[go: up one dir, main page]

DE1196295B - Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung - Google Patents

Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung

Info

Publication number
DE1196295B
DE1196295B DET17835A DET0017835A DE1196295B DE 1196295 B DE1196295 B DE 1196295B DE T17835 A DET17835 A DE T17835A DE T0017835 A DET0017835 A DE T0017835A DE 1196295 B DE1196295 B DE 1196295B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
circuit elements
circuit
circuit arrangement
transistors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DET17835A
Other languages
English (en)
Inventor
Jack St Clair Kilby
Richard Frank Stewart
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=27408060&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE1196295(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of DE1196295B publication Critical patent/DE1196295B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/40—Resistors
    • H10D1/43—Resistors having PN junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/62—Capacitors having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/62—Capacitors having potential barriers
    • H10D1/64—Variable-capacitance diodes, e.g. varactors 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/62—Capacitors having potential barriers
    • H10D1/66—Conductor-insulator-semiconductor capacitors, e.g. MOS capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/0112—Integrating together multiple components covered by H10D8/00, H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integrating multiple BJTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
    • H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
    • H10D84/038—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/201—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits
    • H10D84/204—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H10D84/611—Combinations of BJTs and one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10D84/613—Combinations of vertical BJTs and one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P10/00—
    • H10P14/6309—
    • H10P50/613—
    • H10P76/40—
    • H10P95/00—
    • H10W10/00—
    • H10W10/01—
    • H10W10/031—
    • H10W10/30—
    • H10W20/497—
    • H10W74/43—
    • H10W72/07554—
    • H10W72/536—
    • H10W72/5473—
    • H10W72/5522—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/98—Utilizing process equivalents or options

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
int. α.:
Nummer:
Aktenzeichen: Anmeldetag:
Auslegetag:
HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
T17835 VIII c/21g 5. Februar 1960 8. JuU 1965
Anmelder:
Texas Instruments Incorporated, Dallas, Tex. (V. St. A.) Vertreter:
Dipl.-Ing E. Prinz und Dr. rer. nat. G. Hauser, Patentanwälte, München-Pasing, Ernsbergerstr. 19
Als Erfinder benannt: Jack St. Clair Kilby, Dallas, Tex.; Richard Frank Stewart, Richardson, Tex. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 6. Februar 1959 (791602), vom 12. Februar 1959 (792 840)
Mikrominiaturisierte, integrierte
Die Erfindung bezieht sich auf eine mikrominia- Halbleiterschaltungsanordnung
tunsierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung mit einem Halbleiterplättchen mit Zonen unterschiedlichen Leitungstyps und/oder unterschiedlicher Leitfähigkeit, in welchem oder auf welchem zwei 5 oder mehrere verschiedenartige aktive und/oder passive Schaltungselemente derart gebildet sind, daß sie durch das Halbleitermaterial hindurch wenigstens teilweise voneinander elektrisch getrennt sind, und welche ohmsche Kontakte aufweisen, die miteinander io leitend verbunden sind.
Zur Miniaturisierung von Schaltungsanordnungen
ist bereits der theoretische Vorschlag bekannt, einen
Siliziumblock so zu dotieren und zu formen, daß er
vier normalen Transistoren und vier Widerständen 15
äquivalent ist, wobei den Transistoren zwei Emitterzonen und zwei Kollektorzonen gemeinsam sind.
Weitere Widerstände und Kondensatoren sind unter
Einfügung von isolierenden Schichten in Form von
Filmen unmittelbar so auf dem Siliziumblock ge- 20
bildet, daß alle Schaltungselemente zusammen einen
Multivibrator bilden. Zu diesem Zweck sind parallel
zu der Ober- und Unterseite des Siliziumblocks zwei
pn-Übergänge gebildet, die sich zu den Seitenflächen
des Blocks erstrecken. Zur gegenseitigen Trennung 25 ^
der einzelnen Transistoren und Widerstände sind *
Durchbohrungen von den Seitenflächen her quer Herstellungsschritte in getrennter Form vorliegen, durch den Block sowie verschiedene Einschnitte ge- was die Handhabung sehr erschwert. Der Miniaturibildet, so daß schließlich die vier Ecken des Blocks sierung sind dadurch Grenzen gesetzt, und die Anje einen Transistor darstellen, deren Kollektor- und 30 wendung automatisierter Massenfertigungsverfahren Emitterzonen zum Teil durch stehengebliebene ist weitgehend unmöglich. Insbesondere ist eine Siliziumbrücken verbunden sind, welche die Rolle große Zahl sehr verschiedenartiger Herstellungsvon Widerständen bilden. Zur Vervollständigung der schritte erforderlich, die zum großen Teil nicht mit-Schaltung sind Kontakte an den verschiedenen einander verträglich sind, was besondere Schutzmaß-Flächen des Blocks einschließlich den Seitenflächen 35 nahmen erfordert. Schließlich ist auch die mechasowie Verbindungsleiter zu den aufgebrachten film- nische und elektrische Festigkeit durch die erforderförmigen Schaltungselementen angebracht. liehen Einschnitte und Durchbohrungen sehr beein-
Die Schaltungselemente dieses geplanten Multi- trächtigt.
vibrators sind in dem Siliziumblock in dem Sinne Im übrigen stellt dieses vorbeschriebene Gebilde
dreidimensional angeordnet, daß sowohl zu ihrer 40 eine ganz bestimmte elektronische Schaltung, näm-Herstellung als auch bei der Verwendung alle Seiten lieh einen Multivibrator mit vier in bestimmter Weise des Siliziumblocks zugänglich sein müssen. Die an verbundenen Transistoren dar, und es ist nicht ohne den Seitenflächen vorzunehmenden mechanischen weiteres möglich, dieses Gebilde so abzuändern oder Bearbeitungsmaßnahmen zur Herstellung der Ein- aufzubauen, daß es beliebige andere Schaltungsschnitte und Durchbohrungen setzen eine gewisse 45 funktionen ausüben kann. Die Anwendungsmöglich-Mindesthöhe des Blocks voraus, da sonst die Anfor- keiten dieses Gebildes sind daher auf einen engen Bederungen an die Genauigkeit zu groß werden. Dies reich begrenzt.
gilt auch für das Anbringen der Kontakte, das zum Es ist andererseits bekannt, eine Anzahl von Tran-
Teil an diesen Seitenflächen erforderlich ist, weil sistoren in einer im wesentlichen ebenen Anordnung einige Halbleiterzonen, nämlich die Basiszonen der 50 an der gleichen Fläche eines Halbleiterplättchens Transistoren, nur von dort aus zugänglich sind. gleichzeitig zu bilden und anschließend die Tran-Ferner müssen die Siliziumblöcke während dieser sistoren durch Zerteilen des Halbleiterplättchens von-
509 599/294
3 4
einander zu trennen. Dieses Verfahren soll die liebigen elektronischen Schaltung auf diese Weise geMassenherstellung von gleichartigen Schaltungsele- bildet werden können. Soweit es erwünscht und mögmenten erleichtern; eine schaltungsmäßige Verbin- lieh ist, können die Schaltungselemente im Halbleiterdung der Transistoren im zusammenhängenden Zu- material direkt miteinander schaltungsmäßig verstand oder gar die Bildung von andersartigen aktiven 5 bunden sein; im übrigen können die an der gleichen oder passiven Schaltungselementen in dem gleichen Fläche und gegebenenfalls auch an der gegenüber-Halbleiterplättchen ist dabei aber nicht vorgesehen. liegenden Fläche liegenden ohmschen Kontakte
Das Ziel der Erfindung ist demgegenüber die leicht zur Bildung jeder gewünschten Schaltung mit-Schaffung einer Halbleiterschaltungsanordnung der einander verbunden werden. Gemäß einer bevoreingangs angegebenen Art, welche mit einer verhält- io zugten Ausführungsform der Erfindung geschieht nismäßig kleinen Zahl von weitgehend miteinander dies dadurch, daß wenigstens ein Teil der ohmschen verträglichen Verfahrensschritten hergestellt werden Kontakte durch elektrisch leitendes Material miteinkann, die sich besonders auch für eine automatisierte ander verbunden ist, das auf der gleichen Fläche des Massenfertigung eignen, praktisch keinen Einschrän- Plättchens wenigstens zwischen den miteinander verkungen hinsichtlich der Zahl und Art der Halbleiter- 15 bundenen Kontakten auf Isoliermaterial aufgebracht schaltungselemente sowie deren Verbindung zu elek- ist. Diese Maßnahme ist zwar zur Verbindung der ironischen Schaltungen jeder beliebigen Art unter- Emitter- und Basiselektroden eines Transistors mit worfen ist und bei äußerst kleinen Abmessungen eine einer gedruckten Schaltung bzw. zur gegenseitigen gute mechanische und elektrische Festigkeit und eine Verbindung von mehreren Emitterzonen eines große Betriebssicherheit aufweist. 20 Silizium-Leistungstransistors an sich bereits bekannt,
Nach der Erfindung wird dies dadurch erreicht, jedoch noch nicht zum schaltungsmäßigen Verbinden daß alle Schaltungselemente einer elektrischen von beliebigen, an der gleichen Fläche eines HaIb-Funktionseinheit in einer im wesentlichen zweidimen- leiterplättchens gebildeten Schaltungselementen ansionalen ebenen Anordnung an der gleichen Fläche gewendet worden.
des Halbleiterplättchens wenigstens zum Teil in 25 Für die Bildung von Schaltungselementen verdiesem angeordnet sind. schiedener Art und Größe in der erforderlichen An-
Die nach der Erfindung ausgeführte Halbleiter- Ordnung an der einen Fläche des Halbleiterplättchens schaltungsanordnung hat die Grundform eines Platt- ist eine geeignete Formgebung wesentlich. Durch die chens, also eines Körpers mit zwei im wesentlichen Formgebung wird es möglich, die erforderliche gegenparallelen Flächen, deren Abmessungen groß gegen 30 seitige Isolation zwischen verschiedenen Sehaltungsdie Dicke des Plättchens sind, und alle in oder auf elementen herzustellen und die Bereiche zu definieren, dem Halbleiterplättchen gebildeten Schaltungsele- die von bestimmten Schaltungselementen eingenommente sind an der gleichen Fläche so angeordnet, men werden. Zu der Formgebung gehören eine gedaß sie eine im wesentlichen ebene zweidimensionale eignete geometrische Ausgangsform des Halbleiter-Anordnung bilden. Herstellungstechnisch ergibt dies 35 plättchens, beispielsweise lang und schmal, L-förmig, den Vorteil, daß die zur Bildung der Schaltungsele- U-förmig usw.; ein Entfernen von Teilen des HaIbmente, der ohmschen Kontakte und der Verbin- leitermaterials, eine stellenweise Umwandlung von düngen erforderlichen Verfahrensmaßnahmen im we- eigenleitendem Halbleitermaterial durch Eindiffunsentlichen an der gleichen Fläche des Halbleiter- dieren von Störstoffen in der Weise, daß niederohmige plättchens durchgeführt werden können; insbesondere 4° Stromwege entstehen, und eine stellenweise Umwandist es nicht erforderlich, daß die Seitenflächen des lung von Halbleitermaterial eines Leitfähigkeitstyps Plättchens zugänglich sind. Die Handhabung wird in Halbleitermaterial des entgegengesetzten Leitfähigdadurch wesentlich erleichtert. Außerdem können keitstyps in der Weise, daß der entstehende pn-Übergleichartige Verfahrensmaßnahmen für mehrere gang als Sperre für den Stromfluß wirkt. In jedem gleiche oder verschiedene Schaltungselemente gleich- 45 Fall wird durch die Formgebung erreicht, daß Wege zeitig durchgeführt werden, wodurch die Anzahl der für den Stromfluß gebildet und/oder abgegrenzt wererforderlichen Verfahrensschritte weitgehend verrin- den. Dadurch wird die Bildung mehrerer verschiedengert wird. Die Bearbeitung und Behandlung von ge- artiger Schaltungselemente in einem einzigen HaIbgebenenfalls in größerer Zahl noch zusammenhän- leiterplättchen in einer im wesentlichen planaren genden HalHeiterplättchen von einer einzigen Ar- 5° Form möglich. Beispielsweise kann von einem HaIbbeitsfläche aus eignet sich besonders gut für eine leiterplättchen eines bestimmten Leitfähigkeitstyps automatisierte Massenfertigung mit großer Präzision, ausgegangen werden, in dem dann durch Diffusion guter Reproduzierbarkeit and geringem Ausschuß. Zonen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps gebildet Insbesondere können die meisten Herstellungsstufen werden, die von dem Hauptteil des Halbleitermaterials mit einer kleinen Anzahl besonders gut miteinander 55 oder voneinander durch die entstehenden pn-Überverträglicher Verfahrensmaßnahmen, wie Maskieren, gänge abgegrenzt sind. Dadurch können Schaltungs-Ätzen, Diffusion, Aufdampfen usw., durchgeführt elemente in der gewünschten Gestalt und gegenwerden, seitigen Lage in dem Halbleiterplättchen an der glei-
Die integrierte Halbleiterschaltungsanordnung kann chen Fläche geformt werden.
auf diese Weise mit sehr kleinen Abmessungen, ins- 60 Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung beibesondere sehr geringer Dicke, und dennoch guter spielshalber erläutert. Darin zeigen
mechanischer und elektrischer Festigkeit und Zuver- . Fig. 1 bis 5a schematisch Beispiele verschiedener lässigkeit gefertigt werden. Schaltungselemente, die in einer nach der Erfindung
Hinsichtlich der Zahl und Art der in der zwei- ausgeführten mikrominiaturisierten, integrierten HaIbdimensionalen Anordnung an der gleichen Haupt- 65 leiterschaltungsanordnung enthalten sein können,
fläche des Plättchens nebeneinander angeordneten F i g. 6 a schematisch eine nach der Erfindung aus-
Schaltungselemente besteht praktisch keine Ein- geführte mikrominiaturisierte, integrierte Multivibraschränkung, so daß die Schaltungselemente jeder be- torschaltung,
5 6
Fig. 6b das Schaltbild der Multivibratorschaltung Steuerung der Dotierung oder der Störstoffkonzen-
von Fig. 6a in der gleichen räumlichen Anordnung, tration in der η-Zone 10 b niedrigere und nahezu
Fig. 7 das Schaltbild der Multivibratorschaltung konstante Temperaturkoeffizienten für den Wider-
von F i g. 6 a in gebräuchlicher Darstellung, stand zu erzeugen. Es ist offensichtlich, daß der Kör-
Fig. 8a schematisch einen nach der Erfindung 5 per 10α ebensogut η-Leitfähigkeit und die Zone 10b
ausgeführten mikrominiaturisierten, integrierten Pha- p-Leitfähigkeit besitzen könnten,
senschieberoszillator, Kondensatoranordnungen können durch Ausnut-
Fig. 8b das Schaltbild der Anordnung von zung der Kapazität eines pn-Übergangs gebildet wer-
F i g. 8 a in der gleichen räumlichen Anordnung und den, wie in F i g. 2 gezeigt ist. Ein Halbleiterplättchen
Fig. 8c das Schaltbild des Phasenschieberoszil- io 15 mit p-Leitfähigkeit enthält eine durch Diffusion
lators von F i g. 8 a in gebräuchlicher Darstellung. gebildete n-Schicht 16. Ohmsche Kontakte 17 sind an
In F ig. Ibis 5 sind Schaltungselemente dargestellt, entgegengesetzten Seiten der Platte 15 angebracht, die in einem Körper aus Halbleitermaterial gebildet Die Kapazität eines durch Diffusion gebildeten Übersein können. Der Körper besteht aus einkristallinem gangs ist gegeben durch:
Halbleitermaterial, wie Germanium, Silizium, oder 15 t
einer intermetallischen Legierung, wie Galliumarsenid, I α · α Ϋ
Aluminiumantimonid, Indiumantimonid od. dgl. C = A-S I—^—— J
In Fig. 1 ist dargestellt, wie ein Widerstand in \ιΙεν j
einem einkristallinen Halbleiterkörper gebildet sein
kann. Der Widerstand ist ein Massewiderstand mit 20 Darin ist A die Fläche des Übergangs in Quadrateinem Körper 10 aus Halbleitermaterial des Leit- Zentimeter, ε die Dielektrizitätskonstante, q die elekfähigkeitstyps η oder p. Elektroden 11 und 12 sind mit ironische Ladung, α der Störstoff-Dichtegradient und ohmschen Kontakt an einer Oberfläche des Körpers V die angelegte Spannung.
10 in solchem Abstand voneinander angebracht, daß F i g. 2 a zeigt eine andere Möglichkeit der Bildung
der gewünschte Widerstandswert erreicht wird. Ein 25 eines Kondensators in einem Körper aus einem einohmscher Kontakt besitzt bekanntlich Symmetrie und kristallinen Halbleitermaterial. Ein Körper 15 a aus Linearität im Widerstandsverhalten, so daß der Strom Halbleitermaterial entweder mit n- oder p-Leitfähigin jeder Richtung hindurchfließen kann. Wenn zwei keit bildet eine Belegung des Kondensators. Auf den Widerstände miteinander verbunden werden sollen, Körper 15 α ist eine dielektrische Schicht 18 für den ist es nicht notwendig, getrennte Anschlüsse für den 30 Kondensator aufgedampft. Es ist notwendig, daß die gemeinsamen Punkt zu schaffen. Der Widerstand Schicht 18 eine geeignete Dielektrizitätskonstante bekann berechnet werden aus sitzt und in Berührung mit dem Halbleiterkörper 15 a
inert ist. Es wurde gefunden, daß Siliziumoxyd ein
„ _ L^ geeignetes Material für die dielektrische Schicht 18
~ A' 35 ist, das durch Aufdampfen oder thermische Oxydation
auf den Körper 15 a aufgebracht werden kann. Die
Darin ist L die aktive Länge in Zentimeter, A die Platte 19 bildet den anderen Kondensatorbelag; sie Querschnittsfläche und ρ der spezifische Widerstand ist durch Aufdampfen eines leitenden Materials auf des Halbleitermaterials in Ohm · cm. die Schicht 18 geschaffen. Für die Platte 19 haben
In Fig. la ist eine andere Möglichkeit der Bildung 40 sich Gold und Aluminium als geeignet erwiesen. An eines Widerstands in einem Körper aus Halbleiter- dem Halbleiterkörper 15 a ist ein ohmscher Kontakt material gezeigt. In diesem Fall ist in dem Körper 10a 17a angebracht, und der Anschluß an der Platte 19 aus Halbleitermaterial des Leitfähigkeitstyps ρ eine kann durch irgendeinen geeigneten elektrischen Konn-Zone 10 b gebildet. Dann besteht zwischen dem takt hergestellt werden. Es wurde gefunden, daß die Körper 10α und der Zone 10δ ein pn-übergang. Die 45 nach Fig. 2a gebildeten Kondensatoren sehr viel Elektroden 11 α und 12a sind an einer Oberfläche der stabilere Eigenschaften zeigen als die in Fig. 2 geZone 10 & in solchem Abstand angeordnet, daß der zeigten pn-Übergangskondensatoren.
erwünschte Widerstandswert erreicht wird. Wie in Ein nach Fig. 2 hergestellter Kondensator ist
Fig. 1 stehen die Elektroden lla und 12 a in ohm- gleichzeitig eine Diode und muß deshalb in derSchalschem Kontakt mit der Zone 10b. Bei dem in Fig. la 50 tung geeignet vorgespannt werden. Nicht vorgespannte dargestellten Widerstand bildet der pn-übergang eine Kondensatoren können dadurch hergestellt werden, Sperre für den Stromfluß von der n-Zone 10 & zu dem daß solche Übergänge gegensinnig aufeinandergelegt p-Körper 10 a; dadurch ist der Stromfluß auf einen werden. Derartige Übergangskondensatoren besitzen Weg in der n-Zone 10 & zwischen den dort befind- zwar eine merkliche Spannungsabhängigkeit, doch liehen Elektroden beschränkt. Ferner kann der Ge- 55 macht sich diese bei niedrigen Spannungen in der samtwiderstandswert in weiten Grenzen beliebig ein- nicht vorgespannten Anordnung nur in geringem gestellt werden. Der Gesamtwiderstandswert kann Maße bemerkbar.
beispielsweise leicht durch Ätzen der gesamten Ober- Widerstands- und Kondensatoranordnungen kön-
fläche beeinflußt werden, wodurch der oberste Ab- nen zu einer .RC-Sehaltung mit verteilten Elementen schnitt der n-Zone 10 b entfernt wird. Dabei muß 6° kombiniert werden. Eine solche Schaltung ist in sehr sorgfältig gearbeitet werden, damit nicht durch F i g. 3 gezeigt. Ein Plättchen 20 mit p-Leitfähigkeit den pn-übergang hindurchgeätzt wird. Wahlweise enthält eine Schicht 21 mit η-Leitfähigkeit. An der kann auch an bestimmten Stellen bis zum pn-Über- Oberseite ist ein breiter Flächenkontakt 22 angeordgang 13 oder durch diesen hindurch geätzt werden, net, und die Unterseite trägt im Abstand liegende wodurch die wirksame Länge des Weges, den der 65 Elektroden 23. Derartige Schaltungen sind für Tief-Strom zwischen den Elektroden nehmen muß, ver- paßfilter, Phasenschieber, Kopplungselemente usw. größert wird. Schließlich ist es bei der Bildung eines verwendbar; ihre Parameter können aus den obigen Widerstandes gemäß Fig. la möglich, durch die Gleichungen berechnet werden. Es sind auch andere
7 8
geometrische Anordnungen dieser allgemeinen Art seren Verständnis sind die in F i g. 6 a körperlich darmöglich, gestellten Schaltungselemente in dem Schaltbild von
Transistoren und Dioden können in dem Plättchen Fig. 6b in der gleichen räumlichen Anordnung geauf die von Lee in »Bell System Technical Journal«, zeigt, während Fig. 7 das Schaltbild in gebräuch-Bd. 35, S. 23. bis 34 (1956), beschriebene Weise ge- 5 licher Darstellung zeigt, wobei auch die Werte der bildet werden. Der in dieser Literaturstelle beschrie- Schaltungselemente angegeben sind,
bene Transistor ist in Fig. 4 gezeigt. Er enthält eine Die Herstellung der Anordnung von Fig. 6a soll Kollektorzone 25, einen durch Diffusion gebildeten an Hand eines praktischen Beispiels beschrieben werpn-Übergang 26, eine Basisschicht 27, eine Emitter- den. Zuerst wird ein Halbleiterplättchen aus Gerelektrode 28, die in einem gleichrichtenden Kontakt io manium des Leitfähigkeitstyps ρ mit einem spezimit der Basisschicht 27 steht, sowie Basis- und KoI- fischen Widerstand von 3 Ohm · cm auf einer Seite lektorelektroden 29 bzw. 30. Die Basisschicht 27 hat geläppt und poliert. Das Plättchen wird dann einem die Form einer Mesaschicht von kleinem Querschnitt. Diffusionsprozeß mit Antimon unterworfen, der an Eine auf ähnliche Art gebildete Diode ist in F i g. 5 der Oberseite eine η-Schicht von etwa 17,5 μ Tiefe gezeigt; sie besteht aus einer Zone 35 eines Leitfähig- 15 erzeugt. Das Plättchen wird dann auf 5 · 2 mm zukeitstyps, einer Mesazone 36 des entgegengesetzten geschnitten, und die nichtpolierte Oberfläche wird ge-Leitfähigkeitstyps, wobei der dazwischenliegende läppt, so daß sich eine Plättchendicke von 62,5 μ erpn-Übergang durch Diffusion gebildet ist, und aus gibt.
Elektroden 37 bzw. 38 an den beiden Zonen. Goldplattierte Kovarleitungen 50 werden in geeig-
Durch geeignete Formgebung des Halbleitermate- ao neter Lage durch Legieren an dem Plättchen angerials können auch kleine, für Hochfrequenz geeignete bracht. Kovar ist eine Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung. Induktivitäten hergestellt werden; als Beispiel ist in Dann wird Gold durch eine Maske zur Schaffung der F i g. 5 a eine Spirale aus Halbleitermaterial gezeigt. Flächen 51 bis 54 aufgedampft, welche in ohmschem Es ist auch möglich, lichtempfindliche Zellen, Foto- Kontakt mit der η-Zone stehen und die Basiselekwiderstände, Sonnenbatteriezellen und ähnliche Schal- 25 troden für die Transistoren sowie die Kondensatortungselemente herzustellen, anschlüsse bilden. Zur Schaffung der Transistor-
Bei den zuvor beschriebenen Schaltungselementen Emitter-Flächen 56, die in gleichrichtendem Kontakt
wurde von Halbleiterkörpern mit, einem einzigen mit der η-Schicht stehen, wird Aluminium durch eine
durch Diffusion; gebildeten pn-übergang ausgegangen. geeignet geformte Maske aufgedampft.
Es können aber auch Halbleiterkörper mit zwei 30 Die Platte wird dann mit einer lichtempfindlichen
pn-Übergängen verwendet werden. Durch entspre- Deckschicht überzogen und durch ein Negativ hin-
chend gesteuerte, .Diffusion können sowohl npn- als durch belichtet. Das nach der Entwicklung zurück-
auch pnp-Strukturen erzeugt werden. bleibende Deckschichtmaterial dient als Abdeckung
Da alle oben beschriebenen Schaltungselemente für das anschließende Ätzen, mit dem dem Plättchen aus einem einzigen Material, einem Halbleiter, gebil- 35 die erforderliche Form erteilt wird. Durch das Ätzen det werden können, ist es durch geeignete Form- wird vor allem ein Schlitz in dem Plättchen gebildet, gebung möglich, sie alle in einem einzigen einkristal- der die Isolation zwischen den Widerständen R1 und linen Halbleiterplättchen anzuordnen, das gegebenen- R 2 und den übrigen Schaltungselementen ergibt, falls einen oder mehrere durch Diffusion gebildete Ferner werden durch das Ätzen alle Widerstandspn-Übergänge enthält, und durch entsprechende Be- 40 flächen auf die zuvor berechneten geometrischen Abarbeitung des Plättchens die richtigen Werte der messungen gebracht. Das Ätzen kann entweder auf Schaltungselemente ■ und ihre Verbindung zu einer chemischem oder auf elektrolytischem Weg erfolgen, Schaltung zu erzielen. Zusätzliche pn-Übergänge für doch erscheint die elektrolytische Ätzung vorteil-Transistoren, Dioden und Kondensatoren können hafter.
durch geeignet geformte Mesaschichten auf dem Kör- 45 Nach diesem Schritt wird die lichtempfindliche
per gebildet werden. Deckschicht mit einem Lösungsmittel entfernt, und
Bekanntlich unterscheidet man aktive und passive die Mesaflächen 60 werden durch den gleichen foto-Schaltungselemente, wobei aktive Schaltungselemente grafischen Prozeß maskiert. Die Platte wird wieder in einem Imnpedanznetzwerk als Stromerzeuger wir- in ein Ätzmittel eingetaucht, und die η-Schicht wird ken, während dies für passive Schaltungselemente 50 an den belichteten Stellen vollständig entfernt. Eine nicht zutrifft. Beispiele für aktive Schaltungselemente chemische Ätzung wird hierbei als vorteilhaft ansind Fotozellen und Transistoren, Und Beispiele für gesehen. Dann wird die lichtempfindliche Deckschicht passive Schaltungselemente sind Widerstände, Kon- entfernt.
densatoren und Induktivitäten. Dioden werden nor- Anschließend werden Golddrähte 70 an den ent-
malerweise als passive Schaltungselemente verwendet, 55 sprechenden Stellen zur Vervollständigung der Ver-
bei geeigneter Vorspannung und Energieversorgung bindungen durch Wärmeanwendung angebracht, und
können sie aber auch aktiv wirken. es wird eine letzte Reinigungsätzung vorgenommen.
Als Beispiel für eine nach der Erfindung ausgeführte Die Verbindungen können auch auf andere Weise als
integrierte Halbleiterschaltungsanordnung soll zu- durch die Anbringung von Golddrähten geschaffen
nächst die in Fig. 6a, 6b und 7 dargestellte Multi- 60 werden. Beispielsweise kann ein inertes Isolations-
vibratorschaltung beschrieben werden. Die in Fig. 6 a material, wie etwa Siliziumoxyd, durch eine Maske
dargestellte Anordnung besteht aus einem dünnen hindurch auf das Halbleiterplättchen so aufgedampft
Plättchen aus einem einkristallinen Halbleitermaterial, werden, daß es entweder das Plättchen vollständig
in dem durch Diffusion ein pn-übergang gebildet ist. bedeckt, außer an den Punkten, an denen ein elek-
Dieses Plättchen ist so bearbeitet und geformt, daß 65 trischer Kontakt hergestellt werden muß, oder nur die
sämtliche Schaltungselemente der Multivibratorschal- Abschnitte bedeckt, über welche die Verbindungen
tung in integrierter Form im wesentlichen an einer verlaufen müssen. Dann kann elektrisch leitendes
Hauptfläche des Plättchens gebildet sind. Zum bes- Material, z. B. Gold, auf das Isolationsmaterial so
aufgetragen werden, daß es die notwendigen elektrischen Schaltungsverbindungen herstellt.
Nach der Prüfung kann die Schaltung hermetisch eingeschlossen werden, wenn dies zum Schutz gegen Verunreinigungen erforderlich ist. Die fertige Schaltung ist um mehrere Größenordnungen kleiner als jede bisher bekannte Schaltungsanordnung. Die erforderlichen Fabrikationsschritte sind denjenigen sehr ähnlich, die jetzt für die Herstellung von Transistoren verwendet werden, und die Anzahl der erforderlichen Arbeitsgänge ist verhältnismäßig klein. Die Herstellung kann daher ohne großen Aufwand schnell, einfach und billig erfolgen. Die Schaltungen sind betriebssicher und sehr kompakt.
Als weiteres Beispiel ist in F i g. 8 a bis 8 c ein vollständiger Phasenschieberoszillator gezeigt, der auf ähnliche Weise hergestellt ist. An Hand der angegebenen Schaltungssymbole ist die Darstellung ohne weiteres verständlich. Die Schaltung enthält Widerstände, einen Transistor und eine verteilte RC-Schaltung.
Die beiden als Beispiel angegebenen Ausführungsformen geben einen Anhaltspunkt für die praktisch unbegrenzte Vielfalt von Schaltungen, die auf diese Weise angefertigt werden können.
Außer der einfachen und billigen Herstellung fällt dabei vor allem der geringe Raumbedarf ins Gewicht. Während es mit den bisher bekannten Maßnahmen nicht möglich war, mehr als etwa 20 000 Schaltungselemente in einem Raum von 1 dm3 unterzubringen, können mit den beschriebenen Anordnungen ohne weiteres mehr als 1000000 Schaltungselemente in dem gleichen Raum untergebracht werden.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung mit einem Halbleiterplättchen mit Zonen unterschiedlichen Leitungstyps und/oder unterschiedlicher Leitfähigkeit, in welchem oder auf welchem zwei oder mehrere verschiedenartige aktive und/oder passive Schaltungselemente derart gebildet sind, daß sie durch das Halbleitermaterial hindurch wenigstens teilweise voneinander elektrisch getrennt sind, und welche ohmsche Kontakte aufweisen, die miteinander leitend verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß alle Schaltungselemente einer elektrischen Funktionseinheit in einer im wesentlichen zweidimensionalen, ebenen Anordnung an
der gleichen Fläche des Halbleiterplättchens wenigstens zum Teil in diesem angeordnet sind.
2. Halbleiterschaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Teil der ohmschen Kontakte durch elektrisch leitendes Material miteinander verbunden ist, das in an sich bekannter Weise auf Isoliermaterial aufgebracht ist, das auf der gleichen Hache des Plättchens wenigstens zwischen den miteinander verbundenen Kontakten angeordnet ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Schaltungselemente ein Transistor, ein
. Kondensator und ein Widerstand eines Oszillators sind.
4. Halbleiterschaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Schaltungselemente Transistoren, Kondensatoren und/oder Dioden und Widerständeeines Multivibrators sind.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 833 366, 949 422;
deutsche Auslegeschriften Nr. 1011 081,
1040 700;
deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1672315;
britische Patentschriften Nr. 736 289, 761926,
805207;
belgische Patentschrift Nr. 550 586;
USA.-Patentschriften Nr. 2493199, 2629802, 2660624, 2662957, 2663 806, 2663830, 2667607, 2680220, 2709232, 2735948, 2713 644, 2748041, 2816228, 2817048, 2824977, 2836776, 2754431, 2847583, 2856544, 2858489, 2878147, 2897295, 2910634, 2915647, 2916408, 2922937, 2935668, 2944165, 2967952, 2976426, 2994834, 2995686, 2998550, 3005937, 3022472, 3 038085, 3070466; Electronic & Radio Engineer, November 1957, S. 429;
Aviation Week, April 8, 1957, S. 86 bis 94;
Instruments & Automation, April 1957,
S. 667/668;
Electronics, 7. 8.1959, S. 110/111;
»Proceedings of an International Symposium on Electronic Components« by Dummer, S. 4, Fig. 19, Royal Radar Establishment Malvern, England, 24. bis 26. 9. 1957, veröffentlicht im United Kingdom, August 1958;
Control Engineering, Februar 1958, S. 31/32, »Army develops printed Transistors«.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
509 599/294 6.65 © Bundesdruckerei Berlin
DET17835A 1959-02-06 1960-02-05 Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung Pending DE1196295B (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US791602A US3138743A (en) 1959-02-06 1959-02-06 Miniaturized electronic circuits
US792840A US3138747A (en) 1959-02-06 1959-02-12 Integrated semiconductor circuit device
US352380A US3261081A (en) 1959-02-06 1964-03-16 Method of making miniaturized electronic circuits

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1196295B true DE1196295B (de) 1965-07-08

Family

ID=27408060

Family Applications (8)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DET17835A Pending DE1196295B (de) 1959-02-06 1960-02-05 Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung
DET27613A Pending DE1196296B (de) 1959-02-06 1960-02-05 Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19601196299D Expired DE1196299C2 (de) 1959-02-06 1960-02-05 Mikrominiaturisierte, integrierte halbleiterschaltungsanordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DET27618A Pending DE1196301B (de) 1959-02-06 1960-02-05 Verfahren zur Herstellung mikrominiaturisierter, integrierter Halbleiteranordnungen
DET27615A Pending DE1196298B (de) 1959-02-06 1960-02-05 Verfahren zur Herstellung einer mikrominiaturisierten, integrierten Halbleiterschaltungsanordnung
DET27617A Pending DE1196300B (de) 1959-02-06 1960-02-05 Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiter-schaltungsanordnung
DE1960T0027614 Expired DE1196297C2 (de) 1959-02-06 1960-02-05 Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19641439754 Pending DE1439754B2 (de) 1959-02-06 1964-12-02 Kondensator und verfahren zu seiner herstellung

Family Applications After (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DET27613A Pending DE1196296B (de) 1959-02-06 1960-02-05 Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19601196299D Expired DE1196299C2 (de) 1959-02-06 1960-02-05 Mikrominiaturisierte, integrierte halbleiterschaltungsanordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DET27618A Pending DE1196301B (de) 1959-02-06 1960-02-05 Verfahren zur Herstellung mikrominiaturisierter, integrierter Halbleiteranordnungen
DET27615A Pending DE1196298B (de) 1959-02-06 1960-02-05 Verfahren zur Herstellung einer mikrominiaturisierten, integrierten Halbleiterschaltungsanordnung
DET27617A Pending DE1196300B (de) 1959-02-06 1960-02-05 Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiter-schaltungsanordnung
DE1960T0027614 Expired DE1196297C2 (de) 1959-02-06 1960-02-05 Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19641439754 Pending DE1439754B2 (de) 1959-02-06 1964-12-02 Kondensator und verfahren zu seiner herstellung

Country Status (10)

Country Link
US (3) US3138743A (de)
JP (1) JPS6155256B1 (de)
AT (1) AT247482B (de)
CH (8) CH415869A (de)
DE (8) DE1196295B (de)
DK (7) DK104470C (de)
GB (14) GB945741A (de)
MY (14) MY6900300A (de)
NL (7) NL6608446A (de)
SE (1) SE314440B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1240590B (de) * 1961-10-20 1967-05-18 Westinghouse Electric Corporation, East Pittsburgh, Pa. (V. St. A.) Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung
EP0013173A3 (en) * 1978-12-26 1980-10-29 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Monolithic distributed resistor-capacitor device and circuit utilizing polycrystalline semiconductor material

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1208012C2 (de) * 1959-08-06 1966-10-20 Telefunken Patent Flaechentransistor fuer hohe Frequenzen mit einer Begrenzung der Emission des Emitters und Verfahren zum Herstellen
US3202891A (en) * 1960-11-30 1965-08-24 Gen Telephone & Elect Voltage variable capacitor with strontium titanate dielectric
NL298196A (de) * 1962-09-22
US3235945A (en) * 1962-10-09 1966-02-22 Philco Corp Connection of semiconductor elements to thin film circuits using foil ribbon
GB1047390A (de) * 1963-05-20 1900-01-01
US3300832A (en) * 1963-06-28 1967-01-31 Rca Corp Method of making composite insulatorsemiconductor wafer
BE650116A (de) * 1963-07-05 1900-01-01
US3290758A (en) * 1963-08-07 1966-12-13 Hybrid solid state device
US3264493A (en) * 1963-10-01 1966-08-02 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor circuit module for a high-gain, high-input impedance amplifier
US3341755A (en) * 1964-03-20 1967-09-12 Westinghouse Electric Corp Switching transistor structure and method of making the same
US3323071A (en) * 1964-07-09 1967-05-30 Nat Semiconductor Corp Semiconductor circuit arrangement utilizing integrated chopper element as zener-diode-coupled transistor
US3274670A (en) * 1965-03-18 1966-09-27 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor contact
US3430110A (en) * 1965-12-02 1969-02-25 Rca Corp Monolithic integrated circuits with a plurality of isolation zones
US3486085A (en) * 1966-03-30 1969-12-23 Intelligent Instr Inc Multilayer integrated circuit structure
US3562560A (en) * 1967-08-23 1971-02-09 Hitachi Ltd Transistor-transistor logic
US3521134A (en) * 1968-11-14 1970-07-21 Hewlett Packard Co Semiconductor connection apparatus
US4416049A (en) * 1970-05-30 1983-11-22 Texas Instruments Incorporated Semiconductor integrated circuit with vertical implanted polycrystalline silicon resistor
CA1007308A (en) * 1972-12-29 1977-03-22 Jack A. Dorler Cross-coupled capacitor for ac performance tuning
US4603372A (en) * 1984-11-05 1986-07-29 Direction De La Meteorologie Du Ministere Des Transports Method of fabricating a temperature or humidity sensor of the thin film type, and sensors obtained thereby
US5144158A (en) * 1984-11-19 1992-09-01 Fujitsu Limited ECL latch circuit having a noise resistance circuit in only one feedback path
FR2596922B1 (fr) * 1986-04-04 1988-05-20 Thomson Csf Resistance integree sur un substrat semi-conducteur
DE10084887T1 (de) * 1999-08-30 2002-09-12 Inst Biophysics Cn Acad Sci Parallele Platten-Diode
KR100368930B1 (ko) * 2001-03-29 2003-01-24 한국과학기술원 반도체 기판 위에 높이 떠 있는 3차원 금속 소자, 그 회로모델, 및 그 제조방법
US7415421B2 (en) * 2003-02-12 2008-08-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for implementing an engineering change across fab facilities
US7297589B2 (en) 2005-04-08 2007-11-20 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Transistor device and method
US7741971B2 (en) * 2007-04-22 2010-06-22 James Neil Rodgers Split chip
JP2009231891A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Nec Electronics Corp 半導体装置
US8786355B2 (en) * 2011-11-10 2014-07-22 Qualcomm Incorporated Low-power voltage reference circuit
US9900943B2 (en) 2016-05-23 2018-02-20 On-Bright Electronics (Shanghai) Co., Ltd. Two-terminal integrated circuits with time-varying voltage-current characteristics including phased-locked power supplies
CN105979626B (zh) 2016-05-23 2018-08-24 昂宝电子（上海）有限公司 包括锁相电源的具有时变电压电流特性的双端子集成电路
US10872950B2 (en) 2016-10-04 2020-12-22 Nanohenry Inc. Method for growing very thick thermal local silicon oxide structures and silicon oxide embedded spiral inductors
US11325093B2 (en) 2020-01-24 2022-05-10 BiologIC Technologies Limited Modular reactor systems and devices, methods of manufacturing the same and methods of performing reactions

Citations (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE550586A (de) * 1955-12-02
US2493199A (en) * 1947-08-15 1950-01-03 Globe Union Inc Electric circuit component
DE833366C (de) * 1949-04-14 1952-06-30 Siemens & Halske A G Halbleiterverstaerker
US2629802A (en) * 1951-12-07 1953-02-24 Rca Corp Photocell amplifier construction
US2660624A (en) * 1949-02-24 1953-11-24 Rca Corp High input impedance semiconductor amplifier
US2662957A (en) * 1949-10-29 1953-12-15 Eisler Paul Electrical resistor or semiconductor
US2663830A (en) * 1952-10-22 1953-12-22 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor signal translating device
US2663806A (en) * 1952-05-09 1953-12-22 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor signal translating device
US2667607A (en) * 1952-04-26 1954-01-26 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor circuit element
DE1672315U (de) * 1952-07-29 1954-02-25 Licentia Gmbh Gleichrichter aus einem halbleitermaterial, das mit hoher stromdichte belastet werden kann.
US2680220A (en) * 1950-06-09 1954-06-01 Int Standard Electric Corp Crystal diode and triode
US2709232A (en) * 1952-04-15 1955-05-24 Licentia Gmbh Controllable electrically unsymmetrically conductive device
US2713644A (en) * 1954-06-29 1955-07-19 Rca Corp Self-powered semiconductor devices
GB736289A (en) * 1952-12-19 1955-09-07 Gen Ral Electric Company Improvements relating to transistor amplifiers
US2735948A (en) * 1953-01-21 1956-02-21 Output
US2748041A (en) * 1952-08-30 1956-05-29 Rca Corp Semiconductor devices and their manufacture
US2754431A (en) * 1953-03-09 1956-07-10 Rca Corp Semiconductor devices
DE949422C (de) * 1953-02-02 1956-09-20 Philips Nv Transistorelement und Schaltung mit demselben zum Verstaerken eines elektrischen Signals
GB761926A (en) * 1953-08-03 1956-11-21 Rca Corp Self-powered semiconductive devices
DE1011081B (de) * 1953-08-18 1957-06-27 Siemens Ag Zu einem Bauelement zusammengefasste Widerstandskondensator-Kombination
US2816228A (en) * 1953-05-21 1957-12-10 Rca Corp Semiconductor phase shift oscillator and device
US2817048A (en) * 1954-12-16 1957-12-17 Siemens Ag Transistor arrangement
US2824977A (en) * 1954-12-24 1958-02-25 Rca Corp Semiconductor devices and systems
US2836776A (en) * 1955-05-07 1958-05-27 Nippon Electric Co Capacitor
US2847583A (en) * 1954-12-13 1958-08-12 Rca Corp Semiconductor devices and stabilization thereof
DE1040700B (de) * 1956-11-16 1958-10-09 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Diffusionstransistors
US2856544A (en) * 1956-04-18 1958-10-14 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive pulse translator
US2858489A (en) * 1955-11-04 1958-10-28 Westinghouse Electric Corp Power transistor
GB805207A (en) * 1955-06-20 1958-12-03 Western Electric Co Electric circuit devices utilizing semiconductor bodies and circuits including such devices
US2878147A (en) * 1956-04-03 1959-03-17 Beale Julian Robert Anthony Method of making semi-conductive device
US2897295A (en) * 1956-06-28 1959-07-28 Honeywell Regulator Co Cascaded tetrode transistor amplifier
US2910634A (en) * 1957-05-31 1959-10-27 Ibm Semiconductor device
US2915647A (en) * 1955-07-13 1959-12-01 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive switch and negative resistance
US2916408A (en) * 1956-03-29 1959-12-08 Raytheon Co Fabrication of junction transistors
US2922937A (en) * 1956-02-08 1960-01-26 Gen Electric Capacitor and dielectric material therefor
US2935668A (en) * 1951-01-05 1960-05-03 Sprague Electric Co Electrical capacitors
US2944165A (en) * 1956-11-15 1960-07-05 Otmar M Stuetzer Semionductive device powered by light
US2967952A (en) * 1956-04-25 1961-01-10 Shockley William Semiconductor shift register
US2976426A (en) * 1953-08-03 1961-03-21 Rca Corp Self-powered semiconductive device
US2994834A (en) * 1956-02-29 1961-08-01 Baldwin Piano Co Transistor amplifiers
US2995686A (en) * 1959-03-02 1961-08-08 Sylvania Electric Prod Microelectronic circuit module
US2998550A (en) * 1954-06-30 1961-08-29 Rca Corp Apparatus for powering a plurality of semi-conducting units from a single radioactive battery
US3005937A (en) * 1958-08-21 1961-10-24 Rca Corp Semiconductor signal translating devices
US3022472A (en) * 1958-01-22 1962-02-20 Bell Telephone Labor Inc Variable equalizer employing semiconductive element
US3038085A (en) * 1958-03-25 1962-06-05 Rca Corp Shift-register utilizing unitary multielectrode semiconductor device
US3070466A (en) * 1959-04-30 1962-12-25 Ibm Diffusion in semiconductor material

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE553173A (de) * 1954-05-10
US2831787A (en) * 1954-07-27 1958-04-22 Emeis
US2889469A (en) * 1955-10-05 1959-06-02 Rca Corp Semi-conductor electrical pulse counting means
US2814853A (en) * 1956-06-14 1957-12-03 Power Equipment Company Manufacturing transistors
US2866140A (en) * 1957-01-11 1958-12-23 Texas Instruments Inc Grown junction transistors
NL113470C (de) * 1957-06-25
GB800221A (en) * 1957-09-10 1958-08-20 Nat Res Dev Improvements in or relating to semi-conductor devices

Patent Citations (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2493199A (en) * 1947-08-15 1950-01-03 Globe Union Inc Electric circuit component
US2660624A (en) * 1949-02-24 1953-11-24 Rca Corp High input impedance semiconductor amplifier
DE833366C (de) * 1949-04-14 1952-06-30 Siemens & Halske A G Halbleiterverstaerker
US2662957A (en) * 1949-10-29 1953-12-15 Eisler Paul Electrical resistor or semiconductor
US2680220A (en) * 1950-06-09 1954-06-01 Int Standard Electric Corp Crystal diode and triode
US2935668A (en) * 1951-01-05 1960-05-03 Sprague Electric Co Electrical capacitors
US2629802A (en) * 1951-12-07 1953-02-24 Rca Corp Photocell amplifier construction
US2709232A (en) * 1952-04-15 1955-05-24 Licentia Gmbh Controllable electrically unsymmetrically conductive device
US2667607A (en) * 1952-04-26 1954-01-26 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor circuit element
US2663806A (en) * 1952-05-09 1953-12-22 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor signal translating device
DE1672315U (de) * 1952-07-29 1954-02-25 Licentia Gmbh Gleichrichter aus einem halbleitermaterial, das mit hoher stromdichte belastet werden kann.
US2748041A (en) * 1952-08-30 1956-05-29 Rca Corp Semiconductor devices and their manufacture
US2663830A (en) * 1952-10-22 1953-12-22 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor signal translating device
GB736289A (en) * 1952-12-19 1955-09-07 Gen Ral Electric Company Improvements relating to transistor amplifiers
US2735948A (en) * 1953-01-21 1956-02-21 Output
DE949422C (de) * 1953-02-02 1956-09-20 Philips Nv Transistorelement und Schaltung mit demselben zum Verstaerken eines elektrischen Signals
US2754431A (en) * 1953-03-09 1956-07-10 Rca Corp Semiconductor devices
US2816228A (en) * 1953-05-21 1957-12-10 Rca Corp Semiconductor phase shift oscillator and device
GB761926A (en) * 1953-08-03 1956-11-21 Rca Corp Self-powered semiconductive devices
US2976426A (en) * 1953-08-03 1961-03-21 Rca Corp Self-powered semiconductive device
DE1011081B (de) * 1953-08-18 1957-06-27 Siemens Ag Zu einem Bauelement zusammengefasste Widerstandskondensator-Kombination
US2713644A (en) * 1954-06-29 1955-07-19 Rca Corp Self-powered semiconductor devices
US2998550A (en) * 1954-06-30 1961-08-29 Rca Corp Apparatus for powering a plurality of semi-conducting units from a single radioactive battery
US2847583A (en) * 1954-12-13 1958-08-12 Rca Corp Semiconductor devices and stabilization thereof
US2817048A (en) * 1954-12-16 1957-12-17 Siemens Ag Transistor arrangement
US2824977A (en) * 1954-12-24 1958-02-25 Rca Corp Semiconductor devices and systems
US2836776A (en) * 1955-05-07 1958-05-27 Nippon Electric Co Capacitor
GB805207A (en) * 1955-06-20 1958-12-03 Western Electric Co Electric circuit devices utilizing semiconductor bodies and circuits including such devices
US2915647A (en) * 1955-07-13 1959-12-01 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive switch and negative resistance
US2858489A (en) * 1955-11-04 1958-10-28 Westinghouse Electric Corp Power transistor
BE550586A (de) * 1955-12-02
US2922937A (en) * 1956-02-08 1960-01-26 Gen Electric Capacitor and dielectric material therefor
US2994834A (en) * 1956-02-29 1961-08-01 Baldwin Piano Co Transistor amplifiers
US2916408A (en) * 1956-03-29 1959-12-08 Raytheon Co Fabrication of junction transistors
US2878147A (en) * 1956-04-03 1959-03-17 Beale Julian Robert Anthony Method of making semi-conductive device
US2856544A (en) * 1956-04-18 1958-10-14 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive pulse translator
US2967952A (en) * 1956-04-25 1961-01-10 Shockley William Semiconductor shift register
US2897295A (en) * 1956-06-28 1959-07-28 Honeywell Regulator Co Cascaded tetrode transistor amplifier
US2944165A (en) * 1956-11-15 1960-07-05 Otmar M Stuetzer Semionductive device powered by light
DE1040700B (de) * 1956-11-16 1958-10-09 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Diffusionstransistors
US2910634A (en) * 1957-05-31 1959-10-27 Ibm Semiconductor device
US3022472A (en) * 1958-01-22 1962-02-20 Bell Telephone Labor Inc Variable equalizer employing semiconductive element
US3038085A (en) * 1958-03-25 1962-06-05 Rca Corp Shift-register utilizing unitary multielectrode semiconductor device
US3005937A (en) * 1958-08-21 1961-10-24 Rca Corp Semiconductor signal translating devices
US2995686A (en) * 1959-03-02 1961-08-08 Sylvania Electric Prod Microelectronic circuit module
US3070466A (en) * 1959-04-30 1962-12-25 Ibm Diffusion in semiconductor material

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1240590B (de) * 1961-10-20 1967-05-18 Westinghouse Electric Corporation, East Pittsburgh, Pa. (V. St. A.) Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung
EP0013173A3 (en) * 1978-12-26 1980-10-29 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Monolithic distributed resistor-capacitor device and circuit utilizing polycrystalline semiconductor material
EP0051902A1 (de) * 1978-12-26 1982-05-19 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Integrierter Halbleiterschaltkreis, der ein aktives Bauelement und eine verteilte Widerstands-Kondensator-Anordnung enthält

Also Published As

Publication number Publication date
MY6900302A (en) 1969-12-31
GB945745A (en) 1964-01-08
GB945742A (de)
MY6900287A (en) 1969-12-31
MY6900293A (en) 1969-12-31
DE1196296B (de) 1965-07-08
CH415869A (fr) 1966-06-30
NL6608452A (de) 1970-07-23
MY6900283A (en) 1969-12-31
DK104005C (da) 1966-03-21
DE1196299B (de) 1965-07-08
SE314440B (de) 1969-09-08
US3138743A (en) 1964-06-23
GB945748A (en) 1964-01-08
NL6608446A (de) 1970-07-23
CH416845A (fr) 1966-07-15
MY6900284A (en) 1969-12-31
GB945744A (en) 1964-01-08
GB945743A (en) 1964-01-08
GB945739A (en) 1964-01-08
MY6900301A (en) 1969-12-31
GB945749A (en) 1964-01-08
CH380824A (fr) 1964-08-14
MY6900290A (en) 1969-12-31
NL6608445A (de) 1970-07-23
DE1439754B2 (de) 1972-04-13
DE1196297B (de) 1965-07-08
JPS6155256B1 (de) 1986-11-27
MY6900296A (en) 1969-12-31
DE1196298B (de) 1965-07-08
AT247482B (de) 1966-06-10
MY6900286A (en) 1969-12-31
GB945741A (en) 1964-01-08
MY6900292A (en) 1969-12-31
DK104006C (da) 1966-03-21
NL6608451A (de) 1970-07-23
NL134915C (de) 1972-04-17
CH415867A (fr) 1966-06-30
DE1196297C2 (de) 1974-01-17
GB945738A (en) 1964-01-08
DK104008C (da) 1966-03-21
CH387799A (fr) 1965-02-15
MY6900315A (en) 1969-12-31
DK104470C (da) 1966-05-23
CH410201A (fr) 1966-03-31
GB945746A (en) 1964-01-08
GB945734A (en) 1964-01-08
MY6900285A (en) 1969-12-31
NL6608448A (de) 1970-07-23
GB945747A (de)
GB945740A (de)
DE1196301B (de) 1965-07-08
DK103790C (da) 1966-02-21
DK104007C (da) 1966-03-21
CH415868A (fr) 1966-06-30
US3261081A (en) 1966-07-19
DE1439754A1 (de) 1969-12-04
US3138747A (en) 1964-06-23
GB945737A (en) 1964-01-08
MY6900300A (en) 1969-12-31
DE1196299C2 (de) 1974-03-07
DE1196300B (de) 1965-07-08
CH410194A (fr) 1966-03-31
DK104185C (da) 1966-04-18
MY6900291A (en) 1969-12-31
NL6608447A (de) 1970-07-23
NL6608449A (de) 1970-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1196295B (de) Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung
DE1933731C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung
DE1514818C3 (de)
DE1216437C2 (de) Verfahren zur herstellung einer mikrominiaturisierten integrierten halbleiterschaltungsanordnung
DE1764281C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE1260029B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen auf einem Halbleitereinkristallgrundplaettchen
DE1266406B (de) Verfahren zum Herstellen mechanisch halternder und elektrisch leitender Anschluesse an kleinen Plaettchen, insbesondere an Halbleiterplaettchen
DE1207511B (de) Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1489893B1 (de) Integrierte halbleiterschaltung
DE2238450A1 (de) Halbleiterbaugruppe und verfahren zur herstellung derselben
DE2328090A1 (de) Halbleiterkondensator mit grosser kapazitaet und verfahren zu seiner herstellung
DE1207014B (de) Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung
DE1924712C3 (de) Integrierter Dünnschicht-Abblockbzw. Entkopplungskondensator für monolithische Schaltungen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1903870A1 (de) Verfahren zum Herstellen monolithischer Halbleiteranordnungen
DE1589918B2 (de) Verfahren zum Herstellen integrierter Halbleiterschaltungen
DE3851175T2 (de) Bipolartransistor mit Heteroübergängen.
DE1965408C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
DE2247911C2 (de) Monolithisch integrierte Schaltungsanordnung
DE2403816C3 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1489193C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE3813836A1 (de) Verfahren zur herstellung monolithisch integrierter, multifunktionaler schaltungen
EP0317806B1 (de) Integrierte Schaltungsanordnung mit einer Kapazität
DE1285581C2 (de) Traeger mit einer Mikroschaltung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2657822C2 (de)
DE1207013B (de) Mikrominiaturisierte integrierte Halbleiter-schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung