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WO2013024779A1 - リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 - Google Patents

リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 Download PDF

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WO2013024779A1
WO2013024779A1 PCT/JP2012/070305 JP2012070305W WO2013024779A1 WO 2013024779 A1 WO2013024779 A1 WO 2013024779A1 JP 2012070305 W JP2012070305 W JP 2012070305W WO 2013024779 A1 WO2013024779 A1 WO 2013024779A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
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group
layer film
carbon atoms
lower layer
lithography
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2012/070305
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English (en)
French (fr)
Inventor
越後　雅敏
豪 東原
直哉 内山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co Inc filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Priority to KR1020147003592A priority patent/KR101907481B1/ko
Priority to EP12824111.4A priority patent/EP2743770B1/en
Priority to JP2013528990A priority patent/JP5979384B2/ja
Priority to US14/238,442 priority patent/US9316913B2/en
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C07D311/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only hetero atom, condensed with other rings
    • C07D311/96—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only hetero atom, condensed with other rings spiro-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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    • C08G8/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes
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    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H10P76/20—

Definitions

  • the present invention relates to an underlayer film forming material for lithography containing a compound or resin having a specific structure, and a photoresist pattern forming method using the underlayer film forming material for lithography.
  • the light source for lithography used for resist pattern formation is shortened from KrF excimer laser (248 nm) to ArF excimer laser (193 nm).
  • KrF excimer laser 248 nm
  • ArF excimer laser (193 nm)
  • simply thinning the resist makes it difficult to obtain a resist pattern film thickness sufficient for substrate processing. Therefore, not only a resist pattern but also a process of creating a resist underlayer film between the resist and a semiconductor substrate to be processed and providing this resist underlayer film with a function as a mask during substrate processing has become necessary.
  • a terminal layer is removed by applying a predetermined energy as a resist underlayer film for lithography having a dry etching rate selection ratio close to that of a resist.
  • a material for forming an underlayer film for a multilayer resist process which contains at least a resin component having a substituent that generates a sulfonic acid residue and a solvent (see Patent Document 1).
  • a resist underlayer film material containing a polymer having a specific repeating unit has been proposed as a material for realizing a resist underlayer film for lithography having a lower dry etching rate selectivity than that of a resist (see Patent Document 2). ). Furthermore, in order to realize a resist underlayer film for lithography having a low dry etching rate selection ratio compared with a semiconductor substrate, a repeating unit of acenaphthylenes and a repeating unit having a substituted or unsubstituted hydroxy group are copolymerized. A resist underlayer film material containing a polymer is proposed (see Patent Document 3).
  • an amorphous carbon underlayer film formed by CVD using methane gas, ethane gas, acetylene gas or the like as a raw material is well known.
  • a resist underlayer film material capable of forming a resist underlayer film by a wet process such as spin coating or screen printing is required.
  • the inventors of the present invention provide a lithographic lower layer containing a naphthalene formaldehyde polymer containing a specific structural unit and an organic solvent as a material that is excellent in optical properties and etching resistance and is soluble in a solvent and applicable to a wet process.
  • a film-forming composition (see Patent Documents 4 and 5) is proposed.
  • the formation method of the intermediate layer used in forming the resist underlayer film in the three-layer process for example, a silicon nitride film formation method (see Patent Document 6) or a silicon nitride film CVD formation method (see Patent Document 7).
  • a silicon nitride film formation method for example, a silicon nitride film formation method (see Patent Document 6) or a silicon nitride film CVD formation method (see Patent Document 7).
  • an intermediate layer material for a three-layer process a material containing a silsesquioxane-based silicon compound is known (see Patent Documents 8 and 9).
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to apply a wet process, and is useful for forming a photoresist underlayer film excellent in heat resistance and etching resistance.
  • An object of the present invention is to provide a film forming material and a pattern forming method using the material.
  • each X is independently an oxygen atom or a sulfur atom
  • each R 1 is independently a single bond or a 2n-valent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms
  • the hydrocarbon group may have a cyclic hydrocarbon group, a double bond, a hetero atom, or an aromatic group having 6 to 30 carbon atoms
  • each R 2 independently represents 1 to 10 carbon atoms.
  • the compound represented by the general formula (1) is a compound represented by the following general formula (1a), (In the formula (1a), each X is independently an oxygen atom or a sulfur atom, each R 1 is independently a single bond or a 2n-valent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, The hydrocarbon group may have a cyclic hydrocarbon group, a double bond, a hetero atom, or an aromatic group having 6 to 30 carbon atoms, and each R 4 independently represents one having 1 to 10 carbon atoms.
  • each X is independently an oxygen atom or a sulfur atom
  • each R 1 is independently a single bond or a 2n-valent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms
  • the hydrocarbon group may have a cyclic hydrocarbon group, a double bond, a hetero atom, or an aromatic group having 6 to 30 carbon atoms
  • each R 2 independently represents 1 to 10 carbon atoms.
  • a linear, branched or cyclic alkyl group, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, or a hydroxyl group, provided that at least one of R 2 is a hydroxyl group, and R 3 Are each independently a single bond or a linear or branched alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, m 2 is each independently an integer of 1 to 5, and n is 1 to It is an integer of 4.) Underlayer film forming material for lithography.
  • ⁇ 6> Furthermore, it contains a crosslinking agent, The material for forming a lower layer film for lithography according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5> above.
  • ⁇ 7> A material for forming an underlayer film for lithography according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6> above, Lower layer film for lithography.
  • a lower layer film is formed on the substrate using the lower layer film forming material according to any one of the above ⁇ 1> to ⁇ 6>, and at least one photoresist layer is formed on the lower layer film. After the formation, it is characterized by irradiating a required region of the photoresist layer and performing alkali development, Pattern forming method.
  • a lower layer film is formed on the substrate using the lower layer film forming material according to any one of the above ⁇ 1> to ⁇ 6>, and a resist intermediate layer containing silicon atoms is formed on the lower layer film
  • An intermediate layer film is formed by using a film material, and at least one photoresist layer is formed on the intermediate layer film. Then, a predetermined region of the photoresist layer is irradiated with radiation and subjected to alkali development to form a resist.
  • a pattern is formed, and then the intermediate layer film is etched using the resist pattern as a mask, the lower layer film is etched using the obtained intermediate layer film pattern as an etching mask, and the resulting lower layer film pattern is used as an etching mask.
  • a pattern is formed on the substrate by etching Pattern forming method.
  • a wet process can be applied, and a material for forming a lower layer film for lithography useful for forming a photoresist lower layer film having excellent heat resistance and etching resistance can be realized.
  • this lower layer film forming material for lithography uses a naphthol derivative (compound or resin) having a specific structure that has high heat resistance, relatively high carbon concentration, relatively low oxygen concentration, and high solvent solubility. Therefore, the deterioration of the film during high-temperature baking is suppressed, and it is possible to form a lower layer film having excellent etching resistance against oxygen plasma etching, etc. A resist pattern can be obtained.
  • the material for forming a lower layer film for lithography of the present embodiment contains at least a compound represented by the following general formula (1).
  • each X is independently an oxygen atom or a sulfur atom, and each naphthalene ring is bonded through X.
  • Each R 1 is independently a single bond or a 2n-valent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, and each naphthalene ring is bonded through this R 1 .
  • the 2n-valent hydrocarbon group may have a cyclic hydrocarbon group, a double bond, a hetero atom, or an aromatic group having 6 to 30 carbon atoms.
  • R 2 is each independently a group consisting of a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms and a hydroxyl group. Is a selected monovalent substituent, and is bonded to the naphthalene ring m in number.
  • at least one of R 2 is a hydroxyl group.
  • M is independently an integer of 1 to 6, and n is an integer of 1 to 4.
  • Examples of the 2n-valent hydrocarbon group include those having a linear, branched, or cyclic structure.
  • the 2n-valent hydrocarbon group may have a cyclic hydrocarbon group, a double bond, a hetero atom, or an aromatic group having 6 to 30 carbon atoms.
  • the cyclic hydrocarbon group includes a bridged cyclic hydrocarbon group.
  • the compound represented by the general formula (1) has a relatively low molecular weight, but has high heat resistance due to the rigidity of its structure, and therefore can be used under high temperature baking conditions.
  • the substrate has a relatively low molecular weight and low viscosity, it is easy to uniformly fill every corner of a step even on a substrate having a step (particularly, a fine space or a hole pattern).
  • the embedding characteristic of the material for forming a lower layer film for lithography using this can be improved relatively advantageously.
  • it is a compound having a relatively high carbon concentration, high etching resistance is also imparted.
  • the compound represented by the general formula (1) is preferably a compound represented by the following formula (1-1).
  • R 1 , R 2 , m, and n are as defined in the above formula (1).
  • the compound represented by the general formula (1-1) is more preferably a compound represented by the following formula (1-2).
  • R 1 and n have the same meaning as described in the above formula (1-1)
  • R 4 has the same meaning as R 2 described in the above formula (1)
  • m 3 is each independently an integer of 1 to 6
  • m 4 is each independently an integer of 0 to 5
  • m 3 + m 4 is an integer of 1 to 6.
  • the compound represented by the general formula (1-2) is more preferably a compound represented by the following formula (1-3).
  • R 1 , R 4 and m 4 have the same meaning as described in the above formula (1-2).
  • X, R 1 , R 4 and m 4 have the same meanings as described in the above formula (1-2).
  • the compound represented by the general formula (1a) is particularly preferably an embodiment in which X ⁇ O in the above formula (1a), that is, a compound represented by the following formula (1-4).
  • R 1 , R 4 and m 4 have the same meaning as described in the above formula (1a).
  • the compound represented by the general formula (1) can be appropriately synthesized by applying a known technique, and the synthesis technique is not particularly limited.
  • the compound represented by the general formula (1) can be obtained by subjecting naphthols or thionaphthols and corresponding aldehydes or ketones to a polycondensation reaction under an acid catalyst under normal pressure. Moreover, it can also carry out under pressure as needed.
  • naphthols examples include, but are not particularly limited to, naphthol, methyl naphthol, methoxy naphthol, naphthalene diol, and the like. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, it is more preferable to use naphthalene diol because a xanthene structure can be easily formed.
  • thionaphthols examples include, but are not particularly limited to, naphthalene thiol, methyl naphthalene thiol, methoxynaphthalene thiol, naphthalene dithiol, and the like. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, it is more preferable to use naphthalenedithiol because a thioxanthene structure can be easily formed.
  • aldehydes examples include formaldehyde, trioxane, paraformaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, butyraldehyde, hexylaldehyde, decylaldehyde, undecylaldehyde, phenylacetaldehyde, phenylpropylaldehyde, furfural, benzaldehyde, hydroxybenzaldehyde, fluorobenzaldehyde, Chlorobenzaldehyde, Nitrobenzaldehyde, Methylbenzaldehyde, Dimethylbenzaldehyde, Ethylbenzaldehyde, Propylbenzaldehyde, Butylbenzaldehyde, Cyclohexylbenzaldehyde, Biphenylaldehyde, Naphthaldehyde, Anthracenecarboxaldehyde, Phenanthrene
  • benzaldehyde hydroxybenzaldehyde, fluorobenzaldehyde, chlorobenzaldehyde, nitrobenzaldehyde, methylbenzaldehyde, dimethylbenzaldehyde, ethylbenzaldehyde, propylbenzaldehyde, butylbenzaldehyde, cyclohexylbenzaldehyde, biphenylaldehyde, naphthaldehyde, anthracenecarboxaldehyde, phenanthrenecarboxaldehyde , Pyrenecarboxaldehyde, glyoxal, glutaraldehyde, phthalaldehyde, naphthalene dicarboxyaldehyde, biphenyl dicarboxaldehyde, anthracene dicarboxaldehyde,
  • ketones examples include acetone, methyl ethyl ketone, cyclobutanone, cyclopentanone, cyclohexanone, norbornanone, tricyclohexanone, tricyclodecanone, adamantanone, fluorenone, benzofluorenone, acenaphthenequinone, acenaphthenone, anthraquinone and the like. However, it is not particularly limited to these. These can be used alone or in combination of two or more.
  • cyclopentanone cyclohexanone, norbornanone, tricyclohexanone, tricyclodecanone, adamantanone, fluorenone, benzofluorenone, acenaphthenequinone, acenaphthenone and anthraquinone from the viewpoint of giving high heat resistance.
  • the acid catalyst used in the above reaction can be appropriately selected from known ones and is not particularly limited.
  • inorganic acids and organic acids are widely known.
  • inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrobromic acid, hydrofluoric acid, oxalic acid, malonic acid, and succinic acid.
  • Adipic acid sebacic acid, citric acid, fumaric acid, maleic acid, formic acid, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, trifluoroacetic acid, dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, trifluoromethanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid Organic acids such as naphthalenedisulfonic acid, Lewis acids such as zinc chloride, aluminum chloride, iron chloride, boron trifluoride, or solid acids such as silicotungstic acid, phosphotungstic acid, silicomolybdic acid or phosphomolybdic acid Although it is mentioned, it is not specifically limited to these.
  • an organic acid and a solid acid are preferable from the viewpoint of production, and hydrochloric acid or sulfuric acid is preferably used from the viewpoint of production such as availability and ease of handling.
  • an acid catalyst 1 type can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • the amount of the acid catalyst used can be appropriately set according to the raw material used, the type of catalyst used, and the reaction conditions, and is not particularly limited, but is 0.01 to 100 per 100 parts by mass of the reactive raw material. It is preferable that it is a mass part.
  • a reaction solvent may be used.
  • the reaction solvent is not particularly limited as long as the reaction between the aldehyde or ketone to be used and the naphthol or thionaphthol proceeds, and can be appropriately selected from known ones. , Water, methanol, ethanol, propanol, butanol, tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, or a mixed solvent thereof.
  • a solvent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the amount of these solvents used can be appropriately set according to the raw material used, the type of catalyst used, and the reaction conditions, and is not particularly limited, but is 0 to 2000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the reaction raw material. It is preferable that it is the range of these.
  • the reaction temperature in the above reaction can be appropriately selected according to the reactivity of the reaction raw material, and is not particularly limited, but is usually in the range of 10 to 200 ° C. In order to form a xanthene structure or a thioxanthene structure as the compound represented by the general formula (1) of the present embodiment, the reaction temperature is preferably higher, and specifically in the range of 60 to 200 ° C.
  • the reaction method can be appropriately selected from known methods and is not particularly limited.
  • the reaction method is not particularly limited, but a method in which naphthols or thionaphthols, aldehydes or ketones, and a catalyst are charged all together, naphthols or thionaphthol is used. Or aldehydes or ketones in the presence of a catalyst.
  • the obtained compound can be isolated according to a conventional method, and is not particularly limited. For example, in order to remove unreacted raw materials, catalysts, etc. existing in the system, a general method is adopted such as raising the temperature of the reaction vessel to 130-230 ° C. and removing volatile matter at about 1-50 mmHg. Thus, the target compound can be obtained.
  • reaction conditions 1 mol to excess of naphthols or thionaphthols and 0.001 to 1 mol of acid catalyst are used with respect to 1 mol of aldehyde or ketone, and 50 to 150 ° C. at normal pressure. The reaction proceeds for about 20 minutes to 100 hours.
  • the target product can be isolated by a known method.
  • the reaction solution is concentrated, pure water is added to precipitate the reaction product, cooled to room temperature, filtered and separated, and the resulting solid is filtered and dried, followed by column chromatography.
  • the compound represented by the above general formula (1), which is the target product can be obtained by separating and purifying the product from the by-product, evaporating the solvent, filtering and drying.
  • the molecular weight of the compound represented by the general formula (1) is not particularly limited, but the weight average molecular weight Mw is preferably 350 to 5,000, and more preferably 400 to 3,000.
  • the compound represented by the general formula (1) can be used as it is as a material for forming a lower layer film for lithography. It can also be used as an oligomerized resin reacted with a monomer having crosslinking reactivity.
  • the resin obtained by oligomerizing the compound represented by the general formula (1) include those having a structure represented by the following general formula (2). That is, the lithography lower layer film-forming material of the present embodiment may contain at least a resin having a structure represented by the following general formula (2).
  • X is respectively independently an oxygen atom or a sulfur atom.
  • R 1 is each independently a single bond or a 2n-valent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, and the hydrocarbon group is a cyclic hydrocarbon group, a double bond, a hetero atom, or 6 to 6 carbon atoms. It may have 30 aromatic groups.
  • Each R 2 independently represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, or a hydroxyl group, provided that , R 2 is a hydroxyl group.
  • Each R 3 is independently a single bond or a linear or branched alkylene group having 1 to 20 carbon atoms.
  • m 2 is each independently an integer of 1 to 5, and n is an integer of 1 to 4.
  • the 2n-valent hydrocarbon group has the same meaning as described in the above formula (1).
  • the monomer having crosslinking reactivity a known monomer can be used without particular limitation as long as it can oligomerize the compound represented by the general formula (1).
  • Specific examples thereof include, but are not limited to, aldehydes, ketones, carboxylic acids, carboxylic acid halides, halogen-containing compounds, amino compounds, imino compounds, isocyanates, unsaturated hydrocarbon group-containing compounds, and the like.
  • the resin having the structure represented by the general formula (2) include, for example, a resin in which the compound represented by the general formula (1) is novolakized by a condensation reaction with an aldehyde that is a crosslinking reactive monomer. Is mentioned.
  • aldehyde for example, formaldehyde, trioxane, paraformaldehyde, benzaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, phenylacetaldehyde, phenylpropylaldehyde, hydroxybenzaldehyde
  • examples include, but are not limited to, chlorobenzaldehyde, nitrobenzaldehyde, methylbenzaldehyde, ethylbenzaldehyde, butylbenzaldehyde, biphenylaldehyde, naphthaldehyde, anthracenecarbaldehyde, phenanthrenecarbaldehyde, pyrenecarbaldehyde, and furfural.
  • aldehydes can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the amount of the aldehyde used is not particularly limited, but is preferably 0.2 to 5 mol, more preferably 0.5 to 2 mol, relative to 1 mol of the compound represented by the general formula (1). is there.
  • a catalyst may be used.
  • the acid catalyst used here can be appropriately selected from known ones and is not particularly limited.
  • inorganic acids and organic acids are widely known.
  • inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrobromic acid, hydrofluoric acid, oxalic acid, malonic acid, and succinic acid.
  • Adipic acid sebacic acid, citric acid, fumaric acid, maleic acid, formic acid, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, trifluoroacetic acid, dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, trifluoromethanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid Organic acids such as naphthalenedisulfonic acid, Lewis acids such as zinc chloride, aluminum chloride, iron chloride, boron trifluoride, or solid acids such as silicotungstic acid, phosphotungstic acid, silicomolybdic acid or phosphomolybdic acid Although it is mentioned, it is not specifically limited to these.
  • organic acids and solid acids are preferable from the viewpoint of production, and hydrochloric acid or sulfuric acid is preferable from the viewpoint of production such as availability and ease of handling.
  • an acid catalyst 1 type can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • the amount of the acid catalyst used can be appropriately set according to the raw material used, the type of catalyst used, and the reaction conditions, and is not particularly limited, but is 0.01 to 100 per 100 parts by mass of the reactive raw material. It is preferable that it is a mass part.
  • indene hydroxyindene, benzofuran, hydroxyanthracene, acenaphthylene, biphenyl, bisphenol, trisphenol, dicyclopentadiene, tetrahydroindene, 4-vinylcyclohexene, norbornadiene, 5-vinylnorborna-2-ene, ⁇ -pinene, ⁇ -pinene
  • aldehydes are not necessarily required.
  • a reaction solvent can also be used.
  • the reaction solvent in this polycondensation can be appropriately selected from known solvents and is not particularly limited. Examples thereof include water, methanol, ethanol, propanol, butanol, tetrahydrofuran, dioxane, and mixed solvents thereof. Illustrated.
  • a solvent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. The amount of these solvents used can be appropriately set according to the raw material used, the type of catalyst used, and the reaction conditions, and is not particularly limited, but is 0 to 2000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the reaction raw material. It is preferable that it is the range of these.
  • the reaction temperature can be appropriately selected according to the reactivity of the reaction raw material, and is not particularly limited, but is usually in the range of 10 to 200 ° C.
  • the reaction method can be appropriately selected from known methods and is not particularly limited.
  • the reaction method may be a method in which the compound represented by the general formula (1), the aldehydes, and the catalyst are charged all together, or the general formula ( There is a method in which the compound or aldehyde represented by 1) is dropped in the presence of a catalyst.
  • the obtained compound can be isolated according to a conventional method, and is not particularly limited.
  • a general method is adopted such as raising the temperature of the reaction vessel to 130-230 ° C. and removing volatile matter at about 1-50 mmHg. As a result, a novolak resin as the target product can be obtained.
  • the resin having the structure represented by the general formula (2) may be a homopolymer of the compound represented by the general formula (1), but is a copolymer with other phenols. May be.
  • the copolymerizable phenols include phenol, cresol, dimethylphenol, trimethylphenol, butylphenol, phenylphenol, diphenylphenol, naphthylphenol, resorcinol, methylresorcinol, catechol, butylcatechol, methoxyphenol, methoxyphenol, Although propylphenol, pyrogallol, thymol, etc. are mentioned, it is not specifically limited to these.
  • the resin having the structure represented by the general formula (2) may be copolymerized with a polymerizable monomer other than the above-described phenols.
  • the copolymerization monomer include naphthol, methylnaphthol, methoxynaphthol, dihydroxynaphthalene, indene, hydroxyindene, benzofuran, hydroxyanthracene, acenaphthylene, biphenyl, bisphenol, trisphenol, dicyclopentadiene, tetrahydroindene, 4-vinylcyclohexene.
  • the resin having the structure represented by the general formula (2) is a binary or more (for example, 2-4 quaternary) copolymer of the compound represented by the general formula (1) and the above-described phenols.
  • the general formula (1) It may be a ternary or higher (for example, ternary to quaternary) copolymer of the compound shown, the above-described phenols, and the above-mentioned copolymerization monomer.
  • the molecular weight of the resin having the structure represented by the general formula (2) is not particularly limited, but the polystyrene-equivalent weight average molecular weight (Mw) is preferably 500 to 30,000, more preferably 750 to 20,000. Further, from the viewpoint of increasing the crosslinking efficiency and suppressing the volatile components in the baking, the resin having the structure represented by the general formula (2) has a dispersity (weight average molecular weight Mw / number average molecular weight Mn) of 1.2. Those within the range of ⁇ 7 are preferred.
  • the above-described compound represented by the general formula (1) and / or the resin having the structure represented by the general formula (2) has high solubility in a solvent from the viewpoint of easier application of a wet process.
  • these compounds and / or resins preferably have a solubility in 1-methoxy-2-propanol (PGME) or propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) of 10% by mass or more.
  • PGME 1-methoxy-2-propanol
  • PGMEA propylene glycol monomethyl ether acetate
  • the solubility in PGME or PGMEA is defined as “resin mass ⁇ (resin mass + solvent mass) ⁇ 100 (mass%)”.
  • the solubility of the phenolic resin in PGMEA is “10 mass% or more”, and when it is not dissolved, it is “less than 10 mass%”.
  • the lower layer film forming material for lithography of the present embodiment contains an organic solvent which is an optional component described later, the content of the compound represented by the general formula (1) and the resin having the structure represented by the general formula (2).
  • the content of the compound represented by the general formula (1) and the resin having the structure represented by the general formula (2). is not particularly limited, but is preferably 1 to 33 parts by mass, more preferably 2 to 25 parts by mass, and further preferably 3 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount including the organic solvent.
  • the material for forming a lower layer film for lithography of the present embodiment includes, in addition to the compound represented by the general formula (1) and / or the resin having the structure represented by the general formula (2), a crosslinking agent, an acid, if necessary.
  • a crosslinking agent such as a generator and an organic solvent may be included.
  • these optional components will be described.
  • the lower layer film forming material for lithography of the present embodiment may contain a crosslinking agent as necessary from the viewpoint of suppressing intermixing.
  • a crosslinking agent that can be used in the present embodiment include double bonds such as melamine compounds, guanamine compounds, glycoluril compounds or urea compounds, epoxy compounds, thioepoxy compounds, isocyanate compounds, azide compounds, alkenyl ether groups, and the like.
  • these crosslinking agents can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. These may be used as additives, but these crosslinkable groups may be introduced as pendant groups into the polymer side chain.
  • a compound containing a hydroxy group can also be used as a crosslinking agent.
  • the melamine compound include, for example, hexamethylol melamine, hexamethoxymethyl melamine, a compound in which 1 to 6 methylol groups of hexamethylol melamine are methoxymethylated or a mixture thereof, hexamethoxyethyl melamine, hexaacyloxymethyl melamine And a compound in which 1 to 6 methylol groups of hexamethylolmelamine are acyloxymethylated, or a mixture thereof.
  • epoxy compound examples include tris (2,3-epoxypropyl) isocyanurate, trimethylolmethane triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, triethylolethane triglycidyl ether, and the like.
  • the guanamine compound include, for example, tetramethylolguanamine, tetramethoxymethylguanamine, a compound in which 1 to 4 methylol groups of tetramethylolguanamine are methoxymethylated, or a mixture thereof, tetramethoxyethylguanamine, tetraacyloxyguanamine, Examples thereof include compounds in which 1 to 4 methylol groups of tetramethylolguanamine are acyloxymethylated, or mixtures thereof.
  • glycoluril compound examples include, for example, tetramethylol glycoluril, tetramethoxyglycoluril, tetramethoxymethylglycoluril, a compound in which 1 to 4 methylol groups of tetramethylolglycoluril are methoxymethylated, or a mixture thereof, Examples thereof include compounds in which 1 to 4 methylol groups of methylol glycoluril are acyloxymethylated, or mixtures thereof.
  • urea compound examples include, for example, tetramethylol urea, tetramethoxymethyl urea, a compound in which 1 to 4 methylol groups of tetramethylol urea are methoxymethylated or a mixture thereof, tetramethoxyethyl urea, and the like.
  • the compound containing an alkenyl ether group include, for example, ethylene glycol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether, 1,2-propanediol divinyl ether, 1,4-butanediol divinyl ether, tetramethylene glycol divinyl ether, neo Pentyl glycol divinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, hexanediol divinyl ether, 1,4-cyclohexanediol divinyl ether, pentaerythritol trivinyl ether, pentaerythritol tetravinyl ether, sorbitol tetravinyl ether, sorbitol pentavinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, etc. Can be mentioned.
  • the content of the crosslinking agent is not particularly limited, but the compound represented by the general formula (1) and the resin having the structure represented by the general formula (2) 100 mass
  • the amount is preferably 5 to 50 parts by mass, more preferably 10 to 40 parts by mass.
  • the underlayer film forming material for lithography of the present embodiment may contain an acid generator as necessary from the viewpoint of further promoting the crosslinking reaction by heat.
  • an acid generator those that generate acid by thermal decomposition and those that generate acid by light irradiation are known, and any of them can be used.
  • an acid generator 1) an onium salt of the following general formula (P1a-1), (P1a-2), (P1a-3) or (P1b), 2) a diazomethane derivative of the following general formula (P2), 3) a glyoxime derivative of the following general formula (P3), 4) A bissulfone derivative of the following general formula (P4), 5) A sulfonic acid ester of an N-hydroxyimide compound of the following general formula (P5), 6) ⁇ -ketosulfonic acid derivative, 7) a disulfone derivative, 8) Nitrobenzyl sulfonate derivative, 9) Examples thereof include, but are not particularly limited to, sulfonic acid ester derivatives. In addition, these acid generators can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • R 101a , R 101b and R 101c are each independently a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkenyl group, an oxoalkyl group or an oxoalkenyl group, and 6 to 6 carbon atoms.
  • 20 aryl groups, aralkyl groups having 7 to 12 carbon atoms, or aryloxoalkyl groups, part or all of hydrogen atoms of these groups may be substituted with alkoxy groups or the like.
  • R 101b and R 101c may form a ring. When a ring is formed, R 101b and R 101c each independently represent an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • K ⁇ represents a non-nucleophilic counter ion.
  • R 101d , R 101e , R 101f and R 101g are each independently represented by adding a hydrogen atom to R 101a , R 101b and R 101c .
  • R 101d and R 101e , R 101d and R 101e and R 101f may form a ring, and in the case of forming a ring, R 101d and R 101e and R 101d , R 101e and R 101f have 3 carbon atoms.
  • R 101a , R 101b , R 101c , R 101d , R 101e , R 101f and R 101g may be the same as or different from each other.
  • the alkyl group includes methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, sec-butyl, tert-butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, cyclopentyl.
  • alkenyl group examples include a vinyl group, an allyl group, a propenyl group, a butenyl group, a hexenyl group, and a cyclohexenyl group.
  • oxoalkyl group examples include a 2-oxocyclopentyl group, a 2-oxocyclohexyl group, and the like.
  • Examples of the oxoalkenyl group include 2-oxo-4-cyclohexenyl group and 2-oxo-4-propenyl group.
  • Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a p-methoxyphenyl group, an m-methoxyphenyl group, an o-methoxyphenyl group, an ethoxyphenyl group, a p-tert-butoxyphenyl group, and an m-tert-butoxyphenyl group.
  • Alkylphenyl groups such as alkoxyphenyl groups, 2-methylphenyl groups, 3-methylphenyl groups, 4-methylphenyl groups, ethylphenyl groups, 4-tert-butylphenyl groups, 4-butylphenyl groups, dimethylphenyl groups, etc.
  • Alkyl naphthyl groups such as methyl naphthyl group and ethyl naphthyl group, alkoxy naphthyl groups such as methoxy naphthyl group and ethoxy naphthyl group, dialkyl naphthyl groups such as dimethyl naphthyl group and diethyl naphthyl group, dimethoxy naphthyl group and diethoxy naphthyl group Dialkoxynaphthyl group And the like.
  • the aralkyl group include a benzyl group, a phenylethyl group, and a phenethyl group.
  • aryloxoalkyl groups examples include 2-aryl-2-oxoethyl groups, 2- (1-naphthyl) -2-oxoethyl groups, 2- (2-naphthyl) -2-oxoethyl groups, and the like. Groups and the like.
  • K - a non-nucleophilic counter chloride ions as the ion, halide ions such as bromide ion, triflate, 1,1,1-trifluoroethane sulfonate, fluoroalkyl sulfonate such as nonafluorobutanesulfonate, tosylate, benzenesulfonate Aryl sulfonates such as 4-fluorobenzene sulfonate and 1,2,3,4,5-pentafluorobenzene sulfonate, and alkyl sulfonates such as mesylate and butane sulfonate.
  • the heteroaromatic ring may be an imidazole derivative (for example, imidazole, 4-methyl Imidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, etc.), pyrazole derivatives, furazane derivatives, pyrroline derivatives (eg pyrroline, 2-methyl-1-pyrroline etc.), pyrrolidine derivatives (eg pyrrolidine, N-methylpyrrolidine, pyrrolidinone, N- Methylpyrrolidone etc.), imidazoline derivatives, imidazolidine derivatives, pyridine derivatives (eg pyridine, methylpyridine, ethylpyridine, propylpyridine, butylpyridine, 4- (1-butylpentyl) pyridine, dimethylpyridine, trimethylpyridine, triethylpyridine, phenylpyri
  • imidazole derivative for example, imidazole, 4-methyl Imidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, etc.
  • the general formula (P1a-1) and the general formula (P1a-2) are effective as both a photoacid generator and a thermal acid generator, but the general formula (P1a-3) acts as a thermal acid generator. To do.
  • R 102a and R 102b each independently represent a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
  • R 103 represents a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 10 carbon atoms.
  • R 104a and R 104b each independently represents a 3-oxoalkyl group having 3 to 7 carbon atoms.
  • K ⁇ represents a non-nucleophilic counter ion.
  • R 102a and R 102b include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group.
  • R 103 includes methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, pentylene group, hexylene group, heptylene group, octylene group, nonylene group, 1,4-cyclohexylene group, 1,2-cyclohexylene. Group, 1,3-cyclopentylene group, 1,4-cyclooctylene group, 1,4-cyclohexanedimethylene group and the like.
  • R 104a and R 104b include a 2-oxopropyl group, a 2-oxocyclopentyl group, a 2-oxocyclohexyl group, and a 2-oxocycloheptyl group.
  • K - is the formula (P1a-1), can be exemplified the same ones as described in (P1a-2) and (P1a-3).
  • R 105 and R 106 are each independently a linear, branched or cyclic alkyl group or halogenated alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a halogenated group. An aryl group or an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms is shown.
  • Examples of the alkyl group represented by R 105 and R 106 include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, Examples include amyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, norbornyl group, adamantyl group and the like.
  • halogenated alkyl group examples include a trifluoromethyl group, 1,1,1-trifluoroethyl group, 1,1,1-trichloroethyl group, nonafluorobutyl group and the like.
  • aryl group an alkoxyphenyl group such as a phenyl group, p-methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, o-methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, p-tert-butoxyphenyl group, m-tert-butoxyphenyl group, etc.
  • alkylphenyl groups such as 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, ethylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-butylphenyl group and dimethylphenyl group.
  • halogenated aryl group include a fluorophenyl group, a chlorophenyl group, and 1,2,3,4,5-pentafluorophenyl group.
  • aralkyl group include a benzyl group and a phenethyl group.
  • R 107 , R 108 and R 109 are each independently a linear, branched or cyclic alkyl group or halogenated alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms. Or a halogenated aryl group or an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms.
  • R 108 and R 109 may be bonded to each other to form a cyclic structure.
  • R 108 and R 109 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. .
  • Examples of the alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, halogenated aryl group, and aralkyl group of R 107 , R 108 , and R 109 include the same groups as those described for R 105 and R 106 .
  • Examples of the alkylene group for R 108 and R 109 include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, and a hexylene group.
  • R 101a and R 101b are the same as described above.
  • R 110 represents an arylene group having 6 to 10 carbon atoms, an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, or an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms, and part or all of the hydrogen atoms of these groups are Further, it may be substituted with a linear or branched alkyl group or alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a nitro group, an acetyl group, or a phenyl group.
  • R 111 represents a linear, branched or substituted alkyl group, alkenyl group, alkoxyalkyl group, phenyl group, or naphthyl group having 1 to 8 carbon atoms, and some or all of the hydrogen atoms of these groups are further An alkyl group or alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms; a phenyl group optionally substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, a nitro group, or an acetyl group; a heteroaromatic group having 3 to 5 carbon atoms; Alternatively, it may be substituted with a chlorine atom or a fluorine atom.
  • examples of the arylene group of R 110 include a 1,2-phenylene group and a 1,8-naphthylene group.
  • examples of the alkylene group include methylene group, ethylene group, trimethylene group, tetramethylene group, phenylethylene group, norbornane-2,3-diyl group and the like.
  • examples of the alkenylene group include a 1,2-vinylene group, a 1-phenyl-1,2-vinylene group, and a 5-norbornene-2,3-diyl group.
  • Examples of the alkyl group for R 111 include the same groups as R 101a to R 101c .
  • alkenyl group examples include vinyl group, 1-propenyl group, allyl group, 1-butenyl group, 3-butenyl group, isoprenyl group, 1-pentenyl group, 3-pentenyl group, 4-pentenyl group, dimethylallyl group, 1- Examples include a hexenyl group, a 3-hexenyl group, a 5-hexenyl group, a 1-heptenyl group, a 3-heptenyl group, a 6-heptenyl group, and a 7-octenyl group.
  • alkoxyalkyl group methoxymethyl group, ethoxymethyl group, propoxymethyl group, butoxymethyl group, pentyloxymethyl group, hexyloxymethyl group, heptyloxymethyl group, methoxyethyl group, ethoxyethyl group, propoxyethyl group, Butoxyethyl group, pentyloxyethyl group, hexyloxyethyl group, methoxypropyl group, ethoxypropyl group, propoxypropyl group, butoxypropyl group, methoxybutyl group, ethoxybutyl group, propoxybutyl group, methoxypentyl group, ethoxypentyl group, A methoxyhexyl group, a methoxyheptyl group, etc. are mentioned.
  • examples of the optionally substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, and a tert-butyl group.
  • examples of the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, tert-butoxy group and the like.
  • Examples of the phenyl group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, a nitro group or an acetyl group include a phenyl group, a tolyl group, a p-tert-butoxyphenyl group, a p-acetylphenyl group, p -Nitrophenyl group and the like.
  • Examples of the heteroaromatic group having 3 to 5 carbon atoms include a pyridyl group and a furyl group.
  • tetramethylammonium trifluoromethanesulfonate tetramethylammonium nonafluorobutanesulfonate, triethylammonium nonafluorobutanesulfonate, pyridinium nonafluorobutanesulfonate, triethylammonium camphorsulfonate, pyridinium camphorsulfonate, nona Tetra n-butylammonium fluorobutanesulfonate, tetraphenylammonium nonafluorobutanesulfonate, tetramethylammonium p-toluenesulfonate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, phenyliodonium trifluoromethanesulfonate (p-tert-butoxyphenyl) phenyliodonium, p-Toluenesulf
  • triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate trifluoromethanesulfonic acid (p-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium, trifluoromethanesulfonic acid tris (p-tert-butoxyphenyl) sulfonium, p-toluenesulfonic acid Triphenylsulfonium, p-toluenesulfonic acid (p-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium, p-toluenesulfonic acid tris (p-tert-butoxyphenyl) sulfonium, trifluoromethanesulfonic acid trinaphthylsulfonium, trifluoromethanesulfonic acid cyclohexylmethyl (2-oxo
  • the content of the acid generator is not particularly limited, but the resin 100 having the compound represented by the general formula (1) and the structure represented by the general formula (2) described above.
  • the amount is preferably 0.1 to 50 parts by mass, more preferably 0.5 to 40 parts by mass with respect to parts by mass.
  • the material for forming a lower layer film for lithography according to the present embodiment may contain a basic compound from the viewpoint of improving storage stability.
  • the basic compound serves as a quencher for the acid to prevent the acid generated in a trace amount from the acid generator from causing the crosslinking reaction to proceed.
  • Examples of such basic compounds include primary, secondary, and tertiary aliphatic amines, hybrid amines, aromatic amines, heterocyclic amines, nitrogen-containing compounds having a carboxy group, and sulfonyl groups. Nitrogen-containing compounds having a hydroxyl group, nitrogen-containing compounds having a hydroxyl group, nitrogen-containing compounds having a hydroxyphenyl group, alcoholic nitrogen-containing compounds, amide derivatives, imide derivatives, and the like, but are not particularly limited thereto.
  • the primary aliphatic amines include ammonia, methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, isobutylamine, sec-butylamine, tert-butylamine, pentyl.
  • Examples include amine, tert-amylamine, cyclopentylamine, hexylamine, cyclohexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dodecylamine, cetylamine, methylenediamine, ethylenediamine, tetraethylenepentamine and the like.
  • secondary aliphatic amines include dimethylamine, diethylamine, di-n-propylamine, diisopropylamine, di-n-butylamine, diisobutylamine, di-sec-butylamine, dipentylamine, dicyclopentylamine.
  • tertiary aliphatic amines include trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, triisopropylamine, tri-n-butylamine, triisobutylamine, tri-sec-butylamine, tripentylamine, tripentylamine, Cyclopentylamine, trihexylamine, tricyclohexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, tridodecylamine, tricetylamine, N, N, N ′, N′-tetramethylmethylenediamine, Examples thereof include N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethyltetraethylenepentamine and the like.
  • the mixed amines include dimethylethylamine, methylethylpropylamine, benzylamine, phenethylamine, benzyldimethylamine and the like.
  • aromatic amines and heterocyclic amines include aniline derivatives (for example, aniline, N-methylaniline, N-ethylaniline, N-propylaniline, N, N-dimethylaniline, 2-methylaniline, 3- Methylaniline, 4-methylaniline, ethylaniline, propylaniline, trimethylaniline, 2-nitroaniline, 3-nitroaniline, 4-nitroaniline, 2,4-dinitroaniline, 2,6-dinitroaniline, 3,5- Dinitroaniline, N, N-dimethyltoluidine, etc.), diphenyl (p-tolyl) amine, methyldiphenylamine, triphenylamine, phenylenediamine, naphthylamine, diaminona
  • nitrogen-containing compound having a carboxy group examples include aminobenzoic acid, indolecarboxylic acid, amino acid derivatives (for example, nicotinic acid, alanine, arginine, aspartic acid, glutamic acid, glycine, histidine, isoleucine, glycylleucine, Leucine, methionine, phenylalanine, threonine, lysine, 3-aminopyrazine-2-carboxylic acid, methoxyalanine) and the like.
  • aminobenzoic acid for example, nicotinic acid, alanine, arginine, aspartic acid, glutamic acid, glycine, histidine, isoleucine, glycylleucine, Leucine, methionine, phenylalanine, threonine, lysine, 3-aminopyrazine-2-carboxylic acid, methoxyalan
  • nitrogen-containing compound having a sulfonyl group examples include 3-pyridinesulfonic acid and pyridinium p-toluenesulfonate.
  • nitrogen-containing compounds having a hydroxyl group, nitrogen-containing compounds having a hydroxyphenyl group, and alcoholic nitrogen-containing compounds include 2-hydroxypyridine, aminocresol, 2,4-quinolinediol, 3-indolemethanol hydrate, mono Ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-ethyldiethanolamine, N, N-diethylethanolamine, triisopropanolamine, 2,2'-iminodiethanol, 2-aminoethanol, 3-amino-1-propanol, 4- Amino-1-butanol, 4- (2-hydroxyethyl) morpholine, 2- (2-hydroxyethyl) pyridine, 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, 1- [2- (2-hydroxyethoxy) ethyl]
  • amide derivative examples include formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, propionamide, benzamide and the like.
  • imide derivative examples include phthalimide, succinimide, maleimide and the like.
  • the content of the basic compound is not particularly limited, but the resin 100 having the structure represented by the compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) described above.
  • the amount is preferably 0.001 to 2 parts by mass, and more preferably 0.01 to 1 part by mass relative to parts by mass.
  • the lower layer film forming material for lithography of the present embodiment may contain other resins and / or compounds for the purpose of imparting thermosetting properties and controlling the absorbance.
  • Such other resins and / or compounds include naphthol resins, xylene resins, naphthol modified resins, phenol modified resins of naphthalene resins, polyhydroxystyrene, dicyclopentadiene resins, (meth) acrylates, dimethacrylates, trimethacrylates, tetra Resins containing no heterocyclic ring or aromatic ring such as methacrylate, vinyl naphthalene, polyacenaphthylene and other naphthalene rings, phenanthrenequinone, biphenyl rings such as fluorene, hetero rings having hetero atoms such as thiophene and indene; rosin resins; Examples thereof include resins or compounds containing an alicyclic structure such as cyclodextrin, adam
  • the material for forming a lower layer film for lithography of the present embodiment may contain an organic solvent.
  • Any known organic solvent can be used as long as it dissolves at least the compound represented by the general formula (1) and / or the resin having the structure represented by the general formula (2).
  • Specific examples of the organic solvent include, for example, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, cellosolv solvents such as propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, Ester solvents such as butyl acetate, isoamyl acetate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, methyl hydroxyisobutyrate, alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropanol, 1-ethoxy-2-propanol, tolu
  • cyclohexanone propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl lactate, methyl hydroxyisobutyrate, and anisole are particularly preferable from the viewpoint of safety.
  • the content of the organic solvent is not particularly limited, but from the viewpoint of solubility and film formation, 100 mass of the resin having the compound represented by the general formula (1) and / or the structure represented by the general formula (2).
  • the amount is preferably 100 to 10,000 parts by mass, more preferably 200 to 5,000 parts by mass with respect to parts.
  • the lower layer film for lithography of this embodiment is formed from the above-described material for forming a lower layer film for lithography.
  • a lower layer film is formed on the substrate using the above-described lower layer film forming material for lithography, and at least one photoresist layer is formed on the lower layer film. After that, a predetermined region of the photoresist layer is irradiated with radiation, and alkali development is performed.
  • the multilayer resist pattern forming method of the present embodiment includes forming a lower layer film on the substrate using the above-described lithography lower layer film forming material, and a resist intermediate layer film containing silicon atoms on the lower layer film An intermediate layer film is formed using a material, and at least one photoresist layer is formed on the intermediate layer film. Then, a predetermined region of the photoresist layer is irradiated with radiation, and alkali development is performed to form a resist pattern. Then, the intermediate layer film is etched using the resist pattern as a mask, the lower layer film is etched using the obtained intermediate layer film pattern as an etching mask, and the substrate is etched using the obtained lower layer film pattern as an etching mask. Thus, a pattern is formed on the substrate.
  • the formation method of the underlayer film for lithography of the present embodiment is not particularly limited as long as it is formed from the above-described material for forming an underlayer film for lithography, and a technique known in the art can be applied.
  • a technique known in the art can be applied.
  • the lower layer film forming material for lithography described above onto a substrate by a known coating method such as spin coating or screen printing or a printing method
  • the lower layer film is removed by evaporating an organic solvent or the like. Can be formed.
  • the baking temperature is not particularly limited, but is preferably in the range of 80 to 450 ° C., more preferably 200 to 400 ° C.
  • the baking time is not particularly limited, but is preferably within the range of 10 to 300 seconds.
  • the thickness of the lower layer film can be appropriately selected according to the required performance and is not particularly limited, but is usually preferably about 30 to 20,000 nm, more preferably 50 to 15,000 nm. It is preferable.
  • a silicon-containing resist layer is formed thereon, or a single-layer resist made of ordinary hydrocarbons.
  • a silicon-containing intermediate layer is formed thereon, and further thereon.
  • a single-layer resist layer not containing silicon is produced. In this case, a well-known thing can be used as a photoresist material for forming this resist layer.
  • a silicon-containing resist layer or a single layer resist made of normal hydrocarbon is formed on the lower layer film, and in the case of a three-layer process, the silicon layer is contained on the lower layer film.
  • a single-layer resist layer not containing silicon can be produced on the intermediate layer and further on the silicon-containing intermediate layer.
  • the photoresist material for forming the resist layer can be appropriately selected from known materials and is not particularly limited.
  • a silicon-containing resist material for a two-layer process from the point of resistance to oxygen gas etching, a silicon atom-containing polymer such as a polysilsesquioxane derivative or a vinylsilane derivative is used as a base polymer, and an organic solvent, an acid generator, If necessary, a positive photoresist material containing a basic compound or the like is preferably used.
  • a silicon atom-containing polymer a known polymer used in this type of resist material can be used.
  • a polysilsesquioxane-based intermediate layer is preferably used as the silicon-containing intermediate layer for the three-layer process.
  • the intermediate layer With an effect as an antireflection film, reflection can be suppressed.
  • the k value increases and the substrate reflection tends to increase, but by suppressing the reflection in the intermediate layer, The substrate reflection can be reduced to 0.5% or less.
  • polysilsesquioxane crosslinked with acid or heat into which a light absorbing group having a phenyl group or a silicon-silicon bond is introduced is preferably used for 193 nm exposure.
  • an intermediate layer formed by a Chemical-Vapor-deposition (CVD) method can be used.
  • a SiON film is known as an intermediate layer having a high effect as an antireflection film manufactured by a CVD method.
  • the formation of the intermediate layer by a wet process such as spin coating or screen printing has a simpler and more cost-effective advantage than the CVD method.
  • the upper layer resist in the three-layer process may be either a positive type or a negative type, and the same one as a commonly used single layer resist can be used.
  • the lower layer film of this embodiment can also be used as an antireflection film for a normal single layer resist or a base material for suppressing pattern collapse. Since the lower layer film of this embodiment is excellent in etching resistance for the base processing, it can be expected to function as a hard mask for the base processing.
  • a wet process such as spin coating or screen printing is preferably used as in the case of forming the lower layer film.
  • prebaking is usually performed, but this prebaking is preferably performed at 80 to 180 ° C. for 10 to 300 seconds.
  • a resist pattern can be obtained by performing exposure, post-exposure baking (PEB), and development.
  • the thickness of the resist film is not particularly limited, but is generally preferably 30 to 500 nm, more preferably 50 to 400 nm.
  • the exposure light may be appropriately selected and used according to the photoresist material to be used.
  • high energy rays having a wavelength of 300 nm or less, specifically, 248 nm, 193 nm, 157 nm excimer laser, 3 to 20 nm soft X-ray, electron beam, X-ray and the like can be mentioned.
  • the resist pattern formed by the above method is one in which pattern collapse is suppressed by the lower layer film of this embodiment. Therefore, by using the lower layer film of this embodiment, a finer pattern can be obtained, and the exposure amount necessary for obtaining the resist pattern can be reduced.
  • gas etching is preferably used as the etching of the lower layer film in the two-layer process.
  • gas etching etching using oxygen gas is suitable.
  • an inert gas such as He or Ar, or CO, CO 2 , NH 3 , SO 2 , N 2 , NO 2 or H 2 gas can be added.
  • the latter gas is used for side wall protection for preventing undercut of the pattern side wall.
  • gas etching is also preferably used in the etching of the intermediate layer in the three-layer process.
  • the gas etching the same one as described in the above two-layer process can be applied.
  • the processing of the intermediate layer in the three-layer process is preferably performed using a fluorocarbon gas and a resist pattern as a mask.
  • the lower layer film can be processed by, for example, oxygen gas etching using the intermediate layer pattern as a mask.
  • a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film is formed by a CVD method, an ALD method, or the like.
  • the method for forming the nitride film is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-334869 (Patent Document 6) and WO 2004/066377 (Patent Document 7).
  • a photoresist film can be directly formed on such an intermediate film, but an organic antireflection film (BARC) is formed on the intermediate film by spin coating, and a photoresist film is formed thereon. May be.
  • an intermediate layer based on polysilsesquioxane is also preferably used.
  • the resist intermediate layer film As an antireflection film, reflection can be suppressed.
  • the material of the polysilsesquioxane-based intermediate layer is specifically described in, for example, JP-A-2007-226170 (Patent Document 8) and JP-A-2007-226204 (Patent Document 9).
  • Etching of the next substrate can also be performed by a conventional method.
  • the substrate is SiO 2 or SiN
  • etching mainly using a chlorofluorocarbon gas and if p-Si, Al, or W is chlorine or bromine gas, Etching mainly composed of can be performed.
  • the substrate processing is etched with chlorofluorocarbon gas, the silicon-containing resist in the two-layer resist process and the silicon-containing intermediate layer in the three-layer process are peeled off simultaneously with the substrate processing.
  • the silicon-containing resist layer or the silicon-containing intermediate layer is peeled off separately, and generally dry etching peeling with a chlorofluorocarbon-based gas is performed after the substrate processing. .
  • the lower layer film of this embodiment is characterized by excellent etching resistance of these substrates.
  • a substrate known in the art can be appropriately selected and used, and is not particularly limited, but Si, ⁇ -Si, p-Si, SiO 2 , SiN, SiON, W, TiN, Al, etc. Is mentioned.
  • the substrate may be a laminate having a film to be processed (substrate to be processed) on a base material (support). Examples of such processed films include various low-k films such as Si, SiO 2 , SiON, SiN, p-Si, ⁇ -Si, W, W-Si, Al, Cu, and Al-Si, and stopper films thereof. In general, a material different from the base material (support) is used.
  • the thickness of the substrate to be processed or the film to be processed is not particularly limited, but it is usually preferably about 50 to 10,000 nm, more preferably 75 to 5,000 nm.
  • the obtained compound (BisN-1) had a carbon concentration of 84.5% and an oxygen concentration of 10.3%. It can be seen that the etching resistance is high because the carbon content is high and the oxygen content is low. It was 464 as a result of measuring molecular weight by the said method about the obtained compound.
  • thermogravimetry TG
  • the thermal decomposition temperature of the obtained compound (BisN-1) was 410 ° C. It has high heat resistance and can be applied to high-temperature baking.
  • the solubility of PGMEA and PGMEA was excellent at 20 wt% or more (Evaluation A). Therefore, high storage stability in a solution state and applicability to an edge beat rinse liquid (PGME / PGMEA mixed liquid) widely used in a semiconductor microfabrication process can be expected.
  • Synthesis Example 12 Synthesis of BisN-12 Instead of 1.82 g (10 mmol) of 4-biphenylcarboxaldehyde (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.), 0.67 g (5 mmol) of terephthalaldehyde (Sigma-Aldrich Reagent) is used. Except for the above, the same operation as in Synthesis Example 1 was carried out to obtain 0.1 g of the target compound (BisN-12) represented by the following formula. As a result of organic elemental analysis, the obtained compound (BisN-12) had a carbon concentration of 82.0% and an oxygen concentration of 13.7%. It can be seen that the etching resistance is high because the carbon content is high and the oxygen content is low.
  • Synthesis Example 13 Synthesis of BisN-13 Instead of 1.82 g (10 mmol) of 4-biphenylcarboxaldehyde (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company), 1.05 g of 4,4′-diformylbiphenyl (reagent manufactured by Sigma-Aldrich) 0.1 g of the target compound (BisN-13) represented by the following formula was obtained by the same operation as in Synthesis Example 1 except that (5 mmol) was used. As a result of organic elemental analysis, the obtained compound (BisN-13) had a carbon concentration of 83.3% and an oxygen concentration of 12.3%. It can be seen that the etching resistance is high because the carbon content is high and the oxygen content is low.
  • the obtained solid was filtered and dried, followed by separation and purification by column chromatography to obtain 7.2 g of a target resin (RBisN-1) having a structure represented by the following formula.
  • the obtained resin (RBisN-1) had a carbon concentration of 85.0% and an oxygen concentration of 10.0%. It can be seen that the etching resistance is high because the carbon content is high and the oxygen content is low.
  • the obtained resin was measured for polystyrene-reduced molecular weight by the above-described method, and the results were Mn: 778, Mw: 1793, and Mw / Mn: 2.30.
  • the molecular weight in terms of polystyrene was measured by the above method, and as a result, Mn: 562, Mw: 1168, and Mw / Mn: 2.08.
  • the obtained resin was subjected to NMR measurement under the above measurement conditions, the following peaks were found and confirmed to have a chemical structure of the following formula. ⁇ (ppm) 9.7 (2H, OH), 7.2 to 8.8 (26H, Ph—H), 6.6 (1H, C—H), 4.5 (1H, —CH 2 )
  • TG thermogravimetry
  • the thermal decomposition temperature of the obtained resin (RBisN-2) was 405 ° C. It has high heat resistance and can be applied to high-temperature baking.
  • the solubility of PGME and PGMEA was 3 wt% or more and less than 20 wt% (Evaluation B). Therefore, high storage stability in a solution state and applicability to an edge beat rinse liquid (PGME / PGMEA mixed liquid) widely used in a semiconductor microfabrication process can be expected.
  • the obtained resin (CR-1) was Mn: 885, Mw: 2220, and Mw / Mn: 4.17.
  • the carbon concentration was 89.1% by mass, and the oxygen concentration was 4.5% by mass.
  • Etching resistance was evaluated according to the following procedure. First, a novolac underlayer film was prepared under the same conditions as in Example 1 except that novolak (PSM4357 manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd.) was used instead of the compound (BisN-1) in Example 1. Then, the above-described etching test of the novolak underlayer film was performed, and the etching rate at that time was measured.
  • novolak PSM4357 manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd.
  • Acid generator Ditertiary butyl diphenyl iodonium nonafluoromethanesulfonate (DTDPI) manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.
  • Cross-linking agent Nikalac MX270 (Nikalac) manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.
  • Organic solvent cyclohexanone (CHN)
  • Novolak PSM4357 manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd.
  • Examples 17 to 32, Comparative Example 2> the solution of the material for forming a lower layer film for lithography in Examples 1 to 16 was applied on a SiO 2 substrate having a film thickness of 300 nm, and baked at 240 ° C. for 60 seconds and further at 400 ° C. for 120 seconds, A lower layer film of 80 nm was formed. On this lower layer film, an ArF resist solution was applied and baked at 130 ° C. for 60 seconds to form a 150 nm-thick photoresist layer.
  • the photoresist layer was subjected to mask exposure using an electron beam lithography apparatus (ELIONX, ELS-7500, 50 keV), baked at 115 ° C. for 90 seconds (PEB), and 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide.
  • ELIONX electron beam lithography apparatus
  • PEB baked at 115 ° C. for 90 seconds
  • TMAH aqueous solution of
  • Table 2 shows the results of observation of the obtained resist patterns of 55 nm L / S (1: 1) and 80 nm L / S (1: 1) for each of Examples 17 to 32 and Comparative Example 2.
  • Examples 33 to 48> The lower layer film forming material solution for lithography of Examples 1 to 16 was applied onto a 300 nm thick SiO 2 substrate and baked at 240 ° C. for 60 seconds and further at 400 ° C. for 120 seconds to form a lower layer film having a thickness of 80 nm. A film was formed. On this lower layer film, a silicon-containing intermediate layer material was applied and baked at 200 ° C. for 60 seconds to form an intermediate layer film having a thickness of 35 nm. Furthermore, the ArF resist solution used in Example 17 was applied onto this intermediate layer film, and baked at 130 ° C. for 60 seconds to form a 150 nm thick photoresist layer.
  • the silicon-containing intermediate layer material As the silicon-containing intermediate layer material, a silicon atom-containing polymer described in JP-A-2007-226170 ⁇ Synthesis Example 1> was used. Next, the photoresist layer was subjected to mask exposure using an electron beam drawing apparatus (ELIONS Corp .; ELS-7500, 50 keV), baked at 115 ° C. for 90 seconds (PEB), and 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide. By developing with (TMAH) aqueous solution for 60 seconds, a positive resist pattern of 55 nm L / S (1: 1) was obtained.
  • ELIONS Corp . ELS-7500, 50 keV
  • PEB baked at 115 ° C. for 90 seconds
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • the silicon-containing intermediate layer film (SOG) was dry-etched using the obtained resist pattern as a mask, and then the obtained silicon-containing intermediate layer film pattern was Dry etching processing of the lower layer film using the mask and dry etching processing of the SiO 2 film using the obtained lower layer film pattern as a mask were sequentially performed.
  • the lower film forming material and lower film for lithography of the present invention have a relatively high carbon concentration, a relatively low oxygen concentration, a relatively high heat resistance, a relatively high solvent solubility, and a wet process. Since it is applicable, it can be used widely and effectively in various applications that require these performances.
  • the present invention provides, for example, an electrical insulating material, a resist resin, a semiconductor sealing resin, an adhesive for printed wiring boards, an electrical laminate mounted on electrical equipment / electronic equipment / industrial equipment, etc. ⁇
  • Matrix resin for prepregs, built-up laminate materials, resin for fiber reinforced plastics, sealing resin for liquid crystal display panels, paints, various coating agents, adhesives, and coatings for semiconductors installed in electronic equipment and industrial equipment It can be used widely and effectively in an agent, a resist resin for a semiconductor, a resin for forming a lower layer film, and the like, and can be used particularly effectively in the field of a lower layer film for lithography and a lower layer film for multilayer resist.

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Abstract

　炭素濃度が高く、酸素濃度が低く、耐熱性が比較的に高く、溶媒溶解性も比較的に高く、湿式プロセスが適用可能な、新規なリソグラフィー用下層膜形成材料等を提供する。本発明のリソグラフィー用下層膜形成材料は、下記一般式（１）で示される化合物を含有することを特徴とする。 （式（１）中、Ｘは、各々独立して、酸素原子又は硫黄原子であり、Ｒ１は、各々独立して、単結合又は炭素数１～３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は、環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６～３０の芳香族基を有していてもよく、Ｒ２は、各々独立して、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基、炭素数２～１０のアルケニル基又は水酸基であり、但し、Ｒ２の少なくとも１つは水酸基であり、ｍは、各々独立して、１～６の整数であり、ｎは、１～４の整数である。）

Description

リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
　本発明は、特定構造の化合物又は樹脂を含有するリソグラフィー用下層膜形成材料、及び該リソグラフィー用下層膜形成材料を用いるフォトレジストパターン形成方法に関する。
　半導体デバイスの製造において、フォトレジスト材料を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われているが、近年、ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールによる更なる微細化が求められている。そして、現在汎用技術として用いられている光露光を用いたリソグラフィーにおいては、光源の波長に由来する本質的な解像度の限界に近づきつつある。
　レジストパターン形成の際に使用するリソグラフィー用の光源は、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）へと短波長化されている。しかしながら、レジストパターンの微細化が進むと、解像度の問題若しくは現像後にレジストパターンが倒れるといった問題が生じてくるため、レジストの薄膜化が望まれるようになる。ところが、単にレジストの薄膜化を行うと、基板加工に十分なレジストパターンの膜厚を得ることが難しくなる。そのため、レジストパターンだけではなく、レジストと加工する半導体基板との間にレジスト下層膜を作成し、このレジスト下層膜にも基板加工時のマスクとしての機能を持たせるプロセスが必要になってきた。
　現在、このようなプロセス用のレジスト下層膜として、種々のものが知られている。例えば、従来のエッチング速度の速いレジスト下層膜とは異なり、レジストに近いドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜を実現するものとして、所定のエネルギーが印加されることにより末端基が脱離してスルホン酸残基を生じる置換基を少なくとも有する樹脂成分と溶媒とを含有する多層レジストプロセス用下層膜形成材料が提案されている（特許文献１参照）。また、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜を実現するものとして、特定の繰り返し単位を有する重合体を含むレジスト下層膜材料が提案されている（特許文献２参照）。さらに、半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜を実現するものとして、アセナフチレン類の繰り返し単位と、置換又は非置換のヒドロキシ基を有する繰り返し単位とを共重合してなる重合体を含むレジスト下層膜材料が提案されている（特許文献３参照）。
　一方、この種のレジスト下層膜において高いエッチング耐性を持つ材料としては、メタンガス、エタンガス、アセチレンガスなどを原料に用いたＣＶＤによって形成されたアモルファスカーボン下層膜がよく知られている。しかしながら、プロセス上の観点から、スピンコート法やスクリーン印刷等の湿式プロセスでレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜材料が求められている。
　また、本発明者らは、光学特性およびエッチング耐性に優れるとともに、溶媒に可溶で湿式プロセスが適用可能な材料として、特定の構成単位を含むナフタレンホルムアルデヒド重合体及び有機溶媒を含有するリソグラフィー用下層膜形成組成物（特許文献４及び５を参照。）を提案している。
　なお、３層プロセスにおけるレジスト下層膜の形成において用いられる中間層の形成方法に関しては、例えば、シリコン窒化膜の形成方法（特許文献６参照）や、シリコン窒化膜のＣＶＤ形成方法（特許文献７参照）が知られている。また、３層プロセス用の中間層材料としては、シルセスキオキサンベースの珪素化合物を含む材料が知られている（特許文献８及び９参照）。
特開２００４－１７７６６８号公報 特開２００４－２７１８３８号公報 特開２００５－２５０４３４号公報 国際公開第２００９／０７２４６５号パンフレット 国際公開第２０１１／０３４０６２号パンフレット 特開２００２－３３４８６９号公報 国際公開第２００４／０６６３７７号パンフレット 特開２００７－２２６１７０号公報 特開２００７－２２６２０４号公報
　上述したように、従来数多くのリソグラフィー用下層膜形成材料が提案されているが、スピンコート法やスクリーン印刷等の湿式プロセスが適用可能な高い溶媒溶解性を有するのみならず、耐熱性及びエッチング耐性を高い次元で両立させたものはなく、新たな材料の開発が求められている。
　本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、湿式プロセスが適用可能であり、耐熱性及びエッチング耐性に優れるフォトレジスト下層膜を形成するために有用な、リソグラフィー用下層膜形成材料、及び該材料を用いたパターン形成方法を提供することにある。
　本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、特定構造のナフトール誘導体（化合物又は樹脂）を用いることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに到った。
　すなわち、本発明は、以下［１］～［９］を提供する。
＜１＞　下記一般式（１）で示される化合物を含有することを特徴とする、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （式（１）中、Ｘは、各々独立して、酸素原子又は硫黄原子であり、Ｒ１は、各々独立して、単結合又は炭素数１～３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は、環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６～３０の芳香族基を有していてもよく、Ｒ２は、各々独立して、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基、炭素数２～１０のアルケニル基又は水酸基であり、但し、Ｒ２の少なくとも１つは水酸基であり、ｍは、各々独立して１～６の整数であり、ｎは、１～４の整数である。）
リソグラフィー用下層膜形成材料。
＜２＞　前記一般式（１）で示される化合物が、下記一般式（１ａ）で示される化合物であることを特徴とする、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 （式（１ａ）中、Ｘは、各々独立して、酸素原子又は硫黄原子であり、Ｒ１は、各々独立して、単結合又は炭素数１～３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６～３０の芳香族基を有していてもよく、Ｒ４は、各々独立して、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基、炭素数２～１０のアルケニル基又は水酸基であり、ｍ４は、各々独立して、０～５の整数である。）
上記＜１＞に記載のリソグラフィー用下層膜形成材料。
＜３＞　下記一般式（２）で示される構造を有する樹脂を含有することを特徴とする、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 （式（２）中、Ｘは、各々独立して、酸素原子又は硫黄原子であり、Ｒ１は、各々独立して、単結合又は炭素数１～３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は、環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６～３０の芳香族基を有していてもよく、Ｒ２は、各々独立して、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基、炭素数２～１０のアルケニル基又は水酸基であり、但し、Ｒ２の少なくとも１つは水酸基であり、Ｒ３は、各々独立して、単結合又は炭素数１～２０の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基であり、ｍ２は、各々独立して、１～５の整数であり、ｎは、１～４の整数である。）
リソグラフィー用下層膜形成材料。
＜４＞　さらに、有機溶媒を含有することを特徴とする、
上記＜１＞～＜３＞のいずれか一項に記載のリソグラフィー用下層膜形成材料。
＜５＞　さらに、酸発生剤を含有することを特徴とする、
上記＜１＞～＜４＞のいずれか一項に記載のリソグラフィー用下層膜形成材料。
＜６＞　さらに、架橋剤を含有することを特徴とする、
上記＜１＞～＜５＞のいずれか一項に記載のリソグラフィー用下層膜形成材料。
＜７＞　上記＜１＞～＜６＞のいずれか一項に記載のリソグラフィー用下層膜形成材料から形成されることを特徴とする、
リソグラフィー用下層膜。
＜８＞　基板上に、上記＜１＞～＜６＞のいずれか一項に記載の下層膜形成材料を用いて下層膜を形成し、該下層膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所要の領域に放射線を照射し、アルカリ現像を行うことを特徴とする、
パターン形成方法。
＜９＞　基板上に、上記＜１＞～＜６＞のいずれか一項に記載の下層膜形成材料を用いて下層膜を形成し、該下層膜上に、珪素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いて中間層膜を形成し、該中間層膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所要の領域に放射線を照射し、アルカリ現像してレジストパターンを形成し、その後、該レジストパターンをマスクとして前記中間層膜をエッチングし、得られた中間層膜パターンをエッチングマスクとして前記下層膜をエッチングし、得られた下層膜パターンをエッチングマスクとして基板をエッチングすることで基板にパターンを形成することを特徴とする、
パターン形成方法。
　本発明によれば、湿式プロセスが適用可能であり、耐熱性及びエッチング耐性に優れるフォトレジスト下層膜を形成するために有用なリソグラフィー用下層膜形成材料を実現することができる。そして、このリソグラフィー用下層膜形成材料は、耐熱性が高く、炭素濃度が比較的に高く、酸素濃度が比較的に低く、溶媒溶解性も高い、特定構造のナフトール誘導体（化合物又は樹脂）を用いているため、高温ベーク時の膜の劣化が抑制され、酸素プラズマエッチング等に対するエッチング耐性にも優れた下層膜を形成することができ、さらには、レジスト層との密着性にも優れるので、優れたレジストパターンを得ることができる。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明はその実施の形態のみに限定されない。
（リソグラフィー用下層膜形成材料）
　本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成材料は、下記一般式（１）で示される化合物を少なくとも含有するものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　上記（１）式中、Ｘは、各々独立して、酸素原子又は硫黄原子であり、このＸを介して各々のナフタレン環が結合している。Ｒ１は、各々独立して、単結合又は炭素数１～３０の２ｎ価の炭化水素基であり、このＲ１を介して各々のナフタレン環が結合している。ここで、２ｎ価の炭化水素基は、環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６～３０の芳香族基を有していてもよい。Ｒ２は、各々独立して、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基、炭素数２～１０のアルケニル基及び水酸基からなる群より選択される１価の置換基であり、ナフタレン環に各々ｍ個ずつ結合している。ここで、Ｒ２の少なくとも１つは、水酸基である。また、ｍは、各々独立して、１～６の整数であり、ｎは１～４の整数である。
　なお、前記２ｎ価の炭化水素基とは、ｎ＝１のときには、炭素数１～３０のアルキレン基、ｎ＝２のときには、炭素数１～３０のアルカンテトライル基、ｎ＝３のときには、炭素数２～３０のアルカンヘキサイル基、ｎ＝４のときには、炭素数３～３０のアルカンオクタイル基のことを示す。前記２ｎ価の炭化水素基としては、例えば、直鎖状、分岐状又は環状構造を有するものが挙げられる。
　また、前記２ｎ価の炭化水素基は、環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子もしくは炭素数６～３０の芳香族基を有していてもよい。ここで、前記環式炭化水素基については、有橋環式炭化水素基も含まれる。
　一般式（１）で示される化合物は、比較的に低分子量ながらも、その構造の剛直さにより高い耐熱性を有するので、高温ベーク条件でも使用可能である。また、比較的に低分子量で低粘度であることから、段差を有する基板（特に、微細なスペースやホールパターン等）であっても、その段差の隅々まで均一に充填させることが容易であり、その結果、これを用いたリソグラフィー用下層膜形成材料は埋め込み特性が比較的に有利に高められ得る。また、比較的に高い炭素濃度を有する化合物であることから、高いエッチング耐性をも付与される。
　ここで、上記一般式（１）で示される化合物は、下記式（１－１）で示される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 　上記式（１－１）中、Ｒ１、Ｒ２、ｍ、ｎは、上記式（１）で説明したものと同義である。
　また、上記一般式（１－１）で示される化合物は、下記式（１－２）で示される化合物であることがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 　上記式（１－２）中、Ｒ１及びｎは、上記式（１－１）で説明したものと同義であり、Ｒ４は、上記式（１）で説明したＲ２と同義であり、ｍ３は、各々独立して１～６の整数であり、ｍ４は、各々独立して０～５の整数であり、ｍ３＋ｍ４は１～６の整数である。
　上記一般式（１－２）で示される化合物は、下記式（１－３）で示される化合物であることがさらに好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 　上記式（１－３）中、Ｒ１、Ｒ４、ｍ４は、上記式（１－２）で説明したものと同義である。
　また、低分子量である観点から、上記一般式（１）で示される化合物は、上記式（１）においてｎ＝１である態様、すなわち下記一般式（１ａ）で示される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 　上記式（１ａ）中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ４、ｍ４は、上記式（１－２）で説明したものと同義である。
　さらにまた、上記一般式（１ａ）で示される化合物は、上記式（１ａ）においてＸ＝Ｏである態様、すなわち下記式（１－４）で示される化合物であることが特に好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 　上記式（１－４）中、Ｒ１、Ｒ４、ｍ４は、上記式（１ａ）で説明したものと同義である。
　上記一般式（１）で示される化合物の具体例を、以下に例示するが、ここで列挙した限りではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 （式中、Ｒ２、Ｘ、ｍは、上記式（１）で説明したものと同義である。） 
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 （式中、Ｒ２、Ｘ、ｍは、上記式（１）で説明したものと同義である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 （式中、Ｒ２、Ｘ、ｍは、上記式（１）で説明したものと同義である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 （式中、Ｒ２、Ｘ、ｍは、上記式（１）で説明したものと同義である。）
　上記一般式（１）で示される化合物の具体例を、さらに以下に例示するが、ここで列挙した限りではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 （式中、Ｘは、上記式（１）で説明したものと同義である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 （式中、Ｘは、上記式（１）で説明したものと同義である。） 
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 （式中、Ｘは、上記式（１）で説明したものと同義である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 （式中、Ｘは、上記式（１）で説明したものと同義である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 （式中、Ｘは、上記式（１）で説明したものと同義である。）
　上記一般式（１）で示される化合物は、公知の手法を応用して適宜合成することができ、その合成手法は特に限定されない。例えば、常圧下、ナフトール類或いはチオナフトール類と対応するアルデヒド類或いはケトン類を酸触媒下にて重縮合反応させることによって、上記一般式（１）で示される化合物を得ることができる。また、必要に応じて、加圧下で行うこともできる。
　前記ナフトール類としては、例えば、ナフトール、メチルナフトール、メトキシナフトール、ナフタレンジオール等が挙げられるが、これらに特に限定されない。これらは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。これらのなかでも、ナフタレンジオールを用いることがキサンテン構造を容易に作ることができる点でより好ましい。
　前記チオナフトール類としては、例えば、ナフタレンチオール、メチルナフタレンチオール、メトキシナフタレンチオール、ナフタレンジチオール等が挙げられるが、これらに特に限定されない。これらは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。これらのなかでも、ナフタレンジチオールを用いることがチオキサンテン構造を容易に作ることができる点でより好適である。
　前記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ブチルアルデヒド、ヘキシルアルデヒド、デシルアルデヒド、ウンデシルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、フェニルプロピルアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、フルオロベンズアルデヒド、クロロベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、ジメチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、プロピルベンズアルデヒド、ブチルベンズアルデヒド、シクロヘキシルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒド、ナフトアルデヒド、アントラセンカルボキシアルデヒド、フェナントレンカルボキシアルデヒド、ピレンカルボキシアルデヒド、グリオキサール、グルタルアルデヒド、フタルアルデヒド、ナフタレンジカルボキシアルデヒド、ビフェニルジカルボキシアルデヒド、ビス（ジホルミルフェニル）メタン、ビス（ジホルミルフェニル）プロパン、ベンゼントリカルボキシアルデヒド等が挙げられるが、これらに特に限定されない。これらは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。これらのなかでも、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、フルオロベンズアルデヒド、クロロベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、ジメチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、プロピルベンズアルデヒド、ブチルベンズアルデヒド、シクロヘキシルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒド、ナフトアルデヒド、アントラセンカルボキシアルデヒド、フェナントレンカルボキシアルデヒド、ピレンカルボキシアルデヒド、グリオキサール、グルタルアルデヒド、フタルアルデヒド、ナフタレンジカルボキシアルデヒド、ビフェニルジカルボキシアルデヒド、アントラセンジカルボキシアルデヒド、ビス（ジホルミルフェニル）メタン、ビス（ジホルミルフェニル）プロパン、ベンゼントリカルボキシアルデヒドを用いることが、高い耐熱性を与える点で好ましい。
　前記ケトン類としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ノルボルナノン、トリシクロヘキサノン、トリシクロデカノン、アダマンタノン、フルオレノン、ベンゾフルオレノン、アセナフテンキノン、アセナフテノン、アントラキノン等が挙げられるが、これらに特に限定されない。これらは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。これらのなかでも、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ノルボルナノン、トリシクロヘキサノン、トリシクロデカノン、アダマンタノン、フルオレノン、ベンゾフルオレノン、アセナフテンキノン、アセナフテノン、アントラキノンを用いることが、高い耐熱性を与える点で好ましい。
　上記反応に用いる酸触媒については、公知のものから適宜選択して用いることができ、特に限定されない。このような酸触媒としては、無機酸や有機酸が広く知られており、例えば、塩酸、硫酸、リン酸、臭化水素酸、フッ酸等の無機酸や、シュウ酸、マロン酸、こはく酸、アジピン酸、セバシン酸、クエン酸、フマル酸、マレイン酸、蟻酸、ｐ－トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸等の有機酸や、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、塩化鉄、三フッ化ホウ素等のルイス酸、或いはケイタングステン酸、リンタングステン酸、ケイモリブデン酸又はリンモリブデン酸等の固体酸等が挙げられるが、これらに特に限定されない。これらのなかでも、製造上の観点から、有機酸および固体酸が好ましく、入手の容易さや取り扱い易さ等の製造上の観点から、塩酸又は硫酸を用いることが好ましい。なお、酸触媒については、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。また、酸触媒の使用量は、使用する原料及び使用する触媒の種類、さらには反応条件などに応じて適宜設定でき、特に限定されないが、反応原料１００質量部に対して、０．０１～１００質量部であることが好ましい。
　上記反応の際には、反応溶媒を用いても良い。反応溶媒としては、用いるアルデヒド類或いはケトン類とナフトール類或いはチオナフトール類との反応が進行するものであれば、特に限定されず、公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル又はこれらの混合溶媒等が例示される。なお、溶媒は、１種を単独で或いは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらの溶媒の使用量は、使用する原料及び使用する触媒の種類、さらには反応条件などに応じて適宜設定でき、特に限定されないが、反応原料１００質量部に対して０～２０００質量部の範囲であることが好ましい。さらに、上記反応における反応温度は、反応原料の反応性に応じて適宜選択することができ、特に限定されないが、通常１０～２００℃の範囲である。本実施形態の一般式（１）で示される化合物として、キサンテン構造或いはチオキサンテン構造を形成するためには、反応温度は高い方が好ましく、具体的には６０～２００℃の範囲が好ましい。なお、反応方法は、公知の手法を適宜選択して用いることができ、特に限定されないが、ナフトール類或いはチオナフトール類、アルデヒド類或いはケトン類、触媒を一括で仕込む方法や、ナフトール類或いはチオナフトール類やアルデヒド類或いはケトン類を触媒存在下で滴下していく方法がある。重縮合反応終了後、得られた化合物の単離は、常法にしたがって行うことができ、特に限定されない。例えば、系内に存在する未反応原料や触媒等を除去するために、反応釜の温度を１３０～２３０℃ にまで上昇させ、１～５０ｍｍＨｇ程度で揮発分を除去する等の一般的手法を採ることにより、目的物である化合物を得ることができる。
　好ましい反応条件としては、アルデヒド類或いはケトン類１モルに対し、ナフトール類或いはチオナフトール類を１モル～過剰量、及び酸触媒を０．００１～１モル使用し、常圧で、５０～１５０℃で２０分～１００時間程度反応させることにより進行する。
　反応終了後、公知の方法により目的物を単離することができる。例えば、反応液を濃縮し、純水を加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離させ、得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトにより、副生成物と分離精製し、溶媒留去、濾過、乾燥を行って目的物である上記一般式（１）で示される化合物を得ることができる。
　一般式（１）で示される化合物の分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量Ｍｗが３５０～５，０００であることが好ましく、より好ましくは、４００～３，０００である。
　上記一般式（１）で示される化合物は、リソグラフィー用下層膜形成材料として、そのまま使用することができる。また、架橋反応性のあるモノマーと反応させ、オリゴマー化した樹脂としても使用することができる。上記一般式（１）で示される化合物をオリゴマー化した樹脂は、例えば、以下の一般式（２）に示される構造を有するものが挙げられる。すなわち、本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成材料は、下記一般式（２）に示される構造を有する樹脂を少なくとも含有するものであってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　上記式（２）中、Ｘは、各々独立して、酸素原子又は硫黄原子である。Ｒ１は、各々独立して、単結合又は炭素数１～３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は、環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６～３０の芳香族基を有していてもよい。Ｒ２は、各々独立して、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基、炭素数２～１０のアルケニル基又は水酸基であり、但し、Ｒ２の少なくとも１つは水酸基である。Ｒ３は、各々独立して、単結合又は炭素数１～２０の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基である。ｍ２は、各々独立して、１～５の整数であり、ｎは１～４の整数である。なお、前記２ｎ価の炭化水素基については、上述した式（１）で説明したものと同義である。
　架橋反応性のあるモノマーとしては、上記一般式（１）で示される化合物をオリゴマー化し得るものである限り、公知のものを特に制限なく使用することができる。その具体例としては、例えば、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、カルボン酸ハライド、ハロゲン含有化合物、アミノ化合物、イミノ化合物、イソシアネート、不飽和炭化水素基含有化合物等が挙げられるが、これらに特に限定されない。
　一般式（２）に示される構造を有する樹脂の具体例としては、例えば、上記一般式（１）で示される化合物を架橋反応性のあるモノマーであるアルデヒドとの縮合反応等によってノボラック化した樹脂が挙げられる。
　ここで、上記一般式（１）で示される化合物をノボラック化する際に用いるアルデヒドとしては、例えば、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、フェニルプロピルアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、クロロベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、ブチルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒド、ナフトアルデヒド、アントラセンカルボアルデヒド、フェナントレンカルボアルデヒド、ピレンカルボアルデヒド、フルフラール等が挙げられるが、これらに特に限定されない。これらの中でも、ホルムアルデヒドがより好ましい。なお、これらのアルデヒド類は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。また、上記アルデヒド類の使用量は、特に限定されないが、上記一般式（１）で示される化合物１モルに対して、０．２～５モルが好ましく、より好ましくは０．５～２モルである。
　上記一般式（１）で示される化合物とアルデヒドとの縮合反応において、触媒を用いることもできる。ここで使用する酸触媒については、公知のものから適宜選択して用いることができ、特に限定されない。このような酸触媒としては、無機酸や有機酸が広く知られており、例えば、塩酸、硫酸、リン酸、臭化水素酸、フッ酸等の無機酸や、シュウ酸、マロン酸、こはく酸、アジピン酸、セバシン酸、クエン酸、フマル酸、マレイン酸、蟻酸、ｐ－トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸等の有機酸や、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、塩化鉄、三フッ化ホウ素等のルイス酸、或いはケイタングステン酸、リンタングステン酸、ケイモリブデン酸又はリンモリブデン酸等の固体酸等が挙げられるが、これらに特に限定されない。これらのなかでも、製造上の観点から、有機酸および固体酸が好ましく、入手の容易さや取り扱い易さ等の製造上の観点から、塩酸又は硫酸が好ましい。なお、酸触媒については、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。また、酸触媒の使用量は、使用する原料及び使用する触媒の種類、さらには反応条件などに応じて適宜設定でき、特に限定されないが、反応原料１００質量部に対して、０．０１～１００質量部であることが好ましい。但し、インデン、ヒドロキシインデン、ベンゾフラン、ヒドロキシアントラセン、アセナフチレン、ビフェニル、ビスフェノール、トリスフェノール、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、４－ビニルシクロヘキセン、ノルボルナジエン、５－ビニルノルボルナ－２－エン、α－ピネン、β－ピネン、リモネンなどの非共役二重結合を有する化合物との共重合反応の場合は、必ずしもアルデヒド類は必要ない。
　上記一般式（１）で示される化合物とアルデヒドとの縮合反応において、反応溶媒を用いることもできる。この重縮合における反応溶媒としては、公知のものの中から適宜選択して用いることができ、特に限定されないが、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン又はこれらの混合溶媒等が例示される。なお、溶媒は、１種を単独で或いは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらの溶媒の使用量は、使用する原料及び使用する触媒の種類、さらには反応条件などに応じて適宜設定でき、特に限定されないが、反応原料１００質量部に対して０～２０００質量部の範囲であることが好ましい。さらに、反応温度は、反応原料の反応性に応じて適宜選択することができ、特に限定されないが、通常１０～２００℃の範囲である。なお、反応方法は、公知の手法を適宜選択して用いることができ、特に限定されないが、上記一般式（１）で示される化合物、アルデヒド類、触媒を一括で仕込む方法や、上記一般式（１）で示される化合物やアルデヒド類を触媒存在下で滴下していく方法がある。重縮合反応終了後、得られた化合物の単離は、常法にしたがって行うことができ、特に限定されない。例えば、系内に存在する未反応原料や触媒等を除去するために、反応釜の温度を１３０～２３０℃ にまで上昇させ、１～５０ｍｍＨｇ程度で揮発分を除去する等の一般的手法を採ることにより、目的物であるノボラック化した樹脂を得ることができる。
　ここで、上記一般式（２）で示される構造を有する樹脂は、上記一般式（１）で示される化合物の単独重合体であってもよいが、他のフェノール類との共重合体であってもよい。ここで共重合可能なフェノール類としては、例えば、フェノール、クレゾール、ジメチルフェノール、トリメチルフェノール、ブチルフェノール、フェニルフェノール、ジフェニルフェノール、ナフチルフェノール、レゾルシノール、メチルレゾルシノール、カテコール、ブチルカテコール、メトキシフェノール、メトキシフェノール、プロピルフェノール、ピロガロール、チモール等が挙げるが、これらに特に限定されない。
　また、上記一般式（２）で示される構造を有する樹脂は、上述した他のフェノール類以外に、重合可能なモノマーと共重合させたものであってもよい。かかる共重合モノマーとしては、例えば、ナフトール、メチルナフトール、メトキシナフトール、ジヒドロキシナフタレン、インデン、ヒドロキシインデン、ベンゾフラン、ヒドロキシアントラセン、アセナフチレン、ビフェニル、ビスフェノール、トリスフェノール、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、４－ビニルシクロヘキセン、ノルボルナジエン、ビニルノルボルナエン、ピネン、リモネン等が挙げられるが、これらに特に限定されない。なお、上記一般式（２）で示される構造を有する樹脂は、上記一般式（１）で示される化合物と上述したフェノール類との２元以上の（例えば、２～４元系）共重合体であっても、上記一般式（１）で示される化合物と上述した共重合モノマーとの２元以上（例えば、２～４元系）共重合体であっても、上記一般式（１）で示される化合物と上述したフェノール類と上述した共重合モノマーとの３元以上の（例えば、３～４元系）共重合体であっても構わない。
　なお、上記一般式（２）で示される構造を有する樹脂の分子量は、特に限定されないが、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が５００～３０，０００であることが好ましく、より好ましくは７５０～２０，０００である。また、架橋効率を高めるとともにベーク中の揮発成分を抑制する観点から、上記一般式（２）で示される構造を有する樹脂は、分散度（重量平均分子量Ｍｗ／数平均分子量Ｍｎ）が１．２～７の範囲内のものが好ましい。
　上述した一般式（１）で示される化合物及び／又は一般式（２）で示される構造を有する樹脂は、湿式プロセスの適用がより容易になる等の観点から、溶媒に対する溶解性が高いものであることが好ましい。より具体的には、これら化合物及び／又は樹脂は、１－メトキシ－２－プロパノール（ＰＧＭＥ）又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に対する溶解度が１０質量％以上であることが好ましい。ここで、ＰＧＭＥ又はＰＧＭＥＡに対する溶解度とは、「樹脂の質量÷（樹脂の質量＋溶媒の質量）×１００（質量％）」と定義される。例えば、上記フェノール系樹脂１０ｇがＰＧＭＥＡ９０ｇに対して溶解する場合は、フェノール系樹脂のＰＧＭＥＡに対する溶解度は、「１０質量％以上」となり、溶解しない場合は、「１０質量％未満」となる。
　本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成材料が後述する任意成分である有機溶媒を含む場合、上述した一般式（１）で示される化合物及び一般式（２）で示される構造を有する樹脂の含有量は、特に限定されないが、有機溶媒を含む総量１００質量部に対して、１～３３質量部であることが好ましく、より好ましくは２～２５質量部、さらに好ましくは３～２０質量部である。
（他の成分）
　本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成材料は、上述した一般式（１）で示される化合物及び／又は一般式（２）で示される構造を有する樹脂以外に、必要に応じて、架橋剤、酸発生剤、有機溶媒等の他の成分を含んでいてもよい。以下、これらの任意成分について説明する。
　本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成材料は、インターミキシングを抑制する等の観点から、必要に応じて架橋剤を含有していてもよい。
　本実施形態で使用可能な架橋剤の具体例としては、例えば、メラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物又はウレア化合物、エポキシ化合物、チオエポキシ化合物、イソシアネート化合物、アジド化合物、アルケニルエーテル基などの２重結合を含む化合物であって、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基で置換されたものなどが挙げるが、これらに特に限定されない。なお、これらの架橋剤は、１種を単独で或いは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらは添加剤として用いてもよいが、これら架橋性基をポリマー側鎖にペンダント基として導入してもよい。また、ヒドロキシ基を含む化合物も架橋剤として用いることができる。
　メラミン化合物の具体例としては、例えば、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンの１～６個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、ヘキサメトキシエチルメラミン、ヘキサアシロキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンのメチロール基の１～６個がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物などが挙げられる。エポキシ化合物の具体例としては、例えば、トリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート、トリメチロールメタントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリエチロールエタントリグリシジルエーテルなどが挙げられる。
　グアナミン化合物の具体例としては、例えば、テトラメチロールグアナミン、テトラメトキシメチルグアナミン、テトラメチロールグアナミンの１～４個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメトキシエチルグアナミン、テトラアシロキシグアナミン、テトラメチロールグアナミンの１～４個のメチロール基がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物などが挙げられる。グリコールウリル化合物の具体例としては、例えば、テトラメチロールグリコールウリル、テトラメトキシグリコールウリル、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の１～４個がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の１～４個がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物などが挙げられる。ウレア化合物の具体例としては、例えば、テトラメチロールウレア、テトラメトキシメチルウレア、テトラメチロールウレアの１～４個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメトキシエチルウレアなどが挙げられる。
　アルケニルエーテル基を含む化合物の具体例としては、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、１，２－プロパンジオールジビニルエーテル、１，４－ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，４－シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテルなどが挙げられる。
　本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成材料において、架橋剤の含有量は、特に限定されないが、上述した一般式（１）に示される化合物及び一般式（２）で示される構造を有する樹脂１００質量に対して、５～５０質量部であることが好ましく、より好ましくは１０～４０質量部である。上記の好ましい範囲にすることで、レジスト層とのミキシング現象の発生が抑制される傾向にあり、また、反射防止効果が高められ、架橋後の膜形成性が高められる傾向にある。
　本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成材料は、熱による架橋反応をさらに促進させるなどの観点から、必要に応じて酸発生剤を含有していてもよい。当業界において酸発生剤としては、熱分解によって酸を発生するもの、光照射によって酸を発生するものなどが知られているが、いずれのものも使用することができる。
　酸発生剤としては、
１）下記一般式（Ｐ１ａ－１）、（Ｐ１ａ－２）、（Ｐ１ａ－３）又は（Ｐ１ｂ）のオニウム塩、
２）下記一般式（Ｐ２）のジアゾメタン誘導体、
３）下記一般式（Ｐ３）のグリオキシム誘導体、
４）下記一般式（Ｐ４）のビススルホン誘導体、
５）下記一般式（Ｐ５）のＮ－ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル、
６）β－ケトスルホン酸誘導体、
７）ジスルホン誘導体、
８）ニトロベンジルスルホネート誘導体、
９）スルホン酸エステル誘導体
等が挙げられるが、これらに特に限定されない。なお、これらの酸発生剤は、１種を単独で或いは２種以上を組み合わせて用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
 　上記式中、Ｒ101a、Ｒ101b、Ｒ101cはそれぞれ独立して炭素数１～１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数７～１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基等によって置換されていてもよい。また、Ｒ101bとＲ101cとは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ101b、Ｒ101cはそれぞれ独立して炭素数１～６のアルキレン基を示す。Ｋ-は非求核性対向イオンを表す。Ｒ101d、Ｒ101e、Ｒ101f、Ｒ101gは、それぞれ独立してＲ101a、Ｒ101b、Ｒ101cに水素原子を加えて示される。Ｒ101dとＲ101e、Ｒ101dとＲ101eとＲ101fとは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ101dとＲ101e及びＲ101dとＲ101eとＲ101fは炭素数３～１０のアルキレン基を示し、又は、式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。
　上記のＲ101a、Ｒ101b、Ｒ101c、Ｒ101d、Ｒ101e、Ｒ101f、Ｒ101gは互いに同一であっても異なっていてもよい。具体的には、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロプロピルメチル基、４－メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、プロぺニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。オキソアルキル基としては、２－オキソシクロペンチル基、２－オキソシクロヘキシル基等が挙げられ、２－オキソプロピル基、２－シクロペンチル－２－オキソエチル基、２－シクロヘキシル－２－オキソエチル基、２－（４－メチルシクロヘキシル）－２－オキソエチル基等を挙げることができる。オキソアルケニル基としては、２－オキソ－４－シクロヘキセニル基、２－オキソ－４－プロペニル基等が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基等や、ｐ－メトキシフェニル基、ｍ－メトキシフェニル基、ｏ－メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基、ｍ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基、２－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、エチルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、４－ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基、メチルナフチル基、エチルナフチル基等のアルキルナフチル基、メトキシナフチル基、エトキシナフチル基等のアルコキシナフチル基、ジメチルナフチル基、ジエチルナフチル基等のジアルキルナフチル基、ジメトキシナフチル基、ジエトキシナフチル基等のジアルコキシナフチル基等が挙げられる。アラルキル基としてはベンジル基、フェニルエチル基、フェネチル基等が挙げられる。アリールオキソアルキル基としては、２－フェニル－２－オキソエチル基、２－（１－ナフチル）－２－オキソエチル基、２－（２－ナフチル）－２－オキソエチル基等の２－アリール－２－オキソエチル基等が挙げられる。Ｋ-の非求核性対向イオンとしては塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン、トリフレート、１，１，１－トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等のフルオロアルキルスルホネート、トシレート、ベンゼンスルホネート、４－フルオロベンゼンスルホネート、１，２，３，４，５－ペンタフルオロベンゼンスルホネート等のアリールスルホネート、メシレート、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネート等が挙げられる。
　また、Ｒ101d、Ｒ101e、Ｒ101f、Ｒ101gが式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環である場合、その複素芳香族環としては、イミダゾール誘導体（例えばイミダゾール、４－メチルイミダゾール、４－メチル－２－フェニルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体（例えばピロリン、２－メチル－１－ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えばピロリジン、Ｎ－メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ－メチルピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体（例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、４－（１－ブチルペンチル）ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、３－メチル－２－フェニルピリジン、４－ｔｅｒｔ－ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、１－メチル－２－ピリドン、４－ピロリジノピリジン、１－メチル－４－フェニルピリジン、２－（１－エチルプロピル）ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ－インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えばキノリン、３－キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０－フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。
　上記一般式（Ｐ１ａ－１）と一般式（Ｐ１ａ－２）は、光酸発生剤、熱酸発生剤の両方の効果があるが、上記一般式（Ｐ１ａ－３）は熱酸発生剤として作用する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 　式（Ｐ１ｂ）中、Ｒ102a、Ｒ102bはそれぞれ独立して炭素数１～８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ103は炭素数１～１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。Ｒ104a、Ｒ104bはそれぞれ独立して炭素数３～７の２－オキソアルキル基を示す。Ｋ-は非求核性対向イオンを表す。
　上記Ｒ102a、Ｒ102bとして具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル基、４－メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基等が挙げられる。Ｒ103としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、へプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、１，４－シクロへキシレン基、１，２－シクロへキシレン基、１，３－シクロペンチレン基、１，４－シクロオクチレン基、１，４－シクロヘキサンジメチレン基等が挙げられる。Ｒ104a、Ｒ104bとしては、２－オキソプロピル基、２－オキソシクロペンチル基、２－オキソシクロヘキシル基、２－オキソシクロヘプチル基等が挙げられる。Ｋ-は式（Ｐ１ａ－１）、（Ｐ１ａ－２）及び（Ｐ１ａ－３）で説明したものと同様のものを挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
 　式（Ｐ２）中、Ｒ105、Ｒ106はそれぞれ独立して炭素数１～１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素数６～２０のアリール基又はハロゲン化アリール基、又は炭素数７～１２のアラルキル基を示す。
　Ｒ105、Ｒ106のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、アミル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、１，１，１－トリフルオロエチル基、１，１，１－トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ｐ－メトキシフェニル基、ｍ－メトキシフェニル基、ｏ－メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基、ｍ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基、２－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、エチルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、４－ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基が挙げられる。ハロゲン化アリール基としては、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、１，２，３，４，５－ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
 　式（Ｐ３）中、Ｒ107、Ｒ108、Ｒ109はそれぞれ独立して炭素数１～１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素数６～２０のアリール基又はハロゲン化アリール基、又は炭素数７～１２のアラルキル基を示す。Ｒ108、Ｒ109は互いに結合して環状構造を形成してもよく、環状構造を形成する場合、Ｒ108、Ｒ109はそれぞれ炭素数１～６の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
　Ｒ107、Ｒ108、Ｒ109のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、ハロゲン化アリール基、アラルキル基としては、Ｒ105、Ｒ106で説明したものと同様の基が挙げられる。なお、Ｒ108、Ｒ109のアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
 　式（Ｐ４）中、Ｒ101a、Ｒ101bは上記と同様である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
 　式（Ｐ５）中、Ｒ110は炭素数６～１０のアリーレン基、炭素数１～６のアルキレン基又は炭素数２～６のアルケニレン基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部はさらに炭素数１～４の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシ基、ニトロ基、アセチル基、又はフェニル基で置換されていてもよい。Ｒ111は炭素数１～８の直鎖状、分岐状又は置換のアルキル基、アルケニル基又はアルコキシアルキル基、フェニル基、又はナフチル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部はさらに炭素数１～４のアルキル基又はアルコキシ基；炭素数１～４のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で置換されていてもよいフェニル基；炭素数３～５のヘテロ芳香族基；又は塩素原子、フッ素原子で置換されていてもよい。
　ここで、Ｒ110のアリーレン基としては、１，２－フェニレン基、１，８－ナフチレン基等が挙げられる。アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、フェニルエチレン基、ノルボルナン－２，３－ジイル基等が挙げられる。アルケニレン基としては、１，２－ビニレン基、１－フェニル－１，２－ビニレン基、５－ノルボルネン－２，３－ジイル基等が挙げられる。Ｒ111のアルキル基としては、Ｒ101a～Ｒ101cと同様のものが挙げられる。アルケニル基としては、ビニル基、１－プロペニル基、アリル基、１－ブテニル基、３－ブテニル基、イソプレニル基、１－ペンテニル基、３－ペンテニル基、４－ペンテニル基、ジメチルアリル基、１－ヘキセニル基、３－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基、１－ヘプテニル基、３－ヘプテニル基、６－ヘプテニル基、７－オクテニル基等が挙げられる。アルコキシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ペンチロキシメチル基、ヘキシロキシメチル基、ヘプチロキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ペンチロキシエチル基、ヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基、メトキシヘキシル基、メトキシヘプチル基等が挙げられる。
　なお、さらに置換されていてもよい炭素数１～４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等が挙げられる。炭素数１～４のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基等が挙げられる。炭素数１～４のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で置換されていてもよいフェニル基としては、フェニル基、トリル基、ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基、ｐ－アセチルフェニル基、ｐ－ニトロフェニル基等が挙げられる。炭素数３～５のヘテロ芳香族基としては、ピリジル基、フリル基等が挙げられる。
　具体的には、例えばトリフルオロメタンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリエチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸ピリジニウム、カンファースルホン酸トリエチルアンモニウム、カンファースルホン酸ピリジニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラｎ－ブチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラフェニルアンモニウム、ｐ－トルエンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ－トルエンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ビス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２－オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２－オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２－オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（２－ノルボニル）メチル（２－オキソシクロヘキシル）スルホニウム、エチレンビス［メチル（２－オキソシクロペンチル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート］、１，２’－ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレート等のオニウム塩、ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ－トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（キシレンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソアミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ－アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ－アミルスルホニル）ジアゾメタン、１－シクロヘキシルスルホニル－１－（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１－シクロヘキシルスルホニル－１－（ｔｅｒｔ－アミルスルホニル）ジアゾメタン、１－ｔｅｒｔ－アミルスルホニル－１－（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－（ｐ－トルエスルホニル）－α－ジフェニルグリオキシム、ビス－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス－（ｐ－トルエンスルホニル）－２，３－ペンタンジオングリオキシム、ビス－（ｐ－トルエンスルホニル）－２－メチル－３，４－ペンタンジオングリオキシム、ビス－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジフェニルグリオキシム、ビス－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス－（ｎ－ブタンスルホニル）－２，３－ペンタンジオングリオキシム、ビス－（ｎ－ブタンスルホニル）－２－メチル－３，４－ペンタンジオングリオキシム、ビス－（メタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－（トリフルオロメタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－（１，１，１－トリフルオロエタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－（ｔｅｒｔ－ブタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－（パーフルオロオクタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－（シクロヘキサンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－（ベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－（ｐ－フルオロベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－（キシレンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－（カンファースルホニル）－α－ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ビスナフチルスルホニルメタン、ビストリフルオロメチルスルホニルメタン、ビスメチルスルホニルメタン、ビスエチルスルホニルメタン、ビスプロピルスルホニルメタン、ビスイソプロピルスルホニルメタン、ビス－ｐ－トルエンスルホニルメタン、ビスベンゼンスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、２－シクロヘキシルカルボニル－２－（ｐ－トルエンスルホニル）プロパン、２－イソプロピルカルボニル－２－（ｐ－トルエンスルホニル）プロパン等のβ－ケトスルホン誘導体、ジフェニルジスルホン誘導体、ジシクロヘキシルジスルホン誘導体等のジスルホン誘導体、ｐ－トルエンスルホン酸２，６－ジニトロベンジル、ｐ－トルエンスルホン酸２，４－ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネート誘導体、１，２，３－トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３－トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３－トリス（ｐ－トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン等のスルホン酸エステル誘導体、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドエタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド１－プロパンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド２－プロパンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド１－ペンタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド１－オクタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドｐ－トルエンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドｐ－メトキシベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド２－クロロエタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド－２，４，６－トリメチルベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド１－ナフタレンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド２－ナフタレンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシ－２－フェニルスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシマレイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシマレイミドエタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシ－２－フェニルマレイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシグルタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシグルタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシフタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシフタルイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシフタルイミドｐ－トルエンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシナフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシ－５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシ－５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシ－５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミドｐ－トルエンスルホン酸エステル等のＮ－ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体等が挙げられる。
　これらのなかでも、特に、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２－オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（２－ノルボニル）メチル（２－オキソシクロヘキシル）スルホニウム、１，２’－ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレート等のオニウム塩、ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ－トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ビスナフチルスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド１－プロパンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド２－プロパンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド１－ペンタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドｐ－トルエンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシナフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル等のＮ－ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体が好ましく用いられる。
　本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成材料において、酸発生剤の含有量は、特に限定されないが、上述した一般式（１）に示される化合物及び一般式（２）で示される構造を有する樹脂１００質量部に対して、０．１～５０質量部であることが好ましく、より好ましくは０．５～４０質量部である。上記の好ましい範囲にすることで、酸発生量が多くなって架橋反応が高められる傾向にあり、また、レジスト層とのミキシング現象の発生が抑制される傾向にある。
　さらに、本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成材料は、保存安定性を向上させる等の観点から、塩基性化合物を含有していてもよい。
　塩基性化合物は、酸発生剤より微量に発生した酸が架橋反応を進行させるのを防ぐための、酸に対するクエンチャーの役割を果たす。このような塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられるが、これらに特に限定されない。
　具体的には、第一級の脂肪族アミン類の具体例としては、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ－ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ－ブチルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ－アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示される。第二級の脂肪族アミン類の具体例としては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ－ｎ－ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ－ｓｅｃ－ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。第三級の脂肪族アミン類の具体例としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ－ｎ－プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ－ｎ－ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ－ｓｅｃ－ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。
　また、混成アミン類の具体例としては、例えばジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体（例えばアニリン、Ｎ－メチルアニリン、Ｎ－エチルアニリン、Ｎ－プロピルアニリン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、２－メチルアニリン、３－メチルアニリン、４－メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、２－ニトロアニリン、３－ニトロアニリン、４－ニトロアニリン、２，４－ジニトロアニリン、２，６－ジニトロアニリン、３，５－ジニトロアニリン、Ｎ，Ｎ－ジメチルトルイジン等）、ジフェニル（ｐ－トリル）アミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体（例えばピロール、２Ｈ－ピロール、１－メチルピロール、２，４－ジメチルピロール、２，５－ジメチルピロール、Ｎ－メチルピロール等）、オキサゾール誘導体（例えばオキサゾール、イソオキサゾール等）、チアゾール誘導体（例えばチアゾール、イソチアゾール等）、イミダゾール誘導体（例えばイミダゾール、４－メチルイミダゾール、４－メチル－２－フェニルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体（例えばピロリン、２－メチル－１－ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えばピロリジン、Ｎ－メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ－メチルピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体（例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、４－（１－ブチルペンチル）ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、３－メチル－２－フェニルピリジン、４－ｔｅｒｔ－ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、１－メチル－２－ピリドン、４－ピロリジノピリジン、１－メチル－４－フェニルピリジン、２－（１－エチルプロピル）ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ－インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えばキノリン、３－キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０－フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。
　さらに、カルボキシ基を有する含窒素化合物の具体例としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体（例えばニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、３－アミノピラジン－２－カルボン酸、メトキシアラニン）等が例示される。スルホニル基を有する含窒素化合物の具体例としては、３－ピリジンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示される。水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物の具体例としては、２－ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、２，４－キノリンジオール、３－インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２，２’－イミノジエタノール、２－アミノエタノ－ル、３－アミノ－１－プロパノール、４－アミノ－１－ブタノール、４－（２－ヒドロキシエチル）モルホリン、２－（２－ヒドロキシエチル）ピリジン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン、１－［２－（２－ヒドロキシエトキシ）エチル］ピペラジン、ピペリジンエタノール、１－（２－ヒドロキシエチル）ピロリジン、１－（２－ヒドロキシエチル）－２－ピロリジノン、３－ピペリジノ－１，２－プロパンジオール、３－ピロリジノ－１，２－プロパンジオール、８－ヒドロキシユロリジン、３－クイヌクリジノール、３－トロパノール、１－メチル－２－ピロリジンエタノール、１－アジリジンエタノール、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）フタルイミド、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）イソニコチンアミド等が例示される。アミド誘導体の具体例としては、ホルムアミド、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が例示される。イミド誘導体の具体例としては、フタルイミド、スクシンイミド、マレイミド等が例示される。
　本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成材料において、塩基性化合物の含有量は、特に限定されないが、上述した一般式（１）に示される化合物或いは一般式（２）で示される構造を有する樹脂１００質量部に対して、０．００１～２質量部であることが好ましく、より好ましくは０．０１～１部である。上記の好ましい範囲にすることで、架橋反応を過度に損なうことなく保存安定性が高められる傾向にある。
　また、本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成材料は、熱硬化性の付与や吸光度をコントロールする目的で、他の樹脂及び／又は化合物を含有していてもよい。このような他の樹脂および／または化合物としては、ナフトール樹脂、キシレン樹脂ナフトール変性樹脂、ナフタレン樹脂のフェノール変性樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ジシクロペンタジエン樹脂、（メタ）アクリレート、ジメタクリレート、トリメタクリレート、テトラメタクリレート、ビニルナフタレン、ポリアセナフチレンなどのナフタレン環、フェナントレンキノン、フルオレンなどのビフェニル環、チオフェン、インデンなどのヘテロ原子を有する複素環を含む樹脂や芳香族環を含まない樹脂；ロジン系樹脂、シクロデキストリン、アダマンタン（ポリ）オール、トリシクロデカン（ポリ）オール及びそれらの誘導体等の脂環構造を含む樹脂又は化合物等が挙げられるが、これらに特に限定されない。さらに、本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成材料は、当業界で公知の添加剤、例えば、紫外線吸収剤、界面活性剤、着色剤、ノニオン系界面活性剤、を含有していてもよい。
　本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成材料は、有機溶媒を含有していてもよい。有機溶媒としては、上述した一般式（１）で示される化合物及び／又は一般式（２）で示される構造を有する樹脂が少なくとも溶解するものであれば、公知のものを適宜用いることができる。
　有機溶媒の具体例としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のセロソルブ系溶媒、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、ヒドロキシイソ酪酸メチル等のエステル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、１－エトキシ－２－プロパノール等のアルコール系溶媒、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系炭化水素等が挙げられるが、これらに特に限定されない。これらの有機溶媒は、１種を単独で或いは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　上記有機溶媒の中で、安全性の点から、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ヒドロキシイソ酪酸メチル、アニソールが特に好ましい。
　有機溶媒の含有量は、特に限定されないが、溶解性及び製膜上の観点から、上述した一般式（１）で示される化合物及び／又は一般式（２）で示される構造を有する樹脂１００質量部に対して、１００～１０，０００質量部であることが好ましく、より好ましくは２００～５，０００質量部である。
［リソグラフィー用下層膜及び多層レジストパターンの形成方法］
　本実施形態のリソグラフィー用下層膜は、前述のリソグラフィー用下層膜形成材料から形成されることを特徴とする。
　また、本実施形態の多層レジストパターンの形成方法は、基板上に、前述のリソグラフィー用下層膜形成材料を用いて下層膜を形成し、該下層膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所要の領域に放射線を照射し、アルカリ現像を行うことを特徴とする。
　さらに、本実施形態の多層レジストパターンの形成方法は、基板上に、前述のリソグラフィー用下層膜形成材料を用いて下層膜を形成し、該下層膜上に、珪素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いて中間層膜を形成し、該中間層膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所要の領域に放射線を照射し、アルカリ現像してレジストパターンを形成後、該レジストパターンをマスクとして前記中間層膜をエッチングし、得られた中間層膜パターンをエッチングマスクとして前記下層膜をエッチングし、得られた下層膜パターンをエッチングマスクとして基板をエッチングすることで基板にパターンを形成することを特徴とする。
　本実施形態のリソグラフィー用下層膜は、前述のリソグラフィー用下層膜形成材料から形成されるものであれば、その形成方法は特に限定されず、当業界で公知の手法を適用することができる。例えば、前述のリソグラフィー用下層膜形成材料をスピンコートやスクリーン印刷等の公知の塗布法或いは印刷法などで基板上に付与した後、有機溶媒を揮発させるなどして除去することで、下層膜を形成することができる。下層膜の形成時には、上層レジストとのミキシング現象の発生を抑制するとともに架橋反応を促進させるために、ベークをすることが望ましい。この場合、ベーク温度は、特に限定されないが、８０～４５０℃の範囲内であることが好ましく、より好ましくは２００～４００℃である。また、ベーク時間も、特に限定されないが、１０～３００秒の範囲内であることが好ましい。なお、下層膜の厚さは、要求性能に応じて適宜選定することができ、特に限定されないが、通常、３０～２０，０００ｎｍ程度であることが好ましく、より好ましくは５０～１５，０００ｎｍとすることが好ましい。下層膜を作製した後、２層プロセスの場合はその上に珪素含有レジスト層、或いは通常の炭化水素からなる単層レジスト、３層プロセスの場合はその上に珪素含有中間層、さらにその上に珪素を含まない単層レジスト層を作製する。この場合、このレジスト層を形成するためのフォトレジスト材料としては公知のものを使用することができる。
　基板上に下層膜を作製した後、２層プロセスの場合はその下層膜上に珪素含有レジスト層あるいは通常の炭化水素からなる単層レジストを、３層プロセスの場合はその下層膜上に珪素含有中間層、さらにその珪素含有中間層上に珪素を含まない単層レジスト層を作製するができる。これらの場合において、レジスト層を形成するためのフォトレジスト材料は、公知のものから適宜選択して使用することができ、特に限定されない。
　２層プロセス用の珪素含有レジスト材料としては、酸素ガスエッチング耐性の点から、ベースポリマーとしてポリシルセスキオキサン誘導体又はビニルシラン誘導体等の珪素原子含有ポリマーを使用し、さらに有機溶媒、酸発生剤、必要により塩基性化合物等を含むポジ型のフォトレジスト材料が好ましく用いられる。ここで珪素原子含有ポリマーとしては、この種のレジスト材料において用いられている公知のポリマーを使用することができる。
　３層プロセス用の珪素含有中間層としてはポリシルセスキオキサンベースの中間層が好ましく用いられる。中間層に反射防止膜として効果を持たせることによって、反射を抑えることができる。例えば１９３ｎｍ露光用プロセスにおいて、下層膜として芳香族基を多く含み基板エッチング耐性が高い材料を用いると、ｋ値が高くなり、基板反射が高くなる傾向にあるが、中間層で反射を抑えることによって、基板反射を０．５％以下にすることができる。このような反射防止効果がある中間層としては、１９３ｎｍ露光用としてはフェニル基又は珪素－珪素結合を有する吸光基を導入された、酸或いは熱で架橋するポリシルセスキオキサンが好ましく用いられる。
　また、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ）法で形成した中間層を用いることもできる。ＣＶＤ法で作製した反射防止膜としての効果が高い中間層としては、例えばＳｉＯＮ膜が知られている。一般的には、ＣＶＤ法よりスピンコート法やスクリーン印刷等の湿式プロセスによる中間層の形成の方が、簡便でコスト的なメリットがある。なお、３層プロセスにおける上層レジストは、ポジ型でもネガ型でもどちらでもよく、また、通常用いられている単層レジストと同じものを用いることができる。
　さらに、本実施形態の下層膜は、通常の単層レジスト用の反射防止膜或いはパターン倒れ抑制のための下地材として用いることもできる。本実施形態の下層膜は、下地加工のためのエッチング耐性に優れるため、下地加工のためのハードマスクとしての機能も期待できる。
　上記フォトレジスト材料によりレジスト層を形成する場合においては、上記下層膜を形成する場合と同様に、スピンコート法やスクリーン印刷等の湿式プロセスが好ましく用いられる。また、レジスト材料をスピンコート法などで塗布した後、通常、プリベークが行われるが、このプリベークは、８０～１８０℃で１０～３００秒の範囲で行うことが好ましい。その後、常法にしたがい、露光を行い、ポストエクスポジュアーベーク（ＰＥＢ）、現像を行うことで、レジストパターンを得ることができる。なお、レジスト膜の厚さは特に制限されないが、一般的には、３０～５００ｎｍが好ましく、より好ましくは５０～４００ｎｍである。
　また、露光光は、使用するフォトレジスト材料に応じて適宜選択して用いればよい。一般的には、波長３００ｎｍ以下の高エネルギー線、具体的には２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍのエキシマレーザー、３～２０ｎｍの軟Ｘ線、電子ビーム、Ｘ線等を挙げることができる。
　上記の方法により形成されるレジストパターンは、本実施形態の下層膜によってパターン倒れが抑制されたものとなる。そのため、本実施形態の下層膜を用いることで、より微細なパターンを得ることができ、また、そのレジストパターンを得るために必要な露光量を低下させ得る。
　次に、得られたレジストパターンをマスクにしてエッチングを行う。２層プロセスにおける下層膜のエッチングとしては、ガスエッチングが好ましく用いられる。ガスエッチングとしては、酸素ガスを用いたエッチングが好適である。酸素ガスに加えて、Ｈｅ、Ａｒなどの不活性ガスや、ＣＯ、ＣＯ2、ＮＨ3、ＳＯ2、Ｎ2、ＮＯ2、Ｈ2ガスを加えることも可能である。また、酸素ガスを用いずに、ＣＯ、ＣＯ2、ＮＨ3、Ｎ2、ＮＯ2、Ｈ2ガスだけでガスエッチングを行うこともできる。特に後者のガスは、パターン側壁のアンダーカット防止のための側壁保護のために用いられる。一方、３層プロセスにおける中間層のエッチングにおいても、ガスエッチングが好ましく用いられる。ガスエッチングとしては、上記の２層プロセスにおいて説明したものと同様のものが適用可能である。とりわけ、３層プロセスにおける中間層の加工は、フロン系のガスを用いてレジストパターンをマスクにして行うことが好ましい。その後、上述したように中間層パターンをマスクにして、例えば酸素ガスエッチングを行うことで、下層膜の加工を行うことができる。
　ここで中間層として、無機ハードマスク中間層膜を形成する場合は、ＣＶＤ法やＡＬＤ法等で、珪素酸化膜、珪素窒化膜、珪素酸化窒化膜（ＳｉＯＮ膜）が形成される。窒化膜の形成方法としては、例えば、特開２００２－３３４８６９号公報（特許文献６）、ＷＯ２００４／０６６３７７（特許文献７）に記載されている。
　このような中間層膜の上に直接フォトレジスト膜を形成することができるが、中間層膜の上に有機反射防止膜（ＢＡＲＣ）をスピンコートで形成して、その上にフォトレジスト膜を形成してもよい。
　中間層として、ポリシルセスキオキサンベースの中間層も好ましく用いられる。レジスト中間層膜に反射防止膜として効果を持たせることによって、反射を抑えることができる。ポリシルセスキオキサンベースの中間層の材料については、例えば、具体的には、特開２００７－２２６１７０号（特許文献８）、特開２００７－２２６２０４号（特許文献９）に記載されている。
　また、次の基板のエッチングも、常法によって行うことができ、例えば基板がＳｉＯ2、ＳｉＮであればフロン系ガスを主体としたエッチング、ｐ－ＳｉやＡｌ、Ｗでは塩素系、臭素系ガスを主体としたエッチングを行うことができる。基板加工をフロン系ガスでエッチングした場合、２層レジストプロセスの珪素含有レジストと３層プロセスの珪素含有中間層は、基板加工と同時に剥離される。一方、塩素系或いは臭素系ガスで基板をエッチングした場合は、珪素含有レジスト層又は珪素含有中間層の剥離が別途行われ、一般的には、基板加工後にフロン系ガスによるドライエッチング剥離が行われる。
　本実施形態の下層膜は、これら基板のエッチング耐性に優れる特徴がある。
　なお、基板は、当業界で公知のものを適宜選択して使用することができ、特に限定されないが、Ｓｉ、α－Ｓｉ、ｐ－Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｗ、ＴｉＮ、Ａｌ等が挙げられる。また、基板は、基材（支持体）上に被加工膜（被加工基板）を有する積層体であってもよい。このような被加工膜としては、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉ、α－Ｓｉ、Ｗ、Ｗ－Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｌ－Ｓｉ等種々のＬｏｗ－ｋ膜及びそのストッパー膜等が挙げられ、通常、基材（支持体）とは異なる材質のものが用いられる。なお、加工対象となる基板或いは被加工膜の厚さは、特に限定されないが、通常、５０～１０，０００ｎｍ程度であることが好ましく、より好ましくは７５～５，０００ｎｍである。
　以下、本発明を合成例及び実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
－炭素濃度及び酸素濃度－
　有機元素分析により炭素濃度及び酸素濃度（質量％）を測定した。
　装置：ＣＨＮコーダーＭＴ－６（ヤナコ分析工業(株)製）
－分子量－
　ＧＣ－ＭＳ分析により、Ａｇｉｌｅｎｔ社製Ａｇｉｌｅｎｔ５９７５／６８９０Ｎを用いて測定した。あるいは、ＬＣ－ＭＳ分析により、Ｗａｔｅｒ社製Ａｃｑｕｉｔｙ　ＵＰＬＣ／ＭＡＬＤＩ－Ｓｙｎａｐｔ　ＨＤＭＳを用いて測定した。
－ポリスチレン換算分子量－
　ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）分析により、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）を求め、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を求めた。
　装置：Ｓｈｏｄｅｘ　ＧＰＣ－１０１型（昭和電工(株)製）
　カラム：ＫＦ－８０Ｍ×３
　溶離液：ＴＨＦ　１ｍｌ／ｍｉｎ
　温度：４０℃
－熱分解温度（Ｔｇ）－
　エスアイアイ・ナノテクノロジー社製ＥＸＳＴＡＲ６０００ＤＳＣ装置を使用し、試料約５ｍｇをアルミニウム製非密封容器に入れ、窒素ガス（３０ｍｌ／ｍｉｎ）気流中昇温速度１０℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温した。その際、ベースラインに減少部分が現れる温度を熱分解温度（Ｔｇ）とした。
－溶解度－
　２３℃にて、化合物の１－メトキシ－２－プロパノール（ＰＧＭＥ）及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に対する溶解量を測定し、その結果を以下の基準で評価した。
　評価Ａ：１０ｗｔ％以上
　評価Ｂ：３ｗｔ％以上１０ｗｔ％未満
　評価Ｃ：３ｗｔ％未満
（合成例１）ＢｉｓＮ－１の合成
　攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍｌの容器に、２，６－ナフタレンジオール（シグマ－アルドリッチ社製試薬）１．６０ｇ（１０ｍｍｏｌ）と、４－ビフェニルアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）と、メチルイソブチルケトン３０ｍｌとを仕込み、９５％の硫酸５ｍｌを加えて、反応液を１００℃で６時間撹拌して反応を行った。次に、反応液を濃縮し、純水５０ｇを加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離した。得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトによる分離精製を行うことにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－１）３．０５ｇを得た。
　なお、４００ＭＨｚ－１Ｈ－ＮＭＲにより以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。また、２，６－ジヒドロキシナフトールの置換位置が１位であることは、３位と４位のプロトンのシグナルがダブレットであることから確認した。
　１Ｈ－ＮＭＲ：（ｄ－ＤＭＳＯ、内部標準ＴＭＳ）
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（１９Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ－Ｈ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－１）の炭素濃度は８４．５％、酸素濃度は１０．３％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６４であった。
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－１）の熱分解温度は４１０℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、２０ｗｔ％以上（評価Ａ）と優秀であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
（合成例２）ＢｉｓＮ－２の合成
　２，６－ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に代えて２，７－ナフタレンジオール（シグマ－アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、合成例１と同様に操作することにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－２）を０．２ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－２）の炭素濃度は８４．５％、酸素濃度は１０．３％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６４であった。
　得られた化合物について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（１９Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ－Ｈ）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－２）の熱分解温度は４１０℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
（合成例３）ＢｉｓＮ－３の合成
　２，６－ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に代えて１，５－ナフタレンジオール（シグマ－アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、合成例１と同様に操作することにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－３）を０．２ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－３）の炭素濃度は８４．５％、酸素濃度は１０．３％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６４であった。
　得られた化合物について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（１９Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ－Ｈ）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－３）の熱分解温度は４１０℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
（合成例４）ＢｉｓＮ－４の合成
　２，６－ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に代えて１，６－ナフタレンジオール（シグマ－アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、合成例１と同様に操作することにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－４）を０．２ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－４）の炭素濃度は８４．５％、酸素濃度は１０．３％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６４であった。
　得られた化合物について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（１９Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ－Ｈ）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－４）の熱分解温度は４１０℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
（合成例５）ＢｉｓＮ－５の合成
　２，６－ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に代えて１，７－ナフタレンジオール（シグマ－アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、合成例１と同様に操作することにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－５）を０．２ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－５）の炭素濃度は８４．５％、酸素濃度は１０．３％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６４であった。
　得られた化合物について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（１９Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ－Ｈ）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－５）の熱分解温度は４１０℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
（合成例６）ＢｉｓＮ－６の合成
　２，６－ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に代えて２，３－ナフタレンジオール（シグマ－アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、合成例１と同様に操作することにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－６）を０．２ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－６）の炭素濃度は８４．５％、酸素濃度は１０．３％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６４であった。
　得られた化合物について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（１９Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ－Ｈ）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－６）の熱分解温度は４１０℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
（合成例７）ＢｉｓＮ－７の合成
　４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えて１－ナフトアルデヒド（シグマ－アルドリッチ社製試薬）１．５６ｇ（１０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、合成例１と同様に操作することにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－７）を０．２ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－７）の炭素濃度は８４．５％、酸素濃度は１０．９％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４４０であった。
　得られた化合物について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（１７Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ－Ｈ）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－７）の熱分解温度は４１５℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
（合成例８）ＢｉｓＮ－８の合成
　４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えて９－フェナントレンアルデヒド（和光純薬工業社製試薬）２．０６ｇ（１０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、合成例１と同様に操作することにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－８）を０．２ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－８）の炭素濃度は８５．７％、酸素濃度は９．８％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４９０であった。
　得られた化合物について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（１９Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ－Ｈ）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－８）の熱分解温度は４１５℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
（合成例９）ＢｉｓＮ－９の合成
　４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えて１－ピレンアルデヒド（シグマ－アルドリッチ社製試薬）２．３０ｇ（１０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、合成例１と同様に操作することにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－９）を０．２ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－９）の炭素濃度は８６．４％、酸素濃度は９．３％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、５１４であった。
　得られた化合物について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（１９Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ－Ｈ）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－９）の熱分解温度は４２０℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
（合成例１０）ＢｉｓＮ－１０の合成
　４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えてシクロヘキサノン（シグマ－アルドリッチ社製試薬）０．９８ｇ（１０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、合成例１と同様に操作することにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－１０）を０．２ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－１０）の炭素濃度は８１．７％、酸素濃度は１２．６％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、３８２であった。
　得られた化合物について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（１０Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、２．１～２．５（１０Ｈ，Ｃ－Ｈ）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－１０）の熱分解温度は４００℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
（合成例１１）ＢｉｓＮ－１１の合成
　４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えて９－フルオレノン（シグマ－アルドリッチ社製試薬）１．８０ｇ（１０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、合成例１と同様に操作することにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－１１）を０．２ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－１１）の炭素濃度は８５．３％、酸素濃度は１０．３％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６４であった。
　得られた化合物について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（１８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－１１）の熱分解温度は４５０℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
（合成例１２）ＢｉｓＮ－１２の合成
　４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えてテレフタルアルデヒド（シグマ－アルドリッチ社製試薬）０．６７ｇ（５ｍｍｏｌ）を用いること以外は、合成例１と同様に操作することにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－１２）を０．１ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－１２）の炭素濃度は８２．０％、酸素濃度は１３．７％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、７０２であった。
　得られた化合物について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（４Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（２４Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（２Ｈ，Ｃ－Ｈ）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－１２）の熱分解温度は４１０℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
（合成例１３）ＢｉｓＮ－１３の合成
　４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えて４，４’－ジホルミルビフェニル（シグマ－アルドリッチ社製試薬）１．０５ｇ（５ｍｍｏｌ）を用いること以外は、合成例１と同様に操作することにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－１３）を０．１ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－１３）の炭素濃度は８３．３％、酸素濃度は１２．３％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、７７８であった。
　得られた化合物について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（４Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（２８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（２Ｈ，Ｃ－Ｈ）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－１３）の熱分解温度は４１０℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
（合成例１４）ＢｉｓＮ－１４の合成
　４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えて１，３，５－ベンゼントリカルボアルデヒド（三菱瓦斯化学社製試薬）０．５３ｇ（３．３ｍｍｏｌ）を用いること以外は、合成例１と同様に操作することにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－１４）を０．１ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－１４）の炭素濃度は８１．６％、酸素濃度は１４．２％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、１０１４であった。
　得られた化合物について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（６Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（３３Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（３Ｈ，Ｃ－Ｈ）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた化合物（ＢｉｓＮ－１４）の熱分解温度は４１０℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
（合成例１５）ＲＢｉｓＮ－１の合成
　攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍｌの容器に、ＢｉｓＮ－１　１０ｇ（２１ｍｍｏｌ）と、パラホルムアルデヒド０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）、氷酢酸５０ｍｌとＰＧＭＥ５０ｍｌとを仕込み、９５％の硫酸８ｍｌを加えて、反応液を１００℃で６時間撹拌して反応を行った。次に、反応液を濃縮し、メタノール１０００ｍｌを加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離した。得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトによる分離精製を行うことにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（ＲＢｉｓＮ－１）７．２ｇを得た。
　有機元素分析の結果、得られた樹脂（ＲＢｉｓＮ－１）の炭素濃度は８５．０％、酸素濃度は１０．０％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた樹脂について、前記方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：７７８、Ｍｗ：１７９３、Ｍｗ／Ｍｎ：２．３０であった。
　得られた樹脂について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（１７Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ－Ｈ）、４．１（２Ｈ，－ＣＨ２）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた樹脂（ＲＢｉｓＮ－１）の熱分解温度は４０５℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
（合成例１６）ＲＢｉｓＮ－２の合成
　パラホルムアルデヒド　０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）に代えて４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）７．６ｇ（４２ｍｍｏｌ）用いること以外は、合成例１５と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（ＲＢｉｓＮ－２）を７．６ｇ得た。
　有機元素分析の結果、得られた樹脂（ＲＢｉｓＮ－２）の炭素濃度は８７．６％、酸素濃度は７．６％であった。炭素含有率が高く、酸素含有率が低いことから高いエッチング耐性が高いことがわかる。
　得られた樹脂について、前記方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：５６２、Ｍｗ：１１６８、Ｍｗ／Ｍｎ：２．０８であった。
　得られた樹脂について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．８（２６Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ－Ｈ）、４．５（１Ｈ，－ＣＨ２）
　熱重量測定（ＴＧ）の結果、得られた樹脂（ＲＢｉｓＮ－２）の熱分解温度は４０５℃であった。高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能となる。
　ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡ溶解性は、３ｗｔ％以上２０ｗｔ％未満（評価Ｂ）と良好であった。そのため、溶液状態での高い保存安定性及び半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液（ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ混合液）への適用性が期待できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
（製造例１）
　ジムロート冷却管、温度計及び攪拌翼を備えた、底抜きが可能な内容積１０Ｌの四つ口フラスコに、窒素気流中、１，５－ジメチルナフタレン１．０９ｋｇ（７ｍｏｌ、三菱ガス化学（株）製）、４０質量％ホルマリン水溶液２．１ｋｇ（ホルムアルデヒドとして２８ｍｏｌ、三菱ガス化学（株）製）及び９８質量％硫酸（関東化学(株)製）０．９７ｍｌを仕込み、常圧下、１００℃で還流させながら７時間反応させた。その後、希釈溶媒としてエチルベンゼン（和光純薬工業（株）製試薬特級）１．８ｋｇを反応液に加え、静置後、下相の水相を除去した。さらに、中和及び水洗を行い、エチルベンゼン及び未反応の１，５－ジメチルナフタレンを減圧下で留去することにより、淡褐色固体のジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂１．２５ｋｇを得た。
　得られたジメチルナフタレンホルムアルデヒドの分子量は、Ｍｎ：５６２、Ｍｗ：１１６８、Ｍｗ／Ｍｎ：２．０８であった。また、炭素濃度は８４．２質量％、酸素濃度は８．３質量％であった。
　その後、ジムロート冷却管、温度計及び攪拌翼を備えた内容積０．５Ｌの四つ口フラスコに、窒素気流下で、製造例１で得たジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂１００ｇ（０．５１ｍｏｌ）とパラトルエンスルホン酸０．０５ｇとを仕込み、１９０℃まで昇温させて２時間加熱した後、攪拌した。その後さらに、１－ナフトール５２．０ｇ（０．３６ｍｏｌ）を加え、さらに２２０℃まで昇温させて２時間反応させた。溶剤希釈後、中和及び水洗を行い、溶剤を減圧下で除去することにより、黒褐色固体の変性樹脂（ＣＲ－１）１２６．１ｇを得た。
　得られた樹脂（ＣＲ－１）は、Ｍｎ：８８５、Ｍｗ：２２２０、Ｍｗ／Ｍｎ:４．１７であった。また、炭素濃度は８９．１質量％、酸素濃度は４．５質量％であった。
＜実施例１～１６、比較例１＞
　表１に示す組成のリソグラフィー用下層膜形成材料を各々調製した。次に、これらの下層膜形成材料をシリコン基板上に回転塗布し、その後、２４０℃で６０秒間、さらに４００℃で１２０秒間ベークして、膜厚２００ｎｍの下層膜を各々作製した。
　そして、下記に示す条件でエッチング試験を行い、エッチング耐性を評価した。評価結果を表１に示す。
［エッチング試験］
　エッチング装置：サムコインターナショナル社製　ＲＩＥ－１０ＮＲ
　出力：５０Ｗ
　圧力：２０Ｐａ
　時間：２ｍｉｎ
　エッチングガス
　Ａｒガス流量：ＣＦ4ガス流量：Ｏ2ガス流量＝５０：５：５（ｓｃｃｍ）
［エッチング耐性の評価］
　エッチング耐性の評価は、以下の手順で行った。
　まず、実施例１の化合物（ＢｉｓＮ－１）に代えてノボラック（群栄化学社製　ＰＳＭ４３５７）を用いること以外は、実施例１と同様の条件で、ノボラックの下層膜を作製した。そして、このノボラックの下層膜の上記のエッチング試験を行い、そのときのエッチングレートを測定した。
　次に、実施例１～１６及び比較例１の下層膜のエッチング試験を同様に行い、そのときのエッチングレートを測定した。
　そして、ノボラックの下層膜のエッチングレートを基準として、以下の評価基準でエッチング耐性を評価した。
　＜評価基準＞
　Ａ；ノボラックの下層膜に比べてエッチングレートが、－１０％未満
　Ｂ；ノボラックの下層膜に比べてエッチングレートが、－１０％～＋５％
　Ｃ；ノボラックの下層膜に比べてエッチングレートが、＋５％超
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000045
 　酸発生剤：みどり化学社製　ジターシャリーブチルジフェニルヨードニウムノナフルオロメタンスルホナート（ＤＴＤＰＩ）
　架橋剤：三和ケミカル社製　ニカラックＭＸ２７０（ニカラック）
　有機溶媒：シクロヘキサノン（ＣＨＮ）
　ノボラック：群栄化学社製　ＰＳＭ４３５７
＜実施例１７～３２、比較例２＞
　次に、実施例１～１６のリソグラフィー用下層膜形成材料の溶液を膜厚３００ｎｍのＳｉＯ２基板上に塗布して、２４０℃で６０秒間、さらに４００℃で１２０秒間ベークすることにより、膜厚８０ｎｍの下層膜を各々形成した。この下層膜上に、ＡｒＦ用レジスト溶液を塗布し、１３０℃で６０秒間ベークすることにより、膜厚１５０ｎｍのフォトレジスト層を形成した。なお、ＡｒＦレジスト溶液としては、下記式（１１）の化合物：５質量部、トリフェニルスルホニウムノナフルオロメタンスルホナート：１質量部、トリブチルアミン：２質量部、及びＰＧＭＥＡ：９２質量部を配合して調製したものを用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
 （式（１１）中、４０、４０、２０とあるのは各構成単位の比率を示すものであり、ブロック共重合体を示すものではない。）
　次いで、電子線描画装置（エリオニクス社製；ＥＬＳ－７５００，５０ｋｅＶ）を用いて、フォトレジスト層をマスク露光し、１１５℃で９０秒間ベーク（ＰＥＢ）し、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液で６０秒間現像することにより、ポジ型のレジストパターンを得た。
＜比較例２＞
　下層膜の形成を省略すること以外は、実施例１７と同様に行い、フォトレジスト層をＳｉＯ２基板上に直接形成し、ポジ型のレジストパターンを得た。評価結果を、表２に示す。
［評価］
　実施例１７～３２及び比較例２のそれぞれについて、得られた５５ｎｍＬ／Ｓ（１：１）及び８０ｎｍＬ／Ｓ（１：１）のレジストパターンの形状を観察した結果を、表２に示す。
　表２から明らかなように、実施例１７～３２の下層膜は、比較例２に比して、解像性および感度ともに有意に優れていることが確認された。また、現像後のレジストパターン形状も良好であることが確認された。さらに、現像後のレジストパターン形状の相違から、実施例１～１６のリソグラフィー用下層膜形成材料は、レジスト材料との密着性が良いことが示された。
＜実施例３３～４８＞
　実施例１～１６のリソグラフィー用下層膜形成材料の溶液を膜厚３００ｎｍのＳｉＯ２基板上に塗布して、２４０℃で６０秒間、さらに４００℃で１２０秒間ベークすることにより、膜厚８０ｎｍの下層膜を形成した。この下層膜上に、珪素含有中間層材料を塗布し、２００℃で６０秒間ベークすることにより、膜厚３５ｎｍの中間層膜を形成した。さらに、この中間層膜上に、実施例１７で用いたＡｒＦ用レジスト溶液を塗布し、１３０℃で６０秒間ベークすることにより、膜厚１５０ｎｍのフォトレジスト層を形成した。なお、珪素含有中間層材料としては、特開２００７－２２６１７０号公報＜合成例１＞に記載の珪素原子含有ポリマーを用いた。
　次いで、電子線描画装置（エリオニクス社製；ＥＬＳ－７５００，５０ｋｅＶ）を用いて、フォトレジスト層をマスク露光し、１１５℃で９０秒間ベーク（ＰＥＢ）し、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液で６０秒間現像することにより、５５ｎｍＬ／Ｓ（１：１）のポジ型のレジストパターンを得た。
　その後、サムコインターナショナル社製　ＲＩＥ－１０ＮＲを用いて、得られたレジストパターンをマスクにして珪素含有中間層膜（ＳＯＧ）のドライエッチング加工を行い、続いて、得られた珪素含有中間層膜パターンをマスクにした下層膜のドライエッチング加工と、得られた下層膜パターンをマスクにしたＳｉＯ２膜のドライエッチング加工とを順次行った。
　各々のエッチング条件は、下記に示すとおりである。
　レジストパターンのレジスト中間層膜へのエッチング条件
　　　出力：５０Ｗ
　　　圧力：２０Ｐａ
　　　時間：１ｍｉｎ
　　　エッチングガス
　　　Ａｒガス流量：ＣＦ4ガス流量：Ｏ2ガス流量＝５０：８：２（ｓｃｃｍ）
　レジスト中間膜パターンのレジスト下層膜へのエッチング条件
　　　出力：５０Ｗ
　　　圧力：２０Ｐａ
　　　時間：２ｍｉｎ
　　　エッチングガス
　　　Ａｒガス流量：ＣＦ4ガス流量：Ｏ2ガス流量＝５０：５：５（ｓｃｃｍ）
　レジスト下層膜パターンのＳｉＯ ２ 膜へのエッチング条件
　　　出力：５０Ｗ
　　　圧力：２０Ｐａ
　　　時間：２ｍｉｎ
　　　エッチングガス
　　　Ａｒガス流量：Ｃ５Ｆ１２ガス流量：Ｃ２Ｆ６ガス流量：Ｏ2ガス流量
　　　　　　　　　　＝５０：４：３：１（ｓｃｃｍ）
［評価］
　上記のようにして得られた実施例３３～４８のパターン断面（エッチング後のＳｉＯ２膜の形状）を、（株）日立製作所製電子顕微鏡（Ｓ－４８００）を用いて観察したところ、本発明の下層膜を用いた実施例は、多層レジスト加工におけるエッチング後のＳｉＯ２膜の形状は矩形であり、欠陥も認められず良好であることが確認された。
　上述したとおり、本発明は、上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内において適宜変更を加えることが可能である。
　なお、本出願は、２０１１年８月１２日に日本国特許庁に出願された日本特許出願（特願２０１１－１７６９２３号）、２０１１年９月１５日に日本国特許庁に出願された日本特許出願（特願２０１１－２０１７５７号）、及び、２０１１年９月３０日に日本国特許庁に出願された日本特許出願（特願２０１１－２１８４４０号）に基づく優先権を主張しており、その内容はここに参照として取り込まれる。
　本発明のリソグラフィー用下層膜形成材料及び下層膜は、炭素濃度が比較的に高く、酸素濃度が比較的に低く、耐熱性が比較的に高く、溶媒溶解性も比較的に高く、湿式プロセスが適用可能であるので、これらの性能が要求される各種用途において、広く且つ有効に利用可能である。そのため、本発明は、例えば、電気用絶縁材料、レジスト用樹脂、半導体用封止樹脂、プリント配線板用接着剤、電気機器・電子機器・産業機器等に搭載される電気用積層板、電気機器・電子機器・産業機器等に搭載されるプリプレグのマトリックス樹脂、ビルドアップ積層板材料、繊維強化プラスチック用樹脂、液晶表示パネルの封止用樹脂、塗料、各種コーティング剤、接着剤、半導体用のコーティング剤、半導体用のレジスト用樹脂、下層膜形成用樹脂等において、広く且つ有効に利用可能であり、特にリソグラフィー用下層膜及び多層レジスト用下層膜の分野において、殊に有効に利用可能である。

Claims (9)

  1. 　下記一般式（１）で示される化合物を含有することを特徴とする、
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（１）中、Ｘは、各々独立して、酸素原子又は硫黄原子であり、Ｒ１は、各々独立して、単結合又は炭素数１～３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は、環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６～３０の芳香族基を有していてもよく、Ｒ２は、各々独立して、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基、炭素数２～１０のアルケニル基又は水酸基であり、但し、Ｒ２の少なくとも１つは水酸基であり、ｍは、各々独立して、１～６の整数であり、ｎは、１～４の整数である。）
    リソグラフィー用下層膜形成材料。
  2. 　前記一般式（１）で示される化合物が、下記一般式（１ａ）で示される化合物であることを特徴とする、
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式（１ａ）中、Ｘは、各々独立して、酸素原子又は硫黄原子であり、Ｒ１は、各々独立して、単結合又は炭素数１～３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６～３０の芳香族基を有していてもよく、Ｒ４は、各々独立して、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基、炭素数２～１０のアルケニル基又は水酸基であり、ｍ４は、各々独立して、０～５の整数である。）
    請求項１に記載のリソグラフィー用下層膜形成材料。
  3. 　下記一般式（２）で示される構造を有する樹脂を含有することを特徴とする、
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （式（２）中、Ｘは、各々独立して、酸素原子又は硫黄原子であり、Ｒ１は、各々独立して、単結合又は炭素数１～３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は、環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６～３０の芳香族基を有していてもよく、Ｒ２は、各々独立して、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基、炭素数２～１０のアルケニル基又は水酸基であり、但し、Ｒ２の少なくとも１つは水酸基であり、Ｒ３は、各々独立して、単結合又は炭素数１～２０の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基であり、ｍ２は、各々独立して、１～５の整数であり、ｎは、１～４の整数である。）
    リソグラフィー用下層膜形成材料。
  4. 　さらに、有機溶媒を含有することを特徴とする、
    請求項１～３のいずれか一項に記載のリソグラフィー用下層膜形成材料。
  5. 　さらに、酸発生剤を含有することを特徴とする、
    請求項１～４のいずれか一項に記載のリソグラフィー用下層膜形成材料。
  6. 　さらに、架橋剤を含有することを特徴とする、
    請求項１～５のいずれか一項に記載のリソグラフィー用下層膜形成材料。
  7. 　請求項１～６のいずれか一項に記載のリソグラフィー用下層膜形成材料から形成されることを特徴とする、
    リソグラフィー用下層膜。
  8. 　基板上に、請求項１～６のいずれか一項に記載の下層膜形成材料を用いて下層膜を形成し、該下層膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所要の領域に放射線を照射し、アルカリ現像を行うことを特徴とする、
    パターン形成方法。
  9. 　基板上に、請求項１～６のいずれか一項に記載の下層膜形成材料を用いて下層膜を形成し、該下層膜上に、珪素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いて中間層膜を形成し、該中間層膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所要の領域に放射線を照射し、アルカリ現像してレジストパターンを形成し、その後、該レジストパターンをマスクとして前記中間層膜をエッチングし、得られた中間層膜パターンをエッチングマスクとして前記下層膜をエッチングし、得られた下層膜パターンをエッチングマスクとして基板をエッチングすることで基板にパターンを形成することを特徴とする、
    パターン形成方法。
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