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TW201406932A - 用於自包含氮化鈦之表面脫除光阻劑之組成物及方法 - Google Patents

用於自包含氮化鈦之表面脫除光阻劑之組成物及方法 Download PDF

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TW201406932A
TW201406932A TW102117505A TW102117505A TW201406932A TW 201406932 A TW201406932 A TW 201406932A TW 102117505 A TW102117505 A TW 102117505A TW 102117505 A TW102117505 A TW 102117505A TW 201406932 A TW201406932 A TW 201406932A
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acid
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phosphonic acid
methylene
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Application number
TW102117505A
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艾曼紐Ｉ 庫帕
馬克 康納
麥克 歐文斯
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尖端科技材料公司
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Publication date
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Abstract

發展一種用於自微電子裝置移除本體及/或硬化光阻劑材料之方法及低pH組成物。該低pH組成物包括硫酸及至少一種含磷酸。該低pH組成物有效地移除硬化光阻劑材料，然而不損壞下層含矽層或金屬閘極材料。

Description

用於自包含氮化鈦之表面脫除光阻劑之組成物及方法
本發明大致係關於自包含抗蝕劑(明確言之，高劑量植入抗蝕劑)之微電子裝置移除該材料之組成物及方法。所揭示之組成物及方法相對於氮化鈦選擇性地移除該抗蝕劑。
抗蝕劑(包括光阻劑)係在半導體裝置製造期間用於在基板(例如，半導體晶圓)上形成圖案化層之輻射敏感性(例如，光輻射敏感性)材料。於使一部分經抗蝕劑塗布之基板暴露至輻射後，移除抗蝕劑之經暴露部分(關於正型抗蝕劑)、或抗蝕劑之未經暴露部分(關於負型抗蝕劑)以顯露基板之下層表面，留下經抗蝕劑塗布及保護之基板的剩餘表面。抗蝕劑可更通常地稱為遮罩材料。諸如離子植入、蝕刻、或沉積之其他製程可在基板之未經覆蓋表面及殘留抗蝕劑上進行。於進行其他製程後，在脫除操作中移除殘留的抗蝕劑。
在離子植入中，使摻雜劑離子(例如，硼、二氟化硼、砷、銦、鎵、磷、鍺、銻、氙或鉍之離子)朝待植入基板加速。該等離子係植入於基板之暴露區域以及殘留的抗蝕劑中。離子植入可用於，例如，形成基板中之植入區域，諸如電晶體之通道區域及源極及汲極區域。離子植入亦可用於形成輕度摻雜汲極及雙重擴散汲極區域。然而，於抗蝕劑中植入高劑量離子可自抗蝕劑表面耗乏氫，導致抗蝕劑形成外 層或外殼，其可為較抗蝕劑層之底層部分(即抗蝕劑層之本體部分)硬的碳化層。外層及本體部分具有不同的熱膨脹速率且以不同速率對脫除過程起反應。
已知一種稱為場效電晶體(FET)之類型的電晶體。FET亦可稱為金屬氧化物半導體FET(MOSFET)，儘管MOSFET係具有矽閘極而非金屬閘極之FET的誤稱。FET電晶體包含源極區域、汲極區域、介於源極與汲極區域間之通道區域、位於通道區域上方之閘極絕緣體及位於閘極絕緣體上方之閘極電極。在來自極早期技術的早期FET中，閘極電極通常包含金屬。在後期技術中，閘極電極通常包含半導體矽(例如，呈多晶矽形式)。使用矽係因矽可與用作閘極絕緣體之二氧化矽相容，且由於矽可耐可用於製造FET及包含FET之積體電路的高溫。然而，一些相當新近的技術再次使用金屬閘極電極。金屬具有比多晶矽低的電阻，因此可降低信號行進時間的優點。再者，在極新近技術中具有比先前技術之尺寸小的電晶體尺寸，需將閘極介電層作得相當薄(例如，一奈米)。極薄的閘極介電層會導致多晶矽閘極電極之稱為多晶矽閘極空乏效應(poly depletion)的問題，其中當電晶體之通道區域反轉時，在緊鄰於閘極介電質的閘極多晶矽電極中形成空乏層。為避免多晶矽閘極空乏效應，需要金屬閘極。可使用多種金屬閘極材料，其通常與相當高介電常數的閘極絕緣體材料(稱為高k介電質)結合。金屬閘極材料的實例包括鉭、鎢、氮化鉭、及氮化鈦(TiN)。
抗蝕劑脫除的一重要態樣係關於損壞基板，或可能由抗蝕劑脫除所引起之不期望地移除基板之一部分。該損壞因會引起形成於基板之中或之上之結構及裝置(例如，形成於半導體晶圓或矽晶圓之中或之上之電晶體或其他電子裝置)不作用或作用不良而係不被期望 的。對基板材料之損壞或移除的實例包括，但不限於，損壞或移除矽或氮化鈦(TiN)，例如，包含於FET之金屬閘極中之TiN或包含在介於半導體與金屬間之阻障中之TiN。損壞可涉及溶解(蝕刻)，轉變為不同固相諸如氧化物，或兩者之組合。舉例來說，已知硫酸可有效移除高劑量之植入抗蝕劑，然而，其對TiN可能相當具侵蝕性。不利地，一般的表面活性試劑由於相當差的溶解度及/或會被極強酸質子化而無法於硫酸中良好地作為抑制劑。
因此，仍持續需要可脫除高劑量之植入抗蝕劑，同時不會實質上損壞基板上之其他材料的組成物。最佳地，高劑量植入抗蝕劑脫除組成物有效且有效率地移除抗蝕劑，然而實質上不損壞諸如TiN之金屬閘極材料。
本發明大致係關於自包含抗蝕劑(明確言之高劑量植入抗蝕劑)之微電子裝置將該材料移除之組成物及方法。所揭示之組成物及方法有效地移除該抗蝕劑，然而實質上不損壞存在於裝置表面上之其他材料，諸如氮化鈦。
在一態樣中，描述一種用於脫除抗蝕劑之組成物，該組成物包含硫酸及至少一種含磷酸，其限制條件為該含磷酸不可包括磷酸本身。
在另一態樣中，描述一種用於脫除抗蝕劑之組成物，該組成物包含硫酸及至少一種膦酸或膦酸衍生物。
在又另一態樣中，描述一種自包含高劑量離子植入抗蝕劑之微電子裝置之表面將該材料移除之方法，該方法包括使該微電子裝置與組成物以達成抗蝕劑之至少部分移除所需之時間及溫度接觸， 其中該組成物包含硫酸及至少一種含磷酸，其限制條件為該含磷酸不可包括磷酸本身。
在又另一態樣中，描述一種自包含高劑量離子植入抗蝕劑之微電子裝置之表面將該材料移除之方法，該方法包括使該微電子裝置與組成物以達成抗蝕劑之至少部分移除所需之時間及溫度接觸，其中該組成物包含硫酸及至少一種膦酸或膦酸衍生物。
在另一態樣中，描述一種自包含高劑量離子植入抗蝕劑之微電子裝置之表面將該材料移除之方法，該方法包括：使該微電子裝置與第一組成物以達成抗蝕劑之至少部分移除所需之時間及溫度接觸，其中該第一組成物包含硫酸及至少一種含磷酸，其限制條件為該含磷酸不可包括磷酸本身；使該微電子裝置與含鈰組成物接觸以達成抗蝕劑之額外移除；及視需要使該微電子裝置與第一組成物接觸以完成抗蝕劑自裝置之實質移除。
本發明之其他態樣、特徵及優點將可由隨後之揭示內容及隨附之申請專利範圍而更完整明瞭。
圖1說明組成物A、D、E、G及H從表面不同位置上移除光阻劑的移除效用，並以1至10的等級評分。
本發明大致係關於自包含抗蝕劑(明確言之高劑量植入抗蝕劑)之微電子裝置移除該材料之組成物及方法。所揭示之組成物及方法有效地移除該抗蝕劑，同時實質上不損壞存在於裝置表面上之其他材料，諸如金屬閘極材料。
為容易參考起見，「微電子裝置」係對應於經製造用於微電子、積體電路、能量收集、或電腦晶片應用中之半導體基板、平板顯示器、相變記憶體裝置、太陽能面板及包括太陽能電池裝置、光伏打元件、及微機電系統(MEMS)的其他產品。應瞭解術語「微電子裝置」、「微電子基板」及「微電子裝置材料」不具任何限制意味，且包括任何最終將成為微電子裝置或微電子組件的基板或結構。
「離子植入」係一種可藉以將摻雜劑材料之離子植入至標靶材料(通常係固體)中之過程。離子植入係被用於半導體裝置製造中，例如，製造積體電路及矽半導體裝置。植入的離子可由於離子係不同於標靶之元素、及/或結構變化而於標靶中引入或引起化學變化，其中標靶可能會因離子植入而改質、受損或甚至被破壞。僅舉實例來說，通常在半導體製造中用作植入物種之元素包括硼、二氟化硼、砷、銦、鎵、鍺、鉍、氙、磷及銻。硼因其在矽中供給或產生「電洞」(即電子空位)而係矽中之p型摻雜劑。砷因其在矽中供給或產生額外電子而係矽中之n型摻雜劑。植入於本質矽中之摻雜劑(諸如硼及砷)會導致本質矽成為導電性而作為半導體。可將一或多種摻雜劑材料植入標靶材料中。
離子植入之特徵通常在於劑量及能量。劑量係每單位面積標靶材料所植入的離子數。能量係所植入離子的能量。更先進的半導體加工或製造技術通常使用較舊式技術高的劑量及/或高的能量。在「高劑量離子植入」(HDII)中，離子劑量可大於約5x1014離子/平方公分及/或在離子衝擊標靶或基板前之離子的平均能量可為約五千電子伏特(KeV)至大於100KeV。
包括「光阻劑」之「抗蝕劑」係一種用於在表面(例如， 基板或標靶之表面)上形成圖案化塗層的輻射敏感性材料。抗蝕劑被用於製造半導體裝置，例如，積體電路及矽半導體裝置。抗蝕劑於半導體裝置製造中之一用途係作為用於將摻雜劑選擇性離子植入於半導體基板中之遮罩。將一層抗蝕劑塗布至半導體基板之表面，或基板之上或之內之層(諸如半導體層上方之絕緣體層)的表面。使一部分抗蝕劑暴露至輻射，該部分抗蝕劑係對應於半導體之欲植入的區域(正型抗蝕劑)或半導體之不欲植入的區域(負型抗蝕劑)。接著使抗蝕劑暴露至可促進移除一部分抗蝕劑的顯影劑，以致僅殘留該抗蝕劑之期望部分。「正型抗蝕劑」係一種暴露至輻射之部分的抗蝕劑變得可被抗蝕劑顯影劑溶解及移除之類型的抗蝕劑。未經暴露之部分的抗蝕劑保持不可被抗蝕劑顯影劑溶解及移除。「負型抗蝕劑」係一種暴露至輻射之部分的抗蝕劑變得不可被光阻劑顯影劑溶解及移除之類型的抗蝕劑。未經暴露至輻射之部分的抗蝕劑保持可被抗蝕劑顯影劑溶解及移除。抗蝕劑的可溶解部分被抗蝕劑顯影劑溶解。離子植入係於抗蝕劑經由暴露至輻射圖案化並經顯影劑顯影後發生。部分殘留的抗蝕劑阻擋植入離子防止其到達抗蝕劑下方的半導體或其他材料。被抗蝕劑阻擋的離子係被植入至抗蝕劑中而非下層基板中。未經抗蝕劑覆蓋之部分的半導體經離子植入。
各種抗蝕劑對之敏感的輻射涵蓋相當寬廣範圍。僅舉例而言，輻射可係在紫外光(例如，約300至400nm(奈米))、深紫外光(DUV；例如，約10至300奈米)、汞蒸氣燈之G、H及I線(分別大約為436奈米、404.7奈米及365.4奈米)、及x射線(例如，大約0.01至10奈米)內。輻射可替代地包含電子束(e-束)輻射。通常使用包含大約193奈米波長之DUV光及包含大約248奈米波長之光作為輻射。包含 大約193及248奈米之輻射的光微影技術分別稱作193奈米微影及248奈米微影。
由於經抗蝕劑阻擋之相當高劑量及/或高能量的植入離子，因而抗蝕劑在離子衝擊及經吸收處之抗蝕劑的外部或外側上形成外殼或硬殼。抗蝕劑硬化可由(或稱作)碳化、聚合或聚合物交聯所引起。明確言之，穿透至抗蝕劑之外部區域中之離子可引起抗蝕劑之外部區域(例如，抗蝕劑之頂部及側面)成為外殼，及接近外部區域之抗蝕劑之內部區域中的化學鍵成為交聯。已知外殼難以在抗蝕劑脫除製程期間移除(例如，外殼不溶於一些用於脫除之已知溶劑中)。由於離子僅於抗蝕劑材料中穿透有限距離，因此外殼主要係形成於抗蝕劑之外部上。由於抗蝕劑之底部係經植入材料或基板覆蓋，因此外殼可形成於抗蝕劑之頂及側表面上，但不可形成於抗蝕劑之底部部分或內部部分中。對於一般的抗蝕劑，由於離子通常主要係以向下入射方向植入，因此頂部外殼較側面外殼厚。抗蝕劑外殼之厚度係取決於植入離子之劑量及離子植入能量。位於外殼內部或下方之抗蝕劑材料(即一般不受離子影響之抗蝕劑部分)稱為本體抗蝕劑或本體抗蝕劑材料。抗蝕劑之硬化或形成外殼，例如，使得抗蝕劑之外部部分不可溶解，或較不可溶解於水或一些其他水溶液中(但不一定不可溶解於所有其他水溶液或所有有機溶劑中)。
「高劑量離子植入脫除」(HDIS)係脫除已接受HDII之經暴露抗蝕劑的製程。一些HDIS製程可包括乾式製程(諸如電漿製程及真空製程)、或濕式化學製程。
如本文所使用之「金屬閘極」或「金屬閘極電極」的含義包括含金屬之電晶體(例如，FET)的閘極電極。該金屬可與其他材料 組合。金屬閘極中之金屬包括，但不限於，Ti、Ta、W、Mo、Ru、Al、La、氮化鈦、氮化鉭、碳化鉭、碳化鈦、氮化鉬、氮化鎢、氧化釕(IV)、氮化鉭矽、氮化鈦矽、氮化鉭碳、氮化鈦碳、鋁化鈦、鋁化鉭、氮化鈦鋁、氮化鉭鋁、氧化鑭或其組合。金屬閘極之一特定實例包括氮化鈦(TiN)。應注意TiN在電子裝置中具有其他用途，例如，作為矽與金屬接點之間的阻障金屬及作為電導體。應明瞭經揭示作為金屬閘極材料之化合物可具有不同的化學計量。因此，氮化鈦在文中將表示為TiNx，氮化鉭在文中將表示為TaNx，等等。
「矽」可經定義為包括Si、多晶Si、單晶Si、及SiGe以及其他含矽材料諸如氧化矽、熱氧化物、SiOH及SiCOH。矽包含在絕緣體外延矽(SOI)晶圓中，其可，例如，用作諸如FET及積體電路之電子裝置的基板或基板之部分。其他類型的晶圓亦可包含矽。
如本文所使用之「下層含矽」層係相當於緊鄰於本體及/或硬化光阻劑下方的層，包括：矽；氧化矽，包括閘極氧化物(例如，熱或化學成長之SiO2)及TEOS；氮化矽；及低k介電材料。如本文所定義之「低k介電材料」係相當於在層狀微電子裝置中使用作為介電材料的任何材料，其中該材料具有小於約3.5之介電常數。低k介電材料較佳包括低極性材料諸如含矽有機聚合物、含矽之有機/無機混合材料、有機矽酸鹽玻璃(OSG)、TEOS、氟化矽酸鹽玻璃(FSG)、二氧化矽及摻碳氧化物(CDO)玻璃。應明瞭低k介電材料可具有不同密度及不同孔隙度。
如本文所定義之「實質上不含」係相當於以該組成物之總重量計，小於組成物之約2重量%，更佳小於1重量%，及最佳小於0.1重量%。
如本文所使用之「氟化物」物質係相當於包括離子性氟化物(F-)或共價鍵結氟之物質。應明瞭氟化物物質可被以氟化物物質包含或於原位產生。
抗蝕劑脫除的四個重要態樣為：(i)在相對低的溫度下脫除；(ii)抗蝕劑脫除的時間相當短以容許可接受的晶圓生產量；(iii)自微電子裝置表面實質上完全移除抗蝕劑；及(iv)使可能由抗蝕劑脫除所引起之自微電子裝置表面損壞或不期望地移除其他材料(例如，矽、金屬閘極、或兩者)減至最低或實質上消除。材料之損壞或移除的實例包括，但不限於，損壞或移除矽或氮化鈦(TiNx)(例如，包含在FET之金屬閘極中之TiNx或包含在半導體與金屬間之阻障中之TiNx)。該損壞，例如，可包括溶解(蝕刻)、轉變為不同固相諸如氧化物或兩者之組合。
在第一態樣中，描述一種用於自包含抗蝕劑(明確言之高劑量植入抗蝕劑)之微電子裝置將其脫除之組成物。該用於脫除抗蝕劑之組成物包含硫酸及至少一種含磷酸，由其所組成，或基本上由其所組成，其限制條件為該含磷酸不可包括磷酸本身。在另一具體例中，該用於脫除抗蝕劑之組成物包含硫酸及至少一種膦酸或膦酸衍生物，由其所組成，或基本上由其所組成。在又另一具體例中，該用於脫除抗蝕劑之組成物包含硫酸、至少一種膦酸或膦酸衍生物及至少一種氧化劑，由其所組成，或基本上由其所組成，其限制條件為該至少一種氧化劑不可包括過氧化氫本身。一般而言，可適當地改變組分相對於彼此的特定比例及含量，以提供組成物對抗蝕劑及/或加工設備之期望的移除作用，此係可於技藝技能內無需過多心力而輕易地決定。
硫酸較佳係濃硫酸，其在市售上係95%至98% H2SO4。硫酸可以基於組成物之總重量計約50重量%至約99重量%之範圍存在 於組成物中，更佳為約80重量%至約99重量%。
含磷酸可包括膦酸、膦酸衍生物、及磷酸衍生物。膦酸及其衍生物包括，但不限於，1,5,9-三吖環十二烷-N,N’,N”-參(亞甲基膦酸)(DOTRP)、1,4,7,10-四吖環十二烷-N,N’,N”,N’”-肆(亞甲基膦酸)(DOTP)、氮基參(亞甲基)三膦酸(即Dequest 2000)、二伸乙三胺五(亞甲基膦酸)(DETAP)、胺基三(亞甲基膦酸)、1-羥亞乙基-1,1-二膦酸(HEDP)、雙(六亞甲基)三胺膦酸、雙(六亞甲基三胺五(亞甲基膦酸))(即Dequest 2090)、1,4,7-三吖環壬烷-N,N’,N”-參(亞甲基膦酸)(NOTP)、N-(膦醯甲基)亞胺二乙酸、2-胺基-2-丙基膦酸、亞胺雙(亞甲基膦酸)、吡哆醛-5-(二氫磷酸鹽)、胺基(苯基)亞甲基-二膦酸、伸乙基雙(亞胺基(2-羥苯基)亞甲基(甲基)-膦酸))、2-膦醯丁烷-1,2,4-三羧酸、乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMPA)、其鹽、及其組合。磷酸衍生物包括，但不限於，磷酸之酯諸如磷酸三丁酯；磷酸三乙酯；磷酸三(2-乙基己基)酯；磷酸單甲酯；磷酸異十三烷基酯；磷酸2-乙基己基二苯基酯；及磷酸三苯酯。含磷酸最佳包含Dequest 2000、Dequest 2090、或EDTMPA。含磷酸可以基於組成物之總重量計約1重量%至約50重量%之範圍存在於組成物中，較佳為約1重量%至約20重量%。
