JP6883655B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6883655B2 JP6883655B2 JP2019538369A JP2019538369A JP6883655B2 JP 6883655 B2 JP6883655 B2 JP 6883655B2 JP 2019538369 A JP2019538369 A JP 2019538369A JP 2019538369 A JP2019538369 A JP 2019538369A JP 6883655 B2 JP6883655 B2 JP 6883655B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holder
- sensor
- exposure
- substrate holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/201—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706845—Calibration, e.g. tool-to-tool calibration, beam alignment, spot position or focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706851—Detection branch, e.g. detector arrangements, polarisation control, wavelength control or dark/bright field detection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7034—Leveling
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Water Treatment By Sorption (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
1.基板を保持するための基板ホルダと、
センサを保持するためのセンサホルダと、
前記基板ホルダを移動させるために構成された移動器と、を備え、
前記移動器は、第1の状態において前記センサホルダと結合して前記センサホルダを移動させるように構成され、
前記移動器は、第2の状態において前記センサホルダから分離して、前記センサホルダを移動させることなく移動するように構成されている、
露光装置。
2.前記センサホルダを前記移動器に提供するため及び前記センサホルダを前記移動器から取り外すための交換機構を備える、条項1に記載の露光装置。
3.前記移動器は、追加的な基板を保持するための追加的な基板ホルダを移動させるように構成され、
前記追加的な基板のサイズは、前記基板のサイズとは異なる、条項1又は2に記載の露光装置。
4.前記センサホルダは、長さ及び幅を有し、
前記長さは、前記基板ホルダのサイズと実質的に等しく、
前記幅は、前記追加的な基板ホルダのサイズと実質的に等しく、
前記長さ及び前記幅は、相互に異なる、条項3に記載の露光装置。
5.前記移動器は、第1の向き及び第2の向きで前記センサホルダを支持するように構成され、
前記第1の向きでは、前記センサホルダは、水平面に垂直な軸に沿って第1の角度を有し、
前記第2の向きでは、前記センサホルダは、前記水平面に垂直な前記軸に沿って第2の角度を有し、
前記第1の角度は、前記第2の角度とは異なる、条項3又は4に記載の露光装置。
6.前記基板ホルダ及び前記センサホルダは、前記第1の状態では前記移動器に対して一体となって移動するように構成されている、条項1から5の一項に記載の露光装置。
7.前記基板ホルダの上面及び前記センサホルダの上面の一方に液体を提供するためのノズルを備え、
前記露光装置は、前記基板ホルダ及び前記センサホルダが前記移動器に対して一体となって移動する間に、前記基板ホルダの前記上面及び前記センサホルダの前記上面のうち前記一方から前記基板ホルダの前記上面及び前記センサホルダの前記上面の他方へ前記液体を移すように構成されている、条項6に記載の露光装置。
8.前記移動器は、前記第1の状態において前記基板ホルダと分離して、前記基板ホルダを移動させることなく移動するように構成されている、条項1から5の一項に記載の露光装置。
9.前記センサホルダは、前記基板ホルダから放射ビームを受光するように構成されている、条項1から8の一項に記載の露光装置。
10.前記基板ホルダは、マーカを含み、
前記放射ビームは、前記マーカに投影された像に関する情報を含む、条項9に記載の露光装置。
11.前記センサホルダは、前記放射ビームを検出器へ伝搬させるように構成され、
前記センサホルダは、前記検出器に対して移動可能である、条項9又は10に記載の露光装置。
12.露光デバイス及び測定デバイスを備え、
前記露光デバイスは、前記基板を露光ビームで露光するように構成され、
前記測定デバイスは、前記基板の測定情報を与えるように構成され、
前記露光デバイス及び前記測定デバイスは、相互に離れており、
前記移動器は、前記露光デバイス付近にある時に前記基板ホルダを支持するよう構成されている、条項1から11の一項に記載の露光装置。
13.前記測定デバイスの付近にある時に前記基板ホルダを支持するように構成された静止支持体を備える、条項12に記載の露光装置。
14.第1のエンコーダヘッド及び第1のスケールを備え、
前記静止支持体は、前記第1のエンコーダヘッドを保持するためのくぼみを備え、
前記第1のスケールは、前記基板ホルダの下面に配置され、
前記第1のエンコーダヘッドは、前記基板ホルダが前記測定デバイスの付近にある時に前記第1のスケールに対向し、前記基板ホルダの位置情報を表す信号を与えるように構成されている、条項13に記載の露光装置。
15.前記第1のエンコーダヘッドは、動的アイソレータを介して前記静止支持体に結合されている、条項14に記載の露光装置。
16.前記静止支持体によって支持されている時に前記基板ホルダを移動させるように構成された移動デバイスを備える、条項12から15の一項に記載の露光装置。
17.前記露光デバイスを支持するためのフレームを備え、
前記露光デバイスは、前記フレームに対して移動可能である、条項12から16の一項に記載の露光装置。
18.前記基板の追加的な測定情報を与えるように構成された追加的な測定デバイスを備え、
前記追加的な測定デバイスは、前記測定デバイスよりも前記露光デバイスに近い、条項12から17の一項に記載の露光装置。
19.第2のエンコーダヘッドを備え、
前記第2のエンコーダヘッドは、前記第1のスケールに対向して、前記基板ホルダの位置情報を表す第2の信号を与えるように構成されている、条項1から18の一項に記載の露光装置。
20.第3のエンコーダヘッド及び第3のスケールを備え、
前記第3のスケールは、前記センサホルダの下面に配置され、
前記第3のエンコーダヘッドは、前記第3のスケールに対向して、前記センサホルダの位置情報を表す第3の信号を与えるように構成されている、条項1から19の一項に記載の露光装置。
21.基板を保持するための基板ホルダと、
センサを保持するためのセンサホルダと、
前記基板ホルダを移動させるために構成された移動器と、
前記基板上に放射ビームを与えるように構成された投影システムと、を備え、
露光中、前記センサホルダが前記移動器から分離されている場合、前記投影システムは前記放射ビームを前記基板に与え、
前記センサが前記投影システム又は前記放射ビームの特性を測定する場合、前記移動器は前記センサホルダと結合する、
露光装置。
22.前記センサホルダを前記移動器に提供するため及び前記センサホルダを前記移動器から取り外すための交換機構を備える、条項21に記載の露光装置。
23.前記移動器は、追加的な基板を保持するための追加的な基板ホルダを移動させるように構成され、
前記追加的な基板のサイズは、前記基板のサイズとは異なる、条項21又は22に記載の露光装置。
24.前記センサホルダは、長さ及び幅を有し、
前記長さは、前記基板ホルダのサイズと実質的に等しく、
前記幅は、前記追加的な基板ホルダのサイズと実質的に等しく、
前記長さ及び前記幅は、相互に異なる、条項23に記載の露光装置。
25.前記移動器は、第1の向き及び第2の向きで前記センサホルダを支持するように構成され、
前記第1の向きでは、前記センサホルダは、水平面に垂直な軸に沿って第1の角度を有し、
前記第2の向きでは、前記センサホルダは、前記水平面に垂直な前記軸に沿って第2の角度を有し、
前記第1の角度は、前記第2の角度とは異なる、条項23又は24に記載の露光装置。
26.前記移動器は、前記基板ホルダから分離して、前記基板ホルダを移動させることなく移動するように構成されている、条項21から25の一項に記載の露光装置。
27.前記センサホルダは、前記基板ホルダから放射ビームを受光するように構成されている、条項21から26の一項に記載の露光装置。
28.前記基板ホルダは、マーカを含み、
前記放射ビームは、前記マーカに投影された像に関する情報を含む、条項27に記載の露光装置。
29.前記センサホルダは、前記放射ビームを検出器へ伝搬させるように構成され、
前記センサホルダは、前記検出器に対して移動可能である、条項27又は28に記載の露光装置。
30.露光デバイス及び測定デバイスを備え、
前記露光デバイスは、前記基板を露光ビームで露光するように構成され、
前記測定デバイスは、前記基板の測定情報を与えるように構成され、
前記露光デバイス及び前記測定デバイスは、相互に離れており、
前記移動器は、前記露光デバイス付近にある時に前記基板ホルダを支持するよう構成されている、条項21から29の一項に記載の露光装置。
31.前記測定デバイスの付近にある時に前記基板ホルダを支持するように構成された静止支持体を備える、条項30に記載の露光装置。
32.第1のエンコーダヘッド及び第1のスケールを備え、
前記静止支持体は、前記第1のエンコーダヘッドを保持するためのくぼみを備え、
前記第1のスケールは、前記基板ホルダの下面に配置され、
前記第1のエンコーダヘッドは、前記基板ホルダが前記測定デバイスの付近にある時に前記第1のスケールに対向し、前記基板ホルダの位置情報を表す信号を与えるように構成されている、条項31に記載の露光装置。
33.前記第1のエンコーダヘッドは、動的アイソレータを介して前記静止支持体に結合されている、条項32に記載の露光装置。
34.前記静止支持体によって支持されている時に前記基板ホルダを移動させるように構成された移動デバイスを備える、条項31から33の一項に記載の露光装置。
35.前記露光デバイスを支持するためのフレームを備え、
前記露光デバイスは、前記フレームに対して移動可能である、条項31から34の一項に記載の露光装置。
36.前記基板の追加的な測定情報を与えるように構成された追加的な測定デバイスを備え、
前記追加的な測定デバイスは、前記測定デバイスよりも前記露光デバイスに近い、条項31から35の一項に記載の露光装置。
37.第2のエンコーダヘッドを備え、
前記第2のエンコーダヘッドは、前記第1のスケールに対向して、前記基板ホルダの位置情報を表す第2の信号を与えるように構成されている、条項31から36の一項に記載の露光装置。
38.第3のエンコーダヘッド及び第3のスケールを備え、
前記第3のスケールは、前記センサホルダの下面に配置され、
前記第3のエンコーダヘッドは、前記第3のスケールに対向して、前記センサホルダの位置情報を表す第3の信号を与えるように構成されている、条項31から37の一項に記載の露光装置。
39.第1の基板を保持するための第1の基板ホルダと、
第2の基板を保持するための第2の基板ホルダと、
前記第1の基板を露光ビームで露光するための投影システムと、
前記第2の基板の測定情報を与えるように構成された測定デバイスと、
前記第1の基板の測定情報を与えるように構成された追加的な測定デバイスと、を備え、
前記追加的な測定デバイスは、前記測定デバイスよりも前記投影システムに近い、
露光装置。
40.前記第1の基板の前記追加的な測定情報は、前記第1の基板の高さプロファイル及び/又は面内変形を含む、条項39に記載の露光装置。
41.前記測定デバイスは、前記第2の基板上の基板アライメントマークの位置に関する情報を与えるように構成されている、条項39から40に記載の露光装置。
42.センサを保持するためのセンサホルダと、
前記投影システムに対して前記基板ホルダを移動させるための移動器と、を備え、
前記センサは、前記露光ビーム又は前記投影システムの特性を測定するように構成されている、条項39から41の一項に記載の露光装置。
43.前記追加的な測定デバイスは、前記センサが前記露光ビームの前記特性を測定している間に前記第1の基板の前記測定情報を取得するように構成されている、条項42に記載の露光装置。
44.前記リソグラフィ装置は、前記第1の基板を前記第1の基板ホルダから前記第2の基板ホルダへ運ぶように構成され、
前記測定デバイスは、前記第1の基板の測定情報を与えるように構成されている、条項39から43の一項に記載の露光装置。
45.前記測定デバイスは、前記第2の基板ホルダが前記第1の位置にある場合に前記第2の基板の前記測定情報を取得するように構成され、
前記追加的な測定デバイスは、前記第2の基板ホルダが前記第2の位置にある場合に前記第2の基板の前記測定情報を取得するように構成されている、条項39から44の一項に記載の露光装置。
46.前記追加的な測定デバイスは、前記第1の基板上に複数の測定ビームを同時に伝搬させるように構成されている、条項39から45の一項に記載の露光装置。
47.前記第1の基板の前記測定情報及び前記第2の基板の前記測定情報に基づいて前記第1の基板ホルダ及び前記第2の基板ホルダを駆動するように構成された制御ユニットを備える、条項39から46の一項に記載の露光装置。
48.前記第1の基板に第1のアライメントマークが設けられ、
前記追加的な測定デバイスは、前記第2のアライメントマークの位置に基づいて前記第1の基板の前記測定情報を与えるように構成されている、条項39から47の一項に記載の露光装置。
49.前記第2の基板に第2のアライメントマークが設けられ、
前記測定デバイスは、前記第2のアライメントマークの位置に基づいて前記第2の基板の前記測定情報を与えるように構成されている、条項39から48の一項に記載の露光装置。
Claims (14)
- 基板(W)のターゲット部分に放射ビームを投影するように構成された露光装置であって、
前記基板(W)を保持するように構成された第1の基板ホルダ(702)と、
前記基板(W)を保持するように構成された第2の基板ホルダ(202)と、
センサ及び/又は検出器を保持するように構成されたセンサホルダ(206)と、
前記基板(W)上の基板アライメントマーク(P1,P2)の位置を測定するためのアライメントセンサを備える第1のアライメントシステムを有する測定デバイス(220)と、
前記基板(W)上の前記基板アライメントマーク(P1,P2)の位置を測定するための追加的なアライメントセンサを備える第2のアライメントシステムを有する追加的な測定デバイス(950)と、
前記第1の基板ホルダ(702)の下面に配置された第1のスケール(915)と、
前記第1のアライメントシステムの下方に配置されるとともに静止支持体(210)によって保持される第1のエンコーダヘッド(910)と、
前記第1のエンコーダヘッド(910)と、前記第1のエンコーダヘッド(910)に対向する前記第1のスケール(915)と、を有し、前記第1の基板ホルダ(702)の位置情報を表す第1の信号を提供するように構成される第1の位置測定システムと、を備え、
前記第1のアライメントシステムの前記アライメントセンサは、前記第1の基板ホルダ(702)によって保持された前記基板(W)上の前記基板アライメントマーク(P1,P2)の位置を測定する一方、前記第2のアライメントシステムの前記アライメントセンサは、前記第2の基板ホルダ(202)によって保持された前記基板(W)上の前記基板アライメントマーク(P1,P2)の位置を測定する、露光装置。 - 前記第1の位置測定システムは、前記第1の基板ホルダ(702)が前記測定デバイス(220)付近にあるときに前記第1の基板ホルダ(702)の位置情報を表す第1の信号を提供するように構成されている、請求項1に記載の露光装置。
- 前記第2のアライメントシステムによって測定される前記基板アライメントマーク(P1,P2)の数は、3個から16個である、請求項1又は2に記載の露光装置。
- 前記第1のアライメントシステムによって測定される前記基板アライメントマーク(P1,P2)の数は、前記基板(W)上の露光フィールドの数以上である、請求項1から3の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記基板(W)を前記第1の基板ホルダ(702)から前記第2の基板ホルダ(202)へと運ぶように構成された移動デバイス(230)をさらに備える、請求項1から4の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記センサホルダ(206)は、波面収差測定デバイス、照度モニタ、照度むらセンサ、均一性センサ、及び/又は、偏光性を測定するためのセンサを保持する、請求項1から5の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記放射ビームを調整するように構成された単一の照明システム(IL)と、
パターニングデバイス(MA)によって前記放射ビームに与えられたパターンを前記基板(W)の前記ターゲット部分に投影するように構成された単一の投影システム(PS)と、
を備える、請求項1から6の何れか一項に記載の露光装置。 - 前記測定デバイス(220)は、前記追加的な測定デバイス(950)よりも前記単一の投影システム(PS)から遠い位置に配置されている、請求項7に記載の露光装置。
- 第2のエンコーダヘッド(920)を有する第2の位置測定システムを備え、
前記第2の位置測定システムは、前記第2の基板ホルダ(202)及び/又は前記センサホルダ(206)が前記単一の投影システム(PS)付近にあるときに前記第2の基板ホルダ(202)及び/又は前記センサホルダ(206)の位置情報を表す第2の信号を提供するように構成されており、
前記第2のエンコーダヘッド(920)は、複数のエンコーダヘッド、容量センサ、及び/又は、干渉計センサを含むエンコーダヘッドシステムである、請求項7又は8に記載の露光装置。 - 前記露光の動作に関連した所望の計算を実施すること、複数の信号を処理すること、アルゴリズムを実行すること、前記第2の基板ホルダ(202)の位置を制御すること、空間像の光学特性を制御すること、及び/又は、前記単一の投影システム(PS)の光学特性を制御すること、を行うように構成される制御ユニットを備え、
前記単一の投影システム(PS)は、鏡筒と、光学要素と、前記光学要素を保持するように構成されたレンズホルダと、を備え、
前記制御ユニットは、詳細な歪みマップ及び/又は統合歪みマップに基づいて、前記第2の基板ホルダ(202)の位置、前記空間像の光学特性、前記単一の投影システム(PS)の光学特性、及び/又は、前記鏡筒に対する前記光学要素の位置及び/又は向き、を制御することにより、フィールド内オーバーレイエラー及び/又はフィールド間オーバーレイエラーを補償する、請求項7から9の何れか一項に記載の露光装置。 - 前記単一の投影システム(PS)と、前記第2の基板ホルダ(202)、前記基板(W)及び前記センサホルダ(206)の少なくとも一つと、の間に画定される空間に、液浸液を供給して閉じ込めるように構成された液体ハンドリングシステムを備える、請求項7から10の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記第2の基板ホルダ(202)及び前記センサホルダ(206)は、前記基板(W)の露光前及び/又は露光後に一体となって動くように構成されている、請求項1から11の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記露光装置は、前記基板(W)が前記第2の基板ホルダ(202)によって保持されているときに、前記第1の基板ホルダ(702)上に第2の基板(W2L1)を保持するように構成されている、請求項1から12の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記第1のアライメントシステムは、前記第2の基板ホルダ(202)によって保持された前記基板(W)の露光中に、前記第2の基板(W2L1)の基板アライメントマーク(P1,P2)の位置を測定するように構成されている、請求項13に記載の露光装置。
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP17154551 | 2017-02-03 | ||
| EP17154551.0 | 2017-02-03 | ||
| EP17169025 | 2017-05-02 | ||
| EP17169025.8 | 2017-05-02 | ||
| EP17193990 | 2017-09-29 | ||
| EP17193990.3 | 2017-09-29 | ||
| EP17201092.8 | 2017-11-10 | ||
| EP17201092 | 2017-11-10 | ||
| PCT/EP2018/052211 WO2018141713A1 (en) | 2017-02-03 | 2018-01-30 | Exposure apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020506418A JP2020506418A (ja) | 2020-02-27 |
| JP6883655B2 true JP6883655B2 (ja) | 2021-06-09 |
Family
ID=61132430
Family Applications (11)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019538369A Active JP6883655B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-01-30 | 露光装置 |
| JP2018016095A Active JP6470856B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-02-01 | 露光装置 |
| JP2018102751A Active JP6518819B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-05-29 | 露光装置 |
| JP2018178796A Active JP6674989B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-09-25 | 露光装置 |
| JP2018190700A Active JP6518831B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-10-09 | 露光装置 |
| JP2018205206A Active JP6556929B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-10-31 | 露光装置 |
| JP2018205217A Active JP6741736B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-10-31 | 露光装置 |
| JP2018205284A Active JP6620208B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-10-31 | 露光装置 |
| JP2018205234A Active JP6557394B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-10-31 | 露光装置 |
| JP2019006923A Active JP6775040B2 (ja) | 2017-02-03 | 2019-01-18 | 露光装置 |
| JP2019032352A Active JP7041643B2 (ja) | 2017-02-03 | 2019-02-26 | 露光装置 |
Family Applications After (10)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018016095A Active JP6470856B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-02-01 | 露光装置 |
| JP2018102751A Active JP6518819B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-05-29 | 露光装置 |
| JP2018178796A Active JP6674989B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-09-25 | 露光装置 |
| JP2018190700A Active JP6518831B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-10-09 | 露光装置 |
| JP2018205206A Active JP6556929B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-10-31 | 露光装置 |
| JP2018205217A Active JP6741736B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-10-31 | 露光装置 |
| JP2018205284A Active JP6620208B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-10-31 | 露光装置 |
| JP2018205234A Active JP6557394B2 (ja) | 2017-02-03 | 2018-10-31 | 露光装置 |
| JP2019006923A Active JP6775040B2 (ja) | 2017-02-03 | 2019-01-18 | 露光装置 |
| JP2019032352A Active JP7041643B2 (ja) | 2017-02-03 | 2019-02-26 | 露光装置 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11092903B2 (ja) |
| EP (1) | EP3577525A1 (ja) |
| JP (11) | JP6883655B2 (ja) |
| KR (2) | KR102458052B1 (ja) |
| CN (1) | CN110268334B (ja) |
| IL (1) | IL268217B2 (ja) |
| NL (1) | NL2020344A (ja) |
| SG (1) | SG11201906413XA (ja) |
| TW (2) | TWI710861B (ja) |
| WO (1) | WO2018141713A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6883655B2 (ja) * | 2017-02-03 | 2021-06-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 露光装置 |
| US11105611B2 (en) * | 2018-05-15 | 2021-08-31 | Applejack 199 L.P. | Non-contact measurement of a stress in a film on substrate |
| CN112740111A (zh) * | 2018-09-21 | 2021-04-30 | Asml荷兰有限公司 | 辐射系统 |
| CN111123667B (zh) * | 2018-10-31 | 2021-09-24 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 光刻装置、光刻装置的垂向控制方法及曝光方法 |
| CN111830790A (zh) * | 2019-04-17 | 2020-10-27 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种气浴装置和光刻机 |
| CN115023655A (zh) * | 2020-02-06 | 2022-09-06 | Asml荷兰有限公司 | 使用双平台光刻设备的方法以及光刻设备 |
| CN115210649A (zh) | 2020-02-14 | 2022-10-18 | Asml控股股份有限公司 | 用于光刻设备的掩模版夹具阻尼器和隔离系统 |
| NL2025372A (en) | 2020-04-20 | 2020-05-07 | Asml Netherlands Bv | System, lithographic apparatus and method |
| JP7445532B2 (ja) * | 2020-06-15 | 2024-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 実行装置及び実行方法 |
| DE102020209638B3 (de) * | 2020-07-30 | 2021-11-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum bestimmen einer ausrichtung einer fotomaske auf einem probentisch, der entlang zumindest einer achse verschiebbar und um zumindest eine achse drehbar ist |
| CN117377911A (zh) * | 2021-04-09 | 2024-01-09 | 株式会社尼康 | 曝光装置、器件制造方法、平板显示器的制造方法及曝光方法 |
| WO2022240477A1 (en) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | Ohio State Innovation Foundation | IN SITU DAMAGE FREE ETCHING OF Ga 2O3 USING Ga FLUX FOR FABRICATING HIGH ASPECT RATIO 3D STRUCTURES |
| CN118591773A (zh) * | 2022-01-21 | 2024-09-03 | Asml荷兰有限公司 | 用于检查光刻设备的部分的系统和方法 |
| DE102022108279A1 (de) | 2022-04-06 | 2023-10-12 | Testo SE & Co. KGaA | Automatische Messorterkennung eines Loggers |
| US20250166143A1 (en) * | 2023-11-22 | 2025-05-22 | Varjo Technologies Oy | Static distortion correction for head mounted display |
| CN120871550A (zh) * | 2025-09-08 | 2025-10-31 | 广东科视光学技术股份有限公司 | 一种立式曝光机以及工件检测方法 |
Family Cites Families (88)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100300618B1 (ko) * | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
| JP2832673B2 (ja) | 1993-10-29 | 1998-12-09 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置およびワークの露光方法 |
| EP0722123B1 (en) | 1995-01-12 | 1999-04-14 | Orc Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for exposing of workpiece |
| US5677758A (en) | 1995-02-09 | 1997-10-14 | Mrs Technology, Inc. | Lithography System using dual substrate stages |
| JP4029182B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
| JP3303758B2 (ja) | 1996-12-28 | 2002-07-22 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
| JPH11224854A (ja) | 1997-11-22 | 1999-08-17 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
| US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2002198303A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Nikon Corp | 露光装置、光学特性計測方法、及びデバイス製造方法 |
| JP4905617B2 (ja) | 2001-05-28 | 2012-03-28 | 株式会社ニコン | 露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP4661015B2 (ja) | 2001-09-26 | 2011-03-30 | 株式会社ニコン | 波面収差測定装置及び波面収差測定方法、並びに、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| JP2003100612A (ja) | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Nikon Corp | 面位置検出装置、合焦装置の調整方法、面位置検出方法、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| US6987555B2 (en) * | 2002-04-23 | 2006-01-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| JP3966211B2 (ja) * | 2002-05-08 | 2007-08-29 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2004260117A (ja) | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2005017734A (ja) | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| JP4023416B2 (ja) | 2003-08-19 | 2007-12-19 | 株式会社デンソー | 冷却器 |
| JP2005064373A (ja) | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2005086093A (ja) | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Canon Inc | 露光装置及びステージ装置の制御方法 |
| US7697222B2 (en) | 2003-12-25 | 2010-04-13 | Nikon Corporation | Apparatus for holding optical element, barrel, exposure apparatus, and device producing method |
| US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| WO2005076324A1 (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JPWO2005096354A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2008-02-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに面形状検出装置 |
| JP2005322755A (ja) | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Nikon Corp | 誤差検出方法、位置合わせ方法、露光方法 |
| JP2005322721A (ja) | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Nikon Corp | 情報保存方法及び情報使用方法 |
| JP2006005140A (ja) | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Nikon Corp | 位置計測方法及びその装置、露光方法及びその装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7345736B2 (en) * | 2004-06-21 | 2008-03-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7308368B2 (en) | 2004-09-15 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for vibration detection, method and apparatus for vibration analysis, lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program |
| US20060092399A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, a control system for controlling a lithographic apparatus, and a device manufacturing method |
| US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2006286747A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sony Corp | 位置合わせ方法、その装置、プロセス制御装置およびプログラム |
| JP4609167B2 (ja) | 2005-04-13 | 2011-01-12 | 株式会社ニコン | 露光システム、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
| JP5105135B2 (ja) | 2005-06-28 | 2012-12-19 | 株式会社ニコン | 推定方法、露光方法、デバイス製造方法、検査方法、デバイス製造装置、及びプログラム |
| JP4632091B2 (ja) | 2005-08-30 | 2011-02-16 | 株式会社ダイフク | 物品搬送設備 |
| JP4835087B2 (ja) | 2005-09-30 | 2011-12-14 | サンケン電気株式会社 | Dc−dcコンバータ |
| KR20080066836A (ko) * | 2005-11-09 | 2008-07-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| WO2007077925A1 (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Nikon Corporation | パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP5370708B2 (ja) | 2006-01-16 | 2013-12-18 | 株式会社ニコン | 工具物体、計測装置及び露光装置、並びに計測方法及び調整方法 |
| KR20080094032A (ko) | 2006-02-07 | 2008-10-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 반사 굴절 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| SG178816A1 (en) | 2006-02-21 | 2012-03-29 | Nikon Corp | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure appararus and method, and device manufacturing method |
| KR101495471B1 (ko) | 2006-02-21 | 2015-02-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| JP2008004581A (ja) | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Nikon Corp | 露光装置及びセンサ |
| TWI434326B (zh) | 2006-09-01 | 2014-04-11 | 尼康股份有限公司 | Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, component manufacturing method, and correcting method |
| KR101549709B1 (ko) | 2006-11-09 | 2015-09-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 유지 장치, 위치 검출 장치 및 노광 장치, 이동 방법, 위치검출 방법, 노광 방법, 검출계의 조정 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US7683351B2 (en) * | 2006-12-01 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7804579B2 (en) * | 2007-06-21 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Control system, lithographic projection apparatus, method of controlling a support structure, and a computer program product |
| KR101538245B1 (ko) | 2007-07-18 | 2015-07-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 방법, 스테이지 장치, 및 노광 장치 |
| JP2009054737A (ja) | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Nikon Corp | マーク検出方法及び装置、位置制御方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| US20090123874A1 (en) | 2007-11-14 | 2009-05-14 | Tadashi Nagayama | Exposure method, exposure apparatus, and method for manufacturing device |
| NL1036180A1 (nl) | 2007-11-20 | 2009-05-25 | Asml Netherlands Bv | Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method. |
| US8711327B2 (en) | 2007-12-14 | 2014-04-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US20090174873A1 (en) | 2007-12-17 | 2009-07-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| JP5177380B2 (ja) | 2008-01-08 | 2013-04-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 位置ずれ補正装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2009170559A (ja) | 2008-01-14 | 2009-07-30 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP2009302400A (ja) | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| TW201009895A (en) | 2008-08-11 | 2010-03-01 | Nikon Corp | Exposure apparatus, maintaining method and device fabricating method |
| US8760629B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
| JP2010212383A (ja) | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Nikon Corp | 露光方法、露光システム、及びデバイス製造方法 |
| JP5299638B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2013-09-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US20110096306A1 (en) | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
| NL2006099A (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-22 | Asml Netherlands Bv | Calibration of lithographic apparatus. |
| KR20120116329A (ko) | 2010-02-20 | 2012-10-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 광원 최적화 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 프로그램, 노광 장치, 리소그래피 시스템, 광원 평가 방법 및 광원 변조 방법 |
| JP5988537B2 (ja) | 2010-06-10 | 2016-09-07 | 株式会社ニコン | 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 |
| NL2007215A (en) | 2010-09-08 | 2012-03-12 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of applying a pattern to a substrate. |
| NL2009533A (en) * | 2011-10-27 | 2013-05-07 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| US9360772B2 (en) | 2011-12-29 | 2016-06-07 | Nikon Corporation | Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2013161992A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Nikon Corp | 変形可能な反射光学素子、光学系、及び露光装置 |
| JP5994970B2 (ja) | 2012-02-10 | 2016-09-21 | 株式会社ニコン | 瞳強度分布の調整方法、照明光学系およびその調整方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US20130250271A1 (en) | 2012-02-17 | 2013-09-26 | Nikon Corporation | Stage assembly with secure device holder |
| US9323160B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-04-26 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium |
| WO2014042044A1 (ja) | 2012-09-11 | 2014-03-20 | 株式会社ニコン | 瞳輝度分布の設定方法 |
| US9772564B2 (en) | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| JP2014120693A (ja) | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Nikon Corp | 液浸部材、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体 |
| JP6260847B2 (ja) | 2013-02-23 | 2018-01-17 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2015032800A (ja) | 2013-08-07 | 2015-02-16 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、および物品製造方法 |
| US9946165B2 (en) * | 2013-10-02 | 2018-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Methods and apparatus for obtaining diagnostic information relating to an industrial process |
| TWI675259B (zh) | 2014-05-30 | 2019-10-21 | 日商尼康股份有限公司 | 微影系統、模擬裝置、及圖案形成方法 |
| CN106507684B (zh) | 2014-06-16 | 2020-01-10 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备、转移衬底的方法和器件制造方法 |
| US10289007B2 (en) | 2014-07-10 | 2019-05-14 | Nikon Corporation | Lithography tool having a reticle stage capable of dynamic reticle bending to compensate for distortion |
| US10410828B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-09-10 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and methods |
| KR102873223B1 (ko) * | 2015-02-23 | 2025-10-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| WO2016150631A1 (en) | 2015-03-23 | 2016-09-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| JP6712411B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2020-06-24 | 株式会社ニコン | 物体搬送装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、物体搬送方法、及び露光方法 |
| JP6566192B2 (ja) | 2015-03-31 | 2019-08-28 | 株式会社ニコン | 防振装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| KR20190065324A (ko) | 2016-10-12 | 2019-06-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 양극 활물질 입자 및 양극 활물질 입자의 제작 방법 |
| JP6883655B2 (ja) | 2017-02-03 | 2021-06-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 露光装置 |
-
2018
- 2018-01-30 JP JP2019538369A patent/JP6883655B2/ja active Active
- 2018-01-30 KR KR1020217025777A patent/KR102458052B1/ko active Active
- 2018-01-30 CN CN201880010064.6A patent/CN110268334B/zh active Active
- 2018-01-30 KR KR1020197025735A patent/KR102291903B1/ko active Active
- 2018-01-30 NL NL2020344A patent/NL2020344A/en unknown
- 2018-01-30 SG SG11201906413XA patent/SG11201906413XA/en unknown
- 2018-01-30 EP EP18702480.7A patent/EP3577525A1/en active Pending
- 2018-01-30 WO PCT/EP2018/052211 patent/WO2018141713A1/en not_active Ceased
- 2018-01-30 US US16/479,381 patent/US11092903B2/en active Active
- 2018-01-30 IL IL268217A patent/IL268217B2/en unknown
- 2018-02-01 JP JP2018016095A patent/JP6470856B2/ja active Active
- 2018-02-02 TW TW107103775A patent/TWI710861B/zh active
- 2018-02-02 TW TW109136704A patent/TWI781467B/zh active
- 2018-05-29 JP JP2018102751A patent/JP6518819B2/ja active Active
- 2018-09-25 JP JP2018178796A patent/JP6674989B2/ja active Active
- 2018-10-09 JP JP2018190700A patent/JP6518831B2/ja active Active
- 2018-10-31 JP JP2018205206A patent/JP6556929B2/ja active Active
- 2018-10-31 JP JP2018205217A patent/JP6741736B2/ja active Active
- 2018-10-31 JP JP2018205284A patent/JP6620208B2/ja active Active
- 2018-10-31 JP JP2018205234A patent/JP6557394B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-18 JP JP2019006923A patent/JP6775040B2/ja active Active
- 2019-02-26 JP JP2019032352A patent/JP7041643B2/ja active Active
-
2021
- 2021-07-28 US US17/386,726 patent/US12265337B2/en active Active
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6775040B2 (ja) | 露光装置 | |
| TWI408771B (zh) | 可移動支撐,位置控制系統,微影裝置及可交換物件位置之控制方法 | |
| US20250028259A1 (en) | Imprint Apparatus with Movable Stages |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190919 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190919 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200825 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200909 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201203 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210414 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210510 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6883655 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |