FI117979B - Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi - Google Patents
Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi Download PDFInfo
- Publication number
- FI117979B FI117979B FI20000898A FI20000898A FI117979B FI 117979 B FI117979 B FI 117979B FI 20000898 A FI20000898 A FI 20000898A FI 20000898 A FI20000898 A FI 20000898A FI 117979 B FI117979 B FI 117979B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- group
- oxygen
- advantageously
- pulse
- yttrium
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H10P14/6339—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45531—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations specially adapted for making ternary or higher compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M8/00—Fuel cells; Manufacture thereof
- H01M8/10—Fuel cells with solid electrolytes
- H01M8/12—Fuel cells with solid electrolytes operating at high temperature, e.g. with stabilised ZrO2 electrolyte
- H01M8/124—Fuel cells with solid electrolytes operating at high temperature, e.g. with stabilised ZrO2 electrolyte characterised by the process of manufacturing or by the material of the electrolyte
- H01M8/1246—Fuel cells with solid electrolytes operating at high temperature, e.g. with stabilised ZrO2 electrolyte characterised by the process of manufacturing or by the material of the electrolyte the electrolyte consisting of oxides
- H01M8/1253—Fuel cells with solid electrolytes operating at high temperature, e.g. with stabilised ZrO2 electrolyte characterised by the process of manufacturing or by the material of the electrolyte the electrolyte consisting of oxides the electrolyte containing zirconium oxide
-
- H10D64/01336—
-
- H10D64/01342—
-
- H10D64/01346—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/66—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes
- H10D64/68—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes characterised by the insulator, e.g. by the gate insulator
- H10D64/691—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes characterised by the insulator, e.g. by the gate insulator comprising metallic compounds, e.g. metal oxides or metal silicates
-
- H10P14/69395—
-
- H10P14/69396—
-
- H10P14/69397—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
117979
MF.NF.TF.I.MÄ OKSIDIOHUTKAIVOJEN VALMISTAMISEKSI
Esillä oleva keksintö liittyy ALD -tyyppisellä menetelmällä valmistettuihin oksidiohut-kalvoihin. Erityisesti esillä oleva keksintö liittyy yttriumstabiloituihin zirkoniumoksidi-5 ohutkalvoihin (yttrium-stabilised zirconium oxide, YSZ).
Jatkuva mikroelektroniikan komponenttien koon pieneneminen johtaa tilanteeseen, jossa metallioksidipuolijohdekenttävaikutustransistoreissa (metal oxide semiconductor field effect transition, MOSFET) hilaoksidina nykyisin käytetty S1O2 täytyy korvata korkeamman 10 dielektrisyysvakion omaavalla oksidilla. Tämä johtuu siitä tosiasiasta, että vaaditun kapasitanssin saavuttamiseksi S1O2 -kerros on tehtävä niin ohueksi, että tunnelointivirta pystyy nousemaan tasolle, joka vaikuttaa komponentin toimintaan. Tämä ongelma voidaan ratkaista käyttämällä eristemateriaalia, jolla on korkeampi dielektrisyysvakio kuin SiC^lla. Esimerkiksi dynaamisen keskusmuistin (dynamic random access memory, DRAM) kon-15 densaattorien kapasitanssin tulee pysyä lähes vakiona samalla kun niiden koko pienenee nopeasti, ja siten on tarpeellista korvata aiemmin käytetyt S1O2 ja S13N4 korkeamman dielektrisyysvakion omaavilla materiaaleilla ja saada aikaan korkeampi kondensaattoritiheys.
20 On lukuisia materiaaleja, joilla on riittävän korkea dielektrisyysvakio, mutta korkean eris-tevakion lisäksi tällaisilta eristeohutkalvoilta vaaditaan muun muassa alhaista vuotovirran tiheyttä ja korkeaa eristeen läpilyöntikenttää. Näiden molempien ominaisuuksien saavuttaminen edellyttää tiivistä ja virheetöntä kaivorakennetta. On myös tärkeää, että materiaalit • « • · *·'·* ovat pysyviä piin pinnalla ja että ne voidaan ilman olennaisia muutoksia altistaa korkeille * · · • * · 25 jälkikäsittelylämpötiloille. Erityisesti hilaeristesovelluksissa on tärkeää, ettäpiin ja korkean « · · *;*;* dielektrisyysvakion omaavan metallioksidin rajapinnassa on hyvin vähän sähköisesti aktii- • « visia tiloja. Muistisovelluksissa on tärkeää, että kondensaattorin eristerakenne on pysyvä, • · • » *" sillä istutettujen ionien aktivointiin käytetyt lämpötilat ovat korkeita.
• · » · • · · i j(. 30 Zirkoniumoksidi, Z1O2 on eritemateriaali, jolla on korkea sulamispiste ja hyvä kemiallinen • · 4..·. pysyvyys. Zr02in pysyvyyttä voidaan parantaa lisäämällä siihen muita oksideja, jolla li- säämisellä tavoitellaan ZrCV.n faasimuutosten poistamista. Tavallisesti monokliininen ki- * « · ·“/ demuoto on pysyvä 1100 °C:een saakka ja tetragoninen 2285 °C:een saakka, jonka lämpö- • * "* tilan yläpuolella kuutiollinen muoto on pysyvä. Pysyvyyden parantaminen saadaan yleensä • * *. ’· 35 aikaan lisäämällä yttriumoksidia (Y2O3), mutta myös MgO, CaO, CeC>2, Ιη2θ3, Gd203 ja • · · • · • · ·♦· / 2 117979 AI2O3 on käytetty. Aikaisemmin YSZ -ohutkalvokerroksia on valmistettu esimerkiksi metalliorgaanisella kemiallisella kaasufaasikasvatuksella (metal-organic chemical vapour deposition, MOCVD) (Garcia, G. et ai., Preparation of YSZ layers by MOCVD: Influence of experimental parameters on the morphology of the film, J Crystal Growth 156 (1995), 5 426) tai elektronisuihkuhöyiystysmenetelmillä (ks. Matthee, Th. et al., Orientation rela tionships of epitaxial oxide buffer layers on silicon (100) for high-temperature superconducting YBa2Cu307.x films, Appi. Phys. Lett. 61 (1992), 1240).
Kemiallisella höyryfaasiatomikerroskasvatuksella (atomic layer chemical vapour deposi-10 tion, ALCVD) voidaan valmistaa binäärisiä oksidiohutkalvoja. ALD, joka tunnetaan myös atomikerroskasvatuksena (atomic layer deposition, ALD) ja alun perin atomikerrosepitak-siana (atomic layer epitaxy, ALE), on perinteisen CVD:n muunnos. Menetelmän nimi muutettiin äskettäin ALErsta ALD:ksi mahdollisen sekaannuksen välttämiseksi puhuttaessa monikiteisistä ja amorfisista ohutkalvoista. ALD -menetelmä perustuu vuorotteleviin 15 itsesaturoituviin pintareaktioihin. Menetelmä kuvataan yksityiskohtaisesti amerikkalaisissa patenteissa numerot 4 058 430 ja 5 711 811. Kasvatuksessa hyödynnetään meritien kantaja- j a huuhtelukaasuj en käyttöä, mikä tekee menetelmän nopeammaksi.
Valmistettaessa ALD -tyyppisellä prosessilla monimutkaisempia yhdisteitä ei kaikkien 20 yhdisteiden ALD -prosessi-ikkuna ole sillä samalla lämpötila-alueella, jolla kasvua kontrolloidaan. Mölsä et ai. huomasi, että ALD -tyyppinen kasvu voidaan saavuttaa kasvatettaessa binäärisiä yhdisteitä, vaikka todellista ALD -ikkunaa ei löydykään, mutta ohutkalvon kasvunopeus riippuu lämpötilasta (Mölsä, H. et ai., Adv. Mat. Opt. El. 4 (1994), 389). Sei- • · laisen lähdeaineen ja reaktiolämpötilan käyttö kiinteiden liuosten ja seostettujen ohutkal- : V: 25 vojen valmistamisessa voi osoittautua vaikeaksi, kun toivotaan täsmällistä pitoisuuden hai- • * * : lmtaa. Myös prosessin porrastus tulee vaikeammaksi, jos pienillä lämpötilamuutoksilla on • * * vaikutus kasvuprosessiin.
• · * · • M 4 Mölsä et ai. (Mölsä, H. et ai., Adv. Mat. Opt. El. 4 (1994), 389) kuvaavat ALE - *·’*· 30 menetelmän mukaisen prosessin Y2C>3:n kasvattamiseksi. He käyttivät Y(thd)3:ta • · * • ···* (thd=2,2,6,6-tetrametyyli-3,5- heptaanidioni) yttriumin lähdeaineena ja otsoni-happi - • v ·.· I seosta hapen lähdeaineena lämpötila-alueella 400 - 500 °C. Kuten jo mainittiin, ALE - ikkunaa ei voitu löytää, sillä kasvunopeus kasvoi tasaisesti nopeudesta 0,3 Ä/jakso nopeu-teen 1,8 Ä/jakso lämpötilan noustessa.
··« : : 3 117979
Ritala et ai. (Ritala, M. and Leskelä, M., Appi. Surf. Sei. 75 (1994), 333) kuvaavat ALE -menetelmän mukaisen prosessin ZrCh'.n kasvattamiseksi. ZrCl4:a käytettiin zirkoniumin lähdeaineena ja vettä hapen lähdeaineena. Prosessointilämpötila oli 500 °C ja kasvunopeus 5 oli 0,53 Ä/jakso.
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on poistaa tunnetun tekniikan ongelmat ja saada aikaan uusi menetelmä yttriunastabiloitujen zirkoniumoksidi(YSZ)ohutkalvojen valmistamiseksi.
10 Tämä ja muut tavoitteet yhdessä niillä saavutettavien etujen kanssa saavutetaan esillä olevalla keksinnöllä, kuten on esitetty seuraavassa selityksessä ja patenttivaatimuksissa.
Esillä oleva keksintö perustuu havaintoon, että yttriumoksidia ja zirkoniumoksidia voidaan 15 kasvattaa ALD -tyyppisellä menetelmällä siten, että kalvon kasvunopeus noudattaa ALD -periaatteita yttriumstabiloidun zirkoniumoksidiohutkalvon muodostumiseksi.
Täsmällisemmin menetelmä YSZ -ohutkalvojen valmistamiseksi on tunnettu siitä, mitä on ilmaistu patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
20
Esillä olevalla keksinnöllä saavutetaan lukuisia huomattavia etuja.
• · * ,V Yttriumstabiloidun zirkoniumoksidiohutkalvon kasvunopeus on suuri, esim. ALD ohut- tl· V : kalvon kasvunopeus oli 25% korkeampi kuin olisi oletettu of ZrC^m ja Υ2θ3.η kasvunope- • · V.: 25 uksien perusteella.
• 1 2 · * Φ 1 • 1 · ··· * · *···1 Esillä olevassa keksinnössä käytetyt lämpötilat ovat alhaisia verrattuna tunnetun tekniikan • · · ♦ · *···1 prosesseihin, mikä alentaa tuotantoprosessin kustannuksia.
30 Esillä olevan menetelmän mukaan kasvatetulla kalvolla on hyvät ohutkalvon ominaisuudet.
• · Täten saadulla oksidikalvolla on erinomainen konformisuus jopa epätasaisilla pinnoilla.
* · ^ : Menetelmällä saadaan aikaan myös erinomainen ja automaattisesti itsekontrolloituva kai- ♦ 1 1 • · von kasvu.
* · • · · • · · • · • · · • · .
• · 2 · 117979 4 ALD:llä kasvatettua yttriumstabiloitua zirkoniumoksidiohutkalvoa voidaan käyttää eristeenä esimerkiksi elektroniikassa ja optiikassa. Esimerkiksi kenttäemissionäyttöjen (field emitting device, FED) alalla on edullista, että käytettävällä eristävä oksidilla on sileä pinta. On myös mahdollista käyttää YSZ -ohutkalvoja kaasuanturien ja polttokennojen kiinteinä 5 elektrolyytteinä. Erityisesti YSZ -ohutkalvot soveltuvat mikroelektroniikan laitteiden hila-oksideiksi ja käytettäväksi keskusmuistiyksiköiden (dynamic access memory, DRAM) kondensaattoreissa.
Seuraavassa keksintöä kuvaillaan tarkemmin seuraavan yksityiskohtaisen selityksen avulla 10 ja viittaamalla oheisiin kuvioihin.
Kuvio 1 esittää Υ2θ3:η kasvunopeuden kasvatuslämpötilan funktiona.
Kuvio 2 esittää YiOam kasvunopeuden lähdeainemateriaalien pulssiaikojen funktiona. Kuvio 3 esittää Y2O3 -ohutkalvon paksuuden nanometreinä (nm) reaktiojaksojen lukumää-15 rän funktiona.
Kuvio 4 esittää Zr02:n kasvunopeuden kasvatuslämpötilan funktiona.
Kuvio 5 esittää ZrOi:n kasvunopeuden pulssiaikojen funktiona.
Kuvio 6 esittää Zr02 -kalvon paksuuden reaktiojaksojen lukumäärän funktiona.
Kuvio 7 esittää lämpötiloissa 300 °C ja 450 °C kasvatettujen Ζ1Ό2 -ohutkalvojen röntgen-20 diffraktogrammit.
Kuvio 8 esittää Z1O2-, YSZ-ja Y2O3-ohutkalvojen pulssitusjaksot.
Kuvio 9 esittää YSZ-ohutkalvon kasvunopeuden kalvon Y2O3-pitoisuuden funktiona.
/;1: Kuvio 10 esittää (100)-piialustalle kasvatetun YSZ-ohutkalvon (paksuus 90 nm) röntgen- • · :1·1: di ffraktodrammin.
:V: 25 Kuvio 11 esittää YSZ -kalvon röntgendiffraktogrämmin esittämän (200) -tason d-arvon • · : (tasojen välinen tila) muutoksen Y2O3-pitoisuuden funktiona.
Kuvio 12 esittää YSZ -ohutkalvojen kloridipitoisuuden Y2O3 -pitoisuuden funktiona. Kuvio 13 esittää (100) -piialustan (a), YSZ ohutkalvon (10 wt-% of Y2O3, paksuus 120 nm) (b) ja edellisten vähennetyn (c) IR-spektrin.
*:2· 30 Kuvio 14 esittää aaltoluvun riippuvuuden Y2O3-pitoisuudesta IR-keskialueella.
·2 ..·1 Kuvio 15 esittää Y/Zr-suhteen mitattuna en analyysimenetelmillä.
• ♦ • ♦ ··· ··· · : ϊ Määritelmät « 1 · * • 1 ·1·' • ·· • · 1 · • · 2 » 5 117979
Esillä olevan keksinnön tarkoituksissa "ALD -tyyppinen menetelmä” tarkoittaa menetelmää, jossa materiaalin muodostuminen pinnalle kaasumaisista, höyrystetyistä lähdekemi-kaaleista perustuu peräkkäisiin ja vuorotteleviin itsesaturoituviin pintareaktioihin. ALD:n periaatteet on esitetty esim. julkaisuissa US 4 058 430 ja 5 711 811.
5 “Reaktiotilaa” käytetään tarkoittamaan reaktoria tai reaktiokammiota, missä olosuhteet voidaan asettaa sellaisiksi, että ALD -kasvu on mahdollinen.
“ALD -ikkunaa käytetään tarkoittamaan sitä lämpötila-aluetta, jossa ohutkalvon kasvu 10 tapahtuu ALD -periaatteiden mukaisesti. Eräs merkki ohutkalvon kasvamisesta ALD -periaatteiden mukaisesti on se seikka, että kasvunopeus pysyy olennaisesti vakiona kyseisellä lämpötila-alueella.
“Ohutkalvolla” tarkoitetaan kalvoa, joka on kasvatettu alkuainesta tai yhdisteistä, jotka on 15 kuljetettu erillisinä ioneina, atomeina tai molekyyleinä alipaineessa, kaasu- tai nestefaasissa lähteestä alustalle. Kalvon paksuus riippuu sovelluksesta ja vaihtelee laajalla välillä esim. yhdestä molekyyli kerroksesta 900 nimiin tai 1 /im:iin asti tai jopa sen yli.
20 Kasvatusprosessi
Esillä olevan keksinnön mukaisesti oksi di ohutkalvot valmistetaan ALD -menetelmällä.
*11 · Täten reaktiokammioon sijoitettu alusta altistetaan peräkkäisille, vuorotellen toistettaville, ·*;*. vähintään kahden kaasufaasissa olevan reagenssin pintareaktioille ohutkalvon kasvattami- • · seksi.
·*· 25 * * *
Reaktiotilan olosuhteet asetetaan sellaisiksi, ettei kaasufaasireaktioita, so. kaasumaisten ··♦ reagenssien välisiä reaktioita, tapahdu, vaan että tapahtuu vain pinta reaktioita, so. sub- • *·· straatin pinnalle adsoboituneiden osasten ja kaasumaisten reagenssien välisiä reaktioita.
• * · Täten happilähdeainemateriaalin molekyylit reagoivat adsorboituneen metallilähdeaineyh- j\· 30 distekerroksen kanssa pinnalla. Tällainen kasvu on ALD-periaatteiden mukainen.
• · ·*· • · • · *·· ; |·. Esillä olevan keksinnön mukaisesti metallilähdeaineen ja happilähdeaineen kaasufaasipuls- • · · • · · · .·*·. sit syötetään vuorotellen ja peräkkäin reaktiotilaan ja saatetaan kosketuksiin reaktiotilaan • · • · · sovitetun alustan pinnan kanssa. Alustan’’pinta” käsittää alussa varsinaisen alustamateri- 6 117979 aalin pinnan, joka valinnaisesti on esikäsitelty etukäteen esim. saattamalla se kosketuksiin pinnan ominaisuuksia muuttavan kemikaalin kanssa. Ohutkalvojen kasvatusprosessin aikana edellinen metallioksidikerros muodostaa pinnan seuraavalle metallioksidikerrokselle. Reagenssit syötetään edullisesti reaktoriin inertin kantajakaasun, kuten typen avulla.
5
Edullisesti, ja prosessin nopeuttamiseksi, metallilähdeainepulssi ja happilähdeainepulssi erotetaan toisistaan inertin kaasun pulssilla, johon pulssiin viitataan myös kaasuhuuhtelu-na, jonka tarkoitus on tyhj entää reaktiotila edellisen kemikaalin reagoimattomista j äänteistä ja reaktion tuotteista. Inerttikaasuhuuhtelu sisältää tyypillisesti reagoimatonta kaasua, ku-10 ten typpeä tai jalokaasua, kuten argonia.
Täten yksi pulssitusjakso tai reaktiojakso (“cycle” tai ’’reaction cycle”) käsittää edullisesti - kaasumaisen metallilähdeainepulssin syöttämisen inertin kantajakaasun avulla reaktioillaan, 15 - reaktiothan huuhtelemisen inertillä kaasulla, - kaasumaisen happilähdeainepulssin syöttämisen reaktiollaan ja - reaktiothan huuhtelemisen intertillä kaasulla.
Huuhteluaika valitaan riittävän pitkäksi kaasufaasireaktioiden estämiseksi ja kyseisen ok-20 sidin optimaalisen ALD -kasvun kannalta liian korkeiden ohutkalvon jaksokohtaisten kasvunopeuksien estämiseksi.
,*·*· Kasvatus voidaan suorittaa normaalipaineessa, mutta on edullista toimia alennetussa pai- ·*·*· neessa. Reaktorin paine on tyypillisesti 0,01 - 20 mbar, edullisesti 0,1-5 mbar.
• * A - : : : 25 • · l Alustan lämpötilan tulee olla riittävän alhainen ohutkalvon atomien välisten sidosten säi- * * · • fmt} lyttämiseksi vahingoittumattomina ja kaasumaisten tai höyrystyneiden reagenssien termi- • »i sen hajoamisen estämiseksi. Toisaalta, substraatin lämpötilan tulee olla tarpeeksi korkea lähdeaineiden pysymiseksi kaasufaasissa, so. kaasumaisten tai höyrystyneiden reagenssien : * 30 kondensoitumisen estämiseksi. Lisäksi lämpötilan tulee olla riittävän korkea, jotta saadaan ·»· • · ···* aikaan pintareaktioiden aktivointienergia. Kasvatettaessa zirkoniumoksidia alustalle aluset · tan lämpötila on tyypillisesti 250 - 500 °C, edullisesti 275 - 450 °C ja erityisen edullisesti • · ψ 275 - 325 °C. Kasvatettaessa Y2O3 on alustalla käyettävä lämpötilaväli tyypillisesti 200 - * * • · · • ·· • · • ·· • · ♦ · · · 7 117979 400 °C ja edullisesti 250 - 350 °C. YSZ -kalvoja kasvatetaan tyypillisesti lämpötiloissa 250 - 400 °C, edullisesti 275 - 350 °C, ja erityisen edullisesti 275 - 325 °C.
Näissä olosuhteissa pinnalle sitoutuvan reagenssin määrä määräytyy pinnan mukaan. Tätä 5 ilmiötä kutsutaan ’’itsesaturoitumi seksi”.
Pinnan maksimipeittoaste saavutetaan, kun yksittäinen molekyylikerros metallilähdeainetta on adsorboitunut. Pulssitusjaksoa toistetaan, kunnes ennalta määrätyn paksuinen oksidikal-vo on kasvanut.
10 Lähdelämpötila asetetaan edullisesti alustan lämpötilaa alhaisemmaksi. Tämä perustuu siihen, että jos lähdeainehöyryn osapaine ylittää tiivistymisrajan alustan lämpötilassa, niin kalvon hallittu, kerroskerrokselta kasvu menetetään.
15 Aikaa, joka on käytettävissä itsesaturoituvalle reaktiolle, rajoittaa pääasiassa taloudelliset tekijät kuten reaktorilta vaadittu tuotteen tuotantokapasiteetti. Hyvin ohuita kalvoja tehdään suhteellisen vähäisillä pulssitusjaksoilla, ja joissain tapauksissa tämä mahdollistaa lähdeaineiden pulssiaikojen pidentymisen ja siten normaalia alhaisemman höyrynpaineen omaavien lähdeaineiden hyödyntämisen.
20
Alusta voi olla monenlainen, esimerkiksi arkkimainen tai pulverimainen. Esimerkkejä ovat pii, kvartsi, päällystetty kvartsi, kupari, useat nitridit kuten metallinitridit.
• · • « • · · i 1 2 ··· • · · *♦1 Esillä olevan keksinnön menetelmän mukaisesti kasvatetut YSZ -ohutkalvot ovat tyypilli- ·1» « *·1·1 25 sesti (100)-suuntautuneita.
t·· i · • · ··· ··· • 1 # » *** Zirkoniumia ja/tai yttriumia sisältävissä ohutkalvoissa voidaan havaita kloorijäämiä, kun 5 • · • 1 *** yksi tai useampi lähdeaine sisältää klooria. Esillä olevan keksinnön mukaisesti valmiste- tuissa YSZ-ohutkalvoissa Cl-pitoisuus on tyypillisesti 0,05 - 0,25 painoprosenttia. Esillä • · t—( 30 olevan keksinnön yhteydessä havaittiin yllättäen, että kun muodostuneen kalvon yttrium- konsentraatio oli alhainen, so. alle 20 painoprosenttia, ja erityisesti sen ollessa alle 15 pai- • · · "1„1 noprosenttia, niin klooripitoisuus muodostuneessa ohutkalvossa oli alhaisempi kuin kai- • ♦ * » 7 vossa, joka muodostui olennaisesti Zr02:sta.
• · · • · · • 1· • · · • · 2 8 117979
Yllä esitetyssä pulssitusjaksossa metallilähdeaine on joko zirkoniumlähdeaine tai yttrium-lähdeaine. Täten esillä olevan keksinnön kasvatusprosessissa kasvaa alustalle yttrium- ja zirkoniumoksidia.
5 Esillä olevan keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaisesti muodostetaan yttriumstabi-loitua zirkoniumoksidiohutkalvoa. Täten ohutkalvon kasvatuksen aikana ainakin yksi yllä esitetty pulssitusjakso suoritetaan käyttäen yttriumlähdeainetta metallilähdeaineena, ja ainakin yksi yllä esitetty pulssitusjakso suoritetaan käyttäen zirkoniumlähdeainetta metalli-lähdeaineena.
10
Yttriumlähdeaineen ja zirkoniumlähdeaineen pulssitussuhde voidaan valita toivottujen ohutkalvon ominaisuuksien saavuttamiseksi. Tyypillinen Y:Zr -pulssitussuhde on välillä 1:10 -10:1, edullisesti välillä 1:5 - 5:1, erityisen edullisesti välillä 1:3 - 3:1 ja edullisimmin välillä noin 1:1.
15
Kuvio 8 esittää ne pulssitusjaksot, joita voidaan käyttää kasvatettaessa Z1O2-, YSZ- ja Y2O3- ohutkalvoja. Kuvio 8(b) esittää YSZ -kalvon pulssitusjaksot pulssitussuhteelle Y:Zr = 1:2.
