DE102006024147B3

DE102006024147B3 - Elektronisches Modul mit Halbleiterbauteilgehäuse und einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben

Info

Publication number: DE102006024147B3
Application number: DE102006024147A
Authority: DE
Inventors: Michael Dipl.-Ing. Bauer (Fh); Angela Dr. Wieneke-Kessler; Wolfgang Dr. Schober; Alfred Dr. Haimerl; Joachim Dr. Mahler
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2006-05-22
Filing date: 2006-05-22
Publication date: 2007-11-29
Anticipated expiration: 2026-05-23
Also published as: US7714422B2; US20070268674A1

Abstract

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Modul (1) mit Halbleiterbauteilgehäuse (2) und mindestens einem Halbleiterchip (7) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. In dem Halbleiterbauteilgehäuse (2) ist der Halbleiterchip (7) auf einem Schaltungsträger (8) angeordnet. Der Halbleiterchip (7) ist über Verbindungselemente (9) mit einer Oberseite (11) des Schaltungsträgers (8) verbunden. Dabei sind der Halbleiterchip (7), die Verbindungselemente (9) und teilweise der Schaltungsträger (8) in eine Kunststoffgehäusemasse (12) eingebettet. Auf der Oberseite (17) des Halbleiterbauteilgehäuses (2) ist eine in Flachleiterbahnen (18) und Kontaktanschlussflächen (19) strukturierte Metallplatte (20) vorgesehen.

Description

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Modul mit Halbleiterbauteilgehäuse sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben. In dem Halbleiterbauteilgehäuse ist mindestens ein Halbleiterchip auf einem Schaltungsträger angeordnet. Der Halbleiterchip ist über Verbindungselemente mit der Oberseite des Schaltungsträgers verbunden. Dabei sind der Halbleiterchip, die Verbindungselemente und teilweise der Schaltungsträger in eine Kunststoffgehäusemasse eingebettet.
Die flächige Erstreckung derartiger Halbleiterbauteilgehäuse nimmt aufgrund der Komplexität integrierter Schaltungen der Halbleiterchips, die in ihrer flächigen Erstreckung ebenfalls wachsen, ständig zu. Elektronische Module bestehen jedoch nicht nur aus Halbleiterbauteilgehäusen mit entsprechend darin angeordneten Halbleiterchips, sondern weisen zusätzliche diskrete Bauelemente in Form von aktiven und passiven Bauelementen auf. Diese sind entweder auf einer übergeordneten Schaltungsplatine mit dem Halbleiterbauteil angeordnet oder zusammen mit einem Halbleiterchip in einem gemeinsamen Halbleiterbauteilgehäuse integriert, indem sie mit in der Kunststoffgehäusemasse eingebettet sind.
Ein solches Bauteil, bei dem das diskrete Bauelement zusammen mit dem Halbleiterchip in eine Kunststoffgehäusemasse eingebettet ist, ist beispielsweise aus der DE 10 2004 036 909 A1 bekannt. Dieses Bauteil ist als Basisbauteil für einen Halbleiterbauteilstapel ausgelegt. Das Stapeln von Halbleiterbau teilen betreffen auch die DE 10 2004 010 614 A1 und die US 6,407,448 B2 .
Werden die diskreten Bauelemente eines elektronischen Moduls zusätzlich auf der übergeordneten Schaltungsplatine angeordnet, so wächst mit zunehmender flächiger Erstreckung der Halbleiterbauteilgehäuse nachteilig der Platzbedarf auf der übergeordneten Schaltungsplatine. Werden hingegen die passiven Bauelemente in eine gemeinsame Kunststoffgehäusemasse des Halbleiterbauteilgehäuses eingebettet, so nimmt der Raumbedarf des elektronischen Moduls zu und ein Zugriff auf die eingebetteten diskreten Bauelemente ist praktisch nach dem Einbetten in die Kunststoffgehäusemasse nicht mehr möglich. Auch individuelle Kundenwünsche der Bestückung eines elektronischen Moduls mit unterschiedlichen diskreten Bauelementen können dann für den Kunden nicht bereitgestellt werden.
Bei einer Integration der diskreten Bauelemente auf einem gemeinsamen Schaltungsträger innerhalb eines Kunststoffgehäuses ergibt sich ferner der Nachteil einer erschwerten Prozessführung. Werden die diskreten Komponenten vor dem Verbinden des Halbleiterchips mit dem Schaltungsträger aufgebracht, so besteht eine Verschmutzungsgefahr beispielsweise mit Flussmitteln für die Kontaktflächen bzw. Kontaktanschlussflächen. Werden die diskreten Bauelemente nach dem Fixieren der Verbindungselemente aufgebracht, so besteht die Gefahr der Beschädigung der Verbindungselemente während der Handhabung des Aufbringens und Auflötens der diskreten Bauelemente. Schließlich besteht ein weiterer Nachteil darin, dass defekt montierte und/oder nicht funktionierende diskrete Bauelemente nicht mehr aus der Kunststoffgehäusemasse entfernt oder innerhalb der Kunststoffgehäusemasse ersetzt werden können.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektronisches Modul zu schaffen, bei dem die zunehmende Erstreckung von Halbleiterbauteilgehäusen besser genutzt wird und nicht zu einem erhöhten Platzbedarf auf einer übergeordneten Schaltungsplatine des elektronischen Moduls führt und dennoch ein Zugriff auf diskrete Bauelemente des elektronischen Moduls auch nach Fertigstellung des Halbleiterbauteilgehäuses gewährleistet ist. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, ein elektronisches Modul bereitzustellen, bei dem kundenseitig Änderungen und Ergänzungen der diskreten Bauelemente vorgenommen werden können, ohne dass kostspielige neue geänderte und entsprechend angepasste Elektronische Module beim Hersteller zu entwickeln sind.
Gelöst wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Erfindungsgemäß wird ein elektronisches Modul mit Halbleiterbauteilgehäuse und mindestens einem Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung desselben geschaffen. Der Halbleiterchip ist über Verbindungselemente mit einer Oberseite eines Schaltungsträgers verbunden. Dabei sind der Halbleiterchip, die Verbindungselemente und teilweise der Schaltungsträger in eine Kunststoffgehäusemasse eingebettet. Auf der Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses ist eine in Flachleiterbahnen und Kontaktanschlussflächen strukturierte Metallplatte vorgesehen. Dabei sind die Unterseiten der Flachleiterbahnen und die der Kontaktanschlussflächen in der Kunststoffgehäusemasse eingebettet. Mindestens ein diskretes Bauelement ist auf der strukturierten Metallplatte gestapelt.
Die Oberseiten der Kontaktanschlussflächen der strukturierten Metallplatte sind hingegen in vorteilhafter Weise frei zugänglich. Somit hat dieses elektronische Modul den Vorteil, dass die ständig wachsende flächige Erstreckung der Halbleiterbauteilgehäuse benutzt wird, um eine strukturierte Metallplatte auf der Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses anzuordnen. Diese wird genutzt, um diskrete Bauelemente des elektronischen Moduls darauf in der Weise zu fixieren, dass sie kundenspezifisch und/oder kundenseitig auf der strukturierten Metallplatte angeordnet werden können und keinen zusätzlichen Platzbedarf auf einem Chipträger beanspruchen. Somit können design- und kostengünstige Schaltungsträger eingesetzt werden.
Unter flächiger Erstreckung wird in diesem Zusammenhang eine zweidimensionale Erstreckung verstanden, in der die Halbleiterchips trotz zunehmender Schaltungsdichte ständig wachsen. Die Erfindung nutzt diese Tatsache und setzt das Halbleiterbauteilgehäuse bzw. die Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses als zusätzliche Bestückungsfläche für anzubringende diskrete Bauelemente platzsparend ein.
Weiterhin ist bei dem erfindungsgemäßen elektronischen Modul eine gute thermische Anbindung des Halbleiterchips an den Schaltungsträger möglich. Ferner ist der Aufbau kundenspezifischer passiver und aktiver Bauelemente als diskrete Bauelemente auf den dafür zur Verfügung stehenden Kontaktanschlussflächen der strukturierten Metallplatte in vorteilhafter Weise möglich. Schließlich kann ein einfaches Auswechseln beschädigter diskreter Bauelemente des elektronischen Moduls gewährleistet werden.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die strukturierte Metallplatte an ihren Randseiten abgewinkelte Flachleiter auf, die mit Kontaktanschlussflächen auf der Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses elektrisch in Verbindung stehen und derart von der Oberseite aus in Richtung auf den Schaltungsträger abgewinkelt sind, dass sich ihre freien Enden in Randbereichen der Oberseite des Schaltungsträgers abstützen. Dazu ist es vorgesehen, dass die Randbereiche der Oberseite des Schaltungsträgers in Anzahl und Anordnung Kontaktanschlussflächen aufweisen, die in Anzahl und Anordnung den abgewinkelten Flachleitern der strukturierten Metallplatte entsprechen.
Diese Konstruktion der strukturierten Metallplatte hat den Vorteil, dass sie ähnlich einem Flachleiterrahmen herkömmlicher Bauart vorbereitet werden kann und mit dem Schaltungsträger über die abgewinkelten Flachleiter nach Aufbringen des Halbleiterchips und nach Verbinden des Halbleiterchips mit dem Schaltungsträger aufgebracht werden kann. Die unstrukturierte Metallplatte schwebt dann über dem Halbleiterchip mit seinen Verbindungselementen und stützt sich auf den abgewinkelten Flachleitern ab. Die abgewinkelten Flachleiter bilden in vorteilhafter Weise gleichzeitig Abstandshalter zwischen der Metallplatte und dem Schaltungsträger, wobei ein Abstand eingehalten wird, der größer ist als die Höhe des Halbleiterchips mit Verbindungselementen über der Oberseite des Schaltungsträgers.
Vorzugsweise sind die freien Enden der Flachleiter, die sich von der Halbleiterbauteilgehäuse-Oberseite zu der Oberseite des Schaltungsträgers erstrecken, mit den Kontaktanschlussflächen im Randbereich des Schaltungsträgers stoffschlüssig verbunden. Eine derartige stoffschlüssige Verbindung kann durch Auflöten der Flachleiterenden und/oder durch Aufkleben der Flachleiterenden mittels eines Leitklebstoffs erreicht werden.
Der Zwischenraum zwischen der strukturierten Metallplatte und der Oberseite des Schaltungsträgers ist unter Einbetten des Halbleiterchips und der Verbindungselemente mit einer Kunststoffgehäusemasse aufgefüllt. Dabei können in einer Ausführungsform der Erfindung die Flachleiter, die sich von der Halbleiterbauteilgehäuse-Oberseite zu der Oberseite des Schaltungsträgers erstrecken, auf den Randseiten des Halbleiterbauteilgehäuses angeordnet sein. In diesem Fall liegen die Flachleiter sowie die strukturierte Metallplatte auf der Kontur des Halbleiterbauteilgehäuses auf. Die Außenabmessungen des Halbleiterbauteilgehäuses werden demnach von der strukturierten Metallplatte, dem Verlauf der Außenflachleiter auf den Randseiten des Halbleiterbauteilgehäuses und dem Schaltungsträger bestimmt.
In einer weiteren Ausführungsform des elektronischen Moduls sind die Flachleiter, die sich von der Halbleiterbauteilgehäuse-Oberseite zu der Oberseite des Schaltungsträgers erstrecken, in die Kunststoffgehäusemasse eingebettet. Dieses hat den Vorteil, dass durch die eingebetteten Flachleiter die Verankerung der strukturierten Metallplatte auf der Oberseite des Flachleitergehäuses verbessert wird und außerdem eine Isolation der Flachleiter geschaffen wird.
Vorzugsweise weist der Halbleiterchip Flipchipkontakte als Verbindungselemente zu einer Verdrahtungsstruktur auf der Oberseite des Schaltungsträgers auf. Dazu sind entsprechend der Anzahl und Anordnung der Flipchipkontakte auf der Verdrahtungsstruktur des Schaltungsträgers Kontaktanschlussflächen vorgesehen. Die Flipchipkontakte sind mit diesen Kontaktanschlussflächen der Verdrahtungsstruktur auf der Oberseite des Schaltungsträgers elektrisch verbunden. Diese Verbindung ist gleichzeitig auch eine mechanische Fixierung. Dazu sind die Flipchipkontakte auf den Kontaktanschlussflächen entweder gelötet oder mit einem Leitkleber aufgebracht.
In einer alternativen Ausführungsform der Erfindung sind die Verbindungselemente Bonddrähte, wobei über die Bonddrähte Kontaktflächen des Halbleiterchips mit Kontaktanschlussflächen der Verdrahtungsstruktur des Schaltungsträgers stoffschlüssig verbunden sind. Bei dieser Ausführungsform der Er findung ist der Halbleiterchip mit seiner Rückseite auf einer Chipkontaktfläche der Verdrahtungsstruktur auf der Oberseite des Schaltungsträgers stoffschlüssig verbunden und die Bonddrähte erstrecken sich von Kontaktflächen in Randbereichen der Oberseite des Halbleiterchips zu entsprechenden Kontaktanschlussflächen im Randbereich der Oberseite des Schaltungsträgers. Die Bonddrahtlösung vergrößert gegenüber der Flipchipkontaktlösung die flächige Erstreckung des Halbleiterbauteilgehäuses, da zusätzliche Kontaktanschlussflächen um den Halbleiterchip herum auf dem Schaltungsträger vorzusehen sind.
Vorzugsweise ist auf der strukturierten Metallplatte mindestens ein diskretes Bauelement gestapelt, wobei die Elektroden des gestapelten Bauelements mit den Kontaktanschlussflächen der strukturierten Metallplatte auf dem Halbleiterbauteilgehäuse stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden sein können. Als diskrete Bauelemente können auf der strukturierten Metallplatte Dioden, Transistoren, Triacs, Tyristoren und/oder Varistoren gestapelt sein. Als passive Bauelemente sind vorzugsweise Widerstände, Kondensatoren oder induktive Bauelemente auf der strukturierten Metallplatte angeordnet.
Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Moduls mit Halbleiterbauteilgehäuse weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst wird ein Schaltungsträger hergestellt, wobei die Unterseite des Schaltungsträgers gleichzeitig auch die Unterseite des elektronischen Moduls bildet. Außerdem werden Halbleiterchips hergestellt und anschließend wird der Schaltungsträger mit mindestens einem Halbleiterchip bestückt. Dabei und/oder danach werden Verbindungen zu einem Teil der Kontaktanschlussflächen über Verbindungselemente zwischen dem Halbleiterchip und dem Schaltungsträgers ge schaffen. Ferner wird eine Metallplatte mit an den Randseiten abgewinkelten Flachleitern hergestellt. Danach erfolgt ein freistehendes Überdecken des Halbleiterchips mit Verbindungselementen mittels der Metallplatte unter stoffschlüssigem Verbinden der freien Enden der abgewinkelten Flachleiter mit Kontaktanschlussflächen in Randbereichen des Schaltungsträgers.
Nachdem somit die Metallplatte über dem Halbleiterchip mit Verbindungselementen fixiert ist, wird der Zwischenraum zwischen der Metallplatte und der Oberseite des Schaltungsträgers unter Einbringen einer Kunststoffgehäusemasse und unter Einbetten des Halbleiterchips mit den Verbindungselementen in eine Kunststoffgehäusemasse aufgefüllt und ein Halbleiterbauteilgehäuse unter Freilassen einer Oberseite der Metallplatte fertiggestellt. Dabei wird die Unterseite der Metallplatte von der Kunststoffgehäusemasse benetzt. Verunreinigungen der Oberseite der Metallplatte durch die Kunststoffgehäusemasse können auch noch nachträglich entfernt werden. Anschließend wird die Metallplatte auf der Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses in Flachleiterbahnen und Kontaktanschlussflächen strukturiert.
Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass zunächst parallel sowohl der Schaltungsträger als auch die Halbleiterchips und die Metallplatte mit abgewinkelten Flachleitern auf ihren Randseiten fertiggestellt werden können, bevor diese drei Hauptkomponenten ohne Einbringen einer Kunststoffgehäusemasse miteinander fixiert werden. Das Einbringen der Kunststoffgehäusemasse zwischen der noch nicht strukturierten Metallplatte und der Oberseite des Schaltungsträgers kann durch Dispensen und/oder durch Molden und/oder durch Aufbringen einer Folie aus Kunststoffgehäusemasse erfolgen.
Beim Herstellen des Schaltungsträgers kann eine Verdrahtungsstruktur sowohl auf der Oberseite des Schaltungsträgers als auch eine weitere Verdrahtungsstruktur auf der Unterseite des Schaltungsträgers angeordnet werden. Dazu wird die Verdrahtungsstruktur auf der Oberseite mit Kontaktanschlussflächen für Verbindungselemente zu dem Halbleiterchip und mit Kontaktanschlussflächen in Randbereichen der Oberseite des Schaltungsträgers für das Anbringen von Flachleitern zum Stützen der Metallplatte ausgestattet. Die Kontaktanschlussflächen der strukturierten Metallplatte sind dann über Flachleiterbahnen mit den Durchkontakten durch den Schaltungsträger elektrisch verbunden, wobei auf der Unterseite Außenkontaktflächen für das elektronische Modul vorgesehen werden, die über Leiterbahnen der Verdrahtungsstruktur der Unterseite mit den Durchkontakten elektrisch in Verbindung stehen.
Dieses Herstellungsverfahren des Schaltungsträgers hat den Vorteil, dass eine Verbindung von den Kontaktflächen auf der strukturierten Metallplatte auf der Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses mit Außenkontaktflächen auf der Unterseite des elektronischen Moduls fertigungstechnisch kostengünstig hergestellt werden kann.
Zur Herstellung eines Halbleiterchips wird zunächst eine Vielzahl von Halbleiterchippositionen eines Halbleiterwafers mit der Struktur des Halbleiterchips versehen und anschließend der Halbleiterwafer in einzelne Halbleiterchips aufgetrennt. Mit diesem Verfahren entsteht parallel eine Vielzahl von Halbleiterchips, die anschließend für ein erfindungsgemäßes elektronisches Modul eingesetzt werden können.
Bei einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens wird beim Bestücken des Schaltungsträgers mit dem Halbleiterchip ein Halbleiterchip mit Flipchipkontakten als Verbindungselemente auf Kontaktanschlussflächen der Verdrahtungsstruktur gelötet. Dieses Löten kann ein Diffusionslöten sein oder ein Auflöten mit Hilfe eines Weichlotes bedeuten. Ferner ist es auch möglich, eine elektrische Verbindung zu den Kontaktflächen der Verdrahtungsstruktur auf dem Schaltungsträger zu schaffen, indem ein Leitklebstoff eingesetzt wird.
In einem alternativen Verfahren wird beim Bestücken des Schaltungsträgers mit dem Halbleiterchip der Halbleiterchip mit seiner Rückseite auf einer Chipfläche der Verdrahtungsstruktur fixiert und anschließend werden Kontaktflächen der Oberseite des Halbleiterchips mit Kontaktanschlussflächen der Oberseite des Schaltungsträgers über Bonddrähte als Verbindungselemente elektrisch verbunden. Je nachdem, ob ein Halbleiterchip mit Flipchipkontakten und/oder ein Halbleiterchip für Bonddrähte vorgesehen wird, sind entsprechend die Kontaktanschlussflächen auf dem Schaltungsträger entweder unterhalb des Halbleiterchips und/oder rund um den Halbleiterchip auf der Oberseite des Schaltungsträgers vorzubereiten.
Zum Herstellen einer Metallplatte mit an den Randseiten abgewinkelten Flachleitern wird vorzugsweise ein Stanzbiegeverfahren eingesetzt. Bei einem derartigen Stanzbiegeverfahren werden aus einer großflächigen Metallplatte die für das elektronische Modul erforderlichen Metallplatten mit Flachleitern herausgestanzt und gleichzeitig werden die Flachleiter an den Randseiten der Metallplatte abgewinkelt.
Bei einem alternativen Verfahren werden zum Herstellen einer Metallplatte mit an den Randseiten abgewinkelten Flachleitern zunächst ein Ätzverfahren und anschließend ein Abwinklungsvorgang der Flachleiter eingesetzt. Zum freistehenden Überdecken des Halbleiterchips mit Verbindungselementen mittels der Metallplatte ist die Metallplatte an den freien Enden der abgewinkelten Flachleiter äußerst präzise in Relation zu den vorbereiteten Kontaktanschlussflächen der Verdrahtungsstruktur auf der Oberseite des Schaltungsträgers zu justieren, so dass anschließend eine stoffschlüssige Verbindung zwischen freien Enden der Flachleiter und den Kontaktanschlussflächen der Verdrahtungsstruktur hergestellt werden kann. Auch in diesem Fall können entweder Lottechniken oder Klebetechniken mit einem Leitklebstoff diese stoffschlüssige Verbindung herstellen.
In einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens ist es vorgesehen, dass beim Einbringen der Kunststoffgehäusemasse zwischen Metallplatte und Schaltungsträger die abgewinkelten Flachleiter der Metallplatte in die Kunststoffgehäusemasse mit eingebettet werden. Der Vorteil einer derartigen Einbettung der stützenden Flachleiter in die Kunststoffgehäusemasse wurde bereits oben erörtert, so dass sich eine erneute Diskussion erübrigt.
Zum Strukturieren der Metallplatte auf der Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses wird die Metallplatte photolithographisch oder drucktechnisch mit einer Schutzlackstruktur beschichtet und anschließend nasschemisch- oder trockengeätzt. Nach dem Ätzen wird der Schutzlack von der nun strukturierten Metallplatte mit Flachleiterbahnen und Kontaktanschlussflächen für ein Aufbringen von Elektroden des zu stapelnden Bauelements entfernt. Anstelle des Ätzens kann auch ein Laserablationsverfahren eingesetzt werden.
Kundenseitig oder kundenspezifisch können auf der strukturierten Metallplatte diskrete Bauelemente unter stoffschlüssigem Verbinden der Elektroden des Bauelements mit den Kontaktanschlussflächen der strukturierten Metallplatte gestapelt werden. Zum Stapeln auf der strukturierten Metallplatte können diskrete aktive Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Triacs, Tyristoren und/oder Varistoren aufgebracht werden. Außerdem ist es möglich, auf der strukturierten Metallplatte diskrete passive Bauelemente, wie Widerstände, Kondensatoren oder induktive Bauelemente einzusetzen. Die Wahl der diskreten Bauelemente kann kundenspezifisch erfolgen und/oder direkt beim Kunden vorgenommen werden, um das elektronische Modul zu komplettieren.
Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
1 bis 10 zeigen schematische Ansichten von Komponenten beim Herstellen eines elektronischen Moduls einer Ausführungsform der Erfindung;
1 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Schaltungsträger, der mit einem Halbleiterchip bestückt ist;
2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Schaltungsträger gemäß 1, entlang der Schnittebene A-A;
3 zeigt eine schematische Draufsicht auf den Schaltungsträger der 1 nach Aufbringen einer Metallplatte;
4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Schaltungsträger gemäß 3 entlang der Schnittebene A-A;
5 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Halbleiterbauteilgehäuse vor einem Strukturieren der Metallplatte;
6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Halbleiterbauteilgehäuse gemäß 5 entlang der Schnittebene A-A;
7 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Halbleiterbauteilgehäuse gemäß 6 nach Strukturieren der Metallplatte;
8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Halbleiterbauteilgehäuse gemäß 7 entlang der Schnittebene A-A;
9 zeigt eine schematische Draufsicht auf das elektronische Modul gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das elektronische Modul gemäß einer Ausführungsform der Erfindung entlang der Schnittebene A-A der 9.
Die 1 bis 10 zeigen schematische Ansichten von Komponenten beim Herstellen eines elektronischen Moduls 1 einer Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen werden in den nachfolgenden 1 bis 10 mit glei chen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht wiederholt erläutert.
1 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Schaltungsträger 8, der mit einem Halbleiterchip 7 bestückt ist. Der Halbleiterchip 7 ist im Zentrum der Oberseite 11 des Schaltungsträgers 8 angeordnet, während auf den Randbereichen 35, 36, 37 und 38 der Oberseite 11 des Schaltungsträgers 8 Kontaktanschlussflächen 40 angeordnet sind.
2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Schaltungsträger 8 gemäß 1 entlang der Schnittlinie A-A. Der Halbleiterchip 7 im Zentrum des Schaltungsträgers 8 weist eine Rückseite 41 und eine Oberseite 42 auf. Die Oberseite 42 besitzt Kontaktflächen 34, auf denen als Verbindungselemente 9 zum Schaltungsträger 8 Flipchipkontakte 33 angeordnet sind. Diese Flipchipkontakte 33 sind stoffschlüssig mit Kontaktanschlussflächen 28 einer Verdrahtungsstruktur 10 auf der Oberseite 11 des Schaltungsträgers 8 verbunden. Die Verdrahtungsstruktur 10 weist Leiterbahnen 43 auf, welche die Kontaktanschlussflächen 28 für die Flipchipkontakte 33 mit Durchkontakten 13 durch den Schaltungsträger 8 verbinden, wobei auf der Unterseite 15 des Schaltungsträgers 8 eine weitere Verdrahtungsstruktur 46 angeordnet ist, welche Außenkontaktflächen 14 auf der Unterseite 16 des Halbleiterbauteilgehäuses mit den Durchkontakten 13 verbindet, so dass die Flipchipkontakte 33 des Halbleiterchips 7 mit den Außenkontaktflächen 14 elektrisch in Verbindung stehen. Die auf den Randbereichen 35 bis 38 des Schaltungsträgers 8 angeordneten Kontaktanschlussflächen 40 sind über Durchkontakte 13 ebenfalls auf der Unterseite 15 des Schaltungsträgers 8 mit entsprechenden Außenkontaktflächen 14 elektrisch verbunden.
3 zeigt eine schematische Draufsicht auf den Schaltungsträger 8 der 1 nach Aufbringen einer Metallplatte 20. Diese Metallplatte 20 weist auf ihren Randseiten 22, 23, 24 und 25 abgewinkelte Flachleiter 26 auf, welche auf den Kontaktanschlussflächen 40 in den Randbereichen 35 bis 38 des Schaltungsträgers 8 mit ihren freien Enden 27 verbunden sind. Durch die abgewinkelten Flachleiter 26 wird erreicht, dass die Metallplatte 20 den darunter angeordneten Halbleiterchip 7 unter Ausbildung eines Zwischenraums 44 zwischen der Metallplatte 20 und der Oberseite 11 des Schaltungsträgers 8 beabstandet abdeckt.
4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Schaltungsträger 8 gemäß 3 entlang der Schnittebene A-A. Die von den abgewinkelten Flachleitern 26 gestützte Metallplatte 20 deckt den Halbleiterchip 7 ab, wobei ein Zwischenraum 44 zwischen der Rückseite 41 des Halbleiterchips 7 und der Abschirmplatte 20 vorgesehen ist, so dass die Abschirmplatte 20 den Halbleiterchip 7 nicht berührt. Die freien Enden 27 der abgewinkelten Flachleiter 26 sind auf den Kontaktanschlussflächen 40 auf der Oberseite 11 des Schaltungsträgers 8 aufgelötet. Somit stützen die Flachleiter 26 die freitragende Metallplatte 20 oberhalb des Halbleiterchips 7. Da die abgewinkelten Flachleiter 26 Abstände voneinander aufweisen, bleiben zwischen den Flachleitern 26 genügend Zwischenräume, durch die eine Kunststoffgehäusemasse zum Auffüllen des Zwischenraums 44 eingebracht werden kann.
5 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Halbleiterbauteilgehäuse 2 vor einem Strukturieren der Metallplatte 20. Das Halbleiterbauteilgehäuse 2 weist eine Kunststoffgehäusemasse 12 auf, welche den Halbleiterchip mit seinen Flipchipkontakten und die abgewinkelten Flachleiter 26 der Me tallplatte 20 einbettet, so dass auf der Oberseite 17 des Halbleiterbauteilgehäuses 2 lediglich die Oberseite 39 der Halbleiterplatte 20 frei von Kunststoffgehäusemasse bleibt. Die Randseiten 29, 30, 31 und 32 des Kunststoffgehäuses sind in dieser Ausführungsform der Erfindung leicht angewinkelt, so dass auch die nicht sichtbaren Kontaktanschlussflächen 40 und die abgewinkelten Bereiche der Flachleiter 26 von Kunststoffgehäusemasse 12 bedeckt sind.
6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Halbleiterbauteilgehäuse 2 gemäß 5 entlang der Schnittlinie A-A. 6 zeigt, dass der Zwischenraum 44 zwischen der Metallplatte 20 und der Oberseite 11 des Schaltungsträgers 8 vollständig mit Kunststoffgehäusemasse 12 über die abgewinkelten Flachleiter 26 hinaus reicht, so dass auch die freien Enden 27 der abgewinkelten Flachleiter 26 auf den Kontaktanschlussflächen 40 von der Kunststoffgehäusemasse 12 eingehüllt sind. Die Unterseite 49 der Metallplatte 20 wird dabei von der Kunststoffgehäusemasse 12 benetzt. Die Oberseite 39 der Metallplatte 20 ist jedoch frei von Kunststoffgehäusemasse 12, so dass nun die Metallplatte 20 strukturiert werden kann. In einer alternativen Ausführungsform der Erfindung ist die Kontur 45 des Halbleiterbauteilgehäuses 2 dem Verlauf der abgewinkelten Flachleiter 26 angepasst, so dass die Flachleiter 26 auf den Randseiten 29, 30, 31 und 32 des Halbleiterbauteilgehäuses 2 frei zugänglich sind.
7 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Halbleiterbauteilgehäuse 2 gemäß 6 nach Strukturieren der Metallplatte 20. Durch das Strukturieren der Metallplatte 20 entstehen auf der Oberseite 17 des Halbleiterbauteilgehäuses 2 Flachleiterbahnen 18, die mit den abgewinkelten Flachleitern 26 verbunden sind und Kontaktanschlussflächen 19, die derart angeordnet sind, dass zwischen ihnen diskrete Halbleiterbauteile angeordnet werden können, wobei die Elektroden dieser diskreten Halbleiterbauteile auf den Kontaktanschlussflächen 19 elektrisch leitend fixiert werden können.
8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Halbleiterbauteilgehäuse 2 gemäß 7 entlang der Schnittebene A-A. Wie dieser Querschnitt zeigt, sind die Unterseiten 47 der Flachleiterbahnen 18 und die Unterseiten 48 der Kontaktanschlussflächen 19 in die Kunststoffgehäusemasse 12 eingebettet, während die Oberseiten und Randseiten frei von Kunststoff sind. Zwischen den Kontaktanschlussflächen 19 können nun diskrete Bauelemente auf der Oberseite 17 des Halbleiterbauteilgehäuses 2 angeordnet bzw. gestapelt werden.
9 zeigt eine schematische Draufsicht auf das elektronische Modul 1 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Auf der strukturierten Metallplatte 20 sind nun zwischen den Kontaktanschlussflächen 19 gestapelte Bauelemente 3, 4, 5 und 6 mit ihren Elektroden 21 angeordnet. Außerdem verbinden Leiterbahnen 18 die Kontaktanschlussflächen 19 teilweise untereinander und teilweise mit den abgewinkelten Flachleitern 26. Ferner stehen die Flachleiter 26 mit den Kontaktanschlussflächen 19 elektrisch in Verbindung.
10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das elektronische Modul 1 gemäß der Ausführungsform der Erfindung entlang der Schnittebene A-A der 9. Durch das Strukturieren der Metallplatte 20 auf der Oberseite 17 des Halbleiterbauteilgehäuses 2 ist die Oberseite 17 zwischen den Kontaktanschlussflächen 19 um die Dicke d der Metallplatte 20 gegenüber dem umgebenden Rand der Oberseite 17 des Halbleiterbauteilgehäuses 2 abgesenkt.
Die Vorteile eines derartigen elektronischen Moduls wurden bereits oben im Detail erörtert, so dass zur Vermeidung von Wiederholungen diese Vorteile nicht noch einmal aufgegriffen werden.

1: elektronisches Modul
2: Halbleiterbauteilgehäuse
3: Bauelement
4: gestapeltes Bauelement
5: gestapeltes Bauelement
6: gestapeltes Bauelement
7: Halbleiterchip
8: Schaltungsträger
9: Verbindungselement
10: Verdrahtungsstruktur der Oberseite des Schaltungsträgers
11: Oberseite des Schaltungsträgers
12: Kunststoffgehäusemasse
13: Durchkontakt
14: Außenkontaktfläche
15: Unterseite des Schaltungsträgers
16: Unterseite des Halbleiterbauteilgehäuses
17: Oberseite des Halbleiterbauteilgehäuses
18: Flachleiterbahn
19: Kontaktanschlussfläche der Metallplatte
20: Metallplatte
21: Elektrode
22: Randseite der Metallplatte
23: Randseite der Metallplatte
24: Randseite der Metallplatte
25: Randseite der Metallplatte
26: Flachleiter
27: freies Ende des Flachleiters
28: Kontaktanschlussfläche des Schaltungsträgers
29: Randseite des Halbleiterbauteilgehäuses
30: Randseite des Halbleiterbauteilgehäuses
31: Randseite des Halbleiterbauteilgehäuses
32: Randseite des Halbleiterbauteilgehäuses
33: Flipchipkontakte
34: Kontaktfläche des Halbleiterchips
35: Randbereich des Schaltungsträgers
36: Randbereich des Schaltungsträgers
37: Randbereich des Schaltungsträgers
38: Randbereich des Schaltungsträgers
39: Oberseite der Metallplatte
40: Kontaktanschlussfläche für Flachleiter
41: Rückseite des Halbleiterchips
42: Oberseite des Halbleiterchips
43: Leiterbahnen
44: Zwischenraum
45: Kontur des Halbleiterbauteilgehäuses
46: Verdrahtungsstruktur der Unterseite des
: Schaltungsträgers
47: Unterseite einer Flachleiterbahn
48: Unterseite einer Kontaktanschlussfläche
49: Unterseite einer Metallplatte
d: Dicke der Metallplatte

Claims

Elektronisches Modul mit Halbleiterbauteilgehäuse (2) und mindestens einem Halbleiterchip (7), wobei in dem Halbleiterbauteilgehäuse (2) der Halbleiterchip (7) auf einem Schaltungsträger (8) angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip (7) über Verbindungselemente (9) mit dem Schaltungsträger (8) elektrisch verbunden ist, wobei der Halbleiterchip (7) die Verbindungselemente (9) und teilweise der Schaltungsträger (8) in eine Kunststoffgehäusemasse (12) eingebettet sind, und wobei auf der Oberseite (17) des Halbleiterbauteilgehäuses (2) eine in Flachleiterbahnen (18) und Kontaktanschlussflächen (19) strukturierte Metallplatte (20) vorgesehen ist, wobei die Unterseiten (47, 48) der Flachleiterbahnen (18) und der Kontaktanschlussflächen (19) in der Kunststoffgehäusemasse (12) eingebettet sind und wobei mindestens ein diskretes Bauelement (3) auf der strukturierten Metallplatte (20) gestapelt ist.
Elektronisches Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Elektroden (21) des gestapelten Bauelements (3) mit den Kontaktanschlussflächen (19) der strukturierten Metallplatte (20) auf dem Halbleiterbauteilgehäuse (2) stoffschlüssig verbunden sind.
Elektronisches Modul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass auf der strukturierten Metallplatte (20) diskrete aktive Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Triacs, Tyristoren und/oder Varistoren gestapelt sind.
Elektronisches Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass auf der strukturierten Metallplatte (20) diskrete passive Bauelemente wie Widerstände, Kondensatoren oder induktive Bauelemente gestapelt sind.
Elektronisches Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Metallplatte (20) an ihren Randseiten (22 bis 25) Flachleiter (26) aufweist, die mit Kontaktanschlussflächen (19) auf der Oberseite (17) des Halbleiterbauteilgehäuses (2) elektrisch in Verbindung stehen und derart von der Oberseite (17) aus in Richtung auf den Schaltungsträger (8) abgewinkelt sind, dass sich ihre freien Enden (27) auf der Oberseite (11) des Schaltungsträgers (8) abstützen und mit Kontaktanschlussflächen des Schaltungsträgers elektrisch in Verbindung stehen.
Elektronisches Modul nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Flachleiter (26), die sich von der Halbleiterbauteilgehäuse-Oberseite (17) zu der Oberseite (11) des Schaltungsträgers (8) erstrecken, auf Randseiten (29 bis 32) des Halbleiterbauteilgehäuses (2) angeordnet sind.
Elektronisches Modul nach Anspruch 5 oder Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Flachleiter (26), die sich von der Halbleiterbauteilgehäuse-Oberseite (17) zu der Oberseite (11) des Schaltungsträgers (8) erstrecken, in die Kunststoffgehäusemasse (12) eingebettet sind.
Elektronisches Modul nach Anspruch 5 oder Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass sich die freien Enden (27) der abgewinkelten Flachleiter (26), die sich von der Halbleiterbauteilgehäuse-Oberseite (17) zu der Oberseite (11) des Schaltungsträgers (8) erstrecken, mit Kontaktanschlussflächen (28) des Schaltungsträgers (8) stoffschlüssig verbunden sind.
Elektronisches Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (8) auf seiner Oberseite eine Verdrahtungsstruktur (10) mit Kontaktanschlussflächen (40) für die abgewinkelten Flachleiter und Kontaktanschlussflächen (28) für Verbindungselemente (9) zu dem Halbleiterchip (7) aufweist.
Elektronisches Modul nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdrahtungsstruktur (10) über Durchkontakte (13) durch den Schaltungsträger (8) mit Außenkontaktflächen (14) auf der Unterseite (15) des Schaltungsträgers (8), welche die Unterseite (16) des Halbleiterbauteilgehäuses (2) bildet, elektrisch in Verbindung steht.
Elektronisches Modul nach einem der Ansprüche 5 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Metallplatte (20) und die Flachleiter (26) einen Flachleiterrahmen bilden, der mit abgewinkelten Flachleitern (26) auf Kontaktanschlussflächen (28) des Schaltungsträgers (8) fixiert ist.
Elektronisches Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungselemente (9) Flipchipkontakte (33) des Halbleiterchips (7) sind, die mit Kontaktanschlussflächen (28) der Verdrahtungsstruktur (10) des Schaltungsträgers (8) stoffschlüssig verbunden sind.
Elektronisches Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungselemente (9) Bonddrähte sind, wobei über die Bonddrähte Kontaktflächen (34) des Halbleiterchips (7) mit Kontaktanschlussflächen (28) der Verdrahtungsstruktur (10) des Schaltungsträgers (8) stoffschlüssig verbunden sind.
Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Moduls (1) mit Halbleiterbauteilgehäuse (2) und mindestens einem gestapelten Bauelement (3), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte in zeitlicher Reihenfolge aufweist: – Herstellen eines Schaltungsträgers (8) mit Kontaktanschlussflächen (28), – Herstellen eines Halbleiterchips (7), – Bestücken des Schaltungsträgers (8) mit dem Halbleiterchip (7), – Herstellen von Verbindungen zu einem Teil der Kontaktanschlussflächen (28) über Verbindungselemente (9) zwischen dem Halbleiterchip (7) und dem Schaltungsträger (8), – Herstellen einer Metallplatte (20) mit an den Randseiten (22 bis 25) abgewinkelten Flachleitern (27), – freistehendes Überdecken des Halbleiterchips (7) mit Verbindungselementen (9) mittels der Metall platte (20) unter stoffschlüssigem Verbinden der freien Enden (27) der abgewinkelten Flachleiter (26) mit Kontaktanschlussflächen (40) der Verdrahtungsstruktur (10) in Randbereichen (35 bis 38) des Schaltungsträgers (8), – Einbringen einer Kunststoffgehäusemasse (12) mindestens zwischen Metallplatte (20) und Schaltungsträger (8) unter Einbetten des Halbleiterchips (7) mit Verbindungselementen (9) und Bilden eines Halbleiterbauteilgehäuses (2) und unter Freilassen einer Oberseite der Metallplatte (20), – Strukturieren der Metallplatte (20) auf der Oberseite (17) des Halbleiterbauteilgehäuses (2) in Flachleiterbahnen (18) und Kontaktanschlussflächen (19) für Elektroden (21) mindestens eines zu stapelnden Bauelements (3).
Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Bauelement (3) auf der Oberseite (17) des Halbleiterbauteilgehäuses (2) unter stoffschlüssigem Verbinden der Elektroden (21) des Bauelements (3) mit den Kontaktanschlussflächen (19) der strukturierten Metallplatte (20) gestapelt wird.
Verfahren nach Anspruch 14 oder Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen des Schaltungsträgers (8) eine Verdrahtungsstruktur (10) auf eine Oberseite (11) und eine weitere Verdrahtungsstruktur (10) auf eine Unterseite (15) eines dielektrischen Körpers angeordnet wird, wobei die Verdrahtungsstruktur (10) auf der Oberseite (11) mit Kontaktanschlussflächen (28) für Verbindungselemente (9) zu dem Halbleiterchip (7) und mit Kontaktanschlussflächen (40) in Randbereichen (35 bis 38) der Oberseite (11) des Schaltungsträgers (8) für das Anbringen von Flachleitern (26) zum Stützen der Metallplatte (20) ausgestattet wird, und wobei die Kontaktanschlussflächen (19) über Flachleiterbahnen (18) mit Durchkontakten (13) durch den Schaltungsträger (8) verbunden werden, und wobei auf der Unterseite (15) Außenkontaktflächen (14) für das elektronische Modul (1) vorgesehen werden, die über Leiterbahnen der Verdrahtungsstruktur der Unterseite (15) mit den Durchkontakten (13) elektrisch verbunden werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen eines Halbleiterchips (7) zunächst eine Vielzahl von Halbleiterchippositionen eines Halbleiterwafers mit der Struktur des Halbleiterchips (7) versehen werden und anschließend der Halbleiterwafer in einzelne Halbleiterchips (7) getrennt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass beim Bestücken des Schaltungsträgers (8) mit dem Halbleiterchip (7) ein Halbleiterchip (7) mit Flipchipkontakten (33) als Verbindungselemente (9) auf Kontaktanschlussflächen (28) der Verdrahtungsstruktur (10) gelötet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass beim Bestücken des Schaltungsträgers (8) mit dem Halbleiterchip (7) ein Halbleiterchip (7) mit Flipchipkon takten (33) als Verbindungselemente (9) auf Kontaktanschlussflächen (28) der Verdrahtungsstruktur (10) mit einem Leitklebstoff geklebt wird.
Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass beim Bestücken des Schaltungsträgers (8) mit dem Halbleiterchip (7) der Halbleiterchip (7) mit seiner Rückseite auf der Verdrahtungsstruktur (10) fixiert wird und anschließend Kontaktflächen (34) seiner Oberseite mit Kontaktanschlussflächen (28) des Schaltungsträgers (8) über Bonddrähte als Verbindungselemente (9) elektrisch verbunden werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen einer Metallplatte (20) mit an den Randseiten (22 bis 25) abgewinkelten Flachleitern (26) ein Stanzbiegeverfahren eingesetzt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen einer Metallplatte (20) mit an den Randseiten (22 bis 25) abgewinkelten Flachleitern (26) ein Ätzverfahren mit anschließendem Abwinkeln der Flachleiter (26) eingesetzt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass zum freistehenden Überdecken des Halbleiterchips (7) mit Verbindungselementen (9) mittels der Metallplatte (20) die Metallplatte (20) mit den freien Enden (27) der abgewinkelten Flachleiter (26) derart über dem Halbleiter chip (7) justiert wird, dass die freien Enden (27) über entsprechend vorbereiteten Kontaktanschlussflächen (40) der Verdrahtungsstruktur (10) in Randbereichen (35 bis 38) des Schaltungsträgers (8) angeordnet und anschließend mit diesen stoffschlüssig verbunden werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass beim Einbringen einer Kunststoffgehäusemasse (12) zwischen Metallplatte (20) und Schaltungsträger (8) die abgewinkelten Flachleiter (26) der Metallplatte (20) in die Kunststoffgehäusemasse (12) mit eingebettet werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass zum Strukturieren der Metallplatte (20) auf der Oberseite (17) des Halbleiterbauteilgehäuses (2) die Metallplatte (20) photolithographisch oder drucktechnisch mit einer Schutzlackstruktur beschichtet und anschließend nasschemisch oder trocken geätzt wird, so dass nach Entfernen des Schutzlackes die Metallplatte (20) mit Flachleiterbahnen (18) und Kontaktanschlussflächen (19) für Elektroden (21) des Bauelements (3) strukturiert ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass zum Strukturieren der Metallplatte (20) auf der Oberseite (17) des Halbleiterbauteilgehäuses (2) zu Flachleiterbahnen (18) und Kontaktanschlussflächen (19) für Elektroden (21) des Bauelements (3) ein Laserablationsverfahren eingesetzt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass zum Stapeln auf der strukturierten Metallplatte (20) diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Triacs, Tyristoren und/oder Varistoren eingesetzt werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass zum Stapeln auf der strukturierten Metallplatte (20) passive Bauelemente wie Widerstände, Kondensatoren oder induktive Bauelemente eingesetzt werden.