JP2023117038A - 基板支持方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】可撓性を有する基板をリフトピンで支持する際、所望の形状で基板を支持する基板支持方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】載置台の載置面に載置された可撓性を有する矩形状の基板を前記載置面から離脱させ支持する基板支持方法であって、前記載置台は、前記載置面から突没可能な複数のリフトピンを備え、成型位置までの駆動量の大きな前記リフトピンから先に前記成型位置で停止するように、前記リフトピンを前記成型位置まで上昇させ前記基板の形状を成型する工程と、前記リフトピンを目標位置まで上昇させる工程と、を有する、基板支持方法。【選択図】図５

Description

本開示は、基板支持方法及び基板処理装置に関する。

特許文献１には、可撓性を有する被処理基板を載置する載置台と、前記載置台の載置面に対して突没自在に設けられ、被処理基板を支持して前記載置台の上方の基板の受け渡しを行う受け渡し位置と前記載置台上の載置位置との間で昇降させる複数の昇降ピンと、前記昇降ピンを駆動させる駆動機構とを具備する基板載置機構であって、前記複数の昇降ピンは、被処理基板の周縁部を支持する第１の昇降ピンと、被処理基板の中央部を支持する第２の昇降ピンとを有し、前記駆動機構は、被処理基板を昇降させる際に、前記第１の昇降ピンを前記第２の昇降ピンよりも高く突出させて、被処理基板が下に凸状に撓んだ状態で安定的に支持されるようにすることを特徴とする基板載置機構が開示されている。

特開２００８－６０２８５号公報

ところで、載置台に基板を載置した際に反りや曲がり（Bending）が発生することがある。この場合、リフトピンを上昇させて基板を持ち上げ、基板を所望の形状に成型して支持した後、リフトピンを下降させて基板を載置台に置き直すことが行われる。

一の側面では、本開示は、可撓性を有する基板をリフトピンで支持する際、所望の形状で基板を支持する基板支持方法及び基板処理装置を提供する。

上記課題を解決するために、一の態様によれば、載置台の載置面に載置された可撓性を有する矩形状の基板を前記載置面から離脱させ支持する基板支持方法であって、前記載置台は、前記載置面から突没可能な複数のリフトピンを備え、成型位置までの駆動量の大きな前記リフトピンから先に前記成型位置で停止するように、前記リフトピンを前記成型位置まで上昇させ前記基板の形状を成型する工程と、前記リフトピンを目標位置まで上昇させる工程と、を有する、基板支持方法が提供される。

一の側面によれば、可撓性を有する基板をリフトピンで支持する際、所望の形状で基板を支持する基板支持方法及び基板処理装置を提供することができる。

基板処理装置の概略断面図の一例。 基板処理装置の平面方向の概略断面図の一例。 リフトピンを駆動させる駆動機構の構成を示すブロック図の一例。 本実施形態に係る基板処理装置の基板の再設置動作の一例を説明するフローチャート。 本実施形態に係る基板処理装置の基板の再設置動作時におけるリフトピンの動作の一例を示すタイムチャート。 本実施形態に係る基板処理装置の基板の再設置動作の各状態におけるリフトピンの配置、基板の形状を説明する断面模式図の一例。 参考例に係る基板処理装置の基板の再設置動作時におけるリフトピンの動作の一例を示すタイムチャート。 リフトピンで持ち上げられた基板の状態を示す断面模式図の一例。

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

＜基板処理装置＞
本実施形態に係る基板処理装置１について図１から図３を用いて説明する。図１は、基板処理装置１の概略断面図の一例である。基板処理装置１は、載置台に基板Ｇを載置して、基板Ｇに所望の処理（例えば、エッチング処理等）を施す装置である。また、載置台は、載置された基板Ｇの温度を調整（例えば、冷却）可能に構成されている。なお、水平な一方向をＸ方向とし、水平かつＸ方向と直交する方向をＹ方向とし、高さ方向をＺ方向として説明する。

また、基板処理装置１において処理が施される基板Ｇ、換言すれば、載置台に載置される基板Ｇは、平面視して矩形状であり、可撓性を有する基板である。基板Ｇは、例えば、可撓性を有する矩形状のガラス基板であってもよい。また、基板Ｇは、例えば、厚さが０．２ｍｍ乃至数ｍｍ程度の薄膜ガラス基板であってもよい。また、基板Ｇは、例えば、平面寸法が第６世代の１５００ｍｍ×１８００ｍｍ程度の寸法から、第１０．５世代の３０００ｍｍ×３４００ｍｍ程度の寸法までを少なくとも含むものであってもよい。また、基板Ｇは、例えば、フラットパネルディスプレイの製造に用いられるガラス基板である。

基板処理装置１は、基板Ｇを収容する処理容器としてのチャンバ２を備えている。チャンバ２は、例えば、表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなり、基板Ｇの形状に対応して四角筒形状に形成されている。

チャンバ２内の底壁には、基板Ｇを載置する載置台としてのサセプタ４が設けられている。サセプタ４は、基板Ｇの形状に対応して四角板状または柱状に形成されている。サセプタ４は、金属等の導電性材料からなる基材４ａと、基材４ａの底部とチャンバ２の底面との間に設けられた絶縁部材４ｂと、を有している。基材４ａには、高周波電力を供給するための給電線２３が接続されている。給電線２３は、整合器２４を介して高周波電源２５が接続されている。高周波電源２５は、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力をサセプタ４に印加する。整合器２４は、高周波電源２５の出力インピーダンスと負荷側の入力インピーダンスとを整合させる。これにより、サセプタ４は、下部電極として機能するように構成されている。

また、サセプタ４には、載置された基板Ｇを静電吸着により吸着する静電チャック４０が設けられている。静電チャック４０は、基材４ａの上部に設けられている。静電チャック４０は、誘電体４１と、誘電体４１の内部に設けられた内部電極４２と、を有している。内部電極４２には、電圧を印加するための給電線４３が接続されている。給電線４３は、スイッチ４４を介して電源４５が接続されている。電源４５は、内部電極４２に電圧を印加する。スイッチ４４は、電圧の印加をオン・オフさせる。

また、サセプタ４（静電チャック４０）の上面は、基板Ｇを載置する基板載置面４ｃとなる。なお、基板載置面４ｃには、基板Ｇの裏面の外周部と接する外縁部（図示せず）と、外縁部の内側に形成される堀込部（図示せず）と、を有する。また、堀込部には、Ｈｅガス等の伝熱ガスが供給可能に構成されている。静電チャック４０が基板Ｇを静電吸着することにより、基板Ｇの裏面の外周部と基板載置面４ｃの外縁部とが気密に吸着される。また、基板Ｇの裏面と基板載置面４ｃの堀込部との間に間隙として形成される空間にＨｅガスを供給することにより、サセプタ４に載置された基板Ｇを冷却（温度調整）することができるように構成されている。また、堀込部に複数の微小な凸部を設け、外縁部と凸部により基板Ｇを支持するようにしてもよい。

チャンバ２の上部または上壁には、チャンバ２内に処理ガスを供給するとともに上部電極として機能するシャワーヘッド１１が、サセプタ４と対向するように設けられている。シャワーヘッド１１は、内部に処理ガスを拡散させるガス拡散空間１２が形成されているとともに、下面またはサセプタ４との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔１３が形成されている。このシャワーヘッド１１は接地されており、サセプタ４とともに一対の平行平板電極を構成している。なお、本実施形態では平行平板電極によりプラズマを生成する基板処理装置に本開示を適用した場合について説明するが、誘導結合によりプラズマを生成する基板処理装置に本開示を適用してもよく、また、その他の方法によりプラズマを生成する基板処理装置に本開示を適用してもよいことは勿論である。

シャワーヘッド１１の上面にはガス導入口１４が設けられ、このガス導入口１４には、処理ガス供給管１５が接続されており、この処理ガス供給管１５には、バルブ１６およびマスフローコントローラ１７を介して、処理ガス供給源１８が接続されている。処理ガス供給源１８からは、例えば、エッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、Ｏ_２ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。

チャンバ２の底壁には排気管１９が接続されており、この排気管１９には排気装置２０が接続されている。排気装置２０はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバ２内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。チャンバ２の側壁には、基板Ｇを搬入出するための搬入出口２１が形成されているとともに、この搬入出口２１を開閉するゲートバルブ２２が設けられており、搬入出口２１の開放時に、基板Ｇが、搬送部材としての搬送アーム５０（後述する図２参照）により下方から支持された状態で搬入出口２１及びゲートバルブ２２を介して隣接する図示しない搬送室との間で搬送されるように構成されている。

チャンバ２の底壁およびサセプタ４には、これらを貫通する挿通孔７が、サセプタ４の外周部位置および中央部位置（外周部位置よりも内側または中央寄り位置）にそれぞれ形成されている。挿通孔７にはそれぞれ、基板Ｇを下方から支持して昇降させるリフトピン８がサセプタ４の基板載置面４ｃに対して突没可能に挿入されている。リフトピン８はそれぞれ、突出時に基板Ｇの外周部および中央部に当接するように設けられており、図示しない位置決め用ブッシュによって径方向または幅方向に位置決めされて挿通孔７内に挿入されている。

リフトピン８は、下部がチャンバ２の外側に突出している。リフトピン８の下部には、フランジ２６が形成されており、フランジ２６には、リフトピン８を囲繞するように設けられた伸縮可能なベローズ２７の一端部（下端部）が接続され、このベローズ２７の他端部（上端部）は、チャンバ２の底壁に接続されている。またはこのベローズ２７の他端部（上端部）はサセプタ４の底壁に接続するようにしてもよい。これにより、ベローズ２７は、リフトピン８の昇降に追従して伸縮するとともに、挿通孔７とリフトピン８との隙間を密封している。

ここで、挿通孔７及びリフトピン８の配置について、図２を用いてさらに説明する。図２は、基板処理装置１の平面方向の概略断面図の一例である。なお、図２において、搬送アーム５０に保持された基板Ｇを載置領域４ｄの上方に配置した際における搬送アーム５０及び基板Ｇの位置を二点鎖線で示す。

図２に示すように、基板Ｇ及び基板Ｇが載置されるサセプタ４の基板載置面４ｃは、平面視して、短辺（Ｙ方向）と長辺（Ｘ方向）とを有する矩形状を有している。また、基板載置面４ｃは、基板Ｇに対応した載置領域４ｄ（図２において、破線で示す。）を有する。基板Ｇをサセプタ４に載置する際、基板Ｇは載置領域４ｄに載置される。なお、図２において、載置領域４ｄの中心線４ｅ（一方の長辺の中点と他方の長辺の中点とを結ぶ線）及び中心線４ｆ（一方の短辺の中点と他方の短辺の中点とを結ぶ線）を一点鎖線で示す。また、図２において、便宜上、載置領域４ｄを示す破線が基板Ｇを示す二点鎖線よりも内側に描かれているが、載置領域４ｄが基板Ｇの外周よりも内側に規定されることを意味するものではなく、載置領域４ｄは基板Ｇと同一の形状であり同一の面積を持つことが望ましい。また、載置領域４ｄは基板Ｇを内包する形状および面積を有する領域であってもよい。

サセプタ４は、挿通孔７として挿通孔７ａ～７ｄを有する。挿通孔７ａ～７ｃは、載置領域４ｄの外周部に設けられている。挿通孔７ｄは、載置領域４ｄの外周部に囲われる載置領域４ｄの面中央部に設けられている。挿通孔７ａ～７ｄには、リフトピン８としてリフトピン８ａ～８ｄが配置される。

矩形状の載置領域４ｄの角部には、挿通孔７ａが設けられている。図２に示す例において、挿通孔７ａは、中心線４ｅ及び中心線４ｆを対象軸として、載置領域４ｄ内に４つ設けられている。各挿通孔７ａには、それぞれリフトピン８ａが配置されている。以下、４つのリフトピン８ａを第１グループＧｒ．１とも称する。

矩形状の載置領域４ｄの短辺中央部（中心線４ｆを対象軸とする左右（Ｙ方向）２つの角部の間）には、挿通孔７ｂが設けられている。図２に示す例において、一方の短辺中央部には、中心線４ｆを対象軸として、２つの挿通孔７ｂが設けられている。同様に、他方の短辺中央部には、中心線４ｆを対象軸として、２つの挿通孔７ｂが設けられている。載置領域４ｄ内には、４つの挿通孔７ｂが設けられている。各挿通孔７ｂには、それぞれリフトピン８ｂが配置されている。以下、４つのリフトピン８ｂを第２グループＧｒ．２とも称する。

矩形状の載置領域４ｄの長辺中央部（中心線４ｅを対象軸とする前後（Ｘ方向）２つの角部の間）には、挿通孔７ｃが設けられている。図２に示す例において、一方の長辺中央部には、中心線４ｅ上に挿通孔７ｃが設けられている。同様に、他方の長辺中央部には、中心線４ｅ上に挿通孔７ｃが設けられている。載置領域４ｄ内には、２つの挿通孔７ｃが設けられている。各挿通孔７ｃには、それぞれリフトピン８ｃが配置されている。以下、２つのリフトピン８ｃを第３グループＧｒ．３とも称する。

矩形状の載置領域４ｄの中央付近の面中央部には、挿通孔７ｄが設けられている。図２に示す例において、挿通孔７ｄは、中心線４ｅ上に設けられ、かつ、中心線４ｆを対象軸として２つ設けられている。各挿通孔７ｄには、それぞれリフトピン８ｄが配置されている。以下、２つのリフトピン８ｄを第４グループＧｒ．４とも称する。

図３は、リフトピン８ａ～８ｄを駆動させる駆動機構の構成を示すブロック図の一例である。

リフトピン８ａ～８ｄはそれぞれ駆動部９ａ～９ｄに接続される。リフトピン８ａ～８ｄはこの駆動部９ａ～９ｄの駆動によって昇降することによりサセプタ４の基板載置面４ｃに対して突出および没入するように構成されている。駆動部９ａ～９ｄはそれぞれ、例えばステッピングモータを用いて構成される。なお、リフトピン８ａ～８ｄは、図３に示すように、個別に駆動することができるように構成されているものとして説明したが、これに限られるものではなく、グループ（第１グループＧｒ．１～第４グループＧｒ．４）ごとに駆動することができるように構成されていてもよい。この構成によれば、駆動部（ステッピングモータ）の数を削減することができる。

駆動部９ａ～９ｄの駆動は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えたコントローラ３１によって別個に制御される構成となっており、これにより、リフトピン８ａ～８ｄはそれぞれ互いに独立して昇降可能に構成されている。コントローラ３１には、工程管理者が駆動部９ａ～９ｄの駆動を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、駆動部９ａ～９ｄの駆動状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザインタフェース３２と、駆動部９ａ～９ｄの駆動をコントローラ３１の制御にて実現するための制御プログラムや駆動条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部３３とが接続されている。そして、必要に応じて、ユーザインタフェース３２からの指示等にて任意のレシピを記憶部３３から呼び出してコントローラ３１に実行させることで、コントローラ３１の制御下で駆動部９ａ～９ｄの駆動および停止が行われる。前記レシピは、例えば、ＣＤ－ＲＯＭ、ハードディスク、フラッシュメモリなどのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させて利用したりすることも可能である。

コントローラ３１、ユーザインタフェース３２および記憶部３３は、駆動部９ａ～９ｄによるリフトピン８ａ～８ｄの昇降を制御する制御部を構成し、サセプタ４、リフトピン８ａ～８ｄ、駆動部９ａ～９ｄおよび制御部は基板載置機構を構成する。

次に、基板処理装置１における基板Ｇの再設置動作について、図４から図６を用いて説明する。

図４は、本実施形態に係る基板処理装置１の基板Ｇの再設置動作の一例を説明するフローチャートである。図５は、本実施形態に係る基板処理装置１の基板Ｇの再設置動作時におけるリフトピン８の動作の一例を示すタイムチャートである。図６は、本実施形態に係る基板処理装置１の基板Ｇの再設置動作の各状態におけるリフトピン８の配置、基板Ｇの形状を説明する断面模式図の一例である。なお、図６においては、基板Ｇの撓みを誇張して図示している。

ここで、基板Ｇの再設置動作は、リフトピン８ａ～８ｄを上昇させて基板Ｇを持ち上げ、基板Ｇを所望の形状で支持した後、リフトピン８ａ～８ｄを下降させて基板Ｇをサセプタ４に置き直す動作である。基板Ｇを所望の形状で支持する際におけるリフトピン８ａ～８ｄの高さ（目標位置）は、図５のステップＳ１１０におけるリフトピン高さに示すように、「第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａの高さ＞第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂの高さ＞第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃの高さ＞第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄの高さ」となるようにオフセットされている。このように、基板Ｇを所望の形状で支持する際、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａは、最も高い位置に配置される、換言すれば、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａのオフセット量をＬ_{offset_1}を０として説明する。また、基板Ｇを所望の形状で支持する際、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａに対する第２グループＧｒ．２のリフトピン８ａのオフセット量をＬ_{offset_2}とし、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａに対する第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃのオフセット量をＬ_{offset_3}とし、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａに対する第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄのオフセット量をＬ_{offset_4}として説明する。

ステップＳ１０１において、コントローラ３１は、サセプタ４に載置した基板Ｇに曲がり（Bending）が発生しているか否かを判定する。なお、基板Ｇに曲がりが発生しているか否かの判定は、例えば、基板Ｇとサセプタ４との間に供給される伝熱ガスの流量等に基づいて判定してもよい。また、基板Ｇに曲がりが発生しているか否かの判定は、これに限られるものではない。基板Ｇに曲がりが発生していない場合（Ｓ１０１・ＮＯ）、基板Ｇの再設置動作の処理を終了する。基板Ｇに曲がりが発生している場合（Ｓ１０１・ＹＥＳ）、コントローラ３１の処理は、ステップＳ１０２に進む。

ステップＳ１０２において、コントローラ３１は、静電チャック４０を解除する。

ステップＳ１０３において、コントローラ３１は、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａを所定の成型位置まで駆動を開始する。ここで、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａにおける所定の成型位置は、目標位置において最も低い位置に配置されるピン（第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄ）に対する第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａの相対的な高さ、即ちＬ_{offset_4}となる。

ステップＳ１０４において、コントローラ３１は、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａを所定の成型位置で停止させる。図６（ａ）は、ステップＳ１０４が終了した時点におけるＡ－Ａ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０１及びＢ－Ｂ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０２を示す。図６（ｂ）は、ステップＳ１０４が終了した時点におけるＣ－Ｃ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０３及びＤ－Ｄ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０４を示す。

ステップＳ１０５において、コントローラ３１は、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂを所定の成型位置まで駆動を開始する。ここで、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂにおける所定の成型位置は、目標位置において最も低い位置に配置されるピン（第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄ）に対する第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂの相対的な高さ、即ち「Ｌ_{offset_4}－Ｌ_{offset_2}」となる。

ステップＳ１０６において、コントローラ３１は、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂを所定の成型位置で停止させる。図６（ｃ）は、ステップＳ１０６が終了した時点におけるＡ－Ａ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０１及びＢ－Ｂ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０２を示す。図６（ｄ）は、ステップＳ１０６が終了した時点におけるＣ－Ｃ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０３及びＤ－Ｄ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０４を示す。

ステップＳ１０７において、コントローラ３１は、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃを所定の成型位置まで駆動を開始する。ここで、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃにおける所定の成型位置は、目標位置において最も低い位置に配置されるピン（第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄ）に対する第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃの相対的な高さ、即ち「Ｌ_{offset_4}－Ｌ_{offset_3}」となる。

ステップＳ１０８において、コントローラ３１は、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃを所定の成型位置で停止させる。図６（ｅ）は、ステップＳ１０８が終了した時点におけるＡ－Ａ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０１及びＢ－Ｂ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０２を示す。図６（ｆ）は、ステップＳ１０８が終了した時点におけるＣ－Ｃ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０３及びＤ－Ｄ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０４を示す。

また、ステップＳ１０３からステップＳ１０８において、第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄは、サセプタ４の基板載置面４ｃから突出しない。

以上のステップＳ１０３～Ｓ１０８に示す成型工程よって、リフトピン８ａ～８ｄは、オフセット量（Ｌ_{offset_2}、Ｌ_{offset_3}、Ｌ_{offset_4}）を適用した形状となっている。また、ステップＳ１０３～Ｓ１０８に示す成型工程において、成型位置までの駆動量が大きなリフトピン８から順次駆動を開始して、成型位置までの駆動量が大きなリフトピン８から順次駆動を停止する。この成型工程により、リフトピン８ａ～８ｄに支持される基板Ｇは、所望の形状に成型される。なお、成型された基板Ｇは、面中央部付近で、サセプタ４の基板載置面４ｃに接している。

ステップＳ１０９において、コントローラ３１は、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａから第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄの全てのリフトピン８を所定の目標位置まで駆動を開始する。全てのリフトピン８が同時に上昇することにより、基板Ｇは、成型工程で成型された形状を維持したまま、リフトピン８によって上昇する。

ステップＳ１１０において、コントローラ３１は、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａから第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄの全てのリフトピン８を所定の目標位置で停止させる。図６（ｇ）は、ステップＳ１１０が終了した時点におけるＡ－Ａ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０１及びＢ－Ｂ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０２を示す。図６（ｈ）は、ステップＳ１１０が終了した時点におけるＣ－Ｃ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０３及びＤ－Ｄ断面（図２参照）における基板Ｇの形状を模式的に示す断面模式形状２０４を示す。

以上のステップＳ１０９～Ｓ１１０に示す上昇工程よって、ステップＳ１０３～Ｓ１０８に示す成型工程によって成型した基板Ｇの形状を目標位置までそのまま持ち上げる。

ステップＳ１１１において、コントローラ３１は、リフトピン８を下降させ、基板Ｇをサセプタ４に載置する。

ステップＳ１１２において、コントローラ３１は、静電チャック４０を制御して、基板Ｇをサセプタ４に静電吸着させる。

ステップＳ１１３において、コントローラ３１は、サセプタ４に載置した基板Ｇの曲がり（Bending）が解消しているか否かを判定する。Bendingが解消していない場合（Ｓ１１３・Ｎｏ）、コントローラ３１の処理は、ステップＳ１０２に戻り、再設置動作（Ｓ１０２～Ｓ１１２）を繰り返す。Bendingが解消している場合（Ｓ１１３・Ｙｅｓ）、基板Ｇの再設置動作の処理を終了する。

なお、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａを成型位置で停止（Ｓ１０４参照）させた後に、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂの上昇を開始（Ｓ１０５参照）し、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂを成型位置で停止（Ｓ１０６参照）させた後に、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃの上昇を開始（Ｓ１０５参照）するものとして説明したが、これに限られるものではない。

例えば、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａが成型位置で停止する前に、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂの上昇を開始させ、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａが成型位置で停止した後に、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂが成型位置で停止するように制御してもよい。また、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂが成型位置で停止する前に、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃの上昇を開始させ、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂが成型位置で停止した後に、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃが成型位置で停止するように制御してもよい。

次に、参考例に係る基板処理装置の基板の再設置動作時におけるリフトピンの動作について、図７を用いて説明する。図７は、参考例に係る基板処理装置の基板の再設置動作時におけるリフトピンの動作の一例を示すタイムチャートである。

参考例に係る基板処理装置において、コントローラ３１は、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａから第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄの全てのリフトピン８を所定の成型位置まで駆動を開始する。

即ち、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａから第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃを駆動開始する。第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃが成型位置まで達すると、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａ及び第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂは駆動を継続し、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃは駆動を停止する。第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂが成型位置まで達すると、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａは駆動を継続し、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂは駆動を停止する。即ち、成型位置までの駆動量の小さなリフトピン８から順次駆動を停止する。第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａが成型位置まで達すると、上昇工程に移行する。上昇工程では、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａから第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄの全てのリフトピンを所定の目標位置まで駆動を開始する。

図８は、参考例及び本実施形態において、リフトピン８で持ち上げられた基板Ｇの状態を示す断面模式図の一例である。なお、図８は、リフトピン８と基板Ｇの形状との関係を模式的に示すものであり、実際のリフトピン８の配置と対応するものではない。

図８（ａ）から図８（ｃ）は、参考例に係る基板処理装置における基板Ｇの持ち上げ動作を示す。参考例においては、成型位置までの駆動量の小さなリフトピン８から順次駆動を停止する。図８（ａ）は、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃが成型位置で停止した状態の一例を示す。図８（ｂ）は、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂが成型位置で停止した状態の一例を示す。図８（ｃ）は、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａが成型位置で停止した状態の一例を示す。

参考例に示す持ち上げ動作において、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂ、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃ及び第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄが停止した状態（図８（ｂ）参照）から、成型位置までの駆動量の大きな第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａが更に上昇することにより、図８（ｃ）に示すように、基板Ｇが持ち上げられ、駆動を停止しているリフトピン８ｂ，８ｃ，８ｄから基板Ｇが離れる。このため、基板Ｇの実形状が、解析した形状（図８（ｃ）において破線で示す）とならないおそれがある。また、リフトピン８で支持された基板Ｇの形状が意図した形状となっていないことに起因して、基板Ｇをサセプタ４に再設置する際、再度基板Ｇの曲がり（Bending）が発生するおそれがある。

図８（ｄ）から図８（ｆ）は、本実施形態に係る基板処理装置１における基板Ｇの持ち上げ動作を示す。本実施形態においては、成型位置までの駆動量の大きなリフトピン８から順次駆動を停止する。図８（ｄ）は、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａが成型位置まで上昇中の状態の一例を示す。図８（ｅ）は、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂが成型位置まで上昇中の状態の一例を示す。図８（ｆ）は、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃが成型位置で停止した状態の一例を示す。

本実施形態に示す持ち上げ動作において、成型位置までの駆動量の大きなリフトピン８から順次駆動を停止することにより、リフトピン８から基板Ｇが離れることを防止することができる。これにより、基板Ｇの実形状は、解析した形状と一致させることができる。また、基板Ｇをサセプタ４に再設置する際、再度基板Ｇの曲がり（Bending）が発生することを抑制することができる。また、基板Ｇの再設置のリトライ回数を削減することができ、基板処理装置１の生産性を向上することができる。

以上、基板処理装置１について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

Ｇ 基板
１ 基板処理装置
２ チャンバ
４ サセプタ（載置台）
４ａ 基材
４ｂ 絶縁部材
４ｃ 基板載置面（載置面）
４ｄ 載置領域
４ｅ，４ｆ 中心線
７、７ａ～７ｄ 挿通孔
８ リフトピン
８ａ リフトピン（第１リフトピン）
８ｂ リフトピン（第２リフトピン）
８ｃ リフトピン（第３リフトピン）
８ｄ リフトピン（第４リフトピン）
９ａ～９ｄ 駆動部
３１ コントローラ（制御部）
４０ 静電チャック

Claims (7)

1. 載置台の載置面に載置された可撓性を有する矩形状の基板を前記載置面から離脱させ支持する基板支持方法であって、
   前記載置台は、前記載置面から突没可能な複数のリフトピンを備え、
   成型位置までの駆動量の大きな前記リフトピンから先に前記成型位置で停止するように、前記リフトピンを前記成型位置まで上昇させ前記基板の形状を成型する工程と、
   前記リフトピンを目標位置まで上昇させる工程と、を有する、
   基板支持方法。
2. 前記リフトピンは、
   前記載置面に設けられ前記基板を載置する矩形状の載置領域の角部に設けられた第１リフトピンと、
   前記載置領域の短辺中央部に設けられた第２リフトピンと、
   前記載置領域の長辺中央部に設けられた第３リフトピンと、
   前記載置領域の面中央部に設けられた第４リフトピンと、を有し、
   前記基板を成型する工程は、
   前記第１リフトピンの駆動を開始して前記成型位置まで上昇させる工程と、
   前記第１リフトピンを前記成型位置で停止させる工程と、
   前記第２リフトピンの駆動を開始して前記成型位置まで上昇させる工程と、
   前記第１リフトピンが停止した後に、前記第２リフトピンを前記成型位置で停止させる工程と、
   前記第３リフトピンの駆動を開始して前記成型位置まで上昇させる工程と、
   前記第２リフトピンが停止した後に、前記第３リフトピンを前記成型位置で停止させる工程と、を有する、
   請求項１に記載の基板支持方法。
3. 前記第２リフトピンを前記成型位置まで上昇させる工程は、前記第１リフトピンが停止した後に、前記第２リフトピンの駆動を開始し、
   前記第３リフトピンを前記成型位置まで上昇させる工程は、前記第２リフトピンが停止した後に、前記第３リフトピンの駆動を開始する、
   請求項２に記載の基板支持方法。
4. 前記基板を成型する工程において、
   前記第４リフトピンは、前記載置面から突出しない、
   請求項２または請求項３に記載の基板支持方法。
5. 前記基板は、フラットパネルディスプレイの製造に用いられるガラス基板である、
   請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の基板支持方法。
6. 可撓性を有する矩形状の基板を載置面に載置する載置台と、
   前記載置面から突没可能な複数のリフトピンと、
   前記リフトピンの昇降を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   成型位置までの駆動量の大きな前記リフトピンから先に前記成型位置で停止するように、前記リフトピンを前記成型位置まで上昇させ前記基板の形状を成型し、
   前記リフトピンを目標位置まで上昇させるように構成される、
   基板処理装置。
7. 前記リフトピンは、
   前記載置面に設けられ前記基板を載置する矩形状の載置領域の角部に設けられた第１リフトピンと、
   前記載置領域の短辺中央部に設けられた第２リフトピンと、
   前記載置領域の長辺中央部に設けられた第３リフトピンと、
   前記載置領域の面中央部に設けられた第４リフトピンと、を有し、
   前記制御部は、前記基板の形状を成型する際、
   前記第１リフトピンの駆動を開始して前記成型位置まで上昇させ、
   前記第１リフトピンを前記成型位置で停止させ、
   前記第２リフトピンの駆動を開始して前記成型位置まで上昇させ、
   前記第１リフトピンが停止した後に、前記第２リフトピンを前記成型位置で停止させ、
   前記第３リフトピンの駆動を開始して前記成型位置まで上昇させ、
   前記第２リフトピンが停止した後に、前記第３リフトピンを前記成型位置で停止させるように構成される、
   請求項６に記載の基板処理装置。

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