TWI298710B - Processing apparatus and processing method of water using the same - Google Patents

Description

1298710 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明乃關於’可從被處理水當中去除說之處理裝置 及採用該處理裝置之被處理水的處理方法。 【先前技術】 目前’降低工業廢棄物的量以及分類工業廢棄物而再 使用’就生態的觀點來看乃為重要的課題，並且為具有急 迫性的企業課題。在工業廢棄物當巾，具有包： 之種種流體。 這些係以污水、排水、廢液等種種言詞來表現，以下， .乃稱呼於水及藥品等當中包含被去除物之物質者為「排水 ‘力以°兒月這些排水係有於南價的過濾處理裝置等當 中，去除上述被去除物，使排水成為潔淨的流體而再^用 =況。此外’亦存在有，以從這些排水t中所分類的被 、*物來做為1業廢棄物而進行處理之情況。尤其是藉由 φ過濾使水成為達料境標準之潔淨狀態，而放流至河川及 海洋等自然界，或是再使用。 4於製造半導體裝置之製程當中，係產生大量的排水。 ，k田中丄：蝕刻製程中乃排出含有氟酸等素成分之氟排 水1了旦含氟濃度極高的排水被排放至自然界，則會導致 =:先均衡的朋潰。因此，從排水當中去除默，乃成為 產業界極為重要的課題。 、△、+ 方面 3氟排水的放流條件，乃根據水質污濁防 〜広及地方自治體的條例等而決定該基準值。具體而言， 316974 5 1298710 包含於排水中之氟素成分 外，亦丄叮处、刀的^辰度必須於8mg/L以下。此 ;二°此、仃所排出氟素成分的總量管制。 '去广^上述氣的去除方法，係提出種種去除方法。關於 去除包含於排水中的翁 / 于乃次關万、 •槽當中進行生物處理及化Μ里係有人提出於不同的處理 獻1)。關於去除氟的复他；; :：法(參照下列專利文 之後，於收納於一邊：備夕數的反應槽 _包含溶膠狀的物質之種劑加約，而形成 1的反應槽之原水當中，而^二加;"種劑於收納於另一邊 '利文獻2)。再者，亦有採用=2理^方法（參照下列專 -包含於排皮巾的户 同刀子减艰劑，而凝聚並沉澱 3於排水中的氟，而獲得污泥之處理方法。 [專利文獻U曰本特開2〇〇1_54792號公報 [專利文獻2]日本特開平6_31219〇號公 【發明内容】 (發明欲解決的課題） 1方去’於上述專利文獻1所記載之包含氣的廢水處理 方法虽中，必須進行多數次的廢水處理步驟，因而 理設備變得龐大、成本變高之問題。此外，由於進行採Ϊ 生物之有機處理，因而產生難以安定的進行廢水處理之 題。 此外，於上述專利文獻2所記載之廢水處理方法备 中’由於包含於排水中的氟的濃度極低，因而產生必; 行用於固化所獲得的氟之凝聚沉㈣理等其他處理驟 問題。 个〈 316974 6 ^298710 ^ 7 :二-一？ 再者，一旦藉 凝聚沉殿法而去_^:=1 高二凝聚劑之 ”，棄物之問題。此外，亦;生==而 •夕1的凝聚劑之污泥之問題。再使用此入有 處二：r:r於提供，不採用凝聚劑而從被 採用該處理被；進行回收以及再利用之處理裝置及 衣置之被處理水的處理方法。 (解決課題的手段） 理水之處』ί處=:f的特徵為具備:收納有含氟的被處 手二Γ，於上述處理槽而生成氣化狀供應 t，及猎由過遽收納於上述處理槽之上述 >辰縮包含於上述祐#不审P ^ 而 4被處理水之上職蝴之過滅膜。 ，外’本發明之處理裝置的特徵為具「收 水之第〗處理槽;添力_上述第i處二^ =，應手段;從上述第1處理槽導入 處理水之第r處称及藉由過一 水之上^，=上返被處理水’而濃縮包含於上述被處理 艰之上述鼠化鈣之過濾膜。 於本發明之處理裝置當中，上述供應手段係由， 第1供應手段及添加氯化叙第2供應手段 理样=，於本發明之處理裝置當中，係僅於上述第^ 里“中’設置上述第！供應手段及上述第2供應手段。 此外，於本發明之處理裝置當中，於上述第」處理槽 Ηκ、 »ββ»? 316974修正頁 1298710 當中設置上述第1供靡丰^ -上、r楚…上述第2處理槽當中設 述弟1供應手段及上述第2供應手段兩者。 本發明的處理方法的特徵為，於含氣的被處理水备中 ^妈而生成m並藉由㈣上述被處理水， 包含於上述被處理水之上述氟蝴。 7 此外，本發明的處理方法的特徵為，於收納於第^處 =之含氟的被處理水當中添力，而生成氟化約，再導二 上述氟化敎上述被處理水於第2處理槽，並藉由過 4收納於上述第2處理槽之上述被 上述被處理水之上述氣化約Λ被處理水’而心包含於 此外，本發明的處理方法的特徵為，收納的 理水於第1處理槽，藉由添加缺上述第！處理槽，而Γ 成由上述氟的至少-部分及上述飼所組成之氣化辦，再導 入包含上述敦化妈之上述被處理水於第2處理槽，並由 添加舞於上述第2處理槽，而生成由殘留於上述被處料 =上述減上關所組成之氟_，再將收納於上述第2 處理槽之上述被處理水的—部分回送至上述第]處理槽， 補由_收納於上述第2處理槽之上述被處理水，而濃 鈿包含於上述被處理水之上述氟化鈣。 ▲此外，於本發明的處理方法當中，於上述第i處理槽 田中’係以上述被處理水的上述氟化飼的漠度尚未達到飽 和的程度添加上述約，而於上述第2處理槽當中，係添加 上摘至上述被處理水的上述氟倾的濃度達到飽和為 止0 ⑧ 316974 1298710 係將沉;殿於上述第 1處理槽。 此外，於本發明的處理方法當中， 2處理槽的下部之沉澱物回送至上述第 此外’於本發明的處理方法#中，係將包含上述氣化 ••弓之上述被處理水的一部分回送至上述第丨處理槽。 >此外，於本發明的處理方法當中，係將包含^與上述 氣反應的上述飼之上述被處理水的—部分回送至上述第1 • 此外，於本發明的處理方法當中，係從上述第！處理 槽及上述第2處理槽當中個別回收上述氟化鈣。 、此外，於本發明的處理方法當中，係回收沉殿於上述 _被處理水的下部之上述氟化鈣。 ，料’於本發明的處❹法#巾，上述被處理水係於 加工半導體之製程當中所產生之排水。 此外’於本發明的處理方法當中，係將上述氟化鈣再 利用為氟的來源。 馨此外，於本發明的處理方法當中，採用由上述敦化每 所構成之自成膜，而過濾上述被處理水。 (發明之效果） • 因此，根據本發明之處理裝置及處理方法，可將包含 、方、被處理水中的幾乎全部之氟固化為氟化飼，此外，亦可 將被處理水中所包含之氣化詞予以高濃度縮化。因此，乃 〃備合易進行氟化鈣的去除、回收及再使用的優點。再者， 由於不使用高分子凝聚劑等而可獲得高濃度的氣化每，因 此亦有益於氟化鈣的再使周。 316974 1298710 【實施方式】 〈第1實施型態〉 於本型態當中，乃詳細說明包含氟之被處理水的處理 裝置及處理方法。首先參照第1圖，來說明採用處理裝置 10A之被處理水的處理方法。在此，係說明採用1個處理 槽11而進行處理之方法。 ,於本型態當中所處理的被處理水為含氟排水。此排水 鲁係導體製造工廠當中，於進行蝕刻之製程當中所排放 έ氟排水更具體而s，係從進行半導體、玻璃、金屬 $为餘亥〗之衣私s中，排出多量的含氟排水。於這些餘刻 製程當中，為了提升蝕刻時的腐蝕性而採用氟酸。在此， 、所謂的敦酸’係减氟酸⑽）的水溶液。因此，於從該製 程所排放的排水當中，乃包含危險性極高的氟酸。 於第1圖所示之處理裝置10A當中，係構成為，採用 1個處理槽1卜並於容納於此處理槽n之被處理水12當 •中浸潰過濾膜13 〇 田 理路/P1為管路等水流路，經由此路徑而輸送被處 水12至處理槽n。於第j路徑ρι的途中，亦可中介 設用於輸送被處理水縣。在此，被處理水12為含氣排、 上里= 广亦可將包含氣及妈所化合而成的氣化妈之被 處理水12從第1路徑P1導入處理槽u。 第^路㈣為導入熟石灰㈤sciumHydr〇x】de〇r S—]e’Ca(_至處理_之路經。在此，孰石 灰的水溶液之榮液（slurry)係經由第2路徑P2而被“於 316974 】0 1298710 容納在處理槽之被處理水12當中。藉由在於被處理水i2 當中添加熟石《，而經由下列反應式A而產生氟化鈣。在 此，係從冑2路徑P2導入由包含5重4 %的熟石灰之水溶 液所組成的漿液至被處理水12。 式 A ·· Ca2++2F-—CaF2 =，包含氟酸之被處理水為酸性，但藉由添加熟石灰而 提高PH值並顯示出驗性。具體而言，添加有熟石灰之被處 理水的pH值，係顯示出大約1()的強驗性。藉由提高被處 理水的PHm，而可促進药及氟的化合。用於進行此化合之 最適合的被處理水的邱值，大約為10.5。如此，本型離 之氣的固化，係與被處理水的PH值有密切的關聯。因此， 、亦可—邊測量被處理水12的PH值，-邊添加上述_。 此外二亦可在預先求取所需的辦的量之後，添加該量的舞。 第3路徑P3為添加氯化舞㈤ciumChloride’CaCh) 於被處理水12之路徑4化㉝亦與上述熟石灰相同，可做 _為水溶液之毁液而導入於被處理水當中。由於氯㈣為鹽 颂’因此添加此物質於被處理水當中，並不會改變被處理 水的PH值。亦即，藉由添加氯化缺被處理水，能夠不會 •改變被處理水的pH值而進行鈣的添加。 :外’亦可於被處理水12當令添加苛性驗(議)等而 =|和處理之後，從#3路„#中添加編？於 理水12中。 於本型態當中 於被處理水的鈣。 二可採用熟石灰及氣化鈣兩者做為添加 右於僅採用熟石灰來做為鈣的添加來源 316974 11 1298710 ^況下，有可能使被處理水的pH值過度上升，而阻㈣ 及亂的化合。因此，於本型態當中，係採用被 理水的PH值的氯倾，來做為她加來源的—部 反的，若於添加於被處理水12之㈣添加 :詞的情況下，則會產生多量的氯會殘留於被^ = pH值等各種問題。再者，若添加過量的 :、石火於被處理水當中’則會形成含辦之勝體狀的物質。 '物質’而會有阻礙本型態之氣化輸生 的婕慮。根據以上的理由，乃接 做為妈㈣加來源。 灰及魏飼兩者來 ，下來1明’藉由添加熟石灰於被處理水當中，可去 的氟至何種程度。首先，氟化飼的溶解 -積於20 c虽中係以下列式Β來表示。 式 B: KSp=[Ca2+][r]2 = 8 6x ι〇_η 氣離子的放流基準值為/L，你 石灰的^ 舞的溶解度積及熟 附近。此水的pH值較理想為約^ 可萨由W九： 子濃度，則為4.8mg/L，理論上 的：==於被處理水當中，而去除被處理水當中 的氟’而達到可放流於自然界之程度。 τ 此外，於本型態當中，了二 飼=處理水當中來做為㈣添:來亦 =能夠降低包含於被處理水輸子⑽ 過遽膜13係被浸入於收容於處理槽η之被處理水吻 316974 12 11298710 i ; ，... .. — : 當中，並具備進行被處理水i 2之過遽的功能。關於所 的過慮膜13’可採用可於流體當中進行過遽之所有、 /機構。於本型態當中，係採用形成於過濾膜13的表面之 -成膜而進行過濾，從而進行氟化鈣及被處理水12的固、夜八 ‘離。藉此，將包含於被處理水中的氟化舞予以濃縮。= 此自成膜，將於之後詳細敘述。 ； 上述自成膜亦可為，由被處理水12當中所生成之氟化 舞所構成之自成膜。亦即，藉由吸附於過滤膜13的過 鲁之氟域’而進行被處理水12的過濾。此外，於回收氣化 鈣之際，亦將此自成膜從過濾膜13剝離而回收。 .、曝氣裝置18係㈣於被處理水12 #巾從下方供應 泡至過遽膜13之功能。具體而言，係從設置於外部之圖中 、未顯示之泵等，供應氣泡至曝氣裝置18。從曝氣裝置18 斤產生之氣泡19 ’係沿著過濾膜13的過濾面而往上方移 如此藉由彳文曝氣裝置18產生氣泡19，而可將形成 馨於過祕13的表面之自成膜的厚度設定於-定值以下。據 可抑制自成膜的阻塞，而一邊確保某程度的流通量 (Flux)，一邊進行被處理水的過濾。 、弟4路徑P4為經由過濾膜13所過濾後的被處理水η -廿之路^於第4路# P4的途中，亦可中介裝設泵P， 並猎:該泵p的吸弓丨力，而進行過制13的魏。 葶5路；L P5係攸第4路徑p4當中所分歧出，為過濾 後的過遽、水之過濟皮1 ^ ^ ‘水16的一部分所通過之路徑。 儲省心15為暫時儲留通過第5路徑P5的過濾水16 316974修正頁 13 1298710 之儲留槽。儲留槽15的容量可較處理槽H還小。儲留於 储留槽15的過濾水16為，於將形成於過濾膜13的表面之 .自成膜予以剝離之際，用於逆流於過濾膜13者。此外，藉 由配置儲留槽15於較被處理水12的液面還上方的位置，曰 、可不需採用泵等而進行上述逆流。 ^藉由添加上述鈣於被處理水12當中，可固化氟而成為 氟化鈣。固化後的氟化鈣係沉澱於處理槽1丨的下部而成為 籲沉澱物14。沉澱物14經由第6路徑p6，而被輸送至壓濾 機⑴uer press)17。於壓濾機17中進行脫水後的沉殿。 物’ ί丁、做為包含高濃度的敗化每之半固形物而被回收。此 •外，屢渡機17係進行粗略的過渡，因而產生包含氟化舞之 ^半透明的流體。此流體亦可送回處理槽u而做為被處理水 、—本垔心田中，由於不採用高分子凝聚劑等凝聚劑而 進行固液分離處理’因此可從含I排水當中，獲得高純度 之固化後的氟化.所獲得的敗化詞’可藉由與強酸（例如 硫酸）反應’而以氟酸之形成於半導體製程等當中再使用‘ 卜亦可將方、本巾睛案中所獲得之高純度的氟化辦使用 為=於鋼鐵當中的助溶劑（Flux)。此外，絲加鹽酸於 所獲=的氟化舞當中，則亦可獲得氯化飼。再者，用於再 使用氟_而添加之硫酸及鹽酸等，係於半導體工薇當中 的常備㈣I，因此不須於4㈣加新設備而可再使用氣 化妈' 1 0B之被 W 2圖來說明採用其他型態之處理裝置 316974 14 1298710

處理水的處理方法。同圖所示的處理裝置⑽的基本構 成:係與參照第1圖所說明之處理裝置1〇A為共通者。處 •理農置10B的重點在於，設置有多數個進行被處理水U 、η Γ里^處理槽11。具體而言，係藉由採用由第1處理槽 及第2處理槽11B所組成之2個處理槽u，而進行被 處理水12的處理。 第1路徑Pi至第3路徑P3係為上述之路徑，而從第 釀路㈣將被處理水導入於第！處理槽lu，從第2路經 二灰導入於第1處理槽UA，從第3路徑P3將氯化 、巧‘入於弟1處理槽11A。 ^第1處理槽11A當中，收納含氟的被處理水。並經 攸第2路控P2及第3路徑p3添加詞於被處理水…而 生成由氟及鈣所化合而成之氟化鈣。所生成的 殿於第！處理槽11A的下部。氟㈣的生成原理與 1圖所說明者相同。 弟 r本士此外’即使於收納於第1處理槽11A的被處理水12 田d加用於將敦固化為氟化飼之所需的足夠量的妈之 亦可能無法充分固化氟。這是因為，於實際的環 兄田中’ ii化㈣以準安定的狀態而存在於被處理水12 之故。由於在此準安定的狀態當中，不會進行氟的固化， 因此此狀態下的被處理水12並未達到放流標準。於本型態 當中’係转由安定化上述不安定的狀態，而 流標準之被處理水】2。亦即，藉由添加多量的熟石= ㈣等约成分於被處理水12中’而將包含於被處理水中的⑧ 316974 15 •1298710 氟化鈣之狀態予以安定化。 第8路徑P8為，從第1處理槽11A將包含有於第1 .處理槽11A中進行處理所生成的氟化鈣之被處理水12輸送 至第2處理槽11B之路徑。於第8路徑p8當中，係中介裝 設有浸入於被處理水12之泵。藉由該泵的壓力，而從第i 處理槽11A輸送被處理水12至第2處理槽11B。此外，為 了提升於第2處理槽11B之氟化鈣的過濾效率，亦可優先 鲁輸达沉澱於第1處理槽11A的下方之沉澱物至第2處理槽 11B。 於第2處理槽11B當中，係儲留於第丨處理槽UA所 •處理的被處理水12。此外，於第2處理槽^B當中，上述 入過遽膜13係浸入於被處理水12當中。藉由過渡膜i3來進 .=過濾，而進行收納於第2處理槽11B之被處理水12的濃 縮。如上述，由於將包含沉殿於第j處理槽lu的沉殿物

之被處理水12導入至第2處理槽11B，因此第2處理槽nB •中的氟化舞的濃度變得極高。具體而言，g 2處理槽ιΐβ 之氟化舞的濃度，可濃縮至約2〇〇〇呢几至3〇〇〇mg/L。由 灰將被處理水12如上述予以请給u 、卞以/辰鈿，因此可容易進行採用壓 • 濾機Π之固形物的回收。

• 第7路徑P7為，從第2處理榫n R 的氟化㈣處理水12至第二：:广包含有高濃度 户％ s, 处払11A之路牷。此回送 ==上處理槽 ”得二由過濾膜I3之過濾，從而氟化鈣的濃 同。再者，於收納於第2處理槽11B之被處理水 3]6974 ]6 •1298710 12當中，亦包含高濃度之未與氟結合的鈣。因此，藉由將 含有南濃度的這些成分之被處理水丨2的—部分回送至第^ 處理槽11A，而可促進第丨處理槽UA之氟化鈣的生成。 亦即’包含於所回送的被處理水12之氣化詞乃具備作為結 晶核的功能，從而可促進氟化鈣的生成。再者，藉由回送 未與乱反應㈣至第！處理槽11A，可抑制所添加的齊而 進打低成本的處理。藉由上述本型態的構成，可獲 子含有率極低之被處理水。 沉殿於第2處理槽11B的下方之由氟化騎構成的沉 殿物14 ’係經由第6路徑p6而被輸送至壓滤機i 7而進行 脫水，理。之後，回收固形化的氟化詞而予以再使用。 、弟4路控P4及第5路徑p5及儲留槽15的功能及構 成’係與弟1圖所示者相同。 *於* 3處理槽11C當中，係進行已穿透過遽膜13之被 處理水12的再使用及放流之淨化處理。具體而言，乃進行 PH值的調整、氮的去除、及舞的去除等。為了進行邱值 的調整’係於測量被處理水的PH值之後，於被處理水當中 添加驗性物質或是酸性物質。為了進行氮的去除，於本型 用使用電極之脫氮方法。此脫氮方法的詳細說 :;仅敘述。此外，包含於被處理水12的鈣，係藉由 電場處理而形成⑽3，並浮出於被處理水12的表面^加 =收。進行如此的處理之後的被處理水，可再使用或是 ⑧ 參照第3圖來說明採用其他型態之處理裝置服之被 316974 17 1298710 處理水的處理太、、土 , 仏。在此，係從第1處理槽11A及第2處 理槽11B兩者當φ m ^斤 厂 甲口收氟化鈣。此外，在此亦添加鈣於第

2處理h 11B。其它構成則與第2圖所示的處理裝置MR 基本上為相同。以下，詳細敘述採用處理裝置 理水的處理方法。 低、

、於第1處理槽11A當中，從第1路徑P1導入含有氟之 接处K 12之後從第2路徑P2添加熟石灰於第J處理 才曰11A在此，乃添加用以僅將包含於被處理水12之氟的 一部分固化成氟化詞的程度的量的熟石灰。例如，從第2 路徑P2當中’添加使包含於被處理水12之I的大約9成 予以化t的程度的熟石灰於第1處理槽HA。藉此，可抑 制未與氟反應的鈣殘留於第」處理槽UA。此外，即使產 生未與氟反應的鈣的情況，亦可降低其量。因此，可從第 1處理槽11A當中，獲得純度極高的IU匕詞。 方、第1處理槽11A所生成之高純度氟化舞’係經由第 10路徑P1G而流人於第i壓隸m。之後，對第！處理 槽UA所生成之高純度敦化約進行脫水，而獲得含水量極 少之半固形物。從第！㈣機所獲得的半固形物當中，可 獲得高濃度的氟_。因此，乃具備容易進行上述 的取出等之優點。 、，被處理水12係經由第8路徑P8從第】處理槽UA被 輸运至第2處理槽11B。此外，包含所謂的種劑之被處理 = 12,係經由第7路徑P7而從第2處理槽uB被輸送至 第1處理# 11A。這些輸送路經的詳細情況，係與上述相⑧ 316974 .1298710 • 同。 第3路控P3為添加氣化妈之路徑。在此，僅於第2 处才曰11B §中添加氣化辦。此外，係經由第9路徑p9 添加熟石灰於第2處理槽11B。亦即，於此圖所示的型 〜中係將氯化鈣及熟石灰兩者添加於收納於第2處理槽 之被處理水12當中。因此，相較於第1處理槽11A， 方；弟2處理槽11B當中係進行以去除所含有的氣為重點之 鲁被處理水12的處理。亦即，於第2處理槽UB當中所進行 的處理，相較於所獲得的沉澱物的再使用，乃優先進行氟 的去除之處理。 於第2處理槽11B所沉澱的沉澱物，乃經由第6路 -控P6而被輸送至第2壓濾機17B。之後藉由進行脫水處 •理’而獲得包含敦化狀半固形物。從第2壓滤機ΐ7β所 獲得的固形物當中’所包含的氣化詞的濃度相對較低。因 此’可將從第1壓濾機i 7A所獲得的固形物及從第2壓濾 參機17B所獲得的固形物的用途設定為不同。具體而言，從 第1壓溏機17A所獲得的固形物，可做為氟酸來源:再使 用，從第2壓濾機17B所獲得的固形物，可做為上述助熔 • 劑而再使用。 • ，第3圖所示之其他構成要素的儲留槽15及第3處理槽 lie等的構成及功能，係與參照第2圖而說明者相同。 於處理裝置10C當中，係採用2個處理槽u而進行不 同的處理水的去除’藉此可容易進行所獲得的固形物之再 使用’而去除氟。具體而言，於第丨處理槽i 1A當中，乃@ 336974 19 1298710 於被處理水12當中添加使氣的一部分未與鈣反應而殘留 的H石灰的程度的量。因此，由於所添加的熟石灰的 全部或幾乎全部會與包含於被處理水12㈣反應，因此所 殘留的鈣幾乎不存在。相對於此，於第2處理槽UB當中， 係於被處理水12當中添加多量的熟石灰，俾使未與詞反應 的I可確實的與詞結合。此外，為了亦抑制pH值的過度上 升’係於第2處理槽11B當中，於被處理水12當中添加氯 化鈣。 其次’參照第4圖來說明採用第}圖所示的過濾膜13 =進打被處理水12的過濾之實驗。第U(A)係顯示，進 饤過;慮處理之被處理水12的量及流通量之隨著時間的變 化之曲線圖。於此曲線圖當中’橫轴係顯示連續處理的時 間’左側縱軸係顯示流通量的大小，右側縱轴係顯示被處 =水的處理量。第4圖⑻係進—步顯示連續進行過溏處理 4的h況之〃IL通罝之隨著時間的變化之曲線圖。在此所謂 的流通量為流束，流通量的大小與過濾液的量的 關聯。 ^ 首先說明此實驗的條件。於本實驗當中，係於〇 im2 的面積之過濾膜，施加7kPa的吸引壓力而進行過濾。然 後’定期測量所處理的被處理水的量及流通量而進行實驗。 …參照第4圖（A)，可得知伴隨著處理量的增加，流通量 逐新降低。此乃暗示’於實驗初期階段當中，由氟化妈所 組成之自成膜(疊層為蛋糕狀的膜)形成於過濾膜的表面， 且此自成膜逐漸累積而阻塞之情形。然而，例如實驗開始⑧ 316974 20 1298710 37分鐘後過濾液的流速（流通量） 佶為立土 “占』 里^马7.5l«/day。此流通量的 值知思味者自成膜的阻塞進行中 ..而進仃極有效率的過濾。 2ΐΛΓίΓ s'7M'SS40mg/L，ai^^^^ 21 mg/L。再者，將殘留於處理柃 廿茲士 "。老 、里钇内的被處理水予以濃縮，

:無處理此被處理水，而可獲得包含大—/L 产物。此外，即使連續進行約40分鐘的過 滤，二通置的降低約為2成，而可進行實用的過滤。 :4圖⑻係顯示，測量連續進行上述過 ，通置咖之圖表。從該圖表之流通量的變化當中可得 -1上t仃約_分鐘的過濾，亦可確保5ro/day „以上的流通置的值，而能夠持續進 y 此過濾之間，將殘留於處理样内的册再者，於持績 姊而一办‘认& 日◊被處理水予以濃縮。具 …豆而「歹“於處理槽内的被處理水，大約包含_ 3〇_g/L或是更高的濃度之敦化舞。因此，藉 請案的自成膜之過濾，可將包+ 申 參縮為極高的濃度。 U於被處理水12之氣化㈣ 其次’參照第5圖來說明在盘卜、十、门 ^^ ^ ^ m ^ L /、上述不同的條件下進行 之貝你的…果。牡此的實驗條件，係於被處 .極高濃度的氣酸。具體而言，於被處理水12當中田包中含γ .I8〇〇〇mg/L的濃度的㈣。此外，被處理水】2的pH值約 為9. 9。過;慮膜的條件係與參照第4圖 於此圖所㈣表#中，嶋顯㈣處理=目同 系顯示流通量的大小’右側縱轴係顯示被處：“ … ⑧ 316974 2] 1298710 從此圖表可得知，相較於第4圖所示之實驗結果，第 5圖中的流通量係顯著的於早期即減少。具體而言，_ 刀鉍後的*通里為〇. 3mg/L，相較於上述第4圖所示之實 驗f果：為極低的值。此可視為，由於包含於被處理水12 门口此自成胰於早期即逐漸累積而阻塞之 原口因此’於進打包含極高濃度的H被處理水的情 況:，有必要於早期進行自成膜的整新（Ref resh)。在此， 所谓的自成膜的整新，异少p 正研以日攸過遽膜當中去除自成膜的一 或疋，、、邑大邛分，而形成新的自成膜之步驟。 被卢理3 ’來㈣與第5圖所示的實驗中所採用的 二處理水而進行之其他實驗的結果。在 Ρ低、圊人的巧泥回收，而抑制上述般之流通量的 Ρ牛低。圖表的各軸所示者’係與第5圖相同。 於此圓表當中，反白的箭頭係顯示進行 沾士 機、:至經過300分鐘為止，箭頭的個數相同，乃：： :二::收:二Τ而言，藉由抽取沉激於處理槽的下部： “而進仃：泥的回收。如此，藉由回收沉题於處理样 π泥，可暫時將流通量從G 5mg/L提高至 曰 象可視為，藉由污泥回收，而使包含理現 水濃度，減少自成膜的厚度，==被處理 的阻塞之原因。 而可減少些許 如從該圖式所讀取者，於分 泥回收。在此的污泥回收，不僅回收沉;殿於=次的污 之污泥，亦同時進行自成膜的剝離。具體而：，：=部 ° 攸過濾膜 1298710 的内側逆流過濾水，而剝離自成膜的全部或是一部分之 後，從處理槽當中進行污泥的回收。因此，為了再次進行 過濾，有必要進行用於生成過濾膜之再生處理。藉由此污 泥回收，流通量的值乃上升至大約3mg/L。從上述說明當 中可得知，為了長時間運轉本型態之回收褒置，從處理槽 當中回收包含自成膜之污泥乃極為重要。此外，由於在所 回收的污泥當中包含約200000mg/L之高濃度的氟化鈣，因 此具有容易再使用之優點。 〈第2實施型態〉 於本貫施型態當中’係說明從上述處理裝置Μ當中所 ^得的處理水當中，去除氮等之方法。第7圖係顯示，去 除氮之第3處理槽llc的構成之圖式。 字藉由處理衣置1 〇去除氟之後的被處理水12入 第3處理槽i1C。之後， — 之電極對施力·；此分浸入於被處理水12 以下說明去除氮的詳細情況。 的孔 组/叉體中之電極對，係由陽極20A及陰極廳所 、、又亚於對兩電極施加電壓之電源2GC。此外，亦 可設置:於控制電源2〇c之控制手 二二 内的被處理水12之搜拌手段。 歸儲# 且細而+险/或疋披後同族金屬於導電體上者。 ^ 。’陰極20B可由銅、鐵、銅、 或是銅及鎳、哎吾4疋銅及鐵、 疋銅及鋁的合金或是燒結體所構成。 316974 23 •1298710 产陽極20A可採用不溶性金屬，例如白金、姻、飽或是 其氧化物等所構叙不溶性電極，或是可採用碳。此外， 係以包圍陽極20A之方式設置遮蔽壁，而可防止從陽極2〇A 所產生的氧氣氣泡往陰極2〇β側移動。 接下來說明藉由以上構成之電極12之氮的處理方法。 於被處理水12當中浸入一對以上的陽極·及陰極 2〇Β而通電。藉此，於陰極2〇Β <則，將包含於被處理水的

續酸離子藉由還原反應而轉換為亞餐離子（反應式〇。 此外’由㈣離子㈣原反應所生成的W賴子，又藉 由运原反應，而轉換為氨（反應〇)。以下顯示反應式c 及反應式D。 反應式 C · N〇3 +H2〇+2e — Ν〇2 +20Η 反應式 D · N〇2 +5H2〇+6e-->NH3(aq) + 70ir 产另一方面，於陽極20Α側，從陽極2〇Α的表面產生活 性氧及次氯酸，藉此’藉由被處理水中之氨的脫氮反應而 •生成氮氣（反應式Ε)。此外，為了促進陽極謝之對氨的 脫氮反應，可於被處理水當中，添加氯離子、蛾離子、漠 離子等鹵素離子，以及包含這㈣素離子之化合物，例^ •氣化納及氣化鉀等。此時，添加於被處理水之氣化納的氣 .離子，例如於l〇Ppm以上40000ppm以下。藉此，例如於被 處理水中添加了氣化納的情況下’氯化納係於陽極被氧化 而生成氯（反應式F)。所生成的氯於被處理水當中，與水 反應而生成次氯酸（反應式G)。之後’所生成的次氯酸與 存在於被處理水中之氨進行反應，經過多數的化學變化之⑧ 316974 24 .1298710 :式：轉:奐:氮氣(反應㈣。以下係顯示反應式E至反 " 再者，於本型態當中，亦有被處理水當中添力女 化鈣的情況’因此於被處理水12當中 ^ ，氯離子。因此，乃具備容易進行用於從被處：斤; 田中去除氮之電場處理之優點。 反應式 E : NH3(aQ) + 3(0)—N2 丨 +3H2〇 反應式 F : NaCl—Na++Cr 反應式 G : CI2+H2O—HC10+HC1 反應式 Η ·· 2NH4+4Hc10->N2 t +4HCl+4H2〇 〜稭此，可於槽内處理被處理水中的确酸態氮，亞 態氮，氨態氮等氮化合物。 β 此外，藉由上述電場處理，亦使包含於被處理水中的 鈣成為CaC〇3，而浮出於被處理水12的表面上。之後藉由 回收所浮出的CaC〇3,而可回收殘留於被處理水12的^。 再者，亦可再使用所回收的CaC〇3。此外，亦可於此第3 處理槽當中，進行使被處理水12的pH值位於中性附近之 中和處理。 <第3實施型態> 於本型態當中，乃說明於第！實施型態當中，可適用 為浸沒於被處理水12中之過濾膜13之過濾裝置的詳細購 成。於下述型態當中，係說明採用自成膜之過濾裝置，但 是本發明亦可適用其他型態的過濾裝置。 蒼照第8圖及之後的圖式，於本型態所採用之過濾_ 3]6974 25 1298710 ::置：二利用由被去除物所形成之自成膜所形成的過濾 。° “匕入有氟化鈣之被去除物之流體 者 氟化之ί型態之_裝賴 =、，丐料成之弟2過濾層22之自成膜，係形成於有機古 /刀：之弟1過濾層21的表面上者。採用此自成膜之第2门 過爐ϋ而過濾含有被去除物之被處理水成概之弟2 田古：要是可附著於自成膜’則第1過濾層21理論上可採 用錢高分子系列及陶竟系列任一者。在此，係^用^ 由T厚度〇」_之聚埽烴〜㈣糊 第9圖⑻所示婦煙系列所組成的過遽膜的表面照片如 槿、/\外1 層21具備設置於框24的兩面之平膜 4:=直於流體之方式而予以浸入。藉由…框 24的中空部25進行吸引，藉此而濾“液27。 ‘声面’弟f過濾層22為’附著於第1過濾層21的 ’：王T、：亚錯由吸引被去除物的凝聚粒+，而達到固 》之自成膜。此自成膜亦可為凝聚為躍狀者。 戶22以去除物而形成被去除物的自成膜之第2過濾 曰去除被去除物之過遽'，係參照第8圖及第9圖 °混人有氟簡之流體（被處理水），係以微粒子 的狀怨而於被處理水12當中擴散。 W A if 9圖⑴，第1過遽層21係具備多數的過遽孔 二層狀而形成於此過滤'孔2U的開⑽

被去除物的自成膜係為第2過濾層22。於第 3]6974 26 1298710 過滤層21的表面上，存在由氟化_組成之被去除物的凝 7泳子此攻是來在子係藉由來自於泵的吸引壓力，經由第 .1過濾層21而被吸引，由於流體的水分被吸取而乾燥(脫. 水）’因此立即達到固形化而使第2過濾層22形成於第】 • 過濾層21的表面上。 由方；第2過濾層22係由被去除物的凝聚粒子所形成， ㈣Γ旦達到特定的膜厚，便利用此第2過濾層22而開始 鲁進订被去除物的凝聚粒子的過遽。因此，若一邊以果吸引 一邊持續過濾，則疊層於第2過濾層22的表面之凝聚粒子 的^成膜逐漸增厚，不久第2過濾層22即產生阻塞而無法 持、貝過濾。在這之間，被去除物的氟化鈣一邊達到固形化， 邊附著方；第2過濾層22的表面，被處理水通過第j過濾 -層2 ί，並做為過濾水而被濾出。 θ於第9圖（Α)當中，於第1過濾層21的單面上，存在 混入有被去除物之被處理水，而於第i過濾層21的相反面 春上’則生成通過第i過濾層21的過濾水。被處理水往箭頭 方向被吸引而流動，藉由此吸引，乃隨著被處理水12中的 凝聚粒子接近第1過濾層2卜而被固形化。此外，某些凝 .聚粒子結合而形成之自成膜係被吸附於第！過濾層21的表 .面上，而形成第2過遽層22。由於此第2過濾層22的作 用，使膠悲溶液中的被去除物一邊達到固形化，一邊進行 被處理水的過濾。 如此，經由第2過濾層22而緩慢吸引膠態溶液的被處 理水，從而將被處理水中的水做為過濾水而予以取出，而 316974 27 1298710 :=物=乾燥且達到固形化並疊層於第2過咖 捕集。 成版之形式而予以 ==層21係垂直而浸人於被處理水，而被處理水 :、為被去除物乃為分散的狀態。若藉由泵而經由第！過濾 ^ 2微弱的吸引壓力來吸引被處理水，則於第 声 去除物的凝聚粒子互相結合，而吸附。 心慮層21的表面上。此外，由於較過據孔 -小的凝聚粒子幻通過第1過遽層2卜因此於形成第^ - ·=冒產生問碭。於此成膜製程當中，由於係以極弱之吸引 ' ί ^吸引，因此凝聚粒子S1 —邊形成各種形狀的空隙-攻豐層，而成為膨脹澄潤度極高的自成膜之第2過滤層 被吸ί處Γ、Γ、=水係渗透此膨服達濁度極高的自成膜而 ㈣滤被處理弟1過濾層21而做為過遽水而遽出，最後 = Γ皮處理水的底部傳送空氣的氣泡Α，而 ^慮層21的表面形成與被處理水並行的流路。這 U使弟2過濾層22 一致的附著於第1過濾層21的表 二而§，係設定1. δ公升/分的空氣流量，但可依據第2 過濾層22的膜質而加以選擇。 據第 接下米於過壚製程當中，以微弱的吸引磨力，一邊吸 ㈣氣化#所組成的凝聚粒子S1於第2過濾層22的表 316974 28 ⑧ 1298710 ®田达、、友丨又豐層。此時，純水滲透過第2過濾層2 2以及 所豐層之凝聚粒子S1，並從第i過濾層21濾出做為過濾 水0 而 旦持續長時間過濾，則由於在第2過遽層22 的表面上附著較厚的自成膜’因此上述空隙不久即阻塞， 而難以濾出過濾水。因此，《了再生過濾能力，有必要去 除此疊層的自成膜。 接下來麥照第丨〇圖，來說明更具體化的過濾器裝置。 於第10圖當中’於處理槽Π的上方設置管路24來做 為被處理水供應手段。此管路24係導人混人有被去除物之 流體於處理槽11當中。在此，係將從半導體製程中所產生 之含氟酸的排水，或是辱加每於該排水當中而包含氣化舞 之排水，導入於處理槽U當中。 於儲存在處理槽u之被處理水12當中，係設置多數 個形成有第2過濾層之過濾器裝置23。於此過濾器裝置23 的下方，設置例如於管路上開孔般，或是如水族箱當中所 使用之打氣裝置般之曝氣裝置18。並以恰巧通過過濾器裝 置23的表面的方式來調整該位置。此曝氣裝置越 配置於過濾态裝置23的底部全體上，而可於過濾器裝置 2 3的全面上均勻地供應氣泡。2 5為空氣泵。 於固定於過濾器裝置23之管路25當中’流通有過濾 器裝置23所過濾後的過濾流體，並經由閥n而連接進行 吸引之磁泵（magnet pUmP)35。管路29係經由控制閥CV1， 而從磁泵35連接至閥V3及閥V4。此外，於管路25的閥 316974 29 1298710 VI之後設置第1壓力計30，而測定吸引壓力pin。再者， 於着路29的控制閥CV1之後設置第2壓力計27，並以流 量計28而控制為固定的流量。此外，來自於空氣泵25的 空氣流量係由控制閥CV2而控制。 k官路24所供應的被處理水丨2被儲存於處理槽j工， 並以過濾器裝置23進行過濾。於裝設於此過濾器裝置之第 2過濾層22的表面上，通過氣泡，並藉由氣泡的上升力及 破裂而產生並行流動，移動吸附於第2過濾層22之被去除 物，使被去除物均勻地吸附於過濾器裝置23的全面，以維 持過濾能力而不使其降低。 -在此簽照第11圖，來說明上述過濾器裝置23，具體 ；而言為浸入於處理槽η中的過濾器裝置23。 ' - 第11圖（Α)所示的符號30,為如邊框的形狀之框，係 具備支撐過遽器裝置23全體之功能。於此框30的兩面上， 貼合固定有係為第1過濾'層21之過濾膜3卜32。於以框 • 30三過遽膜31、32所包圍的内側的空間％當中，藉由吸 引6路34，而使赵由過濾膜31、32所過濾的管路液體流 之後經由密封於框3〇而裝設之管路以，而遽出過濾 • ^ °過㈣3卜32及框3G，係以被處理水不從職膜以 .外而侵入於上述空間33的方式而密封。 由於第11圖⑷的過濾膜3卜32為較薄的樹脂膜，因 二：=:吸則有可能於内側屋生翹曲而被破壞。用於 =決^料，係如圖⑻所示者。於第η圖⑻當 中，僅顯示9個空問q q ^ 。33，但貫際上則形成有更多數個。 316974 1298710 ^ 31 0. Irani B:r::分子膜。再者，如第11圖⑻所示般，較薄的過濾 φ〆成為衣狀，亚以FT來表示。於此袋狀過濾器FT當 入。。版成型有官路34之框30，並貼合上述框30及 心=;慮FT。付$虎rg為壓抵手段，係從兩側麼抵貼合 有過濾器FT的框。开日，1、占

An丄 亚且過濾器FT從壓抵手段的開口部 OP當中暴露出。 ^11目（〇係顯示，形成過渡器裝置23本身為圓筒狀 波又方、s路34的框為圓冑狀，並於側面上設置開口部 〇Ρ1^^σ,ρ 0ρ2^#]φ5 因此於開口部之間’設置用於支樓過濾膜31之支撐手段 sus。之後貼合過濾膜31於側面。 接下來，蒼照第10圖所示之機構，來具體說明實際的 過濾方法。首先經由管路24’而注入混入有含氟的被去除 物之被處理水12於處理槽u當^之後，將未形成第2 過濾層22而僅有第1過濾層21的過濾器裝置23浸沒於處 理槽11當中’並藉由泵35而經由管路25，一邊以微弱的 吸引壓力來吸引，一邊循環被處理水。循環路徑為過濾器 裝置23、管路25、閥VI、泵35、管路29、控制閥CV1、 流量計28、光感測器26、閥^3,使被處理水從處理槽“ 被吸引並再次返回處理槽丨丨。 曰 藉由循環，而於過濾器裝置23的第丨過濾層2ι上形 成第2過濾層22,並最終可捕集目的之氟化飼 / 亦即，-旦藉由…經由第丨過速層21:=。 316974 31 1298710 的吸引1力來吸引，則被去除物的粒子容易達到固形化而 吸附於第！過滤層21的表面上。於固形化的凝聚粒子當 中’較第1過濾層21的過遽孔21A還大的粒子，係田 於第1過濾層21的表面上而疊層， 之第2過濾層22。此外，即使凝聚粒子通過第丨過遽層21， 但疋隨者弟2過濾層22的成膜，被處理水中的水亦以自成 膜為流通路而被吸引’而做為純水被濾出，而進行理 水的過濾。 利用光感測器2 6監視包含於過遽水之凝聚粒子的濃 度，碟認出凝聚粒子較期望的混入率還低，而開始過渡。 於開始過遽之際，以來自於光感測器26的檢測信號而關閉 閥V3 ’亚打開閥V4，而關閉上述猶環路徑。因此，可從閥 V4濾出純水。此外’以控制閥CV2來調整經常從空氣泵託 所供應的空氣氣泡’而從曝氣裝置18供應至過 23的表面。 不且 之後若持續進行過濾，則處理槽11之被處理水中的 水，係做為純水而被濾出至處理槽U之外，因此被處理水 中的被去除物的〉辰度上升。亦即，被處理水12被濃縮而使 j度二日加。ϋ此’從管路24補充被處理水至處理槽I!， 阳抑=被處理水的濃度上升以提高過遽的效率。然而，於 =U置23的第2過遽層22的表面上附著較厚的自成 膜不久即方、第2過濾層22上產生阻塞，而變成無法進 過濾的狀態。 丁 一旦過濾器裝置23的第2過濾層22產生阻塞，則進这 316974 32 1298710 = W22的過遽能力的再生。亦 除加=過遽器農置23的負㈣㈣力e泵35而 苓如第12圓所示之模式 " 程。第12圖U)户胃1 _ 、图末更坪細敘述該再生製 的狀態。由於：二:上述過㈣程中的過滤器裝置23 力而成：二1的中空部係藉由微弱的吸引壓 相較於外側的負麗，因此，第〗過濾、層21為往内 7:的形狀。因此，吸附於該表面之第 形成為往内側凹陷的形狀 慮層22亦 99从主^ 此外綾忮吸附於第2過濾層 勺表面之自成膜亦為相同形狀。 心 然而，參照第12_)，由於於再生製程當中 此微弱的吸引壓力而幾乎 了 . t ^ 于口旬大軋壓下，因此過濾器裝置 3的弟1過濾層21回到原先的狀態。藉此 22及吸附於該表面之自成 、濾層 圾胰亦相同。結果，首先由於吸附 吴之吸引壓力消失，而使自成膜失去往過濾器裝置Μ 勺吸附力，亚且同時受到往外侧膨脹的力道。藉此 附的自成膜乃因本身的重力而開始從過濾器裝置Μ脫 離。此外，為了促進此脫離，亦可增加來自於曝氣裝置Μ 的氣泡量至大約2倍。根據實驗，從過濾器裝置23的下端 開始脫離，而使第i過濾層21的表面之第2過遽層。的 自成膜如雪崩般而脫離，並沉降於處理槽丨丨的底面。 後，第2過滤層22亦可藉由上述的循環路徑而循環被^理 水而再度成膜。於此再生製程當中，第2過濾層22回到原 先的狀態’回歸至可進行被處理水的過濾之狀態，之後再 進行被處理水的過濾。 ⑧ 316974 33 .1298710 此外，一旦於此再生製程當中逆流過濾水至中空部 25’則有助於第1過濾層21回到原先的狀態，並且加上過 應水的靜止水壓而更施加往外部膨脹之力道。再者，過濾 水從第1過濾層21的内側通過過濾孔21A，而滲透入第1 過濾層21及第2過濾層22的交界處，因而促進第2過濾 2的自成膜從笫1過〉慮層21脫離。可藉由流入暫時儲 留於第2圖或第3圖所示之儲留槽15之過濾水16於過濾 膜而進行上述逆流。 〜 、一旦如上述般一邊再生第2過濾層22 —邊持續進行過 、思則收、、内於處理槽Π之被處理水的被去除物的濃度上 升、’不久被處理水乃具有較高的黏度。因此，若被處理水 的被j除物的濃度超過特定濃度，則停止過濾作業並放置 而使"L J又如此，於處理槽j i的底部儲留有濃縮的裝液， ::收此膠體的濃縮漿液。所回收的濃縮漿液可藉由 以去除包含於其中的水分而更進一步的燁 縮。此外’亦可再使用此裝液來做為氣酸來源。土 外：:=::;:加_之，請專利範圍之 第1 ’於本型態當中，係 之上述氟化m 歲於被處理水的下部 猎匕，可以極佳的效率來回收氟 第2,於本型能者中…木收鼠化鈣。 由本發明的穿置^田表t 乱為氣酸。因此，可藉 氣酸。置或方法，來處理於半導體製程中所產生的 弟3’於本型態當中，上述的物石灰或是軸 3】6974 34 1298710 因此，可藉由組合此兩者的鈣，而更進一步的去除氟。 第4，於本型態當中，添加於收納在上述第1處理槽 之上述被處理水之上述的鈣為熟石灰，添加於收納在上述 第2處理槽之上述被處理水之上述的鈣為熟石灰及氣化 鈣。因此，可從第1處理槽當中回收高純度的氟化鈣，並 可從第2處理槽當中更進一步的去除氟。 第5，於本型態當中，上述被處理水係從加工半導體 之製程中所產生的排水。因此，藉由適用本型態，可有效 率的進行從半導體工廠所排出的排水。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示說明本發明的處理裝置之概略圖。 第2圖係顯示說明本發明的處理裝置之概略圖。 第3圖係顯示說明本發明的處理裝置之概略圖。 第4圖係顯示說明本發明的處理裝置之特性圖及 特性圖（B)。 圖 第5圖係顯示說明本發明的處理裝置的特性之特性 圖 第6圖係顯示說明本發明的處理裝置的特性之特性 f 7圖係顯示說明本發明的處理裝置之概略圖。 I置係顯示’說明適用於本發明的處理襄置之遍 相示:說明適用於本發明的物置的動' 原理<^式（«及第1過濾層的擴大圖（B)。 316974 35 1298710 式 第1 〇圖係顯示說明本發明 之具體化的過濾裝置之圖 的過濾裝置之斜視圖(A)及 第11圖係顯示說明本發明 斜視圖（B)斜視圖（C)。 第12圖係顯示說明本發明 s月的過濾裝置的再生之剖面 【主要元件符號說明】 圖（A)及剖面圖（B)。 ^ 10A 、10B、10C處理裝置 11 > 11A、11B處理槽 12 被處理水 13 過濾膜 14 沉澱物 15 儲留槽 16 過濾水 17、 17A、17B壓濾機 18 曝氣裝置 19 氣泡 • 20A 陽極 20B 陰極 20C 電源 21 第1過濾層 22 第2過濾層 23 過濾器裝置 • 24、 30框 24、 25、29、34 管路 25 中空部 25 空氣泵 26 > P泵 26 光感測器 .27 濾液 27 第2壓力計 • 28 流量計 30 第1壓力計 31、 3 2過濾膜 33 空間 35 磁果 CV1 、CV2控制閥 FT 袋狀過濾器 OP、 OP1、OP2 開口部 P1至P10路徑 Pin 吸引壓力 316974 36 1298710 RG 壓抵手段 SI 凝聚粒子 SUS 支撐手段 V卜 V3 、 V4 閥

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Claims (1)

1298710 (97年2月14日;) •、申請專利範圍·· :種^理裝置，其特徵為具備··用以儲留含氟的被處理 水之處理槽、添加㈣於上述處理槽而生成氟㈣之供應 f段、及具備含有上述氟化舞之自成膜且藉由過遽被儲 邊於上述處理槽之上述被處理水而濃縮上述被處理水 所含之上述氟化鈣之過濾器裝置； 2. 藉由使上述被處理水逆流至上述過濾器裝置而剝 離的上述自成膜係沈降於上述處理槽的底面。 種處理衣置’其特徵為具備：用以儲留含氟的被處理水 之第1處理槽、添加缺上述第！處理槽而生成氣化舞之 供應手段、從上述第i處理槽導入包含上述氟化鈣之上述 被處理水之第2處理槽、及具備含有上述貌化舞之自成膜 =猎由過濾儲留於上述第2處理槽之上述被處理水而濃 縮上㈣處理水所含之上述氟化转之過遽器裝置； 猎由'使上述被處理水逆流至上述過濾'器裝置而剝 離的上述自成膜係沈降於上述第2處理槽的底面。 3’如申请專利範圍第1或2項之處理裝置，其中，供逆流 至士述過濾器裝置的上述被處理水係為已藉由上述過 濾裔裝置過濾過的上述被處理水。 4.如f請專利範圍項之處理裝置，復具備用以錯留供 逆ML至上述過濾裔裝置的上述被處理水的儲留槽； 上述儲留槽的位置係位於被儲留在上述處理槽之 上述被處理水之液面的上方。 5.如申請專利範圍第2項之處理裝置，復具備用以儲留供 316974修正本 38 * 1298710 第94112370號專利申請案 (97年2月14曰） 逆抓至上述過濾益裝置的上述被處理水的儲留槽； 上述儲留槽的位置係位於被儲留在上述第2處理 槽之上述被處理水之液面的上方。 ·，如申請專利範圍第4_之處理裝置，其中，被儲留 ,於上述儲留槽的上述被處理水係為已藉由上述過濾器 裝置過濾過的上述被處理水。 7.如申請專利範圍第1或2項之處理裝置，其中，由上述 供應手段所供應之上述鈣係為熟石灰。 #8·如申請專利範圍第3項虚 只 < 蜓理I置，其中，由上述供應 手段所供應之上述鈣係為熟石灰。 9·如申4專利範圍第4或5項之處理裝置，其中，由上述 供應手段所供應之上述鈣係為熟石灰。 10·如申請專利範圍第6頊之#神验里 ^ ^ 岡矛〇項之處理裝置，其中，由上述供應 手段所供應之上述鈣係為熟石灰。 11· 一種被處理水的處理方法，其特徵為： ， ^含氟的被處理水中添加鈣而生成氟化鈣；及 藉由具備含有上述氟化約之自成膜的過濾哭束置 來過濾、上㈣處理水，藉此濃縮被儲留在處理y/上. 被處理水所含之上述氟化鈣； 藉由使上述被處财逆流至上述㈣器裝置而剝 邊的上述自成膜係沈降於上述處理槽的底面。 12.—種被處理水的處理方法，其特徵為： 生成氟化鈣，· . .. ^加鈣而 316974修正本 39 第94112370號專利申請案 (97年2月14曰） »1298710 將包含上述氟化鈣之上述被處理水導入至第2處 理槽；及 藉由具備含有上述氟化鈣之自成膜的過濾器裝置 ^過遽被儲留於上述第2處理槽之上述被處理水，藉此 浪縮上述被處理水所含之上述氟化鈣，· ★猎由使上述被處理水逆流至上述過濾器裝置而剝 離的上述自成膜係沈降於上述第2處理槽的底面。 ❿ 13·—種被處理水的處理方法，其特徵為·· 將含氟的被處理水儲留於第！處理槽，· 藉由添加缺上述们處理槽而生成由上述氟的 至少一部分及上述鈣所組成之氟化鈣； 將包含上述氟_之上述被處理水導人至第 丈里稽， 馨 ^由添加转於上述第2處理槽而生成由殘留於上 ^处理水之上職及上賴所組成之氟化 八於上述第2處理槽之上述被處理水一部 刀回达至上述第丨處理槽；及 ^具備含有上述氟倾之自成膜的過置 將包含於上述被處理水之上述氟化每濃縮..日 .藉由使上述被處理水逆流至上述過^4 4 / 上述自成關沈降於上述第2處理而剝 14 ·如申★杳直4,1 # m μ h的底面。 甲明專利軛圍第心、第12 的處理方法，其中，係將上_ 昂13項之被處理水 ，'、W氟化鈣再利用為氟的來源。 316974修正本 40