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WO2013077448A1 - 導電パターン形成方法及び光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物 - Google Patents

導電パターン形成方法及び光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物 Download PDF

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WO2013077448A1
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copper
conductive pattern
particles
forming
composition
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内田　博
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Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
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Publication date
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    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1283—After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods

Definitions

  • the present invention relates to a conductive pattern forming method and improvement of a composition for forming a conductive pattern by light irradiation or microwave heating.
  • a method of forming a wiring pattern by a lithography method using a combination of a copper foil and a photoresist is generally used, but this method has a long process number, drainage, The burden of waste liquid treatment is large, and environmental improvement is desired.
  • a method of patterning a metal thin film produced by a heat deposition method or a sputtering method by a photolithography method is also known.
  • the heating vapor deposition method and the sputtering method are indispensable for a vacuum environment, and the price is very expensive. When applied to a wiring pattern, it is difficult to reduce the manufacturing cost.
  • the heating process takes time, and if the plastic substrate cannot withstand the heating temperature required for baking the metal ink, the plastic substrate is used. There was a problem that the material had to be fired at a temperature that the material could withstand, and that it did not reach a satisfactory electrical conductivity.
  • Patent Documents 1 to 3 there has been an attempt to convert a metal wiring by light irradiation using a composition (ink) containing nanoparticles.
  • the method using light energy or microwave for heating may be able to heat only the ink part and is a very good method.
  • metal particles themselves the conductivity of the obtained conductive pattern is satisfactory.
  • copper oxide is used, there are problems that the porosity of the obtained conductive pattern is large or that copper oxide particles remain without being partially reduced.
  • a conductive pattern formed on a substrate has higher performance as the electrical conductivity is higher (volume resistivity is lower). Therefore, it is desirable to further improve the conductivity of the conductive pattern formed by the conventional technique.
  • An object of the present invention is to provide a conductive pattern forming method capable of improving the conductivity of a conductive pattern and a composition for forming a conductive pattern by light irradiation or microwave heating.
  • one embodiment of the present invention is a composition for forming a conductive pattern by light irradiation or microwave heating, and a copper particle in which a thin film of copper oxide is formed on all or part of the surface And copper oxide particles having a smaller diameter than the copper particles, a reducing agent, and a binder resin.
  • the number-based average particle diameter D50 of the copper particles is 100 nm to 10 ⁇ m, and the number-based average particle diameter D50 of the copper oxide particles is 5 nm to 1000 nm.
  • the copper oxide particles are any one of cuprous oxide particles, cupric oxide particles, or mixed particles thereof.
  • the reducing agent is a polyhydric alcohol, carboxylic acid or polyalkylene glycol.
  • the number-based average particle diameter D50 of the copper particles is preferably 500 nm to 3 ⁇ m.
  • the ratio of copper oxide in the copper particles is 20% by mass or less based on the total of metal copper and copper oxide.
  • One embodiment of the present invention is a method for forming a conductive pattern, comprising preparing any one of the above-mentioned conductive pattern forming compositions, and performing light irradiation or microwave heating on the conductive pattern forming composition.
  • the light applied to the conductive pattern forming composition is pulsed light having a wavelength of 200 to 3000 nm.
  • the microwave for heating the composition for forming a conductive pattern has a wavelength of 1 to 1 mm.
  • a conductive pattern forming method capable of improving the conductivity of a conductive pattern and a conductive pattern forming composition by light irradiation or microwave heating can be obtained.
  • the composition for forming a conductive pattern by light irradiation or microwave heating is a copper particle having a copper oxide thin film formed on the entire surface or a part of the surface; a copper oxide particle having a smaller diameter than the copper particle; It is characterized by containing a reducing agent and a binder resin.
  • the conductive pattern forming method is characterized in that the conductive pattern forming composition is prepared, and the conductive pattern forming composition is irradiated with light or subjected to microwave heating.
  • preparation means forming a composition layer of an arbitrary shape with the above composition for forming a conductive pattern on an appropriate substrate by, for example, screen printing, gravure printing, or using a printing apparatus such as an ink jet printer. More specifically, it means forming a printed pattern with the conductive pattern forming composition or forming the composition layer on the entire surface of the substrate (forming a solid pattern).
  • the conductive pattern means that the copper particles and copper oxide particles are sintered by forming a printed pattern of a composition in which copper particles and copper oxide particles are dispersed in a binder resin and irradiating with light.
  • the conductive film is a conductive metal thin film made of metal formed in a pattern (including a solid pattern).
  • the particle diameter of the copper particles is preferably 100 nm to 10 ⁇ m, preferably 200 nm to 5 ⁇ m, more preferably 500 nm to 3 ⁇ m.
  • the copper oxide thin film present on all or part of the surface of the copper particles may be cuprous oxide or cupric oxide.
  • the ratio of copper oxide analyzed by XRD is 20 mass% or less, preferably 5 mass% or less, more preferably 3 mass% or less. . When it exceeds 20 mass%, the decreasing rate of the volume resistivity of the conductive film formed will be low.
  • the ratio of the copper oxide is preferably 0.01% by mass or more.
  • copper oxide even a very small amount present on the surface is effective, and the above ratio is a preferable abundance.
  • generated by the surface oxidation received by the ink preparation and printing process under air can also be used. When the copper particles are exposed to the atmosphere, a thin film of copper oxide is formed on the surface.
  • the copper particles are smaller than 100 nm, the specific surface area is large and the copper particles are very susceptible to oxidation, so that it is difficult to use as copper metal particles.
  • the range of 100 nm to 500 nm it can be used as metallic copper, but since it is gradually oxidized by being left in the air, there is a problem that the change of ink with time is large and it cannot be put into practical use.
  • the particle size exceeds 10 ⁇ m, fine pattern printing is not possible, and if it exceeds 3 ⁇ m, it is very difficult to uniformly disperse copper oxide with a small particle size from each other. There is a problem that optimization of the ratio becomes necessary.
  • the particle diameter of the copper oxide particles is smaller than that of the copper particles.
  • the range of 5 nm to 1000 nm is preferable, and the range of 10 nm to 500 nm is more preferable.
  • the copper oxide particles may be either cuprous oxide particles or cupric oxide particles or a mixed particle thereof.
  • the particle diameter of the copper oxide particles exceeds 1000 nm, it is difficult to complete the reduction. Further, when the particle size is 5 nm or less, there is a problem that it is difficult to prepare.
  • the particle diameters of the copper particles and the copper oxide particles are based on the number basis measured by the laser diffraction / scattering method when the particle diameter is 500 nm or more, and by the dynamic scattering method when the particle diameter is less than 500 nm. It means the particle diameter of average particle diameter D50 (median diameter).
  • the light applied to the conductive pattern forming composition is preferably pulsed light having a wavelength of 200 nm to 3000 nm.
  • pulsed light is light in a short time with a light irradiation period (irradiation time) of several microseconds to several tens of milliseconds.
  • irradiation time a light irradiation period of several microseconds to several tens of milliseconds.
  • the pulsed light is emitted from a light source including a flash lamp such as a xenon flash lamp. Using such a light source, the layer of the conductive pattern forming composition is irradiated with pulsed light. When irradiation is repeated n times, one cycle (on + off) in FIG. 1 is repeated n times. In addition, when irradiating repeatedly, when performing the next pulse light irradiation, it is preferable to cool from the base-material side so that a base material can be cooled to room temperature vicinity.
  • a range of about 20 microseconds to about 10 milliseconds is preferable. If it is shorter than 20 microseconds, sintering does not proceed and the effect of improving the performance of the conductive film is reduced. On the other hand, if the time is longer than 10 milliseconds, the adverse effects due to light degradation and thermal degradation of the substrate become larger. Irradiation with pulsed light is effective even if performed in a single shot, but can also be performed repeatedly as described above. When it is repeated, the irradiation interval (off) is preferably in the range of 20 to 30 seconds, more preferably 2000 to 5 seconds.
  • the conductive pattern forming composition can be heated by microwaves.
  • the microwave used when the composition for forming a conductive pattern is heated by microwave is an electromagnetic wave having a wavelength range of 1 m to 1 mm (frequency is 300 MHz to 300 GHz).
  • the substrate is not particularly limited, and for example, a plastic substrate, a glass substrate, a ceramic substrate, or the like can be employed.
  • monohydric alcohol compounds such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, butanol, cyclohexanol and terpineol
  • polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol and glycerin, formic acid, acetic acid, succinic acid and succinic acid Carboxylic acid such as carboxylic acid, acetone, methyl ethyl ketone, benzaldehyde, carbonyl compound such as octyl aldehyde, ester compound such as ethyl acetate, butyl acetate, phenyl acetate, hydrocarbon compound such as hexane, octane, toluene, naphthalene, decalin, cyclohexane Can be used.
  • polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol and glycerin, and
  • a binder resin In order to print a conductive pattern forming composition containing metallic copper and copper oxide particles, a binder resin is required, but a binder resin that also serves as a reducing agent can be used.
  • Polymer compounds that can also be used as a reducing agent include poly-N-vinyl compounds such as polyvinyl pyrrolidone and polyvinyl caprolactone, polyalkylene glycol compounds such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polyTHF, polyurethanes, cellulose compounds, and derivatives thereof.
  • Thermoplastic resins and thermosetting resins such as epoxy compounds, polyester compounds, chlorinated polyolefins, and polyacryl compounds can be used.
  • polyvinyl pyrrolidone, a phenoxy type epoxy resin that is solid at room temperature, and a cellulose compound are preferable in consideration of the binder effect, and polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polyurethane compound are preferable in consideration of the reduction effect.
  • Polyethylene glycol and polypropylene glycol fall into the category of polyhydric alcohols and have characteristics that are particularly suitable as reducing agents.
  • the amount of binder resin used is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 3 to 20% by mass, based on the total amount of metal copper and copper oxide particles.
  • the solvent to be used varies depending on the desired printing method, a known organic solvent, water solvent or the like can be used.
  • the conductive pattern forming composition according to this embodiment may contain a known ink additive (such as an antifoaming agent, a surface conditioner, or a thixotropic agent).
  • a known ink additive such as an antifoaming agent, a surface conditioner, or a thixotropic agent.
  • a copper oxide layer is present on the surface of the copper particles.
  • a reducing agent such as light and irradiating with light
  • the copper oxide existing on the surface of the copper particles is heated and sintered while being reduced to produce a sintered body of copper.
  • the conductive pattern formed by this method cannot sufficiently reduce the volume resistivity. This is because the inside of the copper particles is metallic copper itself, so that the melting point is 1084.6 ° C., and the particles having a diameter of several hundred nm or more are not deformed during sintering by light irradiation, and the contact area between the particles This is because it cannot be increased.
  • the copper oxide is reduced by mixing the copper oxide particles with a reducing agent such as polyhydric alcohol and irradiating with light. Heat sintering to produce a sintered copper body.
  • a reducing agent such as polyhydric alcohol
  • Heat sintering to produce a sintered copper body.
  • a metal pattern in which the particles are continuously connected is provided by chemical reduction sintering.
  • a copper sintered body is produced by light irradiation or microwave heating to a conductive pattern forming composition in which copper oxide particles, a reducing agent, and a binder resin are mixed with copper particles.
  • a conductive pattern is formed.
  • the copper oxide particles are reduced to metal copper.
  • the copper oxide layer present on the surface of the copper particles is reduced to metallic copper.
  • the copper metal particles produced by reducing the copper oxide particles are sintered while filling the gaps between the copper particles having a larger particle size than the copper oxide particles.
  • the resistance value can be sufficiently lowered.
  • the ratio of copper oxide can be lowered by using copper particles and copper oxide particles in combination, the energy of the irradiated light can be lowered, and the energy cost can be reduced.
  • copper particles having a large particle size can be used as appropriate according to the line width of the printed pattern, which is advantageous in increasing the thickness of the conductive pattern.
  • the conductive pattern forming composition according to this embodiment may contain a known ink additive (such as an antifoaming agent, a surface conditioner, or a thixotropic agent) as necessary.
  • a known ink additive such as an antifoaming agent, a surface conditioner, or a thixotropic agent
  • the volume resistivity was measured with a Loresta GP manufactured by Mitsubishi Analytech Co., Ltd., and the SEM was photographed with a FE-SEM S-5200 manufactured by Hitachi High-Tech Co., Ltd. Diffraction) is measured by Ultimate IV, manufactured by Rigaku Corporation, and the particle diameter is measured by Nikkiso Co., Ltd., Microtrac particle size distribution analyzer, MT3000II series, USVR (laser diffraction / scattering method), or Nanotrack UPA-EX150 (dynamic light scattering method) ), The particle diameter was obtained by spherical approximation, and the median diameter was defined as D50.
  • dissolved and 40 mass% binder resin solution was prepared. 1.5 g of this solution and 0.5 g of the above mixed aqueous solution are mixed, and 5.4 g of copper powder 1020Y (spherical, D50 380 nm) manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.
  • NanoTek CuO manufactured by CI Chemical Co., Ltd. is added to NanoTek CuO manufactured by CI Chemical Co., Ltd. as copper oxide particles.
  • a paste for printing composition for forming a conductive pattern was prepared.
  • the obtained paste was printed on a polyimide film (thickness 25 ⁇ m) (Kapton 100N, manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) by screen printing.
  • the sample thus obtained was irradiated with pulsed light using a Sinteron 3300 manufactured by Xenone to convert the printed pattern into a conductive pattern. Irradiation conditions were as follows: a pulse width of 2000 microseconds, a voltage of 3000 V, and an irradiation distance of 20 cm. The pulse energy at that time was 2070J.
  • the thickness of the conductive pattern formed as described above was 25 ⁇ m. The series of operations described above was performed in the atmosphere.
  • a paste for printing was produced.
  • the obtained paste was pattern-printed in the same manner as in Example 1 and irradiated with light.
  • the thickness of the formed conductive pattern was 19 ⁇ m.
  • a paste for printing was produced.
  • the obtained paste was pattern-printed in the same manner as in Example 1 and irradiated with light.
  • the thickness of the formed conductive pattern was 20 ⁇ m.
  • a printing paste was prepared in the same manner as in Example 1.
  • the obtained paste was pattern-printed in the same manner as in Example 1 and irradiated with light.
  • the thickness of the formed conductive pattern was 26 ⁇ m.
  • a paste for printing was produced.
  • the obtained paste was pattern-printed in the same manner as in Example 1 and irradiated with light.
  • the thickness of the formed conductive pattern was 21 ⁇ m.
  • a paste for printing was produced.
  • the obtained paste was pattern-printed in the same manner as in Example 1 and irradiated with light.
  • the thickness of the formed conductive pattern was 23 ⁇ m.
  • the MIT test shown in Table 1 is a folding resistance test of a conductive pattern formed on a substrate (polyimide film).
  • the test condition is a bending clamp using a MIT folding resistance testing machine manufactured by Mizushiken Co., Ltd. The test was carried out at a tip of 0.38 mm, a gap of 0.25 mm, a load of 10 N, a bending angle of 135 degrees left and right, and a bending speed of 10 times per minute.
  • the test sample was printed on a polyimide substrate with a linear pattern of 100 mm ⁇ 0.2 mm, and the presence or absence of conduction before and after the MIT test was bent 100 times was confirmed for the wiring subjected to photo-sintering under the above conditions.
  • ⁇ Continuity maintained
  • ⁇ Indicates that continuity could not be confirmed due to disconnection after MIT test.
  • Example 1 As shown in Table 1, in each of the Examples, a volume resistivity smaller than those of Comparative Examples 1 to 3 was obtained. In Examples 6 and 7, the volume resistivity is higher than in the other examples because the particle size (D50) of the copper particles is larger than 3 ⁇ m. On the other hand, in Example 8, although 1030Y with D50 of 500 nm was used, good volume resistivity was obtained. Further, except for Comparative Example 4, conduction was maintained after the MIT test.
  • Comparative Example 4 a conductive pattern was formed using only copper oxide particles, and the volume resistivity (before the MIT test) was good. However, since the porosity of the conductive pattern is high, the mechanical strength is low and continuity cannot be confirmed after the MIT test.
  • Comparative Example 5 the same copper particles as in Example 1 were used and oxidized in air, but the volume resistivity was higher than in Example 1. This is because the ratio of copper oxide (cuprous oxide + cupric oxide) present on the surface of the copper particles exceeds 20%.
  • FIG. 2 shows a surface SEM photograph of the manufactured conductive pattern.
  • FIG. 2 when only copper oxide is used (displayed as CuO 100%), there are very many vacancies (SEM photograph at low magnification), and when only copper particles are used (displayed as Cu1020Y100%). It can be seen that the shape of the substantially spherical copper particles is as it is (SEM photograph at high magnification).
  • the copper powders 1020Y, 1100Y, and 1100YP all contain a small amount of copper oxide. This is because the particle surface is oxidized. As described above, when copper oxide is present on the surface of the copper powder, when the light irradiation or microwave heating is performed in the presence of the reducing agent, the copper oxide surface on the surface of the copper powder is reduced when the copper oxide particles are reduced to copper. In this process, the copper particles converted from the copper oxide particles are easily bonded to the copper powder.

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Abstract

【課題】導電パターンの導電率を向上させることができる導電パターン形成方法及び光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物を提供する。 【解決手段】表面の全部または一部に酸化銅の薄膜が形成された銅粒子と酸化銅粒子と多価アルコール、カルボン酸またはポリアルキレングリコールである還元剤とバインダー樹脂とを含む導電パターン形成用組成物を調製し、この導電パターン形成用組成物により、基板上に任意形状の印刷パターンを形成し、この印刷パターンに光照射またはマイクロ波加熱を行って銅の焼結体を生成し、導電パターンを形成する。

Description

導電パターン形成方法及び光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物
　本発明は、導電パターン形成方法及び光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物の改良に関する。
　微細な配線パターンを作製する技術として、従来銅箔とフォトレジストを組み合わせてリソグラフィー法で配線パターンを形成する方法が一般的に用いられているが、この方法は工程数も長い上に、排水、廃液処理の負担が大きく、環境的に改善が望まれている。また、加熱蒸着法やスパッタリング法で作製した金属薄膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングする手法も知られている。しかし、加熱蒸着法やスパッタリング法は真空環境が不可欠である上に、価格も非常に高価になり、配線パターンへ適用した場合には製造コストを低減させることが困難であった。
　そこで、金属インキ（酸化物を還元剤により還元して金属化するものも含む）を用いて印刷により配線を作製する技術が提案されている。印刷による配線技術は、低コストで多量の製品を高速に作製することが可能であるため、既に一部で実用的な電子デバイスの作製が検討されている。
　しかし、加熱炉を用いて金属インキを加熱焼成する方法では、加熱工程で時間がかかる上に、金属インキの焼成に必要な加熱温度にプラスチック基材が耐えることが出来ない場合には、プラスチック基材が耐える温度で焼成せざるを得ず、満足な導電率に到達しないと言う問題があった。
　そこで、特許文献１～３に記載のように、ナノ粒子を含む組成物（インキ）を用いて、光照射により金属配線に転化させようとの試みがあった。
　光エネルギーやマイクロ波を加熱に用いる方法は、インキ部分のみを加熱出来る可能性があり、非常に良い方法ではあるが、金属粒子そのものを用いた場合には、得られる導電パターンの導電率が満足に向上しないという問題や、酸化銅を用いた場合には、得られる導電パターンの空隙率が大きかったり一部還元されないまま、酸化銅粒子が残るという問題があった。
　また、これらの焼結には少なくとも直径が１μｍ以下の金属または金属酸化物粒子を用いる必要があり、これらのナノ粒子の調製には非常にコストがかかるという問題があった。
特表２００８－５２２３６９号公報 ＷＯ２０１０／１１０９６９号公報 特表２０１０－５２８４２８号公報
　一般に、基板上に形成された導電パターンは、導電率が高い（体積抵抗率が低い）ほど性能が高いといえる。そのため、上記従来の技術により形成された導電パターンも、さらに導電率を向上させることが望ましい。
　本発明の目的は、導電パターンの導電率を向上させることができる導電パターン形成方法及び光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物を提供することにある。
　上記目的を達成するために、本発明の一実施形態は、光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物であって、表面の全部または一部に酸化銅の薄膜が形成された銅粒子と、前記銅粒子より小径の酸化銅粒子と、還元剤と、バインダー樹脂と、を含むことを特徴とする。
　また、上記銅粒子の個数基準の平均粒径Ｄ５０が１００ｎｍ～１０μｍであり、前記酸化銅粒子の個数基準の平均粒径Ｄ５０が５ｎｍ～１０００ｎｍであることを特徴とする。
　また、上記銅粒子と前記酸化銅粒子との質量割合が、銅粒子：酸化銅粒子＝９８：２～５０：５０であることを特徴とする。
　また、上記酸化銅粒子が、酸化第一銅粒子または酸化第二銅粒子のいずれかまたはこれらの混合粒子であることを特徴とする。
　また、上記還元剤が、多価アルコール、カルボン酸またはポリアルキレングリコールであることを特徴とする。
　また、上記銅粒子の個数基準の平均粒径Ｄ５０は、５００ｎｍ～３μｍであるのが好適である。
　また、上記銅粒子における酸化銅の割合が、金属銅と酸化銅との合計に対して２０質量％以下であることを特徴とする。
　また、本発明の一実施形態は、導電パターン形成方法であって、上記いずれかの導電パターン形成用組成物を準備し、前記導電パターン形成用組成物に光照射またはマイクロ波加熱を行うことを特徴とする。
　また、上記導電パターン形成用組成物に照射する光は、２００～３０００ｎｍの波長のパルス光であることを特徴とする。
　また、上記導電パターン形成用組成物を加熱するマイクロ波は、１ｍ～１ｍｍの波長であることを特徴とする。
　本発明によれば、導電パターンの導電率を向上させることができる導電パターン形成方法及び光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物を得ることができる。
パルス光の定義を説明するための図である。 実施例で製造した導電パターンの表面ＳＥＭ写真を示す図である。
　以下、本発明を実施するための形態（以下、実施形態という）について説明する。
　本実施形態にかかる光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物は、表面の全部または一部に酸化銅の薄膜が形成された銅粒子と、上記銅粒子より小径の酸化銅粒子と、還元剤と、バインダー樹脂と、を含むことが特徴となっている。
　また、本実施形態にかかる導電パターン形成方法では、上記導電パターン形成用組成物を準備し、上記導電パターン形成用組成物に光照射またはマイクロ波加熱を行うことが特徴となっている。ここで、準備とは、例えばスクリーン印刷、グラビア印刷等により、あるいはインクジェットプリンタ等の印刷装置を使用し、適宜な基板上に上記導電パターン形成用組成物で任意形状の組成物層を形成することをいい、より具体的には、上記導電パターン形成用組成物で印刷パターンを形成すること、あるいは基板の全面に上記組成物層を形成する（ベタパターンを形成する）こと等をいう。なお、本明細書中において、導電パターンとは、バインダー樹脂中に銅粒子および酸化銅粒子が分散された組成物を印刷パターンに形成し光照射することにより、銅粒子および酸化銅粒子が焼結された結果、パターン状（ベタパターンを含む）に形成された金属からなる導電性の金属薄膜である導電膜をいう。
　上記銅粒子の粒径は、１００ｎｍ～１０μｍが好適であり、好ましくは２００ｎｍ～５μｍの範囲であり、より好ましくは５００ｎｍ～３μｍである。なお、銅粒子の表面の全部または一部に存在している酸化銅の薄膜は、酸化第一銅または酸化第二銅のいずれであってもよい。酸化銅の割合としては、ＸＲＤで分析したこれら酸化銅の比率（酸化銅／（金属銅＋酸化銅））が２０質量％以下、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下である。２０質量％を超えると形成される導電膜の体積抵抗率の低下割合が低くなる。ただし、光照射またはマイクロ波加熱による銅粒子と酸化銅粒子との反応性を確保するためには、上記酸化銅の割合は、０．０１質量％以上であるのが好適である。酸化銅については表面に存在する極僅かな量でも効果があり、上記割合が好ましい存在量である。また、最初ＸＲＤでほとんど検出されないような量であっても、空気下でのインキ調製、印刷工程で受ける表面酸化により生成する酸化銅を用いることも出来る。銅粒子は大気に曝されれば表面に酸化銅の薄膜が形成される。
　銅粒子が１００ｎｍより小さい場合には、比表面積が大きくなり非常に酸化を受け易くなるために金属銅粒子として使用することが難しい。１００ｎｍから５００ｎｍの範囲では、金属銅として使用出来るが、空気下で放置することにより徐徐に酸化を受けるために、インクの経時変化が大きく、実用に耐えないという問題がある。また、粒径が１０μｍを超える場合には、ファインパターン印刷が出来ないし、３μｍを超えた場合には、粒径の小さな酸化銅とお互いに均一に分散させることが非常に難しく、分散剤、配合比の最適化が必要になってくるという問題がある。
　また、上記酸化銅粒子の粒径は上記銅粒子の粒径より小さいものを用いる。５ｎｍ～１０００ｎｍが好適であり、さらに好ましくは１０ｎｍ～５００ｎｍの範囲がよい。なお、酸化銅粒子は、酸化第一銅粒子または酸化第二銅粒子のいずれかまたはこれらの混合粒子であってよい。
　酸化銅粒子の粒径が１０００ｎｍを超えると還元を完結することが難しくなる。また、粒径が５ｎｍ以下の場合には、調製するのが難しいという問題がある。
　なお、上記銅粒子および酸化銅粒子の粒径とは、５００ｎｍ以上の粒子径の場合には、レーザー回折・散乱法で、５００ｎｍ未満の場合には動的散乱法で各々測定した、個数基準の平均粒径Ｄ５０（メジアン径）の粒子径を意味する。
　また、上記導電パターン形成用組成物中の銅粒子と酸化銅粒子との混合比（質量比）は、銅粒子：酸化銅粒子＝９８：２～５０：５０が好適であり、さらに好ましくは９５：５～７０：３０の範囲である。
　導電パターン形成用組成物に照射する光としては、波長２００ｎｍ～３０００ｎｍのパルス光がよい。本明細書中において「パルス光」とは、光照射期間（照射時間）が数マイクロ秒から数十ミリ秒の短時間の光であり、光照射を複数回繰り返す場合は図１に示すように、第一の光照射期間（ｏｎ）と第二の光照射期間（ｏｎ）との間に光が照射されない期間（照射間隔（ｏｆｆ））を有する光照射を意味する。図１ではパルス光の光強度が一定であるように示しているが、１回の光照射期間（ｏｎ）内で光強度が変化してもよい。上記パルス光は、キセノンフラッシュランプ等のフラッシュランプを備える光源から照射される。このような光源を使用して、上記導電パターン形成用組成物の層にパルス光を照射する。ｎ回繰り返し照射する場合は、図１における１サイクル（ｏｎ＋ｏｆｆ）をｎ回反復する。なお、繰り返し照射する場合には、次パルス光照射を行う際に、基材を室温付近まで冷却できるようにするため基材側から冷却することが好ましい。
　パルス光の１回の照射時間（ｏｎ）としては、約２０マイクロ秒から約１０ミリ秒の範囲が好ましい。２０マイクロ秒よりも短いと焼結が進まず、導電膜の性能向上の効果が低くなる。また、１０ミリ秒よりも長いと基板の光劣化、熱劣化による悪影響のほうが大きくなる。パルス光の照射は単発で実施しても効果はあるが、上記の通り繰り返し実施することもできる。繰返し実施する場合、照射間隔（ｏｆｆ）は２０マイクロ秒から３０秒、より好ましくは２０００マイクロ秒から５秒の範囲とすることが好ましい。２０マイクロ秒よりも短いと、連続光に近くなってしまい一回の照射後に放冷される間も無く照射されるので、基材が加熱され温度が高くなって劣化する可能性がある。また、３０秒より長いと、放冷が進むのでまったく効果が無いわけはないが、繰り返し実施する効果が低減する。
　また、導電パターン形成用組成物をマイクロ波により加熱することもできる。導電パターン形成用組成物をマイクロ波加熱する場合に使用するマイクロ波は、波長範囲が１ｍ～１ｍｍ（周波数が３００ＭＨｚ～３００ＧＨｚ）の電磁波である。
　なお、上記基板としては、特に限定されず、例えばプラスチック基板、ガラス基板、セラミックス基板等を採用することができる。
　また、還元剤としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、シクロヘキサノール、テルピネオールのような一価アルコール化合物、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコール、蟻酸、酢酸、蓚酸、コハク酸のようなカルボン酸、アセトン、メチルエチルケトン、ベンズアルデヒド、オクチルアルデヒドのようなカルボニル化合物、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸フェニルのようなエステル化合物、ヘキサン、オクタン、トルエン、ナフタリン、デカリン、シクロヘキサンのような炭化水素化合物を使用することが出来る。この中で、還元剤の効率を考えると、エチレングリコール、プロピレングリコールやグリセリン等の多価アルコール、蟻酸、酢酸、蓚酸のようなカルボン酸が好適である。
　金属銅と酸化銅粒子とを含む導電パターン形成用組成物を印刷するためには、バインダー樹脂が必要となるが、還元剤もかねたバインダー樹脂を使用することも出来る。還元剤にも兼用できる高分子化合物としては、ポリビニルピロリドン、ポリビニルカプロラクトンのようなポリ－Ｎ－ビニル化合物、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリＴＨＦのようなポリアルキレングリコール化合物、ポリウレタン、セルロース化合物およびその誘導体、エポキシ化合物、ポリエステル化合物、塩素化ポリオレフィン、ポリアクリル化合物のような熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂が使用できる。この中でもバインダー効果を考えるとポリビニルピロリドン、常温で固形状のフェノキシタイプのエポキシ樹脂、セルロース化合物が、還元効果を考えるとポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリウレタン化合物が好ましい。なお、ポリエチレングリール、ポリプロピレングリコールは多価アルコールの分類に入り、特に還元剤として好適な特性を有する。
　バインダー樹脂の存在は必須であるが、あまり多く用いると導電性が発現しにくくなるという問題があり、またあまりに少なすぎると粒子同士を繋ぎ止める能力が低くなってしまう。そのため、バインダー樹脂の使用量は金属銅および酸化銅粒子の合計量に対して、１～５０質量％、より好ましくは３～２０質量％であることが好ましい。
　使用する溶媒としては所望する印刷方法によっても違うが、公知の有機溶媒、水溶媒等を使用することが出来る。
　なお、本実施形態にかかる導電パターン形成用組成物には、公知のインキの添加剤（消泡剤や、表面調整剤、チクソ剤等）を存在させても良い。
　本発明と異なり、銅粒子（金属銅の粒子）のみを使用して光照射により導電パターンを形成する場合には、銅粒子の表面に酸化銅の層が存在するので、銅粒子に多価アルコール等の還元剤を混合して光照射をすることにより、銅粒子の表面に存在する酸化銅を還元しつつ加熱焼結して、銅の焼結体を生成する。しかし、この方法で形成した導電パターンは、十分に体積抵抗率を下げることができない。これは、銅粒子の内部は金属銅そのものであるので、融点が１０８４．６℃であり、直径が数百ｎｍ以上の粒子では光照射による焼結時に形状が変形せず、粒子同士の接触面積を大きくできないからである。
　また、酸化銅粒子のみを使用して光照射により導電パターンを形成する場合には、酸化銅粒子に多価アルコール等の還元剤を混合して光照射をすることにより、酸化銅を還元しつつ加熱焼結して、銅の焼結体を生成する。特に粒径の小さい酸化銅粒子を用いた場合には、化学還元焼結により、粒子が連続的に連結された金属パターンを与える。しかし、酸化銅粒子の中心部まですべて還元するためには、照射する光のエネルギーを大きくし、かつ小さい粒子径の酸化銅粒子を使用する必要がある。このため、光照射中に酸化銅粒子が一部吹き飛んでしまい、導電パターンの厚さを厚くすることが困難であるという問題がある。また、焼結時に酸素が抜けること、及び酸化銅と金属銅とに比重差（酸化銅がｄ＝６．３１、金属銅がｄ＝８．９４）があるので、焼結処理中の体積収縮が大きく、焼結体自体は連続しているものの、その内部に空孔が生じやすいという問題もある。空孔の存在は単に体積抵抗率が大きくなるということ以外に、強度を低下させるので好ましくない。また、照射する光のエネルギーが大きいので、エネルギーコストが高くなる。
　以上に対して、本実施形態では、銅粒子に酸化銅粒子と還元剤とバインダー樹脂とを混合した導電パターン形成用組成物に光照射またはマイクロ波加熱を行うことにより銅の焼結体を生成し、導電パターンを形成する点に特徴がある。この場合、還元剤の存在下に光照射またはマイクロ波加熱すると、酸化銅粒子が還元されて金属銅となる。また、銅粒子の表面に存在する酸化銅の層も同様に金属銅に還元される。この過程で、酸化銅粒子が還元されて生じた金属銅の粒子が、酸化銅粒子に較べて大粒径の銅粒子間の間隙をうめつつ焼結される。このように、銅粒子の周囲に酸化銅粒子が還元されて生じた金属銅が焼結しているので、抵抗値を十分下げることができる。
　また、銅粒子と酸化銅粒子とを併用することにより、酸化銅の割合を低くすることができるので、照射する光のエネルギーを低くすることができ、エネルギーコストを低減できる。また、照射する光のエネルギーが低いこととあわせて、比重の大きい銅粒子（ｄ＝８．９４）が存在することにより、比重の小さい酸化銅粒子（ｄ＝６．３１）が光照射中に吹き飛ぶことを抑制できる。このため、導電膜の厚さを厚くすることができる。また、銅粒子の内部は還元する必要がないため、印刷パターンの線幅に応じて適宜大粒径の銅粒子を使用できるので、導電パターンの厚さを厚くする点で有利である。
　なお、本実施形態にかかる導電パターン形成用組成物には、公知のインキの添加剤（消泡剤や、表面調整剤、チクソ剤等）を必要に応じて存在させても良い。
　以下、本発明の実施例を具体的に説明する。なお、以下の実施例は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。
　また、以下の実施例及び比較例において、体積抵抗率は、株式会社三菱アナリテック製ロレスタＧＰにより測定し、ＳＥＭは、日立ハイテク株式会社製　ＦＥ－ＳＥＭ　Ｓ－５２００により撮影し、ＸＲＤ（Ｘ線回折）は、株式会社リガク製　ＵｌｔｉｍａIVにより測定し、粒子径は、日機装株式会社製　マイクロトラック粒度分布測定装置　ＭＴ３０００ＩＩシリーズ　ＵＳＶＲ（レーザー回折・散乱法）、またはナノトラックＵＰＡ－ＥＸ１５０（動的光散乱法）により測定し、球近似により粒径を求めメジアン径をＤ５０とした。
実施例１
　還元剤としてエチレングリコール、グリセリン（関東化学株式会社製の試薬）の混合水溶液（質量比エチレングリコール：グリセリン：水＝７０：１５：１５）に、バインダー樹脂としてポリビニルピロリドン（日本触媒株式会社製）を溶解して、４０質量％のバインダー樹脂溶液を調製した。この溶液１．５ｇと上記混合水溶液０．５ｇとを混合し、三井金属鉱業株式会社製銅粉１０２０Ｙ（球形、Ｄ５０＝３８０ｎｍ）５．４ｇに、酸化銅粒子としてシーアイ化成株式会社製ＮａｎｏＴｅｋ　ＣｕＯ（球形、Ｄ５０＝２７０ｎｍ）０．６ｇとを混合し（銅粒子：酸化銅粒子＝９０：１０）、自転・公転真空ミキサー　あわとり練太郎　ＡＲＶ－３１０（株式会社シンキー製）を用いて良く混合し、印刷用のペースト（導電パターン形成用組成物）を作製した。
　得られたペーストをスクリーン印刷にて、２ｃｍ×２ｃｍ角のパターンをポリイミドフィルム（厚み２５μｍ）（カプトン１００Ｎ、東レ・デュポン株式会社製）上に印刷した。このようにして得られたサンプルについて、Ｘｅｎｏｎｅ社製Ｓｉｎｔｅｒｏｎ３３００を用いてパルス光照射を行って上記印刷パターンを導電パターンに転化した。照射条件は、パルス幅２０００マイクロ秒、電圧３０００Ｖ、照射距離２０ｃｍから単発照射した。その際のパルスエネルギーは２０７０Ｊであった。以上により形成した導電パターンの厚さは２５μｍであった。なお、上記一連の作業は大気下で実施した。
実施例２
　三井金属鉱業株式会社製銅粉１０５０Ｙ（球形、Ｄ５０＝７１６ｎｍ）５．４ｇと酸化銅粒子としてシーアイ化成株式会社製ＮａｎｏＴｅｋ　ＣｕＯ（球形、Ｄ５０＝２７０ｎｍ）０．６ｇとを使用し、実施例１と同様にして印刷用のペーストを作製した。得られたペーストを実施例１と同様にしてパターン印刷し、光照射を行った。形成した導電パターンの厚さは１７μｍであった。
実施例３
　三井金属鉱業株式会社製銅粉１０５０ＹＰ（扁平形状、Ｄ５０＝１０８０ｎｍ）５．４ｇと酸化銅粒子としてシーアイ化成株式会社製ＮａｎｏＴｅｋ　ＣｕＯ（球形、Ｄ５０＝２７０ｎｍ）０．６ｇとを使用し、実施例１と同様にして印刷用のペーストを作製した。得られたペーストを実施例１と同様にしてパターン印刷し、光照射を行った。形成した導電パターンの厚さは１９μｍであった。
実施例４
　三井金属鉱業株式会社製銅粉１１００Ｙ（球形、Ｄ５０＝１１１０ｎｍ）５．４ｇと酸化銅粒子としてシーアイ化成株式会社製ＮａｎｏＴｅｋ　ＣｕＯ（球形、Ｄ５０＝２７０ｎｍ）０．６ｇとを使用し、実施例１と同様にして印刷用のペーストを作製した。得られたペーストを実施例１と同様にしてパターン印刷し、光照射を行った。形成した導電パターンの厚さは２４μｍであった。
実施例５
　三井金属鉱業株式会社製銅粉１１００ＹＰ（扁平形状、Ｄ５０＝１２００ｎｍ）５．４ｇと酸化銅粒子としてシーアイ化成株式会社製ＮａｎｏＴｅｋ　ＣｕＯ（球形、Ｄ５０＝２７０ｎｍ）０．６ｇとを使用し、実施例１と同様にして印刷用のペーストを作製した。得られたペーストを実施例１と同様にしてパターン印刷し、光照射を行った。形成した導電パターンの厚さは２０μｍであった。
実施例６
　三井金属鉱業株式会社製銅粉１４００Ｙ（球形、Ｄ５０＝５７００ｎｍ）５．４ｇと酸化銅粒子としてシーアイ化成株式会社製ＮａｎｏＴｅｋ　ＣｕＯ（球形、Ｄ５０＝２７０ｎｍ）０．６ｇとを使用し、実施例１と同様にして印刷用のペーストを作製した。得られたペーストを実施例１と同様にしてパターン印刷し、光照射を行った。形成した導電パターンの厚さは２２μｍであった。
実施例７
　三井金属鉱業株式会社製銅粉ＭＡ－Ｃ０４Ｊ（アトマイズ粉、Ｄ５０＝４６４０ｎｍ）５．４ｇと酸化銅粒子としてシーアイ化成株式会社製ＮａｎｏＴｅｋ　ＣｕＯ（球形、Ｄ５０＝２７０ｎｍ）０．６ｇとを使用し、実施例１と同様にして印刷用のペーストを作製した。得られたペーストを実施例１と同様にしてパターン印刷し、光照射を行った。形成した導電パターンの厚さは２６μｍであった。
実施例８
　三井金属鉱業株式会社製銅粉１０３０Ｙ（球形、Ｄ５０＝５００ｎｍ）５．４ｇと酸化銅粒子としてシーアイ化成株式会社製ＮａｎｏＴｅｋ　ＣｕＯ（球形、Ｄ５０＝２７０ｎｍ）０．６ｇとを使用し、実施例１と同様にして印刷用のペーストを作製した。得られたペーストを実施例１と同様にしてパターン印刷し、光照射を行った。形成した導電パターンの厚さは２１μｍであった。
比較例１
　三井金属鉱業株式会社製銅粉１０２０Ｙ（球形、Ｄ５０＝３８０ｎｍ）５．４ｇと酸化銅粒子として古河ケミカルズ株式会社製ＦＣＯ－５００（球形、Ｄ５０＝３８５０ｎｍ）０．６ｇとを使用し、実施例１と同様にして印刷用のペーストを作製した。得られたペーストを実施例１と同様にしてパターン印刷し、光照射を行った。形成した導電パターンの厚さは２１μｍであった。
比較例２
　三井金属鉱業株式会社製銅粉１０２０Ｙ（球形、Ｄ５０＝３８０ｎｍ）５．４ｇと酸化銅粒子として古河ケミカルズ株式会社製１－５５０（球形、Ｄ５０＝７２０ｎｍ）０．６ｇとを使用し、実施例１と同様にして印刷用のペーストを作製した。得られたペーストを実施例１と同様にしてパターン印刷し、光照射を行った。形成した導電パターンの厚さは２３μｍであった。
比較例３
　三井金属鉱業株式会社製銅粉１０２０Ｙ（球形、Ｄ５０＝３８０ｎｍ）６．０ｇを使用し（酸化銅は使用せず）、実施例１と同様にして印刷用のペーストを作製した。得られたペーストを実施例１と同様にしてパターン印刷し、光照射を行った。形成した導電パターンの厚さは２２μｍであった。
比較例４
　酸化銅粒子としてシーアイ化成株式会社製ＮａｎｏＴｅｋ　ＣｕＯ（球形、Ｄ５０＝２７０ｎｍ）６．０ｇとを使用し（銅粉は使用せず）、実施例１と同様にして印刷用のペーストを作製した。得られたペーストを実施例１と同様にしてパターン印刷し、光照射を行った。形成した導電パターンの厚さは３２μｍであった。
比較例５
　銅粒子として三井金属鉱業株式会社製銅粉１０２０Ｙ（球形、Ｄ５０＝３８０ｎｍ）を空気中で酸化し、ＸＲＤによる分析で酸化第一銅が１８．７質量％、酸化第二銅が８．４質量％、金属銅が７２．９質量％になったもの５．４ｇと酸化銅粒子として古河ケミカルズ株式会社製ＦＣＯ－５００（球形、Ｄ５０＝３８５０ｎｍ）０．６ｇとを使用し、実施例１と同様にして印刷用のペーストを作製した。得られたペーストを実施例１と同様にしてパターン印刷し、光照射を行った。形成した導電パターンの厚さは２３μｍであった。
　以上の工程により製造した導電パターンについて、株式会社三菱アナリテック製　ロレスタＧＰ体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を使用して体積抵抗率を測定した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　なお、表１に示されるＭＩＴ試験は、基板（ポリイミドフィルム）上に形成した導電パターンの耐折性試験であり、株式会社マイズ試験機製ＭＩＴ耐折試験機を使用し、試験条件を、折り曲げクランプ先端０．３８ｍｍ、間隙０．２５ｍｍ、荷重１０Ｎ、屈曲角度左右１３５度、屈曲速度毎分１０回として行った。試験サンプルは、ポリイミド基材に１００ｍｍ×０．２ｍｍの直線のパターン印刷をし、上記条件での光焼結を行った配線について、ＭＩＴ試験１００回屈曲前後の導通の有無を確認した。
○：導通が維持された
×：ＭＩＴ試験後に断線により導通が確認できなかった
ことを示している。
　表１に示されるように、いずれの実施例も、比較例１～３よりも小さい体積抵抗率が得られた。なお、実施例６、７では、他の実施例よりも体積抵抗率が高くなっているが、これは、銅粒子の粒径（Ｄ５０）が３μｍを超えて大きくなっているからである。一方、実施例８では、Ｄ５０が５００ｎｍの１０３０Ｙを使用したが、良好な体積抵抗率が得られた。また、比較例４を除いてＭＩＴ試験後に導通が維持された。
　一方、比較例４は、酸化銅粒子のみを使用して導電パターンを形成したものであり、体積抵抗率（ＭＩＴ試験前）は良好であった。しかし、導電パターンの空隙率が高いので、機械的強度が低く、ＭＩＴ試験後導通が確認できなくなった。
　また、比較例５は、実施例１と同じ銅粒子を使用し、これを空気中で酸化させているが、実施例１よりも体積抵抗率が上昇している。これは、銅粒子の表面に存在する酸化銅（酸化第一銅＋酸化第二銅）の割合が、２０％を超えているからである。
　図２には、製造した導電パターンの表面ＳＥＭ写真が示される。図２において、酸化銅のみを用いた場合（ＣｕＯ１００％と表示）には、空孔が非常に多く（低倍率でのＳＥＭ写真）、銅粒子のみを用いた場合（Ｃｕ１０２０Ｙ１００％と表示）には、略球形の銅粒子の形状がそのままの状態（高倍率でのＳＥＭ写真）であることがわかる。
　一方、銅粒子と酸化銅粒子とを使用した場合（Ｃｕ１０２０Ｙ＋ＣｕＯ１０％と表示）では、空孔が減少している。これは、銅粒子の間を酸化銅粒子が光照射により転化した銅粒子で埋めたからである。
　なお、ＸＲＤ測定により、上記実施例及び比較例で使用した銅粒子及び酸化銅粒子の銅と酸化銅の組成を分析した。結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示されるように、銅粉１０２０Ｙ、１１００Ｙ、１１００ＹＰともに、少量の酸化銅を含んでいる。これは、粒子表面が酸化されているためである。このように、銅粉表面に酸化銅が存在することにより、還元剤の存在下で光照射またはマイクロ波加熱を行うと、酸化銅粒子が銅に還元される際に、銅粉表面の酸化銅も還元され、この過程で酸化銅粒子から転化した銅粒子が銅粉と接着しやすくなる。

Claims (10)

  1. 　光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物であって、
    　表面の全部または一部に酸化銅の薄膜が形成された銅粒子と、
    　前記銅粒子より小径の酸化銅粒子と、
    　還元剤と、
    　バインダー樹脂と、
    を含むことを特徴とする導電パターン形成用組成物。
  2. 　前記銅粒子の個数基準の平均粒径Ｄ５０が１００ｎｍ～１０μｍであり、前記酸化銅粒子の個数基準の平均粒径Ｄ５０が５ｎｍ～１０００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の導電パターン形成用組成物。
  3. 　前記銅粒子と前記酸化銅粒子との質量割合が、銅粒子：酸化銅粒子＝９８：２～５０：５０であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の導電パターン形成用組成物。
  4. 　前記酸化銅粒子が、酸化第一銅粒子または酸化第二銅粒子のいずれかまたはこれらの混合粒子であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の導電パターン形成用組成物。
  5. 　前記還元剤が、多価アルコール、カルボン酸またはポリアルキレングリコールであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の導電パターン形成用組成物。
  6. 　前記銅粒子の個数基準の平均粒径Ｄ５０が、５００ｎｍ～３μｍであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の導電パターン形成用組成物。
  7. 　前記銅粒子における酸化銅の割合が、金属銅と酸化銅との合計に対して２０質量％以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の導電パターン形成用組成物。
  8. 　請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の導電パターン形成用組成物を準備し、
    　前記導電パターン形成用組成物に光照射またはマイクロ波加熱を行う、
    ことを特徴とする導電パターン形成方法。
  9. 　前記導電パターン形成用組成物に照射する光は、２００～３０００ｎｍの波長のパルス光であることを特徴とする請求項８に記載の導電パターン形成方法。
  10. 　前記導電パターン形成用組成物を加熱するマイクロ波は、１ｍ～１ｍｍの波長であることを特徴とする請求項８に記載の導電パターン形成方法。
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WO (1) WO2013077448A1 (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014041956A1 (ja) * 2012-09-14 2014-03-20 富士フイルム株式会社 導電層の製造方法、プリント配線基板
WO2014050466A1 (ja) * 2012-09-26 2014-04-03 富士フイルム株式会社 導電膜の製造方法および導電膜形成用組成物
WO2014185102A1 (ja) * 2013-05-15 2014-11-20 石原ケミカル株式会社 銅微粒子分散液、導電膜形成方法及び回路基板
WO2015029715A1 (ja) * 2013-08-29 2015-03-05 富士フイルム株式会社 導電膜の製造方法および導電膜
WO2015033823A1 (ja) * 2013-09-03 2015-03-12 富士フイルム株式会社 導電膜の製造方法
US20150118413A1 (en) * 2012-07-03 2015-04-30 Ishihara Chemical Co., Ltd. Conductive film forming method and sintering promoter
JP2015142091A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタの製造方法およびその製造方法により製造された有機薄膜トランジスタ
JP2015140418A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 富士フイルム株式会社 インクジェット用導電インク組成物
JP2016009829A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 昭和電工株式会社 導電パターン形成用組成物および導電パターン形成方法
US20160155814A1 (en) * 2013-07-23 2016-06-02 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Copper and/or copper oxide dispersion, and electroconductive film formed using dispersion
JP2016527665A (ja) * 2013-06-13 2016-09-08 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結
JP2017513040A (ja) * 2014-04-10 2017-05-25 オーボテック リミテッド パルスモードのレーザ直接描画によるメタライゼーション
JP2018525789A (ja) * 2015-08-13 2018-09-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結
US10091875B2 (en) * 2014-04-01 2018-10-02 Korea Electronics Technology Institute Ink composition for light sintering, wiring board using same and manufacturing method therefor
JP2018529001A (ja) * 2015-08-13 2018-10-04 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ はんだ付け可能ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結
JP2018529802A (ja) * 2015-08-12 2018-10-11 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するためのペースト及びプロセス
US10537027B2 (en) 2013-08-02 2020-01-14 Orbotech Ltd. Method producing a conductive path on a substrate
JP2020013735A (ja) * 2018-07-19 2020-01-23 日立化成株式会社 導体形成用組成物、及び、導体層を有する物品の製造方法
WO2025100354A1 (ja) * 2023-11-07 2025-05-15 日本化学工業株式会社 導電膜及びその形成方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI401205B (zh) * 2008-01-31 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 利用光熱效應製作應用基板的方法
KR101570398B1 (ko) * 2012-04-26 2015-11-19 오사카 유니버시티 투명 도전성 잉크 및 투명 도전 패턴형성방법
US10622244B2 (en) 2013-02-18 2020-04-14 Orbotech Ltd. Pulsed-mode direct-write laser metallization
KR101935272B1 (ko) * 2013-10-31 2019-01-04 쇼와 덴코 가부시키가이샤 박막 인쇄용 도전성 조성물 및 박막 도전 패턴 형성 방법
KR102084575B1 (ko) * 2014-12-23 2020-03-05 전자부품연구원 광 소결용 잉크 조성물 및 그를 이용한 배선기판의 제조 방법
KR101698159B1 (ko) 2014-08-04 2017-01-19 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
US11328835B2 (en) 2017-03-16 2022-05-10 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Dispersing element, method for manufacturing structure with conductive pattern using the same, and structure with conductive pattern
KR102225197B1 (ko) 2017-03-16 2021-03-09 아사히 가세이 가부시키가이샤 분산체, 그리고 이것을 이용한 도전성 패턴 구비 구조체의 제조 방법 및 도전성 패턴 구비 구조체
KR102481993B1 (ko) * 2017-04-07 2022-12-29 아주대학교산학협력단 도전입자의 미세 패터닝 방법
JP6532497B2 (ja) * 2017-04-21 2019-06-19 Ｊｘ金属株式会社 銅粉末及びその製造方法並びに立体造形物の製造方法
WO2019017363A1 (ja) 2017-07-18 2019-01-24 旭化成株式会社 導電性パターン領域を有する構造体及びその製造方法、積層体及びその製造方法、並びに、銅配線
CN110933948B (zh) * 2017-07-27 2022-07-19 旭化成株式会社 氧化铜油墨和其在制品中的应用及各制品的制造方法
FR3074163B1 (fr) * 2017-11-30 2019-10-25 Mcve Technologie Compose precurseur de pistes de circuits imprime, procede de fabrication de pistes de circuits imprime a partir de ce compose et support comportant de telles pistes de circuits imprime.
KR102213925B1 (ko) 2019-10-31 2021-02-08 (주)쎄미시스코 실리카 입자를 포함하는 광소결용 잉크 조성물
CN114716158A (zh) * 2022-02-22 2022-07-08 上海沚明电子材料有限公司 导电玻璃基板及其制备方法、玻璃显示装置
CN116013580B (zh) * 2023-01-05 2023-11-28 哈尔滨理工大学 一种用于功率半导体封装的自还原型铜烧结浆料及其制备方法和应用

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004319781A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Shin Etsu Polymer Co Ltd フレキシブルプリント基板およびその製造方法
JP2006173408A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 回路付基板の製造方法および該方法で得られた回路付基板
JP2008522369A (ja) 2004-11-24 2008-06-26 ノバセントリックス コーポレイション ナノ材料組成物の電気的使用、めっき的使用および触媒的使用
JP2008293821A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Panasonic Corp 導電性ペースト、それを用いた回路基板および電子電気機器
JP2009283547A (ja) * 2008-05-20 2009-12-03 Dainippon Printing Co Ltd 導電性パターンの形成方法とその形成装置並びに導電性基板
WO2010045639A1 (en) * 2008-10-17 2010-04-22 Ncc Nano, Llc Method and apparatus for reacting thin films on low-temperature substrates at high speeds
JP2010118449A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Toray Ind Inc 導電膜の製造方法
JP2010528428A (ja) 2007-05-18 2010-08-19 アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド 金属インク
WO2010110969A1 (en) 2009-03-25 2010-09-30 Ncc Nano, Llc Method for reducing thin films on low temperature substrates
JP2011047003A (ja) * 2009-08-27 2011-03-10 Toray Ind Inc 銅膜の製造方法
JP2011060654A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Toyobo Co Ltd 銅薄膜製造方法および銅薄膜

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4072771A (en) * 1975-11-28 1978-02-07 Bala Electronics Corporation Copper thick film conductor
US5062891A (en) * 1987-08-13 1991-11-05 Ceramics Process Systems Corporation Metallic inks for co-sintering process
US20060159838A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features
JP2005071805A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Fuji Photo Film Co Ltd 金属酸化物及び／又は金属水酸化物の粒子と金属の粒子を含む組成物、組成物を用いたプリント配線基板、その製造方法及びそれに用いるインク
WO2006076603A2 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Printable electrical conductors
JP5071105B2 (ja) * 2005-03-11 2012-11-14 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 導電性インキ、導電回路、及び非接触型メディア
JP4762582B2 (ja) * 2005-03-22 2011-08-31 古河電気工業株式会社 焼結助剤を添加した金属酸化物粒子等の高周波電磁波照射による還元・相互融着方法及びそれを用いた各種電子部品と金属酸化物粒子等の焼成用材料
KR100768341B1 (ko) * 2005-11-09 2007-10-17 주식회사 나노신소재 금속성 잉크, 그리고 이를 이용한 전극형성방법 및 기판
JP5252473B2 (ja) * 2006-10-19 2013-07-31 独立行政法人産業技術総合研究所 導電パターン形成フィルムと、そのための導電パターン形成方法及び導電パターン形成装置
KR20080088712A (ko) * 2007-03-30 2008-10-06 삼성전자주식회사 전도성 잉크 조성물 및 이를 이용한 전도성 패턴의 형성방법
US8404160B2 (en) 2007-05-18 2013-03-26 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
MY154259A (en) * 2007-10-22 2015-05-29 Hitachi Chemical Co Ltd Method for forming a copper wiring pattern, and copper oxide particle dispersed slurry used therein
US8801971B2 (en) * 2007-12-18 2014-08-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Copper conductor film and manufacturing method thereof, conductive substrate and manufacturing method thereof, copper conductor wiring and manufacturing method thereof, and treatment solution
JP5286846B2 (ja) * 2008-03-12 2013-09-11 日立化成株式会社 導電性基板及びその製造方法、並びに銅配線基板及びその製造方法
US9730333B2 (en) * 2008-05-15 2017-08-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photo-curing process for metallic inks
EP2479314B1 (en) * 2009-09-16 2020-09-09 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for producing copper metal film
JP2011142052A (ja) * 2010-01-08 2011-07-21 Hitachi Chem Co Ltd 銅導体インク及び導電性基板及びその製造方法
TWI481326B (zh) * 2011-11-24 2015-04-11 Showa Denko Kk A conductive pattern forming method, and a conductive pattern forming composition by light irradiation or microwave heating
TWI569700B (zh) * 2011-11-25 2017-02-01 昭和電工股份有限公司 導電性圖案生成方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004319781A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Shin Etsu Polymer Co Ltd フレキシブルプリント基板およびその製造方法
JP2008522369A (ja) 2004-11-24 2008-06-26 ノバセントリックス コーポレイション ナノ材料組成物の電気的使用、めっき的使用および触媒的使用
JP2006173408A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 回路付基板の製造方法および該方法で得られた回路付基板
JP2010528428A (ja) 2007-05-18 2010-08-19 アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド 金属インク
JP2008293821A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Panasonic Corp 導電性ペースト、それを用いた回路基板および電子電気機器
JP2009283547A (ja) * 2008-05-20 2009-12-03 Dainippon Printing Co Ltd 導電性パターンの形成方法とその形成装置並びに導電性基板
WO2010045639A1 (en) * 2008-10-17 2010-04-22 Ncc Nano, Llc Method and apparatus for reacting thin films on low-temperature substrates at high speeds
JP2010118449A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Toray Ind Inc 導電膜の製造方法
WO2010110969A1 (en) 2009-03-25 2010-09-30 Ncc Nano, Llc Method for reducing thin films on low temperature substrates
JP2011047003A (ja) * 2009-08-27 2011-03-10 Toray Ind Inc 銅膜の製造方法
JP2011060654A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Toyobo Co Ltd 銅薄膜製造方法および銅薄膜

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2785158A4

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150118413A1 (en) * 2012-07-03 2015-04-30 Ishihara Chemical Co., Ltd. Conductive film forming method and sintering promoter
US9905339B2 (en) * 2012-07-03 2018-02-27 Ishihara Chemical Co., Ltd. Conductive film forming method and sintering promoter
WO2014041956A1 (ja) * 2012-09-14 2014-03-20 富士フイルム株式会社 導電層の製造方法、プリント配線基板
WO2014050466A1 (ja) * 2012-09-26 2014-04-03 富士フイルム株式会社 導電膜の製造方法および導電膜形成用組成物
JP2014067617A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Fujifilm Corp 導電膜の製造方法および導電膜形成用組成物
WO2014185102A1 (ja) * 2013-05-15 2014-11-20 石原ケミカル株式会社 銅微粒子分散液、導電膜形成方法及び回路基板
JP2014225338A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 石原ケミカル株式会社 銅微粒子分散液、導電膜形成方法及び回路基板
JP2016527665A (ja) * 2013-06-13 2016-09-08 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結
US20160155814A1 (en) * 2013-07-23 2016-06-02 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Copper and/or copper oxide dispersion, and electroconductive film formed using dispersion
US10424648B2 (en) * 2013-07-23 2019-09-24 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Copper and/or copper oxide dispersion, and electroconductive film formed using dispersion
US10537027B2 (en) 2013-08-02 2020-01-14 Orbotech Ltd. Method producing a conductive path on a substrate
WO2015029715A1 (ja) * 2013-08-29 2015-03-05 富士フイルム株式会社 導電膜の製造方法および導電膜
WO2015033823A1 (ja) * 2013-09-03 2015-03-12 富士フイルム株式会社 導電膜の製造方法
JP2015142091A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタの製造方法およびその製造方法により製造された有機薄膜トランジスタ
JP2015140418A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 富士フイルム株式会社 インクジェット用導電インク組成物
WO2015115235A1 (ja) * 2014-01-30 2015-08-06 富士フイルム株式会社 インクジェット用導電インク組成物
WO2015115234A1 (ja) * 2014-01-30 2015-08-06 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタの製造方法およびその製造方法により製造された有機薄膜トランジスタ
US10091875B2 (en) * 2014-04-01 2018-10-02 Korea Electronics Technology Institute Ink composition for light sintering, wiring board using same and manufacturing method therefor
US10477681B2 (en) 2014-04-01 2019-11-12 Korea Electronics Technology Institute Ink composition for light sintering, wiring board using same and manufacturing method therefor
US10477680B2 (en) 2014-04-01 2019-11-12 Korea Electronics Technology Institute Ink composition for light sintering, wiring board using same and manufacturing method therefor
JP2017513040A (ja) * 2014-04-10 2017-05-25 オーボテック リミテッド パルスモードのレーザ直接描画によるメタライゼーション
JP2016009829A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 昭和電工株式会社 導電パターン形成用組成物および導電パターン形成方法
JP2018529802A (ja) * 2015-08-12 2018-10-11 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するためのペースト及びプロセス
JP2018525789A (ja) * 2015-08-13 2018-09-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結
JP2018529001A (ja) * 2015-08-13 2018-10-04 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ はんだ付け可能ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結
JP2020013735A (ja) * 2018-07-19 2020-01-23 日立化成株式会社 導体形成用組成物、及び、導体層を有する物品の製造方法
JP7172224B2 (ja) 2018-07-19 2022-11-16 昭和電工マテリアルズ株式会社 導体形成用組成物、及び、導体層を有する物品の製造方法
WO2025100354A1 (ja) * 2023-11-07 2025-05-15 日本化学工業株式会社 導電膜及びその形成方法
JP2025078014A (ja) * 2023-11-07 2025-05-19 日本化学工業株式会社 導電膜及びその形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140082810A (ko) 2014-07-02
EP2785158A1 (en) 2014-10-01
US9318243B2 (en) 2016-04-19
JPWO2013077448A1 (ja) 2015-04-27
CN103947305A (zh) 2014-07-23
TW201339279A (zh) 2013-10-01
EP2785158B1 (en) 2016-09-28
EP2785158A4 (en) 2015-04-29
CN103947305B (zh) 2017-03-08
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KR101608295B1 (ko) 2016-04-04
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US20150024120A1 (en) 2015-01-22

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