TWI702620B - 電容器組件封裝結構及其製作方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開一種電容器組件封裝結構及其製作方法。電容器組件封裝結構包括電容單元、絕緣封裝體、導電連接層以及電極單元。電容單元包括多個電容器。每一電容器包括一正極部以及一負極部。絕緣封裝體部分地包覆多個電容器。每一電容器的正極部的一正極側面從絕緣封裝體的一第一側面裸露。導電連接層電性連接於電容器的負極部。電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構。藉此，當第一電極結構包覆絕緣封裝體的一第一部分時，能電性連接於每一電容器的正極部；當第二電極結構包覆絕緣封裝體的一第二部分時，能電性連接於導電連接層。
Description
本發明涉及一種封裝結構及其製作方法，特別是涉及一種電容器組件封裝結構及其製作方法。
電容器已廣泛地被使用於消費性家電用品、電腦主機板及其周邊、電源供應器、通訊產品、及汽車等的基本元件，其主要的作用包括：濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等。是電子產品中不可缺少的元件之一。電容器依照不同的材質及用途，有不同的型態。包括鋁質電解電容、鉭質電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等。先行技術中，固態電解電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優越等優點，而可使用於中央處理器的電源電路的解耦合作用上。一般而言，可利用多個電容單元的堆疊，而形成高電容量的固態電解電容器，現在技術的堆疊式固態電解電容器包括多個電容單元與導線架，其中每一電容單元包括陽極部、陰極部與絕緣部，此絕緣部使陽極部與陰極部彼此電性絕緣。特別是，電容單元的陰極部彼此堆疊，且藉由在相鄰的電容單元之間設置導電體層，以使多個電容單元之間彼此電性連接。然而，現有技術中的堆疊式電容器仍然具有可改善空間。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種電容器組件封裝結構及其製作方法。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種電容器組件封裝結構，其包括：一電容單元、一絕緣封裝體、一導電連接層以及一電極單元。所述電容單元包括多個電容器，每一所述電容器包括一正極部以及一負極部。所述絕緣封裝體部分地包覆多個所述電容器，每一所述電容器的所述正極部的一正極側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露。所述導電連接層電性連接於所述電容器的所述負極部。所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性連接於每一所述電容器的所述正極部，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種電容器組件封裝結構，其包括：一電容單元、一絕緣封裝體、一導電連接層以及一電極單元。所述電容器包括一正極部、一負極部以及一圍繞狀絕緣層。所述絕緣封裝體部分地包覆所述電容器，所述電容器的所述正極部的一正極側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露。所述導電連接層電性連接於所述電容器的所述負極部。所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性連接於所述正極部，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層。其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面、所述正極部的所述正極側面以及所述圍繞狀絕緣層的一側面三者齊平。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種電容器組件封裝結構的製作方法，其包括：提供一電容單元以及一導電連接層，所述電容單元包括多個電容器，每一所述電容器包括一正極部以及電性連接於所述導電連接層的一負極部；以一絕緣封裝體部分地包覆多個所述電容器，其中每一所述電容器的所述正極部的一正極側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露；以及，以一第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性連接於每一所述電容器的所述正極部，以一第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層；其中，每一所述電容器包括一圍繞狀絕緣層，所述絕緣封裝體的所述第一側面以及所述正極部的所述正極側面兩者齊平。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電容器組件封裝結構及其製作方法，其能通過“所述電容器的所述正極部的一正極側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露”的技術方案，以使得當所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分時，第一電極結構能電性連接於所述正極部。但是，本發明的有益效果不以此為限制，而是本發明所提供的任何有益效果都應被包含在內。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“電容器組件封裝結構及其製作方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”等術語來描述各種元件，但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
參閱圖1至圖9所示，本發明第一實施例提供一種電容器組件封裝結構Z的製作方法，其包括：首先，配合圖1、圖7與圖8所示，提供一電容單元1以及一導電連接層3，電容單元1包括多個電容器10，每一電容器10包括一正極部P以及電性連接於導電連接層3的一負極部N（步驟S100）；然後，配合圖1、圖8與圖9所示，以一絕緣封裝體2部分地包覆多個電容器10，其中每一電容器10的正極部P的一正極側面1000從絕緣封裝體2的一第一側面2001裸露（步驟S102）；接著，配合圖1、圖8與圖9所示，以一第一電極結構41包覆絕緣封裝體2的一第一部分21且電性連接於每一電容器10的正極部P，以一第二電極結構42包覆絕緣封裝體2的一第二部分22且電性連接於導電連接層3（步驟S104）。值得注意的是，配合圖6與圖7所示，每一電容器10包括一圍繞狀絕緣層105，絕緣封裝體2的第一側面2001、正極部P的正極側面1000以及圍繞狀絕緣層105的一側面1050三者齊平。
舉例來說，參閱圖1至圖7所示，每一電容器10的製作方法包括：配合圖1與圖2所示，提供一初始基板101a（S1000），並且形成一初始圍繞狀絕緣層105a於初始基板101a上且環繞初始基板101a（S1002）；接著，配合圖1、圖2與圖3所示，形成一導電高分子材料102a，以包覆初始基板101a與初始圍繞狀絕緣層105a（S1004）；然後，配合圖1、圖4與圖5所示，移除一部分的初始基板101a、一部分的初始圍繞狀絕緣層105a以及一部分的導電高分子材料102a，以分別形成一基板101、環繞基板101的一圍繞狀絕緣層105以及包覆基板101的一部分的一導電高分子材料層102（S1006）；接下來，配合圖1、圖5與圖6所示，形成一碳膠層103，以完全包覆導電高分子材料層102（S1008）；然後，配合圖1、圖6與圖7所示，形成一銀膠層104，以完全包覆碳膠層103（S1010）。值得注意的是，在步驟S1006中，一部分的初始圍繞狀絕緣層105a也可以不用被移除，而只移除一部分的初始基板101a以及一部分的導電高分子材料102a，以使得圍繞狀絕緣層105就會等於是未被切割的初始圍繞狀絕緣層105a，並且使得圍繞狀絕緣層105仍然被導電高分子材料層102所完全包覆而不會外露。因此，絕緣封裝體2的第一側面2001只會與正極部P的正極側面1000齊平，而不會與圍繞狀絕緣層105的一側面1050齊平。
