DE2610301A1 - Positiv wirkender photolack - Google Patents
Positiv wirkender photolackInfo
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Description
PUB. 32-4 ? -i
Va/WR/vv'een 8.3·1976
.: PHB 32 494
11c Märζ 1976
11c Märζ 1976
Positiv %iirkender Pliotolack
Die Erfindung bezieht sich auf einen
positiv wirkenden Photolack, der einen vernetzbaren polymeren Stoff enthält, der in einem inerten Lösungsmittel
gelöst ist, auf ein Verfahren zur Herstellung eines ■ solchen Photolacks sowie auf ein Verfahren zum Erzeugen
eines Photolackmusters auf einem Substrat unter Vervendung eines solchen Photolacks.
In der deutschen Offenlegungsschrift
23 63 092 ist ein positiv wirkender Photolack beschrieben,
der in einem inerten Lösungsmittel ein Gemisch vernetzbarer Copolymerer A-B und D-E enthält, wobei A eine ungesättigte
Carboxylsäure darstellt, B und E ungesättigte organische Verbindungen darstellen, die gleich oder
verschieden sein können, und D ein ungesättigtes Carboxyl-
609840/1.U3
-2- PHB. 32k9k
säurechlorid darstellt. Wenn dieser Photolack erhitzt wird,
reagieren die Carboxylsäuregruppen und die Carboxylsäurechloridgruppen miteinander, wobei Chlorwasserstoff entfernt
wird und Carboxylsäureanhydridvernetzungen zwischen den verschiedenen Copolymerketten gebildet werden.
Die Erfindung bezweckt, einen positiv
wirkenden Photolack zu schaffen, der einen vernetzbaren polymeren Stoff enthält, der in einem inerten Lösungsmittel
gelöst ist, welcher Photolack dadurch gekennzeichnet ist,
dass der polymere Stoff aus einem Copolymer B-D besteht, wobei B eine ungesättigte organische Verbindung der Formel
R1 R,
I I
CH = C
E3
und I) ein ungesättigtes Carboxylsäurechlorid der Formel
Ri, R»»
I* I5
CH = C
COCl
darstellt, wobei R1, R0, Ri und R_ je ein Wasserstoffatom,
eine Arylgruppe oder eine Alkylgruppe darstellen, und wobei R„ eine Alkylgruppe, eine gesättigte Acyloxygruppe, eine
Arylgruppe oder eine -COOR-Gruppe darstellt, wobei R eine Alkylgruppe ist, während das Copolymer 0,5 bis 30 Mol $ D
enthält. Die Alkylgruppen sind vorzugsweise Methyl- oder Äthylgruppen. Insbesondere ist B Methylmethacrylat und ist
D Methacryloyl-chlorid. Das Copolymer .B-D im Photolack
nach der Erfindung enthält eine Carboxylsäurechloridgruppe. Durch Erhitzung des Photolacks in einer feuchten Atmosphäx-e
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-3- PHB. 3249 'ι
werden einige der Carboxylsäurechloridgruppen hydrolysiert und bilden Carboxylgruppen. Der teilweise hydrolysierte
Photolack enthält somit Moleküle des Copolymers B_-D
mit einer Carboxylsäurechloridgruppe .und Moleküle mit einer Carboxylgruppe, und, sobald eine zwischenmolekulare Reaktio;
zwischen diesen funktionellen Gruppen auftritt, werden Carboxylsäureanhydridgruppenbrücken gebildet.
Die Erfindung -bezieht sich auch auf ein
Verfahren zur Herstellung eines positiv wirkenden Ρίιοτο-lacks,
bei dem ein polymerer Stoff in einem inerten Lösungsmittel gelöst wird, dadurch gekennzeichnet, dass
als polymerer Stoff ein vernetzbares Copolymer B_-D der
oben definierten Art verwendet wird.
Ein Photolackmuster kann auf einem Substrat durch ein Verfahren erzeugt werden, bei dem das Substrat
mit einem vernetzbaren polymeren Stoff in einem inerten Lösungsmittel überzogen, der Überzug getrocknet, erhitzt
und mit Elektronen gemäss einem gewünschten Muster bestrahlwird, wonach die bestrahlten Teile dadurch entfernt
werden, dass der bestrahlte überzug in einem Lösungsmittel gelöst wird, dadurch gekennzeichnet, dass der polymere
Stoff ein Copolymer B-D der oben definierten Art ist und dass die Erhitzung in einer feuchten Atmosphäre mit 0,5
bis 20 Vol.$ Wasserdampf bei.einer Temperatur zwischen
und 250°C stattfindet, damit Säureanhydridgruppanbrücken
zwischen verschiedenen Molekülen des Copolymers B-D gebildet werden. *
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-4- PHB. 32'-t9k
Die Wärmebehandlung in der feuchten
Atmosphäre kann z.B. 10 bis 6O Minuten dauern. Die feuchre
Atmosphäre kann statisch oder fliessend sein und kann (neben Wasserdampf) z.B. Luft oder Stickstoff enthalten,
soll aber keinen Bestandteil, wie Ammoniak, enthalten, der mit dem Photolackmaterial reagieren kann. Es wurde gefunder-.
dass, wenn die feuchte Atmosphäre viel mehr als 20 VoI.^
Wasserdampf enthielt, nahezu alle Säurechloridgruppen von D zu Carboxylgruppen hydrolysiert wurden und die gewünschre
Carboxylsäureanhydridgruppenvernetzung nicht erhalten werden konnte, wobei der so erzeugte Photolacküberzug in
üblichen Lösungsmitteln löslich war.
Der unbestrahlte Photolacküberzug wird
vernetzt"und das vernetzte Material ist unlöslich in den
Lösungsmitteln, in denen B-D normalerweise löslich ist.
Eine Bestrahlung zerstört diese Carboxylsäureanhydridvernetzungen, wodurch die leicht löslichen nahezu geraden
Kettenformen wiederhergestellt werden. Bei Entwicklung eines bestrahlten Musters in einem solchen Photolacküberzug
ist es nur erforderlich, dass der Entwickler zwischen löslichen (bestrahlten) und unlöslichen (unbestrahlten)
Gebieten unterscheiden kann, und daher sind die Dauer und die Temperatur der Entwicklung nicht besonders kritisch.
Geeignete Entwxcklerlösungsmittel sind z.B. Aceton, Methyläthylketon, Methylisobutylketon oder Toluol,
welche Lösungsmittel auch als das Lösungsmittel, in dem der polymere Stoff in dem PhotolacJc gelöst ist, verwendet
werden können.
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fc-5- HlB. 32-194
Das unbestrahlte Material kann von einem
Substrat (nachdem es als Maske benutzt worden ist) dadurch entfernt werden, dass es mit einem Gemisch von Ammoniak und
einem Lösungsmittel, z.B. Aceton, benetzt wird. Das Ammoniak zerlegt die Anhydridgruppe derart, dass Amide gebildet
werden, während das Aceton das Polymerkettenmaterial entfernt. Dadurch können Photolacke nach der Erfindung auf
Substraten, z.B. Aluminiumsubstraten, verwendet werden, die
nicht gegen die Einwirkung von rauchender Salpetersäure beständig sind, die oft als Mittel zum Entfernen des
Photolacks verwendet wird.
Es wurde gefunden, dass das erfindungsgemässe
Photolacksystem folgende zusätzliche Vorteile im Vergleich zu dem in der vorgenannten Offenlegungsschrift 23 63
beschriebenen System bietet:
Es benutzt ein einziges Copolymer und kann
daher einfacher als das bekannte zwei Copolymere enthaltende System hergestellt werden.
Das bekannte zwei Copolymere enthaltende
System ergab einige Probleme in bezug auf die Inkompatibilität der beiden Copolymere bei Zunahme der Anzahl vernetzender
Gruppen. Trotzdem wurde dieses zwei Copolymere enthaltende System mit bis zu etwa 20 bis 25$ vernetzender
Gruppen benutzt, aber manchmal musste die Photolacklösung dermassen verdünnt werden, dass dicke (2 Aim) glatte Filme
nicht in einem einzigen Uberziehvorgang aufgebracht werden
konnten. Es wurde gefunden, dass dicke glatte Filme aus dem erfindungsgemässen Photolacklin einem einzigen Vorgang
aufgebracht werden können.
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PUB. 32h
•Es wurde gefunden, dass das Methylmethacrylat-Methacryloylchlorid--Photolacksystem
nach der Erfindung einen grösseren Wärmewiderstand als die in der
genannten Offenlegungsschrift beschriebenen Systeme aufweist.
Eine Verformung von Besti-ahlungsmusterprofilen
trat erst auf, nachdem die Muster Temperaturen ausgesetzt worden waren, die um 20 bis 3O0C höher als die Temperaturen
waren, bei denen eine Verformung ähnlicher Muster des zwei Copolymere enthaltenden Photolacksystems auftrat.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden an
Hand einiger Beispiele näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch die Bildung von Carboxyl-
säuregruppen im Copolymer B-D durch Hydrolyse von Carboxylsäurechloridgruppen
mit Hilfe von Wasserdampf,
Fig. 2 schematisch die Bildung von Carboxylsäureanhydridgruppen
in einer zweidimensionalen Anordnung durch Reaktion zwischen den Carboxylgruppen und den Carboxyl
säurechloridgruppen, wobei tatsächlich die Vernetzungen in einer dreidimensionalen Anordnung gebildet werden, und
Figuren 3 und 4 schematisch einen Photolacküberzug während der Bestrahlung bzw. nach der Entwicklung.
BEISPIELE
Methacryloylchlorid wurde auf folgende ¥eise
hergestellt:
51 ml Phosphortrichlorid wurde I80 ml
Methacrylsäure zugesetzt und das Gemisch wurde eine Stunde
lang bei 75°C gerührt. Die obere Schicht des Reaktions-
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-7- pub. 32^9'-i
Produkts wurde abgetrennt und wurde bei herabgesetztem Druck fraktioniert. Eine Fraktion wurde bei kO bis 42 °C
bei 100 Torr aufgefangen. Die Dichte des erhaltenen Methacryloylchlorids
war 1,085 g/cm3; das äquivalente Gewicht dee MethacryloylChlorids (durch Titration mit Alkali) war 53 >
5 (theoretisch 52,25) und es hatte einen Chloridgehalt von
34,56 Gew.^ (theoretisch 33,97$).
Unmittelbar vor der Herstellung eines
Copolymers wurden die erforderlichen Mengen an Methylmethacrylat und Methacryloylchlorid redestilliert, um
die Abwesenheit der entsprechenden Homopolymere und/oder Inhibitoren sicherzustellen.
Gemessene Mengen an Methylmethacrylat (ΜΠΑ.), Methacryloylchlorid (MAC), Azoisobutyronitril (AIBN) und
Methylisobutylketon (mIBK) wurden in einem mit einem Rückflusskühler
versehenen Kolben gerührt. Der Kolben wurde in ein aus siedendem Wasser bestehendes Bad eingetaucht.
In Intervallen von fünf Minuten wurden Methacryloylchloridmengen
dem Reaktionsgemisch zugesetzt und fünf Minuten nach dem letzten Zusatz wurde das aus siedendem Wasser bestehende
Bad durch ein aus kaltem Wasser bestehendes Bad ersetzt. Wenn das Reaktionsgemisch Zimmertemperatur erreichte, wurde
25 ml Methylisobutylketon zugesetzt, um die Viskosität der
klaren Polymerlösung herabzusetzen. Dieser Stoff wurde dann tropfenweise etwa 300 ml Äther zugesetzt, der schnell gerührt
wurde, und das Polymer wurde in einer flockigen Form niedergeschlagen. Es wurde filtriert, mit Äther
gewaschen und im Vakuum bei 60°C getrocknet.
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PHB. 32494
| erforderl, Mol.$ MAC |
5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 |
| Anfängl. Charge ml MAC |
O.5O | 1.10 | 1.85 | 2.79 | 3.73 | 5.58 |
| ml MMA | 23.75 | 23.75 | 23.75 | 23.75 | 23.75 | 23.75 |
| g AIBN | O.I25 | O.I25 | O.I25 | 0.125 | 0.125 | 0.12j |
| ml MIBK | 12.5 | 12.5 | 12.5 | 12.5 | 12.5 | 12.5 |
| ml MAC zuge setzt nach 5 Min |
0.13 | O.25 | O.29 | 0.39 | 0.48 | O.58 |
| 10 Min | 0.11 | 0.22 | O.25 | Ό.34 | 0.41 | O.54 |
| 15 Min | 0.11 | 0.22 | O.3I | 0.43 | 0.52 | 0.73 |
| 20 Min | 0.10 | 0.21 | 0.33 | 0.47 | 0.57 | .0.80 |
Methacryloylchlorid wurde während des Ausfällens
des Copolymers zugesetzt, um ein Copolymer mit einer geregelten Zusammensetzung zu erhalten.
Es wurde eine Lösung aus 1 Gewichtsteil eines MAC-MMA-Copolymers mit 10 Mol $ MAC in 5 Gewichtsteilen
Methylisobutylketon hergestellt und es wurden Filme auf Silxciumscheiben gebildet, indem eine Lösung des MMA-MAC-Copolymers
auf eine Siliciumscheibe 1 (Fig. 3) aufgebracht und das überschüssige Material bei 3°00 Umdrehungen /min
abzentrifugiert wurde. Der getrocknete zentrifugierte Film hatte normalerweise eine Dicke von etwa 1 ,um und war
noch in üblichen Lösungsmitteln, z.B. Aceton oder Methylisobutylketon,
löslich. Die mit einem Film versehene Scheibe wurde auf 175°C in einem Stickstoff strom erhitzt, der ?.»5
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PHE. 3-
Vo 1.$ Wasserdampf enthielt und mit einer Geschwindigkeit
von 700 ml/min floss. Es wurde gefunden, dass bei Anvendur.=
von Stickstoffströmen, die bei 0, 20, 40, 50 oder 60=C mir
Wasserdampf gesättigt worden waren, die erhaltenen vernetzten Überzöge 2 (Fig. 3) in siedendem Aceton völlig
unlöslich waren. Der Überzug 2 (Fig. 3) wurde mit 10 kV-Elektronen
(Bestrahlungsdichte 38 bis 40 /uC/cm2 ) unter
Anwendung des von E.D. Roberts in Proc. 3rd Int. Conf. on
Electron and Ion Beam Science and Technology, Eoston, Mai
1968, Seite 571 beschriebenen Verfahrens durch ein feines
(1000-maschiges) Kupfergitter 3 (Fig. 3) in leichten
Kontakt mit dem vernetzten Film 2 (Fig. 3) bestrahlt. Der bestrahlte Überzug wurde dann in Methylisobutylkeτon entwickelt,
wobei das bestrahlte Material weggewaschen wurde, wonach ein Photolackmuster 4 auf der Scheibe 1 nach Fig.
verblieb. Die nachstehende Tabelle II zeigt die Bestrahlungsdichten ( ,uC/cm2), die erforderlich sind, um Muster
in Copolymeren zu erzeugen, die verschiedene MAC-Gehalte
aufweisen und durch Erhitzung auf verschiedene Temperaturen
während 15 Minuten in einem mit Wasserdampf bei 2O°C
gesättigten Stickstoffstrom vernetzt worden sind.
| I60 | 175 | 200 | |
| Aushärtungstemp. (°C) | 22 | 32 | 2-5 |
| 5 Mol.# MAC | 38 | 38 | 50 |
| 10 Mol.# MAC | 55 | 62 | 53 |
| 15 M0I.56 MAC | 51 | 51 | 62 ι |
| 20 Mol.$ MAC |
609840/1143
. 32494
26103G1
Die nachstehende Tabelle III zeigt den
¥ärmewiderstand der erzeugten Photolackmuster unter Verwendung
vernetzter MAC-MMA-Copolymerer, die bei 175°C
während 15 Minuten vor der Bestrahlung mit Elektronen ausgehärtet wurden. Photolackmuster mit unterätzten Rändern
(die mit Hilfe positiv wirkender Photolacke infolge des Zürtlckprallens von Elektronen erzeigt wurden) wurden 15
Minuten auf verschiedene Temperaturen erhitzt und nach dieser Wärmebehandlung wurden die Muster mit einem Abtastelektronenmikroskop
geprüft, um festzustellen, ob die unterätzten
Ränder noch vorhanden waren oder nicht. Die Tabelle III gibt an, ob die unterätzten Ränder noch vorhanden sind
oder nicht; die unterätzten Ränder sind nur dann nicht" vorhanden, wenn das das Muster bildende Material infolge
der Wärmebehandlung verformt ist,
| .Photolack - | Mol. « | Keine Wärmeb ehandlung |
120 | 15 Min 14O |
. bei 16O |
(°C) erhitzt 175 200 225 |
- _ |
| 5 | Mol.« | Ja | Ja | Ja | Nein | Nein | Ja |
| 10 | Mol. 5 | Ja | - | - | Ja | Ja | Ja Nein |
| 15 | Mol. 5 | Ja | - | - | Ja | Ja | Nein I |
| 20 | t MAC | Ja | - | - | Ja | Ja | |
| i> MAC | |||||||
| ί MAC | |||||||
| i MAC |
Ein Copolymer von Styrol und Methacryloyl-
chlorid wurde dadurch hergestellt, dass 0,15 ml Methacrylo}1"!
chlorid, 19,85 ml Styrolmonomer, 10 ml Methylisobutylketon
609840/ 1. U 3
-11- PHB. 3249-4
und 0,1 g Azoisobutyronitril gemischt wurden. Ein Kolben,
der das gerührte Geraisch enthielt, wurde 5 Minuten in ein auf
- siedendem ¥asser bestehendes Bad gesetzt und wurde dann durch Eintauchen in kaltes Wasser auf Zimmertemperatur
gekühlte Das Reaktionsprodukt wurde in 200 ml Methanol ausgegossen; das ausgefällte Copolymer wurde abfiltriert
und bei 60°C bei 5 Torr getrocknet. Eine Ausbeute von 1»36 S trockenem Copolymer mit 7»37 Mol.$ Methacryloylchlorid
wurde erhalten.
Eine 15 gew.^ige Lösung des Copolymers in
Methylisobutylketon wurde hergestellt und diese Lösung wurde zur Herstellung von Filmen mit einer Dicke von
etwa 0,5 bis 0,6 Aim auf Siliciumscheiben verwendet, wobei
der Lösungsüberschuss abzentrifugiert wurde. Siliciumscheiben, die mit diesen Filmen versehen waren, wurden auf
195°C bzw. 23O0C in einem Stickstoffstrom erhitzt, der
2,5 Vol.$ Wasserdampf enthielt und mit einer Geschwindigkeit
von 700 ml/min floss. Befriedigende Photolackmuster wurden
dadurch erhalten, dass die vernetzten Überzüge mit 10 k\r-Elektronen
bei Bestrahlungsdichten zwischen 30 und 60 ,uC/ cm2 bestrahlt wurden, wobei das bestrahlte Material von den
Siliciumscheiben dadurch entfernt wurde, dass eine Minute lang mit Methylisobutylketon gewaschen wurde.
609fU0/1 143
Claims (4)
- .'Ά. X IlsIH 1 -c'i-iVüx'iCÜv/i ij> ·1 . Positiv wirkender Photolack, der einen vernetzbaren polymeren Stoff enthält, der in einem inerten Lösungsmittel gelöst ist, dadurch gekennzeichnet, dass der polymere Stoff ein Copolymer B-D ist, -wobei B eine ungesättigte organische Verbindung der FormelR1 R0I1 I2CH = CE3und D ein ungesättigtes Carboxylsäurechlorid der FormelT4 PCH = CJOCldarstellt, wobei R , R , R, und R je ein Wasserstoffatom, eine Arylgruppe oder eine Alkylgruppe darstellen und R eine Alkylgruppe, eine gesättigte Acyloxygruppe, eine Arylgruppe oder eine -COOR-Gruppe darstellt, wobei R eine Alkylgruppe ist, und wobei das Copolymer 0,5 bis 30 Mol ^ D enthält.,
- 2. Positiv wirkender Photolack nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, dass die Alkylgruppen Methyl- oder JLthylgruppen sind.
- 3· Positiv wirkender Photolack nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, dass B Methylmethacrylat lind I) Methacryloylchiοrid darstellt.
- 4. Verfahren zur Herstellung eines positivwirkenden Photolacks, bei dem ein polymerer Stoff in einem inerten Lösungsmittel gelöst wird, dadurch gekennzeichnet,609840/1 U3-13- ρπβ. 3:~-i9-dass als polymerer Stoff ein vernetzbares CopoPymer B-D der im Anspruch 1 definierten Art verwendet wird. 5* Verfahren zum Erzeugen eines Photolackmusrer;auf einem Substrat, bei dem das Substrat mit einem vernetzbaren polymeren Stoff überzogen wird, der in einem inerten Lösungsmittel gelöst ist, wobei der Überzug getrocknet, erhitzt und mit Elektronen gemäss einem gewünschten Muster bestrahlt wird, wonach die bestrahlten Teile durch Auf'lösur-= in einem Lösungsmittel entfernt werden, dadurch gekennzeichnet, dass der polymere Stoff ein Copolymer I3-I) der oben definierten Art ist, und dass die Erhitzung in einer feuchten Atmosphäre mit 0,5 bis 20 Vol.$ Wasserdampf bei einer Temperatur zwischen 150 und 2500C stattfindet, um Säureanhydridgruppenbrücken zwischen verschiedenen Molekülen des Copolymers B-D zu bilden.609*40/1143Leerseite
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2757932A1 (de) * | 1977-12-24 | 1979-07-05 | Licentia Gmbh | Strahlungsempfindliche positiv arbeitende materialien |
| DE2757931A1 (de) * | 1977-12-24 | 1979-07-12 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen von positiven aetzresistenten masken |
| DE2828128A1 (de) * | 1978-06-27 | 1980-01-10 | Licentia Gmbh | Strahlungsempfindliche positiv arbeitende materialien |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5466829A (en) * | 1977-11-07 | 1979-05-29 | Fujitsu Ltd | Pattern formation materil |
| JPS5466122A (en) * | 1977-11-07 | 1979-05-28 | Fujitsu Ltd | Pattern formation material |
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| JPS5590942A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-10 | Fujitsu Ltd | Positive type resist material |
| DE3060510D1 (en) * | 1979-03-09 | 1982-07-29 | Thomson Csf | Photomasking substances, process for preparing them and mask obtained |
| JPS55133042A (en) * | 1979-04-04 | 1980-10-16 | Fujitsu Ltd | Pattern forming method |
| US4276365A (en) * | 1979-07-02 | 1981-06-30 | Fujitsu Limited | Positive resist terpolymer composition and method of forming resist pattern |
| DE3246825A1 (de) * | 1982-02-24 | 1983-09-01 | Max Planck Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen | Positives resistmaterial |
| US4448875A (en) * | 1983-03-31 | 1984-05-15 | Gaf Corporation | Electron beam sensitive mixture resist |
| JP2707785B2 (ja) * | 1990-03-13 | 1998-02-04 | 富士通株式会社 | レジスト組成物およびパターン形成方法 |
| US5789140A (en) * | 1996-04-25 | 1998-08-04 | Fujitsu Limited | Method of forming a pattern or via structure utilizing supplemental electron beam exposure and development to remove image residue |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2363092A1 (de) * | 1972-12-21 | 1974-07-04 | Philips Nv | Positiv wirkende elektronenreserve |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3441545A (en) * | 1963-11-01 | 1969-04-29 | Du Pont | Modification of olefin-carboxylic acid halide copolymers |
| US3647771A (en) * | 1964-01-30 | 1972-03-07 | Sumitomo Chemical Co | Alternating copolymers of alpha-olefins and vinyl compounds and a process for manufacturing the same |
| GB1275632A (en) * | 1968-06-25 | 1972-05-24 | Hart Schaffner & Marx Inc | A method of making tailored garments |
| US3631157A (en) * | 1970-02-09 | 1971-12-28 | Dow Chemical Co | Reactive mixed anhydride-containing polymers and a method for their preparation |
| JPS5119047B2 (de) * | 1972-04-14 | 1976-06-15 | ||
| JPS5639680B2 (de) * | 1974-04-02 | 1981-09-14 |
-
1975
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-
1976
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2363092A1 (de) * | 1972-12-21 | 1974-07-04 | Philips Nv | Positiv wirkende elektronenreserve |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2757932A1 (de) * | 1977-12-24 | 1979-07-05 | Licentia Gmbh | Strahlungsempfindliche positiv arbeitende materialien |
| DE2757931A1 (de) * | 1977-12-24 | 1979-07-12 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen von positiven aetzresistenten masken |
| US4243742A (en) | 1977-12-24 | 1981-01-06 | Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. | Radiation-sensitive positively acting materials |
| DE2828128A1 (de) * | 1978-06-27 | 1980-01-10 | Licentia Gmbh | Strahlungsempfindliche positiv arbeitende materialien |
Also Published As
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Representative=s name: PIEGLER, H., DIPL.-CHEM., 2000 HAMBURG |
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| D2 | Grant after examination | ||
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