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WO2023181637A1 - ハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 - Google Patents

ハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 Download PDF

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WO2023181637A1
WO2023181637A1 PCT/JP2023/002759 JP2023002759W WO2023181637A1 WO 2023181637 A1 WO2023181637 A1 WO 2023181637A1 JP 2023002759 W JP2023002759 W JP 2023002759W WO 2023181637 A1 WO2023181637 A1 WO 2023181637A1
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WO
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group
insulating film
forming material
film forming
electrode
Prior art date
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Application number
PCT/JP2023/002759
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English (en)
French (fr)
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憲哉 足立
聡 米田
香織 小林
大作 松川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HD MicroSystems Ltd
Original Assignee
HD MicroSystems Ltd
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Publication date
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Priority to KR1020247032056A priority patent/KR20240166501A/ko
Priority to US18/849,939 priority patent/US20250201760A1/en
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    • H10W80/312—
    • H10W80/327—
    • H10W90/794—

Definitions

  • the present disclosure relates to a hybrid bonding insulating film forming material, a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device.
  • Non-Patent Document 1 discloses an example of three-dimensional mounting of a semiconductor chip.
  • hybrid bonding technology used in W2W (Wafer-to-Wafer) bonding is used to perform fine bonding of wiring between devices. is being considered.
  • Patent Document 1 discloses an example of a technique for lowering the bonding temperature by using a cyclic olefin resin.
  • a photolithography process is performed to remove the insulating film in the area where the pillars are to be formed. From the viewpoint of manufacturing costs and the like, it is desired that organic insulating films have high exposure sensitivity.
  • the present disclosure has been made in view of the above, and aims to provide a hybrid bonding insulating film forming material that has excellent exposure sensitivity and can suppress the generation of voids during bonding, a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device. purpose.
  • a hybrid bonding insulating film forming material containing (A) a polyimide precursor having a polymerizable unsaturated bond site, (B) a solvent, and (C) an oxime-based photopolymerization initiator.
  • a hybrid bonding insulating film forming material containing (A) a polyimide precursor having a polymerizable unsaturated bond site, (B) a solvent, and (C) an oxime-based photopolymerization initiator.
  • R 1 represents an alkyl group, an alkoxy group, a phenyl group, or a phenoxy group
  • R 2 represents an alkyl group
  • R 3 represents a carbonyl group or a monovalent organic group connected by a single bond. represents a group.
  • the oxime photopolymerization initiator (C) is a compound in which R 1 in the formula (I) is represented by an alkoxy group, and a compound in which R 1 in the formula (I) is represented by an alkyl group or a phenyl group.
  • X represents a tetravalent organic group
  • Y represents a divalent organic group
  • R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group.
  • R 6 and R 7 have a polymerizable unsaturated bond.
  • E The hybrid bonding insulating film forming material according to ⁇ 5>, wherein the tetravalent organic group represented by X in the general formula (1) is a group represented by the following formula (E).
  • two R A 's each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a phenyl group), a siloxane bond (-O- (Si(R B ) 2 -O-) n ;
  • Two R B 's each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a phenyl group, and n represents an integer of 1 or 2 or more.) or at least these Represents a combination of two divalent groups.
  • the divalent organic group represented by Y in the general formula (1) is a group represented by the following formula (H).
  • R each independently represents an alkyl group, an alkoxy group, a halogenated alkyl group, a phenyl group, or a halogen atom
  • n each independently represents an integer of 0 to 4.
  • two R A 's each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a phenyl group), siloxane bond (-O-(Si(R B ) 2 -O-) n ;
  • Two R B each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a phenyl group, and n represents an integer of 1 or 2 or more.) or a divalent combination of at least two of these.
  • the monovalent organic group in R 6 and R 7 is a group represented by the following general formula (2), an ethyl group, an isobutyl group, or a t-butyl group.
  • R 8 to R 10 each independently represent a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, and R x represents a divalent linking group.
  • D The hybrid bonding insulating film forming material according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 9>, further comprising a sensitizer.
  • E The hybrid bonding insulating film forming material according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 10>, further comprising a polymerizable monomer.
  • ⁇ 12> The hybrid bonding insulating film forming material according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 11>, which has a glass transition temperature of 50° C. to 300° C. when cured.
  • ⁇ 13> Prepare a first semiconductor substrate having a first substrate body, a first electrode and a first organic insulating film provided on one surface of the first substrate body, preparing a semiconductor chip having a semiconductor chip substrate body, a second organic insulating film and a second electrode provided on one surface of the semiconductor chip substrate body; bonding the first electrode and the second electrode and bonding the first organic insulating film and the second organic insulating film; A method for manufacturing a semiconductor device using the hybrid bonding insulating film forming material according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 12> for manufacturing at least one of the first organic insulating film and the second organic insulating film. .
  • ⁇ 14> The method for manufacturing a semiconductor device according to ⁇ 13>, wherein the first electrode and the second electrode are bonded after the first organic insulating film and the second organic insulating film are bonded together.
  • the first semiconductor substrate is The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of ⁇ 13> to ⁇ 14>, wherein at least one of the one surface and the one surface of the semiconductor chip is polished.
  • the polishing includes chemical mechanical polishing.
  • ⁇ 17> The method for manufacturing a semiconductor device according to ⁇ 16>, wherein the polishing further includes mechanical polishing.
  • the thickness of the first organic insulating film is greater than the thickness of the first electrode, and the thickness of the second organic insulating film is greater than the thickness of the second organic insulating film.
  • a first semiconductor substrate having a first substrate body, a first organic insulating film and a first electrode provided on one surface of the first substrate body,
  • a semiconductor chip having a semiconductor chip substrate body, a second organic insulating film and a second electrode provided on one surface of the semiconductor chip substrate body, The first organic insulating film and the second organic insulating film are bonded, the first electrode and the second electrode are bonded,
  • a semiconductor device wherein at least one of the first organic insulating film and the second organic insulating film is a cured product of the hybrid bonding insulating film forming material according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 12>.
  • a hybrid bonding insulating film forming material that has excellent exposure sensitivity and can suppress the generation of voids during bonding, a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a semiconductor device manufactured by a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram sequentially showing a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram showing in more detail the bonding method in the method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 4 shows a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1, and is a diagram showing the steps after the step shown in FIG. 2 in order.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example in which the method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment is applied to Chip-to-Wafer (C2W).
  • C2W Chip-to-Wafer
  • the present disclosure is not limited to the following embodiments.
  • the constituent elements including elemental steps and the like
  • the term "step” includes not only a step that is independent from other steps, but also a step that cannot be clearly distinguished from other steps, as long as the purpose of the step is achieved.
  • numerical ranges indicated using " ⁇ ” include the numerical values written before and after " ⁇ " as minimum and maximum values, respectively.
  • each component may contain multiple types of applicable substances. If there are multiple types of substances corresponding to each component in the composition, the content rate or content of each component is the total content rate or content of the multiple types of substances present in the composition, unless otherwise specified. means quantity.
  • the term "layer” or “film” refers to the case where the layer or film is formed only in a part of the region, in addition to the case where the layer or film is formed in the entire region when observing the region where the layer or film is present. This also includes cases where it is formed.
  • the thickness of a layer or film is a value given as the arithmetic average value of the thicknesses measured at five points of the target layer or film.
  • the thickness of a layer or film can be measured using a micrometer or the like. In this disclosure, when the thickness of a layer or film can be measured directly, it is measured using a micrometer. On the other hand, when measuring the thickness of one layer or the total thickness of a plurality of layers, it may be measured by observing a cross section of the measurement target using an electron microscope.
  • (meth)acrylic group means “acrylic group” and “methacrylic group”
  • (meth)acrylate means “acrylate” and “methacrylate”
  • (meth) "Acryloyl” means “acryloyl” and "methacryloyl”.
  • the number of carbon atoms in the functional group means the total number of carbon atoms including the number of carbon atoms of the substituent.
  • the hybrid bonding insulating film forming material of the present disclosure includes (A) a polyimide precursor having a polymerizable unsaturated bond site, (B) a solvent, and (C) an oxime-based photopolymerization initiator.
  • the hybrid bonding insulating film forming material of the present disclosure will also be referred to as "insulating film forming material”
  • the polyimide precursor having a polymerizable unsaturated bond site will also be referred to as "(A) polyimide precursor”.
  • the configuration of the hybrid bonding insulating film forming material of the present disclosure provides excellent exposure sensitivity and suppresses the generation of voids during bonding. Although the reason is not clear, it can be considered as follows. Compared to the polyimide precursor (A) according to the present disclosure, the oxime-based photopolymerization initiator (C) has higher exposure sensitivity than other photopolymerization initiators because it has absorption on the longer wavelength side. In addition, since the 5% thermogravimetric loss temperature is high, volatilization is suppressed during heating during bonding, etc., and the generation of voids is suppressed.
  • the components contained in the insulating film forming material of the present disclosure and the components that can be contained will be explained.
  • the insulating film forming material of the present disclosure includes (A) a polyimide precursor having a polymerizable unsaturated bond site.
  • the polyimide precursor is preferably at least one resin selected from the group consisting of polyamic acid, polyamic acid ester, polyamic acid salt, and polyamic acid amide.
  • Polyamic acid ester and polyamic acid amide are compounds in which at least some of the carboxy groups in polyamic acid have hydrogen atoms substituted with monovalent organic groups
  • polyamic acid salts are compounds in which at least some of the carboxy groups in polyamic acid have been replaced with monovalent organic groups. It is a compound that forms a salt structure with a basic compound with a pH of over 7.
  • the polyimide precursor preferably contains a compound having a structural unit represented by the following general formula (1). Thereby, a semiconductor device including an insulating film exhibiting high reliability tends to be obtained.
  • X represents a tetravalent organic group
  • Y represents a divalent organic group
  • R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, and at least one of R 6 and R 7 has a polymerizable unsaturated bond.
  • the polyimide precursor may have a plurality of structural units represented by the above general formula (1), and X, Y, R 6 and R 7 in the plurality of structural units may be the same or different. You can leave it there. Note that the combination of R 6 and R 7 is not particularly limited as long as they are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group.
  • R 6 and R 7 may be a hydrogen atom, and the remainder may be a monovalent organic group described below, or both may be the same or different monovalent organic groups.
  • the combination of R 6 and R 7 of each structural unit may be the same or different. .
  • the tetravalent organic group represented by X preferably has 4 to 30 carbon atoms, more preferably 4 to 25 carbon atoms, and more preferably 5 to 13 carbon atoms. is more preferred, and 6 to 12 is particularly preferred.
  • the tetravalent organic group represented by X may include an aromatic ring. Examples of aromatic rings include aromatic hydrocarbon groups (for example, the number of carbon atoms constituting the aromatic ring is 6 to 20), aromatic heterocyclic groups (for example, the number of atoms constituting the heterocycle is 5 to 20), etc. It will be done.
  • the tetravalent organic group represented by X is preferably an aromatic hydrocarbon group.
  • aromatic hydrocarbon group examples include a benzene ring, a naphthalene ring, and a phenanthrene ring.
  • each aromatic ring may have a substituent or may be unsubstituted.
  • substituents on the aromatic ring include alkyl groups, fluorine atoms, halogenated alkyl groups, hydroxyl groups, and amino groups.
  • the tetravalent organic group represented by X contains a benzene ring
  • the tetravalent organic group represented by X preferably contains one to four benzene rings, and preferably contains one to three benzene rings.
  • ether bond (-O-), sulfide bond (-S-), silylene bond (-Si(R A ) 2 -; two R A 's each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a phenyl group.
  • siloxane bond (-O-(Si(R B ) 2 -O-) n ; two R B 's each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a phenyl group, and n is an integer of 1 or 2 or more ), or a composite linking group combining at least two of these linking groups.
  • two benzene rings may be bonded at two locations by at least one of a single bond and a linking group, to form a five-membered ring or a six-membered ring containing a linking group between the two benzene rings.
  • -COOR 6 groups and -CONH- groups are preferably located at ortho positions
  • -COOR 7 groups and -CO- groups are preferably located at ortho positions.
  • tetravalent organic group represented by X include groups represented by the following formulas (A) to (F).
  • a group represented by the following formula (E) is preferable from the viewpoint of obtaining an insulating film that has excellent flexibility and further suppresses the generation of voids at the bonding interface. is more preferably a group containing an ether bond, and even more preferably an ether bond.
  • the following formula (F) has a structure in which C in the following formula (E) is a single bond. Note that the present disclosure is not limited to the specific examples below.
  • a and B are each independently a single bond or a divalent group that is not conjugated with a benzene ring. However, both A and B cannot be a single bond.
  • Divalent groups that are not conjugated with the benzene ring include methylene group, halogenated methylene group, halogenated methylmethylene group, carbonyl group, sulfonyl group, ether bond (-O-), sulfide bond (-S-), and silylene bond.
  • a and B are each independently preferably a methylene group, a bis(trifluoromethyl)methylene group, a difluoromethylene group, an ether bond, a sulfide bond, etc., and an ether bond is more preferable.
  • C preferably contains an ether bond, and is preferably an ether bond. Further, C may include a structure
  • the alkylene group represented by C in formula (E) is preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms. or 2 alkylene group is more preferable.
  • alkylene group represented by C in formula (E) include linear alkylene groups such as methylene group, ethylene group, trimethylene group, tetramethylene group, pentamethylene group, and hexamethylene group; methylmethylene group; Methylethylene group, ethylmethylene group, dimethylmethylene group, 1,1-dimethylethylene group, 1-methyltrimethylene group, 2-methyltrimethylene group, ethylethylene group, 1-methyltetramethylene group, 2-methyltetramethylene group group, 1-ethyltrimethylene group, 2-ethyltrimethylene group, 1,1-dimethyltrimethylene group, 1,2-dimethyltrimethylene group, 2,2-dimethyltrimethylene group, 1-methylpentamethylene group, 2-methylpentamethylene group, 3-methylpentamethylene group, 1-ethyltetramethylene group, 2-ethyltetramethylene group, 1,1-dimethyltetramethylene group, 1,2-dimethyltramethylene group
  • the halogenated alkylene group represented by C in formula (E) is preferably a halogenated alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably a halogenated alkylene group having 1 to 5 carbon atoms. Preferably, a halogenated alkylene group having 1 to 3 carbon atoms is more preferable.
  • at least one hydrogen atom contained in the alkylene group represented by C in formula (E) above is a fluorine atom, a chlorine atom, etc.
  • Examples include alkylene groups substituted with halogen atoms. Among these, fluoromethylene group, difluoromethylene group, hexafluorodimethylmethylene group, etc. are preferred.
  • the alkyl group represented by R A or R B included in the silylene bond or siloxane bond is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. is more preferable, and even more preferably an alkyl group having 1 or 2 carbon atoms.
  • Specific examples of the alkyl group represented by R A or R B include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group, etc. Can be mentioned.
  • tetravalent organic group represented by X may be groups represented by the following formulas (J) to (O).
  • the divalent organic group represented by Y preferably has 4 to 25 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, and even more preferably 12 to 18 carbon atoms.
  • the skeleton of the divalent organic group represented by Y may be the same as the skeleton of the tetravalent organic group represented by X, and the preferable skeleton of the divalent organic group represented by Y is It may be the same as the preferred skeleton of the tetravalent organic group represented by.
  • the skeleton of the divalent organic group represented by Y is a tetravalent organic group represented by X, in which two bonding positions are substituted with atoms (e.g. hydrogen atoms) or functional groups (e.g.
  • the divalent organic group represented by Y may be a divalent aliphatic group or a divalent aromatic group. From the viewpoint of heat resistance, the divalent organic group represented by Y is preferably a divalent aromatic group.
  • divalent aromatic groups include divalent aromatic hydrocarbon groups (for example, the number of carbon atoms constituting the aromatic ring is 6 to 20), divalent aromatic heterocyclic groups (for example, the number of carbon atoms constituting the aromatic ring is 6 to 20), The number of atoms is 5 to 20), and divalent aromatic hydrocarbon groups are preferred.
  • divalent aromatic group represented by Y include groups represented by the following formulas (G) and (H).
  • a group represented by the following formula (H) is preferable, and among them, in the following formula (H), D is more preferably a group containing a single bond or an ether bond, even more preferably a group containing a single bond or an ether bond, particularly preferably a group containing an ether bond, and most preferably an ether bond. preferable.
  • R each independently represents an alkyl group, an alkoxy group, a halogenated alkyl group, a phenyl group, or a halogen atom
  • n each independently represents an integer from 0 to 4.
  • two R A 's each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a phenyl group), a siloxane bond (-O- (Si(R B ) 2 -O-) n ;
  • Two R B 's each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a phenyl group, and n represents an integer of 1 or 2 or more.) or at least these Represents a combination of two divalent groups.
  • D may have a structure represented by the above formula (C1).
  • a specific example of D in formula (H) is the same as a specific example of C in formula (E).
  • D in formula (H) is preferably a single bond, an ether bond, a group containing an ether bond and a phenylene group, a group containing an ether bond, a phenylene group, and an alkylene group, etc., each independently.
  • the alkyl group represented by R in formulas (G) to (H) is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. , more preferably an alkyl group having 1 or 2 carbon atoms.
  • Specific examples of the alkyl group represented by R in formulas (G) to (H) include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s-butyl group, Examples include t-butyl group.
  • the alkoxy group represented by R in formulas (G) to (H) is preferably an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. , more preferably an alkoxy group having 1 or 2 carbon atoms.
  • Specific examples of the alkoxy group represented by R in formulas (G) to (H) include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, and s-butoxy group. , t-butoxy group and the like.
  • the halogenated alkyl group represented by R in formulas (G) to (H) is preferably a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and preferably a halogenated alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. More preferably, it is a halogenated alkyl group having 1 or 2 carbon atoms.
  • Specific examples of the halogenated alkyl group represented by R in formulas (G) to (H) include at least one hydrogen atom contained in the alkyl group represented by R in formulas (G) to (H). Examples include alkyl groups in which is substituted with a halogen atom such as a fluorine atom or a chlorine atom. Among these, fluoromethyl group, difluoromethyl group, trifluoromethyl group, etc. are preferred.
  • n is each independently preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and even more preferably 0.
  • divalent aliphatic group represented by Y examples include a linear or branched alkylene group, a cycloalkylene group, a divalent group having a polyalkylene oxide structure, and the like.
  • the linear or branched alkylene group represented by Y is preferably an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 15 carbon atoms. More preferably, the number is 1 to 10 alkylene groups.
  • Specific examples of the alkylene group represented by Y include tetramethylene group, hexamethylene group, heptamethylene group, octamethylene group, nonamethylene group, decamethylene group, undecamethylene group, dodecamethylene group, 2-methylpentamethylene group. , 2-methylhexamethylene group, 2-methylheptamethylene group, 2-methyloctamethylene group, 2-methylnonamethylene group, 2-methyldecamethylene group, and the like.
  • the cycloalkylene group represented by Y is preferably a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms, more preferably a cycloalkylene group having 3 to 6 carbon atoms.
  • Specific examples of the cycloalkylene group represented by Y include a cyclopropylene group and a cyclohexylene group.
  • the unit structure contained in the divalent group having a polyalkylene oxide structure represented by Y is preferably an alkylene oxide structure having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkylene oxide structure having 1 to 8 carbon atoms.
  • An alkylene oxide structure of 1 to 4 is more preferred.
  • the polyalkylene oxide structure a polyethylene oxide structure or a polypropylene oxide structure is preferable.
  • the alkylene group in the alkylene oxide structure may be linear or branched.
  • the number of unit structures in the polyalkylene oxide structure may be one, or two or more.
  • the divalent organic group represented by Y may be a divalent group having a polysiloxane structure.
  • a divalent group having a polysiloxane structure represented by Y a silicon atom in the polysiloxane structure is bonded to a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms. Examples include divalent groups having a polysiloxane structure.
  • alkyl group having 1 to 20 carbon atoms bonded to the silicon atom in the polysiloxane structure include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, n- Examples include octyl group, 2-ethylhexyl group, n-dodecyl group, and the like. Among these, methyl group is preferred.
  • the aryl group having 6 to 18 carbon atoms bonded to the silicon atom in the polysiloxane structure may be unsubstituted or substituted with a substituent.
  • substituent when the aryl group has a substituent include a halogen atom, an alkoxy group, and a hydroxy group.
  • aryl group having 6 to 18 carbon atoms include phenyl group, naphthyl group, and benzyl group. Among these, phenyl group is preferred.
  • the number of alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms or aryl groups having 6 to 18 carbon atoms in the polysiloxane structure may be one type or two or more types.
  • the silicon atom constituting the divalent group having a polysiloxane structure represented by Y is an NH group in general formula (1) via an alkylene group such as a methylene group or an ethylene group, or an arylene group such as a phenylene group. May be combined with
  • the group represented by the formula (G) is preferably a group represented by the following formula (G'), and the group represented by the formula (H) is preferably a group represented by the following formula (H') or the formula (H').
  • a group represented by the following formula (H') or formula (H'') is preferable, from the viewpoint of having a flexible skeleton and excellent bonding properties. More preferably, it is a group in which
  • R each independently represents an alkyl group, an alkoxy group, a halogenated alkyl group, a phenyl group, or a halogen atom.
  • R is preferably an alkyl group, more preferably a methyl group.
  • the combination of the tetravalent organic group represented by X and the divalent organic group represented by Y in general formula (1) is not particularly limited.
  • X is a group represented by formula (E)
  • Y is a group represented by formula (H). Examples include combinations of groups.
  • R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, provided that at least one has a polymerizable unsaturated bond.
  • the monovalent organic group is preferably an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms or an organic group having an unsaturated double bond, such as a group represented by the following general formula (2), an ethyl group, It is more preferably either an isobutyl group or a t-butyl group, and even more preferably an aliphatic hydrocarbon group having 1 or 2 carbon atoms or a group represented by the following general formula (2).
  • at least one of R 6 and R 7 is a group represented by general formula (2).
  • the monovalent organic group contains an organic group having an unsaturated double bond, preferably a group represented by the following general formula (2), the i-line transmittance is high, and it can be cured at a low temperature of 400°C or less. Also tends to be able to form a good cured product.
  • the monovalent organic group includes an organic group having an unsaturated double bond, preferably a group represented by the following general formula (2), at least a portion of the unsaturated double bond moiety is removed by the compound (C). is detached.
  • aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 4 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, etc. Among them, ethyl group, Isobutyl and t-butyl groups are preferred.
  • R 8 to R 10 each independently represent a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, and R x represents a divalent linking group.
  • the aliphatic hydrocarbon group represented by R 8 to R 10 in general formula (2) has 1 to 3 carbon atoms, preferably 1 or 2 carbon atoms.
  • Specific examples of the aliphatic hydrocarbon group represented by R 8 to R 10 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, and a methyl group is preferred.
  • R 8 to R 10 in general formula (2) is preferably a combination in which R 8 and R 9 are hydrogen atoms, and R 10 is a hydrogen atom or a methyl group.
  • R x in general formula (2) is a divalent linking group, preferably a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
  • the hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms include linear or branched alkylene groups.
  • the number of carbon atoms in R x is preferably 1 to 10, more preferably 2 to 5, and even more preferably 2 or 3.
  • R 6 and R 7 are preferably a group represented by the above general formula (2), and both R 6 and R 7 are preferably a group represented by the above general formula (2). It is more preferable to be a group represented by:
  • R 6 and R are calculated based on the sum of R 6 and R 7 of all structural units contained in the compound.
  • the proportion of the group represented by general formula (2) as 7 is preferably 60 mol% or more, more preferably 70 mol% or more, and even more preferably 80 mol% or more.
  • the upper limit is not particularly limited, and may be 100 mol%.
  • the above-mentioned ratio may be 0 mol% or more and less than 60 mol%.
  • the group represented by general formula (2) is preferably a group represented by general formula (2') below.
  • R 8 to R 10 each independently represent a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, and q represents an integer of 1 to 10.
  • q is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 2 to 5, and more preferably 2 or 3.
  • the content of the structural unit represented by the general formula (1) contained in the compound having the structural unit represented by the general formula (1) is preferably 60 mol% or more based on the total structural units, More preferably 70 mol% or more, and even more preferably 80 mol% or more.
  • the upper limit of the above-mentioned content is not particularly limited, and may be 100 mol%.
  • the polyimide precursor may be synthesized using a tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound.
  • X corresponds to a residue derived from a tetracarboxylic dianhydride
  • Y corresponds to a residue derived from a diamine compound.
  • the polyimide precursor may be synthesized using tetracarboxylic acid instead of tetracarboxylic dianhydride.
  • tetracarboxylic dianhydride examples include pyromellitic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, and 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride.
  • 3,3',4,4'-biphenyl ether tetracarboxylic dianhydride and 3,3',4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride are preferable, and From the viewpoint of bonding, 3,3',4,4'-biphenyl ether tetracarboxylic dianhydride is more preferable.
  • One type of tetracarboxylic dianhydride may be used alone or two or more types may be used in combination.
  • diamine compounds include 2,2'-dimethylbiphenyl-4,4'-diamine, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl, and 2,2'-difluoro- 4,4'-diaminobiphenyl, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-xylylenediamine, m-xylylenediamine, 1,5-diaminonaphthalene, benzidine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4 '-Diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 2,4'-diaminodiphenyl ether, 2,2'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3
  • diamine compound 2,2'-dimethylbiphenyl-4,4'-diamine, m-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether and 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene are preferred.
  • 4,4'-diaminodiphenyl ether, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, and 2,2-bis ⁇ 4-(4' -aminophenoxy)phenyl ⁇ propane is more preferred.
  • the diamine compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • a compound having a structural unit represented by general formula (1) and in which at least one of R 6 and R 7 in general formula (1) is a monovalent organic group is, for example, the following (a) or It can be obtained by the method (b).
  • a diester is produced by reacting a tetracarboxylic dianhydride (preferably a tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formula (8)) and a compound represented by R-OH in an organic solvent. After making the derivative, the diester derivative and a diamine compound represented by H 2 N--Y--NH 2 are subjected to a condensation reaction.
  • Tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound represented by H 2 N-Y-NH 2 are reacted in an organic solvent to obtain a polyamic acid solution, and the compound represented by R-OH is mixed into polyamide.
  • the reaction is carried out in an organic solvent to introduce an ester group.
  • Y in the diamine compound represented by H 2 N-Y-NH 2 is the same as Y in general formula (1), and specific examples and preferred examples are also the same.
  • R in the compound represented by R-OH represents a monovalent organic group, and specific examples and preferred examples are the same as those for R 6 and R 7 in general formula (1).
  • the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (8), the diamine compound represented by H 2 N-Y-NH 2 and the compound represented by R-OH may each be used alone. Often, two or more types may be combined. Examples of the organic solvents mentioned above include N-methyl-2-pyrrolidone, ⁇ -butyrolactone, dimethoxyimidazolidinone, 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide, and among others, 3-methoxy-N,N- Dimethylpropanamide is preferred.
  • a polyimide precursor may be synthesized by allowing a dehydration condensation agent to act on a polyamic acid solution together with a compound represented by R-OH.
  • the dehydration condensation agent preferably contains at least one selected from the group consisting of trifluoroacetic anhydride, N,N'-dicyclohexylcarbodiimide (DCC), and 1,3-diisopropylcarbodiimide (DIC).
  • DCC N,N'-dicyclohexylcarbodiimide
  • DIC 1,3-diisopropylcarbodiimide
  • the above-mentioned compound contained in the polyimide precursor is obtained by reacting a tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formula (8) with a compound represented by R-OH to form a diester derivative, and then converting it into a diester derivative. It can be obtained by converting it into an acid chloride by applying a chlorinating agent such as thionyl, and then reacting the acid chloride with a diamine compound represented by H 2 N-Y-NH 2 .
  • the above-mentioned compound contained in the polyimide precursor is obtained by reacting a tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formula (8) with a compound represented by R-OH to form a diester derivative, and then converting it into a carbodiimide. It can be obtained by reacting a diamine compound represented by H 2 N-Y-NH 2 with a diester derivative in the presence of the compound.
  • the above-mentioned compound contained in the polyimide precursor is obtained by reacting a tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formula (8) with a diamine compound represented by H 2 N-Y-NH 2 It can be obtained by converting the polyamic acid into isoimidization in the presence of a dehydration condensation agent such as trifluoroacetic anhydride, and then reacting with a compound represented by R-OH. Alternatively, a compound represented by R-OH may be reacted on a portion of the tetracarboxylic dianhydride in advance to form a partially esterified tetracarboxylic dianhydride and a compound represented by H 2 N-Y-NH 2 . may be reacted with a diamine compound.
  • X is the same as X in general formula (1), and specific examples and preferred examples are also the same.
  • Compounds represented by R-OH used in the synthesis of the above-mentioned compounds contained in the polyimide precursor include compounds in which a hydroxy group is bonded to R x of the group represented by general formula (2); It may also be a compound in which a hydroxy group is bonded to the terminal methylene group of the group represented by formula (2').
  • Specific examples of compounds represented by R-OH include methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, and acrylic.
  • Examples include 2-hydroxypropyl acid, 2-hydroxypropyl methacrylate, 2-hydroxybutyl acrylate, 2-hydroxybutyl methacrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, and 4-hydroxybutyl methacrylate. -hydroxyethyl and 2-hydroxyethyl acrylate are preferred.
  • the weight average molecular weight of the polyimide precursor (A) is preferably 10,000 to 200,000, more preferably 10,000 to 100,000.
  • the weight average molecular weight can be measured, for example, by gel permeation chromatography, and can be determined by conversion using a standard polystyrene calibration curve.
