DE2363092A1 - Positiv wirkende elektronenreserve - Google Patents
Positiv wirkende elektronenreserveInfo
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Description
PHB. 32301
ROOD/Va/VG 11-12-1973 -
"Positiv wirkende Elektronenreserve"
Die Erfindung bezieht sich auf eine positiv wirkende Elektronenreserve, auf ein Verfahren zur Herstellung
dieser Reserve und auf ein Verfahren zur Herstellung eines Reservierungsmusters auf einem "Substrat
unter Verwendung dieser Reserve.
Wenn polymere Materialien der Einwirkung ionisierender Strahlung ausgesetzt werden, kann das
Material in kleinere Einheiten zerbrochen oder können grössere Einheiten durch Vernetzung des Materials gebildet
werden. Diese Vorgänge finden beide gleichzeitig in einem System statt, aber einer der Vorgänge ist vorherrschend.
Wenn das polymere Material durch Bestrahlung
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degradier^,wodurch Produkte niedrigeren Molekulargewichts
erhalten werden, löst sich das bestrahlte Material leichter als das nichtbestrahlte polymere Material
auf und kann selektiv entfernt werden, so dass es sich zur Anwendung als eine positiv wirkende Reserve
eignet. Es sind nur wenig durch Bestrahlung degradierende polymere Materialien bekannt, die sich zur Anwendung als
positiv wirkende Elektronenreserven eignen; nur Poly
(methylraethacrylat) (ΡΗΜΑ) hat in einem gewissen Umfang
Anwendung gefunden. Von I. Haller und anderen (i.B.M. Journal Res. 12, 251 (I968) und H.Y. Ku und anderen
(j. Electrochem. Soc. 116, 98O (I969)) wird die Anwendung
von PMMA-Pilmen als Ätzreserve beschrieben« M. Hatzakis
(j. Electrochem. Soc. JJ_68 1033 (196°.)-) beschreibt die
Anwendung von PMMA-Filmen in der sogenannten Abhebetechnik
(lift-off) zur Herstellung von Metallmustern.
Bei den Untersuchungen, die zu· der Erfindung geführt haben,wurden bestimmte Schwierigkeiten erfahren,
wenn versucht icur.de, Goldmuster mit Details in der Grössen-Qrdnung
von Submikrons herzustellen» Beim Entwickeln bestrahlter
Teile eines PMMA-Filmes besteht die Aufgabe,
darin aus einem Material mit einem verfiältaismässig geringen
Molekulargex/icht bestellende Zonen selektiv -von
aus einem Material mit einen grösseren M lekulargewicht
einer ähnlichen geradkettigen Struktur bestehenden Zonen
zu entfernen.^ wobei den? Unterscfiied swiscliea den Löslichkeiten
der1 beiden Materialien in dem Entwickler aus-
-3- PHB. 32301
genutzt wird. Dieser Unterschied kann bei starker Bestrahlung mit Elektronen beträchtlich, aber kann bei
schwachen Bestrahlungen mit Elektronen derart gering sein, dass sich das nichtbestrahlte Material in grossem
Masse in der für eine vollständige Auflösung des bestrahlten Materials benötigten Zeit in dem Entwickler
löst.
Die Erfindung bezweckt, eine positiv wirkende Elektronenreserve zu schaffen, die einen in einem interten
Lösungsmittel gelösten polymeren Stoff enthält, und ist dadurch gekennzeichnet, dass der polymere Stoff aus einem
Gemisch vernetzbarer Kopolymere A-B und D-E besteht, wobei
A = eine ungesättigte Carboxylsäure
A = eine ungesättigte Carboxylsäure
COOH B = eine ungesättigte organische Verbinding
D = ein ungesättigtes Säurechlorid
E3
CH = C CH = C
COCl und E = eine ungesättigte Verbindung R0 Rn
I8 I9 CH = C
R1O
wobei R1, R£, R^, R^, R^, R , Rg und R je ein Wasserstoffatom,
eine Arylgruppe oder eine gesättigte Alkylgruppe darstellen und R^ und R die gleiche oder eine verschiedene
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-k- PHB. 323OI
Bedeutung haben können und eine gesättigte Alkylgruppe,
eine gesättigte Acyloxygruppe, eine Arylgruppe oder eine-COOR-Gruppe
darstellen, wobei R = eine gesättigte Alkylgruppe, in welchem Gemisch das Verhältnis zwischen der Anzahl
monomerer Einheiten A und der Anzahl monomerer Einheiten D zwischen 2 : 3 und 3 : 2 liegt und 0,5 bis 7,5$ der
Gesamtanzahl monomerer Einheiten A, B, D und E aus A besteht. Vorzugsweise sind die gesättigten Alkylgruppen
Methyl- oder Äthylgruppen, die Arylgruppen Phenylgruppen und die Acyl oxy gruppen Ace ty 1 oxy gruppen i ^Vorzugsweise '.ist
keine der Gruppen R^ und RQ ein Wasserstoffatom.
Weiterhin beziehifc sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung einer positiv wirkenden Elektronenreserve,
bei dem ein polymerer Stoff in einem inerten Lösungsmittel gelöst wird und das dadurch gekennzeichnet
ist, dass als polymerer Stoff ein Gemisch vernetzbarer Kopolymere A-B und D-E der oben definierten Art
verwendet wird.
Ein Reservierungsmuster kann auf einem Substrat
mit Hilfe eines Verfahrens angebracht werden, bei dem das Substrat mit einem polymeren Stoff in einem inerten Lösungsmittel
überzogen wird, wonach der überzug getrocknet und gemäss einem gewünschten Muster mit Elektronen bestrahlt
wird und dann die bestrahlten Teile dadurch entfernt werden, dass der bestrahlte überzug in einem Lösungsmittel
gelöst wird, welches Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, dass der polymere Stoff ein Gemisch der oben
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definierten Kopolymere A-B und D-E ist, und dass der Überzug vor der Bestrahlung mit Elektronen erhitzt
wird, derart, dass eine Vernetzung des polymeren Stoffes durch die Bildung von Säurehydridgruppen stattfindet.
Der nichtbestrahlte Reservefilm wird vernetzt und das vernetzte Material ist in den Lösungsmitteln
unlöschlich, in denen die Kopolymere A-B und D-E normalerweise löslich sind. Durch Bestrahlung werden die
Carboxyylsäureanhydridvernetzungen zerstört und werden
die leicht loslichen geradkettigen Strukturen wiederhergestellt. Beim Entwickeln eines bestrahlten Musters
in einem derartigen Reservefilm ist es nur erforderlich,
dass der Entwickler lösliche (bestrahlte) und unlösliche (nichtbestrahlte) Zonen voneinander unterscheidet, so
dass die Entwicklungszeit weniger kritisch als bei Anwendung von PMMA ist. Es können aktivere Entwicklerlösungsmittel
als bei PMMA verwendet w'erden, so dass die Entwicklung des Musters besser als bei PMMA sein kann.
Der bestrahlte Überzug kann z.B. mit Aceton, Methyläthylketon, Methylisobutylketon oder Toluol entwickelt werden,
welche Lösungsmittel auch die Lösungsmittel sein können, in denen der polymere Stoff in der Reserve gelöst wird.
Das entwickelte Filmmuster, das vernetzt wird, weist eine grössere Beständigkeit gegen thermische Verformung als
Standard-PMMA-Muster auf.
Das nichtbestrahlte Material kann (nachdem es als Maske verwendet worden ist) dadurch von einem Substrat
entfernt werden, dass es in ein Gemisch von Ammoniak und
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einem Lösungsmittels z.B. Aceton, eingetaucht wird. Das
Ammoniak zerbricht die Anhydridgruppe unter Bildung von Amiden, während das Aceton das Polymerkettenmaterial
entfernt. Dadurch können Reserven nach der Erfindung auf Substraten, z.B. Aluminiumsubstraten, verwendet werden,
die nicht gegen die Einwirkung rauchender Salpetersäure beständig " sind, die häufig als Abziehmittel verwendet wird.
An Hand der nachstehenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen, in denen
Fig. 6 eine Bestrahlungskurve darstellt, in der
die Dicke t des nach der Entwicklung verbleibendaiFilmes
über der Bestrahlungsdichte E für eine negativ wirkende Reserve aufgetragen ist,
Fig. 7 eine Betrahlungskurve darstellt, in der
die Dicke t des nach der Entwicklung verbleibenden Films über der Bestrahlungsladungsdichte E für eine positive
wirkende Reserve aufgetragen ist, und
Fig. 8 eine Bestrahlungskurve darstellt, in der
die Dicke t des nach der Entwicklung verbleibenden Filmes über der Bestrahlungsladungsdichte E für eine vernetzte
positiv wirkende Reserve mit dem Skelett irgendeiner Polymerkette aufgetragen ist, wird das Verhalten verschiedener
Elektronenreservesysteme näher erläutert.
Wie oben erwähnt wurde, lassen sich zwei verschiedene Effekte feststellen, wenn organische Polymerfilme
mit Elektronen bestrahlt werden. Gewisse Polymere werden vernetzt und werden weniger gut löslich in Lösungs-
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ORIQIK*^ u^ri-CTED
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mitteln und sie werden sogar völlig unlöschlich, wenn
die Bestrahlung mit Elektronen genügend stark ist. Diese Polymere wirken als negative Elektronenreserven und
charakteristische Bestrahlungskurven sind in Fig. 6 dargestellt.·
¥enn die Bestrahlung mit Elektronen einen Schwellwert F unterschreitet, verbleibt keine Reserve auf einem
Substrat nach der Entwicklung, weil sowohl die bestrahlten als auch die nichtbestrahlten Teile des Polymerfilmes in
Lösungsmitteln löslich sind.
Bei stärkeren Bestrahlungen ist ein gewisser Teil des bestrahlten Filmes löslich und nimmt nach der
Entwicklung die Dicke zu, bis bei Bestrahlungen, die das
in der Praxis verwendete Minimum aufweisen oder überschreiten, der Film in genügendem Masse vernetzt wird,
damit verhindert wird, dass sich bestrahltes Material auflöst.
Gewisse Polymere weisen dagegen nach Bestrahlung mit Elektronen vorwiegend eine Spaltung der Hauptketteiauf,
wobei sie sich leichter in Lösungsmitteln auflösen
und daher selektiv gelöst werden können. Diese Polymere bilden die Gruppe positiver Elektronenreserven und die
Entwicklung wird durch Anwendung eines Lösungsmittels oder häufiger eines Gemisches von Lösungsmitteln erreicht, das
das bestrahltes Material auflösen kann, ohne dass das nichtbestrahlte Material, das ein grösseres Molekulargewicht
hat, merklich angegriffen wird. Im allgemeinen enthalten solcge Polymere in ihrer Kettenstruktur einige
409827/0997
-8- PHB. 32301
nicht direkt an Wasserstoffatome gebundenen Kohlenstoffatorae.
Wenn die Bestrahlung genügend stark ist, wird das degradierte Material wieder vernetzt und völlig unlöslich.
Dann können nur negative Bilder entwickelt Airerden, wenn ein Lösungsmittel verwendet wird, in dem sich das
ursprüngliche Polymer lösen wird. Eine charakteristische ■Bestrahlungskurve für eine solche positive Elektronenreserve
zeigt Fig. 7· Die Zonen G und H können zum Erzielen
optimaler Ergebnisse verschiedene Entwicklerlösungsmittel
erfordern, weil es innerhalb der Zone G nicht erforderlich ist, unbetsrahlten Film zu entfernen, während dies innerhalb
der Zone H wohl erforderlich ist, In der Zone J ist die erfolgte Degradation ungenügend, um eine selektive Entfernung
bestrahltes Materials zu gestatten, aber es sei bemerkt, dass der ganze Film leicht in jedem geeigneten
Lösungsmittel gelöst werden kann. Die Zone H entspricht der negativ wirkenden Reserve nach Fig. 6. Die als positiv
wirkende Elektronenreserven angewendeten vernetzten Polymersysteme
unterscheiden sich von allen bisher bekannten positiv wirkenden Elektronenreserven in der Zone J; der
Reservefilm wird infolge der Einführung von Vernetzungen in allen Lösungsmitteln völlig (physikalisch) unlöslich
gemacht. Bei dem Verfahren nach der Erfindung sind die Vernetzungen Carboxylsäure-Anhydridgruppen; nach Bestrahlung
werden die Anhydridgruppen zerbrochen, wobei die Vernetzung beseitigt und die Reserve wieder löslich und
somit entwickelbar gemacht wird. Die Bestrahlungskurve
dieser vernetzten Reserven ist von der in Fig. 7 dargestellten Art; in der Zone J ist der ganze Reservefilm in
' 409827/0997
-9- PHB. 32301
'allen Lösungsmitteln-völlig unlöslich, während in den
Zonen G und H der nichtbestrahlte Film unlöslich ist.
In der Zone H wird der bestrahlte Film wieder vernetzt und ist somit nicht entwickelbar. Für die vernetzten
Systeme sind somit (positive) Bilder nur innerhalb der Zone G entwickelbar.
Selbstverständlich ist es möglich, Säureanhydridvernetzungen in negativ wirkende Systeme von Polymeren
(die das in Fig. 6 veranschauliche Verhalten aufweisen) einzuführen, wodurch eine Zone wie J (nach Fig. 7)
in Fig. 6 eingeführt wird, die jedoch die Eigenschaften
des vernetzten System aufweist, das oben an Hand der. Fig. 7 beschrieben wurde. Die Bestrahlungskurve für diese
vernetzte zusammengesetzte Reserve hat die in Fig. 8 gezeigte Form.
Ein Bestrahlungsschwellwert P wird erreicht,
wenn alle Säure-Anhydridvernetzungen durch Bestrahlung zerbrochen sind. Dieser Schwellwert P wird einen höheren Wert
aufweisen, je nachdem der Vernetzungsgrad zunimmt, wobei die durch eine gestrichelte Linie dargestellte Kurve mit
einem Bestrahlungsschwellwert P- die Kurve für ein stärker
vernetztes System als die durch eine volle Linie dargestellte Kurve mit dem Bestrahlungsschwellwert P ist.
Ein Schwellwert- Q für eine negativ wirkende Reserve ist von der besonderen verwendeten Polymerskelettstruktur abhängig.
Fenn Q^P ist, können bestimmt positive Bilder an
den Stellen erhalten werden, an denen das bestrahlte Material völlig durch Auflosen entfernt werden kann. Venn
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-10- PHB. 32301
jedoch P^Q ist (wie mit P1 angegeben ist) , kann das
bestrahlte Material nur teilweise entfernt werden und muss ein Teil des Filmes verbleiben. In diesem Falle
besteht die Zone G nicht. Um sicherzustellen, dass die Zone G erhalten bleibt, muss also entweder (a) P durch
Herabsetzung des Vemetzungsgrades auf einen geeigneten
niedrigen Wert möglichst niedrig gemacht oder (b) Q möglichst hoch gemacht werden, was am einfachsten dadurch
erreicht werden kann, dass die Vernetzungsmöglichkeit
verringert wird, indem ein Polymer mit degradierendem Skelett, wie Methylmethacrylat, verwendet wird.
Die nachstehend zu beschreibenden Beispiele
und 2 sind Beispiele des Systems (b), während das nachstehend zu beschreibende Beispiel h ein Beispiel des
Systems (a) ist.
Einige Ausführungsbeispiele der Erfindung werden* nachstehend an Hand der beiliegenden Zeichnungen
näher erläutert.
Es zeigen:
Es zeigen:
Fig. 1 schematisch die Zusammensetzung eines
Kopolymergemisches nach Beispiel 1, das 5 Mol.^ Methacrylsäure
enthält, wobei angegeben wird9 wie die Vernetzungen
in einer zweidimensionalen Anordnung gebildet werden; tatt
sächlich werden die Vernetzungen in einer dreidimensionalen Anordnung gebildet;
Figuren 2 und 3 schematisch einen Reservefilm während der Bestrahlung bzw. nach der Entwicklung, und
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-11- PHB. 32301
Figuren h und 5 InfrarotSpektren vernetzten
Produkte, die in Fig. 1 dargestellt und im Beispiel 1 beschrieben sind, vor der Bestrahlung bzw. nach Be-
strahlung bei ko /uC/cra , wobei die Transmission T über
der Wellenlänge λ/\ aufgetragen ist. " ,
BEISPIEL 1 . '
Methylmethacrylat/Methacrylsäure-Kopolymere
wurden unter Verwendung der. nachstehenden Ausgangsgemische hergestellt:
I II , III
Ubstabilisiertes Methyl- . 21,2 2.1,2 19
methacrylatmonomer (ml)
Methacrylsäure (ml) 0,19 0,565 1,7
Benzoylperoxid (g) 0,1 0,1 O,1
Toluol (ml) 71,2 71,2 75
Methacrylsäure, in mol.$ der ge-
samtmenge an polymerbildendem
Material 13 10
Jedes Gemisch wurde eine Stunde lang in einer -Stickstoffatmosphäre unter Rühren auf einem siedenden
Wasserbad am Rückfluss gekocht und dann gekühlt.
Methylmethacrylat/Methacryloylchlorid-Kopolymere
wurden unter Verwendung der folgenden Ausgangsgemische hergestellt:
IV V VI
Unstabilisiertes Methylmethacrylatmonomer
(ml) Methacryloylchlorid (ml) Benzoylchlorid (g) Toluol (ml)
Methacryloylchlorid, in #
der Gesamtmenge an polymerbildendem Material 409827/0997 1 3 10
der Gesamtmenge an polymerbildendem Material 409827/0997 1 3 10
| 21,2 | 21,2 | 19 | 93 |
| 0,21 | ot6h | 1, | 1 |
| 0,1 | 0,1 | 0, | |
| 71,6 | 71,6 | 75 | |
-12- PHB. 32301
■ Diese Reaktionsgemische (iV-Vl) wurden unter
ähnlichen Bedingungen wie bei der Herstellung der Methylmethacrylat/Methacrylsäure-Kopolymere
am Rückfluss gekocht. Ähnliche Kopolymere wurden hergestellt, in denen das Benzoylperoxid durch ein gleiche Gewicht an Azoisobutyronitril
ersetzt wurde.
Fig. 1 zeigt schematisch in einer zweidimensionalen Anordnung die chemische Formel eines vernetzten Reservefilmes,
der dadurch gebildet wird, dass gleiche Volumina der obengenannten Reaktionsprodukte III und VI gemischt
werden, dass ein Substrat mit einem Film dieses Gemisches überzogen, der Film getrocknet und der getrocknete Film
bei 200°C 15 Minuten lang erhitzt wird, so dass die Kopolymere
zur Reaktion gebracht werden, derart, dass Carboxylsäure-Anhydridvernetzungen
gebildet werden.
Nach Fig. 2 wurden dadurch Reservefilme auf Siliciumscheiben angebracht, dass eines der gemischten
Reaktionsprodukte I-IV, H-V oder HI-VI auf einer Siliciumscheibe
1 angebracht und das überschüssige Material durch Schleudern von der Scheibe entfernt wurde, wobei die
Schleudergeschwindigkeit 2000 bis 8000 Umdrehungen/min betrug. Die geschleuderten Filme wiesen normalerweise
nach Trocknung eine Dicke von etwa 1 /um auf, aber konnten eine Dicke bis 1,5 /um aufweisen und waren noch immer in
üblichen Lösungsmitteln, wie Aceton oder Methylisobutylketon,
lösliche Dann wurde die Scheibe erhitzt, derart, dass sich eine Reservefilm 2 mit Carboxylsäure-Anhydridvernetzungen
bildete. Ein feinmaschiges (1000 Maschen)
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-13- PHB. 32301
Kupfergitter wurde, in freiem Kontakt mit dem Reservefilm 2 auf einer Siliciumscheibe angeordnet, um als eine
Lochmaske zu dienen. Der Reservefilm wurde, wie von E.D. Roberts auf Seite 571 von Proc. Third Int. Conf. on
Electron and Ion Beam Science and Technology, Boston, May 1968 beschrieben wurde, mit 10 kV-Elektronen bestrahlt,
wobei Bestrahlungen zwischen 8 und 40 /uC/cm ,je nach dem
Vernetzungsgrad in dem Film, angewandt wurden. Der bestrahlte Film wurde dann in Methylisobutylketon entwickelt,
wobei nach dem Wegwaschen des bestrahlten Materials nichtbestrahlte Gebiete h verblieben (siehe Fig. 3)· Die nachstehende
Tabelle I gibt die minimalen Bestrahlungs- und Entwicklungsbedingungen, die für diese Filme gefunden
wurden. Es ergibt sich, dass die Empfindlichkeit der Filme
in bezug auf die Effekte eines Elektronenbeschusses mit
zunehmenden Vernetzungsgrad abnimmt,
$ vernetzte Gruppen Ladungsdichte( /uG/sq.em) Minuten-
.. Eintauchen
in M.I.B.K.
1 10 5
1 15 2
3 15 2
3 20 · 1
10 30-40 1
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-14- PHB. 32301
κ bezeichnet die Anzahl vernetzter Carboxylgruppen, als
Prozetsatz der Gesamtanzahl von Carboxylgruppen in dem Harz ausgedrückt. ·
Weitere Versuche mit Gittermustern ergaben,
dass die minimalen Bestrahlungen (in /uC/cm ausgedrückt),
die für eine vollständige Entwicklung durch 1-minutiges
Eintauchen in Methylisobutylketon erforderlich waren, von der Wärmebehandlung abhängig waren, der der gemischte Polymerfilm
unterworfen war. Tabelle II zeigt die Ergebnisse.
| Tabelle II | 1300C | 150°C | 200°C | |
| Erhitzt während 15 Minuten bei |
11O°C | 20 | 25 | 25 |
| yft vernetztere | ||||
| Gruppen χ | • - | 20 | 35 | 40 |
| 10$ vernetztere | ||||
| Gruppen χ | 10 | |||
κ bezeichnet die Anzahl vernetzter Carboxylgruppen, als
Prozetsatz der Gesamtanzahl Carboxylgruppen, in dem - Gemisch ausgedrückt.
Die Lösungsmittelbeständigkeit von Filmen vernetzter Reserven wurde dadurch geprüft, dass überzogene
Proben in Aceton oder Methylisobutylketon eingetaucht und
die überzogenen Proben periodisch gewogen wurden, um einen etwaigen Gewichtsverlust festzustellen. Die Filme wiesen
eine Dicke von 1 bis 1,5 /um auf. Filme mit 3 oder
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-15- " ?HB. 323OI
vernetzbarer Gruppen, die 15 Minuten lang bei 200 C erhitzt worden waren, um eine Vernetzung zu bewirken,
waren völlig unlöslich in Methylisobutylketon, während
der 10$-Film nach 15-minutigem Eintauchen in Aceton völlig
ungelöst war. Das 3^-Material verlor nach der ersten ·
Minute des Eintauchens ,in Aceton etwa 8$ an Gewicht, aber
verlor während des 15-minutigen Eintauchens weiter kein Gewicht mehr. Im Gegensatz löste sich ein Poly-(methylmethacrylat)film
von 1,5 /um völlig in Aceton in 1 Minute und löste sich langsam, aber vollständig in methylisobutylketon.
Es wurde gefunden, dass die Entwicklungszeit für Muster mit feinen Details länger als für gröbere Muster war,
was wahrscheinlich auf die auftretenden physikalischen Beschränkungen
zurückzuführen ist, die die Strömung frischen Lösungsmittels zu den Gebieten mit feinen Details einschränken.
Fig. k zeigt einen Teil des Infrarotspektrums
eines Filmes, der aus dem aus dem III-IV-Gemisch hergestellten
gemischten Reaktionsprodukt erhalten ist. Derselbe Teil des Spektrums desselben Filmes nach Bestrahlung
bei ko /u/cm , aber vor der Entwicklung, ist in Fig. 5
dargestellt. Die Absorptionsspitze bei 1730. cm" ist
wahrscheinlich auf unreagierte Säure- und Säurechloridgruppen, zurückzuführen und die Spitze bei 1810 cm" ist
eine der durch Carboxylsäure-Anhydridgruppen herbeigeführten Spitzen. In dem Spektrum des bestrahlten Materials ist die
Spitze bei 1810 cm völlig verschwunden, was anzeigt, dass der Bestrahlungsvorgang die Säureanhydridvernetzungen
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-16- . PH3. 32301
zerstört hat. Diese Spitze ist nach. Bestrahlung jeder
geprüften Probe verschwunden, ungeachtet des Grades der Vernetzung in dem Film,vorausgesetzt, dass die Bestrahlung
mit Elektronen genügend stark gewesen ist, um den Film in den löslichen Zustand zu bringen.
Der Hauptmechanismus, mit dessen Hilfe das
Reservesystem wirkt, wird offenbar durch die Spaltung der Säureanhydridvernetzungen gebildet.
BEISPIEL 2
Ein Methylmethacrylat/Methacryloylchloridkopolymer
mit 10 Mol. /6 Methacryoloylchlorid wurde unter Verwendung der folgenden Materialien hergestellt:
23» 75 ml unstabiLisiErtes Methylmethacrylat-
monomer,
2,41 ml Methacryloylchlorid,
12,5 ml Methylisobutylketon,
0,125 g Benzoylperoxid.
Dieses Gemisch wurde unter Rühren auf einem siedenden Wasserbad am Rückfluss gekocht und verdickte
sich nach 45 Minuten. 82,25 ml Methylisobutylketon wurde
in Portionen in einer Periode von 6o bis 90 Minuten nach
dem Anfang der Erhitzung zugesetzt und die Erhitzung wurde beendet, nachdem alles Methylisobutylketon zugesetzt worden
war. Das Rühren wurde übernacht fortgesetzt, um das geleeartige Polymerlösungsmittelgemisch in dem zugesetzten
uMethylisobutylketon völlig aufzulösen.
Ein- Methylmethacrylat/Methacrylsäure-Kopolymer
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-17- PHB. 32301
mit 10 Mol.$ Methacrylsäure wurde unter Verwendung der
folgenden Materialien hergestellt:
23,75 ml unstabilisiertes Methylmethacrylatatmonomer,
2,13 ml. Methacrylsäure,
12,5 ml Methylisobutylketon,
0,125 S Benzoylperoxid.
Dieses Gemisch wurde unter Rühren auf einem, siedenden Wasserbad am Rückfluss gekocht und hatte sich
nach 10 Minuten verdickt. 81,25 ml Methylisobutylketon
wurde 30 bis 50 Minuten nach dem Anfang der Erhitzung
zugesetzt und die Erhitzung wurde nach einer Stunde beendet. Das Rühren wurde übernacht fortgesetzt, um das
Kopolymer völlig aufzulösen.
Ein Gemisch von 1 Volumenteil von je der Methylmethacrylat/Methacryloylchloridpolymerlösung,
der Methyl— methacrylat/Methacrylsäurepolymerlösung und von Methylisobutylketon
wurde hergestellt und ein glatter Film wurde dadurch gebildet, dass diese Lösung auf einer Siliciumscheibe
angebracht und diese Scheibe in einer Stickstoffatmosphäre, die mit Methylisobuty!ketone gesättigt war,
geschleudert wurde. Die überzogene Scheibe wurde getrocknet und dann während 15 Minuten bei 200°C erhitzt. Nach
Erhitzung wurde gefunden, dass der'Film sowohl in. Aceton
als auch in Methylisobutylketon völlig unlöslich war.
Der Reservefilm wurde mit einem Muster von 10 kV-Elektronen auf die im Beispiel 1 beschriebene Weise unter
4 0 9827/0997
-18- PHB 32301
-ρ
Verwendung einer Ladungsdichte von ko /uC/cm bestrahlt.
Der bestrahlte Film wurde in Methylisobutylketon entwickelt
und es wurde ein befriedigendes positives Bild erhalten.
BEISPIEL 3
BEISPIEL 3
Ein Methylmethacrylat/Zimtsäurekopolymer wurde •unter Verwendung der nachstehenden Materialien hergestellt:
23,75 g unstabilisiertes Methylmethacrylatraonoraer,
1,25 S Zimtsäure,
0,13 g Benzoylperoxid,
12,5 ml Methylisobutylketon.
0,13 g Benzoylperoxid,
12,5 ml Methylisobutylketon.
Die Zimtsäuremenge war 5 Mol.$ der Gesamtmenge an Zimtsäure
und Methylmethacrylat.
Dieses Gemißch wurde am Rückfluss auf einem
siedenden Wasserbad gekocht und gerührt. Das Gemisch hatte sich nach 50 Minuten erheblich verdickt, wonach 83 ml Methylisobutylketon
zugesetzt wurden. Das erhaltene Gemisch wurde gerührt, bis eine homogene Lösung hergestellt war, wonach
die Lösung gekühli wurde. Diese Lösung enthielt 25 Gew.$
Feststoff in Methylisobutylketon.
Eine 25 gew.^ige Lösung eines Methylmethacrylat/
MethacryloylChloridkopolymers (9 Mol : 1 Mol) wurde auf die
im Beispiel 2 beschriebene Weise hergestellt.
Eine folmbildende Lösung wurde hergestellt, die aus einem Geraisch von 2 Volumenteilen der Methylmethacrylat/
Ziratsäure-Kopolyraerlösing, 2 Volumenteilen Methylisobutylketon
und 1 Volumenteil der Methylmethacrylat/Methacryloylchloridlösung
bestand. Ein glatter Film wurde dadurch gebildet, dass die filmbildende Lösung auf einer Sil±cium-
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-19- PHB. 32301
scheibe angebracht und die Scheibe in einer mit Methyl-' isobutylketon gesättigten Stickstoffatmosphäre geschleudert
wurde. Die überzogene Scheibe wurde getrocknet und dann auf 200°C während einer Stunde erhitzt, um die Vernetzung
der Kopolymere zu bewirken. Es wurde gefunden; . dass k5 Gew.# des Filmes noch immer nach Vernetzung in
Aceton löslich war. Die überzogene Scheibe, die während 1 Minute in Aceton eingetaucht worden war, wurde getrocknet
und dann mit einem Muster von 10 kV-Elektronen auf die im Beispiel 1 beschriebene Weise unter Verwendung
einer Ladungsdichte von ^O /uC/cm bestrahlt. Der bestrahlte
Film wurde mit Methylisobutylketon entwickelt und es wurde ein befriedigendes positives Bild erhalten.
BEISPIEL h
Ein Styrol/Methacrylsäure-Kopolymer wurde unter
Verwendung der folgenden Materialien hergestellt:
22 ml Styrolmonomer,
0,88 ml Methacrylsäure, 0,125 g Benzoylperoxid,
12,5 ml Methylisobutylketon.
Das Molarverhähltnis von Styrol und Methacrylsäure war
19 : 1. Das Gemisch wurde unter Rühren auf einem siedenden. Wasserbad während 2,"5 Stunden am Rückfluss gekocht, wonach
26,5 ml Methlisobutylketon zugesetzt wurde. Die Lösung wurde
gerührt, bis sie homogen geworden war, wonach sie -gekühlt wurde. Diese Lösung enthielt k0 Gew.# Feststoff.
Eine 25 Gew.$ige Lösung eines Methylmethacrylat/
Methacryloylchlorid-Kopolymers wurde auf die im Beispiel 2
409827/0997
-20- PHB. 32301
beschriebene Weise hergestellt.
Eine filmbildende Lösung wurde hergestellt, die aus 1 Volumenteil von je der Styrol/Methacrylsäure-Kopolymerlösung,
der Methylmethacrylat/Methacryloylchloridlösung
und voii Methylisobutylketon (mIBK) bestand.
Der Feststoffgehalt der Lösung bestand also aus 61,5 Gew.$
des Styrol/Methacrylsäure-Kopolymers und 38,5 Gew. ^ des
Methylmethacrylat/Methacryloylchlorid-Kopolymers. Ein Film
dieser Lösung wurde auf einer Siliciumscheibe unter Verwendung des in den vorangehenden Beispielen beschriebenen
Verfahrens gebildet. Die Tabelle III gibt die Vernetzungsbehandlung, die Bestrahlungsladungsdichte, den Entwickler und
das Ergebnis der Behandlung. Die der Vernetzungsbehandlung unterworfenen Filme wurden in Aceton während 1 Minute vor
der Elektronenbestrahlung eingetaucht, um dars acetonlösliche
Filmmaterial zu entfernen.
| TABELLE | III | Entwickler | Ergebnis | |
| toluol | befriedigend | |||
| Vernetzt durch Erhitzung bei (°c) |
während / (mins) |
uC/.cm | toluol | befriedigend |
| 125 | 30 | 50 | toluol | befriedigend |
| 125 | 60 | 50 | toluol | gefärbte Zonen |
| 150 | 15 | • 50 | M.I.B.K. | befriedigend |
| 200 | 15 | 50 | ||
| 200 | 15 | 70 | ||
A09827/0997
-21- , ΡΗ3. 32301
Nachdem das Filmmaterial bei 125°C oder 150°C
vernetzt war, war nahezu 15 Gew.^ des Filmes in Aceton
löslich. Sogar nach Vernetzung bei 200 C war noch 11 Gew.$ des Films acetonlöslich. Dieses acetonlösliche Material
konnte homopolymeres Material sein. Das vernetzte Material war in Aceton, Toluol oder Methylisobutylketon nach Eintauchen
während 16 Stunden unlöslich.
. Nach Vernetzung des Filmmaterials bei 200 C während 15 Minuten und nach Bestrahlung des Filmes bei
50 /uC/cm wurden nach der Entwicklung gefärbte Gebiete beobachtet. Dies zeigt an, dass der auftretende Effekt
positiv, aber ungenügend ist, um eine vollständige Entwicklung zu ermöglichen. Die beiden le.tzten Linien der
Tabelle III zeigen in bezug auf Fig. 71 wie eine Zunahme
der Bestrahlungsladungsdichte es ermöglicht, eine vollständige Entwicklung zu erhalten, was mit einer Strahlungsladungsdichte
innerhalb der Zone J nicht möglich war. BEISPIEL 5
Ein Methylmethacrylat/Acryisäure-Kopolymer wurde
unter Verwendung des nachstehenden Gemisches hergestellt:
5 ml unstabilisiertes Methykmethacrylatmonomer,
0,1 ml Acrylsäure,
O,.O75' g Benzoylperoxid, ·
0,075 g p-Dimethyltoluidin.
Ein Methylmethacrylat/Acryloylchlorid-Kopolymer
wurde unter Verwendung des nachstehenden Gemisches hergestellt:
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-22- PHB. 32301
5 nil unstabilisiertes Me thylme thacrylmonoraer,
0,12 ml Acryloylchlorid, 0,075 g Benzoylperoxid,
0,075 g p-Dimethyltoluidin.
0,075 g p-Dimethyltoluidin.
Beide Polymere wurden von Zimmertemperatur an gebildet, wobei die vorhandenen Katalysatoren die Polymerisation
in der Masse einleiteten. Die Reaktionsprodukte (die y$>
vernetzbarer Gruppen enthielten) wurden in gesonderten Portionen von 50 ml Aceton gelöst." Gleiche
Volumina der Kopolymerlösungen wurden gemischt und ein Film der gemischten Lösung wurde durch Schleudern auf einer
Siliciumscheibe angebracht. Das Filmmaterial wurde durch Erhitzung bei 150 C während 15 Minuten vernetzt. Nach
dieser Wärmebehandlung war das Filmmaterial nach 16-stündigera Eintauchen in Aceton noch ungelöst. Der Film wurde
dann mit einem 10 kV-Muster von Elektronen auf die im Beispiel 1 beschriebene Weise unter Verwendung einer Ladungs
dichte von 25 /uC/cm bestrahlt. Das bestrahlte Muster
wurde mit Aceton entwickelt und es wurde ein' befriedigendes
positives Bild erhalten.
BEISPIEL 6
BEISPIEL 6
Ein Styrol/Methacrylsäure-Kopolymer wurde auf die im Beispiel -h beschriebene Weise hergestellt.-
Ein Styrol/Methacryloylchlorid-Kopolymer wurde unter Verwendung der folgenden Materialien hergestellt:
22 ml Styrolmonomer,
1,0 ml Methacryloylchlorid,
1,0 ml Methacryloylchlorid,
409827/0997
-23- PHB. 32301
O,125 S Benzoylperoxid,
12,5 ml Methylisobutylketon.
12,5 ml Methylisobutylketon.
Die Menge an Methacryloylchlorid war 5 mol.$ der Gesamtmenge
an Styrol und Methacryloylchlorid.
Dieses Gemisch wurde unter Rühren auf einem
siödenden Wasserbad während 2 Stunden am Rückfluss gekocht
und danach wurde 26,5 ml Methylisobutylketon zugesetzt. Die
Lösung wurde gerührt, bis sie homogen geworden war, wonach sie gekühlt .wurde. Diese Lösung -enthielt 4o Gew.% Feststoff.
Eine filmbildende Lösung wurde hergestellt, die aus gleichen Volumina jeder der Kopolymerlösungen und von
Methylisobutylketon bestand. Filme wurden durch Schleudern
in einer mit Isoloutylketon gesättigten Stickstoffatmosphäre
auf Siliciumscheiben angebracht.
Es wurde gefunden, dass keine Vernetzung auftrat, wenn ein Film 8 Minuten lang auf 75 C erhitzt worden war.
Ein anderer Film wurde h Minuten lang auf 92°C erhitzt und .
es wurde gefunden,dass 70 Gew.$ des erhitzten Filmes in
Toluol löslich war, wobei ein Film mit einer Dicke von 150 nm zurückblieb. Dieser zurückgebliebene Film, der in
Aceton, Toluol oder Methylisobutylketon unlöslich war, wurde
mit einem Muster von 10 kV-Elektronen unter Verwendung einer Ladungsdichte von 50 /uC/cm bestrahlt. Der bestrahlte Film
wurde mit Methylisobutylketon entwickelt, um ein befriedigendes
positives Muster zu erhalten.
Das Material eines Filmes wurde bei 200°C während
verne tz t.
15 Minuten/14 Gew.% des erhitzten Filmes war acetonlöslich.
15 Minuten/14 Gew.% des erhitzten Filmes war acetonlöslich.
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-24- ' PHB. 32301
Der erhitzte Film wurde nach 1-minutigera Eintauchen in
Aceton mit einem Muster von 10 kV-Elektronen unter Verwendung
des im Beispiel 1 beschriebenen Verfahrens und einer Ladungsdichte von 50 /uC/cm bestrahlt. Der bestrahlte
Film wurde mit Methylisobutylketon entwickelt, aber das entwickelte Muster wies nur gefärbte Zonen auf und die
Entwicklung war unvollständig. Die gefärbte Zonen zeigen an, dass es sich um einen positiv wirkenden Reservierungsvorgang handelt.
BEISPIEL 7
BEISPIEL 7
•Styrol/Methcrylsäure- und Styrol/Methacryloxyl-Kopolymere
wurden durch die in den Beispielen 4 bzw. 6 beschriebenen Verfahren unter Verwendung der nachstehenden
.Ausgangsgemische hergestellt:
22,4.5 ml Styrolmonomer 22,45 ml 'Styrolmonomer
(98 Mol.#) (98 Mol.#)
0,34 ml Methacrylsäure 0,39 ml Methacryloyl-
(2 Mol.#) Chlorid (2 Mol.#)
0,13 g Berizoylperoxid 0,13 g Benzoylperoxid,
12,5 ml Methylisobutylketon 12,5 ml Methylisobutylketon.
Ein Reservegemisch wurde dadurch hergestellt, dass gleiche Volumina von Methylisobutylketon und jedem der
Kopolymere gemischt wurden. Filme dieses Reservegemisches wurden durch Schleudern auf Siliciumscheiben angebracht.
Filmmaterialien'.wurden durch Erhitzung während 5 Minuten,
10 Minuten und 15 Minuten bei 110 C vernetzt. Nahezu 45$
dieser Filme waren in Methylisobutylketon löslich, wobei
Filme mit einer Dicke von nahezu 600 nm zurückblieben. Befriedigende positive Bilder wurden, unter Verwendung einer
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-25- PHB. 323O1
Bestrahlungsladungsdichte von 6θ /uC/cm für die während
5 Minuten und 10 Minuten bei 110 C entwickelten Filme erhalten. Gefärbte Zonen wurden nur bei 6o /uC/cm für
den während 15 Minuten bei 110°C erhitzten Film für andere
aus dieser Reserve bestehende, während längerer Zeiten und bei höheren Temperaturen erhitzte Filme erhalten.
Wenn der Reservefilm während 15 Minuten auf 110 C erhitzt worden ist (siehe Fig. 8), ist P \ Q, "aber durch Herabsetzung
des Vernetzungsgrades und durch Herabsetzung der
Zeit der Erhitzung bei 11O°C auf 10 Minuten wird P kleiner als Q und es kann ein befriedigendes positives Bild erhalten
werden.
BEISPIEL 8
BEISPIEL 8
Eine Methylmethacrylat/methacrylsäure-Kopolymerlösung
wurde auf die im Beispiel 2 beschriebene Weise hergestellt. Eine Vinylacetat/Methacryloylchloridlösung wurde
unter Verwendung der nachstehenden Materialien hergestellt:
22 ml Vinylacetat
1,20 ml Methacryloylchlorid,
0,125 g Benzoylperoxid,
12,5 ml Methylisobutylketon.
12,5 ml Methylisobutylketon.
Dieses Gemisch wurde unter Rühren auf einem siedenden Wasserbad während 3»5 Stunden am Rückfluss gekocht
und anschliessend wurde 25 ml Methylisobutylketon zugesetzt, um eine 4θ Gew.$ Feststoff enthaltende Lösung,
zu erhalten, die homogenisiert und gekühlt wurde.
Eine filmbildende Lösung wurde unter Verwendung
409827/0997
PHE. 32301
gleicher Volumina von Methylisobutylketon und jeder der
.Kopolymerlbsungen hergestellt. Filme wurden-dadurch auf
Siliciumschexben gebildet, dass diese Lösung durch Schleudern darauf angebracht wurde.
Die Tabelle IV gibt die für verschiedene Filme erzielten
Ergebnisse.
Durch Erhitzung vernetzt
bei
während (min)
■uC/cm .
<jo Film löslich in
M.I.B.K.
Ergebni s
115
20-50
| 115 | 10 | 50 |
| 115 | 15 | 6o |
| 133 | 5 | 50 |
befriedigendes positives Bild
Jeder Film wurde 1 Minute lang nach Erhitzung und vor der Bestrahlung in Aceton eingetaucht. Es zeigt sich,
dass die filmbildende Lösung einen beträchtlichen Anteil an Homopolymer enthält.
409827/09 9
Claims (1)
- Patentansprüche t · .1. Positiv wirkende Elektronenreserve, die einen polymeren Stoff enthält, der in einem inerten Lösungsmittel gelöst ist, dadurch gekennzeichnet, dass der polymere Stoff aus einen Gemisch vernetzbarer Kopolymere A/B und D/E besteht, wobei
A = eine ungesättigte CarboxylsäureOH =COOHB = eine ungesättigte organische VerbindungI3.H_ —D = eine ungesättigtes SäurechioridI6CH =COClund E = eine ungesättigte Verbindung ·f8wobei R1, R , R , R., R^, R , Rg und10je ein Wasserstoffestellen, wobei R und, R , R., R^, R , Rg
atom, eine Arylgruppe oder eine gesättigte Alkylgruppe dardie gleiche oder eine verschiedene Bedeutung haben können und eine gesättigte Alkylgruppe, eine gesättigte Acyloxygruppe, eine Arylgruppe oder eine -COOR-Gruppe darstellen, wobei R eine gesättigte Alkylgruppe ist, in welchem Gemisch das Verhältnis zwischen der Anzahl mono» merer Einheiten A und der Anzahl monomerer Einheiten D409827/09 9 7-28- PHP. 323OIzwischen 2 : 3 und 3 : 2 liegt und 0,5 bis 7,5 $ der Gesaratanzahl monomerer Einheiten A, B, D und E aus A besteht.2. Positiv wirkende Elektronenreserve nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die gesättigten Alkylgruppen Methyl- oder Äthylgruppen sind. 3.· Vernetzbare, positiv wirkende Elektronenreserve nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass L und R_ eine Methyl-, eine Äthyl- oder eine Phenylgruppe darstellen. k. Verfahren zur Herstellung einer positiv wirkenden Elektronenreserve, bei dem ein polymerer Stoff in einem inerten Lösungsmittel gelöst wird, dadurch gekennzeichnet, dass als polymerer Stoff ein Gemisch vernetzbarer Kopolymere A/B und D/E der im Anspruch 1 definierten Art verwendet wird.5. Verfahren zur Herstellung eines Reservierungsmusters auf einem Substrat, bei dem das Substrat mit einem polymeren Stoff, der in einem inerten Lösungsmittel gelöst ist, überzogen wird, der Überzug getrocknet und mit Elektronen gemäss einem gewünschten Muster bestrahlt wird, wonach die bestrahlten Teile dadurch entfernt werden, dass der bestrahlte Überzug in einem Lösungsmittel gelöst wird, dadurch gekennzeichnet, dass der polymere Stoff ein Gemisch von Kopolymeren A/B und D/E der im Anspruch 1 definierten Art ist, und dass der Überzug vor der Bestrahlung mit Elektronen erhitzt wird, um eine Vernetzung des polymeren Stoffes durch die Bildung von Säureanhydridgruppen zu erhalten.409827/09 9-7
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| GB5906372A GB1445345A (en) | 1972-12-21 | 1972-12-21 | Positive-working electron resists |
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|---|---|
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2610301A1 (de) * | 1975-03-20 | 1976-09-30 | Philips Nv | Positiv wirkender photolack |
| DE2642269A1 (de) * | 1975-09-26 | 1977-03-31 | Ibm | Verfahren zur herstellung eines positiven resistbildes |
| DE2849996A1 (de) * | 1977-11-17 | 1979-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Zur herstellung eines durch bestrahlung erzeugten positivbildes verwendbarer abdecklack und verfahren zur herstellung eines positivbildes durch bestrahlung |
| DE2757932A1 (de) * | 1977-12-24 | 1979-07-05 | Licentia Gmbh | Strahlungsempfindliche positiv arbeitende materialien |
| DE2757931A1 (de) * | 1977-12-24 | 1979-07-12 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen von positiven aetzresistenten masken |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52128132A (en) * | 1976-04-20 | 1977-10-27 | Fujitsu Ltd | Positive type electron beam sensitive composition |
| US4096290A (en) * | 1976-10-04 | 1978-06-20 | International Business Machines Corporation | Resist mask formation process with haloalkyl methacrylate copolymers |
| JPS5466829A (en) * | 1977-11-07 | 1979-05-29 | Fujitsu Ltd | Pattern formation materil |
| JPS5466122A (en) * | 1977-11-07 | 1979-05-28 | Fujitsu Ltd | Pattern formation material |
| JPS54118776A (en) * | 1978-03-08 | 1979-09-14 | Fujitsu Ltd | Pattern forming method |
| JPS54158173A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-13 | Fujitsu Ltd | Micropattern forming method |
| JPS54161320A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-20 | Fujitsu Ltd | Production of cross linking type resist |
| JPS5590942A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-10 | Fujitsu Ltd | Positive type resist material |
| JPS55117239A (en) * | 1979-03-02 | 1980-09-09 | Fujitsu Ltd | Making method of microminiature pattern |
| JPS55133042A (en) * | 1979-04-04 | 1980-10-16 | Fujitsu Ltd | Pattern forming method |
| US4276365A (en) * | 1979-07-02 | 1981-06-30 | Fujitsu Limited | Positive resist terpolymer composition and method of forming resist pattern |
| US4286518A (en) * | 1979-07-25 | 1981-09-01 | Armstrong World Industries, Inc. | Print screen stencil |
| US5391624A (en) * | 1992-02-10 | 1995-02-21 | S. C. Johnson & Son, Inc. | Thermosettable compositions |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1696489A1 (de) * | 1967-01-13 | 1971-04-01 | Ibm | Verfahren zur Herstellung von aetzbestaendigen Masken |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1141175A (en) * | 1964-02-20 | 1969-01-29 | Monsanto Chemicals | Aromatic polymers containing anhydride groups |
| US3445530A (en) * | 1965-05-14 | 1969-05-20 | Marathon Oil Co | Nitroso compounds and processes for their production |
| US3546182A (en) * | 1967-12-18 | 1970-12-08 | Sumitomo Electric Industries | Liner polymeric compositions,method of manufacturing them and products made from them |
| US3526612A (en) * | 1969-04-16 | 1970-09-01 | Marathon Oil Co | Polyanhydrides,and processes for their production |
-
1972
- 1972-12-21 GB GB5906372A patent/GB1445345A/en not_active Expired
-
1973
- 1973-12-12 US US05/424,113 patent/US3981985A/en not_active Expired - Lifetime
- 1973-12-19 DE DE2363092A patent/DE2363092C2/de not_active Expired
- 1973-12-20 JP JP14195173A patent/JPS5530208B2/ja not_active Expired
- 1973-12-21 FR FR7345962A patent/FR2211489B1/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1696489A1 (de) * | 1967-01-13 | 1971-04-01 | Ibm | Verfahren zur Herstellung von aetzbestaendigen Masken |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2610301A1 (de) * | 1975-03-20 | 1976-09-30 | Philips Nv | Positiv wirkender photolack |
| DE2642269A1 (de) * | 1975-09-26 | 1977-03-31 | Ibm | Verfahren zur herstellung eines positiven resistbildes |
| DE2849996A1 (de) * | 1977-11-17 | 1979-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Zur herstellung eines durch bestrahlung erzeugten positivbildes verwendbarer abdecklack und verfahren zur herstellung eines positivbildes durch bestrahlung |
| DE2757932A1 (de) * | 1977-12-24 | 1979-07-05 | Licentia Gmbh | Strahlungsempfindliche positiv arbeitende materialien |
| DE2757931A1 (de) * | 1977-12-24 | 1979-07-12 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen von positiven aetzresistenten masken |
| US4243742A (en) | 1977-12-24 | 1981-01-06 | Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. | Radiation-sensitive positively acting materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| FR2211489A1 (de) | 1974-07-19 |
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