TWI244721B - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Description

1244721 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 _本發明係關於—種對於半導體基板、液晶顯示裝置用玻 螭基板、光罩用玻璃基板以及光碟用基板等（以下，僅稱 為「基板」）實施特定處理的基板處理裝置及基板處理方 去者尤其係關於將基板吸附以及解吸於基板載置部時之 改良。 【先前技術】 先引X來，衆所周知有將成為處理對象之基板吸附於吸 附板攸而貝施特定處理的基板處理裝置（例如，專利文獻 先心以來’衆所周知有將角型基板藉由複數個保 持頂桿支持，幷且將基板於處理板與基板交接位置之間升 降的裝置（例如，專利文獻2)。 [專利文獻1]日本專利特開平10_086085號公報 [專利文獻2]日本專利特開平1〇·〇64982號公報 [發明所欲解决之問題] 疋於專利文獻1之裝置中，若成為吸附對象之基板 ^ ν得以大型化，則吸附板亦進一步大型化。該情形 日守，為維持基板之吸附力幷且可將基板全面以良好的吸附 =吸附保持’有必要進一步增加穿設於吸附板之吸附口數 里故而造成吸附板之製造成本增加。尤其，於吸附板由 力工困難之石料等之材質而構成之情形時，會造成加工成 本的增加。 又，於專利文獻2之裝置中，支持基板端緣部附近之支 94690.doc 1244721 持頂杯配a有複數個，但支持基板中央部附近之支持頂桿 僅配^又有個。因此，吸附於處理板之基板吸附部分中， 將基板中央部附近之部分自處理板取下之情形時，無法對 基板均等地供給向上之力，故而無法良好地解除吸附。 、又，於專利文獻2之裝置中，無法將支持基板端緣部附 近之支持頂桿與支持基板中央部附近之支持頂桿各自獨立 升降口此，根據基板之翹曲狀態，例如於基板如成為向 上凸狀之翹曲狀態之情形時，存有基板中央部附近與處理 板未接觸之情形，故而無法將基板良好地吸附於處理板。 進而，於專利文獻丨以及專利文獻2之裝置中，即使於載 置於成為吸附對象之基板之吸附板（或者處理板）的位置產 生偏移之情形時，亦無法將基板位置以成為特定範圍之方 式調整，故而無法實施良好的基板處理。 又，即使載置於吸附板的位置屬於特定範圍内，若於解 除吸附日守基板位置產生偏移，則會以產生位置偏移之狀態 直接藉由搬送單元搬送至後步驟的處理單元内，基板以無 需调整位置偏移之方式得以供給至後步驟的處理單元内。 因此，根據位置偏移量，造成於該後步驟的處理單元中產 生基板之處理不良。 k而本舍明之目的在於提供一種基板處理裳置，其係 於即使基板得以大型化之情形時，亦可將基板良好地吸附 於基板載置部，幷且可良好地取下吸附於基板載置部之基 板0 【發明内容】 94690.doc 1244721 為解决上述課題，如申請專利範圍第1項之發明，其特 徵為 其係對於基板實施特定處理之基板處理裝置，且具有 吸附枝才冓纟將载置於基板載置部之吸附面的上述基板 吸附保持，以及 升降機構，其於上述吸附面之位置與上述㈣面上方之 基板交接位置之間升降上述基板，且包含第一支持部，其 支持升降上述基板之端緣部附近，以及第二支持部，其支 持上述基板之中央部附近，幷與上述第一支持部獨立自由 升降， 上述吸附機構包含複數個吸附溝，其設置於上述吸附 面，整體性相互連通或劃分為複數個區域且於各個區域内 相互連通， 複數個吸附孔，其與上述複數個吸附溝連接幷且貫通上 述基板載置部，以及 排氣機構，其與上述複數個吸附孔連通連接，於上述吸 附面附近排氣， 上述複數個吸附溝中使用於上述基板端緣部附近之吸附 的端緣部吸附溝間之溝間隔小於使用於上述基板中央部附 近之吸附的中央部吸附溝間之溝間隔。 又，如申請專利範圍第2項之發明，其係如申請專利範 圍第1項之發明的基板處理裝置，其特徵在於 上述端緣部吸附溝相互連接，上述中央部吸附溝亦又相 互連接，且上述端緣部吸附溝與上述中央部吸附溝處於非 94690.doc 1244721 連接狀態，幷且 上述排氣機構包含第-排氣部，其於上述複數個吸附孔 中與連通於上述端緣部吸附溝之端緣部吸附孔連接，幷排 出上述基板之端緣部附近與上述吸附面間之氣體，以及 第二排氣部，其於上述複數個吸附孔中與連通於上述中 央部吸附溝之中央部吸附孔連接，與上述第一排氣部相互 獨立，排出上述基板之中央部附近與上述吸附面間之氣 體。 又，如申請專利範圍第3項之發明，其係如申請專利範 圍第2項之發明的基板處理裝置，其特徵在於進而具備惰 性氣體供給機構，其係與上述中央部吸附孔連通，介以上 述中央部吸附孔以及上述中央部吸附溝從而將惰性氣體供 給至上述吸附部。 =，如申請專利範圍第4項之發明，其係如申請專利範 圍第1項之發明的基板處理裝置，其特徵在於上述複數個 吸附溝之各寬度為2·0 mm以下。 又，如申請專利範圍第5項之發明，其係如申請專利範 圍第1項之發明的基板處理裝置，其特徵在於上述端緣部 吸附溝中至少一個設置於上述吸附面中，距離對應於基板 外周#之部分10 · 0 mm以内。 又，如申請專利範圍第6項之發明，其係如申請專利範 圍第5項之發明的基板處理裝置，其特徵在於上述端緣部 吸附溝中另一個設置於上述吸附面中，距離對應於基板外 周邛之部分大於1〇.〇 ηι1Ή且30.0 mm以下範圍内。 94690.doc 1244721 2，如申請專利範圍第7項之發明，其係如申請專利範 圍弟1項之發明的基板處理裝置，其特徵在於上述中央部 吸附溝間之溝間隔為100.0 mm以下。 、 =如申請專利範圍第8項之發明，其係如申請專利範 圍第1員之發明的基板處理裝置，其特徵在於進而具備狹 縫喷酱噴出特定處理液，以及移動機構，其為對於保 持於上述吸附面之上述基板全面喷出上述處理液，從而將 上述狹縫噴嘴相對於上述基板相對性移動。 又，如申請專利範圍第9項之發明，其特徵在於其係對 於基板貫施特定處理之基板處理裝置，且包含基板載置 部， 對準機構，其將載置於上述基板載置部之上述基板位置 以成為特定範圍之方式調整， 吸附機構，其將上述基板吸附保持於基板載置部之吸附 面，且包含複數個吸附溝，其設置於上述吸附機構之吸附 邛之基板側，整體性相互連通或劃分為複數個區域於各個 區域内相互連通，複數個吸附孔，其與上述複數個吸附溝 連接幷且貫通上述基板載置部，以及排氣機構，其與上述 複數個吸附孔連通連接從而於上述吸附面附近排氣，以及 惰性氣體供給機構，其與上述複數個吸附孔連通，介以 上述複數個吸附孔以及上述複數個吸附溝，將惰性氣體供 給至上述吸附部， 上述複數個吸附溝中使用於上述基板端緣部附近之吸附 的端緣部吸附溝間之溝間隔小於使用於上述基板中央部附 94690.doc 1244721 近之吸附的中央部吸附溝間之溝間隔。 又，如申請專利範圍第10項之發明，其係如申請專利範 圍第9項之發明的基板處理裝置，其特徵在於上述複數個 及附溝之各寬度為2 · 0 mm以下。 =，如申請專利範圍第11項之發明，其係如申請專利範 圍第9項之發明的基板處理裝置，其特徵在於上述端緣部 吸附溝中至少一個設置於上述吸附面中，距離對應於基板 外周部之部分10.0 mm以内。 又，如申請專利範圍第丨2項之發明，其係如申請專利範 圍第11項之發明的基板處理裝置，其特徵在於上述端緣部 吸附溝中另-個設置於上述吸附面中，距離對應於基板外 周部之部分大於10.〇mm且30.〇mm以下範圍内。 又，如申請專利範圍第13項之發明，#係如申請專利範 圍第9項之發明的基板處理裝置，其特徵在於上述中央部 吸附溝間之溝間隔為100.0 mm以下。 又’如申請專利範圍第14項之發明，其係如申請專利範 圍第9項之發明的基板處理裝置，其特徵在於進而具備狹 縫噴嘴，其喷出特定處理液，以及移動機構，其為對於保 持於上述吸附面之上述基板全面噴出±述處理液，從而將 上述狹縫喷嘴相對於上述基板相對性移動。 又，如申請專利範圍第15項之發明，其特徵在於 其係藉由分別獨立支持基板之端緣部附近的第i支持部 與支持上述基板之中央部附近的第二支持部幷可升降之升 降機構，將上述基板吸附保持於基板載置部之吸附面的基 94690.doc -10- 1244721 板處理方法，且包含 =上述基板之中央部附近到達至上述吸附面的時刻或到 ^久開始上述吸附面附近之排氣處理的步驟，以及 實施上述排氣處理，幷且藉由上述第：支持部而使上述 基板下降’攸而使上述基板之端緣部附近到達至上述吸附 面的步驟。 又，如申請專利範圍第16項之發明，其特徵在於其係藉 由排氣機構於基板载置部之吸附面附近排氣，藉此將吸附 保持於上述保持面之基板解吸的基板處理方法，且包含 ;大軋中解放上述排氣機構從而將上述吸附面附近設為 大致大氣壓狀態的解放步驟， 於上述解放步驟後，將惰性氣體供給至上述基板下面與 上述吸附面間的步驟，以及 將載置於上述基板載置部之上述基板位置以成為特定範 圍之方式調整的調整步驟。 [發明之效果] 根據如申請專利範圍第1至3項之發明，可將第一支持部 與第一支持部各自獨立下降。藉此，可以自基板之中央部 附近向端緣部方向之方式將基板吸附於吸附面◦因此，即 使對於存有翹曲或捲曲的基板亦無需於吸附面上彎曲而可 樓實吸附。 94690.doc 1244721 又，根據如申請專利範圍第丨至3項之發明，藉由將端緣 邛吸附溝間之溝間隔設定為小於中央部吸附溝間之溝間隔 之處理，可提高受翹曲或捲曲影響變大的基板端緣部之吸 附力因此，可將基板於短時間内確實吸附。 又，根據如申請專利範圍第丨至3項之發明，於吸附面之 大致全面設置有複數個吸附溝。藉此，無需於吸附面上設 置夕數個吸附孔而可進行基板之全面吸附。因&，無需於 基板載置部設置多數個貫通孔，從而可降低製造成本。

進而根據如申請專利範圍第1至3項之發明，因可獨立 升降第-支持部與第二支持部，故而可根據基板輕曲狀况 而調整第-支持頂桿與第二支持頂桿之高度位置，可於基 板載置部確實吸附基板。 尤其，根據如申請專利範圍第2項之發明，可分別獨立 實订基板中央部附近之吸附處理與基板端緣部附近之吸附 處理。因此’可將基板之吸附處理更有效率地實行。

尤其’根據如申請專利範圍第3項之發明，以吸附基板 之端緣部附近之狀態直接於大氣中解放基板之中央部附 近，幷則字惰性氣體供給至基板中央部附近之下面與吸附 Γ11水Γ此可以吸附基板之端緣部附近之狀態直接解除基 迎之及附狀怨。因此，可防止基板位置於吸附 面上產生偏移之悟#，# ^幷可自吸附面迅速取下基板。 又’根據如申請專利範圍第3項之發明，藉由於大氣中 解放幷且將惰性氣體 万、大乱中 至基板中央部附近之下面與吸附 面間之處理’可解除基板之吸附狀態以及固定狀態。因 94690.doc 12 1244721 此，於藉由升降機構取下基板時產生基板中央部附近之剝 雔贡電，藉此可防止形成於基板上之布綫圖案受到破壞之 情形。 、根據如巾請專利範圍第9項之發明，即使於載置於基板 載置部之基板位置幷非成為特定範圍之情形時，因可藉由 對準機構調整位置，故而可將基板吸附於特定位置。 又，根據如中請專利範圍第9項之發明，藉由將端緣部 吸附溝間之溝間隔設定為小於令央部吸附溝間之溝間隔之 處理’可提高受翹曲或捲曲影響變大之基板端緣部之吸附 力。因此，可將基板於短時間内確實吸附。 又，根據如申請專利範圍第9項之發明，於吸附面之大 致全面設置有複數個吸附溝。藉此，&需於吸附面上設置 多數個吸附孔而可進行基板之全面吸附。因此，無需於基 板載置部設置多數個貫通孔，從而可降低製造成本。 進而，根據如申請專利範圍第9項之發明，即使於藉由 將惰性氣體供給至基板下面與吸附面間之處理從而取下吸 附於吸附面之基板時，基板位置於吸附面上產生偏移之情 形時，亦可藉由對準機構將基板位置以成為特定範圍之方 式調整。因此，將基板自吸附面迅速取下之情形成為可 能’幷且可防止因基板位置偏移成為原因從而於後步驟之 基板處理中產生處理不良之情形。 尤其，根據如申請專利範圍第4及1〇項之發日月，藉 吸附溝之寬度設為2·〇 mm以下之處理，可將基板良好地吸 附於吸附面。 94690.doc 1244721 尤其，根據如申請專利範圍第5及丨丨項之發明，藉由將 端緣部吸附溝中至少一個設置於吸附面中距離對應於基板 外周部之部分10 · 0 mm以内之處理 良好地吸附於吸附面。 可將基板端緣部附近 尤其，根據如申請專利範圍第6及12項之發明，藉由將 端緣部吸附溝中至少-個設置於吸附面中距離對應於基板 外周部之部分1〇_〇 mm以内，幷且將端緣部吸附溝中另一 個設置於吸附面中距離對應於基板外周部之部分大於 mm且30.〇 mm以下範圍内之處理，可將基板端緣部附近更 罐 好地吸附於吸附面。 尤其，根據如申請專利範圍第7及13項之發明，藉由將 中央σ卩吸附溝間之溝間隔設為丨〇〇 · 〇 mm以下之處理，可將 基板中央部附近良好地吸附於吸附面。 尤其，根據如申請專利範圍第8及14項之發明，於自狹 縫喷嘴喷出處理液至基板全面的基板處理中，因可將基板 確貫且迅速吸附於吸附面，故而可將處理液良好地喷出至 基板全面。 鲁 又，根據如申請專利範圍第15項之發明，可獨立下降第 支持部與第二支持部。藉此，首先⑴可使基板中央部附 近到達至吸附面幷吸附，接著（2)可使基板端緣部附近到達 至吸附面幷吸附。因此，即使對於存有翹曲或捲曲之基 板，亦無需於吸附面上彎曲而可確實吸附。 又，根據如申請專利範圍第丨6項之發明，即使於藉由將 惰性氣體I給至上述基板下面肖吸附面間之處Ϊ里而基板位 94690.doc 14 1244721 2 士：移之情料，亦可藉由調整步驟將基板位置以成 為特疋乾圍之方式調整。因此其 基板自吸附面迅速解吸 …成為可能’幷且可防止因基板位置偏移成為原因而 於後步驟之基板處理中產生處理不良之情形。 【實施方式】 以下 面*照圖式-面就本發明之實施形態加以詳, 說明。 … 〈1 ·第1實施形態〉 〈1·1·基板處理裝置之構成〉 圖1係顯示本發明實施形態之基板處理裴置丨之構成一例 的立體圖。又’圖2係顯示本發明實施形態之基板處理裝 置1之構成一例的上面圖。再者，圖丨以及以下各圖中，為 明確該等之方向關係、，根據必要添附有將ζ軸方向設為垂 直方向，將ΧΥ平面設為水平平面的χγζ正交座標系。 基板處理裝置1係將抗蝕劑塗敷於角型基板…從而於角 型基板W表面形成抗蝕劑膜的裝置，且主要包含載置處理 對象基板的基板載置部3、向角型基板W噴出抗蝕劑的狹 縫喷嘴41以及吸附載置於基板載置部3之角型基板w的吸 附部70。 基板載置部3具有作為用以吸附保持所載置之角型基板 W之保持台的功能。基板載置部3係大致正方體形狀的石 裝扣’且其上面之保持面3 0以及側面加工為平坦面。藉由 如此以基板載置部3為石製品，可减少基板載置部3之熱膨 脈’可將角型基板W良好地吸附保持於基板載置部3。 94690-doc -15- 1244721 圖3係顯示本實施形態中吸附部之構成一例的上面圖。 又’圖4係顯示本實施形態中基板支持部之構成一例的侧 視圖。吸附部70如圖2所示，其設於石製保持面3〇之大致 中央部分且於大致水平方向平行延伸的兩條移動執道3 1 a 之間，係用以將載置於基板載置部3之角型基板w吸附保 持於保持面30的構件。如圖3以及圖4所示，吸附部7〇主要 包含吸附孔72、吸附溝75(75a、75b)以及於保持面3〇與基 板父接位置之間升降角型基板w的複數個提升銷7丨（7丨&、 71b) 〇 吸附溝75(75a、75b)係位於吸附部70之上面並藉由切削 載置有角型基板W側的表面而形成之大致直綫狀的複數個 溝槽。吸附溝75於吸附時以遍及大致全面接觸角型基板w 下面之方式設置為格子狀，溝槽的橫剖面具有大致正方形 或大致長方形之形狀。又，各吸附溝75及與其所交叉的其 他吸附溝75連接於袼子點76處，全部吸附溝75於袼子點76 處連通。再者，如圖3所示，吸附溝75上之格子點76中之 一部分與吸附孔72連通。 此處，吸附孔72如圖4所示，其係貫通基板載置部3的複 數個貫通孔，並以部分78a之内徑小於部分78b之内徑之方 式而形成。又，各吸附孔72於保持面3〇側之開口部78c處 與吸附溝75上之格子點76連通，又各吸附孔72之下部經由 配管85與真空果81連通連接。 藉此，藉由驅動真空泵8 1之處理，介以吸附溝75、吸附 孔72以及配管85可排出吸附部7〇上面附近即吸附部7〇上面 94690.doc -16- 1244721 與角型基板W下面間之氣體。因此，無需將吸附孔72設置 於吸附部70之大致全面，介以吸附溝75以及吸附孔72可於 角型基板W下面附近排氣。因此，無需於基板載置部3上 設置多數個吸附孔72，即可將角型基板w吸附於吸附部 7〇，故而可减少基板載置部3之製造成本。如此設置於保 持面30上之吸附部70可作為吸附載置於基板載置部3之角 型基板W的吸附面而使用。 再者，於解除吸附於吸附部7〇之角型基板w的吸附狀態 犄，於大氣中解放真空泵8丨，從而可將吸附溝75附近設為 與大氣壓大致相同，幷且使下述端緣部提升銷71a以及中 央。卩提升銷71 b之上端部上升，藉此可自吸附部7〇解吸角 型基板W。 此處，吸附溝75間之間隔以形成於角型基板w端緣部附 近之溝間的橫方向（Y軸方向）之間隔D3以及縱方向軸方 向）之間隔D6分別小於形成於角型基板w中央部附近之溝 間的橫方向（Y軸方向）之間隔D2以及縱方向（χ軸方向）之間 隔D5的方式而設定（參照圖3)。 又，連結形成於吸附部70之吸附溝75中最外周部之四條 吸附溝的環狀溝(以下，亦稱為「第一環狀吸附溝」）75a盥 載置於保持面30上之特定範圍之角型基板w之外周部们間 的距離Dl、D4 ’分別以成為1〇 〇麵以下（較好的是5麵 以下）之方式而設定。進而’自第—環狀吸附溝〜觀察， 係基板中心部側之吸附溝75且連結四條與第一環狀吸附溝 間之距離成為D3或D6之吸附溝的環狀溝(以下，亦稱為 94690.doc 1244721 「第二環狀吸附溝」）75b，與角型基板W之外周部W1間之 距離（D1 + D3)、（D4+D6)，分別以成為30·0 mm以下（較好 的是15 mm以上且25 mm以下）之方式而設定。 藉此’可將易受翹曲影響之基板端緣部之吸附力以大於 基板中央部附近之吸附力之方式設定。因此，即使角型基 板W之尺寸得以大型化，亦可迅速且確實吸附載置於吸附 部70上之角型基板w。

再者’於本實施形態中，為良好地吸附載置於吸附部7〇 上之角型基板W，又，為防止藉由存在於吸附部7〇中吸附 溝75内的空氣影響而於角型基板…下面側產生溫度分布， k而產生基板處理不良之情形，分別將吸附溝75之各個 溝寬度（溝槽橫剖面之水平寬度）設定為2 〇 mm以下（較好的 疋〇·5 mm以下），（2)與角型基板界之中央部附近相對應之 吸附溝75之溝間隔！32、D5設定為1〇〇 〇 mm以下（較好的是 mm以下）’（3)吸附孔72之部分78a之内徑設定為2 〇 mm以下（較好的是〇·5 mm以下）。

提升銷71係於保持面3〇與基板交接位置之間支持幷升降 角型基板w的構件’且包含支持角型基板w之端緣部附近 的端緣部提升銷71a與支持角型基板W之中央部附近的中 央部提升銷7 1 b。 端緣部提升銷71a如圖3所示，於吸附部7〇中與角型基 W之端緣部相對應的部分具體為，沿著第：環狀吸附溝 配設有複數個(於本實施形態中為16個)。又，各端緣部 升劫7la如圖4所示，以插入於貫通基板載置部3之貫 94690.doc -18- 1244721 孔〜之方式而設置。x，各端緣部提升銷仏之下端部盘 基^4a連接，各端緣部提升銷7ia之上端部以成為大致相 同南度之方式而設定。進而，基部74a設置為與第一升降 機構73a連動連接，沿著省略圖示之引導部，可於上下方 向（X轴方向）上升降。 藉此’藉由驅動第-升降機構73a之處理，各端緣部提 升銷7U之上端部可於低於保持㈣之位置與保持面_ 上方位置之間上下移動。 中央部提升鎖71b如圖3所示，於吸附部7〇中血角型基板 W之中央部相對應的部分配設有複數個(於本實施形態中為 6個）。又’各中央部提升鎖爪與端緣部提升銷川相同， =插入於貫通基板載置部3之貫通孔川之方式而設置（參 戶、?、圖4)。又，各中参部担业 央邛棱升銷71b之下端部與基部7仆連 接’各中央部提升銷71b之上端部以成為大致相同高度之 方式而設定。進而，基部74b以與設置為與第一升降機構 73 a獨立自由驅動之筮—也 動之弟—升降機構別連動連接，、沿著省略 圖示之引導部，可於上下古心〜土 、上下方向（X軸方向）上升降之方式而 猎此’藉由驅動第二升降機構73b之處理，各中央部提 升銷7lb之上端部可與端緣部提升銷7U之上端部各自獨立 升降，且可於低於保持㈣之位置與保持㈣ 間上下移動。 1 1 返回至圖1以及圖2，於仅社丄 、保持面30中夾住吸附部70之兩端 部中，固設有平行於大致 八蚁水千方向延伸的一對移動軌道 94690.doc -19- 1244721 3 1 a。移動執道3 1 a與固設於架橋構造4之兩端部的支持塊 31b ’ 一幷引導架橋構造4之移動（將移動方向規定為特定 方向），幷將架橋構造4支持於保持面30上方。 支持塊31b剛性結合於架橋構造4，如圖2所示，成為與 中央部相比兩側面部之下端伸出至下方的形狀（反凹形 狀）’該側面部以將移動軌道31a自兩側夾住之方式而配 置。藉此，因限制γ軸方向之移動，故而可將架橋構造4之 移動方向規定為沿著移動軌道3 1 a的X軸方向。

於保持面3 0之上方設置有自基板載置部3之兩側部分大 爻水平木没的架橋構造4。架橋構造4主要包含將碳纖維樹 脂作為骨材的噴嘴支持部4〇，支持其兩端的升降機構43、 此猎由於作為架橋構造4之一部分的喷嘴支持部 40中使用碳纖維樹脂製造的骨材之處理，可維持架橋構造 :所必要之强度幷且實現輕量化。因此，可减少用以移動 架橋構造4所必要的驅動力。

