JP2023039804A - 樹脂組成物、半導体装置の製造方法、硬化物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高温高湿条件下での銅の拡散を抑制可能な樹脂組成物を提供する。
【解決手段】ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール及びポリベンゾオキサゾール前駆体からなる群より選択される少なくとも１種のポリマー（Ａ）と、含窒素骨格及び有機ケイ素骨格を有する含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）と、を含む樹脂組成物。
【選択図】なし

Description

本開示は、樹脂組成物、半導体装置の製造方法、硬化物及び半導体装置に関する。

近年、ＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）の集積度を向上させるために半導体チップの三次元実装が検討されている。非特許文献１には、半導体チップの三次元実装の一例が開示されている。

Ｃ２Ｗ（Chip-to-Wafer）接合により半導体チップの三次元実装を行う場合において、デバイス同士の配線の微細接合を行うため、Ｗ２Ｗ（Wafer-to-Wafer）接合に用いられるハイブリッドボンディング技術を使うことが検討されている。

Ｃ２Ｗのハイブリッドボンディングでは、ボンディング時の加熱により基材、チップ等の熱膨張が要因となる位置ズレが発生するおそれがある。このような課題に対し、特許文献１では環状オレフィン系樹脂を用いることでボンディング温度を低温化できる技術の一例が開示されている。

特開２０１９－２０４８１８号公報

F.C. Chen et al., "System on Integrated Chips(SoIC TM) for 3D Heterogeneous Integration",2019 IEEE 69th Electronic Components and Technology Conference (ECTC),p.594-599(2019)

Ｃ２Ｗ（Chip-to-Wafer）接合、Ｗ２Ｗ（Wafer-to-Wafer）接合等により半導体チップの三次元実装を行う場合、銅を含む電極層及び樹脂組成物を硬化してなる硬化物である絶縁膜を有する基板同士、又は当該基板と、電極層及び絶縁膜を有するチップとを接合する。基板、チップ等を接合後に接合構造体がＨＡＳＴ試験等の高温高湿下に曝されることなどによって電極層、配線等の銅が絶縁膜中に拡散しやすくなり、絶縁性が低下するという問題がある。そこで、高温高湿条件下での銅の拡散を抑制可能な樹脂組成物が望まれている。

本開示は上記に鑑みてなされたものであり、高温高湿条件下での銅の拡散を抑制可能な樹脂組成物、前述の樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法、前述の樹脂組成物を硬化してなる硬化物、及び、前述の樹脂組成物を硬化してなる有機絶縁膜を備える半導体装置を提供することを目的とする。

前記課題を達成するための具体的手段は以下の通りである。
＜１＞ ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール及びポリベンゾオキサゾール前駆体からなる群より選択される少なくとも１種のポリマー（Ａ）と、
含窒素骨格及び有機ケイ素骨格を有する含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）と、
を含む樹脂組成物。
＜２＞ 前記含窒素骨格は、窒素原子を含む複素環構造を含む＜１＞に記載の樹脂組成物。
＜３＞ 前記ポリマー（Ａ）は、ポリイミド前駆体を含み、前記ポリイミド前駆体は、下記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物を含む＜１＞又は＜２＞に記載の樹脂組成物。

一般式（１）中、Ｘは４価の有機基を表し、Ｙは２価の有機基を表し、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の有機基を表す。
＜４＞ 前記一般式（１）中、前記Ｘで表される４価の有機基は、下記式（Ｅ）で表される基である＜３＞に記載の樹脂組成物。

式（Ｅ）において、Ｃは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。
＜５＞ 前記一般式（１）中、前記Ｙで表される２価の有機基は、下記式（Ｈ）で表される基である＜３＞又は＜４＞に記載の樹脂組成物。

式（Ｈ）において、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基又はハロゲン原子を表し、ｎは、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。Ｄは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。
＜６＞ 前記一般式（１）中、前記Ｒ^６及び前記Ｒ^７における前記１価の有機基は、下記一般式（２）で表される基、エチル基、イソブチル基又はｔ－ブチル基のいずれかである＜３＞～＜５＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。

一般式（２）中、Ｒ^８～Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、Ｒ^ｘは２価の連結基を表す。
＜７＞ 溶剤（Ｃ）をさらに含む＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
＜８＞ 前記溶剤（Ｃ）は下記式（３）～式（７）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含む＜７＞に記載の樹脂組成物。

式（３）～（７）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^８及びＲ^１０は、それぞれ独立に、炭素数１～４のアルキル基であり、Ｒ^３～Ｒ^７及びＲ^９は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～４のアルキル基である。ｓは０～８の整数であり、ｔは０～４の整数であり、ｒは０～４の整数であり、ｕは０～３の整数である。
＜９＞ （Ｄ）光重合開始剤及び（Ｅ）重合性モノマーをさらに含む＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。

＜１０＞ ＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物を第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の有機絶縁膜の作製に用い、以下の工程（１）～工程（５）を経て半導体装置を製造する半導体装置の製造方法。
工程（１） 第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられた前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板を準備する。
工程（２） 第２基板本体と、前記第２基板本体の一面に設けられた前記第２有機絶縁膜及び複数の第２電極とを有する第２半導体基板を準備する。
工程（３） 前記第２半導体基板を個片化し、前記第２有機絶縁膜の一部に対応する有機絶縁膜部分と少なくとも１つの前記第２電極とをそれぞれ備えた複数の半導体チップを取得する。
工程（４） 前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分とを互いに貼り合わせる。
工程（５） 前記第１半導体基板の前記第１電極と前記半導体チップの前記第２電極とを接合する。
＜１１＞ ＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
＜１２＞ 第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられた前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板と、
半導体チップ基板本体と、前記半導体チップ基板本体の一面に設けられた有機絶縁膜部分及び第２電極とを有する半導体チップと、
を備え、前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と、前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分と、が接合し、前記第１半導体基板の前記第１電極と、前記半導体チップの前記第２電極と、が接合し、
前記第１有機絶縁膜及び前記有機絶縁膜部分の少なくとも一方が＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物を硬化してなる有機絶縁膜である半導体装置。

本開示によれば、高温高湿条件下での銅の拡散を抑制可能な樹脂組成物、前述の樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法、前述の樹脂組成物を硬化してなる硬化物、及び、前述の樹脂組成物を硬化してなる有機絶縁膜を備える半導体装置を提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、図１に示す半導体装置を製造するための方法を順に示す図である。 図３は、図２に示す半導体装置の製造方法における接合方法をより詳細に示す図である。 図４は、図１に示す半導体装置を製造するための方法であり、図２に示す工程の後の工程を順に示す図である。 図５は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法をChip-to-Wafer（Ｃ２Ｗ）に適用した例を示す図である。 （Ａ）各実施例及び各比較例にて作製した銅質量測定試験用のサンプルを示す上面図であり、（Ｂ）（Ａ）のＡ－Ａ線断面図である。

以下、本開示を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。

本開示において「Ａ又はＢ」とは、ＡとＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。
本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
本開示において「～」を用いて示された数値範囲には、「～」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において、各成分には、該当する物質が複数種含まれていてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
本開示において「層」又は「膜」との語には、当該層又は膜が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
本開示において、層又は膜の厚さは、対象となる層又は膜の５点の厚さを測定し、その算術平均値として与えられる値とする。
層又は膜の厚さは、マイクロメーター等を用いて測定することができる。本開示において、層又は膜の厚さを直接測定可能な場合には、マイクロメーターを用いて測定する。一方、１つの層の厚さ又は複数の層の総厚さを測定する場合には、電子顕微鏡を用いて、測定対象の断面を観察することで測定してもよい。
本開示において「（メタ）アクリル基」とは、「アクリル基」及び「メタクリル基」を意味する。
本開示において官能基が置換基を有する場合、官能基中の炭素数は、置換基の炭素数も含んだ全体の炭素数を意味する。
本開示において実施形態を図面を参照して説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。

＜樹脂組成物＞
本開示の樹脂組成物は、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール及びポリベンゾオキサゾール前駆体からなる群より選択される少なくとも１種のポリマー（Ａ）と、含窒素骨格及び有機ケイ素骨格を有する含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）と、を含む。

本開示の樹脂組成物は、高温高湿条件下での銅の拡散が抑制可能である。この理由は、樹脂組成物に含まれる含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）は、防錆効果を発現し、銅の腐食を抑制したため、と推測される。含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）を含む樹脂組成物では、ベンゾトリアゾール等の防錆剤の使用量を削減できる。さらに、含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）を含む樹脂組成物は、基板等との接着性に優れ、シランカップリング剤の使用量も削減することができる。

本開示の樹脂組成物は、例えば、Ｃ２Ｗ（Chip-to-Wafer）接合、Ｗ２Ｗ（Wafer-to-Wafer）接合等のハイブリッドボンディング用途、接着層、絶縁層、再配線絶縁層等の形成用途に用いられ得る。

以下、本開示の樹脂組成物に含まれる成分及び含まれ得る成分について説明する。

［ポリマー（Ａ）］
本開示の樹脂組成物は、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール及びポリベンゾオキサゾール前駆体からなる群より選択される少なくとも１種のポリマー（Ａ）（以下、「（Ａ）成分」とも称する。）を含む。

ポリマー（Ａ）は、１種単独のポリマーであってもよく、２種以上のポリマーの組み合わせであってもよい。例えば、ポリマー（Ａ）は、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール又はポリベンゾオキサゾール前駆体を１種のみ用いたものであってもよく、ポリイミド及びポリイミド前駆体の組み合わせ又はポリベンゾオキサゾール及びポリベンゾオキサゾール前駆体の組み合わせであってもよい。

（ポリイミド）
ポリイミドとしては、イミド結合を含む構造単位を複数備える高分子化合物であれば特に限定されず、例えば、下記一般式（Ｘ）で表される構造単位を有する化合物を含むことが好ましい。これにより、高い信頼性を示す絶縁膜が得られる傾向がある。

一般式（Ｘ）中、Ｘは４価の有機基を表し、Ｙは２価の有機基を表す。一般式（Ｘ）における置換基Ｘ及びＹの好ましい例は、後述の一般式（１）における置換基Ｘ及びＹの好ましい例と同様である。
ポリイミドは、上記一般式（Ｘ）で表される構造単位を複数有していてもよく、複数の構造単位におけるＸ及びＹはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。

（ポリイミド前駆体）
ポリイミド前駆体は、ポリアミック酸、又はポリアミック酸における少なくとも一部のカルボキシ基の水素原子が１価の有機基に置換された化合物のいずれかに該当する化合物を意味する。ポリイミド前駆体は、重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体を含むことが好ましい。

ポリイミド前駆体は、下記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物を含むことが好ましい。これにより、高い信頼性を示す絶縁膜が得られる傾向がある。

一般式（１）中、Ｘは４価の有機基を表し、Ｙは２価の有機基を表す。Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の有機基を表す。
ポリイミド前駆体は、上記一般式（１）で表される構造単位を複数有していてもよく、複数の構造単位におけるＸ、Ｙ、Ｒ^６及びＲ^７はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
なお、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に水素原子、又は１価の有機基であればその組み合わせは特に限定されない。例えば、Ｒ^６及びＲ^７は、いずれも水素原子であってもよく、一方が水素原子かつ他方が後述する１価の有機基であってもよく、いずれも同じ又は互いに異なる１価の有機基であってもよい。前述のようにポリイミド前駆体が上記一般式（１）で表される構造単位を複数有する場合、各構造単位のＲ^６及びＲ^７の組み合わせはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。

