TWI913951B - 半導體裝置結構及其形成的方法 - Google Patents
半導體裝置結構及其形成的方法Info
- Publication number
- TWI913951B TWI913951B TW113139301A TW113139301A TWI913951B TW I913951 B TWI913951 B TW I913951B TW 113139301 A TW113139301 A TW 113139301A TW 113139301 A TW113139301 A TW 113139301A TW I913951 B TWI913951 B TW I913951B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- methods
- forming
- same
- semiconductor device
- device structure
- Prior art date
Links
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US18/807,924 | 2024-08-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI913951B true TWI913951B (zh) | 2026-02-01 |
Family
ID=
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201933543A (zh) | 2017-09-18 | 2019-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 形成半導體裝置結構之方法及相關的半導體裝置結構 |
| US20220262793A1 (en) | 2016-01-25 | 2022-08-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TW202236535A (zh) | 2016-08-03 | 2022-09-16 | 南韓商三星電子股份有限公司 | 積體電路裝置及其製造方法 |
| US20240178072A1 (en) | 2022-11-28 | 2024-05-30 | International Business Machines Corporation | Non-overlapping gate conductors for gaa transistors |
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220262793A1 (en) | 2016-01-25 | 2022-08-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TW202236535A (zh) | 2016-08-03 | 2022-09-16 | 南韓商三星電子股份有限公司 | 積體電路裝置及其製造方法 |
| TW201933543A (zh) | 2017-09-18 | 2019-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 形成半導體裝置結構之方法及相關的半導體裝置結構 |
| TW202322281A (zh) | 2017-09-18 | 2023-06-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 形成半導體裝置結構之方法及相關的半導體裝置結構 |
| US20240178072A1 (en) | 2022-11-28 | 2024-05-30 | International Business Machines Corporation | Non-overlapping gate conductors for gaa transistors |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI799936B (zh) | 半導體裝置及形成半導體裝置之方法 | |
| TWI799859B (zh) | 半導體裝置及其形成方法 | |
| TWI800378B (zh) | 半導體裝置及其形成方法 | |
| TWI801234B (zh) | 電路結構、半導體元件及其製造方法 | |
| TWI800818B (zh) | 積體電路元件及其製造方法 | |
| TWI801165B (zh) | 半導體記憶體裝置及其製造方法 | |
| TWI801130B (zh) | 記憶體元件及其製造方法 | |
| TWI913951B (zh) | 半導體裝置結構及其形成的方法 | |
| EP4195253A4 (en) | METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE | |
| TWI913777B (zh) | 半導體裝置結構及其形成方法 | |
| TWI799957B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| TWI913737B (zh) | 半導體裝置及其形成方法 | |
| TWI913865B (zh) | 半導體元件結構及其製造方法 | |
| TWI913803B (zh) | 半導體結構及其形成方法 | |
| TWI913953B (zh) | 半導體結構及其形成方法 | |
| TWI913947B (zh) | 半導體結構及其形成方法 | |
| TWI913621B (zh) | 半導體結構及其形成方法 | |
| TWI913884B (zh) | 半導體結構及其製造方法 | |
| TWI913842B (zh) | 半導體結構及其製造方法 | |
| EP4287241A4 (en) | SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND PRODUCTION PROCESS THEREOF | |
| EP4322182A4 (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE AND FORMATION METHOD THEREFOR | |
| TWI913903B (zh) | 半導體結構及其形成方法 | |
| TWI914240B (zh) | 半導體結構及其形成方法 | |
| TWI913534B (zh) | 積體晶片及其形成方法以及半導體結構 | |
| EP4325551A4 (en) | SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR ITS PRODUCTION |