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DE19919795A1 - Polymer und dessen Verwendung in einem Verfahren zur Bildung eines Mikromusters - Google Patents

Polymer und dessen Verwendung in einem Verfahren zur Bildung eines Mikromusters

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Publication number
DE19919795A1
DE19919795A1 DE19919795A DE19919795A DE19919795A1 DE 19919795 A1 DE19919795 A1 DE 19919795A1 DE 19919795 A DE19919795 A DE 19919795A DE 19919795 A DE19919795 A DE 19919795A DE 19919795 A1 DE19919795 A1 DE 19919795A1
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DE
Germany
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photoresist
carboxylate
polymer
oct
poly
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE19919795A
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English (en)
Inventor
Jae Chang Jung
Myoung Soo Kim
Hyung Gi Kim
Chi Hyeong Roh
Geun Su Lee
Min Ho Jung
Cheol Kyu Bok
Ki Ho Baik
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SK Hynix Inc
Original Assignee
Hyundai Electronics Industries Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hyundai Electronics Industries Co Ltd filed Critical Hyundai Electronics Industries Co Ltd
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Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein durch folgende Formel 1 dargestelltes Polymer und dessen Verwendung in einem Verfahren zur Ausbildung eines Mikromusters: DOLLAR F1 worin DOLLAR A R¶1¶ eine C¶0¶-C¶10¶-geradkettige oder verzweigtkettige substituierte Alkylgruppe oder eine Benzylgruppe, R¶2¶ eine C¶1¶-C¶10¶-primäre, -sekundäre oder tertiäre Alkoholgruppe, m und n unabhängig eine Zahl von 1 bis 3, und X, Y und Z die entsprechenden Polymerisationsverhältnisse der Comonomere, wobei das erfindungsgemäße Photoresistpolymer geeignet ist zur Ausbildung eines Ultra-Mikromusters, wie es in 4G oder 16G DRAM-Halbleitervorrichtungen eingesetzt wird, unter Verwendung einer Lichtquelle, wie ArF, E-Strahl, EUV oder Ionenstrahl.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Die Erfindung betrifft ein Polymer, das als Photoresist bei einem lithographischen Verfahren zur Herstellung einer Halblei­ tervorrichtung nützlich ist, und dessen Verwendung bei einem Verfahren zur Bildung eines Mikromusters. Spezifischer betrifft die Erfindung ein Polymer, welches für eine Photoresistzusam­ mensetzung zur Ausbildung eines Ultra-Mikromusters bei der Her­ stellung von 4G und 16G DRAM-Halbleiterchips unter Verwendung von kurzwelligen Lichtquellen, wie KrF (248 nm), ArF (193 nm), einem E-Strahl oder einem Ionenstrahl verwendet werden kann. Das erfindungsgemäße Polymer ist insbesondere nützlich für eine Photoresistzusammensetzung für das Oberflächenbildverfahren (TSI) unter Verwendung einer Silylierung oder es kann für ein Einzelschicht-Photoresist verwendet werden.
Beim Herstellungsverfahren eines Halbleiterelements wird im allgemeinen ein Photoresist zur Ausbildung eines Musters mit einer fixierten Form auf einem Halbleiterelement eingesetzt. Um das gewünschte Photoresistmuster zu erhalten, wird die Photo­ resistlösung auf die Oberfläche eines Halbleiterwafers aufgezo­ gen, und das aufgezogene Photoresist wird gemustertem Licht ausgesetzt, und anschließend geht der Wafer einen Entwicklungs­ prozeß ein. Als Ergebnis wird ein Photoresistmuster auf dem Wafer ausgebildet.
Falls das Photoresistmuster unter Verwendung eines konventio­ nellen Silylierungsprozesses hergestellt wird, ist das Photo­ resist gewöhnlich aus Diazonaphthochinonverbindungen und einem Novolak-Harz oder einem Photosäuregenerator und einem Poly­ vinylphenolharz zusammengesetzt. Wenn das Photoresistharz der gemusterten Lichtquelle (z. B. ArF, Krf oder I-Linie) ausgesetzt und anschließend gebrannt wird, wird eine Alkoholgruppe (R-O-H) im Harz an den belichteten Bereichen gebildet. Nach dem Brennen wird das Photoresistharz mit einem Silylierungsmittel, wie Hexamethyldiasilazan oder Tetramethyldisilazan silyliert. Beim Silylierungsprozeß wird zunächst eine N-Si-Bindung gebildet, da jedoch die N-Si-Bindung schwach ist, reagiert sie anschließend mit der R-O-H-Gruppe im Photoresistpolymer unter Ausbildung einer R-O-Si-Bindung. Das Photoresistharz mit gebundenen Sili­ ciumatomen geht anschließend eine Trockenentwicklung unter Ver­ wendung eines O2-Plasmas zur Ausbildung eines Siliciumoxidfilms ein. Die unteren Bereiche des Siliciumoxidfilms bleiben selbst nach der Entwicklung des Photoresist erhalten, und als Ergebnis hiervon wird das gewünschte Muster gebildet.
Der oben beschriebene Silylierungsprozeß zur Ausbildung eines Photoresistmusters besitzt verschiedene Nachteile, wenn er mit kurzwelliger Bestrahlung durchgeführt wird. Falls insbesondere ein KrF-Excimerlaser als Lichtquelle verwendet wird, um bekannte Photoresistpolymere zu belichten, ist es unmöglich, ein Ultra-Mikromuster von weniger als 0,10 µm L/S unter Verwen­ dung eines Silylierungsprozesses auszubilden. Wenn eine ArF- Lichtquelle verwendet wird, kann die Linse des Belichters auf­ grund des hohen Energiepegels von ArF-Licht beschädigt werden. Daher muß das Photoresist mit einer niedrigen Energiemenge belichtet werden, beispielsweise weniger als 10 mJ/cm2. Falls das Photoresist nicht ausreichend mit dieser niedrigen Energie belichtet wird, wird das gewünschte Muster nicht gebildet.
INHALT DER ERFINDUNG
Es wurde gefunden, daß die einzigartigen Photoresistpolymere gemäß der Erfindung die oben beschriebenen Probleme im Stand der Technik lösen. Der wärmebeständige Charakter der erfin­ dungsgemäßen Polymere erlaubt hohe Temperaturen, die für das Brennen und die Silylierung des TSI-Prozesses nach dem Belich­ ten erforderlich sind. Die erfindungsgemäßen Polymere sind ins­ besondere für die Verwendung in chemisch verstärkten Photo­ resists geeignet, bei welchen ein Photoresistmuster selbst unter Verwendung einer geringen Energiemenge (z. B. 10 mJ/cm2) aufgelöst werden kann, wodurch die Beschädigung der Belichter­ linse und der Zusammenbruch des Photoresistmusters oder eine ungenügende Auflösung verhindert werden können, wie dies im Stand der Technik während der Bildung des Mikromusters unter Verwendung einer ArF(193 nm)-Lichtquelle auftritt. Zusätzlich werden die erfindungsgemäßen Polymere vorteilhaft im Silylie­ rungsprozeß verwendet, worin ein chemisch verstärktes Photo­ resist und O2-Plasma zur Bildung eines Siliciumoxidfilms ver­ wendet werden, welcher die Ätz- und Wärmebeständigkeit des Pho­ toresists erhöht, so daß ein annehmbares Mikromuster unter Ver­ wendung des Trockenentwicklungsprozesses gebildet werden kann.
Eine Ausführungsform der Erfindung betrifft ein Polymer, wel­ ches geeignet für die Verwendung für ein Einzelschicht-Photo­ resist ist, vorzugsweise als Photoresist im TSI-Prozeß. Bevor­ zugte Photoresistpolymere gemäß der Erfindung werden durch fol­ gende Formel 1 dargestellt:
wobei bedeuten:
R1 eine C0-C10-geradkettige oder verzweigtkettige Alkylgruppe oder eine Benzylgruppe;
R2 eine C1-C10-primäre, -sekundäre oder -tertiäre Alkoholgruppe;
m und n unabhängig eine Zahl von 1 bis 3; und
X, Y und Z die entsprechenden Polymerisationsverhältnisse der Comonomere, wobei das Verhältnis X:Y:Z vorzugsweise (10-80 Mol-%) : (10-80 Mol-%) : (10-80 Mol-%) beträgt.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für das durch die obige Formel 1 dargestellte Polymer.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung betrifft eine Photoresistzusammensetzung, enthaltend das durch obige Formel 1 dargestellte Polymer, ein Lösungsmittel und einen Photosäuregenerator.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ausbildung eines Mikromusters unter Verwendung der oben beschriebenen Photoresistzusammensetzung.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Im folgenden wird die Erfindung anhand einer Zeichnung näher erläutert, in der zeigen:
Fig. 1a bis 1f schematische Querschnittsansichten für einen Prozeß zur Ausbildung eines Photoresistmusters unter Verwendung eines erfindungsgemäßen Polymers,
Fig. 2 bis 4 NMR-Spektren von erfindungsgemäßen Polymeren (dargestellt durch Formeln 5, 6 und 8), die in den Herstellungsbeispielen hergestellt wurden,
Fig. 5 bis 12 Querschnittsansichten, welche das Auftreten eines Musters unter einem Belichtungsenergiepegel von 48 mJ/cm2 zeigen,
Fig. 13 bis 20 Querschnittsansichten, welche das Auftreten eines Musters infolge verschiedener dargelegter Belichtungsenergien zeigen.
GENAUE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Die Erfindung betrifft ein durch Formel 1 unten dargestelltes Polymer, wobei das Polymer nützlich für ein Einzelschicht- Photoresist oder ein im TSI-Prozeß verwendetes Photoresist ist:
worin bedeuten:
R1 eine C0-C10-geradkettige oder verzweigtkettige substituierte Alkylgruppe oder eine Benzylgruppe;
R2 eine C1-C10-primäre, -sekundäre oder -tertiäre Alkoholgruppe;
m und n unabhängig eine Zahl von 1 bis 3; und
X, Y und Z die entsprechenden Polymerisationsverhältnisse der Comonomere.
Das durch Formel 1 oben dargestellte Polymer kann erfindungs­ gemäß durch Polymerisieren der folgenden drei Monomere in Gegenwart eines Polymerisationsinitiators hergestellt werden:
  • i) einem Alkylmaleinimid (welches durch Formel 2 unten dar­ gestellt wird):
  • ii) einer durch folgende Formel 3 dargestellten Verbindung:
    und
  • iii) einer durch folgende Formel 4 dargestellten Verbindung:
    worin bedeuten:
    R1 eine C0-C10-geradkettige oder verzweigtkettige Alkylgruppe oder eine Benzylgruppe;
    R2 eine C1-C10-primäre, -sekundäre oder -tertiäre Alkoholgruppe;
    m und n unabhängig eine Zahl von 1 bis 3.
Bevorzugte Alkylmaleinimidverbindungen der Formel 2 sind Methylmaleinimid, Ethylmaleinimid, Propylmaleinimid, i-Propyl­ maleinimid, n-Butylmaleinimid, i-Butylmaleinimid, t-Butyl­ maleinimid, Pentylmaleinimid und ähnliche, wobei Ethylmalein­ imid, Propylmaleinimid oder t-Butylmaleinimid die bevorzug­ testen sind.
Bevorzugte Verbindungen der Formel 3 sind t-Butyl-5-norbornen-2-car­ boxylat und t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat.
Bevorzugte Verbindungen der Formel 4 sind Verbindungen, bei welchen R2 für Methylalkohol, Ethylalkohol, Propylalkohol, Butylalkohol oder Pentylalkohol steht. Insbesondere ist die Verbindung der Formel 4 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxy­ lat, 3-Hydroxypropyl-5-norbornen-2-carboxylat, 2-Hydroxyethyl­ bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat oder 3-Hydroxypropylbi­ cyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die Verbindungen der Formeln 2, 3 und 4 mit einem Molverhältnis von (1-2): (0,5-1,5): (0,5-1,5) umgesetzt.
Die erfindungsgemäßen Polymere können durch einen herkömmlichen Polymerisationsprozeß hergestellt werden, wie durch Massenpoly­ merisation oder Lösungspolymerisation. Benzoylperoxid, 2,2'-Azobisisobutyronitril (AIBN), Acetylperoxid, Laurylperoxid oder t-Butylperoxid können als Polymerisationsinitiator verwendet werden. Als Polymerisationslösungsmittel können Tetrahydrofuran (THF), Cyclohexan, Methylethylketon, Benzol, Toluol, Dioxan oder Dimethylformamid verwendet werden. Die Polymerisation wird typischerweise bei einer Temperatur zwischen 60 und 75°C unter Stickstoff- oder Argonatmosphäre für 4 bis 24 Stunden durchge­ führt. Die Polymerisationsbedingungen sind jedoch nicht auf die obigen Bedingungen beschränkt.
Die durch das obige Polymerisationsverfahren hergestellten Polymere der Formel 1 sind nützlich als Photoresists für die Ausbildung eines Mikromusters bei der Herstellung eines Halb­ leiterelements. Erfindungsgemäß kann eine Photoresistzusammen­ setzung durch Mischen eines Polymers der Formel 1, eines Lösungsmittels und eines Photosäuregenerators auf herkömmliche Weise hergestellt werden. Der Photosäuregenerator ist vorzugs­ weise ein Schwefelsalz oder Oniumsalz, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Diphenyliodohexafluorophosphat, Diphenyl­ iodohexafluoroarsenat, Diphenyliodohexafluoroantimonat, Diphe­ nyl-p-methoxyphenyltriflat, Diphenyl-p-tolyltriflat, Diphe­ nyl-p-isobutylphenyltriflat, Diphenyl-p-t-butylphenyltriflat, Triphenylsulfoniumhexafluorophosphat, Triphenylsulfoniumhexa­ fluoroarsenat, Triphenylsulfoniumhexafluoroantimonat, Triphe­ nylsulfoniumtriflat und Dibutylnaphthylsulfoniumtriflat. Der Photosäuregenerator wird in einer Menge verwendet, die gleich zu etwa 1 bis 20 Gew.-% des im Verfahren verwendeten Photo­ resistpolymers ist. Die Empfindlichkeit der Photoresistzusam­ mensetzung ist ungenügend, wenn die Menge des Photoresistgene­ rators unterhalb 1 Gew.-% liegt, und die Ätzbeständigkeit ist ungenügend bei Mengen oberhalb 20 Gew.-%. Das in der Zusammen­ setzung verwendete Lösungsmittel kann ein konventionelles Lösungsmittel sein, wie Methyl-3-methoxypropionat, Ethyllactat, Ethyl-3-ethoxypropionat und Propylenglykolmethyletheracetat. Das Lösungsmittel wird in einer Menge von etwa 100 bis 700 Gew.-%, bezogen auf das im Verfahren verwendete Polymer, einge­ setzt. Die Photoresistzusammensetzung wird vorzugsweise zu einer Schicht mit einer Dicke von 0,3 bis 3 µm ausgebildet.
Die Erfindung umfaßt auch ein Verfahren zur Ausbildung eines Mikromusters unter Verwendung der oben beschriebenen Photo­ resistzusammensetzung in einem TSI-Prozeß. Im allgemeinen wird bei diesem Prozeß, die in den Fig. 1a bis 1f gezeigt, eine Schicht aus der Photoresistzusammensetzung (2), die auf den oberen Teil der Ätzschicht (3) auf der Oberfläche eines Wafers (10) aufgezogen ist, zuerst gehärtet (weichgebrannt) mittels im Stand der Technik bekannter Verfahren. Eine Maske (1) wird zur Ausbildung belichteter Bereiche (12) auf der gehärteten Photo­ resistschicht (2) verwendet, und das Photoresist wird nochmals gehärtet (nachgebrannt). Anschließend wird ein Silylierungsmit­ tel auf das Element zur Ausbildung eines Silylierungsfilms (14) auf die belichteten Flächen aufgesprüht. Der Silylierungsfilm (14) wird nachfolgend mittels eines Trockenentwicklungsprozes­ ses unter Verwendung eines O2-Plasmas zur Ausbildung eines Siliciumoxidfilms (16) entwickelt. Die Ätzschicht (3) wird anschließend unter Verwendung des Siliciumoxidfilms (16) als Ätzmaske zur Ausbildung eines Musters auf der Ätzschicht (3) geätzt.
Im folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Bei­ spiele näher erläutert, welche die Erfindung jedoch nicht beschränken sollen.
HERSTELLUNGSBEISPIEL 1
Synthese von Poly(Ethylmaleinimid/t-Butyl-5-nor­ bornen-2-carboxylat/2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat) Polymer (Formel 5)
Ethylmaleinimid (1 Mol), t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat (0,5 Mol) und 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat (0,5 Mol) wur­ den in 50 bis 300 g Tetrahydrofuran (THF) gelöst, 2 bis 15 g 2,2'-Azobisisobutyronitril (AIBN) wurden zugegeben, und die resultierende Lösung wurde bei einer Temperatur zwischen 60 und 70°C in einer Stickstoffatmosphäre für 10 Stunden umgesetzt. Nachdem durch die Reaktion ein hohes Molekulargewicht erreicht war, wurde das resultierende Produkt in Ethylether oder Hexan ausgefällt. Der gesammelte Niederschlag wurde getrocknet und das gewünschte Poly(Ethylmaleinimid/t-Butyl-5-norbornen-2-carb­ oxylat/2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat)polymer wurde mit einer Ausbeute von etwa 85% erhalten. Das NMR-Spektrum des Polymers ist in Fig. 2 angegeben.
HERSTELLUNGSBEISPIEL 2
Synthese von Poly(Propylmaleinimid/t-Butyl-5-norbornen-2-car­ boxylat/3-Hydroxypropyl-5-norbornen-2-carboxylat) Polymer (Formel 6)
Propylmaleinimid (1 Mol), t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat (0,5 Mol) und 3-Hydroxypropyl-5-norbornen-2-carboxylat (0,5 Mol) wurden in 50 bis 300 g Tetrahydrofuran (THF) aufgelöst, 2 bis 15 g 2,2'-Azobisisobutyronitril (AIBN) wurden zugegeben, und die resultierende Lösung wurde bei einer Temperatur von 60 bis 70°C in einer Stickstoffatmosphäre für 10 Stunden umgesetzt. Nachdem durch die Reaktion ein hohes Molekulargewicht erzielt war, wurde das resultierende Produkt in einem Ethylether- oder Hexanlösungsmittel ausgefällt. Der gesammelte Niederschlag wurde getrocknet und das gewünschte Poly(Propylmaleinimid/t-Bu­ tyl-5-norbornen-2-carboxylat/3-Hydroxypropyl-5-norbornen-2-car­ boxylat) Polymer wurde mit einer Ausbeute von etwa 82% erhalten. Das NMR-Spektrum des Polymers ist in Fig. 3 angege­ ben.
HERSTELLUNGSBEISPIEL 3
Synthese von Poly(t-Butylmaleinimid/t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-car­ boxylat/2-Hydroxethyl-5-norbornen-2-carboxylat) Polymer (Formel 7)
t-Butylmaleinimid (1 Mol), t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat (0,5 Mol) und 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxy­ lat (0,5 Mol) wurden in 50 bis 300 g Tetrahydrofuran (THF) auf­ gelöst, 2 bis 15 g 2,2'-Azobisisobutyronitril (AIBN) wurden zugegeben, und die resultierende Lösung wurde bei einer Tempe­ ratur von 60 bis 70°C in einer Stickstoffatmosphäre für 10 Stunden umgesetzt. Nachdem ein hohes Molekulargewicht durch die Reaktion erreicht war, wurde das resultierende Produkt in einem Ethylether- oder Hexanlösungsmittel ausgefällt. Der gesammelte Niederschlag wurde getrocknet und das gewünschte Poly(t-Butyl­ maleinimid/t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat/2-Hy­ droxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat) Polymer wurde mit einer Ausbeute von etwa 75% erhalten.
HERSTELLUNGSBEISPIEL 4
Synthese von nPoly(Ethylmaleinimid/t-Butylbioyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat/3-Hydroxypropyl-5-norbornen-2-carboxylat) Polymer (Formel 8)
Ethylmaleinimid (1 Mol), t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat (0,5 Mol) und 3-Hydroxypropyl-5-norbornen-2-carboxylat (0,5 Mol) wurden in 50 bis 300 g Tetrahydrofuran (THF) gelöst, 2 bis 15 g 2,2'-Azobisisobutyronitril (AIBN) wurden zugegeben, und die resultierende Lösung wurde bei einer Temperatur zwi­ schen 60 und 70°C in einer Stickstoffatmosphäre 10 Stunden umgesetzt. Nachdem ein hohes Molekulargewicht durch die Reak­ tion erreicht war, wurde das resultierende Produkt in einem Ethylether- oder Hexanlösungsmittel ausgefällt. Der gesammelte Niederschlag wurde getrocknet und das gewünschte Poly(Ethylmaleinimid/t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxy­ lat/3-Hydroxypropyl-5-norbornen-2-carboxylat) Polymer wurde mit einer Ausbeute von etwa 83% erhalten. Das NMR-Spektrum des Polymers ist in Fig. 4 angegeben.
HERSTELLUNGSBEISPIEL 5
Synthese von Poly(Propylmaleinimid/t-Butyl-5-norbonen-2-carb­ oxylat/2-Hydroxyethylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat) Polymer (Formel 9)
Propylmaleinimid (1 Mol), t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat (0,5 Mol) und 2-Hydroxyethylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat (0,5 Mol) wurden in 50 bis 300 g Tetrahydrofuran (THF) gelöst, 2 bis 15 g 2,2'-Azobisisobutyronitril (AIBN) wurden zugegeben, und die resultierende Lösung wurde bei einer Temperatur zwischen 60 und 70°C in einer Stickstoffatmosphäre 10 Stunden umgesetzt. Nachdem ein hohes Molekulargewicht durch die Reaktion erreicht war, wurde das resultierende Produkt in einem Ethylether- oder Hexanlösungsmittel ausgefällt. Der gesammelte Niederschlag wurde getrocknet und das gewünschte Poly(Propylmaleinimid/t-Bu­ tyl-5-norbornen-2-carboxylat/2-Hydroxyethylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat) Polymer wurde mit einer Ausbeute von etwa 79% erhalten.
HERSTELLUNGSBEISPIEL 6
Synthese von Poly(Ethylmaleinimid/t-Butyl-5-norbornen-2-carb­ oxylat/3-Hydroxypropylbicyclo[2,2,2] oct-5-en-2-car­ boxylat) Polymer (Formel 10)
Ethylmaleinimid (1 Mol), t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat (0,5 Mol) und 2-Hydroxyethylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat (0,5 Mol) wurden in 50 bis 300 g Tetrahydrofuran (THF) gelöst, 2 bis 15 g 2,2'-Azobisisobutyronitril (AIBN) wurden zugegeben, und die resultierende Lösung wurde bei einer Temperatur zwischen 60 und 70°C in einer Stickstoffatmosphäre 10 Stunden umgesetzt. Nachdem ein hohes Molekulargewicht durch die Reaktion erreicht war, wurde das resultierende Produkt in einem Ethylether- oder Hexanlösungsmittel ausgefällt. Der gesammelte Niederschlag wurde getrocknet und das gewünschte Poly(Ethylmaleinimid/t-Bu­ tyl-5-norbornen-2-carboxylat/3-Hydroxypropylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat) Polymer wurde mit einer Ausbeute von etwa 78% erhalten.
HERSTELLUNGSBEISPIEL 7
Syntyhese von Poly(Propylmaleinimid/t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat/2-Hydroxyethylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat) Polymer (Formel 11)
Propylmaleinimid (1 Mol) t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat (0,5 Mol) und 3-Hydroxypropylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat (0,5) wurden in 50 bis 300 g Tetrahydrofuran (THF) gelöst, 2 bis 15 g 2,2'-Azobisisobutyronitril (AIBN) wur­ den zugegeben, und die resultierende Lösung wurde bei einer Temperatur zwischen 60 und 70°C in einer Stickstoffatmosphäre 10 Stunden umgesetzt. Nachdem ein hohes Molekulargewicht durch die Reaktion erreicht war, wurde das resultierende Produkt in einem Ethylether- oder Hexanlösungsmittel ausgefällt. Der gesammelte Niederschlag wurde getrocknet und das gewünschte Poly(Propylmaleinimid/t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carbaoxy­ lat/2-Hydroxyethylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat) Polymer wurde mit einer Ausbeute von etwa 78% erhalten.
HERSTELLUNGSBEISPIEL 8
Synthese von Poly(Ethylmaleinimid/t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat/3-Hydroxypropylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat) Polymer (Formel 12)
Ethylmaleinimid (1 Mol), t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat (0,5 Mol) und 3-Hydroxypropylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat (0,5 Mol) wurden in 50 bis 300 g Tetrahydrofuran (THF) gelöst, 2 bis 15 g 2,2'-Azobisisobutyronitril (AIBN) wur­ den zugegeben, und die resultierende Lösung wurde bei einer Temperatur zwischen 60 und 70°C in einer Stickstoffatmosphäre 10 Stunden umgesetzt. Nachdem ein hohes Molekulargewicht durch die Reaktion erreicht war, wurde das resultierende Produkt in einem Ethylether- oder Hexanlösungsmittel ausgefällt. Der gesammelte Niederschlag wurde getrocknet und das gewünschte Poly(Ethylmaleinimid/t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxy­ lat/3-Hydroxypropylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat) Poly­ mer wurde mit einer Ausbeute von etwa 75% erhalten.
BEISPIEL 1 HERSTELLUNG EINER PHOTORESISTZUSAMMENSETZUNG UND AUSBILDUNG EINES MUSTERS
10 g Poly(Ethylmaleinimid/t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat/2-Hy­ droxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat) Polymer, hergestellt gemäß dem Herstellungsbeispiel 1, wurden in 10 g Methyl-3-me­ thoxypropionat als Lösungsmittel aufgelöst, und 0,1 bis 2 g Triphenylsulfoniumtriflat oder Dibutylnaphthylsulfoniumtriflat wurden zugegeben. Anschließend wurde die resultierende Lösung durch einen Filter mit 0,10 µm zur Herstellung einer Photo­ resistzusammensetzung filtriert, welche anschließend auf eine Oberfläche eines Wafers beschichtet wurde. Ein gewünschtes Pho­ toresistmuster wurde anschließend gemäß dem in Fig. 1 angegebe­ nen Verfahren gebildet.
BEISPIEL 2 HERSTELLUNG EINER PHOTORESISTZUSAMMENSETZUNG UND AUSBILDUNG EINES MUSTERS
Gemäß dem Verfahren nach Beispiel 1 wurde ein Photoresistmuster unter Verwendung von 10 g Poly(Propylmaleinimid/t-Butyl-5-nor­ bornen-2-carboxylat/3-Hydroxypropyl-5-norbornen-2-carboxylat) Polymer, das gemäß dem Herstellungsbeispiel 2 hergestellt war, ausgebildet.
BEISPIEL 3 HERSTELLUNG EINER PHOTORESISTZUSAMMENSETZUNG UND AUSBILDUNG EINES MUSTERS
Gemäß dem Verfahren nach Beispiel 1 wurde ein Photoresistmuster unter Verwendung von 10 g Poly(t-Butylmaleinimid/t-Butylbi­ cyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat/2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-car­ boxylat) Polymer, das gemäß dem Herstellungsbeispiel 3 her­ gestellt war, ausgebildet.
BEISPIEL 4 HERSTELLUNG EINER PHOTORESISTZUSAMMENSETZUNG UND AUSBILDUNG EINES MUSTERS
Gemäß dem Verfahren nach Beispiel 1 wurde ein Photoresistmuster unter Verwendung von 10 g Poly(Ethylmaleinimid/t-Butylbi­ cyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat/3-Hydroxypropyl-5-norbornen-2-car­ boxylat) Polymer, das gemäß dem Herstellungsbeispiel 4 hergestellt war, ausgebildet.
BEISPIEL 5 HERSTELLUNG EINER PHOTORESISTZUSAMMENSETZUNG UND AUSBILDUNG EINES MUSTERS
Gemäß dem Verfahren nach Beispiel 1 wurde ein Photoresistmuster unter Verwendung von 10 g Poly(Propylmaleinimid/t-Butyl-5-nor­ bornen-2-carboxylat/2-Hydroxyethylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat) Polymer, das gemäß dem Herstellungsbeispiel 5 (10 g) hergestellt war, ausgebildet.
BEISPIEL 6 HERSTELLUNG EINER PHOTORESISTZUSAMMENSETZUNG UND AUSBILDUNG EINES MUSTERS
Gemäß dem Verfahren nach Beispiel 1 wurde ein Photoresistmuster unter Verwendung von 10 g Poly(Ethylmaleinimid/t-Butyl-5-nor­ bornen-2-carboxylat/3-Hydroxypropylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat) Polymer, das gemäß dem Herstellungsbeispiel 6 her­ gestellt war, ausgebildet.
BEISPIEL 7 HERSTELLUNG EINER PHOTORESISTZUSAMMENSETZUNG UND AUSBILDUNG EINES MUSTERS
Gemäß dem Verfahren nach Beispiel 1 wurde ein Photoresistmuster unter Verwendung von 10 g Poly(Propylmaleinimid/t-Butylbi­ cyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat/2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-car­ boxylat) Polymer, das gemäß dem Herstellungsbeispiel 7 her­ gestellt war, ausgebildet.
BEISPIEL 8 HERSTELLUNG EINER PHOTORESISTZUSAMMENSETZUNG UND AUSBILDUNG EINES MUSTERS
Gemäß dem Verfahren nach Beispiel 1 wurde ein Photoresistmuster unter Verwendung von 10 g Poly(Ethylmaleinimid/t-Butylbi­ cyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat/3-Hydroxypropylbi­ cyclo-[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat) Polymer, das gemäß dem Her­ stellungsbeispiel 8 hergestellt war, ausgebildet.
Das Photoresist aus Beispiel 1 wurde für die Ausbildung für in den Fig. 5 bis 12 gezeigten Mustern mittels Belichtung mit Energie von 48 mJ/cm2 und von in Fig. 13 bis 20 gezeigten Mustern mittels Belichten mit Energie der darin gezeigten ver­ schiedenen Pegel, verwendet.
Wie oben beschrieben, wird im Einklang mit der Erfindung ein ArF-Photoresist geschaffen, welches eine Wärmebeständigkeit besitzt, die ausreichend ist, um das Nachbrennen und die Sily­ lierung, welche bei hoher Temperatur im TSI-Prozeß durchgeführt werden, zu überstehen. Auch wird das Muster unter Verwendung eines chemisch verstärkten Photoresists gemäß der Erfindung durch Verwendung eines kleinen Energiepegels von 10 mJ/cm2 auf­ gelöst, wodurch eine Beschädigung der Belichtungslinse bei Ver­ wendung eine ArF-Lichtquelle verhindert wird. Wenn ein O2-Plasma im Silylierungsprozeß mit einem erfindungsgemäßen Poly­ mer verwendet wird, wird ein Siliciumoxidfilm gebildet, wodurch die Ätzbeständigkeit und Wärmebeständigkeit des Photoresists erhöht werden. Auf diese Weise kann ein Mikromuster mittels des Trockenentwicklungsverfahrens ausgebildet werden und eine hohe Integration eines Halbleiterelements wird durch die Verwendung eines Photoresists aus einem erfindungsgemäßen Polymer möglich.
Andere Merkmale, wie andere Vorteile und Ausführungsformen der hier offenbarten Erfindung sind für den Fachmann aus der vor­ stehend angegebenen Offenbarung ersichtlich. Während daher spe­ zifische Ausführungsformen der Erfindung im Detail beschrieben wurden, sind Variationen und Modifikationen dieser Ausführungs­ formen möglich, die von den Ansprüchen der Erfindung mitumfaßt sind.

Claims (20)

1. Photoresistpolymer, dargestellt durch folgende Formel 1:
worin bedeuten:
R1 eine C0-C10-geradkettige oder verzweigtkettige substitu­ ierte Alkylgruppe oder eine Benzylgruppe;
R2 eine C1-C10-primäre, -sekundäre oder -tertiäre Alkohol­ gruppe;
m und n unabhängig eine Zahl von 1 bis 3; und
X, Y und Z die entsprechenden Polymerisationsverhältnisse der Comonomere.
2. Photoresistpolymer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis X:Y:Z (10-80 Mol-%) : (10-80 Mol-%) : (10-80 Mol-%) beträgt.
3. Photoresistpolymer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Photoresistpolymer ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus:
Poly(Ethylmaleinimid/t-Butyl-5-norbonen-2-car­ boxylat/2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat);
Poly(Propylmaleinimid/t-Butyl-5-norbonen-2-carboxylat/3-Hy­ droxypropyl-5-norbornen-2-carboxlat);
Poly(t-Butyl-maleinimid/t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat/2-Hy­ droxyethyl-5-norbornen-2-carboxlat);
Poly(Ethylmaleinimid/t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carb­ oxylat/3-Hydroxypropyl-5-norbornen-2-carboxlat);
Poly(Propylmaleinimid/t-Butyl-5-norbornen-2-carboxy­ lat/2-Hydroxyethylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat);
Poly(Ethylmaleinimid/t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat/3-Hy­ droxypropylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat);
Poly(Propylmaleinimid/t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat/2-Hydroxyethylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxy­ lat)und
Poly(Ethylmaleinimid/t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat/3-Hydroxypropylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat).
4. Verfahren zur Herstellung eines Photoresistpolymers, umfassend die Schritte:
  • a) Auflösen einer Verbindung der Formel 2:
    einer Verbindung der Formel 3:
    und
    einer Verbindung der Formel 4:
    in einem organischen Polymerisationslösungsmittel;
    worin bedeuten:
    R1 eine C0-C10-geradkettige oder verzweigtkettige substitu­ ierte Alkylgruppe oder eine Benzylgruppe,
    R2 eine C1-C10-primäre, -sekundäre oder -tertiäre Alkohol­ gruppe, und
    m und n unabhängig eine Zahl von 1 bis 3,
  • b) Polymerisieren der Verbindungen durch Zugeben eines Polymerisationsinitiators zu der resultierenden Lösung und dadurch Ausbilden eines Niederschlags und
  • c) Aufarbeiten und Trocknen des Niederschlags.
5. Verfahren zur Herstellung eines Photoresistpolymers nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Polymerisa­ tionsinitiator Benzoylperoxid, 2,2'-Azobisisobutyronitril, Acetylperioxid, Laurylperoxid oder t-Butylacetat ist.
6. Verfahren zur Herstellung eines Photoresistpolymers nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das organische Polymerisationslösungsmittel Tetrahydrofuran, Cyclohexan, Methylethylketon, Benzol, Toluol, Dioxan, Dimethylformamid oder eine Mischung daraus ist.
7. Verfahren zur Herstellung eines Photoresistpolymers nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die in Schritt (b) erhaltene Lösung bei einer Temperatur von 60 bis 70°C in einer Stickstoff- oder Argonatmosphäre 4 bis 24 Stunden gehalten wird.
8. Photoresistzusammensetzung, umfassend:
  • (i) ein Photoresistpolymer der Formel 1:
    worin bedeuten:
    R1 eine C0-C10-geradkettige oder verzweigtkettige substituierte Alkylgruppe oder eine Benzylgruppe;
    R2 eine C1-C10-primäre, -sekundäre oder -tertiäre Alkoholgruppe;
    m und n unabhängig eine Zahl von 1 bis 3; und
    X, Y und Z die entsprechenden Polymerisationsver­ hältnisse der Comonomere,
  • (ii) einen Photosäuregenerator, und
  • (iii) ein organisches Lösungsmittel.
9. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Photosäuregenerator ein Schwefelsalz oder ein Oniumsalz ist.
10. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Photosäuregenerator ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Diphenyliodohexafluorophos­ phat, Diphenyliodohexafluoroarsenat, Diphenyliodohexafluo­ roantimonat, Diphenyl-p-methoxyphenyltriflat, Diphenyl-p-tolyl­ triflat, Diphenyl-p-isobutylphenyltriflat, Diphenyl-p-t-bu­ tylphenyltriflat, Triphenylsulfoniumhexafluorophosphat, Triphenylsulfoniumhexafluoroarsenat, Triphenylsulfo­ niumhexafluoroantimonat, Triphenylsulfoniumtriflat und Dibutylnaphthylsulfoniumtriflat.
11. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das organische Lösungsmittel Ethyl-3-ethoxy­ propionat, Ethyllactat, Methyl-3-methoxypropionat, Propylenglykolmethyletheracetat oder eine Mischung daraus ist.
12. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Photosäuregenerator in einer Menge von 1 bis 20 Gew.-%, bezogen auf das verwendete Photo­ resistpolymer, vorhanden ist.
13. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das organische Lösungsmittel in einer Menge von 100 bis 700 Gew.-%, bezogen auf das Photoresist­ polymer, vorhanden ist.
14. Verfahren zur Bildung eines Photoresistmusters, umfassend die Schritte:
  • a) Herstellen einer Photoresistzusammensetzung, umfas­ send:
    • (i) ein Photoresistpolymer der Formel 1:
      worin bedeuten:
      R1 eine C0-C10-geradkettige oder verzweigtkettige substituierte Alkylgruppe oder eine Benzylgruppe,
      R2 eine C1-C10-primäre, -sekundäre oder tertiäre Alkoholgruppe,
      m und n unabhängig eine Zahl von 1 bis 3, und
      X, Y und Z die entsprechenden Polymerisationsver­ hältnisse der Comonomere,
    • (ii) einen Photosäuregenerator, und
    • (iii) ein organisches Lösungsmittel
  • (b) Beschichten der Photoresistzusammensetzung auf ein Substrat mit einer auf dessen Oberfläche aufgezogenen Ätzschicht,
  • (c) Belichten der Photoresistschicht mit einer Licht­ quelle unter Verwendung eines Belichters,
  • (d) Aufsprühen eines Silylierungsmittels auf die belich­ tete Photoresistschicht, und
  • (e) Trockenätzen der silylierten Photoresistschicht.
15. Verfahren zur Ausbildung eines Photoresistmusters nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin einen Brennschritt vor und/oder nach dem (c)-Schritt umfaßt, wobei das Brennen bei 90 bis 180°C für 30 bis 300 Sekunden durchgeführt wird.
16. Verfahren zur Ausbildung eines Photoresistmusters nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt (c) unter Verwendung einer ArF-, EUV-, E-Strahl-, Ionenstrahl- oder Röntgenstrahlquelle durchgeführt wird.
17. Verfahren zur Ausbildung eines Photoresistmusters nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt (c) unter Verwendung einer Bestrahlungsenergie von 1 bis 50 mJ/cm2 durchgeführt wird.
18. Verfahren zur Ausbildung eines Photoresistmusters nach Anspruch 14, worin das Silylierungsmittel ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Hexamethyldisilazan, Tetra­ methyldisilazan, Dimethylaminomethylsilan, Dimethylamino­ methylsilan, Dimethylsilyldimethylamin, Trimethylsilyl­ dimethylamin, Trimethylsilyldiethylamin und Dimethylamino­ pentamethylsilan.
19. Verfahren zur Ausbildung eines Photoresistmusters nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet daß der Schritt (d) bei 90 bis 180°C für 30 bis 300 Sekunden durchgeführt wird.
20. Halbleiterelement, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Photoresistzusammensetzung gemäß Anspruch 8 enthält.
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Families Citing this family (390)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6808859B1 (en) * 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
KR100321080B1 (ko) 1997-12-29 2002-11-22 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR20000015014A (ko) 1998-08-26 2000-03-15 김영환 신규의 포토레지스트용 단량체, 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
JP3587743B2 (ja) 1998-08-26 2004-11-10 株式会社ハイニックスセミコンダクター フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子。
US6569971B2 (en) * 1998-08-27 2003-05-27 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
TWI234051B (en) * 1998-10-14 2005-06-11 Clariant Int Ltd A mixed solvent system for positive photoresists
KR20000056355A (ko) * 1999-02-19 2000-09-15 김영환 고농도의 아민 존재하에서 우수한 특성을 갖는 포토레지스트 조성물
JP4469080B2 (ja) * 2000-12-13 2010-05-26 信越化学工業株式会社 脂環構造を有する新規第三級アルコール化合物
US6423780B1 (en) * 2001-02-07 2002-07-23 Loctite Heterobifunctional monomers and uses therefor
US6946523B2 (en) 2001-02-07 2005-09-20 Henkel Corporation Heterobifunctional monomers and uses therefor
US6521731B2 (en) * 2001-02-07 2003-02-18 Henkel Loctite Corporation Radical polymerizable compositions containing polycyclic olefins
KR20020088581A (ko) * 2001-05-18 2002-11-29 인더스트리얼 테크놀로지 리써치 인스티튜트 규소 함유 공중합체 및 이를 함유하는 감광성 수지 조성물
US7138218B2 (en) * 2001-12-18 2006-11-21 Hynix Semiconductor Inc. Process for forming an ultra fine pattern using a bottom anti-reflective coating film containing an acid generator
KR100415091B1 (ko) * 2002-03-26 2004-01-13 주식회사 하이닉스반도체 미세패턴 형성 방법
KR101003211B1 (ko) * 2002-09-30 2010-12-21 니폰 제온 가부시키가이샤 감방사선성 수지 조성물, 및 수지 패턴막과 그것의 형성 방법
US7338742B2 (en) * 2003-10-08 2008-03-04 Hynix Semiconductor Inc. Photoresist polymer and photoresist composition containing the same
US7270937B2 (en) * 2003-10-17 2007-09-18 Hynix Semiconductor Inc. Over-coating composition for photoresist and process for forming photoresist pattern using the same
KR100680405B1 (ko) * 2003-11-19 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 Ｅｕｖ용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법
DE102005060061A1 (de) * 2005-06-02 2006-12-07 Hynix Semiconductor Inc., Ichon Polymer für die Immersionslithographie, Photoresistzusammensetzung, die selbiges enthält, Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung
US7745339B2 (en) * 2006-02-24 2010-06-29 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming fine pattern of semiconductor device
KR100694412B1 (ko) * 2006-02-24 2007-03-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 미세패턴 형성방법
US8313876B2 (en) * 2006-07-20 2012-11-20 Hynix Semiconductor Inc. Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same
KR100849800B1 (ko) * 2006-07-20 2008-07-31 주식회사 하이닉스반도체 노광 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US7959818B2 (en) 2006-09-12 2011-06-14 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming a fine pattern of a semiconductor device
US7790357B2 (en) * 2006-09-12 2010-09-07 Hynix Semiconductor Inc. Method of forming fine pattern of semiconductor device
KR100861173B1 (ko) * 2006-12-01 2008-09-30 주식회사 하이닉스반도체 액침 노광 공정을 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법
KR20080057562A (ko) * 2006-12-20 2008-06-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR100876816B1 (ko) * 2007-06-29 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR100919564B1 (ko) * 2007-06-29 2009-10-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR101249681B1 (ko) 2008-01-23 2013-04-05 주식회사 엘지화학 바인더 수지 및 이를 포함하는 감광성 수지조성물과, 이감광성 수지조성물에 의해 제조된 컬럼스페이서
KR101037528B1 (ko) * 2008-10-16 2011-05-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패턴 형성 방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
CN111433299A (zh) * 2017-12-07 2020-07-17 株式会社大赛璐 喷墨印刷用油墨
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP7674105B2 (ja) 2018-06-27 2025-05-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
CN117187781B (zh) 2019-07-03 2024-10-25 Asmip私人控股有限公司 用于基板处理装置的温度控制组件及其使用方法
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
CN112442674A (zh) 2019-09-03 2021-03-05 Asm Ip私人控股有限公司 用于沉积硫族化物膜的方法和设备以及包括膜的结构
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7703317B2 (ja) 2019-12-17 2025-07-07 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
CN113257655A (zh) 2020-02-13 2021-08-13 Asm Ip私人控股有限公司 包括光接收装置的基板处理设备和光接收装置的校准方法
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
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TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
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JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
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KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202208659A (zh) 2020-06-16 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼之矽鍺層的方法
CN113838794B (zh) 2020-06-24 2024-09-27 Asmip私人控股有限公司 用于形成设置有硅的层的方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
TWI900627B (zh) 2020-08-11 2025-10-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積碳化鋁鈦膜結構於基板上之方法、閘極電極、及半導體沉積設備
TWI893183B (zh) 2020-08-14 2025-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理方法
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
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USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
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US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
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US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
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USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
CN113234194B (zh) * 2021-06-29 2022-08-12 北京科华微电子材料有限公司 一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN115873176B (zh) * 2021-09-28 2023-09-26 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种duv光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2336846A (en) * 1938-01-03 1943-12-14 Gen Electric Etching of capacitor armatures
US4857435A (en) * 1983-11-01 1989-08-15 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist thermally stable compositions and elements having deep UV response with maleimide copolymer
JPS62255934A (ja) * 1986-04-30 1987-11-07 Ube Ind Ltd ネガ型フオトレジスト組成物
JPH02129641A (ja) * 1988-11-09 1990-05-17 Nagase Denshi Kagaku Kk フオトレジスト組成物
JPH05297591A (ja) * 1992-04-20 1993-11-12 Fujitsu Ltd ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法
US5312717A (en) * 1992-09-24 1994-05-17 International Business Machines Corporation Residue free vertical pattern transfer with top surface imaging resists
US5843624A (en) * 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
TW353775B (en) * 1996-11-27 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Production of semiconductor device
KR100220953B1 (ko) * 1996-12-31 1999-10-01 김영환 아미드 또는 이미드를 도입한 ArF 감광막 수지
KR100252546B1 (ko) 1997-11-01 2000-04-15 김영환 공중합체 수지와 포토레지스트 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
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US6225020B1 (en) 2001-05-01
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