磁気ディスクは、５ｎｍの超低浮上量の下で障害無く７０万回のＬＵＬ動作に耐久し、フライスティクション障害も発生しなかった。実施例４の磁気ディスクは極めて高い信頼性を備えていると言える。ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ディスク表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したが、傷や汚れ等の異常は観察されず良好であった。また、ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ヘッドの表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したが、傷や汚れ等の異常は観察されず、また、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着や、腐食障害も観察されず良好であった。

なお、以下の実施例５、６は、前述の第２の実施の形態に対応する実施例である。
（実施例５）
（潤滑剤の調整）
潤滑剤化合物ａを含有する潤滑剤として、市販品のパーフルオロポリエーテル系潤滑剤であるソルベイソレクシス社製のフォンブリンゼットテトラオール（商品名）をＧＰＣ法で分子量分画し、Ｍｗが２５００、分子量分散度が１．０８としたものを使用した。
また、化合物ｂの前記例示化合物（３）を以下のようにして製造した。
分子中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有するパーフルオロポリエーテル化合物に対して２当量の塩基を作用させ、次いで２当量のグリシジルフェニルエーテルを反応させることにより製造した。上記のようにして得られた化合物ｂは、超臨界抽出法により適宜分子量分画を行い、Ｍｎが１５００としたものを使用した。

そして、上記のようにして得られた潤滑剤化合物ａと化合物ｂとを、重量比９：１で混合し、本実施例で使用する潤滑剤を調整した。なお、これら化合物ａと化合物ｂとを混合して得られた潤滑剤全体の分子量分布は１～１．２の範囲内であった。
この点以外は実施例３と同様にして製造した磁気ディスクを実施例５とした。

次に、実施例１と同様にして、ＣＦＴ特性評価試験を行った結果、本実施例の磁気ディスクは、連続４週間の定点連続浮上に耐久することができ、過酷な条件下においても、ＣＦＴ特性に極めて優れていることがわかった。また、上記ＣＦＴ試験後の磁気ヘッド及び磁気ディスクの表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に調査したが、傷や腐食現象は観察されなかった。
また、実施例１と同様にして、ＬＵＬ耐久性試験を行なった結果、本実施例の磁気ディスクは、５ｎｍの超低浮上量の下で障害無く８０万回のＬＵＬ動作に耐久し、フライスティクション障害も発生しなかった。本実施例の磁気ディスクは極めて高い信頼性を備えていると言える。

ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ディスク表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したが、傷や汚れ等の異常は観察されず良好であった。また、ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ヘッドの表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したが、傷や汚れ等の異常は観察されず、また、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着や、腐食障害も観察されず良好であった。

（実施例６）
（潤滑剤の調整）
潤滑剤化合物ａを含有する潤滑剤として、市販品のパーフルオロポリエーテル系潤滑剤であるソルベイソレクシス社製のフォンブリンゼットテトラオール（商品名）をＧＰＣ法で分子量分画し、Ｍｗが３０００、分子量分散度が１．０８としたものを使用した。
また、化合物ｂの前記例示化合物（１）を以下のようにして製造した。
分子中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有するパーフルオロポリエーテル化合物に対して２当量の塩基を作用させ、次いで２当量のグリシジルフェニルエーテルを反応させることにより製造した。上記のようにして得られた化合物ｂは、超臨界抽出法により適宜分子量分画を行い、Ｍｎが１５００以下としたものを使用した。

そして、上記のようにして得られた潤滑剤化合物ａと化合物ｂとを、重量比９：１で混合し、本実施例で使用する潤滑剤を調整した。なお、これら化合物ａと化合物ｂとを混合して得られた潤滑剤全体の分子量分布は１～１．２の範囲内であった。
この点以外は実施例３と同様にして製造した磁気ディスクを実施例６とした。

次に、実施例１と同様にして、ＣＦＴ特性評価試験を行った結果、本実施例の磁気ディスクは、連続４週間の定点連続浮上に耐久することができ、過酷な条件下においても、ＣＦＴ特性に極めて優れていることがわかった。また、上記ＣＦＴ試験後の磁気ヘッド及び磁気ディスクの表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に調査したが、傷や腐食現象は観察されなかった。
また、実施例１と同様にして、ＬＵＬ耐久性試験を行なった結果、本実施例の磁気ディスクは、５ｎｍの超低浮上量の下で障害無く８０万回のＬＵＬ動作に耐久し、フライスティクション障害も発生しなかった。本実施例の磁気ディスクは極めて高い信頼性を備えていると言える。

ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ディスク表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したが、傷や汚れ等の異常は観察されず良好であった。また、ＬＵＬ耐久性試験後の磁気ヘッドの表面を光学顕微鏡及び電子顕微鏡で詳細に観察したが、傷や汚れ等の異常は観察されず、また、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着や、腐食障害も観察されず良好であった。

　以上のように、本発明の実施例では、磁気ディスクの耐久性、特にＬＵＬ耐久性及びＣＦＴ特性に優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクを得ることができる。

１　基板
２　付着層
３　軟磁性層
４　第１下地層
５　第２下地層
６　磁性層
７　炭素系保護層
８　潤滑層
１０　磁気ディスク
 

Claims (17)

1. 　基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、
   　前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有する２種類の化合物を含有し、かつ該２種類の化合物全体の分子量分布が１～１．２の範囲内であり、該２種類の化合物は、末端にヒドロキシル基を有する化合物ａ、及び、数平均分子量が前記化合物ａの数平均分子量よりも小さく且つ１５００以下である化合物ｂを含有し、該２種類の化合物中の前記化合物ｂの含有率が１０％以下である潤滑剤が成膜されてなることを特徴とする磁気ディスク。
2. 　前記化合物ａの数平均分子量が、１０００～１００００の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク。
3. 　基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、
   　前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有する化合物を含有し、該化合物の分子量分布が１～１．２の範囲で且つ数平均分子量が１５００以下のものを１０％以下含有することを特徴とする磁気ディスク。
4. 　前記化合物は、分子の末端にヒドロキシル基を有する化合物であることを特徴とする請求項３に記載の磁気ディスク。
5. 　前記潤滑層中に含有される前記化合物の数平均分子量が、１０００～１００００の範囲であることを特徴とする請求項３又は４に記載の磁気ディスク。
6. 　前記保護層は、プラズマＣＶＤ法により成膜された炭素系保護層であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の磁気ディスク。
7. 　ロードアンロード方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクであることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の磁気ディスク。
8. 　基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクの製造方法であって、
   　前記潤滑層は、分子中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有するパーフルオロポリエーテル化合物を含有する潤滑剤を分子蒸留精製し、前記化合物の分子量分布が１～１．２の範囲で、且つ数平均分子量が１５００以下のものの含有量を１０％以下とした潤滑剤を前記保護層上に成膜して形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
9. 　前記潤滑層を成膜した後に、前記磁気ディスクを５０℃～１５０℃の雰囲気に曝すことを特徴とする請求項８に記載の磁気ディスクの製造方法。
10. 　基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、
    　前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にはヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル化合物ａ、及び、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つヒドロキシル基と鎖状分子の両末端に芳香族基とを有する数平均分子量が１５００以下の化合物ｂを含有する潤滑剤が成膜されてなることを特徴とする磁気ディスク。
11. 　前記潤滑層中に含有される前記化合物ａの数平均分子量が、１０００～１００００の範囲であることを特徴とする請求項１０に記載の磁気ディスク。
12. 　前記保護層は、プラズマＣＶＤ法により成膜された炭素系保護層であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の磁気ディスク。
13. 　ロードアンロード方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクであることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の磁気ディスク。
14. 　基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、
    　前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にはヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル化合物ａ、及び、
    　化学式
    

    

    で示される化合物ｂと酸化アルミニウムとの反応により得られる化合物ｃを含有する潤滑剤が成膜されてなることを特徴とする磁気ディスク。
15. 　前記潤滑層中に含有される前記化合物ａの数平均分子量が、１０００～１００００の範囲であることを特徴とする請求項１４に記載の磁気ディスク。
16. 　前記保護層は、プラズマＣＶＤ法により成膜された炭素系保護層であることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の磁気ディスク。
17. 　ロードアンロード方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクであることを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の磁気ディスク。
     

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