JP6624065B2 - 半導体装置及びその製造方法、並びに可撓性樹脂層形成用樹脂組成物 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置100は、可撓性を有する可撓性基板1と、回路部品2と、可撓性を有する可撓性樹脂層(可撓性層、又は可撓性部材ということもある。)3とで構成される回路基板を備える。可撓性基板1は、可視域で透明であってもよい。可撓性基板1は、例えば、可視域で透明であってもよいフレキシブル基板である。回路部品2は、可撓性基板1上に実装されている。可撓性樹脂層3は、可撓性基板1及び回路部品2を封止しており、回路基板の表面を保護している。
本実施形態に係る半導体装置を製造する方法は、例えば、実装工程と、封止工程と、硬化工程と、切断工程とをこの順に備える。
まず、図2に示すように、可撓性基板1の上に回路部品2を実装する。実装される複数の回路部品2は、1種類でも、2種類以上の組み合わせであってもよい。実装される回路部品2は、1個でも複数個でもよい。
次に、可撓性基板1、及び、回路部品2を封止材としての樹脂組成物又は樹脂フィルムで封止する。可撓性基板1及び回路部品2は、例えば、フィルム状の封止材(樹脂フィルム)を可撓性基板1に積層すること、封止材(樹脂組成物)を可撓性基板1に印刷すること、又は、封止材(樹脂組成物)に可撓性基板1を浸漬し、乾燥することにより封止することができる。封止は、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート、印刷法又はディッピング法等によって行うことができる。この中でも、Roll to Rollのプロセスで使用できる方法は、製造工程を短縮できる。
封止工程において可撓性基板1及び回路部品2を封止材で封止した後、封止材を硬化させることにより可撓性樹脂層3を形成し、可撓性樹脂層3を有する回路基板を得る。これにより、図1に示される半導体装置100が得られる。加熱による熱硬化、露光による光硬化、又はこれらの組み合わせにより、封止材を硬化させることができる。封止材は、回路部品2の耐熱性の観点から、熱硬化性であれば低温で硬化する材料(樹脂組成物)であってもよい。封止材は、室温で硬化できる観点から、光硬化する材料(樹脂組成物)であってもよい。
半導体装置の製造方法は、必要に応じて、例えば、図3に示すように、回路基板を切断し分離することにより、回路部品を有する複数の半導体装置を得る工程を備えることができる。これにより、複数の半導体装置を一度に大面積で製造することが可能となり、容易に製造工程を減らすことができる。
一実施形態に係る樹脂組成物は、(A)熱可塑性ポリウレタン又はスチレン系エラストマーのうち少なくとも一方を含むエラストマー、(B)重合性化合物及び(C)重合開始剤を含有し、可撓性樹脂層を形成するために用いられる。この樹脂組成物は、活性光線の照射及び/又は加熱によって硬化することができる。
[樹脂ワニスVU1の調合]
(A)成分として、ポリエーテル系熱可塑性ポリウレタン(BASFジャパン(株)「エラストンET385A」)80質量部、(B)成分として、エチレンオキサイド変性ビスフェノールA型ジメタクリレート(日立化成(株)製「ファンクリルFA−321M」)20質量部、(C)成分として、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキシド(BASF社製「イルガキュア819」)1.5質量部、及び溶剤としてトルエン125質量部を攪拌しながら混合し樹脂ワニスVU1を得た。
基材フィルムとして表面離型処理PETフィルム(帝人デュポンフィルム(株)製「ピューレックスA31」、厚み25μm)を準備した。このPETフィルムの離型処理面上にナイフコータ((株)康井精機製「SNC−350」を用いて樹脂ワニスVU1を塗布した。次いで乾燥機((株)二葉科学製「MSO−80TPS」)中100℃で20分乾燥して、樹脂フィルムを形成させた。形成された樹脂フィルムに、基材フィルムと同じ表面離型処理PETフィルムを、離型処理面が樹脂フィルム側になるよう貼付けて、積層フィルムFU1を得た。このとき樹脂フィルムの厚みは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能である。本実施例では硬化後の樹脂フィルムの膜厚が100μmとなるように調節した。
実施例1と同様の方法で、表1に示す配合比に従って樹脂ワニスVU2〜VU6を調合し、樹脂フィルムFU2〜FU6を作製した。比較例2としてシリコーンゴム製のシート状フィルムFS1(厚さ200μm)を準備した。
各樹脂フィルムに、紫外線露光機(ミカサ(株)「ML−320FSAT」)によって紫外線(波長365nm)を5000mJ/cm2照射して樹脂フィルムを硬化させることで、可撓性樹脂層を形成させた。次いで、長さ40mm、幅10mmの積層フィルムを切り出し、基材フィルム及び保護フィルムを除去して、可撓性樹脂層の測定用サンプルを得た。測定用サンプルの応力−ひずみ曲線を、オートグラフ((株)島津製作所「EZ−S」)を用いて測定し、その応力−ひずみ曲線から弾性率及び伸び率を求めた。測定時のチャック間距離は20mm、引っ張り速度は50mm/minとした。なおここでは、弾性率として荷重0.5から1.0Nにおける値を、伸び率としてサンプルが破断した際の値(破断伸び率)を測定した。
各樹脂フィルムに、紫外線露光機(ミカサ(株)「ML−320FSAT」)によって紫外線(波長365nm)を5000mJ/cm2照射して樹脂フィルムを硬化させることで、可撓性樹脂層を形成させた。その後、長さ70mm、幅5mmの積層フィルムを切り出し、基材フィルム及び保護フィルムを除去して、測定用サンプルを得た。測定用サンプルの回復率を、マイクロフォース試験機(IllinoisTool Works Inc「Instron 5948」)を用いて測定した。
積層フィルムから保護フィルムを除去し、樹脂フィルムを、スライドガラス(松浪硝子工業(株)「S1111」)上に真空加圧式ラミネータ(ニチゴー・モートン(株)「V130」)を用いて、圧力0.5MPa、温度60℃及び加圧時間60秒の条件でラミネートした。ラミネートされた樹脂フィルムに、前記紫外線露光機にて紫外線(波長365nm)を5000mJ/cm2照射して、可撓性樹脂層を形成させた。その後、基材フィルムを剥がし、可撓性樹脂層の全光線透過率、YI及びヘイズを分光ヘイズメータ(日本電色工業(株)「SH7000」)を用いて測定した。
シリコンウェハを厚さ0.1mm、10mm×10mmのサイズに加工し、これを上記実施例及び比較例で作製した樹脂フィルム(厚さは、実施例1〜5及び比較例1が100μm、比較例2が200μm)によって埋め込み可能か試験した。前記真空加圧式ラミネータを用い、圧力0.8MPa、温度90℃及び加圧時間60秒の条件で樹脂フィルムをシリコンウェハにラミネートし、そのときの埋め込みの状態を観察した。100μmの高さを有する段差を、ボイド等なく埋め込みが可能であった場合はA、埋め込みができなかった場合はCとして評価した。
2)ポリエステル系熱可塑性ポリウレタン、BASFジャパン(株)「エラストンC85A」、重量平均分子量:1.2×105
3)無黄変タイプ熱可塑性ポリウレタン、東ソー(株)「ミラクトランXN−2001」、重量平均分子量:8.1×104
4)ゴム変性ポリアミド、日本化薬(株)「カヤフレックスBPAM−155」、重量平均分子量: 3.1×104
5)シリコーンゴムシート、タイガースポリマー(株)「SR−50」
6)エチレンオキサイド変性ビスフェノールA型ジメタクリレート(日立化成(株)「ファンクリルFA−321M」)
7)ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキシド(BASFジャパン(株)「イルガキュア819」)
[樹脂ワニスVA1の調合]
(A)成分として、スチレンイソプレン共重合ポリマー(クレイトンポリマージャパン(株)「クレイトンD1117」)80質量部、(B)成分として、ブタンジオールジアクリレート(日立化成(株)製「ファンクリルFA−124AS」)20質量部、(C)成分として、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキシド(BASF社製「イルガキュア819」)1.5質量部、及び溶剤としてトルエン125質量部を攪拌しながら混合し樹脂ワニスVA1を得た。
基材フィルムとして表面離型処理PETフィルム(帝人デュポンフィルム(株)製「ピューレックスA31」、厚み25μm)を準備した。このPETフィルムの離型処理面上にナイフコータ((株)康井精機製「SNC−350」を用いて樹脂ワニスVA1を塗布した。次いで乾燥機((株)二葉科学製「MSO−80TPS」)中100℃で20分乾燥して、樹脂フィルムを形成させた。形成された樹脂フィルムに、基材フィルムと同じ表面離型処理PETフィルムを、離型処理面が樹脂フィルム側になる向きで保護フィルムとして貼付けて、積層フィルムFA1を得た。樹脂フィルムの厚みは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能である。本実施例では硬化後の樹脂フィルムの膜厚が100μmとなるように調節した。
実施例6と同様の方法で、表2に示す配合比に従って樹脂ワニスVA2〜VA8を調合し、積層フィルムFA2〜FA8を作製した。比較例2としてシリコーンゴム製のシート状フィルムFS1(厚さ200μm)を準備した。
2)水素添加型スチレンブタジエンラバー、JSR(株)「ダイナロン2324P、重量平均分子量:1.0×105
3)ゴム変性ポリアミド(日本化薬(株)「カヤフレックスBPAM−155」、重量平均分子量: 3.1×104
4)シリコーンゴムシート、タイガースポリマー(株)「SR−50」
5)ブタンジオールジアクリレート(日立化成(株)「ファンクリルFA−124AS6)ヘキサンジオールジアクリレート(日立化成(株)「ファンクリルFA−126AS
7)ノナンジオールジアクリレート(日立化成(株)「ファンクリルFA−129AS8)エチレンオキサイド変性ビスフェノールA型ジメタクリレート(日立化成(株)「ファンクリルFA−321M」)
9)ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキシド(BASFジャパン(株)「イルガキュア819」)
Claims (17)
- 可撓性基板と、前記可撓性基板上に実装された回路部品と、前記回路部品を封止する可撓性樹脂層とを有する回路基板を備える半導体装置を製造する方法であって、
封止材を前記可撓性基板に積層することにより前記回路部品を前記封止材で封止する工程と、
前記封止材を硬化させることにより、前記可撓性樹脂層を形成させる工程と、を備え、
前記封止材が(A)熱可塑性ポリウレタン又はスチレン系エラストマーのうち少なくともいずれか一方を含むエラストマー、(B)重合性化合物及び(C)重合開始剤を含有し、
(A)エラストマーの含有量が、(A)エラストマー及び(B)重合性化合物の総量に対して50〜90質量%である、方法。 - 可撓性基板と、前記可撓性基板上に実装された回路部品と、前記回路部品を封止する可撓性樹脂層とを有する回路基板を備える半導体装置を製造する方法であって、
封止材を前記可撓性基板に印刷することにより前記回路部品を前記封止材で封止する工程と、
前記封止材を硬化させることにより、前記可撓性樹脂層を形成させる工程と、を備え、 前記封止材が(A)熱可塑性ポリウレタン又はスチレン系エラストマーのうち少なくともいずれか一方を含むエラストマー、(B)重合性化合物及び(C)重合開始剤を含有し、
(A)エラストマーの含有量が、(A)エラストマー及び(B)重合性化合物の総量に対して50〜90質量%である、方法。 - 可撓性基板と、前記可撓性基板上に実装された回路部品と、前記回路部品を封止する可撓性樹脂層とを有する回路基板を備える半導体装置を製造する方法であって、
封止材に前記可撓性基板を浸漬し、乾燥することにより前記回路部品を前記封止材で封止する工程と、
前記封止材を硬化させることにより、前記可撓性樹脂層を形成させる工程と、を備え、 前記封止材が(A)熱可塑性ポリウレタン又はスチレン系エラストマーのうち少なくともいずれか一方を含むエラストマー、(B)重合性化合物及び(C)重合開始剤を含有し、
(A)エラストマーの含有量が、(A)エラストマー及び(B)重合性化合物の総量に対して50〜90質量%である、方法。 - 前記回路基板を切断する工程を更に備える、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記可撓性樹脂層が、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂及びポリエチレングリコール樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記可撓性基板及び前記可撓性樹脂層が可視域で透明である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記回路部品が2種類以上である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法により得られる、半導体装置。
- (A)熱可塑性ポリウレタン又はスチレン系エラストマーのうち少なくともいずれか一方を含むエラストマー、(B)重合性化合物及び(C)重合開始剤を含有し、
(A)エラストマーの含有量が、(A)エラストマー及び(B)重合性化合物の総量に対して50〜90質量%である、
可撓性樹脂層形成用樹脂組成物。 - (A)エラストマーが前記熱可塑性ポリウレタンを含む、請求項9に記載の可撓性樹脂層形成用樹脂組成物。
- (A)エラストマーが前記スチレン系エラストマーを含む、請求項9に記載の可撓性樹脂層形成用樹脂組成物。
- (B)重合性化合物が、エチレン性不飽和基を含む、請求項9〜11のいずれか一項に記載の可撓性樹脂層形成用樹脂組成物。
- (C)重合開始剤が、光ラジカル重合開始剤である、請求項9〜12のいずれか一項に記載の可撓性樹脂層形成用樹脂組成物。
- (B)重合性化合物の含有量が、(A)エラストマー及び(B)重合性化合物の総量に対して10〜50質量%であり、
(C)重合開始剤の含有量が、(A)エラストマー及び(B)重合性化合物の総量100質量部に対して0.1〜10質量部である、
請求項9〜13のいずれか一項に記載の可撓性樹脂層形成用樹脂組成物。 - 当該樹脂組成物が封止材である、請求項9〜14のいずれか一項に記載の可撓性樹脂層形成用樹脂組成物。
- 請求項9〜15のいずれか一項に記載の可撓性樹脂層形成用脂組成物からなる樹脂フィルム。
- 可撓性基板と、該可撓性基板上に実装された回路部品と、該回路部品を封止する可撓性樹脂層と、を有する回路基板を備え、
前記可撓性樹脂層が、請求項9〜14のいずれか一項に記載の可撓性樹脂層形成用樹脂組成物を硬化した層である、半導体装置。
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