[go: up one dir, main page]

WO2007111092A1 - 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 - Google Patents

透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2007111092A1
WO2007111092A1 PCT/JP2007/054271 JP2007054271W WO2007111092A1 WO 2007111092 A1 WO2007111092 A1 WO 2007111092A1 JP 2007054271 W JP2007054271 W JP 2007054271W WO 2007111092 A1 WO2007111092 A1 WO 2007111092A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
transparent
thin film
film layer
sheet
barrier sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2007/054271
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Toshihisa Takeyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Original Assignee
Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Medical and Graphic Inc filed Critical Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Priority to EP07737828A priority Critical patent/EP2000299A4/en
Priority to JP2008507407A priority patent/JPWO2007111092A1/ja
Publication of WO2007111092A1 publication Critical patent/WO2007111092A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12Chemical modification
    • C08J7/16Chemical modification with polymerisable compounds
    • C08J7/18Chemical modification with polymerisable compounds using wave energy or particle radiation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04Coating
    • C08J7/042Coating with two or more layers, where at least one layer of a composition contains a polymer binder
    • C08J7/0423Coating with two or more layers, where at least one layer of a composition contains a polymer binder with at least one layer of inorganic material and at least one layer of a composition containing a polymer binder
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04Coating
    • C08J7/043Improving the adhesiveness of the coatings per se, e.g. forming primers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04Coating
    • C08J7/044Forming conductive coatings; Forming coatings having anti-static properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04Coating
    • C08J7/046Forming abrasion-resistant coatings; Forming surface-hardening coatings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04Coating
    • C08J7/048Forming gas barrier coatings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2367/00Characterised by the use of polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Derivatives of such polymers
    • C08J2367/02Polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2381/00Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon only; Polysulfones; Derivatives of such polymers
    • C08J2381/06Polysulfones; Polyethersulfones
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2429/00Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal, or ketal radical; Hydrolysed polymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids; Derivatives of such polymer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264Up to 3 mils
    • Y10T428/2651 mil or less

