TWI695395B - 電容器組件結構及其製作方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開一種電容器組件結構及其製作方法，電容器組件結構包括電容單元、絕緣封裝體、多個正極複合式材料層、導電連接層以及電極單元。電容單元包括多個電容器，每一電容器具有一正極部以及一負極部。絕緣封裝體部分地包覆多個電容器，每一電容器的正極部的一側面從絕緣封裝體的一第一側面裸露。每一正極複合式材料層設置在絕緣封裝體的第一側面與相對應的正極部的側面上，以電性連接於相對應的電容器的正極部。導電連接層電性連接於電容器的負極部。電極單元包括第一電極結構以及第二電極結構，第一電極結構包覆絕緣封裝體的第一部分且電性接觸於正極複合式材料層，第二電極結構包覆絕緣封裝體的第二部分且電性連接於導電連接層。藉此，可有效提升電容器組件結構的生產效率。
Description
本發明涉及一種電容器組件結構，特別是涉及一種電容器組件結構及其製作方法。
電容器已廣泛地被使用於消費性家電用品、電腦主機板及其周邊、電源供應器、通訊產品、及汽車等的基本元件，其主要的作用包括：濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等。是電子產品中不可缺少的元件之一。電容器依照不同的材質及用途，有不同的型態。包括鋁質電解電容、鉭質電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等。先行技術中，固態電解電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優越等優點，而可使用於中央處理器的電源電路的解耦合作用上。一般而言，可利用多個電容單元的堆疊，而形成高電容量的固態電解電容器，現在技術的堆疊式固態電解電容器包括多個電容單元與導線架，其中每一電容單元包括陽極部、陰極部與絕緣部，此絕緣部使陽極部與陰極部彼此電性絕緣。特別是，電容單元的陰極部彼此堆疊，且藉由在相鄰的電容單元之間設置導電體層，以使多個電容單元之間彼此電性連接。然而，現有技術中的堆疊式電容器仍然具有可改善空間。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種電容器組件結構。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種電容器組件結構，其包括一電容單元、一絕緣封裝體、多個正極複合式材料層、一導電連接層以及一電極單元。所述電容單元包括多個電容器，每一所述電容器具有一正極部以及一負極部。所述絕緣封裝體部分地包覆多個所述電容器，每一所述電容器的所述正極部的一側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露。每一所述正極複合式材料層設置在所述絕緣封裝體的所述第一側面與相對應的所述正極部的所述側面上，以電性連接於相對應的所述電容器的所述正極部。所述導電連接層電性連接於所述電容器的所述負極部。所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性接觸於所述正極複合式材料層，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種電容器組件結構，其包括一電容器、一絕緣封裝體、一正極複合式材料層、一導電連接層以及一電極單元。所述電容器具有一正極部以及一負極部。所述絕緣封裝體部分地包覆所述電容器，所述電容器的所述正極部的一側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露。所述正極複合式材料層設置在所述絕緣封裝體的所述第一側面與所述正極部的所述側面上，以電性連接於所述電容器的所述正極部。所述導電連接層電性連接於所述電容器的所述負極部。所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性接觸於所述正極複合式材料層，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種電容器組件結構的製作方法，其包括下列步驟：提供至少一電容器，至少一所述電容器具有一正極部以及一負極部；將至少一所述電容器設置在一導電連接層上，以使所述導電連接層電性連接於至少一所述電容器的所述負極部；利用一絕緣封裝體，以完全包覆至少一所述電容器；切割所述絕緣封裝體，以使至少一所述電容器的所述正極部的一側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