DE19803407A1 - Verfahren zum Drahtbonden - Google Patents
Verfahren zum DrahtbondenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Drahtbonden nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1.
Beim Drahtbonden werden im allgemeinen Gold- oder Aluminium
drähte verwendet, die durch eine Kapillare geführt werden, um eine Bond
insel einer Halbleitereinrichtung mit einem Anschluß hiervon zu verbin
den. Hierbei wird entweder ein Nagelkopf oder ein Keilbonden verwendet.
Die Kapillaren derartiger Drahtbondgeräte besitzen eine Zu
führbohrung für Bonddraht, die austrittsseitig an der Spitze der Kapil
laren angefast ist, wobei die Spitze der Kapillare als Keilfläche ausge
bildet ist. Der durch die Kapillare zugeführte Bonddraht wird am Aus
trittsende angeschmolzen und bildet eine Kugel, die zur Ausbildung einer
Nagelkopfbondstelle mittels der Kapillare auf eine Bondinsel aufgedrückt
wird, wobei im Zusammenhang mit Ultraschallenergie das Bonden bewirkt
wird. Mit abnehmendem Bondinselmittenabstand verringert sich im allge
meinen auch die Größe der Bondinsel selbst, wodurch es problematisch
wird, genügend kleine Nagelkopfbondstellen auf einer derartigen Bondin
sel anzubringen. Hierbei ist der Bonddurchmesser zu begrenzen, damit
kein Drahtmetall zu einer benachbarten Bondinsel übertritt und hierdurch
einen Kurzschluß bewirkt. Bei der Ausbildung der Spitze der Kapillare
ist es jedoch schwierig, die Größe der Nagelkopfbondstelle zu steuern,
da diese primär von der Größe der gebildeten Formkugel, die auf die
Bondinsel aufgedrückt wird, abhängig ist. Außerdem ist hierbei diese
Größe von Parametern wie der Leistung, Kraft und Wirkzeit der einwirken
den Ultraschallenergie abhängig. Ein Verringern des Außendurchmessers
der Kapillare bringt hier keine Abhilfe, da diese dann nicht mehr zum
Keilbonden geeignet ist. Abgesehen davon hat sich hierbei gezeigt, daß
das intermetallische Anbinden primär längs des Umfangs der Nagelkopf
bondstelle und weniger im Kernbereich hiervon erfolgt, was offensicht
lich daran liegt, daß die Kapillare Ultraschallenergie während der Aus
bildung der Nagelkopfbondstelle nicht optimal überträgt.
Bei bekannten Drahtbondgeräten ist im allgemeinen die Steue
rung einer Vielzahl von Parametern während des Nagelkopfbondens möglich.
Diese beinhalten die Intensität der beim Bonden angewandten Ultraschall
energie (d. h. der Bondleistung), die Dauer des Bondens (d. h. die Bond
zeit), die während des Bondens angewandte Kraft (d. h. die Bondkraft) und
die während des Bondens verwendete Temperatur. Beispielsweise können ty
pische bekannte Parameter eines bei Suizer, Cham, Schweiz, erhältli
chen ESEC 3006 F/X Bondgeräts zur Bildung von Nagelkopfbondstellen auf
einem Chip mit 70 µm-Teilung bei Verwendung eines 25,4 µm-Drahtes und
Bildung einer 36 µm-Formkugel etwa 19% Bandleistung bei Verwendung
einer 300 mN Kraft für eine Dauer von etwa 25 ms bei einer Temperatur
von etwa 220°C betragen. Natürlich sind diese Zahlen voneinander abhän
gig und können je nach Anforderungen eines speziellen Systems variiert
werden. Bei vielen Anwendungen ist eine niedrigere Temperatur während
des Bondens wünschenswert. Ein Beispiel bilden Packungen derartiger
Anordnung (zum Beispiel BGA's, PGA's, etc.), bei denen ein temperatur
sensitives Substratmaterial wie BT, FR4 oder Hochtemperaturepoxid ver
wendet wird. Die Industrie ist jedoch heutzutage bemüht, ein Bonden bei
Temperaturen von etwa 150°C zu verwirklichen.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Drahtbonden
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 zu schaffen, das es ermöglicht,
sehr kleine und trotzdem feste Nagelkopfbondstellen zu erzeugen, und
außerdem zum Keilbonden geeignet bleibt.
