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CN105047568B - 薄膜晶体管及其制作方法、显示面板 - Google Patents

薄膜晶体管及其制作方法、显示面板 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，所述薄膜晶体管包括金属电极，形成所述金属电极的步骤包括：在衬底基板上形成第一材料层；对所述第一材料层进行图形化处理，在所述第一材料层上形成沟槽图形，所述沟槽图形与待形成的金属电极的图形相匹配；在所述沟槽图形中形成所述金属电极，使所述金属电极的边缘与所述沟槽图形的边缘之间具有间隙；在形成有所述金属电极的基板上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述金属电极及其边缘。本发明制作得到的金属电极上具有保护图形，起到有效保护导电金属的作用。与现有技术相比，本发明中金属电极的边缘突出并附着于衬底基板上，不会出现边缘内凹的情况，能够减少各种显示不良情况的发生。

Description

薄膜晶体管及其制作方法、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、以及包括该薄膜晶体管的显示面板。
背景技术
液晶显示面板和有机发光二极管显示面板中均包含大量的薄膜晶体管开关，薄膜晶体管中的电极通常采用金属来制作。
在现有的制作工艺中，金属层在刻蚀过程中容易在图形的边缘处缩进，形成内凹的结构，凹进的部位在后续制程中会形成隐患，常常会引发上下两层金属层之间发生短路，从而导致各种显示不良现象发生。
发明内容
本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，解决现有技术中金属图形边缘内凹而导致的短路等不良情况。
为解决上述技术问题，作为本发明的第一个方面，提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括金属电极，所述制作方法包括形成所述金属电极的步骤，形成所述金属电极的步骤包括：
在衬底基板上形成第一材料层；
对所述第一材料层进行图形化处理，在所述第一材料层上形成沟槽图形，所述沟槽图形与待形成的金属电极的图形相匹配；
在所述沟槽图形中形成所述金属电极，使所述金属电极的边缘与所述沟槽图形的边缘之间具有间隙；
在形成有所述金属电极的基板上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述金属电极及其边缘。
优选地，在形成有所述金属电极的基板上形成保护图形的步骤包括：
在形成有所述金属电极的基板上形成保护层；
对所述保护层进行加热，使所述保护层位于所述间隙中的部分断裂，形成覆盖所述金属电极及其边缘的第一部分和覆盖所述第一材料层的第二部分；
去除所述第一材料层及位于其上的保护层的第二部分，得到覆盖所述金属电极及其边缘的保护图形。
优选地，所述第一材料层的材料能够溶于含氟溶剂，对所述第一材料层进行图形化处理的步骤包括：
在所述第一材料层上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光和显影，以形成掩膜图形，所述掩膜图形包括与待形成的金属电极的图形相一致的缺口；
使用含氟溶剂对所述第一材料层上未被所述掩膜图形覆盖的部分进行清洗，形成所述沟槽图形。
优选地，在所述沟槽图形中形成所述金属电极的步骤包括：
沉积金属层，使所述金属层的一部分位于所述沟槽图形中，另一部分位于所述掩膜图形上；
剥离所述掩膜图形及位于其上的金属。
优选地，去除所述第一材料层及位于其上的保护层的第二部分的步骤包括：
使用含氟溶剂对所述第一材料层进行清洗，以去除所述第一材料层及位于其上的保护层的第二部分。
优选地，制作所述保护图形的材料包括钼、铌、钛中的任意一种或上述金属的合金。
优选地，制作所述金属电极的金属包括铜或铜的合金。
优选地，所述金属电极包括栅极。
优选地，所述金属电极包括源极和漏极。
作为本发明的第二个方面，还提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括金属电极，所述金属电极上设置有保护图形，所述保护图形覆盖所述金属电极及其边缘。
优选地，制作所述保护图形的材料包括钼、铌、钛中的任意一种或上述金属的合金。
优选地，制作所述金属电极的材料包括铜或铜的合金。
作为本发明的第三个方面，还提供一种显示面板，所述显示面板包括本发明所提供的上述薄膜晶体管。
本发明通过在第一材料层上形成沟槽图形，并在沟槽图形中沉积金属电极，利用沟槽图形边缘与金属电极边缘之间的间隙，沉积保护层材料，制作得到覆盖金属电极及其边缘的保护图形，起到有效保护导电金属的作用。相较于现有的对金属层刻蚀以形成金属电极的制作方法，本发明中的金属电极的边缘将突出并附着于衬底基板上，而不会出现边缘内凹的情况，应用于显示面板中，能够减少各种显示不良情况的发生。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。
图1是本发明实施例所提供的制作方法的流程图；
图2a-图2h是本发明实施例中的薄膜晶体管的制作过程示意图。
在附图中，1-衬底基板；2-第一材料层；21-沟槽图形；3-光刻胶层；31-掩膜图形；4-金属电极；5-保护层；51-保护图形。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
本发明首先提供了一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括金属电极，所述制作方法包括形成所述金属电极的步骤，如图1所示，形成所述金属电极的步骤包括：
在衬底基板上形成第一材料层；
对所述第一材料层进行图形化处理，在所述第一材料层上形成沟槽图形，所述沟槽图形与待形成的金属电极的图形相匹配；
在所述沟槽图形中形成所述金属电极，使所述金属电极的边缘与所述沟槽图形的边缘之间具有间隙；
在形成有所述金属电极的的基板上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述金属电极及其边缘。
本发明通过在第一材料层上形成沟槽图形，并在沟槽图形中沉积金属电极，利用沟槽图形边缘与金属电极边缘之间的间隙，沉积保护层材料，制作得到覆盖金属电极及其边缘的保护图形，起到有效保护导电金属的作用。相较于现有的对金属层刻蚀以形成金属电极的制作方法，本发明中的金属电极的边缘将突出并附着于衬底基板上，而不会出现边缘内凹的情况，应用于显示面板中，能够减少各种显示不良情况的发生。
在本发明中，所述第一材料层可以采用涂覆工艺进行制作，所述金属电极和所述保护图形可以采用沉积工艺进行制作。
其中，形成保护图形的步骤具体包括：
在形成有所述金属电极的基板上形成保护层；
对所述保护层进行加热，使所述保护层位于所述间隙中的部分断裂，形成覆盖所述金属电极及其边缘的第一部分和覆盖所述第一材料层的第二部分；
去除所述第一材料层及位于其上的保护层的第二部分，得到覆盖所述金属电极及其边缘的保护图形。
优选地，制作所述保护图形的材料包括钼、铌、钛中的任意一种或上述金属的合金。所述保护层起到表面抗氧化层的作用。对所述保护层进行加热时，可以将完成保护层的基板置于烤箱中，烤箱温度设置为上述金属相对应的锻造温度，以使得所述保护层能够在所述间隙处发生断裂。
优选地，所述第一材料层的材料能够溶于含氟溶剂，对所述第一材料层进行图形化处理的步骤包括：
在所述第一材料层上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光和显影，以形成掩膜图形，所述掩膜图形包括与待形成的金属电极的图形相一致的缺口；
使用含氟溶剂对所述第一材料层上未被所述掩膜图形覆盖的部分进行清洗，形成所述沟槽图形。
这里的含氟溶剂可以是含N2-基团的氟基溶剂。需要说明的是，由于所述第一材料层与所述光刻胶层相接触，所述第一材料层的材料还应具有抗剥离工艺的特性，也就是说，在去除残留的光刻胶时，第一材料层可以保留。
进一步地，在所述沟槽图形中形成所述金属电极的步骤包括：
沉积金属层，使所述金属层的一部分位于所述沟槽图形中，另一部分位于所述掩膜图形上；
剥离所述掩膜图形及位于其上的金属。
此处剥离所述掩膜图形的步骤可以采用清洗光刻胶的工艺，如上所述，制作所述第一材料层的材料应当不溶于清洗光刻胶的溶剂。
进一步地，去除所述第一材料层及位于其上的保护层的第二部分的步骤包括：
使用含氟溶剂对所述第一材料层进行清洗，以去除所述第一材料层及位于其上的保护层的第二部分。
由于所述第一材料层能够溶于含氟溶剂，因此，使用含氟溶剂对所述第一材料层进行清洗即可去除残余的第一材料层以及位于其上的保护层，最终得到金属电极及覆盖所述金属电极及其边缘的保护图形。
在本发明中，制作所述金属电极的金属优选为铜或铜的合金。铜和铜的合金具有耐高温、热膨胀系数小、导电特性好、制作工艺简单等一系列优点，非常适合用于制作本发明中的金属电极。
此外，本发明中的金属电极可以是栅极，或者，本发明中的金属电极可以是源极和漏极。
下面结合图2a-图2h对本发明所提供的制作方法进行详细的阐述。
首先，在衬底基板1上涂覆一层可溶于含氟溶剂的第一材料层2，并在第一材料层2上涂覆光刻胶层3，如图2a所示；
之后，对光刻胶层3进行曝光和显影，得到掩膜图形31，,掩膜图形31包括与待形成的金属电极的图形相一致的缺口，如图2b所示；
之后，使用含氟溶剂将第一材料层2上未被掩膜图形31覆盖的部分洗掉，在第一材料层2上形成沟槽图形21，如图2c所示，此步骤相当于湿刻工艺，沟槽图形21的边缘与掩膜图形31的边缘相比明显缩进；
之后，沉积金属层，由于掩膜图形31的遮挡，金属层的一部分落入沟槽图形21中，与衬底基板1相接触，形成金属电极4，另一部分金属位于掩膜图形31上，如图2d所示，并且，金属电极4的边缘与沟槽图形21的边缘之间具有间隙；
之后，通过剥离工艺去除掩膜图形31及位于其上的金属，如图2e所示；
之后，在完成上述步骤的基板上沉积保护层5，如图2f所示，并对保护层5加热，使保护层5位于所述间隙中的部分断裂(图2g中圆圈位置所示)，形成覆盖金属电极4及其边缘的第一部分和覆盖第一材料层2的第二部分；
最后，使用含氟溶剂将第一材料层2和位于其上的保护层5的第二部分去除，得到具有保护图形51的金属电极4，保护图形51覆盖金属电极4及其边缘(如图2h中圆圈位置所示)。
本发明通过在第一材料层2上形成沟槽图形21，并在沟槽图形21中沉积金属电极4，利用沟槽图形21边缘与金属电极4边缘之间的间隙，沉积保护层材料，制作得到覆盖金属电极4及其边缘的保护图形51，起到有效保护导电金属的作用。相较于现有的对金属层刻蚀以形成金属电极的制作方法，本发明中的金属电极4的边缘将突出并附着于衬底基板1上，而不会出现边缘内凹的情况，应用于显示面板中，能够减少各种显示不良情况的发生。
本发明还提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括金属电极，如图2h所示，金属电极4上设置有保护图形51，保护图形51覆盖金属电极4及其边缘。
本发明中的金属电极4及其边缘上覆盖有保护图形51，保护图形51起到有效保护导电金属的作用。并且，基于本发明的上述制作方法，本发明中的金属电极4的边缘将突出并附着于衬底基板1上，而不会出现边缘内凹的情况，能够减少短路等不良现象的发生。
优选地，制作保护图形51的材料包括钼、铌、钛中的任意一种或上述金属的合金。保护图形51起到金属表面抗氧化的作用。
优选地，制作金属电极4的材料包括铜或铜的合金。铜和铜的合金具有耐高温、热膨胀系数小、导电特性好、制作工艺简单等一系列优点，非常适合用于制作本发明中的金属电极。
进一步地，本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括本发明所提供的上述薄膜晶体管。如上所述，本发明所提供的显示面板由于具有覆盖金属电极边缘的保护图形，能够有效避免短路等不良现象的发生，提高产品良率。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括金属电极，所述制作方法包括形成所述金属电极的步骤，其特征在于，形成所述金属电极的步骤包括：
在衬底基板上形成第一材料层；
对所述第一材料层进行图形化处理，在所述第一材料层上形成沟槽图形，所述沟槽图形与待形成的金属电极的图形相匹配；
在所述沟槽图形中形成所述金属电极，使所述金属电极的边缘与所述沟槽图形的边缘之间具有间隙；
在形成有所述金属电极的基板上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述金属电极及其边缘。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成有所述金属电极的基板上形成保护图形的步骤包括：
在形成有所述金属电极的基板上形成保护层；
对所述保护层进行加热，使所述保护层位于所述间隙中的部分断裂，形成覆盖所述金属电极及其边缘的第一部分和覆盖所述第一材料层的第二部分；
去除所述第一材料层及位于其上的保护层的第二部分，得到覆盖所述金属电极及其边缘的保护图形。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一材料层的材料能够溶于含氟溶剂，对所述第一材料层进行图形化处理的步骤包括：
在所述第一材料层上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光和显影，以形成掩膜图形，所述掩膜图形包括与待形成的金属电极的图形相一致的缺口；
使用含氟溶剂对所述第一材料层上未被所述掩膜图形覆盖的部分进行清洗，形成所述沟槽图形。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述沟槽图形中形成所述金属电极的步骤包括：
沉积金属层，使所述金属层的一部分位于所述沟槽图形中，另一部分位于所述掩膜图形上；
剥离所述掩膜图形及位于其上的金属。
5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，去除所述第一材料层及位于其上的保护层的第二部分的步骤包括：
使用含氟溶剂对所述第一材料层进行清洗，以去除所述第一材料层及位于其上的保护层的第二部分。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的制作方法，其特征在于，制作所述保护图形的材料包括钼、铌、钛中的任意一种或上述金属的合金。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的制作方法，其特征在于，制作所述金属电极的金属包括铜或铜的合金。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的制作方法，其特征在于，所述金属电极包括栅极。
9.根据权利要求1至5中任意一项所述的制作方法，其特征在于，所述金属电极包括源极和漏极。
10.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括金属电极，其特征在于，所述薄膜晶体管由权利要求1至9中任意一项所述的制作方法制成，所述金属电极上设置有保护图形，所述保护图形覆盖所述金属电极及其边缘，所述金属电极包括栅极、源极和漏极。
11.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求10所述的薄膜晶体管。
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