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DE1261900B - Modulator zur Amplitudenmodulation - Google Patents

Modulator zur Amplitudenmodulation

Info

Publication number
DE1261900B
DE1261900B DE1965F0047150 DEF0047150A DE1261900B DE 1261900 B DE1261900 B DE 1261900B DE 1965F0047150 DE1965F0047150 DE 1965F0047150 DE F0047150 A DEF0047150 A DE F0047150A DE 1261900 B DE1261900 B DE 1261900B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
pair
amplifier element
additional
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1965F0047150
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Ing Ernst Legler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch Fernsehanlagen GmbH
Original Assignee
Fernseh GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fernseh GmbH filed Critical Fernseh GmbH
Priority to DE1965F0047150 priority Critical patent/DE1261900B/de
Priority to GB4033366A priority patent/GB1145898A/en
Priority to NL6612744A priority patent/NL6612744A/xx
Publication of DE1261900B publication Critical patent/DE1261900B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation
    • H03C1/52Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed
    • H03C1/54Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
    • H03C1/542Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
    • H03C1/545Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using bipolar transistors

Landscapes

  • Amplitude Modulation (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Ο.:
H03c
Deutsche Kl.: 21 a4 -14/01
Nummer: 1261900
Aktenzeichen: F 47150IX d/21 a4
Anmeldetag: 10. September 1965
Auslegetag: 29. Februar 1968
Die Erfindung bezieht sich auf einen Modulator zur Amplitudenmodulation eines Trägers mit einem Modulationssignal geringerer Frequenz, wobei sowohl der Träger als auch das Modulationssignal unterdrückt und nur die beiden Seitenbänder übertragen werden.
Bei einer im »Jahrbuch der Hochfrequenztechnik«, Ausgabe 1937, von V i 1 b i g auf S. 447 beschriebenen Schaltungsanordnung wird ein Träger über eine Primärwicklung und über eine Sekundärwicklung an die Diagonale einer Diodenbrückenschaltung eingespeist. Die andere Diagonale dieser Diodenbrückenschaltung ist über eine Primärspule und über eine Sekundärspule eines zweiten Transformators mit dem Ausgang der Schaltungsanordnung verbunden. Das Modulationssignal wird über die Wicklung eines dritten Transformators zugeführt, deren Enden einerseits an eine Mittelabzapfung der Sekundärspule des ersten Transformators und andererseits an eine Mittelanzapfung der Primärspule des zweiten Transformators angeschlossen sind. Bei dieser bekannten Schaltungsanordnung wird der Träger mittels der Dioden zerhackt, so daß Oberwellen im Ausgangssignal entstehen, die eine teilweise Verzerrung dieses Ausgangssignals bewirken. Außerdem hat diese bekannte Schaltungsanordnung den Nachteil, daß sie im Zuge der Fertigung nicht exakt reproduzierbar ist, weil bei den verwendeten Dioden relativ große Exemplarstreuungen auftreten.
Die Erfindung bezweckt, einen Modulator anzugeben, bei dem die obengenannten Nachteile der bekannten Schaltungsanordnung vermieden werden.
Erfmdungsgemäß wird der Träger einerseits über Elektroden eines ersten Verstärkerelementes und eines zweiten Verstärkerelementes (erstes Verstärkerelementenpaar) und andererseits über die Elektroden eines dritten Verstärkerelementes und eines vierten Verstärkerelementes (zweites Verstärkerelementenpaar) gegenphasig übertragen. Dabei wird dem Betriebsstrom beider Verstärkerelementenpaare eine Wechselstromkomponente überlagert, die im Rhythmus des Modulationssignals schwankt und an den beiden Verstärkerelementenpaaren gegenphasig auftritt. Außerdem sind beide Elektroden des ersten Verstärkerelementenpaares über je eine erste Leitung bzw. über eine zweite Leitung an diejenigen Elektroden des zweiten Verstärkerelementenpaares angeschlossen, über die der Träger mit Gegenphase übertragen wird. Die beiden Leitungen sind über einen Lastwiderstand miteinander verbunden, und das Ausgangssignal wird vom Lastwiderstand abgenommen.
Der erfindungsgemäße Modulator zeichnet sich einmal dadurch aus, daß er eine sehr geringe Träger-Modulator zur Amplitudenmodulation
Anmelder:
Fernseh G. m. b. H.,
6100 Darmstadt, Am Alten Bahnhof 6
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Ing. Ernst Legier, 6101 Seeheim
Steuerleistung erfordert; außerdem auch dadurch, daß im Ausgangssignal keine Oberwellen auftreten, weil die verwendeten Transistoren als A-Verstärker geschaltet sind. Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Modulators ist darin zu sehen, daß dabei eine saubere Trennung zwischen dem Träger, dem Modulationssignal und dem Ausgangssignal erzielt wird, ohne daß ein Trägergegentaktübertrager erforderlich wäre. Schließlich hat der erfindungsgemäße Modulator auch noch den Vorteil, daß er wegen des physikalisch bedingten, exemplarunabhängigen Kennlinienverlaufs der Transistoren exakt reproduzierbar ist.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung werden zwei Modulatoren auf einen gemeinsamen Ausgang geschaltet und zum 25-Hz-Versatz des Farbträgers beim PAL-Farbfernsehsystem verwendet.
Im folgenden werden die Erfindung und Ausführungsbeispiele derselben an Hand der Fig. 1 bis 7 beschrieben, wobei in mehreren Figuren dargestellte gleiche Bauteile mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind. Es zeigt
Fig. 1 einen Modulator in prinzipieller Darstellung, bei dem das Modulationssignal über einen Transformator eingespeist wird;
F i g. 2 und 3 Details der Abnahme der Ausgangsspannung beim Modulator nach Fig. 1;
Fig. 4 einen Modulator in prinzipieller Darstellung, bei dem die niederfrequente Schwingung über zwei Transistoren eingespeist wird;
F i g. 5 eine praktische Ausführungsform des Modulators nach Fig: I;
F i g. 6 eine praktische Ausführungsform des Modulators nach Fig. 2, und
Fig. 7 einen Modulator zum Versatz des Farbträgers um 25 Hz.
809 51083
Der in Fig. 1 dargestellte Modulator besteht aus den Transistoren Ij % \ A, aus den Transformatoren S, 6, den Kondensatoren 7,8, den Widerständen 9. 10, R. Diesem Modulator wird über Klemme 11 der hochfrequente Träger JiF zugeführt. Das Modulationssignal NF wird über Klemme 12 einer Wicklung des Transformators S zugeführt. Die Mittelanzapfung der anderen Wicklung ist über Klemme 13 an den ersten Pol einer Spannungsqüelle angeschlossen. An den Schaltungspunkten 14 und IS Hegt eine Gleiche spannung* der das Modulationssignal gegenphasig überlagert ist. Die Mittelanzapfung einer Wicklung des Transformators 6 ist über Klemme 16 an den zweiten Pol der Spannungsquelle angeschlossen. Das modulierte Ausgangssignal wird über Klemme 17 abgegeben.
Der Träger wird über den Kondensator 8 den Basen der Transistoren 2 und 3 zugeführt, so daß er art den Kollektoren des ersten Transistorpaares 1, 2 und des zweiten Transistorpaares 3, 4 in Gegenphase auftritt. Der Kollektor des Transistors 1 ist über die Leitung Ll an den Kollektor des Transistors 3 angeschlossen, an dem der Träger in Gegenphase auftritt. Der Kollektor des Transistors 2 ist über die Leitung L 2 mit dem Kollektor des Transistors 5 verbunden an dem der Träger ebenfalls in Gegenphase auftritt. Auf diese Weise wird somit der Träger unterdrückt.
Der Transformator 6, der Kondensator 7 und der Widerstand 10 bilden den Lastwiderstand L, der an die beiden Leitungen Ll und L 2 angeschlossen ist. Über die Klemme 17 wird das Aüsgangssignal abgegeben.
Die Fi g. 2 zeigt ein Detail des Modulators nach Fig. I, wonach der Lastwiderstand L aus einem Resonanzkreis mit dem Kondensator 18, dem Widerstand 19 und der Spule 20 gebildet wird. Dabei äst die Leitung L 2 ah Klemme 17 angeschlossen, über welche das Ausgangssignal abgegeben wird, und die Leitung Ll ist über Klemme 16 an den zweiten Pol der Betriebsspannungsquelle angeschlossen. Der Resonanzkreis ist derart bemessen, daß seine Resonanzfrequenz angenähert gleich der Trägerfrequenz ist. An Stelle dieses Resonanzkreises kann als Lastwiderstand jedoch auch ein rein ohmscher Widerstand verwendet werden.
Die Schaltungsanordnung nach F i g. 3 zeigt ein weiteres Detail des Modulators nach Fig. 1, wonach die Leitung L2 nunmehr an Klemme 16 und den zweiten Pol der Betriebsspannungsquelle angeschlossen ist, wogegen das Ausgangssignal nunmehr über die Leitung Ll und über Klemme 17 abgegeben wird.
Die Schaltungsanordnung nach F i g. 4 stellt einen Modulator dar, bei dem die gegenphasigen Ströme im Rhythmus des Modulationssignals über die beiden Transistoren 22, 23 in die Emitter der Transistoren 1 und 2 bzw. 3 und 4 eingespeist werden. Der Arbeitspunkt dieser Transistoren 22, 23 wird unter Verwen·- dung der Widerstände 24, 25, 26 und 27 festgelegt. Die Basis des Transistors 23 ist über den Kondensator 28 an Masse angeschlossen. Das Modulationssignal NF wird über Klemme 12 und den Kondensator 29 der Basis des Transistors 22 und über den Widerstand 24 der Basis des Transistors 23 zugeführt.
Die Schaltungsanordnung nach F i g. 5 zeigt eine praktische Ausführungsform des Modulators nach Fig, 1. Dabei sihd die Emitter der Transistoren 1
und 2 bzw. 3 und 4 übgr je.einen Kondensator 30 bzw. 31 gekoppelt und über je einen Widerstand ZR an den Sehaltungspunkt 14 bzw. 15 angesehlossen. Die Kondensatoren 30,31 stellen für das Niödulfttionssignal einen relativ grpßeti Widerstand da: f. Die. Aufteilung des Widerstandes R (FIg1 i) in jg zwei Widerstände IR nach F i g. 5 bezweckt, den Emittern beider Transistöfpaare emitterseitig gleiche Ströme mit überlagertem Modulationssignal zuzuführen.
Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach F i g. 5 läßt sich an Hand der folgenden theoretischen Betrachtungen erkennen. Zunächst werden die Trägerspannung uHp und die Modulationssignalspannung UfiF in folgender Form vorausgesetzt:
= Uhf sin mHt j
= UNF QOS c%t,
Dabei bedeuten;
U„ρ = maximale Amplitude der Tfägerspanhuhg,
UNF = maximale Amplitude der Modulationssignalspannung,
a>H = Kreisfrequeriz des TfägerSj ωΝ = Kfeisfrequenz des Modulatienssignals, t = ZgIt.
Es wird vörausgesetzti daß Vhf wesentlich größer als UNF ist und daß dig Betriebsspannung E größer als Uf1P ist, Unter diesen Voraussetzungen ist der Strom I2 durch den Transistor % gleich;
h =
2R
Dabei bedeuten:
S = die Steilheit des Transistors, 2 R = der Betrag der Widerstände 2 R nach Fi g, 5. Die Steilheit S ist gleich folgendem Ausdruck:
2R
Die obenstehende Gleichung (4) ist aus der Gleichung
S = 7T- abgeleitet, worin U den KoUektorgleichuT
strom und UT eine Konstante (Temperaturspannung) bedeuten. Der Faktor — ist wegen der Gegenkopp'
lung durch den zweiten Transistor des Transistorpaares erforderlich. Unter Verwendung der Gleichung (4) läßt sich die Gleichung (3) folgendermaßen umformen:
ÜNF
In ähnlicher Weise ergibt sich für den Signalstroftl t4 durch den Transistor 4 folgender Ausdrück:
ί -
AR
IR
Durch Addition der Gleichungen (5) und (6) ergibt sich der Stfom i„ des Ausgängssignals:
T? IC*.
■P ... .. 1 £ M)VF
U = k
uHF-uNF-
. 2i? τ 2# ■ Durch Umformung ergeben sich die folgenden Gleichungen (8) bis (IQ):
in
Uhf '
2RUt
^W
ARU1
sin ι
'WJ-
2RU1
+ mN)t +
• sin
· cos οιNt + -β-,
HF
'NF
4RUj sin (c% —
Dabei entspricht das erste Glied der Gleichung (10) dem oberen Seitenband, das zweite Glied dem unteren Seitenband und das dritte Glied der Gleichstromkomponente des Ausgangssignals. Der Träger und das Modulationssignal sind somit unterdrückt.
Die Schaltungsanordnung nach Fig. 6 zeigt eine praktische Ausführungsform des Modulators nach F i g. 4. Dabei sind die Emitter der beiden Transistoren 22 und 23 über die beiden Widerstände 40 und 41 verbunden und über den Transistor 42 und den Widerstand 43 und über Klemme 13 an den ersten Pol der Spannungsquelle angeschlossen. Dieser Transistor 42 wirkt als hoher Wechselstromwiderstand. Sein Basispotential wird unter Verwendung der Widerstände 25, 44,45 festgelegt. Die Basis ist über den Kondensator 46 wechselstrommäßig an Masse angeschlossen.
Die Schaltungsanordnung nach F i g. 7 zeigt einen Modulator zum Versatz des Farbträgers, um eine Frequenz von 25 Hz, wie er beim PAL-Farbfernsehübertragungssystem benötigt wird. Diese Schaltungsanordnung besteht im wesentlichen aus zwei Modulatoren, die auf einem gemeinsamen Lastwiderstand L arbeiten. Der eine dieser Modulatoren besteht aus den Transistoren 1 bis 4, dem Transformator 5, den Kondensatoren 30, 31 und den Widerständen SO bis 54. Der andere Modulator besteht aus den Transistoren 1', 2', 3', 4', aus dem Transformator 5'. den Kondensatoren 30', 31' und den Widerständen SO', 51', 52', 53', 54'. Als hochfrequenter Träger wird eine sinusförmige Schwingung HF mit einer Frequenz von F = 4433 618,75 Hz über Klemme 55 und den Kondensator 56 zugeführt. Diese hochfrequente Schwingung wird einerseits über den Widerstand 57 und andererseits über den Kondensator 58 übertragen, so daß an den Basen der Transistoren 2 und 3 einerseits und an den Basen der Transistoren 2' und 3' andererseits hochfrequente Schwingungen auftreten, deren Phase um 90 versetzt ist. Das über Klemme 12 zugeführte Modulationssignal NF hat eine Frequenz von 25 Hz. Dieses Modulationssignal NF wird einerseits dem Transformator 5 und andererseits über ein 90°-Phasendrehglied 56 dem Transformator 5' zugeführt, über die Ausgangsklemme 17 wird dann eine sinusförmige Schwingung abgegeben, die eine Frequenz von F = 25 Hz (= 4 433 593,75 Hz) hat.

Claims (3)

Patentansprüche :
1. Modulator zur Amplitudenmodulation eines Trägers mit einem Modulationssignal geringerer Frequenz, wobei sowohl der Träger als auch das Modulationssignal unterdrückt und nur die beiden Seitenbänder übertragen werden, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger sowohl über Elektroden eines ersten Verstärkerelementes (1) und eines zweiten Verstärkerelementes (2) (erstes Verstärkerelementenpaar) gegenphasig übertragen wird als auch über Elektroden eines dritten Verstärkerelementes (3) und eines vierten Verstärkerelementes (4) (zweites Verstärkerelementenpaar) gegenphasig übertragen wird, daß dem Betriebsstram beider Verstärkerelementenpaare (1, 2 und 3, 4) eine Wechselstromkomponente überlagert wird, die im Rhythmus des Modulationssignals schwankt und an den beiden Verstärkerelementenpaaren gegenphasig auftritt, daß beide Elektroden des ersten Verstärkerelementenpaares (1, 2) über je eine erste Leitung (Ll) bzw. zweite Leitung (L 2) an diejenigen Elektroden des zweiten Verstärkerelementenpaares (3,4) angeschlossen sind, über die der Träger mit Gegenphase übertragen wird, daß die beiden Leitungen (Ll und L2) über einen Lastwiderstand miteinander verbunden sind und daß das Ausgangssignal vom Lastwiderstand abgenommen wird.
2. Modulator nach Anspruch 1, wobei Verstärkerelemente verwendet werden, die eine erste Steuerelektrode und eine zweite Steuerelektrode haben und die Signale, die diesen Steuerelektroden zugeführt werden, praktisch unverzerrt über eine dritte Elektrode abgeben, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger der ersten Steuerelektrode des ersten Verstärkerelementes (1) zugeführt wird, welches über seine zweite Steuerelektrode mit dem zweiten Verstärkerelement (2) zum ersten Verstärkerelementenpaar (1, 2) vereinigt ist, an deren dritten Elektroden der Träger in Gegenphase auftritt, daß der Träger der ersten Steuerelektrode des dritten Verstärkerelementes (3) zugeführt wird, welches über seine zweite Steuerelektrode mit dem vierten Verstärkerelement (4) zum zweiten Verstärkerelementenpaar (3,4) vereinigt ist, an deren dritten Elektroden der Träger ebenfalls in Gegenphase auftritt, daß dem ersten Verstärkerelementenpaar (1, 2) über die zweiten Steuerelektroden das Modulationssignal (NF) zugeführt wird, daß dem zweiten Verstärkerelementenpaar (3, 4) über seine zweiten Steuerelektroden ein gegenphasiges Modulationssignal zugeführt wird, daß die erste Steuerelektrode des zweiten Verstärkerelementes (2) des ersten Verstärkerelementenpaares (1, 2) und die erste Steuerelektrode des vierten Verstärkerelementes (4) des zweiten Verstärkerelementenpaares (3,4) an einen Schaltungspunkt konstanten Potentials
(Masse) angeschlossen sind, daß eine dritte Elektrode der beiden Verstärkerelemente (1 oder 2) des ersten Verstärkerelementenpaares (1, 2) über eine erste Leitung (L 1) mit derjenigen dritten Elektrode eines der beiden Verstärkerelemente (3 oder 4) des zweiten Verstärkerelementenpaares (3, 4) verbunden ist, an der der Träger in Gegenphase auftritt, und daß die dritte Elektrode des anderen Verstärkerelementes (2 oder 1) des ersten Verstärkerelementenpaares (1, 2) über eine zweite Leitung (L 2) mit der dritten Elektrode des anderen Verstärkerelementes (4 oder 3) des zweiten Verstärkerelementenpaares (3, 4) verbunden ist, daß die erste Leitung (L 1) über einen Lastwiderstand (L) an die zweite Leitung (L 2) angeschlossen ist, daß ein erster Pol einer Betriebsspannungsquelle an die zweiten Steuerelektroden des ersten und zweiten Verstärkerelementenpaares und der zweite Pol dieser Betriebsspannungsquelle an eine der Leitungen (Ll, L2) angeschlossen ist und daß das Ausgangssignal vom Lastwiderstand (L) abgenommen wird.
3. Modulator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger der Basis eines ersten Transistors (1) zugeführt wird, der emitterseitig mit einem zweiten Transistor (2) zu einem ersten Transistorpaar (1, 2) vereinigt ist, an deren Kollektoren der Träger in Gegenphase auftritt, daß der Träger der Basis eines dritten Transistors (3) zugeführt wird, der emitterseitig mit einem vierten Transistor (4) zu einem zweiten Transistorpaar (3,4) vereinigt ist, an deren Kollektoren der Träger ebenfalls in Gegenphase auftritt, daß dem ersten Transistorpaar (1, 3) emitterseitig das Modulationssignal (NF) zugeführt wird, daß dem zweiten Transistorpaar (3,4) emitterseitig ein um 180 phasenverschobenes Modulationssignal zugeführt wird, daß die Basis des zweiten Transistors (2) des ersten Transistorpaares (1, 2) und die Basis des vierten Transistors (4) des zweiten Transistorpaares (3, 4) an einen Schaltungspunkt konstanten Potentials (Masse) angeschlossen sind, daß ein Kollektor der beiden Transistoren (1 oder 2) des ersten Transistorpaares (1,2) über eine erste Kollektorleitung (Ll) mit demjenigen Kollektor eines der beiden Transistoren (3 oder 4) des zweiten Transistorpaares (3,4) verbunden ist, an den der Träger in Gegenphase auftritt, daß der Kollektor des anderen Transistors (2 oder 1) des ersten Transistorpaares (1, 2) über eine zweite Kollektorleitung (L 2) mit dem Kollektor des anderen Transistors (4 oder 3) des zweiten Transistorpaares (3, 4) verbunden ist, daß die erste Kollektorleitung über einen Last widerstand an die zweite Kollektorleitung angeschlossen ist, daß ein erster Pol einer Betriebsspannungsquelle an die Emitter des ersten und zweiten Transistorpaares und der zweite Pol dieser Betriebsspannungsquelle an eine der Kollektorleitungen angeschlossen ist und daß das Ausgangssignal vom Lastwiderstand abgenommen wird.
4. Modulator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Modulationssignal über eine Wicklung eines Transformators (5) zugeführt wird, daß die Mittelanzapfung einer weiteren Wicklung .dieses Transformators (5) an den ersten Pol (über 13) der Betriebsspannungsquelle angeschlossen ist und daß die Enden.dieser weiteren Wicklung über je einen Widerstand (R) an die Emitter des ersten Transistorpaares (1, 2) bzw. des zweiten Transistorpaares (3,4) angeschlossen sind.
5. Modulator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter der beiden Transistoren des ersten Transistorpaares (1,2) über einen Kondensator (30) verbunden sind und über je einen Widerstand (2 R) an ein Ende der weiteren Wicklung des Transformators (5) angeschlossen sind und daß die Emitter der beiden Transistoren des zweiten Transistorpaares (3,4) über einen weiteren Kondensator (31) verbunden sind und über je einen weiteren Widerstand (2 J?) an das zweite Ende der weiteren Wicklung des Transformators (5) angeschlossen sind.
6. Modulator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Lastwiderstand (L) eine Wicklung eines weiteren Transformators (6) vorgesehen ist, deren Enden an je eine Kollektorleitung angeschlossen sind und deren Mittelanzapfung mit dem zweiten Pol der Betriebsspannungsquelle verbunden ist und daß das Ausgangssignal über eine weitere Wicklung dieses weiteren Transformators (6) abgegeben wird.
7. Modulator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Lastwiderstand (L) ein Parallelresonanzkreis (18,19,20) geschaltet ist.
8. Modulator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter des ersten Transistorpaares (1, 2) bzw. des zweiten Transistorpaares (3,4) über die Emitter-Kollektor-Strecke eines fünften Transistors (22) bzw. sechsten Transistors (23) und über einen zusätzlichen Widerstand (26) an den ersten Pol der Betriebsspannungsquelle angeschlossen sind und daß das Modulationssignal den Basen dieses fünften und sechsten Transistors zugeführt wird.
9. Modulator nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter des fünften und sechsten Transistors über die Emitter-Kollektor-Strecke eines siebten Transistors (42) an den ersten PolderBetriebsspannungsquelleangeschlossensind.
10. Modulator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger mit um 90° verschobener Phase der Basis eines zusätzlichen ersten Transistors (1') zugeführt wird, der emitterseitig mit einem zusätzlichen zweiten Transistor (2') zu einem zusätzlichen ersten Transistorpaar (Γ, 2') vereinigt ist, an deren Kollektoren der um 90° phasenverschobene Träger in Gegenphase auftritt, daß der Träger mit um 90c verschobener Phase der Basis eines zusätzlichen dritten Transistors (3') zugeführt wird, der emitterseitig mit einem zusätzlichen vierten Transistor (4') zu einem zusätzlichen zweiten Transistorpaar (3', 4') vereinigt ist, an deren Kollektoren der um 90° phasenverschobene Träger ebenfalls in Gegenphase auftritt, daß dem zusätzlichen ersten Transistorpaar (1', 2') emitterseitig ein gegenüber dem Modulationssignal um 90° phasenverschobenes Modulationssignal zugeführt wird, daß dem zusätzlichen zweiten Transistorpaar (3', 4') emitterseitig ein gegenüber dem um 90° phasenverschobenen Modulationssignal gegenphasiges Modulationssignal zugeführt wird, daß die Basis des zusätzlichen zweiten Transistors (2') des zusätzlichen ersten Transistorpaares (Γ, 2') und die Basis des zusätzlichen vierten Transistors (4') des zusätzlichen zweiten Transistorpaares (3', 4')-an den Schaltungspunkt kon-
stanten Potentials (Masse) angeschlossen sind, daß ein Kollektor der beiden zusätzlichen Transistoren (I' oder 2') des zusätzlichen ersten Transistorpaares (Γ, 2') über die erste Kollektorleitung mit demjenigen Kollektor eines der beiden zusätzlichen Transistoren (3' oder 4') des zusätzlichen zweiten Transistorpaares (3', 4') verbunden ist, an den der um 90° versetzte Träger in Gegenphase auftritt, daß der Kollektor des anderen zusätzlichen Tran-
10
sistors (2' oder 1') des ersten zusätzlichen Transistorpaares (V, T) über die zweite Kollektorleitung mit dem Kollektor des anderen zusätzlichen Transistors (4' oder 3') des zusätzlichen zweiten Transistorpaares (3', 4') verbunden ist und daß der erste Pol der Betriebsspannungsquelle an die Emitter des zusätzlichen ersten und zweiten Transistorpaares und der zweite Pol an eine der Kollektorleitung angeschlossen ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 510/83 2.68 © Bundesdruckerei Berlin
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0220914A1 (de) * 1985-10-22 1987-05-06 Plessey Overseas Limited Symmetrischer Oszillator und diesen enthaltende Überlagerungsschaltung

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