  • the insulating film forming material of the present disclosure may further contain a dicarboxylic acid, and the (A) polyimide precursor contained in the insulating film forming material is such that some of the amino groups in the (A) polyimide precursor are in the dicarboxylic acid. It may have a structure formed by reacting with a carboxy group. For example, when synthesizing a polyimide precursor, a portion of the amino groups of the diamine compound and the carboxy groups of the dicarboxylic acid may be reacted.
  • the dicarboxylic acid may be a dicarboxylic acid having a (meth)acrylic group, for example, a dicarboxylic acid represented by the following formula.
  • the insulating film forming material of the present disclosure may contain a polyimide resin in addition to the polyimide precursor (A).
  • a polyimide resin By combining a polyimide precursor and a polyimide resin, it is possible to suppress the production of volatiles due to dehydration cyclization during imide ring formation, and therefore it tends to be possible to suppress the generation of voids.
  • the polyimide resin herein refers to a resin having an imide skeleton in all or part of the resin skeleton. It is preferable that the polyimide resin is soluble in a solvent in an insulating film forming material using a polyimide precursor.
  • the polyimide resin is not particularly limited as long as it is a polymeric compound having a plurality of structural units containing imide bonds, and preferably includes, for example, a compound having a structural unit represented by the following general formula (X).
  • X a compound having a structural unit represented by the following general formula (X).
  • X represents a tetravalent organic group
  • Y represents a divalent organic group.
  • Preferred examples of substituents X and Y in general formula (X) are the same as preferred examples of substituents X and Y in general formula (1) described above.
  • the proportion of the polyimide resin to the total of the polyimide precursor and the polyimide resin may be 15% to 50% by mass, or 10% to 20% by mass. There may be.
  • the insulating film forming material of the present disclosure may contain (A) a polyimide precursor and a resin other than the polyimide resin.
  • a polyimide precursor examples include novolak resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyether sulfone resin, epoxy resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polyvinyl chloride resin, etc. from the viewpoint of heat resistance.
  • the other resins may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the polyimide precursor (A) based on the total amount of resin components is preferably 50% by mass to 100% by mass, more preferably 70% by mass to 100% by mass. , more preferably 90% by mass to 100% by mass.
  • the insulating film forming material of the present disclosure includes a (B) solvent (hereinafter also referred to as "component (B)").
  • Component (B) may be used alone or in combination of two or more.
  • Component (B) contains at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (3) to (8), for example, from the viewpoint of reducing reproductive toxicity and environmental load of the insulating film forming material. It is preferable.
  • R 1 , R 2 , R 8 , R 10 and R 11 are each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 3 to R 7 and R 9 are , each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • s is an integer from 0 to 8
  • t is an integer from 0 to 4
  • r is an integer from 0 to 4
  • u and v are integers from 0 to 3.
  • the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in R 2 is preferably a methyl group or an ethyl group.
  • t is preferably 0, 1 or 2, more preferably 1.
  • the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms for R 3 is preferably a methyl group, ethyl group, propyl group or butyl group.
  • the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms for R 4 and R 5 is preferably a methyl group or an ethyl group.
  • the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in R 6 to R 8 is preferably a methyl group or an ethyl group.
  • r is preferably 0 or 1, more preferably 0.
  • the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in R 9 and R 10 is preferably a methyl group or an ethyl group.
  • u is preferably 0 or 1, more preferably 0.
  • the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms for R 11 is preferably a methyl group or an ethyl group.
  • v is preferably 0 or 1, more preferably 0.
  • Component (B) may be, for example, at least one of the compounds represented by formulas (4), (5), (6), (7), and (8); It may be at least one of the compounds represented by 7) and (8).
  • component (B) include the following compounds.
  • component (B) contained in the insulating film forming material of the present disclosure is not limited to the above-mentioned compounds, and may be other solvents.
  • Component (B) may be an ester solvent, an ether solvent, a ketone solvent, a hydrocarbon solvent, an aromatic hydrocarbon solvent, a sulfoxide solvent, or the like.
  • Solvents for esters include ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone. , ⁇ -caprolactone, ⁇ -valerolactone, alkyl alkoxy acetates such as methyl alkoxy acetate, ethyl alkoxy acetate, butyl alkoxy acetate (e.g.
  • 3-Alkoxypropionate alkyl esters such as methyl 3-alkoxypropionate, ethyl 3-alkoxypropionate (e.g.
  • 2-alkoxypropionate alkyl esters e.g., methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, Propyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate and ethyl 2-ethoxypropionate
  • 2-alkoxy-2-methylpropionate such as methyl 2-methoxy-2-methylpropionate
  • 2-ethoxy-2 - Ethyl 2-alkoxy-2-methylpropionate such as ethyl methylpropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, ethyl 2-oxobutanoate, etc.
  • 2-alkoxypropionate alkyl esters e.g., methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, Prop
  • Ether solvents include diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene.
  • Examples include glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, and the like.
  • Examples of the ketone solvent include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone, and N-methyl-2-pyrrolidone (NMP).
  • Examples of hydrocarbon solvents include limonene and the like.
  • Examples of aromatic hydrocarbon solvents include toluene, xylene, anisole, and the like.
  • Examples of solvents for sulfoxides include dimethyl sulfoxide and the like.
  • Preferred examples of the solvent for component (B) include ⁇ -butyrolactone, cyclopentanone, ethyl lactate, and 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide.
  • the content of NMP may be 1% by mass or less based on the total amount of the insulating film forming material, and (A) the polyimide precursor The amount may be 3% by mass or less based on the total amount of the body.
  • the content of component (B) is preferably 1 part by mass to 10,000 parts by mass, and preferably 50 parts by mass to 10,000 parts by mass, based on 100 parts by mass of (A) polyimide precursor. It is more preferable that
  • Component (B) includes at least one solvent (1) selected from the group consisting of compounds represented by formulas (3) to (6), as well as ester solvents, ether solvents, and ketone solvents. It is preferable to contain at least one of the solvents (2) selected from the group consisting of solvents, hydrocarbon solvents, aromatic hydrocarbon solvents, and sulfoxide solvents. Further, the content of the solvent (1) may be 5% by mass to 100% by mass, or even 5% by mass to 50% by mass, based on the total of the solvent (1) and the solvent (2). good. The content of the solvent (1) may be 10 parts by mass to 1000 parts by mass, 10 parts by mass to 100 parts by mass, and 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the polyimide precursor (A). Parts to 50 parts by mass may be used.
  • solvent (1) selected from the group consisting of compounds represented by formulas (3) to (6), as well as ester solvents, ether solvents, and ketone solvents. It is preferable to contain at least one of the solvents (2) selected
  • the insulating film forming material of the present disclosure includes (C) an oxime-based photopolymerization initiator. This provides excellent exposure sensitivity and suppresses the generation of voids during bonding. (C) The oxime photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • the oxime-based photopolymerization initiator (C) preferably contains a compound represented by the following formula (I).
  • R 1 represents an alkyl group, an alkoxy group, a phenyl group, or a phenoxy group
  • R 2 represents an alkyl group
  • R 3 represents a carbonyl group or a monovalent organic group connected by a single bond.
  • R 1 is preferably an alkyl group, an alkoxy group, or a phenyl group, and more preferably an alkoxy group from the viewpoint of excellent resolution and pattern profile. On the other hand, from the viewpoint of increasing exposure sensitivity, R 1 is more preferably an alkyl group or a phenyl group.
  • compound A in which R 1 in formula (I) is an alkoxy group and compound A in which R 1 in formula (I) is an alkyl group or a phenyl group. It is preferable to use it in combination with the represented compound B.
  • the blending ratio of compound A and compound B is preferably 1:1 to 1:0.01, more preferably 1:0.5 to 1:0.01, and 1 :0.2 to 1:0.01 is more preferable.
  • the number of carbon atoms in the alkoxy group represented by R 1 is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5, and even more preferably 1 to 3.
  • the alkoxy group represented by R 1 may be linear, branched, or cyclic, and is preferably linear.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group represented by R 1 is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5, and even more preferably 1 to 3.
  • the alkyl group represented by R 1 may be linear, branched, or cyclic, and is preferably linear.
  • the alkyl group, alkoxy group, phenyl group, and phenoxy group represented by R 1 may have a substituent or may be unsubstituted, and are preferably unsubstituted.
  • R 2 is preferably an alkyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and even more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • the alkyl group represented by R 2 may be linear, branched, or cyclic, and preferably linear.
  • R 3 represents a carbonyl group or a monovalent organic group connected through a single bond.
  • the monovalent organic group include a phenyl group which may have a substituent.
  • the substituent that the phenyl group has include a phenoxy group, a phenylthio group, a phenyl group, an amino group, and an alkyl group, and these groups may further have a substituent.
  • Substituents possessed by the phenyl group may be bonded to each other to form a ring.
  • the formed ring include a carbazole ring.
  • the formed ring may further have a substituent.
  • the substituent that the formed ring has include an alkyl group, a phenyl group, and an acyl group, and these groups may further have a substituent.
  • the insulating film forming material of the present disclosure may contain other photopolymerization initiators together with (C) the oxime-based photopolymerization initiator.
  • Other photoinitiators include acetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 3'-methylacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, 4'- (Methylthio)- ⁇ -morpholino- ⁇ -methylpropiophenone, acetophenone derivatives such as 1-hydroxycyclohexylphenylketone; thioxanthone derivatives such as thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, diethylthioxanthone; Benzyl derivatives such as benzyl, benzyl dimethyl ketal, benzyl- ⁇ -methoxyethyl acetal
  • N-arylglycines such as benzoyl perchloride; 2-(o-chlorophenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(o-fluorophenyl)-4,5-diphenylimidazole Aromatic biimidazoles such as 2-(o- or p-methoxyphenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer; 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide, bis(2, Examples include acylphosphine oxide derivatives such as 4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide, Irgacure OXE03 (manufactured by BASF), Irgacure OXE04 (manufactured by BASF), and the like. Other photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the oxime photoinitiator (C) relative to the total amount of photopolymerization initiators is preferably 60% by mass or more, more preferably 80% by mass or more, and preferably 90% by mass or more. It is more preferable, and particularly preferably 95% by mass or more.
  • the total amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.1 parts by mass to 20 parts by mass, more preferably 1 parts by mass to 20 parts by mass, and 5 parts by mass to 20 parts by mass, based on 100 parts by mass of the polyimide precursor (A). Part is more preferable.
  • the insulating film forming material of the present disclosure contains (A) a polyimide precursor, (B) a solvent, and (C) an oxime-based photopolymerization initiator, and optionally (D) a sensitizer, (E) a polymerizable Contains a monomer, (F) a thermal polymerization initiator, (G) a polymerization inhibitor, an antioxidant, a coupling agent, a surfactant, a leveling agent, a rust preventive, a nitrogen-containing compound, etc., and does not impair the effects of the present disclosure. Other components and unavoidable impurities may be included within the range.
  • the insulating film forming material of the present disclosure further includes a component (D) and a component (E).
  • the sensitizer is the (D) component
  • the polymerizable monomer is the (E) component
  • the thermal polymerization initiator is the (F) component
  • the polymerization inhibitor is the (G) component. Also called.
  • polyimide precursor ⁇ (C) component For example, 80% by mass or more, 90% by mass or more, 95% by mass or more, 98% by mass or more, or 100% by mass of the insulating film forming material of the present disclosure, (A) polyimide precursor ⁇ (C) component, (A) polyimide precursor to (D) component, (A) polyimide precursor to (E) component, (A) polyimide precursor to (F) component, (A) polyimide precursor ⁇ (G) component, (A) polyimide precursor to (G) component and at least one selected from the group consisting of antioxidants, coupling agents, surfactants, leveling agents, rust preventives, and nitrogen-containing compounds; It may consist of.
  • preferred forms of each component will be explained.
  • the insulating film forming material of the present disclosure preferably contains (D) a sensitizer.
  • D) Sensitizers include benzophenone, N,N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone (Michler's ketone), N,N'-tetraethyl-4,4'-diaminobenzophenone, 4-methoxy-4 '-dimethylaminobenzophenone, 4-chlorobenzophenone, 4,4'-dimethoxybenzophenone, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-benzoyl-4 Examples include benzophenone derivatives such as '-methyldiphenylketone, dibenzylketone, and fluorenone.
  • the sensitizers may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the (D) sensitizer is not particularly limited, and is 0.01 parts by mass with respect to 100 parts by mass of (A) polyimide precursor.
  • the amount is preferably from 1 part to 3 parts by weight, and more preferably from 0.1 part to 1 part by weight.
  • the insulating film forming material of the present disclosure preferably contains (E) a polymerizable monomer.
  • Component (E) preferably has at least one group containing a polymerizable unsaturated double bond, and from the viewpoint of being suitably polymerizable in combination with a photopolymerization initiator, component (E) contains at least one (meth)acrylic group. It is more preferable to have one. From the viewpoint of improving crosslink density and exposure sensitivity, it is preferable to have 2 to 6 groups, and more preferably 2 to 4 groups containing polymerizable unsaturated double bonds.
  • the polymerizable monomers may be used alone or in combination of two or more.
  • the polymerizable monomer having a (meth)acrylic group is not particularly limited, and examples thereof include diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, and tetraethylene glycol diacrylate.
  • the polymerizable monomer other than the polymerizable monomer having a (meth)acrylic group is not particularly limited, and examples include styrene, divinylbenzene, 4-vinyltoluene, 4-vinylpyridine, N-vinylpyrrolidone, methylenebisacrylamide, N , N-dimethylacrylamide and N-methylolacrylamide.
  • Component (E) is not limited to a compound having a group containing a polymerizable unsaturated double bond, and may be a compound having a polymerizable group other than an unsaturated double bond group (for example, an oxirane ring). .
  • component (E) when the insulating film forming material of the present disclosure contains component (E), the content of component (E) is not particularly limited, and is 1 part by mass to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of (A) polyimide precursor. The amount is preferably from 1 part by weight to 75 parts by weight, and even more preferably from 1 part by weight to 50 parts by weight.
  • the insulating film forming material of the present disclosure may contain (F) a thermal polymerization initiator from the viewpoint of improving the physical properties of the cured product.
  • component (F) include ketone peroxide such as methyl ethyl ketone peroxide, 1,1-di(t-hexylperoxy)-3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-di(t-hexylperoxy) ) Peroxyketals such as cyclohexane, 1,1-di(t-butylperoxy)cyclohexane, 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, p-menthane hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide hydroperoxides such as dicumyl peroxide, dialkyl peroxides such as di-t-butyl peroxide, diacyl peroxides such as dilauroyl peroxide and dibenzoyl peroxide, di(4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, di(2- peroxydicarbonates
  • the content of component (F) may be 0.1 parts by mass to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polyimide precursor, The amount may be 1 part by mass to 15 parts by mass, or 1 part by mass to 10 parts by mass.
  • the insulating film forming material of the present disclosure may contain component (G) from the viewpoint of ensuring good storage stability.
  • the polymerization inhibitor include radical polymerization inhibitors and radical polymerization inhibitors.
  • component (G) examples include p-methoxyphenol, diphenyl-p-benzoquinone, benzoquinone, hydroquinone, pyrogallol, phenothiazine, resorcinol, orthodinitrobenzene, paradinitrobenzene, metadinitrobenzene, phenanthraquinone, N-phenyl- Examples include 2-naphthylamine, cuperone, 2,5-torquinone, tannic acid, parabenzylaminophenol, nitrosamines, and hindered phenol compounds.
  • the polymerization inhibitors may be used alone or in combination of two or more.
  • the hindered phenol compound may have both the function of a polymerization inhibitor and the function of an antioxidant described below, or it may have either one of the functions.
  • the hindered phenol compound is not particularly limited, and examples thereof include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,5-di-t-butyl-hydroquinone, octadecyl-3-(3,5- di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, isooctyl-3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, 4,4'-methylenebis(2,6-di- t-butylphenol), 4,4'-thio-bis(3-methyl-6-t-butylphenol), 4,4'-butylidene-bis(3-methyl-6-t-butylphenol), triethylene glycol-bis [3-(3-t-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 1,6-hexanediol-bis[3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate ], 2,
  • the content of the (G) component is determined from the viewpoint of the storage stability of the insulating film-forming material and the heat resistance of the obtained cured product.
  • the amount is preferably 0.01 parts by mass to 30 parts by mass, more preferably 0.01 parts by mass to 10 parts by mass, and 0.05 parts by mass to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the body. It is even more preferable.
  • the insulating film forming material of the present disclosure may contain an antioxidant from the viewpoint of suppressing deterioration of adhesive properties by capturing oxygen radicals and peroxide radicals generated during high-temperature storage, reflow treatment, etc. . Since the insulating film forming material of the present disclosure contains an antioxidant, oxidation of the electrode during an insulation reliability test can be suppressed.
  • antioxidants include the compounds listed above as the hindered phenol compounds, N,N'-bis[2-[2-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)ethyl] carbonyloxy]ethyl]oxamide, N,N'-bis-3-(3,5-di-tert-butyl-4'-hydroxyphenyl)propionylhexamethylenediamine, 1,3,5-tris(3-hydroxy- 4-tert-butyl-2,6-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl) -3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl)isocyanuric acid and the like.
  • the antioxidants may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the antioxidant is preferably 0.1 parts by mass to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of (A) polyimide precursor. , more preferably 0.1 parts by mass to 10 parts by mass, and even more preferably 0.1 parts by mass to 5 parts by mass.
  • the insulating film forming material of the present disclosure may include a coupling agent.
  • the coupling agent reacts with the polyimide precursor (A) to crosslink, or the coupling agent itself polymerizes. This tends to further improve the adhesiveness between the obtained cured product and the substrate.
  • Coupling agents include 3-aminopropyltrimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, -Methacryloxypropyldimethoxymethylsilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, dimethoxymethyl-3-piperidinopropylsilane, diethoxy-3-glycidoxypropylmethylsilane, N-(3-diethoxymethylsilylpropyl) Succinimide, N-[3-(triethoxysilyl)propyl]phthalamic acid, benzophenone-3,3'-bis(N-[3-triethoxysilyl]propylamide)-4,4'-dicarboxylic acid, benzene-1
  • the content of the coupling agent is preferably 0.1 parts by mass to 20 parts by mass, and 0.1 parts by mass to 20 parts by mass, based on 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
  • the amount is more preferably 3 parts by weight to 10 parts by weight, and even more preferably 1 part to 10 parts by weight.
  • the insulating film forming material of the present disclosure may include at least one of a surfactant and a leveling agent.
  • a surfactant and a leveling agent When the insulating film forming material contains at least one of a surfactant and a leveling agent, it improves coating properties (for example, suppressing striae (unevenness in film thickness)), improves adhesion, and improves the compatibility of compounds in the insulating film forming material. etc. can be improved.
  • surfactant or leveling agent examples include polyoxyethylene uralyl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenol ether, and the like.
  • the surfactants and leveling agents may be used alone or in combination of two or more.
  • the total content of the surfactant and the leveling agent is 0.01 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) polyimide precursor.
  • the amount is preferably from 10 parts to 10 parts by weight, more preferably from 0.05 parts to 5 parts by weight, even more preferably from 0.05 parts to 3 parts by weight.
  • the insulating film forming material of the present disclosure may contain a rust preventive agent from the viewpoint of suppressing corrosion of metals such as copper and copper alloys, and from the viewpoint of suppressing discoloration of the metals.
  • rust preventive agents include azole compounds and purine derivatives.
  • azole compounds include 1H-triazole, 5-methyl-1H-triazole, 5-ethyl-1H-triazole, 4,5-dimethyl-1H-triazole, 5-phenyl-1H-triazole, 4-t- Butyl-5-phenyl-1H-triazole, 5-hydroxyphenyl-1H-triazole, phenyltriazole, p-ethoxyphenyltriazole, 5-phenyl-1-(2-dimethylaminoethyl)triazole, 5-benzyl-1H- Triazole, hydroxyphenyltriazole, 1,5-dimethyltriazole, 4,5-diethyl-1H-triazole, 1H-benzotriazole, 2-(5-methyl-2-hydroxyphenyl)benzotriazole, 2-[2-hydroxy- 3,5-bis( ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl)phenyl]-benzotriazole, 2-(3,5-di-t-butyl-2-hydroxyphenyl)
  • purine derivatives include purine, adenine, guanine, hypoxanthine, xanthine, theobromine, caffeine, uric acid, isoguanine, 2,6-diaminopurine, 9-methyladenine, 2-hydroxyadenine, 2-methyladenine, 1-methyladenine, N-methyladenine, N,N-dimethyladenine, 2-fluoroadenine, 9-(2-hydroxyethyl)adenine, guanine oxime, N-(2-hydroxyethyl)adenine, 8-aminoadenine, 6-amino-8-phenyl-9H-purine, 1-ethyladenine, 6-ethylaminopurine, 1-benzyladenine, N-methylguanine, 7-(2-hydroxyethyl)guanine, N-(3-chlorophenyl) Examples include guanine, N-(3-ethylphenyl)guanine, 2-azaa
  • the rust inhibitors may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the rust preventive agent is preferably 0.01 parts by mass to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of (A) polyimide precursor. , more preferably 0.1 parts by mass to 5 parts by mass, and even more preferably 0.5 parts by mass to 3 parts by mass.
  • the content of the rust preventive agent is 0.1 parts by mass or more, when the insulating film forming material of the present disclosure is applied on the surface of copper or copper alloy, discoloration of the surface of copper or copper alloy is prevented. suppressed.
  • the resin composition of the present disclosure may contain a nitrogen-containing compound from the viewpoint of accelerating the imidization reaction of component (A) and obtaining a highly reliable cured product.
  • nitrogen-containing compounds include 2-(methylphenylamino)ethanol, 2-(ethylanilino)ethanol, N-phenyldiethanolamine, N-methylaniline, N-ethylaniline, N,N'-dimethylaniline, N- Phenylethanolamine, 4-phenylmorpholine, 2,2'-(4-methylphenylimino)diethanol, 4-aminobenzamide, 2-aminobenzamide, nicotinamide, 4-amino-N-methylbenzamide, 4-aminoacetanilide , 4-aminoacetophenone, among others, N-phenyldiethanolamine, N-methylaniline, N-ethylaniline, N,N'-dimethylaniline, N-phenylethanolamine, 4-phenylmorpholine, 2,2 '-(4-methylphenylimino)diethanol and the like are preferred.
  • One type of nitrogen-containing compound may be used alone, or two or more types may be used in combination
  • the nitrogen-containing compound includes a compound represented by the following formula (17).
  • R 31A to R 33A are each independently a hydrogen atom, a monovalent aliphatic hydrocarbon group, a monovalent aliphatic hydrocarbon group having a hydroxy group, or a monovalent aromatic group. and at least one (preferably one) of R 31A to R 33A is a monovalent aromatic group. Adjacent groups of R 31A to R 33A may form a ring structure. Examples of the ring structure formed include a 5-membered ring and a 6-membered ring which may have a substituent such as a methyl group or a phenyl group.
  • the hydrogen atom of the monovalent aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a functional group other than a hydroxy group.
  • At least one (preferably one) of R 31A to R 33A is a monovalent aliphatic hydrocarbon group, a monovalent aliphatic hydrocarbon group having a hydroxy group, or a monovalent aromatic A group group is preferred.
  • the monovalent aliphatic hydrocarbon groups R 31A to R 33A preferably have 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms.
  • the monovalent aliphatic hydrocarbon group is preferably a methyl group, an ethyl group, or the like.
  • the monovalent aliphatic hydrocarbon group having a hydroxy group of R 31A to R 33A is one or more hydroxy groups bonded to the monovalent aliphatic hydrocarbon group of R 31A to R 33A .
  • the group is preferably a group with 1 to 3 hydroxy groups bonded thereto, and more preferably a group with one to three hydroxy groups bonded thereto.
  • Specific examples of the monovalent aliphatic hydrocarbon group having a hydroxy group include a methylol group, a hydroxyethyl group, and the like, with a hydroxyethyl group being preferred.
  • Examples of the monovalent aromatic group R 31A to R 33A in formula (17) include a monovalent aromatic hydrocarbon group, a monovalent aromatic heterocyclic group, etc. Groups are preferred.
  • the monovalent aromatic hydrocarbon group preferably has 6 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms.
  • Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group include a phenyl group and a naphthyl group.
  • the monovalent aromatic groups R 31A to R 33A in formula (17) may have a substituent.
  • substituents include monovalent aliphatic hydrocarbon groups represented by R 31A to R 33A in formula (17), and monovalent aliphatic hydrocarbon groups having a hydroxy group represented by R 31A to R 33A in formula (17) above. Groups similar to the group are mentioned.
  • the content of the nitrogen-containing compound is preferably 0.1 parts by mass to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of component (A), and is storage stable. From the viewpoint of properties, the amount is more preferably 0.3 parts by mass to 15 parts by mass, and even more preferably 0.5 parts by mass to 10 parts by mass.
  • the insulating film forming material of the present disclosure preferably has a glass transition temperature of 50° C. to 300° C., more preferably 50° C. to 250° C., when cured from the viewpoint of bonding at low temperatures.
  • the glass transition temperature of the cured product may be 200° C. or lower.
  • the glass transition temperature of the cured product is measured as follows. First, an insulating film forming material is heated in a nitrogen atmosphere for 2 hours at a predetermined curing temperature (for example, 150° C. to 375° C.) that allows a curing reaction to occur, to obtain a cured product. The obtained cured product was cut to make a rectangular parallelepiped of 5 mm x 50 mm x 3 mm, and a dynamic viscoelasticity measuring device (for example, RSA-G2 manufactured by TA Instruments) was used with a tension jig at a frequency of 1 Hz. Dynamic viscoelasticity is measured in a temperature range of 50°C to 350°C under the conditions of heating rate: 5°C/min.
  • the glass transition temperature (Tg) is defined as the temperature at the peak top of tan ⁇ , which is determined from the ratio of the storage modulus and loss modulus obtained by the above method.
  • the insulating film forming material of the present disclosure may be a negative photosensitive insulating film forming material or a positive photosensitive insulating film forming material. Further, the negative photosensitive insulating film forming material or the positive photosensitive insulating film forming material is used for arranging a plurality of terminal electrodes on a first organic insulating film provided on one surface of the first substrate body, which will be described later. The method is used for at least one of providing a plurality of through holes for arranging a plurality of terminal electrodes in a second organic insulating film provided on one surface of the second substrate body. It's okay.
  • the insulating film forming material of the present disclosure preferably has a coefficient of thermal expansion of 150 ppm/K or less, more preferably 100 ppm/K or less, even more preferably 70 ppm/K or less when cured. .
  • the coefficient of thermal expansion of the insulating film, which is a cured product, and the coefficient of thermal expansion of the electrode are equal to or close to each other, so even if heat generation occurs during use of the semiconductor device, the insulating layer and the electrode Damage to the semiconductor device due to the difference in coefficient of thermal expansion between the two can be suppressed.
  • the coefficient of thermal expansion indicates the rate at which the length of a cured product expands due to temperature rise, per temperature.
  • the coefficient of thermal expansion can be calculated by measuring the amount of change in length of the cured product at 100° C. to 150° C. using a thermomechanical analyzer or the like.
  • the insulating film forming material of the present disclosure preferably has a 5% thermal weight loss temperature of 200°C or higher, and preferably 250°C or higher when formed into a cured product, from the viewpoint of suppressing the generation of voids during bonding, etc. is more preferable.
  • the 5% thermogravimetric loss temperature is the temperature at which 10 mg of a polyimide resin film is used as a measurement sample, and when the temperature is increased by 10°C per minute from 25°C to 800°C using a simultaneous differential thermogravimetry measurement device. Calculated by measuring the temperature at which the temperature decreases by 5%.
  • a semiconductor device of the present disclosure includes a first semiconductor substrate including a first substrate body, the first organic insulating film and a first electrode provided on one surface of the first substrate body, and a semiconductor chip substrate body. , a semiconductor chip having the second organic insulating film and a second electrode provided on one surface of the semiconductor chip substrate body, wherein the first organic insulating film and the second organic insulating film are bonded. However, the first electrode and the second electrode are bonded to each other, and at least one of the first organic insulating film and the second organic insulating film is a cured product of the insulating film forming material of the present disclosure.
  • the semiconductor device of the present disclosure since at least one of the first organic insulating film and the organic insulating film portion is a cured product of the insulating film forming material of the present disclosure, there are few voids at the bonding interface of the insulating films.
  • a semiconductor device is manufactured using the insulating film forming material of the present disclosure.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of the present disclosure includes a first semiconductor device including a first substrate body, a first electrode and a first organic insulating film provided on one surface of the first substrate body.
  • a substrate is prepared, a semiconductor chip having a semiconductor chip substrate body, a second organic insulating film and a second electrode provided on one surface of the semiconductor chip substrate body is prepared, and the first electrode and the second electrode are provided on one surface of the semiconductor chip substrate body. bonding with two electrodes and bonding the first organic insulating film and the second organic insulating film,
  • the insulating film forming material of the present disclosure is used to fabricate at least one of the first organic insulating film and the second organic insulating film.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a semiconductor device of the present disclosure.
  • the semiconductor device 1 is an example of a semiconductor package, and includes a first semiconductor chip 10 (first semiconductor substrate), a second semiconductor chip 20 (semiconductor chip), a pillar part 30, and a rewiring layer 40. , a substrate 50, and a circuit board 60.
  • the first semiconductor chip 10 is a semiconductor chip such as an LSI (Large Scale Integrated Circuit) chip or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor, and has a three-dimensional mounting structure in which the second semiconductor chip 20 is mounted downward. There is.
  • the second semiconductor chip 20 is a semiconductor chip such as an LSI or a memory, and is a chip component having a smaller area in plan view than the first semiconductor chip 10.
  • the second semiconductor chip 20 is chip-to-chip (C2C) bonded to the back surface of the first semiconductor chip 10.
  • the first semiconductor chip 10 and the second semiconductor chip 20 have their respective terminal electrodes and their surrounding insulating films firmly and finely bonded to each other by hybrid bonding, which will be described in detail later.
  • the pillar part 30 is a connection part in which a plurality of pillars 31 made of metal such as copper (Cu) are sealed with resin 32.
  • the plurality of pillars 31 are conductive members extending from the upper surface to the lower surface of the pillar section 30.
  • the plurality of pillars 31 may have a cylindrical shape, for example, with a diameter of 3 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less (in one example, a diameter of 5 ⁇ m), and may be arranged such that the distance between the centers of each pillar 31 is 15 ⁇ m or less.
  • the plurality of pillars 31 connect the lower terminal electrode of the first semiconductor chip 10 and the upper terminal electrode of the rewiring layer 40 by flip-chip connection.
  • connection electrode can be formed in the semiconductor device 1 without using a technique called TMV (Through Mold Via) in which a hole is made in a mold and a solder connection is made.
  • the pillar section 30 has, for example, the same thickness as the second semiconductor chip 20, and is arranged on the side of the second semiconductor chip 20 in the horizontal direction. Note that a plurality of solder balls may be arranged instead of the pillar portion 30, and the solder balls electrically connect the lower terminal electrode of the first semiconductor chip 10 and the upper terminal electrode of the rewiring layer 40. You may.
  • the rewiring layer 40 is a wiring layer that has a terminal pitch conversion function, which is a function of a package substrate, and is made of polyimide, copper wiring, etc. on the insulating film on the lower side of the second semiconductor chip 20 and on the lower surface of the pillar section 30. This is a layer in which a rewiring pattern is formed.
  • the rewiring layer 40 is formed by turning the first semiconductor chip 10, the second semiconductor chip 20, etc. upside down (see (d) in FIG. 4).
  • the rewiring layer 40 electrically connects the terminal electrodes of the first semiconductor chip 10 via the terminal electrodes on the lower surface of the second semiconductor chip 20 and the pillar portion 30 to the terminal electrodes of the substrate 50.
  • the terminal pitch of the substrate 50 is wider than the terminal pitch of the pillar 31 and the terminal pitch of the second semiconductor chip 20.
  • various electronic components 51 may be mounted on the board 50.
  • an inorganic interposer or the like may be used between the rewiring layer 40 and the substrate 50 to ensure electrical connection between the rewiring layer 40 and the substrate 50. You can also make a connection.
  • the circuit board 60 has the first semiconductor chip 10 and the second semiconductor chip 20 mounted thereon, and is electrically connected to the board 50 which is connected to the first semiconductor chip 10, the second semiconductor chip 20, the electronic component 51, etc. This is a substrate that has a plurality of through electrodes inside.
  • each terminal electrode of the first semiconductor chip 10 and the second semiconductor chip 20 is electrically connected to a terminal electrode 61 provided on the back surface of the circuit board 60 by a plurality of through electrodes.
  • FIG. 2 is a diagram sequentially showing a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram showing in more detail the bonding method (hybrid bonding) in the method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 4 shows a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1, and is a diagram sequentially showing steps after the step shown in FIG. 2.
  • the semiconductor device 1 can be manufactured, for example, through the following steps (a) to (n).
  • step (k) A process of grinding and thinning the resin 301 side of the semi-finished product M1 molded in step (j) to obtain a semi-finished product M2.
  • step (l) A step of forming a wiring layer 400 corresponding to the rewiring layer 40 on the semi-finished product M2 thinned in step (k).
  • step (m) A step of cutting the semi-finished product M3 on which the wiring layer 400 has been formed in step (l) along the cutting line A to form each semiconductor device 1.
  • the insulating film forming material of the present disclosure provides a first organic insulating film and a second organic insulating film in a method for manufacturing a semiconductor device including at least one step corresponding to step (f) and steps (i) to (n). It may be an insulating film forming material for use in producing at least one of the insulating films.
  • Step (a) is a step of preparing a first semiconductor substrate 100, which is a silicon substrate, corresponding to a plurality of first semiconductor chips 10 and on which an integrated circuit including semiconductor elements and wiring connecting them is formed.
  • a plurality of terminal electrodes 103 made of copper, aluminum, etc. are placed on one surface 101a of the first substrate body 101 made of silicon or the like. are provided at predetermined intervals, and an insulating film 102 (first insulating film), which is a cured product of the insulating film forming material of the present disclosure, is provided in the spaced portion.
  • a plurality of terminal electrodes 103 may be provided after the insulating film 102 is provided on one surface 101a of the first substrate main body 101, or a plurality of terminal electrodes 103 may be provided on one surface 101a of the first substrate main body 101.
  • the insulating film 102 may be provided after that. Note that a predetermined interval is provided between the plurality of terminal electrodes 103 in order to form the pillar 300 in a process described later, and another terminal electrode (not shown) connected to the pillar 300 is provided between the plurality of terminal electrodes 103. It is formed.
  • Step (b) is a step of preparing a second semiconductor substrate 200, which is a silicon substrate, on which an integrated circuit corresponding to a plurality of second semiconductor chips 20 and including semiconductor elements and wiring connecting them is formed.
  • a plurality of terminal electrodes 203 a plurality of second An insulating film 202 (second insulating film, organic insulating region) which is a cured product of the insulating film forming material of the present disclosure is provided.
  • the plurality of terminal electrodes 203 may be provided after the insulating film 202 is provided on the one surface 201a of the second substrate main body 201, or the plurality of terminal electrodes 203 may be provided on the one surface 201a of the second substrate main body 201. Alternatively, the insulating film 202 may be provided.
  • one of the insulating films 102 and 202 used in step (a) and step (b) are both cured products of the insulating film forming material of the present disclosure
  • one of the insulating films 102 and 202 is made of the insulating film forming material of the present disclosure.
  • One may be a cured product and the other may be another cured product.
  • Insulating film forming materials for forming other cured products include (A) materials that do not contain polyimide precursors (A) materials that contain resins other than polyimide precursors, and (C) materials that contain oxime-based photopolymerization initiators. There are things that are not included.
  • the tensile modulus of the insulating films 102 and 202 at 25° C. is preferably 7.0 GPa or less, more preferably 5.0 GPa or less, even more preferably 3.0 GPa or less, and 2.0 GPa or less. It is particularly preferably at most 1.5 GPa, even more preferably at most 1.5 GPa.
  • the coefficient of thermal expansion of the insulating films 102 and 202 is preferably 150 ppm/K or less, more preferably 100 ppm/K or less, and even more preferably 90 ppm/K or less.
  • the thickness of the insulating films 102 and 202 is preferably 0.1 ⁇ m to 50 ⁇ m, more preferably 1 ⁇ m to 15 ⁇ m. This makes it possible to reduce the processing time in the subsequent polishing step while ensuring uniformity in the thickness of the insulating film.
  • the polishing rate of the insulating film 102 is 0.1 to 5 times the polishing rate of the terminal electrode 103 in order to facilitate the work in steps (c) and (d) and to simplify these steps. It is preferable that the polishing rate of the insulating film 202 is 0.1 to 5 times the polishing rate of the terminal electrode 203 (preferably both). stomach.
  • the polishing rate of the insulating film 102 or 202 is 200 nm/min or less (4 times the polishing rate of copper or less). It is preferably 100 nm/min or less (twice or less the polishing rate of copper), and even more preferably 50 nm/min or less (equivalent to or less than the polishing rate of copper).
  • the insulating film is obtained by curing an insulating film forming material.
  • the method for producing the above-mentioned insulating film includes, for example, ( ⁇ ) a step of applying an insulating film forming material onto a substrate and drying it to form a resin film, and a step of heat-treating the resin film; ( ⁇ ) After forming a film with a constant thickness using an insulating film forming material on a film that has been subjected to mold release treatment, the process of transferring the resin film to the substrate by lamination method, and the process of forming the resin film on the substrate after transfer. Examples include a method including a step of heat-treating the resin film. From the viewpoint of flatness, the method ( ⁇ ) above is preferred.
  • Examples of the method for applying the insulating film forming material include a spin coating method, an inkjet method, and a slit coating method.
  • the rotation speed is 300 rpm (rotations per minute) to 3,500 rpm, preferably 500 rpm to 1,500 rpm, the acceleration is 500 rpm/second to 15,000 rpm/second, and the rotation time is 30 seconds to 300 seconds.
  • the insulating film forming material may be spin coated under certain conditions.
  • a drying step may be included after applying the insulating film forming material to the support, film, etc. Drying may be performed using a hot plate, oven, or the like.
  • the drying temperature is preferably 75° C. to 130° C., and more preferably 90° C. to 120° C. from the viewpoint of improving the flatness of the insulating film.
  • the drying time is preferably 30 seconds to 5 minutes. Drying may be performed two or more times. Thereby, it is possible to obtain a resin film in which the above-mentioned insulating film forming material is formed into a film shape.
  • the chemical liquid discharge speed is 10 ⁇ L/sec to 400 ⁇ L/sec
  • the chemical liquid discharge part height is 0.1 ⁇ m to 1.0 ⁇ m
  • the stage speed (or chemical liquid discharge part speed) is 1.0 mm/sec to 50.0 mm. /second
  • stage acceleration 10mm/second to 1000mm/second ultimate vacuum during vacuum drying 10Pa to 100Pa
  • vacuum drying time 30 seconds to 600 seconds drying temperature 60°C to 150°C
  • drying time 30 to 300 seconds The insulating film forming material may be slit coated.
  • the formed resin film may be heat-treated.
  • the heating temperature is preferably 150°C to 450°C, more preferably 150°C to 350°C.
  • the insulating film can be suitably produced while suppressing damage to the substrate, devices, etc. and realizing energy saving in the process.
  • the heating time is preferably 5 hours or less, more preferably 30 minutes to 3 hours.
  • the atmosphere for the heat treatment may be air or an inert atmosphere such as nitrogen, but a nitrogen atmosphere is preferable from the viewpoint of preventing oxidation of the resin film.
  • Devices used for heat treatment include quartz tube furnaces, hot plates, rapid thermal annealing, vertical diffusion furnaces, infrared curing furnaces, electron beam curing furnaces, microwave curing furnaces, and the like.
  • the insulating film forming material of the present disclosure which is a negative photosensitive insulating film forming material or a positive photosensitive insulating film forming material
  • the insulating film 202 is provided on one surface 201a of the second substrate main body 201, and then a plurality of
  • a method including a step of obtaining a patterned resin film and a step of heat-treating the patterned resin film may be used. Thereby, a cured patterned insulating film can be obtained.
  • an insulating film forming material other than the insulating film forming material of the present disclosure may be used on the substrate.
  • a method may also be used that includes a step of subsequently performing pattern exposure and developing using a developer to obtain a patterned resin film, and a step of heat-treating the patterned resin film. Thereby, a cured patterned insulating film can be obtained.
  • a predetermined pattern is exposed through a photomask.
  • the active light to be irradiated includes i-line, broadband ultraviolet rays, visible light, radiation, etc., and i-line is preferable.
  • the exposure device a parallel exposure device, a projection exposure device, a stepper, a scanner exposure device, etc. can be used.
  • a patterned resin film which is a patterned resin film
  • the insulating film forming material of the present disclosure is a negative photosensitive insulating film forming material
  • the unexposed portions are removed with a developer.
  • the organic solvent used as a negative developing solution may be a good solvent for the photosensitive resin film alone, or a suitable mixture of a good solvent and a poor solvent.
  • Good solvents include N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, ⁇ -butyrolactone, ⁇ -acetyl- ⁇ -butyrolactone, Examples include 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide, cyclopentanone, cyclohexanone, and cycloheptanone.
  • Examples of the poor solvent include toluene, xylene, methanol, ethanol, isopropanol, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, water, and the like.
  • the exposed portion is removed with a developer.
  • the solution used as a positive developer include a tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution and a sodium carbonate solution.
  • At least one of the negative developer and the positive developer may contain a surfactant.
  • the content of the surfactant is preferably 0.01 parts by mass to 10 parts by mass, more preferably 0.1 parts by mass to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the developer.
  • the development time can be, for example, twice the time required for the photosensitive resin film to be completely dissolved after being immersed in the developer.
  • the development time may be adjusted depending on the polyimide precursor (A) contained in the insulating film forming material of the present disclosure, for example, it is preferably 10 seconds to 15 minutes, more preferably 10 seconds to 5 minutes, and productivity From this point of view, a period of 20 seconds to 5 minutes is more preferable.
  • the patterned resin film after development may be washed with a rinsing liquid.
  • a rinsing liquid distilled water, methanol, ethanol, isopropanol, toluene, xylene, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, etc. may be used alone or in an appropriate mixture, or they may be used in a stepwise combination. You can.
  • organic materials constituting the insulating films 102 and 202 other than the cured product of the insulating film forming material of the present disclosure include photosensitive resins, thermosetting non-conductive films (NCF), etc. ), or a thermosetting resin may be used.
  • This organic material may be an underfill material.
  • the organic material forming the insulating films 102 and 202 may be a heat-resistant resin.
  • Step (c) is a step of polishing the first semiconductor substrate 100.
  • step (c) as shown in FIG. 3(a), chemical treatment is applied so that each surface 103a of the terminal electrode 103 is at the same position or slightly higher (protrudes) from the surface 102a of the insulating film 102.
  • One surface 101a side which is the surface of the first semiconductor substrate 100, is polished using a mechanical polishing method (CMP method).
  • CMP method mechanical polishing method
  • the first semiconductor substrate 100 may be polished by CMP under the condition that the terminal electrode 103 made of copper or the like is selectively etched deeply.
  • each surface 103a of the terminal electrode 103 may be polished using a CMP method so as to match the surface 102a of the insulating film 102.
  • the polishing method is not limited to the CMP method, and back grinding or the like may be employed.
  • mechanical polishing may be performed using a polishing device such as a surface planer.
  • the difference in height between each surface 103a and the surface 102a may be 1 nm to 150 nm, or 1 nm to 15 nm. It may be.
  • Step (d) is a step of polishing the second semiconductor substrate 200.
  • step (d) as shown in FIG. 3(a), each surface 203a of the terminal electrode 203 is placed at the same position or slightly higher (protrudes) from the surface 202a of the insulating film 202.
  • One surface 201a side which is the surface of the second semiconductor substrate 200, is polished using the CMP method.
  • the second semiconductor substrate 200 is polished by CMP under conditions that selectively and deeply shave the terminal electrode 203 made of copper or the like, for example.
  • each surface 203a of the terminal electrode 203 may be polished using a CMP method so as to match the surface 202a of the insulating film 202.
  • the polishing method is not limited to the CMP method, and back grinding or the like may be used.
  • the difference in height between each surface 203a and the surface 202a may be 1 nm to 50 nm, or 1 nm to 15 nm. It may be.
  • polishing may be performed so that the thickness of the insulating film 102 and the thickness of the insulating film 202 are the same, but for example, the thickness of the insulating film 202 may be the same as the thickness of the insulating film 102. It may be polished to be larger than the diameter. On the other hand, polishing may be performed so that the thickness of the insulating film 202 is smaller than the thickness of the insulating film 102.
  • the thickness of the insulating film 202 covers most of the foreign matter that adheres to the bonding interface when the second semiconductor substrate 200 is diced or when chips are mounted. This makes it possible to further reduce bonding defects.
  • step (c) and step (d) may be performed, and it is preferable to perform both step (c) and step (d).
  • Step (e) is a step of dividing the second semiconductor substrate 200 into pieces to obtain a plurality of semiconductor chips 205.
  • the second semiconductor substrate 200 is diced into a plurality of semiconductor chips 205 by cutting means such as dicing.
  • the insulating film 202 may be coated with a protective material or the like, and then it may be diced.
  • the insulating film 202 of the second semiconductor substrate 200 is divided into insulating film portions 202b corresponding to each semiconductor chip 205. Examples of the dicing method for dividing the second semiconductor substrate 200 into pieces include plasma dicing, stealth dicing, laser dicing, and the like.
  • a surface protection material for the second semiconductor substrate 200 during dicing for example, an organic film that can be removed with water, TMAH, etc., or a thin film such as a carbon film that can be removed with plasma or the like may be provided. Note that in this embodiment, a large-area second semiconductor substrate 200 is prepared and then separated into pieces to obtain a plurality of semiconductor chips 205; however, the method for preparing the semiconductor chips 205 is not limited to this.
  • Step (f) is a step of aligning the terminal electrodes 203 of each of the plurality of semiconductor chips 205 with respect to the terminal electrodes 103 of the first semiconductor substrate 100.
  • step (f) as shown in FIG. 2C, each semiconductor chip 205 is placed so that the terminal electrode 203 of each semiconductor chip 205 faces the corresponding plurality of terminal electrodes 103 of the first semiconductor substrate 100.
  • Perform alignment for this alignment, an alignment mark or the like may be provided on the first semiconductor substrate 100.
  • Step (g) is a step of bonding the insulating film 102 of the first semiconductor substrate 100 and each insulating film portion 202b of the plurality of semiconductor chips 205 to each other.
  • step (g) after removing organic substances, metal oxides, etc. attached to the surface of each semiconductor chip 205, the semiconductor chips 205 are aligned with respect to the first semiconductor substrate 100, as shown in FIG. 2(c).
  • the insulating film portions 202b of each of the plurality of semiconductor chips 205 are bonded to the insulating film 102 of the first semiconductor substrate 100 as hybrid bonding (see FIG. 3(b)).
  • the insulating film portions of the plurality of semiconductor chips 205 and the insulating film 102 of the first semiconductor substrate 100 may be uniformly heated before bonding.
  • the insulating film 102 and the insulating film portion 202b are more easily bonded than the terminal electrodes 103 and 203 due to the difference between the coefficient of thermal expansion of the insulating film 102 and the insulating film portion 202b and that of the terminal electrodes 103 and 203. It also expands.
  • the first semiconductor substrate 100 may be polished in step (c) so that the height of the insulating film 102 becomes equal to or higher than the height of the terminal electrode 103 due to thermal expansion due to heating, and the insulating film portion 202b is polished.
  • the second semiconductor substrate 200 may be polished in step (d) so that the height is approximately equal to or higher than the height of the terminal electrode 203.
  • the temperature difference between the semiconductor chip 205 and the first semiconductor substrate 100 during bonding is preferably within 10° C., for example.
  • the insulating film 102 and the insulating film portion 202b are bonded to form an insulating bonding portion S1, and the plurality of semiconductor chips 205 are mechanically firmly attached to the first semiconductor substrate 100. can be attached to.
  • the bonding is performed by heating at a highly uniform temperature, it is difficult for positional deviations to occur at the bonding location, and highly accurate bonding can be performed.
  • the terminal electrodes 103 of the first semiconductor substrate 100 and the terminal electrodes 203 of the semiconductor chip 205 are separated from each other and are not connected (however, they are aligned).
  • the semiconductor chip 205 may be bonded to the first semiconductor substrate 100 by other bonding methods, for example, by room temperature bonding or the like.
  • the thickness of the organic insulating film which is the insulating bonding portion where the insulating film 102 and the insulating film portion 202b are bonded, is not particularly limited, and may be, for example, 0.1 ⁇ m or more. From this point of view, the thickness may be 1 ⁇ m to 20 ⁇ m, preferably 1 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • Step (h) is a step of bonding the terminal electrode 103 of the first semiconductor substrate 100 and the terminal electrode 203 of each of the plurality of semiconductor chips 205.
  • step (h) as shown in FIG. 2(d), after the bonding in step (g) is completed, heat H, pressure, or both are applied to bond the terminals of the first semiconductor substrate 100 as hybrid bonding.
  • the electrode 103 and each terminal electrode 203 of the plurality of semiconductor chips 205 are bonded (see FIG. 3(c)).
  • the annealing temperature in step (g) is preferably 150°C or more and 400°C or less, more preferably 200°C or more and 300°C or less.
  • the terminal electrode 103 and the corresponding terminal electrode 203 are bonded to form an electrode bonding portion S2, and the terminal electrode 103 and the terminal electrode 203 are mechanically and electrically strongly bonded.
  • the electrode bonding in step (h) may be performed after the bonding in step (g), or may be performed simultaneously with the bonding in step (g).
  • the plurality of semiconductor chips 205 are electrically and mechanically installed at predetermined positions on the first semiconductor substrate 100 with high precision.
  • a product reliability test (connection test, etc.) may be performed at the semi-finished product stage shown in FIG. 2(d), and only non-defective products may be used in subsequent steps.
  • a method for manufacturing an example of a semiconductor device using such a semi-finished product will be described with reference to FIG.
  • Step (i) is a step of forming a plurality of pillars 300 on the connection surface 100a of the first semiconductor substrate 100 and between the plurality of semiconductor chips 205.
  • step (i) as shown in FIG. 4A, a large number of pillars 300 made of copper, for example, are formed between a plurality of semiconductor chips 205.
  • Pillar 300 can be formed from copper plating, conductive paste, copper pins, or the like. The pillar 300 is formed such that one end is connected to a terminal electrode of the first semiconductor substrate 100 that is not connected to the terminal electrode 203 of the semiconductor chip 205, and the other end extends upward.
  • the pillar 300 has a diameter of 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, and a height of 10 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less, for example. Note that, for example, one or more and 10,000 or less pillars 300 may be provided between the pair of semiconductor chips 205.
  • Step (j) is a step of molding resin 301 on the connection surface 100a of the first semiconductor substrate 100 so as to cover the plurality of semiconductor chips 205 and the plurality of pillars 300.
  • step (j) as shown in FIG. 4B, epoxy resin or the like is molded to completely cover the plurality of semiconductor chips 205 and the plurality of pillars 300.
  • the molding method include compression molding, transfer molding, and a method of laminating film-like epoxy films.
  • a curing treatment may be performed after molding the epoxy resin or the like.
  • step (i) and step (j) are performed almost simultaneously, that is, when the pillar 300 is also formed at the same time as resin molding, the pillar is formed using imprint, which is fine transfer, and conductive paste or electrolytic plating. may be formed.
  • step (k) the semi-finished product M1, which is molded in step (j) and includes the resin 301, a plurality of pillars 300, and a plurality of semiconductor chips 205, is ground from the resin 301 side to obtain a semi-finished product M2. It is a process.
  • step (k) as shown in FIG. 4(c), the resin-molded first semiconductor substrate 100 and the like are thinned by polishing the upper part of the semi-finished product M1 with a grinder, etc., to form a semi-finished product M2. .
  • step (k) By polishing in step (k), the thickness of the semiconductor chip 205, the pillar 300, and the resin 301 is reduced to, for example, about several tens of ⁇ m, and the semiconductor chip 205 has a shape corresponding to the second semiconductor chip 20, and the pillar 300 and the resin 301 are thinned. 301 has a shape corresponding to the pillar portion 30.
  • Step (l) is a step of forming a wiring layer 400 corresponding to the rewiring layer 40 on the semi-finished product M2 thinned in step (k).
  • step (l) as shown in FIG. 4(d), a rewiring pattern is formed using polyimide, copper wiring, etc. on the second semiconductor chip 20 and pillar portion 30 of the ground semi-finished product M2.
  • a semi-finished product M3 having a wiring structure in which the terminal pitch of the second semiconductor chip 20 and the pillar portion 30 is widened is formed.
  • Step (m) is a step of cutting the semi-finished product M3 on which the wiring layer 400 was formed in step (l) along the cutting line A to form each semiconductor device 1.
  • step (m) as shown in FIG. 4(d), the semiconductor device substrate is cut along cutting lines A by dicing or the like to form each semiconductor device 1.
  • step (n) the semiconductor devices 1a that were individualized in step (m) are reversed and placed on the substrate 50 and the circuit board 60 to obtain a plurality of semiconductor devices 1 shown in FIG.
  • the insulating film 102 of the first semiconductor substrate 100 and the insulating film 202 of the second semiconductor substrate 200 are made of a cured product of the insulating film forming material of the present disclosure. It is.
  • the insulating film forming material of the present disclosure has high exposure sensitivity and can suppress the generation of voids during bonding and the like.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the step (i) of forming the pillar 300 in the steps shown in FIG. 4, after the step (i) of forming the pillar 300, the step (j) of molding the resin 301 and the step (k) of grinding and thinning the resin 301 etc. were carried out in order, but the step (j) of molding the resin 301 on the connection surface of the first semiconductor substrate 100 was first performed, and then the step (k) of thinning the resin 301 by grinding it to a predetermined thickness.
  • the step (i) of forming the pillar 300 may be performed. In this case, the work of cutting the pillar 300, etc. can be reduced, and since the portion of the pillar 300 to be cut is not necessary, the material cost can be reduced.
  • a semiconductor wafer 410 has a substrate body 411 (first substrate body), an insulating film 412 (first insulating film) provided on one surface of the substrate body 411, and a plurality of terminal electrodes 413 (first electrodes). (first semiconductor substrate), a substrate body 421 (second substrate body), an insulating film portion 422 (second insulating film) provided on one surface of the substrate body 421, and a plurality of terminal electrodes 423 (first semiconductor substrate).
  • a semiconductor substrate (second semiconductor substrate) before being diced into pieces of a plurality of semiconductor chips 420 having two electrodes) is prepared. Then, one surface side of the semiconductor wafer 410 and one surface side of the second semiconductor substrate before being singulated into semiconductor chips 420 are subjected to the CMP process in the same manner as in the above steps (c) and (d). Polish by etc. Thereafter, the second semiconductor substrate is subjected to the same singulation process as in step (e) to obtain a plurality of semiconductor chips 420.
  • the terminal electrodes 423 of the semiconductor chip 420 are aligned with the terminal electrodes 413 of the semiconductor wafer 410 (step (f)). Then, the insulating film 412 of the semiconductor wafer 410 and the insulating film portion 422 of the semiconductor chip 420 are bonded together (step (g)), and the terminal electrodes 413 of the semiconductor wafer 410 and the terminal electrodes 423 of the semiconductor chip 420 are bonded. (step (h)) to obtain a semi-finished product shown in FIG. 5(b).
  • the insulating film portion 412 and the insulating film portion 422 become an insulating bonding portion S3, and the semiconductor chip 420 is mechanically firmly attached to the semiconductor wafer 410 with high precision.
  • the terminal electrode 413 and the corresponding terminal electrode 423 are joined to form an electrode joint portion S4, and the terminal electrode 413 and the terminal electrode 423 are mechanically and electrically firmly joined.
  • a semiconductor device 401 is obtained by bonding a plurality of semiconductor chips 420 to a semiconductor wafer 410 in the same manner.
  • the plurality of semiconductor chips 420 may be bonded to the semiconductor wafer 410 one by one by hybrid bonding, or may be bonded to the semiconductor wafer 410 all together by hybrid bonding.
  • the manufacturing method related to C2W described above can perform fine bonding between semiconductor wafer 410 and semiconductor chip 420 while reducing bonding defects.
  • an inorganic material may be included in a part of the insulating film 102 of the semiconductor substrate 110, the insulating film 202 of the semiconductor chip 205, etc., as long as the effects of the present invention are achieved.
  • Synthesis Example 2 (Synthesis of A2) 23 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether (ODA) and 5 g of m-phenylenediamine (MPD) in Synthesis Example 1 were replaced with 51 g of 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene (APB-1,3,3).
  • Polyimide precursor A2 was obtained by performing the same operation as in Synthesis Example 1 except for the following steps. The weight average molecular weight of A2 was 25,000.
  • the esterification rate of A2 was calculated by performing NMR measurement under the conditions described above.
  • the esterification rate was 75 mol%, and the proportion of unreacted carboxyl groups was 25 mol%.
  • Synthesis example 3 (synthesis of A3)
  • ODPA in Synthesis Example 2 was changed to 104 g of 4,4'-(4,4'-isopropylidene diphenoxy) diphthalic anhydride (BPADA), and polyimide precursor A3 was obtained. I got it.
  • the weight average molecular weight of A3 was 25,000.
  • the esterification rate of A4 was calculated by performing NMR measurement under the conditions described above.
  • the esterification rate was 78 mol%, and the proportion of unreacted carboxyl groups was 22 mol%.
  • Synthesis example 4 Synthesis of A4 Synthesis except that 23 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether (ODA) and 5 g of m-phenylenediamine (MPD) in Synthesis Example 1 were changed to 36 g of 2,2'-dimethylbiphenyl-4,4'-diamine (DMAP). The same operation as in Example 1 was performed to obtain polyimide precursor A4. The weight average molecular weight of A4 was 25,000.
  • the esterification rate of A2 was calculated by performing NMR measurement under the conditions described above.
  • the esterification rate was 74 mol%, and the proportion of unreacted carboxyl groups was 26 mol%.
  • Example 1 to 14 Insulating film forming materials of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 2 were prepared as follows using the components and blending amounts shown in Table 1. The unit of the amount of each component in Table 1 is parts by mass. In addition, a blank column in Table 1 means that the corresponding component is not blended. In each example and comparative example, the mixture of each component was kneaded overnight at room temperature (25°C) in a general solvent-resistant container, and then filtered under pressure using a 0.2 ⁇ m pore filter. Ta. The following evaluations were performed using the obtained insulating film forming material.
  • the insulating film forming materials of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 2 were spin-coated onto an 8-inch Si wafer using a spin coater coating device, and dried by heating at 100° C. for 240 seconds to form a resin film. did.
  • a mask capable of producing a circular resin film with a diameter of 180 mm was placed on the obtained resin film, and a predetermined amount of light with a wavelength of 365 nm (i-line) was irradiated thereon. Thereafter, it was developed with cyclopentanone or 2.38% by volume TMAH for a predetermined time.
  • the obtained patterned resin film was cured in a vertical diffusion furnace ⁇ -TF at 200°C for 2 hours in a nitrogen atmosphere, and 10 mm from the outer periphery of the resin film on the Si wafer was removed to form a patterned resin film. was created.
  • the obtained cured film was polished by the CMP method to obtain a polished cured film with a surface roughness Ra of 0.5 nm to 3 nm within 10 ⁇ m 2 as measured using an AFM (atomic force microscope). .
  • a part of the cleaned polished cured film was cut into 5 mm square pieces using a blade dicer (Disco Co., Ltd., DFD-6362).
  • a chip with resin was obtained.
  • the resulting resin-coated chip was bonded to the polished cured film using a flip-chip bonder at a predetermined pressure and 250° C. for 15 seconds to produce a chip-coated cured film.
  • the below-mentioned evaluation was performed on five chips that were pressure-bonded to the polished cured film.
  • the obtained cured film with chips was observed using SAT (Scanning Acoustic Tomography) for the presence or absence of voids indicating poor adhesion at the insulating film interface.
  • the evaluation criteria for voids are as follows. The results are shown in Table 1. If the evaluation is A, the generation of voids is suppressed and the evaluation is judged to be good.
  • Voids were observed in two or less of the five chips.
  • B More than two of the five chips had voids observed.
  • C One or more chips peeled off during SAT measurement.
  • the insulating film forming material was spin-coated onto the Si substrate and dried by heating at 100° C. for 240 seconds on a hot plate to form a resin film having a thickness of about 12 ⁇ m after coating.
  • This resin film was exposed to i-rays of 100 to 1100 mJ/cm 2 in a predetermined pattern in 100 mJ/cm 2 increments using an i-ray stepper NES2WA06 (manufactured by Nikon Corporation) through a photomask. . Thereafter, the exposed resin film was developed with cyclopentanone for 20 seconds using a coater developer ACT8 (manufactured by Tokyo Electron Ltd.).
  • the minimum exposure amount at which the thickness of the resin film in the exposed area was 70% or more of the initial film thickness was defined as the sensitivity.
  • the sensitivity evaluation criteria are as follows. The results are shown in Table 1. If the evaluation is A, the sensitivity is high and the evaluation is judged to be good.
  • Sensitivity evaluation criteria A: Sensitivity is 300 mJ/cm 2 or less B: Sensitivity is greater than 300 mJ/cm 2 and 500 mJ/cm 2 or less C: Sensitivity is greater than 500 mJ/cm 2
  • PP pattern profile
  • a patterned resin film and a resin-coated chip were prepared in the same manner as in the above-mentioned evaluation of void generation, and the resin-coated chip was placed on the patterned resin film and covered with a carbon sheet for level difference absorption.
  • crimping device manufactured by EVG
  • crimping was carried out under atmospheric conditions at 180° C. for 180 seconds by applying a load of 100 N to a 1 cm sized pressure area.
  • Three chips were crimped, and the low-temperature bondability was measured by whether the chips would come off even if a small external force was applied to the crimped chips.
  • the evaluation criteria for low temperature bondability are as follows. The results are shown in Table 1. If the evaluation is A, it is determined that the low-temperature bondability is excellent and the evaluation is good.
  • Examples 1 to 14 had better exposure sensitivity than Comparative Examples 1 to 2, and the generation of voids at the insulating film interface was suppressed.
  • Examples 1 to 4, 6, 9, and 11 to 14 in which C1 was used as a photopolymerization initiator had excellent pattern profiles.
  • Examples 4, 6, 9, and 12, in which C1 and any of C2 to C4 were used in combination as photopolymerization initiators had even better exposure sensitivity while maintaining the pattern profile.
  • Comparative Examples 1 and 2 more voids were generated at the bonding interface than in the Examples, and the sensitivity was also lower. Comparative Examples 1 and 2 were also inferior in pattern profile to the Examples.
  • the obtained photosensitive resin film was subjected to broadband (BB) exposure at an exposure dose of 800 mJ/cm 2 using Mask Aligner MA-8 (manufactured by SUSS Microtech).
  • the exposed resin film was developed with cyclopentanone for 20 seconds using a coater developer ACT8 (manufactured by Tokyo Electron Ltd.) to obtain a strip-shaped patterned resin film with a width of 10 mm.
  • the resulting patterned resin film was cured in a nitrogen atmosphere at 200° C. for 2 hours using a vertical diffusion furnace ⁇ -TF to obtain a patterned cured product with a thickness of 10 ⁇ m.
  • the obtained patterned cured product was immersed in a 4.9% by mass hydrofluoric acid aqueous solution, and the patterned cured product with a width of 10 mm was peeled off from the Si substrate.
  • the Tg of Example 1 was 210°C
  • the Tg of Example 13 was 160°C
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Abstract

（Ａ）重合性の不飽和結合部位を有するポリイミド前駆体と、（Ｂ）溶剤と、（Ｃ）オキシム系光重合開始剤と、を含むハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。

Description

ハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
　本開示は、ハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料、半導体装置の製造方法、及び半導体装置に関する。
　近年、ＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）の集積度を向上させるために半導体チップの三次元実装が検討されている。非特許文献１には、半導体チップの三次元実装の一例が開示されている。
　Ｃ２Ｗ（Chip-to-Wafer）接合により半導体チップの三次元実装を行う場合において、デバイス同士の配線の微細接合を行うため、Ｗ２Ｗ（Wafer-to-Wafer）接合に用いられるハイブリッドボンディング技術を使うことが検討されている。
　Ｃ２Ｗのハイブリッドボンディングでは、ボンディング時の加熱により基材、チップ等の熱膨張が要因となる位置ズレが発生するおそれがある。このような課題に対し、特許文献１には、環状オレフィン系樹脂を用いることでボンディング温度を低温化する技術の一例が開示されている。
特開２０１９－２０４８１８号公報
F.C. Chen et al., "System on Integrated Chips(SoIC TM) for 3D Heterogeneous Integration",2019 IEEE 69th Electronic Components and Technology Conference (ECTC),p.594-599(2019)
　ハイブリッドボンディング技術によりＣ２Ｗ接合する方法では、絶縁膜に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の無機材料を用いる方法の実用が検討されている。しかしながら、無機材料は硬い材料であることから、例えば、個片化のため半導体チップを切断する際に発生した無機材料由来の異物が絶縁膜表面に付着し、接合界面に大きな空隙を生じさせる虞がある。結果、半導体装置製造の歩留まりが低下し、又は異物除去のために高い清浄度を持つクリーンルーム等の設備を必要とするため、製造コストが高くなる。
　他方、有機絶縁膜を用いてハイブリッドボンディング技術によりＣ２Ｗ接合する方法は検討段階であり未だ実用に至っていない。特許文献１に記載の環状オレフィン系樹脂を用いる場合、得られる有機絶縁膜の耐熱性が充分でない。有機絶縁膜の耐熱性が低いと、例えば、Ｃ２Ｗ接合の際、さらにはその後のアニールの際に高温に曝されることで接合界面にボイドが生じる可能性があり、接合不良の原因となる。
　また、銅（Ｃｕ）等の金属により形成された複数のピラーを接合後に形成する工法を採用する場合、ピラーを形成する予定領域の絶縁膜を除去するためにフォトリソグラフィープロセスを経る。製造コスト等の観点から、有機絶縁膜は高い露光感度を有することが望まれている。
　本開示は上記に鑑みてなされたものであり、露光感度に優れ、接合の際のボイドの発生が抑制可能なハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料、半導体装置の製造方法、及び半導体装置を提供することを目的とする。
　前記課題を達成するための具体的手段は以下の通りである。
＜１＞　（Ａ）重合性の不飽和結合部位を有するポリイミド前駆体と、（Ｂ）溶剤と、（Ｃ）オキシム系光重合開始剤と、を含むハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
＜２＞　前記（Ｃ）オキシム系光重合開始剤が、下記式（Ｉ）で表される化合物を含む、＜１＞に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。

 
〔式（Ｉ）中、Ｒ１は、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、又はフェノキシ基を表し、Ｒ２は、アルキル基を表し、Ｒ３はカルボニル基又は単結合で連結する１価の有機基を表す。〕
＜３＞　前記（Ｃ）オキシム系光重合開始剤は、前記式（Ｉ）におけるＲ１がアルコキシ基で表される化合物を含む、＜２＞に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
＜４＞　前記（Ｃ）オキシム系光重合開始剤は、前記式（Ｉ）におけるＲ１がアルコキシ基で表される化合物と、前記式（Ｉ）におけるＲ１がアルキル基又はフェニル基で表される化合物とを含む、＜２＞又は＜３＞に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
＜５＞　前記（Ａ）ポリイミド前駆体は、下記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物を含む＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。

 
　一般式（１）中、Ｘは、４価の有機基を表し、Ｙは２価の有機基を表し、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の有機基を表し、Ｒ６及びＲ７の少なくとも１つは、重合性の不飽和結合を有する。
＜６＞　前記一般式（１）中、前記Ｘで表される４価の有機基は、下記式（Ｅ）で表される基である＜５＞に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。

 
　式（Ｅ）において、Ｃは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（ＲＡ）２－；２つのＲＡは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（ＲＢ）２－Ｏ－）ｎ；２つのＲＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。
＜７＞　前記一般式（１）中、前記Ｙで表される２価の有機基は、下記式（Ｈ）で表される基である＜５＞又は＜６＞に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。

 
　式（Ｈ）において、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基又はハロゲン原子を表し、ｎは、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。Ｄは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（ＲＡ）２－；２つのＲＡは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（ＲＢ）２－Ｏ－）ｎ；２つのＲＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。
＜８＞　前記式（Ｈ）におけるＤがエーテル結合（－Ｏ－）を含む＜７＞に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
＜９＞　前記一般式（１）中、前記Ｒ６及び前記Ｒ７における前記１価の有機基は、下記一般式（２）で表される基、エチル基、イソブチル基又はｔ－ブチル基のいずれかであり、前記Ｒ６及び前記Ｒ７の少なくとも１つが一般式（２）で表される基である＜５＞～＜８＞のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。

