JPH0348654A - スルホニウム化合物の製造方法 - Google Patents
スルホニウム化合物の製造方法Info
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- JPH0348654A JPH0348654A JP18340289A JP18340289A JPH0348654A JP H0348654 A JPH0348654 A JP H0348654A JP 18340289 A JP18340289 A JP 18340289A JP 18340289 A JP18340289 A JP 18340289A JP H0348654 A JPH0348654 A JP H0348654A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、下記一般式で表わされるスルホニウム化合物
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
（ただし、式中Ｒ１は水素、アセチル基、メトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、 ｔｅｒｔ −ブト
キシカルボニル基、ベンゾイル基、ベンジルオキシカル
ボ°ニル基、フェノキシカルボニル基。
ボニル基、エトキシカルボニル基、 ｔｅｒｔ −ブト
キシカルボニル基、ベンゾイル基、ベンジルオキシカル
ボ°ニル基、フェノキシカルボニル基。
４−メトキシベンジルオキシカルボ“ニル基、９−フル
オレニルメトキシカルボニル基のいずれかを、Ｒ２は炭
素数１〜４のアルキル基またはベンジル基、ＹはＳｂＦ
６． ＰＦ（、、ＡＳＦに、 ＢＦ４．のいずれかを示
す。） 更に詳しくは、光および／または熱硬化組成物の重合触
媒として有用であり、特にエポキシ樹脂やスチレンなど
のカチオン重合性ビニル化合物の重合硬化触媒として効
果を有するスルホニウム化合物の製造方法に関する。
オレニルメトキシカルボニル基のいずれかを、Ｒ２は炭
素数１〜４のアルキル基またはベンジル基、ＹはＳｂＦ
６． ＰＦ（、、ＡＳＦに、 ＢＦ４．のいずれかを示
す。） 更に詳しくは、光および／または熱硬化組成物の重合触
媒として有用であり、特にエポキシ樹脂やスチレンなど
のカチオン重合性ビニル化合物の重合硬化触媒として効
果を有するスルホニウム化合物の製造方法に関する。
［従来の技術］
従来、スルホニウム化合物の製造方法としては、数多く
提案されている。例えば、特開昭５５−１２５１０４号
では、ビス−［４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル
コスルフイド ビスハライドを水溶液中でＭＹ（式中Ｍ
はアルカリ金属。
提案されている。例えば、特開昭５５−１２５１０４号
では、ビス−［４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル
コスルフイド ビスハライドを水溶液中でＭＹ（式中Ｍ
はアルカリ金属。
Ｙは５ｂＦｒ、、ＰＦ６．ＡＳＦＧを示す。〉で表わさ
れる化合物と混合してイオン交換させる製造方法が開示
されている。しかしながら、この例に従って水溶液中で
ＭＹを作用させると、特にＭ Ｓ ｂ Ｆ ［、におい
ては、水に対して非常に不安定なため、反応中または後
処理の段階で目的とするスルホニウム化合物が加水分解
反応を起こして、得られるスルホニウム化合物の収率が
低いか、もしくはまったく得られない場合がある。また
、得られたとしても純度が高いものが得られないため、
精製工程を必要とする。
れる化合物と混合してイオン交換させる製造方法が開示
されている。しかしながら、この例に従って水溶液中で
ＭＹを作用させると、特にＭ Ｓ ｂ Ｆ ［、におい
ては、水に対して非常に不安定なため、反応中または後
処理の段階で目的とするスルホニウム化合物が加水分解
反応を起こして、得られるスルホニウム化合物の収率が
低いか、もしくはまったく得られない場合がある。また
、得られたとしても純度が高いものが得られないため、
精製工程を必要とする。
また、出願人は、特願平１−４２３１号および特願平１
−８９５１７号において、ベンジル４−ヒドロキシフェ
ニルアルキルスルホニウムのポリフルオロ（亜）金属塩
を塩基の存在下で酸ハライドと反応させて、置換オキシ
フェニルベンジルアルキルスルホニウムのポリフルオロ
（亜）金属塩を製造する方法を開示している。
−８９５１７号において、ベンジル４−ヒドロキシフェ
ニルアルキルスルホニウムのポリフルオロ（亜）金属塩
を塩基の存在下で酸ハライドと反応させて、置換オキシ
フェニルベンジルアルキルスルホニウムのポリフルオロ
（亜）金属塩を製造する方法を開示している。
