JP2019160965A - 導体基板、配線基板及びそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】取り扱い性に優れ、かつ伸縮性を有する配線基板を、高い生産性で簡便に製造することを可能にする導体基板を提供する。【解決手段】伸縮性樹脂層と、伸縮性樹脂層の一方の主面上に設けられた導体箔又は導体めっき膜と、を有し、伸縮性樹脂層の他方の主面の表面粗さＲａ値が０．１μｍ以上である導体基板を提供する。【選択図】なし

Description

本発明の一側面は、高い伸縮性を有することのできる配線基板、及びその製造方法に関する。本発明の別の側面は、係る配線基板を形成するために用いることのできる導体基板、及びその製造方法に関する。

近年、ウェアラブル機器及びヘルスケア関連機器等の分野において、例えば身体の曲面又は関節部に沿って使用できると共に、脱着しても接続不良が生じにくいためのフレキシブル性及び伸縮性が求められている。このような機器を構成するためには、高い伸縮性を持つ配線基板又は基材が求められる。

特許文献１には、伸縮性を有する可撓性樹脂層を形成できる樹脂組成物を用いてメモリーチップ等の半導体素子を封止する方法が記載されている。特許文献１では、伸縮性を有する可撓性樹脂層を形成できる樹脂組成物の封止用途への適用が主として検討されている。

国際公開第２０１６／０８０３４６号

配線基板に伸縮性を付与する手法として、あらかじめ伸長させた基板に金属薄膜を蒸着し、伸長を緩和することによりシワ状の金属配線を形成するプレストレッチ法が提案されている。しかし、この手法は、金属蒸着により導体を形成する長時間の真空プロセスを必要とするため、生産効率の点で十分でなかった。

伸縮性エラストマー中に導電粒子等が分散している伸縮性導電ペーストを使用した印刷により、伸縮性を有する配線を簡便に形成する手法も提案されている。しかし、導電ペーストによる配線は、金属配線と比較して抵抗値が高いことに加え、伸長時の抵抗値が増加するという問題を有していた。

また、高い伸縮性を有する可撓性樹脂層（伸縮性樹脂層）は、比較的高い粘着性を有する傾向があるため、伸縮性樹脂層を有する配線基板及び当該配線基板を形成できる導体基板の取扱い性において改善の余地がある。

このような状況において、本発明の一側面は、取り扱い性に優れ、かつ伸縮性を有する配線基板を、高い生産性で簡便に製造することを可能にする導体基板を提供することを目的とする。

本発明者らは鋭意検討の結果、伸縮性樹脂層と導体箔とを組み合わせることにより、上記課題を解決できることを見出した。すなわち、本発明の一側面は、伸縮性樹脂層と、伸縮性樹脂層の一方の主面上に設けられた導体箔と、を有し、伸縮性樹脂層の他方の主面の表面粗さＲａ値が０．１μｍ以上である導体基板を提供する。

さらに本発明者らは、伸縮性樹脂層上に導体層として導体めっき膜を形成することにより、上記課題を解決できることを見出した。すなわち、本発明の別の一側面は、伸縮性樹脂層と、伸縮性樹脂層の一方の主面上に設けられた導体めっき膜と、を有し、伸縮性樹脂層の他方の主面の表面粗さＲａ値が０．１μｍ以上である導体基板を提供する。

本発明の一側面に係る導体基板は、取扱い性に優れ、かつ伸縮性を有する配線基板を高い生産性で簡便に製造することができる。本発明のいくつかの側面に係る導体基板は、高い耐熱性を有することができる。また、本発明の一側面に係る伸縮性を有する配線基板は、導体基板から高い生産性で簡便に製造されることができる。

回復率の測定例を示す応力−ひずみ曲線である。 配線基板の一実施形態を示す平面図である。 耐熱性試験の温度プロファイルを示すグラフである。

以下、本発明のいくつかの実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。

一実施形態に係る導体基板は、伸縮性樹脂層と、伸縮性樹脂層の一方の主面上に設けられた導体層とを有し、伸縮性樹脂層の他方の主面の表面粗さＲａ値が０．１μｍ以上である。一実施形態に係る配線基板は、伸縮性樹脂層と、伸縮性樹脂層の片面上又は両面上に設けられ、配線パターンを形成している導体層とを有する。導体層は、導体箔又は導体めっき膜であることができる。

＜導体基板＞
［導体箔］
導体箔の弾性率は、４０〜３００ＧＰａであってもよい。導体箔の弾性率が４０〜３００ＧＰａであることにより、配線基板の伸長による導体箔の破断が生じ難い傾向がある。同様の観点から、導体箔の弾性率は５０ＧＰａ以上又は２８０ＧＰａ以上であってもよく、６０ＧＰａ以下又は２５０ＧＰａ以下であってもよい。ここでの導体箔の弾性率は、共振法によって測定される値であることができる。

導体箔は、金属箔であることができる。金属箔としては、銅箔、チタン箔、ステンレス箔、ニッケル箔、パーマロイ箔、４２アロイ箔、コバール箔、ニクロム箔、ベリリウム銅箔、燐青銅箔、黄銅箔、洋白箔、アルミニウム箔、錫箔、鉛箔、亜鉛箔、半田箔、鉄箔、タンタル箔、ニオブ箔、モリブデン箔、ジルコニウム箔、金箔、銀箔、パラジウム箔、モネル箔、インコネル箔、ハステロイ箔などが挙げられる。適切な弾性率等の観点から、導体箔は、銅箔、金箔、ニッケル箔、及び鉄箔から選ばれてもよい。配線形成性の観点から、導体箔は銅箔であってもよい。銅箔は、フォトリソグラフィーにより、伸縮性樹脂基材の特性を損なわずに、簡易的に配線パターンを形成できる。

銅箔としては、特に制限はなく、例えば銅張積層板及びフレキシブル配線板等に用いられる電解銅箔及び圧延銅箔を使用できる。市販の電解銅箔としては、例えばＦ０−ＷＳ-１８（古河電気工業株式会社製、商品名）、ＮＣ−ＷＳ−２０（古河電気工業株式会社製、商品名）、ＹＧＰ−１２（日本電解株式会社製、商品名）、ＧＴＳ−１８（古河電気工業株式会社製、商品名）、及びＦ２−ＷＳ−１２（古河電気工業株式会社製、商品名）が挙げられる。圧延銅箔としては、例えばＴＰＣ箔（ＪＸ金属株式会社製、商品名）、ＨＡ箔（ＪＸ金属株式会社製、商品名）、ＨＡ−Ｖ２箔（ＪＸ金属株式会社製、商品名）、及びＣ１１００Ｒ（三井住友金属鉱山伸銅株式会社製、商品名）が挙げられる。伸縮性樹脂層との密着性の観点から、粗化処理を施している銅箔を使用してもよい。耐折性の観点から、圧延銅箔を用いてもよい。

金属箔は、粗化処理によって形成された粗化面を有していてもよい。この場合、通常、粗化面が伸縮性樹脂層に接する向きで、金属箔が伸縮性樹脂層上に設けられる。伸縮性樹脂層と金属箔との密着性の観点から、粗化面の表面粗さＲａ値は、０．１〜３μｍ、又は０．２〜２．０μｍであってもよい。微細な配線を容易に形成するために、粗化面の表面粗さＲａ値が０．３〜１．５μｍであってもよい。

表面粗さＲａ値は、例えば、表面形状測定装置Ｗｙｋｏ ＮＴ９１００（Ｖｅｅｃｏ社製）を用いて、以下の条件で測定することができる。
測定条件
内部レンズ：１倍
外部レンズ：５０倍
測定範囲：０．１２０×０．０９５ｍｍ
測定深度：１０μｍ
測定方式：垂直走査型干渉方式（ＶＳＩ方式）

導体箔の厚みは、特に制限はないが、１〜５０μｍであってもよい。導体箔の厚みが１μｍ以上であると、より容易に配線パターンを形成することができる。導体箔の厚みが５０μｍ以下であると、エッチング及び取り扱いが特に容易である。

導体箔は、伸縮性樹脂層の片面又は両面上に設けられる。伸縮性樹脂層の両面上に導体箔を設けることにより、硬化等のための加熱による反りを抑制することができる。

導体箔を設ける方法は特に制限されないが、例えば、伸縮性樹脂層を形成するための樹脂組成物を金属箔に直接塗工する方法、及び、伸縮性樹脂層を形成するための樹脂組成物をキャリアフィルムに塗工して樹脂層を形成し、形成された樹脂層を導体箔上に積層する方法がある。

［導体めっき膜］
導体めっき膜は、アディティブ法又はセミアディティブ法に用いられる通常のめっき法により形成することができる。例えば、パラジウムを付着させるめっき触媒付与処理を行った後、伸縮性樹脂層を無電解めっき液に浸漬してプライマーの表面全面に厚み０．３〜１．５μｍの無電解めっき層（導体層）を析出させる。必要に応じて、電解めっき（電気めっき）をさらに行って、必要な厚みに調整することができる。無電解めっきに用いる無電解めっき液としては、任意の無電解めっき液を用いることが可能であり、特に制限はない。電解めっきについても通常の方法を採用することが可能であり、特に制限はない。導体めっき膜（無電解めっき膜、電解めっき膜）は、コスト面及び抵抗値の観点から銅めっき膜であってもよい。

さらに不要な箇所をエッチング除去して回路層を形成することができる。エッチングに用いられるエッチング液は、めっきの種類により適宜選択できる。例えば、導体が銅めっきである場合、エッチングに用いられるエッチング液としては、例えば濃硫酸と過酸化水素水との混合溶液、塩化第二鉄溶液等を使用できる。

