TWI672092B

TWI672092B - 電子裝置及電磁干擾抑制體的配置方法、與通信裝置

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Publication number: TWI672092B
Application number: TW105119049A
Authority: TW
Inventors: 近藤幸一; Koichi Kondo; 岡利昭; Toshiaki Oka; 池田昌; Masashi Ikeda; 五十嵐利行; Toshiyuki Igarashi
Original assignee: 日商東金股份有限公司; Tokin Corporation
Priority date: 2015-12-25
Filing date: 2016-06-17
Publication date: 2019-09-11
Also published as: US20190008079A1; KR102441507B1; KR20180098368A; CN108370655B; US10729044B2; CN108370655A; TW201724962A; JP2017118015A; WO2017110113A1

Abstract

配置一種對包含高頻頻帶的寬頻帶的雜訊有效之電磁干擾抑制體。

一種電子裝置，其具備：干擾物，其產生電磁波；被干擾物，其會受電磁波的影響；基板，其配置干擾物及被干擾物；及電磁干擾抑制體，其僅沿干擾物及被干擾物之任一者而與基板平行地配置。在將干擾物的端部且是與被干擾物對向的端部設為第1端部，將被干擾物的端部且是與干擾物對向的端部設為第2端部時，電磁干擾抑制體之一端部，係配置於第1端部與第2端部之間。

Description

電子裝置及電磁干擾抑制體的配置方法、與通信裝置

本發明係關於一種電磁干擾抑制體，尤其是關於電子裝置內之電磁干擾抑制體的配置。

為了抑制由各式各樣之電子裝置產生的電磁干擾，尤其是內部干擾(所謂自體中毒)，而有一種沿產生雜訊的零件、電路、導線等(以下，統稱為干擾物)、及有可能受到雜訊之影響的零件、電路、導線等(以下，統稱為被干擾物)的兩者配置電磁干擾抑制體的技術。藉由依此方式配置電磁干擾抑制體，能抑制對被干擾物的電磁干擾。在此所稱之電子裝置，係指具備電子零件、電路、配線等之所有裝置，例如：包含手機終端等無線通信終端、桌上型電腦、筆記型電腦、電腦工作站等各種電腦等。

一般而言，電磁干擾抑制體，係一種使磁性體的粉末分散於黏合劑中的片狀零件。電磁干擾抑制體，具有高電阻、及因磁共鳴引起之頻率選擇性的損失特性。藉由在電子機器內配置電磁干擾抑制體，不會伴有諸如電磁障礙的二次副作用，從而能有效地抑制因高頻雜訊而產生的影響。近年來，作為一種「只須黏貼即可發揮作用」之簡便的雜訊對策零件，電磁干擾抑制體已得到迅速地普及。電磁干擾抑制體，已於IEC62333中被國際標準化。

專利文獻1揭示一種藉由將電磁干擾抑制體密接配置於安裝在基板上的電子零件，以提高電磁干擾抑制效果的技術。並且，藉由以電磁波屏蔽用薄膜覆膜基板及設置在基板上的電子零件，對電磁波進行屏蔽。像這樣為了使電磁干擾抑制體密接於電子零件等，需要有複雜的步驟。此外，因各種各樣之理由，有時需要變更電子零件的配置，但若以薄膜一併覆膜配置在基板上的電子零件及基板，則變得不能應對此種的配置變更。

於專利文獻2記載有藉由在電子零件附近安裝電磁輻射雜訊吸收片，以抑制電子零件間的干擾。根據該文獻，請注意沿干擾物及被干擾物分別配置電磁輻射雜訊吸收片這一點。於該文獻的第1圖中圖示有2個電磁輻射雜訊吸收片。在該文獻的第2圖中也同樣。

根據非專利文獻1，雜訊抑制片，即電磁干擾抑制體之主要的雜訊抑制功能，係(1)在近場之耦合的抑制、(2)在高頻線路的無用輻射抑制、及(3)傳播於傳送線路之雜訊成分的衰減。為了評價這些功能，於IEC62333-2中，規定了以下4個測量方法。

(a)內部去耦率(Intra-decoupling ratio；Rda)

其係對於在2個傳送線路間或安裝於相同之印刷電路板內的2個零件間產生的三維耦合，藉由將雜訊抑制片相對於傳送線路平行地安裝而能獲得之衰減的比例。

(b)相互去耦率(Inter-decoupling ratio；Rde)

其係對於在2個傳送線路、印刷電路板間、或2個零件間產生的三維耦合，藉由將吸收片安裝於兩者之間隙而能獲得之衰減的比例。

(c)傳送衰減率(Transmission attenuation power ratio；Rtp)

其係對於傳播於傳送線路中的傳導信號/雜訊，藉由將吸收片安裝於傳送線路而能獲得之單位線路長度的衰減量。

(d)輻射抑制率(Radiation suppression ratio；Rrs)

其係對於自電路板放射之輻射雜訊，藉由安裝吸收片而能獲得的抑制量。此測量係根據與普通之EMI測量相同的10m測法或3m測法的遠場測量。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1 日本特開2014-057040號公報；第0068、0088段落，第2圖

專利文獻2 日本特開2000-196282號公報；第0008、0012、0013、0017、0018段落，第1圖、第2圖

非專利文獻

非專利文獻1 吉田榮吉、武田茂：「雜訊抑制片之作用與分類及性能評價方法(特集雜訊抑制用軟磁性材料及其應用(規格‧應用編))」EMC 20(7),35-46,2007-11 Mimatsu Corp.

發明者等發現在電磁干擾抑制體中具有雜訊的抑制效果變小的頻帶。這是因為電磁干擾抑制體在面內方向具有較高的介電常數，因而面內方向誘發的電場所引起之耦合增加、即電磁干擾抑制體之內部去耦率在此頻帶內會變成負之緣故。先前以為在電磁干擾抑制體中並無特別之副作用，但現已明白有時會存在干擾物與被干擾物之間的電磁耦合因頻率不同而增加之副作用。

於專利文獻1中，沿干擾物及被干擾物兩者配置一片電磁干擾抑制體。根據此配置方法，因上述的理由，恐有電磁耦合增加之顧慮。於專利文獻2中，沿干擾物及被干擾物分別配置合計2片電磁干擾抑制體。此外，於專利文獻2中，以橫跨傳送部、接收部之方式配置黏貼有電磁輻射雜訊吸收片的金屬導體板。因此，恐有因金屬導體板而產生雜訊反射的顧慮。

本發明係鑒於此種情況而完成者，本發明所欲解決的問題，在於提供一種對包含高頻頻帶的寬頻帶的雜訊有效之電磁干擾抑制體的配置方法、及具備根據此方法配置之電磁干擾抑制體的電子裝置。

為了解決上述問題，作為一形態，本發明提供一種電子裝置，其具備：干擾物，其產生電磁波；被干擾物，其會受電磁波的影響；基板，其用以載置干擾物及被干擾物；及電磁干擾抑制體，其僅沿干擾物及被干擾物之任一者而與基板平行地配置，在將干擾物的端部且是與被干擾物對向的端部設為第1端部，將被干擾物的端部且是與干擾物對向的端部設為第2端部時，電磁干擾抑制體之一端部，係配置於第1端部與第2端部之間。

也可為，更具備一絕緣體，該絕緣體係沿干擾物及被干擾物的另一者而與基板平行配置。

也可為，更具備一筐體，該筐體係圍繞干擾物及被干擾物之兩者，且筐體具備電磁干擾抑制體及絕緣體。

也可為，具備一導體板，該導體板係於沿電磁干擾抑制體之一面配置干擾物及被干擾物的任一者時，沿電磁干擾抑制體之另一面配置。

也可為，干擾物及被干擾物，例如：分別可考慮為電子零件、電子電路、及配線的任一者。尤其是配線的情況，干擾物為電源線，被干擾物為信號線。

作為這些電子裝置的較佳例子，具有通信裝置。

此外，作為另一形態，本發明提供一種電磁干擾抑制體的配置方法，係於電子裝置中，在將干擾物的端部且是與被干擾物對向的端部設為第1端部，將被干擾物的端部且是與干擾物對向的端部設為第2端部時，電磁干擾抑制體之一端部，係以位於第1端部與第2端部之間的方式配置，其中該電子裝置具備：干擾物，其產生電磁波；被干擾物，其會受電磁波的影響；基板，其用以載置干擾物及被干擾物；及電磁干擾抑制體，其僅沿干擾物及被干擾物之任一者而與基板平行地配置。

