JP2001052328A

JP2001052328A - 磁気記録媒体及び磁気記録装置

Info

Publication number: JP2001052328A
Application number: JP22021399A
Authority: JP
Inventors: Yasuyuki Shigematsu; 保行重松
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1999-08-03
Filing date: 1999-08-03
Publication date: 2001-02-23

Abstract

(57)【要約】【課題】高温高湿下の長期間高速回転でも潤滑性の低
下の問題がなく、従って、その後長期間放置してもステ
ィクションが生じることのない磁気記録媒体と、この磁
気記録媒体を用いた磁気記録装置を提供する。【解決手段】非磁性基板上に記録層、保護層及び潤滑
層をこの順に設けてなる磁気記録媒体。潤滑層は一般式
（Ｉ）で示され、数平均分子量が５００〜１００００で
あるパーフルオロポリエーテルと一般式（II）で示さ
れ、数平均分子量が５００〜１００００であるパーフル
オロポリエーテルとを含む。このディスクと、ディスク
を回転稼働させるための回転手段と、情報記録／再生の
ためのヘッドとを有し、情報記録／再生時のディスクの
回転数が１００００ｒｐｍ以上である磁気記録装置。【化８】【化９】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、長期安定性、耐久
性、耐ヘッド吸着性に優れた潤滑層を有する磁気記録媒
体と、この磁気記録媒体を用いた磁気記録装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】情報産業等で利用される高記録密度磁気
記録媒体の代表的な例であるディスク状磁気記録媒体
（以下、単に「ディスク」と称す場合がある。）は通
常、磁気記録層としての磁性金属又はその合金層をめっ
き、蒸着又はスパッタリング等によって非磁性基板上に
成膜することにより製造される。現在、一般に使用され
ている磁気記録媒体は、ドライブ停止時には情報記録／
再生ヘッド（以下、単に「ヘッド」と称す場合があ
る。）がディスクに接触し、駆動時にはヘッドがディス
ク上を浮上して情報の記録／再生を行なうコンタクト・
スタート・ストップ（ＣＳＳ）方式が用いられている。
この方式においては、実際の使用時においてヘッドとデ
ィスクとが高速で接触摺動するので、ディスクが摩耗損
傷を受けたり、磁気特性の劣化を起こすという問題があ
る。

【０００３】このような欠点を解決する方法として、デ
ィスクの磁性層上に保護層や、更に保護層上に潤滑層を
設けることによって接触摺動の際の静／動摩擦を極力低
減させ、耐摩耗性（ＣＳＳ特性）を向上させることが行
われている。この場合、潤滑層としては、一般的には、
液体潤滑剤であるパーフルオロポリエーテル系化合物が
用いられ、通常、これをディスク表面に塗布することに
より潤滑層が形成されている。このパーフルオロポリエ
ーテル系化合物としては、例えば（Ａ−Ｏ−Ａ’−Ｏ）
_x−（Ａ，Ａ’はＣＦ₂又はＣ₂Ｆ₄）骨格（アウジモント
社製）、デムナム系潤滑剤：−（ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）_p
−骨格（ダイキン工業社製）、あるいはクライトックス
系潤滑剤：−（ＣＦ₂ＣＦ（ＣＦ₃）Ｏ）_q−骨格（デュ
ポン社製）等を主骨格とし、末端に−ＯＨ等を有するも
のが用いられている（ここで、式中のｘ，ｐ，ｑは１以
上の整数を示す）。また、このようなパーフルオロポリ
エーテル系分子骨格に、更に末端基として、ヘテロ原子
を含むアルキル基、フッ素置換アルキル基、芳香族基が
結合したものが広く使用され、これらの末端基によっ
て、保護層表面との結合が強くなり、優れた耐久性を付
与するものとなる。

【０００４】近年、高い記録密度を得るために、ヘッド
のディスク上の飛行高さはより低くなることが求められ
ており、起動中にディスクとヘッドの接触を避けるた
め、ディスク面を極力平滑にすることが求められてい
る。しかしながら、ディスク面を平滑にするとヘッドと
ディスクとの間に吸着現象（スティクション）が生じや
すいために、ヘッドがディスクに貼り付き、動作不能に
なる場合がある。特に、高湿下においてドライブを長期
間停止させた場合、このスティクションは加速される。

