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DE1196298B - Verfahren zur Herstellung einer mikrominiaturisierten, integrierten Halbleiterschaltungsanordnung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer mikrominiaturisierten, integrierten Halbleiterschaltungsanordnung

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Publication number
DE1196298B
DE1196298B DET27615A DET0027615A DE1196298B DE 1196298 B DE1196298 B DE 1196298B DE T27615 A DET27615 A DE T27615A DE T0027615 A DET0027615 A DE T0027615A DE 1196298 B DE1196298 B DE 1196298B
Authority
DE
Germany
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areas
circuit elements
semiconductor
plate
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DET27615A
Other languages
English (en)
Inventor
Jack St Clair Kilby
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=27408060&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE1196298(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of DE1196298B publication Critical patent/DE1196298B/de
Pending legal-status Critical Current

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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
HOIl
Deutsche Kl.: 21 g -11/02
Nummer: 1196 298
Aktenzeichen: T 27615 Vm c/21 g
Anmeldetag: 5. Februar 1960
Auslegetag: 8. Juli 1965
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer mikrominiaturisierten, integrierten Halbleiterschaltungsanordnung, bei welchem wenigstens zwei passive Schaltungselemente in verschiedenen Gebieten eines Halbleiterplättchens gebildet werden.
Zum Zweck der Miniaturisierung ist es bereits bekannt, zwei passive Schaltungselemente, nämlich einen Widerstand und ein i?C-Glied mit verteiltem Widerstand und verteilter Kapazität, in verschiedenen Gebieten eines Halbleiterkörpers zu bilden. Der Widerstand des i?C-Glieds besteht dabei aus einem langgestreckten Abschnitt des Halbleiterkörpers, an dem die Kapazitäten durch anlegierte pn-Übergänge gebildet sind, während der andere Widerstand nach dem Kristallziehverfahren an den Körper angeformt ist. Diese Maßnahmen sind für eine Massenfertigung von mikrominiaturisierten Anordnungen praktisch nicht anwendbar.
Das Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens, mit welchem eine beliebige Anzahl von passiven Schaltungselementen in einem einzigen HaIbleiterplättchen mit einer geringen Zahl miteinander verträglicher Verfahrensschritte, die sich besonders für eine automatisierte Massenfertigung eignen, gebildet werden kann.
Nach der Erfindung wird dies dadurch erreicht, daß eine Fläche des Plättchens zur Begrenzung der Gebiete in an sich bekannter Weise durch eine Maske abgedeckt wird, daß die elektrischen Eigenschaften des Halbleitermaterials so geändert werden, daß diese Gebiete die gewünschten Eigenschaften der Schaltungselemente aufweisen, und daß diese Gebiete im Innern des Halbleiterplättchens durch Bereichs hohen Widerstands elektrisch voneinander getrennt werden.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte integrierte Halbleiterschaltungsanordnung hat die Grundform eines Plättchens, also eines Körpers mit zwei im wesentlichen parallelen Flächen, deren Abmessungen groß gegen die Dicke des Plättchens sind. Die eine dieser Flächen bildet praktisch eine Arbeitsfläche, von der aus die Herstellung der Schaltungselemente erfolgt. Da die übrigen Seiten des Halbleiterplättchens während der angegebenen Verfahrensschritte nicht zugänglich sein müssen, braucht das Plättchen zunächst nicht in den endgültigen Abmessungen vorzuliegen; insbesondere kann eine größere Zahl zunächst noch zusammenhängender Plättchen in einem Arbeitsgang behandelt werden. Die Anwendung moderner Maskierungsverfahren ermöglicht eine präzise Fertigung von Schal-Verfahren zur Herstellung
einer mikrominiaturisierten, integrierten
Halbleiterschaltungsanordnung
Anmelder:
Texas Instruments Incorporated,
Dallas, Tex. (V. St. A.)
ίο Vertreter:
Dipl.-Ing. E. Prinz, Dr. rer. nat. G. Hauser
und Dipl.-Ing. G. Leiser, Patentanwälte,
München-Pasing, Ernsbergerstr. 19
Als Erfinder benannt: .-■■■■
Jack St. Clair Kilby, Dallas, Tex. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 6. Februar 1959 (791602), vom 12. Februar 1959 (792 840)
tungselementen mit äußerst kleinen Abmessungen. Da diese Schaltungselemente in dem Halbleiterplättchen elektrisch getrennt nebeneinanderliegen, besteht keine Einschränkung hinsichtlich der Zahl und Art der im gleichen Plättchen zu bildenden Schaltungselemente, die dann zu beliebigen Schaltungen miteinander verbunden werden können. Da die Änderung der elektrischen Eigenschaften des Halbleitermaterials auch für verschiedenartige Schaltungselemente mit einigen wenigen grundsätzlichen Maßnahmen erfolgen kann, können die Schaltungselemente zum großen Teil gleichzeitig gebildet werden.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren können im wesentlichen alle Schaltungselemente einer elekironischen Schaltung an der gleichen Fläche des Halbleiterplättchens gebildet werden. Die Bildung der Bereiche hohen Widerstandes, welche die Schaltungselemente im Innern des Halbleiterplättchens elektrisch voneinander trennen, erfolgt durch eine geeignete Formgebung, durch welche die erforderliche gegenseitige elektrische Trennung zwischen verschiedenen Schaltungselementen hergestellt wird und die Bereiche definiert werden, die von bestimmten Schaltungselementen eingenommen werden. Zu der Formgebung gehören eine geeignete geometrische Ausgangsform des Halbleiterplättchens, beispielsweise lang und schmal, L-förmig, U-förmig usw.; ein
509 599/29T
3 4
Entfernen von Teilen des Halbleitermaterials, eine Ein öhmscher Kontakt besitzt bekanntlich Symmetrie stellenweise Umwandlung Von eigenleitendeih Halb- und Linearität im Widerstandsverhalten, so daß der leitermaterial durch Eindiffundieren von Störstoffen Strom in jeder Richtung hindurchfließen kann. Wenn in der Weise, daß niederohmige Stromwege ent- zwei Widerstände miteinander verbunden werden stehen, und eine stellenweise Umwandlung von Halb- 5 sollen, ist es nicht notwendig, getrennte Anschlüsse leitermaterial eines LeitFaTügkeitstyps in Tiälbleiter- für den gemeinsamen Punkt zu schaffen. Der \Vidermaterial des letitgegengesöfizten Leitfähigkeitstyps in stand kann berechnet werden aus
der Weise, daß der entstehende pn-übergang als τ
Sperre für den Stromfluß wirkt. In jedem Fall wird R — ρ —.
durch die Formgebung erreicht, daß Wege für den ίο Α
Stromfiuß gebildet und/oder abgegrenzt werden. Da- Darin ist L die aktive Länge in Zentimeter, A die durch wird die Bildung mehrerer verschiedenartiger Querschnittsfläche und ρ der spezifische Widerstand Schaltungselemente in einem einzigen Halbleiterplätt- des Halbleitermaterials in Ohm · cm.
ehea is. -eieer im wesentliehen planeren Form mög·- In F i g. 1 a ist eine andere Möglichkeit der Billich. Beispielsweise kann von einem Halbleiterplätt- 15 dung eines Widerstands in einem Körper aus Halbchen eines bestimmten Lehfähigkeitstyps ausgfegan- leitermaterial gezeigt. In diesem Fall ist in dem Körgen werden, in dem dann durch Diffusion Zonen ent- per Wa aus Halbleitermaterial des Leitfähigkeitsgegengesetzten Leitfähigkeitstyps gebildet werden, typs ρ eine n-Zone 10b gebildet. Dann besteht zwidie vom Hauptteil -des Halb'leitermäterials oder von- sehen dem Körper lOä und der Zone 1Ό6 ein pneiander durch die ensehnden pn-Übergänge ab- ao übergang 13. Die Elektroden Ua und Ua sind an gegrenzt sind. Dadurch können Schaltungselemente einer Oberfläche der Zone 10 b in solchem Abstand in der gewünschten Gestalt und gegenseitigen Lage angeordnet, daß der erwünschte Widerstandswert erin dem Halbleiterptättcftea an der gleichen Fläche reicht wird. Wie in Fi g. 1 stehen die Elektroden 11 α geformt werden. und 12 a in öhmsehem Kontakt mit der Zone 10 b.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung bei- 25 Bei dem in Fig. la dargestellten Widerstand bildet
spielshalber erläutert. Darin zeigen der pn-übergang 13 eine Sperre für den Stromfiuß
Fig. 1 und la Beispiele von Widerständen, die von der n^Zonelöfe zu dem p-Körper 10 ώ; dadurch
nach dem erfindungsgemäßen Verfahren gebildet ist der Stromfluß auf einen Weg in der n-Zone10δ
werden können, zwischen den dort befindlichen Elektroden be-
Fig.2 und 2a Beispiele von Kondensatoren, die 30 schränkt. Ferner kann der Gesamtwiderstandswert
nach dem erfindungsgemäßen Verfahren gebildet in weiten Grenzen beliebig eingestellt werden,
werden können, Der Gesämtwiderstandswert kann beispielsweise
Fig. 3 ein Beispiel eines ÄC-Glieds mit verteiltem feicht durch Ätzen der gesamten Oberfläche befein-Widerstähd und verteilter Kapazität, das nach dem fhißt worden, wodurch der oberste Abschnitt der erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt werden 35 n-Zone 10 b entfernt wird. Dabei muß sehr sorgkann, fältig gearbeitet werden, damit nicht durch den pn-
Fig. 4 einen Transistor* der bei einer nach dem Übergang hindurchgeätzt wird. Wahlweise kann auch
«rfmdungsgenläßen Verfahren hergestellten integrier- au bestimmten Stellen bis zum pn-übergang 13 oder
ten Halbleiterschaltungsanordnung zusätzlich gebil·- durch diesen hindurch geätzt werden, wodurch die
det werden kann, 40 wifksafne Länge des Weges, den der Strom zwischen
Fig. 5 ein Beispiel einer Diode, die nach dem er- den Elektroden nehmen muß, vergrößert wird,
fiödüngsgeniäßen Verfahren hergestellt werden kann. Schließlich ist es bei der Bildung eines Widerstandes
Fig. 5ä ein Beispiel eiaer Induktivität, die nach gemäß Flg. la möglich, durch die Steuerung der
dem erfiüdBügsgemaßeä Verfahren hergestellt wer- Dotierung Oder der Störstoffkonzentration in der
den kann, 45 n-ZonelOfc niedrigere und nahezu konstante Tem-
Fi g. 6 a eine unter Anwendung des erfindungsge- peratarköeffizienten für den Widerstand zu erzeugen.
mäßen Verfahrens hergestellte mikrominiattirisierte* Es ist offensichtlich, daß der Körper 10 α ebensogut
integrierte Maltivibfätorschälteng, η-Leitfähigkeit und die Zone 10 έ p-Leitfähigkeit be-
Fi g. 6 a d*S Schaltbild der Mältivibratorschaltung sitzen könnten.
veo Fig. 6a 16 der gleichen räamliehen Anordnung 50 Kondensätoranordriungen können durch Ausnut-
ond Züiig def Kapazität eines pn-Übergangs gebildet wer-
Fig; 7 dSS Sefealtböd der MültivibratorsdialtBfig den, wie in Fig. 2 gezeigt ist. Ein Haibleiterplätt-
von Fig. 6a m gebräedtfidber Darstellung. chen 15 mit p-Leitfähigkeit enthält eine durch Dif-
In Pig. 1 bfe 5 isma ScfcaJtHugsdemente därge- fusion gebildete n-Schieht 16. Ohmsehe Kontakte 17 steift* «Se ki aafeia Körper aus Balbleitertöaterial ge- 55 sind an entgegengesetzten Seiten der Platte 15 angebildet äteia kööeeis. Der ΚοΊτρεί besteht aus einkri- bracht. Die Kapazität eines durch Diffusion gebildestall&uiKi Halbksfteiiaateriai, wie GerröaBämn, SiIi- ten Übergangs ist gegeben durch
ziem, öder tiaei iöieriiTetellisehen Legierung, wie j
lli^ lJi
a ά
aid od4 ΛΑ. 6ο C= As ' Η
Ia Fig. 1 ist dargestelft, wie ein Widerstand in \ 12 ε F
einen* eiakristaEEBoee- Halbleiterkörper gebildet sein Darin ist A die Fläche des Übergangs in Qüädrat-
ftaan. Der tÄ^kferStand ist ein- Massewiderstand mit Zentimeter, ε die Dielektrizitätskonstante, q die elek-
elnem JEörpef W aas Halbleitermaterial des Leit- ironische Ladung, α der Störstoff-Dichtegradient und ffihigkeitstyps- n- odftf p. Elafetroden 11 und 12 sind 65 V die angelegte Spannung.
mit oiiiHsehen Kontakt· an öifler Oberfläche des Kör- Fig. 2a zeigt eine andere Möglichkeit der Bildung
pers IG in söfehdm AiüWasd: Voneinander angöbfacht, eines Kondensators in einem Körper aus einem ein-
daß def gefcüöecnte Wkterstajaäswert erteicht wird. kristallinen Halbleitermaterial. Ein Körper 15 α aus
5 6
Halbleitermaterial entweder mit n- oder p-Leitfähig- Bei den zuvor beschriebenen Schaltungselementen keit bildet eine Belegung des Kondensators. Auf den wurde von Halbleiterkörpern mit einem einzigen Körper 15 α ist eine dielektrische Schicht 18 für den durch Diffusion gebildeten pn-übergang ausgegan-Kondensator aufgedampft. Es ist notwendig, daß die gen. Es können aber auch Halbleiterkörper mit zwei Schicht 18 eine geeignete Dielektrizitätskonstante be- 5 pn-Ubergängen verwendet werden. Durch entspresitzt und in Berührung mit dem Halbleiterkörper 15 α chend gesteuerte Diffusion können sowohl npn- als inert ist. Es wurde gefunden, daß Siliziumoxyd ein auch pnp-Strukturen erzeugt werden,
geeignetes Material für die dielektrische Schicht 18 Da alle oben beschriebenen Schaltungselemente ist, das durch Aufdampfen oder thermische Oxyda- aus einem einzigen Material, einem Halbleiter, -gebiltion auf den Körper 15 α aufgebracht werden kann. io det werden, können, ist es durch geeignete Form-Die Platte 19 bildet den anderen Kondensatorbelag; gebung möglich, sie alle in einem einzigen einkristalsie ist durch Aufdampfen eines leitenden Materials linen Halbleiterplättchen anzuordnen, das gegebenenauf die Schicht 18 geschaffen. Für die Platte 19 haben falls einen oder mehrere durch Diffusion gebildete sich Gold und Aluminium als geeignet erwiesen. An pn-Übergänge enthält, und durch entsprechende Bedem Halbleiterkörper 15 a ist ein ohmscher Kontakt 15 arbeitung des Plättchens die richtigen Werte der 17 a angebracht, und der Anschluß an der Platte 19 Schaltungselemente und ihre Verbindung zu einer kann durch irgendeinen geeigneten elektrischen Kon- Schaltung zu erzielen. Zusätzliche pn-Übergänge für takt hergestellt werden. Es wurde gefunden, daß die Transistoren, Dioden und Kondensatoren können nach Fig. 2a gebildeten Kondensatoren sehr viel durch .geeignet geformteMesaschichten auf dem Körstabilere Eigenschaften zeigen als die in F i g. 2 ge- ao per gebildet werden,
zeigten pri-Übergangskondensatoren. Bekanntlich unterscheidet man aktive und passive
Ein nach Fig. 2 hergestellter Kondensator ist Schaltungselemente, wobei aktive Schaltungselemente gleichzeitig eine Diode und muß deshalb in der in einem Impedanznetzwerk als Stromerzeuger wir-Schaltung geeignet vorgespannt werden. Nicht vor- ken, während dies für. passive Schaltungselemente gespannte Kondensatoren können dadurch hergestellt 25 nicht, zutrifft. Beispiele für aktive Schaltungselemente werden, daß solche Übergänge gegensinnig aufein- sind Fotozellen und Transistoren, und Beispiele für andergelegt werden. Derartige Übergangskondensa- passive Schaltungselemente sind Widerstände, Kontoren besitzen zwar eine merkliche Spannungsabhän- densatoren und Induktivitäten. Dioden werden norgigkeit, doch macht sich diese bei niedrigen Span- malerweise als passive Schaltungselemente verwenntmgen in der nicht vorgespannten Anordnung nur 30 det, bei geeigneter Vorspannung und Energieversorin geringem Maße bemerkbar. gung können sie aber auch aktiv wirken.
Widerstands- und Kondensatoranordnungen kön- Die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahnen zu einer i?C-Schaltung mit verteilten Elementen rens soll an Hand der in Fig. 6a, 6b und 7 dargekombiniert werden. Eine solche Schaltung ist in stellten integrierten Multrvibratorschaltung beschrie-F i g. 3 gezeigt. Ein Plättchen 20 mit p-Leitfähigkeit 35 ben werden. Die in F ί g. 6 a dargestellte Anordnung enthält eine Schicht 21 mit η-Leitfähigkeit. An der besteht aus einem dünnen Plättchen aus einem einOberseite ist ein breiter Flächenkontakt 22 angeord- kristallinen Halbleitermaterial, in dem durch Diffunet, und die Unterseite trägt im Abstand liegende sion ein pn-übergang gebildet ist. Dieses Plättchen Elektroden 23. Derartige Schaltungen sind für Tief- ist so bearbeitet und geformt, daß sämtliche Schalpaßfilter, Phasenschieber, Kopplungselemente usw. 40 tungseleinente der Multivibratorschältung in inteverwendbar; ihre Parameter können aus den obigen grierter Form im wesentlichen an einer Hauptfiäche Gleichungen berechnet werden. Es sind auch andere des Plättchens gebildet sind. Zum besseren Verständgeometrische Anordnungen dieser allgemeinen Art nis sind die in Fig. 6a körperlich dargestellten möglich. Schaltungselemente in dem Schaltbild von Fig. 6b
Transistoren und Dioden können in dem Plättchen 45 in der gleichen räumlichen Anordnung gezeigt, wähauf die von Lee in »Bell System Technical Journal«, rend Fig. 7 das Schaltbild in gebräuchlicher Dar-Bd. 35 (1956), S. 23, beschriebene Weise gebildet stellung zeigt, wobei auch die Werte der Schaltungswerden. Der in dieser Literaturstelle beschriebene elemente angegeben sind.
Transistor ist in Fig. 4 gezeigt. Er enthält eine KoI- Die Herstellung der Anordnung von Fig. 6a soll lektorzone 25, einen durch Diffusion gebildeten pn- 50 an Hand eines praktischen Beispiels beschrieben Übergang 26, eine Basisschicht 27, eine Emitterelek- werden. Zuerst wird ein Halbleiterplättchen aus Gertrode 28, die in einem gleichrichtenden Kontakt manium des Leitfähigkeitstyps ρ mit einem spezifimit der Basisschicht27 steht, sowie Basis- und KoI- sehen Widerstand von 3 Ohm · cm auf einer Seite lektorelektroden 29 bzw. 30. Die Basisschicht 27 hat geläppt und poliert. Das Plättchen wird dann einem die Form einer Mesaschicht von kleinem Querschnitt. 55 Diffusionsprozeß mit Antimon unterworfen, der an Eine auf ähnliche Art gebildete Diode ist in Fig. 5 der Oberseite eine η-Schicht von etwa 17,5 μ Tiefe gezeigt; sie besteht aus einer Zone 35 eines Leitfähig- erzeugt. Das Plättchen wird dann auf 5-2 mm zugekeitstyps, einer Mesazone 36 des entgegengesetzten schnitten, und die nicht polierte Oberfläche wird ge-Leitfähigkeitstyps, wobei der dazwischenliegende pn- läppt, so daß sich eine Plättchendicke von 62,5 μ Übergang durch Diffusion gebildet ist, und aus Elek- 60 ergibt,
troden 37 bzw. 38 an den beiden Zonen. Gordplattierte Leitungen 50 aus einer Eisen-
Dürch geeignete Formgebung des Halbleitermate- Nickel-Kobalt-Legierung werden in geeigneter Lage
rials können auch kleine, für Hochfrequenz geeignete durch Legieren an dem Plättchen angebracht. Dann
Induktivitäten hergestellt werden; als Beispiel ist in wird Gold durch eine Maske zur Schaffung der Flä-
F i g. 5 a eine Spirale aus Halbleitermaterial gezeigt. 65 chen 51 bis 54 aufgedampft, welche in ohmschem
Es ist auch möglich, lichtempfindliche Zellen, Foto- Kontakt mit der η-Zone stehen und die Basiselektro-
widerstände, Sonnenbatteriezellen und ähnliche den für die Transistoren sowie die Kondensatoran-
Schaltungselemente herzustellen. Schlüsse bilden. Zur Schaffung der Transistor-Emit-
ter-Flächen 56, die in gleichrichtendem Kontakt mit der η-Schicht stehen, wird Aluminium durch eine geeignet geformte Maske aufgedampft.
Die Platte wird dann mit einer lichtempfindlichen Deckschicht überzogen und durch ein Negativ hindurch belichtet. Das nach der Entwicklung zurückbleibende Deckschichtmaterial dient als Abdeckung für das anschließende Ätzen, mit dem dem Plättchen die erforderliche Form erteilt wird. Durch das Ätzen wird vor allem ein Schlitz in dem Plättchen gebildet, der die Isolation zwischen den Widerständen R1 und R2 und den übrigen Schaltungselementen ergibt. Ferner werden durch das Ätzen alle Widerstandsflächen auf die zuvor berechneten geometrischen Abmessungen gebracht. Das Ätzen kann entweder auf chemischem oder auf elektrolytischem Wege erfolgen, doch erscheint die elektrolytische Ätzung vorteilhafter. .
Nach diesem Schritt wird die lichtempfindliche Deckschicht mit einem Lösungsmittel entfernt, und die Mesaflächen 60 werden durch den gleichen fotografischen Prozeß maskiert. Die Platte wird wieder in ein Ätzmittel eingetaucht, und die n-Schicht wird an den belichteten Stellen vollständig entfernt. Eine chemische Ätzung wird hierbei als vorteilhaft angesehen. Dana wird die lichtempfindliche Deckschicht entfernt.
Anschließend werden Golddrähte 70 an den entsprechenden Stellen zur Vervollständigung der Verbindungen durch Wärmeanwendung angebracht, und es wird eine letzte Reinigungsätzung vorgenommen. Die Verbindungen können auch auf andere Weise als durch die Anbringung von Golddrähten geschaffen werden. Beispielsweise kann ein inertes Isolationsmaterial, wie etwa Siliziumoxyd, durch eine Maske hindurch auf das Halbleiterplättchen so aufgedampft werden, daß es entweder das Plättchen vollständig bedeckt, außer an den Punkten, an denen ein elektrischer Kontakt hergestellt werden muß, oder nur die Abschnitte bedeckt, über welche die Verbindungen verlaufen müssen. Dann kann elektrisch leitendes Material, z.B. Gold, auf das Isolationsmaterial so aufgetragen werden, daß es die notwendigen elektrischen Schaltungsverbindungen herstellt.
Nach der Prüfung kann die Schaltung hermetisch eingeschlossen werden, wenn dies zum Schutz gegen Verunreinigungen erforderlich ist. Die fertige Schaltung ist um mehrere Größenordnungen kleiner als jede bisher bekannte Schaltungsanordnung. Die erforderlichen Fabrikationsschritte sind denjenigen sehr ähnlich, die jetzt für die Herstellung von Transistoren verwendet werden, und die Anzahl der erforderlichen Arbeitsgänge ist verhältnismäßig klein. Die Herstellung kann daher ohne großen Aufwand schnell, einfach und billig erfolgen. Die Schaltungen sind betriebssicher und sehr kompakt.
Die als Beispiel angegebene Ausführungsform gibt einen Anhaltspunkt für die praktisch unbegrenzte Vielfalt von Schaltungen, die auf diese Weise angefertigt werden können.
Außer der einfachen und billigen Herstellung fällt dabei vor allem der geringe Raumbedarf ins Gewicht. Während es mit den bisher bekannten Maßnahmen nicht möglich war, mehr als etwa 20 000 Schaltungselemente in einem Raum von 1 dm3 unterzubringen, können mit den beschriebenen Anordnungen ohne weiteres mehr als 1000 000 Schaltungselemente in dem gleichen Raum untergebracht werden.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer mikrominiaturisierten, integrierten Halbleiterschaltungsanordnung, bei welchem wenigstens zwei passive Schaltungselemente in verschiedenen Gebieten
ίο eines Halbleiterplättchens gebildet werden, dadurch gekennzeichnet, daß eine Fläche des Plättchens zur Begrenzung der Gebiete in an sich bekannter Weise durch eine Maske abgedeckt wird, daß die elektrischen Eigenschaften des HaIbleitermaterials so geändert werden, daß diese Gebiete die gewöhnlichen Eigenschaften der Schaltungselemente aufweisen, und daß diese Gebiete im Innern des Halbleiterplättchens durch Bereiche hohen Widerstandes elektrisch voneinander ge-
ao trennt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der passiven Schaltungselemente Störstoffe in Gebiete an der gleichen Fläche des Plättchens eindiffundiert werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Einduffusion von Störstoffen in verschiedene Gebiete gleichzeitig erfolgt.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ohmsche Kontakte an einer Fläche des Plättchens zum Anschluß der passiven Schaltungselemente angebracht werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 833 366, 949 422;
deutsche Auslegeschrift Nr. 1011081, 1040700; deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1672 315;
britische Patentschriften Nr. 736 289, 761 926,
207;
belgische Patentschrift Nr. 550 586;
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660 624, 2 662 957, 2 663 806, 2 663 83' ·,
2 667 607, 2 680 220, 2709 232, 2735 948,
713 644, 2 748 041, 2 816 228, 2 817 048,
824 977, 2 836 776, 2 754 431, 2 847 583,
856 544, 2 858 489, 2 878 147, 2 897 295,
910 634, 2915 647, 2 916408, 2 922937,
2 935 668, 2 944165, 2 967952, 2 976 426,
994 834, 2 995 686, 2 998 550, 3 005 937,
022 472, 3 038 085, 3 070 466;
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Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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