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WO2009028453A1 - 薄膜トランジスタ - Google Patents

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Abstract

　本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子の安定化、即ち、移動度の向上、ｏｆｆ電流の低下を果たしたｏｎ／ｏｆｆ比の高い薄膜トランジスタを提供し、また、生産効率が向上した薄膜トランジスタを提供する。本発明の薄膜トランジスタは、金属酸化物半導体からなる第１の活性層と、有機半導体からなる第２の活性層を有し、第１と第２の活性層が積層した構成を有することを特徴とする。
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