根據本發明，可提供一種對包含高頻頻帶的寬頻帶的雜訊有效之電磁干擾抑制體的配置方法、及具備根據此方法配置的電磁干擾抑制體的電子裝置。

1、20、30、40、50、60、70‧‧‧電子裝置

2‧‧‧干擾物

3‧‧‧被干擾物

4、4A、4B‧‧‧基板

5、63‧‧‧筐體

6、13、21、62、71‧‧‧電磁干擾抑制體

10‧‧‧評價系統

11、12、42‧‧‧天線

31‧‧‧導體板

41‧‧‧凹坑

61‧‧‧絕緣體

72‧‧‧樹脂

73‧‧‧磁性扁平粉

第1圖為本發明之一實施形態，且為顯示沿干擾物2配置電磁干擾抑制體6的電子裝置1之剖面的示意圖。

第2圖為用以對電子裝置1之筐體5內部中干擾物2、被干擾物3、電磁干擾抑制體6之位置關係進行說明的立體圖。

第3圖為用以對將電子裝置1模型化之評價系統10進行說明的立體圖。

第4圖為用以說明評價系統10中之Y坐標的俯視圖。

第5圖為用以對Y=-1mm時的評價系統10進行說明的俯視圖。

第6圖為用以對Y=0mm時的評價系統10進行說明的俯視圖。

第7圖為用以對Y=5mm時的評價系統10進行說明的俯視圖。

第8圖為用以對Y=10mm時的評價系統10進行說明的俯視圖。

第9圖為用以對Y=11mm時的評價系統10進行說明的俯視圖。

第10圖為用以對Y=15mm時的評價系統10進行說明的俯視圖。

第11圖為用以對Y=30mm時的評價系統10進行說明的俯視圖。

第12圖為顯示評價系統10之內部去耦Rda的模擬結果的曲線圖。

第13圖為用以對評價系統10中Y=0mm時的低頻磁通及高頻電磁波的傳播進行說明的圖。

第14圖為用以對評價系統10中Y=5mm時的低頻磁通及高頻電磁波的傳播進行說明的圖。

第15圖為用以對評價系統10中Y=10mm時的低頻磁通及高頻電磁波的傳播進行說明的圖。

第16圖為用以對評價系統10中Y=30mm時的低頻磁通及高頻電磁波的傳播進行說明的圖。

第17圖為對干擾物2、被干擾物3為配線時的電子裝置1之筐體5內部中干擾物2、被干擾物3、電磁干擾抑制體6之位置關係進行說明的立體圖。

第18圖為顯示沿被干擾物3配置電磁干擾抑制體21之電子裝置20的剖面的示意圖。

第19圖為顯示具備沿筐體5之內側的面配置的電磁干擾抑制體21、及以與此電磁干擾抑制體21對向的方式沿筐體5之外側的面配置的導體板31之電子裝置30的剖面的示意圖。

第20圖為顯示具備沿筐體5之內側的面配置的電磁干擾抑制體21、及沿此電磁干擾抑制體21之筐體5外側的面配置的天線42之電子裝置40的剖面的示意圖。

第21圖為顯示分別具備配置有干擾物2的基板4A、及配置有被干擾物3的基板4B之電子裝置50的剖面的示意圖。

第22圖為顯示以絕緣體61覆蓋配置於基板4上之干擾物2，且於其上配置板狀的電磁干擾抑制體62的電子裝置60之局部剖面的示意圖。

第23圖為顯示以絕緣體61覆蓋配置於基板4上之干擾物2，且再以電磁干擾抑制體71覆蓋於其上方的電子裝置70之局部剖面的示意圖。

第24圖為具有柔軟性之片狀電磁干擾抑制體71之例子、及其剖面的示意圖。

參照第1圖，對本發明之第1實施形態的電子裝置1進行說明。電子裝置1具備：干擾物2、被干擾物3、基板4、筐體5、及電磁干擾抑制體6。電子裝置1係任意種類的電子裝置。具體而言，例如，可考慮為手機終端等通信終端裝置、資料通信裝置、個人電腦等，但不限於這些，只要為具備干擾物2及被干擾物3 者，任何種類之電子裝置皆可。干擾物2係有可能產生雜訊的零件、電路、裝置、配線等。被干擾物3係有可能受雜訊影響的零件、電路、裝置、配線等，尤其具代表性者為天線。干擾物2及被干擾物3係配置在基板4上。干擾物2、被干擾物3、基板4，係收容於筐體5中。於筐體5內側且與干擾物2對面的位置配置有電磁干擾抑制體6。筐體5例如由塑膠等絕緣體構成。

再者，電子裝置1也可為於基板4上具備干擾物2、被干擾物3以外的零件、電路、裝置、配線等。此外，電子裝置1也可設為在筐體5之內部或外部具備干擾物2、被干擾物3以外的零件、電路、裝置、配線等。電磁干擾抑制體6，主要利用於小型數位機器中的輻射雜訊對策或內部干擾(自體中毒)對策。作為電磁干擾抑制體6，可考慮為使磁性體粉末分散於黏合劑中的片狀零件，更具體而言，使軟磁性金屬粉末分散於絕緣性母材中而形成的片狀零件。或者，電磁干擾抑制體6，也可為由高阻抗的磁性體構成的厚膜或薄膜。此外，電磁干擾抑制體6之形狀，可為單純之矩形形狀的吸收片，但為了提高抑制電磁干擾的效果，也可於矩形形狀的片體設置狹縫(slit)。

電磁干擾抑制體6係沿干擾物2配置。換言之，沿干擾物2配置電磁干擾抑制體6及筐體5的一部分。在此須注意的是，電磁干擾抑制體6之一端，係位於干擾物2與被干擾物3之間，且未到達被干擾物3上之點。雖沿被干擾物3上配置有筐體5之一部分，即配置有絕緣體，但不配置電磁干擾抑制體6。如第1圖所示，將干擾物2之端部且是與被干擾物3對向的端部設為第1端部P1。將被干擾物3之端部且是與干擾物對向的端部設為第2端部P2。此時，電磁干擾抑制體6之一端部，係配置於第1端部P1與第2端部P2之間。距離D係第1端部P1與第2端部P2之間的距離。

如此，藉由以僅覆蓋干擾物2的上面，但不覆蓋被干擾物3的方式配置電磁干擾抑制體6，可於干擾物2與被干擾物3之間的位置將在電磁干擾抑制體6的面內方向(第1圖之水平方向)誘發的電場隔斷。因此，能避免電磁干擾抑制體6之副作用，即干擾物與被干擾物之間的電磁耦合的增加，並可於寬頻帶內抑制電磁干擾。

第2圖為顯示干擾物2、被干擾物3與電磁干擾抑制體6的位置關係的立體圖。第2圖中，省略筐體5。第2圖中，Y方向係將相當於干擾物2與被干擾物3之間的距離D之線段延長的直線方向，X方向係在圖中之水平面內與Y方向正交的方向。Z方向係與水平面正交的方向。電磁干擾抑制體6，係自Z方向觀察時覆蓋干擾物2之全周，且於Y方向上以不到達干擾物3的方式覆蓋干擾物2之周邊。

將干擾物2之上面與筐體5的下面之間的距離設為距離H2。將被干擾物3之上面與筐體5的下面之間的距離設為距離H3。此時，距離D、H2、H3，係根據電子裝置1、干擾物2、被干擾物3等之大小而異。例如，於電子裝置1為桌上型個人電腦(PC)之情況下，可考慮將距離D設為5~300mm，將距離H2、H3設為1~5mm。於電子裝置1為手機終端等攜帶機器之情況下，可考慮設為將上述桌上型PC的距離D、H2、H3分別縮小1/3~1/5的長度。

作為模擬電子裝置1的評價系統，將如第3圖之評價系統10模型化。關於評價系統10，係使用ANSYS‧Japan有限公司之高頻3維電磁場分析軟體ANSYS HFSS計算內部去耦Rda。於評價系統10中，2組之天線11、12係環形線圈，一者與干擾物2對應，另一者與被干擾物3對應。將天線11、12分別連接於未圖示之網路分析儀(Network analyzer)的埠1、埠2，且根據其穿透特性S21評價天線11、12之間的耦合。評價之參數即內部去耦Rda，係顯示天線間之耦合度的指標，且顯示值越大則耦合越弱。亦即，顯示內部去耦Rda的值越大，則雜訊的傳播越是藉由電磁干擾抑制體13而被抑制。內部去耦Rda，係由下式求得。

Rda=S21R-S21M

其中，S21R係無電磁干擾抑制體13之情況下的S參數。S21M係具有電磁干擾抑制體13之情況下的S參數。電磁干擾抑制體13，係與電磁干擾抑制體6對應。電磁干擾抑制體13，係將Si9.8%-Al6.0%-Fe組成(質量%)的軟磁性金屬粉末扁平化後，分散於粉末填充性優異之彈性體中，且厚度為0.2mm的電磁干擾抑制體。天線11、12分別具有1mm的厚度。天線11、12間的距離，係與上述距離D對應，其長度為10mm。

以Y顯示電磁干擾抑制體13之位置。如第4圖所示，Y係將朝與天線11正交的方向延伸之直線作為軸的坐標，且將天線11之2面中與天線12對向之側的面設為零，將接近天線12之方向設為正。其中，如第5圖至第11圖所示，分別對電磁干擾抑制體13位於Y=-1mm、0mm、5mm、10mm、11mm、15mm、30mm的位置時之內部去耦Rda進行模擬。再者，本模擬即使在將天線11、12之任一者作為干擾物時也同樣成立。

參照第12圖，對內部去耦Rda的模擬結果進行說明。

於Y=-1mm，亦即電磁干擾抑制體13僅覆蓋天線11前的區域(圖中，較天線11靠上面的區域)，且對天線11、12之任一者皆不覆蓋的情況下，Rda≒0，幾乎沒有效果。

於Y=0mm，亦即電磁干擾抑制體13覆蓋天線11前的區域、及天線11之正上方的情況下，於模擬之全頻帶內，Rda成為正。

Y=0mm時，如第13圖所示，干擾物產生的低頻磁通係被認為是未藉由電磁干擾抑制體集束，而朝被干擾物直線前行。另一方面，干擾物產生的高頻電磁波被認為是既不會被電磁干擾抑制體吸收也不會被反射。

於Y=5mm，亦即覆蓋天線11前的區域外還覆蓋天線11之正上方及自天線11起至寬度5mm的區域之情況下，於模擬之全頻帶內，Rda為正，且除了2GHz附近的一部分外，Rda皆較Y=0mm時大。

Y=5mm時，如第14圖所示，干擾物產生的低頻磁通係被認為是藉由電磁干擾抑制體而被集束。且干擾物產生的高頻電磁波係被認為是一部分由電磁干擾抑制體吸收，一部分被反射，但反射的高頻電磁波朝向偏離被干擾物的方向。

於Y=10mm，亦即覆蓋自天線11前的區域至到達天線12(不包含天線12之正上方)前為止之情況下，在約2.5GHz以下，Rda較Y=5mm的情況大，但在約2.5GHz時進行反轉，且於2.775GHz時，Rda通過零而變為負。但與後述的Y=11m、15mm、30mm的情況比較，在高頻區的下跌小。3GHz時，Rda為-1.5dB。

Y=10mm時，如第15圖所示，干擾物產生的低頻磁通被認為是被電磁干擾抑制體集束。並且干擾物產生的高頻電磁波被認為是一部分由電磁干擾抑制體吸收，一部分被反射。且可考慮為反射的高頻電磁波還被傳遞至被干擾物。

於Y=11mm，亦即覆蓋自天線11前的區域至天線12的正上方之情況下，至約2.4GHz為止，Rda為正，且自此點之後，Rda為負。3GHz時，Rda為-5.0dB。

於Y=15mm，亦即覆蓋自天線11前的區域至通過天線12之正上方且進一步加大寬度4mm的區域之情況下，在約2.16GHz時自正轉變為負。3GHz時，Rda為-6.0dB。

於Y=30mm，即覆蓋自天線11前的區域至通過天線12之正上方且進一步加大寬度19mm的區域之情況下，在約2.43GHz時自正轉變為負。3GHz時，Rda為-5.1dB。

Y=30mm時，與上述Y=10mm時同樣，如第16圖所示，干擾物產生的低頻磁通，係被認為是藉由電磁干擾抑制體而被集束。且干擾物產生的高頻電磁波被認為是一部分由電磁干擾抑制體吸收，一部分被反射。且反射的高頻電磁波被認為還被傳遞至被干擾物。

根據以上的模擬結果，可知為了抑制內部去耦Rda被轉變為負之情況，即為了抑制天線11、12間的電磁耦合的增加，以設為Y=0~10mm為較佳。這即為電磁干擾抑制體13覆蓋通過天線11上且至天線12前為止的狀態。

尤其是在5Y10之情況下，在以下該點較佳，即：即使為2GHz以上之頻帶，內部去耦Rda成為負的區間仍很小，且即使為較低之頻帶，也能獲得較大的內部去耦Rda。此外，於重視在包含2GHz以上之頻帶的全頻帶內，內部去耦Rda為正之情況下，只要設為Y=5mm，內部去耦Rda即可增大，故而較佳。

根據電子裝置1，可於寬頻帶內抑制在其內部產生的電磁干擾。因此，內置的電子電路之高速化及小型化變得容易。此外，於電子裝置1為通信裝置的情況下，可容易確保通信品質。

以下，對電子裝置1之各種變形進行說明。

上述第2圖中，以干擾物2、被干擾物3被配置於基板4上之小型零件作為前提進行了圖示，但干擾物2、被干擾物3也可為配線。此時，干擾物2、被干擾物3、電磁干擾抑制體6之配置如第17圖。此時，對上述電子裝置1的說明，也可大致上直接利用，這點對熟悉該項技藝者而言應可容易理解。

參照第18圖，對電子裝置20進行說明。電子裝置20中，電磁干擾抑制體21之位置與電子裝置1不同。於電子裝置1中，以覆蓋於干擾物2上之方式配置電磁干擾抑制體6，相對於此，於電子裝置20中，以覆蓋於被干擾物3上之方式配置電磁干擾抑制體21。電子裝置20中，在干擾物2上不配置電磁干擾抑制體。

本發明中，為了避免藉由電磁干擾抑制體反射的高頻電磁波抵達被干擾物3，以僅覆蓋干擾物2、被干擾物3之任一者的方式配置電磁干擾抑制體。也可如電子裝置1，以覆蓋干擾物2之方式配置電磁干擾抑制體，或者如電子裝置20，以僅覆蓋被干擾物3的方式配置。在以下說明的變形例中，舉例對以僅覆蓋干擾物、被干擾物之任一者的方式配置電磁干擾抑制體的情況進行說明，但對於防止由電磁干擾抑制體反射的高頻電磁波產生的影響的效果而言，以僅覆蓋另一者的方式配置，也能獲得同樣的效果。

第19圖之電子裝置30，具備沿筐體5之內側的面配置的電磁干擾抑制體21，並且，具備以與此電磁干擾抑制體21對向的方式沿筐體5之外側的面配置的導體板31。自被干擾物3觀察，導體板31係以被電磁干擾抑制體21隱藏的方式配置。因此，導體板31之底面，係設為與電磁干擾抑制體21之底面相同或較其小。導體板31係作為對自筐體5之外部朝被干擾物3飛來的電磁波的電磁屏蔽發揮作用。再者，電子裝置30中，於筐體5上配置導體板31，但也可於筐體5中相當於電磁干擾抑制體21之背面的位置設置開口，且以將導體板31埋入此開口中的方式配置。從防止因反射而引起的雜訊的傳播的觀點來考量，理想是導體板31較小。

第20圖之電子裝置40，係於筐體5中在電磁干擾抑制體21之背面的位置設置凹坑41，且於其中配置天線42者。電子裝置40係手機終端等無線通信終端，天線42係無線通信用的天線。

第21圖之電子裝置50，係取代電子裝置1中之一片基板4，而設置2片基板4A、4B，且分別於基板上配置干擾物2、被干擾物3。如此，干擾物2、被干擾物3不一定要配置在相同的基板上，即使分別配置於不同的基板上，本發明也成立。

對上述電子裝置1、或作為其變形例的電子裝置20、30、40、50，係被設為將電子干擾抑制體黏貼於筐體內面黏貼的構成進行了說明。然而，本發明之功效，係根據干擾物、被干擾物及電磁干擾抑制體的位置關係而產生，因此，支撐電子干擾抑制體之支撐體，不一定要為筐體。例如，也可為於干擾物之周圍的四角設置支柱，且以此支柱支撐電磁干擾抑制體的構造。於此種構造中，有時電磁干擾抑制體被支撐於自筐體分離的位置。

對本發明之第2實施形態的電子裝置60進行說明。上述第1實施形態中，電磁干擾抑制體係沿筐體的內面配置。此外，筐體原則上為絕緣體，但電磁干擾抑制體之筐體外側，也可設為導體。相對於此，於第2實施形態中，被設為以絕緣體覆蓋基板上的干擾物及被干擾物中至少任一者。此外，以電磁干擾抑制體覆蓋以此絕緣體覆蓋之干擾物/被干擾物的絕緣體的更外側中之至少上面。關於第1實施形態，參照第3至第16圖，對評價系統10進行了說明，但此說明對第2實施形態也同樣適用。

如第22圖所示，於電子裝置60中，以絕緣體61覆蓋配置在基板4上的干擾物2，並且於其上配置板狀的電磁干擾抑制體62。絕緣體61例如為封裝樹脂。電磁干擾抑制體62，係完全覆蓋以絕緣體61覆蓋的干擾物2的上面，但不覆蓋側面。圖示之筐體63係電子裝置60的一部分。第22圖所圖示者，係筐體63的一部分，於左右端部之波紋線的前面部分連續有筐體63之未圖示的部分。筐體63除配置電磁干擾抑制體的部分外，並無須為絕緣體的限制，也可為全部由金屬構成的筐體。這是因為以絕緣體61覆蓋干擾物2，因此不會產生因金屬筐體而引起的雜訊反射。

於屬電子裝置60之變形的電子裝置70中，如第23圖所示，在以絕緣體61覆蓋配置於基板4上的干擾物2之點，與電子裝置60相同。電子裝置60中，電磁干擾抑制體62為板狀，且具有經由絕緣體61將電磁干擾抑制體62載置於干擾物2上的構造。相對於此，電子裝置70中，電磁干擾抑制體71，係具有柔軟性的片狀，且覆蓋絕緣體61之上面及側面全周，並且，還覆蓋其周邊之基板4的表面。

如第24圖所示，電磁干擾抑制體71，係使磁性扁平粉73呈層狀分佈於例如由樹脂72構成的片體者。電磁干擾抑制體71，也可作為第1實施形態的電磁干擾抑制體6、13、21或電子裝置60之電磁干擾抑制體62使用。此外，第24圖所圖示者，僅為電磁干擾抑制體的一例而已，也可使用與電磁干擾抑制體71不同的構成者。

樹脂72例如為丙烯酸橡膠、氯化聚乙烯、聚丁二烯、聚異戊二烯、EPM、EPDM、SBR、腈橡膠、環氧氯丙烷、氯丁橡膠、丁基、多硫化物、氨基甲酸乙酯橡膠等彈性體橡膠、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、丙烯、聚氯乙烯、聚碳酸酯、尼龍、氨基甲酸乙酯、PBT、PET、ABS等熱可塑性樹脂、三聚氰胺、苯酚、環氧、氨基甲酸乙酯、聚醯亞胺、鄰苯二甲酸二烯丙酯(DAP)、不飽和聚酯、呋喃等熱硬化性樹脂。磁性扁平粉73例如為由鐵系非晶質合金構成的扁平狀的軟磁性粒子。

於電子裝置70中，由於不僅僅是干擾物2上面，並且連側面也以電磁干擾抑制體71覆蓋，因此例如，即使干擾物2為較高的情況下，也能有效地抑制雜訊。

再者，於電子裝置60、70中，雖在覆蓋干擾物2的絕緣體61、62上配置電磁干擾抑制體62、72，但也可取代干擾物2而以絕緣體覆蓋被干擾物3，並且於其上配置電磁干擾抑制體。

此外，於電子裝置60、70中，具有自配置於基板4上的干擾物2上以絕緣體61覆蓋的構造，但也可預先以絕緣體61覆蓋除了配線等一部分以外的干擾物2整體後，再配置於基板4上。

此外，於電子裝置70中，雖設為將以絕緣體61覆蓋的干擾物2與其周邊的基板4一併以電磁干擾抑制體71覆蓋的構造，但也可設為預先以電磁干擾抑制體71覆蓋由絕緣體61覆蓋的干擾物2，然後再配置於基板4上的構造。

此外，孰悉該項技藝者當然容易理解，可適宜地組合第1實施形態的變形與第2實施形態。例如，如第21圖之電子裝置50，也可將以絕緣體61、電磁干擾抑制體62或71覆蓋的干擾物2及被干擾物3分別配置於不同之基板上，這點對孰悉該項技藝者而言，是不言而喻的。

Claims

一種電子裝置，其具備：干擾物，其產生電磁波；被干擾物，其會受電磁波的影響；基板，其用以載置上述干擾物及上述被干擾物；及電磁干擾抑制體，其僅沿上述干擾物及上述被干擾物之任一者而與上述基板平行地配置，在將上述干擾物的端部且是與上述被干擾物對向的端部設為第1端部，將上述被干擾物的端部且是與上述干擾物對向的端部設為第2端部時，上述電磁干擾抑制體之一端部，係配置於上述第1端部與上述第2端部之間。
如請求項1之電子裝置，其中更具備一絕緣體，該絕緣體係沿上述干擾物及上述被干擾物的任一者而與上述基板平行配置。
如請求項2之電子裝置，其中更具備一筐體，該筐體係圍繞上述干擾物及上述被干擾物之兩者，且上述筐體具備上述電磁干擾抑制體及上述絕緣體。
如請求項1至3中任一項之電子裝置，其中具備一導體板，該導體板係於沿上述電磁干擾抑制體之一面配置上述干擾物及上述被干擾物的任一者時，被沿上述電磁干擾抑制體之另一面配置。
如請求項1至3中任一項之電子裝置，其中上述干擾物及上述被干擾物，分別為電子零件、電子電路、及配線的任一者。
如請求項5之電子裝置，其中上述干擾物為電源線，上述被干擾物為信號線。
如請求項1至3中任一項之電子裝置，其中具備複數個基板，此等基板包含相互不同的第1及第2基板，且上述干擾物係配置於上述第1基板，上述被干擾物係配置於上述第2基板。
一種通信裝置，係如請求項1至7中任一項之電子裝置。
一種電磁干擾抑制體的配置方法，係於電子裝置中，在將干擾物的端部且是與被干擾物對向的端部設為第1端部，將上述被干擾物的端部且是與上述干擾物對向的端部設為第2端部時，電磁干擾抑制體之一端部，係以位於上述第1端部與上述第2端部之間的方式配置，其中該電子裝置具備：上述干擾物，其產生電磁波；上述被干擾物，其會受電磁波的影響；基板，其用以載置上述干擾物及上述被干擾物；及上述電磁干擾抑制體，其僅沿上述干擾物及上述被干擾物之任一者而與上述基板平行地配置。