Definitions

  • the present invention relates to a transparent barrier sheet for packaging used in the packaging field of foods and pharmaceuticals, or a transparent noria sheet used for electronic equipment-related members, and further to gases such as oxygen and water vapor.
  • the present invention relates to a transparent noria sheet having a very low transmittance and a manufacturing method thereof.
  • an organic thin film layer and an inorganic thin film layer having a cross-linking structure as described in Patent Document 1, Patent Document 2, and the like are made of a transparent plastic substrate.
  • a method for realizing a high gas barrier property by laminating on the surface of the substrate has been proposed.
  • various studies have been made on the thickness of the inorganic thin film layer imparting barrier properties.
  • V The current situation is that there is almost no discussion about what thickness ratio should be set between the organic thin film layer and the inorganic thin film layer.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-276115
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-300273
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-324406
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and the object thereof is to ensure a desired gas-noreness, and to have transparency that allows the contents to be seen through when packaging is performed.
  • a metal detector can be used to detect the contents, and it has an excellent gas barrier property even under high temperature and high humidity.
  • the manufacturing method is provided.
  • a transparent noria sheet having at least one transparent inorganic thin film layer and at least one transparent organic thin film layer on the same surface side of a base sheet, the outermost layer on the thin film layer laminating surface
  • the surface roughness Ra is 5 nm or less
  • the thickness of the transparent inorganic thin film layer is 20 nm or more and 500 nm or less
  • the thickness of the transparent inorganic thin film layer is dl
  • the thickness of the transparent organic thin film layer is d2.
  • a transparent noria sheet characterized by satisfying the relationship represented by the following formula (1).
  • each of the transparent inorganic thin film layer and the transparent organic thin film layer is 1 unit, at least 2 units are laminated on the base sheet. Or The transparent barrier sheet according to 5.
  • the metal oxide or metal nitride constituting the transparent inorganic thin film layer is mainly composed of at least one compound selected from silicon oxide, aluminum oxide, nitrite diatom, and silicon nitride oxide. 8. The transparent noria sheet as described in 7 above.
  • the transparent organic thin film layer is a polymerizable compound containing a radically polymerizable compound, a cationically polymerizable compound, a nonionic polymerizable compound, and a compound having a copolymerizable functional group.
  • the desired gas barrier property can be secured, the content is transparent so that the content can be seen through, and the metal detector is used for detecting the content.
  • the metal detector is used for detecting the content.
  • it has a high gas barrier property even under high temperature and high humidity, and even when it is bent, there is little deterioration of the gas noria property, and an optimal transparent noria sheet can be provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a transparent barrier sheet.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another example of a transparent barrier sheet configuration.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another example of a transparent barrier sheet configuration.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing another example of a transparent barrier sheet configuration.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another example of a transparent barrier sheet configuration.
  • FIG. 6 is a schematic view showing an example of a film forming apparatus using a catalytic chemical vapor deposition method.
  • the transparent barrier sheet of the present invention is a transparent noble sheet having at least one transparent inorganic thin film layer and at least one transparent organic thin film layer on the same surface side of the substrate sheet, and the thin film layer
  • the surface roughness Ra (arithmetic average surface roughness) of the outermost layer of the laminated surface is 5 nm or less
  • the thickness of the transparent inorganic thin film layer is 20 nm or more and 500 nm or less
  • the thickness of the transparent inorganic thin film layer is dl.
  • Equation (1) 0.5 ⁇ d2 / dl ⁇ 10
  • surface roughness Ra means the average surface roughness when measuring multiple locations (more than 5 locations) in the 200 ⁇ ⁇ ⁇ 200 ⁇ m range with a non-contact 3D surface profile measuring device. (Arithmetic mean surface roughness).
  • transparent means that the transmittance of visible light is 50% or more and 95%. It means the following.
  • the average roughness Ra represents an average surface roughness (arithmetic average surface roughness) and is also called a roughness average. That is, the surface roughness Ra is a three-dimensional surface roughness and is defined by the following equation.
  • the average roughness (Ra) by the three-dimensional digital measurement according to the present invention is determined after the sample to be measured is left for 24 hours at 23 ° C and 48% relative humidity.
  • the height Z at the measurement point of the kth point in the X direction and the jth point in the Y direction Is f (Z) and the value obtained according to the following formula is
  • the surface roughness Ra is ANSI B46.1 of the American Standards Association or JI of the Japanese Standards Association.
  • the surface roughness Ra according to the present invention can be measured using, for example, a non-contact three-dimensional surface shape measuring device (VYco, WYKO NT1100).
  • the barrier property is degraded. Therefore, since it is effective for the barrier property to have a surface that minimizes the surface area as far as it can go out, the surface roughness Ra of the outermost layer of the thin film layer laminating surface in the transparent noria sheet of the present invention. Is preferably 5 nm or less.
  • the barrier property is borne by the transparent inorganic thin film layer.
  • the thickness should be 20 nm or more and 500 nm or less in consideration of flexibility and deformation of the laminated base sheet. Is preferred.
  • this transparent inorganic thin film layer depends on the composition, sufficient noria properties cannot be obtained at 20 nm or less.
  • the thickness is 500 nm or more, the transparent inorganic thin film is too hard for the bending property, which is a characteristic of a sheet having a plastic force, so that the bending property cannot be followed and a defect such as a crack may occur. Absent.
  • the thickness of the transparent inorganic thin film layer is dl and the thickness of the transparent organic thin film layer is d2
  • the thickness is within the range of the above formula (1), in other words, the thickness force of the transparent organic thin film layer is lOnm or more.
  • the thickness of the transparent organic thin film layer is preferably 2 Onm or more. Therefore, it is more preferable that the above formula (1) falls within the range of the following formula (2) in order to achieve both barrier properties and flexibility.
  • Equation (2) 1. 0 ⁇ d2 / dl ⁇ 5.0
  • the substrate sheet used in the present invention can be used without particular limitation as long as it does not cause dimensional deformation or curling after thin film lamination in the production method described later.
  • polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate
  • polyolefin resins such as polyethylene and polypropylene
  • styrene resins such as polystyrene and acrylonitrile-styrene copolymer
  • methyl methacrylate methyl methacrylate.
  • Acrylic resin such as methacrylic acid-maleic acid copolymer, cellulose resin such as triacetyl cellulose, salt resin resin such as poly salt resin, polyimide, fluorinated polyimide or polyether Imido resin such as imide, nylon 6, nylon 66, MXD nylon 6, etc.
  • Polyamide resin, bisphenol A, bisphenol Z, polycarbonate resin made of 1,1-bis (4-hydroxyphenol) -1,3,3,5-trimethylcyclohexane, fluorine resin examples include polyarylate resin, polyethersulfone resin, polysulfone resin, polyetheretherketone resin, alicyclic polyolefin, and alicyclic polyolefin resin such as alicyclic polyolefin copolymer. .
  • the base sheet may be either stretched or unstretched, and preferably has mechanical strength and dimensional stability.
  • polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate arbitrarily stretched in the biaxial direction are preferred for applications where the thickness of the base sheet is thin, and when the thickness of the base sheet is relatively thick.
  • Polyester resins such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyarylate resin, polyethersulfone resin, polycarbonate resin or cycloaliphatic polyolefin resin have dimensional stability, chemical resistance and heat resistance. Surface power is also preferable.
  • additives may be added to the base sheet in the present invention as long as it does not impair the effects of the present invention.
  • additives include plasticizers, Examples thereof include dyes, antistatic agents, ultraviolet absorbers, antioxidants, inorganic fine particles, peeling accelerators, leveling agents, inorganic layered silicate compounds and lubricants.
  • the thickness of the base material can be selected and used as appropriate according to the use of the transparent noria sheet of the present invention. However, considering the suitability as a packaging material, the thickness of the base material is different from that of a single resin sheet. Properties Stacked sheets can be selected and used as appropriate. However, considering the workability when forming the transparent inorganic thin film layer and the transparent organic thin film layer, which will be described later, the practical range is 6 to 400 ⁇ m, especially 25 to LOO ⁇ m. It is preferable that
  • the appropriate thickness is selected according to various applications.
  • it when used as an alternative to a glass substrate, it is suitable for the post-processes manufactured with the glass substrate specifications, so it is comparatively thick! ⁇ ⁇ 50-800 ⁇ m range, especially 50-400 ⁇ m range force ⁇ Preferred! / ⁇ .
  • a transparent inorganic thin film layer and a transparent organic thin film layer can be continuously formed on the base sheet. It is preferable to use a long continuous film.
  • the transparent primer layer provided on the base material sheet is provided to improve adhesion to the thin film layer laminated thereon and to ensure smoothness of the thin film layer laminated surface.
  • the bright primer layer can be formed by applying and drying a resin coating solution dissolved in various solvents, and if necessary, may be subjected to a crosslinking reaction after drying. Also, metal Lacoxide, UV-cured resin, electron beam-cured resin, heat-cured resin, etc. are laminated with no solvent, or a transparent primer layer forming composition used without these solvents is used to adjust viscosity and film thickness. Diluted materials are laminated by coating, dried and then cured, and can be suitably used.
  • a resin for forming a resin coating solution dissolved in various solvents includes polyester-based resin, polyurethane-based resin, polyacrylic-based resin, and polystyrene-based resin. , Cellulose-based resin, polyvinylacetal-based resin, polysalt-vinyl-based resin, and the like, which can be selected and used as appropriate.
  • the metal alkoxide include metal alkoxides with alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, and isopropyl alcohol.
  • the metal include metals such as silicon, titanium, and zirconium.
  • an ultraviolet curable resin or an electron beam curable resin may be used to form a transparent organic thin film layer described later.
  • the radically polymerizable compounds, cationically polymerizable compounds, ion-polymerizable compounds, or combinations of compounds having a copolymerizable functional group can be selected and used in a timely manner.
  • a transparent primer layer can be obtained by curing the composition after being laminated on the substrate sheet.
  • thermosetting resin can be selected and used in a timely manner. Examples of such thermosetting resin include phenol resin, epoxy resin, melamine resin, and urea resin that are widely used.
  • thermosetting resins such as fats, unsaturated polyesters, alkyd resins, etc.
  • compounds having epoxy groups and mercapto groups are also combinations of resins, compounds having epoxy groups and amino groups.
  • a combination with rosin, a compound having an acid anhydride and an amino group or a combination with rosin, a compound having a hydroxyl group and an isocyanate group, and a combination with rosin can also be used.
  • the thickness of the transparent primer layer cannot be generally determined depending on the surface property of the substrate sheet to be used, but is preferably in the range of 0.05 / zm force and 5. O / zm. Further, the transparent primer layer which is preferably in the range of 0.1 to 2.0 m may be a single layer or a plurality of layers of two or more as required.
  • the transparent primer layer is laminated on the transparent primer layer of the base sheet.
  • the transparent inorganic thin film layer and the transparent organic thin film layer will be described in detail.
  • the transparent inorganic thin film layer of the present invention has barrier properties and can be used without particular limitation as long as it is a transparent metal oxide or metal nitride.
  • the transparent inorganic thin film layer is formed by Si, Al, In, Sn, Zn, Mg, Ca, K, Sn, Na, B, Ti, Pb, Zr, Y, In, Ce, Ta, etc. It is possible to select and use an oxide or nitride containing one or more of these, as appropriate. Further, among these, in order to confirm the contents or when used for an electronic device, those having no clear absorption maximum wavelength in the visible range are preferable.
  • examples of the inorganic oxide include silicon (Si), aluminum (A1), zinc (Zn), magnesium (Mg), calcium (Ca), potassium (K), tin (Sn ), Sodium (Na), boron (B), titanium (Ti), lead (Pb), zirconium (Zr), yttrium (Y), indium (In), and other metal oxides can be used.
  • the notation of metal oxide is, for example, MO such as SiO, AIO, MgO (wherein, M represents a metal element, and the value of X has a range depending on the metal element, respectively) Is different.)
  • the range of the value of X above is 0 ⁇ x ⁇ 2 for silicon (Si), 0 ⁇ x ⁇ 1.5 for aluminum (A1), 0 ⁇ x ⁇ 1 for zinc (Zn), magnesium (Mg ) 0 ⁇ 1, calcium (Ca) 0 ⁇ 1, potassium (K) 0 ⁇ x ⁇ 0.5, tin (Sn) 0 ⁇ x ⁇ 2, sodium (Na) 0 ⁇ x ⁇ 0.5, boron (B) 0 ⁇ x ⁇ l, 5, titanium (Ti) 0 ⁇ x ⁇ 2, lead (Pb) 0 ⁇ 1, zirconium (Zr) 0 ⁇ x ⁇ 2.
  • Yttrium can have values in the range of 0 ⁇ 1.5 and indium (In) can be in the range of ⁇ x ⁇ l.
  • silicon (Si), aluminum (A1) In this case, the silicon oxide (SiO 2) is 1.0 ⁇ x ⁇ 2.0, and the aluminum oxide (AIO) is 0.5 ⁇ x. It is more preferable to use a value in the range of ⁇ l.
  • silicon nitride is preferred from the viewpoint of transparency. Further, silicon nitride is preferred as a mixture thereof. Although silicon nitride is expressed as SiO N, the ratio of X and y is an oxygen-rich film when importance is placed on improving adhesion, and 1 ⁇ ⁇ 2, 0 ⁇ y ⁇ l If it is important to improve the water vapor barrier property, it is preferable to use a nitrogen-rich film with 0 ⁇ x ⁇ 0.8 and 0.8 ⁇ y ⁇ l.3! / ⁇ .
  • the thickness of the transparent inorganic thin film layer is preferably 10 nm or more and lOOOnm or less, more preferably 20 ⁇ m to 500 nm is preferable for securing the force barrier property and preventing deformation of the substrate sheet.
  • the transparent organic thin film layer of the present invention is selected from a radical polymerizable compound, a cationic polymerizable compound, an anion polymerizable compound, or a combination of compounds having a copolymerizable functional group.
  • a polymer film obtained by polymerizing at least one compound is preferable.
  • any compound having a functional group capable of radical polymerization can be used without particular limitation, but ethylenically unsaturated due to the availability of the compound.
  • U compounds with double bonds are preferred.
  • Examples of such a compound having an ethylenically unsaturated bond include compounds having a vinyl group in the molecule such as styrene derivatives, vinyl acetate derivatives and vinylpyrrolidone derivatives, and compounds having a (meth) attalyloyl group in the molecule.
  • Examples thereof include compounds having an acyloxy group or acylamide group in the molecule, and among them, a compound having a (meth) atalyloyl group is more preferred from the viewpoint of steric hindrance during radical polymerization.
  • the (meth) atalyloyl group referred to in the present invention represents an allyloyl group or a methacryloyl group.
  • Examples of such a compound having a (meth) atalyloyl group include, for example, (meth) of substituted or unsubstituted phenol, nourphenol and 2-ethylhexanol as a compound having one (meth) atalyloyl group.
  • Examples include acrylate and (meth) acrylamide, and (meth) acrylate and (meth) acrylamide of alkylene oxide adducts of these alcohols.
  • Examples of the compound having two (meth) atalyloyl groups include substituted or unsubstituted bisphenol A, bisphenol F, fluorene, and isocyanuric acid di (meth) acrylate (meth) acrylamide and alkylene alcohols of these alcohols.
  • Examples include di (meth) acrylate and (meth) acrylamide in the form of oxides, di (meth) acrylate and (meth) acrylamide in polyalkylene glycols such as ethylene glycol and propylene glycol.
  • Examples of compounds having three (meth) atallyloyl groups include pentaerythritol, trimethylolpropane, and isocyanuric acid tri (meth) acrylate and tri (meth) acrylamide, and alkylene oxides of these alcohols.
  • Such as tri (meth) atalylate and tri (meth) acrylamide, which have 4 or more (meth) atalyloyl groups examples thereof include pentaerythritol, poly (meth) acrylate of dipentaerythritol and poly (meth) acrylamide.
  • acrylic or acrylamide type polymers such as urethane acrylate having a urethane bond as the main chain, polyester acrylate having an ester bond as the main chain, and epoxy (meth) acrylate having an acrylic acid added to an epoxy compound.
  • a compound having a plurality of (meth) attaroyl groups may have (meth) acrylate alone or (meth) acrylamide alone! /, And (meth) acrylate. It is also possible to use a compound with (meth) acrylamide.
  • the above-mentioned radical polymerizable compound can be polymerized by a known method such as electron beam curing or ultraviolet curing.
  • a radical polymerizable compound is polymerized by photopolymerization such as ultraviolet rays or visible light
  • a polymerization initiator for initiating the polymerization reaction is required as an essential component.
  • the polymerization initiator used for ultraviolet light, visible light, etc. is not particularly limited as long as it can generate radicals by light.
  • carboin compounds such as benzoin and its derivatives, benzophenone, azobisy sobuti Azo compounds such as mouth-tolyl, sulfur compounds such as dibenzothiazolyl sulfide, peroxides such as benzoyl peroxide, halides such as 2-tribromomethanesulfonyl-pyridine, Quaternary ammonium salts, or humic compounds such as substituted or unsubstituted diphenol rhodium and triphenylsulfo salts, metal ⁇ complexes such as iron arene complexes and titanocene complexes, etc.
  • examples of the cationically polymerizable compound used in the transparent organic thin film layer of the present invention include an oxsilane group, an oxetal group, a tetrahydrofuran group, an oxepane group, a monocyclic acetal group, A compound having a bicyclic acetal group, an alkenyl ether group, an allene ether group, a ketene acetal group, a rataton group, a cyclic orthoester group, or a cyclic carbonate group, and at least one kind of compound selected as appropriate may be used as appropriate.
  • an oxsilane group an oxetal group, a tetrahydrofuran group, an oxepane group
  • a monocyclic acetal group A compound having a bicyclic acetal group, an alkenyl ether group, an allene ether group, a ketene acetal group, a rataton group,
  • Examples of the compound having an oxetal group described above include, for example, JP-A Nos. 5-1770763, 5-371224, 6-16804, 7-17958, 7-173279, and 8- 2457 83, 8-301859, 10-237056, 10-330485, 11-10638 0, 11-130766, 11-228558, 11-246510, 11- 24654 0, 11-246541, 11-322735, JP 2000-1482, 2000-26 546, 2000-191652, 2000-302774, 2000-336133, 2 001-31664, 2001-31665, 2001-31666, 2001-40085, 2003-81958, 2003-89693 2001-163882, 2001-226 365, 2001- 278874, 2001-278875, 2001-302651, 2001-342194, 2002-20376, 2002-80581, 2002-193965, 2002-241489, 2002- 275171, 2002-275172, 2002-322268 2003-2881, 2003-12662, 2003-81958, 2004-913
  • Various compounds having an oxysilane group can be used, and specific compounds include aliphatic polyglycidyl ether, polyalkylene glycol diglycidyl ether, tertiary carboxylic acid monoglycidyl ether, bisphenol A Polycondensate of epoxichlorohydrin, hydrogenated bisphenol A and epichlorohydrin, brominated bisphenol Resins modified with glycidyl groups, such as polycondensates of diol A and epichlorohydrin and polycondensates of bisphenol F and epichlorohydrin, glycidyl-modified phenol novolac, glycidyl-modified o Cresolol novolak resin, 3, 4-epoxy cyclohexamethyl- 3 ', 4' epoxycyclohexene carboxylate, 3, 4 epoxy 1-methylcyclohexenylmethyl 3 ', 4' 1 epoxy 1 ⁇ 1 methyl cyclo Examples include hex
  • the compounds having an alkenyl ether group include hydroxyethyl vinyl ethereole, hydroxybutinorevininore etherenole, dodecinorevininore etherenole, propeninole terpylene carbonate and cyclohexyl vinyl. -Luether etc. are mentioned.
  • Examples of the compound having two or more butyl ether groups include cyclohexane dimethanol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether, and novolak divinyl ether.
  • Examples of the polymerization initiator for polymerizing the above cationic polymerizable compound include a photopolymerization initiator and a thermal polymerization initiator.
  • the photopolymerization initiator is Bronsted by light. As long as it can generate an acid or Lewis acid, it can be used without any particular limitation.
  • a light-powered cation polymerization initiator used in chemically amplified photoresists and resin for photofabrication (for research on organic electronics materials) The edition of “Organic Materials for Imaging”, Bunshin Publishing (1993), pages 187 to 192) can be selected and used in a timely manner.
  • photopower thione polymerization initiators include 2, 4, 6 tris (trichloromethyl) 1, 3, 5 triazine, 2- (4-methoxyphenol) 1, 4, 6 Bis (trichlorome Til) 1, 3, 5 triazine and s triazine compounds substituted with a trihalomethyl group such as compounds described in JP-A-2-306247; [ ⁇ 6-i-propylbenzene] or [7 ⁇ 5-cyclopentadiene- Iron] iron hexafluorophosphate and other iron arene complexes; Triphenyl ether, oxafluroalcinate, diphenol, 4-thiophenoxysulfo-hexoxafluoroantimonate, etc., JP-A 62-57646, etc.
  • thermal cationic polymerization initiators salt salts such as sulfo-um salt, ammonia salt, phospho-um salt and silanol / aluminum complex can be used without particular limitation. If there is no problem even if the other essential components are heated at a high temperature of 150 ° C or higher in the thermal cationic polymerization initiator of JP-A-58-37003, 63-2233002, etc.
  • the initiator is preferably in the range of 0.01 to 30 parts by weight, more preferably 0.05 to 20 parts by weight, based on 100 parts of the cationically polymerizable compound. It is a range.
  • a well-known key-on polymerizable compound can be selected and used as appropriate. Examples of such compounds include compounds having an electron-accepting ethylenically unsaturated double bond group, compounds having an oxosilane group, and an oxetal group in the compound, and specific examples thereof. The thing mentioned in full detail in the radical polymerizable compound and cation polymerizable compound mentioned above can be mentioned.
  • a polymerization initiator for initiating the polymerization of a ionic polymerizable compound a base generation that can generate a Bronsted base or a Lewis base by light or heat to initiate the ionic polymerization.
  • Examples of such compounds include JP-A-59-168441, 59-180537, 60-237443, 61-51139, JP-A-1-68746, 4-134348, 4-162040, 5-27440, 8-169870, 8-227154, 10-83079, 11-71450, 11-269138, JP 2000-10270, 2001-200049, 2002-297006, 2003-20339, 2003-212856, 2005-17354, Special 2005-536620, US Patent 3493374, 4060420 British Patent 998949, International Patent 2002,0519 05, Encyclopedia of Polymer Science and Engineering, John Wiley & Sons Ltd. (1985), No. 1, p740 etc. Saisho can be exemplified compounds described in these ⁇ - one polymerization initiator may be used in combination and use of two or more thereof, if alone or necessary.
  • a base generator cartridge described in JP-A Nos. 2000-330270, 2002-265531, 2004-250650 and the like was produced.
  • a base proliferating agent for growing a base, a sensitizer for generating a base by light, and the like can be used as needed.
  • the initiator is preferably in the range of 0.01 to 30 parts by weight, more preferably 0.05 to 5 parts by weight, based on 100 parts of the ion-polymerizable compound.
  • the range is 20 parts by mass or less.
  • the combination of the compound having a copolymerizable functional group used in the transparent organic thin film layer of the present invention has a compound having an isocyanate group and a hydroxyl group or an amino group.
  • a combination of a compound having a copolymerizable functional group such as a compound having an oxosilane group and a compound having an amino group or a mercapto group, a compound having an oxazoline group and a compound having a carboxyl group or a hydroxyl group.
  • the copolymer sheet can be selected and used in a timely manner depending on the heat resistance of the substrate sheet.
  • a catalyst is added in addition to the above-mentioned essential component in order to promote the polymerization reaction. May be allowed.
  • the thickness of the transparent organic thin film layer is preferably 50 nm or more and 5.0 ⁇ m or less, and more preferably 50 ⁇ m or more and 2.0 m or less. This is preferable for preventing deformation of the substrate sheet.
  • the transparent inorganic thin film layer and the transparent organic thin film layer are made into 1 unit, at least 2 units on the transparent primer layer of the base material sheet on which the transparent primer layer is laminated.
  • the number of units that are preferably stacked is preferably 2 units or more and 10 units or less, and more preferably 2 units or more and 5 units or less.
  • the transparent organic thin film layer as the outermost layer is thicker than the inner transparent organic thin film layer.
  • the maximum thickness of the inner transparent organic thin film layer is Rl and the thickness of the outermost transparent organic thin film layer is R2, it is preferable that the relationship 1 ⁇ R2ZR1 ⁇ 10 is satisfied.
  • the thickness of the transparent inorganic thin film layer other than the outermost transparent organic thin film layer and the transparent organic thin film layer is preferably lOnm or more and lOOOnm or less, more preferably 20 nm or more and 500 nm or less as the transparent inorganic thin film layer. .
  • the thickness of the transparent organic thin film layer is preferably 50 nm or more and 2. O / z m or less, more preferably 50 nm or more and 1. O / z m or less.
  • the transparent barrier sheet of the present invention in addition to the essential layers described above, functional layers such as an antistatic layer, an adhesive layer, a conductive layer, an antireflection layer, an ultraviolet ray prevention layer, and a near infrared ray prevention layer are necessary. Depending on the application, the position to be laminated can be selected in a timely manner.
  • the transparent barrier sheet of the present invention comprises at least one transparent inorganic thin film layer on a substrate sheet And at least one transparent organic thin film layer on the same surface side of the base sheet, the outermost layer surface roughness Ra of the thin film layer lamination surface is 5 nm or less, and the transparent inorganic layer thin film layer thickness
  • the thickness of the transparent inorganic thin film layer is dl and the thickness of the transparent organic thin film layer is d2
  • the thickness is 20 nm or more and 500 nm or less.
  • FIGS. 1 to 5 show schematic cross-sectional views of the transparent noria sheet of the present invention.
  • the present invention is not particularly limited to these configurations within the scope of the present invention.
  • Fig. 1 shows a transparent inorganic thin film layer 111 and a transparent organic thin film layer 112 laminated in this order on a substrate sheet 11
  • Fig. 2 shows a transparent primer layer 22 and a transparent layer on the substrate sheet 21.
  • An inorganic thin film layer 211 and a transparent organic thin film layer 212 are laminated in this order.
  • FIG. 3 shows that when the transparent inorganic thin film layer 311 and the transparent organic thin film layer 312 are taken as one unit, two units are laminated on the transparent primer layer 32 of the base material sheet 31 on which the transparent primer layer 32 is laminated (transparent inorganic thin film).
  • the film layer 311, the transparent organic thin film layer 312, the transparent inorganic thin film layer 321 and the transparent organic thin film layer 322) are shown in FIG. Are laminated. Further, in FIG. 5, transparent primer layers 5 2, 52 ′ are laminated on both surfaces of the base sheet 51, and two units are laminated on each of the transparent primer layers 52, 52 ′ (the transparent inorganic thin film on the transparent primer layer 52). Layer 511, transparent organic thin film layer 512, transparent inorganic thin film layer 521, transparent organic thin film layer 522, transparent inorganic thin film layer 5l on transparent primer layer 52 ', transparent organic thin film layer, transparent inorganic thin film layer 52, transparent organic thin film layer 522 ').
  • the outermost layer of the thin film layer laminated surface in each figure for example, the transparent organic thin film layer 112 in FIG. 1, the transparent organic thin film layer 212 in FIG. 2, the transparent organic thin film layer 322 in FIG. 3, and the transparent organic thin film layer in FIG. 452,
  • Surface roughness Ra of transparent organic thin film layer 522, 5 22 'in Fig. 5 is 5 nm or less
  • transparent inorganic thin film layer thickness is 20 nm to 500 nm
  • transparent inorganic thin film layer thickness is dl
  • transparent organic transparent organic
  • the transparent primer layer-forming composition used for forming the transparent primer layer described above is prepared by mixing the respective components or, if necessary, dissolving or dispersing in a solvent.
  • a two-roll mill, a three-roll mill, a ball mill, a pebble mill, a cobol mill, a tron mill, a sand mill, a sand grinder Sqe Dispersers with known conventional power such as gvari attritor, high-speed impeller disperser, high-speed stone mill, high-speed impact mill, disperser, high-speed mixer, homogenizer, ultrasonic disperser, open-derer, continuous-renderer, etc. Can be selected and used in a timely manner.
  • the solvent used for dissolution includes water, ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone or cyclohexanone, ethyl alcohol, n-propyl alcohol or isopropyl alcohol.
  • Alcohol such as heptane cyclohexane, aromatic hydrocarbons such as toluene xylene, polyglycols such as ethylene glycol and diethylene glycol, ether alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether, tetrahydrofuran , Ethers such as 1,3-dioxolan or 1,4-dioxane, and halogen-containing compounds such as dichloromethane and chloroform.
  • aliphatic hydrocarbons such as heptane cyclohexane
  • aromatic hydrocarbons such as toluene xylene
  • polyglycols such as ethylene glycol and diethylene glycol
  • ether alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether
  • tetrahydrofuran Ethers
  • Ethers such as 1,3-dioxolan or 1,4-dioxane
  • halogen-containing compounds such as dichloromethane and chloroform.
  • a transparent primer layer forming composition prepared as described above on a base sheet for example, a roll coating method, a gravure roll coating method, a direct gravure roll coating method, an air doctor coating method, Coating by coating methods such as rod coating method, kiss roll coating method, squeeze roll coating method, reverse roll coating method, curtain flow coating method, fountain method, transfer coating method, spray coating method, dip coating method, etc.
  • a transparent primer layer can be laminated
  • the transparent primer layer forming component is the same as the transparent organic thin film layer forming component, a method of laminating a transparent organic thin film layer described later may be used.
  • the transparent inorganic thin film layer mainly composed of metal oxide or metal nitride is formed by, for example, film formation by vacuum deposition, film formation by sputtering, film formation by ion plating, or reactive plasma.
  • Film formation by vapor deposition, film formation by electron cyclotron resonance plasma, film formation by plasma chemical vapor deposition, film formation by thermal chemical vapor deposition, film formation by photochemical vapor deposition, catalytic chemical vapor deposition Film formation by vacuum ultraviolet chemical vapor deposition, etc., and the unevenness of the surface of the transparent inorganic thin film layer formed therein is relatively Catalytic chemical vapor deposition method (cat-CVD method), reactive plasma deposition method (RPD method), electron cyclotron resonance (ECR) plasma film-forming method that produces a film with few smooth surfaces. It is preferable to form the film by reactive plasma vapor deposition (RPD method) or electron cyclotron resonance (ECR) plasma film formation. It is preferable because smoothness can be secured.
  • catalytic chemical vapor deposition method and film forming apparatus include, for example, JP-A-2002-69644, 2002-69646, 2002-299259, 2004-212160, Those described in 2004-217966, 2004-292877, 2004-315899, 2005-179693, etc. can be used in a timely manner or modified into a form suitable for the purpose of the present invention.
  • reactive plasma deposition methods and film forming apparatuses include, for example, JP-A Nos. 2001-262323, 2001-295031, 2001-348660, 2001-348662, and 2002-30426. No. 2002-53950 No. 2002
  • the method for laminating the transparent organic thin film layer laminated on the transparent inorganic thin film layer mainly composed of the metal oxide or metal nitride described above includes coating at the time of forming the transparent primer layer described above.
  • vapor deposition can be used, the transparent noria sheet of the present invention avoids damaging the transparent inorganic thin film layer functioning as a noria film. Therefore, it is preferable to use a vapor deposition method.
  • the transparent organic thin film layer lamination by this vapor deposition method can be made into a polymerized film by polymerizing after forming the organic thin film layer forming component. More specifically, at least one compound selected from a radically polymerizable compound, a cationically polymerizable compound, a cation polymerizable compound, or a combination of compounds having a copolymerizable functional group, and a compound thereof.
  • the essential components necessary for polymerizing the film are deposited by vapor deposition and leveled to smooth the surface, and then irradiated with active energy rays such as electron beams and ultraviolet rays, or the substrate sheet is deformed.
  • a thin film is formed by polymerizing the polymerizable compound by heating under conditions that do not.
  • Specific examples of the above-described vapor deposition method and film forming apparatus include, for example, JP-A-2-284485, JP-A-5-125520, JP-A-5-177163, JP-A-5-311399, and JP-A-5-339389. 6
  • JP-T-8-503099 can be selected as appropriate or modified into a form suitable for the purpose of the present invention.
  • the base material in forming the transparent organic thin film layer and the transparent inorganic thin film layer for the purpose of preventing thermal deformation of the base material sheet.
  • the maximum temperature at which the sheet reaches T [K] is 243 mm or more and 383 mm or less. Furthermore, it is more preferable to set it to 333K or less.
  • the ultimate temperature T [K] reached by the base sheet is more preferably within the range of the following formula (4) when the glass transition temperature Tg [K] of the resin used for the base sheet is used. .
  • the condition of formula (5) because a transparent noble sheet with fewer defects can be produced.
  • the maximum temperature reached by the base sheet when forming the transparent organic thin film layer and the transparent inorganic thin film layer here is ⁇ [ ⁇ ]
  • the film formation time is S [seconds].
  • the film forming conditions of each single layer are shown.
  • the film formation time referred to here represents the film formation time at a point where the base sheet is present.
  • the layers are laminated when the transparent primer layer, the transparent inorganic thin film layer or the transparent organic thin film layer is laminated within a range not impairing the object of the present invention.
  • the surface to be subjected to flame treatment, ozone treatment, glow discharge treatment, corona discharge treatment, plasma treatment, vacuum ultraviolet irradiation treatment, electron beam irradiation treatment and radiation irradiation treatment power may be subjected to at least one kind of surface treatment. .
  • the transparent barrier sheet of the present invention if necessary, in addition to the essential layers described above.
  • the functional layers such as the antistatic layer, the adhesive layer, the conductive layer, the antireflection layer, the ultraviolet ray prevention layer, and the near infrared ray prevention layer to be installed are the above-described transparent primer layer, transparent inorganic thin film layer, or transparent organic thin film layer. Lamination can be performed by selecting a method in a timely manner.
  • a coating composition comprising 98 parts of methyl ether and 2 parts of diphenyl-4 thiophenoxy sulfo-hexafluoroantimonate as a polymerization initiator was mixed so that the coating thickness was about 0.5 m.
  • the deposition shutter was opened to deposit a transparent organic thin film layer. Then, by irradiating UV light of integrated light quantity of 500mi / C m 2, to prepare a transparent Noria sheet 1-A to 1-E of the present invention by forming a transparent organic thin film layer
  • Table 1 shows the surface roughness Ra, the film thickness, the film formation time, and the maximum temperature T [K] reached at the time of film formation of the transparent organic thin film layer obtained in that case, and is transparent.
  • the maximum temperature reached when the organic thin film layer was formed was determined by attaching a thermolabel to the surface of the film and confirming it after the thin film layer was formed.
  • the transparent barrier sheet produced by the method described above was measured in a water vapor transmission rate measuring device [manufactured by MOCON: OXTRAN 2Z21] in an environment of a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% RH. Table 1 shows the evaluation results.
  • the transparent barrier sheet produced by the method described above was tested at 40 ° C and 0% humidity using an oxygen transmission rate measuring device [MOCON: PERMATRAN—W 3/32] compliant with ASTM D-3985.
  • the oxygen permeability was measured and evaluated under the following conditions. Table 1 shows the evaluation results.
  • the transparent noria sheet produced by the above method was bent 20 times at an angle of 180 degrees along a 20m ⁇ stainless steel rod under the condition that the thin film layer surface was on the outside, and then the same as the evaluation of water vapor barrier properties. was evaluated.
  • Comparative examples R-1A and R-1B in which the ratio of the thickness of the transparent inorganic thin film layer to the transparent organic thin film layer shown in Table 1 is outside the range of the present invention are shown in Table 1. A similar evaluation was made. The results obtained are also shown in Table 1.
  • Example 2 As is clear from Table 1, it can be seen that the transparent barrier sheet of the present invention is excellent in normality against water vapor and oxygen gas, and has excellent bending resistance. [0101]
  • Example 2 As is clear from Table 1, it can be seen that the transparent barrier sheet of the present invention is excellent in normality against water vapor and oxygen gas, and has excellent bending resistance.
  • a 125 m thick biaxially stretched polyethylene terephthalate [Toyobo Co., Ltd., Cosmo Shine A-4300] film was prepared, and the same coating composition as in Example 1 was applied and then irradiated with ultraviolet light. Then, a transparent primer layer having a thickness of 0.3 m was formed. When the surface of this transparent primer layer was observed at five locations with a non-contact three-dimensional surface shape measuring device [Veeco, WYKO NT1100], the average surface roughness Ra was 3.5 nm.
  • the transparent inorganic thin film layers 2-A to 2-E of the present invention were prepared by forming a transparent inorganic thin film layer and a transparent organic thin film layer by the methods shown in 1) and 2) below.
  • the obtained transparent barrier sheet was evaluated for barrier properties and bending resistance by the same evaluation method as in Example 1, and the obtained results are shown in Table 2.
  • the shielding member 69 disposed between the heating element 64 and the base sheet 61 with the transparent primer layer is opened, so that the surface of the base sheet 61 with the transparent primer layer is exposed to hydrogen gas and Exposed to ammonia gas decomposition active species for 20 seconds.
  • the shielding member 69 is temporarily closed, and the silane gas is introduced into the vacuum vessel 60 by opening the on-off valve V68 of the silane gas source 68.
  • a silicon nitride film having a thickness of 60 nm was formed on the surface of the substrate sheet 61 with a transparent primer layer.
  • a transparent organic thin film layer was formed by irradiating UV light with an accumulated light amount of 500 miZcm 2 .
  • Table 2 shows the film thickness of the transparent organic thin film layer obtained at that time, the film formation time, and the maximum temperature T [K] reached at the base material sheet at the time of film formation. Note that the maximum temperature ⁇ [ ⁇ ] reached the base sheet was evaluated in the same manner as in Example 1.
  • Comparative examples R-2 and R-2 in which the thickness ratio between the transparent inorganic thin film layer and the transparent organic thin film layer shown in Table 2 is outside the scope of the present invention were prepared. The same evaluation was performed. The results obtained are also shown in Table 2.
  • the transparent barrier sheet of the present invention is excellent in bending resistance as well as being excellent in noria properties against water vapor and oxygen gas.
  • Example 3 As the substrate sheet, biaxially oriented polyethylene naphthenate terephthalate film [Teijin Dupont Films Ltd., Teonex Q65] having a thickness of 100 mu m was subjected to corona discharge treatment on one side of, 1 X 10- 4 Pa stand a vacuum chamber Evacuated to 1,4 butanediol daricidyl ether and 1,3 diaminopropane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) into separate organic vapor deposition sources, respectively, started flash heating, and vaporized when impurities were evaporated. By opening the shutter, a transparent primer layer was formed by vapor deposition polymerization on the base material sheet. When the surface of this transparent primer layer was observed at five locations with a non-contact three-dimensional surface shape measuring device [Weeko NT1100, manufactured by Veeco, Inc.], the average surface roughness Ra was 2. Onm.
  • a non-contact three-dimensional surface shape measuring device [Weeko NT1100,
  • the transparent inorganic thin film layer A and the transparent organic thin film layer B shown in the following 3) and 4) are formed into the laminated form shown in Table 3, so that the transparent noble sheet of the present invention 3-A to 3- G was produced.
  • C indicates the base sheet Z transparent primer layer.
  • Table 3 shows the film thickness of the transparent inorganic thin film layer obtained at that time, the film formation time, and the maximum temperature T [K] reached by the base material sheet during film formation.
  • the substrate sheet maximum temperature T [K] was evaluated in the same manner as in Example 1.
  • a transparent organic thin film layer deposition of beta set in a vacuum chamber in a state of placing the 10 ° C cold plate to the back of the sheet, was evacuated vacuum chamber to 1 X 10- 4 Pa stand Later, as a transparent organic thin film layer forming composition, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ', 4' epoxy cyclohexene carboxylate 80 parts, 1,4 butanediol daricidyl ether 18 parts, hexaful Prepare 2 parts of diallylodonium oxaantimonate mixed and dissolved, introduce this composition into an organic vapor deposition source, start resistance heating, and vaporize when evaporation of impurities is complete The shutter was opened and a transparent organic thin film layer was deposited.
  • Table 3 shows the film thickness of the transparent organic thin film layer obtained at that time, the film formation time, and the maximum temperature T [K] reached by the base material sheet during film formation.
  • the maximum temperature ⁇ [ ⁇ ] reached by the base sheet was evaluated in the same manner as in Example 1 and 7 pieces.
  • Comparative Example R-3 was prepared so that the thickness ratio of the transparent inorganic thin film layer and the transparent organic thin film layer shown in Table 3 was outside the scope of the present invention, and the same evaluation was made. Went. The results obtained are also shown in Table 3.
  • the transparent noria sheet of the present invention has excellent noria properties against water vapor and oxygen gas, and also has excellent bending resistance.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Wrappers (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

 本発明は、所期のガスバリア性が確保でき、しかも内容物を包装した時にその内容物が透視可能な透明性を有し、且つ内容物の検知に際しては金属探知器が使用でき、さらには、高温高湿下でも高いガスバリア性を有し、曲げて使用したとしてもガスバリア性の劣化が少ない、最適な透明バリア性シートとその製造方法を提供する。この透明バリア性シートは、基材シートの同一面側に、少なくとも1層の透明無機薄膜層と少なくとも1層の透明有機薄膜層とを有する透明バリア性シートであって、薄膜層積層面の最外層の表面粗さRaが5nm以下、該透明無機薄膜層の厚さが20nm以上、500nm以下、且つ該透明無機薄膜層の厚さをd1とし、該透明有機薄膜層の厚さをd2としたときに、下記式(1)で表される関係を満たすことを特徴とする。    式(1) 0.5≦d2/d1≦10

Description

透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、食品医薬品等の包装分野で用いられる包装用の透明バリア性シート、 または電子機器関連部材などに用いられる透明ノリア性シートに関するもので、さら には酸素、水蒸気などの気体の透過度が極めて小さくな透明ノリア性シートとその製 造方法に関する。
背景技術
[0002] 近年、食品や医薬品等の包装に用いられる包装材料は、内容物の確認をする為に 透明性が求められており、さらに包装される物の機能や性質を保持するために、透過 する酸素、水蒸気、その他内容物を変質させる気体による影響を防止することからガ スノリア性が求められている。従来、高度なガスノリア性が要求される場合において は、アルミニウム等の金属からなる金属箔等をガスノリア層として用いた包装材料が 用いられてきた。し力しながら、金属力もなる金属箔等をガスバリア層として用いた包 装材料は、温度や湿度に影響を受けない高度なガスノリア性を持つが、包装材料を 透視して内容物を確認することができないことや、検査の際に金属探知器が使用で きないなど多くの欠点を有し問題があった。
[0003] そこで、近年、ノリア性材料においては、その性能を更に向上させるものとして、例 えば、プラスチックフィルムの片面に酸ィ匕硅素、酸化アルミニウム等の金属酸化物の 蒸着膜を設けた構成カゝらなる透明ノリア性材料が開発、提案されている。しかしなが ら、これらの透明無機膜は柔軟性、可撓性の観点力 これらガスバリア性を向上させ る為に無機物層の膜厚を厚くしょうとしても、一定以上の膜厚にするとクラックが生じ てしまい、ガスノリア性が低下してしまう。
[0004] そこで、それらの問題点を解決する目的で、例えば、特許文献 1や特許文献 2等に 記載されているような架橋構造を有する有機薄膜層と無機薄膜層とを、透明プラスチ ッ基板の表面に積層することで、高ガスバリア性を実現する方法が提案されて 、る。 しかしながら、バリア性を付与する無機薄膜層の厚さにつ ヽては種々検討されて 、る 力 有機薄膜層と無機薄膜層とを、どの程度の厚さ比率に設定するのが良いのかと V、う議論はほとんどされて ヽな 、のが現状である。
[0005] 一方、有機薄膜層や無機薄膜層の積層された面の最表面については、例えば、特 許文献 3では、有機エレクト口ルミネッセンス (有機 ELともいう)等の基材として適用を 意識した提案がなされているが、屈曲性に対する影響などは考慮されたものとはなつ ていない。
特許文献 1 :特開 2003— 276115号公報
特許文献 2:特開 2003 - 300273号公報
特許文献 3:特開 2005 - 324406号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] 本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、所望のガスノ リア 性が確保でき、し力も包装した時にその内容物が透視可能な透明性を有し、且つ内 容物の検知に際しては金属探知器が使用でき、さらには、高温高湿下でも高いガス バリア性を有し、曲げて使用したとしてもガスバリア性の劣化が少ない、最適な透明 ノリア性シート及びその製造方法を提供することである。
課題を解決するための手段
[0007] 本発明の上記課題は、下記の手段により解決される。
[0008] 1.基材シートの同一面側に、少なくとも 1層の透明無機薄膜層と少なくとも 1層の透 明有機薄膜層とを有する透明ノリア性シートであって、薄膜層積層面の最外層の表 面粗さ Raが 5nm以下、該透明無機薄膜層の厚さが 20nm以上、 500nm以下、且つ 該透明無機薄膜層の厚さを dlとし、該透明有機薄膜層の厚さを d2としたときに、下 記式(1)で表される関係を満たすことを特徴とする透明ノリア性シート。
[0009] 式(1)
0. 5≤d2/dl≤10
2.前記透明無機薄膜層の厚さを dlとし、前記透明有機薄膜層の厚さを d2としたと きに、下記式 (2)で表される関係を満たすことを特徴とする前記 1に記載の透明バリ ァ性シート。 [0010] 式(2)
1. 0≤d2/dl≤5. 0
3.前記透明有機薄膜層の厚さが 50nm以上、 2. 0 m以下であることを特徴とす る前記 1または 2に記載の透明ノリア性シート。
[0011] 4.前記基材シート上に、前記透明無機薄膜層及び前記透明有機薄膜層がこの順 に積層されていることを特徴とする前記 1乃至 3のいずれか 1項に記載の透明ノリア 性シート。
[0012] 5.前記基材シートと前記透明無機薄膜層との間に、さらに有機化合物を含有する 透明プライマー層が積層されていることを特徴とする前記 4に記載の透明ノリア性シ ート。
[0013] 6.前記透明無機薄膜層と前記透明有機薄膜層の各 1層の組合せを 1ユニットとし たときに、前記基材シート上に少なくとも 2ユニットを積層させたことを特徴とする前記 4または 5に記載の透明バリア性シート。
[0014] 7.前記透明無機薄膜層が、金属酸化物または金属窒化物を含有することを特徴と する前記 1乃至 6のいずれ力 1項に記載の透明バリア性シート。
[0015] 8.前記透明無機薄膜層を構成する前記金属酸化物または金属窒化物が、酸化硅 素、酸化アルミ、窒化珪藻及び窒化酸化硅素から選ばれる少なくとも 1つの化合物が 主成分であることを特徴とする前記 7に記載の透明ノリア性シート。
[0016] 9.前記透明有機薄膜層が、ラジカル重合性化合物、カチオン重合性ィ匕合物、了二 オン重合性化合物及び共重合可能な官能基を有する化合物を含む重合性化合物 力 選ばれる少なくとも 1種の化合物を含有することを特徴とする前記 1乃至 8のいず れカ 1項に記載の透明バリア性シート。
[0017] 10.前記 1乃至 9のいずれか 1項に記載の透明ノリア性シートを製造する透明バリ ァ性シートの製造方法において、透明有機薄膜層および透明無機薄膜層を成膜す る際の基材シートの到達最高温度が、 243K以上、 383K以下であることを特徴とす る透明バリア性シートの製造方法。
[0018] 11.前記 1乃至 9のいずれか 1項に記載の透明ノリア性シートを製造する透明バリ ァ性シートの製造方法において、透明有機薄膜層および透明無機薄膜層を形成す る際の基材シートの到達最高温度を T[K]、成膜時間を S秒としたときに、下記式 (3) で表される関係を満たすことを特徴とする前記 10に記載の透明バリア性シートの製 造方法。
[0019] 式(3)
1. 21≤ (TX S) /1000≤460[K- ]
発明の効果
[0020] 本発明の上記構成により、所期のガスバリア性が確保でき、しかも内容物を包装し た時にその内容物が透視可能な透明性を有し、且つ内容物の検知に際しては金属 探知器が使用でき、さらには、高温高湿下でも高いガスバリア性を有し、曲げて使用 したとしてもガスノリア性の劣化が少な ヽ、最適な透明ノリア性シートを提供すること ができる。
図面の簡単な説明
[0021] [図 1]透明バリア性シートの構成の一例を示す概略断面図である。
[図 2]透明バリア性シート構成の他の一例を示す概略断面図である。
[図 3]透明バリア性シート構成の他の一例を示す概略断面図である。
[図 4]透明バリア性シート構成の他の一例を示す概略断面図である。
[図 5]透明バリア性シート構成の他の一例を示す概略断面図である。
[図 6]触媒ィ匕学気相成長法による成膜装置の一例を示す模式図である。
符号の説明
[0022] 1、 21、 31、 41、 51 基材シート
22、 32、 42、 52、 52' 透明プライマー層
111、 211、 311、 321、 411、 421、 431、 441、 451、 511、 521、 511 、 521 透明無機薄膜層
112、 212、 312、 322、 412、 422、 432、 442、 452、 512、 522、 512' 、 522' 透明有機薄膜層
60 真空容器
61 透明プライマー層付き基材シート
62 保持機構 63 冷却機構
64 冷却機構
65 発熱体(タングステン)
66 導入口
67 水素ガス源
68 シランガス源
69 遮蔽部材
601 遮蔽部材駆動手段
602 発熱体加熱 電源
603 排気ポンプ
604 冷却源
605 導入口手段
606 空間
V66、V67、V68 開閉弁
発明を実施するための最良の形態
[0023] 以下、本発明の透明バリア性シートおよびその製造方法について詳細な説明する
[0024] 〈透明バリア性シート〉
本発明の透明バリア性シートは、基材シート上の同一面側に、少なくとも 1層の透明 無機薄膜層と少なくとも 1層の透明有機薄膜層とを有する透明ノ リア性シートであつ て、薄膜層積層面の最外層の表面粗さ Ra (算術平均表面粗さ)が 5nm以下、透明無 機薄膜層の厚さが 20nm以上 500nm以下、且つ透明無機薄膜層の厚さみを dl、透 明有機薄膜層の厚さを d2としたときに、下記(1)式の関係を満たすことを特徴とする
[0025] 式(1) 0. 5≤d2/dl≤10
なお、ここで「表面粗さ Ra」とは、非接触 3次元表面形状測定装置で、 200 ^ πι Χ 2 00 μ mの範囲を複数箇所 (5箇所以上)測定した際の平均の表面粗さ (算術平均表 面粗さ)を表す。また、本発明でいう「透明」とは、可視光の透過率が 50%以上 95% 以下であることをいう。
[0026] 本発明において平均粗さ Raとは、平均の表面粗さ (算術平均表面粗さ)を表し、粗 さ平均とも呼ばれている。即ち、表面粗さ Raは、三次元表面粗さであって、下式によ り定義される。
[0027] [数 1]
Ra =—∑∑ | f(Zjk) |
WIN k=i j=i
[0028] 上記式 1にお 、て、本発明に係る三次元デジタル測定による平均粗さ (Ra)は、測 定する試料を 23°C、相対湿度 48%の条件下で 24時間放置した後に、 23°C、相対 湿度 48%の条件下で測定した三次元粗さ測定での平均粗さ Raを言 、、サンプリン グ長 0. 5mmで、 X方向に M点、 Y方向に N点、合計で MN点の高さ測定を行って、 粗さ中心面の高さを 0とした粗さ曲面を求め、 X方向が k点目で、 Y方向が j点目の測 定点における高さ Zを f (Z )として、下式に従って求められる値をマイクロメートル(
jk
m)で表したものをいう。
[0029] また、表面粗 Raは、米国規格協会の ANSI B46. 1、あるいは日本規格協会の JI
S— B— 0601に準拠して算出することができる。
[0030] 本発明に係る表面粗さ Raは、例えば、非接触 3次元表面形状測定装置 (Veeco社 製、 WYKO NT1100)等を用いて測定することができる。
[0031] 次に、この上述の透明ノリア性シートに関する表面粗さ Raや厚さについて説明す る。
[0032] 水蒸気や酸素等の遮断したいガスに接触する面積が大きいほどバリア性が劣化す る。従って出切るだけ表面積を最小となるような表面にすることがバリア性に対しては 有効となることから、本発明の透明ノリア性シートにおいては、薄膜層積層面の最外 層の表面粗さ Raを 5nm以下にすることが好ましい。また、バリア性は透明無機薄膜 層により担われるが、発明の第一の目的であるバリア性以外に、屈曲性や積層した 基材シートの変形を考えると厚さは 20nm以上 500nm以下にすることが好ましい。こ の透明無機薄膜層は組成にもよるが、 20nm以下では十分なノリア性が得られない 場合が有ったり、また 500nm以上では、プラスチック力も成るシートの特性である屈 曲性に対して透明無機薄膜が硬すぎるため屈曲性に追従出来ずクラック等の欠陥が 入る場合が有ることから好ましくない。また、透明無機薄膜層の厚さを dl、透明有機 薄膜層の厚さを d2とした際、上述した(1)式の範囲に有ること、言い換えれば透明有 機薄膜層の厚さ力 lOnm以上 5000nm以下の範囲に有ることで、屈曲させた際に 透明無機薄膜層に掛カる応力を緩和させる応力緩和層として有効に機能するととも に、基材シートに起因する凸状のピンホール欠陥を平滑化させることができることから 好ましい。なお、基材シートの表面性が平滑で欠陥が少ない場合には、透明有機薄 膜層の厚さは 2500nm以下にすることが、また、透明無機薄膜層に掛カる応力を緩 和させる応力緩和層としての機能を重視する場合には、透明有機薄膜層の厚さは 2 Onm以上にすることが好ましい。そこで上述の式(1)は、下記式(2)の範囲となるよう にすることがバリア性と屈曲性を両立させる為にはより好ま 、。
[0033] 式(2) 1. 0≤d2/dl≤5. 0
以下、上述した本発明の、透明ノ リア性シートの各構成部材について説明する。
[0034] 本発明に用いられる基材シートは、後述する製造方法で寸法変形や薄膜積層後に カール等が生じないものであれば、特に制限なく用いることができ、シートを形成する 為の榭脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレ ートなどのポリエステル系榭脂、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフイン系 榭脂、ポリスチレンやアクリロニトリル一スチレン共重合体等のスチレン系榭脂、ポリメ チルメタクリレートゃメタクリル酸—マレイン酸共重合体等のアクリル系榭脂、トリァセ チルセルロース等のセルロース系榭脂、ポリ塩ィ匕ビュル等の塩ィ匕ビュル系榭脂、ポリ イミド、フッ素化ポリイミドあるいはポリエーテルイミド等のイミド系榭脂、ナイロン 6、ナ ィロン 66、 MXDナイロン 6等のアミド系榭脂、ビスフエノール A、ビスフエノール Zある いは 1, 1—ビス(4—ヒドロキシフエ-ル)一 3, 3, 5—トリメチルシクロへキサン等から なるポリカーボネート榭脂、フッ素榭脂、ポリアリレート榭脂、ポリエーテルスルホン榭 脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、脂環式ポリオレフインあるい は脂環式ォレフインの共重合体等の脂環式ポリオレフイン榭脂等を挙げることが出来 る。 [0035] 基材シートは本発明の目的を阻害しな 、ものであれば延伸、未延伸のどちらでも良 ぐまた機械的強度や寸法安定性を有するものが良い。この中で、二軸方向に任意 に延伸されたポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートが基材シートの 厚さが薄い用途の場合には好ましぐまた基材シートの厚さが比較的厚い場合は、前 記ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等のポリエステル系榭脂、ポ リアリレート榭脂、ポリエーテルスルホン榭脂、ポリカーボネート榭脂あるいは脂環式 ポリオレフイン榭脂等が、寸法安定性、耐薬品性と耐熱性の面力も好ましい。
[0036] 本発明における基材シートには、さらに必要に応じて本発明の効果を阻害しない範 囲で、各種添加剤を添加しても良ぐこのような添加剤としては、例えば可塑剤、染顔 料、帯電防止剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、無機微粒子、剥離促進剤、レベリン グ剤、無機層状珪酸塩ィ匕合物および潤滑剤などを挙げることができる。
[0037] 基材の厚さは、本発明の透明ノリア性シートの用途に応じて適時選択して用いるこ とができるが、包装材料としての適性を考慮し、榭脂単体のシート以外に異なる性質 シートを積層した積シートも適時選択して用いることが出来る。し力しながら、後述す る透明無機薄膜層や透明有機薄膜層を形成する際の加工性を考慮すると、実用的 には 6〜400 μ mの範囲が好ましぐ特に 25〜: LOO μ mとすることが好ましい。
[0038] 液晶表示素子、色素型太陽電池、有機ある!/、は無機 EL、電子ぺーパ、燃料電池 等の電子デバイス用途の場合は各種用途に応じて適時厚さが選択される。その中で 、ガラス基板の代替として用いる場合は、ガラス基板仕様で作製された後工程に合わ せるため、 it較的厚!ヽ 50〜800 μ mの範囲、特に 50〜400 μ mの範囲力 ^好まし!/ヽ。
[0039] また、本発明の透明ノ リア性シートにおいて、該シートの量産性を考慮した場合に は、連続的に透明無機薄膜層や透明有機薄膜層を基材シート上に形成できるように 、長尺の連続フィルムとすることが好ましい。
[0040] 次に、必要に応じて基材シートに積層される透明プライマー層について説明する。
[0041] この、基材シート上に設けられる透明プライマー層は、この上に積層される薄膜層と の接着性向上や薄膜層積層面の平滑性を確保する為に設けられるもので、この透 明プライマー層は、各種溶剤に溶解した榭脂塗工液を塗布乾燥させることにより形成 することができ、さらに必要に応じて乾燥後、架橋反応をさせても良い。また、金属ァ ルコキサイド、紫外線硬化榭脂、電子線硬化榭脂、熱硬化榭脂等を無溶剤で積層、 あるいはこれらの無溶剤で用いられる透明プライマー層形成組成物を、粘度調整や 膜厚調整の為、溶剤希釈したものをコーティングにより積層し、乾燥させた後に硬化 させたものち好適に用いることがでる。
[0042] 上述した透明プライマー層として各種溶剤に溶解した榭脂塗工液を形成する為の 榭脂としては、ポリエステル系榭脂、ポリウレタン系榭脂、ポリアクリル系榭脂、ポリス チレン系榭脂、セルロース系榭脂、ポリビニルァセタール系榭脂、ポリ塩ィ匕ビニル系 榭脂等を挙げることができ、これらを適時選択して用いることができる。また、金属ァ ルコキサイドとしては、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール 等のアルコールとの金属アルコキサイドが挙げられ、金属としては硅素、チタン、ジル コニゥム等の金属を挙げることができる。紫外線硬化榭脂あるいは電子線硬化樹脂と してはスチレン系モノマーや (メタ)アクリル系モノマー等の分子内に不飽和二重結合 を有する化合物の他に、後述の透明有機薄膜層を形成する際の用いるラジカル重 合性化合物、カチオン重合性ィ匕合物、ァ-オン重合性ィ匕合物、または共重合可能な 官能基を有する化合物の組合せ等を適時選択して用いることができ、これらの組成 物を基材シート上に積層後に硬化することで透明プライマー層とすることができる。さ らに、熱硬化性榭脂も適時選択して用いることができ、このような熱硬化性榭脂として は、一般に広く用いられているフエノール榭脂、エポキシ榭脂、メラミン榭脂、尿素榭 脂、不飽和ポリエステル、アルキド榭脂等の熱硬化榭脂と称されるものの他に、ェポ キシ基とメルカプト基を有する化合物ゃ榭脂の組合せ、エポキシ基とアミノ基を有す る化合物ゃ榭脂との組合せ、酸無水物とアミノ基を有する化合物あるいは榭脂との組 合せ、水酸基とイソシァネート基を有する化合物ある ヽは榭脂との組合せ等も用いる ことができる。
[0043] なお、この透明プライマー層の厚さは、使用する基材シートの表面性により一概に 決めることは出来ないが、好ましくは 0. 05 /z m力ら 5. O /z mの範囲であり、さらには 0 . 1〜2. 0 mの範囲とするのが好ましぐこの透明プライマー層は単層でも、必要に 応じて二層以上の複数層でも良い。
[0044] 次に、透明プライマー層が積層された基材シートの透明プライマー層上に積層され る、透明無機薄膜層と透明有機薄膜層とについて詳述する。
[0045] 初めに、本発明の透明無機薄膜層はバリア性があり、かつ透明な金属酸化物また は金属窒化物あれば特に制限なく用いることができる。具体的に透明無機薄膜層を 形成するものとしては、 Si、 Al、 In、 Sn、 Zn、 Mg、 Ca、 K、 Sn、 Na、 B、 Ti、 Pb、 Zr、 Y、 In、 Ce、 Ta等の 1種以上を含む酸ィ匕物または窒化物や酸ィ匕窒化物などを適時 選択して用いることができる。さらに、これらの中で内容物を確認する為や、電子デバ イスに用いる場合においては可視域にはっきりとした吸収極大波長を有さないものが 好ましい。
[0046] この中で、無機酸ィ匕物としては、例えば、珪素(Si)、アルミニウム (A1)、亜鉛 (Zn)、 マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、カリウム(K)、スズ(Sn)、ナトリウム(Na)、ホウ 素(B)、チタン (Ti)、鉛(Pb)、ジルコニウム(Zr)、イットリウム (Y)、インジウム(In)等 の金属の酸化物を使用することができる。その中で、金属酸ィ匕物の表記は、例えば、 SiO、 AIO、 MgO等のように MO (ただし、式中、 Mは、金属元素を表し、 Xの値は 、金属元素によってそれぞれ範囲が異なる。)で表される。また、上記の Xの値の範囲 としては、珪素(Si)は 0<x≤2、アルミニウム(A1)は 0<x≤ 1. 5、亜鉛(Zn)は 0く x ≤1、マグネシウム(Mg)は 0<χ≤1、カルシウム(Ca)は 0<χ≤1、カリウム(K)は 0 <x≤0. 5、スズ(Sn)は 0<x≤2、ナトリウム(Na)は 0<x≤0. 5、ホウ素(B)は 0< x≤l、 5、チタン (Ti)は 0<x≤2、鉛(Pb)は 0<χ≤1、ジルコニウム(Zr)は 0<x≤ 2、イットリウム(Y)は 0<χ≤1. 5、インジウム(In)は <x≤lの範囲の値をとることが でき、本発明では、珪素(Si)、アルミニウム (A1)の酸ィ匕物がバリア性の面力も好まし ぐこの際の酸ィ匕硅素(SiO )としては、 1. 0≤x≤2. 0、酸ィ匕アルミニウム (AIO )とし ては、 0. 5≤x≤l. 5の範囲の値のものを使用することがより好ましい。
[0047] 無機窒化物としては、透明性の観点力 窒化硅素が好ましぐさらにそれらの混合 物としては窒化酸ィ匕硅素が好ましい。なお窒化酸ィ匕硅素は SiO Nと表記されるが、 この Xと yとの比率は密着性向上を重視する場合、酸素リッチの膜とし、 1 < χ< 2、 0 <y< lであることが好ましぐ水蒸気バリア性向上を重視する場合、窒素リッチの膜と し、 0<x< 0. 8、 0. 8<y< l. 3であること力好まし!/ヽ。
[0048] なお、透明無機薄膜層の厚さは好ましくは 10nm以上 lOOOnm以下、さらには 20η m以上 500nm以下にすること力バリア性の確保と基材シートの変形防止する為には 好ましい。
[0049] 次に、透明有機薄膜層について詳述する。
[0050] 本発明の透明有機薄膜層は、ラジカル重合性化合物、カチオン重合性ィ匕合物、ァ 二オン重合性化合物、または共重合可能な官能基を有する化合物の組合せの中か ら選ばれる少なくとも 1種の化合物を重合して得られる重合膜であることが好ましい。
[0051] このような、ラジカル重合性ィ匕合物としては、ラジカル重合可能な官能基を有する 化合物であれば特に制限なく用いることが出来るが、化合物の入手のしゃすさからェ チレン性不飽和二重結合を有する化合物が好ま U 、。
[0052] このようなエチレン性不飽和結合を有する化合物としては、例えばスチレン誘導体 、酢酸ビニル誘導体、ビニルピロリドン誘導体等の分子内にビニル基を有する化合物 、分子内に (メタ)アタリロイル基を有する化合物、分子内にァシルォキシ基或いはァ シルアミド基を有する化合物等が挙げられ、それらの中でラジカル重合する際の立体 障害の点から (メタ)アタリロイル基を有する化合物がより好ましい。尚、本発明で言う( メタ)アタリロイル基とは、アタリロイル基またはメタクリロイル基を表す。
[0053] このような (メタ)アタリロイル基を有する化合物としては、例えば、(メタ)アタリロイル 基を 1個有する化合物として置換または無置換のフエノール、ノユルフェノール及び 2 —ェチルへキサノールの(メタ)アタリレートや (メタ)アクリルアミド、並びにこれらのァ ルコールのアルキレンォキシド付加物の(メタ)アタリレートや (メタ)アクリルアミド等が 挙げられる。(メタ)アタリロイル基を 2個有する化合物としては、置換または無置換の ビスフエノール A、ビスフエノール F、フルオレン及びイソシァヌル酸のジ(メタ)アタリレ ートゃ (メタ)アクリルアミド並びにこれらのアルコールのアルキレンォキシド付カ卩物の ジ(メタ)アタリレートや (メタ)アクリルアミド、エチレングリコールやプロピレングリコー ルなどのポリアルキレングリコールのジ (メタ)アタリレートや (メタ)アクリルアミド等が挙 げられる。(メタ)アタリロイル基を 3個有する化合物としては、ペンタエリスリトール、トリ メチロールプロパン及びイソシァヌル酸のトリ(メタ)アタリレートやトリ(メタ)アクリルアミ ド、並びにこれらのアルコールのアルキレンォキシド付カ卩物のトリ(メタ)アタリレートや トリ (メタ)アクリルアミド等があり、(メタ)アタリロイル基を 4個以上有する化合物として は、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトールのポリ(メタ)アタリレートやポリ(メタ) アクリルアミド等が挙げられる。また、ウレタン結合を主鎖とするウレタンアタリレート、 エステル結合を主鎖とするポリエステルアタリレート、エポキシィ匕合物にアクリル酸を 付加したエポキシ (メタ)アタリレート等の従来公知のアクリルまたはアクリルアミド系モ ノマ一,オリゴマー、更に特開平 9— 104085号、特開 2000— 122005号、同 2000 — 216049号、同 2003— 172935号、同 2003— 233076号、同 2003— 276115 号、同 2003— 322859号、同 2004— 1296号、同 2004— 359899号、同 2004— 103401号、特表平 8— 512256号、同 11— 503195号、特表 2001— 508089号、 同 2001— 518561、同 2002— 528568号、同 2004— 532330号、同 2004— 53 3313号、同 2005 - 524058号公報等に例示されたィ匕合物なども本発明にお 、て は適時選択して用いることができる。
[0054] 尚、複数個の (メタ)アタリロイル基を有する化合物においては (メタ)アタリレート単 独或いは (メタ)アクリルアミドを単独に有して!/、ても良 、し、(メタ)アタリレートと (メタ) アクリルアミドを有したィ匕合物であっても良 、。
[0055] 上述のラジカル重合性化合物を重合させるには、電子線硬化による方法や紫外線 硬化等の公知の方法で重合することが出来る。この中で紫外線や可視光線等の光 重合でラジカル重合性ィ匕合物を重合させる場合には、重合反応を開始させる為の重 合開始剤が必須成分として必要となる。この、紫外線や可視光等に使用される重合 開始剤は、光によりラジカルを発生できものであれば特に制限はなぐ従来から公知 の、ベンゾイン及びその誘導体、ベンゾフエノンなどのカルボ-ル化合物、ァゾビスィ ソブチ口-トリルなどのァゾィ匕合物、ジベンゾチアゾリルスルフイドなどの硫黄ィ匕合物、 ベンゾィルパーォキシドなどの過酸化物、 2—トリブロモメタンスルホ -ル—ピリジンな どのハロゲン化物、四級アンモ-ゥム塩或 、は置換または無置換のジフエ-ルョード ニゥム塩、トリフエ-ルスルホ -ゥム塩などのォ-ゥム化合物、鉄アレーン錯体やチタ ノセン錯体などの金属 π錯体などの光重合開始剤などが挙げられ、さらに後述で述 ベるホログラフィック露光する際に用いる露光光源波長に対して、該光重合開始剤の ホログラフィック露光に使用されるレーザー光源の波長に対して吸収を持たない、或 いは持っていたとしても極僅かで有る場合には、光重合開始剤の分光波長を波長増 感させるための増感色素を併用してもよい。
[0056] 一方、本発明の透明有機薄膜層に用いられるカチオン重合性ィ匕合物としては、化 合物中にォキシラン基、ォキセタ-ル基、テトラヒドロフラン基、ォキセパン基、単環ァ セタール基、双環ァセタール基、ァルケ-ルエーテル基、アレンエーテル基、ケテン ァセタール基、ラタトン基、環状オルトエステル基或いは環状カーボナート基を有する 化合物の中力も選ばれる少なくとも 1種の化合物を適時選択して用いることがこのま しい。
[0057] 上述のォキセタ-ル基を有する化合物としては、例えば特開平 5— 170763号、同 5— 371224号、同 6— 16804号、同 7— 17958号、同 7— 173279号、同 8— 2457 83号、同 8— 301859号、同 10— 237056号、同 10— 330485号、同 11— 10638 0号、同 11— 130766号、同 11— 228558号、同 11— 246510号、同 11— 24654 0号、同 11— 246541号、同 11— 322735号、特開 2000— 1482号、同 2000— 26 546号、同 2000— 191652号、同 2000— 302774号、同 2000— 336133号、同 2 001— 31664号、同 2001— 31665号、同 2001— 31666号、同 2001— 40085号 、同 2003— 81958号、同 2003— 89693号同 2001— 163882号、同 2001— 226 365号、同 2001— 278874号、同 2001— 278875号、同 2001— 302651号、同 2 001— 342194号、同 2002— 20376号、同 2002— 80581号、同 2002— 19396 5号、同 2002— 241489号、同 2002— 275171号、同 2002— 275172号、 2002 — 322268号、同 2003— 2881号、同 2003— 12662号、同 2003— 81958号、同 2004— 91347号、同 2004— 149486号、同 2004— 262817号、同 2005— 125 731号、同 2005— 171122号、同 2005— 238446号、同 2005— 239573、同 20 05 - 336349号、特表平 11― 500422号等明細書に記載されて 、る化合物を挙げ ることができ、これらの化合物は単独若しくは 2種以上併用して使用することが出来る
[0058] また、ォキシラン基を有する化合物としては種々のものが使用でき、具体的化合物 としては、脂肪族ポリグリシジルエーテル、ポリアルキレングリコールジグリシジルエー テル、 3級カルボン酸モノグリシジルエーテル、ビスフエノール Aとェピクロルヒドリンと の重縮合物、水添ビスフエノール Aとェピクロルヒドリンとの重縮合物、臭素化ビスフエ ノール Aとェピクロルヒドリンとの重縮合物およびビスフエノール Fとェピクロルヒドリン との重縮合物などの末端がグリシジル基で変性された榭脂、グリシジル変性フエノー ルノボラック榭脂、グリシジル変性 o クレゾ一ルノボラック榭脂、 3, 4—エポキシシク 口へキセ-ルメチルー 3' , 4' エポキシシクロへキセンカルボキシレート、 3, 4 エポキシ一 4ーメチルシクロへキセニルメチルー 3' , 4' 一エポキシ一^ 一メチル シクロへキセンカルボキシレート、 1, 2 ビス(3, 4 エポキシ一 4—メチルシクロへキ セ-ルカルボ-ルォキシ)ェタン、ジペンテンジォキシドなどが挙げられ、更には「11 290の化学商品」化学工業日報社, 778〜787頁に記載の化合物、特開 2003— 3 41003号等明細書に記載されたィ匕合物なども好適に用いることができ、このような分 子内にォキシラン基を有する化合物は必要に応じて 2種以上併用して用 、てもよ 、。
[0059] さらに、ァルケ-ルエーテル基を有する化合物としては、ヒドロキシェチルビ-ルェ ーテノレ、ヒドロキシブチノレビニノレエーテノレ、ドデシノレビニノレエーテノレ、プロぺニノレエ 一テルプロピレンカーボネート及びシクロへキシルビ-ルエーテル等が挙げられる。 ビュルエーテル基を 2個以上有する化合物としては、シクロへキサンジメタノールジビ ニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル及びノボラック型ジビニルェ 一テル等が挙げることができる。また、テトラヒドロフラン基、ォキセパン基、単環ァセ タール基、双環ァセタール基、ラタトン基、環状オルトエステル基あるいは環状カーボ ナート基を有する具体的な化合物としては、例えば特開 2004— 341016号公報に 記載された化合物等を挙げることができる。
[0060] 上述のカチオン重合性化合物を重合させる為の重合開始剤としては、光重合開始 剤や熱重合開始剤を挙げることができ、この中で光重合開始剤としては、光によりブ レンステッド酸若しくはルイス酸を発生できるものであれば特に制限はなく用いること ができ、例えば、化学増幅型フォトレジストや光造形用榭脂などで利用される光力チ オン重合開始剤 (有機エレクトロニクス材料研究会編、「イメージング用有機材料」、 ぶんしん出版( 1993年)、 187〜 192ページ参照)を適時選択して用いることが出来 る。
[0061] このような光力チオン重合開始剤の具体的なものとしては、 2, 4, 6 トリス(トリクロ ロメチル) 1, 3, 5 トリアジン、 2— (4—メトキシフエ-ル)一 4, 6 ビス(トリクロロメ チル) 1, 3, 5 トリァジンおよび特開平 2— 306247号記載の化合物などのトリハ ロメチル基で置換された s トリァジン化合物; [ η 6— i—プロピルベンゼン]または [ 7} 5-シクロペンタジェ -ル]鉄へキサフルォロホスフェート等の鉄アレーン錯体;ジ フエ-ノレョード -ゥムへキサフノレオ口ホスフェート、ジフエ-ノレョードニゥムへキサフノレ ォロアンチモネート、トリフエ-ルスルホ -ゥムへキサフルォロホスフェート、トリフエ- ルテル口-ゥムへキサフルォロアルシネート、ジフエ-ル 4 チオフエノキシスルホ -ゥムへキサフルォロアンチモネート等のォ-ゥム塩、特開昭 62— 57646号等に記 載されたァリールジァゾ -ゥム塩、ジァゾケトン、 o -トロベンジルエステル、スルホ ン酸エステル、ジスルホン誘導体、イミドスルホネート誘導体、シラノール アルミ-ゥ ム錯体等力 S挙げられ、さらに特開平 5— 107999号、同 5— 181271号、同 8— 1608 0号、同 8— 305262号、特開 2000— 47552号、同 2003— 66816号、米国特許 5 , 759, 721号、欧州特許 1, 029, 258号等明細書に記載されているものを適時選 択して用いることが出来る。また、熱カチオン重合開始剤としては、スルホ -ゥム塩、 アンモ-ゥム塩、ホスホ-ゥム塩等のォ-ゥム塩及びシラノール ·アルミニウム錯体等 を特に制限なく用いることができ、これらの熱カチオン重合開始剤の中で、他の必須 成分が 150°C以上に高温加熱しても問題がなければ、特開昭 58- 37003号、同 63 223002号等【こ記載されて!ヽるペンジノレスノレホニゥム塩、特開日召 56— 152833号 等に記載されているトリアルキルスルホ -ゥム塩、さらには特開昭 63— 8365号、同 6 3— 8366号、特開平 1— 83060号、同 1— 290658号、同 2— 1470号、同 2— 196 812号、同 2— 232253号、同 3— 17101号、同 3— 47164号、同 3— 48654号、同 3— 145459号、同 3— 200761号、同 3— 237107号、同 4— 1177号、同 4— 2106 73号、同 8— 188569号、同 8— 188570号、同 11— 29609号、同 11— 255739号 、特開 2001— 55374号等明細書に記載されている化合物を挙げることができ、これ らの熱カチオン重合開始剤は、単独もしくは必要に応じて二種以上併用して使用す ることがでさる。
上述の開始剤はカチオン重合性の化合物を 100部とした際に、好ましくは 0. 01 質量部以上 30質量部以下の範囲であり、更に好ましくは 0. 05質量部以上、 20質量 部以下の範囲である。 [0063] 一方、本発明の透明有機薄膜層に用いられるァ-オン重合性ィ匕合物としては、公 知のァ-オン重合性ィ匕合物を適時選択して用いることができ、このような化合物とし ては、例えば電子受容性のエチレン性不飽和二重結合基を持つ化合物、化合物中 にォキシラン基、ォキセタ-ル基を有する化合物等を挙げることができ、それらの具 体的なものは、上述したラジカル重合性ィ匕合物とカチオン重合性ィ匕合物で詳述した ものを挙げることができる。
[0064] さらに、ァ-オン重合性ィ匕合物の重合を開始させる為の重合開始剤としては、光や 熱によりブレンステッド塩基またはルイス塩基を発生してァ-オン重合を開始できる 塩基発生剤を挙げることができ、このような化合物としては、例えば特開昭 59— 168 441号、同 59— 180537号、同 60— 237443号、同 61— 51139号、特開平 1— 68 746号、同 4— 134348号、同 4— 162040号、同 5— 27440号、同 8— 169870号、 同 8— 227154号、同 10— 83079号、同 11— 71450号、同 11— 269138号、特開 2000— 10270号、同 2001— 200049号、同 2002— 297006号、同 2003— 203 39号、同 2003— 212856号、同 2005— 17354号、特表 2005— 536620号、米国 特許 3493374号、同 4060420号、英国特許 998949号、国際特許 2002,0519 05 、 Encyclopedia of Polymer Science and Engineering、 John Wiley & Sons Ltd.、(1985年)、第 1卷、 p740等明細書に記載されている化合物を 挙げることができ、これらのァ-オン重合開始剤は、単独もしくは必要に応じて二種 以上併用して使用することができる。
[0065] さらに、本発明においては上述の重合開始剤以外に、例えば特開 2000— 33027 0号、同 2002— 265531号、同 2004— 250650号公報等に記載の塩基発生剤カゝ ら生成した塩基を増殖させる塩基増殖剤、光により塩基を発生させる際の増感剤等 も必要に応じて適時用いることができる。
[0066] 上述の開始剤はァ-オン重合性の化合物を 100部とした際に、好ましくは 0. 01 質量部以上 30質量部以下の範囲であり、更に好ましくは 0. 05質量部以上、 20質量 部以下の範囲である。
[0067] また、本発明の透明有機薄膜層に用いられる共重合可能な官能基を有する化合 物の組合せとしては、イソシァネート基を有する化合物と水酸基またはアミノ基を有す る化合物、ォキシラン基を有する化合物とアミノ基またはメルカプト基を有する化合物 、ォキサゾリン基を有する化合物とカルボキシル基または水酸基を有する化合物等 の共重合可能な官能基を有する化合物の組合せを挙げることができる。これらの中 で、共重合させる際基材シートの耐熱性により、適時選択して用いることができ、この 場合、重合反応の促進を意図し、前述の必須成分となる化合物以外に触媒を添加さ せても良い。
[0068] なお、透明有機薄膜層の厚さは好ましくは 50nm以上 5. 0 μ m以下、さらには 50η m以上 2. 0 m以下にすることが表面積の低減、ひいてはノ リア性の確保と、基材シ ートの変形防止する為には好ましい。
[0069] さらに、ノリア性を確保する為には透明無機薄膜層と透明有機薄膜層を 1ユニットと した際に、透明プライマー層が積層された基材シートの透明プライマー層上に少なく とも 2ユニット積層させことが好ましぐ積層させるユニットは好ましくは 2ユニット以上 1 0ユニット以下であり、更に好ましくは 2ユニット以上 5ユニット以下である。
[0070] また、前述の複数ユニット積層させる場合において、耐傷性を考慮する必要が有る 場合には、最外層となる透明有機薄膜層は内部の透明有機薄膜層に対して厚くする ことが好ましぐこの場合、内部の透明有機薄膜層の厚さの最大膜厚を Rl、最外層 の透明有機薄膜層の厚さを R2とした際に、 1 <R2ZR1≤10の関係を満たすことが 好ましい。また、最外層の透明有機薄膜層以外の透明無機薄膜層および透明有機 薄膜層の厚さは、透明無機薄膜層としては、好ましくは lOnm以上 lOOOnm以下で あり、更に好ましくは 20nm以上 500nm以下である。また透明有機薄膜層の厚さは、 好ましくは 50nm以上 2. O /z m以下であり、更に好ましくは 50nm以上 1. O /z m以下 である。
[0071] さらに、本発明の透明バリア性シートでは上述した必須となる層以外に帯電防止層 、粘着層、導電層、反射防止層、紫外線防止層、近赤外線防止層等の機能層を必 要に応じて積層しても良ぐ積層する位置は用途に応じて適時選択することが出来る
[0072] 〈透明バリア性シートの製造方法〉
本発明の透明バリア性シートは、基材シート上に、少なくとも 1層の透明無機薄膜層 と少なくとも 1層の透明有機薄膜層とを基材シートの同一面側に有する透明バリア性 シートであり、薄膜層積層面の最外層の表面粗さ Raが 5nm以下、透明無機層薄膜 層の厚さが 20nm以上 500nm以下、且つ透明無機薄膜層の厚さを dl、透明有機薄 膜層の厚さを d2とした際に、上記(1)式の範囲となるように製造される。
[0073] 初めに、図 1〜図 5に本発明の透明ノリア性シートの概略断面図を示すが、本発明 の範囲であれば特にこれらの構成に限定されたものではない。
[0074] 図 1は基材シート 11上に、透明無機薄膜層 111、透明有機薄膜層 112がこの順に 積層されたものであり、図 2は基材シート 21上に、透明プライマー層 22、透明無機薄 膜層 211、透明有機薄膜層 212がこの順に積層されたものである。また、図 3は透明 無機薄膜層 311、透明有機薄膜層 312を 1ユニットとした際に、透明プライマー層 32 が積層された基材シート 31の透明プライマー層 32上に 2ユニット積層(透明無機薄 膜層 311、透明有機薄膜層 312、透明無機薄膜層 321、透明有機薄膜層 322)され たものであり、図 4は透明プライマー層 42が積層された基材シート 41の片面に 5ュ- ット積層されたものである。さらに、図 5は基材シート 5 1の両面に透明プライマー層 5 2, 52' が積層され、この透明プライマー層 52, 52' 上にそれぞれ 2ユニット積層( 透明プライマー層 52上に、透明無機薄膜層 511、透明有機薄膜層 512、透明無機 薄膜層 521、透明有機薄膜層 522、また透明プライマー層 52' 上に透明無機薄膜 層 5l 、透明有機薄膜層 、透明無機薄膜層 52 、透明有機薄膜層 522 ' )されたものである。なお、各図における薄膜層積層面の最外層、例えば、図 1の 透明有機薄膜層 112、図 2における透明有機薄膜層 212、図 3における透明有機薄 膜層 322、図 4における透明有機薄膜層 452、図 5における透明有機薄膜層 522、 5 22' の表面粗さ Raは、 5nm以下、透明無機層薄膜層の厚さは 20nm以上 500nm 以下、透明無機薄膜層の厚さを dl、透明有機薄膜層の厚さを d2とした際に、透明無 機薄膜層と透明有機薄膜層の厚さは、上記(1)式範囲である。
[0075] 上述の透明プライマー層の形成に用いる透明プライマー層形成組成物は、それぞ れの成分を混合、もしくは必要に応じて溶媒に溶解若しくは分散して調製する。
[0076] 塗工液を形成する際に分散が必要な場合には、二本ロールミル、三本ロールミル、 ボールミル、ぺブルミル、コボルミル、トロンミル、サンドミル、サンドグラインダー、 Sqe gvariアトライター、高速インペラ一分散機、高速ストーンミル、高速度衝撃ミル、ディ スパー、高速ミキサー、ホモジナイザ、超音波分散機、オープン-一ダー、連続-一 ダ一等、従来力も公知の分散機を適時選択して用いることができる。