一般式（１）において、Ｘで表される４価の有機基は、炭素数が４～２５であることが好ましく、５～１３であることがより好ましく、６～１２であることがさらに好ましい。
Ｘで表される４価の有機基は、芳香環を含んでもよい。芳香環としては、芳香族炭化水素基（例えば、芳香環を構成する炭素数は６～２０）、芳香族複素環式基（例えば、複素環を構成する原子数は５～２０）等が挙げられる。Ｘで表される４価の有機基は、芳香族炭化水素基であることが好ましい。芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環等が挙げられる。
Ｘで表される４価の有機基が芳香環を含む場合、各芳香環は、置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。芳香環の置換基としては、アルキル基、フッ素原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、アミノ基等が挙げられる。
Ｘで表される４価の有機基がベンゼン環を含む場合、Ｘで表される４価の有機基は１つ～４つのベンゼン環を含むことが好ましく、１つ～３つのベンゼン環を含むことがより好ましく、１つ又は２つのベンゼン環を含むことがさらに好ましい。
Ｘで表される４価の有機基が２つ以上のベンゼン環を含む場合、各ベンゼン環は、単結合により連結されていてもよいし、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）等の連結基、これら連結基を少なくとも２つ組み合わせた複合連結基などにより結合されていてもよい。また、２つのベンゼン環が単結合及び連結基の少なくとも一方により２箇所で結合されて、２つのベンゼン環の間に連結基を含む５員環又は６員環が形成されていてもよい。

一般式（１）において、Ｘで表される４価の有機基がベンゼン環を含む場合、－ＣＯＯＲ^６基と－ＣＯＮＨ－基とは互いにオルト位置にあることが好ましく、－ＣＯＯＲ^７基と－ＣＯ－基とは互いにオルト位置にあることが好ましい。

Ｘで表される４価の有機基の具体例としては、下記式（Ａ）～式（Ｆ）で表される基を挙げられる。中でも、柔軟性に優れた絶縁膜が得られる観点から、下記式（Ｅ）で表される基が好ましく、下記式（Ｅ）で表され、Ｃは、エーテル結合を含む基であることがより好ましく、エーテル結合であることがさらに好ましい。下記式（Ｆ）は、下記式（Ｅ）中のＣが単結合である構造である。
なお、本開示は下記具体例に限定されるものではない。

式（Ｄ）において、Ａ及びＢは、それぞれ独立に、単結合又はベンゼン環と共役しない２価の基である。ただし、Ａ及びＢの両方が単結合となることはない。ベンゼン環と共役しない２価の基としては、メチレン基、ハロゲン化メチレン基、ハロゲン化メチルメチレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）等が挙げられる。中でも、Ａ及びＢは、それぞれ独立に、メチレン基、ビス（トリフルオロメチル）メチレン基、ジフルオロメチレン基、エーテル結合、スルフィド結合等が好ましく、エーテル結合がより好ましい。

式（Ｅ）において、Ｃは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。Ｃは、エーテル結合を含むことが好ましく、エーテル結合であることが好ましい。
また、Ｃは、下記式（Ｃ１）で表される構造であってもよい。

式（Ｅ）におけるＣで表されるアルキレン基としては、炭素数が１～１０のアルキレン基であることが好ましく、炭素数が１～５のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のアルキレン基であることがさらに好ましい。
式（Ｅ）におけるＣで表されるアルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の直鎖状アルキレン基；メチルメチレン基、メチルエチレン基、エチルメチレン基、ジメチルメチレン基、１，１－ジメチルエチレン基、１－メチルトリメチレン基、２－メチルトリメチレン基、エチルエチレン基、１－メチルテトラメチレン基、２－メチルテトラメチレン基、１－エチルトリメチレン基、２－エチルトリメチレン基、１，１－ジメチルトリメチレン基、１，２－ジメチルトリメチレン基、２，２－ジメチルトリメチレン基、１－メチルペンタメチレン基、２－メチルペンタメチレン基、３－メチルペンタメチレン基、１－エチルテトラメチレン基、２－エチルテトラメチレン基、１，１－ジメチルテトラメチレン基、１，２－ジメチルテトラメチレン基、２，２－ジメチルテトラメチレン基、１，３－ジメチルテトラメチレン基、２，３－ジメチルテトラメチレン基、１，４－ジメチルテトラメチレン基等の分岐鎖状アルキレン基；などが挙げられる。これらの中でも、メチレン基が好ましい。

式（Ｅ）におけるＣで表されるハロゲン化アルキレン基としては、炭素数が１～１０のハロゲン化アルキレン基であることが好ましく、炭素数が１～５のハロゲン化アルキレン基であることがより好ましく、炭素数が１～３のハロゲン化アルキレン基であることがさらに好ましい。
式（Ｅ）におけるＣで表されるハロゲン化アルキレン基の具体例としては、上述の式（Ｅ）におけるＣで表されるアルキレン基に含まれる少なくとも１つの水素原子がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子で置換されたアルキレン基が挙げられる。これらの中でも、フルオロメチレン基、ジフルオロメチレン基、ヘキサフルオロジメチルメチレン基等が好ましい。

上記シリレン結合又はシロキサン結合に含まれるＲ^Ａ又はＲ^Ｂで表されるアルキル基としては、炭素数が１～５のアルキル基であることが好ましく、炭素数が１～３のアルキル基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のアルキル基であることがさらに好ましい。Ｒ^Ａ又はＲ^Ｂで表されるアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。

一般式（１）において、Ｙで表される２価の有機基は、炭素数が４～２５であることが好ましく、６～２０であることがより好ましく、１２～１８であることがさらに好ましい。
Ｙで表される２価の有機基は、２価の脂肪族基であってもよく、２価の芳香族基であってもよい。耐熱性の観点から、Ｙで表される２価の有機基は、２価の芳香族基であることが好ましい。２価の芳香族基としては、２価の芳香族炭化水素基（例えば、芳香環を構成する炭素数は６～２０）、２価の芳香族複素環式基（例えば、複素環を構成する原子数は５～２０）等が挙げられ、２価の芳香族炭化水素基が好ましい。

Ｙで表される２価の芳香族基の具体例としては、下記式（Ｇ）～下記式（Ｉ）で表される基を挙げることができる。中でも、柔軟性に優れた絶縁膜が得られる観点から、下記式（Ｈ）で表される基が好ましく、下記式（Ｈ）で表され、Ｄは、エーテル結合を含む基であることがより好ましく、エーテル結合であることがさらに好ましい。

式（Ｇ）～式（Ｉ）において、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基又はハロゲン原子を表し、ｎは、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。
式（Ｈ）において、Ｄは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。また、Ｄは、上記式（Ｃ１）で表される構造であってもよい。式（Ｈ）におけるＤの具体例は、式（Ｅ）におけるＣの具体例と同様である。
式（Ｈ）におけるＤとしては、エーテル結合、エーテル結合とフェニレン基とを含む基、エーテル結合とフェニレン基とアルキレン基とを含む基等であることが好ましい。

式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるアルキル基としては、炭素数が１～１０のアルキル基であることが好ましく、炭素数が１～５のアルキル基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のアルキル基であることがさらに好ましい。
式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。

式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるアルコキシ基としては、炭素数が１～１０のアルコキシ基であることが好ましく、炭素数が１～５のアルコキシ基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のアルコキシ基であることがさらに好ましい。
式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基等が挙げられる。

式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるハロゲン化アルキル基としては、炭素数が１～５のハロゲン化アルキル基であることが好ましく、炭素数が１～３のハロゲン化アルキル基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のハロゲン化アルキル基であることがさらに好ましい。
式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるハロゲン化アルキル基の具体例としては、式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるＲで表されるアルキル基に含まれる少なくとも１つの水素原子がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子で置換されたアルキル基が挙げられる。これらの中でも、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等が好ましい。

式（Ｇ）～式（Ｉ）におけるｎは、それぞれ独立に、０～２が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。

Ｙで表される２価の脂肪族基の具体例としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基、シクロアルキレン基、ポリアルキレンオキサイド構造を有する２価の基、ポリシロキサン構造を有する２価の基等が挙げられる。

Ｙで表される直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基としては、炭素数が１～２０のアルキレン基であることが好ましく、炭素数が１～１５のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数が１～１０のアルキレン基であることがさらに好ましい。
Ｙで表されるアルキレン基の具体例としては、テトラメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、２－メチルペンタメチレン基、２－メチルヘキサメチレン基、２－メチルヘプタメチレン基、２－メチルオクタメチレン基、２－メチルノナメチレン基、２－メチルデカメチレン基等が挙げられる。

Ｙで表されるシクロアルキレン基としては、炭素数が３～１０のシクロアルキレン基であることが好ましく、炭素数が３～６のシクロアルキレン基であることがより好ましい。
Ｙで表されるシクロアルキレン基の具体例としては、シクロプロピレン基、シクロヘキシレン基等が挙げられる。

Ｙで表されるポリアルキレンオキサイド構造を有する２価の基に含まれる単位構造としては、炭素数１～１０のアルキレンオキサイド構造が好ましく、炭素数１～８のアルキレンオキサイド構造がより好ましく、炭素数１～４のアルキレンオキサイド構造がさらに好ましい。なかでも、ポリアルキレンオキサイド構造としてはポリエチレンオキサイド構造又はポリプロピレンオキサイド構造が好ましい。アルキレンオキサイド構造中のアルキレン基は直鎖状であっても分岐状であってもよい。ポリアルキレンオキサイド構造中の単位構造は１種類でもよく、２種類以上であってもよい。

Ｙで表されるポリシロキサン構造を有する２価の基としては、ポリシロキサン構造中のケイ素原子が水素原子、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数６～１８のアリール基と結合しているポリシロキサン構造を有する２価の基が挙げられる。
ポリシロキサン構造中のケイ素原子と結合する炭素数１～２０のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－ドデシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基が好ましい。
ポリシロキサン構造中のケイ素原子と結合する炭素数６～１８のアリール基は、無置換でも置換基で置換されていてもよい。アリール基が置換基を有する場合の置換基の具体例としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基等が挙げられる。炭素数６～１８のアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。これらの中でも、フェニル基が好ましい。
ポリシロキサン構造中の炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数６～１８のアリール基は、１種類でもよく、２種類以上であってもよい。
Ｙで表されるポリシロキサン構造を有する２価の基を構成するケイ素原子は、メチレン基、エチレン基等のアルキレン基、フェニレン基等のアリーレン基などを介して一般式（１）中のＮＨ基と結合していてもよい。

式（Ｉ）で表される基は、下記式（Ｉ’）で表される基であることが好ましい。

式（Ｉ’）中、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基又はハロゲン原子を表す。Ｒは、好ましくはアルキル基であり、より好ましくはメチル基である。

