[go: up one dir, main page]

DE2610301A1 - Positiv wirkender photolack - Google Patents

Positiv wirkender photolack

Info

Publication number
DE2610301A1
DE2610301A1 DE19762610301 DE2610301A DE2610301A1 DE 2610301 A1 DE2610301 A1 DE 2610301A1 DE 19762610301 DE19762610301 DE 19762610301 DE 2610301 A DE2610301 A DE 2610301A DE 2610301 A1 DE2610301 A1 DE 2610301A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
copolymer
polymeric substance
group
photoresist
dissolved
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19762610301
Other languages
English (en)
Other versions
DE2610301C2 (de
Inventor
Edward David Roberts
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2610301A1 publication Critical patent/DE2610301A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2610301C2 publication Critical patent/DE2610301C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146Laser beam
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855Of addition polymer from unsaturated monomers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

PUB. 32-4 ? -i Va/WR/vv'een 8.3·1976
.: PHB 32 494
11c Märζ 1976
Positiv %iirkender Pliotolack
Die Erfindung bezieht sich auf einen
positiv wirkenden Photolack, der einen vernetzbaren polymeren Stoff enthält, der in einem inerten Lösungsmittel gelöst ist, auf ein Verfahren zur Herstellung eines ■ solchen Photolacks sowie auf ein Verfahren zum Erzeugen eines Photolackmusters auf einem Substrat unter Vervendung eines solchen Photolacks.
In der deutschen Offenlegungsschrift
23 63 092 ist ein positiv wirkender Photolack beschrieben, der in einem inerten Lösungsmittel ein Gemisch vernetzbarer Copolymerer A-B und D-E enthält, wobei A eine ungesättigte Carboxylsäure darstellt, B und E ungesättigte organische Verbindungen darstellen, die gleich oder verschieden sein können, und D ein ungesättigtes Carboxyl-
609840/1.U3
ORIGINAL INSPECTED
-2- PHB. 32k9k
säurechlorid darstellt. Wenn dieser Photolack erhitzt wird, reagieren die Carboxylsäuregruppen und die Carboxylsäurechloridgruppen miteinander, wobei Chlorwasserstoff entfernt wird und Carboxylsäureanhydridvernetzungen zwischen den verschiedenen Copolymerketten gebildet werden.
Die Erfindung bezweckt, einen positiv
wirkenden Photolack zu schaffen, der einen vernetzbaren polymeren Stoff enthält, der in einem inerten Lösungsmittel gelöst ist, welcher Photolack dadurch gekennzeichnet ist, dass der polymere Stoff aus einem Copolymer B-D besteht, wobei B eine ungesättigte organische Verbindung der Formel
R1 R,
I I
CH = C
E3
und I) ein ungesättigtes Carboxylsäurechlorid der Formel
Ri, R»»
I* I5
CH = C
COCl
darstellt, wobei R1, R0, Ri und R_ je ein Wasserstoffatom, eine Arylgruppe oder eine Alkylgruppe darstellen, und wobei R„ eine Alkylgruppe, eine gesättigte Acyloxygruppe, eine Arylgruppe oder eine -COOR-Gruppe darstellt, wobei R eine Alkylgruppe ist, während das Copolymer 0,5 bis 30 Mol $ D enthält. Die Alkylgruppen sind vorzugsweise Methyl- oder Äthylgruppen. Insbesondere ist B Methylmethacrylat und ist D Methacryloyl-chlorid. Das Copolymer .B-D im Photolack nach der Erfindung enthält eine Carboxylsäurechloridgruppe. Durch Erhitzung des Photolacks in einer feuchten Atmosphäx-e
609840/1143
-3- PHB. 3249 'ι
werden einige der Carboxylsäurechloridgruppen hydrolysiert und bilden Carboxylgruppen. Der teilweise hydrolysierte Photolack enthält somit Moleküle des Copolymers B_-D mit einer Carboxylsäurechloridgruppe .und Moleküle mit einer Carboxylgruppe, und, sobald eine zwischenmolekulare Reaktio; zwischen diesen funktionellen Gruppen auftritt, werden Carboxylsäureanhydridgruppenbrücken gebildet.
Die Erfindung -bezieht sich auch auf ein
Verfahren zur Herstellung eines positiv wirkenden Ρίιοτο-lacks, bei dem ein polymerer Stoff in einem inerten Lösungsmittel gelöst wird, dadurch gekennzeichnet, dass als polymerer Stoff ein vernetzbares Copolymer B_-D der oben definierten Art verwendet wird.
Ein Photolackmuster kann auf einem Substrat durch ein Verfahren erzeugt werden, bei dem das Substrat mit einem vernetzbaren polymeren Stoff in einem inerten Lösungsmittel überzogen, der Überzug getrocknet, erhitzt und mit Elektronen gemäss einem gewünschten Muster bestrahlwird, wonach die bestrahlten Teile dadurch entfernt werden, dass der bestrahlte überzug in einem Lösungsmittel gelöst wird, dadurch gekennzeichnet, dass der polymere Stoff ein Copolymer B-D der oben definierten Art ist und dass die Erhitzung in einer feuchten Atmosphäre mit 0,5 bis 20 Vol.$ Wasserdampf bei.einer Temperatur zwischen und 250°C stattfindet, damit Säureanhydridgruppanbrücken zwischen verschiedenen Molekülen des Copolymers B-D gebildet werden. *
609840/1 U3
-4- PHB. 32'-t9k
Die Wärmebehandlung in der feuchten
Atmosphäre kann z.B. 10 bis 6O Minuten dauern. Die feuchre Atmosphäre kann statisch oder fliessend sein und kann (neben Wasserdampf) z.B. Luft oder Stickstoff enthalten, soll aber keinen Bestandteil, wie Ammoniak, enthalten, der mit dem Photolackmaterial reagieren kann. Es wurde gefunder-. dass, wenn die feuchte Atmosphäre viel mehr als 20 VoI.^ Wasserdampf enthielt, nahezu alle Säurechloridgruppen von D zu Carboxylgruppen hydrolysiert wurden und die gewünschre Carboxylsäureanhydridgruppenvernetzung nicht erhalten werden konnte, wobei der so erzeugte Photolacküberzug in üblichen Lösungsmitteln löslich war.
Der unbestrahlte Photolacküberzug wird
vernetzt"und das vernetzte Material ist unlöslich in den Lösungsmitteln, in denen B-D normalerweise löslich ist. Eine Bestrahlung zerstört diese Carboxylsäureanhydridvernetzungen, wodurch die leicht löslichen nahezu geraden Kettenformen wiederhergestellt werden. Bei Entwicklung eines bestrahlten Musters in einem solchen Photolacküberzug ist es nur erforderlich, dass der Entwickler zwischen löslichen (bestrahlten) und unlöslichen (unbestrahlten) Gebieten unterscheiden kann, und daher sind die Dauer und die Temperatur der Entwicklung nicht besonders kritisch. Geeignete Entwxcklerlösungsmittel sind z.B. Aceton, Methyläthylketon, Methylisobutylketon oder Toluol, welche Lösungsmittel auch als das Lösungsmittel, in dem der polymere Stoff in dem PhotolacJc gelöst ist, verwendet werden können.
609840/ 1 1 A3
fc-5- HlB. 32-194
Das unbestrahlte Material kann von einem
Substrat (nachdem es als Maske benutzt worden ist) dadurch entfernt werden, dass es mit einem Gemisch von Ammoniak und einem Lösungsmittel, z.B. Aceton, benetzt wird. Das Ammoniak zerlegt die Anhydridgruppe derart, dass Amide gebildet werden, während das Aceton das Polymerkettenmaterial entfernt. Dadurch können Photolacke nach der Erfindung auf Substraten, z.B. Aluminiumsubstraten, verwendet werden, die nicht gegen die Einwirkung von rauchender Salpetersäure beständig sind, die oft als Mittel zum Entfernen des Photolacks verwendet wird.
Es wurde gefunden, dass das erfindungsgemässe Photolacksystem folgende zusätzliche Vorteile im Vergleich zu dem in der vorgenannten Offenlegungsschrift 23 63 beschriebenen System bietet:
Es benutzt ein einziges Copolymer und kann
daher einfacher als das bekannte zwei Copolymere enthaltende System hergestellt werden.
Das bekannte zwei Copolymere enthaltende
System ergab einige Probleme in bezug auf die Inkompatibilität der beiden Copolymere bei Zunahme der Anzahl vernetzender Gruppen. Trotzdem wurde dieses zwei Copolymere enthaltende System mit bis zu etwa 20 bis 25$ vernetzender Gruppen benutzt, aber manchmal musste die Photolacklösung dermassen verdünnt werden, dass dicke (2 Aim) glatte Filme nicht in einem einzigen Uberziehvorgang aufgebracht werden konnten. Es wurde gefunden, dass dicke glatte Filme aus dem erfindungsgemässen Photolacklin einem einzigen Vorgang aufgebracht werden können.
609840/1.143
PUB. 32h
•Es wurde gefunden, dass das Methylmethacrylat-Methacryloylchlorid--Photolacksystem nach der Erfindung einen grösseren Wärmewiderstand als die in der genannten Offenlegungsschrift beschriebenen Systeme aufweist. Eine Verformung von Besti-ahlungsmusterprofilen trat erst auf, nachdem die Muster Temperaturen ausgesetzt worden waren, die um 20 bis 3O0C höher als die Temperaturen waren, bei denen eine Verformung ähnlicher Muster des zwei Copolymere enthaltenden Photolacksystems auftrat.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden an Hand einiger Beispiele näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch die Bildung von Carboxyl-
säuregruppen im Copolymer B-D durch Hydrolyse von Carboxylsäurechloridgruppen mit Hilfe von Wasserdampf,
Fig. 2 schematisch die Bildung von Carboxylsäureanhydridgruppen in einer zweidimensionalen Anordnung durch Reaktion zwischen den Carboxylgruppen und den Carboxyl säurechloridgruppen, wobei tatsächlich die Vernetzungen in einer dreidimensionalen Anordnung gebildet werden, und
Figuren 3 und 4 schematisch einen Photolacküberzug während der Bestrahlung bzw. nach der Entwicklung. BEISPIELE
Methacryloylchlorid wurde auf folgende ¥eise hergestellt:
51 ml Phosphortrichlorid wurde I80 ml
Methacrylsäure zugesetzt und das Gemisch wurde eine Stunde lang bei 75°C gerührt. Die obere Schicht des Reaktions-
6 0.9840/1.143
-7- pub. 32^9'-i
Produkts wurde abgetrennt und wurde bei herabgesetztem Druck fraktioniert. Eine Fraktion wurde bei kO bis 42 °C bei 100 Torr aufgefangen. Die Dichte des erhaltenen Methacryloylchlorids war 1,085 g/cm3; das äquivalente Gewicht dee MethacryloylChlorids (durch Titration mit Alkali) war 53 > 5 (theoretisch 52,25) und es hatte einen Chloridgehalt von 34,56 Gew.^ (theoretisch 33,97$).
Unmittelbar vor der Herstellung eines
Copolymers wurden die erforderlichen Mengen an Methylmethacrylat und Methacryloylchlorid redestilliert, um die Abwesenheit der entsprechenden Homopolymere und/oder Inhibitoren sicherzustellen.
Gemessene Mengen an Methylmethacrylat (ΜΠΑ.), Methacryloylchlorid (MAC), Azoisobutyronitril (AIBN) und Methylisobutylketon (mIBK) wurden in einem mit einem Rückflusskühler versehenen Kolben gerührt. Der Kolben wurde in ein aus siedendem Wasser bestehendes Bad eingetaucht. In Intervallen von fünf Minuten wurden Methacryloylchloridmengen dem Reaktionsgemisch zugesetzt und fünf Minuten nach dem letzten Zusatz wurde das aus siedendem Wasser bestehende Bad durch ein aus kaltem Wasser bestehendes Bad ersetzt. Wenn das Reaktionsgemisch Zimmertemperatur erreichte, wurde 25 ml Methylisobutylketon zugesetzt, um die Viskosität der klaren Polymerlösung herabzusetzen. Dieser Stoff wurde dann tropfenweise etwa 300 ml Äther zugesetzt, der schnell gerührt wurde, und das Polymer wurde in einer flockigen Form niedergeschlagen. Es wurde filtriert, mit Äther gewaschen und im Vakuum bei 60°C getrocknet.
609840/ 1 143
TABELLE I
PHB. 32494
erforderl,
Mol.$ MAC
5 10 15 20 25 30
Anfängl.
Charge ml MAC
O.5O 1.10 1.85 2.79 3.73 5.58
ml MMA 23.75 23.75 23.75 23.75 23.75 23.75
g AIBN O.I25 O.I25 O.I25 0.125 0.125 0.12j
ml MIBK 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5
ml MAC zuge
setzt nach 5 Min
0.13 O.25 O.29 0.39 0.48 O.58
10 Min 0.11 0.22 O.25 Ό.34 0.41 O.54
15 Min 0.11 0.22 O.3I 0.43 0.52 0.73
20 Min 0.10 0.21 0.33 0.47 0.57 .0.80
Methacryloylchlorid wurde während des Ausfällens des Copolymers zugesetzt, um ein Copolymer mit einer geregelten Zusammensetzung zu erhalten.
Es wurde eine Lösung aus 1 Gewichtsteil eines MAC-MMA-Copolymers mit 10 Mol $ MAC in 5 Gewichtsteilen Methylisobutylketon hergestellt und es wurden Filme auf Silxciumscheiben gebildet, indem eine Lösung des MMA-MAC-Copolymers auf eine Siliciumscheibe 1 (Fig. 3) aufgebracht und das überschüssige Material bei 3°00 Umdrehungen /min abzentrifugiert wurde. Der getrocknete zentrifugierte Film hatte normalerweise eine Dicke von etwa 1 ,um und war noch in üblichen Lösungsmitteln, z.B. Aceton oder Methylisobutylketon, löslich. Die mit einem Film versehene Scheibe wurde auf 175°C in einem Stickstoff strom erhitzt, der ?.»5
609840/1143
PHE. 3-
Vo 1.$ Wasserdampf enthielt und mit einer Geschwindigkeit von 700 ml/min floss. Es wurde gefunden, dass bei Anvendur.= von Stickstoffströmen, die bei 0, 20, 40, 50 oder 60=C mir Wasserdampf gesättigt worden waren, die erhaltenen vernetzten Überzöge 2 (Fig. 3) in siedendem Aceton völlig unlöslich waren. Der Überzug 2 (Fig. 3) wurde mit 10 kV-Elektronen (Bestrahlungsdichte 38 bis 40 /uC/cm2 ) unter Anwendung des von E.D. Roberts in Proc. 3rd Int. Conf. on Electron and Ion Beam Science and Technology, Eoston, Mai 1968, Seite 571 beschriebenen Verfahrens durch ein feines (1000-maschiges) Kupfergitter 3 (Fig. 3) in leichten Kontakt mit dem vernetzten Film 2 (Fig. 3) bestrahlt. Der bestrahlte Überzug wurde dann in Methylisobutylkeτon entwickelt, wobei das bestrahlte Material weggewaschen wurde, wonach ein Photolackmuster 4 auf der Scheibe 1 nach Fig. verblieb. Die nachstehende Tabelle II zeigt die Bestrahlungsdichten ( ,uC/cm2), die erforderlich sind, um Muster in Copolymeren zu erzeugen, die verschiedene MAC-Gehalte aufweisen und durch Erhitzung auf verschiedene Temperaturen während 15 Minuten in einem mit Wasserdampf bei 2O°C gesättigten Stickstoffstrom vernetzt worden sind.
TABELLE II
I60 175 200
Aushärtungstemp. (°C) 22 32 2-5
5 Mol.# MAC 38 38 50
10 Mol.# MAC 55 62 53
15 M0I.56 MAC 51 51 62
ι
20 Mol.$ MAC
609840/1143
. 32494
26103G1
Die nachstehende Tabelle III zeigt den
¥ärmewiderstand der erzeugten Photolackmuster unter Verwendung vernetzter MAC-MMA-Copolymerer, die bei 175°C während 15 Minuten vor der Bestrahlung mit Elektronen ausgehärtet wurden. Photolackmuster mit unterätzten Rändern (die mit Hilfe positiv wirkender Photolacke infolge des Zürtlckprallens von Elektronen erzeigt wurden) wurden 15 Minuten auf verschiedene Temperaturen erhitzt und nach dieser Wärmebehandlung wurden die Muster mit einem Abtastelektronenmikroskop geprüft, um festzustellen, ob die unterätzten Ränder noch vorhanden waren oder nicht. Die Tabelle III gibt an, ob die unterätzten Ränder noch vorhanden sind oder nicht; die unterätzten Ränder sind nur dann nicht" vorhanden, wenn das das Muster bildende Material infolge der Wärmebehandlung verformt ist,
TABELLE III
.Photolack - Mol. « Keine
Wärmeb ehandlung
120 15 Min
14O
. bei
16O
(°C) erhitzt
175 200 225
- _
5 Mol.« Ja Ja Ja Nein Nein Ja
10 Mol. 5 Ja - - Ja Ja Ja Nein
15 Mol. 5 Ja - - Ja Ja Nein
I
20 t MAC Ja - - Ja Ja
i> MAC
ί MAC
i MAC
Ein Copolymer von Styrol und Methacryloyl-
chlorid wurde dadurch hergestellt, dass 0,15 ml Methacrylo}1"! chlorid, 19,85 ml Styrolmonomer, 10 ml Methylisobutylketon
609840/ 1. U 3
-11- PHB. 3249-4
und 0,1 g Azoisobutyronitril gemischt wurden. Ein Kolben, der das gerührte Geraisch enthielt, wurde 5 Minuten in ein auf
- siedendem ¥asser bestehendes Bad gesetzt und wurde dann durch Eintauchen in kaltes Wasser auf Zimmertemperatur gekühlte Das Reaktionsprodukt wurde in 200 ml Methanol ausgegossen; das ausgefällte Copolymer wurde abfiltriert und bei 60°C bei 5 Torr getrocknet. Eine Ausbeute von 1»36 S trockenem Copolymer mit 7»37 Mol.$ Methacryloylchlorid wurde erhalten.
Eine 15 gew.^ige Lösung des Copolymers in Methylisobutylketon wurde hergestellt und diese Lösung wurde zur Herstellung von Filmen mit einer Dicke von etwa 0,5 bis 0,6 Aim auf Siliciumscheiben verwendet, wobei der Lösungsüberschuss abzentrifugiert wurde. Siliciumscheiben, die mit diesen Filmen versehen waren, wurden auf 195°C bzw. 23O0C in einem Stickstoffstrom erhitzt, der 2,5 Vol.$ Wasserdampf enthielt und mit einer Geschwindigkeit von 700 ml/min floss. Befriedigende Photolackmuster wurden dadurch erhalten, dass die vernetzten Überzüge mit 10 k\r-Elektronen bei Bestrahlungsdichten zwischen 30 und 60 ,uC/ cm2 bestrahlt wurden, wobei das bestrahlte Material von den Siliciumscheiben dadurch entfernt wurde, dass eine Minute lang mit Methylisobutylketon gewaschen wurde.
609fU0/1 143

Claims (4)

  1. .'Ά. X IlsIH 1 -c'i-iVüx'iCÜv/i ij> ·
    1 . Positiv wirkender Photolack, der einen vernetzbaren polymeren Stoff enthält, der in einem inerten Lösungsmittel gelöst ist, dadurch gekennzeichnet, dass der polymere Stoff ein Copolymer B-D ist, -wobei B eine ungesättigte organische Verbindung der Formel
    R1 R0
    I1 I2
    CH = C
    E3
    und D ein ungesättigtes Carboxylsäurechlorid der Formel
    T4 P
    CH = C
    JOCl
    darstellt, wobei R , R , R, und R je ein Wasserstoffatom, eine Arylgruppe oder eine Alkylgruppe darstellen und R eine Alkylgruppe, eine gesättigte Acyloxygruppe, eine Arylgruppe oder eine -COOR-Gruppe darstellt, wobei R eine Alkylgruppe ist, und wobei das Copolymer 0,5 bis 30 Mol ^ D enthält.,
  2. 2. Positiv wirkender Photolack nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, dass die Alkylgruppen Methyl- oder JLthylgruppen sind.
  3. 3· Positiv wirkender Photolack nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, dass B Methylmethacrylat lind I) Methacryloylchiοrid darstellt.
  4. 4. Verfahren zur Herstellung eines positiv
    wirkenden Photolacks, bei dem ein polymerer Stoff in einem inerten Lösungsmittel gelöst wird, dadurch gekennzeichnet,
    609840/1 U3
    -13- ρπβ. 3:~-i9-
    dass als polymerer Stoff ein vernetzbares CopoPymer B-D der im Anspruch 1 definierten Art verwendet wird. 5* Verfahren zum Erzeugen eines Photolackmusrer;
    auf einem Substrat, bei dem das Substrat mit einem vernetzbaren polymeren Stoff überzogen wird, der in einem inerten Lösungsmittel gelöst ist, wobei der Überzug getrocknet, erhitzt und mit Elektronen gemäss einem gewünschten Muster bestrahlt wird, wonach die bestrahlten Teile durch Auf'lösur-= in einem Lösungsmittel entfernt werden, dadurch gekennzeichnet, dass der polymere Stoff ein Copolymer I3-I) der oben definierten Art ist, und dass die Erhitzung in einer feuchten Atmosphäre mit 0,5 bis 20 Vol.$ Wasserdampf bei einer Temperatur zwischen 150 und 2500C stattfindet, um Säureanhydridgruppenbrücken zwischen verschiedenen Molekülen des Copolymers B-D zu bilden.
    609*40/1143
    Leerseite
DE2610301A 1975-03-20 1976-03-12 Verfahren zur Herstellung einer positiv wirkenden Resistmaterialschicht und Verfahren zum Erzeugen eines Resistmusters Expired DE2610301C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1166075A GB1500541A (en) 1975-03-20 1975-03-20 Method of producing positive-working electron resist coatings

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2610301A1 true DE2610301A1 (de) 1976-09-30
DE2610301C2 DE2610301C2 (de) 1985-01-17

Family

ID=9990342

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2610301A Expired DE2610301C2 (de) 1975-03-20 1976-03-12 Verfahren zur Herstellung einer positiv wirkenden Resistmaterialschicht und Verfahren zum Erzeugen eines Resistmusters

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4061832A (de)
JP (2) JPS51117577A (de)
DE (1) DE2610301C2 (de)
FR (1) FR2304943A1 (de)
GB (1) GB1500541A (de)
NL (1) NL175107C (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2757932A1 (de) * 1977-12-24 1979-07-05 Licentia Gmbh Strahlungsempfindliche positiv arbeitende materialien
DE2757931A1 (de) * 1977-12-24 1979-07-12 Licentia Gmbh Verfahren zum herstellen von positiven aetzresistenten masken
DE2828128A1 (de) * 1978-06-27 1980-01-10 Licentia Gmbh Strahlungsempfindliche positiv arbeitende materialien

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5466829A (en) * 1977-11-07 1979-05-29 Fujitsu Ltd Pattern formation materil
JPS5466122A (en) * 1977-11-07 1979-05-28 Fujitsu Ltd Pattern formation material
JPS54158173A (en) * 1978-06-05 1979-12-13 Fujitsu Ltd Micropattern forming method
JPS5590942A (en) * 1978-12-29 1980-07-10 Fujitsu Ltd Positive type resist material
DE3060510D1 (en) * 1979-03-09 1982-07-29 Thomson Csf Photomasking substances, process for preparing them and mask obtained
JPS55133042A (en) * 1979-04-04 1980-10-16 Fujitsu Ltd Pattern forming method
US4276365A (en) * 1979-07-02 1981-06-30 Fujitsu Limited Positive resist terpolymer composition and method of forming resist pattern
DE3246825A1 (de) * 1982-02-24 1983-09-01 Max Planck Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Positives resistmaterial
US4448875A (en) * 1983-03-31 1984-05-15 Gaf Corporation Electron beam sensitive mixture resist
JP2707785B2 (ja) * 1990-03-13 1998-02-04 富士通株式会社 レジスト組成物およびパターン形成方法
US5789140A (en) * 1996-04-25 1998-08-04 Fujitsu Limited Method of forming a pattern or via structure utilizing supplemental electron beam exposure and development to remove image residue

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2363092A1 (de) * 1972-12-21 1974-07-04 Philips Nv Positiv wirkende elektronenreserve

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3441545A (en) * 1963-11-01 1969-04-29 Du Pont Modification of olefin-carboxylic acid halide copolymers
US3647771A (en) * 1964-01-30 1972-03-07 Sumitomo Chemical Co Alternating copolymers of alpha-olefins and vinyl compounds and a process for manufacturing the same
GB1275632A (en) * 1968-06-25 1972-05-24 Hart Schaffner & Marx Inc A method of making tailored garments
US3631157A (en) * 1970-02-09 1971-12-28 Dow Chemical Co Reactive mixed anhydride-containing polymers and a method for their preparation
JPS5119047B2 (de) * 1972-04-14 1976-06-15
JPS5639680B2 (de) * 1974-04-02 1981-09-14

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2363092A1 (de) * 1972-12-21 1974-07-04 Philips Nv Positiv wirkende elektronenreserve

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2757932A1 (de) * 1977-12-24 1979-07-05 Licentia Gmbh Strahlungsempfindliche positiv arbeitende materialien
DE2757931A1 (de) * 1977-12-24 1979-07-12 Licentia Gmbh Verfahren zum herstellen von positiven aetzresistenten masken
US4243742A (en) 1977-12-24 1981-01-06 Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. Radiation-sensitive positively acting materials
DE2828128A1 (de) * 1978-06-27 1980-01-10 Licentia Gmbh Strahlungsempfindliche positiv arbeitende materialien

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5719411B2 (de) 1982-04-22
NL7602708A (nl) 1976-09-22
GB1500541A (en) 1978-02-08
JPS6342770B2 (de) 1988-08-25
JPS51117577A (en) 1976-10-15
FR2304943A1 (fr) 1976-10-15
NL175107C (nl) 1984-09-17
DE2610301C2 (de) 1985-01-17
US4061832A (en) 1977-12-06
JPS5798517A (en) 1982-06-18
FR2304943B1 (de) 1978-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69126586T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE2451902C3 (de) Hochempfindlicher positiver Photolackschichtaufbau aus durch Strahlung abbaubaren, entwicklungsfähigen organischen Polymeren und Verfahren zur Herstellung einer Photolackmaske
DE2610301A1 (de) Positiv wirkender photolack
DE2914619C2 (de) Lichtempfindliches Gemisch
DE3650633T2 (de) Polysilan-Resist-Materialien und Methode zu deren Herstellung
DE2028903C3 (de) Lichtempfindliche Masse
EP0493317B1 (de) Strahlungsempfindliche Zusammensetzung auf Basis von Wasser als Lösungs- bzw. Dispersionsmittel
EP0001429B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmmustern unter Anwendung der Abhebetechnologie
DE2205660C3 (de) Verfahren zum Antistatischausrüsten eines Kunststoffüms oder einer Kunststoffolie
DE19919795A1 (de) Polymer und dessen Verwendung in einem Verfahren zur Bildung eines Mikromusters
DE2363092C2 (de) Photodepolymerisierbares Gemisch und dessen Verwendung
DE69131150T2 (de) Resist-Materialien
DE3751745T2 (de) Hochempfindliche Resiste mit Selbstzersetzungstemperatur grösser als etwa 160 Grad Celsius
DE69612656T2 (de) Verfahren zur entwicklung eines positiv arbeitenden fotoresists und entwicklungszusammensetzungen dafür
DE2743763A1 (de) Positivlackmaterial und verfahren zur herstellung einer lackmaske
DE2518479A1 (de) Verfahren zur herstellung einer positiven resistmaske, die gegenueber einer strahlung hoher energie bestaendig ist
DE3201815C2 (de)
DE1957598A1 (de) Polyimid-Massen und hiermit ueberzogene Metall-Gegenstaende
DE2849996C2 (de) Photodepolymerisierbares Gemisch und ein Verfahren zur Herstellung eines Positivbildes
EP0157932B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Polyimidazol- und Polyimidazopyrrolon-Reliefstrukturen
DE3125564A1 (de) Verfahren zur verbesserung der druckqualitaet von lichthaertbaren aufzeichnungsmaterialien
DE69130594T2 (de) Verfahren zur Erzeugung eines Musters
EP0797792B1 (de) Photolithographische strukturerzeugung
DE3337303C2 (de) Verfahren zur photolithographischen Erzeugung von feinen Resistmustern und hierfür verwendbare lichtempfindliche Gemische
DE2452326C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Ätzmaske mittels energiereicher Strahlung

Legal Events

Date Code Title Description
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: PIEGLER, H., DIPL.-CHEM., 2000 HAMBURG

8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: G03C 1/68

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee