TW201339279A - 導電圖型形成方法及藉由光照射或微波加熱的導電圖型形成用組成物 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可提高導電圖型之導電率之導電圖型形成方法及藉光照射或微波加熱的導電圖型形成用組成物。本發明係調製含有於表面之全部或一部份形成氧化銅薄膜之銅粒子、氧化銅粒子、與多元醇、羧酸或聚烷伸二醇的還原劑、及黏結劑樹脂之導電圖型形成用組成物，藉該導電圖型形成用組成物，於基板上形成任意形狀之印刷圖型，對該印刷圖型進行光照射或微波加熱而生成銅之燒結體，形成導電圖型。
Description
本發明係關於導電圖型形成方法及藉由光照射或微波加熱之導電圖型形成用組成物之改良。
製作微細配線圖型之技術，以往一般使用組合銅箔與光阻並以微影法形成配線圖型之方法，但該方法除步驟數較長以外，排水、廢液處理之負擔亦大，而期望對環境之改善。且，以光微影法使以加熱蒸鍍法或濺鍍法製作之金屬薄膜圖型化之方法亦為已知。然而，加熱蒸鍍法或濺鍍法須在真空環境下為不可欠缺，價格亦成為非常高昂，應用於配線圖型時難以降低製造成本。
因此，已提案使用金屬油墨(亦包含藉還原劑使氧化物還原而金屬化者)並藉印刷製作配線之技術。利用印刷之配線技術可以低成本高速地製作大量製品，故一部分已於實用之電子裝置之製作中被檢討。
然而，使用加熱爐加熱燒成金屬油墨之方法，於加熱步驟除了耗費時間以外，亦有塑膠基材無法耐受金屬油墨之燒成所需之加熱溫度之情況，在塑膠基材可耐受之溫度下無法燒成，而有無法達到滿足之導電率之問題。
因此，如專利文獻1~3所記載，已有使用含奈米粒子之組成物(油墨)，藉光照射轉化成金屬配線之嘗試。
將光能或微波用於加熱之方法有僅可加熱油墨部分之
可能性，為極佳之方法，但直接使用金屬粒子時，會有無法滿意地提高所得導電圖型之導電率之問題，或使用氧化銅時，所得導電圖型之空隙率變大，而有一部份並未還原之狀態殘留氧化銅粒子之問題。
且，該等燒結中必須至少使用直徑為1μm以下之金屬或金屬氧化物粒子，而有該等奈米粒子之調製極耗費成本之問題。
[專利文獻1]特表2008-522369號公報
[專利文獻2]WO2010/110969號公報
[專利文獻3]特表2010-528428號公報
一般，形成於基板上之導電圖型，其導電率越高(體積電阻率越低)則性能越高。因此，以上述以往之技術形成之導電圖型亦期望進一步提高導電率。
本發明之目的係提供一種可提高導電圖型之導電率之導電圖型形成方法，及藉由光照射或微波加熱之導電圖型形成用組成物。
為達成上述目的，本發明之一實施形態為一種藉光照射或微波加熱之導電圖型形成用組成物，其特徵為含有表面之全部或一部分形成氧化銅薄膜之銅粒子、直徑比前述銅粒子小之氧化銅粒子、還原劑、及黏結劑樹脂。
又，特徵為上述銅粒子之個數基準之平均粒徑D50為100nm~10μm，前述氧化銅粒子之個數基準之平均粒徑D50為5nm~1000nm。
又，特徵為上述銅粒子與前述氧化銅粒子之質量比例為銅粒子：氧化銅粒子=98：2~50：50。
另外，特徵為上述氧化銅粒子為氧化亞銅粒子與氧化銅粒子之任一種或該等之混合粒子。
又，特徵為上述還原劑為多元醇、羧酸或聚烷伸二醇。
另外，特徵為上述銅粒子之個數基準之平均粒徑D50較好為500nm~3μm。
又，特徵為上述銅粒子中之氧化銅之比例，相對於金屬銅與氧化銅之合計，為20質量%以下。
另外，本發明之一實施形態為一種導電圖型形成方法，其特徵為準備如上述任一導電圖型形成用組成物，對前述導電圖型形成用組成物進行光照射或微波加熱。
又，特徵為對上述導電圖型形成用組成物照射之光為200~3000nm之波長的脈衝光。
且，特徵為加熱上述導電圖型形成用組成物之微波為1m~1mm之波長。
依據本發明，可獲得可提高導電圖型之導電率之導電圖型形成方法及藉由光照射或微波加熱之導電圖型形成用組成物。
以下，針對實施本發明之形態(以下稱為實施形態)加以說明。
本實施形態之該藉由光照射或微波加熱之導電圖型形成用組成物之特徵為含有表面之全部或一部分形成氧化銅薄膜之銅粒子、直徑比上述銅粒子小之氧化銅粒子、還原劑、及黏結劑樹脂。
又，本實施形態之該導電圖型形成方法之特徵為準備上述導電圖型形成用組成物，對上述導電圖型形成用組成物進行光照射或微波加熱。此處，所謂準備意指例如利用網版印刷、凹版印刷等，或者使用噴墨印表機等印刷裝置，在適當基板上以上述導電圖型形成用組成物形成任意形狀之組成物層，更具體而言，以上述導電圖型形成用組成物形成印刷圖型，或者於基板之整面上形成上述組成物層(形成滿圖型)等。又，本說明書中，導電圖型意指藉由將銅粒子及氧化銅粒子分散於黏結劑樹脂中而成之組成物形成為印刷圖型並經光照射，且燒結銅粒子及氧化銅粒子之結果，形成為圖型狀(包含滿圖型)之由金屬所成之導
電性金屬薄膜之導電膜。
上述銅粒子之粒徑較好為100nm~10μm，更好為200nm~5μm之範圍，又更好為500nm~3μm。又，銅粒子之表面之全部或一部分存在之氧化銅薄膜可為氧化亞銅或氧化銅之任一者。氧化銅之比例，藉XRD分析之該等氧化銅比率(氧化銅/(金屬銅+氧化銅))為20質量%以下，較好為5質量%以下，更好為3質量%以下。超過20質量%時所形成之導電膜之體積電阻率之下降比例變低。但，為確保銅粒子與氧化銅粒子藉光照射或微波加熱之反應性，上述氧化銅之比例較好為0.01質量%以上。關於氧化銅即使於表面僅存在極少量亦有效果，上述比例為較佳之存在量。又，亦可使用最初以XRD幾乎無法檢出之量，而因在空氣下之油墨調製、印刷步驟中經受之表面氧化所生成之氧化銅。銅粒子若曝露在大氣中則會在表面上形成氧化銅之薄膜。
銅粒子小於100nm時，由於比表面積變大而極容易受到氧化故難以作為金屬銅粒子使用。粒徑於100nm至500nm之範圍，雖可作為金屬銅使用，但由於在空氣中放置會緩慢地受到氧化，故油墨之經時變化較大，會有實用上不耐受之問題。又，粒徑超過10μm時無法進行微細圖型印刷，超過3μm時，難以與粒徑小的氧化銅相互均一地分散，而有分散劑、調配比之最適化成為必要之問題。
又，上述氧化銅粒子之粒徑係使用比上述銅粒子之粒徑小者。較好為5nm~1000nm，更好為10nm~500nm之範
圍。又，氧化銅粒子可為氧化亞銅粒子及或氧化銅粒子之任一種或可為該等之混合粒子。
氧化銅粒子之粒徑超過1000nm時難以完成還原。又，粒徑為5nm以下時，會有難以調製之問題。
又，所謂上述銅粒子及氧化銅粒子之粒徑，於500nm以上之粒徑時，意指以雷射繞射.散射法測定，未達500nm時意指以動態散射法測定之個數基準之平均粒徑D50(中值直徑)之粒徑。
又，上述導電圖型形成用組成物中之銅粒子與氧化銅粒子之混合比(質量比)以銅粒子：氧化銅粒子=98：2~50：50較佳，更好為95：5~70：30之範圍。
照射導電圖型形成用組成物之光宜為波長200nm~3000nm之脈衝光。本說明書中所謂「脈衝光」為在光照射期間(照射時間)係數微秒至數十毫秒之短時間之光，複數次重複光照射時如圖1所示，意指第一光照射期間(on)與第二光照射期間(on)間具有未照光期間(照射間隔(off))之光照射。圖1係以脈衝光之光強度為一定之方式顯示，但亦可在一次之光照射期間(on)內使光強度產生變化。上述脈衝光係由具備氙閃光燈等之閃光燈之光源所照射。使用該光源，對上述導電圖型形成用組成物之層照射脈衝光。重複n次照射時，係反覆n次之圖1中之一循環(on+off)。又，重複照射時，進行後續之脈衝光照射時，為了可將基材冷卻至室溫附近，較好自基材側進行冷卻。
脈衝光之一次照射時間(on)較好約20微秒至約10毫秒之範圍。比20微秒短時無法進行燒結，並使導電膜之性能提高效果變低。另外，比10毫秒長時基板因光劣化、熱劣化造成之不良影響增大。脈衝光之照射以單發照射進行即有效，但亦可如上述般重複實施。重複實施時，照射間隔(off)係自20微秒至30秒，更好為2000微秒至5秒之範圍。比20微秒短時，成為接近連續光於一次照射後並無放冷期間之照射，故有使加熱基材之溫度變高而劣化之可能性。另外，比30秒長時，由於進行放冷，故雖不是完全無效果，但會使重複實施之效果減低。
又，亦可以微波加熱導電圖型形成用組成物。微波加熱導電圖型形成用組成物時使用之微波為波長範圍在1m~1mm(頻率300MHz~300GHz)之電磁波。
又，上述基板並無特別限制，可採用例如塑膠基板、玻璃基板、陶瓷基板等。
且，作為還原劑亦可使用如甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、環己醇、萜烯醇之一元醇化合物，乙二醇、丙二醇或丙三醇等多元醇，如甲酸、乙酸、草酸、琥珀酸之羧酸，如丙酮、甲基乙基銅、苯甲醛、辛醛之羰基化合物，如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸苯酯之酯化合物，如己烷、辛烷、甲苯、萘、十氫萘、環己烷之烴化合物。其中，考慮還原劑之效率時，以乙二醇、丙二醇或丙三醇等多元醇、甲酸、乙酸、草酸之羧酸較佳。
為了印刷含有金屬銅與氧化銅粒子之導電圖型形成用
組成物，黏結劑樹脂雖為必要，但亦可使用亦兼作為還原劑之黏結劑樹脂。亦可兼用還原劑之高分子化合物可使用如聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯己內酯之聚-N-乙烯基化合物，如聚乙二醇、聚丙二醇、聚THF等之聚烷伸二醇化合物，如聚胺基甲酸酯、纖維素化合物及其衍生物、環氧化合物、聚酯化合物、氯化聚烯烴、聚丙烯酸化合物之熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂。其中考慮黏結劑之效果時以聚乙烯吡咯烷酮、常溫下為固體形狀之苯氧基類之環氧樹脂、纖維素化合物較佳，考慮還原效果時以聚乙二醇、聚丙二醇、聚胺基甲酸酯化合物較佳。又，聚乙二醇、聚丙二醇歸屬於多元醇之分類，特別具有作為還原劑較佳之特性。
黏結劑樹脂之存在雖為必要，但使用太多時會有不易展現導電性之問題，又太少時固定粒子彼此之能力變低。因此，黏結劑樹脂之使用量相對於金屬銅及氧化銅粒子之合計量為1~50質量%，更好為3~20質量%。
至於使用之溶劑係隨期望之印刷法而異，可使用習知之有機溶劑、水溶劑等。
又，本實施形態中之該導電圖型形成用組成物中亦可存在習知之油墨添加劑(消泡劑、表面調整劑、觸變劑等)。
與本發明不同之僅使用銅粒子(金屬銅之粒子)藉光照射形成導電圖型時，由於銅粒子之表面存在氧化銅之層，故藉由於銅粒子中混合多元醇等之還原劑進行光照射，
一邊使銅粒子之表面存在之氧化銅還原一邊加熱燒結，生成銅之燒結體。然而，以該方法形成之導電圖型無法使體積電阻率充分降低。此係由於銅粒子之內部仍為金屬銅者，故熔點為1084.6℃、直徑數百nm以上之粒子藉光照射而燒結時形狀亦不會變形，無法使粒子彼此之接觸面積增大之故。
又，僅使用氧化銅粒子藉由光照射形成導電圖型時，藉由於氧化銅粒子中混合多元醇等還原劑進行光照射，而使氧化銅還原同時加熱燒結，生成銅之燒結體。尤其是使用粒徑小之氧化銅粒子時，藉由化學還原燒結，可獲得粒子連續連結之金屬圖型。然而，為了全部還原至氧化銅粒子之中心部分，必須使照射之光之能量增大，且須使用較小粒徑之氧化銅粒子。因此，光照射中氧化銅粒子之一部分會吹飛掉，而有難以使導電圖型之厚度增厚之問題。又，由於燒結時氧會脫離，且氧化銅與金屬銅有比重差(氧化銅之d=6.31，金屬銅之d=8.94)，故燒結處理中之體積收縮較大，燒結體本身雖為連續，但仍有其內部容易產生空孔之問題。空孔之存在除了僅使體積電阻率變大以外，強度亦下降故不佳。又，照射之光之能量較大，故能量成本變高。
相對於上述，本實施形態之特徵為藉由對於銅粒子中混合氧化銅粒子與還原劑及黏結劑樹脂而成之導電圖型形成用組成物進行光照射或微波加熱，而生成銅之燒結體，並形成導電圖型。該情況下，在還原劑存在下經光照射或
微波加熱時，氧化銅粒子還原成為金屬銅。且，銅粒子表面存在之氧化銅層亦同樣還原成金屬銅。該過程中，氧化銅粒子還原生成之金屬銅之粒子，一邊以氧化銅粒子埋填較大粒徑之銅粒子間之間隙一邊燒結。據此，由於使銅粒子周圍之氧化銅粒子經還原所生成之金屬銅予以燒結，故可充分降低電阻值。
又，藉由併用銅粒子與氧化銅粒子，可降低氧化銅之比例，故可降低照射之光之能量，可降低能量成本。另外，藉由配合降低照射之光之能量，並存在比重較大之銅粒子(d=8.94)，而可抑制比重較小之氧化銅粒子(d=6.31)在光照射中被吹飛。因此，可使導電膜之厚度增厚。又，由於銅粒子之內部不需要被還原，故可依據印刷圖型之線寬使用適當大粒徑之銅粒子，故就使導電圖型之厚度增厚方面有利。
又，本實施形態之該導電圖型形成用組成物中亦可視需要存在習知之油墨添加劑(消泡劑，或表面調整劑、觸變劑等)。
以下具體說明本發明之實施例。又，以下之實施例為用於使本發明易於了解者，本發明並不受限於該等實施例。
又，以下之實施例及比較例中，體積電阻率係以三菱分析技術股份有限公司製造之LORESTA GP測定，SEM
係以日立高科技股份有限公司製造之FE-SEM S-5200攝影，XRD(X射線繞射)係以Rigaku股份有限公司製造之Ultima IV測定，粒徑係以日機裝股份有限公司製造MicroTrack粒度分布測定裝置MT3000II系列USVR(雷射繞射、散射法)測定，或以NnaoTrack UPA-EX150(動態光散射法)測定，以近似球求得粒徑並以中值粒徑作為D50。
將作為黏結劑樹脂之聚乙烯吡咯烷酮(日本觸媒股份有限公司製造)溶解於作為還原劑之乙二醇、丙三醇(關東化學股份有限公司製造之試藥)之混合水溶液(重量比乙二醇：丙三醇：水=70：15：15)中，調製40質量%之黏結劑樹脂溶液。混合該溶液1.5g與上述混合水溶液0.5g，且於三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1020Y(球形，D50=380nm)5.4g中，混合作為氧化銅粒子之CI化成股份有限公司製造之NanoTek CuO(球型，D50=270nm)0.6g(銅粒子：氧化銅粒子=90：10)，使用自轉．公轉真空混練機AWATORY攪拌脫泡裝置ARV-310(THINKY股份有限公司製造)充分混合，製作印刷用之糊料(導電圖型形成用組成物)。
以網版印刷所得糊料，於聚醯亞胺膜(厚度25μm)(KAPTON 100N，TORAY DUPON股份有限公司製造)上印刷2cm×2cm方形之圖型。針對如此獲得之樣品，使用
Xenone公司製造之Sinteron3300進行脈衝光照射，將上述印刷圖型轉化成導電圖型。照射條件為脈衝寬2000微秒，電壓3000V，自照射距離20cm進行單發照射。此時之脈衝能量為2070J。由以上形成之導電圖型之厚度為25μm。又，上述一連串之作業係在大氣下進行。
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1050Y(球形，D50=716nm)5.4g、與作為氧化銅粒子之CI化成股份有限公司製造之NanoTek CuO(球型，D50=270nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為17μm。
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1050YP(扁平形狀，D50=1080nm)5.4g與作為氧化銅粒子之CI化成股份有限公司製造之NanoTek CuO(球型，D50=270nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為19μm。
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1100Y(
球形，D50=1110nm)5.4g與作為氧化銅粒子之CI化成股份有限公司製造之NanoTek CuO(球型，D50=270nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為24μm。
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1100YP(扁平形狀，D50=1200nm)5.4g與作為氧化銅粒子之CI化成股份有限公司製造之NanoTek CuO(球型，D50=270nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為20μm。
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1400Y(球形，D50=5700nm)5.4g與作為氧化銅粒子之CI化成股份有限公司製造之NanoTek CuO(球型，D50=270nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為22μm。
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉MA-C40J
(霧化粉，D50=4640nm)5.4g與作為氧化銅粒子之CI化成股份有限公司製造之NanoTek CuO(球型，D50=270nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為26μm。
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1030Y(球形，D50=500nm)5.4g與作為氧化銅粒子之CI化成股份有限公司製造之NanoTek CuO(球型，D50=270nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為21μm。
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1020Y(球形，D50=380nm)5.4g與作為氧化銅粒子之古河化學股份有限公司製造之FCO-500(球型，D50=3850nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為21μm。
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1020Y(
球形，D50=380nm)5.4g與作為氧化銅粒子之古河化學股份有限公司製造之1-550(球型，D50=720nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為23μm。
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1020Y(球形，D50=380nm)6.0g(未使用氧化銅)，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為22μm。
使用作為氧化銅粒子之CI化成股份有限公司製造之NanoTek CuO(球型，D50=270nm)6.0g(未使用銅粉)，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為32μm。
使用在空氣中使作為銅粒子之三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1020Y(球型，D50=380nm)氧化，且以XRD分析之氧化亞銅為18.7質量%、氧化銅為8.4質量%、金屬銅為72.9質量%者5.4g，與作為氧化銅粒子之
古河化學股份有限公司製造之FCO-500(球形，D50=3850nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為23μm。
針對以上步驟製造之導電圖型，使用三菱分析技術股份有限公司製造之LORESTA GP體積電阻率(Ω．cm)測定體積電阻率。結果示於表1。
又，如表1所示之MIT試驗為於基板(聚醯亞胺薄膜)上形成之導電圖型之耐折性試驗，使用MYS試驗機股份有限公司製造之MIT耐折試驗機，以試驗條件為彎曲夾具前端0.38nm，間隙0.25nm，荷重10N，彎曲角度左右135度，彎曲速度每分鐘10次進行。試驗樣品為在聚醯亞胺基材上進行100mm×0.2mm之直線圖型印刷，針對在上述條件下進行光燒結之配線確認在MIT試驗100
次彎折前後有無導通。且表示為：
○：維持導通
×：MIT試驗後因斷線而無法確認導通
如表1所示，所有實施例均獲得比比較例1~3小之體積電阻率。又，實施例6、7之體積電阻率雖比其他實施例高，但該係因為銅粒子之粒徑(D50)大至超過3μm之故。另一方面，實施例8使用D50為500nm之1030Y，但獲得良好之體積電阻率。且，除比較例4以外，MIT試驗後均維持導通。
另一方面，比較例4為僅使用氧化銅粒子形成導電圖型者，體積電阻率(MIT試驗前)為良好。然而，由於導電圖型之空隙率高，故機械強度低，無法確認MIT試驗後導通。
又，比較例5係使用與實施例1同樣之銅粒子，且使其在空氣中氧化，但體積電阻率仍比實施例1上升。該係由於銅粒子表面存在之氧化銅(氧化亞銅+氧化銅)之比例超過20%之故。
圖2為顯示所製造之導電圖型之表面SEM照片。圖2中，可知僅使用氧化銅時(以CuO 100%表示)，空孔非常多(低倍率下之SEM照片)，僅使用銅粒子時(以Cu1020Y100%表示)，略球形之銅粒子之形狀仍為原本狀態(高倍率之SEM照片)。
另一方面，使用銅粒子與氧化銅粒子時(以Cu1020Y+CuO10%表示)時，空孔減少。此係因為銅粒
子間由藉光照射使氧化銅粒子轉化而成之銅粒子所埋填之故。
又，藉XRD測定分析上述實施例及比較例中使用之銅粒子及氧化銅粒子之銅與氧化銅之組成。結果示於表2。
如表2所示，銅粉1020Y、1100Y、1100YP均含少量之氧化銅。該係因為粒子表面被氧化之故。據此，藉由使銅粉表面存在氧化銅，在還原劑存在下進行光照射或微波加熱時，於將氧化銅粒子還原成銅時，銅粉表面之氧化銅亦被還原，於該過程中由氧化銅粒子轉化而成之銅粒子容易與銅粉接著。
圖1為用以說明脈衝光定義之圖。
圖2為顯示實施例中製造之導電圖型之表面SEM照片之圖。
Claims (10)
- 一種導電圖型形成用組成物，其為藉光照射或微波加熱的導電圖型形成用組成物，其特徵為含有表面之全部或一部分形成氧化銅薄膜之銅粒子，直徑比前述銅粒子小之氧化銅粒子，還原劑，及黏結劑樹脂。
- 如申請專利範圍第1項之導電圖型形成用組成物，其中前述銅粒子之個數基準之平均粒徑D50為100nm~10μm，前述氧化銅粒子之個數基準之平均粒徑D50為5nm~1000nm。
- 如申請專利範圍第1或2項之導電圖型形成用組成物，其中前述銅粒子與前述氧化銅粒子之質量比例為銅粒子：氧化銅粒子=98：2~50：50。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之導電圖型形成用組成物，其中前述氧化銅粒子為氧化亞銅粒子與氧化銅粒子之任一種或該等之混合粒子。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之導電圖型形成用組成物，其中前述還原劑為多元醇、羧酸或聚烷伸二醇。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之導電圖型形成用組成物，其中前述銅粒子之個數基準之平均粒徑D50為500nm~3μm。
- 如申請專利範圍第1至6項中任一項之導電圖型 形成用組成物，其中前述銅粒子中之氧化銅之比例，相對於金屬銅與氧化銅之合計，為20質量%以下。
- 一種導電圖型形成方法，其特徵為準備如申請專利範圍第1至7項中任一項之導電圖型形成用組成物，對前述導電圖型形成用組成物進行光照射或微波加熱。
- 如申請專利範圍第8項之導電圖型形成方法，其中對前述導電圖型形成用組成物照射之光為200~3000nm之波長的脈衝光。
- 如申請專利範圍第8項之導電圖型形成方法，其中加熱前述導電圖型形成用組成物之微波為1m~1mm之波長。
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