JP2003288715A

JP2003288715A - 磁気ディスク媒体及び磁気ディスク装置

Info

Publication number: JP2003288715A
Application number: JP2002090910A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Matsumoto; 浩之松本; Kouji Tani; 谷　　弘詞; Mitsuhiro Shoda; 光広正田; Koji Sonoda; 幸司園田; Takayuki Nakakawaji; 孝行中川路; Hiroshi Ishikawa; 博石川; Michinori Ozaki; 倫典小崎
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2002-03-28
Filing date: 2002-03-28
Publication date: 2003-10-10

Abstract

(57)【要約】【課題】保護膜が薄膜で、耐摺動性が向上した磁気ディ
スクを提供すること。【解決手段】磁気ディスク媒体上に潤滑剤が配置され、
この潤滑剤として、下記の式１及び式２で表わされる潤
滑剤を含み、式１で表わされる潤滑剤を、分子量が１５
００以上、４５００以下の部分が７０重量％以上で、か
つ、分子量が１５００未満の部分は２０重量％以下、分
子量が４５００を越える部分は１０重量％以下であるよ
うにした磁気ディスク。【化６】（ただしａ及びｂはそれぞれ１又は２である）【化７】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非磁性基板上に少
なくとも磁性膜、保護膜を形成し、その上に液体潤滑剤
を配置した磁気ディスク媒体及びそのような磁気ディス
ク媒体を有する磁気ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置における記録密度は著
しい増加の一途をたどり、最近は１平方インチ当たり１
００ギガビット以上のものまで発表されている。このよ
うな高記録密度を達成するためには、磁気ヘッドと磁気
ディスクの磁気記録層との間隔、すなわち損失間隔をで
きるだけ近付けることが必要であり、現在では２０ｎｍ
以下にしなければならない状況にある。

【０００３】この損失間隔の大半は、磁気ディスクの磁
気記録層の上に設けられた保護膜の厚さと、磁気ヘッド
の浮上高さによって占められる。従って磁気ディスクに
対してはできるだけ保護膜厚が薄く、磁気ヘッドが接触
した場合に対する耐摺動性の高いものが要求される。損
失間隔から予想して、今後は５ｎｍ以下の保護膜厚を達
成することが好ましい。

【０００４】また、最近の磁気ディスク装置では、磁気
ヘッドと磁気ディスクの間隔をできるだけ近付けるため
に、磁気ディスクの表面粗さを極力小さくする必要があ
る。そのため従来は、コンタクトスタートストップ方
式、すなわち磁気ディスクの回転の停止時には磁気ディ
スクと磁気ヘッドが接触していて、磁気ディスクが回転
し始めるとその気流によって磁気ヘッドが浮上する方式
が用いられていたが、最近では、磁気ディスクの回転の
停止時には磁気ヘッドが磁気ディスク上から離れたとこ
ろに退避し（アンロード）、磁気ディスクが回転し始め
ると磁気ヘッドが磁気ディスク上にロードオンされるロ
ードアンロード方式が採用されつつある。この場合、耐
摺動性の要求は若干緩和されるが、しかし、ロードオン
時の衝撃や通常動作時でも突発的に発生する磁気ヘッド
の姿勢異常による接触等に耐えなければならない。

【０００５】保護膜としては、米国特許Ｒｅ３２４６４
号公報等で開示されているようなカーボン系のものが従
来から使用されているが、例えば、特開昭５９−１５４
６４１号公報に記載のように水素の添加や、特開平８−
１０６６２９号公報に記載のようにスパッタ法による成
膜時に窒素ガスを添加する等の方法によりカーボン系保
護膜の硬度を増加させ、薄膜化を図ることが数多く提案
されている。

【０００６】特に水素添加のカーボン保護膜の中でも硬
度の高いダイヤモンドライクカーボン膜は古くから注目
され、上述の特開昭５９−１５４６４１号公報に記載の
ような炭素水素系のガスを用いて放電を生じさせてガス
を分解して基板に堆積させるケミカルベーパーデポジシ
ョン法（以下、ＣＶＤ法と記す）や、熱したフィラメン
トを用いて発生させた熱電子を炭化水素ガスに照射して
イオン化し、そのイオンビームを基板に印加したバイア
ス電圧で加速してその基板に衝突させることにより堆積
させるイオンビームデポジション法（以下、ＩＢＤ法と
記す）等の種々の製法が提案されている。

【０００７】ＣＶＤ法やＩＢＤ法で保護膜を形成する方
法は、設備の初期投資や磁気ディスクの生産設備に係る
ランニングコストの面で、従来から用いられているスパ
ッタ法に比べてコストが割高である。水素や窒素等を添
加する従来のスパッタ法による保護膜と適切な潤滑剤の
組合せで保護膜の薄膜化が達成できれば価格の面で好ま
しいことである。

【０００８】一方、特開昭６１−１２６８２７号公報に
記載のように、カーボン系保護膜の硬度を上げるだけで
は耐摺動性は向上せず、パーフルオロポリエーテル構造
のフッ素系潤滑剤と併用しなければならないことも明ら
かにされており、潤滑剤との適切な組合せも磁気ディス
クを設計する上で重要な要素となっている。

【０００９】潤滑剤としては、イタリアのＡＵＳＩＭＯ
ＮＴ社のＦＯＭＢＬＩＮＺ（商品名）の誘導体が使わ
れており、ＦＯＭＢＬＩＮＺＤＥＡＬ、ＺＤＩＡ
Ｃ、ＺＤＩＳＯＣ、ＺＤＯＬ、ＺＤＯＬＴＸ、
ＺＴＥＴＲＡＯＬＡＭ２００１、ＡＭ３００１が挙
げられる。これらの市販されている潤滑剤の分子量は広
範囲に分布しており、製造されるバッチによっても様々
である。そこで、特開２０００−３１５３１４号公報や
米国特許６０９９９３７号公報に記載されているよう
に、広範囲に分布する分子量を適正範囲の成分のみを取
り出して使用することが提案されている。

【００１０】また、潤滑剤の性能を向上させるために、
米国特許５９０８８１７号公報に記載されているよう
に、ホスファゼン環を持つ添加剤を混合することや、特
開平６−２２００７７号公報に記載されているようにパ
ーフルオロポリエーテルの末端にホスファゼン環を持つ
潤滑剤も提案されている。さらにまた、特開平６−２２
００７７号公報には、磁気ディスクの耐摺動性に対して
は磁気記録層の下地膜の材質も影響することが記載され
ている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、保護
膜を薄膜とした、例えば５ｎｍ程度以下とした磁気ディ
スクの耐摺動性については、十分配慮していなかった。

【００１２】本発明の第１の目的は、保護膜が薄膜であ
り、耐摺動性が向上した磁気ディスクを提供することに
ある。本発明の第２の目的は、高信頼性で耐久性に優れ
た磁気ディスク装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、本発明の磁気ディスク媒体は、非磁性基板上
に、少なくとも磁気記録層及び保護膜が形成され、表面
に潤滑剤が配置されたもので、この潤滑剤として、下記
の式１及び式２で表わされる潤滑剤を含み、式１で表わ
される潤滑剤を、分子量が１５００以上、４５００以下
の部分が７０重量％以上で、かつ、分子量が１５００未
満の部分は２０重量％以下、分子量が４５００を越える
部分は１０重量％以下となるように構成したものであ
る。

【００１４】

【化３】（ただしａ及びｂはそれぞれ１又は２である）

【００１５】

【化４】この式１で表わされる潤滑剤の分子量が１５００未満の
部分及び４５００を越える部分はそれぞれ０重量％であ
ってもよい。つまり、分子量が１５００以上、４５００
以下の部分は、１００重量％であってもよい。しかし、
産業上利用されているものは、多くの場合シャープな分
子量分布を示すものは少なく、分子量が１５００未満か
４５００を越える部分の少なくとも一方には分子量が広
がっているものが多い。

【００１６】分子量の１５００未満の部分があるとき
は、１５００未満、５００以上の部分が大部分であるこ
と、例えば、その内の９９〜１００重量％であることが
好ましい。また、４５００を越える部分があるときは、
４５００を越え、１３０００以下の部分が大部分である
こと、例えば、その内の９９〜１００重量％であること
が好ましい。

【００１７】潤滑剤の組成は、後述する実施例で説明す
るように、式２で表される潤滑剤が１０〜５０重量％の
範囲であることが好ましい。

【００１８】保護膜は、薄膜であることが好ましい。例
えば、膜厚が２．５ｍｍ〜５ｍｍの範囲のものが好まし
い。材質は、カーボン系のものが好ましく、単にカーボ
ンだけであってもよいが、水素添加カーボン、窒素添加
カーボンが特に好ましい。水素添加カーボン、窒素添加
カーボンはそれぞれ保護膜の形成時に水素ガス又は窒素
ガスを存在させて製造したものであるが、保護膜自体の
中に、水素又は窒素がガスの形で存在してもよく、ま
た、その全部又は一部が、ガス以外の何らかの状態で含
まれいてもよい。

【００１９】また、上記第２の目的を達成するために、
本発明の磁気ディスク装置は、上記のいずれかの磁気デ
ィスク媒体と、この磁気ディスク媒体の各面に対応して
設けられ、記録ヘッドと再生ヘッドを有する磁気ヘッド
と、磁気ディスク媒体と磁気ヘッドの相対的な位置を変
化させるための駆動部と、磁気ヘッドを所望の位置に位
置決めする磁気ヘッド駆動部と、磁気ヘッドへの信号入
力と磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再
生信号処理系とから構成するようにしたものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明において非磁性磁気ディス
ク基板としては磁気ディスク用として市販されているガ
ラス基板が好適に使用される。磁気ディスク媒体表面の
面粗さは基板面の表面粗さを反映させるため、基板面の
粗さが、Ｒａ０．３５〜０．８ｎｍ、Ｒｐ４．０〜７．
０ｎｍとしたものを用意した。ここで、Ｒａ、Ｒｐは、
それぞれＪＩＳＢ０６０１−１９９４の算術平均粗さ、
山頂線・平均線間距離である。磁性膜はＣｏ合金膜が一
般的に使用される。磁性膜の下にはＣｒ合金よりなる下
地膜及びＣｏ合金、Ｎｉ合金等のシード層が形成され
る。

【００２１】磁性膜の上にはカーボンを主成分とする保
護膜が形成される。保護膜はスパッタ法で成膜した窒素
添加カーボン保護膜を用いた。

【００２２】潤滑剤は、パーフルオロポリエーテル誘導
体が使用され、希釈可能な溶剤に適量を溶解し、磁気デ
ィスクをその中に浸漬し取り出して潤滑膜が形成され
る。

【００２３】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。

【００２４】実施例及び比較例共に、８４ｍｍ直径のガ
ラス基板を購入して用いた。基板種類としてＲａ０．７
ｎｍ、Ｒｐ５．６ｎｍを使用した。基板の粗さは、ＡＦ
Ｍ（走査型プローブ顕微鏡；ＮａｎｏｓｃｏｐｅＩＩＩ
（商標）ＤｉｇｉｔａｌＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社
製）によりタッピングモードでスキャンサイズ１０×１
０μｍ、スキャンレート１Ｈｚ、サンプル数５１２、Ｚ
−ｌｉｍｉｔ４４０Ｖ、フィルター処理Ｆｌａｔｔｅ
ｎ、Ｌｏｗｐａｓｓ、カンチレバー単結晶シリコン製、
先端曲率半径５〜２０ｎｍという測定条件で測定を行っ
た。測定はそれぞれ数回の測定を行い、その平均値を測
定結果とした。測定値のばらつきは算術平均粗さＲａで
０．１ｎｍ、最大突起高さＲｐで１．５ｎｍ程度であっ
た。

【００２５】基板は洗浄を行った後にスパッタリング装
置ＭＤＰ−２５０（商標）（Ｉｎｔｅｖａｃ社製）によ
り成膜を行った。まず最初に基板を２９０℃に加熱し、
その後にＮｉＴａ合金を３０ｎｍ成膜した。この層はシ
ード層と呼ばれる下地膜の結晶制御の層である。さらに
その上に下地膜としてＣｒＴｉＢ合金を１０ｎｍ、磁性
膜としてＣｏＣｒＰｔ合金を４ｎｍ、Ｒｕを０．５ｎ
ｍ、ＣｏＣｒＰｔＢ合金を１７ｎｍ形成した。

【００２６】保護膜は、スパッタ法による窒素添加カー
ボン膜であり、成膜装置Ｉｎｔｅｖａｃ社製のものを使
用した。スパッタ法での成膜条件は、成膜レート０．４
から０．８ｎｍ／ｓであり、スパッタガスは窒素をアル
ゴンに対して濃度１８％で添加した。保護膜の膜厚は
４．０ｎｍを標準とした。保護膜厚の測定にはＸ線反射
法を用い、膜厚測定の精度を上げるために保護膜上にＣ
ｒを５ｎｍ成膜し定量化した。Ｘ線反射法での膜厚の定
量化は理学電機工業社製のＳＬＸ２０００（商標）によ
りＣｕＫ_α１のＸ線を用いて測定を行った。測定原理
に関してはジャーナルオブアプライドフィジックス６
６（４），１５，８月１９８９ｐ１８６１（Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙ．６６（４），１５（１９８９）ｐ１８６
１）に記載されている。

【００２７】ここで使用した潤滑剤の一覧を表１に示
す。表中の平均分子量は、ＮＭＲ測定から求められたも
のである。

【００２８】

【表１】市販の式（１）の構造を持つ潤滑剤を超臨界炭酸による
抽出操作を行って、ある分子量範囲ごとに分画したもの
を準備した。式（１）の潤滑剤は、イタリアＡＵＳＩＭ
ＯＮＴ社より、ＦＯＭＢＬＩＮＺＤＯＬＴＸとし
て販売されている。ここで分子量の範囲毎に準備された
潤滑剤を、潤滑剤１、潤滑剤２、潤滑剤３とする。図１
に潤滑剤１、２、３の分子量分布測定結果を示す。これ
らの潤滑剤は、購入時点では一つの潤滑剤であるが、平
均分子量及び分子量分布の異なる３種類の液体潤滑剤が
得られた。

【００２９】また、式（１）で表わされるＦＯＭＢＬＩ
ＮＺＤＯＬＴＸは、ロットによって希釈溶剤であ
るＨＦＥ−７１００、ＨＦＥ−７２００（住友スリーエ
ム社製）やＶｅｒｔｒｅｌＸＦ（三井デュポンフロロ
ケミカル社製）に溶解しにくいものが存在した。潤滑剤
の濃度１５％で比較すると目視レベルで明らかに白濁す
るものがあった。分子量をある範囲で分けると、分子量
１５００未満のものが多く含まれていると、このような
溶剤に溶解しにくいことが分かった。それ故、溶剤に溶
解し難い分子量範囲を除くことで、磁気ディスクに潤滑
剤を塗布するのに使用する溶剤にも均一に溶解させるこ
とが可能となった。

【００３０】式（２）で表わされる潤滑剤は、式（３）
で表わされる化合物（平均分子量２０００）の分子量分
布測定からＭｗ／Ｍｎ＝１．１の原料を用いて合成し
た。

【００３１】

【化５】ＮＭＲ（核磁気共鳴）測定より、末端合成置換率５３
％、熱分析（ＴＧＡ）において、５℃／ｍｉｎで昇温さ
せたときの原料消失温度における残存率から定義する合
成置換率９１％であった。熱分析には、デュポン社製Ｔ
ＧＡ２０００型を使用した。

【００３２】これらの分析結果より、式２で表わされる
潤滑剤は、Ｒ１、Ｒ２共にフォスファゼン環を有する成
分がモル組成比で２０％、Ｒ１、Ｒ２のどちらかがフォ
スファゼン環でどちらかは−ＯＨを有する成分が６６
％、元の原料が１４％を含む混合物であると推察でき
る。式（２）のＸは、構造上Ｘ＝１〜５の範囲にあると
考えられるが、^３１Ｐ−ＮＭＲのスペクトルより、主要
スペクトルの積分強度比が約１：２になることから、Ｘ
＝５に理論的に近いと推定される。ここで準備された式
（２）の潤滑剤を潤滑剤４とする。

【００３３】また、式（３）で表わされる化合物の平均
分子量の異なる２種類の潤滑剤を潤滑剤５、潤滑剤６と
する。

【００３４】平均分子量は、^１９Ｆ−ＮＭＲ（核磁気共
鳴）分析によって、ＰＦＰＥの両末端すぐ内側の−ＣＦ
_２ＣＨ_２−と−ＯＣＦ_２−（式中ｍ、ｐ、ｒに相当）及
び−ＯＣ_２Ｆ_４−（化学式中ｎ、ｑ、ｓに相当）にアサ
インされるピークの積分強度比より求めた。潤滑剤３の
末端合成置換率は、原料起因と合成生成物起因の−ＣＦ
_２ＣＨ_２−シグナルの積分強度比より計算した。

【００３５】また、分子量の分布測定には、昭和電工
（株）製ＧＰＣカラムＫＦ６０４とＫＦ６０２．５を溶
剤ＶｅｒｔｒｅｌＸＦ（三井デュポンフロロケミカ
ル（株）社製）に置換して用い、日立製ＨＰＬＣポンプ
（Ｌ６０１０）、昭和電工製示差屈折率検出器（ＲＩ−
７４）を使って分析した。測定条件は、試料濃度約１５
％、インジェクション体積５μｌ、流速０．５ｃｍ^３／
ｍｉｎ、圧力約９５ｋｇｆ／ｃｍ^２である。分子量値の
校正には、超臨界炭酸による抽出で得られた化学式
（１）を使い、ＮＭＲ測定で求められたそれぞれの平均
分子量値と、各試料より得られるクロマトグラフのピー
クとなる溶出時間とで、３次式を使って校正した。分子
量１、０００以下では校正基準が得られなかったため、
誤差を多く含んでいる。

【００３６】表１に示されるそれぞれの潤滑剤について
住友スリーエム社製ＨＦＥ−７１００を溶媒として濃度
を調整した潤滑剤溶液を作り、その中に磁気ディスク媒
体をディップし引き上げることで潤滑膜を形成した。そ
の後、磁気ディスク媒体を熱処理した。温度は８０℃
で、時間は３０分である。潤滑膜厚は、ＦＴＩＲ（フー
リエ変換型赤外分光光度計）により測定し、ＦＯＭＢＬ
ＩＮＺＤＯＬの膜厚換算で１．８ｎｍとした。

【００３７】潤滑剤２と潤滑剤４の混合潤滑膜の作成
は、総潤滑剤の重量比に対して潤滑剤４を１０、２０、
３０％と予め溶液の状態で混合させ、前述と同様に溶液
中に磁気ディスクをディップし、引き上げることで潤滑
膜を形成した。その後、８０℃、３０分熱処理を行っ
た。潤滑膜厚は同様に１．８ｎｍとした。潤滑剤５、６
の潤滑膜作成も前述と同様にし、膜厚も１．８ｎｍとし
た。

【００３８】これらのサンプルの信頼性、耐摩耗性の評
価は、次の方法で行った。極低浮上における耐摩耗性評
価のために、モータを逆回転することでヘッドを常時磁
気ディスク媒体と接触する状態にして、磁気記録媒体の
半径２９〜３１ｍｍの間をシークし、クラッシュするま
での時間を測定した。環境温度は室温（約２３℃）、回
転数は１００００ｍｉｎ^−１である。

【００３９】次に各サンプルについての試験結果によ
り、本特許の有効性を説明する。まず、潤滑剤１、２、
３及び潤滑剤５、６を塗布した磁気ディスクの耐摩耗性
について評価した。その結果を図２に示す。図から明ら
かなように式（１）で表される潤滑剤１、２、３には、
耐摩耗性を向上させる適正な分子量の範囲が存在するこ
とが分かる。また、式（３）で表される潤滑剤５、６で
は分子量の範囲を変えても耐摩耗性の向上は見られなか
った。

【００４０】ここで、式（１）で表される潤滑剤の内、
分子量の低い潤滑剤１を用い、膜厚を厚くしていくと、
円板表面に液滴のような粒状の塊が光学顕微鏡で観察さ
れた。潤滑剤１では２．５ｎｍ以上で観察されたが、潤
滑剤２、３では、３ｎｍまで観察されなかった。円板上
にこのような塊が発生すると、ヘッドの浮上性を劣化さ
せ磁気ディスク装置全体の信頼性を悪化させる。

【００４１】光学顕微鏡の観察には、光源として水銀ラ
ンプを用い、対物２０倍、中間変倍２倍で、暗視野にて
観察した。画像の取り込みには、蓄光型のＣＣＤカメラ
で１秒間取り込んだ。

【００４２】また、潤滑剤１、２、３、５、６のスピン
オフ試験も行った。試験環境は、６０℃で１２０００ｍ
ｉｎ^−１にて磁気ディスクを回転させ、４００時間後の
潤滑剤の残膜厚を初期膜厚と比較して、残存率として表
した。その結果を表２に示す。その結果、式（１）で表
される潤滑剤は、式（３）で表される潤滑剤と比較し
て、スピンオフ特性に優れていることが分かった。

【００４３】次に、潤滑剤２に式（２）で表される潤滑
剤４を混合して作成したサンプルについて耐摩耗試験を
行った。潤滑剤４は、溶液の状態で潤滑剤の総重量に対
して、混合率を変化させて作成した。

【００４４】図３は、潤滑剤４の混合率を変化させたと
きの、耐摩耗性評価結果である。図より、潤滑剤４の混
合と共に潤滑剤２を単独で使用した場合と比較して、ク
ラッシュまでに至る時間が約２倍以上に延びていること
が分かった。また、耐摩耗性を向上させる潤滑剤２に対
する潤滑剤４の最適混合率が存在することも明らかとな
った。潤滑剤を塗布するときに使用した溶媒がＨＥＥ−
７１００の場合には、潤滑剤４の混合率は１０〜５０重
量％の範囲が好ましい。

【００４５】さらに、潤滑剤２と潤滑剤４を混合比率２
５％、潤滑膜厚を１．８ｎｍとして、保護膜の膜厚を変
化させ耐摩耗性試験を行った。この結果を図４に示す。
従来の潤滑剤を用いたときは保護膜厚４ｎｍでは１時間
足らずでクラッシュしたのに比べ、保護膜厚３ｎｍでも
その１０倍の時間まで保つようになった。

【００４６】この結果より、従来では数ｎｍの極薄膜で
はすぐクラッシュしてしまい高信頼性を得られなかった
磁気記録媒体が、従来の保護膜厚が５ｎｍ以上の実用レ
ベルの磁気記録媒体と同等以上の信頼性を付与すること
が可能となった。

【００４７】以上の実施例より、使用される潤滑剤が、
分子量１５００未満が２０重量％以下であり、かつ、分
子量４５００を越える部分が１０重量％以下の構成であ
る式（１）に記載の構造の潤滑剤２と、式（２）に記載
の構造よりなる成分を含む磁気ディスク媒体、保護膜が
極薄膜であるにも係わらず、従来の磁気ディスク媒体と
同等以上の耐摩耗性を有すると考えられる。

【００４８】また、本発明の磁気ディスク装置は、磁気
ディスク媒体の各面に対応して設けられた、記録ヘッド
と再生ヘッドを有する磁気ヘッドと、磁気ディスク媒体
と磁気ヘッドの相対的な位置を変化させるための駆動部
と、磁気ヘッドを所望の位置に位置決めする磁気ヘッド
駆動部と、磁気ヘッドへの信号入力と磁気ヘッドからの
出力信号再生を行うための記録再生信号処理系とからな
り、上記の磁気ディスク媒体として、上記のいずれかの
磁気ディスク媒体を用いたところ、いずれも耐久性に優
れ、信頼性が高いものであった。

【００４９】

【発明の効果】本発明により、保護膜を極薄膜として
も、高信頼性で耐摩耗性に優れた磁気ディスク媒体を提
供することができた。また、高信頼性で耐久性に優れた
磁気ディスク装置をを提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】潤滑剤の分子量分布を示す図。

【図２】潤滑剤の耐摩耗性を示す図。

【図３】潤滑剤の混合率と耐摩耗性の関係を示す図。

【図４】保護膜の膜厚と耐摩耗性の関係を示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者正田光広神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージ事業部内 (72)発明者園田幸司神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージ事業部内 (72)発明者中川路孝行茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者石川博神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージ事業部内 (72)発明者小崎倫典神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージ事業部内Ｆターム(参考） 4H104 CD04A PA16 5D006 AA01 AA05 AA06 DA03 FA02 FA06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に、少なくとも磁気記録層及
び保護膜が形成され、表面に潤滑剤が配置された磁気デ
ィスク媒体において、該潤滑剤は、下記の式１及び式２
で表わされる潤滑剤を含み、式１で表わされる潤滑剤
は、分子量が１５００以上、４５００以下の部分が７０
重量％以上であり、かつ、分子量が１５００未満の部分
は２０重量％以下、分子量が４５００を越える部分は１
０重量％以下であることを特徴とする磁気ディスク媒
体。【化１】（ただしａ及びｂはそれぞれ１又は２である）【化２】
【請求項２】上記保護膜の厚さは、２．５ｎｍから５ｎ
ｍの範囲にあることを特徴とする請求項１記載の磁気デ
ィスク媒体。
【請求項３】請求項１又は２記載の磁気ディスク媒体
と、該磁気ディスク媒体の各面に対応して設けられ、記
録ヘッドと再生ヘッドを有する磁気ヘッドと、上記磁気
ディスク媒体と該磁気ヘッドの相対的な位置を変化させ
るための駆動部と、上記磁気ヘッドを所望の位置に位置
決めする磁気ヘッド駆動部と、上記磁気ヘッドへの信号
入力と磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録
再生信号処理系とからなることを特徴とする磁気ディス
ク装置。