於喷嘴支持部40中如圖2所示，安裝有狹縫噴嘴41。於 向水平：方向延伸的狹縫喷嘴41中連接有包含將藥液供給 至狹縫噴嘴41之配管或抗蝕劑用泵的噴出機構（未圖示）。 狹縫喷嘴41藉由抗钮劑用泵輸送抗钱劑’幷藉由掃描角型 ，板w表面之處理’將抗姓劑喷出至角型基板w表面之特 定區域内。 升降機構43、44分布於狹縫喷仙之兩側，藉由嗔嘴」 持部懒狹縫㈣w連結。料機構μ、μ心幷進升巧 狹縫喷嘴4卜幷且調整狹縫噴嘴41之讲面内的姿勢。 94690.doc -20- 1244721 、戈性馬達50 51係產生將喷嘴支持部牝沿著χ軸方向移 動時之驅動力的構件。再者，因設置於架橋構造4之相反 側之綫性馬達51亦與綫性馬達5〇具備大致相同的構成，故 而此處就殘性馬達5〇加以說明。 綫性馬達渴包含固定子（定子伽與移動子赐，幷產 生用以藉由固定子5Ga與移動子_之間的電磁相互作用將 架橋構造4向X軸方向移動之驅動力的馬達。又，依據錢性 馬達5 0之移動量以及移動方向可藉由自控制系6之控制信 號而得以控制。固定子5〇a以沿著架橋構造4之移動方向延 伸之方式口。又於基板載置部3之侧面，幷水平配置於低於 保持面3G之位置中。移動子鳩固設於架橋構造州，以非 接觸於固定子50a之方式相對。 如此，為移動架橋構造4而藉由使用殘性馬達5〇、5 i之 處理，與使用步進馬達與球螺絲之情形相比，可减少於裝 置内四散之油等之芬鹿吾。v 哥之死麈里。又，綫性馬達50、5 1因構造比 較單純，故而可單純化基板處理裝置丨之構造。 控制系6如圖i所示，於内部具備根據程式處理各種資料 的運异部60 ’與保存程式或各種資料的記憶部6丨。又，於 前面具備用以輸入控制器對於基板處理裝置丨所必要之指 不的操作部62，以及顯示各種資料的顯示部63。又，控制 系6藉由未圖示之纜綫與附屬於基板處理裝置丨之各機構連 接。因此，控制系6根據來自操作部62以及各種感測器等 之信號，可控制平臺3，架橋構造4，升降機構43、44以及 綫性馬達50、51等之各構成。 94690.doc 21 1244721 再者，具體的是，作為記憶部61相#於料記憶資料之 RAM、讀取專用R0M以及磁碟裝置等，亦可係便携式光 磁碟或記憶卡等之記憶媒體以及該等之讀取裝置等。又， 操作部62係按鈕或開關類（包含鍵盤或滑鼠等）等，但亦可 係如觸摸面板顯示器般兼備顯示部63之功能者。顯示部63 相當於液晶顯示器或各種燈等。 〈1 ·2·藉由基板處理裝置所進行之基板吸附解吸步驟〉 圖5至圖7係用以說明本實施形態之基板載置部3中之角 型基板W之吸附步驟以及解吸步驟的圖。此處，對於角型 基板W吸附於基板載置部3之吸附部7〇的步驟加以說明 後，就解除吸附於吸附部70之角型基板评的吸附狀態從而 自吸附部70解吸角型基板w的步驟加以說明。 首先’就角型基板W的吸附步驟加以說明。吸附步驟 中，於將角型基板W支持於提升銷71前的時刻，驅動第一 升降機構73a以及第二升降機構73b，藉此將端緣部提升銷 71a之前端部71d以及中央部提升銷71b之前端部7ie移動至 基板交接位置為止。此時，以端緣部提升銷71a前端部71d 之高度位置高於中央部提升銷71b前端部71e之高度位置的 方式，控制第一升降機構73a以及第二升降機構73b之移動 量。 此處，前端部71d與前端部71e之相對位置關係（前端部 7 Id與鈾端部71e之高低差）可藉由角型基板…之彎曲狀態而 决定。例如，將角型基板W之中央部附近的高度位置以最 低之方式彎曲（即，角型基板W之面形狀向上（Z軸正方向） 94690.doc -22- 1244721 凸出）之情形，與角型基板w之端緣部附近的高度位置以最 低之方式彎曲（即，角型基板w之面形狀向下（2軸負方向） 凸出）之情形相比，有必要加大前端部71d與前端部7ie之 南低差。 藉由如此决定前端部71(1與前端部71e之高低差之處理， 即使於角型基板W之面形狀向上凸出之情形，亦可以角型 基板W之中央部附近與吸附部70良好接觸之方式，將角型 基板W下降至保持面30。因此，可自角型基板…下面之中 央部附近向端緣部附近確實吸附。 其次，藉由省略圖示之搬送機械手或控制器，將角型基 板W支持於提升銷71(參照圖5)。此時，角型基板w以中央 部附近之高度位置低於端緣部附近之高度位置且彎曲的狀 態，得以支持於提升銷71。 接著，控制第一升降機構73a以及第二升降機構73b，以 使端緣部提升銷71a前端部71d之下降速度與中央部提升銷 71b前端部71e之下降速度大致相等之方式而調整下降。藉 此，角型基板W以保持彎曲之狀態直接向保持面3〇下降。 接者，中央部提升銷71b前端部71e之高度位置變為與保 持面30之高度位置大致相同，或中央部提升銷7ib前端部 71e之高度位置變為低於保持面3〇之高度位置，從而於角 型基板W之中央部附近下面到達至保持面3〇的時刻（參照圖 6)彳7止藉由第一升降機構73b所進行之中央部提升銷71b 的下降動作，幷且驅動真空泵8丨。又，此時因第一升降機 構73a繼續動作，故而端緣部提升銷71a之前端部7id繼續 94690.doc -23- 1244721 下降。 :::=之下二:央—部― 觸之邱八& 角型基㈣之下面中與吸附部70接 =:=部7〇間的氣體，可藉由真空㈣所排氣。 角i基板下面自中央部 =吸_。其結果為，可於短時間内

幷且’端緣部提升銷7ia前端部7id之高度位置變為與4 、、之网度位置大致相同，或前端部71d之高度位置,, 保持面30之高度位置，從而於角型基板W之端⑽ 至1達至保持面3 〇的時刻（參照圖7)，停止藉由第—升降跑 73a所進行之端緣部提升銷川的下降動作。藉此，角型』 下面之王面到達至保持面3〇，幷藉由吸附部Μ吸附本 角型基板W之全面從而完成吸附處理。 者士上所述相對應於角型基板W之端緣部附近之吸

、籌門的屢間^ D3、D6以小於相對應於中央部附近之 吸附溝75間的溝間隔D2、D5之方式而設定，從而角型基 板W之知緣部附近與中央部附近相比更可强力吸附。因 此即使係易文翹曲影響之角型基板w之端緣部亦可確實 吸附。 其次’就角型基板w之解吸步驟加以說明。解吸步驟 中藉由基板處理裝置1完成抗★虫劑之塗敷處理後，於真 工中解放真空泵8丨。藉此，於與真空泵8丨連通連接之吸附 溝75内流入有空氣，於角型基板…與吸附部7〇所連接部分 94690.doc -24- 1244721 中吸附溝75部分成為大致大氣磨狀態從而解除吸附狀態， 但角型基板W繼續固定於吸附部7〇(參照圖7)。 接者，以停止第二升降機構73b之狀態直接驅動第一升 降機構73a，從而開始上升端緣部提升銷7ia之前端部 川。此時’中央部提升銷爪依然繼續停止。藉此，因角 型基板W之端緣部逐漸上升，故而固定於吸附部7〇之角型 基板W下面以自端緣部向中央部之方式，自吸附部7〇上逐 漸脫離（參照圖6)。 接著，若端緣部提升銷71&之前端部71d上升至特定高产 為止，則驅動第二升降機構73b，從而以中央部提升銷: 之前端部71e與端緣部提升銷71a之前端部7ld的移動速度 大致相等之方式上升前端部71e。此時，前端部7id會繼續 上升。藉此，角型基板W以中央部附近之高度位置低於端 緣部附近之高度位置且彎曲之狀態上彳。幷1，固定於吸 附部70之角型基板评下面以自端緣部向中央部之方式進一 步脫離幷完全解除固定狀態後，將角型基板w上升至基板 父接位置為止從而完成解吸處理（參照圖5)。 〈1.3 ·第1實施形態之基板處理裝置的優勢〉 如上所述，於第1實施形態之基板處理裝置1中，藉由第 一升降機構73a以及第二升降機構73b，可將端緣部提升銷 71a前端部71d之高度位置以高於中央部提升銷7ib前端部 We之高度位置之方式設定，幷且可將角型基板w自基板 交接位置下降至保持面30為止。藉此，針對角型基板界下 面可自中央部附近向端緣部方向逐漸吸附。因此，即使對 94690.doc -25- 1244721 於存有翹曲或捲曲之角型基板w，亦無需於保持面上彎曲 即可確實吸附。 又’於第1實施形態之基板處理裝置1之吸附部7〇中，將 角型基板w之相對應於端緣部附近之吸附溝75間的溝間隔 D3、D5設定為小於相對應於中央部附近之吸附溝乃間的 溝間隔D2、D5。藉此，可提高受翹曲或捲曲影響變大之 端緣部的吸附力。因此，即使角型基板w尺寸得以大型 化’亦可於短時間内確實吸附角型基板w。 又’於弟1貫施形態之基板處理裝置1之吸附部7 〇中，藉 由將與吸附孔72連通之吸附溝75設置於吸附部70之全面之 處理，因無需設置多數個吸附孔72而可將角型基板w吸附 於吸附部70，故而可减少基板載置部3之加工成本。 進而，於第1實施形態之基板處理裝置1中，即使於角型 基板W之面形狀向上凸出之情形，亦可根據角型基板冒之 翹曲狀况，調整前端部71d與前端部7ie之高低差。因此， 即使於角型基板W之面形狀向上（z軸正方向）凸出之情形， 亦可將角型基板W確實吸附於吸附部7〇。 〈2·第2實施形態〉 其认’就本發明之第2貫施形態加以說明。於第2實施幵） 態中吸附部170之硬體構成與第！實施形態之吸附部7〇相 比’相對應於角型基板W端緣部附近之吸附溝未與相對應 於中央部附近之吸附溝連通而相互獨立，以此方式可排出 角型基板W與吸附部70間的氣體，除此方面以外大體與第 1實施形態相同。因此，以下將該不同點作為中心加以說 94690.doc -26- 1244721 明。再者，於以下說明中，對於與第1實施形態之基板處 理’置1中構成要素相同的構成要素添附有柄同符穿。今 等相同符號之構成要素，因於第1實施形態中已說明完 畢’故而於本實施形態中省略說明。 〈2·1·基板處理裝置之構成〉 圖8係表示於本實施形態中吸附部之構成一例的上面 圖。又，圖9係表示於本實施形態中基板支持部之構成一 例的側視圖。吸附部170與第i實施形態之吸附部7〇相同， 係位於保持面30上幷設置於平行於大致水平方向而延伸的 兩條移動執道31a之間，且用以將載置於基板載置部3之角 型基板W吸附保持於保持面30的構件。如圖8以及圖9所 示，吸附部170主要包含吸附孔72(72a、72b)，吸附溝 175(175a、175b)以及於保持面30與基板交接位置之間使角 型基板W升降的複數個提升銷7丨（7丨a、7丨b)。 吸附溝175(175a、175b)與第丨實施形態之吸附溝乃相 同，係位於吸附部170上面，幷藉由切削載置有角型基板 W側之表面之處理而形成為大致直綫狀的複數個溝槽。吸 附溝175之剖面具有大致正方形或大致長方形之形狀。 如圖8所#，吸附溝心係形成於相對應於角型基板界 端緣部附近之部分的複數個溝槽。吸附溝咖於吸附有角 型基板Μ ’ Μ型基板訂面中與端緣部附近相對應之 為格子狀。又，各吸附 點176a處連接，從而全 。進而，如圖8所示， 部分遍及大致全面相接之方式設置 溝175a於交叉之吸附溝n5a與格子 部吸附溝175a於格子點176a處連通 94690.doc -27- 1244721 吸附溝1 75a上之袼子點丨76a中一部分與吸附孔72a連通。 吸附溝1 75b係形成於相對應於角型基板w中央部附近之 部分的複數個溝槽。吸附溝17513於吸附有角型基板w時， 以角型基板W下面中與中央部附近相對應之部分遍及大致 全面相接之方式設置為格子狀。又，各吸附溝丨75b於交叉 之吸附溝175b與格子點176b處連接，從而全部吸附溝175a 於格子點176a處連通。進而，如圖8所示，吸附溝1751)上 之格子點176b中一部分與吸附孔72b連通。 再者’如圖8所示，本實施形態之吸附部17〇之吸附溝 175a配置於未形成有溝槽且具有矩形環狀之分離部177之 外側’又吸附溝l75b配置於分離部m之内側。因此，吸 附溝175a分別亦未與任一吸附溝175b連通。即，吸附溝 175區分為兩個部分集合（吸附溝175a以及吸附溝175b)，從 而變為僅於各自區域内相互連通。 如圖9所示’吸附孔72a、72b係貫通基板載置部3的複數 個貫通孔。吸附孔72a與吸附溝175a上之格子點176a連 通’又吸附孔72b與吸附溝175b上之格子點176b連通。進 而’如圖9所示，各吸附孔72a之下部介以配管1853與真空 泵181a連通’且各吸附孔72b之下部介以配管1851)與真空 果181b連通。 藉此’藉由驅動真空泵1 8 1 a之處理，介以吸附溝1 75a、 吸附孔72a以及配管185a可排出角型基板w下面中相對應 於端緣部附近之部分與吸附部7〇間的氣體。又，藉由驅動 真空泵1 8 1 b之處理，介以吸附溝丨75b、吸附孔72b以及配 94690.doc -28- 1244721 =85b可排出角型基板界下面中相對應於中央部附近之部 人吸附# 70間的氣體。因此，藉由相互獨立驅動真空栗 181a與真空㈣lb之處理，可將角型基板w之中央部附近 與端緣部附近相互獨立吸附於吸附部70。 又如圖9所不’吸附溝175a介以吸附孔72a、配管 M5a、閥門182a以及配管18物，又吸附溝17%介以吸附孔 72b配& 185b、閥門182b以及配管184b，分別連通連接 於氮氣供給源83。因此，藉由開放閥門182a幷關閉閥門 182b之處理，可自吸附溝17&向上方噴出氮氣。又，同樣 藉由開放閥門182b幷關閉閥門182a之處理，可自吸附溝 175b向上方噴出氮氣。 此處，吸附溝175a間之橫方向（Y軸方向）之間隔D3以及 縱方向（X軸方向）之間隔D6，分別設定為小於吸附溝1 75b 間之橫方向（Y軸方向）之間隔D2以及縱方向（X軸方向）之間 隔D5。 又’連結吸附溝1 7 5 a中最外周部之四條溝槽者（以下， 亦稱為「第三環狀吸附溝」）與角型基板W之外周部W1間 的距離D1、D4 ’分別以成為1 〇 · 〇 ιτιηι以下（較好的是5 mm 以下）之方式而設定。進而，自第三環狀吸附溝觀察，係 基板中心部側之吸附溝17 5 a，且連結四條與第三環狀吸附 溝間之距離成為D3或D6的溝槽者（以下，亦稱為r第四環 狀吸附溝」）與角型基板W之外周部W1間的距離（D1 + D3)、（D4 + D6)，分別以成為30·0 mm以下（較好的是1 5 mm以上且2 5 mm以下）之方式而設定。 94690.doc -29- 1244721 藉此，與第1實施形態同樣，可將易受翹曲影響之基板 端緣部之吸附力設定為大於基板中央部附近之吸附力。因 此，可迅速且確實吸附載置於吸附部70上之角型基板w。 再者’本實施形態中與第1實施形態相同，為良好地吸 附載置於吸附部170上之角型基板w，又，為防止由於存 在於吸附部170中吸附溝175内的空氣影響而於角型基板w 之下面側產生溫度分布，造成基板處理不良之情形，分別 將（1)吸附溝175之溝寬度設定為2.0 mm以下（較好的是〇 5 mm以下），（2)吸附溝175b之溝間隔D2、D5設定為100·0 mm以下（較好的是50.0 mm以下），（3)吸附孔72之部分78a 之内徑设疋為2.0 mm以下（較好的是〇 · 5 mm以下）。 〈2.2.藉由基板處理裝置所進行之基板吸附·解吸步驟〉 此處，使用圖5至圖7，就本實施形態之基板載置部3中 角型基板W的吸附步驟以及解吸步驟加以說明。再者，本 貫施形態之吸附步驟與第1實施形態之吸附步驟相比，（i) 可於角型基板W之中央部附近與端緣部附近獨立吸附之方 面不同。又，本實施形態之解吸步驟與第丨實施形態之解 吸步驟相比，（2)於解除角型基板w中央部附近之吸附狀態 時，將真空泵18 lb於大氣中解放，幷且自吸附溝175b向角 型基板W喷出氮氣之方面不同。因此，以下主要就該等不 同點為中’ g加以g兄明。 首先’就角型基板W之吸附步驟加以說明。吸附步驟中 與第1實施形態相同，於將角型基板W支持於提升銷71前 之時刻’將端緣部提升銷71a之前端部7lci以及中央部提升 94690.doc -30- 1244721 :二之前端部71e移動至基板交接位置為止。此時，以端 、-口P提升銷71 a前端部7! d之高产 > I阿度位置尚於中央部提升銷 以及？3部…之高度位置的方式’控制第-升降機構73a 以及弟二升降機構73b之移動量。 wfr ’藉由省略圖示之搬送機械手或控制器將角型基板 提升銷71(參照圖5)。此時，角型基板W以中央部 附近之高度位置低於端緣部附近之高度位置 支持於提升銷71。 心 接著，控制第-升降機構73a以及第二升降機構別，以 將端^部提升銷71a前端部川之下降速度與中央部提升鎖 。卩71e之下降速度大致相等之方式而調整下降。 接者，中央部提升銷71b前端部71e之高度位 持㈣之高度位置大致相同，或中央部提升銷二= 71e之南度位置變為低於保持面3〇之高度位置，從而於角 型基板w之中央部附近下面到達至保持面3〇之時刻（參照圖 6)，停止藉由第二升降機構73b所進行之中央部提升銷 的下降動作，幷且將真空泵18_持為停止狀態幷驅動真 空泵181b。又，此時因第一升降機構73a繼續動作，故而 端緣部提升銷71a之前端部71 d會繼續下降。 藉此，角型基板W下面自中央部附近向端緣部與吸附部 170逐漸接觸。幷且，角型基板w下面中與吸附部17〇之吸 附溝1 75b相接觸之附近與吸附部！ 7〇間的氣體，可藉由真 空果181b排氣。 因此，角型基板W下面中與吸附溝175b相接觸之部分 94690.doc 31 1244721 中央。卩附近向端緣部逐漸吸附於吸附部17〇。即，於本實 鈿形I、中’ II由未與吸附溝i75a連通幷僅使用於角型基板 W中央部附近之吸附的吸附溝17分，可吸附角録板^之 中央部附近’從而與第1實施形態相tb，可更有效率且確 月將角型基板w之中央部附近吸附於吸附部丨7〇。 接者，端緣部提升銷71a前端部71d之高度位置變為與保 持面30之同度位置大致相同，或端緣部提升銷ha前端部 71d之间度位置變為低於保持面3〇之高度位置，於角型基 ㈣下®中相對應於端緣部附近之部分到達至保持面_ 日了刻彳7止藉由第一升降機構73a所進行之端緣部提升銷 的下降動作，幷且保持真空果181b之驅動狀態幷開始 真空泵181a之驅動。藉此，角型基板w下面中與吸附部 1 70之吸附溝1 75a相接觸之附近與吸附部丨7〇間的氣體，可 藉由真空泵181a而排氣。 因此，角型基板W下面中與吸附溝1753相接觸之部分自 端緣部附近向外周部W1逐漸吸附於吸附部170。即，於本 實施形態巾，可藉由僅使用於角型基板Wj^緣部附近之吸 附溝175a，吸附角型基板w之端緣部附近，從而與第！實 施形態㈣，可更有效率且確實將角型基板w之端緣部附 近吸附於吸附部1 70。 幷且，角型基板W下面之全面到達至保持面3〇，幷藉由 吸附部70吸附有角型基板w之全面從而完成吸附處理。曰 其次，就基板W之解吸步驟加以說明。於解吸步驟中， 完成藉由基板處理裝置1所進行之抗蝕劑塗敷處理後，真 94690.doc -32· l244721 空泵181a維持為真空狀態幷於真空中解放真空泵181b，幷 且開放閥門182b(參照圖9)從而自吸附溝175b喷出氮氣至角 型基板W之中央部附近。

藉此’可解除角型基板W下面中中央部附近之吸附狀 恶’幷且保持角型基板w下面中端緣部附近之吸附狀態， 從而可解除中央部附近的固定狀態。即，可以固定角型基 板、、彖。卩附近之狀態直接自吸附溝1向上方喷出氮 氣’從而不會產生角型基板w之位置偏移而可解除角型基 板W中央部附近的固定狀態。因此，可迅速且確實解除角 型基板W中央部附近的固定狀態。 又，角型基板W下面中中央部附近的固定狀態，可藉由 自吸附溝175b噴出氮氣之處理而解除。因此，將角型基板 W自吸附部7〇取下時，未存有於角型基板w之中央部附近 產生剝離V電之可能性，從而未存有由於該剝離帶電而破 壞布綫圖案之可能性。

立接者，於大氣中開放真空泵181&，解除角型基板w端 :附近之吸附狀態，幷且停止第二升降機構川且驅動 -升降广構73a 1始上升端緣部提升銷…之前端 ld糟此，因角型基板w之端緣部逐卞上升，故而 及附部70處於固定狀態之角型基板w下面自端緣部向中 部逐漸脫離（參照圖6)。

接著n緣部提升鎖71a之前端部7ld 為止，則開始第二升降機s心 寻H 71b前端部71e之 之驅動’以中央部提^ k之上升速度與端緣部提升銷71a前端部7id_ 94690.doc -33- 1244721 上升速度大致相尋之方式上升前端部7 1 e。此時，前端部 7 1 d會繼續上升。藉此，角型基板w以中央部附近之高度 位置低於端緣部附近之高度位置且彎曲之狀態上升。 幷且，解除角型基板W下面中相對應於端緣部附近之部 为的固定狀悲’解除角型基板w下面全部的固定狀態後， 將角型基板W上升至基板交接位置為止從而完成解吸處理 (參照圖5)。 〈2.3 ·第2實施形態之基板處理裝置的優勢〉 如上所述，於第2實施形態之基板處理裝置1中，可將角 型基板W下面中端緣部附近與中央部附近相互獨立吸附於 吸附部170。因此，可將角型基板w之中央部附近以及端 緣部附近針對於吸附部70更有效率地吸附。其結果為，即 使角型基板W之尺寸進一步得以大型化，亦可將角型基板 w迅速且確實吸附於吸附部7〇。 又，於弟2貫施形態之基板處理裝置1中，將真空泵1 8 h 保持為真空狀態幷於大氣中解放真空泵1 8 lb，幷且可自相 對應於角型基板w中央部附近之吸附溝丨75b向角型基板w 下面喷出氮氣。因此，無需上升中央部提升銷7lb而可解 除角型基板W下面中中央部附近的固定狀態。其結果為， 可防止剝離帶電幷於短時間内確實解吸角型基板w。 〈3·第3實施形態〉 此處，就本發明之第3實施形態加以說明。第3實施形態 中之基板載置部3的硬體構成與第1實施形態之吸附部70相 比，進而追加有調整載置於基板載置部3之角型基板w位 94690.doc -34- 1244721 置的複數個對準機構210,除此方面以外大體與第!實施形 恶相同。因此’以下就該不同點為中心加以說明。再者， 於以下說明中，關於與第丨實施形態之基板處理裝置丨中之 構成要素相同的構成要素添附有相同符號。該等相同符號 之構成要素於第1實施形態中已經說明完畢，故而於本實 施形態中省略說明。 、 〈3· 1·基板處理裝置之構成〉 圖1〇係表示本實施形態中基板载置部3之構成一例的上 面圖。如圖1〇所示，對準機構210逐個（合計四個）設置於具 有大致長方形形狀之吸附部70之各端角部的外側附近。 如圖10所示，各對準機構210主要包含驅動部211、臂部 212、支持部213以及抵接部214。臂部212藉由驅動部2ιι 於箭頭ARU向上設置為出退自由。又，於臂部212之端 部中朝向吸附部70側安裝有「〕」字型支持部213。進 而，於支持部213朝向吸附部7〇側之前端部中，安裝有藉 由與角型基板W之端角部相抵接之處理而微調整角型基板 w位置的抵接部214。藉此’藉由控制各對準機構21〇之驅 動部2U從而調整臂部212之突出量之處理，可將角型基板 w位置以成為特定範圍内之方式調整。 〈3.2.藉由基板處理裝置所進行之基板吸附解吸步驟〉 圖11至圖13#』以說明本實施形態之基板載置部3令角 型基板W之吸附步驟以及解吸步驟的目。此處，關於將角 型基板W吸附於基板載置部3之吸附部7〇的步驟加以說明 後，就解吸吸附於吸附部7〇之角型基板w的步驟加以說 94690.doc -35- 1244721 明0 心而’於错由第一升降機構73a以及第二升降機構Mb將 角型基板w自基板交接位置下降至保持面3()為止時，若將 藉由省略圖示之搬送單元所交接之㈣基板W支持於提升 銷71的位置產生偏移，則造成保持㈣上之角型基板獅斤 載置的位置會產生偏移，從而成為處理不良的原因。因 此，於本實施形態之吸附處理中，將載置於保持面30之角

録板W的位置藉由複數個對準機構2H)設為特定範圍， 藉此可防止產生處理不良之情形。 首先，藉由驅動第一升降機構73a以及第二升降機構73b 之處理W於基板父接位置所交接之角型基板w下降至保 =面30為止（參照圖⑴。此時’因真空泵81保持為停止狀 悲，故而角型基板W未吸附於吸附部7〇。χ，閥門82繼續 關閉。 其次，以停止真空系81之狀態直接開放閥門82 ’從而自 吸附溝75(參照圖3)向角型基板w下面喷出氮氣。此時，角 型基板W因未吸附於吸附部7〇，故而向三轴正方向上浮# 鲁 (參照圖12)。 接著，调整各對準機構21〇之臂部212的移動量，將抵接 4 214與所對應之角型基板w之端角部附近相抵接，藉此 微調整角型基板w之位置（參照圖13)。此時，角型基板w 因由於自下面繼續噴出之氮氣而浮起，故而不會損傷角型 基板w下面即可移動角型基板W之位置，從而可將角型基 板W之位置設為特定範圍内。 94690.doc -36 - 1244721 若完成角型基板w之位置微調整，則關閉閥門82停止氮 氣之噴出，幷且驅動真空泵81，從而排出角型基板w下面 與保持面30間的氣體。幷且，角型基板w下面全部吸附於 吸附部70從而完成吸附處理。 人就角型基板W之解吸步驟加以說明。於解吸步驟 中，藉由基板處理裝置丨完成抗蝕劑塗敷處理後，停止真 空泵81之動作幷且於大氣中開放真空泵81，從而解除角型 基板W下面之吸附狀態。 接著，開放閥門82從而自吸附溝75向角型基板w下面喷 出氮氣。藉此，可解除角型基板w之固定狀態，但另一方 面亦存有角型基板W之位置因氮氣之氣體壓力造成偏移之 情形。 接著，繼續開放閥門82,將角型基板w自保持面3〇上浮 起，幷且調整各對準機構21〇之臂部212的移動量，將抵接 部214與所對應之端角部附近相抵接，藉此微調整角型基 板W之位置（參照圖13)。 八、、:而，若因氮氣之氣體壓力而角型基板w之位置產生偏 移，則於基板交接位置省略圖示之搬送單元所交接的基板 位置會產生偏移。幷且，存有於自該搬送單元接收基板交 接的後步驟之基板處理裝置中亦會產生角型基板w之位置 偏移，成為後步驟之基板處理裝置中處理不良之原因的情 形。因此，於本實施形態之解吸處理中，氮氣噴出後藉由 對準機構210將角型基板位置設為特定範圍内，藉此 防止於後步驟之基板處理裝置中產生處理不良之情形。 94690.doc - 37- 1244721 若元成角型基板W之位置微調整，則藉由關閉閥門82停 止氮氣之噴出幷且驅動第一升降機構73a以及第二升降機 構73b之處理，將角型基板w自保持面3〇上升至基板交接 位置為止從而完成解吸處理。 〈3.3·第3實施形態之基板處理裝置的優勢〉 如上所述’於第3實施形態之基板處理裝置1中，即使於 載置於基板載置部3之角型基板W位置未成為特定範圍之 情形時，因可藉由複數個對準機構21〇以成為特定範圍内 之方式將其調整’故而可防止產生處理不良之情形。 又，第3實施形態之基板處理裝置丨中，即使於由於向角 型基板W下面喷出氮氣之處理會造成角型基板冒位置產生 偏移之情形時，亦可藉由複數個對準機構21〇將角型基板 W之位置以成為特定範圍内之方式調整。因此，可防止於 後步驟之基板處理裝置中產生處理不良之情形。 〈4.變形例〉 以上，就本發明之實施形態加以說明，但該發明幷非限 定於上述例者。 (1) 於本發明之實施形態中，吸附溝75、175係分別作為 於吸附部70、170上具有大致直綫形狀之溝槽而形成，但 幷非限定於此者，亦可例如具有曲綫形狀。 (2) 於第2實施形態中，自吸附溝n5a、17汕向上方，又 於第3實施形態中，自吸附溝75向上方，分別喷出氮氣， 但幷非限定於此者，若係惰性氣體則亦可係例如氬或氦。 (3) 於第2實施形態中，真空泵181&作為動作狀態將角型 94690.doc -38- 1244721 基板w之端緣部附近保持為真空狀態，幷於大氣中解放真 空泵181b後，自吸附溝17外喷出氮氣，但幷非限定於此 者。亦可例如於角型基板评之位置偏移量成為特定範圍内 之情形時，於大氣中解放真空泵1813以及真空泵職後， 自吸附溝175b喷出氮氣。 ⑷又’於第2實施形態中’於僅角型基板w之中央部附 近到達至保持面30之情形時，幷未驅動真空㈣h，作幷 非限定於此者，亦可於開始驅動真空幻⑽時一幷開始驅 動真空栗18la。即使以任一時序開始驅動真空栗⑻a，亦 不會對吸附所需之時間或吸附力帶來影響。 (5)於弟3貫施形態中，藉由於第!實施形態中所說明之 吸附部70進行角型基板w之叨糾♦ 极W之及附處理，但幷非限定於此 者，亦可藉由於第2實施形離中所 型基板W。 〜中所㈣之吸附部m吸附角 (6)又’於第3實施形能φ 益 > 心中精由複數個對準機構210進 仃角型基板W之位置微調整 ^ ^ .女 仁對卓祛構之硬體構成幷非 體構成。，'、可米用例如示於圖14之對準機構310的硬 如圖14所示，各對準機構31G與對準機構2 非配設於角型基板…之各端角 J ，、幵 月4 而疋配設於盘g剞美;)：；5 W之側面部相對的位置， 基板 要匕g驅動部3 1 1以及劈邱 312。臂部312藉由動作驅動部311之處理屮… 置於相對應之角型基板” ° τ ^， 双床殘方向（即，盥側 面邛大致垂直相交之方向）。又， ” $ °卩212之朝向吸附部70 94690.doc -39- 1244721 側之則端部目p方止角型基板w側面部之破損，故而加工為 圓滑的形狀（例如，大致半圓形狀）。 藉此控制各對準機構3 1 0之驅動部3 11幷調整臂部3 12 之犬出量’將前端部313與角型基板W側面部相抵接，藉 此可將肖基板W之位置以成為特定範圍内之方式調整。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之實施形態中基板處理裝置之構成一 例的立體圖。 圖2係表示本發明之第1實施形態中基板處理裝置之構成 一例的上面圖。 圖3係表示本發明之實施形態中吸附部之構成一例的上 面圖。 圖4係表示本發明之第1實施形態中基板支持部之構成一 例的側視圖。 圖5係用以說明本發明之第1實施形態之基板載置部中基 板之吸附步驟以及上升步驟的圖。 圖6係用以說明本發明之第1實施形態之基板載置部中基 板之吸附步驟以及解吸步驟的圖。 圖7係用以說明本發明之第1實施形態之基板載置部中基 板之吸附步驟以及解吸步驟的圖。 圖8係表示本發明之第2實施形態中基板支持部之構成一 例的上面圖。 圖9係表示本發明之第2實施形態中基板載置部之構成_ 例的側視圖。 94690.doc -40- 1244721 圖10係表示本發明之第3實施形態中基板處理部之構成 一例的上面圖。 圖11係用以說明本發明之第3實施形態之基板載置部中 - 基板之吸附步驟以及解吸步驟的圖。 圖12係用以說明本發明之第3實施形態之基板載置部中 基板之吸附步驟以及解吸步驟的圖。 圖13係用以說明本發明之第3實施形態之基板載置部中 基板之吸附步驟以及解吸步驟的圖。 圖14係表示本發明之第3實施形態中基板處理部之構成 一例的上面圖。 【主要元件符號說明】 3 6 30 40 41 70 ， 170 71 71a 71b 72(72a ， 72b) 75 ， 175a ， 175b 76 ， 176a ， 176b 94690.doc 基板處理裝置 基板載置部 控制系 保持面 喷嘴支持部 狹縫噴嘴 吸附部 提升銷 端緣部提升銷 中央部提升銷 吸附？L 吸附溝 格子點 -41 - 1244721

81， 83 210 W 181a，181b 真空泵 氮氣供給源 ，310 對準機構 角型基板 94690.doc -42-

Claims (1)

1244721 十、申請專利範圍： 1 · 一種基板處理裝置，其特徵在於對基板實施特定處理， 且包含： (a) 吸附機構，其吸附保持載置於基板載置部之吸附面 的上述基板；及 (b) 升降機構，其於上述吸附面之位置與上述吸附面上 方之基板交接位置間升降上述基板，且包含： (b-1)第一支持部’其支持升降上述基板之端緣部附 近；及 (b-2)第一支持部，其支持上述基板之中央部附近， 與上述第一支持部獨立自由升降； 上述吸附機構包含： (心1)複數個吸附溝，其設置於上述吸附面，整體性 或S1]为為複數個區域而於各區域内相互連通； (a-2)複數個吸附孔，其與上述複數個吸附溝相連接 且貫通上述基板載置部；及 (a-3)排氣機構，其與上述複數個吸附孔連通連接， 將上述吸附面附近排氣； 上述複數個吸附溝中，使用於上述基板端緣部附近之 吸附的端緣部吸附溝間之溝間隔小於使用於上述基板中 央部附近之吸附的中央部吸附溝間之溝間隔。 2·如請求項1之基板處理裝置，其中 上述端緣部吸附溝相互連接，上述中央部吸附溝亦又 相互連接，但另一方面上述端緣部吸附溝與上述中央部 94690.doc 1244721 吸附溝處於非連接狀態，且 上述排氣機構包含： 第一排氣部，其與上述複數個吸附孔中與上述端緣 部吸附溝連通的端緣部吸附孔連接，排出上述基板之端 緣部附近與上述吸附面間的氣氛； 第二排氣部，其與上述複數個吸附孔中與上述中央 部吸附溝連通的中央部吸附孔連接，與上述第一排氣部 獨立，排出上述基板之中央部附近與上述吸附面間的氣 氛。 3 ·如請求項2之基板處理裝置，其中進而包含： (c)惰性氣體供給機構，其與上述中央部吸附孔連通， 經由上述中央部吸附孔以及上述中央部吸附溝而將惰性 氣體供給至上述吸附部。 4.如請求項丨之基板處理裝置，其中上述複數個吸附溝之 各寬度為2.0 mm以下。 如請求項1之基板處理裝置，其中上述端緣部吸附溝中 至少一個設置於上述吸附面中，距離與基板外周部對應 之部分10 · 0 mm以内。 6·如請求項5之基板處理裳置，其中上述端緣部吸附溝中 另一個設置於上述吸附面中，距離與基板外周部對應之 部分大於10.0mm且30.0mm以下範圍内。 7.如請求項匕基板處理裝置，其中上述中央部吸附溝間 的溝間隔為100·0 mm以下。 8·如請求項1之基板處理裝置，其中進而包含： 94690.doc 1244721 狹縫T嘴，其喷屮姓6 、1 Κ特疋處理液；及 移動機構，盆 + ^ ，、马於保持於上述吸附面之上述基板全面 喷出上述處理〉游，& #， 夜而將上述狹縫噴嘴對於上述基板相對 移動。 種基板處理裝置’其特徵在於對基板實施特定處理， 且包含： (a)基板載置部； & (b)對準機構，其係可作調整以使載置於上述基板載置 邛之上述基板位置在特定範圍内； (c)吸附機構，其將上述基板吸附保持於基板載置部之 吸附面，且包含： (c_1)複數個吸附溝，其設置於上述吸附機構之吸附 P 土板側整體性或劃分為複數個區域而於各區域内相 互連通； (c-2)複數個吸附孔，其與上述複數個吸附溝連接且 貫通上述基板載置部；及 (c-3)排氣機構，其與上述複數個吸附孔連通連接， 將上述吸附面附近排氣；及 (d)惰性氣體供給機構，其與上述複數個吸附孔連通， 經由上述複數個吸附孔以及上述複數個吸附溝而將惰性 氣體供給至上述吸附部； 上述複數個吸附溝中，使用於上述基板端緣部附近之 吸附的端緣部吸附溝間之溝間隔比使用於上述基板中央 部附近之吸附的中央部吸附溝間之溝間隔窄。 94690.doc 1244721 1 Ο ’如明求項9之基板處理裝詈，盆 — ^ 表置，、中上述禝數個吸附溝之 各寬度為2 · 〇 mm以下。 η.如請求項9之基板處理裝置，其中上述端緣部吸附溝中 至夕m於上述吸附面中，距離與基板外周部對應 之部分10 · 〇 mm以内。 12.如請求項U之基板處理裝置’其中上述端緣部吸附溝中 二:個设置於上述吸附面中，距離與基板外周部對應之 口P刀大於1〇.〇 mm且30 〇 mm以下範圍内。 η.如請求項9之基板處理裝置，其中上述中央部吸附溝間 的溝間隔為1 〇 〇 〇 mni以下。 14·如請求項9之基板處理裝置，其中進而包含： 狹縫噴嘴’其噴出特定處理液；及 移動機構，其為於保持於上述吸附面之上述基板全面 唷出上述處理液，而將上述狹縫噴嘴對於上述基板相對 移動。 15.種基板處理方法，其特徵在於藉由可分別獨立升降支 持基板端緣部附近之第一支持部與支持上述基板中央部 附近之第二支持部之升降機才冓，將上述基板吸附保持於 基板載置部之吸附面，且包含： (a)藉由上述第一支持部以及上述第二支持部使上述基 板下降，從而使上述基板之令央部附近到達上述吸附面 的步驟； ⑻於上述基板之中央部附近到達上述吸附面的時刻或 到達前不久，開始上述吸附面附近之排氣處理的步驟；及 94690.doc 1244721 ⑷-面實施上述排氣處理，—面藉由上述第二支持部 上 使上述基板下降，從而使上述基板之端緣部附近到達 述吸附面的步驟。 16. 一種基板處理方法，其特徵在於藉由排氣機構將基板載 置部之吸附面附近排氣，藉此將吸附保持於上述保持面 之基板解吸，且包含： 〇)將上述排氣機構解放於大氣中而使上述吸附面附近 成為大致大氣壓的解放步驟； (b) 上述解放步驟後，將惰性氣體供給至上述基板下面 與上述吸附面間的步驟；及 (c) 進行調整以使載置於上述基板載置部之上述基板位 置在特定範圍内的調整步驟。 94690.doc