藉此，配合圖7、圖8與圖9所示，本發明第一實施例提供一種電容器組件封裝結構Z，其包括：一電容單元1、一絕緣封裝體2、一導電連接層3以及一電極單元4。電容單元1包括多個電容器10，並且每一電容器10包括一正極部P以及一負極部N。絕緣封裝體2部分地包覆多個電容器10，並且每一電容器10的正極部P的一正極側面1000從絕緣封裝體2的一第一側面2001裸露。導電連接層3電性連接於電容器10的負極部N。電極單元4包括一第一電極結構41以及一第二電極結構42，第一電極結構41包覆絕緣封裝體2的一第一部分21且電性連接於每一電容器10的正極部P，並且第二電極結構42包覆絕緣封裝體2的一第二部分22且電性連接於導電連接層3。更進一步來說，配合圖8與圖9所示，絕緣封裝體2的第一側面2001、正極部P的正極側面1000以及圍繞狀絕緣層105的一側面1050三者齊平。
舉例來說，如圖7所示，每一電容器10包括一基板101、一包覆基板101的一部分的導電高分子材料層102、一完全包覆導電高分子材料層102的碳膠層103以及一完全包覆碳膠層103的銀膠層104。另外，每一電容器10還包括設置在基板101的外表面上且圍繞基板101的一圍繞狀絕緣層105，並且電容器10的導電高分子材料層102的長度、碳膠層103的長度以及銀膠層104的長度都被圍繞狀絕緣層105所限制。值得注意的是，基板101進一步包括一金屬箔片以及一完全包覆金屬箔片的氧化層。氧化層會形成在金屬箔片的外表面上以完全包覆金屬箔片，並且導電高分子材料層102會包覆氧化層的一部分。另外，金屬箔片可依據不同的使用需求，可以是鋁、銅或者任何的金屬材料，並且金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層，所以金屬箔片可以是一多孔性腐蝕層的腐蝕箔片。當金屬箔片被氧化後，金屬箔片的表面就會形成一氧化層，而表面形成有氧化層的金屬箔片可以稱為一種閥金屬箔片（valve metal foil）。然而，本發明所使用的電容器10不以上述所舉的例子為限。
舉例來說，如圖8所示，絕緣封裝體2可由任何的絕緣材料所製成，例如epoxy或者silicon。然而，本發明所使用的絕緣封裝體2不以上述所舉的例子為限。再者，第一電極結構41包括包覆第一部分21且電性連接於正極部P的一第一內部導電層411、包覆第一內部導電層411的一第一中間導電層412以及包覆第一中間導電層412的一第一外部導電層413。另外，第二電極結構42包括包覆第二部分22且電性連接於導電連接層3的一第二內部導電層421、包覆第二內部導電層421的一第二中間導電層422以及包覆第二中間導電層422的一第二外部導電層423。此外，第一內部導電層411與第二內部導電層421可為Ag層，第一中間導電層412與第二中間導電層422可為Ni層，第一外部導電層413與第二外部導電層423可為Sn層。然而，本發明所使用的第一電極結構41與第二電極結構42不以上述所舉的例子為限。
[第二實施例]
參閱圖10與圖11所示，本發明第二實施例提供一種電容器組件封裝結構Z，其包括：一電容單元1、一絕緣封裝體2、一導電連接層3以及一電極單元4。由圖10與圖8的比較，以及圖11與圖9的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的差別在於：在第二實施例中，電容器組件封裝結構Z進一步包括：多個正極複合式材料層5。另外，每一正極複合式材料層5設置在絕緣封裝體2的第一側面2001與相對應的正極部P的正極側面1000上，以電性連接於相對應的電容器10的正極部P，並且第一電極結構41會電性接觸多個正極複合式材料層5。舉例來說，正極複合式材料層5包括至少兩層正極導電層50，並且正極導電層50可為Zn, Au, Pt, Pd, Ti, Ni、Ag、Cu、Cr或者Sn，或者也可以是合金（例如NiCr, TiW, TiN, TiC），然而本發明所使用的正極複合式材料層5不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，如圖11所示，絕緣封裝體2的第一側面2001會與正極部P的正極側面1000齊平，並且正極複合式材料層5的一平面5000會接觸絕緣封裝體2的第一側面2001與正極部P的正極側面1000。另外，正極複合式材料層5的平面5000會接觸絕緣封裝體2的第一側面2001、正極部P的正極側面1000以及圍繞狀絕緣層105的側面1050，藉此以阻隔外界的水氣從正極部P進入電容器10。
值得注意的是，本發明第二實施例所提供的一種電容器組件封裝結構Z的製作方法還更進一步包括：形成多個正極複合式材料層5。
[第三實施例]
參閱圖12與圖13所示，本發明第三實施例提供一種電容器組件封裝結構Z，其包括：一電容單元1、一絕緣封裝體2、一導電連接層3以及一電極單元4。由圖12與圖10的比較，以及圖13與圖11的比較可知，本發明第三實施例與第二實施例最大的差別在於：在第三實施例中，電容器組件封裝結構Z進一步包括：一負極複合式材料層6。另外，負極複合式材料層6設置在絕緣封裝體2的一第二側面2002與導電連接層3的一側面3000上，以電性連接於電容器10的負極部N，並且第二電極結構42會電性接觸多個負極複合式材料層6。舉例來說，負極複合式材料層6包括至少兩層負極導電層60，並且負極導電層60可為Zn, Au, Pt, Pd, Ti, Ni、Ag、Cu、Cr或者Sn，或者也可以是合金（例如NiCr, TiW, TiN, TiC），然而本發明所使用的負極複合式材料層6不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，如圖13所示，絕緣封裝體2的第二側面2002與導電連接層3的側面3000兩者齊平，並且負極複合式材料層6的一平面6000會接觸絕緣封裝體2的第二側面2002與導電連接層3的側面3000，藉此以阻隔外界的水氣從導電連接層3進入電容器10。
值得注意的是，本發明第三實施例所提供的一種電容器組件封裝結構Z的製作方法還更進一步包括：形成一負極複合式材料層6。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電容器組件封裝結構及其製作方法，其能通過“電容器10的正極部P的一正極側面1000從絕緣封裝體2的一第一側面2001裸露”的技術方案，以使得當第一電極結構41包覆絕緣封裝體2的一第一部分21時，第一電極結構41能電性連接於正極部P。但是，本發明的有益效果不以此為限制，而是本發明所提供的任何有益效果都應被包含在內。值得注意的是，絕緣封裝體2的第一側面2001、正極部P的正極側面1000以及圍繞狀絕緣層105的一側面1050三者齊平，並且絕緣封裝體2的第二側面2002與導電連接層3的側面3000兩者齊平。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
Z:電容器組件封裝結構
1:電容單元
1000:正極側面
P:正極部
N:負極部
10:電容器
101:基板
102:導電高分子材料層
103:碳膠層
104:銀膠層
105:圍繞狀絕緣層
1050:側面
101a:初始基板
102a:導電高分子材料
105a:初始圍繞狀絕緣層
2:絕緣封裝體
2001:第一側面
2002:第二側面
21:第一部分
22:第二部分
3:導電連接層
3000:側面
4:電極單元
41:第一電極結構
411:第一內部導電層
412:第一中間導電層
413:第一外部導電層
42:第二電極結構
421:第二內部導電層
422:第二中間導電層
423:第二外部導電層
5:正極複合式材料層
50:正極導電層
5000:平面
6:負極複合式材料層
60:負極導電層
6000:平面
圖1為本發明第一實施例所提供的一種電容器組件封裝結構的製作方法的流程圖。
圖2為本發明第一實施例所提供的一種電容器組件封裝結構的製作方法的步驟S1000與步驟S1002的示意圖。
圖3為本發明第一實施例所提供的一種電容器組件封裝結構的製作方法的步驟S1004的示意圖。
圖4為沿著圖3的切割線切除後的示意圖。
圖5為本發明第一實施例所提供的一種電容器組件封裝結構的製作方法的步驟S1006的示意圖。
圖6為本發明第一實施例所提供的一種電容器組件封裝結構的製作方法的步驟S1008的示意圖。
圖7為本發明第一實施例所提供的一種電容器組件封裝結構的製作方法的步驟S1010的示意圖。
圖8為本發明第一實施例所提供的一種電容器組件封裝結構的剖面示意圖。
圖9為圖8的IX部分的放大示意圖。
圖10為本發明第二實施例所提供的一種電容器組件封裝結構的剖面示意圖。
圖11為圖10的XI部分的放大示意圖。
圖12為本發明第三實施例所提供的一種電容器組件封裝結構的剖面示意圖。
圖13為圖12的XIII部分的放大示意圖。
Z:電容器組件封裝結構
1:電容單元
1000:正極側面
P:正極部
N:負極部
10:電容器
2:絕緣封裝體
2001:第一側面
21:第一部分
22:第二部分
3:導電連接層
4:電極單元
41:第一電極結構
411:第一內部導電層
412:第一中間導電層
413:第一外部導電層
42:第二電極結構
421:第二內部導電層
422:第二中間導電層
423:第二外部導電層
Claims (10)
- 一種電容器組件封裝結構，其包括： 一電容單元，所述電容單元包括多個電容器，每一所述電容器包括一正極部以及一負極部； 一絕緣封裝體，所述絕緣封裝體部分地包覆多個所述電容器，每一所述電容器的所述正極部的一正極側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露； 一導電連接層，所述導電連接層電性連接於所述電容器的所述負極部；以及 一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性連接於每一所述電容器的所述正極部，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層。
- 如請求項1所述的電容器組件封裝結構，進一步包括：多個正極複合式材料層，每一所述正極複合式材料層設置在所述絕緣封裝體的所述第一側面與相對應的所述正極部的所述正極側面上，以電性連接於相對應的所述電容器的所述正極部；其中，所述第一電極結構電性接觸多個所述正極複合式材料層，所述正極複合式材料層包括至少兩層正極導電層，所述正極導電層為Zn, Au, Pt, Pd, Ti, Ni、Ag、Cu、Cr或者Sn；其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面與所述正極部的所述正極側面齊平，所述正極複合式材料層的一平面接觸所述絕緣封裝體的所述第一側面與所述正極部的所述正極側面。
- 如請求項1所述的電容器組件封裝結構，進一步包括：一負極複合式材料層，所述負極複合式材料層設置在所述絕緣封裝體的一第二側面與所述導電連接層的一側面上，以電性連接於所述電容器的所述負極部；其中，所述第二電極結構電性接觸多個所述負極複合式材料層，所述負極複合式材料層包括至少兩層負極導電層，所述負極導電層為Zn, Au, Pt, Pd, Ti, Ni、Ag、Cu、Cr或者Sn；其中，所述絕緣封裝體的所述第二側面與所述導電連接層的所述側面齊平，所述負極複合式材料層的一平面接觸所述絕緣封裝體的所述第二側面與所述導電連接層的所述側面。
- 如請求項1所述的電容器組件封裝結構，其中，所述第一電極結構包括包覆所述第一部分且電性連接於所述正極部的一第一內部導電層、包覆所述第一內部導電層的一第一中間導電層以及包覆所述第一中間導電層的一第一外部導電層；其中，所述第二電極結構包括包覆所述第二部分且電性連接於所述導電連接層的一第二內部導電層、包覆所述第二內部導電層的一第二中間導電層以及包覆所述第二中間導電層的一第二外部導電層；其中，所述第一內部導電層與所述第二內部導電層為Ag層，所述第一中間導電層與所述第二中間導電層為Ni層，所述第一外部導電層與所述第二外部導電層為Sn層。
- 如請求項1所述的電容器組件封裝結構，其中，每一所述電容器包括一基板、一包覆所述基板的一部分的導電高分子材料層、一完全包覆所述導電高分子材料層的碳膠層以及一完全包覆所述碳膠層的銀膠層；其中，每一所述電容器還包括設置在所述基板的外表面上且圍繞所述基板的一圍繞狀絕緣層，且所述電容器的所述導電高分子材料層的長度、所述碳膠層的長度以及所述銀膠層的長度都被所述圍繞狀絕緣層所限制；其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面、所述正極部的所述正極側面以及所述圍繞狀絕緣層的一側面三者齊平。
- 一種電容器組件封裝結構，其包括： 一電容器，所述電容器包括一正極部、一負極部以及一圍繞狀絕緣層； 一絕緣封裝體，所述絕緣封裝體部分地包覆所述電容器，所述電容器的所述正極部的一正極側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露； 一導電連接層，所述導電連接層電性連接於所述電容器的所述負極部；以及 一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性連接於所述正極部，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層； 其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面、所述正極部的所述正極側面以及所述圍繞狀絕緣層的一側面三者齊平。
- 一種電容器組件封裝結構的製作方法，其包括： 提供一電容單元以及一導電連接層，所述電容單元包括多個電容器，每一所述電容器包括一正極部以及電性連接於所述導電連接層的一負極部； 以一絕緣封裝體部分地包覆多個所述電容器，其中每一所述電容器的所述正極部的一正極側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露；以及 以一第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性連接於每一所述電容器的所述正極部，以一第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層； 其中，每一所述電容器包括一圍繞狀絕緣層，所述絕緣封裝體的所述第一側面以及所述正極部的所述正極側面兩者齊平。
- 如請求項7所述的電容器組件封裝結構的製作方法，其中，每一所述電容器的製作方法包括： 提供一初始基板； 形成一初始圍繞狀絕緣層於所述初始基板上且環繞所述初始基板； 形成一導電高分子材料，以包覆所述初始基板與所述初始圍繞狀絕緣層； 移除一部分的所述初始基板以及一部分的所述導電高分子材料，以分別形成一基板、環繞所述基板的所述圍繞狀絕緣層以及包覆所述基板的一部分的一導電高分子材料層； 形成一碳膠層，以完全包覆所述導電高分子材料層；以及 形成一銀膠層，以完全包覆所述碳膠層。
- 如請求項7所述的電容器組件封裝結構的製作方法，進一步包括：形成多個正極複合式材料層，每一所述正極複合式材料層設置在所述絕緣封裝體的所述第一側面與相對應的所述正極部的所述正極側面上，以電性連接於相對應的所述電容器的所述正極部；其中，所述第一電極結構電性接觸多個所述正極複合式材料層，所述正極複合式材料層包括至少兩層正極導電層，所述正極導電層為Zn, Au, Pt, Pd, Ti, Ni、Ag、Cu、Cr或者Sn；其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面與所述正極部的所述正極側面齊平，所述正極複合式材料層的一平面接觸所述絕緣封裝體的所述第一側面與所述正極部的所述正極側面；其中，所述第一電極結構包括包覆所述第一部分且電性連接於所述正極部的一第一內部導電層、包覆所述第一內部導電層的一第一中間導電層以及包覆所述第一中間導電層的一第一外部導電層；其中，所述第二電極結構包括包覆所述第二部分且電性連接於所述導電連接層的一第二內部導電層、包覆所述第二內部導電層的一第二中間導電層以及包覆所述第二中間導電層的一第二外部導電層；其中，所述第一內部導電層與所述第二內部導電層為Ag層，所述第一中間導電層與所述第二中間導電層為Ni層，所述第一外部導電層與所述第二外部導電層為Sn層。
- 如請求項7所述的電容器組件封裝結構的製作方法，進一步包括：形成一負極複合式材料層，所述負極複合式材料層設置在所述絕緣封裝體的一第二側面與所述導電連接層的一側面上，以電性連接於所述電容器的所述負極部；其中，所述第二電極結構電性接觸多個所述負極複合式材料層，所述負極複合式材料層包括至少兩層負極導電層，所述負極導電層為Zn, Au, Pt, Pd, Ti, Ni、Ag、Cu、Cr或者Sn；其中，所述絕緣封裝體的所述第二側面與所述導電連接層的所述側面齊平，所述負極複合式材料層的一平面接觸所述絕緣封裝體的所述第二側面與所述導電連接層的所述側面；其中，所述第一電極結構包括包覆所述第一部分且電性連接於所述正極部的一第一內部導電層、包覆所述第一內部導電層的一第一中間導電層以及包覆所述第一中間導電層的一第一外部導電層；其中，所述第二電極結構包括包覆所述第二部分且電性連接於所述導電連接層的一第二內部導電層、包覆所述第二內部導電層的一第二中間導電層以及包覆所述第二中間導電層的一第二外部導電層；其中，所述第一內部導電層與所述第二內部導電層為Ag層，所述第一中間導電層與所述第二中間導電層為Ni層，所述第一外部導電層與所述第二外部導電層為Sn層。
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