【０００５】この現象を回避するために、末端官能基の
異なるパーフルオロポリエーテルを１種以上用いること
が提案されている（特開平９−２８２６４２号公報、特
開平１０−１４９５２７号公報）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の潤滑剤
は、スティクション抑制にはある程度の効果は見られる
が、高温高湿下で接触摺動するような過酷な条件下で
は、潤滑性の低下からスティクションや摩耗損傷が生じ
易く、信頼性に劣るものであった。

【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決し、高温
高湿下における長期間高速回転によっても潤滑性の低下
の問題がなく、従って、その後長期間放置してもスティ
クションが生じることのない磁気記録媒体と、この磁気
記録媒体を用いた磁気記録装置を提供することを目的と
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、非磁性基板上に記録層、保護層及び潤滑層をこの順
に設けてなる磁気記録媒体において、該潤滑層が、下記
一般式（Ｉ）で示され、数平均分子量が５００〜１００
００であるパーフルオロポリエーテルと下記一般式（I
I）で示され、数平均分子量が５００〜１００００であ
るパーフルオロポリエーテルとを含むことを特徴とす
る。

【０００９】

【化４】

【００１０】

【化５】

【００１１】即ち、本発明者らは、高温高湿下での潤滑
性の低下を防止すべく鋭意検討を重ねた結果、潤滑剤と
して特定の分子量を有し、かつ、特定の末端官能基を有
する２種類のパーフルオロポリエーテルを併用すること
により、詳しくは末端において、末端から２つ以内の炭
素原子に水酸基を２個以上有するパーフルオロポリエー
テルと、末端に親水性基を有する芳香族環を有するパー
フルオロポリエーテルとを併用することにより、高温高
湿下におけるＣＳＳ後、長期放置した時のスティクショ
ンを抑える効果が得られることを見出し、本発明を完成
させた。

【００１２】前記一般式（II）において、Ａは親水性基
を有するフェニル基、とりわけ、下記構造式（III）で
表される基が好ましい。

【００１３】

【化６】

【００１４】また、本発明において、一般式（Ｉ）及び
／又は（II）のｍは１又は２であることが好ましく、一
般式（Ｉ）で示されるパーフルオロポリエーテルと一般
式（II）で示されるパーフルオロポリエーテルとの混合
比率（Ｉ）：（II）は重量比で１：２０〜２０：１であ
ることが好ましい。

【００１５】本発明において、このような潤滑剤で形成
される潤滑層の膜厚は０．１〜１０ｎｍであることが好
ましい。また、保護層はアモルファスカーボンよりなる
ことが好ましい。

【００１６】本発明の磁気記録装置は、ディスク状のこ
のような本発明の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回
転稼働させるための回転手段と、情報記録／再生のため
のヘッドとを有し、情報記録／再生時の該磁気記録媒体
の回転数が１００００ｒｐｍ以上であることを特徴と
し、このような高速回転による情報の記録／再生を行っ
ても、磁気記録媒体の潤滑層が長期安定性、耐久性、耐
ヘッド吸着性に優れるため、良好な記録／再生を行え
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を詳
細に説明する。

【００１８】本発明の磁気記録媒体では、潤滑層に、前
記一般式（Ｉ）で示され、数平均分子量が５００〜１０
０００であるパーフルオロポリエーテル（以下「ＰＦＰ
Ｅ（Ｉ）」と記す。）と前記一般式（II）で示され、数
平均分子量が５００〜１００００であるパーフルオロポ
リエーテル（以下「ＰＦＰＥ（II）」と記す。）とを併
用する。

【００１９】ＰＦＰＥ（Ｉ）の数平均分子量が５００未
満であると、高温高速回転下で潤滑剤が飛散し易く、膜
厚が著しく減少する。また、数平均分子量が１００００
を超えると、潤滑剤が高粘度になり耐久性が悪化する場
合がある。従って、ＰＦＰＥ（Ｉ）の数平均分子量は５
００〜１００００、好ましくは２０００〜８０００、よ
り好ましくは２５００〜６０００とする。

【００２０】また、ＰＦＰＥ（II）の数平均分子量も、
上記と同様の理由から５００〜１００００、好ましくは
２０００〜８０００、より好ましくは２５００〜６００
０とする。

【００２１】なお、ＰＦＰＥ（II）の末端置換基Ａの芳
香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラ
セン環等が挙げられ、これらのうち特にベンゼン環が好
ましい。

【００２２】また、親水性基としては、−ＯＨ，−ＯＲ
（Ｒは炭素数１〜３のアルキル基を示す。），−ＣＯＯ
Ｈ等、好ましくは−ＯＨ，−ＯＲが挙げられ、これらは
複数個前記芳香族環に結合していても良い。また、これ
らの親水性基同士が結合して環状エーテル等の環状の親
水性構造部を形成していても良い。

【００２３】末端置換基Ａとしては、前記構造式（II
I）で示される環状エーテルとベンゼン環との縮合環が
好ましい。

【００２４】なお、前記一般式（Ｉ），（II）におい
て、ｍは１〜４の整数であるが、特に１又は２であるこ
とによって、分子全体の剛直性が低下し、優れた潤滑性
を示すので好ましい。

【００２５】本発明は、このように２種類の潤滑剤を混
合使用することによって、特異的に高温高湿下における
ＣＳＳ後の長期放置時のスティクションを抑える効果を
得るものであるが、ＰＦＰＥ（Ｉ）の混合比率が多いと
耐久性が悪化する場合があり、逆にＰＦＰＥ（II）の混
合比率が多いと高温高速回転下で膜厚の減少が著しいこ
とから、ＰＦＰＥ（Ｉ）とＰＦＰＥ（II）の混合比率は
重量比でＰＦＰＥ（Ｉ）：ＰＦＰＥ（II）＝１：２０〜
２０：１、特に１：１０〜１０：１であることが好まし
く、特にＰＦＰＥ（II）を多く含むことが好ましく、よ
り好ましくは、１：１０〜４：１、とりわけ好ましくは
１：１０〜２：１である。

【００２６】このようなＰＦＰＥ（Ｉ）及びＰＦＰＥ
（II）で形成される潤滑層の膜厚は特に限定されない
が、一般的には０．１〜１０ｎｍ、好ましくは０．１〜
５ｎｍ、より好ましくは０．５〜３ｎｍである。

【００２７】潤滑層は、通常、基板上に磁性層を形成
し、この上に保護層を設けた後に、潤滑剤を溶解した溶
液に該基板を浸漬する方法、基板表面に該溶液を染み込
ませたテープ等に荷重をかけて接触させて被膜を形成す
る方法、基板上でパッドを回転させながら添着させる方
法、或いはスプレー法などにより形成される。

【００２８】この場合、潤滑剤塗布液の濃度は、潤滑剤
の化合物や溶媒の種類により異なるが、通常、溶液中濃
度として０．１〜５ｇ／ｌである。溶媒としては潤滑剤
が溶解するものであれば良く、特に限定されるものでは
ないが、一般的にフッ素系溶媒が用いられ、例えばＰＦ
５０６０、ＰＦ５０８０、ＨＦＥ−７１００、ＨＦＥ−
７２００（３Ｍ社製）、Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ（Ｄｕｐ
ｏｎ社製）、ＡＫ２２５（旭硝子社製）、ＺＥＯＲＯＲ
Ａ（日本ゼオン社製）等が挙げられる。

【００２９】また、潤滑層と保護層との親和力を高める
ため、潤滑剤塗布後に４０〜２００℃程度の熱処理等を
施すことが好ましい。熱処理は輻射熱を利用したり、熱
風を利用して行う。この場合、発熱源には、赤外線ラン
プ、ハロゲンランプを用いたランプヒーター、ニクロム
線、白金線、タングステン線を用いた抵抗加熱器や、電
気コンロ、パイプヒーター等の円赤外線や近赤外線を発
生、輻射する熱輻射体が使用できる。

【００３０】次に、本発明の磁気記録媒体の潤滑層以外
の構成について説明する。

【００３１】本発明の磁気記録媒体における非磁性基板
としては、Ａｌを主成分とした基板、例えばＡｌ−Ｍｇ
合金等のＡｌ合金基板や、通常のソーダガラス、アルミ
ノシリケート系ガラス、非結晶ガラス類、シリコン、チ
タン、セラミックス、各種樹脂からなる基板など、非磁
性基板であれば任意のものを用いることができる。中で
もＡｌ合金基板や結晶化ガラス等のガラス製基板を用い
ることが好ましい。磁気ディスクの製造工程において
は、まず基板の洗浄・乾燥が行われるのが通常であり、
本発明においても各層の密着性を確保する見地からもそ
の形成前に洗浄、乾燥を行うことが望ましい。

【００３２】本発明の磁気記録媒体の製造に際しては、
非磁性基板表面にＮｉＰ等の非磁性金属被覆層を形成す
ることが好ましい。非磁性金属被覆層を形成する手法と
しては、無電解めっき法、スパッタリング法、真空蒸着
法、ＣＶＤ（化学的成膜）法などの各種の薄膜形成に用
いられる方法を利用することができる。導電性材料から
なる基板の場合であれば電解めっきを使用することが可
能である。非磁性金属被覆層の膜厚は５０ｎｍ以上あれ
ば良い。ただし、磁気記録媒体の生産性などを考慮する
と５０〜５００ｎｍ、特に５０〜３００ｎｍであること
が好ましい。この非磁性金属被覆層を成膜する領域は基
板表面全域が望ましいが、一部だけ、例えばテキスチャ
リングを施す領域のみでも良い。

【００３３】また、本発明の磁気記録媒体にあっては、
ディスク状基板表面又は非磁性金属被覆層が形成された
基板表面に同心状テキスチャリングを施すのが好まし
い。同心状テキスチャリングとは、例えば遊離砥粒とテ
キスチャーテープを使用した機械式テキスチャリングや
レーザー光線などを利用したテキスチャリング加工、又
はこれらを併用することによって、円周方向に研磨する
ことによって基板円周方向に微小溝を多数形成した状態
を指称する。

【００３４】機械的テキスチャリングを施すための遊離
砥粒の種類としてはダイアモンド砥粒、中でも表面がグ
ラファイト化処理されているものが最も好ましい。機械
的テキスチャリングに用いられる砥粒としては他にアル
ミナ砥粒が広く用いられているが、特にテキスチャリン
グ溝に沿って磁化容易軸を配向させるという観点から考
えるとダイアモンド砥粒が極めて良い性能を発揮する。

【００３５】なお、基板の表面粗さ（Ｒａ）について
は、ヘッド浮上量ができるだけ小さいことが高密度磁気
記録の実現には有効であることから、基板表面のＲａは
２ｎｍ以下、特に１ｎｍ以下であることが好ましく、と
りわけ０．５ｎｍ以下であることが好ましい。ただし、
ここでＲａの決定は、触針式表面粗さ計を用いて測定し
た場合を想定している。このとき測定用の針の先端は半
径０．２μｍ程度の大きさのものが使用される。

【００３６】非磁性金属被覆層の形成及び同心状テキス
チャリングを施した非磁性基板上には、必要に応じてＣ
ｒを主成分とする種子層とＮｉＡｌ等のＢ２結晶構造を
有する下地層を順次形成した後、Ｃｏ合金磁性層を形成
する。更には、この下地層と磁性層との間にＣｒを主成
分とする第２の下地層を形成しても良い。その目的は、
この種子層の上に形成するＢ２結晶構造を有する下地
層、Ｃｒを主成分とする第２の下地層、ひいてはＣｏ合
金磁性層の結晶面の配向を制御することにある。

【００３７】Ｃｒを主成分とする種子層の材料として
は、純Ｃｒの他、Ｃｏ層との結晶マッチングなどの目的
でＣｒにＶ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｇ
ｅ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｂなどの第二、第三元素を添加
したものや、酸化Ｃｒなどが含まれる。中でも純Ｃｒや
ＣｒとＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及
びＨｆを有するものが好ましい。これら第二、第三元素
の含有量はそれぞれの元素によって最適な量が異なる
が、一般には１〜５０原子％、好ましくは５〜３０原子
％、更に好ましくは５〜２０原子％の範囲である。

【００３８】Ｃｒを主成分とする種子層やＮｉＡｌ等の
Ｂ２結晶構造を有する下地層の膜厚はこの異方性を発現
させ得るに十分なものであれば良く、通常は０．１〜５
０ｎｍであり、好ましくは０．３〜３０ｎｍ、更に好ま
しくは０．５〜１０ｎｍである。Ｃｒを主成分とする種
子層の成膜時は基板加熱を行っても行わなくても良い。

【００３９】Ｃｏ合金磁性層としては、通常、純Ｃｏや
ＣｏＮｉ、ＣｏＳｍ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＣｒ、Ｃ
ｏＣｒＰｔなどの磁性材料として一般に用いられるＣｏ
合金磁性材料が用いられる。これらのＣｏ合金に更にＮ
ｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｂなどの元素やＳｉＯ₂等
の化合物を加えたものでも良い。例えばＣｏＣｒＰｔＴ
ａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔ
Ｂ等が挙げられる。Ｃｏ合金磁性層の膜厚は任意である
が、通常５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍであ
る。

【００４０】Ｂ２結晶構造を有する下地層とＣｏ合金磁
性層との間に、更にＣｒを主成分とする第二の下地層を
設ける際には、この第二の下地層には、Ｃｒを主成分と
する種子層と同様の材料を用いることができ、両者の元
素組成は同一であっても異っていても良い。第二の下地
層の膜厚は目的とする磁気記録媒体の諸特性に合わせて
任意に設定できるが、通常１〜１００ｎｍ、好ましくは
５〜５０ｎｍである。

【００４１】更に、磁性層を２種以上の積層構造とした
ものでも良く、Ｃｒを主成分とする第２の下地層と磁性
層との間に非磁性ＣｏＣｒ等の中間層を設けても良い。

【００４２】磁気記録媒体の各層を形成する成膜方法と
しては任意であるが、例えば直流（マグネトロン）スパ
ッタリング法、高周波（マグネトロン）スパッタリング
法、ＥＣＲスパッタリング法、真空蒸着法などの物理的
蒸着法が挙げられる。

【００４３】また、成膜時の条件としても特に制限はな
く、到達真空度、基板加熱の方式と基板温度、スパッタ
リングガス圧、バイアス電圧等は、成膜装置により適宜
決定すれば良い。例えば、スパッタリング成膜では、通
常の場合、到達真空度は１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下、基板
温度は室温〜４００℃、スパッタリングガス圧は１×１
０^-3〜２０×１０^-3Ｔｏｒｒ、バイアス電圧は一般的に
は０〜−５００Ｖである。成膜に当たっては、磁性層の
Ｃｒの偏析を促進するために、一般に非磁性基板を１０
０〜３５０℃程度に加熱することが好ましい。基板加熱
は、下地層形成前に行っても良いし、熱吸収率が低い透
明な基板を使用する場合には、熱吸収率を高くするた
め、Ｃｒを主成分とする種子層又はＢ２結晶構造を有す
る下地層を形成してから基板を加熱し、しかる後にＣｏ
合金磁性層やＣｒを主成分とする第２の下地層を形成し
ても良い。

【００４４】このようにして形成された磁性層上には、
任意の保護層を形成する。保護層材料としては、Ｃ、水
素化Ｃ、窒素化Ｃ、アルモファスＣ、ＳｉＣ等の炭素質
層やＳｉＯ₂、Ｚｒ₂Ｏ₃、ＴｉＮなど、通常用いられる
保護層材料を用いることができる。保護層の主材料とし
ては炭素質が好ましく、この炭素質膜は通常スパッタリ
ング法、ＣＶＤ法により形成される。

【００４５】スパッタリング法の場合、炭素をターゲッ
トとし、スパッタリングガスとして通常のＡｒ、Ｈｅ等
の希ガスに加えて、反応性ガスとしてＨ₂、Ｎ₂、Ｏ₂、
炭化水素、窒素含有炭化水素、フッ素含有炭化水素等を
導入しながら成膜する。電源は直流、交流、高周波、パ
ルス等、特に限定されないが、直流あるいは高周波電源
が好ましい。また、基板に直流又は高周波のバイアス電
圧を印加しながら成膜してもかまわない。

【００４６】一方、ＣＶＤ法では、メタン、エタン、プ
ロパン、エチレン、アセチレン、ベンゼン、トルエン等
の炭化水素、アルコール類、窒素含有炭化水素、フッ素
含有炭化水素等、炭素を含む化合物を原料ガスとして反
応室へ導入し、直流、交流、高周波などの電気的エネル
ギー、加熱フィラメントの熱エネルギー、加熱フィラメ
ントから放出される熱電子エネルギー、加速電子による
エネルギー等によって原料ガスを分解して成膜種を生成
させ、それを基板に導いて形成する。原料ガスは種類の
異なるモノマー同士を混合しても良く、Ａｒ、Ｈｅ等の
不活性ガス、Ｈ₂、Ｎ₂、Ｏ₂等の反応性ガスと混合して
使用しても良い。また、成膜時、基板にはバイアス電圧
を印加することも可能である。ガス圧、電源電圧、バイ
アス電圧、成膜時間等の条件はその装置の形状、大きさ
等によって変わるので特に限定することはできないが、
いずれも公知の条件で行うことができる。

【００４７】保護層は２層以上の層から構成されていて
も良く、各層の成膜方法、条件は異なっていても良い。
保護層の厚さは通常１５０Å以下、好ましくは１００Å
以下、更に好ましくは５０Å以下であり、その下限は通
常５Åである。

【００４８】本発明の磁気記録装置は、ディスク状の本
発明の磁気記録媒体と、これを記録方向に回転稼動させ
る回転手段と、情報の記録部と再生部からなる磁気ヘッ
ドと、磁気ヘッドをディスクに対して相対運動させる手
段と、磁気ヘッドへの信号入力と磁気ヘッドからの出力
信号再生を行うための記録再生信号処理手段を有し、デ
ィスクの潤滑層でこの磁気ヘッドとディスクとの間に生
じる吸着性が有効に抑制されることによって、高い信頼
性を発揮することができ、特にディスクの回転数を１０
０００ｒｐｍ以上としたものにおいて、更には磁気ヘッ
ドを浮上量が０．０１μｍ以上０．０５μｍ未満と、従
来より低い高さで浮上させることで効果が顕著となり、
高信頼性と共に出力の向上で高い装置Ｓ／Ｎが得られ、
大容量の磁気記録装置を提供することができる。

【００４９】

【実施例】次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り以下の実施例によって限定されるものではない。

【００５０】なお、以下の実施例及び比較例において
は、ＰＦＰＥ（Ｉ）として市販のフォンブリンＺ−ＴＥ
ＴＲＡＯＬ（アウジモント社製）（前記一般式（Ｉ）に
おいて、ｍは１〜２の整数、ｎは整数、数平均分子量は
２６００）を用い、ＰＦＰＥ（II）として市販のフォン
ブリンＡＭ２００１（アウジモント社製）（前記一般式
（II）において、ｍは１〜２の整数、ｎは整数、Ａは前
記構造式（III）、数平均分子量は２４００）を混合し
て用いた。また、比較のためのパーフルオロポリエーテ
ルとして、下記一般式（IV）で示される市販のフォンブ
リンＺ−ＤＯＬ（アウジモント社製）（前記一般式（I
V）において、ｍは１〜２の整数、ｎは整数、数平均分
子量は４０００）を用いた。

【００５１】

【化７】

【００５２】実施例１〜５、比較例１，２表面の平均粗さが１ｎｍの直径３．５インチのアルミニ
ウム合金製ディスク基板の両面上に、無電解めっき法に
より厚さ１５μｍのＮｉＰ層を形成し、次いでエネルギ
ービームを半径１７ｍｍから１９ｍｍ（ＣＳＳゾーン）
の領域に照射し、平均高さ１９ｎｍの突起を形成させ
た。その後、スパッタリング法によりクロム下地層（厚
さ２０ｎｍ）、コバルト合金磁性層（厚さ２０ｎｍ）を
形成し、次に保護層としてカーボン膜を１３ｎｍの厚さ
に形成した。このカーボン膜上に、表１に示す混合比で
２種類のパーフルオロポリエーテルをＶｅｒｔｒｅｌ−
ＸＦ（デュポン（株）製）溶液として用い、浸漬法によ
り成膜した後１００℃で焼成処理を行い、厚さ１．４ｎ
ｍの均一な潤滑層を形成した。