「発明が解決しようとする問題点］
本発明は、このスルホニウム化合物を製造するにｔ）た
つ、中間生成物であるＷ換オキシフェニルペンジルアル
キルスルポニウム ハライド化合物を有機溶媒から単離
することなく、非求核性陰イオンを有するアルカリ金属
塩を粉末のまま加えて１（３イオン交換反応させて、比
較的簡単でしかも高収率てｒｅ喚オキシフェニルベンジ
ルアルキルスルホニウムのポリフルオロ（亜）金属塩を
製造する方法を提供するものである。
つ、中間生成物であるＷ換オキシフェニルペンジルアル
キルスルポニウム ハライド化合物を有機溶媒から単離
することなく、非求核性陰イオンを有するアルカリ金属
塩を粉末のまま加えて１（３イオン交換反応させて、比
較的簡単でしかも高収率てｒｅ喚オキシフェニルベンジ
ルアルキルスルホニウムのポリフルオロ（亜）金属塩を
製造する方法を提供するものである。
し問題点を解決する手段］
１！ＩＩち本発明は、下記一般式［Ｉｌｌのスルフィド
（ヒ合′肉とベンジルハライドを有機溶媒中で反応させ
て、−ａ式［Ｉｌｌのスルホニウム ハライド化音物を
生成させ、次に、この一般式［■］のスルホニウム ハ
ライド化合物を反応系外に単離することなく、ＭＹで表
わされる塩を作用させて一般式［ＩＩ（］で表わされる
スルホニウム化合物の製造方法からなる。
（ヒ合′肉とベンジルハライドを有機溶媒中で反応させ
て、−ａ式［Ｉｌｌのスルホニウム ハライド化音物を
生成させ、次に、この一般式［■］のスルホニウム ハ
ライド化合物を反応系外に単離することなく、ＭＹで表
わされる塩を作用させて一般式［ＩＩ（］で表わされる
スルホニウム化合物の製造方法からなる。
Ｒ，ｏ−４防Ｓ Ｒ２
［１］
（ただし、式中Ｒ，，Ｒ２およびＹは前記と同じであり
、Ｘはハロゲン原子、Ｍはアルカリ金属を示す。） し作用］ 本発明の実施にあたって、出発原料である置換オキシフ
ェニルアルキルスルフィド化合物は、４−ヒドロキシフ
ェニルアルキルスルフィドと酸ハライドまたは酸無水物
等をエステル化反応させて簡単に得ることができる。
、Ｘはハロゲン原子、Ｍはアルカリ金属を示す。） し作用］ 本発明の実施にあたって、出発原料である置換オキシフ
ェニルアルキルスルフィド化合物は、４−ヒドロキシフ
ェニルアルキルスルフィドと酸ハライドまたは酸無水物
等をエステル化反応させて簡単に得ることができる。
このスルフィドの具体例は、４−（アセトキシ）フェニ
ルメチルスルフィド ボニルオキシ）フェニルメチルスルフィド、４−（ベン
ゾイルオキシ）フェニルメチルスルフィド。
ルメチルスルフィド ボニルオキシ）フェニルメチルスルフィド、４−（ベン
ゾイルオキシ）フェニルメチルスルフィド。
４−（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フエニルメヂ
ルスルフィド、４−（フェノキシカルボニルオキシ）フ
ェニルメチルスルフィド、 ４−（４−メトキシベンジ
ルオキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスルフィド
、４−（９−フルオレニルメトキシカルボニルオキシ）
フェニルメチルスルフィド、 ４− （ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルオキシ）フェニルメチルスルフィド、エ
チル−４−アセトギシフェニルスルフィド、エチル−４
−（メトキシカルボニルオキシ）フェニルスルフィド、
４−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ）フェニル
プロピルスルフィド等がある。
ルスルフィド、４−（フェノキシカルボニルオキシ）フ
ェニルメチルスルフィド、 ４−（４−メトキシベンジ
ルオキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスルフィド
、４−（９−フルオレニルメトキシカルボニルオキシ）
フェニルメチルスルフィド、 ４− （ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルオキシ）フェニルメチルスルフィド、エ
チル−４−アセトギシフェニルスルフィド、エチル−４
−（メトキシカルボニルオキシ）フェニルスルフィド、
４−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ）フェニル
プロピルスルフィド等がある。
このスルフィド類と反応させるベンジルハライドの具体
例は、塩化ベンジル、臭化ベンジル等がある。これらを
スルフィド類に対して１．０〜３．０モル比を使用する
。好ましくは１．０〜１．２モル比である。有機溶媒と
しては、メタノール、エタノール、プロパツール等から