露；形成一正極複合式材料層於所述絕緣封裝體的所述第一側面與所述正極部的所述側面上，以電性連接於至少一所述電容器的所述正極部；以及形成一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性接觸於所述正極複合式材料層，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電容器組件結構，其能通過“電容器組件結構包括一電容單元、一絕緣封裝體、多個正極複合式材料層、一導電連接層以及一電極單元”、“所述電容單元包括多個電容器，每一所述電容器具有一正極部以及一負極部。所述絕緣封裝體部分地包覆多個所述電容器，每一所述電容器的所述正極部的一側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露”、“每一所述正極複合式材料層設置在所述絕緣封裝體的所述第一側面與相對應的所述正極部的所述側面上，以電性連接於相對應的所述電容器的所述正極部”、“所述導電連接層電性連接於所述電容器的所述負極部”以及“所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性接觸於所述正極複合式材料層，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層”的技術方案，可有效提升電容器組件結構的生產效率。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的電容器組件結構的製作方法，其包括下列步驟：“提供至少一電容器，至少一所述電容器具有一正極部以及一負極部”、“將至少一所述電容器設置在一導電連接層上，以使所述導電連接層電性連接於至少一所述電容器的所述負極部”、“利用一絕緣封裝體，以完全包覆至少一所述電容器”、“切割所述絕緣封裝體，以使至少一所述電容器的所述正極部的一側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露”、“形成一正極複合式材料層於所述絕緣封裝體的所述第一側面與所述正極部的所述側面上，以電性連接於至少一所述電容器的所述正極部”以及“形成一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性接觸於所述正極複合式材料層，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層”的技術方案，可有效提升電容器組件結構的生產效率。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“電容器組件結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件，但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
參閱圖1至圖3所示，本發明第一實施例提供一種電容器組件結構Z，其包括一電容單元1、一絕緣封裝體2、多個正極複合式材料層3、一導電連接層4以及一電極單元5。舉例來說，電容器組件結構Z可為一種電容器封裝結構、或者是一種屬於構件型態的電容器構件，也或者是一種以使用類型來定義的堆疊式固態電解電容器。
具體來說，本發明的電容單元1可包括多個電容器10，並且每一個電容器10具有一正極部P以及一負極部N。多個電容器10會依序堆疊，每兩個堆疊的電容器10能通過導電膠G而彼此電性相連，並且多個電容器10的多個正極部P會彼此分離而不接觸。舉例來說，如圖1及圖2所示，每一個電容器10可包括一金屬箔片100、一完全包覆金屬箔片100的氧化層101、一包覆氧化層101的一部分的導電高分子複合材料層102、一完全包覆導電高分子複合材料層102的碳膠層103以及一完全包覆碳膠層103的銀膠層104。氧化層101形成在金屬箔片100的外表面上，以完全包覆金屬箔片100。並且，金屬箔片100可依據不同的使用需求，可以是鋁、銅或者任何的金屬材料，並且金屬箔片100的表面具有一多孔性腐蝕層100A，所以金屬箔片100可以是一多孔性腐蝕層100A的腐蝕箔片。如圖2所示，當金屬箔片100被氧化後，金屬箔片100的表面就會形成一氧化層101，而表面形成有氧化層101的金屬箔片100可以稱為一種閥金屬箔片（valve metal foil）。
進一步來說，如圖1及圖2所示，每一個電容器10還包括一設置在氧化層101的外表面上且圍繞氧化層101的圍繞狀絕緣層105，並且電容器10的導電高分子複合材料層102的長度、碳膠層103的長度及銀膠層104的長度都被圍繞狀絕緣層105所限制。舉例來說，電容器10的圍繞狀絕緣層105圍繞地設置在氧化層101上且同時接觸導電高分子複合材料層102的末端、碳膠層103的末端及銀膠層104的末端。然而，本發明所使用的電容器10不以上述所舉的例子為限。
接著，如圖3所示，本發明的絕緣封裝體2可包括部分地包覆多個電容器10，絕緣封裝體2具有一第一側面20，並且，每一個電容器10的正極部P的一側面P1從絕緣封裝體2的第一側面20裸露。具體來說，絕緣封裝體2的第一側面20與正極部P的側面P1齊平。此外，絕緣封裝體2可由任何的絕緣材料所製成，例如epoxy或者silicon。然而，本發明所使用的絕緣封裝體2不以上述所舉的例子為限。
再者，本發明的每一個正極複合式材料層3可設置在絕緣封裝體2的第一側面20與相對應的正極部P的側面P1上，以電性連接於相對應的電容器10的正極部P。舉例來說，如圖3所示，正極複合式材料層3可包括至少兩層正極導電層30，至少兩層正極導電層30依序層疊在絕緣封裝體2的第一側面20，並相對應於正極部P的側面P1上，其中一正極導電層30電性連接於相對應的電容器10的正極部P。並且，正極複合式材料層3還具有一接觸絕緣封裝體2的第一側面20與正極部P的側面P1的平面31；也就是說，其中一正極導電層30的平面31接觸於絕緣封裝體2的第一側面20與正極部P的側面P1。此外，正極導電層30的材質可為鎳（Ni）、銀（Ag）、銅（Cu）、鉻（Cr）、錫（Sn）、鋅（Zn）、黃銅、金（Au）、鉑（Pt）、鈀（Pd）、鈦化鎢（Tiw）或者鈦（Ti）。然而，本發明所使用的正極複合式材料層3不以上述所舉的例子為限。
而本發明的導電連接層4可電性連接於電容器10的負極部N。舉例來說，如圖3所示，導電連接層4可位於其中兩個電容器10之間，並電性連接於相鄰的兩個電容器10的負極部N，絕緣封裝體2的第二側面23與導電連接層4的側面40齊平。其中，導電連接層4可為導電性材料。然而，本發明所使用的導電連接層4不以上述所舉的例子為限。
此外，如圖3所示，電極單元5可包括一第一電極結構50以及一第二電極結構51，第一電極結構50包覆絕緣封裝體2的一第一部分21且電性接觸於正極複合式材料層3，第二電極結構51包覆絕緣封裝體2的一第二部分22且電性連接於導電連接層4。進一步來說，第一電極結構50能作為“第一外側端電極”，以包覆絕緣封裝體2的第一部分21且電性接觸正極複合式材料層3。另外，第二電極結構51能作為“第二外側端電極”，以包覆絕緣封裝體2的第二部分22且電性連接於導電連接層4。換句話說，第一電極結構51能作為一外側端電極，以包覆絕緣封裝體2的一部分，並電性接觸電容器10的正極複合式材料層3與導電連接層4兩者中的其中一個；並且，第二電極結構51能作為另一個外側端電極，以包覆絕緣封裝體2的另一部分，並電性接觸正極複合式材料層3與導電連接層4兩者中的另外一個。然而，本發明所使用的電極單元5不以上述所舉的例子為限。
藉此，本發明所提供的電容器組件結構Z通過上述的技術方案，即利用每一個電容器10的正極部P的一側面P1從絕緣封裝體2的第一側面20裸露，以及絕緣封裝體2的第一側面20與正極部P的側面P1齊平，並且，每一個正極複合式材料層3可設置在絕緣封裝體2的第一側面20與相對應的正極部P的側面P1上，以電性連接於相對應的電容器10的正極部P，以減少電容器組件結構Z的製程流程，進而可有效提升電容器組件結構Z的生產效率。
值得一提的是，在本實施例中，本發明所提供的電容器組件結構Z通過堆疊多個電容器10，以形成堆疊型的電容器組件結構。
[第二實施例]
參閱圖4所示，本發明第二實施例提供一種電容器組件結構Z，其包括一電容單元1、一絕緣封裝體2、多個正極複合式材料層3、一導電連接層4以及一電極單元5。由圖4與圖3的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例的最大差異在於：在本實施例中，第一電極結構50可包括一包覆第一部分21且電性連接於正極複合式材料層3的第一內部導電層500、一包覆第一內部導電層500的第一中間導電層501以及一包覆第一中間導電層501的第一外部導電層502。第二電極結構51可包括一包覆第二部分22且電性連接於導電連接層4的第二內部導電層510、一包覆第二內部導電層510的第二中間導電層511以及一包覆第二中間導電層511的第二外部導電層512。其中，第一內部導電層500與第二內部導電層510為Ag層，第一中間導電層501與第二中間導電層511為Ni層，第一外部導電層502與第二外部導電層512為Sn層。
舉例來說，第一電極結構50可包括第一內部導電層500、第一中間導電層501以及第一外部導電層502，且第一內部導電層500、第一中間導電層501以及第一外部導電層502依序層疊於絕緣封裝體2的第一部分21並包覆第一部分21。第二電極結構51可包括第二內部導電層510、第二中間導電層511以及第二外部導電層512，且第二內部導電層510、第二中間導電層511以及第二外部導電層512依序層疊於絕緣封裝體2的第二部分22並包覆第二部分22。並且，第一內部導電層500與第二內部導電層510可以都包括Ag層（或者其它與Ag相似的導電材料）或者包括Ag層與導電擴散阻礙層的複合層，第一中間導電層501與第二中間導電層511可以都是Ni層或者其它與Ni相似的導電材料，第一外部導電層502與第二外部導電層512可以都是Sn層或者其它與Sn相似的導電材料。另外，上述導電擴散阻礙層可選自於由碳（C）、碳化合物、奈米碳管、石墨烯、銀（Ag）、金（Au）、鉑（Pt）、鈀（Pb）、氮化鈦（TiNx）、碳化鈦（TiC）以及其它抗氧化材料所組成的群組，但本發明不以上述所舉的例子為限。因此，通過導電擴散阻礙層的使用，外界的水氣不會穿過電極單元5而進入電容單元1。藉此，以提升電容器組件結構Z的氣密性與耐候性。
更進一步來說，如圖4所示，本發明的電容器組件結構Z還進一步包括：一負極複合式材料層6，負極複合式材料層6可設置在絕緣封裝體2的一第二側面23與導電連接層4的一側面40上，以電性連接於電容器10的負極部N。舉例來說，如圖4所示，負極複合式材料層6位於第二內部導電層510中，並可包括至少兩層負極導電層60，至少兩層負極導電層60依序層疊在第二側面23與側面40上，負極導電層60可為鎳（Ni）、銀（Ag）、銅（Cu）、鉻（Cr）、錫（Sn）、鋅（Zn）、黃銅、金（Au）、鉑（Pt）、鈀（Pd）、鈦化鎢（Tiw）或者鈦（Ti），但不以此為限。並且，絕緣封裝體2的第二側面23與導電連接層4的側面40齊平，負極複合式材料層6具有一接觸絕緣封裝體2的第二側面23與導電連接層4的側面40的平面61。
值得一提的是，在本實施例中，本發明所提供的電容器組件結構Z通過堆疊多個電容器10，以形成堆疊型的電容器組件結構。
然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[第三實施例]
參閱圖5及圖6所示，本發明第三實施例提供一種電容器組件結構Z，其包括一電容器10、一絕緣封裝體2、一正極複合式材料層3、一導電連接層4以及一電極單元5。由圖5與圖3的比較可知，本發明第三實施例與第一實施例的最大差異在於：在本實施例中，電容器組件結構Z可設置一個電容器10與一個正極複合式材料層3，而一絕緣封裝體2、一導電連接層4以及一電極單元5與前述第一實施例相同。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
進一步來說，如圖4與圖6所示，本實施例的電容器組件結構Z的電極單元5可如同第二實施例，第一電極結構50可包括第一內部導電層500、第一中間導電層501以及第一外部導電層502，第二電極結構51可包括第二內部導電層510、第二中間導電層511以及第二外部導電層512。並且，電容器組件結構Z還進一步包括：一負極複合式材料層6，負極複合式材料層6可設置在絕緣封裝體2的一第二側面23與導電連接層4的一側面40上，以電性連接於電容器10的負極部N。舉例來說，如圖6所示，本實施例的電容器組件結構Z的負極複合式材料層6位於第二內部導電層510中，並可包括至少兩層負極導電層60，至少兩層負極導電層60依序層疊在第二側面23與側面40上，負極導電層60可為鎳（Ni）、銀（Ag）、銅（Cu）、鉻（Cr）、錫（Sn）、鋅（Zn）、黃銅、金（Au）、鉑（Pt）、鈀（Pd）、鈦化鎢（Tiw）或者鈦（Ti），但不以此為限。並且，絕緣封裝體2的第二側面23與導電連接層4的側面40齊平，負極複合式材料層6具有一接觸絕緣封裝體2的第二側面23與導電連接層4的側面40的平面61。
然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[第四實施例]
參閱圖7及圖12所示，本發明第三實施例提供一種電容器組件結構Z的製作方法，其包括下列步驟：
首先，提供至少一個電容器10，至少一個電容器10具有一正極部P以及一負極部N（步驟S100）。舉例來說，配合圖7與圖8所示，電容器10具有正極部P以及負極部N，電容器10可設置一個或多個，在本實施例中以多個電容器10作為示例，但不以此為限。
接著，將至少一個電容器10設置在一導電連接層4上，以使導電連接層4電性連接於至少一個電容器10的負極部N（步驟S102）。舉例來說，配合圖7與圖8所示，導電連接層4可包括一第一連接層4A以及一第二連接層4B。其中一個電容器10電性連接於第一連接層4A，而第二連接層4B則是可以設置或者不設置。此外，導電連接層4可以陣列方式設置多個，亦即，第一連接層4A以及第二連接層4B可以陣列方式設置多個。
接下來，利用一絕緣封裝體2，以完全包覆至少一個電容器10（步驟S104）。舉例來說，配合圖7與圖9所示，通過絕緣封裝體2將多個電容器10、部份第一連接層4A以及部份第二連接層4B包覆於其中。
緊接著，切割絕緣封裝體2，以使至少一電容器10的正極部P的一側面P1從絕緣封裝體2的一第一側面20裸露（步驟S106）。舉例來說，配合圖7、圖9及圖10所示，在多個電容器10、部份第一連接層4A以及部份第二連接層4B被絕緣封裝體2包覆後，通過進行一切割程序切割絕緣封裝體2，使得多個電容器10的正極部P的側面P1從絕緣封裝體2的第一側面20裸露。
接下來，形成一正極複合式材料層3於絕緣封裝體2的第一側面20與正極部P的側面上，以電性連接於至少一個電容器10的正極部P（步驟S108）。舉例來說，配合圖7與圖11所示，在絕緣封裝體2的第一側面20上，對應電容器10的數量而形成正極複合式材料層3，每一個正極複合式材料層3電性連接於所對應的電容器10的正極部P，並且，每一個正極複合式材料層3包括了多個正極導電層30。
而後，形成一電極單元5，電極單元5包括一第一電極結構50以及一第二電極結構51，第一電極結構50包覆絕緣封裝體2的一第一部分21且電性接觸於正極複合式材料層3，第二電極結構51包覆絕緣封裝體2的一第二部分22且電性連接於導電連接層4（步驟S110）。舉例來說，配合圖7與圖12所示，在絕緣封裝體2的第一側面20形成正極複合式材料層3後，接著，在絕緣封裝體2上形成電極單元5。進一步來說，在絕緣封裝體2的第一部分21形成第一電極結構50，且第一電極結構50包覆絕緣封裝體2的第一部分21；並且，在絕緣封裝體2的第二部分22形成第二電極結構51，且第二電極結構51包覆絕緣封裝體2的第二部分22。第一電極結構50電性接觸於正極複合式材料層3，第二電極結構51電性連接於導電連接層4。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電容器組件結構Z，其能通過“電容器組件結構Z包括一電容單元1、一絕緣封裝體2、多個正極複合式材料層3、一導電連接層4以及一電極單元5”、“電容單元1包括多個電容器10，每一個電容器10具有一正極部P以及一負極部N。絕緣封裝體2部分地包覆多個電容器10，每一個電容器10的正極部P的一側面P1從絕緣封裝體2的第一側面20裸露”、“每一個正極複合式材料層3可設置在絕緣封裝體2的第一側面20與相對應的正極部P的側面P1上，以電性連接於相對應的電容器10的正極部P”、“導電連接層4電性連接於電容器10的負極部N”以及“電極單元5可包括一第一電極結構50以及一第二電極結構51，第一電極結構50包覆絕緣封裝體2的一第一部分21且電性接觸於正極複合式材料層3，第二電極結構51包覆絕緣封裝體2的一第二部分22且電性連接於導電連接層4”的技術方案，可有效提升電容器組件結構Z的生產效率。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的電容器組件結構Z的製作方法，其包括下列步驟：“提供至少一個電容器10，至少一電容器10具有一正極部P以及一負極部N”、“將至少一電容器10設置在一導電連接層4上，以使導電連接層4電性連接於至少一電容器10的負極部N”、“利用一絕緣封裝體2，以完全包覆至少一電容器10”、“切割絕緣封裝體2，以使至少一電容器10的正極部P的一側面P1從絕緣封裝體2的一第一側面20裸露”、“形成一正極複合式材料層3於絕緣封裝體2的第一側面20與正極部P的側面上，以電性連接於至少一電容器10的正極部P”以及“形成一電極單元5，電極單元5包括一第一電極結構50以及一第二電極結構51，第一電極結構50包覆絕緣封裝體2的一第一部分21且電性接觸於正極複合式材料層3，第二電極結構51包覆絕緣封裝體2的一第二部分22且電性連接於導電連接層4”的技術方案，可有效提升電容器組件結構Z的生產效率。
更進一步來說，本發明所提供的電容器組件結構Z通過上述的技術方案，利用絕緣封裝體2的第一側面20與正極部P的側面P1齊平且正極複合式材料層3設置在第一側面20與側面P1上，以及絕緣封裝體2的第二側面23與導電連接層4的側面40齊平且負極複合式材料層6設置在第二側面23與側面40上，以減少電容器組件結構Z的製程流程，進而可有效提升電容器組件結構Z的生產效率。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
Z:電容器組件結構
1:電容單元
10:電容器
100:金屬箔片
100A:多孔性腐蝕層
101:氧化層
102:導電高分子複合材料層
103:碳膠層
104:銀膠層
105:圍繞狀絕緣層
P:正極部
P1:側面
N:負極部
2:絕緣封裝體
20:第一側面
21:第一部分
22:第二部分
23:第二側面
3:正極複合式材料層
30:正極導電層
31:平面
4:導電連接層
40:側面
4A:第一連接層
4B:第二連接層
5:電極單元
50:第一電極結構
500:第一內部導電層
501:第一中間導電層
502:第一外部導電層
51:第二電極結構
510:第二內部導電層
511:第二中間導電層
512:第二外部導電層
6:負極複合式材料層
60:負極導電層
61:平面
圖1為本發明第一實施例的電容器的剖面示意圖。
圖2為圖1的II部分的放大示意圖。
圖3為本發明第一實施例的電容器組件結構的剖面示意圖。
圖4為本發明第二實施例的電容器組件結構的剖面示意圖。
圖5為本發明第三實施例的電容器組件結構的第一剖面示意圖。
圖6為本發明第三實施例的電容器組件結構的第二剖面示意圖。
圖7為本發明第三實施例的電容器組件結構的製作方法的流程示意圖。
圖8為本發明第三實施例的電容器組件結構的第一步驟示意圖。
圖9為本發明第三實施例的電容器組件結構的第二步驟示意圖。
圖10為本發明第三實施例的電容器組件結構的第三步驟示意圖。
圖11為本發明第三實施例的電容器組件結構的第四步驟示意圖。
圖12為本發明第三實施例的電容器組件結構的第五步驟示意圖。
Z:電容器組件結構
1:電容單元
10:電容器
P:正極部
P1:側面
N:負極部
2:絕緣封裝體
20:第一側面
21:第一部分
22:第二部分
23:第二側面
3:正極複合式材料層
30:正極導電層
31:平面
4:導電連接層
40:側面
5:電極單元
50:第一電極結構
51:第二電極結構
Claims (10)
- 一種電容器組件結構，其包括： 一電容單元，所述電容單元包括多個電容器，每一所述電容器具有一正極部以及一負極部； 一絕緣封裝體，所述絕緣封裝體部分地包覆多個所述電容器，每一所述電容器的所述正極部的一側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露； 多個正極複合式材料層，每一所述正極複合式材料層設置在所述絕緣封裝體的所述第一側面與相對應的所述正極部的所述側面上，以電性連接於相對應的所述電容器的所述正極部； 一導電連接層，所述導電連接層電性連接於所述電容器的所述負極部；以及 一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性接觸於所述正極複合式材料層，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層。
- 如申請專利範圍第1項所述的電容器組件結構，其中，每一所述電容器包括一金屬箔片、一完全包覆所述金屬箔片的氧化層、一包覆所述氧化層的一部分的導電高分子複合材料層、一完全包覆所述導電高分子複合材料層的碳膠層以及一完全包覆所述碳膠層的銀膠層，所述金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層。
- 如申請專利範圍第1項所述的電容器組件結構，其中，所述正極複合式材料層包括至少兩層正極導電層，所述正極導電層為Ni、Ag、Cu、Cr、Sn、Zn、Au、Pt、Pd或者Ti。
- 如申請專利範圍第1項所述的電容器組件結構，其中，所述第一電極結構包括一包覆所述第一部分且電性連接於所述正極複合式材料層的第一內部導電層、一包覆所述第一內部導電層的第一中間導電層以及一包覆所述第一中間導電層的第一外部導電層；其中，所述第二電極結構包括一包覆所述第二部分且電性連接於所述導電連接層的第二內部導電層、一包覆所述第二內部導電層的第二中間導電層以及一包覆所述第二中間導電層的第二外部導電層；其中，所述第一內部導電層與所述第二內部導電層為Ag層，所述第一中間導電層與所述第二中間導電層為Ni層，所述第一外部導電層與所述第二外部導電層為Sn層。
- 如申請專利範圍第1項所述的電容器組件結構，其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面與所述正極部的所述側面齊平，所述正極複合式材料層具有一接觸所述絕緣封裝體的所述第一側面與所述正極部的所述側面的平面。
- 如申請專利範圍第1項所述的電容器組件結構，還進一步包括：一負極複合式材料層，所述負極複合式材料層設置在所述絕緣封裝體的一第二側面與所述導電連接層的一側面上，以電性連接於所述電容器的所述負極部；其中，所述負極複合式材料層包括至少兩層負極導電層，所述負極導電層為Ni、Ag、Cu、Cr、Sn、Zn、Au、Pt、Pd或者Ti；其中，所述絕緣封裝體的所述第二側面與所述導電連接層的所述側面齊平，所述負極複合式材料層具有一接觸所述絕緣封裝體的所述第二側面與所述導電連接層的所述側面的平面。
- 一種電容器組件結構，其包括： 一電容器，所述電容器具有一正極部以及一負極部； 一絕緣封裝體，所述絕緣封裝體部分地包覆所述電容器，所述電容器的所述正極部的一側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露； 一正極複合式材料層，所述正極複合式材料層設置在所述絕緣封裝體的所述第一側面與所述正極部的所述側面上，以電性連接於所述電容器的所述正極部； 一導電連接層，所述導電連接層電性連接於所述電容器的所述負極部；以及 一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性接觸於所述正極複合式材料層，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層。
- 如申請專利範圍第7項所述的電容器組件結構，其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面與所述正極部的所述側面齊平，所述正極複合式材料層具有一接觸所述絕緣封裝體的所述第一側面與所述正極部的所述側面的平面；其中，所述正極複合式材料層包括至少兩層正極導電層，所述正極導電層為Ni、Ag、Cu、Cr、Sn、Zn、Au、Pt、Pd或者Ti。
- 如申請專利範圍第7項所述的電容器組件結構，還進一步包括：一負極複合式材料層，所述負極複合式材料層設置在所述絕緣封裝體的一第二側面與所述導電連接層的一側面上，以電性連接於所述電容器的所述負極部；其中，所述負極複合式材料層包括至少兩層負極導電層，所述負極導電層為Ni、Ag、Cu、Cr、Sn、Zn、Au、Pt、Pd或者Ti；其中，所述絕緣封裝體的所述第二側面與所述導電連接層的所述側面齊平，所述負極複合式材料層具有一接觸所述絕緣封裝體的所述第二側面與所述導電連接層的所述側面的平面。
- 一種電容器組件結構的製作方法，其包括： 提供至少一電容器，至少一所述電容器具有一正極部以及一負極部； 將至少一所述電容器設置在一導電連接層上，以使所述導電連接層電性連接於至少一所述電容器的所述負極部； 利用一絕緣封裝體，以完全包覆至少一所述電容器； 切割所述絕緣封裝體，以使至少一所述電容器的所述正極部的一側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露； 形成一正極複合式材料層於所述絕緣封裝體的所述第一側面與所述正極部的所述側面上，以電性連接於至少一所述電容器的所述正極部；以及 形成一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分且電性接觸於所述正極複合式材料層，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分且電性連接於所述導電連接層。
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| TWI629700B (zh) * | 2017-03-01 | 2018-07-11 | 鈺邦科技股份有限公司 | 電容器封裝結構 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI739648B (zh) * | 2020-11-03 | 2021-09-11 | 鈺邦科技股份有限公司 | 堆疊型固態電容器、積體電路產品及電子產品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11335512B2 (en) | 2022-05-17 |
| US20210175023A1 (en) | 2021-06-10 |
| TW202123272A (zh) | 2021-06-16 |
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