DE60318301T2 - Mit positiv geladenen polyelektrolyten behandelte anionische schleifmittelteilchen für das chemomechanische polieren - Google Patents
Mit positiv geladenen polyelektrolyten behandelte anionische schleifmittelteilchen für das chemomechanische polieren Download PDFInfo
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Description
- ANWENDUNGSBEREICH DER ERFINDUNG
- Die Erfindung betrifft chemisch-mechanische Polierzusammensetzungen, die polyelektrolytbeschichtete Schleifmittel enthalten, und Verfahren für deren Verwendung beim chemisch-mechanischen Polieren.
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Zusammensetzungen und Verfahren zum Planen oder Polieren der Oberfläche eines Substrates sind auf diesem Gebiet gut bekannt. Polierzusammensetzungen (auch als Polierschlämme bekannt) enthalten typischerweise einen Schleifwerkstoff in einer wässrigen Lösung und werden gewöhnlich auf eine Oberfläche durch Inkontaktbringen der Oberfläche mit einem Polierkissen aufgetragen, welches mit der Polierzusammensetzung gesättigt ist. Typische Schleifwerkstoffe umfassen Siliziumdioxid, Zeroxid, Aluminiumoxid, Zirkonoxid und Zinndioxid. In dem
U.S.-Patent 5,527,423 ist zum Beispiel ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren einer Metallschicht durch Inkontaktbringen der Oberfläche mit einem Polierschlamm beschrieben, der hochreine Feinmetalloxidpartikel in einem wässrigen Medium aufweist. Alternativ kann der Schleifwerkstoff in das Polierkissen integriert sein. In demU.S.-Patent 5,489,233 ist die Verwendung massiver Polierkissen offenbart, die eine Oberflächenstruktur oder -muster aufweisen, und in demU.S.-Patent 5,958,794 ist ein fixiertes Schleifpolierkissen offenbart. - Herkömmliche Poliersysteme und Polierverfahren sind typischerweise beim Planen von Halbleitermikroplättchen nicht vollständig zufriedenstellend. Insbesondere können Polierzusammensetzungen und Polierkissen weniger als wünschenswerte Polierraten aufweisen, und ihre Verwendung beim Polieren von chemisch-mechanischen Halbleiterflächen kann eine schlechte Oberflächenqualität zum Ergebnis haben. Da die Leistung eines Halbleitermikroplättchens direkt mit der Planarität seiner Oberfläche in Zusammenhang steht, ist es entscheidend, eine Polierzusammensetzung und -verfahren zu verwenden, welches einen hohen Polierwirkungsgrad, Einheitlichkeit und Abtragungsrate zum Ergebnis hat, und eine qualitativ hochwertige Politur mit minimalen Oberflächenfehlern hinterlässt.
- Die Schwierigkeit bei der Erzeugung einer wirksamen Polierzusammensetzung für Halbleitermikroplättchen liegt in der Komplexität des Halbleitermikroplättchens begründet. Halbleitermikroplättchen bestehen typischerweise aus einem Substrat, auf welchem eine Vielzahl von Transistoren ausgebildet wurde. Integrierte Schaltungen sind mit dem Substrat chemisch und physikalisch durch die Musterung von Bereichen in dem Substrat und Schichten auf dem Substrat verbunden. Zur Erzeugung eines betriebsfähigen Halbleitermikroplättchens und zur Maximierung von Ausbeute, Leistung und Zuverlässigkeit des Mikroplättchens ist es wünschenswert, ausgewählte Oberflächen des Mikroplättchens zu polieren, ohne die darunterliegenden Strukturen oder die Topografie nachteilig zu beeinflussen. In der Tat können viele Probleme bei der Halbleiterherstellung auftreten, wenn die Verarbeitungsschritte nicht auf angemessen geplanten Mikroplättchenoberflächen ausgeführt werden.
- Die Verwendung von Polyelektrolyten bei chemisch-mechanischen Polierzusammensetzungen ist allgemein in diesem Bereich bekannt. In einigen Fällen werden Polyelektrolyte als Komplexbildner für die abzutragende Oberflächenschicht verwendet. In anderen Fällen wird der Polyelektrolyt hinzugefügt, um die Eigenschaften der Polierzusammensetzung zu verändern, indem er als ein Dispersionsmittel, ein Verdickungsmittel oder als ein Ausflockungsmittel wirkt. Und in anderen Fällen wird der Polyelektrolyt außerdem zur Veränderung der Oberfläche des Schleifpartikels verwendet.
- In den folgenden Patenten und Patentanmeldungen werden Polierzusammensetzungen offenbart, die Polyelektrolyte aufweisen, die zweckmäßigerweise die Oberfläche des Substrates bilden. In dem
U.S.-Patent 6,099,604 ist eine Polierzusammensetzung offenbart, die ein Lösungsmittel, Schleifpartikel und einen Polykarboxylsäurechelatbildner aufweist. Der Chelatbildner stabilisiert zweckmäßigerweise Teile des Substrates, die durch den chemisch-mechanischen Polierprozess verlagert sind. In derWO 99/64527 WO 01/14496 U.S.-Patent 6,117,775 ist eine Polierzusammensetzung offenbart, die weniger als 1 Gewichts Schleifpartikel, Oxidationsmittel, organische Säuren und grenzflächenaktive Stoffe aufweist, die zweckmäßigerweise Ätzen und Oxidation verhindern. In demU.S.-Patent 6,303,049 ist eine Polierzusammensetzung offenbart, die ein Schleifmittel, ein Abrieb steigerungsmittel (zum Beispiel Phosphorsäure) und eine wasserlösliche anionische Chemikalie aufweist (zum Beispiel ein Akrylat, Phosphat, Sulfat oder eine sulfonathaltige Verbindung, Polymer und/oder Kopolymer). Die anionische Chemikalie überzieht die Oberfläche des Metallfilmes zweckmäßigerweise während dem Polieren. - In den folgenden Patenten und Patentanmeldungen werden Polierzusammensetzungen offenbart, die Polyelektrolyte aufweisen, die zweckmäßigerweise dahingehend wirken, dass sie die Eigenschaften der Polierzusammensetzungen verändern. In dem
U.S.-Patent 4,752,628 ist eine Polierzusammensetzung offenbart, die aus einem anorganischen Schleifmittel mit feiner Teilung, einem Biozid, einem Karboxylsäuredispersionsmittelpolymer, Karboxylsäurepolymerverdickungsmittel, Korrosionshemmer und optional einem Schmiermittel besteht. In demU.S.-Patent 4,867,757 ist eine Polierzusammensetzung mit einem pH-Wert von größer als 8,5 offenbart, der aus anorganischem Schleifmittel mit feiner Teilung, Karboxylsäuredispersionsmittelpolymer und einem Schmiermittel besteht. In demU.S.-Patent 5,123,958 ist eine Polierzusammensetzung offenbart, die ein Schleifmittel, einen gelartigen Träger aufweist, der eine Polyvinylalkohol- und Wassermischung aufweist, und optional ein Polyelektrolytausflockungsmittel. In demU.S.-Patent 5,352,277 ist eine Polierzusammensetzung offenbart, die Wasser, kolloidale Kieselerde, eine wasserlösliche Polymerverbindung und ein wasserlösliches Salz mit einem alkalischen pH-Wert aufweist. Die Polymerverbindung hilft zweckmäßigerweise bei der Ausbildung einer regelmäßigen Laminarströmung zwischen dem Polierkissen und der Substratoberfläche während dem Polieren. In demU.S.-Patent 5,860,848 ist eine Polierzusammensetzung offenbart, die Wasser, Submikron-Kieselerdepartikel, ein Salz, eine Aminverbindung und einen Polyelektrolyten mit einem pH-Wert 8-11 aufweist. Der Polyelektrolyt reduziert zweckmäßigerweise die Partikelhaftung an der Substratoberfläche. In demU.S.-Patent 6,117,220 ist eine Polierzusammensetzung offenbart, die Wasser, Polystyrolsulfonsäure, eine anorganische oder organische Säure und ein Schleifmittel aufweist. Die Polystyrolsulfonsäure wirkt zweckmäßigerweise dahingehend, dass die Schleifpartikel ausgeflockt werden, wodurch eine Polierzusammensetzung mit guten Schaumbildungshemmungseigenschaften und niedrigem Auftreten von Oberflächengrübchenbildung während des chemisch-mechanischen Polierens erzeugt wird. In demU.S.-Patent 6,117,783 wird eine Polierzusammensetzung offenbart, die eine Hydroxylaminverbindung und ausreichend Polyelektrolyt aufweist, um Partikel voneinander und von der Oberfläche des Substrates weg abzustoßen. In demU.S.-Patent 6,132,637 wird eine Polierzusammensetzung offenbart, die ein wässriges Medium, ein Schleifmittel, einen grenzflächenaktiven Stoff, ein organisches Polymer und einen Komplexbildner mit zwei oder mehr Säuregruppen aufweist, die zur Komplexierung von Kieselerde und Siliziumnitrid in der Lage sind. Das organische Polymer wirkt zweckmäßigerweise dahingehend, dass es die Viskosität der Polierzusammensetzung steigert und das Verkratzen des mit der Polierzusammensetzung polierten Substrates verhindert. In demU.S.-Patent 6,171,352 wird eine Polierzusammensetzung offenbart, die ein wässriges Medium, ein Abriebbeschleunigungsmittel und optional ein Nitratsalz oder einen anionischen grenzflächenaktiven Stoff (zum Beispiel Polykarboxylsäure) aufweist, der die Viskosität der Polierzusammensetzung verringert. In derJP 1087146 - In den folgenden Patenten und Patentanmeldungen werden Polierzusammensetzungen offenbart, die Schleifpartikel aufweisen, die zweckmäßigerweise elektrostatisch mit dem Polyelektrolyten zusammenwirken. In dem
U.S.-Patent 5,876,490 ist eine Polierzusammensetzung offenbart, die Schleifpartikel und einen Polyelektrolyten (Molekulargewicht von 500 bis 10.000) mit einer Ladung aufweist, die sich von derjenigen der Schleifpartikel unterscheidet. Der Polyelektrolyt überzieht zweckmäßigerweise die Oberfläche der Schleifpartikel, was zu einem verbesserten Polierverhalten führt. In derEP 1 036 836 A1 ist eine Polierzusammensetzung offenbart, die eine wässrige Dispersion von Polymerpartikeln von thermoplastischen Harzen und anorganischen Partikeln aufweist, die ein entgegengesetztes Zeta-Potential aufweisen und durch elektrostatische Kraft gebunden sind. Auf ähnliche Weise ist in derEP 1 104 778 A2 eine Polierzusammensetzung offenbart, die Verbundpartikel aufweist, die aus anorganischen Partikeln und Polymerpartikeln mit entgegengesetztem Zeta-Potential bestehen. In derEP 1 118 647 A1 ist eine Polierzusammensetzung offenbart, die aus einem Schleifmittel, einem Oxidationsmittel, einem Kooxidationsmittel und einem Ausflockungshemmungsmittel besteht. Das Ausflockungshemmungsmittel wird zweckmäßigerweise zur Stabilisation kolloidaler Partikel verwendet. Es wird kein Bereich für das Molekulargewicht des Ausflockungshemmungsmittels beschrieben. In derJP 200164631 WO 01/02134 - Folglich bleibt jedoch ein Bedürfnis nach Poliersystemen und Polierverfahren bestehen, die eine wünschenswerte Planarisierungswirksamkeit, Einheitlichkeit und Abtragungsrate während dem Polieren und Planen von Substraten an den Tag legen, während Fehlerhaftigkeit wie zum Beispiel Oberflächenfehler und Schäden an Barunterliegenden Strukturen und der Topografie während dem Polieren und dem Planen minimiert werden.
- Mit der Erfindung wird versucht, ein solches chemisch-mechanisches Poliersystem und -verfahren bereitzustellen. Diese und weitere Vorteile der Erfindung werden an Hand der in diesem Dokument bereitgestellten Beschreibung der Erfindung offensichtlich.
- KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Die Erfindung stellt chemisch-mechanische Poliersysteme („CMP") bereit, wie in Anspruch 1 definiert. Die Erfindung stellt weiterhin ein Verfahren zum Polieren eines Substrates unter Verwendung der chemisch-mechanischen Poliersysteme bereit.
- DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- Die Erfindung betrifft chemisch-mechanische Poliersysteme („CMP"), wie in Anspruch 1 definiert.
- Das chemisch-mechanische System wird typischerweise weiterhin ein Polierkissen aufweisen. Die Schleifpartikel können auf dem Polierkissen befestigt und/oder in Partikelform sein und in der Trägerflüssigkeit schwebend gehalten sein. Das Polierkissen kann jedes geeignete Polierkissen sein. Das Schleifmittel (wenn vorhanden und in der Trägerflüssigkeit schwebend gehalten) und der/die positiv geladene/n Polyelektrolyten sowie beliebige andere, in der Trägerflüssigkeit schwebend gehaltene Komponenten, bilden die Polierzusammensetzung des chemisch-mechanischen Poliersystems aus.
- Der positiv geladene Polyelektrolyt und die Schleifpartikel verbinden sich elektrostatisch so, dass mindestens ein Teil der Partikeloberfläche durch den Polyelektrolyten überzogen wird. Der Polyelektrolyt wird positiv geladen und verbindet sich mit jedem beliebigen Schleifpartikel, der bei dem pH-Wert des chemisch-mechanischen Poliersystems ein geeignetes Zeta-Potential aufweist. Das Zeta-Potential eines Schleifpartikels betrifft den Unterschied zwischen der elektrischen Ladung der den Schleifpartikel umgebenden Ionen und der elektrischen Ladung der Massenlösung (zum Beispiel die Trägerflüssigkeit und alle anderen darin aufgelösten Komponenten). Das Zeta-Potential der Schleifpartikel wird sich mit dem pH-Wert verändern. Die Schleifpartikel weisen vorzugsweise bei dem pH-Wert des chemisch-mechanischen Systems ein negatives Zeta-Potential auf. In einigen Fällen werden die Schleifpartikel, die ein negatives Zeta-Potential aufweisen, durch Behandlung eines Schleifpartikels mit einem positiven Zeta-Potential mit einem Ladungsumkehrungsmittel erhalten, bevor sie dem positiv geladenen Polyelektrolyten ausgesetzt werden. Das Ladungsumkehrungsmittel ist typischerweise eine anorganische Säure, eine organische Säure oder ein Salz davon. Das Ladungsumkehrungsmittel kann Weinsäure sein.
- Die Schleifpartikel können alle geeigneten Schleifpartikel sein, so kann das Schleifmittel zum Beispiel natürlich oder synthetisch sein, und kann Diamant (zum Beispiel polykristalliner Diamant), Granat, Glas, Karborund, Metalloxid, Nitrid und dergleichen aufweisen. Typischerweise werden die Schleifpartikel aus der aus Kieselerde, Aluminiumoxid, Titanerde, Zirkonoxid, Zer(IV)-oxid, Germanium, Magnesium, Siliziumnitrid, Siliziumkarbid, Borkarbid, Titankarbid, Titandiborid, Wolframkarbid, Diamant, gebildeten Nebenprodukten davon und Kombinationen davon ausgewählt. Vorzugsweise umfassen die Schleifpartikel Kieselerde oder Aluminiumoxid.
- Der positiv geladene Polyelektrolyt kann jeder geeignete positiv geladene Polyelektrolyt sein, und das chemisch-mechanische System kann einen oder mehrere solcher positiv geladenen Polyelektrolyte aufweisen. Der positiv geladene Polyelektrolyt ist wünschenswerterweise ein Polymer oder ein grenzflächenaktiver Stoff, der positiv geladene funktionelle Gruppen aufweist. Typischerweise weist der positiv geladene Polyelektrolyt auf Stickstoff basierende funktionelle Gruppen auf. Der Polyelektrolyt kann zum Beispiel ein Polyamin sein, welches primäre, sekundäre, tertiäre oder quaternäre funktionelle Amingruppen oder Mischungen davon aufweist. Der Polyelektrolyt kann ein kationischer grenzflächenaktiver Stoff mit einer hydrophilen (stickstoffhaltigen) Kopfgruppe und einer hydrophoben Schwanzgruppe sein. Der Polyelektrolyt weist vorzugsweise eine oder mehrere Wiederholungseinheiten auf, die funktionelle Gruppen aufweisen, die aus der aus Aminen, Amiden, Imiden, Iminen, Alkylaminen und Aminoalkoholen bestehenden Gruppe ausgewählt sind. Der Polyelektrolyt kann ein Polymer oder Kopolymer sein, welches nur die oben zitierten Wiederholungseinheiten enthält, oder kann ein Kopolymer sein, welches eine oder mehrere dieser Wiederholungseinheiten in Kombination mit anderen (vorzugsweise nichtionogenen) Wiederholungseinheiten enthält, zum Beispiel Ethylenoxid, Propylenoxid, Styrol und Mischungen davon. Nichtionogene Wiederholungseinheiten können in dem positiv geladenen Polyelektrolyten vorhanden sein, um ein räumliches Verhältnis zwischen den komplexierenden Wiederholungseinheiten einzuführen. Die Anzahl nichtionogener Wiederholungseinheiten, die in dem Polyelektrolyten vorhanden sind, überschreitet wünschenswerterweise nicht 99% (zum Beispiel 95%) der Gesamtanzahl von Wiederholungseinheiten. Vorzugsweise überschreitet die Anzahl nichtionogener Wiederholungseinheiten, die in dem Polyelektrolyten vorhanden sind, nicht 90% (zum Beispiel 85%). Der Polyelektrolyt kann ein Kopolymer sein, welches die oben erwähnten Wiederholungseinheiten in Kombination mit anderen Wiederholungseinheiten enthält, die funktionelle Gruppen aufweisen, zum Beispiel Alkohole, Phosphonsäuren, Phosphonate, Sulfate, Sulfonsäuren, Phosphate, Karboxylsäuren, Karboxylate und Mischungen davon. Der Polyelektrolyt kann ein Homopolymer, Zufallspolymer, Wechselpolymer, periodisches Polymer, Block-Kopolymer (zum Beispiel AB, ABA, ABC, usw.) Propf-Kopolymer oder Kamm-Kopolymer sein.