[0077] また、必要に応じて溶解に利用される溶媒としては、水、メチルェチルケトン、メチ ルイソブチルケトンあるいはシクロへキサノン等のケトン類、エチルアルコール、 n—プ 口ピルアルコールあるいはイソプロピルアルコール等のアルコール類、ヘプタンゃシ クロへキサン等の脂肪族炭化水素類、トルエンゃキシレン等の芳香族炭化水素類、 エチレングリコールやジエチレングリコール等の多グリコール類、エチレングリコール モノメチルエーテル等エーテルアルコール類、テトラヒドロフラン、 1, 3—ジォキソラン あるいは 1, 4—ジォキサン等のエーテル類、ジクロロメタンやクロ口ホルム等の含ハロ ゲン類、等が挙げられる。
[0078] 上述のようにして調製した透明プライマー層形成組成物を基材シートに積層するに は、例えば、例えば、ロールコート法、グラビアロールコート法、ダイレクトグラビアロー ルコート法、エアドクタコート法、ロッドコート法、キスロールコート法、スクイーズロール コート法、リバースロールコート法、カーテンフローコート法、フォンテン法、トランスフ アーコート法、スプレイコート法、ディップコート法、その他等のコーティング法によりコ 一ティングし、次いで、加熱乾燥、更には、エージング処理等を施すことにより、基材 シート上に透明プライマー層を積層することができる。
[0079] なお、透明プライマー層形成成分が透明有機薄膜層形成成分と同じものを用いる 場合は、後述する透明有機薄膜層を積層する手法を用いても良い。
[0080] 次に、基材シートまたは透明プライマー層上に形成される金属酸ィ匕物または金属 窒化物を主成分とする透明無機薄膜層の積層方法について詳述する。
[0081] 金属酸ィ匕物または金属窒化物を主成分とする透明無機薄膜層は、例えば、真空蒸 着法による成膜、スパッタリング法による成膜、イオンプレーティング法による成膜、反 応型プラズマ蒸着法による成膜、電子サイクロトロン共鳴プラズマによる成膜、プラズ マ化学気相成長法による成膜、熱化学気相成長法による成膜、光化学気相成長法 による成膜、触媒化学気相成長法による成膜、真空紫外光化学気相成長法による成 膜等を挙げることができ、その中で成膜された透明無機薄膜層表面の凹凸が比較的 少なく表面の平滑性として良好な膜が得られる触媒ィ匕学気相成長法 (cat— CVD法 )、反応型プラズマ蒸着法 (RPD法)、電子サイクロトロン共鳴 (ECR)プラズマ成膜法 による成膜の少なくとも 1つの成膜方法により形成することが好ましぐさらに反応型プ ラズマ蒸着法 (RPD法)あるいは電子サイクロトロン共鳴 (ECR)プラズマ成膜法によ る成膜が、より形成された表面の平滑性が確保出来ることから好ましい。
[0082] 上述の触媒化学気相成長法の具体的な方法や成膜装置としては、例えば特開 20 02— 69644号、同 2002— 69646号、同 2002— 299259号、同 2004— 211160 号、 2004— 217966号、 2004— 292877、同 2004— 315899号、同 2005— 179 693号公報等に記載されたものを適時選択あるいは本発明の目的に適した形に改 良して用いることができる。また、反応型プラズマ蒸着法の具体的な方法や成膜装置 としては、例えば特開 2001— 262323号、同 2001— 295031号、同 2001— 3486 60号、同 2001— 348662号、同 2002— 30426号、同 2002— 53950号、同 2002
— 60929号、同 2002— 115049号、同 2002— 180240号、 2002— 217131号、 同 2002— 249871号、同 2002— 294436号、同 2003— 105526号、同 2004— 7 6025号、同 2005— 34831号公報等に記載されたものを適時選択あるいは本発明 の目的に適した形に改良して用いることができる。さらに、 ECRプラズマ成膜法の具 体的な方法や成膜装置としては、例えば麻蒔立男著「薄膜作製の基礎、第 3版」、 15 2頁〜 154頁、 226頁(日刊工業新聞社刊、 1996年 3月)や、特開平 3— 197682号 、同 4— 216628号、同 4— 257224号、同 4— 311036号、同 5— 70955号、同 5— 90247号、同 5— 9742号、同 5— 117867号、同 5— 129281号、同 5— 171435号 、同 6— 244175号、同 6— 280000号、同 7— 263359号、同 7— 335575号、同 8
— 78333号、同 9— 17598号、特開 2003— 129236号、同 2003— 303698号、同 2005— 307222号公報等に記載されたものを適時選択あるいは本発明の目的に適 した形に改良して用いることができる。
[0083] また、上述した金属酸ィ匕物または金属窒化物を主成分とする透明無機薄膜層上に 積層される透明有機薄膜層の積層方法は、上述の透明プライマー層形成する際の コーティングや蒸着法を用いることが出来るが、本発明の透明ノリア性シートにおい ては、ノリア膜として機能している透明無機薄膜層に対してダメージを与えることを避 ける為に、蒸着法を用いることが好ましい。
[0084] この蒸着法による透明有機薄膜層積層は、有機薄膜層形成成分を成膜させた後 に重合させることにより重合膜とすることが出来る。さらに詳しくは、ラジカル重合性化 合物、カチオン重合性化合物、ァ-オン重合性化合物、または共重合可能な官能基 を有する化合物の組合せ、の中力 選ばれる少なくとも 1種の化合物及びその化合 物を重合させる為に必要な必須成分を蒸着法により成膜させ、レべリングさせて表面 を平滑化させた後に、電子線や紫外線等の活性エネルギー線を照射、または基材シ ートが変形しない条件で加熱させることにより重合性ィ匕合物を重合させることで薄膜 が形成される。
[0085] 上述の蒸着法の具体的な方法や成膜装置としては、例えば特開平 2— 284485号 、同 5— 125520号、同 5— 177163号、同 5— 311399号、同 5— 339389号、同 6
— 116409号、同 6— 316757号、同 7— 26023号、同 7— 209863号、同 9— 3111 5号、同 9— 104085号、同 9— 143681号、同 9— 249851号、同 9— 272703号、 同 9— 278805号、同 9— 279332号、同 9— 326389号、同 10— 92800号、同 10
— 168559号、同 10— 289902号、同 11— 172418号、特開 2000— 87224号、同 2000— 122005号、同 2000— 127186号、同 2000— 216049号、同 2000— 34 8971号、同 2001— 261867号、同 2002— 275619号、同 2003— 3250号、同 20
03— 172935号、同 2003— 233076号、同 2003— 276115号、同 2003— 3002 73号、同 2003— 322859号、同 2003— 335880号、同 2003— 341003号、同 20
04— 1296号、同 2004— 359899号、同 2004— 103401号、同 2005— 14483号 、同 2005— 125731号、同 2005— 178010号、特表平 8— 503099号、同 8— 512 256号、同 11— 503195号、特表 2001— 508089号、同 2001— 518561号、同 2 002— 528568号、同 2004— 524958号、同 2004— 532330号、同 2004— 533 313号、同 2005— 524058号、特表平 8— 503099号公報等に記載されたものを適 時選択あるいは本発明の目的に適した形に改良して用いることができる。
[0086] また、本発明の透明ノ リア性シートを作製する際に、基材シートの熱変形を防止す る目的で、前記透明有機薄膜層および透明無機薄膜層を成膜する際の基材シート の到達最高温度を T[K]が、 243Κ以上、 383Κ以下にすることが好ましぐ 243Κ以 上、 333K以下にするのがより好ましい。さらに、基材シートの到達最高温度 T[K]は 、基材シートに用いられる榭脂のガラス転移温度 Tg[K]とした際に、下記式 (4)の範 囲になることがより好ましい。
[0087] 式(4)
Figure imgf000023_0001
また、透明ノリア性シートを形成する際に用いる基材シートとしてフィルム状に巻か れたロール品を用いる場合には、成膜時に巻き出し側と巻き取り側に張力を掛け、搬 送させながら透明無機薄膜層や透明有機薄膜層が成膜される。その場合、枚葉シー ト状の基材シートに成膜するよりも、基材シートの熱変形が大きくなる場合が有ること から、透明有機薄膜層および透明無機薄膜層を形成する際の基材シートの到達最 高温度を T[K]、成膜時間を S [秒]とした際に、下記式 (3)の条件を満たすことが欠 陥の少ない透明ノリア性シートが作製出来ることから好ましぐさらに式 (5)の条件を 満たすことがより欠陥の少な 、透明ノ リア性シートが作製出来ることから好ま 、。尚 ここで言う透明有機薄膜層および透明無機薄膜層を形成する際の基材シートの到達 最高温度を Τ[Κ]、成膜時間を S [秒]は、単一の層を形成する工程を表し、透明有 機薄膜層および透明無機薄膜層を複数層重ねる場合は、それぞれの単一層の成膜 条件を表す。また、ここで言う成膜時間は基材シートの有る点における成膜時間を表 す。
[0088] 式(3)
1. 21≤ (TX S) /1000≤460[K- ]
式 (5)
1. 21≤ (TX S) /1000≤350[K- ]
また、本発明では積層された層間の接着力を強固にするために、本発明の目的を 阻害しない範囲で、透明プライマー層、透明無機薄膜層あるいは透明有機薄膜層を 積層する際に、積層される表面を火炎処理、オゾン処理、グロ一放電処理、コロナ放 電処理、プラズマ処理、真空紫外線照射処理、電子線照射処理及び放射線照射処 理力 選ばれる少なくとも 1種の表面処理を施してもよい。
[0089] 一方、本発明の透明バリア性シートでは上述した必須となる層以外に必要に応じて 設置される帯電防止層、粘着層、導電層、反射防止層、紫外線防止層、近赤外線防 止層等の機能層は、上述した透明プライマー層、透明無機薄膜層あるいは透明有機 薄膜層の成膜方法を適時選択することにより積層することができる。
実施例
[0090] 以下、本発明の透明バリア性シートを具体的な実施例を挙げてさらに説明する。な お、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また「部」は特に断りの無い 限り質量部を表す。
[0091] 実施例 1
厚さ 100 μ mのポリエーテルスルホンフィルム(住友ベークライト(株)製、スミライト F S— 5300)を用意し、この片面をコロナ放電処理した後に、ジ [1 ェチル(3—ォキ セタ -ル) ]メチルエーテル 98部、重合開始剤としてジフエ-ルー 4 チオフエノキシ スルホ -ゥムへキサフルォロアンチモネート 2部を添加混合した塗布用組成物を、塗 布厚さ約 0. 5 mとなるように基材シート上に塗布した後、紫外線照射装置 [岩崎電 気 (株)、コンベア付 UV硬化装置]を用いて大気中で組成物が十分反応する照射量 の紫外線照射をして硬化して透明プライマー層を形成した。この透明プライマー層表 面を、非接触 3次元表面形状測定装置 [Veeco社製、 WYKO NT1100]で 200 μ m X 200 mの測定範囲を 5ケ所観察し、内蔵された表面解析ソフトで表面粗さ Raを 解析したところ、平均の表面粗さ Raは 4. 5nmであった。
[0092] 次に、前述の方法で作製した透明プライマー層付き基材シートの背面に 10°C冷却 板を置き、反応型プラズマ蒸着装置 [住友重機 (株)製、小型プラズマ成膜装置: 370 X 480mm対応]を用いて、シリコンを固体ターゲットとし、成膜条件は、放電電流 12 0A、成膜圧力 0. lPa、雰囲気ガス条件として、アルゴン:酸 = 1 : 5として、透明ブラ イマ一層上に酸ィ匕硅素膜からなる厚さ 200nmの透明無機薄膜層を形成した。成膜 時の成膜時間及び成膜時の基材シート到達最高温度 T[K]を表 1に示した。なお、 成膜時の最高到達温度は製膜表面にサーモラベルを貼り付け薄膜層形成後に確認 することで基材シート到達最高温度 Τ[Κ]とした。
[0093] 上述の透明無機薄膜が積層された透明プライマー層付き基材シートの背面に 10 °C冷却板を置いた状態で真空槽内にセットし、真空槽内を 1 X 10— 4Pa台まで真空引 きした後に、別途、透明有機薄膜層形成組成物として 3, 4—エポキシシクロへキセ- ルメチルー 3' , 4' エポキシシクロへキセンカルボキシレート 80部、 1, 4 ブタン ジオールダリシジルエーテル 18部、ジァリルョードニゥムへキサフルォロアンチモネ ート 2部を混合均一溶解させたものを用意し、この組成物を有機蒸着源に導入し、抵 抗加熱を開始し、不純物の蒸発が完了したところで蒸着シャッターを開き透明有機 薄膜層を蒸着した。その後、 500mi/Cm2の積算光量の UV光を照射して、透明有 機薄膜層を形成することにより本発明の透明ノリア性シート 1—A〜1—Eを作製した
[0094] なお、その際の得られた透明有機薄膜層の表面粗さ Ra、膜厚と成膜時間及び成 膜時の基材シート到達最高温度 T[K]を表 1に示すとともに、透明有機薄膜層成膜 時の最高到達温度は製膜表面にサーモラベルを貼り付け薄膜層形成後に確認する ことで基材シート到達最高温度 Τ[Κ]とした。
[0095] [バリア性の評価]
(水蒸気バリア性の評価)
上述の方法で作製した透明バリア性シートを、水蒸気透過率測定装置 [MOCON 社製: OXTRAN 2Z21]を用いて、温度 40°C、湿度 90%RHの環境下で測定した 。評価結果を表 1に示す。
[0096] (酸素バリア性の評価)
上述の方法で作製した透明バリア性シートを、 ASTM D— 3985に準拠した酸素 透過率測定装置 [MOCON社製: PERMATRAN— W 3/32]を用いて、試験温 度 40°C、湿度 0%の条件で酸素透過率を測定し評価した。評価結果を表 1に示す。
[0097] [屈曲耐性の評価]
上述の方法で作製した透明ノリア性シートを、薄膜層面を外側にした条件で 20m πι φのステンレス棒に沿って 180度の角度で 20回屈曲を繰返した後に、水蒸気バリ ァ性の評価と同様の評価を行なった。
[0098] カロえて、表 1に示す透明無機薄膜層と透明有機薄膜層の厚さの比が、本発明の範 囲外の厚さ比となるような比較例 R— 1Aと R— 1Bを作製し、同様の評価を行った。得 られた結果を表 1に併せて示す。
Figure imgf000026_0002
\震 06 ff: es·
Figure imgf000026_0001
表 1から明らかなように、本発明の透明バリア性シートは、水蒸気や酸素ガスに対す るノ リア性に優れて 、ると共に、屈曲耐性も優れて 、ることが分かる。 [0101] 実施例 2
厚さ 125 mの 2軸延伸ポリエチレンテレフタレート [東洋紡績 (株)製、コスモシャイ ン A— 4300]フィルムを用意し、実施例 1と同様の塗布用組成物を用 ヽて塗布した 後、紫外線照射して硬化し、厚さ 0. 3 mの透明プライマー層を形成した。この透明 プライマー層表面を非接触 3次元表面形状測定装置 [Veeco社製、 WYKO NT11 00]で 5ケ所観察したところ、平均の表面粗さ Raは 3. 5nmで有った。
[0102] 次に、下記 1)と 2)に示す方法で透明無機薄膜層と透明有機薄膜層を形成すること により本発明の透明ノ リア性シート 2— A〜2—Eを作製した。この得られた透明バリ ァ性シートを実施例 1と同様の評価法でバリア性の評価と屈曲耐性の評価し、得られ た結果を表 2に示す。
[0103] 1)透明無機薄膜層の成膜:図 6に示す触媒化学気相成長法による成膜装置を用 いて、透明プライマー層付き基材シート 61を基板ホルダである保持機構 62に密着さ せて、真空容器 50内に設置した後、排気ポンプ 603にて真空容器 60を 2 X 10— 4Pa 以下まで真空引きを行い、続いて、基板ホルダである保持機構 62を 0°Cまで冷却し た。次いで、水素ガス源 66の開閉弁 V66を開き水素ガス、およびアンモニアガス源 6 7の開閉弁 V67を開きアンモニアガスを真空容器 60内に導入し、これらの導入ガス を分解活性ィ匕させるために、ガス導入口 65と透明プライマー層付き基材シート 61と の間に配備されたタングステン力も成る線状の発熱体 64を 1800°Cに加熱した。
[0104] 続いて、発熱体 64と透明プライマー層付き基材シート 61の間に配備されている遮 蔽部材 69を開けることにより、透明プライマー層付き基材シート 61の表面を、水素ガ スおよびアンモニアガスの分解活性種に 20秒間曝した。この後、発熱体 64を 1800 °Cに保持した状態で、遮蔽部材 69を一旦閉じ、さらに真空容器 60内に、シランガス 源 68の開閉弁 V68を開きシランガスを導入した後、再度遮蔽部材 69を開け、透明プ ライマー層付き基材シート 61の表面に厚さ 60nmの窒化ケィ素膜の成膜を行った。
[0105] 2)透明有機薄膜層の成膜:透明無機薄膜が積層された透明プライマー層付き基 材シートの背面に 10°C冷却板を置いた状態で真空槽内にセットし、真空槽内を 1 X 10— 4Pa台まで真空引きした後に、別途、 2官能のネオペンチルダリコール変性トリメチ ロールプロパンジアタリレート [日本ィ匕薬 (株)製、カャラッド R—604] 97部、 2—メ チルー [4 (メチルチオ)フエ-ル] 2 モルフオリノー 1 プロパノンを 3部を混合 均一溶解させたものを用意し、この組成物を有機蒸着源に導入し、抵抗加熱を開始 し、不純物の蒸発が完了したところで蒸着シャッターを開き、透明有機薄膜層を蒸着 した。その後、 500miZcm2の積算光量の UV光を照射して透明有機薄膜層を形成 した。なお、その際の得られた透明有機薄膜層の膜厚と成膜時間及び成膜時の基 材シート到達最高温度 T[K]を表 2に併せて示した。なお、基材シート到達最高温度 Τ [Κ]は実施例 1と同様の方法で評価した。
[0106] カロえて、表 2に示す透明無機薄膜層と透明有機薄膜層の厚さ比が、本発明の範囲 外の厚さ比となるような比較例 R— 2Αと R— 2Βを作製し、同様の評価を行った。得ら れた結果を表 2に併せて示す。
[0107] [表 2]
\震 06?230"2-,
Figure imgf000029_0001
[0108] 表 2から明らかなように、本発明の透明バリア性シートは、水蒸気や酸素ガスに対す るノリア性に優れていると伴に、屈曲耐性も優れていることが分かる。
[0109] 実施例 3 基材シートとして、厚さ 100 μ mの 2軸延伸ポリエチレンナフフタレートフィルム [帝 人デュポンフィルム (株)製、テオネックス Q65]の片面をコロナ放電処理し、真空槽 内を 1 X 10— 4Pa台まで真空引きした後に、 1, 4 ブタンジオールダリシジルエーテル と 1, 3 ジァミノプロパン (東京化成社製)を別々の有機蒸着源に導入し、それぞれ フラッシュ加熱を開始し、不純物の蒸発が完了したところで蒸着シャッターを開くこと で、基材シート上で蒸着重合させることで透明プライマー層を形成した。この透明プ ライマー層表面を非接触 3次元表面形状測定装置 [Veeco社製、 WYKO NT110 0]で 5ケ所観察したところ、平均の表面粗さ Raは 2. Onmで有った。
[0110] 次に、下記 3)と 4)で示す透明無機薄膜層 Aと透明有機薄膜層 Bを表 3記載の積層 形態とすることで本発明の透明ノ リア性シート 3— A〜3— Gを作製した。なお、表中 の Cは基材シート Z透明プライマー層を示す。
[0111] 3)透明無機薄膜層 Aの成膜:シートの背面に 10°C冷却板を置いた状態で、 ECR プラズマ成膜装置 [ェヌ 'ティ 'ティ'ァフティ (株)製、ァフテック ER— 1200]を用 V、て 、シリコンを固体ターゲットとし、成膜条件として、マイクロ波電力 500W、 RF電力 500 W、成膜圧力 0. 09Pa、導入ガス条件としてアルゴン流量を 40sccm、窒素 Z酸素 = 8Z2の混合ガスを流量として 0. 5SCcmとして、窒化酸ィ匕ケィ素膜からなる透明無機 薄膜層を形成した。その際の得られた透明無機薄膜層の膜厚と成膜時間及び成膜 時の基材シート到達最高温度 T[K]を表 3に示した。また、得られた透明無機薄膜層 の XPS (X— ray photoelectron spectroscopy)による糸且成比は Si: 0 :N= 1. 0 0 : 0. 18 : 1. 21で有った。なお、基材シート到達最高温度 T[K]は実施例 1と同様の 方法で評価した。
[0112] 4)透明有機薄膜層 Βの成膜:シートの背面に 10°C冷却板を置いた状態で真空槽 内にセットし、真空槽内を 1 X 10— 4Pa台まで真空引きした後に、別途、透明有機薄膜 層形成組成物として 3, 4—エポキシシクロへキセ-ルメチルー 3' , 4' エポキシ シクロへキセンカルボキシレート 80部、 1, 4 ブタンジオールダリシジルエーテル 18 部、へキサフルォロアンチモン酸ジァリルョードニゥム 2部を混合均一溶解させたもの を用意し、この組成物を有機蒸着源に導入し、抵抗加熱を開始し、不純物の蒸発が 完了したところで蒸着シャッターを開き透明有機薄膜層を蒸着した。その後、 500mJ Zcm2の積算光量の UV光を照射し、透明有機薄膜層を形成した。その際の得られ た透明有機薄膜層の膜厚と成膜時間及び成膜時の基材シート到達最高温度 T[K] を表 3に示した。なお、基材シート到達最高温度 Τ[Κ]は実施例 1と同様の方法で評 価し 7こ。
[0113] 上述の方法で作製した透明ノリア性シートを実施例 1と同様の評価法でバリア性の 評価と屈曲耐性の評価を行!ヽ、得られた結果を表 3に併せて示す。
[0114] 加えて、表 3に示す透明無機薄膜層と透明有機薄膜層の厚さ比が本発明の範囲 外となるように厚さとなるような比較例 R— 3を作製し、同様の評価を行った。得られた 結果を表 3に併せて示す。
[0115] [表 3]
Figure imgf000032_0001
表 3から明らかなように、本発明の透明ノリア性シートは、水蒸気や酸素ガスに対す るノリア性に優れて 、ると伴に、屈曲耐性も優れて 、ることが分かる。

Claims

請求の範囲
[1] 基材シートの同一面側に、少なくとも 1層の透明無機薄膜層と少なくとも 1層の透明 有機薄膜層とを有する透明ノリア性シートであって、薄膜層積層面の最外層の表面 粗さ Raが 5nm以下、該透明無機薄膜層の厚さが 20nm以上、 500nm以下、且つ該 透明無機薄膜層の厚さを dlとし、該透明有機薄膜層の厚さを d2としたときに、下記 式(1)で表される関係を満たすことを特徴とする透明ノリア性シート。
式 (1)
0. 5≤d2/dl≤10
[2] 前記透明無機薄膜層の厚さを dlとし、前記透明有機薄膜層の厚さを d2としたとき に、下記式 (2)で表される関係を満たすことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の 透明バリア性シート。
式 (2)
1. 0≤d2/dl≤5. 0
[3] 前記透明有機薄膜層の厚さが 50nm以上、 2. 0 m以下であることを特徴とする請 求の範囲第 1項または第 2項に記載の透明バリア性シート。
[4] 前記基材シート上に、前記透明無機薄膜層及び前記透明有機薄膜層がこの順に 積層されていることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 3項のいずれか 1項に記載 の透明バリア性シート。
[5] 前記基材シートと前記透明無機薄膜層との間に、さらに有機化合物を含有する透 明プライマー層が積層されていることを特徴とする請求の範囲第 4項に記載の透明 ノ リア性シート。
[6] 前記透明無機薄膜層と前記透明有機薄膜層の各 1層の組合せを 1ユニットとしたと きに、前記基材シート上に少なくとも 2ユニットを積層させたことを特徴とする請求の範 囲第 4項または第 5項に記載の透明バリア性シート。
[7] 前記透明無機薄膜層が、金属酸化物または金属窒化物を含有することを特徴とす る請求の範囲第 1項乃至第 6項のいずれか 1項に記載の透明バリア性シート。
[8] 前記透明無機薄膜層を構成する前記金属酸化物または金属窒化物が、酸化硅素
、酸化アルミ、窒化珪藻及び窒化酸化硅素から選ばれる少なくとも 1つの化合物が主 成分であることを特徴とする請求の範囲第 7項に記載の透明バリア性シート。
[9] 前記透明有機薄膜層が、ラジカル重合性化合物、カチオン重合性ィ匕合物、ァ-ォ ン重合性化合物及び共重合可能な官能基を有する化合物を含む重合性化合物か ら選ばれる少なくとも 1種の化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第 1項乃 至第 8項のいずれか 1項に記載の透明バリア性シート。
[10] 請求の範囲第 1項乃至第 9項のいずれ力 1項に記載の透明バリア性シートを製造 する透明ノリア性シートの製造方法において、透明有機薄膜層および透明無機薄膜 層を成膜する際の基材シートの到達最高温度が、 243K以上、 383K以下であること を特徴とする透明バリア性シートの製造方法。
[11] 請求の範囲第 1項乃至第 9項のいずれ力 1項に記載の透明バリア性シートを製造 する透明ノリア性シートの製造方法において、透明有機薄膜層および透明無機薄膜 層を形成する際の基材シートの到達最高温度を T[K]、成膜時間を S秒としたとき〖こ 、下記式 (3)で表される関係を満たすことを特徴とする請求の範囲第 10項に記載の 透明バリア性シートの製造方法。
式 (3)
1. 21≤ (TX S) /1000≤460[K- ]
PCT/JP2007/054271 2006-03-24 2007-03-06 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 Ceased WO2007111092A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07737828A EP2000299A4 (en) 2006-03-24 2007-03-06 TRANSPARENT BARRIER SHEET AND METHOD OF PRODUCING SAME
JP2008507407A JPWO2007111092A1 (ja) 2006-03-24 2007-03-06 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-082438 2006-03-24
JP2006082438 2006-03-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007111092A1 true WO2007111092A1 (ja) 2007-10-04

Family

ID=38533807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/054271 Ceased WO2007111092A1 (ja) 2006-03-24 2007-03-06 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20070224393A1 (ja)
EP (1) EP2000299A4 (ja)
JP (1) JPWO2007111092A1 (ja)
WO (1) WO2007111092A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010052222A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Toppan Printing Co Ltd ガスバリア性積層フィルム
WO2018159248A1 (ja) * 2017-02-28 2018-09-07 東洋紡株式会社 積層フィルム

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2272928A1 (de) 2009-06-23 2011-01-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Hochbarrierenverbunde und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP2604427A4 (en) * 2010-08-13 2014-12-24 Asahi Glass Co Ltd LAMINATE AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE
JP2013111874A (ja) * 2011-11-29 2013-06-10 Sony Corp ガスバリア基材およびガスバリア積層体
KR101974107B1 (ko) * 2012-02-02 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6325557B2 (ja) * 2013-09-27 2018-05-16 株式会社ダイセル 半導体積層用接着剤組成物

Citations (206)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB998949A (en) 1960-06-27 1965-07-21 Kodak Ltd Thermographic and heat developable photographic copying materials
US3493374A (en) 1965-07-01 1970-02-03 Grinten Chem L V D Heat-developable diazotype material
US4060420A (en) 1976-08-06 1977-11-29 Eastman Kodak Company Sulfonylacetate activator-stabilizer precursor
JPS5371224A (en) 1976-12-07 1978-06-24 Seiko Instr & Electronics Small size alkaline battery
JPS56152833A (en) 1980-04-30 1981-11-26 Asahi Denka Kogyo Kk Thermosetting composition
JPS5837003A (ja) 1981-08-28 1983-03-04 Asahi Denka Kogyo Kk 熱硬化性組成物
JPS59168441A (ja) 1983-03-16 1984-09-22 Fuji Photo Film Co Ltd 熱現像カラ−感光材料
JPS59180537A (ja) 1983-03-31 1984-10-13 Fuji Photo Film Co Ltd 熱現像感光材料用塩基プレカ−サ−
JPS60237443A (ja) 1984-05-09 1985-11-26 Fuji Photo Film Co Ltd 熱現像感光材料
JPS6151139A (ja) 1984-08-20 1986-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 熱現像感光材料および感熱記録材料
JPS6257646A (ja) 1985-09-09 1987-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd シリルエ−テル結合を有するマイクロカプセル
JPS638366A (ja) 1986-06-26 1988-01-14 Sanshin Kagaku Kogyo Kk スルホニウム化合物
JPS638365A (ja) 1986-06-26 1988-01-14 Sanshin Kagaku Kogyo Kk スルホニウム化合物およびその製造方法
JPS63223002A (ja) 1987-03-13 1988-09-16 Yokohama Rubber Co Ltd:The 重合用触媒
JPS6468746A (en) 1987-09-09 1989-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd Base precursor
JPS6483060A (en) 1987-09-25 1989-03-28 Sanshin Kagaku Kogyo Kk Sulfonium compound
JPH01290658A (ja) 1988-05-17 1989-11-22 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物の製造方法
JPH021470A (ja) 1988-03-03 1990-01-05 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物およびその製造方法
JPH02196812A (ja) 1988-03-15 1990-08-03 Sanshin Chem Ind Co Ltd カチオン重合性組成物、重合触媒および重合方法
JPH02232253A (ja) 1989-03-03 1990-09-14 Nippon Paint Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JPH02284485A (ja) 1989-04-26 1990-11-21 Ulvac Corp 有機圧電焦電体膜の形成方法
JPH02306247A (ja) 1989-01-19 1990-12-19 Mitsubishi Kasei Corp 光重合性組成物
JPH0317101A (ja) 1989-06-14 1991-01-25 Sanshin Chem Ind Co Ltd カチオン重合触媒および重合性組成物、その重合方法
JPH0347164A (ja) 1989-04-08 1991-02-28 Sanshin Chem Ind Co Ltd 新規なスルホニウム化合物およびその製造方法
JPH0348654A (ja) 1989-07-14 1991-03-01 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物の製造方法
JPH03145459A (ja) 1989-10-31 1991-06-20 Sanshin Chem Ind Co Ltd ジベンジルスルホニウム化合物
JPH03197682A (ja) 1989-09-27 1991-08-29 Ashida:Kk Ecrプラズマcvd装置
JPH03200761A (ja) 1989-10-31 1991-09-02 Sanshin Chem Ind Co Ltd ジアルキルスルホニウム化合物
JPH03237107A (ja) 1990-02-14 1991-10-23 Sanshin Chem Ind Co Ltd カチオン重合開始剤および重合性組成物
JPH041177A (ja) 1989-10-13 1992-01-06 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物
JPH04134348A (ja) 1990-09-26 1992-05-08 Sony Corp 感光性組成物、及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び半導体の製造方法
JPH04162040A (ja) 1990-10-26 1992-06-05 Rohm & Haas Co ポジ型フォトレジスト組成物
JPH04210673A (ja) 1990-11-30 1992-07-31 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム塩の製造方法
JPH04216628A (ja) 1990-02-27 1992-08-06 American Teleph & Telegr Co <Att> Ecrプラズマ堆積方法
JPH04257224A (ja) 1991-02-12 1992-09-11 Fuji Electric Co Ltd 絶縁膜の形成方法
JPH04311036A (ja) 1991-04-09 1992-11-02 Fuji Electric Co Ltd 絶縁膜形成方法
JPH059742A (ja) 1991-07-01 1993-01-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> プラズマ処理装置及び装置構成方法
JPH0527440A (ja) 1991-07-20 1993-02-05 Fujitsu Ltd レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
JPH0570955A (ja) 1991-09-12 1993-03-23 Osaka Gas Co Ltd 薄膜形成方法
JPH0590247A (ja) 1991-09-26 1993-04-09 G T C:Kk 絶縁膜を形成する方法および装置
JPH05107999A (ja) 1991-04-17 1993-04-30 Nippon Paint Co Ltd 体積ホログラム記録用感光性組成物
JPH05117867A (ja) 1991-09-02 1993-05-14 Fuji Electric Co Ltd 酸化シリコン膜の製造方法および製造装置
JPH05125520A (ja) 1991-11-06 1993-05-21 Ulvac Japan Ltd 多層膜の形成装置
JPH05129281A (ja) 1991-10-31 1993-05-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH05170763A (ja) 1991-06-10 1993-07-09 Sankyo Co Ltd 2−置換オキセタン誘導体
JPH05171435A (ja) 1991-12-19 1993-07-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形成装置
JPH05177163A (ja) 1991-12-27 1993-07-20 Ulvac Japan Ltd 合成樹脂被膜の形成方法
JPH05181271A (ja) 1990-11-22 1993-07-23 Canon Inc 感光性記録媒体、及びそれを使用する体積型位相ホログラムの形成方法
JPH05311399A (ja) 1992-05-12 1993-11-22 Ulvac Japan Ltd 有機焦電圧電体の形成方法
JPH05339389A (ja) 1992-05-26 1993-12-21 Agency Of Ind Science & Technol 高分子膜の形成方法
JPH0616804A (ja) 1992-02-18 1994-01-25 Rensselaer Polytechnic Inst 光硬化性オキセタン組成物
JPH06116409A (ja) 1991-10-25 1994-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 合成樹脂被膜の形成方法
JPH06244175A (ja) 1993-02-16 1994-09-02 Fuji Electric Co Ltd 絶縁膜の製造方法および製造装置
JPH06280000A (ja) 1993-03-24 1994-10-04 Japan Steel Works Ltd:The プラズマ表面処理方法および装置
JPH06316757A (ja) 1993-04-28 1994-11-15 Kawasaki Heavy Ind Ltd 紫外レーザーによる有機多層膜製造方法
JPH0717958A (ja) 1993-06-30 1995-01-20 Rensselaer Polytechnic Inst オキセタン化合物
JPH0726023A (ja) 1993-07-14 1995-01-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 有機高分子薄膜の作製方法
JPH07173279A (ja) 1993-12-17 1995-07-11 Toagosei Co Ltd 硬化物の製造方法
JPH07209863A (ja) 1994-01-20 1995-08-11 Ulvac Japan Ltd パターン形成方法
JPH07263359A (ja) 1994-03-25 1995-10-13 Sumitomo Metal Ind Ltd 薄膜の形成方法
JPH07335575A (ja) 1994-06-14 1995-12-22 Nippon Steel Corp 薄膜の製造方法
JPH0816080A (ja) 1994-06-30 1996-01-19 Toppan Printing Co Ltd ホログラム感光性記録材料およびホログラム感光性記録媒体
JPH0878333A (ja) 1994-09-07 1996-03-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 膜形成用プラズマ装置
JPH08503099A (ja) 1992-08-21 1996-04-02 バッテル・メモリアル・インスティチュート 液体モノマー類の真空付着及び硬化
JPH08169870A (ja) 1994-10-19 1996-07-02 Fuji Photo Film Co Ltd ビスグアニジン塩
JPH08188570A (ja) 1995-01-10 1996-07-23 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物の製造方法
JPH08188569A (ja) 1995-01-06 1996-07-23 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物の製造方法
JPH08227154A (ja) 1994-11-17 1996-09-03 Hitachi Ltd 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法およびそれを用いた電子装置の製造方法
JPH08245783A (ja) 1995-02-22 1996-09-24 Heraeus Kulzer Gmbh 重合性化合物の使用
JPH08301859A (ja) 1995-04-28 1996-11-19 Japan Synthetic Rubber Co Ltd オキセタン系化合物およびその重合体
JPH08305262A (ja) 1995-04-27 1996-11-22 Toppan Printing Co Ltd 透明ホログラム用感光性記録材料と透明ホログラム用感光性記録媒体及びこの感光性記録媒体を用いた透明ホログラムの製造方法
JPH08512256A (ja) 1993-10-04 1996-12-24 カタリナ コーティングス,インコーポレイティド コンデンサーの誘電体及び酸素バリヤーを形成するのに有用な架橋アクリレートコーティング材料
JPH0917598A (ja) 1995-06-29 1997-01-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ecrプラズマ加工装置およびecrプラズマ生成方法
JPH0931115A (ja) 1995-07-13 1997-02-04 Japan Atom Energy Res Inst 光誘起蒸着重合法
JPH09104085A (ja) 1995-06-01 1997-04-22 Saint Gobain Vitrage 薄層積重体で被覆した透明基材
JPH09143681A (ja) 1995-11-14 1997-06-03 Ulvac Japan Ltd 高分子薄膜の形成方法
JPH09249851A (ja) 1996-03-15 1997-09-22 Ulvac Japan Ltd 高分子薄膜の低比誘電率化方法及び層間絶縁膜の形成方法
JPH09272703A (ja) 1996-04-05 1997-10-21 Ulvac Japan Ltd 有機化合物用蒸発源及びこれを用いた蒸着重合装置
JPH09278805A (ja) 1996-04-12 1997-10-28 Ulvac Japan Ltd 蒸着重合方法
JPH09279332A (ja) 1996-04-15 1997-10-28 Ulvac Japan Ltd 有機化合物モノマーの精製方法
JPH09326389A (ja) 1996-06-05 1997-12-16 Ulvac Japan Ltd 耐湿性絶縁膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法
JPH1083079A (ja) 1996-09-06 1998-03-31 Shin Etsu Chem Co Ltd 化学増幅ポジ型レジスト材料
JPH1092800A (ja) 1996-09-12 1998-04-10 Ulvac Japan Ltd 蒸発源および蒸発源を備えた真空処理室、有機化合物膜の成膜方法
US5759721A (en) 1995-10-06 1998-06-02 Polaroid Corporation Holographic medium and process for use thereof
JPH10168559A (ja) 1996-12-06 1998-06-23 Ulvac Japan Ltd 有機薄膜形成装置及び有機材料の再利用方法
JPH10237056A (ja) 1997-02-21 1998-09-08 Daikin Ind Ltd フルオロオキセタン化合物及びその製造方法
JPH10289902A (ja) 1997-04-11 1998-10-27 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
JPH10330485A (ja) 1997-03-25 1998-12-15 Ivoclar Ag 加水分解可能でかつ重合可能なオキセタンシラン
JPH11500422A (ja) 1995-01-12 1999-01-12 アエロジェット−ジェネラル コーポレイション モノ置換フッ素化オキセタンモノマー
JPH1129609A (ja) 1997-07-08 1999-02-02 Nippon Soda Co Ltd 熱硬化性組成物
JPH1171450A (ja) 1997-08-22 1999-03-16 Ciba Specialty Chem Holding Inc α−アミノアセトフェノンからのアミンの光発生
JPH11503195A (ja) 1995-04-06 1999-03-23 カタリナ・コーティングス,インコーポレイテッド アクリル酸エステルポリマー剥離層によりコーティングされたシート材料及びその製作方法
JPH11106380A (ja) 1997-09-30 1999-04-20 Ube Ind Ltd オキセタン環を有するビフェニル誘導体
JPH11130766A (ja) 1997-10-23 1999-05-18 Toagosei Co Ltd オキセタニル基を有する化合物およびその製造方法ならびに該化合物からなる活性エネルギー線硬化型組成物
JPH11172418A (ja) 1997-12-12 1999-06-29 Ulvac Corp 成膜装置
JPH11228558A (ja) 1998-02-10 1999-08-24 Ube Ind Ltd オキセタン基含有カリックスアレーン誘導体及びその製造法
JPH11246540A (ja) 1998-03-04 1999-09-14 Ube Ind Ltd オキセタン基含有カリックス〔4〕レゾルシンアレーン誘導体及びその製造法
JPH11246510A (ja) 1998-03-04 1999-09-14 New Japan Chem Co Ltd 希土類錯体
JPH11246541A (ja) 1998-03-06 1999-09-14 Ube Ind Ltd 多官能性オキセタン化合物
JPH11255739A (ja) 1998-03-11 1999-09-21 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物の製造方法
JPH11269138A (ja) 1998-03-20 1999-10-05 Mitsubishi Paper Mills Ltd 有機塩基発生剤
JP2000010270A (ja) 1998-04-23 2000-01-14 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物
JP2000026546A (ja) 1998-07-09 2000-01-25 Jsr Corp オキセタン共重合体およびその製造方法
JP2000047552A (ja) 1998-07-29 2000-02-18 Toppan Printing Co Ltd 体積位相型ホログラム用感光性組成物およびホログラム用記録媒体
JP2000087224A (ja) 1998-09-11 2000-03-28 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
JP2000122005A (ja) 1998-10-20 2000-04-28 Johnson & Johnson Vision Prod Inc 生物医学的デバイスのためのコ―ティング
JP2000127186A (ja) 1998-10-28 2000-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂薄膜の製造方法
JP2000191652A (ja) 1998-12-25 2000-07-11 Jsr Corp 含フッ素オキセタン化合物、当該重合体、当該組成物および当該製造方法
JP2000216049A (ja) 1999-01-25 2000-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機薄膜コンデンサの製造方法
EP1029258A1 (en) 1997-11-13 2000-08-23 Polaroid Corporation Holographic medium and process
JP2000302774A (ja) 1999-04-26 2000-10-31 Ube Ind Ltd ビスオキセタンエーテル化合物類の製造方法
JP2000330270A (ja) 1999-05-24 2000-11-30 Kunihiro Ichimura 塩基増殖剤、塩基増殖剤組成物、塩基反応性組成物及びパターン形成方法
JP2000336133A (ja) 1999-05-27 2000-12-05 Ube Ind Ltd 新規なオキセタンスルフォン酸エステルおよびそれを用いたオキセタン化ノボラック樹脂ならびにその製造法
JP2000348971A (ja) 1999-06-04 2000-12-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層体の製造方法及び積層体の製造装置
JP2001031664A (ja) 1999-07-15 2001-02-06 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するナフタレン誘導体
JP2001031665A (ja) 1999-07-15 2001-02-06 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するビフェニル誘導体
JP2001031666A (ja) 1999-07-15 2001-02-06 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するビナフタレン誘導体
JP2001040085A (ja) 1999-08-04 2001-02-13 Toagosei Co Ltd カチオン硬化性組成物
JP2001055374A (ja) 1999-08-18 2001-02-27 Nippon Soda Co Ltd スルホニウム塩化合物の製造方法
JP2001163882A (ja) 1999-09-28 2001-06-19 Ube Ind Ltd オキセタン環を有するシアヌル酸誘導体
JP2001508089A (ja) 1996-10-31 2001-06-19 プレステック,インコーポレイティド アクリレートコーティング方法
JP2001200049A (ja) 2000-01-19 2001-07-24 Hitachi Chem Co Ltd 硬化性オキセタン組成物、硬化物の製造方法及び硬化物
JP2001226365A (ja) 2000-02-15 2001-08-21 Showa Denko Kk オキセタン化合物、その製造方法及び重合性組成物
JP2001261867A (ja) 2000-03-14 2001-09-26 Dainippon Printing Co Ltd 連続式蒸着重合法
JP2001262323A (ja) 2000-03-23 2001-09-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜方法及び装置
JP2001278874A (ja) 2000-03-31 2001-10-10 Daikin Ind Ltd フッ素化オキセタン誘導体及びその製造法
JP2001278875A (ja) 2000-03-31 2001-10-10 Daikin Ind Ltd 3−フルオロアルコキシメチル−3−アルキルオキセタンの製法
JP2001518561A (ja) 1997-09-29 2001-10-16 バッテル・メモリアル・インスティチュート 低蒸気圧化合物を用いたプラズマ加速化学蒸着
JP2001295031A (ja) 2000-04-14 2001-10-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜装置及び方法
JP2001302651A (ja) 2000-04-27 2001-10-31 Hitachi Chem Co Ltd 水酸基含有オキセタン化合物
JP2001342194A (ja) 2000-06-01 2001-12-11 Toagosei Co Ltd 多官能オキセタン化合物およびその製造方法、ならびに該オキセタン化合物からなるカチオン硬化性組成物
JP2001348660A (ja) 2000-06-06 2001-12-18 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜装置及び方法
JP2001348662A (ja) 2000-06-05 2001-12-18 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜方法及び装置
JP2002020376A (ja) 2000-07-04 2002-01-23 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するテトラメチルジフェニルメタン誘導体の製造方法およびオキセタン環を有するテトラメチルジフェニルメタン誘導体
JP2002030426A (ja) 2000-07-07 2002-01-31 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜方法及び装置
JP2002053950A (ja) 2000-08-07 2002-02-19 Sumitomo Heavy Ind Ltd 絶縁体基板への成膜方法及び成膜装置
JP2002060929A (ja) 2000-08-10 2002-02-28 Sumitomo Heavy Ind Ltd Ito膜の成膜方法及び成膜装置
JP2002069646A (ja) 2000-09-01 2002-03-08 Sony Corp 薄膜製造方法
JP2002069644A (ja) 2000-08-29 2002-03-08 Sony Corp 薄膜製造装置および薄膜製造方法
JP2002080581A (ja) 2000-09-06 2002-03-19 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するメチレンビスフェノール誘導体混合物
JP2002115049A (ja) 2001-08-31 2002-04-19 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜方法及び装置
JP2002180240A (ja) 2000-12-20 2002-06-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜装置
WO2002051905A1 (en) 2000-12-27 2002-07-04 Hitachi Chemical Co., Ltd. Photobase generators, curable compositions prepared by using the same and process of curing
JP2002193965A (ja) 2000-12-22 2002-07-10 Ube Ind Ltd オキセタン環を有するフタルイミド誘導体
JP2002217131A (ja) 2001-01-17 2002-08-02 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜方法及び装置
JP2002241489A (ja) 2001-02-20 2002-08-28 Showa Denko Kk カチオン重合性組成物
JP2002528568A (ja) 1998-10-28 2002-09-03 チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディング インコーポレーテッド 密着性の優れた表面被覆の製造方法
JP2002249871A (ja) 2001-02-22 2002-09-06 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜装置
JP2002265531A (ja) 2001-03-13 2002-09-18 Kunihiro Ichimura 塩基増殖性不飽和化合物、塩基増殖性樹脂及び該樹脂を含む組成物
JP2002275172A (ja) 2001-03-23 2002-09-25 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するα,ω−(ジメチロール)パーフルオロアルカン誘導体
JP2002275619A (ja) 2001-03-16 2002-09-25 Mitsui Chemicals Inc 有機高分子薄膜の製造装置および有機高分子薄膜の作製方法
JP2002275171A (ja) 2001-03-23 2002-09-25 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するブロモフェニル誘導体
JP2002297006A (ja) 2001-03-30 2002-10-09 Dainippon Printing Co Ltd 体積型ホログラム記録用感光性組成物及び体積型ホログラム記録用感光性媒体
JP2002294436A (ja) 2001-04-03 2002-10-09 Sumitomo Heavy Ind Ltd 酸化窒化シリコンの成膜方法
JP2002299259A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Kyocera Corp 薄膜形成方法
JP2002322268A (ja) 2001-04-27 2002-11-08 Toagosei Co Ltd 多官能オキセタン化合物と環状カルボン酸無水物からなるオキセタン樹脂の製造方法
JP2003003250A (ja) 2001-06-22 2003-01-08 Alps Electric Co Ltd 真空蒸着重合装置及びこれを用いた有機被膜の形成方法
JP2003002881A (ja) 2001-06-20 2003-01-08 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するフルオロフェノール誘導体
JP2003012662A (ja) 2001-07-03 2003-01-15 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有する2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン誘導体
JP2003020339A (ja) 2001-07-10 2003-01-24 Nippon Kayaku Co Ltd 光硬化型樹脂組成物並びにその硬化物
JP2003066816A (ja) 2001-08-27 2003-03-05 Dainippon Printing Co Ltd 体積型ホログラム記録用感光性組成物及びそれを用いた体積型ホログラム記録用感光性媒体
JP2003081958A (ja) 2001-09-12 2003-03-19 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するジフェニルスルフィド誘導体
JP2003089693A (ja) 2001-09-18 2003-03-28 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するナフタレン誘導体
JP2003105526A (ja) 2001-09-26 2003-04-09 Sumitomo Heavy Ind Ltd 珪素化合物膜の成膜方法
JP2003129236A (ja) 2001-10-24 2003-05-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形成装置
JP2003172935A (ja) 2001-12-07 2003-06-20 Seiko Epson Corp 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器
JP2003212856A (ja) 2001-11-14 2003-07-30 Hitachi Chem Co Ltd 光塩基発生剤、硬化性組成物及び硬化方法
JP2003233076A (ja) 2001-12-03 2003-08-22 Seiko Epson Corp 配向膜、配向膜の形成方法、液晶装置、並びに投射型表示装置
JP2003276115A (ja) 2002-03-26 2003-09-30 Dainippon Printing Co Ltd 積層体およびその製造方法
JP2003300273A (ja) 2002-04-10 2003-10-21 Ulvac Japan Ltd 表面処理方法及び真空表面処理装置
JP2003303698A (ja) 2002-04-09 2003-10-24 Ntt Afty Corp Ecrプラズマ源およびecrプラズマ装置
JP2003322859A (ja) 2002-05-01 2003-11-14 Seiko Epson Corp 配向膜付き基板の製造方法、液晶装置、投射型表示装置
JP2003335880A (ja) 2001-12-26 2003-11-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 有機層の形成方法及びガスバリア性プラスチックフィルム
JP2003341003A (ja) 2002-05-24 2003-12-03 Dainippon Printing Co Ltd 積層体およびその製造方法
JP2004001296A (ja) 2002-05-31 2004-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層膜付きフィルムとその製造方法及びフィルム型表示素子
JP2004076025A (ja) 2002-08-09 2004-03-11 Sumitomo Heavy Ind Ltd 酸化亜鉛薄膜およびその成膜方法
JP2004091347A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Konica Minolta Holdings Inc オキセタン化合物及び活性エネルギー線硬化型インク
JP2004103401A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Konica Minolta Holdings Inc 素子および該素子の製造方法
JP2004149486A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Mitsubishi Chemicals Corp オキセタン誘導体の製造方法
JP2004160836A (ja) * 2002-11-13 2004-06-10 Mitsui Chemicals Inc ガスバリアフィルムの製造方法
JP2004211160A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Mitsui Chemicals Inc 化学蒸着方法および装置
JP2004217966A (ja) 2003-01-10 2004-08-05 Mitsui Chemicals Inc ガスバリア膜形成方法および装置
JP2004524958A (ja) 2001-02-13 2004-08-19 シグマ テクノロジーズ インターナショナル,インコーポレイティド 固体ポリマー構造体形成プロセス及び固体ポリマー構造体
JP2004250650A (ja) 2003-02-19 2004-09-09 Kunihiro Ichimura 塩基増殖性シロキサン樹脂及び感光性樹脂組成物
JP2004262817A (ja) 2003-02-28 2004-09-24 Tosoh Corp 三環性1,2−ジオキセタン誘導体
JP2004532330A (ja) 2001-05-23 2004-10-21 スカンディナヴィアン マイクロ バイオデヴァイシズ アクティーゼルスカブ 基板上の微構造蒸着物質をリフトオフする方法、この方法によって製造される基板、およびこの基板の使用
JP2004292877A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Ishikawa Seisakusho Ltd 窒化シリコン膜及びその製造方法
JP2004533313A (ja) 2001-03-21 2004-11-04 ホリングワース・アンド・ボーズ・カンパニー 蒸着処理したエレクトレットろ材
JP2004315899A (ja) 2003-04-16 2004-11-11 Mitsui Chemicals Inc ガスバリア膜形成方法
JP2004341016A (ja) 2003-05-13 2004-12-02 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 光像記録材料、その記録方法およびその製造方法
JP2004359899A (ja) 2003-06-06 2004-12-24 National Printing Bureau 機能性有機薄膜およびその製造方法
JP2005017354A (ja) 2003-06-23 2005-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd ホログラム記録材料用組成物、ホログラム記録材料及びホログラム記録方法。
JP2005014483A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Toppan Printing Co Ltd 積層体の製造方法
JP2005034831A (ja) 2003-07-01 2005-02-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd バリア多層膜及びその製造方法
JP2005125731A (ja) 2003-09-30 2005-05-19 Fuji Photo Film Co Ltd ガスバリア性積層フィルムおよびその製造方法
JP2005171122A (ja) 2003-12-12 2005-06-30 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 特定のオキセタン化合物を含有する活性エネルギー線硬化組成物、それを用いたインクジェット用インク組成物及び画像形成方法
JP2005178137A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリアフィルムとこれを用いた積層材、画像表示媒体
JP2005178010A (ja) 2003-12-16 2005-07-07 Toppan Printing Co Ltd ガスバリア透明積層体
JP2005179693A (ja) 2003-12-16 2005-07-07 Material Design Factory:Kk Si系有機・無機ハイブリッド膜の形成方法
JP2005524058A (ja) 2002-04-23 2005-08-11 ベックマン コールター インコーポレイテッド 生体分子および細胞を固定化するためのポリマーでコーティングされた基質
JP2005238446A (ja) 2004-02-17 2005-09-08 Fuji Photo Film Co Ltd ガスバリアフィルム
JP2005239573A (ja) 2004-02-24 2005-09-08 Yunimatekku Kk 2,2,3,3−テトラフルオロオキセタンの製造法
JP2005307222A (ja) 2004-04-16 2005-11-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 酸窒化シリコン膜の形成方法及び形成装置
JP2005324406A (ja) 2004-05-13 2005-11-24 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性フィルム、ならびにこれを用いて構成された液晶表示素子およびel表示素子
JP2005536620A (ja) 2002-08-20 2005-12-02 テサ・アクチエンゲゼルシヤフト 紫外線で開始される熱架橋結合されたアクリレート感圧接着剤物質
JP2005336349A (ja) 2004-05-27 2005-12-08 Toagosei Co Ltd カチオン重合型組成物

