TW201807239A - 複合退火以及選擇性沈積製程 - Google Patents
複合退火以及選擇性沈積製程 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201807239A TW201807239A TW106112725A TW106112725A TW201807239A TW 201807239 A TW201807239 A TW 201807239A TW 106112725 A TW106112725 A TW 106112725A TW 106112725 A TW106112725 A TW 106112725A TW 201807239 A TW201807239 A TW 201807239A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- film
- precursor
- selectively forming
- substrate
- reaction chamber
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- H10P76/4088—
-
- H10D64/01304—
-
- H10P14/61—
-
- H10P14/6339—
-
- H10P14/668—
-
- H10P14/683—
-
- H10P14/69391—
-
- H10P76/204—
-
- H10P76/405—
-
- H10P76/4083—
-
- H10P76/4085—
-
- H10P95/90—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
揭露一種使用退火步驟及沈積步驟來形成膜的方法。所述方法包括用於在聚合物內誘發自組裝或對齊的退火步驟。所述方法亦包括選擇性沈積步驟以在聚合物上達成選擇性沈積。
Description
本發明大體而言是有關於用於製造電子裝置的製程及系統。更具體而言，本發明是有關於膜的選擇性沈積。詳細而言，本發明可揭露選擇性地形成膜的方法及系統，所述選擇性地形成膜的方法及系統使用定向自組裝（directed self-assembly，DSA）圖案化技術。
隨著發展趨勢已推動半導體元件的大小變得越來越小，且已出現了不同的圖案化技術。該些技術包括間隔壁界定四重圖案化（spacer defined quadruple patterning）、極紫外光微影（extreme ultraviolet lithography，EUV）、及結合間隔壁界定雙重圖案化（Spacer Defined Double patterning）的極紫外光微影。該些方式已使得能夠生產出介於7奈米（nm）範圍內的節點。
定向自組裝（directed self-assembly，DSA）已被視為一種針對未來微影應用的選擇方案。定向自組裝涉及使用嵌段共聚物（block copolymer）界定圖案以達成自組裝。所使用的嵌段共聚物可包括聚(甲基丙烯酸甲酯)（poly(methyl methacrylate)，PMMA）、聚苯乙烯（polystyrene，PS）、或聚(苯乙烯-嵌段-甲基丙烯酸甲酯)（poly(styrene-block-methyl methacrylate)，PS-b-PMMA）。其他嵌段共聚物可包括新興的「high-Chi」聚合物，其可潛在地達成小的尺寸。
定向自組裝可用於形成具有非常小的節距及臨界尺寸（critical dimension，CD）的平行線或規律的孔/柱/桿陣列。具體而言，定向自組裝可在利用表面地形學（surface topography）及/或表面化學圖案化（surface chemical patterning）進行引導的同時藉由自組裝來界定亞20奈米圖案。因此，可以前驅物對定向自組裝聚合物層進行滲透，或者可在定向自組裝層的聚合物中的一者上選擇性地沈積膜。
然而，定向自組裝技術具有若干缺點。具體而言，定向自組裝聚合物（例如，PMMA或聚苯乙烯）具有低耐蝕刻性（etch resistance）。此使得更難以將圖案轉送至位於下方的層。由於使半導體裝置的大小進一步按比例縮小所需的高級聚合物具有更低的耐蝕刻性及蝕刻選擇性，因此低耐蝕刻性這一問題變得愈發嚴峻。另外，定向自組裝可能在所得圖案中造成高的線邊緣粗糙度（line edge roughness）。另一缺點是平行線或孔陣列的所得結構可能在任意位置處具有某些缺陷。
因此，需要一種用於選擇性地形成具有較高耐蝕刻性及蝕刻選擇性的膜的方法。
根據本發明的至少一個實施例，揭露一種選擇性地形成膜的方法。所述方法包括：在反應室中提供供處理的基底，所述基底具有設置於所述基底上的至少一個聚合物層；對所述基底執行退火步驟；以及藉由將第一前驅物及第二前驅物依序脈衝至所述基底上來執行膜沈積，所述膜沈積用以達成至少所述第一前驅物向所述至少一個聚合物層中的滲透，其中自所述反應室吹洗所述第一前驅物的及所述第二前驅物的過量部分；其中於所述至少一個聚合物上，由所述第一前驅物形成膜。
根據本發明的至少一個實施例，揭露一種用於選擇性地形成膜的方法。所述方法可包括：在反應室中提供供處理的基底，所述基底具有設置於所述基底上的至少一個聚合物層；藉由將第一前驅物及第二前驅物依序脈衝至所述基底上來執行膜沈積，所述膜沈積用以達成至少所述第一前驅物向所述至少一個聚合物層中的滲透，其中自所述反應室吹洗所述第一前驅物的及所述第二前驅物的過量部分；以及對所述基底執行退火步驟；其中於所述至少一個聚合物上，由所述第一前驅物形成膜。
為了總結本發明及藉由先前技術而達成的優點，以上在本文中闡述了本發明的某些目標及優點。當然，應理解，未必根據本發明的任一特定實施例均可達成所有這些目標及優點。因此，舉例而言，熟習此項技術者將認識到本發明可以如下方式實施或施行：所述方式會使得達成或優化本文中所教示或提出的一個優點或一組優點，但未必會達成本文中所可能教示或提出的其他目標或優點。
所有該些實施例皆旨在落於本文所揭露本發明的範圍內。藉由參照附圖閱讀對某些實施例的以下詳細說明，對於熟習此項技術者而言該些及其他實施例將變得顯而易見，本發明不僅限於所揭露的任意一或多個特定實施例。
儘管以下揭露某些實施例及實例，然而，熟習此項技術者應理解，本發明會擴展超出所具體揭露的實施例及/或本發明的用途以及其明顯潤飾及等效形式。因此，旨在使所揭露本發明的範圍不應受限於以下所述特定所揭露實施例。
根據本發明的實施例是有關於定向自組裝技術與選擇性沈積的組合。此種組合可顯著提高聚合物的耐蝕刻性。選擇性沈積使特定聚合物能夠與前驅物氣體進行反應，而使其他聚合物不被接觸。
將選擇性沈積與定向自組裝圖案化加以組合可提供在先前方式（例如，在美國專利公開案第US 2014/0273514 Al號中闡述的方式）中前所未見的益處。舉例而言，在90℃下選擇性地沈積氧化鋁（Al2
O3
）可使得能夠與PMMA聚合物進行反應，而使聚苯乙烯聚合物不被接觸。氧化鋁將不僅沈積於PMMA聚合物的頂上，而且可被灌注至PMMA聚合物中以提高PMMA聚合物的剛性（rigidity）。
圖1說明根據本發明的至少一個實施例的方法100。方法100包括第一步驟110，第一步驟110在處理室中提供具有多個聚合物的晶圓。如上所述，所述晶圓可具有至少第一定向自組裝聚合物及第二定向自組裝聚合物，其中第一定向自組裝聚合物及第二定向自組裝聚合物可由PMMA、聚苯乙烯（PS）、及其他聚合物製成。處理室可為批量反應器（batch reactor）或具有兩個批量反應器的集群工具（cluster tool）。潛在處理室的一個實例可包括來自ASM國際公眾有限公司（ASM International N.V.）的A412系統，其可在兩個反應室中運行相同的製程或者獨立地或依序地運行兩個不同的製程。
方法100可包括第二步驟120，第二步驟120對定向自組裝聚合物執行自組裝退火（self-assembly anneal）。退火製程的目的是在定向自組裝聚合物或嵌段共聚物中引起自組裝或自組織（self-organization）。換言之，可隨著藉由基底上的引導結構進行定向來形成聚合物中的平行線或孔/柱/桿的柵格（grid）。根據本發明的至少一個實施例，此可意指可以交替的方式形成PMMA域（domain）及PS域。藉由自組裝退火而達成的益處可包括自組裝製程的改善、缺陷的減少、線寬粗糙度的提高、及臨界尺寸（CD）均勻性的提高。作為另一選擇，第二步驟120的退火可用於自聚合物脫去水分或其他污染物、使聚合物硬化、或自基底表面選擇性地燒掉各聚合物類型中的一種。
為了在所得圖案中達成低缺陷密度（defect density），例如退火製程的時間、溫度、及周圍條件及壓力等的製程參數是至關重要的。獲得低缺陷密度可需要長的退火時間。退火可在範圍介於100℃與400℃之間、較佳地介於200℃與300℃之間、且最佳地為250℃的溫度下進行約60分鐘。根據所需的退火量，可存在其他溫度及持續時間。然而，自組裝退火的溫度不應升高到過高，不然聚合物可能會開始分解。
在其中進行退火的周圍環境可包括氮氣、氬氣、氦氣、氫氣、氧氣、臭氧、水蒸氣、溶劑蒸氣（solvent vapor）、或該些氣體的混合物。退火周圍環境的壓力可為介於極高真空（ultra-high vacuum）至大氣壓範圍內的任意壓力或甚至高於大氣壓。
根據本發明的一個實施例，可在單一晶圓熱板（wafer hot plate）上進行退火製程。根據本發明的另一實施例，批量反應器可證實為有益於達成需要長退火時間的製程。批量反應器可容納介於2個與250個之間的基底、較佳地容納介於5個與150個之間的基底、或最佳地容納約100個基底。舉例而言，可以使得可對退火製程使用一個反應器的方式來操作A412。此可使得能夠以成本有效的方式執行大約1至2小時的長時間退火。
方法100亦可包括第三步驟130，第三步驟130執行在第一定向自組裝聚合物或第二定向自組裝聚合物頂上選擇性地沈積金屬或者介電質膜或材料的選擇性沈積。如此一來，可以使得所沈積膜可選擇性地與兩個聚合物中的僅一者進行反應的方式進行選擇性沈積。舉例而言，可以使得所沈積膜可與PMMA聚合物而非PS聚合物進行反應的方式進行選擇性沈積。根據本發明的至少一個實施例，第三步驟130可包括金屬或介電質膜的原子層沈積（atomic layer deposition）。
此外，可以進行所述選擇性沈積，以使得所經沈積的金屬或介電質膜可滲透聚合物、同時亦在聚合物域的整個體積上沈積第二膜。根據本發明的至少一個實施例，第三步驟130可在A412系統的一個反應器中進行，使得第二步驟120在A412系統的另一反應器中進行。第二步驟120與第三步驟130亦可在A412系統的一個單一反應器中進行。
在第三步驟130中沈積的金屬或介電質可包括氧化鋁（Al2
O3
）、二氧化矽（SiO2
）、氮化矽（SiN）、碳氧化矽（SiOC）、碳氮化矽（SiCN）、氮化鋁（AlN）、氮化鈦（TiN）、氮化鉭（TaN）、鎢（W）、鈷（Co）、二氧化鈦（TiO2
）、氧化鉭（Ta2
O5
）、二氧化鋯（ZrO2
）、或二氧化鉿（HfO2
）。為了執行選擇性沈積，可使用用以獲得所述金屬的前驅物（例如三甲基鋁（trimethylaluminum，TMA）及水（H2
O））來形成Al2
O3
。
第三步驟130中的選擇性沈積可在範圍介於25℃與300℃之間的溫度（其中較佳溫度範圍為70℃至90℃）下進行，以形成Al2
O3
。在第三步驟130期間的溫度可小於在第二步驟120期間的溫度，因此可需要冷卻步驟以將為250℃的示例性退火溫度降低至為70℃的第三步驟130溫度。根據本發明的至少一個實施例，第二步驟120的溫度較第三步驟130的溫度高至少25℃，較佳地較第三步驟130的溫度高25℃至300℃之間、或更佳地較第三步驟130的溫度高100℃至250℃之間。
第三步驟130可包括對第一前驅物（例如，TMA）進行持續時間介於30秒至10分鐘範圍內的第一脈衝。第三步驟130亦可接著包括進行持續時間介於10至60秒範圍內的吹洗。第三步驟130可接著包括對第二前驅物（例如，水）進行持續時間介於10至60秒範圍內的脈衝。第三步驟130可接著包括持續時間介於10秒至2分鐘範圍內的第二吹洗。另外，可視需要重複進行第三步驟130，以達成對金屬的充分沈積。
根據本發明的至少一個實施例，為膜沈積的第三步驟130可在為退火的第二步驟120之前進行。在此種情形中，金屬或介電質膜可首先滲透聚合物，且接著可進行退火製程。作為退火製程的結果，可在第二步驟120中燒掉在第三步驟130期間未與金屬或介電質膜反應的聚合物。
方法100亦可包括第四步驟140，第四步驟140對前驅物進行吹洗。第四步驟140可涉及引入吹洗氣體，例如氮氣、氦氣、氬氣、及其他惰性氣體。吹洗氣體將自處理室移除來自第四步驟140的過量前驅物。第四步驟140可在與第三步驟130的溫度相似的溫度下進行。
根據本發明的至少一個實施例，可在必要時重複進行第三步驟130以使得前驅物能夠向定向自組裝聚合物中滲透。可將所述循環重複近似5次，以確保定向自組裝聚合物中具有足量的金屬或介電質膜。在每一循環中，第三步驟130的持續時間可為大約幾分鐘。利用該些持續時間，批量反應器可用於藉由一次處理多達100個或以上的晶圓來達成高生產率及低處理成本。
根據本發明的至少一個實施例，可以使得可以脈衝-吹洗-脈衝-吹洗的方式重複進行第三步驟130的方式來操作方法100。可將該些步驟的條件設定為較高壓力及較長時間，以使得前驅物能夠滲透聚合物。以此種方式進行的單一循環的持續時間的範圍介於1分鐘與20分鐘之間。可將所述循環重複進行若干次（通常為五次），以達成材料在聚合物內的充分沈積。由於聚合物內的材料的滲透可能耗費較長的時間量，因此複合退火及沈積製程提供了以批量方式執行各步驟的機會。
複合退火及選擇性沈積製程的使用的潛在應用可為用於極紫外光（extreme ultraviolet，EUV）光阻。用於極紫外光應用的退火可能無法用於聚合物的自組裝，但可用於進行固化或穩定。舉例而言，根據本發明至少一個實施例的複合退火及選擇性沈積製程可幫助達成依續滲透合成（sequential infiltration synthesis，SIS）步驟，乃因所述製程能潛在地防止羧基轉化、或者能自聚合物膜脫去水分或對光阻進行穩定化或硬化。
示出及闡述特定實施方案是用以說明本發明及其最佳方式，而絕非旨在以另一方式限制各態樣及實施方案的範圍。事實上，為簡明起見，可能未詳細闡述所述系統的傳統製造、連接、準備、及其他功能性態樣。此外，各種圖中所示的連接線旨在代表各種元件之間的示例性功能性關係及/或實體耦合。在實際系統中可存在諸多替代性或附加功能性關係或者實體連接，及/或在某些實施例中可不存在所述替代性或附加功能性關係或者實體連接。
應理解，本文所述配置及/或方式本質上是示例性的，且該些具體實施例或實例不應被視為具有限制意義，乃因可存在眾多變型。本文所述具體例程或方法可代表任意數目的處理策略中的一或多者。因此，可以所示順序、以其他順序執行所示各種動作，或在某些情形中省略各所示動作。
本發明的主題包括本文所揭露的各種製程、系統、及配置與其他特徵、功能、動作、及/或性質的所有新穎及非顯而易見的組合及子組合、以及其任意及所有等效形式。
100‧‧‧方法
110‧‧‧第一步驟
120‧‧‧第二步驟
130‧‧‧第三步驟
140‧‧‧第四步驟
110‧‧‧第一步驟
120‧‧‧第二步驟
130‧‧‧第三步驟
140‧‧‧第四步驟
以下參照某些實施例的圖式來闡述本文所揭露本發明的該些及其他特徵、態樣、及優點，所述圖式旨在說明而非限制本發明。 圖1是根據本發明的至少一個實施例的方法的流程圖。 應理解，圖中的元件是出於簡潔及清晰的目的而示出且未必是按比例繪製。舉例而言，圖中的某些元件的尺寸可相對於其他元件而言被誇大以幫助增強對本發明的所示實施例的理解。
Claims (27)
- 一種選擇性地形成膜的方法，包括： 在反應室中提供供處理的基底，所述基底具有設置於所述基底上的至少一個聚合物層； 對所述基底執行退火步驟；以及 藉由將第一前驅物及第二前驅物依序脈衝至所述基底上來執行膜沈積，所述膜沈積用以達成至少所述第一前驅物向所述至少一個聚合物層中的滲透，其中自所述反應室吹洗所述第一前驅物的及所述第二前驅物的過量部分； 其中，於所述至少一個聚合物上，由所述第一前驅物形成膜。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中於所述至少一個聚合物內，由滲透所述至少一個聚合物的所述第一前驅物形成膜。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述膜包含以下中的至少一者：氧化鋁（Al2 O3 ）、二氧化矽（SiO2 ）、氮化矽（SiN）、氮氧化矽（SiON）、碳氮化矽（SiCN）、氮化鋁（AlN）、氮化鈦（TiN）、氮化鉭（TaN）、鎢（W）、鈷（Co）、二氧化鈦（TiO2 ）、氧化鉭（Ta2 O5 ）、二氧化鋯（ZrO2 ）、或二氧化鉿（HfO2 ）。
- 如申請專利範圍第2項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述膜包含以下中的至少一者：氧化鋁（Al2 O3 ）、二氧化矽（SiO2 ）、氮化矽（SiN）、氮氧化矽（SiON）、碳氮化矽（SiCN）、氮化鋁（AlN）、氮化鈦（TiN）、氮化鉭（TaN）、鎢（W）、鈷（Co）、二氧化鈦（TiO2 ）、氧化鉭（Ta2 O5 ）、二氧化鋯（ZrO2 ）、或二氧化鉿（HfO2 ）。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中在所述退火步驟的期間，所述反應室的溫度的範圍介於100℃與400℃之間、較佳地介於200℃與300℃之間、或更佳地為約250℃。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中在所述膜沈積的期間，所述反應室的溫度的範圍介於25℃與300℃之間、較佳地介於70℃與90℃之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述至少一個聚合物包含以下中的至少一者： 聚(甲基丙烯酸甲酯)（PMMA）、聚苯乙烯、聚(苯乙烯-嵌段-甲基丙烯酸甲酯)（PS-b-PMMA）、或極紫外光光阻。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述基底包含第二聚合物。
- 如申請專利範圍第8項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述第二聚合物包括以下中的至少一者： 聚(甲基丙烯酸甲酯)（PMMA）、聚苯乙烯、聚(苯乙烯-嵌段-甲基丙烯酸甲酯)（PS-b-PMMA）、或極紫外光光阻。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中吹洗所述第一前驅物的所述過量部分包括使用以下中的至少一者來吹洗所述反應室：氮氣（N2 ）、氬氣（Ar）、氦氣（He）、或惰性氣體。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中執行所述膜沈積的步驟是重複地進行以形成具有所期望厚度的所述膜。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述執行所述膜沈積是重複地進行以形成具有所期望厚度的所述膜。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述膜沈積包括： 將所述第一前驅物脈衝至所述基底上； 自所述反應室吹洗所述第一前驅物； 將所述第二前驅物脈衝至所述基底上；以及 自所述反應室吹洗所述第二前驅物。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述退火步驟與所述膜沈積是在單一反應室內進行。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述退火步驟與所述膜沈積是在位於同一集群工具上的不同反應室內進行。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述反應室是用於處理基底的批量系統。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述反應室用以處理多個基底。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述退火步驟用以在所述至少一個聚合物層內誘發自組裝。
- 如申請專利範圍第1項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述退火步驟的溫度較所述膜沈積的溫度高至少25℃、較佳地較所述膜沈積的所述溫度高25℃至300℃、或者更佳地較所述膜沈積的所述溫度高100℃至250℃。
- 一種選擇性地形成膜的方法，包括： 在反應室中提供供處理的基底，所述基底具有設置於所述基底上的至少一個聚合物層； 藉由將第一前驅物及第二前驅物依序脈衝至所述基底上來執行膜沈積，所述膜沈積用以達成至少所述第一前驅物向所述至少一個聚合物層中的滲透，其中自所述反應室吹洗所述第一前驅物的及所述第二前驅物的過量部分；以及 對所述基底執行退火步驟； 其中於所述至少一個聚合物上，由所述第一前驅物形成膜。
- 如申請專利範圍第20項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述膜沈積包括： 將所述第一前驅物脈衝至所述基底上； 自所述反應室吹洗所述第一前驅物； 將所述第二前驅物脈衝至所述基底上；以及 自所述反應室吹洗所述第二前驅物。
- 如申請專利範圍第20項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述退火步驟與所述膜沈積是在單一反應室內進行。
- 如申請專利範圍第20項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述退火步驟與所述膜沈積是在位於同一集群工具上的不同反應室內進行。
- 如申請專利範圍第20項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述反應室是用於處理基底的批量系統。
- 如申請專利範圍第20項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述反應室用以處理多個基底。
- 如申請專利範圍第20項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述退火步驟用以在所述至少一個聚合物層內誘發自組裝。
- 如申請專利範圍第20項所述的選擇性地形成膜的方法，其中所述退火步驟的溫度較所述膜沈積的溫度高至少25℃、較佳地較所述膜沈積的所述溫度高25℃至300℃、或者更佳地較所述膜沈積的所述溫度高100℃至250℃。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/132,091 US10204782B2 (en) | 2016-04-18 | 2016-04-18 | Combined anneal and selective deposition process |
| US15/132,091 | 2016-04-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201807239A true TW201807239A (zh) | 2018-03-01 |
| TWI707971B TWI707971B (zh) | 2020-10-21 |
Family
ID=60038354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106112725A TWI707971B (zh) | 2016-04-18 | 2017-04-17 | 複合退火以及選擇性沈積製程 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10204782B2 (zh) |
| KR (1) | KR102148366B1 (zh) |
| CN (2) | CN121065438A (zh) |
| TW (1) | TWI707971B (zh) |
| WO (1) | WO2017184358A1 (zh) |
Families Citing this family (314)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9112003B2 (en) | 2011-12-09 | 2015-08-18 | Asm International N.V. | Selective formation of metallic films on metallic surfaces |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| TWI686499B (zh) | 2014-02-04 | 2020-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 金屬、金屬氧化物與介電質的選擇性沉積 |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10047435B2 (en) | 2014-04-16 | 2018-08-14 | Asm Ip Holding B.V. | Dual selective deposition |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9490145B2 (en) | 2015-02-23 | 2016-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Removal of surface passivation |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10428421B2 (en) | 2015-08-03 | 2019-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces |
| US10121699B2 (en) | 2015-08-05 | 2018-11-06 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material |
| US10566185B2 (en) | 2015-08-05 | 2020-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material |
| US10814349B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
| US10695794B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-06-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
| US10343186B2 (en) | 2015-10-09 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US20170298503A1 (en) * | 2016-04-18 | 2017-10-19 | Asm Ip Holding B.V. | Combined anneal and selective deposition systems |
| KR102182550B1 (ko) | 2016-04-18 | 2020-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 유도된 자기-조립층을 기판 상에 형성하는 방법 |
| US10204782B2 (en) | 2016-04-18 | 2019-02-12 | Imec Vzw | Combined anneal and selective deposition process |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11081342B2 (en) | 2016-05-05 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition using hydrophobic precursors |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10373820B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
| US10453701B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
| US9803277B1 (en) | 2016-06-08 | 2017-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Reaction chamber passivation and selective deposition of metallic films |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| WO2018009363A1 (en) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | University Of Massachusetts | Patterning of nanostructures using imprint lithography |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10510538B2 (en) * | 2016-11-29 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reducing EUV-induced material property changes |
| US11430656B2 (en) | 2016-11-29 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of oxide thin films |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN108227412A (zh) * | 2016-12-15 | 2018-06-29 | Imec 非营利协会 | 光刻掩模层 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US11094535B2 (en) | 2017-02-14 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective passivation and selective deposition |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11501965B2 (en) | 2017-05-05 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of metal oxide thin films |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11170993B2 (en) | 2017-05-16 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Selective PEALD of oxide on dielectric |
| CN108946656A (zh) * | 2017-05-25 | 2018-12-07 | 联华电子股份有限公司 | 半导体制作工艺 |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10900120B2 (en) | 2017-07-14 | 2021-01-26 | Asm Ip Holding B.V. | Passivation against vapor deposition |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
| TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI852426B (zh) | 2018-01-19 | 2024-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沈積方法 |
| WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| JP7060840B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2022-04-27 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド及びインプリント方法 |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP7146690B2 (ja) | 2018-05-02 | 2022-10-04 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 堆積および除去を使用した選択的層形成 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
| JP7674105B2 (ja) | 2018-06-27 | 2025-05-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| JP2020056104A (ja) | 2018-10-02 | 2020-04-09 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 選択的パッシベーションおよび選択的堆積 |
| US12482648B2 (en) | 2018-10-02 | 2025-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Selective passivation and selective deposition |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| JP7603377B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-12-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11965238B2 (en) | 2019-04-12 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of metal oxides on metal surfaces |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR102869364B1 (ko) | 2019-05-07 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
| US12252785B2 (en) | 2019-06-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for cleaning quartz epitaxial chambers |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR102911421B1 (ko) | 2019-07-03 | 2026-01-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR102895115B1 (ko) | 2019-07-16 | 2025-12-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| KR102903090B1 (ko) | 2019-07-19 | 2025-12-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| CN112309843B (zh) | 2019-07-29 | 2026-01-23 | Asmip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| CN112342526A (zh) | 2019-08-09 | 2021-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR102868968B1 (ko) | 2019-09-03 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치 |
| KR102806450B1 (ko) | 2019-09-04 | 2025-05-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR102879443B1 (ko) | 2019-10-10 | 2025-11-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11139163B2 (en) | 2019-10-31 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of SiOC thin films |
| KR102890638B1 (ko) | 2019-11-05 | 2025-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112885693B (zh) | 2019-11-29 | 2025-06-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN120998766A (zh) | 2019-11-29 | 2025-11-21 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| TWI887322B (zh) | 2020-01-06 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
| TWI901623B (zh) | 2020-01-06 | 2025-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TW202513845A (zh) | 2020-02-03 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置結構及其形成方法 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| JP7353200B2 (ja) * | 2020-02-06 | 2023-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR20210103953A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| CN113257655A (zh) | 2020-02-13 | 2021-08-13 | Asm Ip私人控股有限公司 | 包括光接收装置的基板处理设备和光接收装置的校准方法 |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TWI895326B (zh) | 2020-02-28 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| TW202139347A (zh) | 2020-03-04 | 2021-10-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 反應器系統、對準夾具、及對準方法 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| TWI862807B (zh) | 2020-03-30 | 2024-11-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 相對於金屬表面在介電表面上之氧化矽的選擇性沉積 |
| TWI865747B (zh) | 2020-03-30 | 2024-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 在兩不同表面上同時選擇性沉積兩不同材料 |
| TW202140832A (zh) | 2020-03-30 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽在金屬表面上之選擇性沉積 |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR102901748B1 (ko) | 2020-04-21 | 2025-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 방법 |
| TW202208671A (zh) | 2020-04-24 | 2022-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法 |
| TWI887400B (zh) | 2020-04-24 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於穩定釩化合物之方法及設備 |
| KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| JP7726664B2 (ja) | 2020-05-04 | 2025-08-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
| JP7736446B2 (ja) | 2020-05-07 | 2025-09-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同調回路を備える反応器システム |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| KR102905441B1 (ko) | 2020-05-19 | 2025-12-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| TW202212650A (zh) | 2020-05-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| KR20210156219A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| CN113838794B (zh) | 2020-06-24 | 2024-09-27 | Asmip私人控股有限公司 | 用于形成设置有硅的层的方法 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TWI896694B (zh) | 2020-07-01 | 2025-09-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積方法、半導體結構、及沉積系統 |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
| KR20220020210A (ko) | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법 |
| TWI893183B (zh) | 2020-08-14 | 2025-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理方法 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220026500A (ko) | 2020-08-25 | 2022-03-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면을 세정하는 방법 |
| KR102855073B1 (ko) | 2020-08-26 | 2025-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20220027772A (ko) | 2020-08-27 | 2022-03-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20220033997A (ko) | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| TW202233884A (zh) | 2020-12-14 | 2022-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成臨限電壓控制用之結構的方法 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
Family Cites Families (176)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4948755A (en) | 1987-10-08 | 1990-08-14 | Standard Microsystems Corporation | Method of manufacturing self-aligned conformal metallization of semiconductor wafer by selective metal deposition |
| US4863879A (en) | 1987-12-16 | 1989-09-05 | Ford Microelectronics, Inc. | Method of manufacturing self-aligned GaAs MESFET |
| JPH0485024A (ja) | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 銅張積層板の製造法 |
| DE4115872A1 (de) | 1991-05-15 | 1992-11-19 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung duenner polyimidschutzschichten auf keramischen supraleitern oder hochtemperatursupraleitern |
| US5447887A (en) | 1994-04-01 | 1995-09-05 | Motorola, Inc. | Method for capping copper in semiconductor devices |
| US6251758B1 (en) | 1994-11-14 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Construction of a film on a semiconductor wafer |
| US5633036A (en) | 1995-04-21 | 1997-05-27 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Selective low temperature chemical vapor deposition of titanium disilicide onto silicon regions |
| US5925494A (en) | 1996-02-16 | 1999-07-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Vapor deposition of polymer films for photolithography |
| US6342277B1 (en) | 1996-08-16 | 2002-01-29 | Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. | Sequential chemical vapor deposition |
| US5939334A (en) | 1997-05-22 | 1999-08-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System and method of selectively cleaning copper substrate surfaces, in-situ, to remove copper oxides |
| US5869135A (en) | 1997-10-03 | 1999-02-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Selective chemical vapor deposition of polymers |
| US20060219157A1 (en) | 2001-06-28 | 2006-10-05 | Antti Rahtu | Oxide films containing titanium |
| US6958174B1 (en) | 1999-03-15 | 2005-10-25 | Regents Of The University Of Colorado | Solid material comprising a thin metal film on its surface and methods for producing the same |
| KR20010001072A (ko) | 1999-06-01 | 2001-01-05 | 부원영 | 네트웍을 이용한 온라인 축구 게임 및 그 방법 |
| US6046108A (en) | 1999-06-25 | 2000-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for selective growth of Cu3 Ge or Cu5 Si for passivation of damascene copper structures and device manufactured thereby |
| KR20010010172A (ko) | 1999-07-16 | 2001-02-05 | 윤종용 | 베리어 메탈막을 캐핑막으로 구비하는 도전패턴 형성방법 |
| US6319635B1 (en) | 1999-12-06 | 2001-11-20 | The Regents Of The University Of California | Mitigation of substrate defects in reticles using multilayer buffer layers |
| US6503330B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-01-07 | Genus, Inc. | Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition |
| FI117979B (fi) | 2000-04-14 | 2007-05-15 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
| US7494927B2 (en) | 2000-05-15 | 2009-02-24 | Asm International N.V. | Method of growing electrical conductors |
| US6679951B2 (en) | 2000-05-15 | 2004-01-20 | Asm Intenational N.V. | Metal anneal with oxidation prevention |
| US6878628B2 (en) | 2000-05-15 | 2005-04-12 | Asm International Nv | In situ reduction of copper oxide prior to silicon carbide deposition |
| US6759325B2 (en) | 2000-05-15 | 2004-07-06 | Asm Microchemistry Oy | Sealing porous structures |
| JP5173101B2 (ja) | 2000-05-15 | 2013-03-27 | エイエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． | 集積回路の製造方法 |
| US7964505B2 (en) | 2005-01-19 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tungsten materials |
| US7294563B2 (en) | 2000-08-10 | 2007-11-13 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process |
| US7030551B2 (en) | 2000-08-10 | 2006-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Area sensor and display apparatus provided with an area sensor |
| JP4095763B2 (ja) | 2000-09-06 | 2008-06-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置及びその製造方法 |
| AU2002225761A1 (en) | 2000-11-30 | 2002-06-11 | Asm America, Inc. | Thin films for magnetic devices |
| US6949450B2 (en) | 2000-12-06 | 2005-09-27 | Novellus Systems, Inc. | Method for integrated in-situ cleaning and subsequent atomic layer deposition within a single processing chamber |
| US7192827B2 (en) | 2001-01-05 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitor structures |
| US6613656B2 (en) | 2001-02-13 | 2003-09-02 | Micron Technology, Inc. | Sequential pulse deposition |
| US8110489B2 (en) | 2001-07-25 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Process for forming cobalt-containing materials |
| JP4921652B2 (ja) | 2001-08-03 | 2012-04-25 | エイエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． | イットリウム酸化物およびランタン酸化物薄膜を堆積する方法 |
| JP2003109941A (ja) | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Canon Inc | プラズマ処理装置および表面処理方法 |
| US6809026B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-10-26 | Applied Materials, Inc. | Selective deposition of a barrier layer on a metal film |
| US20030192090P1 (en) | 2002-04-03 | 2003-10-09 | Meilland Alain A. | Hybrid tea rose plant named 'Meibderos' |
| US6586330B1 (en) | 2002-05-07 | 2003-07-01 | Tokyo Electron Limited | Method for depositing conformal nitrified tantalum silicide films by thermal CVD |
| CN102344460B (zh) | 2002-11-15 | 2014-05-28 | 哈佛学院院长等 | 使用脒基金属的原子层沉积 |
| KR20040056026A (ko) | 2002-12-23 | 2004-06-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 구리 배선의 캐핑층 형성 방법 |
| US7115528B2 (en) | 2003-04-29 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Systems and method for forming silicon oxide layers |
| US6844258B1 (en) | 2003-05-09 | 2005-01-18 | Novellus Systems, Inc. | Selective refractory metal and nitride capping |
| KR101090895B1 (ko) | 2003-05-09 | 2011-12-08 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 화학적 비활성화를 통한 반응기 표면의 패시베이션 |
| US7914847B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-03-29 | Asm America, Inc. | Reactor surface passivation through chemical deactivation |
| US6811448B1 (en) | 2003-07-15 | 2004-11-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Pre-cleaning for silicidation in an SMOS process |
| US7067407B2 (en) | 2003-08-04 | 2006-06-27 | Asm International, N.V. | Method of growing electrical conductors |
| US7323411B1 (en) | 2003-09-26 | 2008-01-29 | Cypress Semiconductor Corporation | Method of selective tungsten deposition on a silicon surface |
| US7375033B2 (en) | 2003-11-14 | 2008-05-20 | Micron Technology, Inc. | Multi-layer interconnect with isolation layer |
| US7207096B2 (en) | 2004-01-22 | 2007-04-24 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing high performance copper inductors with bond pads |
| US7405143B2 (en) | 2004-03-25 | 2008-07-29 | Asm International N.V. | Method for fabricating a seed layer |
| US7309395B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-12-18 | Dielectric Systems, Inc. | System for forming composite polymer dielectric film |
| US20060019493A1 (en) | 2004-07-15 | 2006-01-26 | Li Wei M | Methods of metallization for microelectronic devices utilizing metal oxide |
| TW200619222A (en) | 2004-09-02 | 2006-06-16 | Rohm & Haas Elect Mat | Method for making organometallic compounds |
| US8882914B2 (en) | 2004-09-17 | 2014-11-11 | Intermolecular, Inc. | Processing substrates using site-isolated processing |
| US7476618B2 (en) | 2004-10-26 | 2009-01-13 | Asm Japan K.K. | Selective formation of metal layers in an integrated circuit |
| EP1824960A2 (en) * | 2004-11-22 | 2007-08-29 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing apparatus using a batch processing chamber |
| US20060199399A1 (en) | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Muscat Anthony J | Surface manipulation and selective deposition processes using adsorbed halogen atoms |
| US7488967B2 (en) | 2005-04-06 | 2009-02-10 | International Business Machines Corporation | Structure for confining the switching current in phase memory (PCM) cells |
| US7425350B2 (en) | 2005-04-29 | 2008-09-16 | Asm Japan K.K. | Apparatus, precursors and deposition methods for silicon-containing materials |
| US7084060B1 (en) | 2005-05-04 | 2006-08-01 | International Business Machines Corporation | Forming capping layer over metal wire structure using selective atomic layer deposition |
| US7402519B2 (en) | 2005-06-03 | 2008-07-22 | Intel Corporation | Interconnects having sealing structures to enable selective metal capping layers |
| KR100695876B1 (ko) | 2005-06-24 | 2007-03-19 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 키 및 그 형성 방법, 오버레이 키를 이용하여형성된 반도체 장치 및 그 제조 방법. |
| CN101341276A (zh) * | 2005-07-19 | 2009-01-07 | 应用材料股份有限公司 | 半导体处理的方法和装置 |
| US20070099422A1 (en) | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Kapila Wijekoon | Process for electroless copper deposition |
| GB2432363B (en) | 2005-11-16 | 2010-06-23 | Epichem Ltd | Hafnocene and zirconocene precursors, and use thereof in atomic layer deposition |
| US7595271B2 (en) | 2005-12-01 | 2009-09-29 | Asm America, Inc. | Polymer coating for vapor deposition tool |
| TW200746268A (en) | 2006-04-11 | 2007-12-16 | Applied Materials Inc | Process for forming cobalt-containing materials |
| JP5032145B2 (ja) | 2006-04-14 | 2012-09-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| EP2029790A1 (en) | 2006-06-02 | 2009-03-04 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing |
| US9245739B2 (en) | 2006-11-01 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Low-K oxide deposition by hydrolysis and condensation |
| DE102007004867B4 (de) | 2007-01-31 | 2009-07-30 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zum Erhöhen der Zuverlässigkeit von kupferbasierten Metallisierungsstrukturen in einem Mikrostrukturbauelement durch Anwenden von Aluminiumnitrid |
| US7892964B2 (en) * | 2007-02-14 | 2011-02-22 | Micron Technology, Inc. | Vapor deposition methods for forming a metal-containing layer on a substrate |
| US20080241575A1 (en) | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Lavoie Adrein R | Selective aluminum doping of copper interconnects and structures formed thereby |
| US8097175B2 (en) * | 2008-10-28 | 2012-01-17 | Micron Technology, Inc. | Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure |
| CN101815807B (zh) | 2007-09-14 | 2012-06-13 | 西格玛-奥吉奇有限责任公司 | 采用单环戊二烯基三烷氧基铪和锆前体通过原子层沉积制备薄膜的方法 |
| JP2009076590A (ja) | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | クリーニング方法 |
| WO2009102363A2 (en) | 2007-11-15 | 2009-08-20 | Stc.Unm | Ultra-thin microporous/hybrid materials |
| JP5198106B2 (ja) | 2008-03-25 | 2013-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、及び成膜方法 |
| US20090269507A1 (en) | 2008-04-29 | 2009-10-29 | Sang-Ho Yu | Selective cobalt deposition on copper surfaces |
| US7993950B2 (en) | 2008-04-30 | 2011-08-09 | Cavendish Kinetics, Ltd. | System and method of encapsulation |
| US8114301B2 (en) * | 2008-05-02 | 2012-02-14 | Micron Technology, Inc. | Graphoepitaxial self-assembly of arrays of downward facing half-cylinders |
| US8309446B2 (en) | 2008-07-16 | 2012-11-13 | Applied Materials, Inc. | Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask |
| US8425739B1 (en) * | 2008-09-30 | 2013-04-23 | Stion Corporation | In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials |
| EP2361445A4 (en) | 2008-12-01 | 2012-07-04 | Du Pont | ANODE FOR AN ORGANIC ELECTRONIC DEVICE |
| US20100147396A1 (en) | 2008-12-15 | 2010-06-17 | Asm Japan K.K. | Multiple-Substrate Transfer Apparatus and Multiple-Substrate Processing Apparatus |
| US7927942B2 (en) | 2008-12-19 | 2011-04-19 | Asm International N.V. | Selective silicide process |
| US9379011B2 (en) | 2008-12-19 | 2016-06-28 | Asm International N.V. | Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide |
| US8242019B2 (en) | 2009-03-31 | 2012-08-14 | Tokyo Electron Limited | Selective deposition of metal-containing cap layers for semiconductor devices |
| US8071452B2 (en) | 2009-04-27 | 2011-12-06 | Asm America, Inc. | Atomic layer deposition of hafnium lanthanum oxides |
| JP5359642B2 (ja) | 2009-07-22 | 2013-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| JP2013501139A (ja) | 2009-07-31 | 2013-01-10 | アクゾ ノーベル ケミカルズ インターナショナル ベスローテン フエンノートシャップ | コーティングされた基材を調製するためのプロセス、コーティングされた基材、及びその使用 |
| KR101129090B1 (ko) * | 2009-09-01 | 2012-04-13 | 성균관대학교산학협력단 | 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 세포의 패턴화된 배양 방법, 및 패턴화된 세포칩 |
| US8481355B2 (en) * | 2009-12-15 | 2013-07-09 | Primestar Solar, Inc. | Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate |
| US8293658B2 (en) | 2010-02-17 | 2012-10-23 | Asm America, Inc. | Reactive site deactivation against vapor deposition |
| JP5222864B2 (ja) * | 2010-02-17 | 2013-06-26 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP5373669B2 (ja) | 2010-03-05 | 2013-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| TWI509695B (zh) | 2010-06-10 | 2015-11-21 | Ａｓｍ國際股份有限公司 | 使膜選擇性沈積於基板上的方法 |
| US20110311726A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Cambridge Nanotech Inc. | Method and apparatus for precursor delivery |
| KR101386944B1 (ko) | 2010-07-01 | 2014-04-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US8357608B2 (en) | 2010-08-09 | 2013-01-22 | International Business Machines Corporation | Multi component dielectric layer |
| US9487600B2 (en) * | 2010-08-17 | 2016-11-08 | Uchicago Argonne, Llc | Ordered nanoscale domains by infiltration of block copolymers |
| TW201224190A (en) | 2010-10-06 | 2012-06-16 | Applied Materials Inc | Atomic layer deposition of photoresist materials and hard mask precursors |
| US8822350B2 (en) | 2010-11-19 | 2014-09-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US20120219824A1 (en) | 2011-02-28 | 2012-08-30 | Uchicago Argonne Llc | Atomic layer deposition of super-conducting niobium silicide |
| US8980418B2 (en) | 2011-03-24 | 2015-03-17 | Uchicago Argonne, Llc | Sequential infiltration synthesis for advanced lithography |
| JP2012209393A (ja) | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Tokyo Electron Ltd | クリーニング方法及び成膜方法 |
| US8871617B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-10-28 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films |
| KR20130007059A (ko) | 2011-06-28 | 2013-01-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| EP2557132B1 (en) * | 2011-08-10 | 2018-03-14 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer adhesive film, in particular for bonding optical sensors |
| JP6202798B2 (ja) | 2011-10-12 | 2017-09-27 | エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー．Ａｓｍ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｎ．Ｖ． | 酸化アンチモン膜の原子層堆積 |
| US9112003B2 (en) | 2011-12-09 | 2015-08-18 | Asm International N.V. | Selective formation of metallic films on metallic surfaces |
| US9238865B2 (en) | 2012-02-06 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple vapor sources for vapor deposition |
| JP6020239B2 (ja) | 2012-04-27 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| US9005877B2 (en) | 2012-05-15 | 2015-04-14 | Tokyo Electron Limited | Method of forming patterns using block copolymers and articles thereof |
| JP5862459B2 (ja) | 2012-05-28 | 2016-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| JP5966618B2 (ja) | 2012-05-28 | 2016-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| US11037923B2 (en) | 2012-06-29 | 2021-06-15 | Intel Corporation | Through gate fin isolation |
| JP6040609B2 (ja) | 2012-07-20 | 2016-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US8890264B2 (en) | 2012-09-26 | 2014-11-18 | Intel Corporation | Non-planar III-V field effect transistors with conformal metal gate electrode and nitrogen doping of gate dielectric interface |
| US9099490B2 (en) | 2012-09-28 | 2015-08-04 | Intel Corporation | Self-aligned structures and methods for asymmetric GaN transistors and enhancement mode operation |
| JP2014093331A (ja) | 2012-10-31 | 2014-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 重合膜の成膜方法、成膜装置の環境維持方法、成膜装置、並びに電子製品の製造方法 |
| US9330899B2 (en) | 2012-11-01 | 2016-05-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film |
| US8963135B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-02-24 | Intel Corporation | Integrated circuits and systems and methods for producing the same |
| US8847396B2 (en) * | 2013-01-18 | 2014-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor integrated circuit and fabricating the same |
| US8993404B2 (en) | 2013-01-23 | 2015-03-31 | Intel Corporation | Metal-insulator-metal capacitor formation techniques |
| US9566609B2 (en) * | 2013-01-24 | 2017-02-14 | Corning Incorporated | Surface nanoreplication using polymer nanomasks |
| JP5949586B2 (ja) | 2013-01-31 | 2016-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置、成膜装置、原料の供給方法及び記憶媒体 |
| US20140227461A1 (en) | 2013-02-14 | 2014-08-14 | Dillard University | Multiple Beam Pulsed Laser Deposition Of Composite Films |
| US10573511B2 (en) | 2013-03-13 | 2020-02-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon nitride thin films |
| US9147574B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-09-29 | Tokyo Electron Limited | Topography minimization of neutral layer overcoats in directed self-assembly applications |
| US20140273290A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Tokyo Electron Limited | Solvent anneal processing for directed-self assembly applications |
| US9159558B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-10-13 | International Business Machines Corporation | Methods of reducing defects in directed self-assembled structures |
| US9209014B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-12-08 | Tokyo Electron Limited | Multi-step bake apparatus and method for directed self-assembly lithography control |
| JP2014188656A (ja) | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Tokyo Electron Ltd | 中空構造体の製造方法 |
| US9552979B2 (en) * | 2013-05-31 | 2017-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic aluminum nitride deposition in a batch reactor |
| CN110323268B (zh) | 2013-06-28 | 2023-01-03 | 英特尔公司 | 基于选择性外延生长的iii-v族材料的器件 |
| US9362163B2 (en) | 2013-07-30 | 2016-06-07 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for atomic layer cleaning of contacts and vias |
| JP6111171B2 (ja) | 2013-09-02 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| US9385033B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-07-05 | Intel Corporation | Method of forming a metal from a cobalt metal precursor |
| KR102138719B1 (ko) | 2013-09-27 | 2020-07-28 | 인텔 코포레이션 | 인접한 영역들 위로의 층들의 침범을 제한하는 것을 포함한 선택적 화학 반응에 의한 작은 영역들 위에서의 재료 층들의 형성 |
| US9067958B2 (en) | 2013-10-14 | 2015-06-30 | Intel Corporation | Scalable and high yield synthesis of transition metal bis-diazabutadienes |
| US20150118863A1 (en) | 2013-10-25 | 2015-04-30 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for forming flowable dielectric films having low porosity |
| TW201525173A (zh) | 2013-12-09 | 2015-07-01 | 應用材料股份有限公司 | 選擇性層沉積之方法 |
| US9236292B2 (en) | 2013-12-18 | 2016-01-12 | Intel Corporation | Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) |
| KR102241166B1 (ko) | 2013-12-19 | 2021-04-16 | 인텔 코포레이션 | 자기 정렬 게이트 에지 및 로컬 상호접속 및 그 제조 방법 |
| US9455150B2 (en) | 2013-12-24 | 2016-09-27 | Intel Corporation | Conformal thin film deposition of electropositive metal alloy films |
| US9653349B2 (en) * | 2014-01-24 | 2017-05-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor integrated circuit with nano gap |
| TWI686499B (zh) | 2014-02-04 | 2020-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 金屬、金屬氧化物與介電質的選擇性沉積 |
| US9416447B2 (en) * | 2014-02-07 | 2016-08-16 | HGST Netherlands B.V. | Method for line density multiplication using block copolymers and sequential infiltration synthesis |
| TWI624515B (zh) * | 2014-02-10 | 2018-05-21 | 國立清華大學 | 無機－有機複合氧化物聚合體及其製備方法 |
| JP6254459B2 (ja) | 2014-02-27 | 2017-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 重合膜の耐薬品性改善方法、重合膜の成膜方法、成膜装置、および電子製品の製造方法 |
| US9932671B2 (en) | 2014-03-27 | 2018-04-03 | Intel Corporation | Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) |
| KR20160137977A (ko) | 2014-03-28 | 2016-12-02 | 인텔 코포레이션 | 선택적 에피택셜 성장된 iii-v족 재료 기반 디바이스 |
| US10047435B2 (en) | 2014-04-16 | 2018-08-14 | Asm Ip Holding B.V. | Dual selective deposition |
| US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
| US11021630B2 (en) * | 2014-12-30 | 2021-06-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
| US9816180B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition |
| US9490145B2 (en) | 2015-02-23 | 2016-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Removal of surface passivation |
| US9777025B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-10-03 | L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
| US9502238B2 (en) | 2015-04-03 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch |
| US9646883B2 (en) | 2015-06-12 | 2017-05-09 | International Business Machines Corporation | Chemoepitaxy etch trim using a self aligned hard mask for metal line to via |
| US10428421B2 (en) | 2015-08-03 | 2019-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces |
| US10121699B2 (en) | 2015-08-05 | 2018-11-06 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material |
| US10566185B2 (en) | 2015-08-05 | 2020-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material |
| US10695794B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-06-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
| US10814349B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
| US10343186B2 (en) | 2015-10-09 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
| US10204782B2 (en) | 2016-04-18 | 2019-02-12 | Imec Vzw | Combined anneal and selective deposition process |
| US20170298503A1 (en) | 2016-04-18 | 2017-10-19 | Asm Ip Holding B.V. | Combined anneal and selective deposition systems |
| KR102182550B1 (ko) | 2016-04-18 | 2020-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 유도된 자기-조립층을 기판 상에 형성하는 방법 |
| US11081342B2 (en) | 2016-05-05 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition using hydrophobic precursors |
| US10373820B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
| US10453701B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
| US9803277B1 (en) | 2016-06-08 | 2017-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Reaction chamber passivation and selective deposition of metallic films |
| US11094535B2 (en) | 2017-02-14 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective passivation and selective deposition |
| US9911595B1 (en) | 2017-03-17 | 2018-03-06 | Lam Research Corporation | Selective growth of silicon nitride |
-
2016
- 2016-04-18 US US15/132,091 patent/US10204782B2/en active Active
-
2017
- 2017-04-07 WO PCT/US2017/026519 patent/WO2017184358A1/en not_active Ceased
- 2017-04-07 KR KR1020187032144A patent/KR102148366B1/ko active Active
- 2017-04-07 CN CN202511173291.9A patent/CN121065438A/zh active Pending
- 2017-04-07 CN CN201780025639.7A patent/CN109311052A/zh active Pending
- 2017-04-17 TW TW106112725A patent/TWI707971B/zh active
-
2019
- 2019-01-23 US US16/254,841 patent/US10741394B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109311052A (zh) | 2019-02-05 |
| KR102148366B1 (ko) | 2020-08-27 |
| KR20190002508A (ko) | 2019-01-08 |
| US20170301542A1 (en) | 2017-10-19 |
| US20190157086A1 (en) | 2019-05-23 |
| US10741394B2 (en) | 2020-08-11 |
| CN121065438A (zh) | 2025-12-05 |
| US10204782B2 (en) | 2019-02-12 |
| WO2017184358A8 (en) | 2018-09-07 |
| WO2017184358A1 (en) | 2017-10-26 |
| TWI707971B (zh) | 2020-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI707971B (zh) | 複合退火以及選擇性沈積製程 | |
| TWI751151B (zh) | 複合退火以及選擇性沈積製程 | |
| JP7751558B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
| TWI783046B (zh) | 可滲入材料之連續滲透合成處理的方法及使用該方法形成的結構與裝置 | |
| CN110050329B (zh) | 在衬底上形成结构的方法 | |
| US10551741B2 (en) | Method of forming a directed self-assembled layer on a substrate | |
| US20140162194A1 (en) | Conformal sacrificial film by low temperature chemical vapor deposition technique |