20 Kuvio 9 esittää YSZ -ohutkalvon kasvunopeuden verrattuna erillisten oksidien kasvunopeuksista laskettuun arvoon kalvon Υ2θ3:η painoprosentin funktiona. Arvo, johon YSZ:n kasvunopeutta verrataan on laskettu yhdistämällä Y2C>3:n ja Ζιθ2:η kasvunopeudet kulia- • · ·.1.1 kin Y203:ZrC>2 -pulssitussuhteella, ja tämä laskettu arvo edustaa kuviossa 100 %. Täten *·· : kuvio osoittaa millainen vaikutus Y203:Zr02 -pulssitussuhteella on kasvunopeuteen ja • ♦ V.· 25 YSZ -ohutkalvon yttriumpitoisuuteen.
··· • · • · ·· » · • · *···1 Esillä olevan keksinnön erään suoritusmuodon mukaisesti YSZ -ohutkalvoa kasvatetaan «·· • « '···1 siten, että ensimmäinen pulssitusjakso tehdään substraatille käyttäen yttriumlähdeainetta metallilähdeaineena.
• •a1· * 1 30 f·· • · "1 Esillä olevan keksinnän erään toisen suoritusmuodon mukaan YSZ -ohutkalvoa kasvate- • · ί.ϊ ί taan siten, että ensimmäinen pulssitusjakso tehdään substraatille käyttäen zirkoniumläh- • · · • · *··.1 deainetta metallilähdeaineena.
• · * 1 1 • · · · · * · • · • · » 9 117979 Lähdeaineet
Esillä olevan keksinnön menetelmässä yttriumin ja zirkoniumin kaasumaisia tai höyrystyviä yhdisteitä käytetään metallilähdeaineina.
5 Koska jokaisen metalliyhdisteen ominaisuudet ovat erilaiset, tulee ottaa huomioon kunkin metalliyhdisteen sopivuus käytettäväksi esillä olevan keksinnön menetelmässä. Yhdisteiden ominaisuudet on esitetty esim. kirjassa N. N. Greenwood ja A. Eamshaw, Chemistry of the Elements. 2nd edition. Pergamon Press. 1997.
10 Metallilähdeaine tulee valita siten, että riittävän höyrynpaineen, riittävän termisen pysyvyyden alustan lämpötilassa ja riittävän yhdisteiden reaktiivisuuden vaatimukset täyttyvät.
Riittävä höyrynpaine tarkoittaa sitä, että alustan pinnan lähellä tulee olla riittävästi läh-deainemolekyylejä, jotta tarpeeksi nopea pinnalla tapahtuva itsesaturoituva reaktio olisi 15 mahdollistaminen.
Riittävä terminen pysyvyys tarkoittaa käytännössä sitä, että itse lähdeaine ei saa muodostaa alustoille kasvua häiritseviä tiivistyviä faaseja tai jättää alustan pinnalle termisen hajoamisen seurauksena haitallisia epäpuhtauspitoisuustasoja. Täten yksi tavoite on estää mole-20 kyylien kontrolloimaton tiivistyminen alustoille. .
Lisäksi valintakriteereihin saattaa lukeutua kemikaalin saatavuus hyvin puhtaana ja käsit- • « ·,·.· telyn helppous, mukaan lukien kohtuulliset varotoimet.
* » · • · * * · · • 4 ·.*,* 25 Lisäksi tulee ottaa huomioon ligandinvaihtoreaktiossa muodostuvien sivutuotteiden laatu.
On tärkeää, että reaktiotuote on olennaisesti kaasumainen. Tällä on tarkoitettu sitä, että • · Φ * * i · *..·* ligandinvaihtoreaktiossa mahdollisesti muodostuvat sivutuotteet ovat riittvän kaasumaisia, i·* • · *···* jotta ne voidaan poistaa reaktiotilassa inertin huuhtelupulssin avulla, mikä tarkoittaa sitä, että ne eivät jää kalvoihin epäpuhtauksiksi.
***** 30 ··· • * * *** 1. Yttriumlähdeaine • * · · Yttriumlähdeaine valitaan tyypillisesti materiaaliryhmästä, jolla on kaavan (I) tai (II) mu- • · * • · '···* kainen yleiskaava: *:·! Yx3 a) ··· 4· 4 4 44 4 117979 ίο ΥΧ3Β (Π) jossa X on valittu seuraavasta ryhmästä: i) hapesta koordinoitunut diketoni (so. β-diketonaatti), jolla on kaava (III)
: ’"VV
00 (III) jossa R’ ja R” ovat tyypillisesti samat ja ovat valittu esimerkiksi ryhmästä lineaarisia tai haaroittuneita Ci - C10 alkyyliryhmiä, 10 edullisesti ryhmästä lineaarisia tai haaroittuneita Ci - Ce alkyy liryhmiä ja erityisen edullisesti ryhmästä-CH3,-C(CH3)3,-CF3 ja-C(CF3)3, ii) syklopentadienyylit, 15 iii) kaavan (IV) mukaiset syklopentadienyylijohdannaiset: C5H5-yR"’y (IV) jossa 20 R"' on valittu esimerkiksi ryhmästä lineaarisia tai haaroittuneita Q - C10 al- .*:*· kyyliryhmiä, edullisesti Ci - Ce alkyyliryhmiä ja erityisen edullisesti ryh- ;*·*· mästä metyyli (-CH3), etyyli, propyyli, butyyli, pentyyli ja alkyyli, jolla on ; V* pidempi hiiliketju, alkoksi, aryyli, amino, syano ja silyyli ryhmä, ja jossa • · ··· • · • · ··* ;*’*· 25 y on kokonaisluku väliltä 1 - 5, ja jossa • «1 * · ··· B on neutraali adduktiligandi, joka sitoutuu keskusatomiin yhdestä tai use-·;··: ämmästä atomista. Tyypillisesti, B on hiilivety, happea sisältävä hiilivety ·***: (kuten eetteri), typpeä sisältävä hiilivety (kuten bipyridiini, fenantroliini, j .·, 30 amiini tai polyamiini).
• · · ··» · ··· : : »·· .*. s . .
·. ·: • · · ί : ··· 117979 n
Esillä olevan keksinnön erään suoritusmuodon mukaisesti, Y(cot)Cp1 2 3:a (cot = syklo-oktatetraenyyli ja Cp1 = pentametyylisyklopentadienyyli) käytetään yttriumlähdeaineena.
Esillä olevan keksinnön suoritusmuodon mukaisesti Y(thd)3-.a (thd = 2,2,6,6-tetrametyyli-5 3,5-heptaanidioni) käytetään yttriumlähdeaineena.
2. Zirkoniumlähdeaine
Zirkoniumlähdeaine valitaan tyypillisesti ryhmästä zirkoniumhalideja ja zirkoniumyhdis-teitä, joissa on ainakin yksi hiiliatomi.
10
Zirkoniumlähdeaine valitaan tyypillisesti ryhmästä, jolla on kaavan (V) mukainen yleiskaava: R2ZrX2 (V) 15 jossa R on valittu ryhmästä syklopentadienyylejä (C5H5) ja niiden johdannaisia, joilla on kaava (IV).
Ligandit R ovat valinnaisesti silloittuneet (-Cp-A-Cp-), jossa A on metyyli, alkyyli ryhmä, jolla on kaava (CH2)n, n = 2 - 6, edullisesti 2 tai 3) tai sub- 20 stituoitu hiilivety kuten C(CH3)2.
X on valittu ryhmästä seuraavia ligandeja: *,V i) halidit (F, Cl, Br, I), * 1 1 *·.1 1 ii) vety (-H), lineaariset tai haaroittuneet Ci - C10 alkyyli ryhmät, edullisesti *·1· 25 Ci - Cö alkyyli ryhmät, erityisen edullisesti metyyli (-CH3), etyyli, propyyli, ««· • · *···' butyyli tai pidempi hiilivetyketju, • · · « 1 '···1 iii) metoksi (-OCH3) tai muut lineaariset (esim. -OC3H7) tai haaroittuneet ***** *·1·1 alkoksidit, , iv) amiinit (-NR2) ja 30 v) asetaatit (-OCOR, esim.-OCOCF3).
« · ·1· • · • « 1 *···1· Keksinnön erään suoritusmuodon mukaisesti X-ligandit ovat yhdistelmiä yllä esitetyistä • · *·;·1 yhdisteistä. Täten zirkoniumlähdeaine on valinnaisesti Cp2Zr(OR'm)xCl2-x tai Cp2ZrClH.
» 1 * 1 · • · t • · · · • · 2 • · 3 12 117979
Seuraavia edullisia X:n ja R:n yhdistelmiä voidaan myös käyttää esillä olevassa keksinnössä.
X = R = Cl tai Br, so. yhdiste on tetrahalidi, X = R = OR”, so. yhdiste on zirkoniumalkoksidi, 5 X = R = Cp, so. yhdiste on tetrasyklopentadieenizirkonium ja/tai X = R = diketonaatti, joka on koordinoitunut hapesta ja jolla on kaava (III).
Edullisesti zirkoiumlähdeaine, jota käytetään esillä olevassa keksinnössä, on zirkoniumtet-rakloridi (ZrCU) tai syklopentadienyylizirkoniumkloridi (Cp2ZrCl2).
1° 3. Happilähdeaine
Happilähdeaine voi olla mikä tahansa happiyhdiste, joka on käyttökelpoinen ALE -tekniikassa. Edullisia happilähdeaineita ovat vesi, happi, vetyperoksidi ja vetyperoksidin vesiliuos. Otsoni (03) on erityisen edullinen happilähdeaine, myös happeen sekoitettuna (O2). 15 Kiijallisuuden perusteella on tunnettua, että jos otsonia käytetään hapen prekursorina, niin muodostuvat oksidit saadaan materiaaliltaan tiheämmiksi, joten oksidien dielektrisyys saattaa parantua.
Myös yhtä tai useampaa seuraavista yhdisteistä voidaan käyttää hapen prekursorina: 20 - typenoksidit,kutenN20,NO jaNO2, - halidi-happi -yhdisteet, esimerkiksi klooridioksidi (CIO2) ja perkloorihappo (HCIO4), - perhapot (-O-O-H), esimerkiksi perbensoehappo (C6H5COOOH) ja peretikkahap- • » po (CH3COOOH), ί 25 - alkoksidit, - alkoholit, kuten metanoli (CH3OH) ja etanoli (CH3CH2OH) ja ·1 2 3· • ♦ *···1 - monet radikaalit, esimerkiksi happiradikaalit (O") ja hydroksyyliradikaalit (ΌΗ).
• · • · ··» , Esillä olevan keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaisesti YSZ -ohutkalvo kasvatetaan • · ... 30 ALD -tyyppisellä menetelmällä käyttäen Y(thd)3:a yttriumin lähdeaineena, disyklopenta- dienyylizirkoniumkloridia (Cp2ZrCl2) zirkoniumin lälideaineena ja otsonia tai 03:n ja 02:n • · • · · **· : seosta hapen lähdeaineena.
• ·· • · • 1 ·1· · ♦ · ♦ « · · • · 2 • · · • · • · 3 . . 13 117979
Toisen edullisen suoritusmuodon mukaisesti YSZ -ohutkalvo kasvatetaan ALD -tyyppisellä menetelmällä käyttäen Y(thd)3:a yttriumin lähdeaineena ja 03m ja 02m seosta hapen lähdeaineena ja zirkoniumtetrakloridia (ZrCU) zirkoniumin lähdeaineena ja vettä hapen lähdeaineena.
5
Seuraavat esimerkit valaisevat keksintöä lisää.
Esimerkit
Koeolosuhteet ja analyysilaitteisto 10 Esimerkeissä Y(thd)3:a ja disyklopentadienyylizirkoniumdikloridia (Cp2ZrCl2) (Strem Chemicals) käytettiin metallilähdeaineina. Y(thd)3 valmistettiin Eisentraut ja Sieversin esittämän (Eisentraut, K. J. ja Sievers, R. E., J. Am. Chem. Soc. 87 (1965), 5254) mukaisesti. Lähdeaineet analysoitiin termogravimetrisesti (TG/DTA, Seiko SSC 5200) 1 mbar paineessa.
15
Ohutkalvot kasvatettiin MC-120 ja F-120 reaktoreissa (Microchemistry Ltd.) ja N2 (5,0, Aga) käytettiin kantajakaasuna. Otsonia, joka valmistettiin otsonigeneraattorilla (Fisher 502) 02:sta (5,0, Aga), käytettiin hapettimena. (100) -suuntautunuttapiitä (Okmetic Oy) ja soodalasia käytettiin alustoina. Erillisten yttrium- ja zirkoniumoksidien kasvattamista tut-20 kittiin lämpötilan funktiona ja lähdeaineiden sopivuus varmistettiin kokeilemalla pulssitus-aikavälillä 0,5 - 4 sekuntia.
. V j Kasvaneiden Y2O3-, Zr02- j a YSZ -ohutkalvoj en kitei syys j a orientaatio analysoitiin rönt- **!*: gendiffraktiolla (XRD, Philips MPD1880, Cu Ka). Yttrium-ja zirkoniumpitoisuudet ja • * 25 mahdolliset epäpuhtaudet määritettiin röntgenfluoresenssilla (XRF, Philips PW1480) « « 4 !„,· käyttäen UniQuant 4.0-ohjelmaa sekä elektronimikroskooppisesti energiadispersiivisellä ··· *·...* röntgenanalyysillä (SEM-EDX) käyttäen STRATA -ohjelmaa. YSZ -ohutkalvot analysoi- • · · tiin myös röntgenfotospektroskooppisesti (XPS, AXIS 165, Kratos Analytical) käyttäen monokromatisoitua AI Ka-säteilyä. Sekä laajakaistaiset että HiRes (high resolution, kor-30 kean resoluution) -spektrit määritettiin alueilta C Is, O Is, Zr 3d ja Y 3d. Mitattu näytealue * 1 ·;· oli noin 1 mm2 ja mittaukset tehtiin useammasta pisteestä.
• · • 1 « • * · ··« * ·../ Ohutkalvojen paksuudet määritettiin joko Hitachi U-2000 UV-Vis-spektrofotometrillä M.
i\j Ylilammin ja T. Ranta-Ahon (Thin Solid Films 232 (1993), 56) esittämällä optisella sovi- »»* • · « * « · ♦ 14 117979 tusmenetelmällä tai profilometrisesti (Y2O3 -ohutkalvot) (Sloan Dektak SL3030, Veeco Instruments) etsaamalla HC1 -liuoksella sopivat portaat käyttämällä fotoresistiä (AZ 1350H, Hoechst) maskina.
5 Ohutkalvot analysoitiin Nicolet Magna-IR 750 FT-IR-spektrofotometrillä käyttäen DTGS -detektoria ja DRIFTS -liityntää (Spectra Tech Inc.). Näytteistä, jotka oli valmistettu noin 0,5 x 0,5 cm (100) -piialustoille mitattiin keski-IR-alueen spektri resoluutiolla 2 cm' käytteän 64 pyyhkäisyn signaalin keskiarvoa. Taustaa mitattaessa käytettiin laitteen haja-suunnattua peiliä (SpectraTech no: 7004-015). Piikiekon natiivioksidin spektri vähennettiin 10 näytteiden spektristä. Vesi- ja CO2 -jäämistä aiheutuva IR-laitteessa esiintyvä spektrin interferenssi eliminoitiin huuhtelemalla kuivalla ilmalla. Mitattu spektri pehmennettiin tarvittaessa.
Esimerkki 1 15 Yttriumoksidi (Y2O3)-ohutkalvojen valmistaminen ja analysoiminen Y2O3 -ohutkalvot kasvatettiin ALD -menetelmällä lämpötilassa 250 - 350 °C. Y2O3 -ohutkalvojen kasvunopeus oli 0,23 Ä/jakso.
Y2O3 -ohutkalvon kasvulle Y(thd)3:sta löytyi ALD -ikkuna, jossa kasvunopeus pysyi 20 olennaisesti vakiona lämpötilavälillä 250 - 350 °C. Lähdeaineen lämpötila oli 120 °C, pulssiajat olivat 0,8 s Y(thd)3:lle ja 3,0 s 03:lle ja huuhtelu jokaisen lähdeainepulssin jälkeen kesti 1,0 s. Tämä on esitetty myös kuviossa 1, missä Y2C>3:n kasvunopeus ängströ- e ♦ ·. V meinä(Ä) jaksoa kohti on kuvattu kasvatuslämpötilan funktiona.
• t · • · · • » * • ·
• « · A
25 Kuvio 2 esittää Υ2θ3:η kasvunopeutta ängströmeinä (A) jaksoa kohti lähdeaineiden puis- «<· • · *·*·* siaikojen funktiona. Kuvio osoittaa, kuinka kasvunopeus pysyy olennaisesti vakiona, kun • · Y(thd)3:n pulssiaika on noin 0,5 s (tämän kokeen aikana 03m pulssiaika pidettiin 1,5 s • · *** mittaisena) tai pidempi, ja kun 03'n pulssiaika oli noin 1,0 s tai enemmän (tämän kokeen , aikana Y(thd)3:n pulssiaika pidettiin 0,8 s mittaisena). Yttriumlähdeaineen lämpötila oli • · 30 noin 120 °C, ja kasvatuslämpötila oli 300 °C. Jokaisen lähdeainepulssin jälkeinen huuhtelu # ·* vaihteli välillä 0,8 - 2,0 s kasvaen pulssiaikojen kasvaessa.
• · · • ♦ · ·«· • ·
Kuviossa 3 esitetään Y2O3 -ohutkalvon paksuus nanometreinä (nm) reaktiojaksojen luku- • · :· määrän funktiona. Kalvo kasvatettiin 300 °C:ssa ja Y(thd)3 lähdeaineen lämpötila oli 120 • *· • * ·· · ,5 ’ 1 1 7979 °C. Pulssiajat olivat Y(thd)3:lle 0,8 s ja C^lle 3,0 s. Huuhtelu kesti jokaisen lähdeainepuls-sin jälkeen 1,0 s. Kuviosta 3 voidaan nähdä, että kalvon paksuus on lineaarisesti riippuvainen kasvatusjaksoj en lukumäärästä.
5 Y2O3 -ohutkalvot, jotka kasvatettiin 250 - 350 °C:een ALD -ikkunassa, olivat (100) -orientoituneita. Kalvoissa, jotka kasvatettiin korkeammissa lämpötiloissa, havaittiin myös (111)- ja (440) -orientaatioita. Korkeammat kuin 400 °C kasvatuslämpötilat tuottivat tunnetun tekniikan mukaisia tuloksia (Mölsä, H. et ai., Adv. Mat. Opt. El. 4 (1994), 389). Ohutkalvojen orientaatio tai kiteisyys ei vaihdellut lähdeaineiden pulssiaikojen mukaan.
10
Esimerkki 2
Zirkoniumoksidi (Zr02) -ohutkalvojen valmistus ja analysointi
Zirkoniumoksidiohutkalvot valmistettiin käyttäen Cp2ZrCl2.a zirkoniumin lähdeaineena. Lähdeaineen lämpötila oli 140 °C. Zr02 -ohutkalvoja pystyttiin kasvattamaan ALD -peri-15 aatteiden mukaisesti lämpötilaväleillä 275 - 325 °C ja 400 - 450 °C. Ensimmäisellä välillä saavutettiin kasvunopeus 0,48 Ä/jakso, ja toisella välillä kasvunopeus oli 0,53 Ä/jakso.
Tämä voidaan nähdä myös kuviosta 4, joka esittää Zr02 -ohutkalvon kasvunopeuden kas-vatuslämpötilan funktiona. Tässä kokeessa lähdeaineen, Cp2ZrCl2:n, lämpötila oli 140 -20 150 °C. Cp2ZrCl2:n ja 03m pulssiajat olivat 0,8 ja 3,0 s vastaavasti. Huuhtelu kesti kunkin lähdeainepulssin jälkeen 1,0 s.
• * * · ’ ;*·* Lähdeaineiden pussiaikoja muutettiin joissakin kokeissa. 1,0 s mittainen Cp2ZrCl2 -pulssi * * a kyllästi alustan pinnan. 1,5 s mittainen 03 -pulssi tarvittiin täydentämään reaktiojakso.
* a * 25 Kuvio 5 esittää Zr02:n kasvunopeuden ängströmeinä (Ä) jaksoa kohti pulssiajan funktiona.
a · "! Kasvatuslämpötila oli 300 °C ja lähdeaineen, Cp2ZrCl2:n, lämpötila oli 140 -150 °C.
* a y.*m Huuhteluaika oli 1,0 s. Kuvio näyttää, kuinka kasvunopeus pysyy olennaisesti vakiona, a ^a kun Cp2ZrCl2:n pulssiaika on noin 0,7 s tai pidempi (näiden kokeiden aikana 03.n pulssiai-ka oli 3,0 s), ja kun 03m pulssiaika on noin 1,5 s tai enemmän (näiden kokeiden aikana a * .··*. 30 CpZrCl2:n pulssiaika oli 0.8 s).
a·* • a · at· a · * 7..' Kuviossa 6 esitetään Zr02 -ohutkalvon paksuus nanometreinä (nm) reaktiojaksojen funk- a · a a a #· φ tiona. Kalvo kasvatettiin 300 °C:ssa ja lähdeaineen, Cp2ZrCl2:n, lämpötila oli 140 - 150 • * · a ·« a · • aa a • · aa a 16 117979
Kuviossa 6 esitetään Zr02 -ohutkalvon paksuus nanometreinä (nm) reaktiojaksojen funktiona. Kalvo kasvatettiin 300 °C:ssa ja lähdeaineen, Cp2ZrCl2:n, lämpötila oli 140 - 150 °C. Pulssiajat olivat 0,8 s Cp2ZrCl2:lle ja 3,0 s 03:lle. Huuhtelu kesti jokaisen läh-deainepulssin jälkeen 1,0 s. Kuviosta 6 voidaan nähdä, että ohutkalvon paksuus on lineaa-5 risesti riippuvainen kasvatusjaksojen lukumäärästä.
XRF:a käytettiin mahdollisten Cl-jäämien analysoimiseksi Zr02-ohutkalvoista. Ohutkalvoissa, jotka oli kasvatettu piille tai lasialustalle 250 - 275 °C lämpötilassa, oli noin 0,1 painoprosenttia klooria (Cl). Ohutkalvot, jotka oli kasvatettu 300 - 325 °C osoittivat 0,06 -10 0,07 painoprosentin klooripitoisuutta. Kalvoista, jotka oli kasvatettu yli 325 °C lämpöti lassa, ei kloridia voitu havaita, so. klooripitoisuus oli alle toteamisrajan, so. noin 0,02 painoprosenttia tai vähemmän.
XRD:a käytettiin eri lämpötiloissa kasvatettujen Zr02 -kalvojen analysoimiseen. Zr02 -15 ohutkalvot, jotka oli kasvatettu alle 300 °C lämpötilassa piille tai lasialustalle olivat lähes amorfisia. Vain hyvin heikkoja piikkejä, jotka voitiin tulkita monokliinisen Zr02:n heijastuksiksi, esiintyi kalvoissa, jotka oli kasvatettu 275 °C lämpötilassa. 300 °C lämpötilassa kasvatetussa kalvossa voitiin tunnistaa monokliinisen tai kuutiollisen Zr02 -faasin heijastukset. Kasvatuslämpötilan ollessa 450 °C monokliininen (-111)-heijastus oli jopa vah-20 vempi. 300 °C ja 450 °C lämpötiloissa piialustalle kasvatettujen kalvojen röntgendiffrakto- • grammit on esitetty kuviossa 7. Alempi on 300 °C lämpötilassa kasvatetun kalvon diffrak- * ' · · • · togrammi. 300 °C ja 450 °C lämpötilassa kasvatettujen kalvojen paksuudet ovat 120 ja 90 * · · nm vastaavasti. Faasien identifioinnissa käytetyt lyhenteet ovat seuraavat: M = monoklii-;***. ninen, C = kuutiollinen. Identifiointi tehtiin JCPDS -korttien 36-420 ja 27-997 mukaan i1 2 3< 25 (Joint Committee on Powder Diffraciton Standards (JCPDS), 1990).
* 1 1 • ti t • · • · 1
Esimerkki 3 *:1·; Yttriumstabiloitujen zirkoniumoksidiohutkalvojen valmistus ja analysointi • · 1 YSZ -ohutkalvot kasvatettiin 300 °C lämpötilassa eri pulssitusohjelmilla. Jokaisessa puis- :1: 30 situsohjelmassa pulssitusjaksojen, jotka käsittivät Y(thd)3/huuhtelu/03/huuhtelu -pulssit, • 1 · · 2 : lukumäärää vaihdeltiin suhteessa pulssitusjaksoihin, jotka käsittivät ♦
Cp2ZrCl2/huuhtelu/03/huuhtclu-pulssit.
• 3 * · • · ··· 117979 n
Ohutkalvon laatu tai kasvunopeus eivät riippuneet siitä, mikä metallilähdeaine oli valittu kasvatettavaksi ensimmäiseksi alustan pinnalle.
Yttriumstabiloidun zirkoniumoksidin kasvunopeus riippui Y/Zr -pulssitussuhteesta. Jos 5 YSZ:n kasvunopeutta verrataan erillisten oksidien summattuun kasvunopeuteen, niin huomataan, että pulssitussuhteella 1:1 kasvunopeus on noin 25% suurempi kuin erillisten oksidien kasvunopeuksista laskettu arvo. Kun yttriumin pulssitusskevenssien lukumäärää kasvatetaan, so. kun yttriumin pitoisuus ohutkalvossa kasvaa, niin kasvunopeus lähestyy laskettua arvoa. Tämä johtopäätös voidaan tehdä myös kuviosta 9.
10 300 °C lämpötilassa kasvatetut YSZ -kalvot olivat kuutiollisia, pääasiassa (100) -suuntautuneita, mutta kuten kuvio 10 osoittaa, myös (111)-, (220)- ja (311) -heijastukset havaittiin. Kuvio 10 esittää 90 nm paksun YSZ -ohutkalvon röntgendiffraktogrammin. Kalvo oli kasvatettu (100) —piialustalle 300 °C lämpötilassa. Y/Zr -pulssitussuhde oli 1:1. Faasi 15 identifioitiin JCPDS-kortin 30-1468 mukaan. Röntgendiffraktogrammin piikkien sijainti muuttuu yttriumpitoisuuden funktiona, sillä yksikkökopin koko muuttuu. JCODS-referenssiarvo (kortti 30-1468) Yo ^ZrogsOi^n (200) -heijastukselle on d=2,571 Ä. Kuvio 11 osoittaa, kuinka YSZ -ohutkalvon röntgendiffraktogrammin (200) -piikki muuttuu kun Y2O2IZXO2 -suhde muuttuu. Katkoviiva kuviossa 11 on referenssiviiva, joka on piir-20 retty kirjallisuudesta saatujen puhtaiden oksidien d-arvojen avulla.
• · • · *·*·* 300 °C lämpötilassa kasvatettujen YSZ -kalvojen klooripitoisuus analysoitiin röngenfluo- * * · resenssilla (XRF). Yttriumin (Y) alhaisilla pitoisuuksilla Cl -pitoisuus kalvoissa näytti
1 t I
I// olevan hieman alhaisempi kuin kalvoissa, jotka muodostuivat olennaisesti Zr02:sta. Ohut- « * » * “1 25 kalvon Y2O3 :n painoprosenttivälillä 20 -50 yttriumin määrän kasvaminen sai aikaan Cl - * · • * “* määrän kasvun kalvossa. Se voidaan nähdä myös kuviosta 12. Korkein YSZ -ohutkalvon * · . ♦ · klooripitoisuus (0,23 painoprosenttia) mitattiin, kun yttriumoksidipitoisuus oli 50 paino- . prosenttia.
• * « · · • · • · ft ft # β β ·# 30 YSZ -kalvosta keski-IR-alueella mitattu IR -spektri osoitti pääasiassa vain piialustan ai- ♦ » ***.· kaansaamia piikkejä eri aaltoluvuilla. Varinaiset YSZ -kalvosta aiheutuvat piikit voitiin * « ft « havaita vähentämällä Si-alustan IR -spektri (ks. kuvio 13). Vähennetyssä spektrissä Si-0 - • ·
• » ♦ I
'· "· sidoksesta aiheutuva piikki 1100 cm' kohdalla ei hävinnyt kokonaan. Kuvio 14 osoittaa, ··· • * ft · • •ft 18 117979 kuinka selvästi erottuva siirtymä korkeammille aaltoluvuilla voidaan havaita yttriumpitoi-suuden laskiessa analysoiduissa kalvoissa. YaC^in absorption vertailuarvo on 613 cm'1.
Sarja kasvatettuja Y2O3-, ZrQr ja YSZ -ohutkalvoja analysoitiin röntgenfotoelektroni-5 spektroskooppisesti (XPS). Näytteiden Y2O3 -pitoisuus oli 0, 3, 10, 30 tai 100 painoprosenttia. Pieniä määriä hiiltä ja happea (CO2) havaittiin pinnalla. Tämä on tyypillistä ilmassa käsitellyille näytteille. Pinnasta mitattua spektriä käytettiin pinnan atomikoostumuksen laskemiseen, jolloin Y2O3/Z1O2 -suhde laskettuna XRD -tuloksista on x-akselilla ja XPS -tulosten mukainen Y/Zr -suhde on y-akselilla. Viiva on piirretty XPS-HiRes -mittausten 10 perusteella.
• 1 • · • · « * · • · · • · · * · 1 * • « * · 1 • 1 1 .....
* · * » · * 1 • · « · « • · · • # • · » · 1 • 1 • 1 · ·2·' * 1 • ♦ · « · ·♦· * • · • · · • 1 » • · · « • »· • · 4 a • · 1 * · · ' 2 • 4 4 • · • » · • · * 1 * + ·
Claims (15)
1. Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi alustalle ALD -tyyppisellä menetelmällä, jonka mukaan syötetään - ainakin yhden metallilähdeaineen ja 5. ainakin yhden happilähdeaineen, joka kykenee muodostamaan oksidin alustalla esiintyvän metallilähdeaineen kanssa vuorottelevia kaasufaasipulsseja reaktioillaan ja saatetaan kosketuksiin alustan kanssa, jolloin yttriumlähdeainetta ja zirkoniumlähdeainetta käytetään vuorotellen metallilähdeai-neena yttriumstabiloidun zirkoniumoksidi(YSZ) -ohutkalvon muodostamiseksi alustalle, 10 tunnettu siitä, että yttriumlähdeaineen ja zirkoniumlähdeaineen pulssitussuhde on välillä 1:10 -10:1.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että YSZ ohutkalvo kasvatetaan 250 - 500 °C lämpötilassa, edullisesti 275 - 450 °C, ja erityisen edullisesti 15 noin 275 - 325 °C lämpötilassa.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että metallilähdeaineen pulssitusjakso koostuu olennaisesti - metallilähdeaineen kaasufaasipulssin syöttämisestä inertin kantajakaasun avulla 20 reaktiotilaan, - reaktiothan huuhtelemisesta intertillä kaasulla, - happilähdeaineen kaasufaasipulssin syöttämisestä reaktiotilaan ja <,V - reaktiothan huuhtelemisesta intertillä kaasulla. * · · • · · • * :.V 25
4. Patenttivaatimusten 1-3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen ··· • · *·♦·* pulssitusjakso tehdään käyttäen yttriumin lähdeainetta metallilähdeaineena. ··· ♦ • · • · · • · · • · *··*’ 5. Patenttivaatimusten 1-3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen pulssitusjakso tehdään käyttäen zirkoniumin lähdeainetta metallilähdeaineena. T.’.: 30 • ·
5 R2ZrX2 (V) jossa R on syklopentadienyyli (C5H5) tai se johdannainen ja X on valitty ryhmästä, joka käsittää halidit, vedyn, lineaariset tai haaroittuneet Ci - Cio alkyylit, edullisesti Cj - Ce alkyylit, erityisen edullisesti X on 10 metyyli, etyyli, propyyli tai butyyli, metoksi (-OCH3) tai muu lineaarinen (esim.-OC3H7) tai haaroittunut alkoksidi, amiini (-NR2) tai asetaatti (-OCOR, esim. -OCOCF3).
6. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että • · • « ♦ !·'· ‘ Y2O3 -pulssitusjaksojen suhde Z1O2 -pulssitusjaksoihin on välillä 1:5 - 5:1, edullisesti a » · * · *·;·" välillä 1:3 - 3:1, erityisen edullisesti noin 1:1. • · • · · * · # * « • · ··· 117979
7. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, jossa yttriumlähdeaine valitaan yhdisteryhmästä, jolla on yleiskaava (I) tai (II): YX3 (I) ΥΧ,Β (II) 5 jossa X on valittu ryhmästä diketonit, jotka ovat koordinoituneet hapesta (so. β-diketonaatti), syklopentadienyylit ja niiden johdannaiset, ja jossa B on neutraali adduktiligandi, joka sitoutuu keskusatomiin yhdestä tai useammasta atomista. 10
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen menetelmä, jossa B on valittu ryhmästä hiilivedyt, happipitoisia hiilivedyt, kuten eetterit ja typpipitoiset hiilivedyt, kuten bipyridiini, fenant-roliini, äimiini tai polyamiini.
9. Patenttivaatimuksen 7 tai 8 mukainen menetelmä, jossa diketonilla on yleinen kaava (m): T)it p» YY ; 00 (III) jossa R’ja R” on valittu toisistaan riippumatta ryhmästä lineaarisia tai haaroittu-20 neita Cj-Cioalkyylejä, erityisesti ryhmästä lineaarisia tai haaroittuneita Cj • Λ :*·*; -C6 alkyylejäja erityisen edullisesti ryhmästä -CH3, -C(CH3)3,-CF3 ja- :Y: C(CF3)3. • * • f « • * « * * * *
10. Patenttivaatimuksen 7 tai 8 mukainen menetelmä, jossa syklopentadienyylin johdan- !t>ii 25 naisella on yleinen kaava (IV): C5H5.yR"'y (IV) ·»«· · • · jossa • * · R"'on valittu ryhmästä lineaarisia tai haaroittuneita Ci - C10 alkyylejä, edul-i:*: lisesti Ci - Ce alkyylejä, erityisen edullisesti R'" on metyyli- (-CH3), etyyli-, 30 propyyli-, butyyli-, pentyyli-, alkoksi-, aryyli-, amino-, syano- tai silyyliryh- mä,jajossa * > y on kokonaisluku välillä 1 -5. • · * ··· 21 1 1 7979
11. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, jossa zirkoniumlähdeaine on valittu yhdisteryhmästä, jolla on yleinen kaava (V):
12. Patenttivaatimuksen 11 mukainen menetelmä, jossa syklopentadienyylin johdannaisella 15 on yleinen kaava (IV): CsHs_yR"’y (IV) jossa R"' on valitty ryhmästä lineaarisia tai haaroittuneita Ci - Cio alkyylejä, edullisesti ryhmästä Ci - alkyylejä, erityisen edullisesti R"' on metyyli- (-20 CH3), etyyli-, propyyli-, butyyli-, pentyyli-, alkoksi-, aryyli-, amino-, syano- tai silyyliryhmä, ja jossa *··... • 1 y on kokonaisluku välillä 1-5. * .... * » • 2 · • 1 · * 2
13. Patenttivaatimuksen 11 tai 12 mukainen menetelmä, jossa ligandit R ovat silloittuneet ·· 1 25 ja niillä on siten rakenne -R-A-R-, jossa A on metyyli, alkyyliryhmä, jolla on kaava (CH2)n ··· :3: , n = 2 - 6, edullisesti 2 tai 3, tai substituoitu hiilivety kuten C(CH3)2. ·· • 1··
14. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, jossa happilähdeaine on ··· valittu ryhmästä, joka käsittää veden, happen, vetyperoksidin, vetyperoksidin vesiliuoksen, m 30 otsonin, typen oksidit, happi-halidi -yhdisteet, perhapot (-O-O-H), alkoholit, alkoksidit, * 2 ;3· erilaiset happipitoiset radikaalit ja niiden seokset. • · · • . · • · * · 1 * « · • · « · · · 2 • · • · 3 • M 117979
15. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, jossa Y(thd)3 :a käytetään yttriumin lähdeaineena, disyklopentadienyylizirkoniumdikloridia (Cp2ZrCl2) käytetään zirkoniumin lähdeaineena ja C^ia tai 02 :n ja O3 :n seosta käytetään hapen lähdeaineena. • 4 • 4 * · · • « • * * • · · *44 » • · 1 « * • · · * * • · · • · * » 444 t* « 44 • * * * * » « · • · 44 *♦* • 4 444 • 4 4 4 4 « • 4 • * 4 4*4... 4 4#· • · 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4'. 4 4 4 4 4 444 4 4'.' 4 * • 44 23 1 1 7979
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20000898A FI117979B (fi) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
| TW090108955A TW567584B (en) | 2000-04-14 | 2001-04-13 | Process for producing oxide thin films |
| JP2001117318A JP2001355070A (ja) | 2000-04-14 | 2001-04-16 | 酸化物薄膜を製造する方法 |
| US09/835,737 US6548424B2 (en) | 2000-04-14 | 2001-04-16 | Process for producing oxide thin films |
| US10/410,718 US6777353B2 (en) | 2000-04-14 | 2003-04-08 | Process for producing oxide thin films |
| US10/917,906 US7351658B2 (en) | 2000-04-14 | 2004-08-13 | Process for producing yttrium oxide thin films |
| US11/864,663 US7754621B2 (en) | 2000-04-14 | 2007-09-28 | Process for producing zirconium oxide thin films |
| US12/820,633 US7998883B2 (en) | 2000-04-14 | 2010-06-22 | Process for producing zirconium oxide thin films |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20000898 | 2000-04-14 | ||
| FI20000898A FI117979B (fi) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20000898A0 FI20000898A0 (fi) | 2000-04-14 |
| FI20000898L FI20000898L (fi) | 2001-10-15 |
| FI117979B true FI117979B (fi) | 2007-05-15 |
Family
ID=8558212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20000898A FI117979B (fi) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (5) | US6548424B2 (fi) |
| JP (1) | JP2001355070A (fi) |
| FI (1) | FI117979B (fi) |
| TW (1) | TW567584B (fi) |
Families Citing this family (603)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6974766B1 (en) | 1998-10-01 | 2005-12-13 | Applied Materials, Inc. | In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application |
| US7554829B2 (en) | 1999-07-30 | 2009-06-30 | Micron Technology, Inc. | Transmission lines for CMOS integrated circuits |
| FI117979B (fi) | 2000-04-14 | 2007-05-15 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
| US6620723B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US6936538B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing tungsten after surface treatment to improve film characteristics |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| US6551929B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US7217615B1 (en) | 2000-08-31 | 2007-05-15 | Micron Technology, Inc. | Capacitor fabrication methods including forming a conductive layer |
| US20020036780A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-03-28 | Hiroaki Nakamura | Image processing apparatus |
| US6852167B2 (en) | 2001-03-01 | 2005-02-08 | Micron Technology, Inc. | Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions |
| US6596643B2 (en) * | 2001-05-07 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | CVD TiSiN barrier for copper integration |
| JP2002343790A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Nec Corp | 金属化合物薄膜の気相堆積方法及び半導体装置の製造方法 |
| US7037574B2 (en) | 2001-05-23 | 2006-05-02 | Veeco Instruments, Inc. | Atomic layer deposition for fabricating thin films |
| US6849545B2 (en) * | 2001-06-20 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | System and method to form a composite film stack utilizing sequential deposition techniques |
| JP2005504885A (ja) | 2001-07-25 | 2005-02-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成 |
| US20090004850A1 (en) | 2001-07-25 | 2009-01-01 | Seshadri Ganguli | Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications |
| US20030029715A1 (en) | 2001-07-25 | 2003-02-13 | Applied Materials, Inc. | An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems |
| US8110489B2 (en) | 2001-07-25 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Process for forming cobalt-containing materials |
| US9051641B2 (en) | 2001-07-25 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Cobalt deposition on barrier surfaces |
| JP4921652B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2012-04-25 | エイエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． | イットリウム酸化物およびランタン酸化物薄膜を堆積する方法 |
| US8026161B2 (en) | 2001-08-30 | 2011-09-27 | Micron Technology, Inc. | Highly reliable amorphous high-K gate oxide ZrO2 |
| US7049226B2 (en) * | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
| US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US7081271B2 (en) * | 2001-12-07 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride |
| US6900122B2 (en) | 2001-12-20 | 2005-05-31 | Micron Technology, Inc. | Low-temperature grown high-quality ultra-thin praseodymium gate dielectrics |
| US6998014B2 (en) * | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6833161B2 (en) | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| KR100468847B1 (ko) * | 2002-04-02 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 알콜을 이용한 금속산화물 박막의 화학기상증착법 |
| US6846516B2 (en) * | 2002-04-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor cyclical deposition system |
| US6720027B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer |
| US7279432B2 (en) * | 2002-04-16 | 2007-10-09 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming an integrated barrier layer |
| US7105065B2 (en) * | 2002-04-25 | 2006-09-12 | Micron Technology, Inc. | Metal layer forming methods and capacitor electrode forming methods |
| US7589029B2 (en) | 2002-05-02 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition and conversion |
| US7160577B2 (en) | 2002-05-02 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits |
| US6722918B2 (en) * | 2002-05-06 | 2004-04-20 | Lyall Assemblies, Inc. | Rail electrical connector system |
| US7041335B2 (en) * | 2002-06-04 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Titanium tantalum nitride silicide layer |
| US7205218B2 (en) | 2002-06-05 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method including forming gate dielectrics having multiple lanthanide oxide layers |
| US7221586B2 (en) | 2002-07-08 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Memory utilizing oxide nanolaminates |
| US6838125B2 (en) * | 2002-07-10 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Method of film deposition using activated precursor gases |
| US20040013803A1 (en) * | 2002-07-16 | 2004-01-22 | Applied Materials, Inc. | Formation of titanium nitride films using a cyclical deposition process |
| US6915592B2 (en) * | 2002-07-29 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating gas to a processing chamber |
| US6921702B2 (en) | 2002-07-30 | 2005-07-26 | Micron Technology Inc. | Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics |
| US6784049B2 (en) * | 2002-08-28 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Method for forming refractory metal oxide layers with tetramethyldisiloxane |
| US7087481B2 (en) * | 2002-08-28 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming metal oxides using metal compounds containing aminosilane ligands |
| US7253122B2 (en) * | 2002-08-28 | 2007-08-07 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming metal oxides using metal diketonates and/or ketoimines |
| US6984592B2 (en) * | 2002-08-28 | 2006-01-10 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming metal-doped alumina |
| US7030042B2 (en) | 2002-08-28 | 2006-04-18 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming tantalum oxide layers and tantalum precursor compounds |
| US7084078B2 (en) | 2002-08-29 | 2006-08-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited lanthanide doped TiOx dielectric films |
| US6821563B2 (en) | 2002-10-02 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for cyclical layer deposition |
| JP4046588B2 (ja) * | 2002-10-10 | 2008-02-13 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | キャパシタの製造方法 |
| US6905737B2 (en) * | 2002-10-11 | 2005-06-14 | Applied Materials, Inc. | Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition |
| US7101813B2 (en) | 2002-12-04 | 2006-09-05 | Micron Technology Inc. | Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films |
| US6958302B2 (en) | 2002-12-04 | 2005-10-25 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films using TiI4 |
| US7244683B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD/CVD barriers with porous low k materials |
| US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| US7192892B2 (en) * | 2003-03-04 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited dielectric layers |
| US7135369B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited ZrAlxOy dielectric layers including Zr4AlO9 |
| US20040197474A1 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-07 | Vrtis Raymond Nicholas | Method for enhancing deposition rate of chemical vapor deposition films |
| US7183186B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-02-27 | Micro Technology, Inc. | Atomic layer deposited ZrTiO4 films |
| US20040212025A1 (en) * | 2003-04-28 | 2004-10-28 | Wilman Tsai | High k oxide |
| US7211508B2 (en) * | 2003-06-18 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tantalum based barrier materials |
| US7192824B2 (en) | 2003-06-24 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectric layers |
| US20050056219A1 (en) * | 2003-09-16 | 2005-03-17 | Tokyo Electron Limited | Formation of a metal-containing film by sequential gas exposure in a batch type processing system |
| US7071118B2 (en) * | 2003-11-12 | 2006-07-04 | Veeco Instruments, Inc. | Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate |
| US7476461B2 (en) * | 2003-12-02 | 2009-01-13 | Nanodynamics Energy, Inc. | Methods for the electrochemical optimization of solid oxide fuel cell electrodes |
| JP2005191482A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
| US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
| US20060062917A1 (en) * | 2004-05-21 | 2006-03-23 | Shankar Muthukrishnan | Vapor deposition of hafnium silicate materials with tris(dimethylamino)silane |
| US8323754B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of high-k dielectric materials |
| US20060008696A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Suk-Won Cha | Nanotubular solid oxide fuel cell |
| US7081421B2 (en) | 2004-08-26 | 2006-07-25 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide oxide dielectric layer |
| US7588988B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Method of forming apparatus having oxide films formed using atomic layer deposition |
| US7494939B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-02-24 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer |
| US7429402B2 (en) * | 2004-12-10 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition |
| US7235501B2 (en) * | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
| US7560395B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics |
| US7508648B2 (en) * | 2005-02-08 | 2009-03-24 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of Dy doped HfO2 films as gate dielectrics |
| US7498247B2 (en) | 2005-02-23 | 2009-03-03 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of Hf3N4/HfO2 films as gate dielectrics |
| US20060216548A1 (en) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Ming Mao | Nanolaminate thin films and method for forming the same using atomic layer deposition |
| US7390756B2 (en) * | 2005-04-28 | 2008-06-24 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited zirconium silicon oxide films |
| US20060272577A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Ming Mao | Method and apparatus for decreasing deposition time of a thin film |
| US7767363B2 (en) * | 2005-06-24 | 2010-08-03 | Micron Technology, Inc. | Methods for photo-processing photo-imageable material |
| US7927948B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
| US8110469B2 (en) | 2005-08-30 | 2012-02-07 | Micron Technology, Inc. | Graded dielectric layers |
| US7544596B2 (en) * | 2005-08-30 | 2009-06-09 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of GdScO3 films as gate dielectrics |
| US7495743B2 (en) * | 2005-09-30 | 2009-02-24 | International Business Machines Corporation | Immersion optical lithography system having protective optical coating |
| US7582562B2 (en) | 2005-10-06 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition methods |
| TWI329135B (en) * | 2005-11-04 | 2010-08-21 | Applied Materials Inc | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
| US7658802B2 (en) * | 2005-11-22 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and a method for cleaning a dielectric film |
| US7798096B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool |
| EP2029790A1 (en) * | 2006-06-02 | 2009-03-04 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing |
| US7521379B2 (en) * | 2006-10-09 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition and densification process for titanium nitride barrier layers |
| US8795771B2 (en) | 2006-10-27 | 2014-08-05 | Sean T. Barry | ALD of metal-containing films using cyclopentadienyl compounds |
| GB0702759D0 (en) * | 2007-02-13 | 2007-03-21 | Unversity Of Aveiro | Non aqueous thin film formation |
| US10622194B2 (en) | 2007-04-27 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Bulk sintered solid solution ceramic which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
| US10242888B2 (en) * | 2007-04-27 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing apparatus with a ceramic-comprising surface which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
| US20090035946A1 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Asm International N.V. | In situ deposition of different metal-containing films using cyclopentadienyl metal precursors |
| US8067793B2 (en) * | 2007-09-27 | 2011-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including storage capacitor with yttrium oxide capacitor dielectric |
| US7964515B2 (en) * | 2007-12-21 | 2011-06-21 | Tokyo Electron Limited | Method of forming high-dielectric constant films for semiconductor devices |
| US7767572B2 (en) * | 2008-02-21 | 2010-08-03 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming a barrier layer in an interconnect structure |
| US8853075B2 (en) | 2008-02-27 | 2014-10-07 | L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method for forming a titanium-containing layer on a substrate using an atomic layer deposition (ALD) process |
| US7618893B2 (en) * | 2008-03-04 | 2009-11-17 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming a layer for barrier applications in an interconnect structure |
| US7816278B2 (en) * | 2008-03-28 | 2010-10-19 | Tokyo Electron Limited | In-situ hybrid deposition of high dielectric constant films using atomic layer deposition and chemical vapor deposition |
| US8383525B2 (en) * | 2008-04-25 | 2013-02-26 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures |
| KR101451716B1 (ko) * | 2008-08-11 | 2014-10-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 방법 및 성막 장치 |
| US8491967B2 (en) | 2008-09-08 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber treatment and deposition process |
| US20100062149A1 (en) | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Applied Materials, Inc. | Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process |
| FR2935843B1 (fr) * | 2008-09-11 | 2011-02-11 | Commissariat Energie Atomique | Electrolyte pour pile sofc et son procede de fabrication. |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US20100136313A1 (en) * | 2008-12-01 | 2010-06-03 | Asm Japan K.K. | Process for forming high resistivity thin metallic film |
| US20100151676A1 (en) * | 2008-12-16 | 2010-06-17 | Applied Materials, Inc. | Densification process for titanium nitride layer for submicron applications |
| JPWO2010103893A1 (ja) | 2009-03-13 | 2012-09-13 | 株式会社Adeka | 金属含有薄膜の製造方法における残存水分子除去プロセス及びパージソルベント |
| EP2237357B1 (en) * | 2009-03-23 | 2013-10-23 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Ionic electrolyte membrane structure, method for its production and solid oxide fuel cell making use of ionic electrolyte membrane structure |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US20100290945A1 (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | Ce Ma | Solution based zirconium precursors for atomic layer deposition |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| CA2801912A1 (en) | 2010-06-08 | 2011-12-15 | President And Fellows Of Harvard College | Low-temperature synthesis of silica |
| TWI509695B (zh) | 2010-06-10 | 2015-11-21 | Ａｓｍ國際股份有限公司 | 使膜選擇性沈積於基板上的方法 |
| US8642473B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-02-04 | Applied Materials, Inc. | Methods for contact clean |
| US20120251922A1 (en) | 2011-03-28 | 2012-10-04 | WATT Fuel Cell Corp | Electrode for a solid oxide fuel cell and method for its manufacture |
| US8912096B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-12-16 | Applied Materials, Inc. | Methods for precleaning a substrate prior to metal silicide fabrication process |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| KR101288375B1 (ko) * | 2011-06-13 | 2013-07-22 | 주식회사 엑스에프씨 | 원자막 증착법으로 형성된 이트리아-안정화 지르코니아 기능층을 포함하는 세리아계 전해질 및 이를 포함하는 고체 산화물 연료전지 |
| US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10658705B2 (en) | 2018-03-07 | 2020-05-19 | Space Charge, LLC | Thin-film solid-state energy storage devices |
| US11996517B2 (en) | 2011-06-29 | 2024-05-28 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
| US10601074B2 (en) | 2011-06-29 | 2020-03-24 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| US9853325B2 (en) | 2011-06-29 | 2017-12-26 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| US11527774B2 (en) | 2011-06-29 | 2022-12-13 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9218961B2 (en) | 2011-09-19 | 2015-12-22 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming a metal containing layer on a substrate with high uniformity and good profile control |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US9112003B2 (en) | 2011-12-09 | 2015-08-18 | Asm International N.V. | Selective formation of metallic films on metallic surfaces |
| US8927423B2 (en) | 2011-12-16 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Methods for annealing a contact metal layer to form a metal silicidation layer |
| US8586479B2 (en) | 2012-01-23 | 2013-11-19 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming a contact metal layer in semiconductor devices |
| US9034199B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article |
| US9212099B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-12-15 | Applied Materials, Inc. | Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics |
| US9330939B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-05-03 | Applied Materials, Inc. | Method of enabling seamless cobalt gap-fill |
| US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| KR101466967B1 (ko) * | 2012-06-13 | 2014-12-15 | 한국과학기술연구원 | 내식성이 향상된 다성분계 열용사용 코팅물질, 그 제조방법 및 코팅방법 |
| KR101438891B1 (ko) * | 2012-07-03 | 2014-09-05 | 현대자동차주식회사 | 연료전지용 애노드의 제조방법 |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9865434B2 (en) | 2013-06-05 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application |
| US9850568B2 (en) | 2013-06-20 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings |
| US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9711334B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-07-18 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition for rare-earth oxide based thin film coatings on process rings |
| US9583369B2 (en) | 2013-07-20 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition for rare-earth oxide based coatings on lids and nozzles |
| US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
| US9543163B2 (en) | 2013-08-20 | 2017-01-10 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming features in a material layer utilizing a combination of a main etching and a cyclical etching process |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| TWI720422B (zh) | 2013-09-27 | 2021-03-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 實現無縫鈷間隙填充之方法 |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
| US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
| JP6616070B2 (ja) * | 2013-12-01 | 2019-12-04 | ユージェヌス インコーポレイテッド | 誘電性複合体構造の作製方法及び装置 |
| US9725799B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components |
| TWI686499B (zh) | 2014-02-04 | 2020-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 金屬、金屬氧化物與介電質的選擇性沉積 |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| KR102251989B1 (ko) | 2014-03-10 | 2021-05-14 | 삼성전자주식회사 | 유기 금속 전구체 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
| US9508561B2 (en) | 2014-03-11 | 2016-11-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming interconnection structures in an integrated cluster system for semicondcutor applications |
| US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10047435B2 (en) | 2014-04-16 | 2018-08-14 | Asm Ip Holding B.V. | Dual selective deposition |
| US9869013B2 (en) | 2014-04-25 | 2018-01-16 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US9528185B2 (en) | 2014-08-22 | 2016-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by arrays of unit cell plasmas |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US9499571B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Germanium- and zirconium-containing compositions for vapor deposition of zirconium-containing films |
| US9663547B2 (en) | 2014-12-23 | 2017-05-30 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Silicon- and Zirconium-containing compositions for vapor deposition of Zirconium-containing films |
| US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
| US9490145B2 (en) | 2015-02-23 | 2016-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Removal of surface passivation |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| KR102147190B1 (ko) | 2015-03-20 | 2020-08-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 막형성조성물 및 그를 이용한 박막 제조 방법 |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US10428421B2 (en) | 2015-08-03 | 2019-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces |
| US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
| US10566185B2 (en) | 2015-08-05 | 2020-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material |
| US10121699B2 (en) | 2015-08-05 | 2018-11-06 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material |
| US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US10343186B2 (en) | 2015-10-09 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
| US10814349B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
| US10695794B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-06-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
| US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
| US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
| US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
| US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US9981286B2 (en) | 2016-03-08 | 2018-05-29 | Asm Ip Holding B.V. | Selective formation of metal silicides |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US10204782B2 (en) | 2016-04-18 | 2019-02-12 | Imec Vzw | Combined anneal and selective deposition process |
| KR102182550B1 (ko) | 2016-04-18 | 2020-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 유도된 자기-조립층을 기판 상에 형성하는 방법 |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US11326253B2 (en) * | 2016-04-27 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US11081342B2 (en) | 2016-05-05 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition using hydrophobic precursors |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10283349B2 (en) | 2016-05-27 | 2019-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Single-crystal rare earth oxide grown on III-V compound |
| US10453701B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
| US10373820B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
| US9803277B1 (en) | 2016-06-08 | 2017-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Reaction chamber passivation and selective deposition of metallic films |
| US10014212B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-07-03 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of metallic films |
| US9850573B1 (en) | 2016-06-23 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US20180016678A1 (en) | 2016-07-15 | 2018-01-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer coating with diffusion barrier layer and erosion resistant layer |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10106568B2 (en) | 2016-10-28 | 2018-10-23 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Hafnium-containing film forming compositions for vapor deposition of hafnium-containing films |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| US11430656B2 (en) | 2016-11-29 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of oxide thin films |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10186400B2 (en) * | 2017-01-20 | 2019-01-22 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US11094535B2 (en) | 2017-02-14 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective passivation and selective deposition |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10224224B2 (en) | 2017-03-10 | 2019-03-05 | Micromaterials, LLC | High pressure wafer processing systems and related methods |
| US10975469B2 (en) | 2017-03-17 | 2021-04-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant coating of porous body by atomic layer deposition |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11501965B2 (en) | 2017-05-05 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of metal oxide thin films |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10443125B2 (en) | 2017-05-10 | 2019-10-15 | Applied Materials, Inc. | Flourination process to create sacrificial oxy-flouride layer |
| US10755900B2 (en) | 2017-05-10 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer plasma erosion protection for chamber components |
| WO2018213018A1 (en) | 2017-05-16 | 2018-11-22 | Asm Ip Holding B.V. | Selective peald of oxide on dielectric |
| US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| US10760159B2 (en) * | 2017-07-13 | 2020-09-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for depositing yttrium-containing films |
| US10900120B2 (en) | 2017-07-14 | 2021-01-26 | Asm Ip Holding B.V. | Passivation against vapor deposition |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
| JP6947914B2 (ja) | 2017-08-18 | 2021-10-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高圧高温下のアニールチャンバ |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US11279656B2 (en) | 2017-10-27 | 2022-03-22 | Applied Materials, Inc. | Nanopowders, nanoceramic materials and methods of making and use thereof |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10720341B2 (en) | 2017-11-11 | 2020-07-21 | Micromaterials, LLC | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| CN111432920A (zh) | 2017-11-17 | 2020-07-17 | 应用材料公司 | 用于高压处理系统的冷凝器系统 |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI852426B (zh) | 2018-01-19 | 2024-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沈積方法 |
| KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11014853B2 (en) | 2018-03-07 | 2021-05-25 | Applied Materials, Inc. | Y2O3—ZrO2 erosion resistant material for chamber components in plasma environments |
| CN121398097A (zh) | 2018-03-09 | 2026-01-23 | 应用材料公司 | 用于含金属材料的高压退火处理 |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US10443126B1 (en) | 2018-04-06 | 2019-10-15 | Applied Materials, Inc. | Zone-controlled rare-earth oxide ALD and CVD coatings |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP7146690B2 (ja) | 2018-05-02 | 2022-10-04 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 堆積および除去を使用した選択的層形成 |
| KR102709511B1 (ko) | 2018-05-08 | 2024-09-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
| US10950429B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| TWI879056B (zh) | 2018-05-11 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102854019B1 (ko) | 2018-06-27 | 2025-09-02 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
| CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US11667575B2 (en) * | 2018-07-18 | 2023-06-06 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant metal oxide coatings |
| US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US12482648B2 (en) | 2018-10-02 | 2025-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Selective passivation and selective deposition |
| JP2020056104A (ja) | 2018-10-02 | 2020-04-09 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 選択的パッシベーションおよび選択的堆積 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11180847B2 (en) | 2018-12-06 | 2021-11-23 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition coatings for high temperature ceramic components |
| WO2020117462A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| TWI874340B (zh) | 2018-12-14 | 2025-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| TWI873122B (zh) | 2019-02-20 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
| JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
| TWI838458B (zh) | 2019-02-20 | 2024-04-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US10858741B2 (en) | 2019-03-11 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant multi-layer architecture for high aspect ratio parts |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11965238B2 (en) | 2019-04-12 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of metal oxides on metal surfaces |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR102869364B1 (ko) | 2019-05-07 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
| KR102918757B1 (ko) | 2019-06-10 | 2026-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR102911421B1 (ko) | 2019-07-03 | 2026-01-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646B (zh) | 2019-07-10 | 2026-02-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR102895115B1 (ko) | 2019-07-16 | 2025-12-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| KR102903090B1 (ko) | 2019-07-19 | 2025-12-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| CN112309843B (zh) | 2019-07-29 | 2026-01-23 | Asmip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| US20210035767A1 (en) * | 2019-07-29 | 2021-02-04 | Applied Materials, Inc. | Methods for repairing a recess of a chamber component |
| KR20210015655A (ko) | 2019-07-30 | 2021-02-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 방법 |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| KR20210018761A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP7810514B2 (ja) | 2019-08-21 | 2026-02-03 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| TWI838570B (zh) | 2019-08-23 | 2024-04-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 使用雙(二乙基胺基)矽烷藉由peald沉積具有經改良品質之氧化矽膜的方法 |
| KR102868968B1 (ko) | 2019-09-03 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치 |
| KR102806450B1 (ko) | 2019-09-04 | 2025-05-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11976357B2 (en) | 2019-09-09 | 2024-05-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming a protective coating on processing chamber surfaces or components |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR102879443B1 (ko) | 2019-10-10 | 2025-11-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11139163B2 (en) | 2019-10-31 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of SiOC thin films |
| KR102890638B1 (ko) | 2019-11-05 | 2025-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692B (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-15 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693B (zh) | 2019-11-29 | 2025-06-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
| KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| KR20210089077A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템 |
| JP7636892B2 (ja) | 2020-01-06 | 2025-02-27 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TWI871421B (zh) | 2020-02-03 | 2025-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| TW202146691A (zh) | 2020-02-13 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法 |
| KR102916725B1 (ko) | 2020-02-13 | 2026-01-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
| TWI855223B (zh) | 2020-02-17 | 2024-09-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法 |
| TWI895326B (zh) | 2020-02-28 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210113043A (ko) | 2020-03-04 | 2021-09-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 정렬 고정구 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR102775390B1 (ko) | 2020-03-12 | 2025-02-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| TW202140832A (zh) | 2020-03-30 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽在金屬表面上之選擇性沉積 |
| TWI862807B (zh) | 2020-03-30 | 2024-11-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 相對於金屬表面在介電表面上之氧化矽的選擇性沉積 |
| TWI865747B (zh) | 2020-03-30 | 2024-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 在兩不同表面上同時選擇性沉積兩不同材料 |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202143328A (zh) | 2020-04-21 | 2021-11-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於調整膜應力之方法 |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| TWI887400B (zh) | 2020-04-24 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於穩定釩化合物之方法及設備 |
| TW202208671A (zh) | 2020-04-24 | 2022-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法 |
| TWI884193B (zh) | 2020-04-24 | 2025-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| JP7726664B2 (ja) | 2020-05-04 | 2025-08-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
| JP7736446B2 (ja) | 2020-05-07 | 2025-09-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同調回路を備える反応器システム |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| KR102905441B1 (ko) | 2020-05-19 | 2025-12-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| KR20210146802A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| KR20210156219A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| KR102916735B1 (ko) | 2020-06-24 | 2026-01-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘이 구비된 층을 형성하는 방법 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| TW202219303A (zh) | 2020-07-27 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 薄膜沉積製程 |
| KR20220020210A (ko) | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법 |
| KR102915124B1 (ko) | 2020-08-14 | 2026-01-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220026500A (ko) | 2020-08-25 | 2022-03-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면을 세정하는 방법 |
| TW202534193A (zh) | 2020-08-26 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法 |
| KR20220027772A (ko) | 2020-08-27 | 2022-03-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI904232B (zh) | 2020-09-10 | 2025-11-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| KR20230069155A (ko) | 2020-09-17 | 2023-05-18 | 가부시키가이샤 아데카 | 원자층 퇴적법용 박막 형성 원료 및 박막의 제조 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114388427A (zh) | 2020-10-06 | 2022-04-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| TW202233884A (zh) | 2020-12-14 | 2022-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成臨限電壓控制用之結構的方法 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| US11702744B2 (en) * | 2021-02-17 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Metal oxyfluoride film formation methods |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
Family Cites Families (68)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE393967B (sv) | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
| JPH0645891B2 (ja) * | 1985-12-18 | 1994-06-15 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| JPH0618174B2 (ja) | 1986-07-08 | 1994-03-09 | シャープ株式会社 | 半導体基板 |
| WO1988010323A1 (fr) * | 1987-06-16 | 1988-12-29 | Kawasaki Steel Corporation | Composes complexes servant a former des films minces d'oxyde supraconducteur et procede de formation de ces films minces |
| JPS6427131A (en) | 1987-07-21 | 1989-01-30 | Nissin Electric Co Ltd | Manufacture of superconductive thin film |
| JPH0519148Y2 (fi) * | 1987-08-10 | 1993-05-20 | ||
| US4927670A (en) * | 1988-06-22 | 1990-05-22 | Georgia Tech Research Corporation | Chemical vapor deposition of mixed metal oxide coatings |
| JPH02210718A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Toshiba Corp | 酸化物超伝導体の気相成長方法 |
| JPH0824191B2 (ja) | 1989-03-17 | 1996-03-06 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタ |
| US5173474A (en) * | 1990-04-18 | 1992-12-22 | Xerox Corporation | Silicon substrate having an epitaxial superconducting layer thereon and method of making same |
| US5820664A (en) * | 1990-07-06 | 1998-10-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same |
| FI84960C (fi) * | 1990-07-18 | 1992-02-10 | Planar Int Oy | Lysaemnesskikt foer elektroluminescensdisplay. |
| JP2799134B2 (ja) * | 1992-09-22 | 1998-09-17 | 三菱電機株式会社 | チタン酸バリウムストロンチウム系誘電体薄膜用ｃｖｄ原料およびメモリー用キャパシタ |
| FI92897C (fi) * | 1993-07-20 | 1995-01-10 | Planar International Oy Ltd | Menetelmä kerrosrakenteen valmistamiseksi elektroluminenssikomponentteja varten |
| US5420320A (en) * | 1994-06-08 | 1995-05-30 | Phillips Petroleum Company | Method for preparing cyclopentadienyl-type ligands and metallocene compounds |
| FI97731C (fi) | 1994-11-28 | 1997-02-10 | Mikrokemia Oy | Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
| US6342277B1 (en) * | 1996-08-16 | 2002-01-29 | Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. | Sequential chemical vapor deposition |
| US5923056A (en) * | 1996-10-10 | 1999-07-13 | Lucent Technologies Inc. | Electronic components with doped metal oxide dielectric materials and a process for making electronic components with doped metal oxide dielectric materials |
| US5912068A (en) * | 1996-12-05 | 1999-06-15 | The Regents Of The University Of California | Epitaxial oxides on amorphous SiO2 on single crystal silicon |
| GB9709639D0 (en) * | 1997-05-14 | 1997-07-02 | Inorgtech Ltd | Chemical vapour deposition precursors |
| FI105313B (fi) | 1998-06-03 | 2000-07-14 | Planar Systems Oy | Menetelmä ohutkalvo-elektroluminesenssirakenteiden kasvattamiseksi |
| US20060219157A1 (en) * | 2001-06-28 | 2006-10-05 | Antti Rahtu | Oxide films containing titanium |
| FI108375B (fi) | 1998-09-11 | 2002-01-15 | Asm Microchemistry Oy | Menetelmõ eristõvien oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
| US6265222B1 (en) * | 1999-01-15 | 2001-07-24 | Dimeo, Jr. Frank | Micro-machined thin film hydrogen gas sensor, and method of making and using the same |
| US6238734B1 (en) * | 1999-07-08 | 2001-05-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Liquid precursor mixtures for deposition of multicomponent metal containing materials |
| US6503561B1 (en) * | 1999-07-08 | 2003-01-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Liquid precursor mixtures for deposition of multicomponent metal containing materials |
| US6297539B1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-10-02 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Doped zirconia, or zirconia-like, dielectric film transistor structure and deposition method for same |
| US6060755A (en) * | 1999-07-19 | 2000-05-09 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Aluminum-doped zirconium dielectric film transistor structure and deposition method for same |
| FI117942B (fi) * | 1999-10-14 | 2007-04-30 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen kasvattamiseksi |
| US6475276B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-11-05 | Asm Microchemistry Oy | Production of elemental thin films using a boron-containing reducing agent |
| US6203613B1 (en) * | 1999-10-19 | 2001-03-20 | International Business Machines Corporation | Atomic layer deposition with nitrate containing precursors |
| US6780704B1 (en) * | 1999-12-03 | 2004-08-24 | Asm International Nv | Conformal thin films over textured capacitor electrodes |
| US6407435B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-06-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Multilayer dielectric stack and method |
| US6537613B1 (en) * | 2000-04-10 | 2003-03-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for metal metalloid oxides and nitrides with compositional gradients |
| FI117979B (fi) * | 2000-04-14 | 2007-05-15 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
| US6984591B1 (en) * | 2000-04-20 | 2006-01-10 | International Business Machines Corporation | Precursor source mixtures |
| EP2293322A1 (en) * | 2000-06-08 | 2011-03-09 | Genitech, Inc. | Method for forming a metal nitride layer |
| EP1327010B1 (en) * | 2000-09-28 | 2013-12-04 | President and Fellows of Harvard College | Vapor deposition of silicates |
| US6884719B2 (en) * | 2001-03-20 | 2005-04-26 | Mattson Technology, Inc. | Method for depositing a coating having a relatively high dielectric constant onto a substrate |
| JP4921652B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2012-04-25 | エイエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． | イットリウム酸化物およびランタン酸化物薄膜を堆積する方法 |
| KR100760291B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2007-09-19 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | 박막 형성 방법 |
| US7300038B2 (en) * | 2002-07-23 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US6797337B2 (en) * | 2002-08-19 | 2004-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method for delivering precursors |
| US6858524B2 (en) * | 2002-12-03 | 2005-02-22 | Asm International, Nv | Method of depositing barrier layer for metal gates |
| US7198820B2 (en) * | 2003-02-06 | 2007-04-03 | Planar Systems, Inc. | Deposition of carbon- and transition metal-containing thin films |
| TW200506093A (en) * | 2003-04-21 | 2005-02-16 | Aviza Tech Inc | System and method for forming multi-component films |
| JP4696454B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2011-06-08 | 東ソー株式会社 | 新規有機イリジウム化合物、その製造方法、及び膜の製造方法 |
| US6844271B2 (en) * | 2003-05-23 | 2005-01-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process of CVD of Hf and Zr containing oxynitride films |
| US7238821B2 (en) * | 2003-10-06 | 2007-07-03 | Praxair Technology, Inc. | Method for large scale production of organometallic compounds |
| US20050252449A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
| CN101014730A (zh) * | 2004-06-15 | 2007-08-08 | 阿维扎技术公司 | 用于形成多组分介电膜的系统和方法 |
| US7250367B2 (en) * | 2004-09-01 | 2007-07-31 | Micron Technology, Inc. | Deposition methods using heteroleptic precursors |
| JP4632765B2 (ja) * | 2004-10-21 | 2011-02-16 | 株式会社Adeka | アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
| US20060088660A1 (en) * | 2004-10-26 | 2006-04-27 | Putkonen Matti I | Methods of depositing lead containing oxides films |
| CN101156234B (zh) * | 2005-03-31 | 2012-01-25 | 东京毅力科创株式会社 | 基板的氮化处理方法和绝缘膜的形成方法 |
| US7514119B2 (en) * | 2005-04-29 | 2009-04-07 | Linde, Inc. | Method and apparatus for using solution based precursors for atomic layer deposition |
| US7432139B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-10-07 | Amberwave Systems Corp. | Methods for forming dielectrics and metal electrodes |
| US8993055B2 (en) * | 2005-10-27 | 2015-03-31 | Asm International N.V. | Enhanced thin film deposition |
| GB2432363B (en) * | 2005-11-16 | 2010-06-23 | Epichem Ltd | Hafnocene and zirconocene precursors, and use thereof in atomic layer deposition |
| US7713584B2 (en) * | 2005-12-22 | 2010-05-11 | Asm International N.V. | Process for producing oxide films |
| EP2029790A1 (en) * | 2006-06-02 | 2009-03-04 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing |
| US7531458B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-05-12 | Rohm And Haas Electronics Materials Llp | Organometallic compounds |
| US8795771B2 (en) * | 2006-10-27 | 2014-08-05 | Sean T. Barry | ALD of metal-containing films using cyclopentadienyl compounds |
| DE102007002962B3 (de) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Qimonda Ag | Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Schicht und zum Herstellen eines Kondensators |
| US20080173917A1 (en) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Matthias Patz | Selective deposition method |
| WO2008128141A2 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Zirconium, hafnuim, titanium, and silicon precursors for ald/cvd |
| US20090035946A1 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Asm International N.V. | In situ deposition of different metal-containing films using cyclopentadienyl metal precursors |
| US8383525B2 (en) | 2008-04-25 | 2013-02-26 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures |
-
2000
- 2000-04-14 FI FI20000898A patent/FI117979B/fi not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-04-13 TW TW090108955A patent/TW567584B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-04-16 US US09/835,737 patent/US6548424B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-16 JP JP2001117318A patent/JP2001355070A/ja active Pending
-
2003
- 2003-04-08 US US10/410,718 patent/US6777353B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-08-13 US US10/917,906 patent/US7351658B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-09-28 US US11/864,663 patent/US7754621B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-06-22 US US12/820,633 patent/US7998883B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6777353B2 (en) | 2004-08-17 |
| TW567584B (en) | 2003-12-21 |
| US20050020092A1 (en) | 2005-01-27 |
| US7998883B2 (en) | 2011-08-16 |
| US6548424B2 (en) | 2003-04-15 |
| US7754621B2 (en) | 2010-07-13 |
| FI20000898L (fi) | 2001-10-15 |
| US20020042165A1 (en) | 2002-04-11 |
| US7351658B2 (en) | 2008-04-01 |
| FI20000898A0 (fi) | 2000-04-14 |
| US20080014762A1 (en) | 2008-01-17 |
| US20100266751A1 (en) | 2010-10-21 |
| US20030215996A1 (en) | 2003-11-20 |
| JP2001355070A (ja) | 2001-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI117979B (fi) | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi | |
| US7902099B2 (en) | Dielectric layers and memory cells including metal-doped alumina | |
| US8617312B2 (en) | Systems and methods for forming layers that contain niobium and/or tantalum | |
| US6958300B2 (en) | Systems and methods for forming metal oxides using metal organo-amines and metal organo-oxides | |
| US7576378B2 (en) | Systems and methods for forming metal oxides using metal diketonates and/or ketoimines | |
| US7041609B2 (en) | Systems and methods for forming metal oxides using alcohols | |
| US7115528B2 (en) | Systems and method for forming silicon oxide layers | |
| US7837797B2 (en) | Systems and methods for forming niobium and/or vanadium containing layers using atomic layer deposition | |
| US20080064209A1 (en) | Systems and methods for forming metal-containing layers using vapor deposition processes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 117979 Country of ref document: FI |
|
| MM | Patent lapsed |