 
　一般式（２）中、Ｒ８～Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、Ｒｘは２価の連結基を表す。
＜１０＞　（Ｄ）増感剤をさらに含む＜１＞～＜９＞のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
＜１１＞　（Ｅ）重合性モノマーをさらに含む＜１＞～＜１０＞のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
＜１２＞　硬化物としたときのガラス転移温度が５０℃～３００℃である＜１＞～＜１１＞のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
＜１３＞　第１基板本体と、前記第１基板本体の一の面上に設けられる第１電極及び第１有機絶縁膜と、を有する第１半導体基板を準備し、
　半導体チップ基板本体と、前記半導体チップ基板本体の一の面上に設けられる第２有機絶縁膜及び第２電極と、を有する半導体チップを準備し、
　前記第１電極と前記第２電極との接合、及び前記第１有機絶縁膜と前記第２有機絶縁膜との貼り合わせを行い、
　第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の有機絶縁膜の作製に、＜１＞～＜１２＞のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料を用いる半導体装置の製造方法。
＜１４＞　前記第１有機絶縁膜と前記第２有機絶縁膜との貼り合わせの後で、前記第１電極と前記第２電極との接合を行う＜１３＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１５＞　前記第１電極と前記第２電極との接合、及び前記第１有機絶縁膜と前記第１有機絶縁膜との貼り合わせのいずれもが実施される前に、前記第１半導体基板の前記一の面、及び前記半導体チップの前記一の面の側の少なくとも一方を研磨する＜１３＞～＜１４＞のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
＜１６＞　前記研磨が化学機械研磨を含む＜１５＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１７＞　前記研磨がさらに機械研磨を含む＜１６＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１８＞　前記第１電極と前記第２電極との接合において、前記第１有機絶縁膜の厚さが前記第１電極の厚さよりも厚いこと、及び前記第２有機絶縁膜の厚さが前記第２電極の厚さよりも厚いことの少なくとも一方を満たす＜１３＞～＜１７＞のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
＜１９＞　第１基板本体と、前記第１基板本体の一の面に設けられた第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板と、
　半導体チップ基板本体と、前記半導体チップ基板本体の一の面に設けられた第２有機絶縁膜及び第２電極とを有する半導体チップと、を備え、
　前記第１有機絶縁膜と前記第２有機絶縁膜とが接合し、前記第１電極と前記第２電極とが接合し、
　前記第１有機絶縁膜及び前記第２有機絶縁膜の少なくとも一方が、＜１＞～＜１２＞のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料の硬化物である半導体装置。
　本開示によれば、露光感度に優れ、接合の際のボイドの発生が抑制可能なハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料、半導体装置の製造方法、及び半導体装置を提供することができる。
図１は、一実施形態に係る半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、図１に示す半導体装置を製造するための方法を順に示す図である。 図３は、図２に示す半導体装置の製造方法における接合方法をより詳細に示す図である。 図４は、図１に示す半導体装置を製造するための方法であり、図２に示す工程の後の工程を順に示す図である。 図５は、一実施形態に係る半導体装置の製造方法をChip-to-Wafer（Ｃ２Ｗ）に適用した例を示す図である。
　以下、本開示を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。
　本開示において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。
　本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
　本開示において「～」を用いて示された数値範囲には、「～」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
　本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
　本開示において、各成分には、該当する物質が複数種含まれていてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
　本開示において「層」又は「膜」との語には、当該層又は膜が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
　本開示において、層又は膜の厚さは、対象となる層又は膜の５点の厚さを測定し、その算術平均値として与えられる値とする。
　層又は膜の厚さは、マイクロメーター等を用いて測定することができる。本開示において、層又は膜の厚さを直接測定可能な場合には、マイクロメーターを用いて測定する。一方、１つの層の厚さ又は複数の層の総厚さを測定する場合には、電子顕微鏡を用いて、測定対象の断面を観察することで測定してもよい。
　本開示において「（メタ）アクリル基」とは、「アクリル基」及び「メタクリル基」を意味し、「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」を意味し、「（メタ）アクリロイル」とは、「アクリロイル」及び「メタクリロイル」を意味する。
　本開示において官能基が置換基を有する場合、官能基中の炭素数は、置換基の炭素数も含んだ全体の炭素数を意味する。
　本開示において図面を参照して実施形態を説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。
＜ハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料＞
　本開示のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料は、（Ａ）重合性の不飽和結合部位を有するポリイミド前駆体と、（Ｂ）溶剤と、（Ｃ）オキシム系光重合開始剤と、を含む。以下、本開示のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料を「絶縁膜形成材料」ともいい、（Ａ）重合性の不飽和結合部位を有するポリイミド前駆体を「（Ａ）ポリイミド前駆体」ともいう。また、本開示における「オキシム系」とは、オキシム構造：＞Ｃ＝Ｎ－ＯＨにおけるＯＨのＨが置換した構造を含む。
　本開示のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料の構成とすることで、露光感度に優れ、接合の際のボイドの発生が抑制される。その理由は明らかではないが以下のように考えることができる。
　本開示に係る（Ａ）ポリイミド前駆体に対して、（Ｃ）オキシム系光重合開始剤は他の光重合開始剤に比べて長波長側に吸収を有するため露光感度が高い。また、５％熱重量減少温度が高いことから接合等での加熱において揮発が抑制され、ボイドの発生が抑制される。
　以下、本開示の絶縁膜形成材料に含まれる成分及び含まれ得る成分について説明する。
（（Ａ）ポリイミド前駆体）
　本開示の絶縁膜形成材料は、（Ａ）重合性の不飽和結合部位を有するポリイミド前駆体を含む。
　（Ａ）ポリイミド前駆体は、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸塩及びポリアミド酸アミドからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であることが好ましい。ポリアミド酸エステル及びポリアミド酸アミドは、ポリアミド酸における少なくとも一部のカルボキシ基の水素原子が１価の有機基に置換された化合物であり、ポリアミド酸塩は、ポリアミド酸における少なくとも一部のカルボキシ基がｐＨ７超の塩基性化合物と塩構造を形成している化合物である。
　（Ａ）ポリイミド前駆体は、下記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物を含むことが好ましい。これにより、高い信頼性を示す絶縁膜を備える半導体装置が得られる傾向がある。
　一般式（１）中、Ｘは４価の有機基を表し、Ｙは２価の有機基を表す。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の有機基を表し、Ｒ６及びＲ７の少なくとも１つは、重合性の不飽和結合を有する。
　ポリイミド前駆体は、上記一般式（１）で表される構造単位を複数有していてもよく、複数の構造単位におけるＸ、Ｙ、Ｒ６及びＲ７はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
　なお、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に水素原子、又は１価の有機基であればその組み合わせは特に限定されない。例えば、Ｒ６及びＲ７は、少なくとも１つが水素原子であり、残りが後述する１価の有機基であってもよく、いずれも同じ又は互いに異なる１価の有機基であってもよい。前述のようにポリイミド前駆体が上記一般式（１）で表される構造単位を複数有する場合、各構造単位のＲ６及びＲ７の組み合わせはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
　一般式（１）において、Ｘで表される４価の有機基は、炭素数が４～３０であることが好ましく、炭素数が４～２５であることがより好ましく、５～１３であることがさらに好ましく、６～１２であることが特に好ましい。
　Ｘで表される４価の有機基は、芳香環を含んでもよい。芳香環としては、芳香族炭化水素基（例えば、芳香環を構成する炭素数は６～２０）、芳香族複素環式基（例えば、複素環を構成する原子数は５～２０）等が挙げられる。Ｘで表される４価の有機基は、芳香族炭化水素基であることが好ましい。芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環等が挙げられる。
　Ｘで表される４価の有機基が芳香環を含む場合、各芳香環は、置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。芳香環の置換基としては、アルキル基、フッ素原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、アミノ基等が挙げられる。
　Ｘで表される４価の有機基がベンゼン環を含む場合、Ｘで表される４価の有機基は１つ～４つのベンゼン環を含むことが好ましく、１つ～３つのベンゼン環を含むことがより好ましく、１つ又は２つのベンゼン環を含むことがさらに好ましい。
　Ｘで表される４価の有機基が２つ以上のベンゼン環を含む場合、各ベンゼン環は、単結合により連結されていてもよいし、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、シリレン結合（－Ｓｉ（ＲＡ）２－；２つのＲＡは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（ＲＢ）２－Ｏ－）ｎ；２つのＲＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）等の連結基、これら連結基を少なくとも２つ組み合わせた複合連結基などにより結合されていてもよい。また、２つのベンゼン環が単結合及び連結基の少なくとも一方により２箇所で結合されて、２つのベンゼン環の間に連結基を含む５員環又は６員環が形成されていてもよい。
　一般式（１）において、－ＣＯＯＲ６基と－ＣＯＮＨ－基とは互いにオルト位置にあることが好ましく、－ＣＯＯＲ７基と－ＣＯ－基とは互いにオルト位置にあることが好ましい。
　Ｘで表される４価の有機基の具体例としては、下記式（Ａ）～式（Ｆ）で表される基が挙げられる。中でも、柔軟性に優れ、接合界面での空隙の発生がより抑制された絶縁膜が得られる観点から、下記式（Ｅ）で表される基が好ましく、下記式（Ｅ）で表され、Ｃは、エーテル結合を含む基であることがより好ましく、エーテル結合であることがさらに好ましい。下記式（Ｆ）は、下記式（Ｅ）中のＣが単結合である構造である。
　なお、本開示は下記具体例に限定されるものではない。
　式（Ｄ）において、Ａ及びＢは、それぞれ独立に、単結合又はベンゼン環と共役しない２価の基である。ただし、Ａ及びＢの両方が単結合となることはない。ベンゼン環と共役しない２価の基としては、メチレン基、ハロゲン化メチレン基、ハロゲン化メチルメチレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、シリレン結合（－Ｓｉ（ＲＡ）２－；２つのＲＡは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）等が挙げられる。中でも、Ａ及びＢは、それぞれ独立に、メチレン基、ビス（トリフルオロメチル）メチレン基、ジフルオロメチレン基、エーテル結合、スルフィド結合等が好ましく、エーテル結合がより好ましい。
　式（Ｅ）において、Ｃは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（ＲＡ）２－；２つのＲＡは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（ＲＢ）２－Ｏ－）ｎ；２つのＲＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。Ｃは、エーテル結合を含むことが好ましく、エーテル結合であることが好ましい。
　また、Ｃは、下記式（Ｃ１）で表される構造を含んでもよい。
　式（Ｅ）におけるＣで表されるアルキレン基としては、炭素数が１～１０のアルキレン基であることが好ましく、炭素数が１～５のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のアルキレン基であることがさらに好ましい。
　式（Ｅ）におけるＣで表されるアルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の直鎖状アルキレン基；メチルメチレン基、メチルエチレン基、エチルメチレン基、ジメチルメチレン基、１，１－ジメチルエチレン基、１－メチルトリメチレン基、２－メチルトリメチレン基、エチルエチレン基、１－メチルテトラメチレン基、２－メチルテトラメチレン基、１－エチルトリメチレン基、２－エチルトリメチレン基、１，１－ジメチルトリメチレン基、１，２－ジメチルトリメチレン基、２，２－ジメチルトリメチレン基、１－メチルペンタメチレン基、２－メチルペンタメチレン基、３－メチルペンタメチレン基、１－エチルテトラメチレン基、２－エチルテトラメチレン基、１，１－ジメチルテトラメチレン基、１，２－ジメチルテトラメチレン基、２，２－ジメチルテトラメチレン基、１，３－ジメチルテトラメチレン基、２，３－ジメチルテトラメチレン基、１，４－ジメチルテトラメチレン基等の分岐鎖状アルキレン基；などが挙げられる。これらの中でも、メチレン基が好ましい。
　式（Ｅ）におけるＣで表されるハロゲン化アルキレン基としては、炭素数が１～１０のハロゲン化アルキレン基であることが好ましく、炭素数が１～５のハロゲン化アルキレン基であることがより好ましく、炭素数が１～３のハロゲン化アルキレン基であることがさらに好ましい。
　式（Ｅ）におけるＣで表されるハロゲン化アルキレン基の具体例としては、上述の式（Ｅ）におけるＣで表されるアルキレン基に含まれる少なくとも１つの水素原子がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子で置換されたアルキレン基が挙げられる。これらの中でも、フルオロメチレン基、ジフルオロメチレン基、ヘキサフルオロジメチルメチレン基等が好ましい。
　上記シリレン結合又はシロキサン結合に含まれるＲＡ又はＲＢで表されるアルキル基としては、炭素数が１～５のアルキル基であることが好ましく、炭素数が１～３のアルキル
基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のアルキル基であることがさらに好ましい。ＲＡ又はＲＢで表されるアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。
　Ｘで表される４価の有機基の具体例は、下記式（Ｊ）～式（Ｏ）で表される基であってもよい。
　一般式（１）において、Ｙで表される２価の有機基は、炭素数が４～２５であることが好ましく、６～２０であることがより好ましく、１２～１８であることがさらに好ましい。
　Ｙで表される２価の有機基の骨格は、Ｘで表される４価の有機基の骨格と同様であってもよく、Ｙで表される２価の有機基の好ましい骨格は、Ｘで表される４価の有機基の好ましい骨格と同様であってもよい。Ｙで表される２価の有機基の骨格は、Ｘで表される４価の有機基にて、２つの結合位置が原子（例えば水素原子）又は官能基（例えばアルキル基）に置換された構造であってもよい。
　Ｙで表される２価の有機基は、２価の脂肪族基であってもよく、２価の芳香族基であってもよい。耐熱性の観点から、Ｙで表される２価の有機基は、２価の芳香族基であることが好ましい。２価の芳香族基としては、２価の芳香族炭化水素基（例えば、芳香環を構成する炭素数は６～２０）、２価の芳香族複素環式基（例えば、複素環を構成する原子数は
５～２０）等が挙げられ、２価の芳香族炭化水素基が好ましい。
　Ｙで表される２価の芳香族基の具体例としては、下記式（Ｇ）及び式（Ｈ）で表される基を挙げることができる。中でも、柔軟性に優れ、接合界面での空隙の発生がより抑制された絶縁膜が得られる観点から、下記式（Ｈ）で表される基が好ましく、なかでも下記式（Ｈ）において、Ｄが単結合又はエーテル結合を含む基であることがより好ましく、単結合又はエーテル結合を含む基であることがさらに好ましく、エーテル結合を含む基であることが特に好ましく、エーテル結合であることが極めて好ましい。
　式（Ｇ）～式（Ｈ）において、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基又はハロゲン原子を表し、ｎは、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。
　式（Ｈ）において、Ｄは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（ＲＡ）２－；２つのＲＡは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（ＲＢ）２－Ｏ－）ｎ；２つのＲＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。また、Ｄは、上記式（Ｃ１）で表される構造であってもよい。式（Ｈ）におけるＤの具体例は、式（Ｅ）におけるＣの具体例と同様である。
　式（Ｈ）におけるＤとしては、各々独立に、単結合、エーテル結合、エーテル結合とフェニレン基とを含む基、エーテル結合とフェニレン基とアルキレン基とを含む基等であることが好ましい。
　式（Ｇ）～式（Ｈ）におけるＲで表されるアルキル基としては、炭素数が１～１０のアルキル基であることが好ましく、炭素数が１～５のアルキル基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のアルキル基であることがさらに好ましい。
　式（Ｇ）～式（Ｈ）におけるＲで表されるアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。
　式（Ｇ）～式（Ｈ）におけるＲで表されるアルコキシ基としては、炭素数が１～１０のアルコキシ基であることが好ましく、炭素数が１～５のアルコキシ基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のアルコキシ基であることがさらに好ましい。
　式（Ｇ）～式（Ｈ）におけるＲで表されるアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基等が挙げられる。
　式（Ｇ）～式（Ｈ）におけるＲで表されるハロゲン化アルキル基としては、炭素数が１～５のハロゲン化アルキル基であることが好ましく、炭素数が１～３のハロゲン化アルキル基であることがより好ましく、炭素数が１又は２のハロゲン化アルキル基であることがさらに好ましい。
　式（Ｇ）～式（Ｈ）におけるＲで表されるハロゲン化アルキル基の具体例としては、式（Ｇ）～式（Ｈ）におけるＲで表されるアルキル基に含まれる少なくとも１つの水素原子がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子で置換されたアルキル基が挙げられる。これらの中でも、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等が好ましい。
　式（Ｇ）～式（Ｈ）におけるｎは、それぞれ独立に、０～２が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。
　Ｙで表される２価の脂肪族基の具体例としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基、シクロアルキレン基、ポリアルキレンオキサイド構造を有する２価の基等が挙げられる。
　Ｙで表される直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基としては、炭素数が１～２０のアルキレン基であることが好ましく、炭素数が１～１５のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数が１～１０のアルキレン基であることがさらに好ましい。
　Ｙで表されるアルキレン基の具体例としては、テトラメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、２－メチルペンタメチレン基、２－メチルヘキサメチレン基、２－メチルヘプタメチレン基、２－メチルオクタメチレン基、２－メチルノナメチレン基、２－メチルデカメチレン基等が挙げられる。
　Ｙで表されるシクロアルキレン基としては、炭素数が３～１０のシクロアルキレン基であることが好ましく、炭素数が３～６のシクロアルキレン基であることがより好ましい。
　Ｙで表されるシクロアルキレン基の具体例としては、シクロプロピレン基、シクロヘキシレン基等が挙げられる。
　Ｙで表されるポリアルキレンオキサイド構造を有する２価の基に含まれる単位構造としては、炭素数１～１０のアルキレンオキサイド構造が好ましく、炭素数１～８のアルキレンオキサイド構造がより好ましく、炭素数１～４のアルキレンオキサイド構造がさらに好ましい。なかでも、ポリアルキレンオキサイド構造としてはポリエチレンオキサイド構造又はポリプロピレンオキサイド構造が好ましい。アルキレンオキサイド構造中のアルキレン基は直鎖状であっても分岐状であってもよい。ポリアルキレンオキサイド構造中の単位
構造は１種類でもよく、２種類以上であってもよい。
　Ｙで表される２価の有機基は、ポリシロキサン構造を有する２価の基であってもよい。Ｙで表されるポリシロキサン構造を有する２価の基としては、ポリシロキサン構造中のケイ素原子が水素原子、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数６～１８のアリール基と結合しているポリシロキサン構造を有する２価の基が挙げられる。
　ポリシロキサン構造中のケイ素原子と結合する炭素数１～２０のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－ドデシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基が好ましい。
　ポリシロキサン構造中のケイ素原子と結合する炭素数６～１８のアリール基は、無置換でも置換基で置換されていてもよい。アリール基が置換基を有する場合の置換基の具体例としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基等が挙げられる。炭素数６～１８のアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。これらの中でも、フェニル基が好ましい。
　ポリシロキサン構造中の炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数６～１８のアリール基は、１種類でもよく、２種類以上であってもよい。
　Ｙで表されるポリシロキサン構造を有する２価の基を構成するケイ素原子は、メチレン基、エチレン基等のアルキレン基、フェニレン基等のアリーレン基などを介して一般式（１）中のＮＨ基と結合していてもよい。
　式（Ｇ）で表される基は、下記式（Ｇ’）で表される基であることが好ましく、式（Ｈ）で表される基は、下記式（Ｈ’）、式（Ｈ''）又は式（Ｈ'''）で表される基であることが好ましく、柔軟な骨格を有し接合性に優れる観点から、下記式（Ｈ’）又は、式（Ｈ''）で表される基であることがより好ましい。
　式（Ｈ’’’）中、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基又はハロゲン原子を表す。Ｒは、好ましくはアルキル基であり、より好ましくはメチル基である。
　一般式（１）における、Ｘで表される４価の有機基とＹで表される２価の有機基との組み合わせは特に限定されない。Ｘで表される４価の有機基とＹで表される２価の有機基との組み合わせとしては、Ｘが式（Ｅ）で表される基であり、Ｙが式（Ｈ）で表される基の組み合わせ等が挙げられる。
　Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、但し少なくとも１つは重合性の不飽和結合を有する。１価の有機基としては、炭素数１～４の脂肪族炭化水素基又は不飽和二重結合を有する有機基であることが好ましく、下記一般式（２）で表される基、エチル基、イソブチル基又はｔ－ブチル基のいずれかであることがより好ましく、炭素数１若しくは２の脂肪族炭化水素基又は下記一般式（２）で表される基を含むことがさらに好ましい。この場合、Ｒ６及びＲ７の少なくとも１つが一般式（２）で表される基である。
　１価の有機基が不飽和二重結合を有する有機基、好ましくは下記一般式（２）で表される基を含むことでｉ線の透過率が高く、４００℃以下の低温硬化の際にも良好な硬化物を形成できる傾向にある。また、１価の有機基が不飽和二重結合を有する有機基、好ましくは下記一般式（２）で表される基を含む場合、（Ｃ）化合物によって不飽和二重結合部分の少なくとも一部が脱離する。
　炭素数１～４の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられ、中でも、エチル基、イソブチル基及びｔ－ブチル基が好ましい。
　一般式（２）中、Ｒ８～Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、Ｒｘは２価の連結基を表す。
　一般式（２）におけるＲ８～Ｒ１０で表される脂肪族炭化水素基の炭素数は１～３であり、１又は２であることが好ましい。Ｒ８～Ｒ１０で表される脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基等が挙げられ、メチル基が好ましい。
　一般式（２）におけるＲ８～Ｒ１０の組み合わせとしては、Ｒ８及びＲ９が水素原子であり、Ｒ１０が水素原子又はメチル基の組み合わせが好ましい。
　一般式（２）におけるＲｘは、２価の連結基であり、好ましくは、炭素数１～１０の炭化水素基であることが好ましい。炭素数１～１０の炭化水素基としては、例えば、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が挙げられる。
　Ｒｘにおける炭素数は、１つ～１０つが好ましく、２つ～５つがより好ましく、２つ又は３つがさらに好ましい。
　一般式（１）においては、Ｒ６及びＲ７の少なくとも一方が、前記一般式（２）で表される基であることが好ましく、Ｒ６及びＲ７の両方が前記一般式（２）で表される基であることがより好ましい。
　（Ａ）ポリイミド前駆体が前述の一般式（１）で表される構造単位を有する化合物を含む場合、当該化合物に含有される全構造単位のＲ６及びＲ７の合計に対する、Ｒ６及びＲ７としての一般式（２）で表される基の割合は、６０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上がより好ましく、８０モル％以上がさらに好ましい。上限は特に限定されず、１００モル％でもよい。
　なお、前述の割合は、０モル％以上６０モル％未満であってもよい。
　一般式（２）で表される基は、下記一般式（２’）で表される基であることが好ましい。
　一般式（２’）中、Ｒ８～Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、ｑは１～１０の整数を表す。
　一般式（２’）におけるｑは１～１０の整数であり、２～５の整数であることが好ましく、２又は３であることがより好ましい。
　一般式（１）で表される構造単位を有する化合物に含まれる一般式（１）で表される構造単位の含有率は、全構造単位に対して、６０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上がより好ましく、８０モル％以上がさらに好ましい。前述の含有率の上限は特に限定されず、１００モル％でもよい。
　（Ａ）ポリイミド前駆体は、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミン化合物とを用いて合成されたものであってもよい。この場合、一般式（１）において、Ｘは、テトラカルボン酸二無水物由来の残基に該当し、Ｙは、ジアミン化合物由来の残基に該当する。なお、（Ａ）ポリイミド前駆体は、テトラカルボン酸二無水物に替えて、テトラカルボン酸を用いて合成されたものであってもよい。
　テトラカルボン酸二無水物の具体例としては、ピロメリット酸二無水物、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６－ピリジンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ｍ－ターフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ｐ－ターフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、１，１，４，４’－（４，４’－イソプロピリデンジフェノキシ）ジフタル酸無水物、１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス｛４’－（２，３－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン二無水物、２，２－ビス｛４’－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン二無水物、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス｛４’－（２，３－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン二無水物、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス｛４’－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン二無水物、４，４’－オキシジフタル酸二無水物、４，４’－スルホニルジフタル酸二無水物、９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二無水物、シクロペンタノンビススピロノルボルナンテトラカルボン酸二無水物、２，２－ビス｛４－（４’－フェノキシ）フェニル｝プロパンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらの中でも、３，３’，４，４’－ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、及び３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物であることが好ましく、より低温での接合の観点から３，３’，４，４’－ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物であることがより好ましい。
　テトラカルボン酸二無水物は、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。
　ジアミン化合物の具体例としては、２，２’－ジメチルビフェニル－４，４’－ジアミン、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジフルオロ－４，４’－ジアミノビフェニル、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、ｐ－キシリレンジアミン、ｍ－キシリレンジアミン、１，５－ジアミノナフタレン、ベンジジン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジアミノジフェニルエーテル、２，４’－ジアミノジフェニルエーテル、２，２’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、２，４’－ジアミノジフェニルスルホン、２，２’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、２，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、２，２’－ジアミノジフェニルスルフィド、ｏ－トリジン、ｏ－トリジンスルホン、４，４’－メチレンビス（２，６－ジエチルアニリン）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジイソプロピルアニリン）、２，４－ジアミノメシチレン、１，５－ジアミノナフタレン、４，４’－ベンゾフェノンジアミン、ビス－｛４－（４’－アミノフェノキシ）フェニル｝スルホン、２，２－ビス｛４－（４’－アミノフェノキシ）フェニル｝プロパン、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’－テトラメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、ビス｛４－（３’－アミノフェノキシ）フェニル｝スルホン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ジアミノブタン、１，６－ジアミノヘキサン、１，７－ジアミノヘプタン、１，８－ジアミノオクタン、１，９－ジアミノノナン、１，１０－ジアミノデカン、１，１１－ジアミノウンデカン、１，１２－ジアミノドデカン、２－メチル－１，５－ジアミノペンタン、２－メチル－１，６－ジアミノヘキサン、２－メチル－１，７－ジアミノヘプタン、２－メチル－１，８－ジアミノオクタン、２－メチル－１，９－ジアミノノナン、２－メチル－１，１０－ジアミノデカン、１，４－シクロヘキサンジアミン、１，３－シクロヘキサンジアミン、ジアミノポリシロキサン等が挙げられる。ジアミン化合物としては、２，２’－ジメチルビフェニル－４，４’－ジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル及び１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼンが好ましい。これらの中でも、柔軟な骨格を有し接着性に優れる観点から、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、及び２，２－ビス｛４－（４’－アミノフェノキシ）フェニル｝プロパンがより好ましい。
　ジアミン化合物は、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。
　一般式（１）で表される構造単位を有し、且つ一般式（１）中のＲ６及びＲ７の少なくとも一方は１価の有機基である化合物は、例えば、以下の（ａ）又は（ｂ）の方法にて得ることができる。
（ａ）　テトラカルボン酸二無水物（好ましくは、下記一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物）とＲ－ＯＨで表される化合物とを、有機溶剤中にて反応させジエステル誘導体とした後、ジエステル誘導体とＨ２Ｎ－Ｙ－ＮＨ２で表されるジアミン化合物とを縮合反応させる。
（ｂ）　テトラカルボン酸二無水物とＨ２Ｎ－Ｙ－ＮＨ２で表されるジアミン化合物とを有機溶剤中にて反応させポリアミド酸溶液を得て、Ｒ－ＯＨで表される化合物をポリアミド酸溶液に加え、有機溶剤中で反応させエステル基を導入する。
　ここで、Ｈ２Ｎ－Ｙ－ＮＨ２で表されるジアミン化合物におけるＹは、一般式（１）におけるＹと同様であり、具体例及び好ましい例も同様である。また、Ｒ－ＯＨで表される化合物におけるＲは、１価の有機基を表し、具体例及び好ましい例は、一般式（１）におけるＲ６及びＲ７の場合と同様である。
　一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物、Ｈ２Ｎ－Ｙ－ＮＨ２で表されるジアミン化合物及びＲ－ＯＨで表される化合物は、各々、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　前述の有機溶媒としては、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、γ－ブチロラクトン、ジメトキシイミダゾリジノン、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミド等が挙げられ、中でも、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミドが好ましい。
　Ｒ－ＯＨで表される化合物とともに脱水縮合剤をポリアミド酸溶液に作用させてポリイミド前駆体を合成してもよい。脱水縮合剤は、トリフルオロ酢酸無水物、Ｎ，Ｎ’－ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）及び１，３－ジイソプロピルカルボジイミド（ＤＩＣ）からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
　（Ａ）ポリイミド前駆体に含まれる前述の化合物は、下記一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物にＲ－ＯＨで表される化合物を作用させてジエステル誘導体とした後、塩化チオニル等の塩素化剤を作用させて酸塩化物に変換し、次いで、Ｈ２Ｎ－Ｙ－ＮＨ２で表されるジアミン化合物と酸塩化物とを反応させることで得ることができる。
　（Ａ）ポリイミド前駆体に含まれる前述の化合物は、下記一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物にＲ－ＯＨで表される化合物を作用させてジエステル誘導体とした後、カルボジイミド化合物の存在下でＨ２Ｎ－Ｙ－ＮＨ２で表されるジアミン化合物とジエステル誘導体とを反応させることで得ることができる。
　（Ａ）ポリイミド前駆体に含まれる前述の化合物は、下記一般式（８）で表されるテトラカルボン酸二無水物とＨ２Ｎ－Ｙ－ＮＨ２で表されるジアミン化合物とを反応させてポリアミド酸とした後、トリフルオロ酢酸無水物等の脱水縮合剤の存在下でポリアミド酸をイソイミド化し、次いでＲ－ＯＨで表される化合物を作用させて得ることができる。あるいは、テトラカルボン酸二無水物の一部に予めＲ－ＯＨで表される化合物を作用させて、部分的にエステル化されたテトラカルボン酸二無水物とＨ２Ｎ－Ｙ－ＮＨ２で表されるジアミン化合物とを反応させてもよい。
　一般式（８）において、Ｘは、一般式（１）におけるＸと同様であり、具体例及び好ましい例も同様である。
　（Ａ）ポリイミド前駆体に含まれる前述の化合物の合成に用いられるＲ－ＯＨで表される化合物としては、一般式（２）で表される基のＲｘにヒドロキシ基が結合した化合物、一般式（２’）で表される基の末端メチレン基にヒドロキシ基が結合した化合物等であってもよい。Ｒ－ＯＨで表される化合物の具体例としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル、アクリル酸２－ヒドロキシエチル、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル、アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、メタクリル酸２－ヒドロキシプロピル、アクリル酸２－ヒドロキシブチル、メタクリル酸２－ヒドロキシブチル、アクリル酸４－ヒドロキシブチル、メタクリル酸４－ヒドロキシブチル等が挙げられ、中でも、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル及びアクリル酸２－ヒドロキシエチルが好ましい。
　（Ａ）ポリイミド前駆体の分子量には特に制限はなく、例えば、重量平均分子量で１０，０００～２００，０００であることが好ましく、１０，０００～１００，０００であることがより好ましい。
　重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によって測定することができ、標準ポリスチレン検量線を用いて換算することによって求めることができる。
　本開示の絶縁膜形成材料はジカルボン酸をさらに含んでいてもよく、絶縁膜形成材料に含まれる（Ａ）ポリイミド前駆体は、（Ａ）ポリイミド前駆体中のアミノ基の一部がジカルボン酸におけるカルボキシ基と反応してなる構造を有してもよい。例えば、ポリイミド前駆体を合成する際に、ジアミン化合物のアミノ基の一部とジカルボン酸のカルボキシ基とを反応させてもよい。
　ジカルボン酸は、（メタ）アクリル基を有するジカルボン酸であってもよく、例えば、以下の式で表されるジカルボン酸であってもよい。このとき、（Ａ）ポリイミド前駆体を合成する際に、ジアミン化合物のアミノ基の一部とジカルボン酸のカルボキシ基とを反応させることで、（Ａ）ポリイミド前駆体にジカルボン酸由来のメタクリル基を導入することができる。
　本開示の絶縁膜形成材料は、（Ａ）ポリイミド前駆体に加えて、ポリイミド樹脂を含んでいてもよい。ポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂を組み合わせることで、イミド環形成時の脱水環化による揮発物の生成を抑制することが可能であるため、ボイドの発生を抑制することができる傾向にある。ここでいうポリイミド樹脂は樹脂骨格の全部、又は一部にイミド骨格を持つ樹脂をいう。ポリイミド樹脂はポリイミド前駆体を用いた絶縁膜形成材料中の溶媒に溶解可能であることが好ましい。
　ポリイミド樹脂としては、イミド結合を含む構造単位を複数備える高分子化合物であれば特に限定されず、例えば、下記一般式（Ｘ）で表される構造単位を有する化合物を含むことが好ましい。これにより、高い信頼性を示す絶縁膜を備える半導体装置が得られる傾向がある。
　一般式（Ｘ）中、Ｘは４価の有機基を表し、Ｙは２価の有機基を表す。一般式（Ｘ）における置換基Ｘ及びＹの好ましい例は、前述の一般式（１）における置換基Ｘ及びＹの好ましい例と同様である。
　本開示の絶縁膜形成材料がポリイミド樹脂を含む場合、ポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂の合計に対するポリイミド樹脂の割合は、１５質量％～５０質量％であってもよく、１０質量％～２０質量％であってもよい。
　本開示の絶縁膜形成材料は、（Ａ）ポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂以外のその他の樹脂を含んでいてもよい。その他の樹脂としては、例えば、耐熱性の観点から、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。その他の樹脂は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　本開示の絶縁膜形成材料では、樹脂成分全量に対する（Ａ）ポリイミド前駆体の含有率は、５０質量％～１００質量％であることが好ましく、７０質量％～１００質量％であることがより好ましく、９０質量％～１００質量％であることがさらに好ましい。
（（Ｂ）溶剤）
　本開示の絶縁膜形成材料は（Ｂ）溶剤（以下、「（Ｂ）成分」とも称する。）を含む。（Ｂ）成分は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。（Ｂ）成分は、例えば、絶縁膜形成材料の生殖毒性及び環境負荷を低減させる観点から、下記式（３）～式（８）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。
　式（３）～（８）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ８、Ｒ１０及びＲ１１は、それぞれ独立に、炭素数１～４のアルキル基であり、Ｒ３～Ｒ７及びＲ９は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～４のアルキル基である。ｓは０～８の整数であり、ｔは０～４の整数であり、ｒは０～４の整数であり、ｕ及びｖは０～３の整数である。
　式（３）において、ｓは、好ましくは０である。
　式（４）において、Ｒ２の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基又はエチル基である。ｔは好ましくは０、１又は２であり、より好ましくは１である。
　式（５）において、Ｒ３の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基である。Ｒ４及びＲ５の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基又はエチル基である。
　式（６）において、Ｒ６～Ｒ８の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基又はエチル基である。ｒは好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。
　式（７）において、Ｒ９及びＲ１０の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基又はエチル基である。ｕは好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。
　式（８）において、Ｒ１１の炭素数１～４のアルキル基としては、好ましくはメチル基又はエチル基である。ｖは好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。
　（Ｂ）成分は、例えば、式（４）、（５）、（６）、（７）及び（８）で表される化合物のうちの少なくとも一種であってもよく、式（５）、（７）及び（８）で表される化合物のうちの少なくとも一種であってもよい。
　（Ｂ）成分の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
　本開示の絶縁膜形成材料に含まれる（Ｂ）成分としては、前述の化合物に限定されず、他の溶剤であってもよい。（Ｂ）成分は、エステル類の溶剤、エーテル類の溶剤、ケトン類の溶剤、炭化水素類の溶剤、芳香族炭化水素類の溶剤、スルホキシド類の溶剤等であってもよい。
　エステル類の溶剤としては、酢酸エチル、酢酸－ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸イソブチル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン、δ－バレロラクトン、アルコキシ酢酸メチル、アルコキシ酢酸エチル、アルコキシ酢酸ブチル等のアルコキシ酢酸アルキル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル及びエトキシ酢酸エチル）、３－アルコキシプロピオン酸メチル、３－アルコキシプロピオン酸エチル等の３－アルコキシプロピオン酸アルキルエステル（例えば、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル及び３－エトキシプロピオン酸エチル）、２－アルコキシプロピオン酸メチル、２－アルコキシプロピオン酸エチル、２－アルコキシプロピオン酸プロピル等の２－アルコキシプロピオン酸アルキルエステル（例えば、２－メトキシプロピオン酸メチル、２－メトキシプロピオン酸エチル、２－メトキシプロピオン酸プロピル、２－エトキシプロピオン酸メチル及び２－エトキシプロピオン酸エチル）、２－メトキシ－２－メチルプロピオン酸メチル等の２－アルコキシ－２－メチルプロピオン酸メチル、２－エトキシ－２－メチルプロピオン酸エチル等の２－アルコキシ－２－メチルプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２－オキソブタン酸メチル、２－オキソブタン酸エチル等が挙げられる。
　エーテル類の溶剤としては、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等が挙げられる。
　ケトン類の溶剤として、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２－ヘプタノン、３－ヘプタノン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）等が挙げられる。
　炭化水素類の溶剤としては、リモネン等が挙げられる。
　芳香族炭化水素類の溶剤として、トルエン、キシレン、アニソール等が挙げられる。
　スルホキシド類の溶剤として、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
　（Ｂ）成分の溶剤として、好ましくはγ－ブチロラクトン、シクロペンタノン、乳酸エチル、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミド等が挙げられる。
　本開示の絶縁膜形成材料において、生殖毒性等の毒性を低減する観点から、ＮＭＰの含有率は、絶縁膜形成材料の全量に対して１質量％以下であってもよく、（Ａ）ポリイミド前駆体の全量に対して３質量％以下であってもよい。
　本開示の絶縁膜形成材料において、（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して１質量部～１００００質量部であることが好ましく、５０質量部～１００００質量部であることがより好ましい。
　（Ｂ）成分は、式（３）～式（６）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一種である溶剤（１）、並びにエステル類の溶剤、エーテル類の溶剤、ケトン類の溶剤、炭化水素類の溶剤、芳香族炭化水素類の溶剤、及びスルホキシド類の溶剤からなる群より選択される少なくとも一種である溶剤（２）の少なくとも一方を含んでいることが好ましい。
　また、溶剤（１）の含有率は、溶剤（１）及び溶剤（２）の合計に対して、５質量％～１００質量％であってもよく、５質量％～５０質量％であってもよい。
　溶剤（１）の含有量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、１０質量部～１０００質量部であってもよく、１０質量部～１００質量部であってもよく、１０質量部～５０質量部であってもよい。
（（Ｃ）オキシム系光重合開始剤）
　本開示の絶縁膜形成材料は、（Ｃ）オキシム系光重合開始剤を含む。これにより、露光感度に優れ、接合の際のボイドの発生が抑制される。（Ｃ）オキシム系光重合開始剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　露光感度に優れ、接合の際のボイドの発生を抑制する観点から、（Ｃ）オキシム系光重合開始剤は、下記式（Ｉ）で表される化合物を含むことが好ましい。
　式（Ｉ）中、Ｒ１は、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基又はフェノキシ基を表し、Ｒ２は、アルキル基を表し、Ｒ３はカルボニル基又は単結合で連結する１価の有機基を表す。
　式（Ｉ）中、Ｒ１は、アルキル基、アルコキシ基又はフェニル基であることが好ましく、解像度及びパターンプロファイルに優れる観点からは、アルコキシ基であることがより好ましい。他方、露光感度を高くする観点からは、Ｒ１は、アルキル基又はフェニル基であることがより好ましい。
　露光感度を高く維持しつつ、解像度及びパターンプロファイルに優れる観点からは、式（Ｉ）におけるＲ１がアルコキシ基で表される化合物Ａと、式（Ｉ）におけるＲ１がアルキル基又はフェニル基で表される化合物Ｂと併用することが好ましい。
　化合物Ａと化合物Ｂとの配合割合（化合物Ａ：化合物Ｂ）は、質量基準で、１：１～１：０．０１が好ましく、１：０．５～１：０．０１がより好ましく、１：０．２～１：０．０１がさらに好ましい。
　Ｒ１で表されるアルコキシ基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましく、１～３がさらに好ましい。Ｒ１で表されるアルコキシ基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれであってもよく、直鎖状であることが好ましい。
　Ｒ１で表されるアルキル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましく、１～３がさらに好ましい。Ｒ１で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれであってもよく、直鎖状であることが好ましい。
　Ｒ１で表されるアルキル基、アルコキシ基、フェニル基及びフェノキシ基は、置換基を有していても無置換であってもよく、無置換であることが好ましい。
　式（Ｉ）中、Ｒ２は、アルキル基であることが好ましく、炭素数１～１０のアルキル基がより好ましく、炭素数１～６のアルキル基がさらに好ましい。Ｒ２で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれであってもよく、直鎖状であることが好ましい。
　式（Ｉ）中、Ｒ３はカルボニル基又は単結合で連結する１価の有機基を表す。１価の有機基としては、置換基を有してもよいフェニル基が挙げられる。フェニル基が有する置換基としては、フェノキシ基、フェニルチオ基、フェニル基、アミノ基、アルキル基等が挙げられ、これらの基はさらに置換基を有してもよい。フェニル基が有する置換基どうしは結合して環を形成してもよい。形成された環としては、カルバゾール環等が挙げられる。形成された環はさらに置換基を有していてもよい。形成された環が有する置換基としては、アルキル基、フェニル基、アシル基等が挙げられ、これらの基はさらに置換基を有してもよい。
　（Ｃ）オキシム系光重合開始剤の具体例としては、１－フェニル－１，２－ブタンジオン－２－（Ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－ベンゾイル）オキシム、１，３－ジフェニルプロパントリオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－３－エトキシプロパントリオン－２－（Ｏ－ベンゾイル）オキシム、１－［４－（フェニルチオ）フェニル］オクタン－１，２－ジオン＝２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）、Ｏ‐アセチル‐１‐［６‐（２‐メチルベンゾイル）‐９‐エチル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル］エタノンオキシム、１－［４－（４－ヒドロキシエチルオキシ－フェニルチオ）フェニル］－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－アセチルオキシム）等が挙げられる。
　本開示の絶縁膜形成材料は、（Ｃ）オキシム系光重合開始剤とともに、他の光重合開始剤を含んでもよい。他の光重合開始剤としては、アセトフェノン、２，２－ジエトキシア
セトフェノン、３’－メチルアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、４’－（メチルチオ）－α－モルホリノ－α－メチルプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン誘導体；チオキサントン、２－メチルチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン、２－クロロチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン誘導体；ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル－β－メトキシエチルアセタール等のベンジル誘導体；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン、プロピルベンゾイン等のベンゾイン誘導体；Ｎ－フェニルグリシン等のＮ－アリールグリシン類；ベンゾイルパークロライド等の過酸化物類；２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－又はｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の芳香族ビイミダゾール類；２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド誘導体、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ０３（ＢＡＳＦ社製）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ０４（ＢＡＳＦ社製）等が挙げられる。他の光重合開始剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　光重合開始剤の総量に対する（Ｃ）オキシム系光重合開始剤の含有率は、６０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましく、９５質量％以上であることが特に好ましい。
　光重合開始剤の総量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部が好ましく、１質量部～２０質量部がより好ましく、５質量部～２０質量部がさらに好ましい。
　本開示の絶縁膜形成材料は、（Ａ）ポリイミド前駆体、（Ｂ）溶剤、及び（Ｃ）オキシム系光重合開始剤を含み、必要に応じて（Ｄ）増感剤、（Ｅ）重合性モノマー、（Ｆ）熱重合開始剤、（Ｇ）重合禁止剤、酸化防止剤、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、防錆剤、含窒素化合物等を含み、本開示の効果を損なわない範囲でその他の成分及び不可避不純物を含んでもよい。本開示の絶縁膜形成材料は、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分をさらに含むことが好ましい。
　以下、（Ｄ）増感剤を（Ｄ）成分、（Ｅ）重合性モノマーを（Ｅ）成分、（Ｆ）熱重合開始剤を（Ｆ）成分、（Ｇ）重合禁止剤を（Ｇ）成分とも称する。
　本開示の絶縁膜形成材料の、例えば、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、９８質量％以上又は１００質量％が、
　（Ａ）ポリイミド前駆体～（Ｃ）成分、
　（Ａ）ポリイミド前駆体～（Ｄ）成分、
　（Ａ）ポリイミド前駆体～（Ｅ）成分、
　（Ａ）ポリイミド前駆体～（Ｆ）成分、
　（Ａ）ポリイミド前駆体～（Ｇ）成分、
　（Ａ）ポリイミド前駆体～（Ｇ）成分並びに酸化防止剤、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、防錆剤、及び含窒素化合物からなる群より選択される少なくともいずれか１つ、
　からなっていてもよい。
　以下、各成分の好ましい形態について説明する。
（（Ｄ）増感剤）
　本開示の絶縁膜形成材料は、（Ｄ）増感剤を含むことが好ましい。（Ｄ）増感剤として
は、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’－テトラメチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’－テトラエチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、４－クロロベンゾフェノン、４，４’－ジメトキシベンゾフェノン、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ｏ－ベンゾイル安息香酸メチル、４－ベンゾイル－４’－メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等のベンゾフェノン誘導体等が挙げられる。（Ｄ）増感剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　本開示の絶縁膜形成材料が（Ｄ）増感剤を含む場合、（Ｄ）増感剤の含有量は特に限定されず、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．０１質量部～３質量部であることが好ましく、０．１質量部～１質量部であることがより好ましい。
（（Ｅ）重合性モノマー）
　本開示の絶縁膜形成材料は、（Ｅ）重合性モノマーを含むことが好ましい。（Ｅ）成分は、重合性の不飽和二重結合を含む基を少なくとも１つ有することが好ましく、光重合開始剤との併用によって好適に重合可能である観点から、（メタ）アクリル基を少なくとも１つ有することがより好ましい。架橋密度の向上及び露光感度の向上の観点から、重合性の不飽和二重結合を含む基を、２つ～６つ有することが好ましく、２つ～４つ有することがより好ましい。
　重合性モノマーは、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　（メタ）アクリル基を有する重合性モノマーとしては、特に限定されず、例えば、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、１，４－ブタンジオールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、１，４－ブタンジオールジメタクリレート、１，６－ヘキサンジオールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリメタクリレート、アクリロイルオキシエチルイソシアヌレート、メタクリロイルオキシエチルイソシアヌレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、１，３－ビス（（メタ）アクリロイルオキシ）－２－ヒドロキシプロパン、エチレンオキシド（ＥＯ）変性ビスフェノールＡジアクリレート及びエチレンオキシド（ＥＯ）変性ビスフェノールＡジメタクリレートが挙げられる。
　（メタ）アクリル基を有する重合性モノマー以外の重合性モノマーとしては、特に限定されず、例えば、スチレン、ジビニルベンゼン、４－ビニルトルエン、４－ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピロリドン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド及びＮ－メチロールアクリルアミドが挙げられる。
　（Ｅ）成分は、重合性の不飽和二重結合を含む基を有する化合物に限定されず、不飽和二重結合基以外の重合性基（例えば、オキシラン環）を有する化合物であってもよい。
　本開示の絶縁膜形成材料が（Ｅ）成分を含む場合、（Ｅ）成分の含有量は特に限定され
ず、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、１質量部～１００質量部であることが好ましく、１質量部～７５質量部であることがより好ましく、１質量部～５０質量部であることがさらに好ましい。
（（Ｆ）熱重合開始剤）
　本開示の絶縁膜形成材料は、硬化物の物性を向上させる観点から、（Ｆ）熱重合開始剤を含んでもよい。
　（Ｆ）成分の具体例としては、メチルエチルケトンペルオキシド等のケトンペルオキシド、１，１－ジ（ｔ－ヘキシルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ジ（ｔ－ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）シクロヘキサン等のパーオキシケタール、１，１，３，３－テトラメチルブチルハイドロペルオキシド、クメンハイドロペルオキシド、ｐ－メンタンハイドロペルオキシド、ジイソプロピルベンゼンハイドロペルオキシド等のハイドロペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ジ－ｔ－ブチルペルオキシド等のジアルキルペルオキシド、ジラウロイルペルオキシド、ジベンゾイルペルオキシド等のジアシルペルオキシド、ジ（４－ｔ－ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ（２－エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート等のパーオキシジカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート等のパーオキシエステル、ビス（１－フェニル－１－メチルエチル）ペルオキシドなどが挙げられる。熱重合開始剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　本開示の絶縁膜形成材料が（Ｆ）成分を含む場合、（Ｆ）成分の含有量は、ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部であってもよく、１質量部～１５質量部であってもよく、１質量部～１０質量部であってもよい。
（（Ｇ）重合禁止剤）
　本開示の絶縁膜形成材料は、良好な保存安定性を確保する観点から、（Ｇ）成分を含んでもよい。重合禁止剤としては、ラジカル重合禁止剤、ラジカル重合抑制剤等が挙げられる。
　（Ｇ）成分の具体例としては、ｐ－メトキシフェノール、ジフェニル－ｐ－ベンゾキノン、ベンゾキノン、ハイドロキノン、ピロガロール、フェノチアジン、レゾルシノール、オルトジニトロベンゼン、パラジニトロベンゼン、メタジニトロベンゼン、フェナントラキノン、Ｎ－フェニル－２－ナフチルアミン、クペロン、２，５－トルキノン、タンニン酸、パラベンジルアミノフェノール、ニトロソアミン類、ヒンダードフェノール系化合物等が挙げられる。重合禁止剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。２以上の重合禁止剤を組み合わせることで反応性の違いから、感光特性を調整しやすい傾向にある。ヒンダードフェノール系化合物は、重合禁止剤の機能及び後述の酸化防止剤の機能の両方を有していてもよく、どちらか一方の機能を有していてもよい。
　ヒンダードフェノール系化合物としては特に限定されず、例えば、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，５－ジ－ｔ－ブチル－ハイドロキノン、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネ－ト、イソオクチル－３－（３，５－ジ－ｔ －ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、４，４’－メチレンビス（２、６－ジ－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－チオ－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－ブチリデン－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、トリエチレングリコール－ビス［３－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６－ヘキサンジオール－ビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２－チオ－ジエチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレンビス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロシンナマミド）、２，２’－メチレン－ビス（４－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレン－ビス（４－エチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、ペンタエリスリチル－テトラキス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、トリス－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－イソシアヌレイト、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－イソプロピルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｓ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス［４－（１－エチルプロピル）－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス［４－トリエチルメチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－フェニルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５，６－トリメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５－エチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５，６－ジエチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５－エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、Ｎ，Ｎ’－ヘキサン－１，６－ジイルビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオンアミド］、及び１，４，４－トリメチル－２，３－ジアザビシクロ［３．２．２］ノナ－２－エン－２，３－ジオキシドが挙げられる。
　本開示の絶縁膜形成材料が（Ｇ）成分を含む場合、（Ｇ）成分の含有量は、絶縁膜形成材料の保存安定性及び得られる硬化物の耐熱性の観点から、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．０１質量部～３０質量部であることが好ましく、０．０１質量部～１０質量部であることがより好ましく、０．０５質量部～５質量部であることがさらに好ましい。
（酸化防止剤）
　本開示の絶縁膜形成材料は、高温保存、リフロー処理等で発生する酸素ラジカル及び過酸化物ラジカルを捕捉することで、接着性の低下を抑制できる観点から、酸化防止剤を含んでいてもよい。本開示の絶縁膜形成材料が酸化防止剤を含むことで、絶縁信頼性試験時の電極の酸化を抑制することができる。
　酸化防止剤の具体例としては、前述のヒンダードフェノール系化合物として例示した化合物、Ｎ，Ｎ’－ビス［２－［２－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）エチルカルボニルオキシ］エチル］オキサミド、Ｎ，Ｎ’－ビス－３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４’－ヒドロキシフェニル）プロピオニルヘキサメチレンジアミン、１、３、５－トリス（３－ヒドロキシ－４－ｔｅｒｔ－ブチル－２，６－ジメチルベンジル）－１、３、５－トリアジン－２、４、６（１Ｈ、３Ｈ、５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）イソシアヌル酸等が挙げられる。
　酸化防止剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　本開示の絶縁膜形成材料が酸化防止剤を含む場合、酸化防止剤の含有量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部であることが好ましく、０．１質量部～１０質量部であることがより好ましく、０．１質量部～５質量部であることがさらに好ましい。
（カップリング剤）
　本開示の絶縁膜形成材料は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤は、加熱処理において、（Ａ）ポリイミド前駆体と反応して架橋する、又はカップリング剤自体が重合する。これにより、得られる硬化物と基板との接着性をより向上させることができる傾向にある。
　カップリング剤の具体例は特に限定されるものではない。カップリング剤としては、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル－３－ピペリジノプロピルシラン、ジエトキシ－３－グリシドキシプロピルメチルシラン、Ｎ－（３－ジエトキシメチルシリルプロピル）スクシンイミド、Ｎ－〔３－（トリエトキシシリル）プロピル〕フタルアミド酸、ベンゾフェノン－３，３’－ビス（Ｎ－〔３－トリエトキシシリル〕プロピルアミド）－４，４’－ジカルボン酸、ベンゼン－１，４－ビス（Ｎ－〔３－トリエトキシシリル〕プロピルアミド）－２，５－ジカルボン酸、３－（トリエトキシシリル）プロピルスクシニックアンハイドライド、Ｎ－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤；アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等のアルミニウム系接着助剤；などが挙げられる。
　カップリング剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　本開示の絶縁膜形成材料がカップリング剤を含む場合、カップリング剤の含有量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部が好ましく、０．３質量部～１０質量部がより好ましく、１質量部～１０質量部がさらに好ましい。
（界面活性剤及びレベリング剤）
　本開示の絶縁膜形成材料は、界面活性剤及びレベリング剤の少なくとも一方を含んでもよい。絶縁膜形成材料が界面活性剤及びレベリング剤の少なくとも一方を含むことにより、塗布性（例えばストリエーション（膜厚のムラ）の抑制）、接着性の改善、絶縁膜形成材料中の化合物の相溶性等を向上させることができる。
　界面活性剤又はレベリング剤としては、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル等が挙げられる。
　界面活性剤及びレベリング剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　本開示の絶縁膜形成材料が界面活性剤及びレベリング剤の少なくとも一方を含む場合、界面活性剤及びレベリング剤の合計の含有量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して０．０１質量部～１０質量部であることが好ましく、０．０５質量部～５質量部であることがより好ましく、０．０５質量部～３質量部であることがさらに好ましい。
（防錆剤）
　本開示の絶縁膜形成材料は、銅、銅合金等の金属の腐食を抑制する観点、及び、当該金属の変色を抑制する観点から、防錆剤を含んでもよい。防錆剤としては、アゾール化合物、プリン誘導体等が挙げられる。
　アゾール化合物の具体例としては、１Ｈ－トリアゾール、５－メチル－１Ｈ－トリアゾール、５－エチル－１Ｈ－トリアゾール、４，５－ジメチル－１Ｈ－トリアゾール、５－フェニル－１Ｈ－トリアゾール、４－ｔ－ブチル－５－フェニル－１Ｈ－トリアゾール、５－ヒロキシフェニル－１Ｈ－トリアゾール、フェニルトリアゾール、ｐ－エトキシフェニルトリアゾール、５－フェニル－１－（２－ジメチルアミノエチル）トリアゾール、５－ベンジル－１Ｈ－トリアゾール、ヒドロキシフェニルトリアゾール、１，５－ジメチルトリアゾール、４，５－ジエチル－１Ｈ－トリアゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－（５－メチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－［２－ヒドロキシ－３，５－ビス（α，α―ジメチルベンジル）フェニル］－ベンゾトリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－２－ヒドロキシフェニル）－ベンゾトリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔ－アミル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－ｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、ヒドロキシフェニルベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－テトラゾール、５－メチル－１Ｈ－テトラゾール、５－フェニル－１Ｈ－テトラゾール、５－アミノ－１Ｈ－テトラゾール、１－メチル－１Ｈ－テトラゾール等が挙げられる。
　プリン誘導体の具体例としては、プリン、アデニン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、テオブロミン、カフェイン、尿酸、イソグアニン、２，６－ジアミノプリン、９－メチルアデニン、２－ヒドロキシアデニン、２－メチルアデニン、１－メチルアデニン、Ｎ－メチルアデニン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアデニン、２－フルオロアデニン、９－（２－ヒドロキシエチル）アデニン、グアニンオキシム、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）アデニン、８－アミノアデニン、６－アミノ‐８－フェニル‐９Ｈ－プリン、１－エチルアデニン、６－エチルアミノプリン、１－ベンジルアデニン、Ｎ－メチルグアニン、７－（２－ヒドロキシエチル）グアニン、Ｎ－（３－クロロフェニル）グアニン、Ｎ－（３－エチルフェニル）グアニン、２－アザアデニン、５－アザアデニン、８－アザアデニン、８－アザグアニン、８－アザプリン、８－アザキサンチン、８－アザヒポキサンチン等、これらの誘導体などが挙げられる。
　防錆剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　本開示の絶縁膜形成材料が防錆剤を含む場合、防錆剤の含有量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．０１質量部～１０質量部であることが好ましく、０．１質量部～５質量部であることがより好ましく、０．５質量部～３質量部であることがさらに好ましい。特に、防錆剤の含有量が０．１質量部以上であることで、本開示の絶縁膜形成材料を銅又は銅合金の表面上に付与した場合に、銅又は銅合金の表面の変色が抑制される。
　本開示の樹脂組成物は、（Ａ）成分のイミド化反応を促進させて高い信頼性を有する硬化物を得る観点から、含窒素化合物を含んでもよい。
　含窒素化合物の具体例としては、２－（メチルフェニルアミノ）エタノール、２－（エチルアニリノ）エタノール、Ｎ－フェニルジエタノールアミン、Ｎ－メチルアニリン、Ｎ－エチルアニリン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルアニリン、Ｎ－フェニルエタノールアミン、４－フェニルモルフォリン、２，２’－（４－メチルフェニルイミノ）ジエタノール、４－アミノベンズアミド、２－アミノベンズアミド、ニコチンアミド、４－アミノ－Ｎ－メチルベンズアミド、４－アミノアセトアニリド、４－アミノアセトフェノン等が挙げられ、中でも、Ｎ－フェニルジエタノールアミン、Ｎ－メチルアニリン、Ｎ－エチルアニリン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルアニリン、Ｎ－フェニルエタノールアミン、４－フェニルモルフォリン、２，２’－（４－メチルフェニルイミノ）ジエタノール等が好ましい。含窒素化合物は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　含窒素化合物は、下記式（１７）で表される化合物を含むことが好ましい。
　式（１７）中、Ｒ３１Ａ～Ｒ３３Ａは、それぞれ独立に、水素原子、１価の脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基、又は１価の芳香族基であり、Ｒ３１Ａ～Ｒ３３Ａの少なくとも１つ（好ましくは１つ）が１価の芳香族基である。Ｒ３１Ａ～Ｒ３３Ａは隣接する基同士で環構造を形成していてもよい。形成される環構造としては、メチル基、フェニル基等の置換基を有していてもよい５員環、６員環等が挙げられる。１価の脂肪族炭化水素基の水素原子は、ヒドロキシ基以外の官能基で置換されていてもよい。
　式（１７）中、Ｒ３１Ａ～Ｒ３３Ａの少なくとも１つ（好ましくは１つ）が、１価の脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基、又は１価の芳香族基であることが好ましい。
　式（１７）中、Ｒ３１Ａ～Ｒ３３Ａの１価の脂肪族炭化水素基について、炭素数１～１０が好ましく、炭素数１～６がより好ましい。１価の脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基等が好ましい。
　式（１７）中、Ｒ３１Ａ～Ｒ３３Ａのヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基は、Ｒ３１Ａ～Ｒ３３Ａの１価の脂肪族炭化水素基に、１つ以上のヒドロキシ基が結合した
基であることが好ましく、１つ～３つのヒドロキシ基が結合した基であることがより好ましい。ヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチロール基、ヒドロキシエチル基等が挙げられ、中でも、ヒドロキシエチル基が好ましい。
　式（１７）のＲ３１Ａ～Ｒ３３Ａの１価の芳香族基としては、１価の芳香族炭化水素基、１価の芳香族複素環式基等が挙げられ、１価の芳香族炭化水素基が好ましい。１価の芳香族炭化水素基について、炭素数６～１２が好ましく、炭素数６～１０がより好ましい。
　１価の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
　式（１７）のＲ３１Ａ～Ｒ３３Ａの１価の芳香族基は、置換基を有してもよい。置換基としては、式（１７）のＲ３１Ａ～Ｒ３３Ａの１価の脂肪族炭化水素基、及び上述の式（１７）のＲ３１Ａ～Ｒ３３Ａのヒドロキシ基を有する１価の脂肪族炭化水素基と同様の基が挙げられる。
　本開示の樹脂組成物が含窒素化合物を含む場合、含窒素化合物の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部～２０質量部であることが好ましく、保存安定性の観点から、０．３質量部～１５質量部であることがより好ましく、０．５質量部～１０質量部であることがさらに好ましい。
（絶縁膜形成材料の特性）
　本開示の絶縁膜形成材料は、低温での接合の観点から、硬化物としたときのガラス転移温度が５０℃～３００℃であることが好ましく、５０℃～２５０℃であることがより好ましい。硬化物としたときのガラス転移温度は２００℃以下であってもよい。
　硬化物のガラス転移温度は、以下のようにして測定する。まず、絶縁膜形成材料を窒素雰囲気下にて２時間、硬化反応が可能な所定の硬化温度（例えば、１５０℃～３７５℃）で加熱して硬化物を得る。得られた硬化物を切断して５ｍｍ×５０ｍｍ×３ｍｍの直方体を作製し、動的粘弾性測定装置（例えば、ＴＡインスツルメント製、ＲＳＡ－Ｇ２）にて引張冶具を用い、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：５℃／分の条件で、５０℃～３５０℃の温度範囲で動的粘弾性を測定する。ガラス転移温度（Ｔｇ）は、上記方法で得られた貯蔵弾性率と損失弾性率との比より求められるｔａｎδにおいて、ピークトップ部分の温度とする。
　本開示の絶縁膜形成材料は、ネガ型感光性絶縁膜形成材料又はポジ型感光性絶縁膜形成材料であってもよい。また、ネガ型感光性絶縁膜形成材料又はポジ型感光性絶縁膜形成材料は、後述する第１基板本体の一の面上に設けられた第１有機絶縁膜に複数の端子電極を配置するための貫通孔を複数設けること、及び、第２基板本体の一の面上に設けられた第２有機絶縁膜に複数の端子電極を配置するための貫通孔を複数設けることの少なくとも一方に用いられてもよい。
　本開示の絶縁膜形成材料は、硬化物としたときの熱膨張率が１５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましく、７０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがさらに好ましい。これにより、硬化物である絶縁膜の熱膨張率と、電極の熱膨張率とが同等又は近い値となるため、半導体装置の使用時に発熱等が生じた場合であっても、絶縁層と電極との熱膨張率の違いによる半導体装置の破損を抑制できる。熱膨張率は、温度上昇による硬化物の長さが膨張する割合を温度あたりで示したものである。熱膨張率は、熱機械分析装置等を用いて１００℃～１５０℃における硬化物の長さの変化量を測定することで算出できる。
　本開示の絶縁膜形成材料は、接合等でのボイドの発生を抑制する観点から、硬化物とし
たときの５％熱重量減少温度が２００℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましい。
　５％熱重量減少温度は、ポリイミド樹脂膜１０ｍｇを測定試料とし、示差熱熱重量同時測定装置を用いて、２５℃から８００℃まで、毎分１０℃ずつ昇温した時に、測定試料の重量が５％減少する温度を測定することで算出する。
＜半導体装置＞
　本開示の半導体装置は、第１基板本体と、前記第１基板本体の一の面に設けられた前記第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板と、半導体チップ基板本体と、前記半導体チップ基板本体の一の面に設けられた前記第２有機絶縁膜及び第２電極とを有する半導体チップと、を備え、前記第１有機絶縁膜と前記第２有機絶縁膜とが接合し、前記第１電極と前記第２電極とが接合し、前記第１有機絶縁膜及び前記第２有機絶縁膜の少なくとも一方が、本開示の絶縁膜形成材料の硬化物である。
　本開示の半導体装置は、第１有機絶縁膜及び有機絶縁膜部分の少なくとも一方が本開示の絶縁膜形成材料の硬化物であるため、絶縁膜の接合界面でのボイドが少ない。
＜半導体装置の製造方法＞
　本開示の半導体装置の製造方法では、本開示の絶縁膜形成材料を用いて半導体装置を製造する。具体的には、本開示の半導体装置の製造方法は、第１基板本体と、前記第１基板本体の一の面上に設けられる第１電極及び第１有機絶縁膜と、を有する第１半導体基板を準備し、半導体チップ基板本体と、前記半導体チップ基板本体の一の面上に設けられる第２有機絶縁膜及び第２電極と、を有する半導体チップを準備し、前記第１電極と前記第２電極との接合、及び前記第１有機絶縁膜と前記第２有機絶縁膜との貼り合わせを行い、
　第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の有機絶縁膜の作製に、本開示の絶縁膜形成材料を用いる。
　以下、図面を参照しながら本開示の半導体装置の一実施形態、及び本開示の半導体装置の製造方法の一実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
（半導体装置の一例）
　図１は、本開示の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。図１に示すように、半導体装置１は、例えば半導体パッケージの一例であり、第１半導体チップ１０（第１半導体基板）、第２半導体チップ２０（半導体チップ）、ピラー部３０、再配線層４０、基板５０、及び、回路基板６０を備えている。
　第１半導体チップ１０は、ＬＳＩ（大規模集積回路）チップ又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサ等の半導体チップであり、第２半導体チップ２０が下方向に実装された三次元実装構造になっている。第２半導体チップ２０は、ＬＳＩ、メモリ等の半導体チップであり、第１半導体チップ１０よりも平面視における面積が小さいチップ部品である。第２半導体チップ２０は、第１半導体チップ１０の裏面にChip-to-Chip（Ｃ２Ｃ）接合されている。第１半導体チップ１０と第２半導体チップ２０とは、詳細を後述するハイブリッドボンディングにより、それぞれの端子電極とその周りの絶縁膜同士が強固に微細接合されている。
　ピラー部３０は、銅（Ｃｕ）等の金属により形成された複数のピラー３１が樹脂３２によって封止されている接続部である。複数のピラー３１は、ピラー部３０の上面から下面に向けて延在する導電性部材である。複数のピラー３１は、例えば直径３μｍ以上２０μｍ以下（一例では直径５μｍ）の円柱形状を有していてもよく、各ピラー３１の中心間距離が１５μｍ以下となるように配置されてもよい。複数のピラー３１は、第１半導体チップ１０の下側の端子電極と再配線層４０の上側の端子電極とをフリップチップ接続する。ピラー部３０を用いることにより、半導体装置１では、ＴＭＶ（Through mold via）と呼ばれるモールドに穴明けしてはんだ接続する技術を使用せずに接続電極を形成することができる。ピラー部３０は、例えば第２半導体チップ２０と同程度の厚さを有し、水平方向にて第２半導体チップ２０の横側に配置される。なお、ピラー部３０に替えて複数のはんだボールが配置されていてもよく、はんだボールによって第１半導体チップ１０の下側の端子電極と再配線層４０の上側の端子電極とを電気的に接続してもよい。
　再配線層４０は、パッケージ基板の機能である端子ピッチ変換の機能を有する配線層であり、第２半導体チップ２０の下側の絶縁膜上及びピラー部３０の下面上にポリイミド及び銅配線等で再配線パターンを形成した層である。再配線層４０は、第１半導体チップ１０、第２半導体チップ２０等を上下反転した状態で形成される（図４の（ｄ）参照）。
　再配線層４０は、第２半導体チップ２０の下面の端子電極及びピラー部３０を介した第１半導体チップ１０の端子電極を、基板５０の端子電極に電気的に接続する。基板５０の端子ピッチは、ピラー３１の端子ピッチ及び第２半導体チップ２０の端子ピッチよりも広くなっている。なお、基板５０上には、各種の電子部品５１が実装されていてもよい。また、再配線層４０と基板５０との端子ピッチに大きな開きがある場合は再配線層４０と基板５０との間に無機インターポーザ―等を使用して再配線層４０と基板５０との電気的接続をとってもよい。
　回路基板６０は、第１半導体チップ１０及び第２半導体チップ２０をその上に搭載し、第１半導体チップ１０、第２半導体チップ２０及び電子部品５１等に接続された基板５０に電気的に接続される複数の貫通電極を内部に有する基板である。回路基板６０では、複数の貫通電極により、第１半導体チップ１０及び第２半導体チップ２０の各端子電極が回路基板６０の裏面に設けられた端子電極６１に電気的に接続される。
（半導体装置の製造方法の一例）
　次に、半導体装置１の製造方法の一例について、図２～図４を参照して、説明する。図２は、図１に示す半導体装置を製造するための方法を順に示す図である。図３は、図２に示す半導体装置の製造方法における接合方法（ハイブリッドボンディング）をより詳細に示す図である。図４は、図１に示す半導体装置を製造するための方法であり、図２に示す工程の後の工程を順に示す図である。
　半導体装置１は、例えば、以下の工程（ａ）～工程（ｎ）を経て製造することができる。
（ａ）第１半導体チップ１０に対応する第１半導体基板１００を準備する工程。
（ｂ）第２半導体チップ２０に対応する第２半導体基板２００を準備する工程。
（ｃ）第１半導体基板１００を研磨する工程。
（ｄ）第２半導体基板２００を研磨する工程。
（ｅ）第２半導体基板２００を個片化し、複数の半導体チップ２０５を取得する工程。
（ｆ）第１半導体基板１００の端子電極１０３に対して複数の半導体チップ２０５それぞれの端子電極２０３の位置合わせを行う工程。
（ｇ）第１半導体基板１００の絶縁膜１０２と複数の半導体チップ２０５の各絶縁膜部分２０２ｂとを互いに貼り合わせる工程（図３の（ｂ）参照）。
（ｈ）第１半導体基板１００の端子電極１０３と複数の半導体チップ２０５それぞれの端子電極２０３とを接合する工程（図３の（ｃ）参照）。
（ｉ）第１半導体基板１００の接続面上であって複数の半導体チップ２０５の間に複数の
ピラー３００（ピラー３１に対応）を形成する工程。
（ｊ）半導体チップ２０５とピラー３００とを覆うように、第１半導体基板１００の接続面上に樹脂３０１をモールドして半製品Ｍ１を取得する工程。
（ｋ）工程（ｊ）でモールドがされた半製品Ｍ１の樹脂３０１側を研削して薄化し、半製品Ｍ２を取得する工程。
（ｌ）工程（ｋ）で薄化された半製品Ｍ２に再配線層４０に対応する配線層４００を形成する工程。
（ｍ）工程（ｌ）で配線層４００が形成された半製品Ｍ３を各半導体装置１となるように切断線Ａに沿って切断する工程。
（ｎ）工程（ｍ）で個別化された半導体装置１ａを反転して基板５０及び回路基板６０上に設置する工程（図１参照）。
　本開示の絶縁膜形成材料は、工程（ｆ）及び工程（ｉ）～工程（ｎ）に対応する工程を少なくとも１つ含む半導体装置の製造方法での第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の絶縁膜の作製に用いるための絶縁膜形成材料であってもよい。
［工程（ａ）及び工程（ｂ）］
　工程（ａ）は、複数の第１半導体チップ１０に対応し、半導体素子及びそれらを接続する配線等からなる集積回路が形成されたシリコン基板である第１半導体基板１００を準備する工程である。工程（ａ）では、図２の（ａ）に示すように、シリコン等からなる第１基板本体１０１の一の面１０１ａには、銅、アルミニウム等からなる複数の端子電極１０３（第１電極）を所定の間隔で設けられ、かつその間隔部分に本開示の絶縁膜形成材料の硬化物である絶縁膜１０２（第１絶縁膜）が設けられる。絶縁膜１０２を第１基板本体１０１の一の面１０１ａ上に設けてから、複数の端子電極１０３を設けてもよいし、複数の端子電極１０３を第１基板本体１０１の一の面１０１ａに設けてから絶縁膜１０２を設けてもよい。なお、複数の端子電極１０３の間には、後述する工程でピラー３００を形成するため、所定の間隔が設けられており、その間にはピラー３００に接続される別の端子電極（不図示）が形成されている。
　工程（ｂ）は、複数の第２半導体チップ２０に対応し、半導体素子及びそれらを接続する配線を備える集積回路が形成されたシリコン基板である第２半導体基板２００を準備する工程である。工程（ｂ）では、図２の（ａ）に示すように、シリコン等からなる第２基板本体２０１の一の面２０１ａ上に、銅、アルミニウム等からなる複数の端子電極２０３（複数の第２電極）を連続的に設けると共に本開示の絶縁膜形成材料の硬化物である絶縁膜２０２（第２絶縁膜、有機絶縁領域）を設ける。絶縁膜２０２を第２基板本体２０１の一の面２０１ａ上に設けてから複数の端子電極２０３を設けてもよいし、複数の端子電極２０３を第２基板本体２０１の一の面２０１ａに設けてから絶縁膜２０２を設けてもよい。
　工程（ａ）及び工程（ｂ）で用いられる絶縁膜１０２及び２０２が共に本開示の絶縁膜形成材料の硬化物であっても、絶縁膜１０２及び２０２の一方が本開示の絶縁膜形成材料の硬化物であり他方が他の硬化物であってもよい。他の硬化物を形成するための絶縁膜形成材料としては、（Ａ）ポリイミド前駆体を含まず（Ａ）ポリイミド前駆体以外の他の樹脂を含むもの、（Ｃ）オキシム系光重合開始剤を含まないものが挙げられる。他の樹脂としては、重合性の不飽和結合部位を有さないポリイミド前駆体、ポリイミド、ポリアミドイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ＰＢＯ前駆体等を含む絶縁膜形成材料が挙げられる。絶縁膜１０２及び２０２の２５℃での引張弾性率は、７．０ＧＰａ以下であることが好ましく、５．０ＧＰａ以下であることがより好ましく、３．０ＧＰａ以下であることがさらに好ましく、２．０ＧＰａ以下であることが特に好ましく、１．５ＧＰａ以下であることがより一層好ましい。
　絶縁膜１０２及び２０２の熱膨張率は１５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましく、９０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがさらに好ましい。
　絶縁膜１０２及び２０２の厚さは、０．１μｍ～５０μｍが好ましく、１μｍ～１５μｍがより好ましい。これにより、絶縁膜の膜厚の均一性を担保しつつ、以後の研磨工程において処理時間を短縮することができる。
　工程（ｃ）及び工程（ｄ）での作業が行い易くなり、これらの工程を簡略化できる観点から、絶縁膜１０２の研磨レートは端子電極１０３の研磨レートの０．１倍～５倍であること、及び、絶縁膜２０２の研磨レートは端子電極２０３の研磨レートの０．１倍～５倍であることの少なくとも一方を満たすこと（好ましくは両方を満たすこと）が好ましい。い。一例として、端子電極１０３又は２０３が銅からなり、銅の研磨レートが５０ｎｍ／ｍｉｎの場合、絶縁膜１０２又は２０２の研磨レートは、２００ｎｍ／ｍｉｎ以下（銅の研磨レートの４倍以下）であることが好ましく、１００ｎｍ／ｍｉｎ以下（銅の研磨レートの２倍以下）であることがより好ましく、５０ｎｍ／ｍｉｎ以下（銅の研磨レートの同等以下）であることがさらに好ましい。
　次に絶縁膜の作製方法について説明する。絶縁膜は絶縁膜形成材料を硬化することで得られる。上述の絶縁膜の作製方法としては、例えば、（α）絶縁膜形成材料を、基板上に塗布、乾燥して樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜を加熱処理する工程と、を含む方法、（β）離型処理が施されたフィルム上に絶縁膜形成材料を用いて一定膜厚で成膜した後、樹脂膜を基板へラミネート方式により転写する工程と、転写後に基板上に形成された樹脂膜を加熱処理する工程と、を含む方法が挙げられる。平坦性の点から、前記（α）の方法が好ましい。
　絶縁膜形成材料の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法、及びスリットコート法が挙げられる。
　スピンコート法では、例えば、回転速度が３００ｒｐｍ（回転毎分）～３，５００ｒｐｍ、好ましくは５００ｒｐｍ～１，５００ｒｐｍ、加速度が５００ｒｐｍ／秒～１５，０００ｒｐｍ／秒、回転時間が３０秒～３００秒という条件にて、前記絶縁膜形成材料をスピンコーティングしてもよい。
　絶縁膜形成材料を支持体、フィルム等に塗布した後に乾燥工程を含んでもいてもよい。ホットプレート、オーブン等を用いて乾燥を行ってもよい。乾燥温度は、７５℃～１３０℃が好ましく、絶縁膜の平坦性向上の観点から、９０℃～１２０℃がより好ましい。乾燥時間は、３０秒間～５分間が好ましい。
　乾燥は、２回以上行ってもよい。これにより、上述の絶縁膜形成材料を膜状に形成した樹脂膜を得ることができる。
　スリットコート法では、例えば、薬液吐出速度１０μＬ／秒～４００μＬ／秒、薬液吐出部高さ０．１μｍ～１．０μｍ、ステージ速度（又は、薬液吐出部速度）１．０ｍｍ／秒～５０．０ｍｍ／秒、ステージ加速度１０ｍｍ／秒～１０００ｍｍ／秒、減圧乾燥時の到達真空度１０Ｐａ～１００Ｐａ、減圧乾燥時間３０秒～６００秒、乾燥温度６０℃～１５０℃、及び乾燥時間３０～３００秒という条件にて、前記絶縁膜形成材料をスリットコーティングしてもよい。
　形成された樹脂膜を加熱処理してもよい。加熱温度は、１５０℃～４５０℃が好ましく、１５０℃～３５０℃がより好ましい。加熱温度が上記範囲内であることにより、基板、デバイス等へのダメージを抑制してプロセスの省エネルギー化を実現しつつ、絶縁膜を好適に作製することができる。
　加熱時間は、５時間以下が好ましく、３０分間～３時間がより好ましい。加熱処理の時間が上記範囲内であることにより、架橋反応又は脱水閉環反応を充分に進行させることができる。
　加熱処理の雰囲気は大気中であっても、窒素等の不活性雰囲気中であってもよいが、樹脂膜の酸化を防ぐことができる観点から、窒素雰囲気下が好ましい。
　加熱処理に用いられる装置としては、石英チューブ炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール、縦型拡散炉、赤外線硬化炉、電子線硬化炉、マイクロ波硬化炉等が挙げられる。
　ネガ型感光性絶縁膜形成材料又はポジ型感光性絶縁膜形成材料である本開示の絶縁膜形成材料を用いる場合、絶縁膜２０２を第２基板本体２０１の一の面２０１ａ上に設けてから複数の端子電極２０３を設けるときに、例えば、絶縁膜形成材料を基板上に塗布する工程と、乾燥して樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜をパターン露光し、現像液を用いて現像してパターン樹脂膜を得る工程と、パターン樹脂膜を加熱処理する工程とを含む方法を用いてもよい。これにより、硬化されたパターン絶縁膜を得ることができる。
　あるいは、絶縁膜２０２を第２基板本体２０１の一の面２０１ａ上に設けてから複数の端子電極２０３を設けるときに、例えば、本開示の絶縁膜形成材料以外の絶縁膜形成材料を基板上に塗布する工程と、乾燥して樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜上にネガ型感光性絶縁膜形成材料又はポジ型感光性絶縁膜形成材料である本開示の絶縁膜形成材料を塗布及び乾燥後にパターン露光し、現像液を用いて現像してパターン樹脂膜を得る工程と、パターン樹脂膜を加熱処理する工程とを含む方法を用いてもよい。これにより、硬化されたパターン絶縁膜を得ることができる。
　パターン露光は、例えばフォトマスクを介して所定のパターンに露光する。
　照射する活性光線は、ｉ線、広帯域等の紫外線、可視光線、放射線などが挙げられ、ｉ線であることが好ましい。露光装置としては、平行露光機、投影露光機、ステッパ、スキャナ露光機等を用いることができる。
　露光後現像することで、パターン形成された樹脂膜であるパターン樹脂膜を得ることができる。本開示の絶縁膜形成材料がネガ型感光性絶縁膜形成材料である場合、未露光部を現像液で除去する。
　ネガ型の現像液として用いる有機溶剤は、現像液としては、感光性樹脂膜の良溶媒を単独で、又は良溶媒と貧溶媒とを適宜混合して用いることができる。
　良溶媒としては、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－アセチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ－ブチロラクトン、α－アセチル－γ－ブチロラクトン、３－メトキシ－Ｎ、Ｎ－ジメチルプロパンアミド、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン等が挙げられる。
　貧溶媒としては、トルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、水等が挙げられる。
　本開示の絶縁膜形成材料がポジ型感光性絶縁膜形成材料である場合、露光部を現像液で除去する。
　ポジ型の現像液として用いる溶液としては水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液、炭酸ナトリウム溶液等が挙げられる。
　ネガ型の現像液及びポジ型の現像液の少なくとも一方は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤の含有量は、現像液１００質量部に対して、０．０１質量部～１０質量部が好ましく、０．１質量部～５質量部がより好ましい。
　現像時間は、例えば感光性の樹脂膜を現像液に浸漬し、当該樹脂膜が完全に溶解するまでの時間の２倍とすることができる。
　現像時間は、本開示の絶縁膜形成材料に含まれる（Ａ）ポリイミド前駆体に応じて調節してもよく、例えば、１０秒間～１５分間が好ましく、１０秒間～５分間がより好ましく、生産性の観点から、２０秒間～５分間がさらに好ましい。
　現像後のパターン樹脂膜をリンス液により洗浄してもよい。
　リンス液としては、蒸留水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル等を単独又は適宜混合して用いてもよく、またこれらを段階的に組み合わせて用いてもよい。
　なお、本開示の絶縁膜形成材料の硬化物以外で絶縁膜１０２及び２０２を構成する有機材料として、感光性樹脂、熱硬化性の非導電性フィルム（ＮＣＦ：Non Conductive Film
）、又は、熱硬化性樹脂を用いてもよい。この有機材料は、アンダーフィル材であってもよい。また、絶縁膜１０２及び２０２を構成する有機材料は耐熱性の樹脂であってもよい。
［工程（ｃ）及び工程（ｄ）］
　工程（ｃ）は、第１半導体基板１００を研磨する工程である。工程（ｃ）では、図３の（ａ）に示すように、端子電極１０３の各表面１０３ａが絶縁膜１０２の表面１０２ａに対して同等の位置か少し高い（突き出た）位置となるように化学機械研磨法（ＣＭＰ法）を用いて第１半導体基板１００の表面である一の面１０１ａ側を研磨する。工程（ｃ）では、例えば、銅等からなる端子電極１０３を選択的に深く削る条件でＣＭＰ法によって第１半導体基板１００を研磨することもできる。工程（ｃ）において、端子電極１０３の各表面１０３ａが絶縁膜１０２の表面１０２ａと一致するようにＣＭＰ法で研磨してもよい。研磨方法はＣＭＰ法に限定されず、バックグラインド等を採用してもよい。ＣＭＰ法による研磨に先立って、サーフェスプレーナー等の研磨装置により機械研磨を行ってもよい。
　端子電極１０３の各表面１０３ａが絶縁膜１０２の表面１０２ａに対して少し高い位置である場合、各表面１０３ａと表面１０２ａとの高さの差は、１ｎｍ～１５０ｎｍであってもよく、１ｎｍ～１５ｎｍであってもよい。
　工程（ｄ）は、第２半導体基板２００を研磨する工程である。工程（ｄ）では、図３の（ａ）に示すように、端子電極２０３の各表面２０３ａが絶縁膜２０２の表面２０２ａに対して、同等の位置か少し高い（突き出た）位置となるようにＣＭＰ法を用いて第２半導体基板２００の表面である一の面２０１ａ側を研磨する。工程（ｄ）では、例えば、銅等からなる端子電極２０３を選択的に深く削る条件でＣＭＰ法によって第２半導体基板２００を研磨する。工程（ｄ）において、端子電極２０３の各表面２０３ａが絶縁膜２０２の表面２０２ａと一致するようにＣＭＰ法で研磨してもよい。研磨方法はＣＭＰ法に限定されず、バックグラインド等を採用してもよい。
　端子電極２０３の各表面２０３ａが絶縁膜２０２の表面２０２ａに対して少し高い位置である場合、各表面２０３ａと表面２０２ａとの高さの差は、１ｎｍ～５０ｎｍであって
もよく、１ｎｍ～１５ｎｍであってもよい。
　工程（ｃ）及び工程（ｄ）では、絶縁膜１０２の厚さと絶縁膜２０２の厚さが同じになるように研磨してもよいが、例えば、絶縁膜２０２の厚さが絶縁膜１０２の厚さよりも大きくなるように研磨してもよい。一方、絶縁膜２０２の厚さが絶縁膜１０２の厚さよりも小さくなるように研磨してもよい。絶縁膜２０２の厚さが絶縁膜１０２の厚さよりも大きい場合には、第２半導体基板２００を個片化する際又はチップ実装の際に接合界面に付着する異物の多くを絶縁膜２０２によって包含することができ、接合不良をより一層低減することができる。一方、絶縁膜２０２の厚さが絶縁膜１０２の厚さよりも小さい場合には、実装される半導体チップ２０５、つまり半導体装置１の低背化を図ることができる。
　工程（ｃ）及び工程（ｄ）は少なくとも一方を実行してもよく、工程（ｃ）及び工程（ｄ）の双方を実行することが好ましい。
［工程（ｅ）］
　工程（ｅ）は、第２半導体基板２００を個片化し、複数の半導体チップ２０５を取得する工程である。工程（ｅ）では、図２の（ｂ）に示すように、第２半導体基板２００をダイシング等の切断手段により複数の半導体チップ２０５に個片化する。第２半導体基板２００をダイシングする際に絶縁膜２０２に保護材等を被覆して、それから個片化してもよい。工程（ｅ）により、第２半導体基板２００の絶縁膜２０２は、各半導体チップ２０５に対応する絶縁膜部分２０２ｂへと分割される。第２半導体基板２００を個片化するダイシング方法としては、プラズマダイシング、ステルスダイシング、レーザーダイシング等が挙げられる。ダイシングの際の第２半導体基板２００の表面保護材としては、例えば、水、ＴＭＡＨ等で除去可能な有機膜、又は、プラズマ等で除去可能な炭素膜などの薄膜を設けてもよい。
　なお、この実施形態では、大面積の第２半導体基板２００を準備した後、個片化して複数の半導体チップ２０５を得ているが、半導体チップ２０５の準備方法はこれに限定されない。
［工程（ｆ）］
　工程（ｆ）は、第１半導体基板１００の端子電極１０３に対して複数の半導体チップ２０５それぞれの端子電極２０３の位置合わせを行う工程である。工程（ｆ）では、図２の（ｃ）に示すように、各半導体チップ２０５の端子電極２０３が第１半導体基板１００の対応する複数の端子電極１０３に対向するように、各半導体チップ２０５の位置合わせを行う。この位置合わせ用に、第１半導体基板１００上にアライアメントマーク等を設けてもよい。
［工程（ｇ）］
　工程（ｇ）は、第１半導体基板１００の絶縁膜１０２と複数の半導体チップ２０５の各絶縁膜部分２０２ｂとを互いに貼り合わせる工程である。工程（ｇ）では、各半導体チップ２０５の表面に付着した有機物、金属酸化物等を除去した後、図２の（ｃ）に示すように、第１半導体基板１００に対する半導体チップ２０５の位置合わせを行い、その後、ハイブリッドボンディングとして複数の半導体チップ２０５それぞれの絶縁膜部分２０２ｂを第１半導体基板１００の絶縁膜１０２に接合する（図３の（ｂ）参照）。この際、複数の半導体チップ２０５の絶縁膜部分と第１半導体基板１００の絶縁膜１０２とを均一に加熱してから接合を行ってもよい。加熱しながら接合を行うことで絶縁膜１０２及び絶縁膜部分２０２ｂの熱膨張率と端子電極１０３、２０３の熱膨張率との差により、絶縁膜１０２及び絶縁膜部分２０２ｂが端子電極１０３、２０３よりも膨張する。加熱による熱膨張により、絶縁膜１０２の高さが端子電極１０３の高さと同程度以上となるように、工程（ｃ）にて第１半導体基板１００を研磨してもよく、絶縁膜部分２０２ｂの高さが端子電極２０３の高さと同程度以上となるように、工程（ｄ）にて第２半導体基板２００を研磨してもよい。接合の際の半導体チップ２０５と第１半導体基板１００との温度差は、例えば１０℃以内が好ましい。このような均一性の高い温度での加熱接合により、絶縁膜１０２と絶縁膜部分２０２ｂが接合された絶縁接合部分Ｓ１となり、複数の半導体チップ２０５が第１半導体基板１００に対して機械的に強固に取り付けられる。また、均一性の高い温度での加熱接合であることから、接合箇所における位置ズレ等が生じ難く、高精度な接合を行うことができる。この取り付けの段階では、第１半導体基板１００の端子電極１０３と半導体チップ２０５の端子電極２０３とは互いに離間しており、接続されていない（但し位置合わせはされている）。半導体チップ２０５の第１半導体基板１００への貼り合わせは、他の接合方法によって行ってもよく、例えば常温接合等で接合してもよい。
　絶縁膜１０２と絶縁膜部分２０２ｂが接合された絶縁接合部分である有機絶縁膜の厚さは、特に限定されず、例えば、０．１μｍ以上であってもよく、異物の影響を抑制やデバイス設計の観点から、１μｍ～２０μｍであってもよく、好ましくは１μｍ～５μｍである。
［工程（ｈ）］
　工程（ｈ）は、第１半導体基板１００の端子電極１０３と複数の半導体チップ２０５それぞれの端子電極２０３とを接合する工程である。工程（ｈ）では、図２の（ｄ）に示すように、工程（ｇ）の貼り合わせが終了すると、熱Ｈ、圧力又はその両方を付与して、ハイブリッドボンディングとして第１半導体基板１００の端子電極１０３と複数の半導体チップ２０５の各端子電極２０３とを接合する（図３の（ｃ）参照）。端子電極１０３及び２０３が銅から構成されている場合、工程（ｇ）でのアニーリング温度は、１５０℃以上４００℃以下であることが好ましく、２００℃以上３００℃以下であることがより好ましい。このような接合処理により、端子電極１０３とそれに対応する端子電極２０３とが接合された電極接合部分Ｓ２となり、端子電極１０３と端子電極２０３とが機械的且つ電気的に強固に接合される。なお、工程（ｈ）の電極接合は、工程（ｇ）の貼り合わせ後に行われてもよく、工程（ｇ）の貼り合わせと同時に行われてもよい。
　以上により、第１半導体基板１００に複数の半導体チップ２０５が電気的且つ機械的に所定の位置に高精度に設置される。図２の（ｄ）に示す半製品の段階で例えば製品の信頼性試験（接続試験等）を行い、良品のみを以降の工程に用いてもよい。続いて、このような半製品を用いた半導体装置の一例の製造方法を、図４を参照して説明する。
［工程（ｉ）］
　工程（ｉ）は、第１半導体基板１００の接続面１００ａ上であって複数の半導体チップ２０５の間に複数のピラー３００を形成する工程である。工程（ｉ）では、図４の（ａ）に示すように、複数の半導体チップ２０５の間に、例えば銅製の多数のピラー３００を形成する。ピラー３００は、銅めっき、導電体ペースト、銅ピン等から形成することができる。ピラー３００は、一端が第１半導体基板１００の端子電極のうち半導体チップ２０５の端子電極２０３に接続されていない端子電極に接続されるように形成され、他端が上方に向かって延在する。ピラー３００は、例えば、直径１０μｍ以上１００μｍ以下であり、また、高さ１０μｍ以上１０００μｍ以下である。なお、一対の半導体チップ２０５の間には、例えば１個以上１００００個以下のピラー３００が設けられてもよい。
［工程（ｊ）］
　工程（ｊ）は、複数の半導体チップ２０５と複数のピラー３００とを覆うように、第１半導体基板１００の接続面１００ａ上に樹脂３０１をモールドする工程である。工程（ｊ）では、図４の（ｂ）に示すように、エポキシ樹脂等をモールドして、複数の半導体チップ２０５と複数のピラー３００とを全体的に覆う。モールド方法としては、例えば、コンプレッションモールド、トランスファモールド、フィルム状のエポキシフィルムをラミネートする方法等が挙げられる。この樹脂モールドにより、複数のピラー３００の間及びピラー３００と半導体チップ２０５との間が樹脂３０１によって充填される。
　これにより、樹脂が充填された半製品Ｍ１が形成される。なお、エポキシ樹脂等をモールドした後に硬化処理を行ってもよい。また、工程（ｉ）と工程（ｊ）とを略同時に行う場合、すなわち樹脂モールドするタイミングでピラー３００も形成する場合、微細転写であるインプリントと導電性ペースト若しくは電解めっきとを用いてピラーを形成してもよい。
［工程（ｋ）］
　工程（ｋ）は、工程（ｊ）でモールドがされた樹脂３０１、複数のピラー３００及び複数の半導体チップ２０５からなる半製品Ｍ１を樹脂３０１側から研削して薄化し、半製品Ｍ２を取得する工程である。工程（ｋ）では、図４の（ｃ）に示すように、半製品Ｍ１の上方をグランダー等で研磨することにより、樹脂モールドされた第１半導体基板１００等を薄化し、半製品Ｍ２とする。工程（ｋ）での研磨により、半導体チップ２０５、ピラー３００及び樹脂３０１の厚さは例えば数１０μｍ程度に薄化され、半導体チップ２０５は第２半導体チップ２０に対応する形状となり、ピラー３００及び樹脂３０１は、ピラー部３０に対応する形状となる。
［工程（ｌ）］
　工程（ｌ）は、工程（ｋ）で薄化された半製品Ｍ２に再配線層４０に対応する配線層４００を形成する工程である。工程（ｌ）では、図４の（ｄ）に示すように、研削された半製品Ｍ２の第２半導体チップ２０及びピラー部３０の上にポリイミド、銅配線等で再配線パターンを形成する。これにより、第２半導体チップ２０及びピラー部３０の端子ピッチを広げた配線構造を有する半製品Ｍ３が形成される。
［工程（ｍ）及び工程（ｎ）］
　工程（ｍ）は、工程（ｌ）で配線層４００が形成された半製品Ｍ３を各半導体装置１となるように切断線Ａに沿って切断する工程である。工程（ｍ）では、図４の（ｄ）に示すように、ダイシング等によって、各半導体装置１となるように、半導体装置基板を切断線Ａに沿って切断する。その後、工程（ｎ）では、工程（ｍ）で個別化された半導体装置１ａを反転して基板５０及び回路基板６０上に設置し、図１に示す半導体装置１を複数取得する。
　半導体装置の製造方法の一例である上記実施形態によれば、第１半導体基板１００の絶縁膜１０２と、第２半導体基板２００の絶縁膜２０２と、が、本開示の絶縁膜形成材料の硬化物である。本開示の絶縁膜形成材料は露光感度が高く、接合等の際にボイドの発生が抑えられる。
　以上、本開示の半導体装置の製造方法の一実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、図４に示す工程において、ピラー３００を形成する工程（ｉ）の後に、樹脂３０１をモールドする工程（ｊ）と樹脂３０１等を研削して薄化する工程（ｋ）を順に行っていたが、樹脂３０１を第１半導体基板１００の接続面上にモールドする工程（ｊ）をまず行い、続いて、樹脂３０１を所定の厚さまで研削して薄化する工程（ｋ）を行い、その後に、ピラー３００を形成する工程（ｉ）を行うようにしてもよい。この場合、ピラー３００を削る作業等を減らすことができ、また、ピラー３００のうち削る部分が不要となることから、材料費を低減することができる。
　また、上記の実施形態では、Ｃ２Ｃでの接合例を説明したが、図５に示すChip-to-Wafer（Ｃ２Ｗ）での接合に本発明を適用してもよい。Ｃ２Ｗでは、基板本体４１１（第１基板本体）と基板本体４１１の一の面に設けられた絶縁膜４１２（第１絶縁膜）及び複数の端子電極４１３（第１電極）とを有する半導体ウェハー４１０（第１半導体基板）を準備すると共に、基板本体４２１（第２基板本体）と基板本体４２１の一の面に設けられた絶縁膜部分４２２（第２絶縁膜）及び複数の端子電極４２３（第２電極）とを有する複数の半導体チップ４２０の個片化前の半導体基板（第２半導体基板）を準備する。そして、半導体ウェハー４１０の一の面側と半導体チップ４２０に個片化する前の第２半導体基板の一の面側とを、上記の工程（ｃ）及び工程（ｄ）と同様に、ＣＭＰ法等により研磨する。その後、工程（ｅ）と同様な個片化処理を第２半導体基板に対して行い、複数の半導体チップ４２０を取得する。
　続いて、図５の（ａ）に示すように、半導体ウェハー４１０の端子電極４１３に対して半導体チップ４２０の端子電極４２３の位置合わせを行う（工程（ｆ））。そして、半導体ウェハー４１０の絶縁膜４１２と半導体チップ４２０の絶縁膜部分４２２とを互いに貼り合わると共に（工程（ｇ））、半導体ウェハー４１０の端子電極４１３と半導体チップ４２０の端子電極４２３とを接合し（工程（ｈ））、図５の（ｂ）に示す半製品を取得する。これにより、絶縁膜４１２と絶縁膜部分４２２とが接合された絶縁接合部分Ｓ３となり、半導体チップ４２０が半導体ウェハー４１０に対して機械的に強固に且つ高精度に取り付けられる。また、端子電極４１３とそれに対応する端子電極４２３とが接合された電極接合部分Ｓ４となり、端子電極４１３と端子電極４２３とが機械的且つ電気的に強固に接合される。
　その後、図５の（ｃ）及び（ｄ）に示すように、複数の半導体チップ４２０を同様の方法で半導体ウェハーである半導体ウェハー４１０に接合することにより、半導体装置４０１を取得する。なお、複数の半導体チップ４２０は、一個ずつ半導体ウェハー４１０にハイブリッドボンディングにより接合されてもよいが、まとめて半導体ウェハー４１０にハイブリッドボンディングにより接合されてもよい。
　このような半導体装置４０１の製造方法においても、上記の半導体装置１の製造方法と同様に、半導体ウェハー４１０の絶縁膜４１２及び半導体チップ４２０の絶縁膜部分４２２の少なくとも一方が、本開示の絶縁膜形成材料の硬化物である絶縁膜である。そのため、半導体チップ４２０への個片化の際のダイシングによって発生する異物が絶縁膜に付着しても、異物周辺の絶縁膜が容易に変形し、絶縁膜に大きな空隙を生じさせることなく異物を絶縁膜内に包含させることができる。すなわち、絶縁膜によって異物の影響を抑えることが可能となる。よって、上記のＣ２Ｗに係る製造方法でも、Ｃ２Ｃと同様に、半導体ウェハー４１０と半導体チップ４２０の微細接合を行いつつ、接合不良を低減することができる。
　さらに、上記の半導体装置の製造方法では、本発明の効果を奏する範囲において、半導体基板１１０の絶縁膜１０２、半導体チップ２０５の絶縁膜２０２等の一部に無機材料が含まれていてもよい。
　日本国特許出願２０２２－０５０４５１号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に援用されて取り込まれる。
　以下、実施例及び比較例に基づき、本開示についてさらに具体的に説明する。尚、本開示は下記実施例に限定されるものではない。
（合成例１（Ａ１の合成））
　３，３’，４，４’－ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（ＯＤＰＡ）６２ｇと４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）２３ｇとｍ－フェニレンジアミン（ＭＰＤ）５ｇとを３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミド９１５ｇに溶解させた。得られた溶液を３０℃で２時間撹拌し、ポリアミド酸を得た。そこに室温（２５℃）にて無水トリフルオロ酢酸７８ｇ及びメタクリル酸２－ヒドロキシエチル（ＨＥＭＡ）１０９ｇを加え、４５℃で１０時間撹拌した。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリイミド前駆体Ａ１を得た。
　ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を用いて、標準ポリスチレン換算により、Ａ１の重量平均分子量を求めた。Ａ１の重量平均分子量は２２０００であった。具体的には、Ａ１　０．５ｍｇを溶剤［テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）／ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）＝１／１（容積比）］１ｍＬに溶解させた溶液を用い、以下の条件で重量平均分子量を測定した。
（測定条件）
測定装置：株式会社島津製作所ＳＰＤ－Ｍ２０Ａ
ポンプ：株式会社島津製作所ＬＣ－２０ＡＤ
カラムオーブン：株式会社島津製作所：ＣＴＯ－２０Ａ
測定条件：カラムＧｅｌｐａｃｋ　ＧＬ－Ｓ３００ＭＤＴ－５×２本
溶離液：ＴＨＦ／ＤＭＦ＝１／１（容積比）
　　　　ＬｉＢｒ（０．０３ｍｏｌ／Ｌ）、Ｈ３ＰＯ４（０．０６ｍｏｌ／Ｌ）
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ、検出器：ＵＶ２７０ｎｍ、カラム温度：４０℃
標準ポリスチレン：東ソー製　ＴＳＫｇｅｌ　ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ　Ｔｙｐｅ　Ｆ－１，Ｆ－４，Ｆ－２０，Ｆ－８０，Ａ－２５００にて検量線を作成
＜エステル化率＞
　以下の条件でＮＭＲ測定を行うことで、Ａ１のエステル化率（ＨＥＭＡと反応してなるエステル基及びＨＥＭＡと未反応のカルボキシ基の合計に対するＨＥＭＡと反応してなるエステル基の割合）を算出した。エステル化率は７８モル％であり、未反応のカルボキシ基の割合は２２モル％であった。
（測定条件）
測定機器：ブルカー・バイオスピン社　ＡＶ４００Ｍ
磁場強度：４００ＭＨｚ
基準物質：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）
溶剤：ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
（合成例２（Ａ２の合成））
　合成例１の４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）２３ｇ及びｍ－フェニレンジアミン（ＭＰＤ）５ｇを、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ－１，３，３）５１ｇに変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、ポリイミド前駆体Ａ２を得た。Ａ２の重量平均分子量は２５０００であった。
　前述の条件でＮＭＲ測定を行うことで、Ａ２のエステル化率を算出した。エステル化率は７５モル％であり、未反応のカルボキシ基の割合は２５モル％であった。
（合成例３（Ａ３の合成））
　合成例２のＯＤＰＡを、４，４’－（４，４’－イソプロピリデンジフェノキシ）ジフタル酸無水物（ＢＰＡＤＡ）１０４ｇに変更した以外は合成例２と同様の操作を行い、ポリイミド前駆体Ａ３を得た。Ａ３の重量平均分子量は２５０００であった。
　前述の条件でＮＭＲ測定を行うことで、Ａ４のエステル化率を算出した。エステル化率は７８モル％であり、未反応のカルボキシ基の割合は２２モル％であった。
（合成例４（Ａ４の合成））
　合成例１の４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）２３ｇ及びｍ－フェニレンジアミン（ＭＰＤ）５ｇを、２，２’－ジメチルビフェニル－４，４’－ジアミン（ＤＭＡＰ）３６ｇに変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、ポリイミド前駆体Ａ４を得た。Ａ４の重量平均分子量は２５，０００であった。
　前述の条件でＮＭＲ測定を行うことで、Ａ２のエステル化率を算出した。エステル化率は７４モル％であり、未反応のカルボキシ基の割合は２６モル％であった。
［実施例１～１４、比較例１～２］
（絶縁膜形成材料の調製）
　表１に示した成分及び配合量にて、実施例１～１４及び比較例１～２の絶縁膜形成材料を以下のようにして調製した。表１の各成分の配合量の単位は質量部である。また、表１中の空欄は該当成分が未配合であることを意味する。各実施例及び比較例にて、各成分の混合物を一般的な耐溶剤性容器内にて室温（２５℃）で一晩混練した後、０．２μｍ孔のフィルターを用いて加圧ろ過を行った。得られた絶縁膜形成材料を用いて以下の評価を行った。
　表１中の各成分は以下の通りである。
・（Ａ）成分：ポリイミド前駆体
　上述のＡ１～Ａ４
・（Ｂ）成分：溶剤
　Ｂ１：３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミド
　Ｂ２：γ－ブチロラクトン
・（Ｃ）成分：光重合開始剤
　Ｃ１：１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム
　Ｃ２：１－［４－（フェニルチオ）フェニル］オクタン－１，２－ジオン＝２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）
　Ｃ３：Ｏ‐アセチル‐１‐［６‐（２‐メチルベンゾイル）‐９‐エチル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル］エタノンオキシム
　Ｃ４：１－［４－（４－ヒドロキシエチルオキシ－フェニルチオ）フェニル］－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－アセチルオキシム）
　Ｃ５：２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン（ＩＲＧＡＣＵＲＥ　１１７３）
　Ｃ６：４’－（メチルチオ）－α－モルホリノ－α－メチルプロピオフェノン（Ｉｒｇａｃｕｒｅ　９０７）
・（Ｄ）成分：増感剤
　Ｄ１：４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン（ＥＭＫ）
・（Ｅ）成分：重合性モノマー
　Ｅ１：トリエチレングリコールジメタアクリレート（ＴＥＧＤＭＡ）
・（Ｇ）成分：重合禁止剤
　Ｇ１：１，４，４－トリメチル－２，３－ジアザビシクロ［３．２．２］ノナ－２－エン－２，３－ジオキシド
・（Ｈ）成分：カップリング剤
　Ｈ１：３－ウレイドプロピルトリエトキシシランの５０質量％メタノール溶液
（ボイド有無の評価）
　実施例１～１４及び比較例１～２の絶縁膜形成材料を、塗布装置スピンコーターを用いて、８インチＳｉウェハー上にスピンコートし、１００℃、２４０秒で加熱乾燥して樹脂膜を形成した。得られた樹脂膜に対して直径１８０ｍｍの円形状の樹脂膜が作製できるマスクを載せ、波長３６５ｎｍ（ｉ線）の光を所定露光量照射した。その後、シクロペンタノン又は２．３８体積％ＴＭＡＨで所定時間現像した。得られたパターン樹脂膜を、縦型拡散炉μ－ＴＦを用いて、窒素雰囲気下、２００℃、２時間にて硬化し、Ｓｉウェハー上の樹脂膜のうち、外周から１０ｍｍを取り除きパターン樹脂膜を作製した。
　得られた硬化膜をＣＭＰ法によって研磨を実施し、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いた測定にて１０μｍ２内の表面粗さＲａが０．５ｎｍ～３ｎｍとなる研磨済み硬化膜を得た。研磨済み硬化膜に一般的な洗浄液を用いてスクラブ洗浄を実施した後、洗浄した研磨済み硬化膜の一部をブレードダイサー（株式会社ディスコ、ＤＦＤ－６３６２）によって５ｍｍ角に個片化することで樹脂付きチップを得た。
　得られた樹脂付きチップを研磨済み硬化膜に対し、フリップチップボンダによって所定圧力及び２５０℃で１５秒間圧着しチップ付き硬化膜を作製した。各絶縁膜形成材料について研磨済み硬化膜に圧着させた５個のチップずつ後述の評価を実施した。
　得られたチップ付き硬化膜に対しＳＡＴ（超音波深傷検査：Scanning Acoustic Tomography）を用いて絶縁膜界面の接着不良を示すボイドの有無を観察した。ボイドの評価基準は以下の通りである。結果を表１に示す。評価がＡであればボイドの発生が抑制されており、評価良好と判断される。
－ボイドの評価基準－
Ａ：５つのチップの中でボイドが観察されたチップが２つ以下である。
Ｂ：５つのチップの中でボイドが観察されたチップが２つより多い。
Ｃ：ＳＡＴを測定する際にチップが１つ以上剥離している。
（感度の評価）
　絶縁膜形成材料をＳｉ基板上にスピンコートし、ホットプレート上で、１００℃、２４０秒で加熱乾燥し、塗布後の厚さが約１２μｍとなるよう樹脂膜を形成した。この樹脂膜にフォトマスクを介して、ｉ線ステッパＮＥＳ２ＷＡ０６（株式会社ニコン製）を用いて、１００～１１００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線を１００ｍＪ／ｃｍ２刻みで所定パターンに照射して露光を行った。その後、露光後の樹脂膜をシクロペンタノンにより、コーターデベロッパーＡＣＴ８（東京エレクトロン株式会社製）を用いて２０秒現像した。露光部の樹脂膜の膜厚が初期膜厚の７０％以上となる最小露光量を感度とした。
　感度の評価基準は以下の通りである。結果を表１に示す。評価がＡであれば感度が高く、評価良好と判断される。
－感度の評価基準－
Ａ：感度が３００ｍＪ／ｃｍ２以下である
Ｂ：感度が３００ｍＪ／ｃｍ２より大きく５００ｍＪ／ｃｍ２以下である
Ｃ：感度が５００ｍＪ／ｃｍ２より大きい
（パターンプロファイル（ＰＰ）の評価）
　上記の感度の評価において６００ｍＪ／ｃｍ２で露光した領域をダイヤモンドペンで切り出し、１００μｍのラインパターンの断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、パターン断面の形状についてパターンプロファイルを評価した。
　パターンプロファイルの評価基準は以下の通りである。結果を表１に示す。評価がＡであればパターンプロファイルに優れ、評価良好と判断される。
－パターンプロファイル（ＰＰ）の評価基準－
Ａ：断面形状において上面と側面の交点が明確であり、交点において突起等の異常が存在しない。
Ｂ：断面形状において側面のテーパー形状が崩れ、上面と側面の交点が明確でない。
Ｃ：断面形状において上面と側面の交点において突起等の異常が存在する。
（低温接合性の評価）
　上述のボイド発生の評価と同様の方法でパターン樹脂膜及び樹脂付きチップを準備し、パターン樹脂膜の上に樹脂付きチップを乗せ、段差吸収用のカーボンシートを被せた。圧着装置（ＥＶＧ製）を用いて、大気条件にて１８０℃で１８０秒、１センチサイズの加圧エリアに１００Ｎの荷重を加え圧着を実施した。３つのチップに対して圧着を実施し、圧着後のチップに小さな外力を加えてもチップが外れないかを低温接合性の指標とした。
　低温接合性の評価基準は以下の通りである。結果を表１に示す。評価がＡであれば低温接合性に優れ、評価良好と判断される。
－低温接合性の評価基準－
Ａ：３つのチップのうちすべてのチップで接着が認められた。
Ｂ：３つのチップのうち１つ又は２つのチップで接着が認められた。
Ｃ：３つのチップのうちすべてのチップで接着が認められなかった。
　表１に示すように、実施例１～１４は、比較例１～２と比較して露光感度に優れ、絶縁膜界面でのボイドの発生が抑制されていた。実施例の中でも、光重合開始剤としてＣ１を用いる実施例１～４、６、９、１１～１４は、パターンプロファイルに優れていた。また、光重合開始剤としてＣ１とＣ２～Ｃ４のいずれかとを併用した実施例４、６、９、１２は、パターンプロファイルを維持しつつさらに露光感度に優れていた。
　一方、比較例１～２は、実施例よりも接合界面でのボイドが多く発生し、感度も低くなっていた。比較例１～２は、実施例よりもパターンプロファイルも劣っていた。
（硬化膜のガラス転移温度（Ｔｇ）の測定）
　実施例１、１３、１４及び比較例１の絶縁膜形成材料を用いて以下のように硬化膜を形成し、次いでガラス転移温度を測定した。感光性絶縁膜形成材料をＳｉ基板上にスピンコートし、ホットプレート上で、１００℃、２４０秒で加熱乾燥し、硬化後約１０μｍとなるよう感光性樹脂膜を形成した。
　得られた感光性樹脂膜を、マスクアライナーＭＡ－８（ズース・マイクロテック社製）を用いて、８００ｍＪ／ｃｍ２の露光量にて広帯域（ＢＢ）露光した。露光後の樹脂膜をシクロペンタノンにより、コーターデベロッパーＡＣＴ８（東京エレクトロン株式会社製）を用いて２０秒現像し、１０ｍｍ幅の短冊状のパターン樹脂膜を得た。
　得られたパターン樹脂膜を、縦型拡散炉μ－ＴＦを用いて、窒素雰囲気下、２００℃、２時間にて硬化し膜厚１０μｍのパターン硬化物を得た。得られたパターン硬化物を、４．９質量％フッ酸水溶液に浸漬して、１０ｍｍ幅のパターン硬化物をＳｉ基板から剥離した。
　ＴＡインスツルメント製のＲＳＡ－Ｇ２を用い、試験周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、測定モード：引張り、Ｎ２雰囲気下、測定範囲－５０℃～４００℃、チャック間距離１０ｍｍ、サンプル幅２．０ｍｍの条件にてＳｉ基板より剥離したパターン硬化物の貯蔵弾性率及び損失弾性率を測定した。得られた貯蔵弾性率及び損失弾性率から損失正接を求め、損失正接のピークをＴｇ（ガラス転移温度）とした。
　実施例１のＴｇは２１０℃、実施例１３のＴｇは１６０℃、実施例１４のＴｇは２２０℃であり、比較例１のＴｇは１７０℃であった。
　１，１ａ，４０１…半導体装置、１０…第１半導体チップ、２０…第２半導体チップ、３０…ピラー部、４０…再配線層、５０…基板、６０…回路基板、６１…端子電極、１００…第１半導体基板、１０１…第１基板本体、１０１ａ…一の面、１０２…絶縁膜（第１絶縁膜）、１０３…端子電極（第１電極）、１０３ａ…表面、２００…第２半導体基板、２０１…第２基板本体、２０１ａ…一の面、２０２…絶縁膜（第２絶縁膜）、２０３…端子電極（第２電極）、２０３ａ…表面、２０５…半導体チップ、３００…ピラー、３０１…樹脂、４１０…半導体ウェハー（第１半導体基板）、４１１…基板本体（第１基板本体）、４１２…絶縁膜（第１絶縁膜）、４１３…端子電極（第１電極）、４２０…半導体チップ（第２半導体基板）、４２１…基板本体（第２基板本体）、４２２…絶縁膜部分（第２絶縁膜）、４２３…端子電極（第２電極）、Ａ…切断線、Ｈ…熱、Ｍ１～Ｍ３…半製品、Ｓ１…絶縁接合部分、Ｓ２…電極接合部分、Ｓ３…絶縁接合部分、Ｓ４…電極接合部分

Claims (19)

  1. 　（Ａ）重合性の不飽和結合部位を有するポリイミド前駆体と、（Ｂ）溶剤と、（Ｃ）オキシム系光重合開始剤と、を含むハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
  2. 　前記（Ｃ）オキシム系光重合開始剤が、下記式（Ｉ）で表される化合物を含む、請求項１に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。

     
    〔式（Ｉ）中、Ｒ１は、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、又はフェノキシ基を表し、Ｒ２は、アルキル基を表し、Ｒ３はカルボニル基又は単結合で連結する１価の有機基を表す。〕
  3. 　前記（Ｃ）オキシム系光重合開始剤は、前記式（Ｉ）におけるＲ１がアルコキシ基で表される化合物を含む、請求項２に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
  4. 　前記（Ｃ）オキシム系光重合開始剤は、前記式（Ｉ）におけるＲ１がアルコキシ基で表される化合物Ａと、前記式（Ｉ）におけるＲ１がアルキル基又はフェニル基で表される化合物Ｂとを含む、請求項２又は請求項３に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
  5. 　前記（Ａ）ポリイミド前駆体は、下記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物を含む請求項１～請求項４のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。

     
    　一般式（１）中、Ｘは、４価の有機基を表し、Ｙは２価の有機基を表し、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の有機基を表し、Ｒ６及びＲ７の少なくとも１つは、重合性の不飽和結合を有する。
  6. 　前記一般式（１）中、前記Ｘで表される４価の有機基は、下記式（Ｅ）で表される基である請求項５に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。

     
    　式（Ｅ）において、Ｃは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（ＲＡ）２－；２つのＲＡは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（ＲＢ）２－Ｏ－）ｎ；２つのＲＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。
  7. 　前記一般式（１）中、前記Ｙで表される２価の有機基は、下記式（Ｈ）で表される基である請求項５又は請求項６に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。

     
    　式（Ｈ）において、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基又はハロゲン原子を表し、ｎは、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。Ｄは、単結合、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、エーテル結合（－Ｏ－）、スルフィド結合（－Ｓ－）、フェニレン基、エステル結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、シリレン結合（－Ｓｉ（ＲＡ）２－；２つのＲＡは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表す。）、シロキサン結合（－Ｏ－（Ｓｉ（ＲＢ）２－Ｏ－）ｎ；２つのＲＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表す。）又はこれらを少なくとも２つ組み合わせた２価の基を表す。
  8. 　前記式（Ｈ）におけるＤがエーテル結合（－Ｏ－）を含む請求項７に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
  9. 　前記一般式（１）中、前記Ｒ６及び前記Ｒ７における前記１価の有機基は、下記一般式（２）で表される基、エチル基、イソブチル基又はｔ－ブチル基のいずれかであり、前記
    Ｒ６及び前記Ｒ７の少なくとも１つが一般式（２）で表される基である請求項５～請求項８のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。

     
    　一般式（２）中、Ｒ８～Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基を表し、Ｒｘは２価の連結基を表す。
  10. 　（Ｄ）増感剤をさらに含む請求項１～請求項９のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
  11. 　（Ｅ）重合性モノマーをさらに含む請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
  12. 　硬化物としたときのガラス転移温度が５０℃～３００℃である請求項１～請求項１１のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料。
  13. 　第１基板本体と、前記第１基板本体の一の面上に設けられる第１電極及び第１有機絶縁膜と、を有する第１半導体基板を準備し、
    　半導体チップ基板本体と、前記半導体チップ基板本体の一の面上に設けられる第２有機絶縁膜及び第２電極と、を有する半導体チップを準備し、
    　前記第１電極と前記第２電極との接合、及び前記第１有機絶縁膜と前記第２有機絶縁膜との貼り合わせを行い、
    　第１有機絶縁膜及び第２有機絶縁膜の少なくとも一方の有機絶縁膜の作製に、請求項１～請求項１２のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料を用いる半導体装置の製造方法。
  14. 　前記第１有機絶縁膜と前記第２有機絶縁膜との貼り合わせの後で、前記第１電極と前記第２電極との接合を行う請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
  15. 　前記第１電極と前記第２電極との接合、及び前記第１有機絶縁膜と前記第１有機絶縁膜との貼り合わせのいずれもが実施される前に、前記第１半導体基板の前記一の面、及び前記半導体チップの前記一の面の側の少なくとも一方を研磨する請求項１３～請求項１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  16. 　前記研磨が化学機械研磨を含む請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
  17. 　前記研磨がさらに機械研磨を含む請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
  18. 　前記第１電極と前記第２電極との接合において、前記第１有機絶縁膜の厚さが前記第１電極の厚さよりも厚いこと、及び前記第２有機絶縁膜の厚さが前記第２電極の厚さよりも厚いことの少なくとも一方を満たす請求項１３～請求項１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  19. 　第１基板本体と、前記第１基板本体の一の面に設けられた第１有機絶縁膜及び第１電極とを有する第１半導体基板と、
    　半導体チップ基板本体と、前記半導体チップ基板本体の一の面に設けられた第２有機絶縁膜及び第２電極とを有する半導体チップと、を備え、
    　前記第１有機絶縁膜と前記第２有機絶縁膜とが接合し、前記第１電極と前記第２電極とが接合し、
    　前記第１有機絶縁膜及び前記第２有機絶縁膜の少なくとも一方が、請求項１～請求項１２のいずれか１項に記載のハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料の硬化物である半導体装置。
     
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