導体めっき膜との接着力を向上させるために、伸縮性樹脂層上にあらかじめ凹凸を形成してもよい。凹凸を形成する手法としては、例えば銅箔の粗化面を転写する方法が挙げられる。銅箔としては、例えばＹＧＰ−１２（日本電解株式会社製、商品名）、ＧＴＳ−１８（古河電気工業株式会社製、商品名）又はＦ２−ＷＳ−１２（古河電気工業株式会社製、商品名）を用いることができる。

銅箔の粗化面を転写する手法としては、例えば銅箔の粗化面に伸縮性樹脂層を形成するための樹脂組成物を直接塗工する方法、及び、伸縮性樹脂層を形成するための樹脂組成物をキャリアフィルムに塗工後、樹脂層（伸縮性樹脂組成物層）を銅箔上に成型する方法がある。伸縮性樹脂層の両面上に導体めっき膜を形成することにより、硬化等のための加熱による反りを抑制することができる。

導体めっき膜との高接着化を目的として、伸縮性樹脂層に表面処理を施してもよい。表面処理としては、例えば一般的な配線板の製造工程に用いられる粗化処理（デスミア処理）、ＵＶ処理、及びプラズマ処理が挙げられる。

デスミア処理としては、一般的な配線板の製造工程で用いられる方法を用いてもよく、例えば過マンガン酸ナトリウム水溶液を用いることができる。

［伸縮性樹脂層］
伸縮性樹脂層の導体層を設けていない主面の表面粗さＲａ値は、０．１μｍ以上である。当該Ｒａ値が０．１μｍ以上であることにより、伸縮性樹脂層表面の粘着性が低く、取扱い性が優れる。同様の観点から、当該Ｒａ値は、０．２μｍ以上であるのが好ましく、０．３μｍ以上であるのがより好ましく、０．４μｍ以上であるのが特に好ましい。当該Ｒａ値の上限値は、特に限定されないが、基材強度の観点から、２．０μｍ以下であってもよい。

表面粗さＲａ値は、例えば、段差計（株式会社小坂研究所製、ＥＴ−２００）を用いて測定され得る。

粘着性は、タック値により評価できる。タック値が高いと、粘着性が高くなり、タック値が低いと、粘着性が低くなる。伸縮性樹脂層の導体層を設けていない主面のタック値は、０．７ｇｆ／ｍｍ^２以下（６．９ｋＰａ以下）であるのが好ましく、０．５ｇｆ／ｍｍ^２以下（４．９ｋＰａ以下）であるのがより好ましく、０．４ｇｆ／ｍｍ^２以下（３．９ｋＰａ以下）であるのが特に好ましい。当該タック値の下限値は、特に限定されなく、０ｇｆ／ｍｍ^２（０ｋＰａ）であってもよい。タック値は、例えば、タッキング試験機（株式会社レスカ製「ＴＡＣＩＩ」）を用いて測定され得る。

伸縮性樹脂層に凹凸を付与することにより、伸縮性樹脂層の表面粗さＲａ値を上記範囲内にすることができる。伸縮性樹脂層に凹凸を付与する方法としては特に制限を設けないが、例えば、Ｂステージの状態の伸縮性樹脂層又は硬化反応後の伸縮性樹脂層に凹凸転写基材を用いて凹凸パターンを転写した後、凹凸転写基材を剥離する手法が考えられる。また、硬化反応後の伸縮性樹脂層にエッチング処理、熱インプリント加工等のインプリント加工を施す手法も考えられる。さらに、金属箔の粗化面を伸縮性樹脂層に圧着し、金属箔層をエッチングする手法も考えられる。しかしながら、伸縮性樹脂層に凹凸を付与する方法としてはこれらの例に何ら限定されない。

本実施形態において、伸縮性樹脂層に凹凸を付与する方法の一つとして、印象材の使用が挙げられる。印象材とは、高精細な立体構造を正確に転写することが可能な材料である。構造を転写した印象材を基材に圧着し、印象材を取り除くことで、基材に構造を転写することができる。印象材の材質としては、寒天、アルギン酸塩、多硫化ゴム、ポリエーテルゴム、シリコーンエラストマー等が挙げられる。基材に構造を転写した後、基材から印象材を取り除く際の印象材と基材との間の離型性の観点から、印象材の材料はシリコーンエラストマーが好ましい。

印象材を使用して伸縮性樹脂層に凹凸を付与する方法としては、例えば、粗化面を有する金属箔の粗化面に印象材を塗布し、得られた塗膜を乾燥機で乾燥した後、塗膜を金属箔から剥がして凹凸転写フィルムを形成させる工程と、伸縮性樹脂層に凹凸転写フィルムをラミネートした後、凹凸転写フィルムを剥離することにより、伸縮性樹脂層に凹凸を形成させる工程とを有することができる。粗化面を有する金属箔としては、特に制限されないが、伸縮性樹脂層表面に形成される表面粗さＲａ値により選択することができ、例えば、電解銅箔Ｆ１−ＷＳ−１８（古河電気工業株式会社製、粗化面の表面粗さＲａ値：０．３μｍ）、電解銅箔Ｆ０−ＷＳ−１８（古河電気工業株式会社製、粗化面の表面粗さＲａ値：０．２μｍ）が挙げられる。ラミネートは、例えば真空加圧式ラミネータを使用することができる。また、ラミネートの条件（例えば圧力、温度、加圧時間等）を選択することにより、伸縮性樹脂層表面の表面粗さＲａ値を調整することができる。

伸縮性樹脂層の導体箔を設けていない主面にさらに粗化面を有する導体箔を積層することにより、伸縮性樹脂層の両面上に導体箔が形成された積層板を作製してもよい。伸縮性樹脂層の両面上に導体層を形成することにより、硬化時の積層板の反りを抑制することができる。この導体箔の不要部位を除去することで、伸縮性樹脂層に導体箔の粗化面の凹凸が転写される。

伸縮性樹脂層は、例えば歪み２０％まで引張変形した後の回復率が８０％以上であるような、伸縮性を有することができる。この回復率は、伸縮性樹脂層の測定サンプルを用いた引張試験において求められる。１回目の引っ張り試験で加えたひずみ（変位量）をＸ、次に初期位置に戻し再度引っ張り試験を行ったときに荷重が掛かり始めるときの位置とＸとの差をＹとし、式：Ｒ（％）＝（Ｙ／Ｘ）×１００で計算されるＲが、回復率として定義される。回復率は、Ｘを２０％として測定することができる。図１は、回復率の測定例を示す応力−ひずみ曲線である。繰り返しの使用に対する耐性の観点から、回復率が８０％以上、８５％以上、又は９０％以上であってもよい。回復率の定義上の上限は１００％である。

伸縮性樹脂層の弾性率（引張弾性率）は、０．１ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下であってもよい。弾性率が０．１ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下であると、基材としての取り扱い性及び可撓性が特に優れる傾向がある。この観点から、弾性率が０．３ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下、又は０．５ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であってもよい。

伸縮性樹脂層の破断伸び率は、１００％以上であってもよい。破断伸び率が１００％以上であると、十分な伸縮性が得られ易い傾向がある。この観点から、破断伸び率は１５０％以上、２００％以上、３００％以上又は５００％以上であってもよい。破断伸び率の上限は、特に制限されないが、通常１０００％程度以下である。

伸縮性樹脂層は、（Ａ）ゴム成分を含有することができる。主にこのゴム成分によって、伸縮性樹脂層に容易に伸縮性が付与される。ゴム成分の含有量が、伸縮性樹脂層１００質量％に対して３０〜１００質量％、５０〜１００質量％又は７０〜１００質量％であってもよい。

ゴム成分は、例えば、アクリルゴム、イソプレンゴム、ブチルゴム、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、フッ素ゴム、硫化ゴム、エピクロルヒドリンゴム、及び塩素化ブチルゴムからなる群より選ばれる少なくとも１種のゴムを含むことができる。吸湿等による配線へのダメージを保護する観点から、ガス透過性が低いゴム成分を用いてもよい。係る観点から、ゴム成分が、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、及びブチルゴムから選ばれる少なくとも１種を含んでもよい。スチレンブタジエンゴムを用いることにより、めっき工程に使用する各種薬液に対する伸縮性樹脂層の耐性が向上し、歩留まりよく配線基板を製造することができる。

アクリルゴムの市販品としては、例えば日本ゼオン株式会社「Ｎｉｐｏｌ ＡＲシリーズ」、クラレ株式会社「クラリティシリーズ」が挙げられる。

イソプレンゴムの市販品としては、例えば日本ゼオン株式会社「Ｎｉｐｏｌ ＩＲシリーズ」が挙げられる。

ブチルゴムの市販品としては、例えばＪＳＲ株式会社「ＢＵＴＹＬシリーズ」などが挙げられる。

スチレンブタジエンゴムの市販品としては、例えばＪＳＲ株式会社「ダイナロンＳＥＢＳシリーズ」、「ダイナロンＨＳＢＲシリーズ」、クレイトンポリマージャパン株式会社「クレイトンＤポリマーシリーズ」、アロン化成株式会社「ＡＲシリーズ」が挙げられる。

ブタジエンゴムの市販品としては、例えば日本ゼオン株式会社「Ｎｉｐｏｌ ＢＲシリーズ」 などが挙げられる。

アクリロニトリルブタジエンゴムの市販品としては、例えばＪＳＲ株式会社「ＪＳＲ ＮＢＲシリーズ」が挙げられる。

シリコーンゴムの市販品としては、例えば信越シリコーン株式会社「ＫＭＰシリーズ」が挙げられる。

エチレンプロピレンゴムの市販品としては、例えばＪＳＲ株式会社「ＪＳＲ ＥＰシリーズ」などが挙げられる。

フッ素ゴムの市販品としては、例えばダイキン株式会社「ダイエルシリーズ」などが挙げられる。

エピクロルヒドリンゴムの市販品としては、例えば日本ゼオン株式会社「Ｈｙｄｒｉｎシリーズ」が挙げられる。

ゴム成分は、合成により作製することもできる。例えば、アクリルゴムでは、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル、芳香族ビニル化合物、シアン化ビニル化合物等を反応させることにより得られる。

ゴム成分は、架橋基を有するゴムを含んでいてもよい。架橋基を有するゴムを用いることにより、伸縮性樹脂層の耐熱性が向上し易い傾向がある。架橋基は、ゴム成分の分子鎖を架橋する反応を進行させ得る反応性基であればよい。その例としては、後述する（Ｂ）架橋成分が有する反応性基、酸無水物基、アミノ基、水酸基、エポキシ基及びカルボキシル基が挙げられる。

ゴム成分は、酸無水物基又はカルボキシル基のうち少なくとも一方の架橋基を有するゴムを含んでいてもよい。酸無水物基を有するゴムの例としては、無水マレイン酸で部分的に変性されたゴムが挙げられる。無水マレイン酸で部分的に変性されたゴムは、無水マレイン酸に由来する構成単位を含む重合体である。無水マレイン酸で部分的に変性されたゴムの市販品としては、例えば、旭化成株式会社製のスチレン系エラストマー「タフプレン９１２」がある。

無水マレイン酸で部分的に変性されたゴムは、無水マレイン酸で部分的に変性された水素添加型スチレン系エラストマーであってもよい。水素添加型スチレン系エラストマーは、耐候性向上などの効果も期待できる。水素添加型スチレン系エラストマーは、不飽和二重結合を含むソフトセグメントを有するスチレン系エラストマーの不飽和二重結合に水素を付加反応させて得られるエラストマーである。無水マレイン酸で部分的に変性された水素添加型スチレン系エラストマーの市販品の例としては、クレイトンポリマージャパン株式会社の「ＦＧ１９０１」、「ＦＧ１９２４」、旭化成株式会社の「タフテックＭ１９１１」、「タフテックＭ１９１３」、「タフテックＭ１９４３」がある。

ゴム成分の重量平均分子量は、塗膜性の観点から、２００００〜２０００００、３００００〜１５００００、又は５００００〜１２５０００であってもよい。ここでの重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって求められる標準ポリスチレン換算値を意味する。

伸縮性樹脂層は、（Ａ）ゴム成分を含有する樹脂組成物の硬化物であってもよい。この場合、伸縮性樹脂層を形成するための樹脂組成物として硬化性樹脂組成物が用いられる。この硬化性樹脂組成物は、例えば、（Ｂ）架橋成分をさらに含有していてもよい。すなわち、伸縮性樹脂層は、（Ｂ）架橋成分の架橋重合体をさらに含有していてもよい。架橋成分は、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、アミノ基、イソシアヌレート基、ウレイド基、シアネート基、イソシアネート基、メルカプト基、水酸基、及びカルボキシル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の反応性基を有する化合物であってもよく、これら反応性基の反応によって架橋重合体を含む硬化物を形成することができる。伸縮性樹脂層の耐熱性向上の観点から、架橋成分は、エポキシ基、アミノ基、水酸基、及びカルボキシル基から選ばれる反応性基を有する化合物であってもよい。これらの化合物は、単独で又は２種類以上を組み合わせることができる。

（メタ）アクリロイル基を有する化合物としては、（メタ）アクリレート化合物が挙げられる。（メタ）アクリレート化合物は、単官能、２官能又は多官能のいずれでもよく、特に制限はないが、十分な硬化性を得るためには２官能又は多官能の（メタ）アクリレートであってもよい。

単官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネートなどの脂肪族（メタ）アクリレート；シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）テトラヒドロフタレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロフタレートなどの脂環式（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ−ビフェニル（メタ）アクリレート、１−ナフチル（メタ）アクリレート、２−ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ−クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（ｏ−フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（１−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（２−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレートなどの芳香族（メタ）アクリレート；２−テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、２−（メタ）アクリロイロキシエチル−Ｎ−カルバゾールなどの複素環式（メタ）アクリレート、これらのカプロラクトン変性体が挙げられる。これらの中でもスチレン系エラストマーとの相溶性、また透明性及び耐熱性の観点から、上記脂肪族（メタ）アクリレート及び上記芳香族（メタ）アクリレートから単官能（メタ）アクリレートを選択してもよい。

２官能（メタ）アクリレートとしては、例えばエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、３−メチル−１，５−ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、２−ブチル−２−エチル−１，３−プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化２−メチル−１，３−プロパンジオールジ（メタ）アクリレートなどの脂肪族（メタ）アクリレート；シクロヘキサンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化シクロヘキサンジメタノール（メタ）アクリレート、プロポキシ化シクロヘキサンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化シクロヘキサンジメタノール（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化水添ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化水添ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化水添ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレートなどの脂環式（メタ）アクリレート；エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡＦジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＡＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレートなどの芳香族（メタ）アクリレート；エトキシ化イソシアヌル酸ジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化イソシアヌル酸ジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化イソシアヌル酸ジ（メタ）アクリレートなどの複素環式（メタ）アクリレート；これらのカプロラクトン変性体；ネオペンチルグリコール型エポキシ（メタ）アクリレートなどの脂肪族エポキシ（メタ）アクリレート；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ（メタ）アクリレート、水添ビスフェノールＡ型エポキシ（メタ）アクリレート、水添ビスフェノールＦ型エポキシ（メタ）アクリレートなどの脂環式エポキシ（メタ）アクリレート；レゾルシノール型エポキシ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ型エポキシ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＦ型エポキシ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡＦ型エポキシ（メタ）アクリレート、フルオレン型エポキシ（メタ）アクリレートなどの芳香族エポキシ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの中でもスチレン系エラストマーとの相溶性、また透明性及び耐熱性の観点から、上記脂肪族（メタ）アクリレート及び上記芳香族（メタ）アクリレートから２官能（メタ）アクリレートを選択してもよい。

３官能以上の多官能（メタ）アクリレートとしては、例えばトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどの脂肪族（メタ）アクリレート；エトキシ化イソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化イソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化イソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレートなどの複素環式（メタ）アクリレート；これらのカプロラクトン変性体；フェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレートなどの芳香族エポキシ（メタ）アクリレートが挙げられる。これらの中でもスチレン系エラストマーとの相溶性、また透明性及び耐熱性の観点から、上記脂肪族（メタ）アクリレート及び上記芳香族（メタ）アクリレートから多官能（メタ）アクリレートを選択してもよい。

無水マレイン酸基又はカルボキシル基を有するゴムと、エポキシ基を有する化合物（エポキシ樹脂）との組み合わせにより、伸縮性樹脂層の耐熱性及び低透湿度、伸縮性樹脂層と導電層との密着性、及び、硬化後の樹脂層の低いタック性の点で、特に優れた効果が得られる。伸縮性樹脂層の耐熱性が向上すると、例えば窒素リフローのような加熱工程における伸縮性樹脂層の劣化を抑制することができる。硬化後の樹脂層が低いタック性を有すると、作業性良く導体基板又は配線基板を取り扱うことができる。

エポキシ基を含有する化合物は、分子内にエポキシ基を有していれば特に制限されず、例えば一般的なエポキシ樹脂であることができる。エポキシ樹脂としては、単官能、２官能又は多官能のいずれでもよく、特に制限はないが、十分な硬化性を得るためには２官能又は多官能のエポキシ樹脂を用いてもよい。

エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、フェノールノボラック型、ナフタレン型、ジシクロペンタジエン型、クレゾールノボラック型などが挙げられる。脂肪鎖で変性したエポキシ樹脂は、柔軟性を付与できる。市販の脂肪鎖変性エポキシ樹脂としては、例えばＤＩＣ株式会社製のＥＸＡ−４８１６が挙げられる。硬化性、低タック性、及び耐熱性の観点から、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、ナフタレン型、ジシクロペンタジエン型を選択してもよい。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせることができる。

架橋成分から形成された架橋重合体の含有量は、伸縮性樹脂層の質量を基準として、１０〜５０質量％であってもよい。架橋成分から形成された架橋重合体の含有量が上記の範囲であれば、伸縮性樹脂層の特性を維持したまま、導体箔又は導体めっき膜との密着力が向上する傾向がある。以上の観点から、架橋成分から形成された架橋重合体の含有量が１５〜４０質量％であってもよい。伸縮性樹脂層を形成するための樹脂組成物における架橋成分の含有量が、これら範囲内にあってもよい。

伸縮性樹脂層、又はこれを形成するために用いられる樹脂組成物は、（Ｃ）成分として添加剤をさらに含有することもできる。（Ｃ）添加剤は、硬化剤又は硬化促進剤のうち少なくとも一方であってもよい。硬化剤は、それ自体が硬化反応に関与する化合物であり、硬化促進剤は、硬化反応の触媒として機能する化合物である。硬化剤及び硬化促進剤の両方の機能を有する化合物を用いることもできる。硬化剤は、重合開始剤であってもよい。これらは樹脂組成物が含有する他の成分に応じて適宜選択できる。例えば、（メタ）アクリレート化合物等を含有する樹脂組成物であれば、重合開始剤を添加してもよい。重合開始剤としては、加熱又は紫外線などの照射によって重合を開始させるものであれば特に制限はなく、例えば熱ラジカル重合開始剤、又は光ラジカル重合開始剤を用いることができる。熱ラジカル重合開始剤は、樹脂組成物の反応を均一に進行させ易い。光ラジカル重合開始剤は、常温硬化が可能なことから、デバイスの熱による劣化を防止するという点、及び、伸縮性樹脂層の反りを抑制できるという点で有利である。

熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、メチルエチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、メチルシクロヘキサノンパーオキシドなどのケトンパーオキシド；１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンなどのパーオキシケタール；ｐ−メンタンヒドロパーオキシドなどのヒドロパーオキシド；α，α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキシド、ｔ−ブチルクミルパーオキシド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシドなどのジアルキルパーオキシド；オクタノイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ステアリルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシドなどのジアシルパーオキシド；ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−３−メトキシブチルパーオキシカーボネートなどのパーオキシカーボネート；ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウリレート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテートなどのパーオキシエステル；２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２’−ジメチルバレロニトリル）などのアゾ化合物が挙げられる。これらの中で、硬化性、透明性、及び耐熱性の観点から、上記ジアシルパーオキシド、上記パーオキシエステル、及び上記アゾ化合物から熱ラジカル重合開始剤を選択してもよい。

光ラジカル重合開始剤としては、例えば２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンなどのベンゾインケタール；１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オンなどのα−ヒドロキシケトン；２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、１，２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オンなどのα−アミノケトン；１−［（４−フェニルチオ）フェニル］−１，２−オクタジオン−２−（ベンゾイル）オキシムなどのオキシムエステル；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシドなどのホスフィンオキシド；２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体などの２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノンなどのベンゾフェノン化合物；２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノンなどのキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテルなどのベンゾインエーテル；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾインなどのベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタールなどのベンジル化合物；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９’−アクリジニルヘプタン）などのアクリジン化合物：Ｎ−フェニルグリシン、クマリンなどが挙げられる。

２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体において、２つのトリアリールイミダゾール部位のアリール基の置換基は、同一で対称な化合物を与えてもよく、相違して非対称な化合物を与えてもよい。ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン化合物と３級アミンとを組み合わせてもよい。

これらの中で、硬化性、透明性、及び耐熱性の観点から、上記α−ヒドロキシケトン及び上記ホスフィンオキシドから光ラジカル重合開始剤を選択してもよい。これらの熱及び光ラジカル重合開始剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせることができる。さらに、適切な増感剤と組み合わせることもできる。

伸縮性樹脂層を形成するための硬化性樹脂組成物が（Ａ）ゴム成分、（Ｂ）架橋成分及び（Ｃ）成分としての硬化剤を含有する場合、硬化剤（又は重合開始剤）の含有量は、ゴム成分及び架橋成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜１０質量部であってもよい。硬化剤（又は重合開始剤）の含有量が０．１質量部以上であると、十分な硬化が得られ易い傾向がある。硬化剤（又は重合開始剤）の含有量が１０質量部以下であると十分な光透過性が得られ易い傾向がある。以上の観点から、硬化剤（又は重合開始剤）の含有量は０．３〜７質量部、又は０．５〜５質量部であってもよい。

硬化剤は、脂肪族ポリアミン、ポリアミノアミド、ポリメルカプタン、芳香族ポリアミン、酸無水物、カルボン酸、フェノールノボラック樹脂、エステル樹脂、及びジシアンジアミドからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。これらの硬化剤は、例えばエポキシ基を有する化合物（エポキシ樹脂）と組みわせることができる。

エポキシ樹脂を含有する樹脂組成物に、（Ｃ）成分として、三級アミン、イミダゾール、酸無水物、及びホスフィンから選ばれる硬化促進剤を添加してもよい。ワニスの保存安定性及び硬化性の観点から、イミダゾールを使用してもよい。ゴム成分が無水マレイン酸で部分的に変性されたゴムを含む場合、これと相溶するイミダゾールを選択してもよい。

伸縮性樹脂層を形成するための樹脂組成物が（Ａ）ゴム成分及び（Ｂ）架橋成分を含有する場合、イミダゾールの含有量は、ゴム成分及び架橋成分の合計量１００質量部に対して、０．１〜１０質量部であってもよい。イミダゾールの含有量が０．１質量部以上であると、十分な硬化が得られ易い傾向がある。イミダゾールの含有量が１０質量部以下であると十分な耐熱性が得られ易い傾向がある。以上の観点から、イミダゾールの含有量は０．３〜７質量部、又は０．５〜５質量部であってもよい。

伸縮性樹脂層を形成するための樹脂組成物が（Ａ）ゴム成分、（Ｂ）架橋成分及び（Ｃ）添加剤を含有する場合、ゴム成分の含有量は、（Ａ）ゴム成分、（Ｂ）架橋成分及び（Ｃ）成分の総量を基準として、３０〜９８質量％、５０〜９７質量％、又は６０〜９５質量％であってもよい。ゴム成分の含有量が３０質量％以上であると、十分な伸縮性が得られ易い。ゴム成分の含有量が９８質量％以下であると、伸縮性樹脂層が密着性、絶縁信頼性、及び耐熱性の点で特に優れた特性を有する傾向がある。

伸縮性樹脂層、又はこれを形成するための樹脂組成物は、以上の成分の他、必要に応じて、酸化防止剤、黄変防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収剤、着色剤、可塑剤、安定剤、充填剤、難燃剤、レベリング剤などを、本発明の効果を著しく損なわない範囲でさらに含んでもよい。

特に、伸縮性樹脂層、又はこれを形成するための樹脂組成物は、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、及び加水分解防止剤からなる群より選ばれる少なくとも１種の劣化防止剤を含有してもよい。酸化防止剤は、酸化による劣化を抑制する。また、酸化防止剤は、高温化での十分な耐熱性を伸縮性樹脂層に付与する。熱安定剤は、高温下での安定性を伸縮性樹脂層に付与する。光安定剤の例としては、紫外線による劣化を防止する紫外線吸収剤、光を遮断する光遮断剤、有機材料が吸収した光エネルギーを受容して有機材料を安定化する消光機能を有する消光剤が挙げられる。加水分解防止剤は、水分による劣化を抑制する。劣化防止剤は、酸化防止剤、熱安定剤、及び紫外線吸収剤からなる群から選択される少なくとも１種であってもよい。劣化防止剤としては、以上例示した成分から１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。より優れた効果を得るために、２種以上の劣化防止剤を併用してもよい。

酸化防止剤は、例えば、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、及びホスファイト系酸化防止剤からなる群より選ばれる１種以上であってもよい。より優れた効果を得るために、２種以上の酸化防止剤を併用してもよい。フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用してもよい。

フェノール系酸化防止剤は、フェノール性水酸基のオルト位にｔ−ブチル基（ターシャルブチル基）及びトリメチルシリル基等の立体障害の大きい置換基を有する化合物であってもよい。フェノール系酸化防止剤は、ヒンダードフェノール系酸化防止剤とも称される。

フェノール系酸化防止剤は、例えば２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、３−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，２’−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン及びテトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタンからなる群より選ばれる１種以上の化合物であってもよい。フェノール系酸化防止剤は、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン及びテトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタンに代表される高分子型フェノール系酸化防止剤であってもよい。

ホスファイト系酸化防止剤は、例えば、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、４，４’−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェニルジトリデシル）ホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス（ノニルフェニル）ホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス（ジノニルフェニル）ホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルトリス（ノニルフェニル）ホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルトリス（ジノニルフェニル）ホスファイト、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキシド、ジイソデシルペンタエリスリトールジホスファイト及びトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイトからなる群より選ばれる１種以上の化合物であってもよく、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイトであってもよい。

その他の酸化防止剤の例として、Ｎ−メチル−２−ジメチルアミノアセトヒドロキサム酸に代表されるヒドロキシルアミン系酸化防止剤、ジラウリル３，３’−チオジプロピオネートに代表される硫黄系酸化防止剤が挙げられる。

酸化防止剤の含有量は、伸縮性樹脂層又はこれを形成するための樹脂組成物の質量を基準として、０．１〜２０質量％であってもよい。酸化防止剤の含有量が０．１質量％以上であると、伸縮性樹脂層の十分な耐熱性が得られ易い。酸化防止剤の含有量が２０質量％以下であると、ブリード及びブルームを抑制できる。

酸化防止剤の分子量は、加熱中の昇華防止の観点から、４００以上、６００以上、又は７５０以上であってもよい。２種以上の酸化防止剤を含む場合、それらの分子量の平均が上記範囲であってもよい。

熱安定剤（熱劣化防止剤）としては、高級脂肪酸の亜鉛塩とバリウム塩の組み合わせのような金属石けん又は無機酸塩、有機スズマレエート及び有機スズメルカプトのような有機スズ化合物、並びに、フラーレン（例えば、水酸化フラーレン）が挙げられる。

紫外線吸収剤としては、例えば、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノンに代表されるベンゾフェノン系紫外線吸収剤、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾールに代表されるベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、及び、２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３’−ジフェニルアクリレートに代表されるシアノアクリレート系紫外線吸収剤が挙げられる。

加水分解防止剤としては、例えば、カルボジイミド誘導体、エポキシ化合物、イソシアネート化合物、酸無水物、オキサゾリン化合物、及びメラミン化合物が挙げられる。

その他の劣化防止剤の例としては、ヒンダードアミン系光安定剤、アスコルビン酸、没食子酸プロピル、カテキン、シュウ酸、マロン酸、及び亜リン酸エステルが挙げられる。

伸縮性樹脂層は、例えば、ゴム成分及び必要により他の成分を、有機溶剤に溶解又は分散して樹脂ワニスを得ることと、樹脂ワニスを後述の方法によって導体箔又はキャリアフィルムに上に成膜することとを含む方法により、製造することができる。

ここで用いる有機溶剤としては、特に制限はないが、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ−シメンなどの芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、１、４−ジオキサンなどの環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンなどのケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトンなどのエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどの炭酸エステル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミドなどが挙げられる。溶解性及び沸点の観点から、トルエン、又はＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを用いてもよい。これらの有機溶剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。樹脂ワニス中の固形分（有機溶媒以外の成分）濃度は、２０〜８０質量％であってもよい。

キャリアフィルムとしては、特に制限されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネートなどのポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン；ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリスルホン、液晶ポリマなどが挙げられる。これらの中で、柔軟性及び強靭性の観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、又はポリスルホンのフィルムをキャリアフィルムとして用いてもよい。

キャリアフィルムの厚みは、特に制限されないが、３〜２５０μｍであってもよい。キャリアフィルムの厚みが３μｍ以上であるとフィルム強度が十分であり、キャリアフィルムの厚みが２５０μｍ以下であると十分な柔軟性が得られる。以上の観点から、厚みは５〜２００μｍ、又は７〜１５０μｍであってもよい。伸縮性樹脂層との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、含フッ素化合物などにより基材フィルムに離型処理が施されたフィルムを必要に応じて用いてもよい。

必要に応じて、保護フィルムを伸縮性樹脂層上に貼り付け、導体箔又はキャリアフィルム、伸縮性樹脂層及び保護フィルムからなる３層構造の積層フィルムとしてもよい。

保護フィルムとしては、特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィンが挙げられる。これらの中で、柔軟性及び強靭性の観点から、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィンのフィルムを保護フィルムとして用いてもよい。伸縮性樹脂層との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、含フッ素化合物などにより保護フィルムに離型処理が施されていてもよい。

保護フィルムの厚みは、目的とする柔軟性により適宜変えてよいが、１０〜２５０μｍであってもよい。厚みが１０μｍ以上であるとフィルム強度が十分である傾向があり、２５０μｍ以下であると十分な柔軟性が得られる傾向がある。以上の観点から、厚みは１５〜２００μｍ、又は２０〜１５０μｍであってもよい。

［導体基板の製造方法］
本実施形態に係る導体基板は、伸縮性樹脂層と伸縮性樹脂層の一方の主面上に設けられた導体箔又は導体めっき膜とを有する積層板を準備する工程と、伸縮性樹脂層の他方の主面に表面粗さＲａ値が０．１μｍ以上になるように凹凸を形成する工程とを含む方法により、製造される。

伸縮性樹脂層及び導体箔を有する積層板（配線基板形成用積層板））を得る手法としては、どのような手法を用いてもよいが、伸縮性樹脂層を形成するための樹脂組成物のワニスを導体箔に塗工する方法、及び、キャリアフィルム上に形成された伸縮性樹脂層に導体箔を真空プレス、ラミネータ等により積層する方法等がある。伸縮性樹脂層を形成するための樹脂組成物が架橋成分を含有していない場合、樹脂組成物の塗膜を乾燥することにより、伸縮性樹脂層を形成することができる。伸縮性樹脂層を形成するための樹脂組成物が架橋成分を含有する場合、樹脂組成物の塗膜を乾燥した後、加熱又は光照射によって架橋成分の架橋反応（硬化反応）を進行させることで、伸縮性樹脂層を形成することができる。

キャリアフィルム上の伸縮性樹脂層を導体箔に積層する手法としては、どのようなものでもよいが、ロールラミネータ、真空ラミネータ、真空プレス等が用いられる。生産効率の観点から、ロールラミネータ又は真空ラミネータを用いて成型してもよい。

伸縮性樹脂層の乾燥後の厚みは、特に限定されないが、通常は５〜１０００μｍである。上記の範囲であると、伸縮性基材として十分な強度が得られ易く、かつ乾燥が十分に行えるため樹脂層中の残留溶媒量を低減できる。

伸縮性樹脂層の導体箔とは反対側の面にさらに導体箔を積層することにより、伸縮性樹脂層の両面上に導体箔が形成された積層板を作製してもよい。伸縮性樹脂層の両面上に導体層を設けることにより、硬化時の積層板の反りを抑制することができる。

伸縮性樹脂層及び導体めっき膜を有する積層板（配線基板形成用積層板）を得る手法としては、例えば、アディティブ法又はセミアディティブ法に用いられる通常のめっき法により、キャリアフィルム上に形成された伸縮性樹脂層に導体めっき膜を形成させる方法がある。

なお、伸縮性樹脂層に凹凸を形成させる方法の詳細については、上述のとおりである。

＜配線基板＞
本実施形態に係る配線基板は、本実施形態に係る導体基板の導体箔又は導体めっき膜に配線パターンを形成させる工程を含む方法により、製造される。導体箔又は導体めっき膜に配線パターンを形成させる手法としては、一般的にエッチング、めっき等を用いた手法が用いられる。

エッチングにより配線パターンを形成させる場合、本実施形態に係る配線基板は、例えば、本実施形態に係る導体基板の導体箔又は導体めっき膜上にエッチングレジストを形成する工程と、エッチングレジストを露光し、露光後のエッチングレジストを現像して、導体箔又は導体めっき膜の一部を覆うレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンによって覆われていない部分の導体箔又は導体めっき膜をエッチング液で除去する工程と、レジストパターンを除去する工程と、を含む方法により、製造することができる。

エッチングに用いるエッチングレジストとしては、例えばフォテックＨ−７０２５（日立化成株式会社製、商品名）、フォテックＨ−７０３０（日立化成株式会社製、商品名）、フォテックＲＹ−５３２５（日立化成株式会社製、商品名）、Ｘ−８７（太陽ホールディングス株式会社製、商品名）が挙げられる。エッチングレジストは、配線パターンの形成の後、通常、除去される。

エッチング液としては、適宜選択でき、例えば導体箔として銅箔を用いた場合又は導体めっき膜が銅めっきである場合、例えば濃硫酸と過酸化水素水との混合溶液、塩化第二鉄溶液等を使用できる。

めっきにより配線パターンを形成させる場合、本実施形態に係る配線基板は、例えば、本実施形態に係る導体基板の導体箔又は導体めっき膜上にめっきレジストを形成する工程と、めっきレジストを露光し、露光後のめっきレジストを現像して、導体箔又は導体めっき膜の一部を覆うレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンによって覆われていない部分の導体箔又は導体めっき膜上に、無電解めっき又は電解めっきによって導体めっき膜をさらに形成する工程と、レジストパターンを除去する工程と、導体箔又は導体めっき膜のうち、上記電解めっきによって形成された導体めっき膜によって覆われていない部分を除去する工程と、を含む方法により、製造することができる。

めっきのマスクとして用いるめっきレジストとしては、例えばフォテックＲＹ３３２５（日立化成株式会社製、商品名）、フォテックＲＹ−５３１９（日立化成株式会社製、商品名）、ＭＡ−８３０（太陽ホールディングス株式会社製、商品名）が挙げられる。その他、無電解めっき及び電解めっきの詳細については上述のとおりである。

配線基板に各種の電子素子を搭載することにより、ストレッチャブルデバイスを得ることができる。

本発明について以下の実施例を挙げてさらに具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

検討１
１−１．樹脂層形成用のワニス調製
［樹脂ワニスＡ］
（Ａ）成分として水添型スチレンブタジエンゴム（旭化成株式会社製、タフテックＰ１５００、商品名）３０ｇと、溶剤としてトルエン７０ｇとを攪拌しながら混合し、樹脂ワニスＡを得た。

［樹脂ワニスＢ］
（Ａ）成分として水添型スチレンブタジエンゴム（ＪＳＲ株式会社製、ダイナロン２３２４Ｐ、商品名）２０ｇ、（Ｂ）成分としてブタンジオールアクリレート（日立化成株式会社製、ファンクリルＦＡ−１２４ＡＳ、商品名）５ｇ、及び（Ｃ）成分としてビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド（ＢＡＳＦ株式会社製、イルガキュア８１９、商品名）０．４ｇと、溶剤としてトルエン１５ｇとを撹拌しながら混合し、樹脂ワニスＢを得た。

［樹脂ワニスＣ］
（Ａ）成分としてアクリルポリマ（株式会社クラレ製、クラリティＬＡ２１４０、商品名）２０ｇ、（Ｂ）成分として脂肪鎖変性エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＥＸＡ４８１６、商品名）５ｇ、及び（Ｃ）成分として２−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、２ＰＺ、商品名）０．５ｇと、溶剤としてメチルエチルケトン１５ｇとを撹拌しながら混合し、樹脂ワニスＣを得た。

［樹脂ワニスＤ］
ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＮＣ−３０００Ｈ、商品名）５０ｇに、メチルエチルケトン２５．０ｇを混合した。そこにフェノールノボラック型フェノール樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＴＤ２１３１、商品名）２０ｇを加え、さらに硬化促進剤として２−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、２ＰＺ、商品名）０．１５ｇを添加した。その後、メチルエチルケトンで希釈し、樹脂ワニスＤを得た。