【００５３】得られたディスクを用いて高温高湿の環境
下において下記の方法でＣＳＳ試験を行い、結果を表１
に示した。

【００５４】＜ＣＳＳ試験＞３２℃、８０％Ｒ．Ｈ．の
環境下において、磁気記録媒体のＣＳＳゾーンにヘッド
を置いた後、回転速度を０ｒｐｍ→７２００ｒｐｍ→０
ｒｐｍとする工程を１１秒の周期で１００００回繰り返
し行い、各回のディスクとヘッドとの間の摩擦力を測定
し摩擦係数の平均値を求めた。また、ＣＳＳ終了後、停
止した状態で２４時間放置し、放置後の摩擦力を測定し
摩擦係数を求めた。なお、ヘッドには、表面にＣＶＤ法
によりカーボンコートを施したものを、押し付け圧力
２．５ｇで用いた。

【００５５】比較例３実施例１において、ＰＦＰＥ（II）の代りに、前記一般
式（IV）で示されるパーフルオロポリエーテルを用い、
ＰＦＰＥ（Ｉ）との混合比率を表１に示す通りとしたこ
と以外は同様にして成膜を行い、同様にＣＳＳ試験を行
い、結果を表１に示した。

【００５６】

【表１】

【００５７】表１から明らかなように、実施例１〜５に
ついてはＣＳＳ時の平均摩擦係数と放置後の摩擦係数に
は大きな差がなく、高温高湿下において長期放置を行っ
てもスティクションは増大していないことがわかる。こ
れに対し、比較例１〜３では放置後の摩擦係数が１以上
とＣＳＳ時の平均より上回っており、放置することによ
りスティクションが増大していることがわかる。このよ
うな場合、より長期の放置を行うと、スティクションは
時間とともに増大し、より大きな吸着現象が起こり、動
作不良、更にはヘッド破壊に至ることもあり、実用上大
きな問題となる。

【００５８】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、高
温高湿下における長期間高速回転によっても潤滑性の低
下の問題がなく、従って、表面平滑な磁気記録媒体を用
いても、その後長期間放置したときのスティクションを
起こすことのない磁気記録媒体が提供される。従って、
このような磁気記録媒体を用いた本発明の磁気記録装置
によれば、ヘッドをより低飛行させることにより、より
高密度の記録を行うことができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ１０Ｎ 40:18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に記録層、保護層及び潤滑
層をこの順に設けてなる磁気記録媒体において、該潤滑
層が、下記一般式（Ｉ）で示され、数平均分子量が５０
０〜１００００であるパーフルオロポリエーテルと下記
一般式（II）で示され、数平均分子量が５００〜１００
００であるパーフルオロポリエーテルとを含むことを特
徴とする磁気記録媒体。【化１】【化２】
【請求項２】一般式（II）のＡが親水性基を有するフ
ェニル基であることを特徴とする請求項１に記載の磁気
記録媒体。
【請求項３】一般式（II）のＡが下記構造式（III）
で表されることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁
気記録媒体。【化３】
【請求項４】一般式（Ｉ）及び／又は（II）におい
て、ｍが１又は２であることを特徴とする請求項１ない
し３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】一般式（Ｉ）で示されるパーフルオロポ
リエーテルと一般式（II）で示されるパーフルオロポリ
エーテルとの混合比率（Ｉ）：（II）が重量比で１：２
０〜２０：１であることを特徴とする請求項１ないし４
のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】潤滑層の膜厚が０．１〜１０ｎｍである
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記
載の磁気記録媒体。
【請求項７】保護層がアモルファスカーボンよりなる
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記
載の磁気記録媒体。
【請求項８】請求項１ないし７のいずれか１項に記載
の磁気記録媒体であって、ディスク状の磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体を回転稼働させるための回転手段
と、情報記録／再生のためのヘッドとを有し、情報記録
／再生時の該磁気記録媒体の回転数が１００００ｒｐｍ
以上であることを特徴とする磁気記録装置。