一般式（１）における、Ｘで表される４価の有機基とＹで表される２価の有機基との組み合わせは特に限定されない。Ｘで表される４価の有機基とＹで表される２価の有機基との組み合わせとしては、Ｘが式（Ｅ）で表される基であり、Ｙが式（Ｈ）で表される基の組み合わせ；Ｘが式（Ｅ）で表される基であり、Ｙが式（Ｉ）で表される基の組み合わせ；Ｘが式（Ｅ）で表される基であり、Ｙが式（Ｇ）で表される基及び式（Ｈ）で表される基の組み合わせ等が挙げられる。

Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、炭素数１～４の脂肪族炭化水素基又は不飽和二重結合を有する有機基であることが好ましく、下記一般式（２）で表される基、エチル基、イソブチル基又はｔ－ブチル基のいずれかであることがより好ましく、炭素数１若しくは２の脂肪族炭化水素基又は下記一般式（２）で表される基を含むことがさらに好ましく、下記一般式（２）で表される基を含むことが特に好ましい。特に１価の有機基が不飽和二重結合を有する有機基、好ましくは下記一般式（２）で表される基を含むことでｉ線の透過率が高く、４００℃以下の低温硬化時にも良好な硬化物を形成できる傾向にある。
炭素数１～４の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられ、中でも、エチル基、イソブチル基及びｔ－ブチル基が好ましい。

一般式（２）中、Ｒ^８～Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、Ｒ^ｘは２価の連結基を表す。

一般式（２）におけるＲ^８～Ｒ^１０で表される脂肪族炭化水素基の炭素数は１～３であり、１又は２であることが好ましい。Ｒ^８～Ｒ^１０で表される脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基等が挙げられ、メチル基が好ましい。

一般式（２）におけるＲ^８～Ｒ^１０の組み合わせとしては、Ｒ^８及びＲ^９が水素原子であり、Ｒ^１０が水素原子又はメチル基の組み合わせが好ましい。

一般式（２）におけるＲ^ｘは、２価の連結基であり、好ましくは、炭素数１～１０の炭化水素基であることが好ましい。炭素数１～１０の炭化水素基としては、例えば、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が挙げられる。
Ｒ^ｘにおける炭素数は、１つ～１０つが好ましく、２つ～５つがより好ましく、２つ又は３つがさらに好ましい。

一般式（１）においては、Ｒ^６及びＲ^７の少なくとも一方が、前記一般式（２）で表される基であることが好ましく、Ｒ^６及びＲ^７の両方が前記一般式（２）で表される基であることがより好ましい。

（Ａ）成分が前述の一般式（１）で表される構造単位を有する化合物を含む場合、当該化合物に含有される全構造単位のＲ^６及びＲ^７の合計に対する一般式（２）で表される基であるＲ^６及びＲ^７の割合は、６０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上がより好ましく、８０モル％以上がさらに好ましい。上限は特に限定されず、１００モル％でもよい。
なお、前述の割合は、０モル％以上６０モル％未満であってもよい。

一般式（２）で表される基は、下記一般式（２’）で表される基であることが好ましい。

一般式（２’）中、Ｒ^８～Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、ｑは１～１０の整数を表す。

一般式（２’）におけるｑは１～１０の整数であり、２～５の整数であることが好ましく、２又は３であることがより好ましい。

一般式（１）で表される構造単位を有する化合物に含まれる一般式（１）で表される構造単位の含有率は、全構造単位に対して、６０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上がより好ましく、８０モル％以上がさらに好ましい。前述の含有率の上限は特に限定されず、１００モル％でもよい。

（Ａ）成分がポリイミド又はポリイミド前駆体である場合、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミン化合物とを用いて合成されたものであってもよい。この場合、一般式（Ｘ）又は一般式（１）において、Ｘは、テトラカルボン酸二無水物由来の残基に該当し、Ｙは、ジアミン化合物由来の残基に該当する。なお、（Ａ）成分は、テトラカルボン酸二無水物に替えて、テトラカルボン酸を用いて合成されたものであってもよい。

テトラカルボン酸二無水物の具体例としては、ピロメリット酸二無水物、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６－ピリジンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ｍ－ターフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ｐ－ターフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス｛４’－（２，３－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン二無水物、２，２－ビス｛４’－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン二無水物、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス｛４’－（２，３－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン二無水物、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス｛４’－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン二無水物、４，４’－オキシジフタル酸二無水物、４，４’－スルホニルジフタル酸二無水物、９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二無水物等が挙げられる。
テトラカルボン酸二無水物は、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。

２，２’－ジメチルビフェニル－４，４’－ジアミン
ジアミン化合物の具体例としては、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジフルオロ－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチルビフェニル－４，４’－ジアミン、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、ｐ－キシリレンジアミン、ｍ－キシリレンジアミン、１，５－ジアミノナフタレン、ベンジジン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジアミノジフェニルエーテル、２，４’－ジアミノジフェニルエーテル、２，２’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、２，４’－ジアミノジフェニルスルホン、２，２’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、２，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、２，２’－ジアミノジフェニルスルフィド、ｏ－トリジン、ｏ－トリジンスルホン、４，４’－メチレンビス（２，６－ジエチルアニリン）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジイソプロピルアニリン）、２，４－ジアミノメシチレン、１，５－ジアミノナフタレン、４，４’－ベンゾフェノンジアミン、ビス－｛４－（４’－アミノフェノキシ）フェニル｝スルホン、２，２－ビス｛４－（４’－アミノフェノキシ）フェニル｝プロパン、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’－テトラメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、ビス｛４－（３’－アミノフェノキシ）フェニル｝スルホン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ジアミノブタン、１，６－ジアミノヘキサン、１，７－ジアミノヘプタン、１，８－ジアミノオクタン、１，９－ジアミノノナン、１，１０－ジアミノデカン、１，１１－ジアミノウンデカン、１，１２－ジアミノドデカン、２－メチル－１，５－ジアミノペンタン、２－メチル－１，６－ジアミノヘキサン、２－メチル－１，７－ジアミノヘプタン、２－メチル－１，８－ジアミノオクタン、２－メチル－１，９－ジアミノノナン、２－メチル－１，１０－ジアミノデカン、１，４－シクロヘキサンジアミン、１，３－シクロヘキサンジアミン、ジアミノポリシロキサン等が挙げられる。ジアミン化合物としては、ｍ－フェニレンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル及び２，２’－ジメチルビフェニル－４，４’－ジアミンが好ましい。
ジアミン化合物は、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。

一般式（１）で表される構造単位を有し、且つ一般式（１）中のＲ^６及びＲ^７の少なくとも一方は１価の有機基である化合物は、例えば、下記一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物とＲ－ＯＨで表される化合物とを、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等の有機溶剤中にて反応させジエステル誘導体とした後、ジエステル誘導体とＨ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物とを縮合反応させるか、または、テトラカルボン酸二無水物とＨ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物とを有機溶剤中にて反応させポリアミック酸を得て、Ｒ－ＯＨで表される化合物を加え、有機溶剤中で反応させエステル基を導入することで、得ることができる。
ここで、Ｈ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物におけるＹは、一般式（１）におけるＹと同様であり、具体例及び好ましい例も同様である。また、Ｒ－ＯＨで表される化合物におけるＲは、１価の有機基を表し、具体例及び好ましい例は、一般式（１）におけるＲ^６及びＲ^７の場合と同様である。
一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物、Ｈ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物及びＲ－ＯＨで表される化合物は、各々、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
（Ａ）成分に含まれる前述の化合物は、下記一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物にＲ－ＯＨで表される化合物を作用させてジエステル誘導体とした後、塩化チオニル等の塩素化剤を作用させて酸塩化物に変換し、次いで、Ｈ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物と酸塩化物とを反応させることで得ることができる。
（Ａ）成分に含まれる前述の化合物は、下記一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物にＲ－ＯＨで表される化合物を作用させてジエステル誘導体とした後、カルボジイミド化合物の存在下でＨ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物とジエステル誘導体とを反応させることで得ることができる。
（Ａ）成分に含まれる前述の化合物は、下記一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物とＨ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物とを反応させてポリアミック酸とした後、トリフルオロ酢酸無水物の存在下でポリアミック酸をイソイミド化し、次いでＲ－ＯＨで表される化合物を作用させて得ることができる。あるいは、テトラカルボン酸二無水物の一部に予めＲ－ＯＨで表される化合物を作用させて、部分的にエステル化されたテトラカルボン酸二無水物とＨ_２Ｎ－Ｙ－ＮＨ_２で表されるジアミン化合物とを反応させてもよい。

一般式（８）において、Ｘは、一般式（１）におけるＸと同様であり、具体例及び好ましい例も同様である。

（Ａ）成分に含まれる前述の化合物の合成に用いられるＲ－ＯＨで表される化合物としては、一般式（２）で表される基のＲ^ｘにヒドロキシ基が結合した化合物、一般式（２’）で表される基の末端メチレン基にヒドロキシ基が結合した化合物等であってもよい。Ｒ－ＯＨで表される化合物の具体例としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル、アクリル酸２－ヒドロキシエチル、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル、アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、メタクリル酸２－ヒドロキシプロピル、アクリル酸２－ヒドロキシブチル、メタクリル酸２－ヒドロキシブチル、アクリル酸４－ヒドロキシブチル、メタクリル酸４－ヒドロキシブチル等が挙げられ、中でも、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル及びアクリル酸２－ヒドロキシエチルが好ましい。

（ポリベンゾオキサゾール）
ポリベンゾオキサゾールは、ベンゾオキサゾール構造を構造単位中に含むポリマーを意味する。
ポリベンゾオキサゾールは、下記一般式（Ｚ－１）で表される構造単位を有する化合物を含むことが好ましい。

一般式（Ｚ－１）中、Ｕは単結合又は２価の連結基を表し、Ｗは２価の連結基を表す。
ポリベンゾオキサゾールは、上記一般式（Ｚ－１）で表される構造単位を複数有していてもよく、複数の構造単位におけるＵ及びＷはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。

ポリベンゾオキサゾールは、例えば、ジカルボン酸とジアミノジヒドロキシ化合物との環化反応（縮合重合反応）により得られる。
ジカルボン酸としては、特に制限されず、例えば、テレフタル酸（ベンゼン－１，４－ジカルボン酸）、イソフタル酸（ベンゼン－１，３－ジカルボン酸）、フタル酸（ベンゼン－１，２－ジカルボン酸）、４，４’－ジカルボキシジフェニルメタン、４，４’－ジカルボキシジフェニルエーテル、４，４’－ジカルボキシビフェニル及び２，２－（４，４’－ジカルボキシジフェニル）プロパンが挙げられる。
ジアミノジヒドロキシ化合物としては、特に制限されず、例えば、１，３－ジアミノ－４，６－ジヒドロキシベンゼン、３，３’－ジアミノ－４，４’－ジヒドロキシビフェニル、３，３’－ジアミノ－４，４’－ジヒドロキシジフェニルエーテル、３，３’－ジアミノ－４，４’－ジヒドロキシジフェニルメタン及び２，２－（３，３’－ジアミノ－４，４’－ジヒドロキシジフェニル）プロパンが挙げられる。

（ポリベンゾオキサゾール前駆体）
ポリベンゾオキサゾール前駆体は、ポリヒドロキシアミドであり、例えば、下記一般式（Ｚ－２）で表される構造単位を有する化合物を含むことが好ましい。これにより、高い信頼性を示す絶縁膜が得られる傾向がある。

一般式（Ｚ－２）中、Ｕは単結合又は２価の連結基を表し、Ｗは２価の連結基を表す。
ポリベンゾオキサゾール前駆体は、上記一般式（Ｚ－２）で表される構造単位を複数有していてもよく、複数の構造単位におけるＵ及びＷはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。

ポリベンゾオキサゾール前駆体は、例えば、ジカルボン酸とジアミノジヒドロキシ化合物との縮合重合反応により得られる。ジカルボン酸及びジアミノジヒドロキシ化合物の例としては、前述のポリベンゾオキサゾールの項目にて例示したジカルボン酸及びジアミノジヒドロキシ化合物が挙げられる。

（Ａ）成分の分子量には特に制限はなく、例えば、重量平均分子量で１０，０００～２００，０００であることが好ましく、１０，０００～１００，０００であることがより好ましい。
重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によって測定することができ、標準ポリスチレン検量線を用いて換算することによって求めることができる。

本開示の樹脂組成物は、（Ａ）成分以外の樹脂成分を含んでいてもよい。例えば、耐熱性の観点から、本開示の樹脂組成物は、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等のその他の樹脂を含んでいてもよい。その他の樹脂は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

本開示の樹脂組成物では、樹脂成分全量に対する（Ａ）成分の含有率は、５０質量％～１００質量％であることが好ましく、７０質量％～１００質量％であることがより好ましく、９０質量％～１００質量％であることがさらに好ましい。

（含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ））
本開示の樹脂組成物は、含窒素骨格及び有機ケイ素骨格を有する含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）（以下、「（Ｂ）成分」とも称する。）を含む。

含窒素骨格としては、１つ以上の窒素原子を含む骨格であれば特に限定されず、例えば、窒素原子を含む複素環構造であることが好ましい。窒素原子を含む複素環構造としては、ベンゾトリアゾール基、トリアゾール基、ピラゾール基、テトラゾール基、ベンゾイミダゾール基、イミダゾール基、プリン基等が挙げられる。中でも、ベンゾトリアゾール基が好ましい。窒素原子を含む複素環構造では、複素環に結合する水素原子が他の原子又は官能基に置換されていてもよい。

有機ケイ素骨格としては、１つ以上のケイ素原子に有機基が結合した構造が挙げられる。有機基としては、置換基を有していてもよい、アルコキシ基、アルキル基等が挙げられる。

有機ケイ素骨格としては、例えば、トリアルキルシリル基、トリアルコキシシリル基、アルキルジアルコキシシリル基及びジアルキルアルコキシシリル基が挙げられる。

トリアルキルシリル基、アルキルジアルコキシシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基等を構成するアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。トリアルキルシリル基を構成する３つのアルキル基及びジアルキルアルコキシシリル基を構成する２つのアルキル基は、それぞれ独立に同じであってもよく、異なっていてもよい。

トリアルコキシシリル基、アルキルジアルコキシシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基等を構成するアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。トリアルコキシシリル基を構成する３つのアルコキシ基及びアルキルジアルコキシシリル基を構成する２つのアルコキシ基は、それぞれ独立に同じであってもよく、異なっていてもよい。

（Ｂ）成分は、含窒素骨格と、有機ケイ素骨格とが単結合又は２価の連結基を介して結合した化合物であることが好ましく、窒素原子を含む複素環構造と、有機ケイ素骨格とが単結合又は２価の連結基を介して結合した化合物であることがより好ましく、ベンゾトリアゾール基と、トリアルキルシリル基、トリアルコキシシリル基、アルキルジアルコキシシリル基又はジアルキルアルコキシシリル基とが単結合又は２価の連結基を介して結合した化合物であることがさらに好ましい。

本開示の樹脂組成物では、（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部であってもよく、０．５質量部～１５質量部であってもよく、１質量部～１０質量部であってもよい。

（溶剤（Ｃ））
本開示の樹脂組成物は溶剤（Ｃ）（以下、「（Ｃ）成分」とも称する。）を含んでいてもよい。（Ｃ）成分は、例えば、樹脂組成物の生殖毒性及び環境負荷を低減させる観点から、下記式（３）～式（７）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましく、下記式（３）～式（６）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含むことがより好ましい。

式（３）～（７）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^８及びＲ^１０は、それぞれ独立に、炭素数１～４のアルキル基であり、Ｒ^３～Ｒ^７及びＲ^９は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～４のアルキル基である。ｓは０～８の整数であり、ｔは０～４の整数であり、ｒは０～４の整数であり、ｕは０～３の整数である。

式（３）において、ｓは、好ましくは０である。
式（４）において、Ｒ^２の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基又はエチル基である。ｔは好ましくは０、１又は２であり、より好ましくは１である。
式（５）において、Ｒ^３の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基である。Ｒ^４及びＲ^５の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基又はエチル基である。
式（６）において、Ｒ^６～Ｒ^８の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基又はエチル基である。ｒは好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。
式（７）において、Ｒ^９及びＲ^１０の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基又はエチル基である。ｕは好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。

（Ｃ）成分は、例えば、式（４）、（５）及び（６）で表される化合物の内の少なくとも一種であってもよく、式（５）で表される化合物又は式（７）で表される化合物であってもよい。

（Ｃ）成分の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。

本開示の樹脂組成物に含まれる（Ｃ）成分としては、前述の化合物に限定されず、他の溶剤であってもよい。（Ｃ）成分は、エステル類の溶剤、エーテル類の溶剤、ケトン類の溶剤、炭化水素類の溶剤、芳香族炭化水素類の溶剤、スルホキシド類の溶剤等であってもよい。

エステル類の溶剤としては、酢酸エチル、酢酸－ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸イソブチル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン、δ－バレロラクトン、アルコキシ酢酸メチル、アルコキシ酢酸エチル、アルコキシ酢酸ブチル等のアルコキシ酢酸アルキル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル及びエトキシ酢酸エチル）、３－アルコキシプロピオン酸メチル、３－アルコキシプロピオン酸エチル等の３－アルコキシプロピオン酸アルキルエステル（例えば、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル及び３－エトキシプロピオン酸エチル）、２－アルコキシプロピオン酸メチル、２－アルコキシプロピオン酸エチル、２－アルコキシプロピオン酸プロピル等の２－アルコキシプロピオン酸アルキルエステル（例えば、２－メトキシプロピオン酸メチル、２－メトキシプロピオン酸エチル、２－メトキシプロピオン酸プロピル、２－エトキシプロピオン酸メチル及び２－エトキシプロピオン酸エチル）、２－メトキシ－２－メチルプロピオン酸メチル等の２－アルコキシ－２－メチルプロピオン酸メチル、２－エトキシ－２－メチルプロピオン酸エチル等の２－アルコキシ－２－メチルプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２－オキソブタン酸メチル、２－オキソブタン酸エチル等が挙げられる。

エーテル類の溶剤としては、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等が挙げられる。
ケトン類の溶剤として、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２－ヘプタノン、３－ヘプタノン等が挙げられる。
炭化水素類の溶剤としては、リモネン等が挙げられる。
芳香族炭化水素類の溶剤として、トルエン、キシレン、アニソール等が挙げられる。
スルホキシド類の溶剤として、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。

（Ｃ）成分の溶剤として、好ましくはγ－ブチロラクトン、シクロペンタノン、乳酸エチル等が挙げられる。

本開示の樹脂組成物において、生殖毒性等の毒性を低減する観点から、ＮＭＰの含有率は、樹脂組成物の全量に対して１質量％以下であってもよく、（Ａ）成分の全量に対して３質量％以下であってもよい。

本開示の樹脂組成物において、（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して５０質量部～１００００質量部であることが好ましい。

（Ｃ）成分は、式（３）～式（６）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一種である溶剤（１）並びにエステル類の溶剤、エーテル類の溶剤、ケトン類の溶剤、炭化水素類の溶剤、芳香族炭化水素類の溶剤、及びスルホキシド類の溶剤からなる群より選択される少なくとも一種である溶剤（２）の少なくとも一方を含んでいることが好ましい。
また、溶剤（１）の含有率は、溶剤（１）及び溶剤（２）の合計に対して、５質量％～１００質量％であってもよく、５質量％～５０質量％であってもよい。
溶剤（１）の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、１０質量部～１０００質量部であってもよく、１０質量部～１００質量部であってもよく、１０質量部～５０質量部であってもよい。

本開示の樹脂組成物は、光重合開始剤（Ｄ）及び重合性モノマー（Ｅ）（それぞれ、以下（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分とも称する。）をさらに含むことが好ましい。また、本開示の樹脂組成物は、熱重合開始剤（Ｆ）（以下、（Ｆ）成分とも称する。）をさらに含んでいてもよい。以下、（Ｄ）成分～（Ｆ）成分の好ましい形態について説明する。

（光重合開始剤（Ｄ））
本開示の樹脂組成物は、光重合開始剤（Ｄ）を含むことが好ましい。これにより、半導体装置を作製する工程の中で電極を作製する工程数を低減することができ、半導体装置を作製する際のプロセス全体のコストを低減することができる。

（Ｄ）成分の具体例としては、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’－テトラメチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’－テトラエチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、４－クロロベンゾフェノン、４，４’－ジメトキシベンゾフェノン、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、ｏ－ベンゾイル安息香酸メチル、４－ベンゾイル－４’－メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等のベンゾフェノン誘導体；アセトフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、３’－メチルアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン誘導体；チオキサントン、２－メチルチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン、２－クロロチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン誘導体；ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル－β－メトキシエチルアセタール等のベンジル誘導体；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン、プロピルベンゾイン等のベンゾイン誘導体；１－フェニル－１，２－ブタンジオン－２－（Ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－ベンゾイル）オキシム、１，３－ジフェニルプロパントリオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－３－エトキシプロパントリオン－２－（Ｏ－ベンゾイル）オキシム、１，２－オクタンジオン，１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－，２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）等のオキシム誘導体；Ｎ－フェニルグリシン等のＮ－アリールグリシン類；ベンゾイルパークロライド等の過酸化物類；２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－又はｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の芳香族ビイミダゾール類；２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド誘導体等、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ０３（ＢＡＳＦ社製）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ０４（ＢＡＳＦ社製）などが挙げられる。
（Ｄ）成分は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
これらの中でも、金属元素を含まず、且つ反応性が高く高感度の観点からオキシム化合物誘導体が好ましい。

本開示の樹脂組成物が（Ｄ）成分を含む場合、（Ｄ）成分の含有量は、光架橋が膜厚方向で均一となりやすい観点から、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部が好ましく、０．１質量部～１０質量部がより好ましく、０．１質量部～６質量部がさらに好ましい。

本開示の樹脂組成物は、感光特性向上の観点から、基板方向からの反射光を抑制する反射防止剤を含んでもよい。

（重合性モノマー（Ｅ））
本開示の樹脂組成物は、重合性モノマー（Ｅ）を含むことが好ましい。（Ｅ）成分は、重合性の不飽和二重結合を含む基を少なくとも１つ有することが好ましく、光重合開始剤との併用によって好適に重合可能である観点から、（メタ）アクリル基を少なくとも１つ有することがより好ましい。架橋密度の向上及び光感度の向上の観点から、重合性の不飽和二重結合を含む基を、２つ～６つ有することが好ましく、２つ～４つ有することがより好ましい。
重合性モノマーは、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

（メタ）アクリル基を有する重合性モノマーとしては、特に限定されず、例えば、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、１，４－ブタンジオールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、１，４－ブタンジオールジメタクリレート、１，６－ヘキサンジオールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリメタクリレート、アクリロイルオキシエチルイソシアヌレート、メタクリロイルオキシエチルイソシアヌレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、１，３－ビス（（メタ）アクリロイルオキシ）－２－ヒドロキシプロパン、エチレンオキシド（ＥＯ）変性ビスフェノールＡジアクリレート及びエチレンオキシド（ＥＯ）変性ビスフェノールＡジメタクリレートが挙げられる。

（メタ）アクリル基を有する重合性モノマー以外の重合性モノマーとしては、特に限定されず、例えば、スチレン、ジビニルベンゼン、４－ビニルトルエン、４－ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピロリドン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド及びＮ－メチロールアクリルアミドが挙げられる。

（Ｅ）成分は、重合性の不飽和二重結合を含む基を有する化合物に限定されず、不飽和二重結合基以外の重合性基（例えば、オキシラン環）を有する化合物であってもよい。

本開示の樹脂組成物が（Ｅ）成分を含む場合、（Ｅ）成分の含有量は特に限定されず、（Ａ）成分１００質量部に対して、１質量部～１００質量部であることが好ましく、１質量部～７５質量部であることがより好ましく、１質量部～５０質量部であることがさらに好ましい。

（熱重合開始剤（Ｆ））
本開示の樹脂組成物は、硬化物の物性を向上させる観点から、熱重合開始剤（Ｆ）を含むことが好ましい。

（Ｆ）成分の具体例としては、メチルエチルケトンペルオキシド等のケトンペルオキシド、１，１－ジ（ｔ－ヘキシルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ジ（ｔ－ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）シクロヘキサン等のパーオキシケタール、１，１，３，３－テトラメチルブチルハイドロペルオキシド、クメンハイドロペルオキシド、ｐ－メンタンハイドロペルオキシド、ジイソプロピルベンゼンハイドロペルオキシド等のハイドロペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ジ－ｔ－ブチルペルオキシド等のジアルキルペルオキシド、ジラウロイルペルオキシド、ジベンゾイルペルオキシド等のジアシルペルオキシド、ジ（４－ｔ－ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ（２－エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート等のパーオキシジカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート等のパーオキシエステル、ビス（１－フェニル－１－メチルエチル）ペルオキシドなどが挙げられる。熱重合開始剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

本開示の樹脂組成物が（Ｆ）成分を含む場合、（Ｆ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部であってもよく、１質量部～１５質量部であってもよく、５質量部～１０質量部であってもよい。

（重合禁止剤（Ｇ））
本開示の樹脂組成物は、良好な保存安定性を確保する観点から、重合禁止剤（Ｇ）（以下、「（Ｇ）成分」とも称する。）を含んでいてもよい。重合禁止剤としては、ラジカル重合禁止剤、ラジカル重合抑制剤等が挙げられる。

（Ｇ）成分の具体例としては、ｐ－メトキシフェノール、ジフェニル－ｐ－ベンゾキノン、ベンゾキノン、ハイドロキノン、ピロガロール、フェノチアジン、レゾルシノール、オルトジニトロベンゼン、パラジニトロベンゼン、メタジニトロベンゼン、フェナントラキノン、Ｎ－フェニル－２－ナフチルアミン、クペロン、２，５－トルキノン、タンニン酸、パラベンジルアミノフェノール、ニトロソアミン類、ヒンダードフェノール系化合物等が挙げられる。重合禁止剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。２以上の重合禁止剤を組み合わせることで反応性の違いから、感光特性を調整しやすい傾向にある。ヒンダードフェノール系化合物は、重合禁止剤の機能及び後述の酸化防止剤の機能の両方を有していてもよく、どちらか一方の機能を有していてもよい。

本開示の樹脂組成物が（Ｇ）成分を含む場合、（Ｇ）成分の含有量は、樹脂組成物の保存安定性及び得られる硬化物の耐熱性の観点から、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．０１質量部～３０質量部であることが好ましく、０．０１質量部～１０質量部であることがより好ましく、０．０５質量部～５質量部であることがさらに好ましい。

本開示の樹脂組成物は、さらに、酸化防止剤、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、防錆剤又は含窒素化合物を含んでもよい。

（酸化防止剤）
本開示の樹脂組成物は、高温保存、リフロー処理等で発生する酸素ラジカル及び過酸化物ラジカルを捕捉することで、接着性の低下を抑制できる観点から、酸化防止剤を含んでいてもよい。本開示の樹脂組成物が酸化防止剤を含むことで、絶縁信頼性試験時の電極の酸化を抑制することができる。

酸化防止剤の具体例としては、Ｎ，Ｎ’－ビス［２－［２－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）エチルカルボニルオキシ］エチル］オキサミド、Ｎ，Ｎ’－ビス－３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４’－ヒドロキシフェニル）プロピオニルヘキサメチレンジアミン、１、３、５－トリス（３－ヒドロキシ－４－ｔｅｒｔ－ブチル－２，６－ジメチルベンジル）－１、３、５－トリアジン－２、４、６（１Ｈ、３Ｈ、５Ｈ）－トリオン、
２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，５－ジ－ｔ－ブチル－ハイドロキノン、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネ－ト、４、４’－メチレンビス（２、６－ジ－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－チオ－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－ブチリデン－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、トリエチレングリコール－ビス［３－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２－チオ－ジエチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレンビス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロシンナマミド）、イソオクチル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１，３，５－トリス［４－トリエチルメチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、２，２’－メチレン－ビス（４－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレン－ビス（４－エチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、
トリス－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－イソシアヌレイト、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－イソプロピルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｓ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス［４－（１－エチルプロピル）－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、
ペンタエリスリチル－テトラキス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６－ヘキサンジオール－ビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５，６－トリメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５－エチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５，６－ジエチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、
１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５‐エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－フェニルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、及び
１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）イソシアヌル酸等が挙げられる。
酸化防止剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

本開示の樹脂組成物が酸化防止剤を含む場合、酸化防止剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部であることが好ましく、０．１質量部～１０質量部であることがより好ましく、０．１質量部～５質量部であることがさらに好ましい。

（カップリング剤）
本開示の樹脂組成物は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤は、加熱処理において、（Ａ）成分と反応して架橋する、又はカップリング剤自体が重合する。これにより、得られる硬化物と基板との接着性をより向上させることができる傾向にある。

カップリング剤の具体例は特に限定されるものではない。カップリング剤としては、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル－３－ピペリジノプロピルシラン、ジエトキシ－３－グリシドキシプロピルメチルシラン、Ｎ－（３－ジエトキシメチルシリルプロピル）スクシンイミド、Ｎ－〔３－（トリエトキシシリル）プロピル〕フタルアミド酸、ベンゾフェノン－３，３’－ビス（Ｎ－〔３－トリエトキシシリル〕プロピルアミド）－４，４’－ジカルボン酸、ベンゼン－１，４－ビス（Ｎ－〔３－トリエトキシシリル〕プロピルアミド）－２，５－ジカルボン酸、３－（トリエトキシシリル）プロピルスクシニックアンハイドライド、Ｎ－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤；アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等のアルミニウム系接着助剤；などが挙げられる。
カップリング剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

本開示の樹脂組成物がカップリング剤を含む場合、カップリング剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部が好ましく、０．３質量部～１０質量部がより好ましく、１質量部～１０質量部がさらに好ましい。
本開示の樹脂組成物では、カップリング剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．５質量部以下であってもよく、０．３質量部以下であってもよく、０．１質量部以下であってもよい。本開示の樹脂組成物では、含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）を含むことによって硬化物と基板との接着性を向上させることが可能となるため、カップリング剤の量を削減することが可能である。
本開示において、含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）はカップリング剤に分類しないものとする。

（界面活性剤及びレベリング剤）
本開示の樹脂組成物は、界面活性剤及びレベリング剤の少なくとも一方を含んでもよい。樹脂組成物が界面活性剤及びレベリング剤の少なくとも一方を含むことにより、塗布性（例えばストリエーション（膜厚のムラ）の抑制）、接着性の改善、樹脂組成物中の化合物の相溶性等を向上させることができる。

界面活性剤又はレベリング剤としては、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル等が挙げられる。

界面活性剤及びレベリング剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

本開示の樹脂組成物が界面活性剤及びレベリング剤の少なくとも一方を含む場合、界面活性剤及びレベリング剤の合計の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０１質量部～１０質量部であることが好ましく、０．０５質量部～５質量部であることがより好ましく、０．０５質量部～３質量部であることがさらに好ましい。

（防錆剤）
本開示の樹脂組成物は、銅、銅合金等の金属の腐食を抑制する観点、及び、当該金属の変色を抑制する観点から、防錆剤を含んでもよい。防錆剤としては、アゾール化合物、プリン誘導体等が挙げられる。

アゾール化合物の具体例としては、１Ｈ－トリアゾール、５－メチル－１Ｈ－トリアゾール、５－エチル－１Ｈ－トリアゾール、４，５－ジメチル－１Ｈ－トリアゾール、５－フェニル－１Ｈ－トリアゾール、４－ｔ－ブチル－５－フェニル－１Ｈ－トリアゾール、５－ヒロキシフェニル－１Ｈ－トリアゾール、フェニルトリアゾール、ｐ－エトキシフェニルトリアゾール、５－フェニル－１－（２－ジメチルアミノエチル）トリアゾール、５－ベンジル－１Ｈ－トリアゾール、ヒドロキシフェニルトリアゾール、１，５－ジメチルトリアゾール、４，５－ジエチル－１Ｈ－トリアゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－（５－メチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－［２－ヒドロキシ－３，５－ビス（α，α―ジメチルベンジル）フェニル］－ベンゾトリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－２－ヒドロキシフェニル）－ベンゾトリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔ－アミル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－ｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、ヒドロキシフェニルベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－テトラゾール、５－メチル－１Ｈ－テトラゾール、５－フェニル－１Ｈ－テトラゾール、５－アミノ－１Ｈ－テトラゾール、１－メチル－１Ｈ－テトラゾール等が挙げられる。

プリン誘導体の具体例としては、プリン、アデニン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、テオブロミン、カフェイン、尿酸、イソグアニン、２，６－ジアミノプリン、９－メチルアデニン、２－ヒドロキシアデニン、２－メチルアデニン、１－メチルアデニン、Ｎ－メチルアデニン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアデニン、２－フルオロアデニン、９－（２－ヒドロキシエチル）アデニン、グアニンオキシム、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）アデニン、８－アミノアデニン、６－アミノ‐８－フェニル‐９Ｈ－プリン、１－エチルアデニン、６－エチルアミノプリン、１－ベンジルアデニン、Ｎ－メチルグアニン、７－（２－ヒドロキシエチル）グアニン、Ｎ－（３－クロロフェニル）グアニン、Ｎ－（３－エチルフェニル）グアニン、２－アザアデニン、５－アザアデニン、８－アザアデニン、８－アザグアニン、８－アザプリン、８－アザキサンチン、８－アザヒポキサンチン等、これらの誘導体などが挙げられる。

防錆剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

本開示の樹脂組成物が防錆剤を含む場合、防錆剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．０１質量部～１０質量部であることが好ましく、０．１質量部～５質量部であることがより好ましく、０．５質量部～３質量部であることがさらに好ましい。特に、防錆剤の含有量が０．１質量部以上であることで、本開示の樹脂組成物を銅又は銅合金の表面上に付与した場合に、銅又は銅合金の表面の変色が抑制される。
本開示の樹脂組成物では、防錆剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．５質量部以下であってもよく、０．１質量部以下であってもよく、０．０１質量部以下であってもよい。
本開示の樹脂組成物では、含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）を含むことによって銅、銅合金等の金属の腐食を抑制することが可能となるため、防錆剤の量を削減することが可能である。
本開示において、含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）は防錆剤に分類しないものとする。

本開示の樹脂組成物は、（Ａ）成分のイミド化反応を促進させて高い信頼性を有する硬化物を得る観点から、含窒素化合物を含んでもよい。

含窒素化合物の具体例としては、２－（メチルフェニルアミノ）エタノール、２－（エチルアニリノ）エタノール、Ｎ－フェニルジエタノールアミン、Ｎ－メチルアニリン、Ｎ－エチルアニリン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルアニリン、Ｎ－フェニルエタノールアミン、４－フェニルモルフォリン、２，２’－（４－メチルフェニルイミノ）ジエタノール、４－アミノベンズアミド、２－アミノベンズアミド、ニコチンアミド、４－アミノ－Ｎ－メチルベンズアミド、４－アミノアセトアニリド、４－アミノアセトフェノン等が挙げられ、中でも、Ｎ－フェニルジエタノールアミン、Ｎ－メチルアニリン、Ｎ－エチルアニリン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルアニリン、Ｎ－フェニルエタノールアミン、４－フェニルモルフォリン、２，２’－（４－メチルフェニルイミノ）ジエタノール等が好ましい。含窒素化合物は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。

含窒素化合物は、下記式（１７）で表される化合物を含むことが好ましい。

式（１７）中、Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａは、それぞれ独立に、水素原子、１価の脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基、又は１価の芳香族基であり、Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの少なくとも１つ（好ましくは１つ）が１価の芳香族基である。Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａは隣接する基同士で環構造を形成していてもよい。形成される環構造としては、メチル基、フェニル基等の置換基を有していてもよい５員環、６員環等が挙げられる。１価の脂肪族炭化水素基の水素原子は、ヒドロキシ基以外の官能基で置換されていてもよい。

式（１７）中、Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの少なくとも１つ（好ましくは１つ）が、１価の脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基、又は１価の芳香族基であることが好ましい。

式（１７）中、Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの１価の脂肪族炭化水素基について、炭素数１～１０が好ましく、炭素数１～６がより好ましい。１価の脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基等が好ましい。

式（１７）中、Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａのヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基は、Ｒ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの１価の脂肪族炭化水素基に、１つ以上のヒドロキシ基が結合した基であることが好ましく、１つ～３つのヒドロキシ基が結合した基であることがより好ましい。ヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチロール基、ヒドロキシエチル基等が挙げられ、中でも、ヒドロキシエチル基が好ましい。

式（１７）のＲ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの１価の芳香族基としては、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環式基等が挙げられ、１価の芳香族炭化水素基が好ましい。１価の芳香族炭化水素基について、炭素数６～１２が好ましく、炭素数６～１０がより好ましい。
１価の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。

式（１７）のＲ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの１価の芳香族基は、置換基を有してもよい。置換基としては、式（１７）のＲ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａの１価の脂肪族炭化水素基、及び上述の式（１７）のＲ_３１Ａ～Ｒ_３３Ａのヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基と同様の基が挙げられる。

本開示の樹脂組成物が含窒素化合物を含む場合、含窒素化合物の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部であることが好ましく、保存安定性の観点から、０．３質量部～１５質量部であることがより好ましく、０．５質量部～１０質量部であることがさらに好ましい。

＜硬化物＞
本開示の硬化物は、本開示の樹脂組成物を硬化してなる。硬化物は、例えば、絶縁層、接着層、再配線絶縁層に用いられる。

＜半導体装置＞
本開示の半導体装置は、第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられた前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板と、半導体チップ基板本体と、前記半導体チップ基板本体の一面に設けられた有機絶縁膜部分及び第２電極とを有する半導体チップと、を備え、前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と、前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分と、が接合し、前記第１半導体基板の前記第１電極と、前記半導体チップの前記第２電極と、が接合し、前記第１有機絶縁膜及び前記有機絶縁膜部分の少なくとも一方が本開示の樹脂組成物を硬化してなる絶縁膜である半導体装置である。
本開示の半導体装置は、第１有機絶縁膜及び有機絶縁膜部分の少なくとも一方が本開示の樹脂組成物を硬化してなる絶縁膜であるため、高温高湿条件下での銅の拡散が抑制可能である。また、本開示の半導体装置は、後述の工程（１）～工程（５）を経て製造することができる。

＜半導体装置の製造方法＞
本開示の半導体装置の製造方法では、本開示の樹脂組成物を用いて半導体装置を製造する。具体的には、本開示の樹脂組成物を用いて工程（１）～工程（５）を経ることで半導体装置を製造することができる。
工程（１） 第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられた前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板を準備する。
工程（２） 第２基板本体と、前記第２基板本体の一面に設けられた前記第２有機絶縁膜及び複数の第２電極とを有する第２半導体基板を準備する。
工程（３） 前記第２半導体基板を個片化し、前記第２有機絶縁膜の一部に対応する有機絶縁膜部分と少なくとも１つの前記第２電極とをそれぞれ備えた複数の半導体チップを取得する。
工程（４） 前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分とを互いに貼り合わせる。
工程（５） 前記第１半導体基板の前記第１電極と前記半導体チップの前記第２電極とを接合する。

本開示の樹脂組成物は、ネガ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性樹脂組成物であってもよい。また、ネガ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性樹脂組成物は、前記工程（１）にて前記第１基板本体の一面上に設けられた第１有機絶縁膜に複数の端子電極を配置するための貫通孔を複数設けること、及び、前記工程（２）にて前記第２基板本体の一面上に設けられた第２有機絶縁膜に複数の端子電極を配置するための貫通孔を複数設けることの少なくとも一方に用いられてもよい。

以下、図面を参照しながら本開示の半導体装置の一実施形態、及び本開示の半導体装置の製造方法の一実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。

（半導体装置の一例）
図１は、本開示の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。図１に示すように、半導体装置１は、例えば半導体パッケージの一例であり、第１半導体チップ１０（第１半導体基板）、第２半導体チップ２０（半導体チップ）、ピラー部３０、再配線層４０、基板５０、及び、回路基板６０を備えている。

第１半導体チップ１０は、ＬＳＩ（大規模集積回路）チップ又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサ等の半導体チップであり、第２半導体チップ２０が下方向に実装された三次元実装構造になっている。第２半導体チップ２０は、ＬＳＩ、メモリ等の半導体チップであり、第１半導体チップ１０よりも平面視における面積が小さいチップ部品である。第２半導体チップ２０は、第１半導体チップ１０の裏面にChip-to-Chip（Ｃ２Ｃ）接合されている。第１半導体チップ１０と第２半導体チップ２０とは、詳細を後述するハイブリッドボンディングにより、それぞれの端子電極とその周りの絶縁膜同士が強固且つ位置ズレせずに微細接合されている。

ピラー部３０は、銅（Ｃｕ）等の金属により形成された複数のピラー３１が樹脂３２によって封止されている接続部である。複数のピラー３１は、ピラー部３０の上面から下面に向けて延在する導電性部材である。複数のピラー３１は、例えば直径３μｍ以上２０μｍ以下（一例では直径５μｍ）の円柱形状を有していてもよく、各ピラー３１の中心間距離が１５μｍ以下となるように配置されてもよい。複数のピラー３１は、第１半導体チップ１０の下側の端子電極と再配線層４０の上側の端子電極とをフリップチップ接続する。ピラー部３０を用いることにより、半導体装置１では、ＴＭＶ（Through mold via）と呼ばれるモールドに穴明けして半田接続する技術を使用せずに接続電極を形成することができる。ピラー部３０は、例えば第２半導体チップ２０と同程度の厚さを有し、水平方向にて第２半導体チップ２０の横側に配置される。なお、ピラー部３０に替えて複数の半田ボールが配置されていてもよく、半田ボールによって第１半導体チップ１０の下側の端子電極と再配線層４０の上側の端子電極とを電気的に接続してもよい。

再配線層４０は、パッケージ基板の機能である端子ピッチ変換の機能を有する配線層であり、第２半導体チップ２０の下側の絶縁膜上及びピラー部３０の下面上にポリイミド及び銅配線等で再配線パターンを形成した層である。再配線層４０は、第１半導体チップ１０、第２半導体チップ２０等を上下反転した状態で形成される（図４の（ｄ）参照）。

再配線層４０は、第２半導体チップ２０の下面の端子電極及びピラー部３０を介した第１半導体チップ１０の端子電極を、基板５０の端子電極に電気的に接続する。基板５０の端子ピッチは、ピラー３１の端子ピッチ及び第２半導体チップ２０の端子ピッチよりも広くなっている。なお、基板５０上には、各種の電子部品５１が実装されていてもよい。また、再配線層４０と基板５０との端子ピッチに大きな開きがある場合は再配線層４０と基板５０との間に無機インターポーザ―等を使用して再配線層４０と基板５０との電気的接続をとってもよい。

回路基板６０は、第１半導体チップ１０及び第２半導体チップ２０をその上に搭載し、第１半導体チップ１０、第２半導体チップ２０及び電子部品５１等に接続された基板５０に電気的に接続される複数の貫通電極を内部に有する基板である。回路基板６０では、複数の貫通電極により、第１半導体チップ１０及び第２半導体チップ２０の各端子電極が回路基板６０の裏面に設けられた端子電極６１に電気的に接続される。

（半導体装置の製造方法の一例）
次に、半導体装置１の製造方法の一例について、図２～図４を参照して、説明する。図２は、図１に示す半導体装置を製造するための方法を順に示す図である。図３は、図２に示す半導体装置の製造方法における接合方法（ハイブリッドボンディング）をより詳細に示す図である。図４は、図１に示す半導体装置を製造するための方法であり、図２に示す工程の後の工程を順に示す図である。

半導体装置１は、例えば、以下の工程（ａ）～工程（ｎ）を経て製造することができる。
（ａ）第１半導体チップ１０に対応する第１半導体基板１００を準備する工程。
（ｂ）第２半導体チップ２０に対応する第２半導体基板２００を準備する工程。
（ｃ）端子電極１０３の各表面１０３ａが絶縁膜１０２の表面１０２ａに対して同等の位置か突き出た位置となるようにＣＭＰ法を用いて第１半導体基板１００の表面である一面１０１ａ側を研磨する工程（図３の（ａ）参照）。
（ｄ）端子電極２０３の各表面２０３ａが絶縁膜２０２の表面２０２ａに対して、同等の位置又は突き出た位置となるようにＣＭＰ法を用いて第２半導体基板２００の表面である一面２０１ａ側を研磨する工程（図３の（ａ）参照）。
（ｅ）図２の（ｂ）に示すように、第２半導体基板２００を個片化し、複数の半導体チップ２０５を取得する工程。
（ｆ）図２の（ｃ）に示すように、第１半導体基板１００の端子電極１０３に対して複数の半導体チップ２０５それぞれの端子電極２０３の位置合わせを行う工程。
（ｇ）第１半導体基板１００の絶縁膜１０２と複数の半導体チップ２０５の各絶縁膜部分２０２ｂとを互いに貼り合わせる工程（図２の（ｄ）及び図３の（ｂ）参照）。このとき、熱Ｈ、圧力又はその両方を付与してもよい。
（ｈ）第１半導体基板１００の端子電極１０３と複数の半導体チップ２０５それぞれの端子電極２０３とを接合する工程（図３の（ｃ）参照）。
（ｉ）第１半導体基板１００の接続面上であって複数の半導体チップ２０５の間に複数のピラー３００（ピラー３１に対応）を形成する工程（図４の（ａ）参照）。
（ｊ）半導体チップ２０５とピラー３００とを覆うように、第１半導体基板１００の接続面上に樹脂３０１をモールドして半製品Ｍ１を取得する工程（図４の（ｂ）参照）。
（ｋ）工程（ｊ）でモールドがされた半製品Ｍ１の樹脂３０１側を研削して薄化し、半製品Ｍ２を取得する工程（図４の（ｃ）参照）。
（ｌ）工程（ｋ）で薄化された半製品Ｍ２に再配線層４０に対応する配線層４００を形成する工程（図４の（ｄ）参照）。
（ｍ）工程（ｌ）で配線層４００が形成された半製品Ｍ３を各半導体装置１となるように切断線Ａに沿って切断する工程（図４の（ｄ）参照）。
（ｎ）工程（ｍ）で個体化された半導体装置１ａを反転して基板５０及び回路基板６０上に設置する工程（図１参照）。

例えば、本開示の樹脂組成物において、工程（１）が前述の工程（ａ）及び工程（ｃ）に対応し、工程（２）が前述の工程（ｂ）及び工程（ｄ）に対応し、工程（３）が工程（ｅ）に対応し、工程（４）が工程（ｇ）に対応し、工程（５）が工程（ｈ）に対応する。さらに、本開示の樹脂組成物は、工程（ｆ）及び工程（ｉ）～工程（ｎ）に対応する工程を少なくとも１つ含む半導体装置の製造方法での第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の絶縁膜の作製に用いるための樹脂組成物であってもよい。

工程（ａ）は、複数の第１半導体チップ１０に対応し、半導体素子及びそれらを接続する配線等からなる集積回路が形成されたシリコン基板である第１半導体基板１００を準備する工程である。工程（ａ）では、図２の（ａ）に示すように、シリコン等からなる第１基板本体１０１の一面１０１ａに、銅、アルミニウム等からなる複数の端子電極１０３（第１電極）を所定の間隔で設けると共に本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物である絶縁膜１０２（第１絶縁膜）を設ける。絶縁膜１０２を第１基板本体１０１の一面１０１ａ上に設けてから、複数の端子電極１０３を設けてもよいし、複数の端子電極１０３を第１基板本体１０１の一面１０１ａに設けてから絶縁膜１０２を設けてもよい。

工程（ｂ）は、複数の第２半導体チップ２０に対応し、半導体素子及びそれらを接続する配線を備える集積回路が形成されたシリコン基板である第２半導体基板２００を準備する工程である。工程（ｂ）では、図２の（ａ）に示すように、シリコン等からなる第２基板本体２０１の一面２０１ａ上に、銅、アルミニウム等からなる複数の端子電極２０３（複数の第２電極）を連続的に設けると共に本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物である絶縁膜２０２（第２絶縁膜）を設ける。絶縁膜２０２を第２基板本体２０１の一面２０１ａ上に設けてから複数の端子電極２０３を設けてもよいし、複数の端子電極２０３を第２基板本体２０１の一面２０１ａに設けてから絶縁膜２０２を設けてもよい。

工程（ａ）及び工程（ｂ）で用いられる絶縁膜１０２及び２０２が共に本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物である構成に限定されず、絶縁膜１０２及び２０２の少なくとも一方が本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物である構成であってもよい。

また、図１ではＣ２Ｃでの接合例が図示されているが、図５に示すChip-to-Wafer（Ｃ２Ｗ）での接合に本発明を適用してもよい。Ｃ２Ｗでは、基板本体４１１（第１基板本体）と基板本体４１１の一面に設けられた絶縁膜４１２（第１絶縁膜）及び複数の端子電極４１３（第１電極）とを有する半導体ウェハー４１０（第１半導体基板）を準備すると共に、基板本体４２１（第２基板本体）と基板本体４２１の一面に設けられた絶縁膜部分４２２（第２絶縁膜）及び複数の端子電極４２３（第２電極）とを有する複数の半導体チップ４２０の個片化前の半導体基板（第２半導体基板）を準備する。そして、半導体ウェハー４１０の一面側と半導体チップ４２０に個片化する前の第２半導体基板の一面側とを、上記の工程（ｃ）及び工程（ｄ）と同様に、ＣＭＰ法等により研磨する。その後、工程（ｅ）と同様な個片化処理を第２半導体基板に対して行い、複数の半導体チップ４２０を取得する。

続いて、図５の（ａ）に示すように、半導体ウェハー４１０の端子電極４１３に対して半導体チップ４２０の端子電極４２３の位置合わせを行う（工程（ｆ））。そして、半導体ウェハー４１０の絶縁膜４１２と半導体チップ４２０の絶縁膜部分４２２とを互いに貼り合わると共に（工程（ｇ））、半導体ウェハー４１０の端子電極４１３と半導体チップ４２０の端子電極４２３とを接合し（工程（ｈ））、図５の（ｂ）に示す半製品を取得する。これにより、絶縁膜４１２と絶縁膜部分４２２とが接合された絶縁接合部分Ｓ３となり、半導体チップ４２０が半導体ウェハー４１０に対して機械的に強固に且つ高精度に取り付けられる。また、端子電極４１３とそれに対応する端子電極４２３とが接合された電極接合部分Ｓ４となり、端子電極４１３と端子電極４２３とが機械的且つ電気的に強固に接合される。

その後、図５の（ｃ）及び（ｄ）に示すように、複数の半導体チップ４２０を同様の方法で半導体ウェハーである半導体ウェハー４１０に接合することにより、半導体装置４０１を取得する。なお、複数の半導体チップ４２０は、一個ずつ半導体ウェハー４１０にハイブリッドボンディングにより接合されてもよいが、まとめて半導体ウェハー４１０にハイブリッドボンディングにより接合されてもよい。

このような半導体装置４０１の製造方法においても、上記の半導体装置１の製造方法と同様に、半導体ウェハー４１０の絶縁膜４１２及び半導体チップ４２０の絶縁膜部分４２２の少なくとも一方が、本開示の樹脂組成物を硬化してなる硬化物である絶縁膜である。そのため、半導体チップ４２０への個片化の際のダイシングによって発生する異物が絶縁膜に付着しても、異物周辺の絶縁膜が容易に変形し、絶縁膜に大きな空隙を生じさせることなく異物を絶縁膜内に包含させることができる。すなわち、絶縁膜によって異物の影響を抑えることが可能となる。よって、上記のＣ２Ｗに係る製造方法でも、Ｃ２Ｃと同様に、半導体ウェハー４１０と半導体チップ４２０の微細接合を行いつつ、接合不良を低減することができる。

以下、実施例及び比較例に基づき、本開示についてさらに具体的に説明する。尚、本開示は下記実施例に限定されるものではない。

［合成例１］
３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（ＯＤＰＡ）６２ｇと４，４’－ジアミノジフェニルエーテル２３ｇとｍ－フェニレンジアミン５ｇとを３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミド９１５ｇに溶解させた。得られた溶液を３０℃で４時間、その後室温下で一晩撹拌し、ポリアミド酸を得た。そこに室温にて無水トリフルオロ酢酸７８ｇ及びメタクリル酸２－ヒドロキシエチル（ＨＥＭＡ）１０９ｇを加え、４５℃で１０時間撹拌した。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリイミド前駆体Ａ１を得た。
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を用いて、標準ポリスチレン換算により、Ａ１の重量平均分子量を求めた。Ａ１の重量平均分子量は２２０００であった。具体的には、Ａ１ ０．５ｍｇを溶剤［テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）／ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）＝１／１（容積比）］１ｍＬに溶解させた溶液を用い、以下の条件で測定した。
（測定条件）
測定装置：株式会社島津製作所ＳＰＤ－Ｍ２０Ａ
ポンプ：株式会社島津製作所ＬＣ－２０ＡＤ
カラムオーブン：株式会社島津製作所：ＣＴＯ－２０Ａ
測定条件：カラムＧｅｌｐａｃｋ ＧＬ－Ｓ３００ＭＤＴ－５×２本
溶離液：ＴＨＦ／ＤＭＦ＝１／１（容積比）
ＬｉＢｒ（０．０３ｍｏｌ／Ｌ）、Ｈ_３ＰＯ_４（０．０６ｍｏｌ／Ｌ）
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ、検出器：ＵＶ２７０ｎｍ、カラム温度：４０℃
標準ポリスチレン：東ソー製 ＴＳＫｇｅｌ ｓｔａｎｄａｒｄ Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ Ｔｙｐｅ Ｆ－１，Ｆ－４，Ｆ－２０，Ｆ－８０，Ａ－２５００にて検量線を作成

＜エステル化率＞
以下の条件でＮＭＲ測定を行うことで、Ａ１のエステル化率（ＨＥＭＡと反応してなるエステル基及びＨＥＭＡと未反応のカルボキシ基の合計に対するＨＥＭＡと反応してなるエステル基の割合）を算出した。エステル化率は７８モル％であり、未反応のカルボキシ基の割合は２２モル％であった。
（測定条件）
測定機器：ブルカー・バイオスピン社 ＡＶ４００Ｍ
磁場強度：４００ＭＨｚ
基準物質：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）
溶剤：ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）

［合成例２］
合成例１にて使用した４，４’－ジアミノジフェニルエーテル及びｍ－フェニレンジアミンを２，２’－ジメチルビフェニル－４，４’－ジアミン（ＤＭＡＰ）３６ｇに変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、ポリイミド前駆体Ａ２を得た。
前述の条件でＡ２の重量平均分子量を求めた。Ａ２の重量平均分子量は２４０００であった。

前述の条件でＮＭＲ測定を行うことで、Ａ２のエステル化率を算出した。エステル化率は７９モル％であり、未反応のカルボキシ基の割合は２１モル％であった。

［合成例３］
攪拌機、温度計を備えた０．２リットルのフラスコ中に、Ｎ－メチルピロリドン６０ｇを仕込み、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１３．９２ｇ（３８ｍｍｏｌ）を添加し、攪拌溶解した。続いて、温度を０～５℃に保ちながら、ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド１０．６９ｇ（４０ｍｍｏｌ）を１０分間で滴下した後、フラスコ中の溶液を６０分間攪拌した。上記溶液を３リットルの水に投入し、析出物を回収し、これを純水で３回洗浄した後、減圧してポリヒドロキシアミド（ポリベンゾオキサゾール前駆体）Ａ３を得た。
前述の条件でＡ３の重量平均分子量を求めた。Ａ３の重量平均分子量は３３１００であった。

以下に示す成分を表２に示す比率で混合することで各実施例及び各比較例の樹脂組成物を調製した。なお、表２中の各成分の数値は、樹脂組成物を調製する際に用いた各成分の質量部を意味する。
・ポリマー（Ａ）
上述のＡ１、Ａ２及びＡ３
・含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）
Ｂ１：下記一般式で表される化合物（Ｒは２価の連結基を表す）。
・防錆剤
Ｂ’１：ベンゾトリアゾール
・接着助剤
Ｂ’２：３－ウレイドプロピルトリエトキシシランの５０％メタノール溶液

・溶剤（Ｃ）
Ｃ１：３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド
Ｃ２：Ｎ－メチル－２－ピロリドン
Ｃ３：γ－ブチロラクトン
Ｃ４：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・光重合開始剤（Ｄ）
Ｄ１：２－［［（エトキシカルボニル）オキシ］イミノ］－１－フェニルプロパン－１－オン
Ｄ２：６－ジアゾ－５－オキソ－５，６－ジヒドロナフタレン－１－スルホン酸と４，４’－｛１－｛４－［１－（４－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル］フェニル｝エチリデン｝ジフェノールの反応生成物（モノ、ジ及びトリエステルの混合物）
・重合性モノマー（Ｅ）
Ｅ１：テトラエチレングリコールジメタクリレート
Ｅ２：２，２－ビス［３，５－ビス（ヒドロキシメチル）－４－ヒドロキフェニル］－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン

［接着性試験］
各実施例及び各比較例の樹脂組成物を用いて硬化膜を作製し、作製した硬化膜の接着性をクロスカット試験(ＪＩＳ Ｋ５４００－８．５)により評価した。樹脂組成物を、塗布装置スピンコーターを用いて、シリコンウェハー上にスピンコートし、乾燥工程を行い樹脂膜を形成した。得られた樹脂膜に対してプロキシミティ露光機「マスクアライナーＭＡ８」（ズース・マイクロテック株式会社製）を用いて４００ｍＪ／ｃｍ^２の露光を行った。その後、樹脂膜を、クリーンオーブンを用いて、窒素雰囲気下で、３００℃又は３５０℃で所定時間加熱して硬化膜を作製した。さらに、得られた硬化膜に対して、１５０℃、空気雰囲気下のＨＴＳ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｓｔｏｒａｇｅ）条件下で３００時間処理を行った。ＨＴＳ後の硬化膜を用いてクロスカット試験を行った。
硬化膜上にクロスカットガイド(コーテック製)を用いてカミソリで１０×１０の碁盤目の切り込みを入れて、１ｍｍ四方の小片１００個を形成した。そこに粘着テープ（ニチバン株式会社製）を貼り付けた後、剥離した。以下の評価基準により硬化物の接着性を評価した。
－評価基準－
Ａ 粘着テープで剥離した後に、１００マス残っており、かつ基盤目の周辺に剥離がない。
Ｂ 粘着テープで剥離した後に、１マス以上剥離が発生していた。

［銅質量測定試験］
ＳＥＭ－ＥＤＸ（走査型電子顕微鏡－エネルギー分散型Ｘ線分析）により硬化膜の銅質量を測定した。図６に示すようなシリコンウェハー（ＳｉＯ_２膜を有するＳｉ基板）及びポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）から成る一面に、チタン及び銅のスパッタリングを行った後に、電界めっきによって複数の銅電極を図６に示す間隔で設け、不要なスパッタ層は除去した。電極間に各実施例及び各比較例の樹脂組成物を硬化してなる硬化膜を前述の［接着性試験］と同様にして作製した。さらに、電極間に設けられた硬化膜（硬化温度３００℃で作製した硬化膜及び硬化温度３５０℃で作製した硬化膜）に対して１３０℃、８５％ＲＨのＨＡＳＴ（Ｈｉｇｈｌｙ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｄ Ｈｕｍｉｄｉｔｙ Ｓｔｒｅｓｓ Ｔｅｓｔ）条件下で３００時間処理を行った。ＨＡＳＴ後の硬化膜を用いてＳＥＭ－ＥＤＸ測定を行った。
以下の表１にＳＥＭ－ＥＤＸの測定条件を示す。

本測定では、ＥＤＸスペクトルから各元素の質量％を算出した。
本測定では、ＥＤＸスペクトルから各元素の質量％を換算するにあたり、測定の度に標準試料を用いないスタンダードレス法という定量方法を用いた。この方法では、各元素のＸ線強度から理論的に補正計算を行い、合計濃度が１００％になるように定量分析値を算出した。本測定では、銅の拡散が電極間で生じているかを観測するために、銅質量％に着目している。この銅質量％は、各元素の質量％の合計が１００％となるように算出した時の銅元素の質量％の値である。銅質量（％）の評価基準は以下の通りです。
－評価基準－
Ａ：銅質量（％）が０．５％未満であった。
Ｂ：銅質量（％）が０．５％～１．２５％であった。
Ｃ：銅質量（％）が１．２５％を超えて１．９％以下であった。
Ｄ：銅質量（％）が１．９％を超えていた。

表２に示すように、実施例１～６では、硬化膜の接着性の評価が良好であり、かつ、高温高湿条件下での銅の拡散を抑制することが可能であった。
さらに、実施例１～６では、含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）を用いることで防錆剤及び接着助剤を使用せずとも硬化膜の接着性の向上と銅拡散の抑制とを両立することが可能であった。含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）の量を防錆剤及び接着助剤の合計量以下とした場合であっても、硬化膜の接着性の向上と銅拡散の抑制とを両立することが可能であることが分かった。

１，１ａ，４０１…半導体装置、１０…第１半導体チップ、２０…第２半導体チップ、３０…ピラー部、４０…再配線層、５０…基板、６０…回路基板、６１…端子電極、１００…第１半導体基板、１０１…第１基板本体、１０１ａ…一面、１０２…絶縁膜（第１絶縁膜）、１０３…端子電極（第１電極）、１０３ａ…表面、２００…第２半導体基板、２０１…第２基板本体、２０１ａ…一面、２０２…絶縁膜（第２絶縁膜）、２０３…端子電極（第２電極）、２０３ａ…表面、２０５…半導体チップ、３００…ピラー、３０１…樹脂、４１０…半導体ウェハー（第１半導体基板）、４１１…基板本体（第１基板本体）、４１２…絶縁膜（第１絶縁膜）、４１３…端子電極（第１電極）、４２０…半導体チップ（第２半導体基板）、４２１…基板本体（第２基板本体）、４２２…絶縁膜部分（第２絶縁膜）、４２３…端子電極（第２電極）、Ａ…切断線、Ｈ…熱、Ｍ１～Ｍ３…半製品、Ｓ１…絶縁接合部分、Ｓ２…電極接合部分、Ｓ３…絶縁接合部分、Ｓ４…電極接合部分。

Claims (12)

1. ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール及びポリベンゾオキサゾール前駆体からなる群より選択される少なくとも１種のポリマー（Ａ）と、
   含窒素骨格及び有機ケイ素骨格を有する含窒素有機ケイ素化合物（Ｂ）と、
   を含む樹脂組成物。
2. 前記含窒素骨格は、窒素原子を含む複素環構造を含む請求項１に記載の樹脂組成物。
3. 前記ポリマー（Ａ）は、ポリイミド前駆体を含み、前記ポリイミド前駆体は、下記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物を含む請求項１又は請求項２に記載の樹脂組成物。
   

   

   
   
   一般式（１）中、Ｘは４価の有機基を表し、Ｙは２価の有機基を表し、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の有機基を表す。
4. 前記一般式（１）中、前記Ｘで表される４価の有機基は、下記式（Ｅ）で表される基である請求項３に記載の樹脂組成物。
   

   

   
   
   式（Ｅ）において、Ｃは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。
5. 前記一般式（１）中、前記Ｙで表される２価の有機基は、下記式（Ｈ）で表される基である請求項３又は請求項４に記載の樹脂組成物。
   

   

   
   
   式（Ｈ）において、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基又はハロゲン原子を表し、ｎは、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。Ｄは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（Ｒ^Ａ）_２－；２つのＲ^Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（Ｒ^Ｂ）_２－Ｏ－）_ｎ；２つのＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。
6. 前記一般式（１）中、前記Ｒ^６及び前記Ｒ^７における前記１価の有機基は、下記一般式（２）で表される基、エチル基、イソブチル基又はｔ－ブチル基のいずれかである請求項３～請求項５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
   

   

   
   
   一般式（２）中、Ｒ^８～Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、Ｒ^ｘは２価の連結基を表す。
7. 溶剤（Ｃ）をさらに含む請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
8. 前記溶剤（Ｃ）は下記式（３）～式（７）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含む請求項７に記載の樹脂組成物。
   

   

   
   
   式（３）～（７）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^８及びＲ^１０は、それぞれ独立に、炭素数１～４のアルキル基であり、Ｒ^３～Ｒ^７及びＲ^９は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～４のアルキル基である。ｓは０～８の整数であり、ｔは０～４の整数であり、ｒは０～４の整数であり、ｕは０～３の整数である。
9. （Ｄ）光重合開始剤及び（Ｅ）重合性モノマーをさらに含む請求項１～請求項８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
10. 請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の樹脂組成物を第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の有機絶縁膜の作製に用い、以下の工程（１）～工程（５）を経て半導体装置を製造する半導体装置の製造方法。
    工程（１） 第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられた前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板を準備する。
    工程（２） 第２基板本体と、前記第２基板本体の一面に設けられた前記第２有機絶縁膜及び複数の第２電極とを有する第２半導体基板を準備する。
    工程（３） 前記第２半導体基板を個片化し、前記第２有機絶縁膜の一部に対応する有機絶縁膜部分と少なくとも１つの前記第２電極とをそれぞれ備えた複数の半導体チップを取得する。
    工程（４） 前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分とを互いに貼り合わせる。
    工程（５） 前記第１半導体基板の前記第１電極と前記半導体チップの前記第２電極とを接合する。
11. 請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
12. 第１基板本体と、前記第１基板本体の一面に設けられた前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板と、
    半導体チップ基板本体と、前記半導体チップ基板本体の一面に設けられた有機絶縁膜部分及び第２電極とを有する半導体チップと、
    を備え、前記第１半導体基板の前記第１有機絶縁膜と、前記半導体チップの前記有機絶縁膜部分と、が接合し、前記第１半導体基板の前記第１電極と、前記半導体チップの前記第２電極と、が接合し、
    前記第１有機絶縁膜及び前記有機絶縁膜部分の少なくとも一方が請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の樹脂組成物を硬化してなる有機絶縁膜である半導体装置。

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