- Die Integration nichtionogener oder anderer Wiederholungseinheiten, die funktionelle Gruppen enthalten, mit kationischen stickstoffhaltigen Wiederholungseinheiten ermöglicht die Optimierung der chemisch-mechanischen Polierleistung. Wechselwirkungen der positiv geladenen Polyelektrolyte mit der Schleifpartikeloberfläche, der Substratoberfläche, der Polierkissenoberfläche und der Trägerflüssigkeit können alle durch die Veränderung der Arten und relativen Mengen von Wiederholungseinheiten verändert und optimiert werden. Geeignete Polyelektrolyte umfassen Polyethylenimine, Polyaminoamide, Poly(diallyldimethylammoniumchlorid), Poly(dimethylamin-co-epichlorohydrin), Poly(methacryloyloxyethyltrimethylammoniumchlorid), Poly(methacryloyloxyethyldimethylammoniumchlorid), Poly(vinylpyrrolidon), Poly(vinylimidazol), Poly(vinylpyridin), Poly(vinylamin), ein Siloxanpolymer oder Kopolymer, anhängende Amingruppen und Kombinationen davon. Vorzugsweise ist der positiv geladene Polyelektrolyt ein Polyethylenimin.
- Bei einer ersten Ausführungsform hat die Verbindung des positiv geladenen Polyelektrolyten mit den Schleifpartikeln ein kolloidal stabiles Schleifmittel zum Ergebnis. Kolloidal bezieht sich auf die Suspension von Schleifpartikeln in der Trägerflüssigkeit. Kolloidale Stabilität bezieht sich auf die Aufrechterhaltung der Suspension über die Zeit. Im Zusammenhang dieser Erfindung wird ein Schleifmittel dann als kolloidal stabil betrachtet, wenn das Schleifmittel in einem Messzylinder mit 100 ml positioniert wird und man es unbewegt für eine Zeitdauer von 2 Stunden stehen lässt, wobei der Unterschied zwischen der Konzentration von Partikeln in den unteren 50 ml des Messzylinders ([B] in Bezug auf g/ml) und der Konzentration von Partikeln in den oberen 50 ml des Messzylinders ([T] in Bezug auf g/ml) geteilt durch die Anfangskonzentration von Partikeln in der Schleifmittelzusammensetzung ([C] in Bezug auf g/ml) niedriger oder gleich 0,5 ist, (d.h. {[B] – [T]}/[C]≤0,5). Der positiv geladene Polyelektrolyt der ersten Ausführungsform weist wünschenswerterweise ein Molekulargewicht von 15.000 oder mehr (zum Beispiel 20.000 oder mehr) auf. Typischerweise weist der positiv geladene Polyelektrolyt ein Molekulargewicht von 5.000.000 oder weniger auf. Vorzugsweise weist der positiv geladene Polyelektrolyt ein Molekulargewicht von 20.000 bis 3.000.000 (zum Beispiel 35.000 bis 2.000.000 oder 50.000 bis 1.000.000) auf. Von Polyelektrolyten mit höherem Molekulargewicht (zum Beispiel 15.000 oder mehr) wird erwartet, dass sie eine dickere sterische Barriere rund um die Schleifpartikel als Polyelektrolyten mit niedrigerem Molekulargewicht (zum Beispiel 10.000 oder weniger) bereitstellen. Bei sehr hohen Molekulargewichten (zum Beispiel ein Molekulargewicht von 3.000.000 oder mehr, zum Beispiel 2.000.000 oder mehr) kann sich die kolloidale Stabilität des Schleifmittels verringern.
- Bei einer zweiten Ausführungsform weist der positiv geladene Polyelektrolyt wünschenswerterweise ein Molekulargewicht von 15.000 oder mehr (zum Beispiel 20.000 oder mehr) und 2.000.000 oder weniger auf. Vorzugsweise weist der positiv geladene Polyelektrolyt ein Molekulargewicht von 20.000 bis 1.500.000 (zum Beispiel 50.000 bis 1.000.000) auf.
- Wenn das in den chemisch-mechanischen Poliersystemen vorhandene Schleifmittel in der Trägerflüssigkeit schwebend gehalten wird (d.h. wenn das Schleifmittel eine Komponente der Polierzusammensetzung ist), be trägt die Menge an Schleifpartikeln in der Polierzusammensetzung 0,1 Gewichts bis 5 Gewichts am vorteilhaftesten 0,5 Gewichts bis 3 Gewichts-%.
- Eine Trägerflüssigkeit wird verwendet, um die Anwendung des Schleifmittels (wenn es vorhanden ist und in der Trägerflüssigkeit schwebend gehalten wird) und des/der positiv geladenen Polyelektrolyts/e oder Salzen davon, und beliebige optionale Zusätze zu der Oberfläche eines zu polierenden oder zu planenden geeigneten Substrates zu erleichtern. Die Trägerflüssigkeit ist typischerweise ein wässriger Träger, und kann ausschließlich Wasser sein, Wasser enthalten und ein geeignetes, mit Wasser vermischbares Lösungsmittel sein, oder kann eine Emulsion sein. Geeignete, mit Wasser vermischbare Lösungsmittel umfassen Alkohole wie zum Beispiel Methanol, Ethanol usw. Vorzugsweise besteht der wässrige Träger aus Wasser, noch vorteilhafter aus entionisiertem Wasser.
- Der pH-Wert der in diesem Dokument beschriebenen chemisch-mechanischen Poliersysteme wird in einem Bereich gehalten, der für seine beabsichtigte Endanwendung geeignet ist. Der bei den chemisch-mechanischen Poliersystemen verwendete pH-Wert ist von mehreren Faktoren einschließlich (i) dem pka des Polyelektrolyten (wenn der Polyelektrolyt ein stickstoffhaltiges Polymer oder grenzflächenaktiver Stoff ist), (ii) dem Zeta-Potential der Schleifpartikel und (iii) der Art des zu polierendem Substrates abhängig. Das kationische Wesen eines stickstoffhaltigen Polyelektrolyten ist eine vom pH-Wert abhängige Eigenschaft. Um sicherzustellen, dass der Polyelektrolyt ausreichend die Schleifpartikel überzieht (zum Beispiel Adsorption), wird der pH-Wert wünschenswerterweise so eingestellt, dass 5% oder mehr aller funktionellen Gruppen des Polyelektrolyten positiv geladen sind. Das heißt, dass der pH-Wert des chemisch-mechanischen Poliersystems wünschenswerterweise mindestens 1 Einheit niedriger als der pka von 5% oder mehr aller funktionellen Gruppen des Polyelektrolyten ist. Zusätzlich sollten die Schleifpartikel ein negatives Zeta-Potential bei dem pH-Wert des chemisch-mechanischen Poliersystems aufweisen. Daher sollte der pH-Wert auf einem Wert gehalten werden, der über dem isoelektrischen Punkt (dem pH-Wert, bei dem das Zeta-Potential Null ist) der Schleifpartikel liegt.
- Wenn die chemisch-mechanischen Poliersysteme zusammen mit dem Polieren eines kupferhaltigen Substrates verwendet werden, beträgt der pH-Wert wünschenswerterweise 7 oder weniger, vorzugsweise 3 bis 6, und noch vorteilhafter 3,5 bis 5 (zum Beispiel beträgt der pH-Wert 4). Wenn chemisch-mechanische Poliersysteme zum Polieren eines platinhaltigen Substrates verwendet werden, beträgt der pH-Wert wünschenswerterweise 2 bis 7. Wenn chemisch-mechanische Poliersysteme zum Polieren eines rutheniumhaltigen Substrates verwendet werden, beträgt der pH-Wert wünschenswerterweise 5 oder mehr, vorzugs weise 7 bis 11. Wenn die chemisch-mechanischen Poliersysteme zum Polieren eines iridiumhaltigen Substrates verwendet werden, beträgt der pH-Wert wünschenswerterweise 5 bis 12, vorzugsweise 7 bis 9.
- Die chemisch-mechanischen Poliersysteme umfassen weiterhin ein Oxidationsmittel. Das Oxidationsmittel kann jedes geeignete Oxidationsmittel sein. Geeignete Oxidationsmittel umfassen anorganische und organische Perverbindungen, Bromate, Nitrate, Chlorate, Chromate, Jodate, Eisen und Kupfersalze (zum Beispiel Nitrate, Sulfate, EDTE und Zitrate), Seltenerd- und Übergangsmetalloxide (zum Beispiel Osmiumtetraoxid), rotes Blutlaugensalz, Kaliumdichromat, Jodsäure und dergleichen. Eine Perverbindung, wie sie in Hawley's Condensed Chemical Dictionary definiert wird, ist eine Verbindung, die mindestens eine Peroxy-Gruppe (--O-O--) oder eine Verbindung enthält, die ein Element in seinem höchsten Oxidationszustand aufweist. Beispiele von Verbindungen, die mindestens eine Peroxy-Gruppe enthalten, umfassen Wasserstoffperoxid und dessen Addukte wie zum Beispiel Harnstoff-Wasserstoffperoxid und Percarbonate, organische Peroxide wie zum Beispiel Benzoylperoxid, Peressigsäure und Di-t-Butyl-Peroxid, Monopersulfate (SO5 2-), Dipersulfate (S2O8 2-) und Natriumperoxid, sind aber nicht darauf beschränkt. Beispiele von Verbindungen, die ein Element in seinem höchsten Oxidationszustand aufweisen, umfassen Überjodsäure, Periodatsalze, Perbromsäure, Perbromatsalze, Perchlorsäure, Perchlorsalze, Perborsäure, Perborat salze und Permanganate, sind jedoch nicht darauf beschränkt. Vorzugsweise ist das zweite Oxidationsmittel Wasserstoffperoxid.
- Die chemisch-mechanischen Poliersysteme umfassen weiterhin optional einen Korrosionshemmer (d.h. ein Filmbildungsmittel). Der Korrosionshemmer kann jeder beliebige geeignete Korrosionshemmer sein. Typischerweise ist der Korrosionshemmer eine organische Verbindung, die eine heteroatomhaltige funktionelle Gruppe enthält. So ist der Korrosionshemmer zum Beispiel eine heterozyklische organische Verbindung mit mindestens einem aus 5 oder 6 Elementen bestehenden heterozyklischen Ring als die aktive funktionelle Gruppe, wobei der heterozyklische Ring mindestens ein Stickstoffatom, zum Beispiel eine Azolverbindung enthält. Vorzugsweise ist das Filmbildungsmittel ein Triazol, noch vorteilhafter 1,2,4-Triazol, 1,2,3-Triazol oder Benztriazol.
- Die chemisch-mechanischen Poliersysteme umfassen weiterhin optional einen nichtionogenen grenzflächenaktiven Stoff. Ein Beispiel für einen geeigneten nichtionogenen grenzflächenaktiven Stoff ist der grenzflächenaktive Stoff Tetronic®, der im Handel von der Firma BASF erhältlich ist.
- Die chemisch-mechanischen Poliersysteme umfassen optional weiterhin einen Chelat- oder Komplexbildner. Der Komplexbildner ist jeder beliebige geeignete chemische Zusatz, der die Abtragungsrate der abgetragenen Substratschicht steigert. Geeignete Chelat- oder Komplexbildner können zum Beispiel Karbonylverbindungen (zum Beispiel Azetylazetonate und dergleichen), einfache Karboxylate (zum Beispiel Azetate, Arylkarboxylate und dergleichen), Karboxylate, die eine oder mehrere Hydroxylgruppen (zum Beispiel Glykolate, Laktate, Glukonate, Gallussäure und Salze davon, und dergleichen) enthalten, umfassen, Di-, Tri- und Polykarboxylate (zum Beispiel Oxalate, Phthalate, Zitrate, Succinate, Tartrate, Malate, EDTE-Salze (zum Beispiel Dinatrium-EDTE), Mischungen davon, und dergleichen), Karboxylate, die eine oder mehrere Sulfon- und/oder Phosphongruppen enthalten, und dergleichen. Geeignete Chelat- oder Komplexbildner können zum Beispiel auch Di-, Tri- oder Polyalkohole (zum Beispiel Ethylenglykol, Brenzkatechin, Pyrogallol, Gerbsäure, und dergleichen) umfassen, und aminhaltige Verbindungen (zum Beispiel Ammoniak, Aminosäuren, Aminoalkohole, Di-, Tri- und Polyamine und dergleichen). Vorzugsweise ist der Komplexbildner ein Karboxylatsalz, noch vorteilhafter ein Oxalatsalz. Die Auswahl des Chelat- oder Komplexbildners wird von der Art der im Verlauf des Polierens eines Substrates mit der Polierzusammensetzung abgetragenen Substratschicht abhängig sein.
- Es wird davon ausgegangen, dass viele der zuvor erwähnten Verbindungen in Form eines Salzes (zum Beispiel ein Metallsalz, ein Ammoniumsalz oder dergleichen), einer Säure oder eines Teilsalzes vorhanden sein können. So umfassen Zitrate zum Beispiel Zitronensäure sowie Mono-, Di- und Tri-Salze davon. Phthalate umfassen Phthalsäure sowie Monosalze (zum Beispiel Kaliumwasserstoffphthalat) und Di-Salze davon. Perchlorate umfassen die entsprechende Säure (d.h. Perchlorsäure) sowie Salze davon. Weiterhin können bestimmte Verbindungen mehr als eine Funktion ausführen. So können zum Beispiel manche Verbindungen als Chelatbildner und Oxidationsmittel funktionieren (zum Beispiel bestimmte Eisennitrate und dergleichen).
- Die in diesem Dokument beschriebenen chemisch-mechanischen Poliersysteme können zum Polieren (zum Beispiel Planen) eines Substrates verwendet werden. Das Verfahren zum Polieren eines Substrates umfasst (i) Bereitstellung des chemisch-mechanischen Poliersystems, (ii) Berühren des Substrates mit dem chemisch-mechanischen Polierssystem, und (iii) Abschleifen mindestens eines Teils des Substrates zum Polieren des Substrates. Das chemisch-mechanische Poliersystem wird wünschenswerterweise bei einem Verfahren zum Polieren eines Substrates verwendet, welches mindestens eine Metallschicht und optional eine Isolierschicht umfasst, wobei das Substrat mit dem chemisch-mechanischen Poliersystem berührt wird und mindestens ein Teil der Metallschicht oder Isolierschicht (wenn vorhanden) des Substrates so abgeschliffen wird, dass die Metallschicht oder Isolierschicht poliert wird. Das Substrat kann jedes geeignete Substrat sein (zum Beispiel eine integrierte Schaltung, Speicher- oder Festplatten, Metalle, ILD (Zwischenebenen-Nichtleiter)-Schichten, Halbleiter, mikro-elektromechanische Systeme, Ferroelektrik, Magnetköpfe, Polymerfilme und Schichten mit kleiner und großer dielektrischer Konstante), und kann jede beliebige Isolier-, Metall- oder Metalllegierungsschicht (zum Beispiel leitende Metallschicht) enthalten. Die Isolierschicht kann ein Metalloxid, feinporiges Metalloxid, Glas, organisches Polymer, fluoriertes organisches Polymer oder jede andere geeignete Isolierschicht mit hohem oder niedrigem K-Wert sein. Die Isolierschicht weist vorzugsweise Siliziumoxid, Siliziumoxynitrid, Siliziumkarbid, Aluminiumoxid oder einen Werkstoff mit einer Dielektrizitätskonstante von 3,5 oder weniger auf. Die Metallschicht weist vorzugsweise Kupfer, Wolfram, Titan, Aluminium, Tantal, Platin, Ruthenium (zum Beispiel Rutheniumdioxid), Rhodium, Iridium (zum Beispiel Iridiumdioxid), Nickel, Eisen oder Kobalt auf.
- Die chemisch-mechanischen Poliersysteme der Erfindung sind zum Polieren (zum Beispiel Planen) eines Substrates mit einer relativ hohen Rate in der Lage, wobei während dem Polieren des Substrates eine wünschenswerte Planwirksamkeit, Gleichförmigkeit, Abtragungsrate und Selektivität an den Tag gelegt werden. Insbesondere sind die chemisch-mechanischen Poliersysteme wünschenswerterweise in der Lage, ein Substrat mit einer Verringerung bei der Fehlerhaftigkeit zu polieren. Schleifmittel, die Partikel aufweisen, die mit positiv geladenen Polyelektrolyten überzogen sind, bieten (a) eine verringerte Zusammenballung der Partikel, (b) veränderte mechanische und chemische Eigenschaften der Partikel, und (c) ein verändertes Zeta-Potential der Partikel, was zu einer Verringerung von Oberflächenfehlern auf dem polierten Substrat führen kann. Schleifmittel, die Partikel aufweisen, die mit positiv geladenen Polyelektrolyten überzogen sind, können ebenfalls eine Verbesserung der Selektivität zwischen Substratschichten bereitstellen. So können zum Beispiel Schleifpartikel, die mit aminhaltigen Polyelektrolyten überzogen sind, im Vergleich zu nicht überzogenen Schleifpartikeln verringerte Abtragungsraten für Isolierschichten aufweisen.
- Die folgenden Beispiele veranschaulichen weiter die Erfindung, sollten jedoch natürlich in keinster Weise als deren Umfang begrenzend angesehen werden.
- BEISPIEL 1
- Dieses Beispiel veranschaulicht ein Verfahren zur Erzeugung von polyelektrolytbeschichteten Schleifpartikeln, die eine kolloidale Stabilität in Übereinstimmung mit der Erfindung an den Tag legen.
- Eine Lösung von Poly(dimethylamin-co-epichlorohydrin) (50 Gewichts-%, Molekulargewicht – 75.000) wurde in entionisiertem Wasser aufgelöst, mit konzentrierter Schwefelsäure an den pH-Wert angepasst, so dass der endgültige pH-Wert nach der Zugabe von Kieselerde 4,5 betrug. Die Mischung wurde dann bei 20.000 U/min. gemischt. Eine Suspension von kolloidalen Kieselerdepartikeln (50 Gewichts-%, 120 nm, Zeta-Potential von –15 bis –20 mV bei einem pH-Wert von 4,5) wurde der Mischung während dem Mischen langsam über die Dauer von 6 Minuten zugegeben. Die Mischung wurde dann für die Dauer einer weiteren Minute zur Erzeugung einer Endzusammensetzung gemischt, die 12 Gewichts-% Kieselerde und 2,5 Gewichts-% Polyelektrolyt umfasste. Die sich daraus ergebenden polyelektrolytbeschichteten Kieselerdepartikel wiesen eine durchschnittliche Partikelgröße von 132 nm auf. Das gemessene Zeta-Potential betrug +28 mV bei einem pH-Wert von 4,5.
- Die polyelektrolytbeschichteten Kieselerdepartikel wurden mit positiv geladenen Aluminiumoxidpartikeln (Zusammensetzung 1A, Erfindung) gemischt. Ähnliche unbehandelte Kieselerdepartikel wurden ebenfalls mit positiv geladenen Aluminiumoxidpartikeln gemischt (Zusammensetzung 1B, Kontrolle). Nach dem Mischen blieb die Schleifmittelzusammensetzung aus polyelektrolytbeschichteten Schleifpartikeln (1A) kolloidal stabil, und zwar im Gegensatz zu der unbehandelten Schleifmittelzusammensetzung, die ausflockte und sich absetzte.
- Dieses Beispiel demonstriert, dass polyelektrolytbeschichtete Schleifpartikel leicht produziert, und zur späteren Verwendung in einem chemisch-mechanischen Polierprozess gelagert werden können. Das Beispiel demonstriert ebenfalls, dass polyelektrolytbeschichtete Partikel die bei den unbehandelten Schleifmitteln auftretenden Stabilitätsprobleme beseitigen können.
- BEISPIEL 2
- Dieses Beispiel veranschaulicht, dass sich die polyelektrolytbeschichteten Schleifpartikel über die Zeit nicht zusammenballen.
- Eine Dispersion aus geräucherter Kieselerde (5 Gewichts Zeta-Potential von –20 mV bei einem pH-Wert von 7, 156 nm) wurde mit einer Lösung von 0,625 Gewichts Polyethylenimin in entionisiertem Wasser bei einem pH-Wert von 7 behandelt. Die Mischung wurde für die Dauer von 20 Minuten einer hohen Scherung ausge setzt, wodurch eine kolloidal stabile Zusammensetzung erzeugt wurde, die ein Zeta-Potential von +15 mV bei einem pH-Wert von 7 aufwies. Die sich ergebende Schleifmittelzusammensetzung wies eine durchschnittliche Partikelgröße von 158 nm auf. Nach 27 Tagen betrug die Partikelgröße 167 nm.
- Dieses Beispiel demonstriert, dass die positiv geladenen, polyelektrolytbeschichteten Schleifpartikel sehr stabil sind.
- BEISPIEL 3
- Dieses Beispiel demonstriert, dass Schleifpartikel, die ein positives Zeta-Potential aufweisen, nach dem Kontakt mit einem Ladungsumkehrungsmittel ladungsumgekehrt werden können, welches mit einem positiv geladenen Polyelektrolyten überzogen ist, um stabile polyelektrolytbeschichtete Schleifpartikeldispersionen zu erzeugen.
- Eine Dispersion aus geräuchertem Aluminiumoxid (3 Gewichts-%, Zeta-Potential = +30 bis +40 mV bei einem pH-Wert von 6) wurde mit Weinsäure (1,25 Gewichts-%) gemischt. Die sich ergebende Dispersion von Schleifpartikeln wies ein Zeta-Potential von –15 mV bei einem pH-Wert von 7 auf, wodurch demonstriert wurde, dass ein Schleifmittel, welches ein positives Zeta- Potential aufweist, durch den Kontakt mit einem Ladungsumkehrungsmittel ladungsumgekehrt werden kann.
- Eine weitere Dispersion derselben Art aus geräuchertem Aluminiumoxid (3 Gewichts Zeta-Potential = +30 bis +40 mV bei einem pH-Wert von 6) wurde auf ähnliche Weise mit einer wässrigen Lösung behandelt, die Weinsäure (100 ppm) und Polyethylenimin (1,25 Gewichts-%) enthielt, und wurde für die Dauer von 20 Minuten einer hohen Scherung ausgesetzt. Die sich ergebende Dispersion von polyethylenbeschichteten Aluminiumoxidpartikeln war für über 4 Monate stabil.
- Dieses Beispiel demonstriert, dass Schleifpartikel, die ein positives Zeta-Potential aufweisen, bei der Erfindung unter der Voraussetzung verwendbar sind, dass die Schleifpartikel mit einem Ladungsumkehrungsmittel behandelt werden. Solche Schleifpartikel können mit positiv geladenen Polyelektrolyten überzogen sein, und demonstrieren eine gute Beständigkeit gegen Ausflockung und Absetzen über die Zeit.
Claims (22)
- Chemisch-mechanisches Poliersystem, welches Folgendes aufweist: (a) ein Schleifmittel; (b) eine Trägerflüssigkeit; und (c) einen positiv aufgeladenen Polyelektrolyten mit einem Molekulargewicht von 15.000 oder mehr; wobei das Schleifmittel kolloidal stabil ist und Partikel aufweist, die elektrostatisch mit dem positiv aufgeladenen Polyelektrolyten verbunden sind, wobei das Schleifmittel in einer Menge von 0,1 bis 5,0 Gewichts vorhanden ist und mit dem positiv geladenen Polyelektrolyten überzogene Partikel aufweist.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Schleifmittel ein Zetapotential aufweist, welches positiver als das Zetapotential der Partikel ist, die elektrostatisch mit dem positiv aufgeladenen Polyelektrolyten verbunden sind.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Zetapotential der Partikel, die elektrostatisch mit dem positiv aufgeladenen Polyelektrolyten verbunden sind, negativ ist.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die ein negatives Zetapotential aufweisenden Partikel, die elektrostatisch mit dem positiv aufgeladenen Polyelektrolyten verbunden sind, durch Behandlung eines Partikels mit einem positiven Zetapotential mit einem Ladungsumkehrungsmittel erhalten werden.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Ladungsumkehrungsmittel eine anorganische Säure, eine organische Säure oder ein Salz davon ist.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Schleifmittel aus der aus Kieselerde, Aluminiumoxid, Titanerde, Zirkonoxid, Zer(IV)-oxid, Ger manium, Magnesium, Siliziumnitrid, Siliziumkarbid, Borkarbid, Titankarbid, Titandiborid, Wolframkarbid, Diamant, Nebenprodukten davon und Kombinationen davon bestehenden Gruppe ausgewählte Partikel aufweist.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den Partikeln um Kieselerde oder Aluminiumoxid handelt.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der positiv aufgeladene Polyelektrolyt ein Molekulargewicht von 5.000.000 oder weniger aufweist.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem positiv aufgeladenen Polyelektrolyten um ein Polymer oder einen grenzflächenaktiven Stoff handelt, der positiv aufgeladene funktionale Gruppen aufweist.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der positiv aufgeladene Polyelektrolyt weiterhin Wiederholungseinheiten aufweist, die aus der aus Alkoholen, Phosphonsäuren, Phosphonaten, Sulfaten, Sulfonsäuren, Sulfonaten, Phosphaten, Karbonsäuren, Karboxylaten und Mischungen davon bestehenden Gruppe ausgewählt werden.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der positiv aufgeladene Polyelektrolyt weiterhin Wiederholungseinheiten aufweist, die aus der aus Ethylenoxid, Propylenoxid, Vinylazetat und Mischungen davon bestehenden Gruppe ausgewählt werden.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der positiv aufgeladene Polyelektrolyt ein Polymer oder ein grenzflächenaktiver Stoff ist, der eine oder mehrere Wiederholungseinheiten enthält, die aus der aus Aminen, Amiden, Imiden, Iminen, Alkylaminen, Aminoalkoholen und Mischungen davon bestehenden Gruppe ausgewählt werden.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der positiv aufgeladene Polyelektrolyt aus der aus Polyethyleniminen, Polyaminoamiden, Poly(diallyldimethylammoniumchlorid), Poly(dimethylamin-co-epichlorohydrin), Poly(methacryloyloxyethyltrimethylammoniumchlorid) Poly(vinylpyrrolidon), Poly(vinylimidazol), Poly(vinylpyridin), Poly(vinylamin) und Kombinationen davon bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem positiv aufgeladenen Polyelektrolyten um ein Siloxanpolymer oder Kopolymer handelt, welches anhängende Amingruppen enthält.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass 5% oder mehr aller funktionalen Gruppen des positiv aufgeladenen Polyelektrolyten positiv aufgeladen sind.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das System weiterhin einen oder mehrere aus der aus Oxidationsmitteln, Komplexbildnern und Korrosionshemmern bestehenden Gruppe ausgewählte Komponenten aufweist.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das System weiterhin ein Polierkissen aufweist.
- Chemisch-mechanisches Poliersystem nach einem der Ansprüche 1, 2, 4, 7 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass der positiv aufgeladene Polyelektrolyt ein Molekulargewicht von 15.000 oder mehr und 2.000.000 oder weniger aufweist; und wobei der positiv aufgeladene Polyelektrolyt ein Polymer oder ein grenzflächenaktiver Stoff ist, der positiv aufgeladene funktionale Gruppen aufweist, und wobei der positiv aufgeladene Polyelektrolyt (i) weiterhin Wiederholungseinheiten aufweist, die aus der aus Phosphonsäuren, Phosphonaten, Sulfaten, Sulfonsäuren, Sulfonaten, Phosphaten, Karbonsäuren, Karboxylaten und Mischungen davon bestehenden Gruppe ausgewählt werden, (ii) weiterhin Wiederholungseinheiten aufweist, die aus der aus Ethylenoxid, Propylenoxid, Vinylazetat bestehenden Gruppe und Mischungen davon ausgewählt werden, (iii) eine oder mehrere Wiederholungseinheiten enthält, die aus der aus Amiden, Imiden und Mischungen davon bestehenden Gruppe ausgewählt werden, oder (iv) ein Siloxanpolymer oder Kopolymer ist, welches anhängende Amingruppen enthält.
- Verfahren zum Polieren eines Poliersubstrates, welches das Berühren eines Substrates mit dem chemisch-mechanischen Polierssystem nach einem der vorangegangenen Ansprüche und Abschleifen mindes tens eines Teils des Substrates zum Polieren des Substrates umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat eine Metallschicht und/oder eine Isolierschicht aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht Kupfer, Wolfram, Titan, Aluminium, Tantal, Platin, Ruthenium, Rhodium, Iridium, Nickel, Eisen oder Kobalt aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht Siliziumoxid, Siliziumoxynitrid, Siliziumkarbid, Aluminiumoxid oder einen Werkstoff mit einer Dielektrizitätskonstante von 3,5 oder weniger aufweist.
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|---|---|---|---|---|
| US6776810B1 (en) * | 2002-02-11 | 2004-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP |
| US20040175942A1 (en) * | 2003-01-03 | 2004-09-09 | Chang Song Y. | Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals |
| US7071105B2 (en) * | 2003-02-03 | 2006-07-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
| US6916742B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-07-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Modular barrier removal polishing slurry |
| JP3974127B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2007-09-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US7241725B2 (en) * | 2003-09-25 | 2007-07-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Barrier polishing fluid |
| US20050097825A1 (en) * | 2003-11-06 | 2005-05-12 | Jinru Bian | Compositions and methods for a barrier removal |
| TWI288046B (en) * | 2003-11-14 | 2007-10-11 | Showa Denko Kk | Polishing composition and polishing method |
| WO2005047410A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-26 | Showa Denko K.K. | Polishing composition and polishing method |
| KR100640600B1 (ko) * | 2003-12-12 | 2006-11-01 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 조성물 및 이를 이용한 화학기계적연마공정를포함하는 반도체 소자의 제조방법 |
| US7314578B2 (en) * | 2003-12-12 | 2008-01-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Slurry compositions and CMP methods using the same |
| TW200613485A (en) * | 2004-03-22 | 2006-05-01 | Kao Corp | Polishing composition |
| US7059936B2 (en) * | 2004-03-23 | 2006-06-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Low surface energy CMP pad |
| US7204742B2 (en) | 2004-03-25 | 2007-04-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port |
| DE102004016600A1 (de) * | 2004-04-03 | 2005-10-27 | Degussa Ag | Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren von Metalloberflächen enthaltend Metalloxidpartikel und ein kationisches Polymer |
| US7582127B2 (en) * | 2004-06-16 | 2009-09-01 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for a tungsten-containing substrate |
| US7247567B2 (en) | 2004-06-16 | 2007-07-24 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a tungsten-containing substrate |
| US7161247B2 (en) | 2004-07-28 | 2007-01-09 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for noble metals |
| US20060089095A1 (en) | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
| US7504044B2 (en) * | 2004-11-05 | 2009-03-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios |
| US7531105B2 (en) * | 2004-11-05 | 2009-05-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios |
| JP4836441B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2011-12-14 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| US7674716B2 (en) * | 2004-12-29 | 2010-03-09 | Lg Chem. Ltd. | Adjuvant for chemical mechanical polishing slurry |
| KR100786950B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-12-17 | 주식회사 엘지화학 | Ｃｍｐ 슬러리용 보조제 |
| KR100684877B1 (ko) * | 2005-01-05 | 2007-02-20 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 조성물 및 이를 이용한 화학적 기계적 연마 공정을포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| JP4628423B2 (ja) * | 2005-04-14 | 2011-02-09 | 昭和電工株式会社 | 基板の研磨及び製造方法 |
| KR100665122B1 (ko) * | 2005-04-22 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 화학적 작용기를 도입하여 세라믹 분말 및 슬러리를안정화시키는 방법 |
| KR101332302B1 (ko) * | 2005-06-06 | 2013-11-25 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 단일 플래튼 처리를 위한 방법 및 일체형 화학적 기계적연마 조성물 |
| JP4987254B2 (ja) | 2005-06-22 | 2012-07-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US20070037491A1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | Yuzhuo Li | Chemically modified chemical mechanical polishing pad, process of making a modified chemical mechanical polishing pad and method of chemical mechanical polishing |
| US20070075042A1 (en) * | 2005-10-05 | 2007-04-05 | Siddiqui Junaid A | Stabilizer-Fenton's reaction metal-vinyl pyridine polymer-surface-modified chemical mechanical planarization composition and associated method |
| US7265055B2 (en) * | 2005-10-26 | 2007-09-04 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP of copper/ruthenium substrates |
| KR100786949B1 (ko) | 2005-12-08 | 2007-12-17 | 주식회사 엘지화학 | 연마 선택도 조절 보조제 및 이를 함유한 ｃｍｐ 슬러리 |
| KR100786948B1 (ko) | 2005-12-08 | 2007-12-17 | 주식회사 엘지화학 | 연마 선택비 조절제 및 이를 함유한 ｃｍｐ 슬러리 |
| KR100880107B1 (ko) * | 2006-01-25 | 2009-01-21 | 주식회사 엘지화학 | Ｃｍｐ 슬러리 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼의 연마 방법 |
| US20070209287A1 (en) * | 2006-03-13 | 2007-09-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method to polish silicon nitride |
| US8759216B2 (en) * | 2006-06-07 | 2014-06-24 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for polishing silicon nitride materials |
| US20080220610A1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-09-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Silicon oxide polishing method utilizing colloidal silica |
| US7998866B2 (en) * | 2006-09-05 | 2011-08-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Silicon carbide polishing method utilizing water-soluble oxidizers |
| US8057561B2 (en) * | 2006-09-11 | 2011-11-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Polyoxometalate compositions and methods |
| US20080105652A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP of copper/ruthenium/tantalum substrates |
| JP5094112B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2012-12-12 | 富士フイルム株式会社 | 研磨液 |
| JP5094139B2 (ja) * | 2007-01-23 | 2012-12-12 | 富士フイルム株式会社 | 研磨液 |
| US7691287B2 (en) * | 2007-01-31 | 2010-04-06 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization |
| US20080203059A1 (en) * | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Cabot Microelectronics Corporation | Dilutable cmp composition containing a surfactant |
| US8541310B2 (en) * | 2007-05-04 | 2013-09-24 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP compositions containing a soluble peroxometalate complex and methods of use thereof |
| US8008202B2 (en) * | 2007-08-01 | 2011-08-30 | Cabot Microelectronics Corporation | Ruthenium CMP compositions and methods |
| JP2009050920A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| US20090056231A1 (en) * | 2007-08-28 | 2009-03-05 | Daniela White | Copper CMP composition containing ionic polyelectrolyte and method |
| WO2009042072A2 (en) | 2007-09-21 | 2009-04-02 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane |
| US20090090696A1 (en) * | 2007-10-08 | 2009-04-09 | Cabot Microelectronics Corporation | Slurries for polishing oxide and nitride with high removal rates |
| KR100949250B1 (ko) * | 2007-10-10 | 2010-03-25 | 제일모직주식회사 | 금속 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
| US8247045B2 (en) * | 2007-11-08 | 2012-08-21 | Eastman Kodak Company | Inkjet recording element |
| TWI393181B (zh) * | 2008-07-02 | 2013-04-11 | Anji Microelectronics Co Ltd | 用於阻擋層之化學機械拋光液 |
| JP5361306B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2013-12-04 | Ｊｓｒ株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
| US8480920B2 (en) * | 2009-04-02 | 2013-07-09 | Jsr Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, method of preparing the same, chemical mechanical polishing aqueous dispersion preparation kit, and chemical mechanical polishing method |
| CN102120928B (zh) * | 2010-01-08 | 2013-11-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学机械研磨剂及化学机械研磨方法 |
| JP5695367B2 (ja) | 2010-08-23 | 2015-04-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| KR101907863B1 (ko) * | 2010-09-08 | 2018-10-15 | 바스프 에스이 | 수성 폴리싱 조성물, 및 전기적, 기계적 및 광학적 장치용 기판 재료의 화학적 기계적 폴리싱 방법 |
| JP5925454B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2016-05-25 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| WO2012103091A2 (en) * | 2011-01-24 | 2012-08-02 | Clarkson University | Abrasive free silicon chemical mechanical planarization |
| US8435896B2 (en) * | 2011-03-03 | 2013-05-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Stable, concentratable chemical mechanical polishing composition and methods relating thereto |
| US8790160B2 (en) * | 2011-04-28 | 2014-07-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and method for polishing phase change alloys |
| US8623766B2 (en) * | 2011-09-20 | 2014-01-07 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing aluminum semiconductor substrates |
| US8999193B2 (en) * | 2012-05-10 | 2015-04-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical mechanical polishing composition having chemical additives and methods for using same |
| JP5957292B2 (ja) * | 2012-05-18 | 2016-07-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法 |
| US8778211B2 (en) * | 2012-07-17 | 2014-07-15 | Cabot Microelectronics Corporation | GST CMP slurries |
| JP6054149B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2016-12-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| KR102160024B1 (ko) * | 2013-02-28 | 2020-09-25 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 코발트 제거를 위한 연마 슬러리 |
| US9358659B2 (en) | 2013-03-04 | 2016-06-07 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing glass |
| US8961807B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-02-24 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP compositions with low solids content and methods related thereto |
| JP6093213B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-03-08 | 株式会社トクヤマデンタル | 無機凝集粒子、有機無機複合フィラー、及びそれらの製造方法 |
| KR101470980B1 (ko) * | 2013-04-18 | 2014-12-09 | 주식회사 케이씨텍 | 표면 개질된 연마입자 및 그를 포함하는 슬러리 조성물 |
| WO2014175393A1 (ja) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | 日立化成株式会社 | Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法 |
| US20160086819A1 (en) * | 2013-04-25 | 2016-03-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Cmp polishing solution and polishing method using same |
| KR20160009644A (ko) * | 2013-05-15 | 2016-01-26 | 바스프 에스이 | 적어도 하나의 iii-v 재료를 포함하는 물질 또는 층을 연마하기 위한 cmp 조성물의 용도 |
| MY177867A (en) * | 2013-05-15 | 2020-09-23 | Basf Se | Chemical-mechanical polishing compositions comprising one or more polymers selected from the group consisting of n-vinyl-homopolymers and n-vinyl copolymers |
| JP6377726B2 (ja) * | 2013-05-15 | 2018-08-22 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | ポリエチレンイミンを含む化学機械研磨組成物の使用方法 |
| US9303187B2 (en) * | 2013-07-22 | 2016-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for CMP of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon materials |
| JPWO2015129342A1 (ja) | 2014-02-26 | 2017-03-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US9303188B2 (en) | 2014-03-11 | 2016-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition for tungsten CMP |
| US9238754B2 (en) * | 2014-03-11 | 2016-01-19 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition for tungsten CMP |
| US9303189B2 (en) * | 2014-03-11 | 2016-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition for tungsten CMP |
| US20150259804A1 (en) * | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for cmp of tungsten materials |
| SG11201606830WA (en) * | 2014-03-14 | 2016-09-29 | Cabot Microelectronics Corp | Composition and method for polishing glass |
| JP6306383B2 (ja) | 2014-03-17 | 2018-04-04 | 日本キャボット・マイクロエレクトロニクス株式会社 | スラリー組成物および基板研磨方法 |
| US9309442B2 (en) | 2014-03-21 | 2016-04-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition for tungsten buffing |
| US9303190B2 (en) | 2014-03-24 | 2016-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive tungsten CMP composition |
| US9127187B1 (en) | 2014-03-24 | 2015-09-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive tungsten CMP composition |
| JP6349852B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-07-04 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
| US9583359B2 (en) * | 2014-04-04 | 2017-02-28 | Fujifilm Planar Solutions, LLC | Polishing compositions and methods for selectively polishing silicon nitride over silicon oxide films |
| US20170022392A1 (en) * | 2014-04-04 | 2017-01-26 | Fujimi Incorporated | Polishing composition for hard materials |
| KR102511928B1 (ko) * | 2014-06-25 | 2023-03-20 | 씨엠씨 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 텅스텐 화학적-기계적 연마 조성물 |
| US9803106B2 (en) | 2014-06-25 | 2017-10-31 | Cabot Microelectronics Corporation | Methods for fabricating a chemical-mechanical polishing composition |
| TWI564380B (zh) | 2014-06-25 | 2017-01-01 | 卡博特微電子公司 | 銅障壁層化學機械拋光組合物 |
| JP2016069450A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 硬質金属材料研磨用砥粒、研磨用組成物および硬質金属製品製造方法 |
| JP6396740B2 (ja) * | 2014-09-29 | 2018-09-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| JP2016069535A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びその製造方法並びに研磨方法 |
| US10570313B2 (en) | 2015-02-12 | 2020-02-25 | Versum Materials Us, Llc | Dishing reducing in tungsten chemical mechanical polishing |
| US9758697B2 (en) * | 2015-03-05 | 2017-09-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing cationic polymer additive |
| US10119049B2 (en) | 2015-06-17 | 2018-11-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing agent, storage solution for polishing agent and polishing method |
| TWI666308B (zh) * | 2015-06-26 | 2019-07-21 | 日商日立化成股份有限公司 | 研磨劑、研磨劑用儲藏液及研磨方法 |
| US10294399B2 (en) * | 2017-01-05 | 2019-05-21 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing silicon carbide |
| KR102422952B1 (ko) | 2017-06-12 | 2022-07-19 | 삼성전자주식회사 | 금속막 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법 |
| CN109096990A (zh) | 2017-06-21 | 2018-12-28 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 表面改性的研磨颗粒、研磨制品以及其形成方法 |
| US11043151B2 (en) * | 2017-10-03 | 2021-06-22 | Cmc Materials, Inc. | Surface treated abrasive particles for tungsten buff applications |
| US10428241B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-10-01 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions containing charged abrasive |
| JP7373503B2 (ja) * | 2018-05-07 | 2023-11-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 親水性及びゼータ電位の調節可能な化学機械研磨パッド |
| JP7161894B2 (ja) * | 2018-09-04 | 2022-10-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨システム |
| CN108949036B (zh) * | 2018-09-06 | 2021-01-05 | 北京保利世达科技有限公司 | 一种抛光液及对碳化硅晶体的抛光方法 |
| CN109269867B (zh) * | 2018-09-11 | 2020-12-11 | 大连理工大学 | 钨镍铁合金抛光液及合金表面抛光、金相制备方法 |
| KR102782857B1 (ko) | 2019-03-13 | 2025-03-14 | 삼성전자주식회사 | 연마 슬러리 및 반도체 소자의 제조 방법 |
| US11597854B2 (en) * | 2019-07-16 | 2023-03-07 | Cmc Materials, Inc. | Method to increase barrier film removal rate in bulk tungsten slurry |
| CN114729258A (zh) * | 2020-02-13 | 2022-07-08 | 昭和电工材料株式会社 | Cmp研磨液及研磨方法 |
| WO2021161462A1 (ja) * | 2020-02-13 | 2021-08-19 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | Ｃｍｐ研磨液及び研磨方法 |
| CN111590477B (zh) * | 2020-05-27 | 2023-03-03 | 广东伟艺抛磨材料有限公司 | 一种加工无纺布抛光轮的原料及无纺布抛光轮的制造方法 |
| CN111748285A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-10-09 | 宁波日晟新材料有限公司 | 一种含高铁酸盐的碳化硅抛光液及其制备方法和应用 |
| JP7519865B2 (ja) * | 2020-10-09 | 2024-07-22 | 花王株式会社 | 研磨方法 |
| JP7606316B2 (ja) * | 2020-10-09 | 2024-12-25 | 花王株式会社 | 研磨方法 |
| JP7606315B2 (ja) * | 2020-10-09 | 2024-12-25 | 花王株式会社 | 研磨方法 |
| WO2022246381A1 (en) | 2021-05-20 | 2022-11-24 | Versum Materials Us, Llc | Imidazolium-based poly(ionic liquid)s and use therefore |
| US12428580B2 (en) | 2021-08-25 | 2025-09-30 | Cmc Materials Llc | CMP composition including an anionic abrasive |
| DE102022123211A1 (de) * | 2022-09-12 | 2024-03-14 | Otec Präzisionsfinish GmbH | Elektrolytmedium und Verfahren zum elektrochemischen Polieren von metallischen Werkstücken unter Verwendung eines solchen Elektrolytmediums |
| TW202436583A (zh) | 2023-03-01 | 2024-09-16 | 日商Jsr 股份有限公司 | 化學機械研磨用組成物及研磨方法 |
| JP7808393B1 (ja) | 2025-11-18 | 2026-01-29 | 浅田化学工業株式会社 | アルミナ水分散液及びその製造方法 |
Family Cites Families (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4752628A (en) | 1987-05-15 | 1988-06-21 | Nalco Chemical Company | Concentrated lapping slurries |
| JPS6487146A (en) | 1987-09-22 | 1989-03-31 | Lion Corp | Dispersant for polishing agent |
| US4867757A (en) | 1988-09-09 | 1989-09-19 | Nalco Chemical Company | Lapping slurry compositions with improved lap rate |
| US5352277A (en) | 1988-12-12 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Final polishing composition |
| US5123958A (en) | 1990-05-25 | 1992-06-23 | Wiand Ronald C | Polishing composition and method |
| JPH06111212A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-22 | Rohm Co Ltd | 音声記録装置 |
| US5489233A (en) | 1994-04-08 | 1996-02-06 | Rodel, Inc. | Polishing pads and methods for their use |
| US5527423A (en) | 1994-10-06 | 1996-06-18 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers |
| US5860848A (en) | 1995-06-01 | 1999-01-19 | Rodel, Inc. | Polishing silicon wafers with improved polishing slurries |
| JPH0982668A (ja) | 1995-09-20 | 1997-03-28 | Sony Corp | 研磨用スラリー及びこの研磨用スラリーを用いる研磨方法 |
| US5958794A (en) | 1995-09-22 | 1999-09-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer |
| WO1998004646A1 (en) | 1996-07-25 | 1998-02-05 | Ekc Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and process |
| US6132637A (en) | 1996-09-27 | 2000-10-17 | Rodel Holdings, Inc. | Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride |
| US5876490A (en) | 1996-12-09 | 1999-03-02 | International Business Machines Corporatin | Polish process and slurry for planarization |
| US6099604A (en) | 1997-08-21 | 2000-08-08 | Micron Technology, Inc. | Slurry with chelating agent for chemical-mechanical polishing of a semiconductor wafer and methods related thereto |
| US6117532A (en) * | 1997-10-30 | 2000-09-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Interdraw pretreatment for polyester film |
| JP3371775B2 (ja) | 1997-10-31 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 研磨方法 |
| US5968280A (en) | 1997-11-12 | 1999-10-19 | International Business Machines Corporation | Method for cleaning a surface |
| WO1999064527A1 (en) | 1998-06-10 | 1999-12-16 | Rodel Holdings, Inc. | Composition and method for polishing in metal cmp |
| TW455626B (en) | 1998-07-23 | 2001-09-21 | Eternal Chemical Co Ltd | Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing |
| JP3545950B2 (ja) * | 1998-10-29 | 2004-07-21 | ロデール・ニッタ株式会社 | 研磨用組成物 |
| SG78405A1 (en) | 1998-11-17 | 2001-02-20 | Fujimi Inc | Polishing composition and rinsing composition |
| JP3591344B2 (ja) | 1998-11-27 | 2004-11-17 | 松下電器産業株式会社 | バンプ付電子部品の実装方法 |
| KR100447552B1 (ko) | 1999-03-18 | 2004-09-08 | 가부시끼가이샤 도시바 | 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조에 사용하는 화학 기계연마용 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조 방법 및 매립배선의 형성 방법 |
| WO2001002134A1 (en) | 1999-07-03 | 2001-01-11 | Rodel Holdings, Inc. | Improved chemical mechanical polishing slurries for metal |
| CA2378790A1 (en) | 1999-08-13 | 2001-02-22 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing system and method of its use |
| EP1210395B1 (de) | 1999-08-24 | 2003-10-22 | Rodel Holdings, Inc. | Zusammensetzung und verfahren zum chemisch-mechanischen polieren von isolatoren und metallen |
| TW499471B (en) | 1999-09-01 | 2002-08-21 | Eternal Chemical Co Ltd | Chemical mechanical/abrasive composition for semiconductor processing |
| JP2003509855A (ja) | 1999-09-15 | 2003-03-11 | ロデール ホールディングス インコーポレイテッド | 化学機械研磨中に不溶性ケイ酸塩を形成するためのスラリー |
| US6348076B1 (en) * | 1999-10-08 | 2002-02-19 | International Business Machines Corporation | Slurry for mechanical polishing (CMP) of metals and use thereof |
| JP4041252B2 (ja) * | 1999-11-01 | 2008-01-30 | 株式会社東芝 | 化学機械研磨用粒子及び化学機械研磨用水系分散体 |
| JP2001139937A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液及び研磨方法 |
| JP3902897B2 (ja) * | 1999-11-15 | 2007-04-11 | 日立化成工業株式会社 | 金属用研磨液を用いた基板の研磨方法 |
| US6582761B1 (en) | 1999-11-22 | 2003-06-24 | Jsr Corporation | Method of production of composited particle, composited particle produced by this method and aqueous dispersion for chemical mechanical polishing containing this composited particle, and method of production of aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| JP2001185514A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| US6375548B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-04-23 | Micron Technology, Inc. | Chemical-mechanical polishing methods |
| EP1118647A1 (de) | 2000-01-18 | 2001-07-25 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Polieraufschlämmung |
| JP2001226666A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-21 | Hitachi Ltd | 研磨砥粒と研磨液及びその研磨方法並びに半導体装置の製造方法 |
| US6964923B1 (en) * | 2000-05-24 | 2005-11-15 | International Business Machines Corporation | Selective polishing with slurries containing polyelectrolytes |
| US7004819B2 (en) * | 2002-01-18 | 2006-02-28 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP systems and methods utilizing amine-containing polymers |
| US6776810B1 (en) * | 2002-02-11 | 2004-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP |
-
2002
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