Diese Aufgabe wird entsprechend des kennzeichnenden Teils des
Anspruchs 1 gelöst.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der nachfolgenden
Beschreibung und den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines in den beigefügten
Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Fig. 1 zeigt ausschnittweise im Schnitt eine Kapillare für ein
Drahtbondgerät.
Fig. 2 zeigt die Kapillare von Fig. 1 mit der Bildung einer
Formkugel am distalen Ende eines Bonddrahts.
Fig. 3A und 3B zeigen die Kapillare von Fig. 1 bei der Her
stellung verschiedener Nagelkopfbondstellen.
Fig. 4 zeigt die Kapillare von Fig. 1 bei der Herstellung
einer Keilbondstelle.
Fig. 5 zeigt ein Flußdiagramm mit einem Verfahren zum Nagel
kopfbonden.
Fig. 6 und Fig. 7 zeigen Fotografien mit jeweils einer Drauf
sicht einer Matrix von Nagelkopfbondstellen in einem Bauelement mit 70 µm
Teilung.
Eine in Fig. 1 dargestellte Kapillare 200 kann sowohl zum
Nagelkopf- als auch zum Keilbonden verwendet werden. Die Kapillare 200
kann eine im wesentlichen standardmäßige äußere Form haben, die vom obe
ren Ende (nicht gezeigt) der Kapillare 200 zum unteren Ende leicht ge
neigt ist. Das untere Ende der Kapillare 200 bildet eine Spitze 202. Die
Spitze 202 besitzt einen Außendurchmesser 204. Der Außendurchmesser 204
kann abhängig von den Bedürfnissen einer speziellen Anwendung variieren.
Für die meisten Anwendungen sind Außendurchmesser 204 im Bereich von 150
bis 200 µm zweckmäßig. Beispielsweise kann ein Außendurchmesser 204 von
etwa 70 µm zweckmäßigerweise beim Drahtbonden einer Halbleitereinrich
tung verwendet werden, die einen Bondinselmittenabstand von 60 µm auf
weist. Ein Außendurchmesser 204 von etwa 84 µm ist für einen Bondinsel
mittenabstand von 70 µm zweckmäßig.
Eine Zuführbohrung mit einem minimalen Bohrungsdurchmesser
208 erstreckt sich vom oberen Ende der Kapillare 200 zur Spitze 202. Der
Bohrungsdurchmesser 208 kann in Abhängigkeit vom Durchmesser des Drah
tes, der für ein bestimmtes Bonden erforderlich ist, variieren. Bei
spielsweise ist ein Bohrungsdurchmesser 208 von etwa 33 µm für einen
Drahtdurchmesser von 25,4 µm geeignet. In ähnlicher Weise ist ein Außen
durchmesser 208 von etwa 41 µm für einen Drahtdurchmesser von etwa 33 µm
geeignet.
Die Zuführbohrung 206 kann eine Fase 210 enthalten, die sich
in eine umwandete Ausnehmung 214 öffnet. Die Fase 210 kann sich in einem
Winkel erweitern, der entsprechend den Erfordernissen einer speziellen
Anwendung variieren kann. Ein Fasenwinkel von etwa 0° bis etwa 10° ar
beitet im allgemeinen gut. Die Fase 210 besitzt einen maximalen Fasen
durchmesser 212. Der Fasendurchmesser 212 kann in Abhängigkeit von der
speziellen Anwendung variieren. Bei einem Drahtdurchmesser von etwa 25,4 µm
ist beispielsweise ein Fasendurchmesser 212 von etwa 36 µm bis etwa
38 µm zweckmäßig. Bei einem Drahtdurchmesser von etwa 33 µm ist ein Fa
sendurchmesser 212 von etwa 45 µm zweckmäßig.
Die Ausnehmung 214 ist in der Spitze 202 benachbart zu der
Fase 210 am Ende der Zuführbohrung 206 angeordnet, wobei sie die Fase
210 fortsetzt. Die Ausnehmung 214 besitzt Ausnehmungswände 215 und eine
zurückversetzte Spitzenfläche 217. Die Ausnehmung 214 kann im wesentli
chen zylindrisch mit einem Ausnehmungsdurchmesser 216 sein, der größer
als der maximale Fasendurchmesser 212 ist. Die zurückversetzte Spitzen
fläche 217 kann relativ zur Horizontalachse geneigt sein. Die Ausneh
mungswände 215 können relativ zur vertikalen Achse geneigt sein, so daß
die Ausnehmung 214 im wesentlichen kegelstumpfförmig sein kann. Bei
spielsweise sind Neigungen im Bereich von 0° bis 10°, zum Beispiel etwa
5° bis 10°, zweckmäßig. Der Ausnehmungsdurchmesser 216 kann entsprechend
den Anforderungen einer speziellen Anwendung variieren. Beispielsweise
kann der Ausnehmungsdurchmesser 216 etwa 40 µm bis etwa 46 µm aufweisen,
wenn er für Bondinselmittenabstände von etwa 60 µm verwendet wird. Aus
nehmungsdurchmesser 216 von etwa 50 µm sind zweckmäßig, wenn sie für
Bondinselmittenabstände von 70 µm verwendet werden. Größere Kapillaren
200 können natürlich entsprechend größere Ausnehmungsdurchmesser 216
aufweisen. Die Ausnehmung 214 besitzt eine Ausnehmungshöhe 218. Die Aus
nehmungshöhe 218 kann ebenfalls entsprechend den speziellen Anforderun
gen einer Anwendung variieren. Beispielsweise sind Ausnehmungshöhen 218
im Bereich von etwa 10 µm bis 15 µm zweckmäßig. Zum Beispiel kann die
Ausnehmungshöhe 218 etwa 15 µm im Zusammenhang mit Bondinselmittenab
ständen von etwa 60 µm bis etwa 70 µm sein. Zweckmäßigerweise sind sämt
liche Kanten der Ausnehmung 214 verrundet. Der Abstand der Spitze 202
außerhalb der Ausnehmung 214 definiert eine Keilfläche 219.
Die Kapillare 200 ist sowohl zum Nagelkopf- als auch zum Keil
bonden geeignet. Im Betrieb wird Draht durch die Zuführbohrung 206 zuge
führt. Beim Nagelkopfbonden wird eine Formkugel frei hängend am distalen
Ende des Drahtes gebildet. Danach wird die Ausnehmung 214 am distalen
Ende der Kapillare 200 in Verbindung mit von dem Drahtbondgerät gelie
ferter Ultraschallenergie verwendet, um die Formkugel auf eine geeignete
Bondoberfläche (zum Beispiel eine Bondinsel eines Halbleiterbauelements)
ultraschallzuschweißen, um ein Nagelkopfbonden zu erzeugen. Die Aus
nehmung 214 der Kapillare 200 liefert kleine starke Nagelkopfbondstellen
mit hoher Präzision. Die Kapillare 200 eignet sich für sehr geringe
Bondinselmittenabstände und sehr kleine Bondinselflächen. Auch in bezug
auf ein Keilbonden ist dies bei sehr geringen Anschlußmittenabständen
geeignet.
Fig. 2 zeigt eine frei in der Luft hängende Formkugel 302 am
distalen Ende eines Drahtes 304, der beispielsweise aus Gold, Aluminium
oder einem anderen geeigneten Material bestehen kann. Die Formkugel 302
besitzt einen Durchmesser 306. Die Formkugel 302 wird mit Hilfe einer
elektronischen Flammeinrichtung verwendet. Diese Einrichtung und andere
Parameter können so gesteuert werden, daß die Formkugel 302 ein Volumen
aufweist, das etwas größer als das Volumen der Ausnehmung 214 der Kapil
lare 200 ist.
Bei geeigneter Größe der Formkugel 302 ist die Größe einer
Nagelkopfbondstelle unabhängig vom Durchmesser des Drahtes. Statt dessen
wird die Größe der Nagelkopfbondstelle durch die Ausnehmung 214 selbst
bestimmt. Dies kann in vielen Anwendungen ein wesentlicher Vorteil sein,
da sogar bei Bauelementen mit kleiner Teilung größere Drähte verwendet
werden können. Beispielsweise können 33 µm-Drähte in Bauelementen mit
einer Teilung von etwa 125 µm verwendet werden, wie zum Beispiel in
70 µm- bis 80 µm-Bauelementen mit kleiner Teilung. Die Verwendung von
Drähten größeren Durchmessers ermöglicht längere Drahtbereiche, als sie
bei Plastkapselung sonst zulässig wären, da Drähte größeren Durchmessers
weniger anfällig für Drahtablenkung sind. Beispielsweise arbeiten bei
Verwendung eines 33 µm-Bonddrahtes Drahtbereiche von mehr als 5.000 µm,
zum Beispiel 5.600 bis 6.400 µm, gut in kunststoffgegossenen 70 µm-
Bauelementen. Im Gegensatz dazu sind 70 µm-Bauelemente bei Verwendung
eines 25,4 µm-Drahtes auf einem maximalen Bereich von etwa 4.000 µm
beschränkt.
Der Formungseffekt der Ausnehmung 214 hat eine Reihe von Vor
teilen, die die Verwendung sehr unterschiedlicher Bondparameter und Ma
schineneinstellungen während des Nagelkopfbondens ermöglicht. Die Pri
märvariable wird die Bondleistung, und Experimente haben gezeigt, daß
die während des Drahtbondens angewandte Kraft wesentlich reduziert oder
völlig eliminiert werden kann. Außerdem kann die Bondtemperatur wesent
lich reduziert werden. Beispielsweise sind Bondtemperaturen von etwa 100
bis 140°C ohne weiteres erreichbar. Gemäß Fig. 3A ermöglicht die Kapil
lare 200 die Bildung einer kleinen Nagelkopfbondstelle 400. Die Ausneh
mung 214 der Kapillare formt die Nagelkopfbondstelle 400. Die zurückver
setzte Spitzenfläche 217 und die Ausnehmungswand 215 rücken zusammen, um
den oberen Teil der Nagelkopfbondstelle 400 so zu formen, daß er im we
sentlichen die Form der Ausnehmung 214 hat. Größe, Form und Stellfläche
eines unteren Teils der Nagelkopfbondstelle 400 können sorgfältig ge
steuert werden, indem die Größe der Formkugel 302 (in Fig. 2 gezeigt)
zusammen mit einem Abstand einer Bondoberfläche 401 und der Spitze 202
gesteuert wird. Dies beruht vermutlich auf Formungseffekten der Ausneh
mung 214 in Verbindung mit der Oberflächenspannung des geschmolzenen
Bonddrahtmaterials, welches die Formkugel 302 bildet. In vielen Fällen
kann der Effekt der durch das Drahtbondgerät ausgeübten Bondkraft im
wesentlichen eliminiert werden. In solchen Situationen kann die Spitze
202 in fester Höhe über der Bondoberfläche 401 (in der gezeigten Aus
führungsform einer Bondinsel eines Chips) positioniert werden. Da die
Formkugel 302 größer als die Ausnehmung 214 ist, kontaktiert sie die
Bondoberfläche 401 und kann an diese ultraschallgeschweißt werden.
Gemäß Fig. 3A wird die Nagelkopfbondstelle 400 zwischen dem
distalen Ende des Drahtes 304 und der Bondoberfläche 401 gebildet. Ein
Drahtbondgerät (nicht gezeigt) wird in Verbindung mit der Kapillare 200,
Ultraschallenergie und thermischer Energie von einer Wärmestufe zur Bil
dung der Nagelkopfbondstelle 400 verwendet. Größenparameter hiervon um
fassen eine Stellfläche 402 und eine Bondhöhe 404. Wenn die Größe der
Formkugel und der Abstand sorgfältig berechnet werden, kann die Menge an
Material, das sich aus der Ausnehmung 214 heraus erstreckt, im wesentli
chen eliminiert werden, und die Stellfläche 402 kann präzise gesteuert
werden. Tests haben erwiesen, daß die Stellfläche 402 sogar kleiner als
der maximale Ausnehmungsdurchmesser 216 selbst sein kann. Tatsächlich
tendiert in einer Ausführungsform der Teil der Nagelkopfbondstelle un
terhalb der Oberfläche der Spitze 202 dazu, eine invertierte kegel
stumpfförmige Gestalt anzunehmen, wobei die zwischen der Bondoberfläche
401 und der Nagelkopfbondstelle 400 gebildete Kontaktfläche kleiner ist
als der Öffnungsdurchmesser der Ausnehmung 214. In dieser Ausführungs
form wird am Drahtbondgerät keine ersichtliche Bondkraft ausgeübt, und
der Abstand zwischen der Spitze 202 und der Bondoberfläche 401 wird auf
einen festen Wert gesetzt. Die geeignete Größe der Formkugel 302 wird
basierend auf der Größe der Ausnehmung 214 und dem gewünschten Abstands
wert berechnet. Die Abstandshöhe kann entsprechend den Anforderungen
einer speziellen Anwendung variiert werden. Beispielsweise erscheinen
Abstandswerte von etwa 5 bis 15 µm als geeignet und Abstandswerte im
Bereich von 5 bis 10 µm sind erfolgreich getestet worden. Bei dieser
Anordnung kann die Stellfläche der Nagelkopfbondstelle 400 durch (ge
eignete) Vergrößerung der Abstandshöhe reduziert werden, was sich als
besonders nützlich herausstellt, wenn die Teilung der Bondinsel weiter
reduziert wird.
Eine genaue Steuerung der Abstandshöhe ist für das Gelingen
der in Fig. 3A gezeigten Ausführungsform wichtig. Zu vielen bekannten
Drahtbondgeräten gibt es keine Software zur Steuerung der Kapillare
oberhalb der Bondoberfläche. Bei den meisten Drahtbondgeräten stellt
dies jedoch eine relativ unkomplizierte Modifikation dar. Beispielsweise
sind eine Reihe Experimente mit einem ESEC 3006F/X Drahtbondgerät (Sui
zer, Cham, Schweiz) erfolgreich durchgeführt worden. Bei diesem Gerät
und einer Kapillare 200 mit 33 µm-Bonddraht und einem Ausnehmungsdurch
messer von etwa 50 µm sind Bondzeiten von etwa 10 ms bei 10 bis 12%
Leistung zweckmäßig. Im Gegensatz dazu verwenden typische Einstellungen
desselben Gerätes, wenn dieses für ein herkömmliches Nagelkopfbonden
eingesetzt wird, eine Bondzeit von etwa 25 ms bei 19% Leistung mit
einer Bondkraft von 300 mN. Natürlich kann die Einstellung für verschie
dene Anwendungen in einem großen Bereich variiert werden.
Gemäß Fig. 3B wird in einer alternativen Ausführungsform ein
bestimmtes Maß an Material 408, welches sich aus der Ausnehmung heraus
erstreckt, unter der Kapillare 200 außerhalb dieser gebildet. Eine sol
che Nagelkopfbondstruktur wird typischerweise gebildet, wenn die Größe
der Formkugel 302 geringfügig größer als das zur Bildung der Nagel
kopfbondstelle 400 von Fig. 3A bei einem gegebenen Abstandswert erfor
derliche Volumen ist. Solche Nagelkopfbondstrukturen sind auch typisch,
wenn eine geringe Bondkraft zur Positionierung der Kapillare 200 bezüg
lich der Bondoberfläche angewandt wird. Natürlich paßt sich ein oberer
Teil 450 einer Nagelkopfbondstelle 400 der Ausnehmung 214 an. Durch
Steuerung der Größe der Formkugel 302 relativ zur Größe der Ausnehmung
214 kann das Maß an Material, welches sich aus der Ausnehmung 214 heraus
erstreckt, gesteuert werden. Wenn die Formkugel 302 geringfügig größer
als die Ausnehmung 214 und das geeignete Offset-Volumen ist, erstreckt
sich etwas Material aus Drahtmetall vom Umkreis der Ausnehmung 214 aus
(wie vergrößert in Fig. 3B dargestellt), was bedeutet, daß die Stell
fläche 402 größer als der Ausnehmungsdurchmesser 216 ist. Obwohl solche
Anordnungen gut arbeiten, sind die Formkugeln 302 nicht optimal gebil
det.
Die Größe einer Nagelkopfbondstelle 400, die mittels der
Kapillare 200 gebildet wurde, hängt primär von der Größe der Formkugel
302 in Verbindung mit dem Abstandswert ab. Aufgrund von Formungseffekten
der Ausnehmung 214 hängt die Größe der Nagelkopfbondstelle 400, die
mittels der Kapillare 200 gebildet wurde, nicht wesentlich von Leistung,
Kraft und Zeitdauer der während der Bildung der Nagelkopfbondstelle 400
gelieferten Ultraschallenergie ab.
Aufgrund der Formung der Ausnehmung 214 wird eine starke Na
gelkopfbondstelle 400 erzeugt, indem eine gleichmäßige Verteilung des
Bondens an der Bondoberfläche 401 ermöglicht wird. Genauer gibt es eine
beträchtliche intermetallische Bindung, die über die gesamte zwischen
Formkugel 302 und Bondoberfläche 401 gebildete Kontaktfläche relativ
gleichmäßig verteilt ist. Diese gleichmäßige Oberflächenverteilung
resultiert vermutlich daraus, daß die Ausnehmung 214 der Kapillare 200
eine effektivere Übertragung von Ultraschallenergie während der Bildung
der Nagelkopfbondstelle 400 ermöglicht. Es wird angenommen, daß während
eines Nagelkopfbondprozesses die Ausnehmungswände 215 eine nach innen
gerichtete Kraft auf das Drahtmetall in der Ausnehmung 214 ausüben. Die
auf die Ausnehmungswände 215 ausgeübte nach innen gerichtete Kraft trägt
zur Bildung der gleichmäßig verteilten intermetallischen Bindung an der
Grenzfläche von Drahtmetall und Bondinselmetall bei. Im Gegensatz dazu
tendiert die beträchtliche intermetallische Bindung bei bekannten Nagel
kopfbondstellen dazu, primär einen Ring um den Umkreis der Bondstelle zu
bilden. Beispielsweise beträgt in bekannten Fällen die typische Scher
beanspruchung einer Nagelkopfbondstelle bei Verwendung eines Bonddrahtes
aus Gold von 25,4 µm Durchmesser an einer Aluminiumbondinsel in einem
Bauelement mit 70 µm Teilung etwa 18 g. Im Gegensatz dazu haben Experi
mente gezeigt, daß mit der beschriebenen Anordnung ohne weiteres Scher
beanspruchungen von etwa 22 bis 25 g erreicht werden.
Während des Keilbondens gemäß Fig. 4 übt die Keilfläche 219
der Kapillare 200 eine Kraft auf einen Abschnitt des Drahtes 304 aus.
Eine Keilbondstelle 500 kann zwischen dem Abschnitt des Drahtes 304 und
einer Oberfläche eines Anschlusses 502 einer Halbleitereinrichtung ge
bildet werden. Ein Drahtbondgerät mit einer Kapillare 200 erfordert ei
nen schmalen Kontaktbereich, um eine Keilbondstelle 500 zu erzeugen. Die
Keilbondstelle 500 besitzt eine Keilbondlänge 504. Wegen des geringen
Kontaktbereichs ist die Kapillare 200 daher besonders zur Bildung von
Keilbondstellen 500 bei Innenanschlußrahmen mit sehr niedriger Teilung
geeignet.
Die Größe der Nagelkopfbondstellen 400 ist im wesentlichen un
abhängig vom Gesamtdurchmesser der Spitze 202. Folglich kann bei vielen
Anwendungen der Gesamtdurchmesser der Spitze 202 und damit die Größe der
Keilfläche 219 für ein optimales Keilbonden optimiert werden.
Gemäß Fig. 5 ist ein Verfahren zum Drahtbonden dargestellt.
Typischerweise wird die Bondoberfläche 401 (z. B. ein Chip, ein Leiter
rahmen, ein Substrat oder irgendein anderes passendes Bauelement) in ei
nem Schritt 601 auf eine geeignete Temperatur vorerhitzt. Diese Tempera
tur kann entsprechend den jeweiligen Anforderungen in einem großen Be
reich variiert werden, wobei Temperaturen im Bereich von 100 bis 150°C
sowie unterhalb von 100°C mit der beschriebenen Kapillare 200 ohne wei
teres erreichbar sind. Wenn die Bondoberfläche 401 vorerhitzt wird, wird
die Kapillare 200 in einem Schritt 603 wie gewünscht positioniert. Der
Draht 304 wird in einem Schritt 606 µm eine vorbestimmte Distanz vorge
schoben, und eine Formkugel 302 wird in einem Schritt 609 mittels EF0
oder einer anderen geeigneten Einrichtung gebildet. Die Spitze 202 der
Kapillare 200 wird dann in einem Schritt 612 µm eine vorbestimmte Ab
standshöhe über der Bondoberfläche 401 abgesenkt. Die Abstandshöhe kann
entsprechend den Anforderungen einer speziellen Anwendung variiert wer
den. Beispielsweise sind Abstandshöhen im Bereich von 4 bis 15 µm, vor
zugsweise 10 bis 15 µm, in Leiterrahmenbauelementen mit kleiner Teilung
zweckmäßig. Alternativ kann die Kapillare 200 abgesenkt werden, bis eine
bestimmte (relativ kleine) Widerstandskraft erreicht wird. Wenn die
Kapillare 200 in Position gebracht worden ist, wird der Draht 304 an die
Bondoberfläche 401 in einem Schritt 615 ultraschallgeschweißt.
Wenn statt des einfachen Bildens eines Bondhügels auf der
Bondoberfläche 401 ein Draht 304 gebildet werden soll, kann die Kapilla
re 200 anschließend in einem Schritt 618 zu einer gewünschten Keilbond
stelle unter Ausschieben des Drahtes 304 bewegt werden. Der Draht 304
wird dann in einem Schritt 621 zur Bildung einer Keilbondstelle an den
gewünschten Platz ultraschallgeschweißt. Die Keilfläche 219 wird während
des Keilbondschrittes verwendet. Wenn weitere Zwischenverbindungen ge
wünscht werden (Schritt 624), wird der Prozeß bei Schritt 603 beginnend
für jede der Zwischenverbindungen solange wiederholt, bis alle gewünsch
ten Zwischenverbindungen abgeschlossen sind. In diesem Moment ist das
Drahtbonden vollendet.
Die relative zeitliche Festlegung der Drahtvorschub- und Ball
bildungsschritte kann variiert werden, und das Erhitzen kann gleichzei
tig mit anderen Schritten ablaufen.
Gemäß Fig. 6 weisen die Stellflächen der Nagelkopfbondstellen
400 in einer Matrix aus in bekannter Weise gebildeten Nagelkopfbond
stellen 400 in einem Bauelement mit 70 µm Teilung eine relativ signifi
kante Variation auf. Der mittlere Durchmesser beträgt etwa 51 µm mit
Variationen bis zu 7 µm und einer Standardabweichung von etwa 2 µm. Im
Gegensatz dazu sind gemäß Fig. 7 die Nagelkopfbondstellen 400 mit einem
mittleren Durchmesser von 46 µm wesentlich kleiner, wobei ihre Variation
ebenfalls geringer ist. In der gezeigten Fotografie betragen die Varia
tionen höchstens 3 µm bei einer Standardabweichung von 0,4 µm.
Das Verfahren kann auch auf Bauelemente mit größerer Teilung
angewendet werden. Der Durchmesser der Ausnehmung 214 muß nicht wesent
lich größer als der Bonddraht-Bohrungsdurchmesser sein, und ein Vorteil
besteht darin, daß die Bondqualität bei relativ großen Variationen in
den jeweiligen Verhältnissen von Ausnehmungsdurchmesser, Bohrungsdurch
messer und Spitzendurchmesser recht gut ist. Außerdem kann zusätzlich zu
den dargestellten zylindrischen und kegelstumpfförmigen Geometrien eine
große Vielfalt von Ausnehmungsgeometrien verwendet werden.
Schließlich können die relative zeitliche Festlegung der
Bondleistungen und die verwendete Kraft entsprechend den Anforderungen
eines speziellen Systems in einem großen Bereich variiert werden.
Claims (18)
1. Verfahren zum Drahtbonden mittels einer durch ein Draht
bondgerät angetriebenen Kapillare (200), in der eine Ausnehmung (214)
vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein distales
Ende eines durch die Kapillare (200) auf eine Bondoberfläche (401) tre
tenden Bonddrahtes (304) ultraschallgeschweißt wird, wobei die Ausneh
mung (214) einen wesentlichen Teil einer Nagelkopfbondstelle (400) wäh
rend des Nagelkopfbondens formt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine
während des Ultraschallschweißens durch das Drahtbondgerät angewandte
Bondkraft im wesentlichen Null beträgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Bondoberfläche (401) während des Ultraschallschweißens auf eine
Temperatur von weniger als 150°C erhitzt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Bondoberfläche (401) während des Ultraschallschweißens
auf eine Temperatur von weniger als 140°C erhitzt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Bondoberfläche (401) während des Ultraschallschweißens
auf eine Temperatur von weniger als 130°C erhitzt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Bondoberfläche (401) während des Ultraschallschweißens
auf eine Temperatur von 100 bis 140°C erhitzt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Bondoberfläche (401) während des Ultraschallschweißens
auf eine Temperatur von weniger als 100°C erhitzt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Ultraschallschweißen so vorgenommen wird, daß ein
signifikantes intermetallisches Bonden einem Großteil einer Kontakt
oberfläche zwischen der Nagelkopfbondstelle (400) und der Bondoberfläche
(401) eintritt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekenn
zeichnet, daß an einem distalen Ende des Bonddrahtes (304) vor dem Ul
traschallschweißen eine Formkugel (302) gebildet wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch ge
kennzeichnet, daß als Bonddraht (304) ein Golddraht und als Bondoberflä
che (401) eine Aluminiumfläche verwendet wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Kapillare (200) in einer vorbestimmten Höhe über
der Bondoberfläche (401) positioniert wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß
für die vorbestimmte Höhe ein Wert im Bereich von 5 bis 10 µm verwendet
wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch ge
kennzeichnet, daß als Bondoberfläche (401) eine Bondinsel auf einem Chip
mit einer Teilung von höchstens 70 µm verwendet wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch ge
kennzeichnet, daß als Bondoberfläche (401) eine Bondinsel auf einem Chip
mit einer Teilung von weniger als 75 µm verwendet wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch ge
kennzeichnet, daß als Bonddraht (304) ein Draht der Dicke von mindestens
33 µm verwendet wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Bonddraht (304) nach dem Bilden der Nagelkopfbond
stelle (400) ausgeschoben und zu einer weiteren Bondoberfläche keilge
bondet wird, die von der Bondinsel entfernt ist.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß
als weitere Bondoberfläche eine Bondoberfläche gewählt wird, die von der
Bondinsel mindestens 5.000 µm entfernt ist.
18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeich
net, daß das Ultraschallschweißen, das Ausschieben und das Keilbonden
für eine Vielzahl von Bondinseln wiederholt wird.
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ID=25396564
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| Country | Link |
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| US (1) | US5938105A (de) |
| JP (1) | JP3017467B2 (de) |
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Legal Events
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| 8131 | Rejection |