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TWI391182B - 用於觸媒之經改質載體材料 - Google Patents

用於觸媒之經改質載體材料 Download PDF

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TWI391182B
TWI391182B TW094141139A TW94141139A TWI391182B TW I391182 B TWI391182 B TW I391182B TW 094141139 A TW094141139 A TW 094141139A TW 94141139 A TW94141139 A TW 94141139A TW I391182 B TWI391182 B TW I391182B
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Barbara Kimmich
Leslie E Wade
Tao Wang
Andre Harmen Sijpkes
Roelandus Hendrikus Wilhelmus Moonen
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Celanese Int Corp
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Description

用於觸媒之經改質載體材料
本發明係關於觸媒、製得該等觸媒之方法、及製得烯基烷酸酯之方法。更特定言之，本發明係關於觸媒、製得該等觸媒之方法、及製得乙酸乙烯酯之方法。
單體形式之某些烯基烷酸酯(諸如乙酸乙烯酯(VA))係具有較高需求之大量生產型化學品。例如，使用VA以製得聚乙酸乙烯酯(PVAc)，其通常用於黏合劑，且佔VA用途之大部分。VA之其它用途包括聚乙烯醇(PVOH)、乙酸伸乙基乙烯酯(EVA)、乙酸乙烯酯乙烯(VAE)、聚乙烯基丁縮醛(PVB)、伸乙基乙烯醇(EVOH)、聚乙烯醇縮甲醛(PVF)、及乙烯基氯－乙酸乙烯酯共聚物。PVOH通常用於紡織品、膜、黏合劑、及光敏塗層。膜及電線及電纜絕緣層經常採用佔一定比例之EVA。乙烯基氯－乙酸乙烯酯共聚物之主要應用包括塗層、油漆、及經常採用具有一定比例之VA之VAE的黏合劑。VAE(其含超過百分之50之VA)主要用作水泥添加劑、油漆、及黏合劑。PVB主要用於層壓狀篩網中之底層、塗層、及油墨。EVOH用於阻擋膜及工程聚合物。PVF用於電線瓷漆及磁帶。
因為VA係如此多商業重要材料及產品之基礎，所以VA之需求很大，且頻繁地以相對大規模(舉例而言每年50,000公噸或更多)進行VA生產。此大規模製造意味著顯著的規模經濟係可能的且方法、方法條件或觸媒特性之相對微妙變化對VA製造之費用可具有顯著經濟影響。
已報導許多用於烯基烷酸酯之製造之技術。例如，在製得VA中，廣泛使用之技術包括乙烯與乙酸及氧氣之催化氣相反應，如見以下反應中：C2 H4 ＋CH3 COOH＋0.5 O2 → CH3 COOCH＝CH2 ＋H2 O幾種副反應可發生，其包括(諸如)CO2 之形成。就該反應系統之空間－時間產率(STY)討論此反應之結果，其中STY係每小時反應時間每公升觸媒製造之VA之公克數(g/1*h)。
起始材料饋料之組合物可在寬限制範圍內變化。通常，該起始材料饋料包括30－70%乙烯、10－30%乙酸及4－16%氧氣。該饋料亦可包括惰性材料，諸如CO2 、氮氣、甲烷、乙烷、丙烷、氬氣及/或氦氣。饋料組合物之主要限制係離開反應器之流出物流中之氧氣含量必須係充分低，以致該物流係在可燃區之外。流出物中之氧氣含量受起始材料物流中之氧氣含量、該反應之O2 轉化速率及流出物中之任何惰性材料之量影響。
氣相反應已進行，其中起始材料之饋料通過或穿過固定床反應器。經由在125℃至200℃之範圍內之反應溫度之使用已獲得成功結果，同時1－15大氣壓之反應壓力係典型的。
儘管此等系統已提供足夠產率，但繼續需要減少副產物之產生，需要VA產出之更高速率、及生產過程中更低之能量使用。一途徑係用於改良觸媒特性，特定言之關於CO2 選擇性及/或觸媒之活性。另一途徑係用於改變反應條件，諸如起始材料彼此之比率、反應之O2 轉化率、起始材料饋料之空間速度(SV)、及操作溫度及壓力。
CO2 之形成係一態樣，其可藉由使用經改良觸媒來減少。CO2 選擇性係經轉化轉入CO2 之乙烯之百分比。降低CO2 選擇性允許在現有工廠中每單位體積及單位時間更大量之VA，甚至在保留所有其它反應條件之情形下亦如此。
乙酸乙酯(EA)之形成係另一態樣，其可藉由使用經改良觸媒來減少。EA選擇性通常以ppm表現為EA/VA重量/重量之比率。降低EA選擇性允許減少或消除VA之後期製造純化。藉由減少觸媒之EA選擇性，可消除與EA移除相聯繫之該等反應步驟，因此提供費用節約。達成小於約700 ppm、較佳小於約200 ppm之典型比率的EA/VA比率而不犧牲該等觸媒之CO2 選擇性或其活性係為吾人所要的。
減少EA產量之嘗試已包括增加觸媒上之金與鈀之比率，諸如美國專利案第5,185,308號中所示。儘管此專利案指出在足夠高之金與鈀之比率下EA/VA比率最終接近零，但是實驗測試尚未能夠重現此結果。此外，經由經增加之金與鈀之比率之使用犧牲了CO2 選擇性。因此，需要另一途徑。
一特定反應系統之VA產出受幾種其它因素影響，該等因素包括觸媒之活性、起始材料彼此之比率、反應之O2 轉化率、起始材料饋料之空間速度(SV)、及操作溫度及壓力。所有此等因素共同作用決定該反應系統之空間－時間產率(STY)，其中就每小時反應時間每公升觸媒製造之VA之公克數或g/1*h來討論STY。
大體而言，活性係判定STY之重要因素，但其它因素仍可對STY具有重要影響。通常觸媒活性越高，觸媒能製造之STY越高。
O2 轉化率係在觸媒存在時氧氣反應程度的度量。O2 轉化速率係溫度依賴性的以致該轉化速率大體而言隨反應溫度升高而增加。然而，CO2 選擇性亦隨著溫度增加而增加。因此，選擇O2 轉化速率以得到與所產生之CO2 之量平衡之所要VA產出。具有更高活性之觸媒意為可降低整體反應溫度，同時維持相同O2 轉化率。或者，具有更高活性之觸媒在給定溫度及空間速度時將得到更高之O2 轉化速率。
觸媒採用一或多種在相對惰性載體材料上負載之催化組份係常見的。在VA觸媒之情形中，該等催化組份通常係金屬之混合物，該等金屬可遍及該載體材料("全部貫穿觸媒")均勻分佈、恰在該載體材料之表面上("殼層觸媒")、恰在載體材料之殼層下("蛋白觸媒)或在該載體材料之核內("蛋黃觸媒")。金屬分佈之較佳類型視許多因素而定，其包括反應系統及觸媒尺寸/形狀。
已建議用於VA觸媒中之多種不同類型載體材料，該等載體材料包括矽石、鈰摻雜矽石、氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯及氧化物混合物。但該等載體材料之間差異之研究進行的非常少。在極大程度上，實際上僅矽石及氧化鋁已作為載體材料商業化。
用於VA觸媒之金屬之一有用組合係鈀及金。Pd/Au觸媒提供充分CO2 選擇性及活性，但考慮到VA製造中可能產生之規模經濟，繼續存在對經改良觸媒之需要。
製得Pd/Au觸媒之一種方法通常包括下列步驟：用鈀及金之水可溶性鹽之水溶液浸潤該載體；將該等經浸潤之水可溶性鹽與適當鹼性化合物(舉例而言，氫氧化鈉)反應以作為水不可溶性化合物(舉例而言，氫氧化物)沉澱(經常稱作固定)該等金屬元素；洗滌經固定載體材料以移除未經固定化合物且另外淨化觸媒之任何可能毒物(舉例而言，氯化物)；用諸如氫、乙烯或肼之典型還原劑還原該等水不可溶性化合物，且添加諸如乙酸鉀或乙酸鈉之鹼金屬化合物。
已建議此基本方法之各種更改。例如，在美國專利案第5,990,344號中，建議還原至鈀游離金屬形式後進行鈀之燒結。在美國專利案第6,022,823號中，建議用鈀及金兩種鹽浸潤後在非還原氣氛中煅燒該載體也許係有利的。在WO 94/21374中，建議還原且活化後，但在其首次使用前，可藉由在氧化、惰性、及還原氣氛中連續加熱預處理該觸媒。
在美國專利案第5,466,652中，建議係無羥基、無鹵化物且無鋇且在乙酸中可溶之鈀及金之鹽可用於浸潤該載體材料。在美國專利案第4,902,823號中有類似建議，意即，使用無鹵化物及無硫之鹽且在具有二至十個碳之未經取代羧酸中可溶之鈀之錯合物。
在美國專利案第6,486,370號中，建議在脫氫方法中可使用層狀觸媒，其中內層載體材料不同於外層載體材料。類似地，美國專利案第5,935,889號建議層狀觸媒可用作酸性觸媒。但兩者均未建議在烯基烷酸酯之製造中使用層狀觸媒。在美國專利公開案2005/0181940中，顯示了用於乙酸乙烯酯之層狀觸媒，但未顯示經改質載體材料。
在美國專利案第5,808,136號中，建議可使用鈦或鋯來預處理矽石或氧化鋁載體材料以改良該觸媒之活性及/或CO2 選擇性。
總而言之，發明者已認識且解決在VA觸媒領域中繼續改良以提供更低成本之經改良之VA製造的需要。
本發明係關於一種製造適合輔助烯基烷酸酯之製造之觸媒或前觸媒之方法。該方法包括將一改質劑前驅體與一載體材料接觸以形成一經改質載體材料。可將一或多種催化組份前驅體(鈀及/或金)與該經改質載體材料接觸。金與鈀之原子比率較佳在約0.3至約0.90之範圍內。隨後可使用一還原環境還原及/或使用諸如KOAc之活化劑活化具有催化組份之載體材料。本發明之內亦包括催化烯基烷酸酯之製造之組合物，其包括具有鈀及金之經改質載體材料。本發明之觸媒一般而言可用於製造烯基烷酸酯且詳言之製造乙酸乙烯酯。
 觸媒
出於本發明之目的，觸媒係含至少一種催化組份且能夠催化一反應之任何載體材料，而預觸媒係自本文討論之任何觸媒製備步驟產生之任何材料。
本發明之觸媒及預觸媒可包括具有經改質載體材料之彼等。該觸媒之有效用途因此應有助於改良EA選擇性，同時維持或改良CO2 選擇性、活性或兩者，特定言之關於VA製造。而且，選擇性改良EA同時維持或改良CO2 選擇性之組合可係為吾人所要的，即使其負面影響活性。
應瞭解本發明在某些例證性實施例之情形中描述，但視特定應用之需要而定，其可在許多態樣之任一中變化。以實例說明之(但無限制)，該等觸媒可具有遍及載體材料均勻分佈之催化組份，或彼等可係殼層觸媒，其中該等催化組份見於載體材料核周圍之相對薄之殼層內。蛋白觸媒亦可係適合的，其中該等催化組份大體上遠離載體材料之中心駐留。蛋黃觸媒亦可係適當的。金屬分佈之較佳類型視多種因素而定，其包括反應系統及觸媒尺寸/形狀且包括殼層觸媒及層狀觸媒。
催化組份
一般而言，本發明之觸媒及預觸媒包括金屬且特定包括至少兩種金屬之組合。詳言之，金屬之組合包括自VIIIB族之至少一種及自IB族之至少一種。應瞭解使用"催化組份"以表示最終提供催化功能至觸媒之金屬，但亦包括多種狀態之金屬，諸如鹽、溶液、溶膠－凝膠、懸浮液、膠狀懸浮體、游離金屬、合金、或其組合。較佳觸媒包括作為催化組份之鈀及金。
觸媒之另一較佳實施例包括在約1至約10公克之間之鈀及較佳在每公升約1及10公克之間之鈀。
在觸媒之一實施例中，在約0.1及約1.25之間之Au與Pd原子比率對於觸媒可係較佳的。最佳Au：Pd原子比率係自0.3－0.9。可調節原子比率以平衡EA/VA選擇性及CO2 選擇性。更高Au/Pd重量或原子比率之採用傾向於有利於相對更低EA/VA比率但更高之CO2 選擇性。
一實施例係使用粉狀或粉末觸媒用於篩選觸媒組合物。粉狀觸媒可係一種觸媒，其中將該等催化組份與載體材料接觸，繼而減小顆粒尺寸(例如藉由碾磨或球磨研磨)，或係一種觸媒，其中在減小載體材料尺寸之後將該等催化組份與載體材料接觸。在一實施例中，將粉狀或粉末觸媒用於模擬殼層觸媒。在經模擬殼層觸媒中，將一等分具有相對高濃度之改質劑及/或催化組份之載體材料以如下討論之大體上無改質劑及/或催化組份、但已用活化劑(舉例而言，乙酸鉀)活化的載體材料稀釋。隨後經稀釋之載體材料在觸媒中具有較佳量之改質劑及/或催化組份。
對殼層觸媒，在載體材料上之催化組份之殼層厚度在自約5 μm至約500 μm之範圍中。更佳範圍包括自約5 μm至約300 μm。
載體材料
在本發明之一態樣中，本發明之催化組份大體而言將由載體材料負載。適合之載體材料通常包括大體上特性均一之材料或材料之混合物。總體上載體材料通常在待執行之反應中惰性。載體材料可由任何適合物質組成，較佳如此選擇該等物質以致該等載體材料具有每單位質量或體積相對高之表面積，諸如孔狀結構、分子篩結構、蜂窩結構、或其它適合結構。例如，載體材料可含矽石、氧化鋁、矽石－氧化鋁、二氧化鈦、鈦矽酸鹽、氧化鋯、鋯矽酸鹽、氧化鈮(niobia)、矽酸鹽、鋁矽酸鹽、鈦酸鹽、尖晶石、碳化矽、氮化矽、碳、堇青石、塊滑石、膨潤土、黏土、金屬、玻璃、石英、輕石、沸石、非沸石分子篩、其組合及其類似物。任何不同結晶形式之材料亦可係適合的，舉例而言，α或γ氧化鋁。含氧化鋯、鋯矽酸鹽及鈦矽酸鹽之載體材料係最佳的。另外，多層載體材料亦適用於本發明中。
本發明之觸媒中之載體材料可由具有任何各種規則或不規則形狀(諸如球形、片形、圓柱形、碟形、環形、星形、或其它形狀)之顆粒組成。載體材料可具有約1至約10 mm、較佳約3至約9 mm之維度(諸如直徑、長度或寬度)。詳言之具有規則形狀(舉例而言，球形)將具有如彼之約4 mm至約8 mm之較佳最大維度。另外，粉狀或粉末載體材料可係適用以致該載體材料具有規則或不規則形狀，其具有在約10微米及約1000微米之間之直徑，具有在約10及約700微米之間之較佳尺寸，具有在約180微米及約450微米之間之最佳尺寸。可採用更大或更小之尺寸、以及顆粒尺寸之多分散集合。例如，對流化床觸媒，較佳尺寸範圍將包括10至150微米。對用於層狀觸媒中之前驅體，10至250微米之尺寸範圍係較佳的。
可用於擔載催化組份之表面積(如藉由BET(Brunauer、Emmett及Teller)方法量測)大體而言可係在約1 m2 /g及約500 m2 /g之間，較佳為約20 m2 /g至約200 m2 /g。例如，對孔狀載體，載體材料之孔體積大體而言可係約0.1至約2 ml/g，且較佳為約0.4至約1.2 ml/g。在(例如)約50至約2000埃之範圍中之平均孔尺寸係為吾人所要的，但並非必需。
含適合矽石之載體材料之實例包括來自Sud Chemie之KA160、來自Degussa之Aerolyst350及具有約1 mm至約10 mm之顆粒尺寸之其它煅製或無微孔矽石。
含適合氧化鋯之載體材料之實例包括來自NorPro、Zirconia Sales(America),Inc.、Daichi Kigenso Kagaku Kogyo、Engelhard and Magnesium Elektron Inc(MEI)之彼等。適合之氧化鋯載體材料具有自小於約5 m2 /g至大於300 m2 /g之寬範圍之表面積。較佳氧化鋯載體材料具有自約20 m2 /g至約150 m2 /g之表面積，其中在約30 m2 /g至約100 m2 /g之間之範圍更佳。載體材料可具有經由煅燒步驟(於其中加熱原始載體材料)處理之彼等表面。加熱降低載體材料之表面積(舉例而言，煅燒)。此提供產生具有並非另外易於自供應商獲得之比表面積的載體材料的方法。
其它適合載體材料之實例包括來自Grace之鈦矽酸鹽諸如SP18－9534(具有0.61% TiO2 之矽石)或來自Grace之鋯矽酸鹽諸如SP189043(具有1.69% ZrO2 之矽石)。更大體而言，適合之載體材料可包括高達約50%之TiO2 ；更佳在約0.01%及約25%之間之TiO2 ；且最佳為在約0.1%及約5%之間之TiO2 。同樣，適合之載體材料可包括高達約50%之ZrO2 ；更佳在約0.01%及約25%之間之ZrO2 ；且最佳為在約0.1%及約5%之間之ZrO2 。
在另一實施例中，其涵蓋採用載體材料之至少複數種組合，各具有不同特性。例如，具有不同特性之至少兩種載體材料(舉例而言，氧化鋯及矽石)可展現不同活性及CO2 選擇性，因此允許具有所要一組特性之觸媒之製備，意即，一觸媒之活性可相對於該觸媒之CO2 選擇性而平衡。
層狀載體材料
在一實施例中，在如美國專利公開案2005/0181940中討論之層狀組態中採用複數種不同載體，該案以引用之形式併入本文中。可以諸多不同途徑之任一種(諸如複數個大體而言平整、波形或其組合之薄片)來達成層化。一特定途徑係利用相對於初始核心層之連續包封層。一般而言，本文中層狀載體材料通常包括至少一個內層及一個至少部分包圍該內層之外層。可如下討論更改層狀觸媒之所有層，較佳為至少更改外層。外層亦較佳含大體上比內層更多之催化組份。在一實施例中，內層及外層係由不同材料製得；但該等材料可相同。儘管內層可係非孔狀的，但其它實施例包括為孔狀的內層。
層狀載體材料較佳導致殼層觸媒之形式。但層狀載體材料在具有催化組份之載體材料區域及不具有該等組份之載體材料區域之間提供經清晰界定之邊界。同樣，可以所要厚度一致構造外層。邊界及外層之均一厚度一起導致為催化組份之殼層的殼層觸媒，該等組份之殼層係具有均一及已知之厚度。
數種技術係已知用於產生層狀載體材料，其包括美國專利案第6,486,370；5,935,889及5,200,382號中描述之彼等，其各以引用之形式併入本文中。在一實施例中，內層之材料大體而言亦不由液體滲透，舉例而言，包括但不限於鋁、鈦及鋯之金屬。內層之其它材料之實例包括但不限於矽石、氧化鋁、矽石－氧化鋁、二氧化鈦、鈦矽酸鹽、氧化鋯、鋯矽酸鹽、氧化鈮(niobia)、矽酸鹽、鋁矽酸鹽、鈦酸鹽、尖晶石、碳化矽、氮化矽、碳、堇青石、塊滑石、膨潤土、黏土、金屬、玻璃、石英、輕石、沸石、非沸石分子篩、其組合及其類似物。較佳內層為矽石且詳言之為KA160。
構成內層之此等材料可係在多種形式中諸如規則形狀之微粒、不規則形狀之微粒、小球形、碟形、環形、星形、車輪形、蜂窩形或其它形狀體。球形微粒內層係較佳的。內層(無論是否為球形)具有約0.02 mm至約10.0 mm且較佳為自約0.04 mm至約8.0 mm之有效直徑。
任何多層結構之最外層係為孔狀之一層，其具有在約5 m2 /g至約300 m2 /g之範圍中之表面積。外層之材料為金屬、陶瓷、或其組合，且在一實施例中，彼係選自氧化鋁、矽石、矽石－氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鈮(niobia)、矽酸鹽、鋁矽酸鹽、鈦酸鹽、尖晶石、碳化矽、氮化矽、碳、堇青石、塊滑石、膨潤土、黏土、金屬、玻璃、石英、輕石、沸石、非沸石分子篩及其組合且較佳包括氧化鋁、矽石、矽石/氧化鋁、沸石、非沸石分子篩(NZMS)、二氧化鈦、氧化鋯及其混合物。具體實例包括氧化鋯、矽石及氧化鋁或其組合。
儘管外層通常大體上包圍整個內層，但此並非必要之情形且可採用經由外層在內層上選擇性塗布。
可以適合方式將外層塗布至下層上。在一實施例中，採用外層材料之漿液。用漿液塗布內層可藉由諸如輥塗、浸漬、噴霧、洗滌塗布、其它漿液塗布技術、其組合或其類似方法之方法完成。一較佳技術包括使用內層顆粒之固定或流化床且將漿液噴霧至該床中以均勻塗布該等顆粒。可伴隨著間歇乾燥來反覆小量地塗布該漿液，以提供厚度高度均一之外層。
用於塗布內層之漿液亦可包括許多添加劑之任一，諸如界面活性劑、輔助外層至下層之黏合之有機或無機黏接劑、或其組合。此有機黏接劑之實例包括但不限於PVA、羥丙基纖維素、甲基纖維素及羧甲基纖維素。添加至漿液之有機黏接劑之量可變更，諸如自外層及黏接劑之組合之約1重量%至約15重量%。無機黏接劑之實例係選自氧化鋁黏接劑(舉例而言，Bohmite)、矽石黏接劑(舉例而言，Ludox、Teos)、氧化鋯黏接劑(舉例而言，乙酸氧化鋯(zirconia acetate)或膠狀氧化鋯)或其組合。矽石黏接劑之實例包括矽石溶膠及矽石凝膠，而氧化鋁黏接劑之實例包括氧化鋁溶膠、膨潤土、Bohmite、及硝酸鋁。無機黏接劑之量可在自外層及黏接劑之組合之約2重量%至約15重量%之範圍中。外層厚度可在自5微米至約500微米之範圍中且較佳為在約20微米及約250微米之間。
一旦內層係以外層塗布，則將乾燥所得層狀載體，諸如藉由在約100℃至約320℃之溫度加熱(舉例而言，加熱約1至約24小時之時間)且隨後可視情況在約300℃至約900℃之溫度煅燒(舉例而言，煅燒約0.5至約10小時之時間)以增強外層在至少一部分下層表面上與下層之黏接且提供層狀觸媒載體。乾燥及煅燒步驟可組合至一步驟中。如下所述，可恰如在觸媒之製造中任何其它載體材料將所得層狀載體材料與催化組份接觸。或者，在外層載體材料塗布至下層之前，將外層載體材料與催化組份接觸。
在層狀載體之另一實施例中，添加第二外層以包圍初始外層以形成至少三層。第二外層之材料可與第一外層相同或與其不同。適合之材料包括關於第一外層討論之彼等。塗布第二外層之方法可與用於塗布中間層之方法相同或與其不同且適合方法包括關於第一外層討論之彼等。如所述之有機或無機黏接劑可合適用於第二外層之形成中。
初始外層可含或不含催化組份。類似地，第二外層可含或不含催化組份。若外層兩者皆含催化組份，則較佳為各層中使用不同之催化組份，儘管此並非必需之情形。在一較佳實施例中，初始外層並不含催化組份。如下所述，催化組份與外層之接觸可藉由浸潤或噴霧塗布完成。
在初始外層含催化組份之實施例中，達成此之一方法為將催化組份與初始外層之材料在塗布該材料至內層之前接觸。第二外層可塗布至不含或含催化組份之初始外層。
其它適合技術可用於達成三層載體材料，於其中一或多個外層含催化組份。當然，層狀載體材料並不限於三層，但可包括四、五或多層，其中一些或全部可含催化組份。
另外，催化組份之數目及類型在層狀載體材料層之間變更，載體材料之其它特性(舉例而言，孔隙率、顆粒尺寸、表面積、孔體積、或其類似特性)可在該等層之間變更。
經改質載體材料
在另一實施例中，載體材料可為經改質載體材料。經改質載體材料係包括改質劑之一載體材料。該改質劑較佳為選自鹼金屬、鹼土金屬、過渡金屬、及鑭系元素之金屬。更佳為該改質劑係選自第1至6族元素。此等元素中，鋇、鎂、鈰、鉀、鈣、鈮、鉭、鈦、釔、鍶、鋯、鑭、鐠、釩、鉬、及銣係較佳的。鈮、鈦、鎂、及鋯代表較佳改質劑，其中鋯稍不佳。此等元素之組合亦係適合，其中二元組合為較佳類型之組合。例如，適合二元組合包括Ti－Zr、Mg－Nb、Nb－Zr、Mg－Ti、Nb－Ti、Mg－Zr或其類似物。金屬在二元組合中之比率係在自約4：1至約1：4之範圍中。
通常在添加催化組份至載體材料之前改質載體材料。在一較佳實施例中，用一或多種改質劑之水溶液(稱為改質劑前驅體溶液)浸潤載體材料。在接觸步驟過程中之載體材料之物理狀態可係乾燥固體、漿液、溶膠－凝膠、膠狀懸浮液或其類似物。
在一實施例中，含在前驅體溶液中之改質劑係由改質劑製得之水可溶性鹽，包括但不限於氯化物、其它鹵化物、硝酸鹽、亞硝酸鹽、氫氧化物、氧化物、草酸鹽、乳酸鹽、乙酸鹽(OAc)、銨及胺，其中無氯化物鹽係較佳的，其中乳酸鹽、草酸鹽及硝酸鹽係最佳的。適用於改質劑前驅體溶液中之改質劑鹽之實例包括Ba(NO3 )2 、Mg(NO3 )2 ．6H2 O、Ce(NO3 )3 ．6H2 O、KNO3 、Ca(NO3 )2 ．4H2 O、(NH4 )1 . 3 5 Nb(C2 O4 )2 . 7 3 、Ta(C2 O4 )2 . 5 、Ti(CH3 CH(O－)CO2 NH4 )2 (OH)2 、Y(NO3 )3 ．6H2 O、ZrO(NO3 )2 ．xH2 O。
此外，可在給定改質劑前驅體溶液中使用多於一種鹽。前驅體溶液通常可由將所選擇之該鹽或該等鹽溶解於水(有或無溶解性改質劑諸如酸、鹼或其它溶劑)中製得。其它非水溶劑亦可適合。
可在單獨浸潤中將改質劑前驅體溶液浸潤至載體材料上，儘管可能用具有低原子量(舉例而言，Mg)或在水中受限溶解性(舉例而言，Nb或Ba)之改質劑浸潤載體材料多次。若利用多個改質劑，該浸潤可係同時(舉例而言，共浸潤)或連續的且可經由一或多個前驅體溶液之使用浸潤載體材料。浸潤至該載體材料上之改質劑之量係合適在載體材料之約0.01重量%及約5.0重量%之間，且較佳在約0.1重量%及約4.0重量%之間。
對浸潤步驟，可選擇前驅體溶液之體積以致彼相應於高達約110%之載體材料之孔體積。在約95%及約100%之載體材料之孔體積之間之體積係較佳的。
通常添加改質劑前驅體溶液至載體材料且使載體材料吸收前驅體溶液。此可逐滴完成直至載體材料之初始濕度大體上達成。或者，可藉由等分或逐批將載體材料放置至前驅體溶液中。可使用旋轉浸漬(roto－immersion)或其它輔助性裝置以達成載體材料及前驅體溶液之間的徹底接觸。可進一步使用噴霧設備以致經由噴嘴將前驅體溶液噴霧至載體材料上(於該處將彼吸收)。通常不將固定步驟用於固定該改質劑在該載體材料上，儘管此並非必需之情形。
可將該改質劑全部遍及該載體材料分佈、分佈為殼層、及分佈為蛋白或分佈為蛋黃。可使用其它接觸技術。例如，可經由化學氣相沉積方法將改質劑與載體材料接觸，諸如US2001/0048970中描述，其以引用之形式併入本文中。同樣，噴霧塗布或另外層化經均一預浸潤之載體材料(作為外層)至內層上可係適合的。
在改質劑前驅體溶液已與載體材料接觸之後，可使用傾析、熱或減壓以移除不由載體材料吸收之任何過量液體或用以乾燥載體材料。
在至少一種改質劑已與載體材料接觸之後，亦可採用煅燒步驟。該煅燒步驟通常係在催化組份與經改質載體材料接觸之前。煅燒步驟包括在非還原氣氛(意即，氧化或惰性)中加熱該載體材料。在煅燒過程中，該載體材料上之改質劑係至少部分自彼等之鹽分解至彼等之氧化物及游離金屬形式之混合物。
例如，煅燒步驟係在約100℃至約900℃之範圍中、較佳在約300℃及約700℃之間的溫度執行。用於煅燒之非還原性氣體可包括一或多種惰性或氧化性氣體諸如氦氣、氮氣、氬氣、氖氣、氮氧化物、氧氣、空氣、二氧化碳、其組合或其類似物。在一實施例中，煅燒步驟係在大體上純之氮氣、氧氣、空氣或其組合之氣氛中執行。可變更煅燒時間但較佳係在約1及約5小時之間。改質劑鹽之分解程度係視所用溫度及煅燒該經改質載體材料之時間長度而定且繼而可監控揮發性分解產物。
製得觸媒之方法
一般而言該方法包括將經改質載體材料與催化組份接觸及還原催化組份。本發明之較佳方法包括浸潤催化組份至載體材料中、煅燒含催化組份之載體材料、還原催化組份及活化在載體材料上之經還原催化組份。另外之步驟(諸如在載體材料上固體催化組份及洗滌經固定催化組份)可包括於製得觸媒或預觸媒之方法中。一些上列步驟係可選的且其它可被消除(舉例而言，洗滌及/固定步驟)。另外，可重複一些步驟(舉例而言，多個浸潤或固定步驟)且該等步驟之順序可不同於上列順序(舉例而言，還原步驟先於煅燒步驟)。在一定程度上，該接觸步驟將判定觸媒之形成需要何種稍後步驟。
接觸步驟
接觸之一特定途徑為如下之一途徑，按照其形成一蛋黃觸媒或預觸媒、形成一蛋白觸媒或預觸媒、形成全部遍及之觸媒或預觸媒或形成一殼層觸媒或預觸媒、或其組合。在一實施例中，形成殼層觸媒之技術係較佳的。
可使用上述之任何經改質載體材料執行該接觸步驟，其中在含氧化鋯之載體材料上之鈮、鈦及鎂改質劑係最為有利的。較佳在周圍溫度及壓力條件下執行該接觸步驟；然而，可採用經降低或升高之溫度或壓力。
在一較佳接觸步驟中，將經改質載體材料用一或多種催化組份之水溶液(稱為催化前驅體溶液)浸潤。在該接觸步驟過程中之載體材料之物理狀態可係乾燥固體、漿液、溶膠－凝膠、膠狀懸浮液或其類似物。
在一實施例中，含於前驅體溶液中之催化組份為由催化組份製得之水可溶性鹽，包括但不限於氯化物、其它鹵化物、硝酸鹽、亞硝酸鹽、氫氧化物、氧化物、草酸鹽、乙酸鹽(OAc)、及胺，其中無鹵化物鹽係較佳的且無氯化物鹽係更佳的。適用於前驅體溶液中之鈀鹽之實例包括PdCl2 、Na2 PdCl4 、Pd(NH3 )2 (NO2 )2 、Pd(NH3 )4 (OH)2 、Pd(NH3 )4 (NO3 )2 、Pd(NO3 )2 、Pd(NH3 )4 (OAc)2 、Pd(NH3 )2 (OAc)2 、在KOH及/或NMe4 OH及/或NaOH中之Pd(OAc)2 、Pd(NH3 )4 (HCO3 )2 及草酸鈀。在含氯化物鈀前驅體中，Na2 PdCl4 係最佳的。在無氯化物鈀前驅體鹽中，以下四者係最佳的：Pd(NH3 )4 (NO3 )2 、Pd(NO3 )2 、Pd(NH3 )2 (NO2 )2 、Pd(NH3 )4 (OH)2 。適用於前驅體溶液之金鹽之實例包括AuCl3 、HAuCl4 、NaAuCl4 、KAuO2 、NaAuO2 、NMe4 AuO2 、KOH及/或NMe4 OH中之Au(OAc)3 以及在硝酸中之HAu(NO3 )4 ，其中KAuO2 係無氯化物金前驅體中最佳的。
此外，可在給定前驅體溶液中使用多於一種鹽。例如，可在單獨前驅體溶液中將鈀鹽與金鹽組合或可將兩種不同鈀鹽組合至一起。前驅體溶液通常可由在水(有或無溶解性改質劑諸如酸、鹼或其它溶劑)中溶解所選擇之該鹽或該等鹽製得。其它非水性溶劑亦可係適合的。
可將前驅體溶液同時(舉例而言，共浸潤)或連續浸潤至該載體材料上且可經由一或多個前驅體溶液之使用浸潤。另外，可在多個步驟中將催化組份浸潤至載體材料上以致每次接觸該催化組份之一部分。例如，一適合協定可包括用Pd浸潤，繼而用Au浸潤，繼而再次用Au浸潤。在另一協定中，Pd及Au較佳共浸潤。
用催化前驅體溶液浸潤經改質載體材料之順序並非關鍵性的；儘管對某些順序可有一些優勢，此如下關於煅燒步驟所討論。較佳為首先將鈀催化組份浸潤至載體材料上，在鈀之後、或最後用金浸潤。同樣，可用相同催化組份將載體材料浸潤多次。例如，可首先接觸含於觸媒中之總體金之一部分，繼而接觸金之第二部分。一或多個(one more)其它步驟可在該等步驟(於其中金與載體材料接觸)之間介入，舉例而言，煅燒、還原及/或固定。
前驅體溶液之酸－鹼概況可影響是否利用共浸潤或連續浸潤。因此，在共浸潤步驟中應一起使用僅具有類似酸－鹼概況之前驅體溶液；此消除可弄髒前驅體溶液之任何酸－鹼反應。
對浸潤步驟，選擇前驅體溶液之體積以致彼相應於在約85%及約110%之載體材料之孔體積之間。在約95%及約100%之載體材料之孔體積之間之體積係較佳的。對以下討論之一步驟固定及改質，改質劑前驅體溶液可進一步構成更低百分數之孔體積。例如，小於50%之孔體積、小於25%之孔體積或小於10%之孔體積。
通常添加該前驅體溶液至該載體材料且使載體材料吸收前驅體溶液。此可逐滴完成直至載體材料之初始濕度大體上達成。或者，可藉由等分或逐批將載體材料放置至前驅體溶液中。可使用旋轉浸漬(roto－immersion)或其它輔助性裝置以達成載體材料及前驅體溶液之間的徹底接觸。可進一步使用噴霧設備以致經由噴嘴將前驅體溶液噴霧至載體材料上(於該處將彼吸收)。視情況可使用傾析、熱或減壓以移除不由載體材料吸收之任何過量液體或用以在浸潤之後乾燥載體材料。
可使用其它接觸技術以避免固定步驟而仍達成殼層觸媒。例如，可將催化組份與載體材料經由化學氣相沉積方法接觸，諸如US2001/0048970中描述，其以引用之形式併入本文中。同樣，噴霧塗布或另外層化經均一預浸潤之載體材料(作為外層)至內層上有效形成亦可作為層狀載體材料描述之殼層觸媒。在另一技術中，可使用催化組份(特定言之關於金)之有機金屬前驅體以形成殼層觸媒，如美國專利案第5,700,753號中描述，其以引用之形式併入本文中。
物理殼層形成技術亦係適合於殼層觸媒之製造。此處，可將前驅體溶液噴霧至經加熱之經改質載體材料或層狀經改質載體材料上，於其處前驅體溶液之溶劑一旦與經加熱之載體材料接觸即蒸發，因此在該載體材料上之殼層中沉積該等催化組份。較佳為可使用在約40及140℃之間之溫度。載體材料之溫度及經由噴嘴之溶液之流速的選擇可用於控制殼層之厚度。例如，使用約100℃以上之溫度，形成相對薄之殼層。在利用無氯化物前驅體以幫助增強在該載體材料上之殼層形成時，此實施例可係特定有用的。見例如美國專利公開案20050181940。
熟習此項技術者將瞭解接觸步驟之組合可係形成經接觸之載體材料之適當方法。
固定步驟
將在經接觸及經改質載體材料上之至少一部分之催化組份自水可溶形式轉形至水不可溶形式可係為吾人所要的。該步驟可稱為固定步驟。此可藉由塗布固定劑(舉例而言，在液體中之分散液，諸如溶液)至經浸潤之載體材料完成，其導致催化組份之至少一部分沉澱。此固定步驟幫助形成殼層觸媒，但其並非必需用於形成殼層觸媒。
可使用任何適合固定劑，其中在水溶液中之氫氧化物(舉例而言，鹼金屬氫氧化物)、矽酸鹽、硼酸鹽、碳酸鹽及碳酸氫鹽係較佳的。較佳固定劑為NaOH。固定可藉由在將前驅體溶液在載體材料上浸潤之前、過程中或之後添加固定劑至載體材料完成。通常在接觸步驟之後使用固定劑以致使經接觸之載體材料在固定劑溶液中浸泡約1至約24小時。具體時間視前驅體溶液及固定劑之組合而定。類似於浸潤步驟，輔助設備(諸如美國專利案第5,332,710號中描述之旋轉浸漬裝置，該案以引用之形式併入本文中)可有利地用於固定步驟中。
可在一或多個步驟中完成固定步驟，稱為共固定載分離固定。在共固定中，在所有相關前驅體溶液已與載體材料接觸之後將一或多體積之固定劑溶液塗布至經接觸之載體材料，無論該接觸是否經由一或多個前驅體溶液之使用完成。例如，在用鈀前驅體溶液及金前驅體溶液連續浸潤之後之固定將係共固定。共固定之實例可發現於美國專利案第5,314,888號中，其以引用之形式併入本文中。
另一方面，分離固定將包括在用前驅體溶液之各浸潤過程中或之後塗布固定劑溶液。例如，以下協定將係分離固定：a)浸潤鈀繼而固定繼而用金浸潤繼而固定；或b)用鈀共浸潤繼而固定繼而用金浸潤繼而固定。在固定及後續浸潤之間，可移除任何過量液體且乾燥載體材料，儘管此並非必需之情形。分離固定之實例可發現於美國專利案第6,034,030號中，其以引用之形式併入本文中。
在另一實施例中，同時執行固定步驟及接觸步驟，其一實例係在美國專利案第4,048,096號描述，其以引用之形式併入本文中。例如，同時固定可係：用鈀浸潤繼而固定繼而用金及固定劑浸潤。關於此實施例之一變體中，可對催化組份執行兩次固定。在催化組份接觸載體材料(稱為"預固定")時可將催化組份部分固定，接著進行另外之固定即最終固定。例如：用鈀浸潤繼而用金及預固定劑浸潤繼而用最終固定劑固定。可將此技術用於幫助確保如與全部遍及之觸媒相對之殼層類型觸媒之形成。
在同時固定及接觸步驟之另一實施例中，將固定溶液浸潤至經改質載體材料中以致填補在約25及約95%之間之孔體積。較佳為藉由固定溶液填補在約70及約90%之間之孔體積。其餘孔體積隨後以催化前驅體溶液填補。可使用催化前驅體之逐步或共浸潤。此同時固定及接觸步驟避免乾燥步驟之需要，因此簡化該方法。固定溶液之實例包括包含鹼金屬氫氧化物、鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬碳酸氫鹽或其混合物之彼等。亦可緩衝該等固定溶液以幫助維持該溶液之pH。
在特定適合用於無氯化物前驅體的另一實施例中，將經改質載體材料用固定劑預處理以調節載體材料之性質。在此實施例中，首先將載體材料用酸或鹼溶液兩者之一(通常無金屬)浸潤。乾燥之後，將載體材料用具有與經乾燥載體材料相反之酸度/鹼度之前驅體溶液浸潤。相繼發生之酸鹼反應在載體材料上形成催化組份之殼層。例如，可將硝酸用於預處理載體材料，其接著用鹼性前驅體溶液諸如Pd(OH)2 或Au(OH)3 浸潤。此形成技術可被認為使用固定步驟繼而使用接觸步驟。
在另一實施例中，為了中和在載體材料上之潛在化學反應位置(其可導致較差之殼層形成)，可在Pd及/或Au之浸潤之前預處理經改質之載體。例如，可用HCl預處理鹼性載體(舉例而言，氧化鋯)以中和所選擇之位置，繼而用Pd及Au浸潤且繼而用鹼固定。
在溶液中固定劑之濃度通常係在載體材料上浸潤之催化組份量之莫耳過量。固定劑之量應係在與存在於水可溶性鹽中之催化活性陽離子反應必需量之約1.0至約3.0、較佳約1.1至約2.0倍之間。
所供應之固定劑溶液之體積大體上應係足以覆蓋經浸潤之載體材料之可利用自由表面之量。此可藉由導入(例如)大於經接觸之載體材料之孔體積之體積完成。
浸潤及固定步驟之組合可形成殼層類型之觸媒。但無鹵化物前驅體溶液之使用亦允許殼層觸媒之形成同時視情況消除固定步驟。在氯化物前驅體之缺失下，可排除如下討論之洗滌步驟。該方法進一步可無固定催化組份之步驟，否則將需要固定催化組份之步驟以便催化組份在洗滌步驟之後繼續存在。因為不需要洗滌步驟，所以不需要固定催化組份以使催化組份在洗滌步驟之後繼續存在。在製得觸媒之方法中之後續步驟不需要固定催化組份且因此其餘步驟可能無需另外之預備性步驟而執行。總而言之，無氯化物前驅體之使用允許無洗滌步驟之觸媒或預觸媒製造方法，因此降低製造觸媒所必需之步驟數且消除處置含氯化物之廢物的需要。
洗滌步驟
特定言之，在利用含鹵化物前驅體溶液時且在如所要之其它應用中，在固定步驟之後，可洗滌經固定之載體材料以移除在載體上之任何鹵化物殘留物或將其另外處理以消除在載體材料上之污染物的潛在負作用。洗滌步驟包括在水(較佳為去離子水)中沖洗經固定之載體材料。洗滌可在分批或連續模式中完成。在室溫之洗滌應繼續直至流出之洗滌水具有小於約1000 ppm之鹵化物離子含量，且更佳為直至最終流出物對硝酸銀測試給出陰性結果。洗滌步驟可在如下討論之還原步驟之後執行或與其同時執行，但較佳為在其之前執行。如上討論，無鹵化物前驅體溶液之使用允許洗滌步驟之消除。
催化組份之煅燒步驟
在至少一種催化組份已與載體材料接觸之後，可採用一或多種煅燒步驟，儘管此並非必需之情形且在一些例子中並非較佳的。煅燒步驟通常係在還原步驟之前且在固定步驟(若使用該步驟)之後但可在該方法中之它處發生。在另一實施例中，在還原步驟之後執行煅燒步驟。煅燒步驟包括在非還原氣氛(意即，氧化或惰性)中加熱載體材料。在煅燒過程中，經改質載體材料上之催化組份係至少部分自彼等之鹽分解至彼等之氧化物及游離金屬形式之混合物。
例如，在約100℃至約700℃之範圍中、較佳在約200℃及約500℃之間之溫度執行煅燒步驟。用於煅燒之非還原氣體可包括一或多種惰性或氧化性氣體諸如氦氣、氮氣、氬氣、氖氣、氮氧化物、氧氣、空氣、二氧化碳、其組合或其類似物。在一實施例中，煅燒步驟係在大體上純之氮氣、氧氣、空氣或其組合之氣氛中執行。可變更煅燒時間但較佳係在約1及5小時之間。催化組份鹽之分解程度係視所用溫度及煅燒經浸潤之觸媒之時間長度而定且繼而可監控揮發性分解產物。視情況，在氧化鋯載體材料上，僅煅燒Pd。
還原步驟
本文中通常採用之另一步驟係至少部分將任何殘留催化組份自鹽或氧化物形式轉形至催化活性狀態，諸如藉由還原步驟。通常此藉由曝露鹽或氧化物至還原劑完成，還原劑之實例包括氨、一氧化碳、氫氣、烴、烯烴、醛、醇、肼、第一胺、羧酸、羧酸鹽、羧酸酯及其組合。氫氣、乙烯、丙烯、鹼性肼、及鹼性甲醛及其組合係較佳還原劑，其中用惰性氣體摻合之乙烯及氫氣係特定較佳的。儘管採用氣相環境之還原係較佳的，但亦可使用以液體環境攜帶之還原步驟(舉例而言，採用還原性溶液)。對還原所選擇之溫度可在自周圍溫度高達約550℃之範圍中。還原時間通常將自約1至約10小時變更，其中5小時較佳。
因為用於還原催化組份之方法可影響最終觸媒之特性，所以對還原採用之條件可視高活性、高選擇性、或此等性質之一些平衡是否為吾人所要而變更。
在一實施例中，將鈀與載體材料接觸、固定且還原，然後使金接觸且還原，如美國專利案第6,486,093、6,015,769號及相關專利案中所述，其所有以引用之形式併入本文中。
包括還原步驟之實例性協定包括：a)用鈀浸潤繼而視情況煅燒繼而用金浸潤繼而還原；b)用鈀及金共浸潤繼而視情況煅燒繼而還原；或c)用鈀浸潤繼而視情況煅燒繼而還原繼而用金浸潤。
活化步驟
常在還原步驟之後及使用觸媒之前，活化步驟係為吾人所要的。儘管可不用活化步驟而使用觸媒，但該步驟具有數種有益結果，包括延長觸媒之操作壽命。活化步驟可依照習知實踐完成。即，在使用前將經還原之載體材料與活化劑(諸如鹼金屬鹽(舉例而言，羧酸鹽及/或鹼金屬氫氧化物))接觸。出於此目的採用習知鹼金屬羧酸鹽，諸如C2 － 4 脂族羧酸之鈉、鉀、鋰及銫鹽。在VA製造中較佳之活化劑為鹼金屬乙酸鹽，其中乙酸鉀(KOAc)為最佳的。
視情況可用活化劑之溶液浸潤載體材料。在乾燥之後，該觸媒可含(例如)每公升觸媒約10至約70公克、較佳約20至60公克之活化劑。
製得烯基烷酸酯之方法
本發明可被利用於在觸媒之存在下自烯烴、鏈烷酸及含氧氣體製造烯基烷酸酯。較佳烯烴起始材料含自二至四個碳原子(舉例而言，乙烯、丙烯及正丁烯)。用於製造烯基烷酸酯之本發明方法中的較佳鏈烷酸起始材料含自二至四個碳原子(舉例而言，乙酸、丙酸及丁酸)。該方法之較佳產物為VA、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、及乙酸烯丙酯。最佳起始材料為乙烯及乙酸，而VA為最佳產物。因此，本發明係適用於在觸媒之存在下自烯系不飽和化合物、羧酸及氧氣製造烯系不飽和羧酸酯。儘管本說明書之其餘部分專門討論VA，但應瞭解該觸媒、製得觸媒之方法及製造方法係可相等應用至其它烯基烷酸酯，且該描述並非慾作為將本發明之應用限制至VA。
在使用本發明之觸媒製造VA時，將含乙烯、氧氣或空氣、及乙酸之氣體流在觸媒之上通過。考慮流出物之可燃區，氣體流之組成可在寬限制之內變更。例如，乙烯與氧氣之莫耳比率可為約80：20至約98：2，乙酸與乙烯之莫耳比率可為約100：1至約1：100，較佳為約10：1至1：10，且最佳為約1：1至約1：8。該氣體流亦可含氣態鹼金屬乙酸鹽及/或惰性氣體，諸如氮氣、二氧化碳及/或飽和烴。可使用之反應溫度為高溫，較佳為在約125－220℃之範圍中之彼等。採用之壓力可為稍微經降低之壓力、正常壓力或高壓，較佳為高達約20大氣壓之壓力。
除固定床反應器之外，製造烯基烷酸酯及本發明之觸媒之方法亦可合適採用於其它類型之反應中，例如，流化床反應器。
VA製造之方法較佳達成小於約800 ppm、更佳小於約400 ppm、更佳小於約250 ppm且最佳小於約200 ppm之EA/VA比率。在O2 轉化率為45%時，該方法亦較佳達成小於約10%、且更佳小於約9%且最佳小於8%之CO2 選擇性。最佳為該觸媒將具有以上討論之EA/VA比率及CO2 選擇性兩者。
而且，與類似處理條件中利用之標準觸媒相比，VA製造之本發明之方法較佳導致經維持或經改良之CO2 選擇性。標準觸媒為可被用作對照之任何觸媒，且較佳並不包括經改質載體材料。為進行比較，將標準觸媒用作在與經改質載體材料觸媒之處理條件相同或相似之處理條件下的對照。在經改質載體材料上之觸媒僅需要匹配(或加以改良)在給定O2 轉化率處之標準觸媒之CO2 選擇性。可被用作標準觸媒之觸媒之一實例係示於美國專利案第5,332,710號中，其以引用之形式併入本文中。
經改質載體材料上之觸媒之實例
利用組合/高生產量化學及分析技術以篩選具有經改質載體材料之觸媒。經篩選觸媒之組成空間包括具有作為催化組份之金及鈀之彼等，其中金與鈀之原子比率係在0.3至1.2之間。載體材料包括：KA－160(矽石－氧化鋁)、Norpro XZ 16052(氧化鋯)、Aerolyst 350(矽石)、Grace SP－9600(矽石)、Grace SP－9601(矽石)、Grace SP－9599(矽石)、Grace SP－9602(矽石)、Grace SP189043.USA3(鋯矽石)、Grace SP18－9534(鈦矽酸鹽)、Norpro XZ 16075(氧化鋯)及Norpro XZ 16052(氧化鋯)。用Ba、Mg、Ce、K、Ca、Nb、Ta、Ti、Y、Sr、Z、La、Pr、V、Mo、Rb及以上討論經選擇之二金屬組合改質以上載體材料。亦作為對照測試未經改質之載體材料。
除氧化鋯之外之經改質載體材料藉由如下方法製備：藉由改質劑前驅體溶液浸潤0.5g載體樣品(在120℃乾燥至少2h)至初始濕度以達成三種含量之一：1.0、2.0及4.0重量%。此後在105℃乾燥至少2 h且用2℃/min之加熱速率在500℃煅燒。將來自Hamilton之機器人用於進行所有液體分配。
藉由Pd(NH3 )4 (OH)2 將經改質載體材料浸潤至初始濕度至42.6克鈀/升觸媒之Pd負載量。在浸潤過程中及之後，均一化載體材料至少1 h。在浸潤之後，在空氣中於105℃乾燥載體材料至少2h，且隨後用2℃/min之加熱速率在空氣中於350℃煅燒2 h。
接著，藉由新鮮製備之1 M[KOH＋Au(OH)3 ]溶液將經改質載體材料浸潤至初始濕度以達成0.45、0.6、0.9及1.2之Au：Pd比率。在浸潤過程中及之後，均一化經浸潤之載體材料至少1h，繼而在空氣中於105℃乾燥載體材料至少2h。
在氮氣中7%氫氣中還原具有催化組份之經改質載體材料。將該等樣品置於小坩堝中，於其中觸媒床係約1至3 mm深。貫穿還原中維持100 mL之流量，其中使用2℃/min加熱速率，在350℃進行5h。還原之後，藉由用KOAc溶液浸潤至40克KOAc/升觸媒且在105℃乾燥至少2h活化該等樣品。
使用與以上討論大體上相同之程序製得經改質之氧化鋯載體材料，除了在Pd浸潤之後無煅燒發生且還原在150℃利用氮氣中5%乙烯之外。
將根據此協定製備之觸媒用含40g/1 KOAc之載體材料異質稀釋以得到7g/1之總體Pd負載量。使用標準在線(line－in)協定測試經模擬之殼層觸媒以使用平行反應器系統測試該等觸媒之CO2 選擇性及EA/VA比率。標準協定包括在145℃於正常饋料(13.8% HOAc、40% C2 H4 、7.9% O2 及38% N2 、P＝10 atm、SV＝138立方公分/分鐘/立方公分觸媒)下測試觸媒8小時。隨後使用155℃、165℃、175℃及145℃之溫度梯度以獲得關於各觸媒之資訊。吾人認為顯示在45%O2 轉化率處小於約9.0%之CO2 選擇性及小於800 ppm之EA/VA比率之觸媒係可接受的。
顯示可接受之CO2 選擇性及EA/VA比率在經改質載體材料上之觸媒係示於下表中：
基於以上結果，測試改質劑之其它含量(舉例而言，0.1重量%及0.4重量%)及/或其它Au：Pd比率以最優化CO2 選擇性及EA/VA比率。此外，亦測試觸媒製備條件中之變更(舉例而言，不同煅燒溫度、浸潤方法及/或不同還原條件)。
為在可接受之觸媒之間區分，使用高溫鈍化測試。在180℃使用正常饋料(13.8% HOAc、40% C2 H4 、7.9% O2 及38% N2 、P＝10 atm、SV＝138立方公分/分鐘/立方公分觸媒)8小時作為在線協定。該在線之後為165℃、175℃、185℃、195℃及165℃之溫度梯度。在一組更為嚴格之方針(舉例而言，小於約250 ppm之EA/VA比率與在45% O2 轉化處可接受之CO2 選擇性)下顯示可接受性質之觸媒將係最佳之經改質載體材料上之觸媒。在此協定下，最佳經改質載體包括在氧化鋯載體材料上之鈮、鈦及鎂。同樣較佳為在鈦矽酸鹽上之鈦及鋯改質劑。
可使用任何VA合成程序執行有及無經改質載體材料之觸媒之比較，只要將相同程序用於測試兩種類型之觸媒。應進一步瞭解複數個組份或步驟之功能或結構可被組合至一單獨組份或步驟，或一步驟或組份之功能或結構可被分割至複數步驟或組份之中。本發明涵蓋所有此等組合。除非另有所述，否則本文中描述之各種結構之維度及幾何學並非欲約束本發明，且其它維度或幾何學係可能的。可藉由單獨之完整結構或步驟提供複數結構組份或步驟。或者，單獨完整結構或步驟可能被劃分至分離複數組份或步驟中。另外，儘管本發明之特徵可能已在僅僅一個例證性實施例之情形中描述，但對任何給定應用該特徵可與其它實施例之一或多種其它特徵組合。自以上亦應瞭解本文中之獨特結構之製作及其操作亦構成依照本發明之方法。
本文中呈現之解釋及說明係欲使其他熟習此項技術者熟知本發明、彼之原理、及彼之實踐應用。彼等熟習此項技術者可在彼之眾多形式中調適及應用本發明，該等形式可能最佳適用於特定用途之需求。因此，如本文闡明之本發明之具體實施例並非係欲作為本發明之詳盡或限制性實施例。因此本發明之範圍不應關於以上描述判定，而應替代地關於所附之申請專利範圍、以及該等申請專利範圍所賦予之相等物之完全範圍判定。所有論文及參考文獻(包括專利申請案及公開案)之揭示係出於所有目的以引用之形式併入本文中。

Claims (34)

  1. 一種製造乙酸乙烯酯之方法，其包含：將包含一乙烯、一乙酸及一含氧之氣體之一饋料與在一經改質與經煅燒之載體材料上形成之一含鈀或金之觸媒或預觸媒接觸導致生成乙酸乙烯酯與至少一種副產物，其中載體材料係由1)鈮、鎂、鉭、釔、鑭、鐠或其組合所改質，或2)當載體材料係選自氧化鋯，鈦矽酸鹽或鋯矽酸鹽時，則由鈦或鋯或其組合所改質。
  2. 如請求項1之方法，其中該副產品包括乙酸乙酯，且乙酸乙酯與一所得乙酸乙烯酯之比率係小於約800 ppm。
  3. 如請求項1或2項任一項之方法，其中該副產品包括乙酸乙酯，且乙酸乙酯與一所得乙酸乙烯酯之比率係小於約250 ppm。
  4. 如請求項1或2項任一項之方法，其中該觸媒或預觸媒包含鹼金屬鹽活化劑。
  5. 如請求項1至2項任一項之方法，其中該觸媒或預觸媒具有小於約9.0%之一CO2 選擇性。
  6. 如請求項5之方法，其中該觸媒或預觸媒在45% O2 轉化率處具有小於約9.0%之一CO2 選擇性。
  7. 如請求項1或2項任一項之方法，其中該副產品包括乙酸乙酯，且乙酸乙酯與一所得乙酸乙烯酯之比率係小於約800 ppm，且其中該觸媒或預觸媒具有小於約9.0%之一CO2 選擇性。
  8. 如請求項7之方法，其中該副產品包括乙酸乙酯，且乙酸 乙酯與一所得乙酸乙烯酯之比率係小於約800 ppm，且其中該觸媒或預觸媒在45% O2 轉化率處具有小於約9.0%之一CO2 選擇性。
  9. 如請求項8之方法，其中該副產品包括乙酸乙酯，且乙酸乙酯與一所得乙酸乙烯酯之比率係小於約250 ppm，且其中該觸媒或預觸媒具有小於約9.0%之一CO2 選擇性。
  10. 如請求項9之方法，其中該副產品包括乙酸乙酯，且乙酸乙酯與一所得乙酸乙烯酯之比率係小於約250 ppm，且其中該觸媒或預觸媒在45% O2 轉化率處具有小於約9.0%之一CO2 選擇性。
  11. 如請求項1或2項任一項之方法，其中該載體材料係被鈮或鎂或其組合所改質。
  12. 如請求項1或2項任一項之方法，其中該載體材料包含氧化鋯。
  13. 如請求項1或2項任一項之方法，其中該載體材料包含鈦矽酸鹽或鋯矽酸鹽。
  14. 如請求項1或2項任一項之方法，其中該載體材料係一層狀載體材料。
  15. 一種適合於輔助乙酸乙烯酯製造之觸媒或預觸媒之製造方法，其包含：用一水性改質劑前驅體溶液浸潤載體材料，其中該改質劑前驅體包括1)鈮、鎂、鉭、釔、鑭或鐠或其組合，或2)當該載體材料係選自氧化鋯，鈦矽酸鹽或鋯矽酸鹽時，則是鈦或鋯或其組合； 煅燒該經改質載體材料；用一水性催化組份前驅體溶液浸潤該改質載體材料，其中該催化組份前驅體包含鈀或金或其組合；及藉由將一還原環境與該載體材料接觸還原該催化組份前驅體。
  16. 如請求項15之方法，其中該改質載體材料煅燒步驟包含在約300℃及約700℃之間的溫度予以煅燒。
  17. 如請求項15或16項任一項之方法，其中該第一浸潤步驟包含將該載體材料與基於載體材料之重量在約0.1重量%及約4.0重量%之間之改質劑予以浸潤。
  18. 求項15或16項任一項之方法，其中該改質劑前驅體溶液包含鈮或鎂或其組合。
  19. 如請求項15或16項任一項之方法，其中該改質劑前驅體溶液包含鈦、鋯或其組合。
  20. 如請求項15或16項任一項之方法，其中該改質劑前驅體溶液包含一氯化物、一硝酸鹽、一草酸鹽、一乳酸鹽或其組合。
  21. 如請求項15或16項任一項之方法，其中該載體材料包含氧化鋯。
  22. 如請求項15或16項任一項之方法，其中該載體材料係一層狀載體材料。
  23. 如請求項15或16項任一項之方法，其進一步包括用催化組份前驅體溶液浸潤該經改質載體材料之後予以鍛燒。
  24. 如請求項15或16項任一項之方法，其進一步包含將該觸 媒或預觸媒與一活化劑接觸。
  25. 如請求項15或16項任一項之方法，其進一步包含將鹼金屬乙酸鹽與量為每公升觸媒約10及70公克之間的該載體材料接觸。
  26. 如請求項15或16項任一項之方法，其中該催化組份接觸步驟包含浸潤每公升觸媒約1至約10公克之間之鈀、及每公升觸媒約0.5至約10公克之間之金，其中基於鈀之重量，金之量係自約10至約125重量%。
  27. 一種用於催化乙酸乙烯酯製造之組成物，其包含：載體材料，具有至少一改質劑、鈀、和金接觸於在其上以形成觸媒或預觸媒，其中至少一改質劑已於非還原氣體內予以鍛燒；以及改質劑，其包含：1)鈮、鎂、鉭、釔、鑭、鐠或其組合，或2)當載體材料係選自鈦矽酸鹽、鋯矽酸鹽或氧化鋯時，鈦或鋯或其組合。
  28. 如請求項27項之組成物，其中改質劑包含鈮、鎂、鉭、釔、鑭、鐠或其組合，及載體材料包含氧化矽。
  29. 如請求項27或28項任一項之組成物，其中改質劑包含鈮、鎂、鉭、釔、鑭、鐠或其組合，及載體材料包含氧化矽及氧化鋁。
  30. 如請求項27或28項任一項之組成物，其中載體材料包含氧化鋯。
  31. 如請求項27或28項任一項之組成物，其中載體材料包含層狀載體材料。
  32. 如請求項27或28項任一項之組成物，其中觸媒或預觸媒包含每公升觸媒約1至約10公克之間之鈀、及每公升觸媒約0.5至約10公克之間之金，其中基於鈀之重量，金之量係自約10至約125重量%。
  33. 如請求項27或28項任一項之組成物，其中觸媒或預觸媒包含鹼金屬乙酸鹽存在量為每公升觸媒10至70公克之間。
  34. 如請求項27或28項任一項之組成物，其在45% O2 轉化率處具有小於約9.0%之一CO2 選擇性。
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