DE19800633A1 - Verfahren und Vorrichtung unter Verwendung eines ArF Photoresists - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft die Herstellung von elektro­ nischen Vorrichtungen oder Halbleitervorrichtungen. Insbesonde­ re betrifft die vorliegende Erfindung eine neue photolithogra­ fische Technik, die beispielsweise eine ArF-Lichtquelle (d. h. eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 193 nm) und einen neuen Photoresistlack mit einem Amin verwendet, der sich zur Photolithografie unter Verwendung der ArF-Lichtquelle eignet; der neue Photoresistlack kann jedoch auch mit anderen Licht­ quellen angewandt werden. In beispielhaften Ausführungsformen werden Techniken dargestellt, die den neuen Photoresistlack in einem Lithografieverfahren zur Herstellung integrierter Halb­ leiterschaltkreise oder ähnlicher Vorrichtungen verwenden.

Bei der Herstellung hochintegrierter Halbleitervorrichtungen ist häufig die genau regulierte Ausbildung von Strukturen not­ wendig, um winzige Bereiche auszubilden, die Elemente elektro­ nischer Vorrichtungen auf einem Stück Siliciummaterial bilden. Diese Bereiche werden häufig durch ein Photolithografieverfah­ ren ausgebildet. Bei der Photolithografie wird häufig eine dün­ ne Schicht eines Photoresistmaterials auf eine Oberfläche des Siliciumstücks, auf dem das Muster ausgebildet werden soll, oder des Films auf dem Silicium, auf dem das Muster ausgebildet werden soll, durch Drehbeschichtung aufgebracht. Die dünne Schicht aus dem Photoresistmaterial wird häufig selektiv einer Strahlung, beispielsweise einer UV-Strahlung, Elektronen- oder Röntgenstrahlung, ausgesetzt. Zur Exposition wird beispielswei­ se eine Maske unter Verwendung eines "Steppers" verwendet, durch den die dünne Schicht des Photoresistmaterials selektiv exponiert wird. Die exponierten Bereiche der dünnen Schicht werden häufig durch ein chemisches Verfahren entwickelt. Nach der Entwicklung weist die dünne Schicht, die über dem Silicium­ stück liegt, exponierte Bereiche auf, die zur weiteren Bearbei­ tung verbleiben. Der anschließende Bearbeitungsschritt, bei­ spielsweise das Ätzen, druckt das Muster, das durch den expo­ nierten Abschnitt hergestellt wurde, in das Siliciumstück oder den Film auf dem Silicium ein.

Herkömmliche verwendete Photoresists sind häufig Materialien mit drei Komponenten. Diese Materialien umfassen ein Matrixma­ terial, üblicherweise als Harz oder Lack bezeichnet, das als Bindemittel dient und die mechanischen Eigenschaften des Films bildet. Weiterhin enthält das Photoresist ein Sensibilisie­ rungsmittel, üblicherweise als Inhibitor bezeichnet, bei dem es sich um eine Photosäureverbindung handelt (Photoacid compound = PAC), und ein Lösungsmittel, das das Resist in einem flüssigen Zustand hält, bis es auf das zu verarbeitende Substrat aufge­ bracht wird. Das Harz ist häufig gegen einfallende Abbildungs­ strahlung inert und wird häufig keiner chemischen Veränderung bei Einwirkung einer Strahlung unterworfen; statt dessen ver­ leiht es dem Resistfilm beispielsweise Adhäsisionseigenschaften und eine Ätzbeständigkeit. Weiterhin verleiht das Harz andere Filmeigenschaften, beispielsweise eine bestimmte Resistdicke, eine Flexibilität und eine Wärmestromstabilität.

Ein Beispiel für ein Harzmaterial ist ein übliches Poly(acry­ lat)harz. Das Polyacrylatharz ist meist relativ einfach zu syn­ thetisieren. Beispielsweise werden häufig übliche Polymerisa­ tionsverfahren verwendet, um bei vielen Anwendungen diese Har­ zart auszubilden. Leider weisen diese Harze eine geringe Ätzbe­ ständigkeit und schlechte Entwicklungseigenschaften auf. In einigen Fällen kann die Ätzbeständigkeit dadurch verbessert werden, daß aliphatische Ringreste in die Poly(acrylat)-Haupt­ polymerkette eingeführt werden. Auch in diesen Fällen verblei­ ben jedoch weiterhin zahlreiche andere Nachteile. Beispielswei­ se ergibt sich bei der Entwicklung eines herkömmlichen Poly­ acrylatharzes häufig eine "abgerundete", obere Resistecke, wie dies beispielsweise in der Fig. 1 gezeigt wird. Demnach ermög­ licht das Polyacrylatharz häufig keine hoch auflösenden Photo­ resistmuster, sondern nur Muster mit geringerer Auflösung. Die­ se Muster mit geringerer Auflösung ergeben dann einfach keine genauen Merkmale zur Herstellung der hochintegrierten Halblei­ terschaltungen.

Es ist deshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbessertes Photoresistprodukt zur Herstellung hochauflösender Muster bereitzustellen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die in den Ansprüchen gekennzeichneten Verfahren und durch das erfindungsgemäße Pho­ toresistcopolymer gelöst.

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Technik zur Herstellung von elektronischen Vorrichtungen oder von Halbleitervorrichtun­ gen. In einer beispielhaften Ausführungsform wird erfindungs­ gemäß eine neue Photolithografietechnik bereitgestellt, die ArF als eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 193 nm verwen­ det. Weiterhin wird ein neues Photoresistharz mit einem Amin bereitgestellt, das sich zur Photolithografie unter Verwendung der ArF-Lichtquelle eignet. In weiteren Ausführungsformen schafft die vorliegende Erfindung Techniken zur Verwendung des neuen Photoresistharzes in einem Lithografieverfahren bei der Herstellung integrierter Halbleiterschaltkreise oder ähnlicher Vorrichtungen.

In einer besonderen Ausführungsform schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des neuen Photoresist­ copolymers. Das erfindungsgemäße Copolymer umfaßt beispielswei­ se wenigstens aliphatische Cycloolefine und ein Amin. Das Copo­ lymer wird im allgemeinen bei einer Temperatur im Bereich von etwa 60-200°C hergestellt; es ist jedoch auch bei anderen Tem­ peraturen herstellbar. Der während der Herstellung angewandte Druck liegt im Bereich von etwa 200-500 Atmosphären; es können jedoch auch andere Drücke eingesetzt werden.

In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein neues Photoresistcopolymer bereitgestellt. Das erfin­ dungsgemäße Copolymer umfaßt zumindest aliphatische Cycloolefi­ ne und ein Amin. Das Copolymer wird im allgemeinen bei einer Temperatur von etwa 60 bis etwa 200°C hergestellt; es sind je­ doch auch andere Temperaturen einsetzbar. Der bei der Herstel­ lung eingesetzte Druck liegt im Bereich von etwa 200-500 Atmo­ sphären; es sind jedoch auch andere Drücke einsetzbar.

In einer weiteren Ausführungsform schafft die vorliegende Er­ findung ein Photoresistcopolymer mit zumindest aliphatischen Cycloolefinen und einem Amin. Das Copolymer wird im allgemeinen bei einer Temperatur im Bereich von 60 bis etwa 200°C herge­ stellt; es sind jedoch auch andere Temperaturen einsetzbar. Der während der Herstellung aufrechterhaltene Druck liegt im Be­ reich von etwa 200-500 Atmosphären; es sind jedoch auch andere Drücke einsetzbar.

Durch das erfindungsgemäße Verfahren und durch das erfindungs­ gemäße Copolymer sind zahlreiche Vorteile erreichbar. Insbeson­ dere schafft die vorliegende Erfindung ein neues Photoresistco­ polymer, das eine überlegene Ätzbeständigkeit, eine überlegene Wärmebeständigkeit und ein überlegenes Adhäsionsvermögen auf­ weist. Weiterhin ermöglicht es, daß das entstehende Muster ei­ nen im wesentlichen rechteckigen, oberen Anteil aufweist und nicht einen abgerundeten, oberen Anteil, wie er üblicherweise bei herkömmlichen Photoresistharzen gefunden wird. Weiterhin wird die Photoresiststabilität verbessert. In weiteren Ausfüh­ rungsformen ermöglicht die vorliegende Erfindung verbesserte Ergebnisse durch die Verwendung eines Aminrestes. In diesen Ausführungsformen wird die Photoresistmusterauflösung verbes­ sert, die PED-Stabilität wird erhöht, und es wird ein rechtec­ kiges bzw. rechtwinkeliges Photoresistprofil erreicht. Die vor­ liegende Erfindung schafft ein Photoresistmuster, das üblicher­ weise durch die Entwicklungszeit oder ähnliche Parameter nicht beeinflußt wird, wie dies beispielsweise bei herkömmlichen Techniken, bei denen beispielsweise ein Verlust des oberen An­ teils des Musters auftritt und die sich auf ein Maleinsäurean­ hydrid zur Polymerisation eines alizyklischen Olefins bedienen, auftritt. Diese und andere Vorteile werden in zumindest einigen der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung erreicht. Die oben genannten und weitere Vorteile der vorliegenden Erfindung sowie weitere Ausführungsformen werden durch die nachfolgende Beschreibung unter Bezugnahme auf die Ausführungsbeispiele und die Patentansprüche offenbart.

Die nachfolgenden Zeichnungen zeigen:

Fig. 1 Ein ideales Muster-Abbildungsprofil (A) und ein prak­ tisches Muster-Abbildungsprofil (B), das durch das Einwirken von Licht entsprechend einer üblicherweise verwendeten Technik ausgebildet wurde; und

Fig. 2 ein ideales Musterprofil, das unter Verwendung des neuen, ein Amin enthaltenden Copolymers der vorlie­ genden Erfindung gebildet wurde.

In einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung wird ein neues Photoresistharz bereitgestellt, das bei­ spielsweise in Verbindung mit einer ArF-Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 193 nm verwendbar ist. Die vorliegende Erfin­ dung schafft weiterhin ein neues Photoresistharz mit einem Amin, das sich zur Photolithografie unter Verwendung von ArF als Lichtquelle eignet. Weiterhin schafft die vorliegende Er­ findung Techniken zur Verwendung des neuen Photoresistharzes in einem Lithografieverfahren.

In einer speziellen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein neues Photoresistcopolymer bereitgestellt, das aus zumindest zwei aliphatischen Cycloolefinen und einem Amin be­ steht. Bevorzugte Beispiele für die aliphatischen Cycloolefine umfassen Vinylencarbonat, 2-Cyclopenten-1-essigsäure, 2-Cyclo­ penten-1-(t-butylacetat), t-Butylbicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-car­ boxylat, Bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carbonsäure, 2-Hydroxyethyl­ bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, 2-Hydroxyethyl-5-norbor­ nen-2-carboxylat, t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat, 5-Norbor­ nen-2-carbonsäure, Cyclopenten, Cyclohexen, Norbornylen und Norbornylen-2-methanol; die Strukturen dieser Verbindung sind nachfolgend in den Formeln I aufgeführt:

Erfindungsgemäß verbessern bestimmte Verbindungen ausgewählte Eigenschaften des neuen Photoresistharzes. Insbesondere werden bestimmte Wirkungen durch das Einführen aliphatischer Cyclo­ olefine erreicht. Beispielsweise können Verbindungen wie 2-Cy­ clopenten-1-essigsäure, Bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carbonsäure und 5-Norbornen-2-carbonsäure als ein Monomer zur Verbesserung der Sensitivität des Photoresists angewandt werden. t-Butyl­ bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, 2-Cyclopenten-1-(t-butyl­ acetat) und t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat können als Auflö­ sungsinhibitor eingesetzt werden. 2-Hydroxyethyl-bicy­ clo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2- carboxylat und Norbornylen-2-methanol können als Adhäsionspro­ motor eingesetzt werden. Norbornylen, Cyclopenten, Vinylencar­ bonat und Cyclohexen können beispielhaft zugefügt werden; der Schutz der vorliegenden Erfindung ist jedoch nicht auf diese beispielhaft genannten Verbindungen beschränkt. Der Fachmann wird weitere Abänderungen, Alternativen und Modifikationen im Rahmen der Ansprüche und der vorliegenden Beschreibung ohne erfinderisches Zutun erkennen können.

In einer speziellen Ausführungsform wird der Aminrest im Photo­ resistcopolymer der vorliegenden Erfindung ausgewählt aus N- Methylallylamin, Allylamin, N-Allylanilin, N-Allylcyclohexyla­ min und N-Allylcyclopentyiamin; die Strukturen dieser Verbin­ dung sind in den nachfolgenden Formeln II gezeigt:

Erfindungsgemäß liegt das Molekulargewicht des Copolymers bei etwa 3.000-200.000.

Um das neue erfindungsgemäße Copolymer zu erhalten, ist eine Vielzahl von Techniken einsetzbar. Beispielsweise werden zumin­ dest zwei aliphatische Cycloolefine und ein Amin bei einer ho­ hen Temperatur und bei Aufrechterhaltung eines hohen Drucks in Gegenwart eines Radikalpolymerisationsinitiators polymerisiert. Die Komponenten werden einer Blockpolymerisation oder einer Lösungsmittelpolymerisation unterworfen.

In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Vielzahl an Lösungsmittel gesetzt werden. Beispiele für das Lösungsmittel sind Cyclohexanon, Methylethylketon, Ben­ zol, Toluol, Dioxan, Dimethylformamid oder beliebige Mischungen dieser Verbindungen. Weiterhin können die obigen Lösungsmittel und/oder ihre Mischungen für die erfindungsgemäße Polymerisa­ tionsreaktion eingesetzt werden.

Als Radikalinitiator können ein Benzoylperoxid, 2,2'-Azobisiso­ butyronitril (AIBN), Acetylperoxid, Laurylperoxid, t-Butylper­ acetat, t-Butylperoxid, Di-t-butylperoxid und andere Verbindun­ gen eingesetzt werden. Eine Vielzahl an Initiatoren ist ein­ setzbar. Ein Beispiel hierfür ist Di-t-butylperoxid, das als Polymerisationsinitiator eingesetzt werden kann. Die Erfindung ist jedoch nicht auf diese spezielle Verbindung beschränkt. Weiterhin einsetzbar sind AIBN oder Laurylperoxid.

Die Polymerisationstemperatur und der Polymerisationsdruck wer­ den in Abhängigkeit von den Reaktionspartnern eingestellt. Bei­ spielsweise kann die Temperatur im Bereich von 60-200°C liegen, wobei die Erfindung nicht auf diese speziellen Temperaturen beschränkt ist. Die Drücke liegen im Bereich von etwa 50-200 Atmosphären, wobei die Erfindung jedoch nicht auf diesen Be­ reich beschränkt ist. Demnach werden die Temperatur und der Druck häufig in Abhängigkeit von dem im Polymerisationsverfah­ ren verwendeten Reaktionspartnern ausgewählt und eingestellt.

In Abhängigkeit von den Reaktionspartnern wird die Polymerisa­ tion für eine bestimmte Zeit durchgeführt. Für eine Radikalpo­ lymerisation beträgt die Zeit z. B. bevorzugt 1-24 Stunden. Eine Positiv-Photoresistzusammensetzung kann durch Vermischen des neuen, erfindungsgemäßen Photoresistpolymers mit einem Photo­ säurebildner in einem organischen Lösungsmittel in üblicher Weise erhalten werden. Sie kann zur Herstellung einer ultrafei­ nen Positiv-Resistabbildung angewandt werden. Bei der Formulie­ rung hängt die Menge des Copolymers vom organischen Lösungsmit­ tel, vom Photosäurebildner und von den Lithografiebedingungen ab und liegt bevorzugt bei etwa 10-30 Gew.-% des zur Herstel­ lung des Photoresists verwendeten organischen Lösungsmittels.

Das Verfahren zur Herstellung des Photoresists unter Verwendung des erfindungsgemäßen Copolymers wird durch die nachfolgende Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen weiter veranschau­ licht.

Beispielsweise wird das erfindungsgemäße Copolymer in Cyclo­ hexanon in einer Menge von 10-30 Gew.-% gelöst, und ein Onium­ salz oder eine organische Sulfonsäure wird als Photosäurebild­ ner in einer Menge von etwa 0,1-10 Gew.-% des Resistpolymers zugegeben. Die Filtration der Lösung mit einem ultrafeinem Fil­ ter ergibt eine Photoresistlösung.

Diese Photoresistlösung wird auf einen Siliciumwaver spinnbe­ schichtet, der dann bei einer Temperatur von 80-150°C 1-5 Minu­ ten lang in einem Ofen oder auf einer heißen Platte sanft ge­ backen wird. Unter Verwendung eines Steppers, der ein kurzwel­ liges UV-Licht oder einen Excimer-Laser als Lichtquelle ein­ setzt, wird ein Belichtungsverfahren durchgeführt. Anschließend wird der Waver bei einer Temperatur von 100-200°C einem Nach­ backschritt unterzogen. Ein ultrafeines Positiv-Resistbild kann durch Eintauchen des durch einen Nachbackschritt behandelten Wavers für 90 Sekunden in eine 2,38% TMAH-Lösung erhalten wer­ den.

Da Amingruppen mit der Hauptkette des neuen, erfindungsgemäßen Photoresistcopolymers verbunden sind, werden sie durch den Nachbackschritt nicht zerstreut.

Nach dem Nachbackschritt tritt eine Säurediffusion in der Pho­ toresistschicht unter dem Quarzteil auf, die mit einer großen Lichtenergiemenge bestrahlt wurde, da die Säure in größerer Menge vorhanden ist als das Amin in der Schicht, während die Säurediffusion durch das Amin in der Photoresistschicht unter dem Chromteil, die mit einer nur geringen Lichtenergie be­ strahlt wird, verhindert wird. Hierdurch bilden sich Bilder mit einer hohen Auflösung, die die gleiche Wirkung zeigen, wie in Fig. 2 dargestellt. Obwohl die Amine ArF-Licht absorbieren, wird das Muster nicht nachteilig beeinflußt, da die Menge der Amine unter der Menge des Photosäurebildners liegt.

Beispiel I SYNTHESE DES COPOLYMERS (1)

Wie in der nachfolgenden chemischen Reaktion III gezeigt wird, wurden 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat, t-Butyl-5-nor­ bornen-2-carboxylat, 5-Norbornen-2-carbonsäure und N-Methylal­ lylamin in eine Molverhältnis von 1 : 1:1 : 1 in einen Hochdruck­ reaktor eingeführt und in Gegenwart von Di-t-butylperoxid und einem Stickstoffdruck von 50, 60, 70, 80, 90 und 100 Atmosphä­ ren polymerisiert. Die Ausbeute betrug 40% bei 80 Atmosphären und 60% bei 100 Atmosphären.

wobei w, x, y, und z das Polymerisationsverhältnis darstellen.

Beispiel II SYNTHESE VON COPOLYMER (2)

Gemäß dem nachfolgenden Reaktionsschema IV werden 2-Hydroxy­ ethyl-5-norbornen-2-carboxylat, Vinylencarbonat, t-Butyl-5-nor­ bornen-2-carboxylat, 5-Norbornen-2-carbonsäure und N-Methylal­ lyl­ amin in einem Molverhältnis von 1 : 2:1 : 1:1 in einen Hochdruck­ reaktor gebracht und bei einer Temperatur von 60-150°C 1-24 Stunden lang in Gegenwart von AIBN polymerisiert.

wobei v, w, x, y und z das Polymerisationsverhältnis darstel­ len.

Die vorliegende Erfindung wurde erläuternd beschrieben und es versteht sich, daß die verwandte Terminologie nur zur Beschrei­ bung der Erfindung dient und nicht beschränkend zu verstehen ist.

Viele Modifikationen und Abänderungen der vorliegenden Erfin­ dung sind im Licht der obigen Lehren möglich. Daher versteht es sich, daß innerhalb des Schutzbereichs der beigefügten Ansprü­ che die Erfindung in anderer Weise als sie spezifisch beschrie­ ben durchführbar ist.

Erfindungsgemäß wird ein neues Photoresistcopolymer bereitge­ stellt, das zumindest zwei aliphatische Cycloolefine und ein Amin umfaßt, das zur Photolithografie und der Verwendung von ArF als einer Lichtquelle einsetzbar ist. Das aus dem Copolymer hergestellte Photoresist kann mit einer hohen Auflösung mit einem Muster belegt werden.

Claims (21)

1. Photoresistcopolymer, dadurch gekennzeichnet, daß es aus zumindest zwei aliphatischen Cycloolefinen und ei­ nem Amin besteht.

2. Photoresistcopolymer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zumindest zwei aliphatischen Cycloolefine ausgewählt werden aus der Gruppe, bestehend aus Vinylencarbonat, 2- Cyclopenten-1-essigsäure, 2-Cyclopenten-1-(t-butylacetat), t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, Bicyclo- [2,2,2]oct-5-en-2-carbonsäure, 2-Hydroxyethyl-bicy­ clo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, 2-Hydroxyethyl-5-norbor­ nen-2-carboxylat, t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat, 5-Nor­ bornen-2 -carbonsäure, Cyclopenten, Cyclohexen, Norbornylen und Norbornylen-2-methanol.

3. Photoresistcopolymer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Amin ausgewählt wird aus der Gruppe, die N-Methylal­ lylamin, Allylamin, N-Allylanilin, N-Allylcyclohexylamin und N-Allylcyclopentylamin umfaßt.

4. Photoresistcopolymer nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß das Copolymer ein Molekulargewicht im Bereich von etwa 3.000-200.000 aufweist.

5. Verfahren zur Herstellung eines Photoresistcopolymers, dadurch gekennzeichnet, daß es die Polymerisation von zumindest zwei aliphatischen Cycloolefinen und eines Amins bei einer Temperatur von 60-200°C unter einem Druck von 50-200 Atmosphären umfaßt.

6. Verfahren zur Herstellung eines Photoresistcopolymers nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die zumindest zwei aliphatischen Cycloolefine ausgewählt werden aus der Gruppe, bestehend aus Vinylencarbonat, 2- Cyclopenten-1-essigsäure, 2-Cyclopenten-1-(t-butylacetat), t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, Bicyclo- [2,2,2]oct-5-en-2-carbonsäure, 2-Hydroxyethyl-bicy­ clo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, 2-Hydroxyethyl-5-norbor­ nen-2-carboxylat, t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat, 5-Nor­ bornen-2-carbonsäure, Cyclopenten, Cyclohexen, Norbornylen und Norbornylen-2-methanol.

7. Verfahren zur Herstellung eines Photoresistcopolymers nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Amin ausgewählt wird aus der Gruppe, umfassend N-Me­ thylallylamin, Allylamin, N-Allylanilin, N-Allylcyclo­ hexylamin und N-Allylcyclopentylamin.

8. Verfahren zur Herstellung des Photoresistcopolymers nach einem der Ansprüche 5-7, dadurch gekennzeichnet, daß das Copolymer ein Molekulargewicht im Bereich von 3.000-200.000 aufweist.

9. Photoresist, dadurch gekennzeichnet, daß es ein Photoresistcopolymer aus zumindest zwei aliphati­ schen Cycloolefinen und einem Amin umfaßt.

10. Photoresist nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die zumindest zwei aliphatischen Cycloolefine ausgewählt werden aus der Gruppe, bestehend aus Vinylencarbonat, 2- Cyclopenten-1-essigsäure, 2-Cyclopenten-1-(t-butylacetat), t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, Bicyclo- [2,2,2]oct-5-en-2-carbonsäure, 2-Hydroxyethyl-bicy­ clo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, 2-Hydroxyethyl-5-norbor­ nen-2-carboxylat, t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat, 5-Nor­ bornen-2-carbonsäure, Cyclopenten, Cyclohexen, Norbornylen und Norbornylen-2-methanol.

11. Photoresist nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Amin ausgewählt wird aus der Gruppe, umfassend, N-Me­ thylallylamin, Allylamin, N-Allylanilin, N-Allylcyclo­ hexylamin und N-Allylcyclopentylamin.

12. Photoresist nach einem der Ansprüche 9-11, dadurch gekennzeichnet, daß das Copolymer ein Molekulargewicht im Bereich von 3.000-200.000 aufweist.

13. Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiter­ vorrichtung mit den nachfolgenden Schritten:

• - Bereitstellen eines Substrats;
• - Aufbringen eines Resistfilms, umfassend ein Copolymer aus zumindest zwei aliphatischen Cycloolefinen und einem Amin;
• - Exponieren eines Teiles des Resistfilms unter Verwen­ dung einer elektromagnetischen Strahlung;
• - Entwickeln des Resistfilms unter Bildung eines expo­ nierten Teils des Substrats, der dem Teil des expo­ nierten Films entspricht, und Durchführen eines Halb­ leiterherstellungsverfahrens auf dem exponierten Teil des Substrats.

14. Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiter­ vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Copolymer aus zumindest zwei aliphatischen Cycloolefi­ nen und einem Amin bei einer Temperatur von 60-200°C unter einem Druck von 50-200 Atmosphären polymerisiert wird.

15. Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiter­ vorrichtung nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch, daß die zumindest zwei aliphatischen Cycloolefine ausgewählt werden aus der Gruppe, bestehend aus Vinylencarbonat, 2- Cyclopenten-1-essigsäure, 2-Cyclopenten-1-(t-butylacetat), t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, Bicyclo- [2,2,2]oct-5-en-2-carbonsäure, 2-Hydroxyethyl-bicy­ clo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, 2-Hydroxyethyl-5-norbor­ nen-2-carboxylat, t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat, 5-Nor­ bornen-2-carbonsäure, Cyclopenten, Cyclohexen, Norbornylen und Norbornylen-2-methanol.

16. Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiter­ vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Amin ausgewählt wird aus der Gruppe, umfassend N-Me­ thylallylamin, Allylamin, N-Allylanilin, N-Allylcyclo­ hexylamin und N-Allylcyclopentylamin.

17. Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiter­ vorrichtung nach einem der Ansprüche 13-16, dadurch gekennzeichnet, daß das Copolymer ein Molekulargewicht im Bereich von etwa 3.000-200.000 aufweist.

18. Teilweise vollständige bzw. halbfertige Halbleitervorrich­ tung, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung nachfolgendes umfaßt:

• - ein Substrat; und
• - einen Resistfilm mit einem Copolymer aus zumindest zwei aliphatischen Cycloolefinen und einem Amin, wo­ bei der Film über dem Substrat liegt.

19. Teilweise vollständige bzw. halbfertige Halbleitervorrich­ tung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die zumindest zwei aliphatischen Cycloolefine ausgewählt werden aus der Gruppe, bestehend aus Vinylencarbonat, 2- Cyclopenten-1-essigsäure, 2-Cyclopenten-1-(t-butylacetat), t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, Bicyclo- [2,2,2]oct-5-en-2-carbonsäure, 2-Hydroxyethyl-bicy­ clo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, 2-Hydroxyethyl-5-norbor­ nen-2-carboxylat, t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat, 5-Nor­ bornen-2-carbonsäure, Cyclopenten, Cyclohexen, Norbornylen und Norbornylen-2-methanol.

20. Teilweise vollständige bzw. halbfertige Halbleitervorrich­ tung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das Amin ausgewählt wird aus der Gruppe, umfassend N-Me­ thylallylamin, Allylamin, N-Allylanilin, N-Allylcyclo­ hexylamin und N-Allylcyclopentylamin.

21. Teilweise vollständige bzw. halbfertige Halbleitervorrich­ tung nach einem der Ansprüche 18-20, dadurch gekennzeichnet, daß das Molekulargewicht des Copolymers etwa 3.000-200.000 beträgt.