１−２．凹凸転写フィルムの作製
電解銅箔（古河電気工業株式会社製、Ｆ１−ＷＳ−１８）の粗化面（表面粗さＲａ値：０．３μｍ）にナイフコータ（株式会社康井精機製「ＳＮＣ−３５０」）を用いてシリコーン印象材（信越シリコーン株式会社製、ＳＩＭ−２６０）を塗布した。塗膜を乾燥機（株式会社二葉科学製「ＭＳＯ−８０ＴＰＳ」）中１５０℃で３０分熱処理した後、塗膜を電解銅箔から剥がし、厚みが１００μｍであり、表面粗さＲａ値が０．３μｍである、凹凸転写フィルムＡを形成させた。

１−３．導体基板の作製
実施例１−１
［伸縮性樹脂層を有する積層フィルム］
キャリアフィルムとして離型処理ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人フィルムソリューション株式会社製「ピューレックスＡ３１」、厚み２５μｍ）を準備した。このＰＥＴフィルムの離型処理面上にナイフコータ（株式会社康井精機製「ＳＮＣ−３５０」）を用いて樹脂ワニスＡを塗布した。塗膜を乾燥機（株式会社二葉科学製「ＭＳＯ−８０ＴＰＳ」）中１００℃で２０分乾燥して、厚みが１００μｍである樹脂層を形成させた。形成された樹脂層に、キャリアフィルムと同じ離型処理ＰＥＴフィルムを、離型処理面が樹脂層側になる向きで保護フィルムとして貼付けて、積層フィルムＡを得た。樹脂層は、８０％以上の回復率を示す伸縮性を有する、伸縮性樹脂層であった。

［導体基板］
積層フィルムＡの保護フィルムを剥離し、銅箔（日本電解株式会社製、ＹＧＰ−１２、商品名）の粗化面側に積層フィルムＡの伸縮性樹脂層を重ねた。真空加圧式ラミネータ（ニチゴー・モートン株式会社製「Ｖ１３０」）を用いて、圧力０．５ＭＰａ、温度９０℃及び加圧時間６０秒の条件で圧着して、伸縮性樹脂層及び銅箔を有する導体基板をキャリアフィルム上に形成した。

［樹脂層表面への凹凸形成］
上記導体基板からキャリアフィルムを剥離し、露出した樹脂層に凹凸転写フィルムＡを重ねた。真空加圧式ラミネータ（ニチゴー・モートン株式会社製「Ｖ１３０」）を用いて、圧力０．５ＭＰａ、温度９０℃及び加圧時間６０秒の条件で圧着した後、凹凸転写フィルムＡを剥離することにより、導体基板の樹脂層表面に凹凸を形成した。

実施例１−２
樹脂ワニスＡを樹脂ワニスＢに、銅箔を「ＢＨＹ−８２Ｆ−ＨＡ−Ｖ２」（厚み１２μｍ、ＪＸ金属株式会社製、商品名）に変更したこと以外は実施例１−１と同様にして、銅箔及び未硬化の樹脂層を有する導体基板を得た。その後、紫外線露光機（ミカサ株式会社製「ＭＬ−３２０ＦＳＡＴ」）によって紫外線（波長３６５ｎｍ）を２０００ｍＪ／ｃｍ^２照射することで、硬化後の樹脂層及び銅箔を有する導体基板を得た。得られた導体基板の樹脂層表面に、実施例１−１と同様にして凹凸を形成した。硬化後の樹脂層は、８０％以上の回復率を示す伸縮性を有する、伸縮性樹脂層であった。

実施例１−３
樹脂ワニスＡを樹脂ワニスＣに変更したこと以外は実施例１−１と同様にして、銅箔及び未硬化の樹脂層を有する導体基板を得た。その後、乾燥機（株式会社二葉科学製「ＭＳＯ−８０ＴＰＳ」）を用いて１８０℃１時間の条件で樹脂層を硬化させた。得られた導体基板について、実施例１−１と同様にして導体基板の樹脂層表面に凹凸を形成し、樹脂層表面に凹凸が形成された導体基板を得た。硬化後の樹脂層は、８０％以上の回復率を示す伸縮性を有する、伸縮性樹脂層であった。

比較例１−１
樹脂ワニスＡを樹脂ワニスＤに変更したこと以外は実施例１−１と同様にして、銅箔及び未硬化の樹脂層を有する導体基板を得た。その後、乾燥機（株式会社二葉科学製「ＭＳＯ−８０ＴＰＳ」）を用いて１８０℃１時間の条件で樹脂層を硬化させて、硬化後の樹脂層及び銅箔を有する導体基板を得た。得られた導体基板の樹脂層の表面に、実施例１−１と同様にして凹凸を形成した。硬化した樹脂層は、回復率が明らかに８０％未満で、非伸縮性だった。

［配線基板の作製とその評価］
図２に示すような、樹脂層３及び樹脂層３上に形成された波型パターンを有する導体箔を導体層５として有する試験用の配線基板１を作製した。まず、樹脂層表面に凹凸が形成された導体基板の導体層上にエッチングレジスト（日立化成株式会社製、フォテックＲＹ−５３２５、商品名）をロールラミネータで貼着し、そこに波型パターンを形成したフォトツールを密着させた。エッチングレジストを、オーク製作所社製ＥＸＭ−１２０１型露光機を使用して、５０ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギー量で露光した。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、２４０秒間スプレー現像を行い、エッチングレジストの未露光部を溶解させ、波型の開口部を有するレジストパターンを形成した。次いで、エッチング液により、レジストパターンによって覆われていない部分の銅箔を除去した。その後、剥離液によりエッチングレジストを除去し、配線幅が５０μｍで所定の方向Ｘに沿って蛇行する波型の配線パターンを形成している導体箔５を樹脂層３上に有する配線基板１を得た。

得られた配線基板をＸの方向に歪み１０％まで引張変形させ、元に戻したときの、樹脂層及び波型の配線パターンを観察した。伸張時に樹脂層及び配線パターンの破断を生じなかった場合を「Ａ」、破断を生じた場合を「Ｃ」とした。

［表面粗さ］
樹脂層表面に凹凸が形成された導体基板を準備した。露出した樹脂層の表面粗さＲａ値を、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１（２０１０年版）に準じて測定した。導体基板の露出した樹脂層の面を段差計（株式会社小坂研究所製、ＥＴ―２００）を用いて、測定した。測定は、触針先端半径０．５μｍ、針圧５ｍｇ、測定長１ｍｍ、カットオフ０．０８ｍｍとし、５ｍｍ間隔で長手方向、幅方向に各１０点測定を行った。各測定結果から各測定箇所における粗さ曲線を得た。当該粗さ曲線を、その中心線から折り返し、その粗さ曲線と中心線によって得られる面積を長さで割った値から表面粗さを算出した。測定箇所２０点の平均値を、導体基板の露出した樹脂層の表面粗さＲａ値とした。

［タック性］
樹脂層表面に凹凸が形成された導体基板を準備した。露出した樹脂層の表面のタック値を、タッキング試験機（株式会社レスカ製「ＴＡＣＩＩ」）を用いて測定した。測定条件は、定荷重モード、浸没速度１２０ｍｍ／分、テスト速度６００ｍｍ/分、荷重１００ｇｆ、荷重保持時間１ｓ、温度３０℃に設定した。

実施例１−１〜１−３及び比較例１−１の評価結果を表１に示す。実施例１−１〜１−３の導体基板によって形成された波型の配線パターンを有する配線基板においては、１０％伸張時も伸縮性樹脂層が破断せず、波型の配線パターンの外観も問題ないことが分かった。一方で、比較例１−１では、樹脂層が伸縮性を有しないため、１０％伸張前に樹脂層が破断してしまい、配線も同時に破断してしまうことが分かった。各実施例の樹脂層のタック値は低く、導体基板の取り扱い性も優れていた。

検討２
実施例２−１
［樹脂ワニス］
（Ａ）成分として無水マレイン酸変性スチレンエチレンブタジエンゴム（ＫＲＡＴＯＮ株式会社製、ＦＧ１９２４ＧＴ、商品名）１０ｇ、（Ｂ）成分としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ７２００Ｈ、商品名）２．５ｇ、及び（Ｃ）成分（硬化促進剤）として１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、１Ｂ２ＭＺ、商品名）０．３８ｇと、溶剤としてトルエン５０ｇとを撹拌しながら混合して、樹脂ワニスを得た。

［積層フィルム］
キャリアフィルムとして離型処理ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人フィルムソリューション株式会社製「ピューレックスＡ３１」、厚み２５μｍ）を準備した。このＰＥＴフィルムの離型処理面上にナイフコータ（株式会社康井精機製「ＳＮＣ−３５０」）を用いて上記樹脂ワニスを塗布した。塗膜を乾燥機（株式会社二葉科学製「ＭＳＯ−８０ＴＰＳ」）中１００℃で２０分の加熱により乾燥して、厚み１００μｍの樹脂層を形成させた。形成された樹脂層に、キャリアフィルムと同じ離型処理ＰＥＴフィルムを、離型処理面が樹脂層側になる向きで保護フィルムとして貼付けて、積層フィルムを得た。

［導体基板の作製］
積層フィルムの保護フィルムを剥離し、露出した樹脂層に、表面粗さＲａ値が１．５μｍの粗化面を有する電解銅箔（古河電気工業株式会社製、Ｆ２−ＷＳ−１２、商品名）を、粗化面が樹脂層側になる向きで重ねた。その状態で、真空加圧式ラミネータ（ニッコー・マテリアルズ株式会社製「Ｖ１３０」）を用いて、圧力０．５ＭＰａ、温度９０℃及び加圧時間６０秒の条件で電解銅箔を樹脂層にラミネートした。その後、乾燥機（株式会社二葉科学製「ＭＳＯ−８０ＴＰＳ」）中、１８０℃で６０分の加熱により、樹脂層の硬化物と、電解銅箔とを有する導体基板をキャリアフィルム上に得た。硬化後の樹脂層は、８０％以上の回復率を示す伸縮性を有する、伸縮性樹脂層であった。

［樹脂層表面への凹凸形成］
樹脂層の硬化物である伸縮性樹脂層と、電解銅箔とを有する導体基板からキャリアフィルムを剥離し、露出した樹脂層に凹凸転写フィルムＡを重ねた。真空加圧式ラミネータ（ニチゴー・モートン株式会社製「Ｖ１３０」）を用いて、圧力０．５ＭＰａ、温度９０℃及び加圧時間６０秒の条件で圧着して、導体基板の樹脂層表面に凹凸を形成した。

実施例２−２
（Ａ）成分として無水マレイン酸変性スチレンエチレンブタジエンゴム（ＫＲＡＴＯＮ株式会社製、ＦＧ１９２４ＧＴ、商品名）１０ｇ、（Ｂ）成分としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ７２００Ｈ、商品名）２．５ｇ、（Ｃ）成分（硬化促進剤）として１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、１Ｂ２ＭＺ、商品名）０．３８ｇ、フェノール系酸化防止剤（株式会社ＡＤＥＫＡ製、ＡＯ−６０、商品名）０．１ｇ、及びホスファイト酸化防止剤（株式会社ＡＤＥＫＡ製、２１１２、商品名）０．１ｇと、溶剤としてトルエン５０ｇとを撹拌しながら混合して、樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスを用い、実施例２−１と同様にして樹脂層を有する積層フィルム、及び導体基板を作製し、導体基板の樹脂層表面に凹凸を形成した。樹脂層は、８０％以上の回復率を示す伸縮性を有する、伸縮性樹脂層であった。

評価
［耐熱性試験］
積層フィルムを１８０℃で６０分加熱することにより樹脂層を硬化させて、伸縮性樹脂層を形成させた。保護フィルムを除去してから伸縮性樹脂層と凹凸転写フィルムＡとを重ねた。真空加圧式ラミネータ（ニチゴー・モートン株式会社製「Ｖ１３０」）を用いて、圧力０．５ＭＰａ、温度９０℃及び加圧時間６０秒の条件で圧着して凹凸転写フィルムＡを剥離することにより、樹脂層表面に凹凸を形成した。キャリアフィルムを除去してから、伸縮性樹脂層を窒素リフローシステム（田村製作所株式会社製、ＴＮＶ−ＥＮ）を用いて、ＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ Ｊ−ＳＴＤ−０２０に準拠する図３の温度プロファイルで加熱処理する耐熱性試験を行った。耐熱性試験前後の伸縮性樹脂層の伸び率及び引張弾性率を測定した。樹脂層に凹凸の形成された導体基板も同様の耐熱性試験に供し、耐熱性試験前後の９０度ピール強度を測定した。

［引張弾性率及び破断伸び率］
長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍの短冊状の伸縮性樹脂層の試験片を準備した。この試験片の引張試験をオートグラフ（株式会社島津製作所「ＥＺ−Ｓ」)を用いて行い、応力−ひずみ曲線を得た。得られた応力−ひずみ曲線から、引張弾性率及び破断伸び率を求めた。引張試験は、チャック間距離２０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／分の条件で行った。引張弾性率は、応力０．５〜１．０Ｎの範囲の応力−ひずみ曲線の傾きから求めた。試験片が破断した時点のひずみを破断伸び率として記録した。

［密着性（９０度ピール強度）］
導体基板から剥離角度９０度で銅箔を剥離する剥離試験によって、銅箔と伸縮性樹脂層との９０度ピール強度を測定した。

［伸縮性樹脂層の表面粗さ及びタック性］
上記導体基板において凹凸が形成された伸縮性樹脂層に対し、検討１と同様にして表面粗さ及び表面のタック値を測定した。

表２に示されるように、実施例２−１及び実施例２−２の伸縮性樹脂層は、耐熱性試験後も、優れた伸縮性、及び銅箔に対する高い密着性を維持した。また、樹脂層のタック値は低く、導体基板の取り扱い性も優れていた。

［高温長時間放置試験］
積層フィルムを１８０℃で６０分加熱することにより樹脂層を硬化し、伸縮性樹脂層を形成させた。保護フィルムを除去してから伸縮性樹脂層と凹凸転写フィルムＡとを重ねた。真空加圧式ラミネータ（ニチゴー・モートン株式会社製「Ｖ１３０」）を用いて、圧力０．５ＭＰａ、温度９０℃及び加圧時間６０秒の条件で圧着して凹凸転写フィルムＡを剥離することにより、樹脂層表面に凹凸を形成した。キャリアフィルムを除去してから、伸縮性樹脂層を、セーフティーオーブン（エスペック株式会社製、ＳＰＨ（Ｈ）−１０２）内に、大気中、１６０℃、１６８時間の条件で放置する高温長時間放置試験を行った。高温長時間放置試験前後の破断伸び率及び弾性率を、上述の条件と同様の条件で測定した。また、高温長時間放置試験後の伸縮性樹脂層の外観を目視で観察し、変色の有無を確認した。実施例２−２については密着性も評価した。

表３に示されるように、酸化防止剤を含む実施例２−２の伸縮性樹脂層は、１６０℃で１６８時間の条件での高温長時間放置試験後であっても、特性の変化が少なく、また、変色も認められなかった。実施例２−１の伸縮性樹脂層は、耐熱性試験では初期の特性を維持したものの、より過酷な高温長時間放置試験後では特性の変化が認められた。特に高い耐熱性が求められる用途においては、酸化防止剤の適用が有効であるといえる。

検討３
実施例３−１
［導体基板の作製］
検討１の積層フィルムＡから保護フィルムを除去し、伸縮性樹脂層を、膨潤液としてのスウェリングディップセキュリガントＰ（１０００ｍＬ／Ｌ、アトテック社製、商品名）及びＮａＯＨ（３ｇ／Ｌ）の７０℃の混合液に、５分間浸漬した。次いで粗化液としてのコンセントレートコンパクトＣＰ（６４０ｍＬ／Ｌ、アトテック社製、商品名）及びＮａＯＨ（４０ｇ／Ｌ）の７０℃の混合液に、伸縮性樹脂層を１０分間浸漬した。引き続き、中和液としてのリダクションソリューションセキュリガントＰ５００（２００ｍＬ／Ｌ、アトテック社製、商品名）及びＨ_２ＳＯ_４（１００ｍＬ／Ｌ）の４０℃の混合液に伸縮性樹脂層を５分間浸漬した。

次いで無電解めっきの前処理として、コンディショナー液としてのクリーナーセキュリガント９０２（４０ｍＬ／Ｌ、アトテック社製、商品名）に伸縮性樹脂層を６０℃で５分間浸漬し、その後水洗した。次にプレディップ工程としてプレディップネオガントＢ（２０ｍＬ／Ｌ、アトテック社製、商品名）及び硫酸（１ｍＬ／Ｌ）の混合液に２５℃で１分間伸縮性樹脂層を浸漬した。次に触媒付与工程としてアクチベーターネオガント８３４コンク（４０ｍＬ／Ｌ、アトテック社製、商品名）及び水酸化ナトリウム（４ｇ／Ｌ）、ホウ酸（５ｇ／Ｌ）の混合液に伸縮性樹脂層を３５℃で５分間浸漬した。次に還元工程としてリデューサーネオガントＷＡ（５ｍＬ／Ｌ、アトテック社製、商品名）及びリデューサーアクセラレーター８１０ｍｏｄ（１００ｍＬ／Ｌ、アトテック社製、商品名）の混合液に２５℃で伸縮性樹脂層を１分間浸漬した。その後、無電解銅めっき工程としてベーシックソリューションプリントガントＭＳＫ（８０ｍＬ／Ｌ、アトテック社製、商品名）及びカッパーソリューションプリントガントＭＳＫ（４０ｍＬ／Ｌ、アトテック社製、商品名）、リデューサーＣｕ（１４ｍＬ／Ｌ、アトテック社製、商品名）、スタビライザープリントガントＭＳＫ（３ｍＬ／Ｌ、アトテック社製、商品名）の混合液に伸縮性樹脂層を２８℃で１５分間浸漬し、厚み約０．５μｍの銅めっき被膜を伸縮性樹脂層上に形成した。その後乾燥機（株式会社二葉科学製「ＭＳＯ−８０ＴＰＳ」）を用い８０℃で１５分間乾燥後、さらに硫酸銅電解めっきによって銅めっきを形成した。その後、アニール処理を１５０℃で３０分間行い、伸縮性樹脂層とその表面上に形成された厚さ５μｍの銅めっき膜とを有する導体基板を得た。その後、上記導体基板からキャリアフィルムを除去し、露出した樹脂層の表面に凹凸転写フィルムＡを重ねた。真空加圧式ラミネータ（ニチゴー・モートン株式会社「Ｖ１３０」）を用いて、圧力０．５ＭＰａ、温度９０℃及び加圧時間６０秒の条件で圧着して凹凸転写フィルムＡを剥離することにより、露出した樹脂層の表面に凹凸を形成した。

実施例３−２
樹脂ワニスＡを検討１の樹脂ワニスＢに変更したこと以外は実施例１−１と同様にして、未硬化の樹脂層を有する積層フィルムを得た。積層フィルムの保護フィルムを剥離した後、紫外線露光機（ミカサ株式会社製「ＭＬ−３２０ＦＳＡＴ」）によって紫外線（波長３６５ｎｍ）を２０００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギー量で照射し、積層フィルムの樹脂層を硬化させて、伸縮性樹脂層を形成した。形成された伸縮性樹脂層上に、実施例３−１と同様の方法で銅めっき膜を形成して、導体基板をキャリアフィルム上に得た。その後、実施例３−１と同様にして導体基板からキャリアフィルムを除去し、露出した樹脂層表面に凹凸を形成した。

実施例３−３
樹脂ワニスＡを検討１の樹脂ワニスＣに変更したこと以外は実施例１−１と同様にして、未硬化の樹脂層を有する積層フィルムを得た。その後、積層フィルムの保護フィルムを剥離し、乾燥機（株式会社二葉科学製「ＭＳＯ−８０ＴＰＳ」）を用いて１８０℃１時間の条件で樹脂層を硬化させて、伸縮性樹脂層を形成した。形成された伸縮性樹脂層上に、実施例３−１と同様の方法で銅めっき膜を形成して、導体基板をキャリアフィルム上に得た。その後、実施例３−１と同様にして導体基板からキャリアフィルムを除去し、露出した樹脂層表面に凹凸を形成した。

比較例３−１
樹脂ワニスＡを検討１の樹脂ワニスＤに変更したこと以外は実施例１−１と同様にして、未硬化の樹脂層を有する積層フィルムを得た。その後、積層フィルムの保護フィルムを剥離し、乾燥機（株式会社二葉科学製「ＭＳＯ−８０ＴＰＳ」）を用いて１８０℃１時間の条件で樹脂層を硬化させた。硬化した樹脂層上に、実施例３−１と同様の方法で銅めっき膜を形成して、導体基板をキャリアフィルム上に得た。その後、実施例３−１と同様にして導体基板からキャリアフィルムを除去し、露出した樹脂層表面に凹凸を形成した。

［樹脂層の表面粗さ及びタック性］
上記導体基板において凹凸が形成された樹脂層に対し、検討１と同様にして表面粗さ及び表面のタック値を測定した。

［配線基板の作製とその評価］
図２に示すような、樹脂層３及び樹脂層３上に形成された波型パターンを有する導体めっき膜を導体層５として有する試験用の配線基板１を作製した。まず、樹脂層表面に凹凸が形成された各導体基板の導体層上にエッチングレジスト（日立化成株式会社製、フォテックＲＹ−５３２５、商品名）をロールラミネータで貼着し、そこに波型パターンを形成したフォトツールを密着させた。エッチングレジストを、オーク製作所社製ＥＸＭ−１２０１型露光機を使用して、５０ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギー量で露光した。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、２４０秒間スプレー現像を行い、エッチングレジストの未露光部を溶解させ、波型の開口部を有するレジストパターンを形成した。次いで、エッチング液により、レジストパターンによって覆われていない部分の銅箔を除去した。その後、剥離液によりエッチングレジストを除去し、配線幅が５０μｍで所定の方向Ｘに沿って蛇行する波型の配線パターンを形成している導体めっき膜５を樹脂層３上に有する配線基板１を得た。

得られた配線基板をＸの方向に歪み１０％まで引張変形させ、元に戻したときの、樹脂層及び波型の配線パターンを観察した。伸張時に樹脂層及び配線パターンの破断を生じなかった場合を「Ａ」、破断を生じた場合を「Ｃ」とした。

実施例３−１〜３−３及び比較例３−１の評価結果を表４に示す。実施例３−１〜３−３の導体基板によって形成された波型の配線パターンを有する配線基板においては、１０％伸張時も伸縮性樹脂層が破断せず、波型の配線パターンの外観も問題ないことが分かった。一方で、比較例３−１では、樹脂層が伸縮性を有しないため、１０％伸張前に樹脂層が破断してしまい、配線も同時に破断してしまうことが分かった。

検討４
［実施例４−１］
凹凸転写フィルムを作製する際の電解銅箔を「Ｆ０−ＷＳ−１８」（古河電気工業株式会社製、粗化面の表面粗さＲａ値：０．２μｍ）とした以外凹凸転写フィルムＡと同様にして凹凸転写フィルムＢ（表面粗さＲａ値：０．２μｍ）を作製した。凹凸転写フィルムＡを凹凸転写フィルムＢに変更した以外実施例２−１と同様にして樹脂層表面に凹凸の形成された導体基板を得た。

［実施例４−２］
凹凸転写フィルムを重ねた後凹凸を転写する際の真空加圧式ラミネータの温度を７０℃とした以外は実施例２−１と同様にして樹脂層表面に凹凸の形成された導体基板を得た。

［比較例４−１］
樹脂層表面への凹凸転写工程を実施しなかった以外は実施例２−１と同様にして導体基板を得た。

［比較例４−２］
凹凸転写フィルムを重ねた後凹凸を転写する際の真空加圧式ラミネータの温度を６０℃とした以外は実施例２−１と同様にして樹脂層表面に凹凸の形成された導体基板を得た。

［樹脂層の表面粗さ及びタック性］
上記導体基板において露出した樹脂層に対し、検討１と同様にして表面粗さ及び表面のタック値を測定した。

実施例４−１〜４−２及び比較例４−１〜４−２の評価結果を表５に示す。実施例４−１〜４−２の導体基板の樹脂層の表面粗さ及びタック値においては、形成された凹凸パターンの効果により、表面粗さが大きくタック値も低くなることが分かった。一方で、比較例４−１では、樹脂層が凹凸パターンを有しないため、表面が平坦であり、タック値も高くなることが分かった。また、比較例４−２では、表面粗さが小さくタック値も高くなることが分かった。

本発明の導体基板及びこれから得られる配線基板は、例えばウェアラブル機器の基板として適用することが期待される。

１…配線基板、３…樹脂層、５…導体層（導体箔又は導体めっき膜）。

Claims (20)

1. 伸縮性樹脂層と、
   前記伸縮性樹脂層の一方の主面上に設けられた導体箔と、を有し、
   前記伸縮性樹脂層の他方の主面の表面粗さＲａ値が０．１μｍ以上である導体基板。
2. 前記導体箔の弾性率が４０〜３００ＧＰａである、請求項１に記載の導体基板。
3. 伸縮性樹脂層と、
   前記伸縮性樹脂層の一方の主面上に設けられた導体めっき膜と、を有し、
   前記伸縮性樹脂層の他方の主面の表面粗さＲａ値が０．１μｍ以上である導体基板。
4. 前記伸縮性樹脂層を歪み２０％まで引張変形した後の回復率が８０％以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の導体基板。
5. 前記伸縮性樹脂層が、（Ａ）ゴム成分を含有し、
   前記ゴム成分が、アクリルゴム、イソプレンゴム、ブチルゴム、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、フッ素ゴム、硫化ゴム、エピクロルヒドリンゴム、及び塩素化ブチルゴムからなる群より選ばれる少なくとも１種のゴムを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の導体基板。
6. 前記伸縮性樹脂層が、（Ａ）ゴム成分を含有する樹脂組成物の硬化物を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の導体基板。
7. （Ａ）ゴム成分が、架橋基を有するゴムを含む、請求項６に記載の導体基板。
8. 前記架橋基が、酸無水物基又はカルボキシル基のうち少なくとも一方である、請求項７に記載の導体基板。
9. 前記樹脂組成物が、（Ｂ）架橋成分をさらに含有する、請求項６〜８のいずれか一項に記載の導体基板。
10. （Ｂ）架橋成分が、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、アミノ基、イソシアヌレート基、ウレイド基、シアネート基、イソシアネート基、及びメルカプト基からなる群より選ばれる少なくとも１種の反応性基を有する化合物を含む、請求項９に記載の導体基板。
11. 前記樹脂組成物が、（Ｃ）硬化剤又は硬化促進剤のうち少なくとも一方をさらに含有する、請求項６〜１０のいずれか一項に記載の導体基板。
12. （Ａ）ゴム成分の含有量が、前記伸縮性樹脂層１００質量％に対して３０〜１００質量％である、請求項５〜１１のいずれか一項に記載の導体基板。
13. 前記伸縮性樹脂層が、酸化防止剤をさらに含有する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の導体基板。
14. 請求項１又は２に記載の導体基板を含み、前記導体箔が配線パターンを形成している、配線基板。
15. 請求項３に記載の導体基板を含み、前記導体めっき膜が配線パターンを形成している、配線基板。
16. 請求項１４又は１５に記載の配線基板と、前記配線基板に搭載された電子素子と、を備えるストレッチャブルデバイス。
17. 伸縮性樹脂層と、前記伸縮性樹脂層上に設けられた導体箔と、を有する導体基板を含み、前記導体箔が配線パターンを形成している、配線基板を形成するために用いられる、請求項１又は２に記載の導体基板。
18. 伸縮性樹脂層と、前記伸縮性樹脂層上に設けられた導体めっき膜と、を有する導体基板を含み、前記導体めっき膜が配線パターンを形成している、配線基板を形成するために用いられる、請求項３に記載の導体基板。
19. 伸縮性樹脂層と前記伸縮性樹脂層の一方の主面上に設けられた導体箔又は導体めっき膜とを有する積層板を準備する工程と、
    前記伸縮性樹脂層の他方の主面に、表面粗さＲａ値が０．１μｍ以上になるように凹凸を形成する工程と、を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の導体基板の製造方法。
20. 請求項１〜１３のいずれか一項に記載の導体基板の、前記導体箔又は前記導体めっき膜に配線パターンを形成させる工程を含む、配線基板の製造方法。