可添加該至少一種氧化劑以促進移除光阻劑。涵蓋的氧化劑包括，但不限於，過碘酸、過碘酸鹽(例如，過碘酸銨、過碘酸四甲銨)、過硫酸銨、過氯酸、過氯酸鹽(例如，過氯酸銨、過氯酸四甲銨)、發氧方(oxone)(2KHSO5˙KHSO4˙K2SO4)、臭氧、鈰(IV)鹽或配位錯合物、及其組合。鈰(IV)之鹽可為，例如，硝酸銨鈰(CAN)。硝酸銨鈰之化學式可以Ce(NH4)2(NO3)6或(NH4)2Ce(NO3)6表示。其他可使用的鈰(IV)鹽包括，但不限於，硝酸鈰、硫酸銨鈰、硫酸鈰、硫酸氫鈰、過氯 酸鈰、甲磺酸鈰、三氟甲磺酸鈰、氯化鈰、氫氧化鈰、羧酸鈰、β-二酮鈰、三氟乙酸鈰及乙酸鈰。當存在時，氧化劑於組成物中之量係基於組成物之總重量約0.1重量%至約25重量%。該至少一種氧化劑較佳包含CAN。
第一態樣之組成物實質上不含添加水及有機溶劑。應明瞭濃H2SO4含有少量水，然而，較佳不添加額外的水至文中所述之組成物中。因此，第一態樣之組成物以組成物之總重量計包含少於約5重量%添加水，更佳少於3重量%添加水，及最佳少於2重量%添加水。如文中所定義之「添加水」係相當於第一態樣之組成物的製造商或使用者故意添加至該組成物之組分中以供稀釋或其他用途用之水。存在於市面購得組分(例如，濃H2SO4)中之水不被視為「添加水」。再者，第一態樣之組成物較佳實質上不含研磨劑材料、過氧化氫、濕潤劑(例如，乙酸、檸檬酸或另一含有羧酸基之化合物)、鎢、氟離子、銅離子或含銅殘留物及硫酸鉀。
第一態樣之組成物具有低於約2，更佳低於約1之pH。應明瞭取決於所使用之組分及其量，第一態樣之組成物的pH可低於零。
在另一具體例中，第一態樣之組成物進一步包含本體及硬化抗蝕劑材料，其中該本體及硬化抗蝕劑材料可包含硼、砷、二氟化硼、銦、銻、鍺、碳及/或磷離子。舉例來說，第一態樣之組成物可包括硫酸、膦酸或膦酸衍生物、及本體及硬化抗蝕劑材料。在另一具體例中，第二態樣之組成物可包括硫酸、至少一種含磷酸、及本體及硬化抗蝕劑材料，其限制條件為該含磷酸不可包括磷酸本身。在又另一具體例中，第一態樣之組成物可包括硫酸、膦酸或膦酸衍生物、 至少一種氧化劑、及本體及硬化抗蝕劑材料，其限制條件為該至少一種氧化劑不可包括過氧化氫本身。抗蝕劑材料及植入離子可溶解及/或懸浮於第一態樣之組成物中。
第一態樣之組成物可與微電子裝置上之下層含矽材料及金屬閘極材料相容。
第一態樣之組成物可輕易地調配為單一包裝調配物或在使用點處及/或使用點前混合的多份調配物，例如，可將多份調配物之個別份於工具處、於工具上游之儲槽中、或於直接將混合調配物傳遞至工具之運送包裝中混合。舉例來說，單一運送包裝可包括至少兩個可由使用者於工廠混合在一起的個別容器或囊袋，且可直接將混合調配物傳遞至工具。運送包裝及包裝之內部容器或囊袋必需適於儲存及運送該組成物組分，例如，由Advanced Technology Materials,Inc.(Danbury,Conn.,USA)所提供之包裝。
或者，可將第一態樣之組成物的濃縮物調配並包裝於一容器中供運送及在使用之前及/或使用期間與現場組分混合用，其中該使用方法描述於文中。舉例來說，可調配濃縮物以供在使用之前及/或使用期間添加硫酸。當組成物包括硫酸、膦酸或膦酸衍生物、及至少一種氧化劑(其限制條件為該至少一種氧化劑不可包括過氧化氫本身)時，涵蓋膦酸(或膦酸衍生物)及至少一種氧化劑係在工具處組合以延長調配物的保存期限及浴槽壽命。
另一態樣係關於一種套組，其包括存於一或多個容器中之一或多種適於形成如本文所述之第一態樣之組成物的組分。套組之容器必需適於儲存及運送該等組成物，例如，NOWPak®容器(Advanced Technology Materials,Inc.,Danbury,Conn.,USA)。容納文中所述之組成 物之組分的一或多個容器較佳包括用於使該一或多個容器中之組分流體相通，以進行摻混及配送的構件。舉例來說，參照NOWPak®容器，可對該一或多個容器中之襯裡的外側施加氣體壓力，以使襯裡之至少一部分的內容物排出，且因此可流體相通而進行摻混及配送。或者，可對習知之可加壓容器的頂部空間施加氣體壓力，或可使用泵以達成流體相通。此外，系統較佳包括用於將經摻混之組成物配送至製程工具的配送口。
較佳使用實質上化學惰性、不含雜質、可撓性及彈性的聚合薄膜材料，諸如PTFE或PTFA，於製造該一或多個容器的襯裡。理想的襯裡材料不需要共擠塑或阻障層來進行加工，且不含任何會不利影響待置於襯裡中之組分之純度需求的顏料、UV抑制劑、或加工劑。理想襯裡材料的清單包括含純粹聚四氟乙烯(PTFE)、PFA、Halar®等等的薄膜。此等襯裡材料的較佳厚度係在約5密爾(mil)(0.005英吋)至約30密爾(0.030英吋)之範圍內，例如，20密爾(0.020英吋)之厚度。
關於套組之容器，將以下專利及專利申請案之揭示內容的各別全體併入本文為參考資料：美國專利第7,188,644號，標題「使產生於超純液體中之顆粒減至最小的裝置及方法(APPARATUS AND METHOD FOR MINIMIZING THE GENERATION OF PARTICLES IN ULTRAPURE LIQUIDS)」；美國專利第6,698,619號，標題「可回收及再利用的桶中袋流體儲存及配送容器系統(RETURNABLE AND REUSABLE,BAG-IN-DRUM FLUID STORAGE AND DISPENSING CONTAINER SYSTEM)」；2008年5月9日以John E.Q.Hughes之名義提出申請之國際申請案第PCT/US08/63276號，標題「材料摻混及分佈用的系統及方法(SYSTEMS AND METHODS FOR MATERIAL BLENDING AND DISTRIBUTION)」；及2008年12月8日以John E.Q.Hughes等人之名義提出申請之國際申請案第PCT/US08/85826號，標題「用於傳送含流體製程材料組合的系統及方法(SYSTEMS AND METHODS FOR DELIVERY OF FLUID-CONTAINING PROCESS MATERIAL COMBINATIONS)」。
在第三態樣中，有效地使用文中所述之組成物來自微電子裝置之表面清潔本體及硬化抗蝕劑。第三態樣之微電子裝置可為其上或其內形成電子裝置之晶圓，例如，半導體晶圓。微電子裝置可包括電晶體，諸如FET，包括含有金屬閘極(例如，包含TiNx之金屬閘極)之FET。當提供晶圓時可部分地形成一些微電子裝置，例如，在提供晶圓之前可已進行源極/汲極區域或通道區域之離子植入。抗蝕劑可黏著至晶圓之頂面。抗蝕劑可在晶圓之未經抗蝕劑覆蓋的一部分之離子植入期間經離子植入(例如，HDII)。抗蝕劑之離子植入已使於抗蝕劑中形成硬化、殼化、聚合及/或碳化外層。組成物係經調配以優先地不損壞裝置表面上之低k介電材料或金屬閘極材料(例如，TiNx)。文中所述之組成物較佳移除在抗蝕劑移除之前存在於裝置上之本體及硬化抗蝕劑的至少85%，更佳至少90%，再更佳至少95%，及最佳至少99%。
在移除應用中，第一態樣之組成物可以任何適當方式施加至其上具有抗蝕劑材料之微電子裝置，例如，經由將組成物噴塗於裝置之表面上，經由將包括抗蝕劑材料之裝置浸泡(於一定量之組成物中)，經由使裝置與經組成物飽和之另一材料(例如，墊或纖維吸收性塗布器元件)接觸，經由使包括抗蝕劑材料之裝置與循環的組成物接觸，或藉由任何其他藉以使組成物與微電子裝置上之抗蝕劑材料接觸之適當手段、方式或技術。該應用可係在批式或單一晶圓裝置中，用於動 態或靜態清潔。
在使用第一態樣之組成物於自其上具有本體及硬化抗蝕劑之微電子裝置移除該材料時，一般使該等組成物與裝置在約20℃至約200℃範圍內，較佳約40℃至約100℃之溫度下接觸約10秒至約60分鐘之時間。該等接觸時間及溫度係為說明性，可使用任何其他可有效地自裝置至少部分清潔本體及硬化抗蝕劑之適宜時間及溫度條件。「至少部分清潔」及「實質移除」皆相當於移除在抗蝕劑移除前存在於裝置上之硬化抗蝕劑的至少85%，更佳至少90%，再更佳至少95%，及最佳至少99%。
在第三態樣之一具體例中，將第一態樣之組成物施加至微電子裝置表面以自其移除本體及硬化抗蝕劑，隨後再使裝置表面與含鈰組成物接觸。其後可使裝置表面再次與第一態樣之組成物接觸，以達成本體及硬化抗蝕劑自裝置表面之實質移除。使裝置表面依序暴露至(a)第一態樣之組成物、(b)含鈰組成物、及(c)第一態樣之組成物之過程有實質上移除本體及硬化光阻劑，而不損壞裝置表面上之低k介電材料或金屬閘極材料(例如，TiNx)的優點。含鈰組成物可包含至少一種元素鈰之鹽或配位錯合物。該鈰之鹽可為，例如，硝酸銨鈰。硝酸銨鈰之化學式可以Ce(NH4)2(NO3)6或(NH4)2Ce(NO3)6表示。硝酸銨鈰亦稱為CAN、硝酸銨鈰(IV)及硝酸鈰銨。文中所使用之CAN係指硝酸銨鈰。CAN係燈泡、水溶性質，其可使用作為氧化劑。其他可使用的鈰鹽包括，但不限於，硝酸鈰、硫酸銨鈰、硫酸鈰、硫酸氫鈰、過氯酸鈰、甲磺酸鈰、三氟甲磺酸鈰、氯化鈰、氫氧化鈰、羧酸鈰、β-二酮鈰、三氟乙酸鈰及乙酸鈰。在本發明之一些具體例中，溶液可包含多於一種以上的鈰鹽。該鈰鹽較佳包含硝酸銨鈰。鈰鹽之濃度的有效 範圍係基於溶液之總重量約0.01重量%至約70重量%，較佳約0.01重量%至約30重量%。
應明瞭第三態樣之其他具體例涵蓋包括，但不限於，(i)暴露於濃硫酸、暴露於含鈰組成物、暴露於第一態樣之組成物，(ii)暴露於第一態樣之組成物、暴露於含鈰組成物、暴露於濃硫酸，(iii)暴露於含鈰組成物、暴露於第一態樣之組成物，(iv)暴露於第一態樣之組成物、暴露於含鈰組成物；(v)暴露於第一態樣之組成物、暴露於含鈰組成物、暴露於第一態樣之組成物，或(vi)僅暴露於第一態樣之組成物。應明瞭該等組成物可於不同溫度下使用以完成脫除製程，此係如熟悉技藝人士所可輕易決定。
於達成期望的移除作用後，可輕易地將第一態樣之組成物自其先前經施用的裝置移除，此可能係在文中所述之組成物的給定最終應用中所期望且有效的。沖洗溶液較佳包括去離子水。或者，沖洗過程包括水沖洗接著再SC-1(H2O2-NH4OH-H2O)沖洗，隨後用DI水進行水第二次沖洗。在沖洗過程期間，可修飾SC-1組成物以包括至少一種文中所述之含磷酸來進一步限制TiNx損耗。應明瞭該等沖洗溶液可於不同溫度下使用以完成沖洗過程，此係如熟悉技藝人士所可輕易決定。其後可使用氮氣、異丙醇(IPA)或旋轉乾燥循環來乾燥裝置。
又另一態樣係關於根據文中所述方法製得之改良的微電子裝置及包含此等微電子裝置之產品。
另一態樣係關於一種經回收的組成物，其中該組成物可經再循環直至光阻劑之組分的負載量達到組成物所可容納的最大量為止，此係如熟悉技藝人士所可輕易決定。熟悉技藝人士應明瞭再循環過程可能需要過濾及/或泵送系統。
又另一態樣係關於製造包含微電子裝置之物件的方法，該方法包括使用文中所述之組成物，使微電子裝置與第一態樣之組成物接觸足夠的時間，以自其上具有本體及硬化抗蝕劑之微電子裝置清潔該抗蝕劑，及將該微電子裝置併入該物件中。
又另一態樣係關於自包含高劑量離子植入抗蝕劑之微電子裝置之表面移除該材料，該方法包括：使微電子裝置以達成抗蝕劑之至少部分移除所需的時間及溫度與第一組成物接觸，其中該第一組成物包含硫酸及至少一種含磷酸，其限制條件為該含磷酸不可包括磷酸本身；使微電子裝置與含鈰組成物接觸以達成抗蝕劑之額外移除；使微電子裝置與第一組成物接觸以完成抗蝕劑自裝置之實質移除。
本發明之特徵及優點由以下論述的說明性實施例作更完整展示。
[實施例1]
製備以下調配物並將其用於文中所述之方法中以自試樣移除本體及硬化抗蝕劑。
調配物A：100% H2SO4(96%)
調配物B：10% H3PO4(86%)、90% H2SO4(96%)
調配物C：20% H3PO4(86%)、80% H2SO4(96%)
調配物D：50% H3PO4(86%)、50% H2SO4(96%)
調配物E：3% Dequest 2000eg(50%)、97% H2SO4(96%)
調配物F：10% Dequest 2000eg(50%)、90% H2SO4(96%)
調配物G：4.6% Dequest 2090(45%)、95.4% H2SO4(96%)
調配物H：1.64% EDTMPA、98.36% H2SO4(96%)
該方法包括將包含TiNx之試樣於各調配物A-F中在54℃下浸泡29分鐘，接著將試樣在70℃下浸泡於於含鈰組成物中60分鐘，接著在54℃下於各別調配物A-F中再浸泡20分鐘。使用橢圓量測分析法分析試樣的TiNx損耗以及TiO2損耗，其中負值指示物質成長。結果顯示於表1。
可見包含Dequest 2000eg之調配物(E及F)可相對於調配物A將TiNx蝕刻速率減少一半，同時以氧化物取代大約一半的溶解TiNx。值得注意地，Dequest 2000eg之量似乎並未影響TiNx損耗或氧化物增益。此外，包含Dequest 2090及EDTMPA之調配物提供TiNx損耗之最大降低以及TiNx+TiO2總損耗之最大降低。
亦使用溶液來移除光阻劑及基於移除效用以1至10的等級評分。文中描述所使用之方法，其中將包含抗蝕劑之試樣浸泡於調配物中，隨後浸泡於含鈰溶液中，接著再浸泡於調配物中。參照圖1，可見包含Dequest 2000eg(即調配物E及F)、Dequest 2090(調配物G)及EDTMPA(調配物H)之調配物皆較當使用調配物A時更有效地移除光阻劑。
雖然本發明已參照例示性具體例及特徵以不同方式揭示於文中，但當明瞭前文描述之具體例及特徵並不意欲限制本發明，且熟悉技藝人士基於文中之揭示內容當可明白其他的變化、修改及其他具體例。因此，應將本發明廣泛地解釋為涵蓋在後文陳述之申請專利範圍之精神及範疇內之所有該等變化、修改及替代具體例。

Claims (21)

  1. 一種用於脫除抗蝕劑之組成物，該組成物包含硫酸及至少一種含磷酸，其限制條件為該含磷酸不可包括磷酸本身。
  2. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中，該硫酸為濃硫酸。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之組成物，其中，該硫酸之量係在以組成物之總重量計約50重量%至約99重量%之範圍內。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之組成物，其中，至少一種含磷酸包括選自由以下組成之群之物質：膦酸、磷酸衍生物、1,5,9-三吖環十二烷-N,N’,N”-參(亞甲基膦酸)(DOTRP)、1,4,7,10-四吖環十二烷-N,N’,N”,N’”-肆(亞甲基膦酸)(DOTP)、氮基參(亞甲基)三膦酸、二伸乙三胺五(亞甲基膦酸)(DETAP)、胺基三(亞甲基膦酸)、1-羥亞乙基-1,1-二膦酸(HEDP)、雙(六亞甲基)三胺膦酸、雙(六亞甲基三胺五(亞甲基膦酸))、1,4,7-三吖環壬烷-N,N’,N”-參(亞甲基膦酸)(NOTP)、N-(膦醯甲基)亞胺二乙酸、2-胺基-2-丙基膦酸、亞胺雙(亞甲基膦酸)、吡哆醛-5-(二氫磷酸鹽)、胺基(苯基)亞甲基-二磷酸、伸乙基雙(亞胺基-(2-羥苯基)亞甲基(甲基)-膦酸)、2-膦醯丁烷-1,2,4-三羧酸、乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMPA)、其鹽及其組合。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之組成物，其包括選自由以下組成之群之膦酸衍生物：膦酸、1,5,9-三吖環十二烷-N,N’,N”-參(亞甲基膦酸)(DOTRP)、1,4,7,10-四吖環十二烷-N,N’,N”,N’”-肆(亞甲基膦酸)(DOTP)、氮基參(亞甲基)三膦酸、二伸乙三胺五(亞甲基膦酸)(DETAP)、胺基三(亞甲基膦酸)、1-羥亞乙基-1,1-二膦酸(HEDP)、雙(六亞甲基)三胺膦酸、雙(六亞甲基三胺五(亞甲基膦酸))、1,4,7-三吖環壬烷-N,N’,N”-參(亞甲基膦酸)(NOTP)、N-(膦醯甲基)亞胺二 乙酸、2-胺基-2-丙基膦酸、亞胺雙(亞甲基膦酸)、吡哆醛-5-(二氫磷酸鹽)、胺基(苯基)亞甲基-二磷酸、伸乙基雙(亞胺基-(2-羥苯基)亞甲基(甲基)-膦酸)、2-膦醯丁烷-1,2,4-三羧酸、乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMPA)、其鹽及其組合。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之組成物，其中，該含磷酸之量係在以組成物之總重量計約1重量%至約50重量%之範圍內。
  7. 如申請專利範圍第5項之組成物，其進一步包含至少一種氧化劑，其限制條件為該至少一種氧化劑不可包括過氧化氫本身。
  8. 如申請專利範圍第7項之組成物，其中，該至少一種氧化劑包括選自由以下組成之群之物質：過碘酸、過碘酸鹽、過硫酸銨、過氯酸、過氯酸鹽、發氧方(oxone)(2KHSO5˙KHSO4˙K2SO4)、臭氧、鈰(IV)鹽、鈰(IV)配位錯合物及其組合。
  9. 如申請專利範圍第8項之組成物，其中，該鈰(IV)鹽包括選自由以下組成之群之物質：硝酸銨鈰(CAN)、硝酸鈰、硫酸銨鈰、硫酸鈰、硫酸氫鈰、過氯酸鈰、甲磺酸鈰、三氟甲磺酸鈰、氯化鈰、氫氧化鈰、羧酸鈰、β-二酮鈰、三氟乙酸鈰、乙酸鈰及其組合。
  10. 如申請專利範圍第7項之組成物，其中，該至少一種氧化劑包括硝酸銨鈰。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之組成物，該組成物實質上不含添加水、研磨劑材料、過氧化氫、濕潤劑、鎢、氟離子、銅離子或含銅殘留物及硫酸鉀中之至少一者。
  12. 如申請專利範圍第1或2項之組成物，該組成物具有低於約2之pH。
  13. 一種自包含高劑量離子植入抗蝕劑之微電子裝置之表面將該材料移除之方法，該方法包括使該微電子裝置以達成抗蝕劑之至少部分移 除所需之時間及溫度而與申請專利範圍第1至2項之組成物接觸。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法，其進一步包括使該微電子裝置與含鈰組成物接觸以達成抗蝕劑之額外移除。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其進一步包括使該微電子裝置與申請專利範圍第1至12項之組成物接觸以完成自該裝置實質上移除該抗蝕劑。
  16. 如申請專利範圍第13項之方法，其進一步包括沖洗該裝置。
  17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中，該沖洗包括先水沖洗接著再SC-1沖洗，隨後用DI水進行第二次沖洗。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中，該SC-1沖洗包括過氧化氫、氫氧化銨及水。
  19. 如申請專利範圍第13項之方法，其中，該組成物實質上不損壞裝置表面上之低k介電材料或金屬閘極材料。
  20. 如申請專利範圍第13項之方法，其中，該抗蝕劑係經以選自由硼、二氟化硼、砷、銦、鎵、鍺、鉍、氙、磷及銻組成之群之摻雜劑物質植入。
  21. 如申請專利範圍第13項之方法，其中，該組成物係在與微電子裝置之表面接觸之前才組合。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105038799A (zh) * 2014-04-30 2015-11-11 王丽 一种对ito膜进行刻蚀的刻蚀液

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150016574A (ko) 2012-05-18 2015-02-12 인티그리스, 인코포레이티드 티타늄 나이트라이드를 포함한 표면에서 포토레지스트를 제거하는 조성물 및 방법
US9765288B2 (en) 2012-12-05 2017-09-19 Entegris, Inc. Compositions for cleaning III-V semiconductor materials and methods of using same
KR102294726B1 (ko) 2013-03-04 2021-08-30 엔테그리스, 아이엔씨. 티타늄 나이트라이드를 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 방법
JP6723152B2 (ja) 2013-06-06 2020-07-15 インテグリス・インコーポレーテッド 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法
CN112442374A (zh) 2013-07-31 2021-03-05 恩特格里斯公司 用于去除金属硬掩模和蚀刻后残余物的具有Cu/W相容性的水性制剂
SG11201601158VA (en) 2013-08-30 2016-03-30 Advanced Tech Materials Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US9536731B2 (en) * 2013-10-25 2017-01-03 International Business Machines Corporation Wet clean process for removing CxHyFz etch residue
US10340150B2 (en) 2013-12-16 2019-07-02 Entegris, Inc. Ni:NiGe:Ge selective etch formulations and method of using same
KR102352475B1 (ko) 2013-12-20 2022-01-18 엔테그리스, 아이엔씨. 이온-주입된 레지스트의 제거를 위한 비-산화성 강산의 용도
WO2015103146A1 (en) 2013-12-31 2015-07-09 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations to selectively etch silicon and germanium
WO2015116818A1 (en) 2014-01-29 2015-08-06 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical mechanical polishing formulations and method of use
US11127587B2 (en) 2014-02-05 2021-09-21 Entegris, Inc. Non-amine post-CMP compositions and method of use
US10032633B1 (en) * 2017-01-17 2018-07-24 International Business Machines Corporation Image transfer using EUV lithographic structure and double patterning process
JP7186751B2 (ja) * 2020-08-28 2022-12-09 野村マイクロ・サイエンス株式会社 レジスト剥離方法、レジスト剥離装置、及び、前処理方法
JP7634101B2 (ja) 2020-12-29 2025-02-20 インテグリス・インコーポレーテッド 金属酸化物ハードマスクの選択的除去
CN113479860B (zh) * 2021-07-01 2023-08-11 中国石油大学(华东) 一种SbPO4/氮掺杂碳复合材料的制备方法

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4169068A (en) 1976-08-20 1979-09-25 Japan Synthetic Rubber Company Limited Stripping liquor composition for removing photoresists comprising hydrogen peroxide
GB8701759D0 (en) 1987-01-27 1987-03-04 Laporte Industries Ltd Processing of semi-conductor materials
US5037724A (en) * 1988-02-25 1991-08-06 Hoya Corporation Peeling solution for photo- or electron beam-sensitive resin
US5166039A (en) * 1988-02-25 1992-11-24 Hoya Corporation Peeling solution for photo- or electron beam-sensitive resin and process for peeling off said resin
GB8813889D0 (en) * 1988-06-11 1988-07-13 Micro Image Technology Ltd Solutions of permonosulphuric acid
US5320709A (en) 1993-02-24 1994-06-14 Advanced Chemical Systems International Incorporated Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution
US7534752B2 (en) 1996-07-03 2009-05-19 Advanced Technology Materials, Inc. Post plasma ashing wafer cleaning formulation
US6323168B1 (en) 1996-07-03 2001-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Post plasma ashing wafer cleaning formulation
WO1998021415A1 (en) 1996-11-12 1998-05-22 H.B. Zachry Company Precast, modular spar system
US6755989B2 (en) 1997-01-09 2004-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6896826B2 (en) 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6280651B1 (en) 1998-12-16 2001-08-28 Advanced Technology Materials, Inc. Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent
US6211126B1 (en) 1997-12-23 2001-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1, 3-dicarbonyl compound chelating agent for stripping residues from semiconductor substrates
CA2332390A1 (en) 1998-05-18 1999-11-25 Advanced Technology Materials, Inc. Stripping compositions for semiconductor substrates
US6875733B1 (en) 1998-10-14 2005-04-05 Advanced Technology Materials, Inc. Ammonium borate containing compositions for stripping residues from semiconductor substrates
US6344432B1 (en) 1999-08-20 2002-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
US6723691B2 (en) 1999-11-16 2004-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6492308B1 (en) 1999-11-16 2002-12-10 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6194366B1 (en) 1999-11-16 2001-02-27 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6599370B2 (en) 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
US6566315B2 (en) 2000-12-08 2003-05-20 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
US6627587B2 (en) 2001-04-19 2003-09-30 Esc Inc. Cleaning compositions
JP2003177556A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Sharp Corp フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法
US6773873B2 (en) 2002-03-25 2004-08-10 Advanced Technology Materials, Inc. pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates
US6849200B2 (en) 2002-07-23 2005-02-01 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and process for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material
US8236485B2 (en) 2002-12-20 2012-08-07 Advanced Technology Materials, Inc. Photoresist removal
WO2004094581A1 (en) * 2003-04-18 2004-11-04 Ekc Technology, Inc. Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices
KR20060014388A (ko) * 2003-05-02 2006-02-15 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 반도체 공정에서의 에칭후 잔류물의 제거 방법
US7736405B2 (en) 2003-05-12 2010-06-15 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same
CA2590325A1 (en) 2003-12-02 2005-06-23 Advanced Technology Materials, Inc. Resist, barc and gap fill material stripping chemical and method
US20050145311A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Walker Elizabeth L. Method for monitoring surface treatment of copper containing devices
WO2005083523A1 (en) * 2004-02-11 2005-09-09 Mallinckrodt Baker Inc. Microelectronic cleaning composition containing halogen oxygen acids, salts and derivatives thereof
US8338087B2 (en) 2004-03-03 2012-12-25 Advanced Technology Materials, Inc Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate
US20060063687A1 (en) 2004-09-17 2006-03-23 Minsek David W Composition and process for ashless removal of post-etch photoresist and/or bottom anti-reflective material on a substrate
US20060148666A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Advanced Technology Materials Inc. Aqueous cleaner with low metal etch rate
US20060154186A1 (en) 2005-01-07 2006-07-13 Advanced Technology Materials, Inc. Composition useful for removal of post-etch photoresist and bottom anti-reflection coatings
US7923423B2 (en) 2005-01-27 2011-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
US7365045B2 (en) 2005-03-30 2008-04-29 Advanced Tehnology Materials, Inc. Aqueous cleaner with low metal etch rate comprising alkanolamine and tetraalkylammonium hydroxide
BRPI0609587A2 (pt) * 2005-04-04 2010-04-20 Mallinckrodt Baker, Inc. processo de decapagem e limpeza de feol, para remover o fotoresistor implantado com ìons, não-decapado de um substrato de láminas de silìcio
WO2006110645A2 (en) 2005-04-11 2006-10-19 Advanced Technology Materials, Inc. Fluoride liquid cleaners with polar and non-polar solvent mixtures for cleaning low-k-containing microelectronic devices
TW200700935A (en) * 2005-04-15 2007-01-01 Advanced Tech Materials Formulations for cleaning ion-implanted photoresist layers from microelectronic devices
US20070251551A1 (en) 2005-04-15 2007-11-01 Korzenski Michael B Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self-assembled monolayers in solvent systems
WO2006124201A2 (en) * 2005-05-13 2006-11-23 Sachem, Inc. Selective wet etching of oxides
EP2759881A1 (en) 2005-06-07 2014-07-30 Advanced Technology Materials, Inc. Metal and dielectric compatible sacrificial anti-reflective coating cleaning and removal composition
JP2008547202A (ja) 2005-06-13 2008-12-25 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 金属ケイ化物の形成後の金属または金属合金の選択的な除去のための組成物および方法
WO2007027522A2 (en) 2005-08-29 2007-03-08 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for removing thick film photoresist
KR20080059429A (ko) 2005-10-05 2008-06-27 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 게이트 스페이서 산화물 재료를 선택적으로 에칭하기 위한조성물 및 방법
US7922824B2 (en) 2005-10-05 2011-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Oxidizing aqueous cleaner for the removal of post-etch residues
CN101421386B (zh) 2005-10-13 2011-08-10 高级技术材料公司 金属相容的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层去除组合物
CN101356629B (zh) 2005-11-09 2012-06-06 高级技术材料公司 用于将其上具有低k介电材料的半导体晶片再循环的组合物和方法
TW200734448A (en) 2006-02-03 2007-09-16 Advanced Tech Materials Low pH post-CMP residue removal composition and method of use
US20080076688A1 (en) 2006-09-21 2008-03-27 Barnes Jeffrey A Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
US8685909B2 (en) 2006-09-21 2014-04-01 Advanced Technology Materials, Inc. Antioxidants for post-CMP cleaning formulations
WO2008039730A1 (en) 2006-09-25 2008-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for the removal of photoresist for a wafer rework application
US20080125342A1 (en) 2006-11-07 2008-05-29 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for cleaning memory device structures
KR20160085902A (ko) 2006-12-21 2016-07-18 엔테그리스, 아이엔씨. 에칭 후 잔류물의 제거를 위한 액체 세정제
TWI509690B (zh) 2006-12-21 2015-11-21 恩特葛瑞斯股份有限公司 選擇性移除氮化矽之組合物及方法
TWI516573B (zh) 2007-02-06 2016-01-11 安堤格里斯公司 選擇性移除ＴｉＳｉＮ之組成物及方法
US20100112728A1 (en) * 2007-03-31 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
CN101681827A (zh) * 2007-05-18 2010-03-24 Fsi国际公司 用水蒸气或蒸汽处理基材的方法
WO2008157345A2 (en) 2007-06-13 2008-12-24 Advanced Technology Materials, Inc. Wafer reclamation compositions and methods
US20100261632A1 (en) 2007-08-02 2010-10-14 Advanced Technology Materials, Inc. Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device
JP2010541192A (ja) 2007-08-20 2010-12-24 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド イオン注入フォトレジストを除去するための組成物および方法
US8062429B2 (en) * 2007-10-29 2011-11-22 Ekc Technology, Inc. Methods of cleaning semiconductor devices at the back end of line using amidoxime compositions
KR20150126729A (ko) 2008-03-07 2015-11-12 인티그리스, 인코포레이티드 비-선택적 산화물 에칭용 습윤 세정 조성물 및 사용 방법
TWI494710B (zh) * 2008-05-01 2015-08-01 恩特葛瑞斯股份有限公司 用於移除高密度經摻雜光阻之低ｐＨ混合物
WO2010017160A2 (en) 2008-08-04 2010-02-11 Advanced Technology Materials, Inc. Environmentally friendly polymer stripping compositions
KR20110063845A (ko) 2008-10-02 2011-06-14 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 실리콘 기판의 금속 로딩 및 표면 패시베이션을 향상시키기 위한 계면활성제/소포제 혼합물의 용도
CN102197124B (zh) 2008-10-21 2013-12-18 高级技术材料公司 铜清洁及保护调配物
US20100105595A1 (en) * 2008-10-29 2010-04-29 Wai Mun Lee Composition comprising chelating agents containing amidoxime compounds
KR20110110841A (ko) 2009-01-28 2011-10-07 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 리소그래픽 도구 현장 세척 제형
WO2010086745A1 (en) 2009-02-02 2010-08-05 Atmi Taiwan Co., Ltd. Method of etching lanthanum-containing oxide layers
WO2010091045A2 (en) 2009-02-05 2010-08-12 Advanced Technology Materials, Inc. Non-fluoride containing composition for the removal of polymers and other organic material from a surface
AU2010218275A1 (en) * 2009-02-25 2011-10-20 Avantor Performance Materials, Inc. Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers
US8754021B2 (en) 2009-02-27 2014-06-17 Advanced Technology Materials, Inc. Non-amine post-CMP composition and method of use
SG181642A1 (en) * 2009-12-11 2012-07-30 Advanced Tech Materials Removal of masking material
SG182789A1 (en) 2010-01-29 2012-09-27 Advanced Tech Materials Cleaning agent for semiconductor provided with metal wiring
JP5508130B2 (ja) * 2010-05-14 2014-05-28 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法
CN103003923A (zh) 2010-07-16 2013-03-27 高级技术材料公司 用于移除蚀刻后残余物的水性清洁剂
JP2012036750A (ja) 2010-08-04 2012-02-23 Panasonic Corp 圧縮機
JP6101421B2 (ja) 2010-08-16 2017-03-22 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
KR20130100297A (ko) 2010-08-27 2013-09-10 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 건조 동안의 높은 종횡비 구조물의 붕괴 방지 방법
CN105304485B (zh) 2010-10-06 2019-02-12 恩特格里斯公司 选择性蚀刻金属氮化物的组合物及方法
WO2012051380A2 (en) 2010-10-13 2012-04-19 Advanced Technology Materials, Inc. Composition for and method of suppressing titanium nitride corrosion
US20140318584A1 (en) 2011-01-13 2014-10-30 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for the removal of particles generated by cerium-containing solutions
JP2012186470A (ja) 2011-02-18 2012-09-27 Sanyo Chem Ind Ltd 銅配線半導体用洗浄剤
JP2012251026A (ja) 2011-05-31 2012-12-20 Sanyo Chem Ind Ltd 半導体用洗浄剤
TW201311869A (zh) 2011-06-16 2013-03-16 尖端科技材料公司 選擇性蝕刻氮化矽之組成物及方法
JP5933950B2 (ja) 2011-09-30 2016-06-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅または銅合金用エッチング液
US8618036B2 (en) 2011-11-14 2013-12-31 International Business Machines Corporation Aqueous cerium-containing solution having an extended bath lifetime for removing mask material
SG10201605172RA (en) 2011-12-28 2016-08-30 Entegris Inc Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
WO2013138278A1 (en) 2012-03-12 2013-09-19 Advanced Technology Materials, Inc. Copper cleaning and protection formulations
WO2013138276A1 (en) 2012-03-12 2013-09-19 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for the selective removal of ashed spin-on glass
EP2828371A4 (en) 2012-03-18 2015-10-14 Entegris Inc AFTER CMP RECEPTURE WITH IMPROVED BARRIER LAYER COMPATIBILITY AND CLEANING PERFORMANCE
TW201406931A (zh) 2012-05-11 2014-02-16 尖端科技材料公司 用於矽化物製造期間濕蝕刻ＮｉＰｔ之配方
KR20150016574A (ko) 2012-05-18 2015-02-12 인티그리스, 인코포레이티드 티타늄 나이트라이드를 포함한 표면에서 포토레지스트를 제거하는 조성물 및 방법
US9765288B2 (en) 2012-12-05 2017-09-19 Entegris, Inc. Compositions for cleaning III-V semiconductor materials and methods of using same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105038799A (zh) * 2014-04-30 2015-11-11 王丽 一种对ito膜进行刻蚀的刻蚀液
CN105038799B (zh) * 2014-04-30 2017-12-12 盐城华星光电技术有限公司 一种对ito膜进行刻蚀的刻蚀液

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