DE1672315U - Gleichrichter aus einem halbleitermaterial, das mit hoher stromdichte belastet werden kann. - Google Patents

Description

Gm 24c11c1953

Gleichrichter aus einem Halbleitermaterial, aas mit froher Stromdichte belastet werden

kanne

Es sind in der letzten Zeit wiederholt !Trockengleichrichter in Vorsohlag gebracht worden, die ihren elektrischen Eigenschaften nach eine wesentlich höhere Stromdichte au transportieren gestatten als üie bislang üblichen Plaohengleiciirichter, S₀B₀ mit Selen oder Kupferoxydul als Halbleiter₉ Im wesentlichen sind dabei Gleichrichter aus germanium genannt wordene Diese Gleichrichter bieten jedoch die Schwierigkeit, dass sie sehr sorgsam gekühlt werden müssen, um ihre elektrischen Daten während des Betriebes unve3?&7icl§rt beizubehalten,, Dies ist umso wichtiger, als bei hoher Stromdichte die Gleiohrichterelemente Vergleichs== weise klein ausfallen und deshalb Wärme Stauungen besonders zu befürchten sind«,

Die vorliegende !feuerung betrifft nun einen Gleichrichter aus einem Halbleitermaterial, insbesondere einem solchen, das mit hoher Stromdichte belastet werden kann, beispielsweise mit Germanium oder Silizium als Halbleiter, der sich von dem bisher,be·= kannten dadurch unterscheidet, dass mehrere kleine Gleichrichtern, eiaheiten auf einer gemeinsamen Grundplatte angeordnet sind_o Auf diese JLrt und Weise wird erreicht, dass neben der ,Abführung der Wärme durch konvektion auch noch eine verstärkte Abführung der Wärme durch Wärmeleitung erfolgt*

Ganz besonders.vorteilhaft ist es, -wenn die Grundplatte gleichzeitig als Irägerelektrode dient, da hierbei ein weiterer Wärmeübergang zu der durch die Grundplatte gebildeten ICühlflä·= ehe -eingespart mrd₀

Je nach dem Terwendungszweck können dabei die Gleichrichter-Feinheiten derart angeordnet sein_? dasB ihre Gegenelektrode^· .Jede für sich, lait einer Zuleitung versehen sind, oder aber, dass die Gegenelektroden aus einer gemeinsamen Deckplatte gebildet werden, die zugleich als Stromzuführung dient» Auch hier hat die Deckplatte wiederum den Zweck, durch verstärkte Wärmeleitung die entstehende Wärme ^abzuführen«, . .

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um das Sperrvermögen der Gleiehrichterelemente zu erhalten oder zn verbessern, ist es von Torteil, den Halbleiter auf die iEi-agerelektrode mit einer in dem Halbleiter Defektleitung ~b.eT-vorruf enden !Material bei Verwendung von Germanium, vorzugsweise -mit Indium, aufzulöten, -wobei der Hrfcig noch erhöhtwerden kann, yiexm. die Zuleitung oder die Deckplatte mit einem in den Halblei«=· ^:.. i;er Überschugsleitung hervorruf enden-Material., vorzugsweise Zinn ~ oder Antimon* auf den Halbleiter gelötet nyirde Umgeireiirt i-st es -' --günetigi beim ^e#i;i"tj-tes dee Germaniums ein J^teTial zu. verwenden, „das üb&rsekuBsleitung hervorruft, beispielsweise Zinn öder .Anti·= mon_f -wenn die Zuleiirung oder die Deckplatten mit einem in den Halbleiter Def efetleitung nervorruf enden Material^ "beisipielsweise .Indium, aufgelo'tet -werdezU " . - ■- -

Der Gegenstand der Heuerung ist nickt nur auf einfasne Gleiclirienter besciiränkt, sondern eignet sich aucn unter Hinzufügung von SteuereleJrtTOden und dergleicken zur Verwendung bei . ^steuerbaren Gleibnricliterni Eristallverstärlcem oder !ΊΜοηβη«=⁵ transistoren _f allgemein zur Verwendung bei steuerbaren elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen«

Die Mauren zeigen In Z₀T₀ schematischer Darstellung ein Ausführungsbeispiel -eines Gleichrichters aus einem Halbleitern

material gernäss der' Feuerung_o "- ' . .".""■■

Xn !"igt, 1 ist 1 eine Grundplatte _? auf die die aus den Trä-.gerelektrQden 2 und den Halbleitern 5 bestehenden Gleichrichter= einheiten aufgelötet sind» die ihrerseits mit einzelnen Zuleitungen A- versehen sind_c

-" . In Pigc 2 liegen die Halbleiter 3 direkt auf der Grundplat-■te 1 und sind unter lufügung von Gegenelektroden 5 mit der Deckenplatte 6-abgedeckte Ss ist ersichtlich* dass bei diesen beiden Ausführungsformen einmal die Grundplatte und £um anderen diese und die Deekplatte durch Wärmeableitung zur Kühlung beitragen, Bei der -Anordnung mach "Figo 1 werden durch den aufgelockerten Aufbau die WärmeabStrahlungen verbessert, während bei der An- - Ordnung nach' T±g_o 2_t insbösondere bei sehkrechtem Aufbau, noch eine zusätzliche Kühlung durch Kaminwirkung-eintritt _o" :

Claims (1)

1. 5859 Gm Schutzansprüche

   Gleichrichter, beispielsweise mit Germanium oder Silizium als Halbleiter, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere kleine Gleich«=? richtereinheiten auf einer gemeinsamen Grundplatte angeordnet sind«

   Gleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Grundplatte gleichzeitig als Trägerelektrode diente

   Gleichrichter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenelektroden der Gleichrichtereinheiten 3ede iür Sich mit «iner Zuleitung versehen sind, oder aus einer gemeinsamen Deckplatte gebildet werden, die zugleich als Stromzuführung diente

   Gleichrichter nach Anspruch 2 oder 3 mit Germanium als Halbleiter, dadurch gekennzeichnet _t dass der Halbleiter auf die Trägerelektro^- de mit einem in dem Halbleiter Defektleitung hervorrufenden Mate*= rial ρ vorzugsweise Indium, aufgelötet isto

   Gleichrichter nach Anspruch 2 oder 3 mit Germanium als Halbleiter_t dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter auf uie Irägerelek·= trode mit einem in dem Halbleiter überschuBsTLeitung hervorrufenden MaterialJ₅ vorzugsweise Zinn oder Antimon^ aufgelötet ist_o

   Gleichrichter nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Zuleitungen oder die Deckplatten mit einem in dem Halbleiter tlber-Bchussleitung hervorrufenden Material, vorzugsweise Zinn oder An= timon_? auf den Halbleiter gelötet sindo

   Gleichrichter nach Anspruch 5? dadurch gekennzeichnet, dass die Zuleitungen oder die Deckplatten mit einem in dem Halbleiter De«= fekt leitung hervorrufenden Material, vorzugsweise Indium _f auf ge«= .lötet sind ο

   Gleichrichter nach Anspruch 1 oder einem der folgenden^ dadurch gekennzeichnet, dass der durch Hinzufügung von geeigneten Steuerungselektroden als steuerbarer Gleichrichter, Kristallverstärker -oder Oberfiächentransistor verwendbar isto