選ばれる一種または二種以上のアルコール系混合溶媒が
特に好ましく、反応温度は４０℃以下、好ましくは２５
〜３５℃の温度範囲で反応させる。反応時間は、３〜７
２時間であり、好ましくは２４〜４８時間ｐある。
例は、塩化ベンジル、臭化ベンジル等がある。これらを
スルフィド類に対して１．０〜３．０モル比を使用する
。好ましくは１．０〜１．２モル比である。有機溶媒と
しては、メタノール、エタノール、プロパツール等から
選ばれる一種または二種以上のアルコール系混合溶媒が
特に好ましく、反応温度は４０℃以下、好ましくは２５
〜３５℃の温度範囲で反応させる。反応時間は、３〜７
２時間であり、好ましくは２４〜４８時間ｐある。
生成した置換または非置換オキシフェニルベンジルアル
キルスルホニウム ハライド化合物は反応溶媒から単離
、精製することなく、連続的に非求核性陰イオンを有す
るアルカリ金属塩、例えばＫＳｂＦ６．ＮａＳｂＦ６．
ＮａＢＦ４゜Ｌ ｉ ＢＦ４． ＮａＰＦｒ、、
ＫＰ ＦＧ、 ＮａＡｓ ＦＧ。
キルスルホニウム ハライド化合物は反応溶媒から単離
、精製することなく、連続的に非求核性陰イオンを有す
るアルカリ金属塩、例えばＫＳｂＦ６．ＮａＳｂＦ６．
ＮａＢＦ４゜Ｌ ｉ ＢＦ４． ＮａＰＦｒ、、
ＫＰ ＦＧ、 ＮａＡｓ ＦＧ。
Ｋ Ａ ｓ Ｆ Ｇ等のいずれかと室温中で陰イオン交
換させて置換または非置換オキシフェニルベンジルアル
キルスルホニウムのポリフルオロ（亜）金属塩を得る。
換させて置換または非置換オキシフェニルベンジルアル
キルスルホニウムのポリフルオロ（亜）金属塩を得る。
アルカリ金属塩の使用量は、スルホニウム ハライド化
合物との反応を完全に行うためには、過剰に用いてもよ
いが、スルホニウムハライド化合物に対して０．８〜２
．０モル比が好ましく、更に好ましくは０．９〜１．１
モル比である。
合物との反応を完全に行うためには、過剰に用いてもよ
いが、スルホニウムハライド化合物に対して０．８〜２
．０モル比が好ましく、更に好ましくは０．９〜１．１
モル比である。
反応後、有機溶媒を減圧上濃縮して留去し、残渣を酢酸
エチルで抽出、乾燥、濃縮する。残渣を常法により結晶
化させて、中間生成物である置換または非置換オキシフ
ェニルアルキルスルホニウム ハライド化合物を単離、
精製することなく、容易に高収率で本発明の目的とする
スルホニウム化合物を得ることができる。
エチルで抽出、乾燥、濃縮する。残渣を常法により結晶
化させて、中間生成物である置換または非置換オキシフ
ェニルアルキルスルホニウム ハライド化合物を単離、
精製することなく、容易に高収率で本発明の目的とする
スルホニウム化合物を得ることができる。
この具体例としては、４−アセトキシフェニルベンジル
メチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムへ
キザフルオロアルセネート。
メチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムへ
キザフルオロアルセネート。
１１−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウム
テトラフルオロボレート、４−アセ１〜キシフエニル
ベンジルメチルスルホニウム へキサフルオロホスフェ
−１・、ベンジル−４−（ベンジルオキシカルボニルオ
キシ）フェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロア
ンチモネート、ベンジル−４−（ベンゾイルオキシフェ
ニル）メチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネ
ート。
テトラフルオロボレート、４−アセ１〜キシフエニル
ベンジルメチルスルホニウム へキサフルオロホスフェ
−１・、ベンジル−４−（ベンジルオキシカルボニルオ
キシ）フェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロア
ンチモネート、ベンジル−４−（ベンゾイルオキシフェ
ニル）メチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネ
ート。
ベンジルメチル−４−（フェノキシカルボニルオキシ）
フェニルスルホニウム へキサフルオロアンチモネート
、ベンジル−４−（メトキシカルボニルオキシ ザフルオロアンチモネート，ベンジル−４−（４メ）〜
キシベンジルレオキシ力ルポニルオキシ）フェニルメチ
ルスルホニウム へキザフルオロアンチモネート，ベン
ジル−４−（９−フルオレニルメトキシカルボニルオキ
シ）フェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアン
チモネート，ベンジルエチル−４−（エトキシカルボ°
ニルオキシ）フェニルスルホニウム へキサフルオロア
ンチモネート，ベンジル−４−（ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニウム ヘキサ
フルオロアンチモネート，ベンジルエチル−４−（ベン
ジルオキシカルボニルオキシ）フェニルスルホニウム
へキサフルオロアンチモネート等を挙げることができる
。
フェニルスルホニウム へキサフルオロアンチモネート
、ベンジル−４−（メトキシカルボニルオキシ ザフルオロアンチモネート，ベンジル−４−（４メ）〜
キシベンジルレオキシ力ルポニルオキシ）フェニルメチ
ルスルホニウム へキザフルオロアンチモネート，ベン
ジル−４−（９−フルオレニルメトキシカルボニルオキ
シ）フェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアン
チモネート，ベンジルエチル−４−（エトキシカルボ°
ニルオキシ）フェニルスルホニウム へキサフルオロア
ンチモネート，ベンジル−４−（ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニウム ヘキサ
フルオロアンチモネート，ベンジルエチル−４−（ベン
ジルオキシカルボニルオキシ）フェニルスルホニウム
へキサフルオロアンチモネート等を挙げることができる
。
［実施例］
次に、本発明の実施例を限定としてではなく、例示とし
て挙げておく。
て挙げておく。
実施例１
４−アセトキシフェニルメチルスルフィド１００ｇをメ
タノール１５０ｇに溶解して、これに塩化ベンジル６９
．５ｇを加えて、３５℃に加温して２４時間撹拌した。
タノール１５０ｇに溶解して、これに塩化ベンジル６９
．５ｇを加えて、３５℃に加温して２４時間撹拌した。
次に、生成した４−アセトキシフェニルベンジルメチル
スルホニウムクロライドを含むメタノール層を撹拌しな
がら、六フッ化アンチモン酸カリウム１５０．６ｇを粉
末のまま加え、室温で更に１時間撹拌する。
スルホニウムクロライドを含むメタノール層を撹拌しな
がら、六フッ化アンチモン酸カリウム１５０．６ｇを粉
末のまま加え、室温で更に１時間撹拌する。
反応液を減圧上濃縮し、残渣を酢酸エチルで抽出し、水
洗、乾燥後、減圧上濃縮する。残渣から白色の結晶物を
得た。生成物は４−アセトキシフェニルベンジルメチル
スルホニウム へキサフルオロアンチモネートであった
。生成物はＮＭＲスベクＩ・ルで確認した。収量は２０
５．２ｇ、収率７３．５％１融点１１５．０〜１１７゜
０℃であった。
洗、乾燥後、減圧上濃縮する。残渣から白色の結晶物を
得た。生成物は４−アセトキシフェニルベンジルメチル
スルホニウム へキサフルオロアンチモネートであった
。生成物はＮＭＲスベクＩ・ルで確認した。収量は２０
５．２ｇ、収率７３．５％１融点１１５．０〜１１７゜
０℃であった。
実施例２
４−（メトキシ力ルホ“ニルオキシ）フェニルメチルス
ルフィド５０ｇをメタノール７５ｇに溶解し、これに塩
化ベンジル３２ｇを加え、３５℃に加温して２４時間撹
拌した。次に、生成したベンジル−４−（メトキシカル
ボニルオキシ）フェニルメチルスルホニウム クロライ
ドを含むメタノール層を撹拌しながら、六フッ化アンチ
モン酸カリウム６９．３ ｇを粉末のまま加え、室温に
て更に１時間撹拌した。
ルフィド５０ｇをメタノール７５ｇに溶解し、これに塩
化ベンジル３２ｇを加え、３５℃に加温して２４時間撹
拌した。次に、生成したベンジル−４−（メトキシカル
ボニルオキシ）フェニルメチルスルホニウム クロライ
ドを含むメタノール層を撹拌しながら、六フッ化アンチ
モン酸カリウム６９．３ ｇを粉末のまま加え、室温に
て更に１時間撹拌した。
反応液を減圧濃縮して、以下実施例１と同様な操作で白
色の結晶物を得た。生成物はベンジル−４−（メトキシ
カルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニウム ヘキ
サフルオロアンチモネートであった。生成物はＮＭＲス
ペクトルで確認した。
色の結晶物を得た。生成物はベンジル−４−（メトキシ
カルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニウム ヘキ
サフルオロアンチモネートであった。生成物はＮＭＲス
ペクトルで確認した。
収量は２０３．６ｇ、収率７５．４％、融点７２．０〜
７５．０℃であった。
７５．０℃であった。
実施例３
４−（フェノキシ力ルホ゛ニルオキシ）フェニルメチル
スルフィド１０’ Ｏｇをメタノール１５０ｇに溶解し
て、これに塩化ベンジル４８．７ｇを加えて３５℃に加
温して２４時間撹拌した。次に、生成したベンジルメチ
ル−４−（フェノキシカルボニルオキシ）フェニルスル
ホニウム クロライドを含むメタノール層を撹拌しなが
ら、六フッ化アンチモン酸カリウム１０５．５ｇを粉末
のまま加え、室温にて１時間撹拌した。反応液を減圧上
濃縮して、以下実施例１と同様な操作で白色結晶を得た
。生成物は、ベンジルメチル−４−（フェノキシカルボ
ニルオキシ）フェニルスルホニウムへキザフルオロアン
チモネートであった。生成物はＮＭＲスペクトルで確認
した。収量は１９２．５ｇ、収率８５．３％、融点９４
．０〜９６．０℃であった。
スルフィド１０’ Ｏｇをメタノール１５０ｇに溶解し
て、これに塩化ベンジル４８．７ｇを加えて３５℃に加
温して２４時間撹拌した。次に、生成したベンジルメチ
ル−４−（フェノキシカルボニルオキシ）フェニルスル
ホニウム クロライドを含むメタノール層を撹拌しなが
ら、六フッ化アンチモン酸カリウム１０５．５ｇを粉末
のまま加え、室温にて１時間撹拌した。反応液を減圧上
濃縮して、以下実施例１と同様な操作で白色結晶を得た
。生成物は、ベンジルメチル−４−（フェノキシカルボ
ニルオキシ）フェニルスルホニウムへキザフルオロアン
チモネートであった。生成物はＮＭＲスペクトルで確認
した。収量は１９２．５ｇ、収率８５．３％、融点９４
．０〜９６．０℃であった。
実施例４
４−（ベンゾイルオキシ）フェニルメチルスルフィド７
０ｇをメタノール１０５ｇに溶解して、これに塩化ベン
ジル３５．５ ｇを加え、３５℃に加温して２４時間撹
拌した。次に生成したベンジルメチル−４−（ベンゾイ
ルオキシ）フェニルスルホニウム クロライドを含むメ
タノール溶液を室温にて撹拌しながら、六フッ化アンチ
モン酸カリウム７７ｇを粉末のまま加え、室温で１時間
撹拌した。反応液を減圧上濃縮して、以下実施例１と同
様の操作を行って白色の結晶物を得た。
０ｇをメタノール１０５ｇに溶解して、これに塩化ベン
ジル３５．５ ｇを加え、３５℃に加温して２４時間撹
拌した。次に生成したベンジルメチル−４−（ベンゾイ
ルオキシ）フェニルスルホニウム クロライドを含むメ
タノール溶液を室温にて撹拌しながら、六フッ化アンチ
モン酸カリウム７７ｇを粉末のまま加え、室温で１時間
撹拌した。反応液を減圧上濃縮して、以下実施例１と同
様の操作を行って白色の結晶物を得た。
生成物はベンジルメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フ
ェニルスルホニウム へキサフルオロアンチモネートで
あった。生成物はＮＭＲスペクトルで確認した。収量は
１３１．５ｇ、・収率８２．２％。
ェニルスルホニウム へキサフルオロアンチモネートで
あった。生成物はＮＭＲスペクトルで確認した。収量は
１３１．５ｇ、・収率８２．２％。
融点１１３．０〜１１５．０℃であった。
実施例５
４−（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルメチ
ルスルフィド１００ｇをメタノール１５０ｇに溶解して
、これに塩化ベンジル４５．６ｇを加え、３５℃に加温
して２４時間撹拌した。次に生成したベンジル−４−（
ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスル
ホニウム クロライドを含むメタノール溶液を撹拌しな
がら、六フッ化アンヂモン酸カリウム９８．９ｇを粉末
のまま加え、室温で１時間撹拌した。反応液を減圧上濃
縮して、以下実施例１と同様の操作を行って白色の結晶
物を得た。生成物はベンジル−４−（ベンジルオキシカ
ルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニウム ヘキサ
フルオロアンチモネ−１・であった。生成物はＮＭＲス
ペクトルで確認した。収量は１９４．９部、収率９０．
０％、融点１１９〜１２０℃であった。
ルスルフィド１００ｇをメタノール１５０ｇに溶解して
、これに塩化ベンジル４５．６ｇを加え、３５℃に加温
して２４時間撹拌した。次に生成したベンジル−４−（
ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスル
ホニウム クロライドを含むメタノール溶液を撹拌しな
がら、六フッ化アンヂモン酸カリウム９８．９ｇを粉末
のまま加え、室温で１時間撹拌した。反応液を減圧上濃
縮して、以下実施例１と同様の操作を行って白色の結晶
物を得た。生成物はベンジル−４−（ベンジルオキシカ
ルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニウム ヘキサ
フルオロアンチモネ−１・であった。生成物はＮＭＲス
ペクトルで確認した。収量は１９４．９部、収率９０．
０％、融点１１９〜１２０℃であった。
実施例６
実施例５の手順を繰返した。ただし、本例では、六フッ
化アンヂモン酸カリウムの代わりに六フッ化リン酸カリ
ウム６６．２ ｇを使用した。ベンジル−４−（ベンジ
ルオキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニウ
ム へキサフルオロホスフェートが収量１６０．４ｇ、
収率８７．３％で得られ、融点は１１４．０〜１１６．
０’Ｃであった。
化アンヂモン酸カリウムの代わりに六フッ化リン酸カリ
ウム６６．２ ｇを使用した。ベンジル−４−（ベンジ
ルオキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニウ
ム へキサフルオロホスフェートが収量１６０．４ｇ、
収率８７．３％で得られ、融点は１１４．０〜１１６．
０’Ｃであった。
比較例
六フッ化アンチモン酸カリウムの水溶液を加える以外は
、実施例４と同じ操作を繰り返してベンジルメチル−４
−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウム へキサ
フルオロホスフェ−トの合成を行ったが、反応中または
後処理中に加水分解を起こして、目的とするスルホニウ
ム化合物は得られなかった。
、実施例４と同じ操作を繰り返してベンジルメチル−４
−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウム へキサ
フルオロホスフェ−トの合成を行ったが、反応中または
後処理中に加水分解を起こして、目的とするスルホニウ
ム化合物は得られなかった。
［発明の効果］
本発明の製造方法によれば、比較的簡単な操作で有機溶
媒から中間生成物を単離することなく、連続的にしかも
効果的に高収率で置換または非置換オキシフェニルベン
ジルアルキルスルホニウムのポリフルオロ（亜）金属化
合物を製造することができる。
媒から中間生成物を単離することなく、連続的にしかも
効果的に高収率で置換または非置換オキシフェニルベン
ジルアルキルスルホニウムのポリフルオロ（亜）金属化
合物を製造することができる。
Claims (3)
- （１）下記一般式［ I ］のスルフィド化合物とベンジ
ルハライドを有機溶媒中で反応させて、一般式［II］の
スルホニウムハライド化合物を生成させ、次に、この一
般式［II］のスルホニウムハライド化合物を反応系外に
単離することなく、ＭＹで表わされる塩を作用させて、
陰イオン交換反応させることを特徴とする一般式［III
］で表わされるスルホニウム化合物の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼［III］ （ただし、式中Ｒ＿１は水素、アセチル基、メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニル基、ベンゾイル基、ベンジルオキシカルボ
ニル基、フェノキシカルボニル基、４−メトキシベンジ
ルオキシカルボニル基、９−フルオレニルメトキシカル
ボニル基のいずれかを、Ｒ＿２は炭素数１〜４のアルキ
ル基またはベンジル基、Ｘはハロゲン原子、Ｍはアルカ
リ金属、ＹはＳｂＦ＿６、ＰＦ＿６、ＡｓＦ＿６、ＢＦ
＿４、のいずれかを示す。） - （２）有機溶媒がメタノール、エタノール、プロパノー
ルから選ばれる一種または二種以上のアルコール系溶媒
である特許請求の範囲第一項記載の製造方法。 - （３）一般式［II］のスルホニウムハライド化合物を生
成させる反応温度が２５〜３５℃である特許請求の範囲
第一項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18340289A JP2598704B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | スルホニウム化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18340289A JP2598704B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | スルホニウム化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348654A true JPH0348654A (ja) | 1991-03-01 |
| JP2598704B2 JP2598704B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=16135151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18340289A Expired - Fee Related JP2598704B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | スルホニウム化合物の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2598704B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006028132A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Sanshin Chem Ind Co Ltd | スルホニウム化合物の製造方法 |
| JP2006198218A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Aruze Corp | 遊技機 |
| WO2007111075A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111074A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111098A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及びその製造方法 |
| WO2007111092A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
| US7358408B2 (en) | 2003-05-16 | 2008-04-15 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Photoactive compounds |
| JP2014185157A (ja) * | 2008-09-30 | 2014-10-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 化合物及びそれからなる酸発生剤 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200831583A (en) | 2006-09-29 | 2008-08-01 | Nippon Catalytic Chem Ind | Curable resin composition, optical material, and method of regulating optical material |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP18340289A patent/JP2598704B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US7358408B2 (en) | 2003-05-16 | 2008-04-15 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Photoactive compounds |
| JP2006028132A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Sanshin Chem Ind Co Ltd | スルホニウム化合物の製造方法 |
| JP2006198218A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Aruze Corp | 遊技機 |
| WO2007111075A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111074A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111098A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及びその製造方法 |
| WO2007111092A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
| JP2014185157A (ja) * | 2008-09-30 | 2014-10-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 化合物及びそれからなる酸発生剤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2598704B2 (ja) | 1997-04-09 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |