WO2022071329A1

WO2022071329A1 - 樹脂組成物、半導体装置の製造方法、硬化物、半導体装置及びポリイミド前駆体の合成方法

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Publication number: WO2022071329A1
Application number: PCT/JP2021/035672
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Inventors: 聡米田; 豊生田目; 智章柴田; 香織小林; 仁小野関; 直也鈴木; 敏央野中
Original assignee: Showa Denko Materials Co Ltd; HD MicroSystems Ltd
Current assignee: HD MicroSystems Ltd; Resonac Corp
Priority date: 2020-09-30
Filing date: 2021-09-28
Publication date: 2022-04-07
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Abstract

（Ａ）ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸塩及びポリアミド酸アミドからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であるポリイミド前駆体、並びにポリイミド樹脂の少なくとも一方と、（Ｂ）溶剤と、を含み、工程（１）～工程（５）を含む半導体装置の製造方法での第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の絶縁膜の作製に用いるための樹脂組成物。

Description

樹脂組成物、半導体装置の製造方法、硬化物、半導体装置及びポリイミド前駆体の合成方法

　本開示は、樹脂組成物、半導体装置の製造方法、硬化物、半導体装置及びポリイミド前駆体の合成方法に関する。

　近年、ＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）の集積度を向上させるために半導体チップの三次元実装が検討されている。非特許文献１には、半導体チップの三次元実装の一例が開示されている。

　Ｃ２Ｗ（Chip-to-Wafer）接合により半導体チップの三次元実装を行う場合において、デバイス同士の配線の微細接合を行うため、Ｗ２Ｗ（Wafer-to-Wafer）接合に用いられるハイブリッドボンディング技術を使うことが検討されている。

　Ｃ２Ｗのハイブリッドボンディングでは、ボンディング時の加熱により基材、チップ等の熱膨張が要因となる位置ズレが発生するおそれがある。このような課題に対し、特許文献１では環状オレフィン系樹脂を用いることでボンディング温度を低温化できる技術の一例が開示されている。

特開２０１９－２０４８１８号公報

F.C. Chen et al., "System on Integrated Chips(SoIC TM) for 3D Heterogeneous Integration",2019 IEEE 69th Electronic Components and Technology Conference (ECTC),p.594-599(2019)

　Ｃ２Ｗ接合により半導体チップの三次元実装を行う場合、Ｗ２Ｗ接合と異なり、半導体チップへの個片化を行う工程にて異物（切断破片）が発生することがあり、この異物が半導体チップ等の接合界面（ハイブリッドボンディングの絶縁膜の表面）に付着してしまうおそれがある。この絶縁膜には二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等の無機材料を用いることが検討されているが、無機材料は硬い材料であることから、付着した異物が絶縁膜に大きな空隙、例えば異物高さの１０００倍近い幅の空隙を接合界面に生じさせてしまう。このため、Ｗ２Ｗ接合に用いられているハイブリッドボンディング技術を単にＣ２Ｗ接合に適用しても、このような空隙の発生により接合不良を引き起こしてしまうおそれがあり、これにより半導体装置製造の歩留まりが低下するという問題がある。一方、これらの接合不良を防ぐために高い清浄度を持つクリーンルーム及び装置を利用する場合、クリーンルーム等に対する設備投資により多額の費用が必要となる。

　また、絶縁膜の材料に環状オレフィン系樹脂等の有機材料を用いた場合、有機材料の耐熱性が充分でなく、Ｃ２Ｗ接合の際に絶縁膜が高温に曝されることで有機材料が変質して基板と絶縁膜との界面等で接合不良が発生したりするおそれがある。

　本開示は上記に鑑みてなされたものであり、接合界面での空隙の発生が抑制され、耐熱性に優れる絶縁膜を備える半導体装置を製造可能な樹脂組成物、前述の樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法、前述の樹脂組成物を硬化してなる硬化物、及び、接合界面での空隙の発生が抑制され、耐熱性に優れる絶縁膜を備える半導体装置を提供することを目的とする。
　さらに、本開示は、前述の樹脂組成物の調製に用いるポリイミド前駆体を合成可能であるポリイミド前駆体の合成方法を提供することを目的とする。

　前記課題を達成するための具体的手段は以下の通りである。
＜１＞　（Ａ）ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸塩及びポリアミド酸アミドからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であるポリイミド前駆体、並びにポリイミド樹脂の少なくとも一方と、（Ｂ）溶剤と、を含み、
　以下の工程（１）～工程（５）を含む半導体装置の製造方法での第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の有機絶縁膜の作製に用いるための樹脂組成物。
　工程（１）　第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられた前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板を準備する。
　工程（２）　第２基板本体と、前記第２基板本体の一面に設けられた前記第２有機絶縁膜及び複数の第２電極とを有する第２半導体基板を準備する。
　工程（３）　前記第２半導体基板を個片化し、前記第２有機絶縁膜の一部に対応する有機絶縁膜部分と少なくとも１つの前記第２電極とをそれぞれが備えた複数の半導体チップを取得する。
　工程（４）　前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分とを互いに貼り合わせる。
　工程（５）　前記第１半導体基板の前記第１電極と前記半導体チップの前記第２電極とを接合する。
＜２＞　（Ａ）ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸塩及びポリアミド酸アミドからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であるポリイミド前駆体、並びにポリイミド樹脂の少なくとも一方と、（Ｂ）溶剤と、を含み、
　電極と共に化学機械研磨法により研磨される硬化物の作製に用いるための樹脂組成物。
＜３＞　前記（Ａ）ポリイミド前駆体は、下記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物を含む＜１＞又は＜２＞に記載の樹脂組成物。

　一般式（１）中、Ｘは４価の有機基を表し、Ｙは２価の有機基を表し、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の有機基を表す。
＜４＞　前記一般式（１）中、前記Ｘで表される４価の有機基は、下記式（Ｅ）で表される基である＜３＞に記載の樹脂組成物。

　式（Ｅ）において、Ｃは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。
＜５＞　前記一般式（１）中、前記Ｙで表される２価の有機基は、下記式（Ｈ）で表される基である＜３＞又は＜４＞に記載の樹脂組成物。

　式（Ｈ）において、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基又はハロゲン原子を表し、ｎは、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。Ｄは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。
＜６＞　前記一般式（１）中、前記Ｒ^６及び前記Ｒ^７における前記１価の有機基は、下記一般式（２）で表される基、エチル基、イソブチル基又はｔ－ブチル基のいずれかである＜３＞～＜５＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。

　一般式（２）中、Ｒ^８～Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、Ｒ^ｘは２価の連結基を表す。
＜７＞　前記（Ｂ）溶剤の含有量は、前記（Ａ）ポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂の合計１００質量部に対して１質量部～１００００質量部である＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
＜８＞　前記（Ｂ）溶剤は下記式（３）～式（６）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含む＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。

　式（３）～（７）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^８及びＲ^１０は、それぞれ独立に、炭素数１～４のアルキル基であり、Ｒ^３～Ｒ^７及びＲ^９は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～４のアルキル基である。ｓは０～８の整数であり、ｔは０～４の整数であり、ｒは０～４の整数であり、ｕは０～３の整数である。
＜９＞　前記樹脂組成物を硬化してなる硬化物の５％熱重量減少温度が２００℃以上である＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
＜１０＞　前記樹脂組成物を硬化してなる硬化物のガラス転移温度が１００℃～４００℃である＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
＜１１＞　前記樹脂組成物を硬化してなる硬化物について、動的粘弾性測定で求めた前記硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも１００℃低い温度での貯蔵弾性率Ｇ１に対する前記動的粘弾性測定で求めた前記硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも１００℃高い温度での貯蔵弾性率Ｇ２の比率であるＧ２／Ｇ１は、０．００１～０．０２である＜１＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
＜１２＞　（Ｃ）光重合開始剤及び（Ｄ）重合性モノマーをさらに含む＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
＜１３＞　ネガ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性樹脂組成物であり、フォトリソグラフィ工法により、基板本体の一面上に設けられた有機絶縁膜に複数の端子電極を配置するための貫通孔を複数設けることに用いるための＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
＜１４＞　硬化してなる硬化物の２５℃での引張弾性率が７．０ＧＰａ以下である＜１＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
＜１５＞　硬化してなる硬化物の熱膨張率が１５０ｐｐｍ／Ｋ以下である＜１＞～＜１４＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
＜１６＞　＜１＞～＜１５＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物を第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の有機絶縁膜の作製に用い、以下の工程（１）～工程（５）を経て半導体装置を製造する半導体装置の製造方法。
　工程（１）　第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられ前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板を準備する。
　工程（２）　第２基板本体と、前記第２基板本体の一面に設けられた前記第２有機絶縁膜及び複数の第２電極とを有する第２半導体基板を準備する。
　工程（３）　前記第２半導体基板を個片化し、前記第２有機絶縁膜の一部に対応する有機絶縁膜部分と少なくとも１つの前記第２電極とをそれぞれが備えた複数の半導体チップを取得する。
　工程（４）　前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分とを互いに貼り合わせる。
　工程（５）　前記第１半導体基板の前記第１電極と前記半導体チップの前記第２電極とを接合する。
＜１７＞　前記工程（４）において、前記半導体チップと前記第１半導体基板との温度差が１０℃以内となる温度で前記第１有機絶縁膜と前記有機絶縁膜部分とを貼り合わせる＜１６＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１８＞　製造された半導体装置において、前記第１有機絶縁膜と前記有機絶縁膜部分との接合により形成された有機絶縁膜の厚さが０．１μｍ以上である＜１６＞又は＜１７＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１９＞　前記工程（１）が前記第１半導体基板の前記一面側を研磨する工程を含むこと、及び、前記工程（２）が前記第２半導体基板の前記一面側を研磨する工程を含むことの少なくとも一方を満たし、前記第１有機絶縁膜の研磨レートは、前記第１電極の研磨レートの０．１倍～５倍であること、及び、前記第２有機絶縁膜の研磨レートは、前記第２電極の研磨レートの０．１倍～５倍であることの少なくとも一方を満たす＜１６＞～＜１８＞のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
＜２０＞　前記第２絶縁膜の厚さは、前記第１絶縁膜の厚さよりも大きい＜１６＞～＜１９＞のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
＜２１＞　前記第２絶縁膜の厚さは、前記第１絶縁膜の厚さよりも小さい＜１６＞～＜１９＞のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
＜２２＞　＜１＞～＜１５＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
＜２３＞　第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられた前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板と、
　半導体チップ基板本体と、前記半導体チップ基板本体の一面に設けられた有機絶縁膜部分及び第２電極とを有する半導体チップと、
　を備え、前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と、前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分と、が接合し、前記第１半導体基板の前記第１電極と、前記半導体チップの前記第２電極と、が接合し、
　前記第１有機絶縁膜及び前記有機絶縁膜部分の少なくとも一方が＜１＞～＜１５＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物を硬化してなる有機絶縁膜である半導体装置。
＜２４＞　テトラカルボン酸二無水物と、Ｈ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物（式中、Ｙは２価の有機基である。）と、を３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミド中にて反応させポリアミド酸溶液を得る工程と、
　前記ポリアミド酸溶液に脱水縮合剤及びＲ－ＯＨで表される化合物（式中、Ｒは１価の有機基である。）を作用させる工程と、
　を含む、ポリイミド前駆体の合成方法。
＜２５＞　前記脱水縮合剤は、トリフルオロ酢酸無水物、Ｎ，Ｎ’－ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）及び１，３－ジイソプロピルカルボジイミド（ＤＩＣ）からなる群より選択される少なくとも１種を含む、＜２４＞に記載のポリイミド前駆体の合成方法。

　本開示によれば、接合界面での空隙の発生が抑制され、耐熱性に優れる絶縁膜を備える半導体装置を製造可能な樹脂組成物、前述の樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法、前述の樹脂組成物を硬化してなる硬化物、及び、接合界面での空隙の発生が抑制され、耐熱性に優れる絶縁膜を備える半導体装置を提供することができる。
　さらに、本開示は、前述の樹脂組成物の調製に用いるポリイミド前駆体を合成可能であるポリイミド前駆体の合成方法を提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。図２は、図１に示す半導体装置を製造するための方法を順に示す図である。図３は、図２に示す半導体装置の製造方法における接合方法をより詳細に示す図である。図４は、図１に示す半導体装置を製造するための方法であり、図２に示す工程の後の工程を順に示す図である。図５は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法をChip-to-Wafer（Ｃ２Ｗ）に適用した例を示す図である。

　以下、本開示を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。

　本開示において「Ａ又はＢ」とは、ＡとＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。
　本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
　本開示において「～」を用いて示された数値範囲には、「～」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
　本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
　本開示において、各成分には、該当する物質が複数種含まれていてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
　本開示において「層」又は「膜」との語には、当該層又は膜が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
　本開示において、層又は膜の厚さは、対象となる層又は膜の５点の厚さを測定し、その算術平均値として与えられる値とする。
　層又は膜の厚さは、マイクロメーター等を用いて測定することができる。本開示において、層又は膜の厚さを直接測定可能な場合には、マイクロメーターを用いて測定する。一方、１つの層の厚さ又は複数の層の総厚さを測定する場合には、電子顕微鏡を用いて、測定対象の断面を観察することで測定してもよい。
　本開示において「（メタ）アクリル基」とは、「アクリル基」及び「メタクリル基」を意味する。
　本開示において官能基が置換基を有する場合、官能基中の炭素数は、置換基の炭素数も含んだ全体の炭素数を意味する。
　本開示において実施形態を図面を参照して説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。

＜樹脂組成物＞
　本開示の樹脂組成物は、（Ａ）ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸塩及びポリアミド酸アミドからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であるポリイミド前駆体、並びにポリイミド樹脂の少なくとも一方と、（Ｂ）溶剤と、を含み、以下の工程（１）～工程（５）を含む半導体装置の製造方法での第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の絶縁膜の作製に用いるための樹脂組成物である。
　工程（１）　第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられた前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板を準備する。
　工程（２）　第２基板本体と、前記第２基板本体の一面に設けられた前記第２有機絶縁膜及び複数の第２電極とを有する第２半導体基板を準備する。
　工程（３）　前記第２半導体基板を個片化し、前記第２有機絶縁膜の一部に対応する有機絶縁膜部分と少なくとも１つの前記第２電極とをそれぞれが備えた複数の半導体チップを取得する工程と、
　工程（４）　前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分とを互いに貼り合わせる。
　工程（５）　前記第１半導体基板の前記第１電極と前記半導体チップの前記第２電極とを接合する。
　前述の各工程（１）～工程（５）については、後述の半導体装置の製造方法の項目にて具体例を説明する。

　（Ａ）ポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂の少なくとも一方を含む樹脂組成物を硬化して得られた硬化物である絶縁膜は、無機材料からなる成形物よりも弾性率が低く、柔らかい。そのため、少なくとも一方が当該絶縁膜である第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜を貼り合わせる際に、第１有機絶縁膜の表面又は第２有機絶縁膜の表面に異物等が存在する場合であっても、接合界面の絶縁膜が容易に変形し、絶縁膜に大きな空隙を生じさせることなく異物を絶縁膜内に包含させることができる。さらに、ポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂の少なくとも一方を含む樹脂組成物を硬化して得られた硬化物は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等を含む樹脂組成物を硬化して得られた硬化物と比較して耐熱性が高いため、半導体装置の製造工程において、樹脂の変質が原因で基板と絶縁膜との界面等で接合不良が発生することが抑制される傾向にある。以上の点から、本開示の樹脂組成物は、半導体装置の製造工程にて信頼性に優れ、且つ高い歩留まりを実現できる。

　本開示の樹脂組成物の変形例は、（Ａ）ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸塩及びポリアミド酸アミドからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であるポリイミド前駆体、並びにポリイミド樹脂の少なくとも一方と、（Ｂ）溶剤と、を含み、電極と共に化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）法により研磨される硬化物の作製に用いるための樹脂組成物であってもよい。
　変形例の樹脂組成物では、銅等の金属からなる電極と、当該樹脂組成物を硬化して得られた硬化物である絶縁膜とをＣＭＰ法により研磨する際、電極の厚さ及び絶縁膜の厚さを好適に調整しやすい。例えば、絶縁膜の表面が電極の表面に対して少し低い位置に調整しやすく、好ましくは、絶縁膜の表面と電極の表面との高さの差を、１ｎｍ～３００ｎｍに調整しやすい。そのため、変形例の樹脂組成物は優れたＣＭＰ適応性を有する。

　本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物の５％熱重量減少温度は、硬化物の耐熱性の観点から、２００℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましい。また、硬化物の５％熱重量減少温度の上限は特に制限されず、例えば、４５０℃以下であってもよい。

　硬化物の５％熱重量減少温度は、以下のようにして測定する。まず、樹脂組成物を窒素雰囲気下にて硬化反応が可能な所定の硬化温度（例えば、１５０℃～３７５℃）で１時間以上加熱して硬化物を得る。得られた硬化物１０ｍｇを熱重量測定装置（例えば、株式会社島津製作所製、ＴＧＡ－５０）に配置し、窒素雰囲気下において２５℃から５００℃まで１０℃／分の速度で昇温し、重量が昇温前から５％減少した温度を５％熱重量減少温度とする。

　本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物のガラス転移温度は、低温での接合の観点から、１００℃～４００℃であることが好ましく、１５０℃～３５０℃であることがより好ましい。

　硬化物のガラス転移温度は、以下のようにして測定する。まず、樹脂組成物を窒素雰囲気下にて２時間、硬化反応が可能な所定の硬化温度（例えば、１５０℃～３７５℃）で加熱して硬化物を得る。得られた硬化物を切断して５ｍｍ×５０ｍｍ×３ｍｍの直方体を作製し、動的粘弾性測定装置（例えば、ＴＡインスツルメント製、ＲＳＡ－Ｇ２）にて引張冶具を用い、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：５℃／分の条件で、５０℃～３５０℃の温度範囲で動的粘弾性を測定する。ガラス転移温度（Ｔｇ）は、上記方法で得られた貯蔵弾性率と損失弾性率との比より求められるｔａｎδにおいて、ピークトップ部分の温度とする。

　本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物について、動的粘弾性測定で求めた硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも１００℃低い温度での貯蔵弾性率Ｇ１に対する動的粘弾性測定で求めた硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも１００℃高い温度での貯蔵弾性率Ｇ２の比率であるＧ２／Ｇ１は、０．００１～０．０２であることが好ましい。
　本開示において、貯蔵弾性率の測定方法は、ガラス転移温度の測定方法の説明にて記載した方法で測定することができる。

　本開示の樹脂組成物は、ネガ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性樹脂組成物であってもよい。また、ネガ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性樹脂組成物は、前記工程（１）にて前記第１基板本体の一面上に設けられた第１有機絶縁膜に複数の端子電極を配置するための貫通孔を複数設けること、及び、前記工程（２）にて前記第２基板本体の一面上に設けられた第２有機絶縁膜に複数の端子電極を配置するための貫通孔を複数設けることの少なくとも一方に用いられてもよい。

　本開示の樹脂組成物は、接合界面に異物が付着する際に大きな空隙を更に生じさせることなくこれら異物を絶縁膜内に包含させて、接合不良をより好適に低減する観点から、硬化してなる硬化物の２５℃での引張弾性率が７．０ＧＰａ以下であることが好ましく、５．０ＧＰａ以下であることがより好ましく、３．０ＧＰａ以下であることがさらに好ましく、２．０ＧＰａ以下であることが特に好ましく、１．５ＧＰａ以下であることがより一層好ましい。本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等の無機材料に比べて低い引張弾性率を有している。
　本開示において、引張弾性率は、ＪＩＳ　Ｋ　７１６１（１９９４）に基づいて２５℃にて測定される値である。

　本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物について、３００℃での貯蔵弾性率は、０．５ＧＰａ～０．００１ＧＰａであってもよく、０．１ＧＰａ～０．０１ＧＰａであってもよい。

　本開示の樹脂組成物は、硬化してなる硬化物の熱膨張率が１５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましく、７０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがさらに好ましい。これにより、硬化物である絶縁膜の熱膨張率と、電極の熱膨張率とが同等又は近い値となるため、半導体装置の使用時に発熱等が生じた場合であっても、絶縁層と電極との熱膨張率の違いによる半導体装置の破損を抑制できる。熱膨張率は、温度上昇による硬化物の長さが膨張する割合を温度あたりで示したもので、１００℃～１５０℃における硬化物の長さの変化量を熱機械分析装置等を用いて測定することで算出できる。

　以下、本開示の樹脂組成物に含まれる成分及び含まれ得る成分について説明する。

（（Ａ）ポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂）
　本開示の樹脂組成物は（Ａ）ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸塩及びポリアミド酸アミドからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であるポリイミド前駆体、並びにポリイミド樹脂の少なくとも一方（以下、「（Ａ）成分」とも称する。）を含む。（Ａ）成分は、高い特性（例えば、耐熱性）を示す硬化物が製造可能となるポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂の少なくとも一方であることが好ましく、ポリイミド前駆体として重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体を含むことがより好ましい。樹脂組成物に含まれる（Ａ）成分は、研磨工程、ボンディング工程等において不具合を起こさない成分であることが好ましい。
　本開示において、ポリイミド前駆体は、ポリアミド酸、ポリアミド酸における少なくとも一部のカルボキシ基の水素原子が１価の有機基に置換された化合物、又はポリアミド酸における少なくとも一部のカルボキシ基がｐＨ７以上の塩基性化合物と塩構造を形成している化合物であるポリアミド酸塩のいずれかに該当する化合物を意味する。
　ポリアミド酸における少なくとも一部のカルボキシ基の水素原子が１価の有機基に置換された化合物としては、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸アミド等が挙げられる。
　ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸アミド等は、重合性の不飽和結合を有することが好ましい。

　（Ａ）成分がポリイミド前駆体を含む場合、（Ａ）成分は、下記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物を含むことが好ましい。これにより、高い信頼性を示す絶縁膜を備える半導体装置が得られる傾向がある。

　一般式（１）中、Ｘは４価の有機基を表し、Ｙは２価の有機基を表す。Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の有機基を表す。
　ポリイミド前駆体は、上記一般式（１）で表される構造単位を複数有していてもよく、複数の構造単位におけるＸ、Ｙ、Ｒ^６及びＲ^７はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
　なお、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に水素原子、又は１価の有機基であればその組み合わせは特に限定されない。例えば、Ｒ^６及びＲ^７は、いずれも水素原子であってもよく、一方が水素原子かつ他方が後述する１価の有機基であってもよく、いずれも同じ又は互いに異なる１価の有機基であってもよい。前述のようにポリイミド前駆体が上記一般式（１）で表される構造単位を複数有する場合、各構造単位のＲ^６及びＲ^７の組み合わせはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。

　一般式（１）において、Ｘで表される４価の有機基は、炭素数が４～２５であることが好ましく、５～１３であることがより好ましく、６～１２であることがさらに好ましい。
　Ｘで表される４価の有機基は、芳香環を含んでもよい。芳香環としては、芳香族炭化水素基（例えば、芳香環を構成する炭素数は６～２０）、芳香族複素環式基（例えば、複素環を構成する原子数は５～２０）等が挙げられる。Ｘで表される４価の有機基は、芳香族炭化水素基であることが好ましい。芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環等が挙げられる。
　Ｘで表される４価の有機基が芳香環を含む場合、各芳香環は、置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。芳香環の置換基としては、アルキル基、フッ素原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、アミノ基等が挙げられる。
　Ｘで表される４価の有機基がベンゼン環を含む場合、Ｘで表される４価の有機基は１つ～４つのベンゼン環を含むことが好ましく、１つ～３つのベンゼン環を含むことがより好ましく、１つ又は２つのベンゼン環を含むことがさらに好ましい。
　Ｘで表される４価の有機基が２つ以上のベンゼン環を含む場合、各ベンゼン環は、単結合により連結されていてもよいし、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）等の連結基、これら連結基を少なくとも２つ組み合わせた複合連結基などにより結合されていてもよい。また、２つのベンゼン環が単結合及び連結基の少なくとも一方により２箇所で結合されて、２つのベンゼン環の間に連結基を含む５員環又は６員環が形成されていてもよい。

　一般式（１）において、－ＣＯＯＲ^６基と－ＣＯＮＨ－基とは互いにオルト位置にあることが好ましく、－ＣＯＯＲ^７基と－ＣＯ－基とは互いにオルト位置にあることが好ましい。

　Ｘで表される４価の有機基の具体例としては、下記式（Ａ）～式（Ｆ）で表される基を挙げられる。中でも、柔軟性に優れ、接合界面での空隙の発生がより抑制された絶縁膜が得られる観点から、下記式（Ｅ）で表される基が好ましく、下記式（Ｅ）で表され、Ｃは、エーテル結合を含む基であることがより好ましく、エーテル結合であることがさらに好ましい。下記式（Ｆ）は、下記式（Ｅ）中のＣが単結合である構造である。
　なお、本開示は下記具体例に限定されるものではない。

　式（Ｄ）において、Ａ及びＢは、それぞれ独立に、単結合又はベンゼン環と共役しない２価の基である。ただし、Ａ及びＢの両方が単結合となることはない。ベンゼン環と共役しない２価の基としては、メチレン基、ハロゲン化メチレン基、ハロゲン化メチルメチレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）等が挙げられる。中でも、Ａ及びＢは、それぞれ独立に、メチレン基、ビス（トリフルオロメチル）メチレン基、ジフルオロメチレン基、エーテル結合、スルフィド結合等が好ましく、エーテル結合がより好ましい。

　式（Ｅ）において、Ｃは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。Ｃは、エーテル結合を含むことが好ましく、エーテル結合であることが好ましい。
　また、Ｃは、下記式（Ｃ１）で表される構造であってもよい。

　式（Ｅ）におけるＣで表されるアルキレン基としては、炭素数が１～１０のアルキレン基であることが好ましく、炭素数が１～５のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のアルキレン基であることがさらに好ましい。
　式（Ｅ）におけるＣで表されるアルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の直鎖状アルキレン基；メチルメチレン基、メチルエチレン基、エチルメチレン基、ジメチルメチレン基、１，１－ジメチルエチレン基、１－メチルトリメチレン基、２－メチルトリメチレン基、エチルエチレン基、１－メチルテトラメチレン基、２－メチルテトラメチレン基、１－エチルトリメチレン基、２－エチルトリメチレン基、１，１－ジメチルトリメチレン基、１，２－ジメチルトリメチレン基、２，２－ジメチルトリメチレン基、１－メチルペンタメチレン基、２－メチルペンタメチレン基、３－メチルペンタメチレン基、１－エチルテトラメチレン基、２－エチルテトラメチレン基、１，１－ジメチルテトラメチレン基、１，２－ジメチルテトラメチレン基、２，２－ジメチルテトラメチレン基、１，３－ジメチルテトラメチレン基、２，３－ジメチルテトラメチレン基、１，４－ジメチルテトラメチレン基等の分岐鎖状アルキレン基；などが挙げられる。これらの中でも、メチレン基が好ましい。

　式（Ｅ）におけるＣで表されるハロゲン化アルキレン基としては、炭素数が１～１０のハロゲン化アルキレン基であることが好ましく、炭素数が１～５のハロゲン化アルキレン基であることがより好ましく、炭素数が１～３のハロゲン化アルキレン基であることがさらに好ましい。
　式（Ｅ）におけるＣで表されるハロゲン化アルキレン基の具体例としては、上述の式（Ｅ）におけるＣで表されるアルキレン基に含まれる少なくとも１つの水素原子がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子で置換されたアルキレン基が挙げられる。これらの中でも、フルオロメチレン基、ジフルオロメチレン基、ヘキサフルオロジメチルメチレン基等が好ましい。

　上記シリレン結合又はシロキサン結合に含まれるＲ^Ａ又はＲ^Ｂで表されるアルキル基としては、炭素数が１～５のアルキル基であることが好ましく、炭素数が１～３のアルキル基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のアルキル基であることがさらに好ましい。Ｒ^Ａ又はＲ^Ｂで表されるアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。

　Ｘで表される４価の有機基の具体例は、下記式（Ｊ）～式（Ｏ）で表される基であってもよい。

　一般式（１）において、Ｙで表される２価の有機基は、炭素数が４～２５であることが好ましく、６～２０であることがより好ましく、１２～１８であることがさらに好ましい。
　Ｙで表される２価の有機基の骨格は、Ｘで表される４価の有機基の骨格と同様であってもよく、Ｙで表される２価の有機基の好ましい骨格は、Ｘで表される４価の有機基の好ましい骨格と同様であってもよい。Ｙで表される２価の有機基の骨格は、Ｘで表される４価の有機基にて、２つの結合位置が原子（例えば水素原子）又は官能基（例えばアルキル基）に置換された構造であってもよい。
　Ｙで表される２価の有機基は、２価の脂肪族基であってもよく、２価の芳香族基であってもよい。耐熱性の観点から、Ｙで表される２価の有機基は、２価の芳香族基であることが好ましい。２価の芳香族基としては、２価の芳香族炭化水素基（例えば、芳香環を構成する炭素数は６～２０）、２価の芳香族複素環式基（例えば、複素環を構成する原子数は５～２０）等が挙げられ、２価の芳香族炭化水素基が好ましい。

　Ｙで表される２価の芳香族基の具体例としては、下記式（Ｇ）～下記式（Ｉ）で表される基を挙げることができる。中でも、柔軟性に優れ、接合界面での空隙の発生がより抑制された絶縁膜が得られる観点から、下記式（Ｈ）で表される基が好ましく、下記式（Ｈ）で表され、Ｄは、エーテル結合を含む基であることがより好ましく、エーテル結合であることがさらに好ましい。

　式（Ｇ）～式（Ｉ）において、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基又はハロゲン原子を表し、ｎは、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。
　式（Ｈ）において、Ｄは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。また、Ｄは、上記式（Ｃ１）で表される構造であってもよい。式（Ｈ）におけるＤの具体例は、式（Ｅ）におけるＣの具体例と同様である。
　式（Ｈ）におけるＤとしては、エーテル結合、エーテル結合とフェニレン基とを含む基、エーテル結合とフェニレン基とアルキレン基とを含む基等であることが好ましい。

　式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるアルキル基としては、炭素数が１～１０のアルキル基であることが好ましく、炭素数が１～５のアルキル基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のアルキル基であることがさらに好ましい。
　式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。

　式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるアルコキシ基としては、炭素数が１～１０のアルコキシ基であることが好ましく、炭素数が１～５のアルコキシ基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のアルコキシ基であることがさらに好ましい。
　式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基等が挙げられる。

　式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるハロゲン化アルキル基としては、炭素数が１～５のハロゲン化アルキル基であることが好ましく、炭素数が１～３のハロゲン化アルキル基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のハロゲン化アルキル基であることがさらに好ましい。
　式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるハロゲン化アルキル基の具体例としては、式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるアルキル基に含まれる少なくとも１つの水素原子がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子で置換されたアルキル基が挙げられる。これらの中でも、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等が好ましい。

　式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるｎは、それぞれ独立に、０～２が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。

　Ｙで表される２価の脂肪族基の具体例としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基、シクロアルキレン基、ポリアルキレンオキサイド構造を有する２価の基、ポリシロキサン構造を有する２価の基等が挙げられる。

　Ｙで表される直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基としては、炭素数が１～２０のアルキレン基であることが好ましく、炭素数が１～１５のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数が１～１０のアルキレン基であることがさらに好ましい。
　Ｙで表されるアルキレン基の具体例としては、テトラメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、２－メチルペンタメチレン基、２－メチルヘキサメチレン基、２－メチルヘプタメチレン基、２－メチルオクタメチレン基、２－メチルノナメチレン基、２－メチルデカメチレン基等が挙げられる。

　Ｙで表されるシクロアルキレン基としては、炭素数が３～１０のシクロアルキレン基であることが好ましく、炭素数が３～６のシクロアルキレン基であることがより好ましい。
　Ｙで表されるシクロアルキレン基の具体例としては、シクロプロピレン基、シクロヘキシレン基等が挙げられる。

　Ｙで表されるポリアルキレンオキサイド構造を有する２価の基に含まれる単位構造としては、炭素数１～１０のアルキレンオキサイド構造が好ましく、炭素数１～８のアルキレンオキサイド構造がより好ましく、炭素数１～４のアルキレンオキサイド構造がさらに好ましい。なかでも、ポリアルキレンオキサイド構造としてはポリエチレンオキサイド構造又はポリプロピレンオキサイド構造が好ましい。アルキレンオキサイド構造中のアルキレン基は直鎖状であっても分岐状であってもよい。ポリアルキレンオキサイド構造中の単位構造は１種類でもよく、２種類以上であってもよい。

　Ｙで表されるポリシロキサン構造を有する２価の基としては、ポリシロキサン構造中のケイ素原子が水素原子、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数６～１８のアリール基と結合しているポリシロキサン構造を有する２価の基が挙げられる。
　ポリシロキサン構造中のケイ素原子と結合する炭素数１～２０のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－ドデシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基が好ましい。
　ポリシロキサン構造中のケイ素原子と結合する炭素数６～１８のアリール基は、無置換でも置換基で置換されていてもよい。アリール基が置換基を有する場合の置換基の具体例としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基等が挙げられる。炭素数６～１８のアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。これらの中でも、フェニル基が好ましい。
　ポリシロキサン構造中の炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数６～１８のアリール基は、１種類でもよく、２種類以上であってもよい。
　Ｙで表されるポリシロキサン構造を有する２価の基を構成するケイ素原子は、メチレン基、エチレン基等のアルキレン基、フェニレン基等のアリーレン基などを介して一般式（１）中のＮＨ基と結合していてもよい。

　式（Ｇ）で表される基は、下記式（Ｇ’）で表される基であることが好ましく、式（Ｈ）で表される基は、下記式（Ｈ’）又は式（Ｈ”）で表される基であることが好ましく、式（Ｉ）で表される基は、下記式（Ｉ’）で表される基であることが好ましい。

　式（Ｉ’）中、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基又はハロゲン原子を表す。Ｒは、好ましくはアルキル基であり、より好ましくはメチル基である。

　一般式（１）における、Ｘで表される４価の有機基とＹで表される２価の有機基との組み合わせは特に限定されない。Ｘで表される４価の有機基とＹで表される２価の有機基との組み合わせとしては、Ｘが式（Ｅ）で表される基であり、Ｙが式（Ｈ）で表される基の組み合わせ；Ｘが式（Ｅ）で表される基であり、Ｙが式（Ｉ）で表される基の組み合わせ等が挙げられる。

　Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、炭素数１～４の脂肪族炭化水素基又は不飽和二重結合を有する有機基であることが好ましく、下記一般式（２）で表される基、エチル基、イソブチル基又はｔ－ブチル基のいずれかであることがより好ましく、炭素数１若しくは２の脂肪族炭化水素基又は下記一般式（２）で表される基を含むことがさらに好ましく、下記一般式（２）で表される基を含むことが特に好ましい。特に１価の有機基が不飽和二重結合を有する有機基、好ましくは下記一般式（２）で表される基を含むことでｉ線の透過率が高く、４００℃以下の低温硬化時にも良好な硬化物を形成できる傾向にある。
　炭素数１～４の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられ、中でも、エチル基、イソブチル基及びｔ－ブチル基が好ましい。

　一般式（２）中、Ｒ^８～Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、Ｒ^ｘは２価の連結基を表す。

　一般式（２）におけるＲ^８～Ｒ^１０で表される脂肪族炭化水素基の炭素数は１～３であり、１又は２であることが好ましい。Ｒ^８～Ｒ^１０で表される脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基等が挙げられ、メチル基が好ましい。

　一般式（２）におけるＲ^８～Ｒ^１０の組み合わせとしては、Ｒ^８及びＲ^９が水素原子であり、Ｒ^１０が水素原子又はメチル基の組み合わせが好ましい。

　一般式（２）におけるＲ^ｘは、２価の連結基であり、好ましくは、炭素数１～１０の炭化水素基であることが好ましい。炭素数１～１０の炭化水素基としては、例えば、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が挙げられる。
　Ｒ^ｘにおける炭素数は、１つ～１０つが好ましく、２つ～５つがより好ましく、２つ又は３つがさらに好ましい。

　一般式（１）においては、Ｒ^６及びＲ^７の少なくとも一方が、前記一般式（２）で表される基であることが好ましく、Ｒ^６及びＲ^７の両方が前記一般式（２）で表される基であることがより好ましい。

　（Ａ）成分が前述の一般式（１）で表される構造単位を有する化合物を含む場合、当該化合物に含有される全構造単位のＲ^６及びＲ^７の合計に対する一般式（２）で表される基であるＲ^６及びＲ^７の割合は、６０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上がより好ましく、８０モル％以上がさらに好ましい。上限は特に限定されず、１００モル％でもよい。
　なお、前述の割合は、０モル％以上６０モル％未満であってもよい。

　一般式（２）で表される基は、下記一般式（２’）で表される基であることが好ましい。

　一般式（２’）中、Ｒ^８～Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、ｑは１～１０の整数を表す。

　一般式（２’）におけるｑは１～１０の整数であり、２～５の整数であることが好ましく、２又は３であることがより好ましい。

　一般式（１）で表される構造単位を有する化合物に含まれる一般式（１）で表される構造単位の含有率は、全構造単位に対して、６０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上がより好ましく、８０モル％以上がさらに好ましい。前述の含有率の上限は特に限定されず、１００モル％でもよい。

　（Ａ）成分は、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミン化合物とを用いて合成されたものであってもよい。この場合、一般式（１）において、Ｘは、テトラカルボン酸二無水物由来の残基に該当し、Ｙは、ジアミン化合物由来の残基に該当する。なお、（Ａ）成分は、テトラカルボン酸二無水物に替えて、テトラカルボン酸を用いて合成されたものであってもよい。

　テトラカルボン酸二無水物の具体例としては、ピロメリット酸二無水物、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６－ピリジンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ｍ－ターフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ｐ－ターフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス｛４’－（２，３－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン二無水物、２，２－ビス｛４’－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン二無水物、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス｛４’－（２，３－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン二無水物、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス｛４’－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン二無水物、４，４’－オキシジフタル酸二無水物、４，４’－スルホニルジフタル酸二無水物、９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二無水物等が挙げられる。
　テトラカルボン酸二無水物は、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。

　ジアミン化合物の具体例としては、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジフルオロ－４，４’－ジアミノビフェニル、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、ｐ－キシリレンジアミン、ｍ－キシリレンジアミン、１，５－ジアミノナフタレン、ベンジジン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジアミノジフェニルエーテル、２，４’－ジアミノジフェニルエーテル、２，２’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、２，４’－ジアミノジフェニルスルホン、２，２’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、２，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、２，２’－ジアミノジフェニルスルフィド、ｏ－トリジン、ｏ－トリジンスルホン、４，４’－メチレンビス（２，６－ジエチルアニリン）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジイソプロピルアニリン）、２，４－ジアミノメシチレン、１，５－ジアミノナフタレン、４，４’－ベンゾフェノンジアミン、ビス－｛４－（４’－アミノフェノキシ）フェニル｝スルホン、２，２－ビス｛４－（４’－アミノフェノキシ）フェニル｝プロパン、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’－テトラメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、ビス｛４－（３’－アミノフェノキシ）フェニル｝スルホン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ジアミノブタン、１，６－ジアミノヘキサン、１，７－ジアミノヘプタン、１，８－ジアミノオクタン、１，９－ジアミノノナン、１，１０－ジアミノデカン、１，１１－ジアミノウンデカン、１，１２－ジアミノドデカン、２－メチル－１，５－ジアミノペンタン、２－メチル－１，６－ジアミノヘキサン、２－メチル－１，７－ジアミノヘプタン、２－メチル－１，８－ジアミノオクタン、２－メチル－１，９－ジアミノノナン、２－メチル－１，１０－ジアミノデカン、１，４－シクロヘキサンジアミン、１，３－シクロヘキサンジアミン、ジアミノポリシロキサン等が挙げられる。ジアミン化合物としては、ｍ－フェニレンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル及び１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼンが好ましい。
　ジアミン化合物は、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。

　一般式（１）で表される構造単位を有し、且つ一般式（１）中のＲ^６及びＲ^７の少なくとも一方は１価の有機基である化合物は、例えば、以下の（ａ）又は（ｂ）の方法にて得ることができる。
（ａ）　テトラカルボン酸二無水物（好ましくは、下記一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物）とＲ－ＯＨで表される化合物とを、有機溶剤中にて反応させジエステル誘導体とした後、ジエステル誘導体とＨ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物とを縮合反応させる。
（ｂ）　テトラカルボン酸二無水物とＨ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物とを有機溶剤中にて反応させポリアミド酸溶液を得て、Ｒ－ＯＨで表される化合物をポリアミド酸溶液に加え、有機溶剤中で反応させエステル基を導入する。
　ここで、Ｈ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物におけるＹは、一般式（１）におけるＹと同様であり、具体例及び好ましい例も同様である。また、Ｒ－ＯＨで表される化合物におけるＲは、１価の有機基を表し、具体例及び好ましい例は、一般式（１）におけるＲ^６及びＲ^７の場合と同様である。
　一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物、Ｈ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物及びＲ－ＯＨで表される化合物は、各々、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　前述の有機溶媒としては、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、γ－ブチロラクトン、ジメトキシイミダゾリジノン、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド等が挙げられ、中でも、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミドが好ましい。
　Ｒ－ＯＨで表される化合物とともに脱水縮合剤をポリアミド酸溶液に作用させてポリイミド前駆体を合成してもよい。脱水縮合剤は、トリフルオロ酢酸無水物、Ｎ，Ｎ’－ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）及び１，３－ジイソプロピルカルボジイミド（ＤＩＣ）からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。

　（Ａ）成分に含まれる前述の化合物は、下記一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物にＲ－ＯＨで表される化合物を作用させてジエステル誘導体とした後、塩化チオニル等の塩素化剤を作用させて酸塩化物に変換し、次いで、Ｈ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物と酸塩化物とを反応させることで得ることができる。
　（Ａ）成分に含まれる前述の化合物は、下記一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物にＲ－ＯＨで表される化合物を作用させてジエステル誘導体とした後、カルボジイミド化合物の存在下でＨ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物とジエステル誘導体とを反応させることで得ることができる。
　（Ａ）成分に含まれる前述の化合物は、下記一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物とＨ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物とを反応させてポリアミド酸とした後、トリフルオロ酢酸無水物等の脱水縮合剤の存在下でポリアミド酸をイソイミド化し、次いでＲ－ＯＨで表される化合物を作用させて得ることができる。あるいは、テトラカルボン酸二無水物の一部に予めＲ－ＯＨで表される化合物を作用させて、部分的にエステル化されたテトラカルボン酸二無水物とＨ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物とを反応させてもよい。

　一般式（８）において、Ｘは、一般式（１）におけるＸと同様であり、具体例及び好ましい例も同様である。

　（Ａ）成分に含まれる前述の化合物の合成に用いられるＲ－ＯＨで表される化合物としては、一般式（２）で表される基のＲ^ｘにヒドロキシ基が結合した化合物、一般式（２’）で表される基の末端メチレン基にヒドロキシ基が結合した化合物等であってもよい。Ｒ－ＯＨで表される化合物の具体例としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル、アクリル酸２－ヒドロキシエチル、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル、アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、メタクリル酸２－ヒドロキシプロピル、アクリル酸２－ヒドロキシブチル、メタクリル酸２－ヒドロキシブチル、アクリル酸４－ヒドロキシブチル、メタクリル酸４－ヒドロキシブチル等が挙げられ、中でも、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル及びアクリル酸２－ヒドロキシエチルが好ましい。

　（Ａ）成分の分子量には特に制限はなく、例えば、重量平均分子量で１０，０００～２００，０００であることが好ましく、１０，０００～１００，０００であることがより好ましい。
　重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によって測定することができ、標準ポリスチレン検量線を用いて換算することによって求めることができる。

　本開示の樹脂組成物はジカルボン酸をさらに含んでいてもよく、樹脂組成物に含まれる（Ａ）ポリイミド前駆体は、（Ａ）ポリイミド前駆体中のアミノ基の一部がジカルボン酸におけるカルボキシ基と反応してなる構造を有してもよい。例えば、ポリイミド前駆体を合成する際に、ジアミン化合物のアミノ基の一部とジカルボン酸のカルボキシ基とを反応させてもよい。
　ジカルボン酸は、（メタ）アクリル基を有するジカルボン酸であってもよく、例えば、以下の式で表されるジカルボン酸であってもよい。このとき、（Ａ）ポリイミド前駆体を合成する際に、ジアミン化合物のアミノ基の一部とジカルボン酸のカルボキシ基とを反応させることで、（Ａ）ポリイミド前駆体にジカルボン酸由来のメタクリル基を導入することができる。

　本開示の樹脂組成物は、（Ａ）成分として、ポリイミド樹脂を含んでいてもよく、前述のポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂を含んでいてもよい。

　ポリイミド樹脂としては、イミド結合を含む構造単位を複数備える高分子化合物であれば特に限定されず、例えば、下記一般式（Ｘ）で表される構造単位を有する化合物を含むことが好ましい。これにより、高い信頼性を示す絶縁膜を備える半導体装置が得られる傾向がある。

　一般式（Ｘ）中、Ｘは４価の有機基を表し、Ｙは２価の有機基を表す。一般式（Ｘ）における置換基Ｘ及びＹの好ましい例は、前述の一般式（１）における置換基Ｘ及びＹの好ましい例と同様である。

　（Ａ）成分として、ポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂を組み合わせることで、イミド環形成時の脱水環化による揮発物の生成を抑制することが可能であるため、ボイドの発生を抑制することができる傾向にある。ここでいうポリイミド樹脂は樹脂骨格の全部、又は一部にイミド骨格を持つ樹脂をいう。ポリイミド樹脂はポリイミド前駆体を用いた樹脂組成物中の溶媒に溶解可能であることが好ましい。

　（Ａ）成分がポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂である場合、ポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂の合計に対するポリイミド樹脂の割合は、１５質量％～５０質量％であってもよく、１０質量％～２０質量％であってもよい。

　本開示の樹脂組成物は、（Ａ）成分以外の樹脂成分を含んでいてもよい。例えば、耐熱性の観点から、本開示の樹脂組成物は、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等のその他の樹脂を含んでいてもよい。その他の樹脂は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

　本開示の樹脂組成物では、樹脂成分全量に対する（Ａ）成分の含有率は、５０質量％～１００質量％であることが好ましく、７０質量％～１００質量％であることがより好ましく、９０質量％～１００質量％であることがさらに好ましい。

（（Ｂ）溶剤）
　本開示の樹脂組成物は（Ｂ）溶剤（以下、「（Ｂ）成分」とも称する。）を含む。（Ｂ）成分は、例えば、樹脂組成物の生殖毒性及び環境負荷を低減させる観点から、下記式（３）～式（７）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。

　式（３）～（７）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^８及びＲ^１０は、それぞれ独立に、炭素数１～４のアルキル基であり、Ｒ^３～Ｒ^７及びＲ^９は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～４のアルキル基である。ｓは０～８の整数であり、ｔは０～４の整数であり、ｒは０～４の整数であり、ｕは０～３の整数である。

　式（３）において、ｓは、好ましくは０である。
　式（４）において、Ｒ^２の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基又はエチル基である。ｔは好ましくは０、１又は２であり、より好ましくは１である。
　式（５）において、Ｒ^３の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基である。Ｒ^４及びＲ^５の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基又はエチル基である。
　式（６）において、Ｒ^６～Ｒ^８の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基又はエチル基である。ｒは好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。
　式（７）において、Ｒ^９及びＲ^１０の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基又はエチル基である。ｕは好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。

　（Ｂ）成分は、例えば、式（４）、（５）、（６）及び（７）で表される化合物の内の少なくとも一種であってもよく、式（５）で表される化合物又は式（７）で表される化合物であってもよい。

　（Ｂ）成分の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。

　本開示の樹脂組成物に含まれる（Ｂ）成分としては、前述の化合物に限定されず、他の溶剤であってもよい。（Ｂ）成分は、エステル類の溶剤、エーテル類の溶剤、ケトン類の溶剤、炭化水素類の溶剤、芳香族炭化水素類の溶剤、スルホキシド類の溶剤等であってもよい。

　エステル類の溶剤としては、酢酸エチル、酢酸－ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸イソブチル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン、δ－バレロラクトン、アルコキシ酢酸メチル、アルコキシ酢酸エチル、アルコキシ酢酸ブチル等のアルコキシ酢酸アルキル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル及びエトキシ酢酸エチル）、３－アルコキシプロピオン酸メチル、３－アルコキシプロピオン酸エチル等の３－アルコキシプロピオン酸アルキルエステル（例えば、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル及び３－エトキシプロピオン酸エチル）、２－アルコキシプロピオン酸メチル、２－アルコキシプロピオン酸エチル、２－アルコキシプロピオン酸プロピル等の２－アルコキシプロピオン酸アルキルエステル（例えば、２－メトキシプロピオン酸メチル、２－メトキシプロピオン酸エチル、２－メトキシプロピオン酸プロピル、２－エトキシプロピオン酸メチル及び２－エトキシプロピオン酸エチル）、２－メトキシ－２－メチルプロピオン酸メチル等の２－アルコキシ－２－メチルプロピオン酸メチル、２－エトキシ－２－メチルプロピオン酸エチル等の２－アルコキシ－２－メチルプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２－オキソブタン酸メチル、２－オキソブタン酸エチル等が挙げられる。

　エーテル類の溶剤としては、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等が挙げられる。
　ケトン類の溶剤として、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２－ヘプタノン、３－ヘプタノン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）等が挙げられる。
　炭化水素類の溶剤としては、リモネン等が挙げられる。
　芳香族炭化水素類の溶剤として、トルエン、キシレン、アニソール等が挙げられる。
　スルホキシド類の溶剤として、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。

　（Ｂ）成分の溶剤として、好ましくはγ－ブチロラクトン、シクロペンタノン、乳酸エチル等が挙げられる。

　本開示の樹脂組成物において、生殖毒性等の毒性を低減する観点から、ＮＭＰの含有率は、樹脂組成物の全量に対して１質量％以下であってもよく、（Ａ）成分の全量に対して３質量％以下であってもよい。

　本開示の樹脂組成物において、（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して１質量部～１００００質量部であることが好ましく、５０質量部～１００００質量部であることがより好ましい。

　（Ｂ）成分は、式（３）～式（６）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一種である溶剤（１）並びにエステル類の溶剤、エーテル類の溶剤、ケトン類の溶剤、炭化水素類の溶剤、芳香族炭化水素類の溶剤、及びスルホキシド類の溶剤からなる群より選択される少なくとも一種である溶剤（２）の少なくとも一方を含んでいることが好ましい。
　また、溶剤（１）の含有率は、溶剤（１）及び溶剤（２）の合計に対して、５質量％～１００質量％であってもよく、５質量％～５０質量％であってもよい。
　溶剤（１）の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、１０質量部～１０００質量部であってもよく、１０質量部～１００質量部であってもよく、１０質量部～５０質量部であってもよい。

　本開示の樹脂組成物は、（Ｃ）光重合開始剤及び（Ｄ）重合性モノマー（それぞれ、以下（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分とも称する。）をさらに含むことが好ましい。また、本開示の樹脂組成物は、（Ｅ）熱重合開始剤（以下、（Ｅ）成分とも称する。）をさらに含んでいてもよい。以下、（Ｃ）成分～（Ｅ）成分の好ましい形態について説明する。

（（Ｃ）光重合開始剤）
　本開示の樹脂組成物は、（Ｃ）光重合開始剤を含むことが好ましい。これにより、半導体装置を作製する工程の中で電極を作製する工程数を低減することができ、半導体装置を作製する際のプロセス全体のコストを低減する事ができる。

　（Ｃ）成分の具体例としては、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’－テトラメチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’－テトラエチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、４－クロロベンゾフェノン、４，４’－ジメトキシベンゾフェノン、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、ｏ－ベンゾイル安息香酸メチル、４－ベンゾイル－４’－メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等のベンゾフェノン誘導体；アセトフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、３’－メチルアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン誘導体；チオキサントン、２－メチルチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン、２－クロロチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン誘導体；ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル－β－メトキシエチルアセタール等のベンジル誘導体；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン、プロピルベンゾイン等のベンゾイン誘導体；１－フェニル－１，２－ブタンジオン－２－（Ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－ベンゾイル）オキシム、１，３－ジフェニルプロパントリオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－３－エトキシプロパントリオン－２－（Ｏ－ベンゾイル）オキシム、１，２－オクタンジオン，１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－，２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）等のオキシム誘導体；Ｎ－フェニルグリシン等のＮ－アリールグリシン類；ベンゾイルパークロライド等の過酸化物類；２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－又はｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の芳香族ビイミダゾール類；２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド誘導体、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ０３（ＢＡＳＦ社製）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ０４（ＢＡＳＦ社製）等が挙げられる。
　（Ｃ）成分は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　これらの中でも、金属元素を含まず、且つ反応性が高く高感度の観点からオキシム化合物誘導体が好ましい。

　本開示の樹脂組成物が（Ｃ）成分を含む場合、（Ｃ）成分の含有量は、光架橋が膜厚方向で均一となりやすい観点から、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部が好ましく、０．１質量部～１０質量部がより好ましく、０．１質量部～６質量部がさらに好ましい。

　本開示の樹脂組成物は、感光特性向上の観点から、基板方向からの反射光を抑制する反射防止剤を含んでもよい。

（（Ｄ）重合性モノマー）
　本開示の樹脂組成物は、（Ｄ）重合性モノマーを含むことが好ましい。（Ｄ）成分は、重合性の不飽和二重結合を含む基を少なくとも１つ有することが好ましく、光重合開始剤との併用によって好適に重合可能である観点から、（メタ）アクリル基を少なくとも１つ有することがより好ましい。架橋密度の向上及び光感度の向上の観点から、重合性の不飽和二重結合を含む基を、２つ～６つ有することが好ましく、２つ～４つ有することがより好ましい。
　重合性モノマーは、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

　（メタ）アクリル基を有する重合性モノマーとしては、特に限定されず、例えば、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、１，４－ブタンジオールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、１，４－ブタンジオールジメタクリレート、１，６－ヘキサンジオールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリメタクリレート、アクリロイルオキシエチルイソシアヌレート、メタクリロイルオキシエチルイソシアヌレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、１，３－ビス（（メタ）アクリロイルオキシ）－２－ヒドロキシプロパン、エチレンオキシド（ＥＯ）変性ビスフェノールＡジアクリレート及びエチレンオキシド（ＥＯ）変性ビスフェノールＡジメタクリレートが挙げられる。

　（メタ）アクリル基を有する重合性モノマー以外の重合性モノマーとしては、特に限定されず、例えば、スチレン、ジビニルベンゼン、４－ビニルトルエン、４－ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピロリドン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド及びＮ－メチロールアクリルアミドが挙げられる。

　（Ｄ）成分は、重合性の不飽和二重結合を含む基を有する化合物に限定されず、不飽和二重結合基以外の重合性基（例えば、オキシラン環）を有する化合物であってもよい。

　本開示の樹脂組成物が（Ｄ）成分を含む場合、（Ｄ）成分の含有量は特に限定されず、（Ａ）成分１００質量部に対して、１質量部～１００質量部であることが好ましく、１質量部～７５質量部であることがより好ましく、１質量部～５０質量部であることがさらに好ましい。

（（Ｅ）熱重合開始剤）
　本開示の樹脂組成物は、硬化物の物性を向上させる観点から、（Ｅ）熱重合開始剤を含むことが好ましい。

　（Ｅ）成分の具体例としては、メチルエチルケトンペルオキシド等のケトンペルオキシド、１，１－ジ（ｔ－ヘキシルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ジ（ｔ－ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）シクロヘキサン等のパーオキシケタール、１，１，３，３－テトラメチルブチルハイドロペルオキシド、クメンハイドロペルオキシド、ｐ－メンタンハイドロペルオキシド、ジイソプロピルベンゼンハイドロペルオキシド等のハイドロペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ジ－ｔ－ブチルペルオキシド等のジアルキルペルオキシド、ジラウロイルペルオキシド、ジベンゾイルペルオキシド等のジアシルペルオキシド、ジ（４－ｔ－ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ（２－エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート等のパーオキシジカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート等のパーオキシエステル、ビス（１－フェニル－１－メチルエチル）ペルオキシドなどが挙げられる。熱重合開始剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

　本開示の樹脂組成物が（Ｅ）成分を含む場合、（Ｅ）成分の含有量は、ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部であってもよく、１質量部～１５質量部であってもよく、５質量部～１０質量部であってもよい。

（（Ｆ）重合禁止剤）
　本開示の樹脂組成物は、良好な保存安定性を確保する観点から、（Ｆ）重合禁止剤（以下、「（Ｆ）成分」とも称する。）を含んでいてもよい。重合禁止剤としては、ラジカル重合禁止剤、ラジカル重合抑制剤等が挙げられる。

　（Ｆ）成分の具体例としては、ｐ－メトキシフェノール、ジフェニル－ｐ－ベンゾキノン、ベンゾキノン、ハイドロキノン、ピロガロール、フェノチアジン、レゾルシノール、オルトジニトロベンゼン、パラジニトロベンゼン、メタジニトロベンゼン、フェナントラキノン、Ｎ－フェニル－２－ナフチルアミン、クペロン、２，５－トルキノン、タンニン酸、パラベンジルアミノフェノール、ニトロソアミン類、ヒンダードフェノール系化合物等が挙げられる。重合禁止剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。２以上の重合禁止剤を組み合わせることで反応性の違いから、感光特性を調整しやすい傾向にある。ヒンダードフェノール系化合物は、重合禁止剤の機能及び後述の酸化防止剤の機能の両方を有していてもよく、どちらか一方の機能を有していてもよい。

　ヒンダードフェノール系化合物としては特に限定されず、例えば、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，５－ジ－ｔ－ブチル－ハイドロキノン、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネ－ト、イソオクチル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、４、４’－メチレンビス（２、６－ジ－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－チオ－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－ブチリデン－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、トリエチレングリコール－ビス［３－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６－ヘキサンジオール－ビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２－チオ－ジエチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレンビス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロシンナマミド）、２，２’－メチレン－ビス（４－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレン－ビス（４－エチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、ペンタエリスリチル－テトラキス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、トリス－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－イソシアヌレイト、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－イソプロピルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｓ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス［４－（１－エチルプロピル）－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス［４－トリエチルメチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－フェニルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５，６－トリメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５－エチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５，６－ジエチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５－エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、及びＮ，Ｎ’－ヘキサン－１，６－ジイルビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオンアミド］が挙げられる。
　これらの中でもＮ，Ｎ’－ヘキサン－１，６－ジイルビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオンアミド］が好ましい。

　本開示の樹脂組成物が（Ｆ）成分を含む場合、（Ｆ）成分の含有量は、樹脂組成物の保存安定性及び得られる硬化物の耐熱性の観点から、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．０１質量部～３０質量部であることが好ましく、０．０１質量部～１０質量部であることがより好ましく、０．０５質量部～５質量部であることがさらに好ましい。

　本開示の樹脂組成物は、さらに、酸化防止剤、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、防錆剤又は含窒素化合物を含んでもよい。

（酸化防止剤）
　本開示の樹脂組成物は、高温保存、リフロー処理等で発生する酸素ラジカル及び過酸化物ラジカルを捕捉することで、接着性の低下を抑制できる観点から、酸化防止剤を含んでいてもよい。本開示の樹脂組成物が酸化防止剤を含むことで、絶縁信頼性試験時の電極の酸化を抑制することができる。

　酸化防止剤の具体例としては、前述のヒンダードフェノール系化合物として例示した化合物、Ｎ，Ｎ’－ビス［２－［２－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）エチルカルボニルオキシ］エチル］オキサミド、Ｎ，Ｎ’－ビス－３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４’－ヒドロキシフェニル）プロピオニルヘキサメチレンジアミン、１、３、５－トリス（３－ヒドロキシ－４－ｔｅｒｔ－ブチル－２，６－ジメチルベンジル）－１、３、５－トリアジン－２、４、６（１Ｈ、３Ｈ、５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）イソシアヌル酸等が挙げられる。
　酸化防止剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

　本開示の樹脂組成物が酸化防止剤を含む場合、酸化防止剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部であることが好ましく、０．１質量部～１０質量部であることがより好ましく、０．１質量部～５質量部であることがさらに好ましい。

（カップリング剤）
　本開示の樹脂組成物は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤は、加熱処理において、（Ａ）成分と反応して架橋する、又はカップリング剤自体が重合する。これにより、得られる硬化物と基板との接着性をより向上させることができる傾向にある。

　カップリング剤の具体例は特に限定されるものではない。カップリング剤としては、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル－３－ピペリジノプロピルシラン、ジエトキシ－３－グリシドキシプロピルメチルシラン、Ｎ－（３－ジエトキシメチルシリルプロピル）スクシンイミド、Ｎ－〔３－（トリエトキシシリル）プロピル〕フタルアミド酸、ベンゾフェノン－３，３’－ビス（Ｎ－〔３－トリエトキシシリル〕プロピルアミド）－４，４’－ジカルボン酸、ベンゼン－１，４－ビス（Ｎ－〔３－トリエトキシシリル〕プロピルアミド）－２，５－ジカルボン酸、３－（トリエトキシシリル）プロピルスクシニックアンハイドライド、Ｎ－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤；アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等のアルミニウム系接着助剤；などが挙げられる。
　カップリング剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

　本開示の樹脂組成物がカップリング剤を含む場合、カップリング剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部が好ましく、０．３質量部～１０質量部がより好ましく、１質量部～１０質量部がさらに好ましい。

（界面活性剤及びレベリング剤）
　本開示の樹脂組成物は、界面活性剤及びレベリング剤の少なくとも一方を含んでもよい。樹脂組成物が界面活性剤及びレベリング剤の少なくとも一方を含むことにより、塗布性（例えばストリエーション（膜厚のムラ）の抑制）、接着性の改善、樹脂組成物中の化合物の相溶性等を向上させることができる。

　界面活性剤又はレベリング剤としては、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル等が挙げられる。

　界面活性剤及びレベリング剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

　本開示の樹脂組成物が界面活性剤及びレベリング剤の少なくとも一方を含む場合、界面活性剤及びレベリング剤の合計の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０１質量部～１０質量部であることが好ましく、０．０５質量部～５質量部であることがより好ましく、０．０５質量部～３質量部であることがさらに好ましい。

（防錆剤）
　本開示の樹脂組成物は、銅、銅合金等の金属の腐食を抑制する観点、及び、当該金属の変色を抑制する観点から、防錆剤を含んでもよい。防錆剤としては、アゾール化合物、プリン誘導体等が挙げられる。

　アゾール化合物の具体例としては、１Ｈ－トリアゾール、５－メチル－１Ｈ－トリアゾール、５－エチル－１Ｈ－トリアゾール、４，５－ジメチル－１Ｈ－トリアゾール、５－フェニル－１Ｈ－トリアゾール、４－ｔ－ブチル－５－フェニル－１Ｈ－トリアゾール、５－ヒロキシフェニル－１Ｈ－トリアゾール、フェニルトリアゾール、ｐ－エトキシフェニルトリアゾール、５－フェニル－１－（２－ジメチルアミノエチル）トリアゾール、５－ベンジル－１Ｈ－トリアゾール、ヒドロキシフェニルトリアゾール、１，５－ジメチルトリアゾール、４，５－ジエチル－１Ｈ－トリアゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－（５－メチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－［２－ヒドロキシ－３，５－ビス（α，α―ジメチルベンジル）フェニル］－ベンゾトリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－２－ヒドロキシフェニル）－ベンゾトリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔ－アミル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－ｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、ヒドロキシフェニルベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－テトラゾール、５－メチル－１Ｈ－テトラゾール、５－フェニル－１Ｈ－テトラゾール、５－アミノ－１Ｈ－テトラゾール、１－メチル－１Ｈ－テトラゾール等が挙げられる。

　プリン誘導体の具体例としては、プリン、アデニン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、テオブロミン、カフェイン、尿酸、イソグアニン、２，６－ジアミノプリン、９－メチルアデニン、２－ヒドロキシアデニン、２－メチルアデニン、１－メチルアデニン、Ｎ－メチルアデニン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアデニン、２－フルオロアデニン、９－（２－ヒドロキシエチル）アデニン、グアニンオキシム、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）アデニン、８－アミノアデニン、６－アミノ‐８－フェニル‐９Ｈ－プリン、１－エチルアデニン、６－エチルアミノプリン、１－ベンジルアデニン、Ｎ－メチルグアニン、７－（２－ヒドロキシエチル）グアニン、Ｎ－（３－クロロフェニル）グアニン、Ｎ－（３－エチルフェニル）グアニン、２－アザアデニン、５－アザアデニン、８－アザアデニン、８－アザグアニン、８－アザプリン、８－アザキサンチン、８－アザヒポキサンチン等、これらの誘導体などが挙げられる。

　防錆剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

　本開示の樹脂組成物が防錆剤を含む場合、防錆剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．０１質量部～１０質量部であることが好ましく、０．１質量部～５質量部であることがより好ましく、０．５質量部～３質量部であることがさらに好ましい。特に、防錆剤の含有量が０．１質量部以上であることで、本開示の樹脂組成物を銅又は銅合金の表面上に付与した場合に、銅又は銅合金の表面の変色が抑制される。

　本開示の樹脂組成物は、（Ａ）成分のイミド化反応を促進させて高い信頼性を有する硬化物を得る観点から、含窒素化合物を含んでもよい。

　含窒素化合物の具体例としては、２－（メチルフェニルアミノ）エタノール、２－（エチルアニリノ）エタノール、Ｎ－フェニルジエタノールアミン、Ｎ－メチルアニリン、Ｎ－エチルアニリン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルアニリン、Ｎ－フェニルエタノールアミン、４－フェニルモルフォリン、２，２’－（４－メチルフェニルイミノ）ジエタノール、４－アミノベンズアミド、２－アミノベンズアミド、ニコチンアミド、４－アミノ－Ｎ－メチルベンズアミド、４－アミノアセトアニリド、４－アミノアセトフェノン等が挙げられ、中でも、Ｎ－フェニルジエタノールアミン、Ｎ－メチルアニリン、Ｎ－エチルアニリン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルアニリン、Ｎ－フェニルエタノールアミン、４－フェニルモルフォリン、２，２’－（４－メチルフェニルイミノ）ジエタノール等が好ましい。含窒素化合物は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

　含窒素化合物は、下記式（１７）で表される化合物を含むことが好ましい。

　式（１７）中、Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａは、それぞれ独立に、水素原子、１価の脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基、又は１価の芳香族基であり、Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの少なくとも１つ（好ましくは１つ）が１価の芳香族基である。Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａは隣接する基同士で環構造を形成していてもよい。形成される環構造としては、メチル基、フェニル基等の置換基を有していてもよい５員環、６員環等が挙げられる。１価の脂肪族炭化水素基の水素原子は、ヒドロキシ基以外の官能基で置換されていてもよい。

　式（１７）中、Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの少なくとも１つ（好ましくは１つ）が、１価の脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基、又は１価の芳香族基であることが好ましい。

　式（１７）中、Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの１価の脂肪族炭化水素基について、炭素数１～１０が好ましく、炭素数１～６がより好ましい。１価の脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基等が好ましい。

　式（１７）中、Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａのヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基は、Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの１価の脂肪族炭化水素基に、１つ以上のヒドロキシ基が結合した基であることが好ましく、１つ～３つのヒドロキシ基が結合した基であることがより好ましい。ヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチロール基、ヒドロキシエチル基等が挙げられ、中でも、ヒドロキシエチル基が好ましい。

　式（１７）のＲ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの１価の芳香族基としては、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環式基等が挙げられ、１価の芳香族炭化水素基が好ましい。１価の芳香族炭化水素基について、炭素数６～１２が好ましく、炭素数６～１０がより好ましい。
　１価の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。

　式（１７）のＲ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの１価の芳香族基は、置換基を有してもよい。置換基としては、式（１７）のＲ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの１価の脂肪族炭化水素基、及び上述の式（１７）のＲ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａのヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基と同様の基が挙げられる。

　本開示の樹脂組成物が含窒素化合物を含む場合、含窒素化合物の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部であることが好ましく、保存安定性の観点から、０．３質量部～１５質量部であることがより好ましく、０．５質量部～１０質量部であることがさらに好ましい。

　本開示の樹脂組成物は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を含み、必要に応じて（Ｃ）成分～（Ｆ）成分、酸化防止剤、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、防錆剤、含窒素化合物等を含み、本開示の効果を損なわない範囲でその他の成分及び不可避不純物を含んでもよい。
　本開示の樹脂組成物の、例えば、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、９８質量％以上又は１００質量％が、
　（Ａ）成分及び（Ｂ）成分、
　（Ａ）成分～（Ｃ）成分、
　（Ａ）成分～（Ｅ）成分、
　（Ａ）成分～（Ｆ）成分、
　（Ａ）成分～（Ｆ）成分並びに酸化防止剤、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、防錆剤及び含窒素化合物からなる群より選択される少なくともいずれか１つ、
　からなっていてもよい。

＜半導体装置＞
　本開示の半導体装置は、第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられた前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板と、半導体チップ基板本体と、前記半導体チップ基板本体の一面に設けられた有機絶縁膜部分及び第２電極とを有する半導体チップと、を備え、前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と、前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分と、が接合し、前記第１半導体基板の前記第１電極と、前記半導体チップの前記第２電極と、が接合し、前記第１有機絶縁膜及び前記有機絶縁膜部分の少なくとも一方が本開示の樹脂組成物を硬化してなる絶縁膜である半導体装置である。
　本開示の半導体装置は、第１有機絶縁膜及び有機絶縁膜部分の少なくとも一方が本開示の樹脂組成物を硬化してなる絶縁膜であるため、絶縁膜の接合界面での空隙の発生が抑制され、絶縁膜の耐熱性に優れる。また、本開示の半導体装置は、工程（１）～工程（５）を経て製造される。

＜半導体装置の製造方法＞
　本開示の半導体装置の製造方法では、本開示の樹脂組成物を用いて半導体装置を製造する。具体的には、本開示の樹脂組成物を用いて工程（１）～工程（５）を経ることで半導体装置を製造することができる。

＜硬化物＞
　本開示の硬化物は、本開示の樹脂組成物を硬化してなる。硬化物は、例えば、半導体装置の絶縁膜に用いられる。

　以下、図面を参照しながら本開示の半導体装置の一実施形態、及び本開示の半導体装置の製造方法の一実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。

（半導体装置の一例）
　図１は、本開示の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。図１に示すように、半導体装置１は、例えば半導体パッケージの一例であり、第１半導体チップ１０（第１半導体基板）、第２半導体チップ２０（半導体チップ）、ピラー部３０、再配線層４０、基板５０、及び、回路基板６０を備えている。

　第１半導体チップ１０は、ＬＳＩ（大規模集積回路）チップ又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサ等の半導体チップであり、第２半導体チップ２０が下方向に実装された三次元実装構造になっている。第２半導体チップ２０は、ＬＳＩ、メモリ等の半導体チップであり、第１半導体チップ１０よりも平面視における面積が小さいチップ部品である。第２半導体チップ２０は、第１半導体チップ１０の裏面にChip-to-Chip（Ｃ２Ｃ）接合されている。第１半導体チップ１０と第２半導体チップ２０とは、詳細を後述するハイブリッドボンディングにより、それぞれの端子電極とその周りの絶縁膜同士が強固且つ位置ズレせずに微細接合されている。

　ピラー部３０は、銅（Ｃｕ）等の金属により形成された複数のピラー３１が樹脂３２によって封止されている接続部である。複数のピラー３１は、ピラー部３０の上面から下面に向けて延在する導電性部材である。複数のピラー３１は、例えば直径３μｍ以上２０μｍ以下（一例では直径５μｍ）の円柱形状を有していてもよく、各ピラー３１の中心間距離が１５μｍ以下となるように配置されてもよい。複数のピラー３１は、第１半導体チップ１０の下側の端子電極と再配線層４０の上側の端子電極とをフリップチップ接続する。ピラー部３０を用いることにより、半導体装置１では、ＴＭＶ（Through mold via）と呼ばれるモールドに穴明けして半田接続する技術を使用せずに接続電極を形成することができる。ピラー部３０は、例えば第２半導体チップ２０と同程度の厚さを有し、水平方向にて第２半導体チップ２０の横側に配置される。なお、ピラー部３０に替えて複数の半田ボールが配置されていてもよく、半田ボールによって第１半導体チップ１０の下側の端子電極と再配線層４０の上側の端子電極とを電気的に接続してもよい。

　再配線層４０は、パッケージ基板の機能である端子ピッチ変換の機能を有する配線層であり、第２半導体チップ２０の下側の絶縁膜上及びピラー部３０の下面上にポリイミド及び銅配線等で再配線パターンを形成した層である。再配線層４０は、第１半導体チップ１０、第２半導体チップ２０等を上下反転した状態で形成される（図４の（ｄ）参照）。

　再配線層４０は、第２半導体チップ２０の下面の端子電極及びピラー部３０を介した第１半導体チップ１０の端子電極を、基板５０の端子電極に電気的に接続する。基板５０の端子ピッチは、ピラー３１の端子ピッチ及び第２半導体チップ２０の端子ピッチよりも広くなっている。なお、基板５０上には、各種の電子部品５１が実装されていてもよい。また、再配線層４０と基板５０との端子ピッチに大きな開きがある場合は再配線層４０と基板５０との間に無機インターポーザ―等を使用して再配線層４０と基板５０との電気的接続をとってもよい。

　回路基板６０は、第１半導体チップ１０及び第２半導体チップ２０をその上に搭載し、第１半導体チップ１０、第２半導体チップ２０及び電子部品５１等に接続された基板５０に電気的に接続される複数の貫通電極を内部に有する基板である。回路基板６０では、複数の貫通電極により、第１半導体チップ１０及び第２半導体チップ２０の各端子電極が回路基板６０の裏面に設けられた端子電極６１に電気的に接続される。

（半導体装置の製造方法の一例）
　次に、半導体装置１の製造方法の一例について、図２～図４を参照して、説明する。図２は、図１に示す半導体装置を製造するための方法を順に示す図である。図３は、図２に示す半導体装置の製造方法における接合方法（ハイブリッドボンディング）をより詳細に示す図である。図４は、図１に示す半導体装置を製造するための方法であり、図２に示す工程の後の工程を順に示す図である。

　半導体装置１は、例えば、以下の工程（ａ）～工程（ｎ）を経て製造することができる。
（ａ）第１半導体チップ１０に対応する第１半導体基板１００を準備する工程。
（ｂ）第２半導体チップ２０に対応する第２半導体基板２００を準備する工程。
（ｃ）第１半導体基板１００を研磨する工程。
（ｄ）第２半導体基板２００を研磨する工程。
（ｅ）第２半導体基板２００を個片化し、複数の半導体チップ２０５を取得する工程。
（ｆ）第１半導体基板１００の端子電極１０３に対して複数の半導体チップ２０５それぞれの端子電極２０３の位置合わせを行う工程。
（ｇ）第１半導体基板１００の絶縁膜１０２と複数の半導体チップ２０５の各絶縁膜部分２０２ｂとを互いに貼り合わせる工程（図３の（ｂ）参照）。
（ｈ）第１半導体基板１００の端子電極１０３と複数の半導体チップ２０５それぞれの端子電極２０３とを接合する工程（図３の（ｃ）参照）。
（ｉ）第１半導体基板１００の接続面上であって複数の半導体チップ２０５の間に複数のピラー３００（ピラー３１に対応）を形成する工程。
（ｊ）半導体チップ２０５とピラー３００とを覆うように、第１半導体基板１００の接続面上に樹脂３０１をモールドして半製品Ｍ１を取得する工程。
（ｋ）工程（ｊ）でモールドがされた半製品Ｍ１の樹脂３０１側を研削して薄化し、半製品Ｍ２を取得する工程。
（ｌ）工程（ｋ）で薄化された半製品Ｍ２に再配線層４０に対応する配線層４００を形成する工程。
（ｍ）工程（ｌ）で配線層４００が形成された半製品Ｍ３を各半導体装置１となるように切断線Ａに沿って切断する工程。
（ｎ）工程（ｍ）で個体化された半導体装置１ａを反転して基板５０及び回路基板６０上に設置する工程（図１参照）。

　例えば、本開示の樹脂組成物において、工程（１）が前述の工程（ａ）及び工程（ｃ）に対応し、工程（２）が前述の工程（ｂ）及び工程（ｄ）に対応し、工程（３）が工程（ｅ）に対応し、工程（４）が工程（ｇ）に対応し、工程（５）が工程（ｈ）に対応する。さらに、本開示の樹脂組成物は、工程（ｆ）及び工程（ｉ）～工程（ｎ）に対応する工程を少なくとも１つ含む半導体装置の製造方法での第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の絶縁膜の作製に用いるための樹脂組成物であってもよい。

［工程（ａ）及び工程（ｂ）］
　工程（ａ）は、複数の第１半導体チップ１０に対応し、半導体素子及びそれらを接続する配線等からなる集積回路が形成されたシリコン基板である第１半導体基板１００を準備する工程である。工程（ａ）では、図２の（ａ）に示すように、シリコン等からなる第１基板本体１０１の一面１０１ａに、銅、アルミニウム等からなる複数の端子電極１０３（第１電極）を所定の間隔で設けると共に本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物である絶縁膜１０２（第１絶縁膜）を設ける。絶縁膜１０２を第１基板本体１０１の一面１０１ａ上に設けてから、複数の端子電極１０３を設けてもよいし、複数の端子電極１０３を第１基板本体１０１の一面１０１ａに設けてから絶縁膜１０２を設けてもよい。なお、複数の端子電極１０３の間には、後述する工程でピラー３００を形成するため、所定の間隔が設けられており、その間にはピラー３００に接続される別の端子電極（不図示）が形成されている。

　工程（ｂ）は、複数の第２半導体チップ２０に対応し、半導体素子及びそれらを接続する配線を備える集積回路が形成されたシリコン基板である第２半導体基板２００を準備する工程である。工程（ｂ）では、図２の（ａ）に示すように、シリコン等からなる第２基板本体２０１の一面２０１ａ上に、銅、アルミニウム等からなる複数の端子電極２０３（複数の第２電極）を連続的に設けると共に本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物である絶縁膜２０２（第２絶縁膜）を設ける。絶縁膜２０２を第２基板本体２０１の一面２０１ａ上に設けてから複数の端子電極２０３を設けてもよいし、複数の端子電極２０３を第２基板本体２０１の一面２０１ａに設けてから絶縁膜２０２を設けてもよい。

　工程（ａ）及び工程（ｂ）で用いられる絶縁膜１０２及び２０２が共に本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物である構成に限定されず、絶縁膜１０２及び２０２の少なくとも一方が本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物である構成であってもよい。当該硬化物以外の絶縁膜としては、ポリイミド前駆体を含まず、ポリイミド、ポリアミドイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ＰＢＯ前駆体等の有機材料を含む樹脂組成物を硬化してなる硬化物が挙げられる。絶縁膜１０２及び２０２の２５℃での引張弾性率は、７．０ＧＰａ以下であることが好ましく、５．０ＧＰａ以下であることがより好ましく、３．０ＧＰａ以下であることがさらに好ましく、２．０ＧＰａ以下であることが特に好ましく、１．５ＧＰａ以下であることがより一層好ましい。

　絶縁膜１０２及び２０２の熱膨張率は１５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましく、９０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがさらに好ましい。

　絶縁膜１０２及び２０２の厚さは、０．１μｍ～５０μｍが好ましく、１μｍ～１５μｍがより好ましい。これにより、絶縁膜の膜厚の均一性を担保しつつ、以後の研磨工程において処理時間を短縮することができる。

　工程（ｃ）及び工程（ｄ）での作業が行い易くなり、これらの工程を簡略化できる観点から、絶縁膜１０２の研磨レートは端子電極１０３の研磨レートの０．１倍～５倍であること、及び、絶縁膜２０２の研磨レートは端子電極２０３の研磨レートの０．１倍～５倍であることの少なくとも一方を満たすこと（好ましくは両方を満たすこと）が好ましい。
い。一例として、端子電極１０３又は２０３が銅からなり、銅の研磨レートが５０ｎｍ／ｍｉｎの場合、絶縁膜１０２又は２０２の研磨レートは、２００ｎｍ／ｍｉｎ以下（銅の研磨レートの４倍以下）であることが好ましく、１００ｎｍ／ｍｉｎ以下（銅の研磨レートの２倍以下）であることがより好ましく、５０ｎｍ／ｍｉｎ以下（銅の研磨レートの同等以下）であることがさらに好ましい。

　次に絶縁膜の作製方法について説明する。絶縁膜は樹脂組成物を硬化することで得られる。上述の絶縁膜の作製方法としては、例えば、（α）樹脂組成物を、基板上に塗布、乾燥して樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜を加熱処理する工程と、を含む方法、（β）離型処理が施されたフィルム上に樹脂組成物を用いて一定膜厚で成膜した後、樹脂膜を基板へラミネート方式により転写する工程と、転写後に基板上に形成された樹脂膜を加熱処理する工程と、を含む方法が挙げられる。平坦性の点から、前記（α）の方法が好ましい。

　樹脂組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法、及びスリットコート法が挙げられる。

　スピンコート法では、例えば、回転速度が３００ｒｐｍ（回転毎分）～３，５００ｒｐｍ、好ましくは５００ｒｐｍ～１，５００ｒｐｍ、加速度が５００ｒｐｍ／秒～１５，０００ｒｐｍ／秒、回転時間が３０秒～３００秒という条件にて、前記樹脂組成物をスピンコーティングしてもよい。

　樹脂組成物を支持体、フィルム等に塗布した後に乾燥工程を含んでもいてもよい。ホットプレート、オーブン等を用いて乾燥を行ってもよい。乾燥温度は、７５℃～１３０℃が好ましく、絶縁膜の平坦性向上の観点から、９０℃～１２０℃がより好ましい。乾燥時間は、３０秒間～５分間が好ましい。
　乾燥は、２回以上行ってもよい。これにより、上述の樹脂組成物を膜状に形成した樹脂膜を得ることができる。

　スリットコート法では、例えば、薬液吐出速度１０μＬ／秒～４００μＬ／秒、薬液吐出部高さ０．１μｍ～１．０μｍ、ステージ速度（又は、薬液吐出部速度）１．０ｍｍ／秒～５０．０ｍｍ／秒、ステージ加速度１０ｍｍ／秒～１０００ｍｍ／秒、減圧乾燥時の到達真空度１０Ｐａ～１００Ｐａ、減圧乾燥時間３０秒～６００秒、乾燥温度６０℃～１５０℃、及び乾燥時間３０～３００秒という条件にて、前記樹脂組成物をスリットコーティングしてもよい。

　形成された樹脂膜を加熱処理してもよい。加熱温度は、１５０℃～４５０℃が好ましく、１５０℃～３５０℃がより好ましい。加熱温度が上記範囲内であることにより、基板、デバイス等へのダメージを抑制してプロセスの省エネルギー化を実現しつつ、絶縁膜を好適に作製することができる。

　加熱時間は、５時間以下が好ましく、３０分間～３時間がより好ましい。加熱処理の時間が上記範囲内であることにより、架橋反応又は脱水閉環反応を充分に進行させることができる。
　加熱処理の雰囲気は大気中であっても、窒素等の不活性雰囲気中であってもよいが、樹脂膜の酸化を防ぐことができる観点から、窒素雰囲気下が好ましい。

　加熱処理に用いられる装置としては、石英チューブ炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール、縦型拡散炉、赤外線硬化炉、電子線硬化炉、マイクロ波硬化炉等が挙げられる。

　ネガ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性樹脂組成物である本開示の樹脂組成物を用いる場合、絶縁膜２０２を第２基板本体２０１の一面２０１ａ上に設けてから複数の端子電極２０３を設けるときに、例えば、樹脂組成物を基板上に塗布する工程と、乾燥して樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜をパターン露光し、現像液を用いて現像してパターン樹脂膜を得る工程と、パターン樹脂膜を加熱処理する工程とを含む方法を用いてもよい。これにより、硬化されたパターン絶縁膜を得ることができる。

　あるいは、絶縁膜２０２を第２基板本体２０１の一面２０１ａ上に設けてから複数の端子電極２０３を設けるときに、例えば、本開示の樹脂組成物以外の樹脂組成物を基板上に塗布する工程と、乾燥して樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜上にネガ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性樹脂組成物である本開示の樹脂組成物を塗布及び乾燥後にパターン露光し、現像液を用いて現像してパターン樹脂膜を得る工程と、パターン樹脂膜を加熱処理する工程とを含む方法を用いてもよい。これにより、硬化されたパターン絶縁膜を得ることができる。

　パターン露光は、例えばフォトマスクを介して所定のパターンに露光する。
　照射する活性光線は、ｉ線、広帯域等の紫外線、可視光線、放射線などが挙げられ、ｉ線であることが好ましい。露光装置としては、平行露光機、投影露光機、ステッパ、スキャナ露光機等を用いることができる。

　露光後現像することで、パターン形成された樹脂膜であるパターン樹脂膜を得ることができる。本開示の樹脂組成物がネガ型感光性樹脂組成物である場合、未露光部を現像液で除去する。
　ネガ型の現像液として用いる有機溶剤は、現像液としては、感光性樹脂膜の良溶媒を単独で、又は良溶媒と貧溶媒とを適宜混合して用いることができる。
　良溶媒としては、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－アセチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ－ブチロラクトン、α－アセチル－γ－ブチロラクトン、３－メトキシ－Ｎ、Ｎ－ジメチルプロパンアミド、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン等が挙げられる。
　貧溶媒としては、トルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、水等が挙げられる。

　本開示の樹脂組成物がポジ型感光性樹脂組成物である場合、露光部を現像液で除去する。
　ポジ型の現像液として用いる溶液としては水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液、炭酸ナトリウム溶液等が挙げられる。

　ネガ型の現像液及びポジ型の現像液の少なくとも一方は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤の含有量は、現像液１００質量部に対して、０．０１質量部～１０質量部が好ましく、０．１質量部～５質量部がより好ましい。

　現像時間は、例えば感光性の樹脂膜を現像液に浸漬し、当該樹脂膜が完全に溶解するまでの時間の２倍とすることができる。
　現像時間は、本開示の樹脂組成物に含まれる（Ａ）成分に応じて調節してもよく、例えば、１０秒間～１５分間が好ましく、１０秒間～５分間がより好ましく、生産性の観点から、２０秒間～５分間がさらに好ましい。

　現像後のパターン樹脂膜をリンス液により洗浄してもよい。
　リンス液としては、蒸留水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル等を単独又は適宜混合して用いてもよく、またこれらを段階的に組み合わせて用いてもよい。

　なお、本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物以外の絶縁膜１０２及び２０２を構成する有機材料として、感光性樹脂、熱硬化性の非導電性フィルム（ＮＣＦ：Non Conductive Film）、又は、熱硬化性樹脂を用いてもよい。この有機材料は、アンダーフィル材であってもよい。また、絶縁膜１０２及び２０２を構成する有機材料は耐熱性の樹脂であってもよい。

［工程（ｃ）及び工程（ｄ）］
　工程（ｃ）は、第１半導体基板１００を研磨する工程である。工程（ｃ）では、図３の（ａ）に示すように、端子電極１０３の各表面１０３ａが絶縁膜１０２の表面１０２ａに対して同等の位置か少し高い（突き出た）位置となるようにＣＭＰ法を用いて第１半導体基板１００の表面である一面１０１ａ側を研磨する。工程（ｃ）では、例えば、銅等からなる端子電極１０３を選択的に深く削る条件でＣＭＰ法によって第１半導体基板１００を研磨することもできる。工程（ｃ）において、端子電極１０３の各表面１０３ａが絶縁膜１０２の表面１０２ａと一致するようにＣＭＰ法で研磨してもよい。研磨方法はＣＭＰ法に限定されず、バックグラインド等を採用してもよい。
　端子電極１０３の各表面１０３ａが絶縁膜１０２の表面１０２ａに対して少し高い位置である場合、各表面１０３ａと表面１０２ａとの高さの差は、１ｎｍ～１５０ｎｍであってもよく、１ｎｍ～１５ｎｍであってもよい。

　工程（ｄ）は、第２半導体基板２００を研磨する工程である。工程（ｄ）では、図３の（ａ）に示すように、端子電極２０３の各表面２０３ａが絶縁膜２０２の表面２０２ａに対して、同等の位置か少し高い（突き出た）位置となるようにＣＭＰ法を用いて第２半導体基板２００の表面である一面２０１ａ側を研磨する。工程（ｄ）では、例えば、銅等からなる端子電極２０３を選択的に深く削る条件でＣＭＰ法によって第２半導体基板２００を研磨する。工程（ｄ）において、端子電極２０３の各表面２０３ａが絶縁膜２０２の表面２０２ａと一致するようにＣＭＰ法で研磨してもよい。研磨方法はＣＭＰ法に限定されず、バックグラインド等を採用してもよい。
　端子電極２０３の各表面２０３ａが絶縁膜２０２の表面２０２ａに対して少し高い位置である場合、各表面２０３ａと表面２０２ａとの高さの差は、１ｎｍ～５０ｎｍであってもよく、１ｎｍ～１５ｎｍであってもよい。

　工程（ｃ）及び工程（ｄ）では、絶縁膜１０２の厚さと絶縁膜２０２の厚さが同じになるように研磨してもよいが、例えば、絶縁膜２０２の厚さが絶縁膜１０２の厚さよりも大きくなるように研磨してもよい。一方、絶縁膜２０２の厚さが絶縁膜１０２の厚さよりも小さくなるように研磨してもよい。絶縁膜２０２の厚さが絶縁膜１０２の厚さよりも大きい場合には、第２半導体基板２００を個片化する際又はチップ実装の際に接合界面に付着する異物の多くを絶縁膜２０２によって包含することができ、接合不良をより一層低減することができる。一方、絶縁膜２０２の厚さが絶縁膜１０２の厚さよりも小さい場合には、実装される半導体チップ２０５、つまり半導体装置１の低背化を図ることができる。

［工程（ｅ）］
　工程（ｅ）は、第２半導体基板２００を個片化し、複数の半導体チップ２０５を取得する工程である。工程（ｅ）では、図２の（ｂ）に示すように、第２半導体基板２００をダイシング等の切断手段により複数の半導体チップ２０５に個片化する。第２半導体基板２００をダイシングする際に絶縁膜２０２に保護材等を被覆して、それから個片化してもよい。工程（ｅ）により、第２半導体基板２００の絶縁膜２０２は、各半導体チップ２０５に対応する絶縁膜部分２０２ｂへと分割される。第２半導体基板２００を個片化するダイシング方法としては、プラズマダイシング、ステルスダイシング、レーザーダイシング等が挙げられる。ダイシングの際の第２半導体基板２００の表面保護材としては、例えば、水、ＴＭＡＨ等で除去可能な有機膜、又は、プラズマ等で除去可能な炭素膜などの薄膜を設けてもよい。

［工程（ｆ）］
　工程（ｆ）は、第１半導体基板１００の端子電極１０３に対して複数の半導体チップ２０５それぞれの端子電極２０３の位置合わせを行う工程である。工程（ｆ）では、図２の（ｃ）に示すように、各半導体チップ２０５の端子電極２０３が第１半導体基板１００の対応する複数の端子電極１０３に対向するように、各半導体チップ２０５の位置合わせを行う。この位置合わせ用に、第１半導体基板１００上にアライアメントマーク等を設けてもよい。

［工程（ｇ）］
　工程（ｇ）は、第１半導体基板１００の絶縁膜１０２と複数の半導体チップ２０５の各絶縁膜部分２０２ｂとを互いに貼り合わせる工程である。工程（ｇ）では、各半導体チップ２０５の表面に付着した有機物、金属酸化物等を除去した後、図２の（ｃ）に示すように、第１半導体基板１００に対する半導体チップ２０５の位置合わせを行い、その後、ハイブリッドボンディングとして複数の半導体チップ２０５それぞれの絶縁膜部分２０２ｂを第１半導体基板１００の絶縁膜１０２に接合する（図３の（ｂ）参照）。この際、複数の半導体チップ２０５の絶縁膜部分と第１半導体基板１００の絶縁膜１０２とを均一に加熱してから接合を行ってもよい。加熱しながら接合を行うことで絶縁膜１０２及び絶縁膜部分２０２ｂの熱膨張率と端子電極１０３、２０３の熱膨張率との差により、絶縁膜１０２及び絶縁膜部分２０２ｂが端子電極１０３、２０３よりも膨張する。加熱による熱膨張により、絶縁膜１０２の高さが端子電極１０３の高さと同程度以上となるように、工程（ｃ）にて第１半導体基板１００を研磨してもよく、絶縁膜部分２０２ｂの高さが端子電極２０３の高さと同程度以上となるように、工程（ｄ）にて第２半導体基板２００を研磨してもよい。接合の際の半導体チップ２０５と第１半導体基板１００との温度差は、例えば１０℃以下が好ましい。このような均一性の高い温度での加熱接合により、絶縁膜１０２と絶縁膜部分２０２ｂが接合された絶縁接合部分Ｓ１となり、複数の半導体チップ２０５が第１半導体基板１００に対して機械的に強固に取り付けられる。また、均一性の高い温度での加熱接合であることから、接合箇所における位置ズレ等が生じ難く、高精度な接合を行うことができる。この取り付けの段階では、第１半導体基板１００の端子電極１０３と半導体チップ２０５の端子電極２０３とは互いに離間しており、接続されていない（但し位置合わせはされている）。半導体チップ２０５の第１半導体基板１００への貼り合わせは、他の接合方法によって行ってもよく、例えば常温接合等で接合してもよい。

　絶縁膜１０２と絶縁膜部分２０２ｂが接合された絶縁接合部分である有機絶縁膜の厚さは、特に限定されず、例えば、０．１μｍ以上であってもよく、異物の影響を抑制やデバイス設計の観点から、１μｍ～２０μｍであってもよく、好ましくは１μｍ～５μｍである。

［工程（ｈ）］
　工程（ｈ）は、第１半導体基板１００の端子電極１０３と複数の半導体チップ２０５それぞれの端子電極２０３とを接合する工程である。工程（ｈ）では、図２の（ｄ）に示すように、工程（ｇ）の貼り合わせが終了すると、熱Ｈ、圧力又はその両方を付与して、ハイブリッドボンディングとして第１半導体基板１００の端子電極１０３と複数の半導体チップ２０５の各端子電極２０３とを接合する（図３の（ｃ）参照）。端子電極１０３及び２０３が銅から構成されている場合、工程（ｇ）でのアニーリング温度は、１５０℃以上４００℃以下であることが好ましく、２００℃以上３００℃以下であることがより好ましい。このような接合処理により、端子電極１０３とそれに対応する端子電極２０３とが接合された電極接合部分Ｓ２となり、端子電極１０３と端子電極２０３とが機械的且つ電気的に強固に接合される。なお、工程（ｈ）の電極接合は、工程（ｇ）の貼り合わせ後に行われてもよく、工程（ｇ）の貼り合わせと同時に行われてもよい。

　以上により、第１半導体基板１００に複数の半導体チップ２０５が電気的且つ機械的に所定の位置に高精度に設置される。図２の（ｄ）に示す半製品の段階で例えば製品の信頼性試験（接続試験等）を行い、良品のみを以降の工程に用いてもよい。続いて、このような半製品を用いた半導体装置の一例の製造方法を、図４を参照して説明する。

［工程（ｉ）］
　工程（ｉ）は、第１半導体基板１００の接続面１００ａ上であって複数の半導体チップ２０５の間に複数のピラー３００を形成する工程である。工程（ｉ）では、図４の（ａ）に示すように、複数の半導体チップ２０５の間に、例えば銅製の多数のピラー３００を形成する。ピラー３００は、銅めっき、導電体ペースト、銅ピン等から形成することができる。ピラー３００は、一端が第１半導体基板１００の端子電極のうち半導体チップ２０５の端子電極２０３に接続されていない端子電極に接続されるように形成され、他端が上方に向かって延在する。ピラー３００は、例えば、直径１０μｍ以上１００μｍ以下であり、また、高さ１０μｍ以上１０００μｍ以下である。なお、一対の半導体チップ２０５の間には、例えば１個以上１００００個以下のピラー３００が設けられてもよい。

［工程（ｊ）］
　工程（ｊ）は、複数の半導体チップ２０５と複数のピラー３００とを覆うように、第１半導体基板１００の接続面１００ａ上に樹脂３０１をモールドする工程である。工程（ｊ）では、図４の（ｂ）に示すように、エポキシ樹脂等をモールドして、複数の半導体チップ２０５と複数のピラー３００とを全体的に覆う。モールド方法としては、例えば、コンプレッションモールド、トランスファモールド、フィルム状のエポキシフィルムをラミネートする方法等が挙げられる。この樹脂モールドにより、複数のピラー３００の間及びピラー３００と半導体チップ２０５との間が樹脂３０１によって充填される。
　これにより、樹脂が充填された半製品Ｍ１が形成される。なお、エポキシ樹脂等をモールドした後に硬化処理を行ってもよい。また、工程（ｉ）と工程（ｊ）とを略同時に行う場合、すなわち樹脂モールドするタイミングでピラー３００も形成する場合、微細転写であるインプリントと導電性ペースト若しくは電解めっきとを用いてピラーを形成してもよい。

［工程（ｋ）］
　工程（ｋ）は、工程（ｊ）でモールドがされた樹脂３０１、複数のピラー３００及び複数の半導体チップ２０５からなる半製品Ｍ１を樹脂３０１側から研削して薄化し、半製品Ｍ２を取得する工程である。工程（ｋ）では、図４の（ｃ）に示すように、半製品Ｍ１の上方をグランダー等で研磨することにより、樹脂モールドされた第１半導体基板１００等を薄化し、半製品Ｍ２とする。工程（ｋ）での研磨により、半導体チップ２０５、ピラー３００及び樹脂３０１の厚さは例えば数１０μｍ程度に薄化され、半導体チップ２０５は第２半導体チップ２０に対応する形状となり、ピラー３００及び樹脂３０１は、ピラー部３０に対応する形状となる。

［工程（ｌ）］
　工程（ｌ）は、工程（ｋ）で薄化された半製品Ｍ２に再配線層４０に対応する配線層４００を形成する工程である。工程（ｌ）では、図４の（ｄ）に示すように、研削された半製品Ｍ２の第２半導体チップ２０及びピラー部３０の上にポリイミド、銅配線等で再配線パターンを形成する。これにより、第２半導体チップ２０及びピラー部３０の端子ピッチを広げた配線構造を有する半製品Ｍ３が形成される。

［工程（ｍ）及び工程（ｎ）］
　工程（ｍ）は、工程（ｌ）で配線層４００が形成された半製品Ｍ３を各半導体装置１となるように切断線Ａに沿って切断する工程である。工程（ｍ）では、図４の（ｄ）に示すように、ダイシング等によって、各半導体装置１となるように、半導体装置基板を切断線Ａに沿って切断する。その後、工程（ｎ）では、工程（ｍ）で個別化された半導体装置１ａを反転して基板５０及び回路基板６０上に設置し、図１に示す半導体装置１を複数取得する。

　以上、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、第１半導体基板１００の絶縁膜１０２と、第２半導体基板２００の絶縁膜２０２と、が、本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物である。本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物は、二酸化ケイ素等の無機材料よりも弾性率が低いため、当該樹脂組成物をハイブリッドボンディングの絶縁膜の作製に用いることにより、第２半導体基板２００を半導体チップ２０５へ個片化する際のダイシングによって発生する異物が絶縁膜に付着しても、異物周辺の絶縁膜が容易に変形し、絶縁膜に大きな空隙を生じさせることなく異物を絶縁膜内に包含させることができる。すなわち、絶縁膜によって異物の影響を抑えることが可能となる。よって、本実施形態に係る製造方法によれば、第１半導体基板１００と半導体チップ２０５の微細接合を行いつつ、接合不良を低減することができる。なお、本開示の樹脂組成物が低弾性率の材料を含む場合又は靭性の高い樹脂組成を有している場合、上記の製造方法によって製造される半導体装置１の破損をより確実に抑制することができる。

　以上、本開示の半導体装置の製造方法の一実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、図４に示す工程において、ピラー３００を形成する工程（ｉ）の後に、樹脂３０１をモールドする工程（ｊ）と樹脂３０１等を研削して薄化する工程（ｋ）を順に行っていたが、樹脂３０１を第１半導体基板１００の接続面上にモールドする工程（ｊ）をまず行い、続いて、樹脂３０１を所定の厚さまで研削して薄化する工程（ｋ）を行い、その後に、ピラー３００を形成する工程（ｉ）を行うようにしてもよい。この場合、ピラー３００を削る作業等を減らすことができ、また、ピラー３００のうち削る部分が不要となることから、材料費を低減することができる。

　また、上記の実施形態では、Ｃ２Ｃでの接合例を説明したが、図５に示すChip-to-Wafer（Ｃ２Ｗ）での接合に本発明を適用してもよい。Ｃ２Ｗでは、基板本体４１１（第１基板本体）と基板本体４１１の一面に設けられた絶縁膜４１２（第１絶縁膜）及び複数の端子電極４１３（第１電極）とを有する半導体ウェハー４１０（第１半導体基板）を準備すると共に、基板本体４２１（第２基板本体）と基板本体４２１の一面に設けられた絶縁膜部分４２２（第２絶縁膜）及び複数の端子電極４２３（第２電極）とを有する複数の半導体チップ４２０の個片化前の半導体基板（第２半導体基板）を準備する。そして、半導体ウェハー４１０の一面側と半導体チップ４２０に個片化する前の第２半導体基板の一面側とを、上記の工程（ｃ）及び工程（ｄ）と同様に、ＣＭＰ法等により研磨する。その後、工程（ｅ）と同様な個片化処理を第２半導体基板に対して行い、複数の半導体チップ４２０を取得する。

　続いて、図５の（ａ）に示すように、半導体ウェハー４１０の端子電極４１３に対して半導体チップ４２０の端子電極４２３の位置合わせを行う（工程（ｆ））。そして、半導体ウェハー４１０の絶縁膜４１２と半導体チップ４２０の絶縁膜部分４２２とを互いに貼り合わると共に（工程（ｇ））、半導体ウェハー４１０の端子電極４１３と半導体チップ４２０の端子電極４２３とを接合し（工程（ｈ））、図５の（ｂ）に示す半製品を取得する。これにより、絶縁膜４１２と絶縁膜部分４２２とが接合された絶縁接合部分Ｓ３となり、半導体チップ４２０が半導体ウェハー４１０に対して機械的に強固に且つ高精度に取り付けられる。また、端子電極４１３とそれに対応する端子電極４２３とが接合された電極接合部分Ｓ４となり、端子電極４１３と端子電極４２３とが機械的且つ電気的に強固に接合される。

　その後、図５の（ｃ）及び（ｄ）に示すように、複数の半導体チップ４２０を同様の方法で半導体ウェハーである半導体ウェハー４１０に接合することにより、半導体装置４０１を取得する。なお、複数の半導体チップ４２０は、一個ずつ半導体ウェハー４１０にハイブリッドボンディングにより接合されてもよいが、まとめて半導体ウェハー４１０にハイブリッドボンディングにより接合されてもよい。

　このような半導体装置４０１の製造方法においても、上記の半導体装置１の製造方法と同様に、半導体ウェハー４１０の絶縁膜４１２及び半導体チップ４２０の絶縁膜部分４２２の少なくとも一方が、本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物である絶縁膜である。そのため、半導体チップ４２０への個片化の際のダイシングによって発生する異物が絶縁膜に付着しても、異物周辺の絶縁膜が容易に変形し、絶縁膜に大きな空隙を生じさせることなく異物を絶縁膜内に包含させることができる。すなわち、絶縁膜によって異物の影響を抑えることが可能となる。よって、上記のＣ２Ｗに係る製造方法でも、Ｃ２Ｃと同様に、半導体ウェハー４１０と半導体チップ４２０の微細接合を行いつつ、接合不良を低減することができる。

　更に、上記の半導体装置の製造方法では、本発明の効果を奏する範囲において、半導体基板１１０の絶縁膜１０２、半導体チップ２０５の絶縁膜２０２等の一部に無機材料が含まれていてもよい。

　以下、実施例及び比較例に基づき、本開示についてさらに具体的に説明する。尚、本開示は下記実施例に限定されるものではない。

（合成例１（Ａ１の合成））
　３，３’，４，４’‐ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（ＯＤＰＡ）７．０７ｇと２，２’－ジメチルビフェニル－４，４’－ジアミン（ＤＭＡＰ）４．１２ｇとをＮ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）３０ｇに溶解させた。得られた溶液を３０℃で４時間、その後室温下で一晩撹拌し、ポリアミド酸を得た。そこに室温にてトリフルオロ酢酸無水物９．４５ｇを加えたのち、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル（ＨＥＭＡ）７．０８ｇを加え、４５℃で１０時間撹拌した。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリイミド前駆体Ａ１を得た。
　ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を用いて、標準ポリスチレン換算により、Ａ１の重量平均分子量を求めた。Ａ１の重量平均分子量は２０，０００であった。具体的には、Ａ１　０．５ｍｇを溶剤［テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）／ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）＝１／１（容積比）］１ｍＬに溶解させた溶液を用い、以下の条件で測定した。
（測定条件）
測定装置：株式会社島津製作所ＳＰＤ－Ｍ２０Ａ
ポンプ：株式会社島津製作所ＬＣ－２０ＡＤ
カラムオーブン：株式会社島津製作所：ＣＴＯ－２０Ａ
測定条件：カラムＧｅｌｐａｃｋ　ＧＬ－Ｓ３００ＭＤＴ－５×２本
溶離液：ＴＨＦ／ＤＭＦ＝１／１（容積比）
　　　　ＬｉＢｒ（０．０３ｍｏｌ／Ｌ）、Ｈ_３ＰＯ_４（０．０６ｍｏｌ／Ｌ）
　流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ、検出器：ＵＶ２７０ｎｍ、カラム温度：４０℃
　標準ポリスチレン：東ソー製　ＴＳＫｇｅｌ　ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ　Ｔｙｐｅ　Ｆ－１，Ｆ－４，Ｆ－２０，Ｆ－８０，Ａ－２５００にて検量線を作成

＜エステル化率＞
　以下の条件でＮＭＲ測定を行うことで、Ａ１のエステル化率（ＨＥＭＡと反応してなるエステル基及びＨＥＭＡと未反応のカルボキシ基の合計に対するＨＥＭＡと反応してなるエステル基の割合）を算出した。エステル化率は８０モル％であり、未反応のカルボキシ基の割合は２０モル％であった。
（測定条件）
測定機器：ブルカー・バイオスピン社　ＡＶ４００Ｍ
磁場強度：４００ＭＨｚ
基準物質：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）
溶剤：ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）

（合成例２（Ａ２の合成））
　合成例１にてＮＭＰを３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミドへ変更した以外は同様の方法でポリイミド前駆体の合成を実施し、ポリイミド前駆体Ａ２を得た。Ａ２の重量平均分子量は２２，０００であった。

　前述の条件でＮＭＲ測定を行うことで、Ａ２のエステル化率を算出した。エステル化率は７０モル％であり、未反応のカルボキシ基の割合は３０モル％であった。

（合成例３（Ａ３の合成））
　合成例１の２，２’－ジメチルビフェニル－４，４’－ジアミン（ＤＭＡＰ）を、４.４’－ジアミノジフェニルエーテル３．６ｇ及びｍ－フェニレンジアミン０．２ｇに変更した以外は同様の操作を行い、ポリイミド前駆体Ａ３を得た。Ａ３の重量平均分子量は２５，０００であった。

　前述の条件でＮＭＲ測定を行うことで、Ａ３のエステル化率を算出した。エステル化率は７２モル％であり、未反応のカルボキシ基の割合は２８モル％であった。

（合成例４（Ａ４の合成））
　合成例３のＮＭＰを３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミドへ変更した以外は同様の方法でポリイミド前駆体の合成を実施し、ポリイミド前駆体Ａ４を得た。Ａ４の重量平均分子量は２２０００であった。

　前述の条件でＮＭＲ測定を行うことで、Ａ４のエステル化率を算出した。エステル化率は７０モル％であり、未反応のカルボキシ基の割合は３０モル％であった。

（合成例５（Ａ５の合成））
　３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（ＯＤＰＡ）６１．０ｇ、と１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン５２．０ｇとを３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミド２００ｇに溶解させた。得られた溶液を３０℃で２時間、その後室温下で一晩撹拌し、ポリアミド酸を得た。そこに室温にてトリフルオロ酢酸無水物を８０ｇ加え所定時間攪拌したのちメタクリル酸２－ヒドロキシエチル（ＨＥＭＡ）７．２ｇを加え、４５℃で１０時間撹拌した。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリイミド前駆体Ａ５を得た。Ａ５の重量平均分子量は２５，０００であった。

（合成例６（Ａ６の合成））
　反応容器中において、ＯＤＰＡ１５５ｇとＨＥＭＡ１３１．２ｇとをγ－ブチロラクトン４００ｍＬへ溶解し室温下で撹拌し、撹拌しながらピリジン８１ｇを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に反応混合物を室温まで放冷し、１５時間放置した。

　次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２０６．３ｇをγ
－ブチロラクトン１８０ｍＬに溶解させた溶液を撹拌しながら４０分かけて反応混合物に加えた。次いで、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル９３ｇをγ－ブチロラクトン３５０ｍＬに懸濁させた懸濁液を撹拌しながら６０分かけて反応混合物に加えた。さらに室温で反応混合物を２時間撹拌した後、エチルアルコール３０ｍＬを加えて１時間撹拌し、次に、γ－ブチロラクトン４００ｍＬを反応混合物に加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。

　得られた反応液を３リットルのエチルアルコールに加えて粗ポリマーからなる沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーをろ別し、テトラヒドロフラン１リットルに溶解させて粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物をろ別した後、真空乾燥して粉末状のポリマーであるポリイミド前駆体Ａ６を得た。Ａ６の重量平均分子量は２４，０００であった。

　前述の条件でＮＭＲ測定を行うことで、Ａ６のエステル化率を算出した。エステル化率は１００モル％であった。

（合成例７（Ａ７の合成））
　合成例６にて、ＯＤＰＡ１５５ｇを３，３’－４．４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１４７ｇに変更した以外は、同様の方法でポリイミド前駆体の合成を実施し、ポリイミド前駆体Ａ７を得た。Ａ７の重量平均分子量は２８，０００であった。

　前述の条件でＮＭＲ測定を行うことで、Ａ７のエステル化率を算出した。エステル化率はほぼ１００モル％であった。

　後述の比較例１では、ポリイミド前駆体以外の高分子として以下の高分子成分Ａ８及びＡ９を用いた。
Ａ８：クレゾール－ホルムアルデヒド樹脂（旭有機材株式会社製）、重量平均分子量１２０００
Ａ９：アクリル酸重合物（ブチルアクリレート／アクリル酸／４－ヒドロキシブチルアクリレート）

（合成例１０（Ａ１０の合成））
　１６０℃の乾燥機で２４時間乾燥させたＯＤＰＡ　１８．７ｇとＰＭＤＡ　６．５４ｇを３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミド４００ｇに加えた。撹拌により得られた溶液に、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン２９．１ｇを３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミド１００ｇに懸濁させた懸濁液を滴下して混合液を準備した。混合液を３０℃で４時間撹拌した後、混合液にジアザビシクロウンデセンを１．５ｇ加え、１５０℃で２時間撹拌した。混合液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリイミド樹脂Ａ１０を得た。Ａ１０の重量平均分子量は１０，０００であった。

［実施例１～８、比較例１］
（樹脂組成物の調製）
　表１に示した成分及び配合量にて、実施例１～８及び比較例１の樹脂組成物を以下のようにして調製した。表１の各成分の配合量の単位は質量部である。また、表１中の空欄は該当成分が未配合であることを意味する。各実施例及び比較例にて、各成分の混合物を一般的な耐溶剤性容器内にて室温で一晩混練した後、０．２μｍ孔のフィルターを用いて加圧ろ過を行った。得られた樹脂組成物を用いて以下の評価を行った。

　表１中の各成分は以下の通りである。
・高分子成分
　上述のＡ１～Ａ１０
・（Ｂ）成分（溶剤）
　Ｂ１：３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド
　Ｂ２：Ｎ－メチル－２－ピロリドン
　Ｂ３：乳酸メチル
　Ｂ４：γ－ブチロラクトン
・（Ｄ）成分（重合性モノマー）
　Ｄ１：トリエチレングリコールジメタアクリレート（ＴＥＧＤＭＡ）
　Ｄ２：１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル
　Ｄ３：トリグリシジル－ｐ－アミノフェノール
　Ｄ４：ヘキサキス（メトキシメチル）メラミン（Ｃｙｍｅｌ）
　Ｄ５：尿素・アルキル（Ｃ１～５）アルデヒド・アルキル（Ｃ２～１０）多価（２～４）アルデヒド・アルキル（Ｃ１～１２）モノアルコール重縮合物（ＭＸ２７０）
　Ｄ６：４，４’－（１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン－２，２－ジイル）ビス［２，６－ビス（ヒドロキシメチル）フェノール］
・防錆剤
　防錆剤１：ベンゾトリアゾール
　防錆剤２：５－アミノ－１Ｈ－テトラゾール
　防錆剤３：１－Ｈ－テトラゾール
・接着助剤
　接着助剤１：３－ウレイドプロピルトリエトキシシランの５０％メタノール溶液
　接着助剤２：Ｎ，Ｎ’－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシランの６０％エタノール溶液（ＳＩＢ１１４０）
・（Ｃ）成分（光重合開始剤）
　Ｃ１：１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム
　Ｃ２：エタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（Ｏ－アセチルオキシム）
　Ｃ３：４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン
　Ｃ４：Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ０１
　Ｃ５：下記式（Ｙ）で表される化合物
・（Ｅ）成分（熱重合開始剤）
　Ｅ１：ビス（１－フェニル－１－メチルエチル）ペルオキシド
・（Ｆ）成分（重合禁止剤）
　Ｆ１：Ｎ，Ｎ’－ヘキサン－１，６－ジイルビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオンアミド］

（硬化膜の貯蔵弾性率等の測定）
　感光性樹脂組成物である実施例１～４、７、８及び比較例１の樹脂組成物を用いて以下のように硬化膜を形成し、次いで貯蔵弾性率を測定した。感光性樹脂組成物をＳｉ基板上にスピンコートし、ホットプレート上で、表１の製膜時乾燥条件における温度（℃）及び時間（秒、表１中のｓ）で加熱乾燥し、硬化後約１０μｍとなるよう感光性樹脂膜を形成した。
　得られた感光性樹脂膜を、マスクアライナーＭＡ－８（ズース・マイクロテック社製）を用いて、表１に示す露光量にて広帯域（ＢＢ）露光した。露光後の樹脂膜を、実施例１～４、７及び８についてはシクロペンタノン（表１中のＤｅｖ１に対応）により、比較例１については２．３８％ＴＭＡＨ水溶液（表１中のＤｅｖ２に対応）により、コーターデベロッパーＡＣＴ８（東京エレクトロン株式会社製）を用いて表１に示す時間現像し、１０ｍｍ幅の短冊状のパターン樹脂膜を得た。
　得られたパターン樹脂膜を、縦型拡散炉μ－ＴＦを用いて、窒素雰囲気下、表１に示す温度及び時間にて硬化し膜厚１０μｍのパターン硬化物を得た。
　得られたパターン硬化物を、４．９質量％フッ酸水溶液に浸漬して、１０ｍｍ幅のパターン硬化物をＳｉ基板から剥離した。
　ＴＡインスツルメント製のＲＳＡ－Ｇ２を用い、試験周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、測定モード：引張り、Ｎ_２雰囲気下、測定範囲－５０℃～４００℃、チャック間距離１０ｍｍ、サンプル幅２．０ｍｍの条件にてＳｉ基板より剥離したパターン硬化物の貯蔵弾性率及び損失弾性率を測定した。
　得られた貯蔵弾性率及び損失弾性率から損失正接を求め、損失正接のピークをＴｇ（ガラス転移温度）とした。さらに、Ｔｇよりも１００℃低い温度での貯蔵弾性率（表２中のＧ１）及びＴｇよりも１００℃高い温度での貯蔵弾性率（表２中のＧ２）からＧ２／Ｇ１を求めた。結果を表２に示す。
　表２中のＧ２／Ｇ１については、０．３以下であることが好ましく、０．１以下であることがより好ましく、０．０５以下であることがさらに好ましい。

（チップ付き硬化膜の作製）
　実施例１～８及び比較例１の樹脂組成物を、塗布装置スピンコーターを用いて、８インチＳｉウェハー上にスピンコートし、乾燥工程を行い樹脂膜を形成した。樹脂組成物が感光性樹脂組成物である場合、得られた樹脂膜に対して直径１８０ｍｍの円形状の樹脂膜が作製できるマスクを載せ、波長３６５ｎｍの光を所定露光量照射した。その後、シクロペンタノン又は２．３８％ＴＭＡＨで所定時間現像し、Ｓｉウェハー上の樹脂膜のうち、外周から１０ｍｍを取り除きパターン樹脂膜を作製した。樹脂組成物が感光樹脂組成物ではない場合は、スピンコート後の樹脂膜のエッジ部分をシクロペンタノンでエッジリンスすることでウェハ外周部約１０ｍｍを除去し、直径約１８０ｍｍの円形状の樹脂膜を作製した。樹脂膜を、クリーンオーブンを用いて、窒素雰囲気下で、表３に示す温度で所定時間加熱し、硬化後膜厚２μｍ～８μｍである硬化膜を得た。

　得られた硬化膜をＣＭＰ工程によって研磨を実施し、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いた測定にて１０μｍ^２内の表面粗さＲａが０．５ｎｍ～３ｎｍとなる研磨済み硬化膜を得た。研磨済み硬化膜に一般的な洗浄液を用いたスクラブ洗浄を実施した後、洗浄した研磨済み硬化膜の一部をブレードダイサー（ＤＩＳＣＯ　ＤＦＤ－６３６２）によって５ｍｍ角に個片化することで樹脂付きチップを得た。得られた樹脂付きチップを研磨済み硬化膜に対し、フリップチップボンダによって所定圧力及び表３に示す接合温度で１５秒間圧着しチップ付き硬化膜を作製した。各樹脂組成物について研磨済み硬化膜に圧着させた５つのチップずつ後述の評価を実施した。

［比較例２］
（チップ付きＳｉＯ_２ウェハーの作製）
　熱酸化法で作製されたＳｉＯ_２ウェハーを用意し、上記の接着性評価用サンプルの作製方法に記載の方法で研磨し研磨済みＳｉＯ_２ウェハーを作製した。作製した研磨済みＳｉＯ_２ウェハーの一部に対し個片化を行い、ＳｉＯ_２チップを作製した。得られたＳｉＯ_２チップを研磨済みＳｉＯ_２ウェハーに対し、前述のチップ付き硬化膜を作製する際と同様の方法で接着し、チップ付きＳｉＯ_２ウェハーを作製した。チップ付きＳｉＯ_２ウェハーでは、研磨済みＳｉＯ_２ウェハーに対して５つのＳｉＯ_２チップを圧着させた、

　得られたチップ付き硬化膜、及びチップ付きＳｉＯ_２ウェハーに対しＳＡＴ（超音波深傷検査：Scanning Acoustic Tomography）を用いて樹脂界面間もしくは樹脂／基板間の接着不良を示すボイドの有無を観察した。ボイドの評価基準は以下の通りである。結果を表３に示す。評価がＡであればボイドの発生が抑制されており、評価良好と判断される。
－ボイドの評価基準－
Ａ：５つのチップの中でボイドが観察されたチップが２つ以下である。
Ｂ：５つのチップの中でボイドが観察されたチップが２つより多い。
Ｃ：ＳＡＴを測定する際にチップが１つ以上剥離している。

　得られたチップ付き硬化膜、及びチップ付きＳｉＯ_２ウェハーについて、絶縁層であるＳｉＯ_２又は硬化膜同士の接着力をシェアテスターを用いて測定した。接着力は、下記基準を用いて評価した。結果を表３に示す。
－接着力の評価基準－
Ａ：５つのチップのシェア強度の平均が１Ｍｐａ以上である。
Ｂ：５つのチップのシェア強度の平均が１Ｍｐａ以下である。
Ｃ：接着力が低く測定不能である。
　１ＭＰａ以上の接着力があればチップ付き硬化膜の作製以降の工程を問題なく実施することができた。

（熱圧着の検討）
　銅端子を絶縁層と共にハイブリッドボンディングする場合、銅端子の信頼性の問題から一般的には２００℃～４００℃の温度にて圧力を加えてボンディングを実施する。絶縁層が絶縁樹脂の硬化膜である場合、ボンディングの際に絶縁樹脂が熱分解し発生した揮発分によるボイド等が生じる可能性がある。そのため、前述のチップ付き硬化膜について、さらに高温の熱圧着を実施しボイド等が生じないか、及び、接着力が低下しないかについて評価を実施した。

（熱圧着後の評価）
　前述のチップ付き硬化膜の上に段差吸収用のカーボンシートを被せ、圧着装置（ＥＶＧ製）を用いて、所定の真空度の条件にて３００℃で４時間、８インチサイズの加圧エリアに７２００Ｎの荷重を加え圧着を実施した。その後、前述と同様の方法で熱圧着後でのボイドの有無及び硬化膜同士の接着力について評価を実施した。ボイドの有無及び接着力の評価基準はそれぞれ以下の通りである。結果を表３に示す。
－熱圧着後でのボイドの評価基準－
Ａ：５つのチップの中でボイドが観察されたチップが２つ以下である。
Ｂ：５つのチップの中でボイドが観察されたチップが２つより多い。
Ｃ：ＳＡＴを測定する際にチップが１つ以上剥離している。
－熱圧着後での接着力の評価基準－
Ａ＋：５つのチップのうち少なくとも３つのチップの破壊モードがＳｉ部の凝集破壊である。
Ａ　：５つのチップのシェア強度の平均が５ＭＰａ以上である。
Ｂ　：５つのチップのシェア強度の平均が５ＭＰａ未満である。
Ｃ　：接着力が低く測定不能である。

　表３に示すように、実施例１～８では、比較例１と比較してチップ付き硬化膜におけるボイドの発生が好適に抑制されていた。
　一方、比較例２では、チップ付きＳｉＯ_２ウェハーにてボイドの影響によりチップの剥離が確認された。

　２０２０年９月３０日に出願されたＰＣＴ／ＪＰ２０２０／０３７３２２の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的且つ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

　１，１ａ，４０１…半導体装置、１０…第１半導体チップ、２０…第２半導体チップ、３０…ピラー部、４０…再配線層、５０…基板、６０…回路基板、６１…端子電極、１００…第１半導体基板、１０１…第１基板本体、１０１ａ…一面、１０２…絶縁膜（第１絶縁膜）、１０３…端子電極（第１電極）、１０３ａ…表面、２００…第２半導体基板、２０１…第２基板本体、２０１ａ…一面、２０２…絶縁膜（第２絶縁膜）、２０３…端子電極（第２電極）、２０３ａ…表面、２０５…半導体チップ、３００…ピラー、３０１…樹脂、４１０…半導体ウェハー（第１半導体基板）、４１１…基板本体（第１基板本体）、４１２…絶縁膜（第１絶縁膜）、４１３…端子電極（第１電極）、４２０…半導体チップ（第２半導体基板）、４２１…基板本体（第２基板本体）、４２２…絶縁膜部分（第２絶縁膜）、４２３…端子電極（第２電極）、Ａ…切断線、Ｈ…熱、Ｍ１～Ｍ３…半製品、Ｓ１…絶縁接合部分、Ｓ２…電極接合部分、Ｓ３…絶縁接合部分、Ｓ４…電極接合部分。

Claims

　（Ａ）ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸塩及びポリアミド酸アミドからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であるポリイミド前駆体、並びにポリイミド樹脂の少なくとも一方と、（Ｂ）溶剤と、を含み、
　以下の工程（１）～工程（５）を含む半導体装置の製造方法での第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の有機絶縁膜の作製に用いるための樹脂組成物。
　工程（１）　第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられた前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板を準備する。
　工程（２）　第２基板本体と、前記第２基板本体の一面に設けられた前記第２有機絶縁膜及び複数の第２電極とを有する第２半導体基板を準備する。
　工程（３）　前記第２半導体基板を個片化し、前記第２有機絶縁膜の一部に対応する有機絶縁膜部分と少なくとも１つの前記第２電極とをそれぞれが備えた複数の半導体チップを取得する。
　工程（４）　前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分とを互いに貼り合わせる。
　工程（５）　前記第１半導体基板の前記第１電極と前記半導体チップの前記第２電極とを接合する。
　（Ａ）ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸塩及びポリアミド酸アミドからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であるポリイミド前駆体、並びにポリイミド樹脂の少なくとも一方と、（Ｂ）溶剤と、を含み、
　電極と共に化学機械研磨法により研磨される硬化物の作製に用いるための樹脂組成物。
　前記（Ａ）ポリイミド前駆体は、下記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物を含む請求項１又は請求項２に記載の樹脂組成物。

　一般式（１）中、Ｘは４価の有機基を表し、Ｙは２価の有機基を表し、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の有機基を表す。
　前記一般式（１）中、前記Ｘで表される４価の有機基は、下記式（Ｅ）で表される基である請求項３に記載の樹脂組成物。

　式（Ｅ）において、Ｃは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。
　前記一般式（１）中、前記Ｙで表される２価の有機基は、下記式（Ｈ）で表される基である請求項３又は請求項４に記載の樹脂組成物。

　式（Ｈ）において、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基又はハロゲン原子を表し、ｎは、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。Ｄは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。
　前記一般式（１）中、前記Ｒ^６及び前記Ｒ^７における前記１価の有機基は、下記一般式（２）で表される基、エチル基、イソブチル基又はｔ－ブチル基のいずれかである請求項３～請求項５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。

　一般式（２）中、Ｒ^８～Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、Ｒ^ｘは２価の連結基を表す。
　前記（Ｂ）溶剤の含有量は、前記（Ａ）ポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂の合計１００質量部に対して１質量部～１００００質量部である請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
　前記（Ｂ）溶剤は下記式（３）～式（７）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含む請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。

　式（３）～（７）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^８及びＲ^１０は、それぞれ独立に、炭素数１～４のアルキル基であり、Ｒ^３～Ｒ^７及びＲ^９は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～４のアルキル基である。ｓは０～８の整数であり、ｔは０～４の整数であり、ｒは０～４の整数であり、ｕは０～３の整数である。
　前記樹脂組成物を硬化してなる硬化物の５％熱重量減少温度が２００℃以上である請求項１～請求項８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
　前記樹脂組成物を硬化してなる硬化物のガラス転移温度が１００℃～４００℃である請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
　前記樹脂組成物を硬化してなる硬化物について、動的粘弾性測定で求めた前記硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも１００℃低い温度での貯蔵弾性率Ｇ１に対する前記動的粘弾性測定で求めた前記硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも１００℃高い温度での貯蔵弾性率Ｇ２の比率であるＧ２／Ｇ１は、０．００１～０．０２である請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
　（Ｃ）光重合開始剤及び（Ｄ）重合性モノマーをさらに含む請求項１～請求項１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
　ネガ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性樹脂組成物であり、フォトリソグラフィ工法により、基板本体の一面上に設けられた有機絶縁膜に複数の端子電極を配置するための貫通孔を複数設けることに用いるための請求項１～請求項１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
　硬化してなる硬化物の２５℃での引張弾性率が７．０ＧＰａ以下である請求項１～請求項１３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
　硬化してなる硬化物の熱膨張率が１５０ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１～請求項１４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
　請求項１～請求項１５のいずれか１項に記載の樹脂組成物を第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の有機絶縁膜の作製に用い、以下の工程（１）～工程（５）を経て半導体装置を製造する半導体装置の製造方法。
　工程（１）　第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられ前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板を準備する。
　工程（２）　第２基板本体と、前記第２基板本体の一面に設けられた前記第２有機絶縁膜及び複数の第２電極とを有する第２半導体基板を準備する。
　工程（３）　前記第２半導体基板を個片化し、前記第２有機絶縁膜の一部に対応する有機絶縁膜部分と少なくとも１つの前記第２電極とをそれぞれが備えた複数の半導体チップを取得する。
　工程（４）　前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分とを互いに貼り合わせる。
　工程（５）　前記第１半導体基板の前記第１電極と前記半導体チップの前記第２電極とを接合する。
　前記工程（４）において、前記半導体チップと前記第１半導体基板との温度差が１０℃以内となる温度で前記第１有機絶縁膜と前記有機絶縁膜部分とを貼り合わせる請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
　製造された半導体装置において、前記第１有機絶縁膜と前記有機絶縁膜部分との接合により形成された有機絶縁膜の厚さが０．１μｍ以上である請求項１６又は請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
　前記工程（１）が前記第１半導体基板の前記一面側を研磨する工程を含むこと、及び、前記工程（２）が前記第２半導体基板の前記一面側を研磨する工程を含むことの少なくとも一方を満たし、前記第１有機絶縁膜の研磨レートは、前記第１電極の研磨レートの０．１倍～５倍であること、及び、前記第２有機絶縁膜の研磨レートは、前記第２電極の研磨レートの０．１倍～５倍であることの少なくとも一方を満たす請求項１６～請求項１８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　前記第２絶縁膜の厚さは、前記第１絶縁膜の厚さよりも大きい請求項１６～請求項１９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　前記第２絶縁膜の厚さは、前記第１絶縁膜の厚さよりも小さい請求項１６～請求項１９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　請求項１～請求項１５のいずれか１項に記載の樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
　第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられた前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板と、
　半導体チップ基板本体と、前記半導体チップ基板本体の一面に設けられた有機絶縁膜部分及び第２電極とを有する半導体チップと、
　を備え、前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と、前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分と、が接合し、前記第１半導体基板の前記第１電極と、前記半導体チップの前記第２電極と、が接合し、
　前記第１有機絶縁膜及び前記有機絶縁膜部分の少なくとも一方が請求項１～請求項１５のいずれか１項に記載の樹脂組成物を硬化してなる有機絶縁膜である半導体装置。
　テトラカルボン酸二無水物と、Ｈ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物（式中、Ｙは２価の有機基である。）と、を３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミド中にて反応させポリアミド酸溶液を得る工程と、
　前記ポリアミド酸溶液に脱水縮合剤及びＲ－ＯＨで表される化合物（式中、Ｒは１価の有機基である。）を作用させる工程と、
　を含む、ポリイミド前駆体の合成方法。
　前記脱水縮合剤は、トリフルオロ酢酸無水物、Ｎ，Ｎ’－ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）及び１，３－ジイソプロピルカルボジイミド（ＤＩＣ）からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項２４に記載のポリイミド前駆体の合成方法。