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4720037B2 (ja) * 2001-07-18 2011-07-13 凸版印刷株式会社 強密着性を有するガスバリア性透明積層体
JP4552523B2 (ja) * 2004-06-08 2010-09-29 凸版印刷株式会社 蓋付き容器の製造方法

Patent Citations (208)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB998949A (en) 1960-06-27 1965-07-21 Kodak Ltd Thermographic and heat developable photographic copying materials
US3493374A (en) 1965-07-01 1970-02-03 Grinten Chem L V D Heat-developable diazotype material
US4060420A (en) 1976-08-06 1977-11-29 Eastman Kodak Company Sulfonylacetate activator-stabilizer precursor
JPS5371224A (en) 1976-12-07 1978-06-24 Seiko Instr & Electronics Small size alkaline battery
JPS56152833A (en) 1980-04-30 1981-11-26 Asahi Denka Kogyo Kk Thermosetting composition
JPS5837003A (ja) 1981-08-28 1983-03-04 Asahi Denka Kogyo Kk 熱硬化性組成物
JPS59168441A (ja) 1983-03-16 1984-09-22 Fuji Photo Film Co Ltd 熱現像カラ−感光材料
JPS59180537A (ja) 1983-03-31 1984-10-13 Fuji Photo Film Co Ltd 熱現像感光材料用塩基プレカ−サ−
JPS60237443A (ja) 1984-05-09 1985-11-26 Fuji Photo Film Co Ltd 熱現像感光材料
JPS6151139A (ja) 1984-08-20 1986-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 熱現像感光材料および感熱記録材料
JPS6257646A (ja) 1985-09-09 1987-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd シリルエ−テル結合を有するマイクロカプセル
JPS638365A (ja) 1986-06-26 1988-01-14 Sanshin Kagaku Kogyo Kk スルホニウム化合物およびその製造方法
JPS638366A (ja) 1986-06-26 1988-01-14 Sanshin Kagaku Kogyo Kk スルホニウム化合物
JPS63223002A (ja) 1987-03-13 1988-09-16 Yokohama Rubber Co Ltd:The 重合用触媒
JPS6468746A (en) 1987-09-09 1989-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd Base precursor
JPS6483060A (en) 1987-09-25 1989-03-28 Sanshin Kagaku Kogyo Kk Sulfonium compound
JPH021470A (ja) 1988-03-03 1990-01-05 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物およびその製造方法
JPH02196812A (ja) 1988-03-15 1990-08-03 Sanshin Chem Ind Co Ltd カチオン重合性組成物、重合触媒および重合方法
JPH01290658A (ja) 1988-05-17 1989-11-22 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物の製造方法
JPH02306247A (ja) 1989-01-19 1990-12-19 Mitsubishi Kasei Corp 光重合性組成物
JPH02232253A (ja) 1989-03-03 1990-09-14 Nippon Paint Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JPH0347164A (ja) 1989-04-08 1991-02-28 Sanshin Chem Ind Co Ltd 新規なスルホニウム化合物およびその製造方法
JPH02284485A (ja) 1989-04-26 1990-11-21 Ulvac Corp 有機圧電焦電体膜の形成方法
JPH0317101A (ja) 1989-06-14 1991-01-25 Sanshin Chem Ind Co Ltd カチオン重合触媒および重合性組成物、その重合方法
JPH0348654A (ja) 1989-07-14 1991-03-01 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物の製造方法
JPH03197682A (ja) 1989-09-27 1991-08-29 Ashida:Kk Ecrプラズマcvd装置
JPH041177A (ja) 1989-10-13 1992-01-06 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物
JPH03145459A (ja) 1989-10-31 1991-06-20 Sanshin Chem Ind Co Ltd ジベンジルスルホニウム化合物
JPH03200761A (ja) 1989-10-31 1991-09-02 Sanshin Chem Ind Co Ltd ジアルキルスルホニウム化合物
JPH03237107A (ja) 1990-02-14 1991-10-23 Sanshin Chem Ind Co Ltd カチオン重合開始剤および重合性組成物
JPH04216628A (ja) 1990-02-27 1992-08-06 American Teleph & Telegr Co <Att> Ecrプラズマ堆積方法
JPH04134348A (ja) 1990-09-26 1992-05-08 Sony Corp 感光性組成物、及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び半導体の製造方法
JPH04162040A (ja) 1990-10-26 1992-06-05 Rohm & Haas Co ポジ型フォトレジスト組成物
JPH05181271A (ja) 1990-11-22 1993-07-23 Canon Inc 感光性記録媒体、及びそれを使用する体積型位相ホログラムの形成方法
JPH04210673A (ja) 1990-11-30 1992-07-31 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム塩の製造方法
JPH04257224A (ja) 1991-02-12 1992-09-11 Fuji Electric Co Ltd 絶縁膜の形成方法
JPH04311036A (ja) 1991-04-09 1992-11-02 Fuji Electric Co Ltd 絶縁膜形成方法
JPH05107999A (ja) 1991-04-17 1993-04-30 Nippon Paint Co Ltd 体積ホログラム記録用感光性組成物
JPH05170763A (ja) 1991-06-10 1993-07-09 Sankyo Co Ltd 2−置換オキセタン誘導体
JPH059742A (ja) 1991-07-01 1993-01-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> プラズマ処理装置及び装置構成方法
JPH0527440A (ja) 1991-07-20 1993-02-05 Fujitsu Ltd レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
JPH05117867A (ja) 1991-09-02 1993-05-14 Fuji Electric Co Ltd 酸化シリコン膜の製造方法および製造装置
JPH0570955A (ja) 1991-09-12 1993-03-23 Osaka Gas Co Ltd 薄膜形成方法
JPH0590247A (ja) 1991-09-26 1993-04-09 G T C:Kk 絶縁膜を形成する方法および装置
JPH06116409A (ja) 1991-10-25 1994-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 合成樹脂被膜の形成方法
JPH05129281A (ja) 1991-10-31 1993-05-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH05125520A (ja) 1991-11-06 1993-05-21 Ulvac Japan Ltd 多層膜の形成装置
JPH05171435A (ja) 1991-12-19 1993-07-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形成装置
JPH05177163A (ja) 1991-12-27 1993-07-20 Ulvac Japan Ltd 合成樹脂被膜の形成方法
JPH0616804A (ja) 1992-02-18 1994-01-25 Rensselaer Polytechnic Inst 光硬化性オキセタン組成物
JP2000001482A (ja) 1992-02-18 2000-01-07 Rensselaer Polytechnic Inst 光硬化性オキセタン組成物
JPH11322735A (ja) 1992-02-18 1999-11-24 Rensselaer Polytechnic Inst 光硬化性オキセタン組成物
JPH05311399A (ja) 1992-05-12 1993-11-22 Ulvac Japan Ltd 有機焦電圧電体の形成方法
JPH05339389A (ja) 1992-05-26 1993-12-21 Agency Of Ind Science & Technol 高分子膜の形成方法
JPH08503099A (ja) 1992-08-21 1996-04-02 バッテル・メモリアル・インスティチュート 液体モノマー類の真空付着及び硬化
JPH06244175A (ja) 1993-02-16 1994-09-02 Fuji Electric Co Ltd 絶縁膜の製造方法および製造装置
JPH06280000A (ja) 1993-03-24 1994-10-04 Japan Steel Works Ltd:The プラズマ表面処理方法および装置
JPH06316757A (ja) 1993-04-28 1994-11-15 Kawasaki Heavy Ind Ltd 紫外レーザーによる有機多層膜製造方法
JPH0717958A (ja) 1993-06-30 1995-01-20 Rensselaer Polytechnic Inst オキセタン化合物
JPH0726023A (ja) 1993-07-14 1995-01-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 有機高分子薄膜の作製方法
JPH08512256A (ja) 1993-10-04 1996-12-24 カタリナ コーティングス,インコーポレイティド コンデンサーの誘電体及び酸素バリヤーを形成するのに有用な架橋アクリレートコーティング材料
JPH07173279A (ja) 1993-12-17 1995-07-11 Toagosei Co Ltd 硬化物の製造方法
JPH07209863A (ja) 1994-01-20 1995-08-11 Ulvac Japan Ltd パターン形成方法
JPH07263359A (ja) 1994-03-25 1995-10-13 Sumitomo Metal Ind Ltd 薄膜の形成方法
JPH07335575A (ja) 1994-06-14 1995-12-22 Nippon Steel Corp 薄膜の製造方法
JPH0816080A (ja) 1994-06-30 1996-01-19 Toppan Printing Co Ltd ホログラム感光性記録材料およびホログラム感光性記録媒体
JPH0878333A (ja) 1994-09-07 1996-03-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 膜形成用プラズマ装置
JPH08169870A (ja) 1994-10-19 1996-07-02 Fuji Photo Film Co Ltd ビスグアニジン塩
JPH08227154A (ja) 1994-11-17 1996-09-03 Hitachi Ltd 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法およびそれを用いた電子装置の製造方法
JPH08188569A (ja) 1995-01-06 1996-07-23 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物の製造方法
JPH08188570A (ja) 1995-01-10 1996-07-23 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物の製造方法
JPH11500422A (ja) 1995-01-12 1999-01-12 アエロジェット−ジェネラル コーポレイション モノ置換フッ素化オキセタンモノマー
JPH08245783A (ja) 1995-02-22 1996-09-24 Heraeus Kulzer Gmbh 重合性化合物の使用
JPH11503195A (ja) 1995-04-06 1999-03-23 カタリナ・コーティングス,インコーポレイテッド アクリル酸エステルポリマー剥離層によりコーティングされたシート材料及びその製作方法
JPH08305262A (ja) 1995-04-27 1996-11-22 Toppan Printing Co Ltd 透明ホログラム用感光性記録材料と透明ホログラム用感光性記録媒体及びこの感光性記録媒体を用いた透明ホログラムの製造方法
JPH08301859A (ja) 1995-04-28 1996-11-19 Japan Synthetic Rubber Co Ltd オキセタン系化合物およびその重合体
JPH09104085A (ja) 1995-06-01 1997-04-22 Saint Gobain Vitrage 薄層積重体で被覆した透明基材
JPH0917598A (ja) 1995-06-29 1997-01-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ecrプラズマ加工装置およびecrプラズマ生成方法
JPH0931115A (ja) 1995-07-13 1997-02-04 Japan Atom Energy Res Inst 光誘起蒸着重合法
US5759721A (en) 1995-10-06 1998-06-02 Polaroid Corporation Holographic medium and process for use thereof
JPH09143681A (ja) 1995-11-14 1997-06-03 Ulvac Japan Ltd 高分子薄膜の形成方法
JPH09249851A (ja) 1996-03-15 1997-09-22 Ulvac Japan Ltd 高分子薄膜の低比誘電率化方法及び層間絶縁膜の形成方法
JPH09272703A (ja) 1996-04-05 1997-10-21 Ulvac Japan Ltd 有機化合物用蒸発源及びこれを用いた蒸着重合装置
JPH09278805A (ja) 1996-04-12 1997-10-28 Ulvac Japan Ltd 蒸着重合方法
JPH09279332A (ja) 1996-04-15 1997-10-28 Ulvac Japan Ltd 有機化合物モノマーの精製方法
JPH09326389A (ja) 1996-06-05 1997-12-16 Ulvac Japan Ltd 耐湿性絶縁膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法
JPH1083079A (ja) 1996-09-06 1998-03-31 Shin Etsu Chem Co Ltd 化学増幅ポジ型レジスト材料
JPH1092800A (ja) 1996-09-12 1998-04-10 Ulvac Japan Ltd 蒸発源および蒸発源を備えた真空処理室、有機化合物膜の成膜方法
JP2001508089A (ja) 1996-10-31 2001-06-19 プレステック,インコーポレイティド アクリレートコーティング方法
JPH10168559A (ja) 1996-12-06 1998-06-23 Ulvac Japan Ltd 有機薄膜形成装置及び有機材料の再利用方法
JPH10237056A (ja) 1997-02-21 1998-09-08 Daikin Ind Ltd フルオロオキセタン化合物及びその製造方法
JPH10330485A (ja) 1997-03-25 1998-12-15 Ivoclar Ag 加水分解可能でかつ重合可能なオキセタンシラン
JPH10289902A (ja) 1997-04-11 1998-10-27 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
JPH1129609A (ja) 1997-07-08 1999-02-02 Nippon Soda Co Ltd 熱硬化性組成物
JPH1171450A (ja) 1997-08-22 1999-03-16 Ciba Specialty Chem Holding Inc α−アミノアセトフェノンからのアミンの光発生
JP2001518561A (ja) 1997-09-29 2001-10-16 バッテル・メモリアル・インスティチュート 低蒸気圧化合物を用いたプラズマ加速化学蒸着
JPH11106380A (ja) 1997-09-30 1999-04-20 Ube Ind Ltd オキセタン環を有するビフェニル誘導体
JPH11130766A (ja) 1997-10-23 1999-05-18 Toagosei Co Ltd オキセタニル基を有する化合物およびその製造方法ならびに該化合物からなる活性エネルギー線硬化型組成物
EP1029258A1 (en) 1997-11-13 2000-08-23 Polaroid Corporation Holographic medium and process
JPH11172418A (ja) 1997-12-12 1999-06-29 Ulvac Corp 成膜装置
JPH11228558A (ja) 1998-02-10 1999-08-24 Ube Ind Ltd オキセタン基含有カリックスアレーン誘導体及びその製造法
JPH11246510A (ja) 1998-03-04 1999-09-14 New Japan Chem Co Ltd 希土類錯体
JPH11246540A (ja) 1998-03-04 1999-09-14 Ube Ind Ltd オキセタン基含有カリックス〔4〕レゾルシンアレーン誘導体及びその製造法
JPH11246541A (ja) 1998-03-06 1999-09-14 Ube Ind Ltd 多官能性オキセタン化合物
JPH11255739A (ja) 1998-03-11 1999-09-21 Sanshin Chem Ind Co Ltd スルホニウム化合物の製造方法
JPH11269138A (ja) 1998-03-20 1999-10-05 Mitsubishi Paper Mills Ltd 有機塩基発生剤
JP2000010270A (ja) 1998-04-23 2000-01-14 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物
JP2000026546A (ja) 1998-07-09 2000-01-25 Jsr Corp オキセタン共重合体およびその製造方法
JP2000047552A (ja) 1998-07-29 2000-02-18 Toppan Printing Co Ltd 体積位相型ホログラム用感光性組成物およびホログラム用記録媒体
JP2000087224A (ja) 1998-09-11 2000-03-28 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
JP2000122005A (ja) 1998-10-20 2000-04-28 Johnson & Johnson Vision Prod Inc 生物医学的デバイスのためのコ―ティング
JP2002528568A (ja) 1998-10-28 2002-09-03 チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディング インコーポレーテッド 密着性の優れた表面被覆の製造方法
JP2000127186A (ja) 1998-10-28 2000-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂薄膜の製造方法
JP2000191652A (ja) 1998-12-25 2000-07-11 Jsr Corp 含フッ素オキセタン化合物、当該重合体、当該組成物および当該製造方法
JP2000216049A (ja) 1999-01-25 2000-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機薄膜コンデンサの製造方法
JP2000302774A (ja) 1999-04-26 2000-10-31 Ube Ind Ltd ビスオキセタンエーテル化合物類の製造方法
JP2000330270A (ja) 1999-05-24 2000-11-30 Kunihiro Ichimura 塩基増殖剤、塩基増殖剤組成物、塩基反応性組成物及びパターン形成方法
JP2000336133A (ja) 1999-05-27 2000-12-05 Ube Ind Ltd 新規なオキセタンスルフォン酸エステルおよびそれを用いたオキセタン化ノボラック樹脂ならびにその製造法
JP2000348971A (ja) 1999-06-04 2000-12-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層体の製造方法及び積層体の製造装置
JP2001031666A (ja) 1999-07-15 2001-02-06 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するビナフタレン誘導体
JP2001031665A (ja) 1999-07-15 2001-02-06 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するビフェニル誘導体
JP2001031664A (ja) 1999-07-15 2001-02-06 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するナフタレン誘導体
JP2001040085A (ja) 1999-08-04 2001-02-13 Toagosei Co Ltd カチオン硬化性組成物
JP2001055374A (ja) 1999-08-18 2001-02-27 Nippon Soda Co Ltd スルホニウム塩化合物の製造方法
JP2001163882A (ja) 1999-09-28 2001-06-19 Ube Ind Ltd オキセタン環を有するシアヌル酸誘導体
JP2001200049A (ja) 2000-01-19 2001-07-24 Hitachi Chem Co Ltd 硬化性オキセタン組成物、硬化物の製造方法及び硬化物
JP2001226365A (ja) 2000-02-15 2001-08-21 Showa Denko Kk オキセタン化合物、その製造方法及び重合性組成物
JP2001261867A (ja) 2000-03-14 2001-09-26 Dainippon Printing Co Ltd 連続式蒸着重合法
JP2001262323A (ja) 2000-03-23 2001-09-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜方法及び装置
JP2001278874A (ja) 2000-03-31 2001-10-10 Daikin Ind Ltd フッ素化オキセタン誘導体及びその製造法
JP2001278875A (ja) 2000-03-31 2001-10-10 Daikin Ind Ltd 3−フルオロアルコキシメチル−3−アルキルオキセタンの製法
JP2001295031A (ja) 2000-04-14 2001-10-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜装置及び方法
JP2001302651A (ja) 2000-04-27 2001-10-31 Hitachi Chem Co Ltd 水酸基含有オキセタン化合物
JP2001342194A (ja) 2000-06-01 2001-12-11 Toagosei Co Ltd 多官能オキセタン化合物およびその製造方法、ならびに該オキセタン化合物からなるカチオン硬化性組成物
JP2001348662A (ja) 2000-06-05 2001-12-18 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜方法及び装置
JP2001348660A (ja) 2000-06-06 2001-12-18 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜装置及び方法
JP2002020376A (ja) 2000-07-04 2002-01-23 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するテトラメチルジフェニルメタン誘導体の製造方法およびオキセタン環を有するテトラメチルジフェニルメタン誘導体
JP2002030426A (ja) 2000-07-07 2002-01-31 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜方法及び装置
JP2002053950A (ja) 2000-08-07 2002-02-19 Sumitomo Heavy Ind Ltd 絶縁体基板への成膜方法及び成膜装置
JP2002060929A (ja) 2000-08-10 2002-02-28 Sumitomo Heavy Ind Ltd Ito膜の成膜方法及び成膜装置
JP2002069644A (ja) 2000-08-29 2002-03-08 Sony Corp 薄膜製造装置および薄膜製造方法
JP2002069646A (ja) 2000-09-01 2002-03-08 Sony Corp 薄膜製造方法
JP2002080581A (ja) 2000-09-06 2002-03-19 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するメチレンビスフェノール誘導体混合物
JP2002180240A (ja) 2000-12-20 2002-06-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜装置
JP2002193965A (ja) 2000-12-22 2002-07-10 Ube Ind Ltd オキセタン環を有するフタルイミド誘導体
WO2002051905A1 (en) 2000-12-27 2002-07-04 Hitachi Chemical Co., Ltd. Photobase generators, curable compositions prepared by using the same and process of curing
JP2002217131A (ja) 2001-01-17 2002-08-02 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜方法及び装置
JP2004524958A (ja) 2001-02-13 2004-08-19 シグマ テクノロジーズ インターナショナル,インコーポレイティド 固体ポリマー構造体形成プロセス及び固体ポリマー構造体
JP2002241489A (ja) 2001-02-20 2002-08-28 Showa Denko Kk カチオン重合性組成物
JP2002249871A (ja) 2001-02-22 2002-09-06 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜装置
JP2002265531A (ja) 2001-03-13 2002-09-18 Kunihiro Ichimura 塩基増殖性不飽和化合物、塩基増殖性樹脂及び該樹脂を含む組成物
JP2002275619A (ja) 2001-03-16 2002-09-25 Mitsui Chemicals Inc 有機高分子薄膜の製造装置および有機高分子薄膜の作製方法
JP2004533313A (ja) 2001-03-21 2004-11-04 ホリングワース・アンド・ボーズ・カンパニー 蒸着処理したエレクトレットろ材
JP2002275171A (ja) 2001-03-23 2002-09-25 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するブロモフェニル誘導体
JP2002275172A (ja) 2001-03-23 2002-09-25 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するα,ω−(ジメチロール)パーフルオロアルカン誘導体
JP2002297006A (ja) 2001-03-30 2002-10-09 Dainippon Printing Co Ltd 体積型ホログラム記録用感光性組成物及び体積型ホログラム記録用感光性媒体
JP2002299259A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Kyocera Corp 薄膜形成方法
JP2002294436A (ja) 2001-04-03 2002-10-09 Sumitomo Heavy Ind Ltd 酸化窒化シリコンの成膜方法
JP2002322268A (ja) 2001-04-27 2002-11-08 Toagosei Co Ltd 多官能オキセタン化合物と環状カルボン酸無水物からなるオキセタン樹脂の製造方法
JP2004532330A (ja) 2001-05-23 2004-10-21 スカンディナヴィアン マイクロ バイオデヴァイシズ アクティーゼルスカブ 基板上の微構造蒸着物質をリフトオフする方法、この方法によって製造される基板、およびこの基板の使用
JP2003002881A (ja) 2001-06-20 2003-01-08 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するフルオロフェノール誘導体
JP2003003250A (ja) 2001-06-22 2003-01-08 Alps Electric Co Ltd 真空蒸着重合装置及びこれを用いた有機被膜の形成方法
JP2003012662A (ja) 2001-07-03 2003-01-15 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有する2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン誘導体
JP2003020339A (ja) 2001-07-10 2003-01-24 Nippon Kayaku Co Ltd 光硬化型樹脂組成物並びにその硬化物
JP2003066816A (ja) 2001-08-27 2003-03-05 Dainippon Printing Co Ltd 体積型ホログラム記録用感光性組成物及びそれを用いた体積型ホログラム記録用感光性媒体
JP2002115049A (ja) 2001-08-31 2002-04-19 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜方法及び装置
JP2003081958A (ja) 2001-09-12 2003-03-19 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するジフェニルスルフィド誘導体
JP2003089693A (ja) 2001-09-18 2003-03-28 Toagosei Co Ltd オキセタン環を有するナフタレン誘導体
JP2003105526A (ja) 2001-09-26 2003-04-09 Sumitomo Heavy Ind Ltd 珪素化合物膜の成膜方法
JP2003129236A (ja) 2001-10-24 2003-05-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形成装置
JP2003212856A (ja) 2001-11-14 2003-07-30 Hitachi Chem Co Ltd 光塩基発生剤、硬化性組成物及び硬化方法
JP2003233076A (ja) 2001-12-03 2003-08-22 Seiko Epson Corp 配向膜、配向膜の形成方法、液晶装置、並びに投射型表示装置
JP2003172935A (ja) 2001-12-07 2003-06-20 Seiko Epson Corp 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器
JP2003335880A (ja) 2001-12-26 2003-11-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 有機層の形成方法及びガスバリア性プラスチックフィルム
JP2003276115A (ja) 2002-03-26 2003-09-30 Dainippon Printing Co Ltd 積層体およびその製造方法
JP2003303698A (ja) 2002-04-09 2003-10-24 Ntt Afty Corp Ecrプラズマ源およびecrプラズマ装置
JP2003300273A (ja) 2002-04-10 2003-10-21 Ulvac Japan Ltd 表面処理方法及び真空表面処理装置
JP2005524058A (ja) 2002-04-23 2005-08-11 ベックマン コールター インコーポレイテッド 生体分子および細胞を固定化するためのポリマーでコーティングされた基質
JP2003322859A (ja) 2002-05-01 2003-11-14 Seiko Epson Corp 配向膜付き基板の製造方法、液晶装置、投射型表示装置
JP2003341003A (ja) 2002-05-24 2003-12-03 Dainippon Printing Co Ltd 積層体およびその製造方法
JP2004001296A (ja) 2002-05-31 2004-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層膜付きフィルムとその製造方法及びフィルム型表示素子
JP2004076025A (ja) 2002-08-09 2004-03-11 Sumitomo Heavy Ind Ltd 酸化亜鉛薄膜およびその成膜方法
JP2005536620A (ja) 2002-08-20 2005-12-02 テサ・アクチエンゲゼルシヤフト 紫外線で開始される熱架橋結合されたアクリレート感圧接着剤物質
JP2004091347A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Konica Minolta Holdings Inc オキセタン化合物及び活性エネルギー線硬化型インク
JP2004103401A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Konica Minolta Holdings Inc 素子および該素子の製造方法
JP2004149486A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Mitsubishi Chemicals Corp オキセタン誘導体の製造方法
JP2004160836A (ja) * 2002-11-13 2004-06-10 Mitsui Chemicals Inc ガスバリアフィルムの製造方法
JP2004211160A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Mitsui Chemicals Inc 化学蒸着方法および装置
JP2004217966A (ja) 2003-01-10 2004-08-05 Mitsui Chemicals Inc ガスバリア膜形成方法および装置
JP2004250650A (ja) 2003-02-19 2004-09-09 Kunihiro Ichimura 塩基増殖性シロキサン樹脂及び感光性樹脂組成物
JP2004262817A (ja) 2003-02-28 2004-09-24 Tosoh Corp 三環性1,2−ジオキセタン誘導体
JP2004292877A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Ishikawa Seisakusho Ltd 窒化シリコン膜及びその製造方法
JP2004315899A (ja) 2003-04-16 2004-11-11 Mitsui Chemicals Inc ガスバリア膜形成方法
JP2004341016A (ja) 2003-05-13 2004-12-02 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 光像記録材料、その記録方法およびその製造方法
JP2004359899A (ja) 2003-06-06 2004-12-24 National Printing Bureau 機能性有機薄膜およびその製造方法
JP2005017354A (ja) 2003-06-23 2005-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd ホログラム記録材料用組成物、ホログラム記録材料及びホログラム記録方法。
JP2005014483A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Toppan Printing Co Ltd 積層体の製造方法
JP2005034831A (ja) 2003-07-01 2005-02-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd バリア多層膜及びその製造方法
JP2005125731A (ja) 2003-09-30 2005-05-19 Fuji Photo Film Co Ltd ガスバリア性積層フィルムおよびその製造方法
JP2005171122A (ja) 2003-12-12 2005-06-30 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 特定のオキセタン化合物を含有する活性エネルギー線硬化組成物、それを用いたインクジェット用インク組成物及び画像形成方法
JP2005178010A (ja) 2003-12-16 2005-07-07 Toppan Printing Co Ltd ガスバリア透明積層体
JP2005179693A (ja) 2003-12-16 2005-07-07 Material Design Factory:Kk Si系有機・無機ハイブリッド膜の形成方法
JP2005178137A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリアフィルムとこれを用いた積層材、画像表示媒体
JP2005238446A (ja) 2004-02-17 2005-09-08 Fuji Photo Film Co Ltd ガスバリアフィルム
JP2005239573A (ja) 2004-02-24 2005-09-08 Yunimatekku Kk 2,2,3,3−テトラフルオロオキセタンの製造法
JP2005307222A (ja) 2004-04-16 2005-11-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 酸窒化シリコン膜の形成方法及び形成装置
JP2005324406A (ja) 2004-05-13 2005-11-24 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性フィルム、ならびにこれを用いて構成された液晶表示素子およびel表示素子
JP2005336349A (ja) 2004-05-27 2005-12-08 Toagosei Co Ltd カチオン重合型組成物

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Encyclopedia of Polymer Science and Engineering", vol. 1, 1985, JOHN WILEY & SONS LTD., pages: 740
"Organic Material used for Imaging", 1993, ORGANIC ELECTRONICS MATERIAL STUDY GROUP, pages: 187 - 192
11290 CHEMICAL GOODS, pages 778 - 787
See also references of EP2000299A4
T. ASAMAKI: "Usumaku Sakusei no Kiso", March 1996, NIKKAN KOGYO SHINBUN, pages: 152 - 154

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010052222A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Toppan Printing Co Ltd ガスバリア性積層フィルム
WO2018159248A1 (ja) * 2017-02-28 2018-09-07 東洋紡株式会社 積層フィルム
CN110352167A (zh) * 2017-02-28 2019-10-18 东洋纺株式会社 层叠薄膜
JPWO2018159248A1 (ja) * 2017-02-28 2019-12-26 東洋紡株式会社 積層フィルム
JP7138851B2 (ja) 2017-02-28 2022-09-20 東洋紡株式会社 積層フィルム
JP2022162165A (ja) * 2017-02-28 2022-10-21 東洋紡株式会社 積層フィルム
JP7480810B2 (ja) 2017-02-28 2024-05-10 東洋紡株式会社 積層フィルム
US12128656B2 (en) 2017-02-28 2024-10-29 Toyobo Co., Ltd. Laminated film

Also Published As

Publication number Publication date
US20070224393A1 (en) 2007-09-27
EP2000299A4 (en) 2009-08-05
EP2000299A1 (en) 2008-12-10
JPWO2007111092A1 (ja) 2009-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007111075A1 (ja) 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法
JP4677692B2 (ja) 透明ガスバリア材およびその製造方法
WO2007111092A1 (ja) 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法
JP4135232B2 (ja) ハードコートフィルムもしくはシート
WO2009139391A1 (ja) 有機デバイス用ガスバリア性積層フィルム
WO2013011872A1 (ja) ガスバリア性フィルム及びその製造方法
WO2016052625A1 (ja) バックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材、および光硬化性組成物
JP2002192646A (ja) ガスバリアフィルム
JP4536417B2 (ja) ガスバリア性フィルム
JPWO2007111098A1 (ja) 透明バリア性シート及びその製造方法
JP2011143550A (ja) ガスバリアフィルム
JPWO2007111076A1 (ja) 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法
JP5628491B2 (ja) 樹脂表面改質方法および表面改質樹脂基材
JP2015047790A (ja) ガスバリア性フィルムおよびこれを含む電子デバイス
WO2023008306A1 (ja) 積層体、屋外用積層体、及びハードコート層形成材料
JP2003341003A (ja) 積層体およびその製造方法
JP5543818B2 (ja) ガスバリア性フィルム、ガスバリア層、装置及びガスバリア性フィルムの製造方法
JP7563653B1 (ja) 積層体
JP2003266607A (ja) ハードコートフィルム及びこれを設けた画像表示装置
WO2007111074A1 (ja) 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法
JP2020108968A (ja) 積層バリアフィルム。
JP2020116942A (ja) 積層体
JP2022149218A (ja) 耐薬品光沢遮光性フィルム
WO2010082581A1 (ja) 遮熱性物品、遮熱性物品の製造方法、及び建築部材
JP2002174809A (ja) 液晶表示パネル用積層フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07737828

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2008507407

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007737828

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE