JP2001268190A - 通信端末装置 - Google Patents
通信端末装置Info
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- JP2001268190A JP2001268190A JP2000084746A JP2000084746A JP2001268190A JP 2001268190 A JP2001268190 A JP 2001268190A JP 2000084746 A JP2000084746 A JP 2000084746A JP 2000084746 A JP2000084746 A JP 2000084746A JP 2001268190 A JP2001268190 A JP 2001268190A
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- wave absorber
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- module
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- Telephone Set Structure (AREA)
- Telephone Function (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 狭小な内部空間に不要な電波を吸収するため
の電波吸収体を効率よく配設する。 【解決手段】 ホスト機器と着脱自在に接続されるコネ
クタ部を有し、アンテナ素子と、高周波信号処理を行う
素子と、ベースバンド信号処理を行う素子と、ストレー
ジ機能用メモリー素子とが厚さ3.5mm以下の筐体に
実装されてなる通信端末装置において、筐体に電波吸収
体が配されている。
の電波吸収体を効率よく配設する。 【解決手段】 ホスト機器と着脱自在に接続されるコネ
クタ部を有し、アンテナ素子と、高周波信号処理を行う
素子と、ベースバンド信号処理を行う素子と、ストレー
ジ機能用メモリー素子とが厚さ3.5mm以下の筐体に
実装されてなる通信端末装置において、筐体に電波吸収
体が配されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報通信機能及び
ストレージ機能を小型モジュール内に集約した通信端末
装置に関するものであり、例えばパーソナルコンピュー
タ、携帯電話、ビデオ機器、オーディオ機器等のホスト
機器とネットワークとを接続するための着脱自在な超小
型通信端末装置に関する。
ストレージ機能を小型モジュール内に集約した通信端末
装置に関するものであり、例えばパーソナルコンピュー
タ、携帯電話、ビデオ機器、オーディオ機器等のホスト
機器とネットワークとを接続するための着脱自在な超小
型通信端末装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、音楽や、音声、画像等のデータが
デジタル化され、パーソナルコンピュータやモバイルコ
ンピュータで容易に扱えるようになってきた。また、音
声コーデックや画像コーデックにより帯域が圧縮され、
デジタル通信やデジタル放送を利用してそれらのデータ
を容易に配信できる環境が整ってきている。
デジタル化され、パーソナルコンピュータやモバイルコ
ンピュータで容易に扱えるようになってきた。また、音
声コーデックや画像コーデックにより帯域が圧縮され、
デジタル通信やデジタル放送を利用してそれらのデータ
を容易に配信できる環境が整ってきている。
【0003】これらオーディオ−ビデオ(AV)データ
の通信においては、セルラー電話やコードレスフォン等
により戸外での送受信が可能になってきている他、家庭
内でも様々なホームネットワークが提案されている。
の通信においては、セルラー電話やコードレスフォン等
により戸外での送受信が可能になってきている他、家庭
内でも様々なホームネットワークが提案されている。
【0004】このような通信のためのネットワークとし
ては、例えばIEEE802.11において提案されているような
5GHz帯のホームネットワーク、2.45GHzのL
AN、さらには“Bluetooth”と呼ばれる近距離通信、
ワイヤレスコミュニケーション方式等が提唱されてお
り、次世代ワイヤレスネットワークとして期待されてい
る。
ては、例えばIEEE802.11において提案されているような
5GHz帯のホームネットワーク、2.45GHzのL
AN、さらには“Bluetooth”と呼ばれる近距離通信、
ワイヤレスコミュニケーション方式等が提唱されてお
り、次世代ワイヤレスネットワークとして期待されてい
る。
【0005】また、家庭内や戸外でこれらのワイヤレス
ネットワークを用いることにより、シームレスに様々な
データのやり取り、インターネットへのアクセス、イン
ターネット上へのデータの送受信等が可能になる。
ネットワークを用いることにより、シームレスに様々な
データのやり取り、インターネットへのアクセス、イン
ターネット上へのデータの送受信等が可能になる。
【0006】但し、このような環境を実現するために
は、音楽やビデオを再生・記録する、いわゆるAV機器
も通信機能を装置に装着する必要が生じる。
は、音楽やビデオを再生・記録する、いわゆるAV機器
も通信機能を装置に装着する必要が生じる。
【0007】一方、AVデータのデジタル化は、データ
の記録、蓄積の面から見たとき、ハードディスクや光磁
気(MO)ディスク、或いは半導体メモリー等、コンピ
ュータのストレージへの記録、蓄積が可能であることを
意味し、それぞれ独自のフォーマットを持った従来のア
ナログ記録方式(例えば、オーディオコンパクトカセッ
ト、VHS方式ビデオカセット、いわゆるレーザーディ
スク(登録商標)等)に取って代わる様相を呈してい
る。
の記録、蓄積の面から見たとき、ハードディスクや光磁
気(MO)ディスク、或いは半導体メモリー等、コンピ
ュータのストレージへの記録、蓄積が可能であることを
意味し、それぞれ独自のフォーマットを持った従来のア
ナログ記録方式(例えば、オーディオコンパクトカセッ
ト、VHS方式ビデオカセット、いわゆるレーザーディ
スク(登録商標)等)に取って代わる様相を呈してい
る。
【0008】特に、フラッシュメモリー等の半導体メモ
リーは、記録容量当たりの体積が非常に小さく、着脱可
能なメモリーモジュールとして独自のインターフェース
を持ったものが、デジタルスチルカメラやビデオカメ
ラ、携帯型音響機器、ノート型パソコン等に採用され始
めており、このメモリーモジュールを用いて、音声や画
像等のデータの機器から機器への移動や移植、記録、蓄
積が行われるようになってきている。
リーは、記録容量当たりの体積が非常に小さく、着脱可
能なメモリーモジュールとして独自のインターフェース
を持ったものが、デジタルスチルカメラやビデオカメ
ラ、携帯型音響機器、ノート型パソコン等に採用され始
めており、このメモリーモジュールを用いて、音声や画
像等のデータの機器から機器への移動や移植、記録、蓄
積が行われるようになってきている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、個人用
のAV機器にも、あらゆるネットワークへの接続のため
のインターフェースが必要になってきているが、例えば
個人用に携帯性を重視して作られる、いわゆるモバイル
機器においては、複数の通信ポートを設けたり、複数の
通信ハードウェアを内蔵するのは非常に負担が大きく、
普及の妨げとなっている。
のAV機器にも、あらゆるネットワークへの接続のため
のインターフェースが必要になってきているが、例えば
個人用に携帯性を重視して作られる、いわゆるモバイル
機器においては、複数の通信ポートを設けたり、複数の
通信ハードウェアを内蔵するのは非常に負担が大きく、
普及の妨げとなっている。
【0010】また、様々なワイヤレスコミュニケーショ
ン手段を装着することも、携帯機器には非常に負担であ
り、特に無線通信方式を用いる複数の異なる通信手段の
同時搭載は、同一の帯域や、異なる帯域でも混信やお互
いの干渉などの問題を引き起こす可能性があり、好まし
くない。
ン手段を装着することも、携帯機器には非常に負担であ
り、特に無線通信方式を用いる複数の異なる通信手段の
同時搭載は、同一の帯域や、異なる帯域でも混信やお互
いの干渉などの問題を引き起こす可能性があり、好まし
くない。
【0011】そこで、本発明者らは、いわゆるメモリー
モジュールの中に通信機能を搭載し、メモリーモジュー
ルの有するホスト側のAV機器とのインターフェースに
対して着脱可能とした超小型通信モジュールを、平成1
1年特許願第323453号において提案した。
モジュールの中に通信機能を搭載し、メモリーモジュー
ルの有するホスト側のAV機器とのインターフェースに
対して着脱可能とした超小型通信モジュールを、平成1
1年特許願第323453号において提案した。
【0012】ところで、このような通信モジュールで
は、外乱となる外部からの電波や内部から漏洩する電波
等を吸収してノイズや電波障害を防止し、機能の安定化
を図る必要がある。例えば、この通信モジュール内部か
ら漏洩する不要輻射や、アンテナ素子と各信号処理を行
う素子とのカップリング、空洞共振と呼ばれる空間的電
磁的共振等の対策を施す必要がある。
は、外乱となる外部からの電波や内部から漏洩する電波
等を吸収してノイズや電波障害を防止し、機能の安定化
を図る必要がある。例えば、この通信モジュール内部か
ら漏洩する不要輻射や、アンテナ素子と各信号処理を行
う素子とのカップリング、空洞共振と呼ばれる空間的電
磁的共振等の対策を施す必要がある。
【0013】この解決策としては、通信モジュール内部
の配線の見直しが考えられる。しかしながら、このよう
な超小型通信モジュールでは、スペース的に設計変更の
自由度が低く、短時間に設計を変更することはコストの
面からも困難であり、有効な解決方法とはならない。
の配線の見直しが考えられる。しかしながら、このよう
な超小型通信モジュールでは、スペース的に設計変更の
自由度が低く、短時間に設計を変更することはコストの
面からも困難であり、有効な解決方法とはならない。
【0014】一方、通信モジュールの内部に不要な電波
を吸収するための電波吸収体を配設することが考えられ
る。しかしながら、このような電波吸収体を配設する空
間がほとんどない超小型通信モジュールでは、この電波
吸収体を如何に効率よく配設するかといった問題があっ
た。
を吸収するための電波吸収体を配設することが考えられ
る。しかしながら、このような電波吸収体を配設する空
間がほとんどない超小型通信モジュールでは、この電波
吸収体を如何に効率よく配設するかといった問題があっ
た。
【0015】そこで、本発明はこのような従来の事情に
鑑みて提案されたものであり、狭小な内部空間に不要な
電波を吸収するための電波吸収体を効率よく配設するこ
とを可能とした超小型化の通信端末装置を提供すること
を目的とする。
鑑みて提案されたものであり、狭小な内部空間に不要な
電波を吸収するための電波吸収体を効率よく配設するこ
とを可能とした超小型化の通信端末装置を提供すること
を目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】この目的を達成する本発
明に係る通信端末装置は、ホスト機器と着脱自在に接続
されるコネクタ部を有し、アンテナ素子と、高周波信号
処理を行う素子と、ベースバンド信号処理を行う素子
と、ストレージ機能用メモリー素子とが厚さ3.5mm
以下の筐体に実装されてなる通信端末装置において、筐
体に電波吸収体が配されていることを特徴とする。
明に係る通信端末装置は、ホスト機器と着脱自在に接続
されるコネクタ部を有し、アンテナ素子と、高周波信号
処理を行う素子と、ベースバンド信号処理を行う素子
と、ストレージ機能用メモリー素子とが厚さ3.5mm
以下の筐体に実装されてなる通信端末装置において、筐
体に電波吸収体が配されていることを特徴とする。
【0017】この通信端末装置では、筐体に電波吸収体
が配されていることから、内部空間が狭小の場合であっ
ても、電波吸収体の最適な配置が可能となり、不要な電
波を効率よく吸収させることが可能となる。
が配されていることから、内部空間が狭小の場合であっ
ても、電波吸収体の最適な配置が可能となり、不要な電
波を効率よく吸収させることが可能となる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した通信端末
装置(通信モジュール)について、図面を参照して詳細
に説明する。
装置(通信モジュール)について、図面を参照して詳細
に説明する。
【0019】これまで提案されているメモリーモジュー
ルは、何れも厚さが3.5mm以下である。それに対し
て、本発明を適用した通信端末装置は、このような超小
型メモリーモジュール内に通信機能を実現するための素
子を実装することで、情報通信機能とストレージ機能を
集約し、全く新たな超小型通信モジュールとしたもので
ある。
ルは、何れも厚さが3.5mm以下である。それに対し
て、本発明を適用した通信端末装置は、このような超小
型メモリーモジュール内に通信機能を実現するための素
子を実装することで、情報通信機能とストレージ機能を
集約し、全く新たな超小型通信モジュールとしたもので
ある。
【0020】以下、いわゆるメモリースティック(商品
名)と同様の筐体内にストレージ機能や通信機能を実現
するための素子を実装した通信モジュールを例に、その
具体的な構造を説明する。
名)と同様の筐体内にストレージ機能や通信機能を実現
するための素子を実装した通信モジュールを例に、その
具体的な構造を説明する。
【0021】メモリースティックは、全体の厚さが2.
8mmであり、ストレージ機能用メモリーが50.0m
m×21.45mmの矩形状の筐体内に収められてい
る。筐体も含めた体積は3ml以下である。筐体は、A
BS樹脂や液晶ポリマー(LCP)等の成形部材からな
り、上蓋と下蓋とに二分割されている。
8mmであり、ストレージ機能用メモリーが50.0m
m×21.45mmの矩形状の筐体内に収められてい
る。筐体も含めた体積は3ml以下である。筐体は、A
BS樹脂や液晶ポリマー(LCP)等の成形部材からな
り、上蓋と下蓋とに二分割されている。
【0022】本例では、このような限られた空間内に、
ストレージ機能、通信機能を付加するための素子を高密
度実装している。
ストレージ機能、通信機能を付加するための素子を高密
度実装している。
【0023】図1は、本発明を適用した通信モジュール
の外観を示すものであり、長方形状の筐体1の一端側に
は、ホスト機器との接続を図るためのコネクタ部となる
端子2が設けられている。
の外観を示すものであり、長方形状の筐体1の一端側に
は、ホスト機器との接続を図るためのコネクタ部となる
端子2が設けられている。
【0024】したがって、本発明を適用したモジュール
は、ホスト機器との間のデータの授受を行うための入出
力インターフェースを有していることが必要である。
は、ホスト機器との間のデータの授受を行うための入出
力インターフェースを有していることが必要である。
【0025】この入出力インターフェースには、任意の
ものを採用することができるが、上述したように、本発
明は、これまで提案されているメモリーモジュールに通
信機能を集約するというのが基本的な考えであるので、
この場合には市販メモリーモジュールの入出力インター
フェースをそのまま流用する。したがって、本例では、
メモリースティックの入出力インターフェースをそのま
ま流用して用いる。
ものを採用することができるが、上述したように、本発
明は、これまで提案されているメモリーモジュールに通
信機能を集約するというのが基本的な考えであるので、
この場合には市販メモリーモジュールの入出力インター
フェースをそのまま流用する。したがって、本例では、
メモリースティックの入出力インターフェースをそのま
ま流用して用いる。
【0026】上記筐体1内には、通信機能及びストレー
ジ機能を有する各種素子が実装されており、この実装状
態を示すのが図2及び図3である。実装される素子は、
主に、ストレージ機能用メモリー素子3と、ベースバン
ド信号処理を行うための素子(ベースバンドLSI)
4、高周波信号処理を行う素子(RFモジュール)5、
アンテナ素子6である。
ジ機能を有する各種素子が実装されており、この実装状
態を示すのが図2及び図3である。実装される素子は、
主に、ストレージ機能用メモリー素子3と、ベースバン
ド信号処理を行うための素子(ベースバンドLSI)
4、高周波信号処理を行う素子(RFモジュール)5、
アンテナ素子6である。
【0027】これらの素子は、本例では、厚さ0.2m
m以下のフレキシブル配線基板7に実装され、全体の厚
さが2.8mm以下という筐体1内の限られた空間に収
められている。
m以下のフレキシブル配線基板7に実装され、全体の厚
さが2.8mm以下という筐体1内の限られた空間に収
められている。
【0028】上記フレキシブル配線基板7の一端側に
は、上記筐体1に設けられた端子列2と対応して接続端
子部7aが設けられており、この接続端子部7aを端子
列2と電気的に接続することで、端子列2を介してホス
ト機器との間のデータの授受が可能である。
は、上記筐体1に設けられた端子列2と対応して接続端
子部7aが設けられており、この接続端子部7aを端子
列2と電気的に接続することで、端子列2を介してホス
ト機器との間のデータの授受が可能である。
【0029】上記筐体1は長方形であるので、本例で
は、接続端子部7a側から順に、ストレージ機能用メモ
リー素子3、ベースバンドLSI4、RFモジュール
5、アンテナ素子6が配列されている。
は、接続端子部7a側から順に、ストレージ機能用メモ
リー素子3、ベースバンドLSI4、RFモジュール
5、アンテナ素子6が配列されている。
【0030】これは、損失を極力小さくするとの観点か
ら決定されたものであり、配列を替えた場合には配線が
複雑になり、その結果、損失が増大し、またRFモジュ
ール5による干渉、アンテナ素子6の機能低下等が問題
となる。
ら決定されたものであり、配列を替えた場合には配線が
複雑になり、その結果、損失が増大し、またRFモジュ
ール5による干渉、アンテナ素子6の機能低下等が問題
となる。
【0031】各素子は、いわゆるチップ部品とされてお
り、図4に示すように、各種配線パターンや接続端子が
形成されたフレキシブル配線基板7に他の一般部品8と
ともに実装されている。
り、図4に示すように、各種配線パターンや接続端子が
形成されたフレキシブル配線基板7に他の一般部品8と
ともに実装されている。
【0032】次に、各素子の構造及び機能について説明
する。
する。
【0033】先ず、RFモジュール5であるが、これは
アンテナ素子6より入った高周波信号を検波再生し、ベ
ースバンド信号に変換するという機能を有する。
アンテナ素子6より入った高周波信号を検波再生し、ベ
ースバンド信号に変換するという機能を有する。
【0034】RFモジュールを構成する機能素子として
は、共振器、フィルタ、キャパシタ、インダクタ等が挙
げられ、通常、これらはチップ部品として実装される
が、ここでは、上述したような限られた空間に収容する
ため、これらを多層基板内に内蔵し、素子全体の厚さを
極力小さくするように設計されている。
は、共振器、フィルタ、キャパシタ、インダクタ等が挙
げられ、通常、これらはチップ部品として実装される
が、ここでは、上述したような限られた空間に収容する
ため、これらを多層基板内に内蔵し、素子全体の厚さを
極力小さくするように設計されている。
【0035】図5は、このRFモジュール5の一例を示
すものである。このRFモジュール5では、セラミック
基板(或いは有機基板)51の内層或いは外層に、共振
器(フィルタ)52、キャパシタ53、インダクタ54
等が多層化技術により組み込まれ、内蔵化されている。
各機能素子間は、これらを繋ぐ配線パターン、スルーホ
ール等により電気的に接続されており、セラミック基板
51自体が一つの機能部品として動作する。
すものである。このRFモジュール5では、セラミック
基板(或いは有機基板)51の内層或いは外層に、共振
器(フィルタ)52、キャパシタ53、インダクタ54
等が多層化技術により組み込まれ、内蔵化されている。
各機能素子間は、これらを繋ぐ配線パターン、スルーホ
ール等により電気的に接続されており、セラミック基板
51自体が一つの機能部品として動作する。
【0036】そして、これら機能素子が内蔵されたセラ
ミック基板51に、その他のチップ部品55やRF半導
体LSI56を実装することで、一つのチップ部品とし
てRFモジュール5が構成されている。
ミック基板51に、その他のチップ部品55やRF半導
体LSI56を実装することで、一つのチップ部品とし
てRFモジュール5が構成されている。
【0037】ここで、RF半導体LSI56は、フリッ
プチップ接続によりセラミック基板51に搭載されてお
り、接続による厚さの増加が抑えられている。フリップ
チップ接続は、半導体チップ表面の電極上にバンプと呼
ばれる突起電極を形成し、表裏逆にして配線基板の電極
とバンプとを位置合わせし、いわゆるフェースダウンボ
ンディングで接続する実装方法である。本例でも、RF
半導体LSI56にバンプ(例えば、はんだバンプ)5
7に形成し、これをセラミック基板51の電極と位置合
わせし、これを加熱溶融することでフェースダウンボン
ディングされている。このフリップチップ接続によれ
ば、例えばワイヤーボンディングと比べて、ワイヤーの
引き回し空間が不要となり、特に高さ方向の寸法を大幅
に削減することができる。
プチップ接続によりセラミック基板51に搭載されてお
り、接続による厚さの増加が抑えられている。フリップ
チップ接続は、半導体チップ表面の電極上にバンプと呼
ばれる突起電極を形成し、表裏逆にして配線基板の電極
とバンプとを位置合わせし、いわゆるフェースダウンボ
ンディングで接続する実装方法である。本例でも、RF
半導体LSI56にバンプ(例えば、はんだバンプ)5
7に形成し、これをセラミック基板51の電極と位置合
わせし、これを加熱溶融することでフェースダウンボン
ディングされている。このフリップチップ接続によれ
ば、例えばワイヤーボンディングと比べて、ワイヤーの
引き回し空間が不要となり、特に高さ方向の寸法を大幅
に削減することができる。
【0038】ベースバンドLSI4は、通信の信号処理
及び、後述するメモリー機能をコントロールするコント
ローラ、或いは通信モジュールがホスト側インターフェ
ースに挿入された際のインターフェース機能を司る機能
等を有するLSIである。また、場合によっては、本例
の通信モジュールに搭載の通信機能を用いて、インター
ネット接続を行った場合の個人情報やプロバイダ情報を
格納しておくことで、半自動的に特定のサイトへの接続
や情報の発信、受信を可能にせしめるような機能も有す
る。
及び、後述するメモリー機能をコントロールするコント
ローラ、或いは通信モジュールがホスト側インターフェ
ースに挿入された際のインターフェース機能を司る機能
等を有するLSIである。また、場合によっては、本例
の通信モジュールに搭載の通信機能を用いて、インター
ネット接続を行った場合の個人情報やプロバイダ情報を
格納しておくことで、半自動的に特定のサイトへの接続
や情報の発信、受信を可能にせしめるような機能も有す
る。
【0039】上記ベースバンドLSI4は、単一のLS
Iチップとして構成することができれば理想的である
が、様々な機能を盛り込む必要があるため、通常は複数
のLSIチップを組み合わせることにより構成される。
Iチップとして構成することができれば理想的である
が、様々な機能を盛り込む必要があるため、通常は複数
のLSIチップを組み合わせることにより構成される。
【0040】このとき、スペースファクタ等を考慮する
と、先のRFモジュール5の場合と同様、フリップチッ
プ接続を利用した縦積み構造とすることが有利である。
と、先のRFモジュール5の場合と同様、フリップチッ
プ接続を利用した縦積み構造とすることが有利である。
【0041】図6は、2つのLSIチップを縦積みした
ベースバンドLSI4の一例を示すものである。
ベースバンドLSI4の一例を示すものである。
【0042】このベースバンドLSI4は、第1の半導
体LSI41の上に、第2の半導体LSI(例えば、フ
ラッシュROM)42が載置され、さらにこれらが中間
基板(インターポーザ基板)43に搭載された縦積み状
態のチップサイズパッケージとして構成されている。
体LSI41の上に、第2の半導体LSI(例えば、フ
ラッシュROM)42が載置され、さらにこれらが中間
基板(インターポーザ基板)43に搭載された縦積み状
態のチップサイズパッケージとして構成されている。
【0043】上記第1の半導体LSI41と第2の半導
体LSI42とは、フリップチップ接続されており、高
さ方向の寸法を抑える構造とされている。具体的には、
第2の半導体LSI42にバンプ42aが形成され、第
1の半導体LSI41の電極と位置合わせして、フェー
スダウンボンディングされている。
体LSI42とは、フリップチップ接続されており、高
さ方向の寸法を抑える構造とされている。具体的には、
第2の半導体LSI42にバンプ42aが形成され、第
1の半導体LSI41の電極と位置合わせして、フェー
スダウンボンディングされている。
【0044】上記第2の半導体LSI42を搭載した第
1の半導体LSI41は、さらに中間基板43に実装さ
れている。この場合、第1の半導体LSI41と中間基
板43とは、ワイヤー44を利用したワイヤーボンディ
ングにより電極間が電気的に接続されている。3つ以上
の半導体チップを縦積みする場合にも、フリップチップ
接続とワイヤーボンディングとを適宜組み合わせること
で、高さ方向の寸法を抑えながら電気的に接続すること
が可能となる。
1の半導体LSI41は、さらに中間基板43に実装さ
れている。この場合、第1の半導体LSI41と中間基
板43とは、ワイヤー44を利用したワイヤーボンディ
ングにより電極間が電気的に接続されている。3つ以上
の半導体チップを縦積みする場合にも、フリップチップ
接続とワイヤーボンディングとを適宜組み合わせること
で、高さ方向の寸法を抑えながら電気的に接続すること
が可能となる。
【0045】そして、これら第1の半導体LSI41、
第2の半導体LSI42は、樹脂45によりモールドさ
れ保護され、上記中間基板43をはんだボール46を用
いてはんだ付けすることで、フレキシブル配線基板7に
電気的、機械的に固定されている。
第2の半導体LSI42は、樹脂45によりモールドさ
れ保護され、上記中間基板43をはんだボール46を用
いてはんだ付けすることで、フレキシブル配線基板7に
電気的、機械的に固定されている。
【0046】ストレージ機能用メモリー素子3は、いわ
ゆる半導体メモリーであり、通信を介して得た様々なデ
ータの一時蓄積や、ホスト機器から送られる音楽、音
声、画像データ等の一時蓄積を行う。
ゆる半導体メモリーであり、通信を介して得た様々なデ
ータの一時蓄積や、ホスト機器から送られる音楽、音
声、画像データ等の一時蓄積を行う。
【0047】このストレージ機能用メモリー素子3は、
メモリーバス(Memory Bus)をインターポーザを介して
互いに接続することで、3次元的に容量増加が可能であ
る。
メモリーバス(Memory Bus)をインターポーザを介して
互いに接続することで、3次元的に容量増加が可能であ
る。
【0048】図7は、4層構造として容量増加を図った
ストレージ用メモリー素子3の構成例を示すものであ
る。
ストレージ用メモリー素子3の構成例を示すものであ
る。
【0049】各半導体メモリーチップ31は、それぞれ
中間基板(インターポーザ基板)32にバンプ31aを
介してフリップチップ接続され、これが4段積み重ねら
れている。中間基板32間の接続及び最下層の中間基板
32とフレキシブル配線基板7との接続は、はんだホー
ル33を用いたはんだ付けにより行われる。
中間基板(インターポーザ基板)32にバンプ31aを
介してフリップチップ接続され、これが4段積み重ねら
れている。中間基板32間の接続及び最下層の中間基板
32とフレキシブル配線基板7との接続は、はんだホー
ル33を用いたはんだ付けにより行われる。
【0050】半導体メモリーチップ31には、研磨加工
等により、例えば100μm以下程度まで薄くしたチッ
プを用い、全体の厚さを抑えるようにする。また、中間
基板32には、非常に薄いフレキシブル配線基板等を用
い、やはり全体の厚さを抑えるようにする。これによ
り、全体の厚さを大きく増加することなく、大容量化を
図ることができる。
等により、例えば100μm以下程度まで薄くしたチッ
プを用い、全体の厚さを抑えるようにする。また、中間
基板32には、非常に薄いフレキシブル配線基板等を用
い、やはり全体の厚さを抑えるようにする。これによ
り、全体の厚さを大きく増加することなく、大容量化を
図ることができる。
【0051】アンテナ素子6は、当然のことながらアン
テナとして機能するもので、各種形態のものを使用する
ことができるが、ここではチップアンテナを使用した。
テナとして機能するもので、各種形態のものを使用する
ことができるが、ここではチップアンテナを使用した。
【0052】チップアンテナは、アルミナ等の酸化物や
SiO2等のガラス質の単体、若しくは混合物からなる
グリーンシートにパンチング等の方法によりビアを形成
し、これを積層後、焼成を行う、いわゆる多層同時焼成
プロセスにより作製することができ、材料の誘電率も5
程度から300程度まで比較的自由に設定することが可
能である。したがって、アンテナ素子6の実効波長を、
いわゆる「ルートεのファクタ」で短くすることがで
き、アンテナの小型化に非常に有効となる。
SiO2等のガラス質の単体、若しくは混合物からなる
グリーンシートにパンチング等の方法によりビアを形成
し、これを積層後、焼成を行う、いわゆる多層同時焼成
プロセスにより作製することができ、材料の誘電率も5
程度から300程度まで比較的自由に設定することが可
能である。したがって、アンテナ素子6の実効波長を、
いわゆる「ルートεのファクタ」で短くすることがで
き、アンテナの小型化に非常に有効となる。
【0053】図8に、チップアンテナの構造の概要とフ
レキシブル配線基板7からの給電の様子を示す。
レキシブル配線基板7からの給電の様子を示す。
【0054】アンテナ素子(チップアンテナ)6は、ホ
スト機器とのコネクタとなる端子列2とは反対側の端部
に実装されている。また、アンテナ素子6への受給電の
損失を最低限に抑える構造として、RFモジュール5に
隣接してアンテナ素子6が実装されている。
スト機器とのコネクタとなる端子列2とは反対側の端部
に実装されている。また、アンテナ素子6への受給電の
損失を最低限に抑える構造として、RFモジュール5に
隣接してアンテナ素子6が実装されている。
【0055】ここで、アンテナ素子6として用いたチッ
プアンテナは、いわゆる逆F構造を有しており、実効的
にλ/4の長さを有するチップアンテナ内部配線を有
し、その一端部がフレキシブル配線基板7の表面のグラ
ンド(接地)配線パターン71とショートした構造とさ
れている。また、アンテナ素子6は、その中間点に給電
点61を有し、この給電点からチップアンテナ内部配線
へのRF信号の給電・配電が行われる。
プアンテナは、いわゆる逆F構造を有しており、実効的
にλ/4の長さを有するチップアンテナ内部配線を有
し、その一端部がフレキシブル配線基板7の表面のグラ
ンド(接地)配線パターン71とショートした構造とさ
れている。また、アンテナ素子6は、その中間点に給電
点61を有し、この給電点からチップアンテナ内部配線
へのRF信号の給電・配電が行われる。
【0056】アンテナ素子6は、図9に示すように、逆
F構造の先端部に容量性スタブ(メタル短冊状パター
ン)62を設けてもよく、これによりアンテナ素子のさ
らなる実効長低減が可能となる。
F構造の先端部に容量性スタブ(メタル短冊状パター
ン)62を設けてもよく、これによりアンテナ素子のさ
らなる実効長低減が可能となる。
【0057】アンテナ素子6を実装するフレキシブル配
線基板7は、全面がベタのグランド配線パターン72か
らなる裏面と、信号線の引き回しを行う表面層の2層構
造(両面構造)を有しており、RFモジュール5から入
出力される信号がインピーダンスコントロールされた線
路によってアンテナ素子6に供給されるようになってい
る。
線基板7は、全面がベタのグランド配線パターン72か
らなる裏面と、信号線の引き回しを行う表面層の2層構
造(両面構造)を有しており、RFモジュール5から入
出力される信号がインピーダンスコントロールされた線
路によってアンテナ素子6に供給されるようになってい
る。
【0058】具体的には、図8に示すように、表層に設
けられたRFモジュール5までの信号線73が、同一平
面上に形成されたグランド配線パターン71に形成され
たギャップ内に両側のグランド配線パターン71に対し
て等間隔のギャップを介して配線されており、いわゆる
コプレーナ線路を構成している。高周波用線路として
は、このコプレーナ線路に限らず、例えばマイクロスト
リップ線路等を採用することも可能である。
けられたRFモジュール5までの信号線73が、同一平
面上に形成されたグランド配線パターン71に形成され
たギャップ内に両側のグランド配線パターン71に対し
て等間隔のギャップを介して配線されており、いわゆる
コプレーナ線路を構成している。高周波用線路として
は、このコプレーナ線路に限らず、例えばマイクロスト
リップ線路等を採用することも可能である。
【0059】また、表層側のグランド配線パターン71
は、例えばビアホール74等によって裏面側のグランド
配線パターン72と導通されており、グランドとしての
機能を確実に果たすようになっている。
は、例えばビアホール74等によって裏面側のグランド
配線パターン72と導通されており、グランドとしての
機能を確実に果たすようになっている。
【0060】なお、裏面のグランド配線パターン72
は、アンテナ素子6が実装される位置までは形成されて
いない。裏面のグランド配線パターン72がアンテナ素
子6の実装位置に掛かるまで形成されていると、アンテ
ナ素子6が機能しなくなる虞れがある。
は、アンテナ素子6が実装される位置までは形成されて
いない。裏面のグランド配線パターン72がアンテナ素
子6の実装位置に掛かるまで形成されていると、アンテ
ナ素子6が機能しなくなる虞れがある。
【0061】図10及び図11は、フレキシブル配線基
板7の高周波線路の例を示すものである。
板7の高周波線路の例を示すものである。
【0062】本発明を適用した通信モジュールにおいて
は、アンテナとしての機能発現のために、実際にアンテ
ナ素子6が形成(実装)される面を除いて、ほぼ全面が
グランドである必要があり、それを配慮して高周波線路
を構成する必要がある。
は、アンテナとしての機能発現のために、実際にアンテ
ナ素子6が形成(実装)される面を除いて、ほぼ全面が
グランドである必要があり、それを配慮して高周波線路
を構成する必要がある。
【0063】図10に示すのは、いわゆるグランデッド
コンプレーナ線路と呼ばれるもので、基材7bの裏面及
び表面にそれぞれグランド配線パターン71,72が形
成され、表面のグランド配線パターン71間に信号線7
3が所定のギャップG1,G2をもって形成されてい
る。
コンプレーナ線路と呼ばれるもので、基材7bの裏面及
び表面にそれぞれグランド配線パターン71,72が形
成され、表面のグランド配線パターン71間に信号線7
3が所定のギャップG1,G2をもって形成されてい
る。
【0064】このような構成を採用することにより、例
えば基材7bの厚さH及び誘電率、信号線73の幅W、
及び2つのギャップG1,G2の設定によって無限の組
合せで一定インピーダンスの線路を作製することができ
る。
えば基材7bの厚さH及び誘電率、信号線73の幅W、
及び2つのギャップG1,G2の設定によって無限の組
合せで一定インピーダンスの線路を作製することができ
る。
【0065】もうひとつは、図11に示すマイクロスト
リップ線路と呼ばれるものである。マイクロストリップ
線路は、基材7bの裏面にグランド配線パターン72、
表面に信号線73という構成である。この場合、基材7
bの厚さH及び誘電率、信号線73の幅Wによって一定
インピーダンスの線路を作製することができる。
リップ線路と呼ばれるものである。マイクロストリップ
線路は、基材7bの裏面にグランド配線パターン72、
表面に信号線73という構成である。この場合、基材7
bの厚さH及び誘電率、信号線73の幅Wによって一定
インピーダンスの線路を作製することができる。
【0066】以上のように、超小型の通信モジュールを
実現するためには、ほぼベタのグランド層と信号層の少
なくとも2つの配線層を有する配線基板が必要である
が、両面構造のフレキシブル配線基板に限らず、様々な
種類の多層配線基板や、セラミック等、他の種類の材料
を基材に用いた配線基板等も十分に使用することが可能
である。
実現するためには、ほぼベタのグランド層と信号層の少
なくとも2つの配線層を有する配線基板が必要である
が、両面構造のフレキシブル配線基板に限らず、様々な
種類の多層配線基板や、セラミック等、他の種類の材料
を基材に用いた配線基板等も十分に使用することが可能
である。
【0067】また、例えば多層配線基板の場合、必ずし
もグランド配線パターンは裏面に露出している必要はな
く、内層等に形成することも可能である。
もグランド配線パターンは裏面に露出している必要はな
く、内層等に形成することも可能である。
【0068】さらには、フレキシブル配線基板7自体に
グランド配線パターンを設けるのではなく、例えばフレ
キシブル配線基板7と対向する筐体1の内面にグランド
面を形成することも可能である。
グランド配線パターンを設けるのではなく、例えばフレ
キシブル配線基板7と対向する筐体1の内面にグランド
面を形成することも可能である。
【0069】ところで、この通信モジュールには、図3
に示すように、筐体1に電波吸収体9が設けられてい
る。詳述すると、この通信モジュールには、シート状の
電波吸収体9が、ベースバンドLSI4及びRFモジュ
ール5と対向する筐体1の内面に位置して設けられてい
る。
に示すように、筐体1に電波吸収体9が設けられてい
る。詳述すると、この通信モジュールには、シート状の
電波吸収体9が、ベースバンドLSI4及びRFモジュ
ール5と対向する筐体1の内面に位置して設けられてい
る。
【0070】この電波吸収体9は、デジタル部(RFモ
ジュール5)の不要輻射を防止したり、空洞共振と呼ば
れる空間的電磁的共振を抑制するためのものであり、フ
ェライトや金属等の透磁率の高い軟磁性体が微粉化され
て接着樹脂等の有機結合材料中に高濃度且つ高分散され
てなるものである。
ジュール5)の不要輻射を防止したり、空洞共振と呼ば
れる空間的電磁的共振を抑制するためのものであり、フ
ェライトや金属等の透磁率の高い軟磁性体が微粉化され
て接着樹脂等の有機結合材料中に高濃度且つ高分散され
てなるものである。
【0071】この電波吸収体9としては、目的とする周
波数帯域における電波の吸収が極大となるように調節さ
れたものを用いることが好ましく、例えばゴムカーボン
系の電波吸収体、金属繊維含有電波吸収体、フェライト
系電波吸収体、カルボニル鉄系電波吸収体、円盤状軟磁
性金属−樹脂複合体、薄膜電波吸収体、多層構造の電波
吸収体等を用いることが好ましい。
波数帯域における電波の吸収が極大となるように調節さ
れたものを用いることが好ましく、例えばゴムカーボン
系の電波吸収体、金属繊維含有電波吸収体、フェライト
系電波吸収体、カルボニル鉄系電波吸収体、円盤状軟磁
性金属−樹脂複合体、薄膜電波吸収体、多層構造の電波
吸収体等を用いることが好ましい。
【0072】例えば、円盤状金属磁性体を樹脂材料中に
分散された電波吸収体では、磁性体粒子を略円盤状とす
ることにより、周波数限界を数GHz以上の高周波帯域
まで高めることができ、高い周波数で高い透磁率特性を
得ることができる。
分散された電波吸収体では、磁性体粒子を略円盤状とす
ることにより、周波数限界を数GHz以上の高周波帯域
まで高めることができ、高い周波数で高い透磁率特性を
得ることができる。
【0073】具体的に、この円盤状金属磁性体を作製す
るには、先ず、アトマイズ法又は化学的析出法により、
例えば鉄からなる略球形状の磁性体粒子を形成する。
るには、先ず、アトマイズ法又は化学的析出法により、
例えば鉄からなる略球形状の磁性体粒子を形成する。
【0074】アトマイズ法は、高速流体中に溶融金属を
滴下又はノズルから吹き出して、流体によって冷却過程
中に微粒子を形成するものである。この場合、流速や金
属の吹出量等の条件を調節することにより、磁性体粒子
の粒径を自在に変化させることができる。一方、化学的
析出法は、鉄の金属塩を還元して鉄の微粒子を析出する
ものである。この場合も、析出条件を調節することによ
り、磁性体粒子の粒径を自在に変化させることができ
る。
滴下又はノズルから吹き出して、流体によって冷却過程
中に微粒子を形成するものである。この場合、流速や金
属の吹出量等の条件を調節することにより、磁性体粒子
の粒径を自在に変化させることができる。一方、化学的
析出法は、鉄の金属塩を還元して鉄の微粒子を析出する
ものである。この場合も、析出条件を調節することによ
り、磁性体粒子の粒径を自在に変化させることができ
る。
【0075】次に、この略球形状の磁性体粒子を、圧延
ロール又はスタンプミル等を用いて物理的な力を加えて
押し潰すことにより、略円盤状された金属磁性体を得
る。そして、この円盤状金属磁性体を樹脂材料と混合す
ることにより電波吸収体を作製することができる。
ロール又はスタンプミル等を用いて物理的な力を加えて
押し潰すことにより、略円盤状された金属磁性体を得
る。そして、この円盤状金属磁性体を樹脂材料と混合す
ることにより電波吸収体を作製することができる。
【0076】なお、このような金属磁性体の材料として
は、上述した鉄の他に、窒化鉄、パーメンジュール、珪
素鋼、コバルト、パーマロイ、ニッケル、センダスト等
を挙げることができる。これらの他にも、Fe,Co,
Niの強磁性元素を少なくとも1つ以上含む軟磁性金属
材料を用いることができる。また、Cu2MnAl、M
nAl合金のように、強磁性元素を含まないが強磁性体
としての性質を示すホイスラー合金等を用いることがで
きる。
は、上述した鉄の他に、窒化鉄、パーメンジュール、珪
素鋼、コバルト、パーマロイ、ニッケル、センダスト等
を挙げることができる。これらの他にも、Fe,Co,
Niの強磁性元素を少なくとも1つ以上含む軟磁性金属
材料を用いることができる。また、Cu2MnAl、M
nAl合金のように、強磁性元素を含まないが強磁性体
としての性質を示すホイスラー合金等を用いることがで
きる。
【0077】なお、軟磁性金属材料を電磁波の吸収に利
用するためには、有機結合材料を用いて複合化する必要
がある。一般に、金属単体であると電波は完全反射して
しまい、吸収体ではなくシールド材として機能する。電
波吸収体では、軟磁性金属材料を適当な有機結合材料と
複合化することにより、誘電率が50〜200程度とな
り、電波の反射を抑制しつつ電波の吸収効果を発現する
ことが可能となる。
用するためには、有機結合材料を用いて複合化する必要
がある。一般に、金属単体であると電波は完全反射して
しまい、吸収体ではなくシールド材として機能する。電
波吸収体では、軟磁性金属材料を適当な有機結合材料と
複合化することにより、誘電率が50〜200程度とな
り、電波の反射を抑制しつつ電波の吸収効果を発現する
ことが可能となる。
【0078】また、このような有機結合材料としては、
例えば、ポリエステル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、
ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、ブタジエンゴム
系、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、アミド系樹
脂、イミド系樹脂等の公知の樹脂材料を用いることがで
き、その他、使用する目的や対象等に応じて適宜選択し
て用いることができる。なお、有機結合材料の選定や形
成条件及び混合条件等により、作製される電波吸収体を
ペースト状或いはシート状とすることができる。
例えば、ポリエステル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、
ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、ブタジエンゴム
系、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、アミド系樹
脂、イミド系樹脂等の公知の樹脂材料を用いることがで
き、その他、使用する目的や対象等に応じて適宜選択し
て用いることができる。なお、有機結合材料の選定や形
成条件及び混合条件等により、作製される電波吸収体を
ペースト状或いはシート状とすることができる。
【0079】また、この電波吸収体9を筐体1に形成す
る方法としては、シート状の電波吸収体9を筐体1に貼
り付ける方法が挙げられる。具体的には、図12に示す
ように、例えば厚さ50μm〜500μm程度のシート
状の電波吸収体9を用意し、この電波吸収体9の一主面
上に接着層10を薄膜形成する。そして、これをベース
バンドLSI4及びRFモジュール5に対応した大きさ
に切り出し、上述したベースバンドLSI4及びRFモ
ジュール5に対向する筐体1の内面に貼り付ける。
る方法としては、シート状の電波吸収体9を筐体1に貼
り付ける方法が挙げられる。具体的には、図12に示す
ように、例えば厚さ50μm〜500μm程度のシート
状の電波吸収体9を用意し、この電波吸収体9の一主面
上に接着層10を薄膜形成する。そして、これをベース
バンドLSI4及びRFモジュール5に対応した大きさ
に切り出し、上述したベースバンドLSI4及びRFモ
ジュール5に対向する筐体1の内面に貼り付ける。
【0080】これにより、筐体1内の限られた空間に電
波吸収体9を効率よく配設することができ、デジタル部
(RFモジュール5)の不要輻射を防止したり、空洞共
振と呼ばれる空間的電磁的共振を抑制することができ
る。
波吸収体9を効率よく配設することができ、デジタル部
(RFモジュール5)の不要輻射を防止したり、空洞共
振と呼ばれる空間的電磁的共振を抑制することができ
る。
【0081】また、この電波吸収体9を筐体1に形成す
る方法としては、図13に示すように、ペースト状の電
波吸収体9を筐体1上に塗布し、この電波吸収体9を刷
毛11を用いて筐体1上の目的とする範囲に薄く塗り付
けるといった方法が挙げられる。さらに、図14に示す
ように、スプレー12により液状の電波吸収体9を筐体
1上の目的とする範囲に吹き付けるといった方法が挙げ
られる。さらにまた、図15に示すように、筐体1上に
形成される電波吸収体9に対応した開口部を有するマス
ク13を配し、この上にペースト状の電波吸収体9を塗
布して、スキージ14と呼ばれるへらにより薄く引き延
ばした後、筐体1上からマスク13を除去するといっ
た、いわゆるスクリーン印刷と呼ばれる方法が挙げられ
る。
る方法としては、図13に示すように、ペースト状の電
波吸収体9を筐体1上に塗布し、この電波吸収体9を刷
毛11を用いて筐体1上の目的とする範囲に薄く塗り付
けるといった方法が挙げられる。さらに、図14に示す
ように、スプレー12により液状の電波吸収体9を筐体
1上の目的とする範囲に吹き付けるといった方法が挙げ
られる。さらにまた、図15に示すように、筐体1上に
形成される電波吸収体9に対応した開口部を有するマス
ク13を配し、この上にペースト状の電波吸収体9を塗
布して、スキージ14と呼ばれるへらにより薄く引き延
ばした後、筐体1上からマスク13を除去するといっ
た、いわゆるスクリーン印刷と呼ばれる方法が挙げられ
る。
【0082】これら何れの形成方法も、上述したベース
バンドLSI4及びRFモジュール5に対向する筐体1
の内面に電波吸収体9を薄く形成することができる。こ
れにより、筐体1内の限られた空間に電波吸収体9を効
率よく配設することができ、デジタル部(RFモジュー
ル5)の不要輻射を防止したり、空洞共振と呼ばれる空
間的電磁的共振を抑制することができる。
バンドLSI4及びRFモジュール5に対向する筐体1
の内面に電波吸収体9を薄く形成することができる。こ
れにより、筐体1内の限られた空間に電波吸収体9を効
率よく配設することができ、デジタル部(RFモジュー
ル5)の不要輻射を防止したり、空洞共振と呼ばれる空
間的電磁的共振を抑制することができる。
【0083】ところで、この通信モジュールでは、電波
吸収体9がベースバンドLSI4及びRFモジュール5
と対向する筐体1の内面に位置して設けられた構成とさ
れているが、このような構成に必ずしも限定されるもの
ではない。
吸収体9がベースバンドLSI4及びRFモジュール5
と対向する筐体1の内面に位置して設けられた構成とさ
れているが、このような構成に必ずしも限定されるもの
ではない。
【0084】例えば、図16に示すように、シート状の
電波吸収体9a,9bがベースバンドLSI4及びRF
モジュール5と対向する筐体1の内面に位置してそれぞ
れ別個に設けられた構成としてもよい。また、図17に
示すように、電波吸収体9が筐体1の内面の全面に亘っ
てコーティングされたような構成としてもよい。さら
に、本発明を適用した通信モジュールでは、電波吸収体
9が筐体の外面に位置して設けられた構成とすることも
可能である。
電波吸収体9a,9bがベースバンドLSI4及びRF
モジュール5と対向する筐体1の内面に位置してそれぞ
れ別個に設けられた構成としてもよい。また、図17に
示すように、電波吸収体9が筐体1の内面の全面に亘っ
てコーティングされたような構成としてもよい。さら
に、本発明を適用した通信モジュールでは、電波吸収体
9が筐体の外面に位置して設けられた構成とすることも
可能である。
【0085】また、図18に示すように、筐体1の内面
及び/又は外面側に凹部が形成され、この凹部に電波吸
収体が埋め込み形成された構成であってもよい。
及び/又は外面側に凹部が形成され、この凹部に電波吸
収体が埋め込み形成された構成であってもよい。
【0086】この場合、筐体1内の限られた空間を利用
することなく電波吸収体9を配設することができ、この
電波吸収体9をさらに効率よく配設することが可能とな
る。なお、この電波吸収体を凹部に埋め込み形成する際
には、上述した電波吸収体9を筐体1に形成する方法が
適用可能である。
することなく電波吸収体9を配設することができ、この
電波吸収体9をさらに効率よく配設することが可能とな
る。なお、この電波吸収体を凹部に埋め込み形成する際
には、上述した電波吸収体9を筐体1に形成する方法が
適用可能である。
【0087】また、図19に示すように、筐体1となる
部材の内部に電波吸収体9が設けられた構成としてもよ
い。この電波吸収体9を筐体1となる部材の内部に配設
するには、いわゆるインジェクション法と呼ばれる電波
吸収体9を筐体1となる部材中に注入する方法が簡便で
ある。或いは、予め筐体1となる部材に空隙を設けて、
この空隙と略一致した寸法を有する電波吸収体9を装着
又は貼り付けるといった方法が簡便である。
部材の内部に電波吸収体9が設けられた構成としてもよ
い。この電波吸収体9を筐体1となる部材の内部に配設
するには、いわゆるインジェクション法と呼ばれる電波
吸収体9を筐体1となる部材中に注入する方法が簡便で
ある。或いは、予め筐体1となる部材に空隙を設けて、
この空隙と略一致した寸法を有する電波吸収体9を装着
又は貼り付けるといった方法が簡便である。
【0088】この場合も、筐体1内の限られた空間を利
用することなく、電波吸収体9を配設することができ、
この電波吸収体9をさらに効率よく配設することが可能
である。
用することなく、電波吸収体9を配設することができ、
この電波吸収体9をさらに効率よく配設することが可能
である。
【0089】さらに、図20に示すように、電波吸収体
1が筐体1の少なくとも一部を構成しているような構成
であってもよい。
1が筐体1の少なくとも一部を構成しているような構成
であってもよい。
【0090】以上のような構成は、筐体1に電波吸収体
9を設けた際の電波の吸収効果や、デザイン性、強度等
を考慮して設計されることが望ましい。
9を設けた際の電波の吸収効果や、デザイン性、強度等
を考慮して設計されることが望ましい。
【0091】ここで、筐体1に電波吸収体9を設けた場
合の電波の吸収効果について測定した。そして、比較と
して電波吸収体9が設けられていない通信モジュールに
ついても測定を行い、実際に通信モジュールを作動させ
た際に発生する各周波数帯域におけるノイズをスペクト
ラムアナライザーにて測定した。この各周波数帯域とノ
イズとの関係を示す特性図を図21に示す。なお、図2
1において、細線は、筐体1に電波吸収体9を設けた場
合を示し、太線は、筐体1に電波吸収体9が設けられて
いない場合を示す。
合の電波の吸収効果について測定した。そして、比較と
して電波吸収体9が設けられていない通信モジュールに
ついても測定を行い、実際に通信モジュールを作動させ
た際に発生する各周波数帯域におけるノイズをスペクト
ラムアナライザーにて測定した。この各周波数帯域とノ
イズとの関係を示す特性図を図21に示す。なお、図2
1において、細線は、筐体1に電波吸収体9を設けた場
合を示し、太線は、筐体1に電波吸収体9が設けられて
いない場合を示す。
【0092】図21に示すように、筐体1に電波吸収体
9を設けた場合には、約2450MHz付近の周波数帯
域において3〜4dB程度のノイズの低下が確認され
た。このように、筐体1に電波吸収体9を設けること
は、上述したデジタル部(RFモジュール5)の不要輻
射を防止したり、空洞共振と呼ばれる空間的電磁的共振
を抑制する上で大変有効である。
9を設けた場合には、約2450MHz付近の周波数帯
域において3〜4dB程度のノイズの低下が確認され
た。このように、筐体1に電波吸収体9を設けること
は、上述したデジタル部(RFモジュール5)の不要輻
射を防止したり、空洞共振と呼ばれる空間的電磁的共振
を抑制する上で大変有効である。
【0093】以上のように、本発明を適用した通信モジ
ュールでは、筐体1に電波吸収体9が設けられているこ
とから、筐体1内の限られた空間において電波吸収体9
の最適な配置が可能となり、不要な電波を効率よく吸収
させることが可能となる。したがって、この通信モジュ
ールでは、形状的、重量的、コスト的な負担を招くこと
なく、モジュール自体の小型化や薄型化が実現可能とな
る。
ュールでは、筐体1に電波吸収体9が設けられているこ
とから、筐体1内の限られた空間において電波吸収体9
の最適な配置が可能となり、不要な電波を効率よく吸収
させることが可能となる。したがって、この通信モジュ
ールでは、形状的、重量的、コスト的な負担を招くこと
なく、モジュール自体の小型化や薄型化が実現可能とな
る。
【0094】なお、通信モジュールでは、図22及び図
23に示すように、ベースバンドLSI4とRFモジュ
ール5との間、及び筐体1内の空間を埋めるかたちで、
電波吸収体9が設けられた構成としてもよい。ここで
は、所定の形状に成形したものが他の素子と同様、フレ
キシブル配線基板7に実装するようなかたちで取り付け
られている。図22及び図23に示す電波吸収体9のう
ち、RFモジュール5とベースバンドLSI4の間に配
される電波吸収体9は、主にデジタル部であるRFモジ
ュール5の不要輻射の防止を目的に設けられている。空
間に設置された電波吸収体9は、空間的電磁的共振を抑
制することを目的に設けられている。
23に示すように、ベースバンドLSI4とRFモジュ
ール5との間、及び筐体1内の空間を埋めるかたちで、
電波吸収体9が設けられた構成としてもよい。ここで
は、所定の形状に成形したものが他の素子と同様、フレ
キシブル配線基板7に実装するようなかたちで取り付け
られている。図22及び図23に示す電波吸収体9のう
ち、RFモジュール5とベースバンドLSI4の間に配
される電波吸収体9は、主にデジタル部であるRFモジ
ュール5の不要輻射の防止を目的に設けられている。空
間に設置された電波吸収体9は、空間的電磁的共振を抑
制することを目的に設けられている。
【0095】なお、筐体1内のコーナ部等の容易に電波
吸収体9を形成できない場所については、図24に示す
ように、筐体1内部に注射器13等によりペースト状の
電波吸収体9を充填する方法が有効である。
吸収体9を形成できない場所については、図24に示す
ように、筐体1内部に注射器13等によりペースト状の
電波吸収体9を充填する方法が有効である。
【0096】以上、本発明を適用した通信モジュールの
一例について説明してきたが、本発明はこの例に限られ
るものではなく、様々な変形が可能である。
一例について説明してきたが、本発明はこの例に限られ
るものではなく、様々な変形が可能である。
【0097】例えば、先の例では、各素子をフレキシブ
ル配線基板7に実装して筐体1内に収容ようにしたが、
図25に示すように、筐体1の下蓋の内側壁面に配線パ
ターンPを形成し、ここにRFモジュール5やベースバ
ンドLSI4、ストレージ機能用メモリー素子3や、そ
の他の一般部品8等を直接実装するようにしてもよい。
ル配線基板7に実装して筐体1内に収容ようにしたが、
図25に示すように、筐体1の下蓋の内側壁面に配線パ
ターンPを形成し、ここにRFモジュール5やベースバ
ンドLSI4、ストレージ機能用メモリー素子3や、そ
の他の一般部品8等を直接実装するようにしてもよい。
【0098】但し、この場合には、筐体1はリフロー等
の熱処理工程に耐え得る耐熱性が必要であり、液晶ポリ
マー(LCP)等を用いることが好ましい。
の熱処理工程に耐え得る耐熱性が必要であり、液晶ポリ
マー(LCP)等を用いることが好ましい。
【0099】さらに、アンテナ素子6についても、先の
例ではチップアンテナとしたが、図26に示すように、
筐体1の表面に、MID(molded Interconnect Devic
e)等の2段成形法を用いたメッキパターン形成によ
り、例えばλ/2のダイポールアンテナDPを形成する
ようにしてもよい(先の例のように、電波吸収体を全面
に充填する場合、アンテナ素子6を筐体1内に入れるこ
とはできず、本例のようなアンテナ形成との組合せが好
適である。)。
例ではチップアンテナとしたが、図26に示すように、
筐体1の表面に、MID(molded Interconnect Devic
e)等の2段成形法を用いたメッキパターン形成によ
り、例えばλ/2のダイポールアンテナDPを形成する
ようにしてもよい(先の例のように、電波吸収体を全面
に充填する場合、アンテナ素子6を筐体1内に入れるこ
とはできず、本例のようなアンテナ形成との組合せが好
適である。)。
【0100】なお、アンテナ素子を筐体1表面に形成し
た場合、同軸ケーブル等によりフレキシブル配線基板7
のRF入出力端子とダイポールアンテナDPの間を接続
し、給電し得るように構成することが必要である。
た場合、同軸ケーブル等によりフレキシブル配線基板7
のRF入出力端子とダイポールアンテナDPの間を接続
し、給電し得るように構成することが必要である。
【0101】或いは、アンテナ素子を筐体1に設けた突
出部1cに形成することも可能である。
出部1cに形成することも可能である。
【0102】図27は、通信モジュールをホスト機器に
差し込んだ際に、ホスト機器本体から突出する突出部1
aを筐体1に設け、ここにダイポールアンテナDPを形
成した例である。
差し込んだ際に、ホスト機器本体から突出する突出部1
aを筐体1に設け、ここにダイポールアンテナDPを形
成した例である。
【0103】アンテナ素子としては、上記のダイポール
アンテナに限らず、例えば図28に示すようなBow−
tieアンテナBTとすることも可能である。その他、
逆Fアンテナ、パッチアンテナ等、公知のアンテナを形
成することも可能であり、されにはチップアンテナをこ
の部分に実装することも可能である。
アンテナに限らず、例えば図28に示すようなBow−
tieアンテナBTとすることも可能である。その他、
逆Fアンテナ、パッチアンテナ等、公知のアンテナを形
成することも可能であり、されにはチップアンテナをこ
の部分に実装することも可能である。
【0104】これにより、アンテナからの放射電磁界が
ホスト機器に閉じ込められることがなくなり、アンテナ
本体の放射特性が出せるようになる。
ホスト機器に閉じ込められることがなくなり、アンテナ
本体の放射特性が出せるようになる。
【0105】以上のように、超小型通信モジュールを形
成し、そのコネクタ部分をホスト側(例えば、AV機
器、電話、パーソナルコンピュータ等)に挿入すること
で、通信機能を用いて、インターネットはアクセスした
り、これとは反対に、インターネット上から、音楽や画
像データを取り込み一時的にモジュール内部のメモリー
に蓄えたりすることで、あらゆるデータ、情報の通信と
記録機能をホスト側機器に簡単に付与することが可能と
なる。
成し、そのコネクタ部分をホスト側(例えば、AV機
器、電話、パーソナルコンピュータ等)に挿入すること
で、通信機能を用いて、インターネットはアクセスした
り、これとは反対に、インターネット上から、音楽や画
像データを取り込み一時的にモジュール内部のメモリー
に蓄えたりすることで、あらゆるデータ、情報の通信と
記録機能をホスト側機器に簡単に付与することが可能と
なる。
【0106】また、ベースバンドLSIのフラッシュR
OMやEPROM等に、ユーザー個人の情報、例えば、
インターネットプロバイダのアカウント情報やパスワー
ド、形態電話のPINコード等を書き込んでおいたり、
よく使うインターネット上のサイト情報等を入れておく
ことで、半自動的にユーザーの意図する情報の取得や発
信が可能となる。
OMやEPROM等に、ユーザー個人の情報、例えば、
インターネットプロバイダのアカウント情報やパスワー
ド、形態電話のPINコード等を書き込んでおいたり、
よく使うインターネット上のサイト情報等を入れておく
ことで、半自動的にユーザーの意図する情報の取得や発
信が可能となる。
【0107】具体的には、本発明を適用した通信モジュ
ールは、例えば、図29に示すように構成された無線L
AN(Local Area Network)システムに適用される。
ールは、例えば、図29に示すように構成された無線L
AN(Local Area Network)システムに適用される。
【0108】図29に示すように、公衆通信網140と
接続される無線LANシステム101において、ゲート
ウェイとなる通信機器102(102a〜102e)、
通信モジュール103及び通信モジュール103が装着
されるホスト機器104tの間のデータ通信を実現する
ためのBluetooth方式を採用している。
接続される無線LANシステム101において、ゲート
ウェイとなる通信機器102(102a〜102e)、
通信モジュール103及び通信モジュール103が装着
されるホスト機器104tの間のデータ通信を実現する
ためのBluetooth方式を採用している。
【0109】このBluetooth方式とは、日欧5社が19
98年5月に標準化活動を開始した近距離無線通信技術
の呼称である。このBluetooth方式では、最大データ伝
送速度が1Mbps(実効的には721Kbps)、最
大伝送距離が10m程度の近距離無線通信網を構築して
データ通信を行う。このBluetooth方式では、無許可で
利用可能な2.4GHz帯のISM(Industrial Scien
tific Medical)周波数帯域に帯域幅が1MHzのチャ
ンネル79個設定し、1秒間に1600回チャンネルを
切り換える周波数ホッピング方式のスペクトラム拡散技
術を採用して通信モジュール103とホスト機器104
(104a〜104d)との間で電波を送受信する。
98年5月に標準化活動を開始した近距離無線通信技術
の呼称である。このBluetooth方式では、最大データ伝
送速度が1Mbps(実効的には721Kbps)、最
大伝送距離が10m程度の近距離無線通信網を構築して
データ通信を行う。このBluetooth方式では、無許可で
利用可能な2.4GHz帯のISM(Industrial Scien
tific Medical)周波数帯域に帯域幅が1MHzのチャ
ンネル79個設定し、1秒間に1600回チャンネルを
切り換える周波数ホッピング方式のスペクトラム拡散技
術を採用して通信モジュール103とホスト機器104
(104a〜104d)との間で電波を送受信する。
【0110】このBluetooth方式を適用した近距離無線
通信網に含まれる各ホスト機器104は、スレーブマス
ター方式が適用され、処理内容に応じて、周波数ホッピ
ングパターンを決定するマスター機器と、マスター機器
に制御される通信相手のスレーブ機器とに分かれる。マ
スター機器では、一度に7台のスレーブ機器と同時にデ
ータ通信を行うことができる。マスター機器とスレーブ
機器とを加えた計8台の機器で構成するサブネットは、
“piconet(ピコネット)”と呼ばれる。ピコネ
ット内、すなわち無線LANシステム101に含まれる
スレーブ機器となされたホスト機器104は、同時に2
つ以上のピコネットのスレーブ機器となることができ
る。
通信網に含まれる各ホスト機器104は、スレーブマス
ター方式が適用され、処理内容に応じて、周波数ホッピ
ングパターンを決定するマスター機器と、マスター機器
に制御される通信相手のスレーブ機器とに分かれる。マ
スター機器では、一度に7台のスレーブ機器と同時にデ
ータ通信を行うことができる。マスター機器とスレーブ
機器とを加えた計8台の機器で構成するサブネットは、
“piconet(ピコネット)”と呼ばれる。ピコネ
ット内、すなわち無線LANシステム101に含まれる
スレーブ機器となされたホスト機器104は、同時に2
つ以上のピコネットのスレーブ機器となることができ
る。
【0111】図29に示す無線LANシステム101
は、例えばインターネット網等の公衆通信網140とデ
ータの送受信を行う通信機器102(102a〜102
e)と、近距離無線通信網である近距離無線通信網13
0を介して、Bluetooth方式でユーザーデータ等を含む
制御パケットの送受信を通信機器102との間で行う通
信モジュール103と、通信モジュール103との間で
ユーザーデータ等を含む制御パケットの入出力を行うホ
スト機器104(104a〜104e)で構成される。
は、例えばインターネット網等の公衆通信網140とデ
ータの送受信を行う通信機器102(102a〜102
e)と、近距離無線通信網である近距離無線通信網13
0を介して、Bluetooth方式でユーザーデータ等を含む
制御パケットの送受信を通信機器102との間で行う通
信モジュール103と、通信モジュール103との間で
ユーザーデータ等を含む制御パケットの入出力を行うホ
スト機器104(104a〜104e)で構成される。
【0112】ホスト機器104は、通信モジュール10
3と機械的に接続され、ユーザーにより操作される電子
デバイスである。ホスト機器104としては、例えばP
DA(Personal Digital Assistant)104a、デジタ
ルスチルカメラ104b、メール処理端末104c、E
MD(Electoronic Music Distribution)端末104d
等がある。
3と機械的に接続され、ユーザーにより操作される電子
デバイスである。ホスト機器104としては、例えばP
DA(Personal Digital Assistant)104a、デジタ
ルスチルカメラ104b、メール処理端末104c、E
MD(Electoronic Music Distribution)端末104d
等がある。
【0113】通信機器102は、近距離無線通信網13
0を介して通信モジュール103と制御パケット接続さ
れるとともに公衆通信網140に接続され、通信モジュ
ール103と公衆通信網140とを接続するためのゲー
トウェイである。この通信機器102としては、公衆通
信網140とを接続するためのモデム等を備えたパーソ
ナルコンピュータ102a、例えばcdmaOne(登
録商標)(Code Division MultipleAccess)方式やW−
CDMA(Wide Band-Code Division Multiple Acces
s)方式を採用した携帯電話102b、TA/モデム1
02c、STB(Set Top Box)102d、例えばBluet
ooth方式に準じた通信モジュール103と公衆通信網1
40とを接続するための基地局等の準公衆システム10
2eがある。
0を介して通信モジュール103と制御パケット接続さ
れるとともに公衆通信網140に接続され、通信モジュ
ール103と公衆通信網140とを接続するためのゲー
トウェイである。この通信機器102としては、公衆通
信網140とを接続するためのモデム等を備えたパーソ
ナルコンピュータ102a、例えばcdmaOne(登
録商標)(Code Division MultipleAccess)方式やW−
CDMA(Wide Band-Code Division Multiple Acces
s)方式を採用した携帯電話102b、TA/モデム1
02c、STB(Set Top Box)102d、例えばBluet
ooth方式に準じた通信モジュール103と公衆通信網1
40とを接続するための基地局等の準公衆システム10
2eがある。
【0114】公衆通信網140としては、例えばパーソ
ナルコンピュータ102aと電話回線を介して接続され
るインターネット(Internet)網、携帯電話102bと
接続される移動体通信網(Mobile Network)、TA/モ
デム102cと接続されるISDN、STB102dと
接続される衛星通信網(Broadcasting)、準公衆システ
ム102dと接続されるWLL(Wireless Local Loo
p)等がある。公衆通信網140に含まれるインターネ
ット網には、さらに、情報提供サーバ141、メールサ
ーバ142、EMDサーバ143、コミュニティサーバ
144が接続される。情報提供サーバ141では、ホス
ト機器104からの要求を通信モジュール103、通信
機器102を介して受信し、要求に応じた各種情報をホ
スト機器104に送信する。また、メールサーバ142
では、電子メールを管理し、通信機器102、通信モジ
ュール103を介してホスト機器104との間で電子メ
ールを送受信する。さらに、EMDサーバ143では、
通信機器102及び通信モジュール103を介してホス
ト機器104のEMD端末104dに音楽情報を送信し
て、音楽提供サービスを管理する。さらにまた、コミュ
ニティサーバ144では、例えばホスト機器104のデ
ジタルスチルカメラ104bに、例えば街角情報、ニュ
ース情報のダウンロードサービス等を提供するととも
に、ホスト機器4からの情報のアップロード等を管理す
る。
ナルコンピュータ102aと電話回線を介して接続され
るインターネット(Internet)網、携帯電話102bと
接続される移動体通信網(Mobile Network)、TA/モ
デム102cと接続されるISDN、STB102dと
接続される衛星通信網(Broadcasting)、準公衆システ
ム102dと接続されるWLL(Wireless Local Loo
p)等がある。公衆通信網140に含まれるインターネ
ット網には、さらに、情報提供サーバ141、メールサ
ーバ142、EMDサーバ143、コミュニティサーバ
144が接続される。情報提供サーバ141では、ホス
ト機器104からの要求を通信モジュール103、通信
機器102を介して受信し、要求に応じた各種情報をホ
スト機器104に送信する。また、メールサーバ142
では、電子メールを管理し、通信機器102、通信モジ
ュール103を介してホスト機器104との間で電子メ
ールを送受信する。さらに、EMDサーバ143では、
通信機器102及び通信モジュール103を介してホス
ト機器104のEMD端末104dに音楽情報を送信し
て、音楽提供サービスを管理する。さらにまた、コミュ
ニティサーバ144では、例えばホスト機器104のデ
ジタルスチルカメラ104bに、例えば街角情報、ニュ
ース情報のダウンロードサービス等を提供するととも
に、ホスト機器4からの情報のアップロード等を管理す
る。
【0115】上述した無線LANシステムに用いられる
通信モジュール103は、先に説明した本発明を適用し
た通信モジュールであり、図30に示すような内部構成
となっており、これら制御システムが通信モジュール1
03を構成するアンテナ素子6,RFモジュール5、ベ
ースバンドLSI4、ストレージ機能用メモリー素子3
に割り当てられ、単一の筐体1内に収容されている。例
えば、RFモジュール5には、スイッチ部(SW)、受
信部、送信部、ホッピングシンセサイザ部が格納され
る。また、ベースバンドLSI4には、ベースバンド制
御部、インターフェース部、個人情報記憶部、ネットワ
ーク設定記憶部、RAM(Random AccessMemory)、無
線通信CPU(Central Processing Unit)、ROM(R
ead Only Memory)、メモリーコントローラが格納され
ている。
通信モジュール103は、先に説明した本発明を適用し
た通信モジュールであり、図30に示すような内部構成
となっており、これら制御システムが通信モジュール1
03を構成するアンテナ素子6,RFモジュール5、ベ
ースバンドLSI4、ストレージ機能用メモリー素子3
に割り当てられ、単一の筐体1内に収容されている。例
えば、RFモジュール5には、スイッチ部(SW)、受
信部、送信部、ホッピングシンセサイザ部が格納され
る。また、ベースバンドLSI4には、ベースバンド制
御部、インターフェース部、個人情報記憶部、ネットワ
ーク設定記憶部、RAM(Random AccessMemory)、無
線通信CPU(Central Processing Unit)、ROM(R
ead Only Memory)、メモリーコントローラが格納され
ている。
【0116】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る通信端末装置によれば、筐体に電波吸収体が配されて
いることから、筐体内の限られた空間において電波吸収
体の最適な配置が可能となり、不要な電波を効率よく吸
収させることが可能となる。したがって、形状的、重量
的、コスト的な負担を招くことなく、モジュール自体の
小型化や薄型化が実現可能となる。
る通信端末装置によれば、筐体に電波吸収体が配されて
いることから、筐体内の限られた空間において電波吸収
体の最適な配置が可能となり、不要な電波を効率よく吸
収させることが可能となる。したがって、形状的、重量
的、コスト的な負担を招くことなく、モジュール自体の
小型化や薄型化が実現可能となる。
【図1】本発明を適用した通信モジュールの一例を示す
概略平面図である。
概略平面図である。
【図2】通信モジュールを構成する各素子の実装状態の
一例を示す概略平面図である。
一例を示す概略平面図である。
【図3】通信モジュールを構成する各素子の実装状態の
一例を示す概略断面図である。
一例を示す概略断面図である。
【図4】フレキシブル配線基板への素子の取付状態を示
す分解平面図である。
す分解平面図である。
【図5】RFモジュールの断面構造を示す模式図であ
る。
る。
【図6】ベースバンドLSIの断面構造を示す模式図で
ある。
ある。
【図7】ストレージ機能用メモリー素子の断面構造を示
す模式図である。
す模式図である。
【図8】チップアンテナのフレキシブル配線基板への取
付構造を一部破断して示す概略斜視図である。
付構造を一部破断して示す概略斜視図である。
【図9】容量性スタブを設けたチップアンテナの一例を
示す概略斜視図である。
示す概略斜視図である。
【図10】グランデッドコプレーナ構造の配線基板の一
例を示す要部概略断面図である。
例を示す要部概略断面図である。
【図11】マイクロストリップ構造の配線基板の一例を
示す要部概略断面図である。
示す要部概略断面図である。
【図12】電波吸収体を筐体に形成する方法を説明する
ための図であり、シート状の電波吸収体を貼り付けた状
態を示す要部拡大断面図である。
ための図であり、シート状の電波吸収体を貼り付けた状
態を示す要部拡大断面図である。
【図13】電波吸収体を筐体に形成する方法を説明する
ための図であり、刷毛によりペースト状の電波吸収体を
塗り付けた状態を示す要部拡大断面図である。
ための図であり、刷毛によりペースト状の電波吸収体を
塗り付けた状態を示す要部拡大断面図である。
【図14】電波吸収体を筐体に形成する方法を説明する
ための図であり、スプレーにより液状の電波吸収体を吹
き付けた状態を示す要部拡大図である。
ための図であり、スプレーにより液状の電波吸収体を吹
き付けた状態を示す要部拡大図である。
【図15】電波吸収体を筐体に形成する方法を説明する
ための図であり、スクリーン印刷により電波吸収体を形
成した状態を示す要部拡大図である。
ための図であり、スクリーン印刷により電波吸収体を形
成した状態を示す要部拡大図である。
【図16】電波吸収体をベースバンドLSI及びRFモ
ジュールと対向する筐体の内面に位置してそれぞれ別個
に設けた例を示す概略断面図である。
ジュールと対向する筐体の内面に位置してそれぞれ別個
に設けた例を示す概略断面図である。
【図17】電波吸収体を筐体の内面の全面に亘ってコー
ティングした例を示す概略断面図である。
ティングした例を示す概略断面図である。
【図18】電波吸収体が筐体に埋め込み形成した例を示
す要部拡大断面図である。
す要部拡大断面図である。
【図19】電波吸収体9を筐体となる部材の内部に設け
た例を示す要部拡大断面図である。
た例を示す要部拡大断面図である。
【図20】電波吸収体が筐体の少なくとも一部を構成し
ている例を示す要部拡大断面図である。
ている例を示す要部拡大断面図である。
【図21】各周波数帯域とノイズとの関係を示す特性図
である。
である。
【図22】ベースバンドLSIとRFモジュールとの
間、及び筐体内の空間を埋めるかたちで電波吸収体を設
けた例を示す概略平面図である。
間、及び筐体内の空間を埋めるかたちで電波吸収体を設
けた例を示す概略平面図である。
【図23】ベースバンドLSIとRFモジュールとの
間、及び筐体内の空間を埋めるかたちで電波吸収体を設
けた例を示す概略断面図である。
間、及び筐体内の空間を埋めるかたちで電波吸収体を設
けた例を示す概略断面図である。
【図24】筐体内部に注射器によりペースト状の電波吸
収体を充填した状態を示す概略断面図である。
収体を充填した状態を示す概略断面図である。
【図25】筐体に配線形成した場合の素子の取付状態を
示す分解平面図である。
示す分解平面図である。
【図26】アンテナ素子を筐体に形成した例を示す概略
平面図である。
平面図である。
【図27】ダイポールアンテナを筐体の突出部分に形成
した例を示す概略平面図である。
した例を示す概略平面図である。
【図28】Bow−tieアンテナを筐体の突出部分に
形成した例を示す概略平面図である。
形成した例を示す概略平面図である。
【図29】無線LANシステムを含むネットワークを示
す図である。
す図である。
【図30】通信モジュールの内部構成を示すブロック図
である。
である。
1 筐体、2 コネクタ部、3 ストレージ機能用メモ
リー素子、4 ベースバンドLSI、5 RFモジュー
ル、6 アンテナ素子、9 電波吸収体
リー素子、4 ベースバンドLSI、5 RFモジュー
ル、6 アンテナ素子、9 電波吸収体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩下 斌 東京都品川区北品川4丁目1番1号 マス ターエンジニアリング株式会社内 Fターム(参考) 5J020 EA02 EA04 EA07 EA10 5K023 AA07 BB28 LL05 MM25 NN06 QQ00 RR06 5K027 AA11 BB07 CC08
Claims (9)
- 【請求項1】 ホスト機器と着脱自在に接続されるコネ
クタ部を有し、 アンテナ素子と、高周波信号処理を行う素子と、ベース
バンド信号処理を行う素子と、ストレージ機能用メモリ
ー素子とが厚さ3.5mm以下の筐体に実装されてなる
通信端末装置において、 上記筐体に電波吸収体が配されていることを特徴とする
通信端末装置。 - 【請求項2】 上記電波吸収体は、上記筐体の内面に配
されていることを特徴とする請求項1記載の通信端末装
置。 - 【請求項3】 上記電波吸収体は、上記筐体の外面に配
されていることを特徴とする請求項1記載の通信端末装
置。 - 【請求項4】 上記電波吸収体は、上記筐体となる部材
の内部に配されていることを特徴とする請求項1記載の
通信端末装置。 - 【請求項5】 上記電波吸収体は、上記筐体の少なくと
も一部を構成していることを特徴とする請求項1記載の
通信端末装置。 - 【請求項6】 上記電波吸収体は、上記筐体にシート状
のものが貼り付けられてなることを特徴とする請求項1
記載の通信端末装置。 - 【請求項7】 上記電波吸収体は、上記筐体にペースト
状のものが塗布されてなることを特徴とする請求項1記
載の通信端末装置。 - 【請求項8】 上記電波吸収体は、上記筐体に印刷によ
り形成されてなることを特徴とする請求項1記載の通信
端末装置。 - 【請求項9】 上記電波吸収体は、上記筐体の一部に凹
部が形成され、当該凹部に埋め込み形成されてなること
を特徴とする請求項1記載の通信端末装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000084746A JP2001268190A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | 通信端末装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000084746A JP2001268190A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | 通信端末装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001268190A true JP2001268190A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=18601188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005030932A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-03 | Fujitsu Ltd | 携帯型測位システム受信機 |
| JP2005051766A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Lg Electronics Inc | 移動通信端末機におけるアンテナの放射利得向上方法 |
| WO2009129447A3 (en) * | 2008-04-17 | 2010-01-21 | Laird Technologies, Inc. | Integrated antenna and emi shielding support member for portable communications terminals |
| JP2017118015A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社トーキン | 電子装置及び電磁干渉抑制体の配置方法 |
| KR101851955B1 (ko) | 2013-04-03 | 2018-04-25 | 로슈티슬라브 보로뒤미로비취 보센코 | 무선 용량성 신호 수신 및 송신 시스템 및/또는 무선 용량성 전력 공급 송신 시스템의 차동 용량성 안테나 포트의 병존 |
| CN114447568A (zh) * | 2022-02-25 | 2022-05-06 | 维沃移动通信有限公司 | 天线组件和电子设备 |
-
2000
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005030932A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-03 | Fujitsu Ltd | 携帯型測位システム受信機 |
| JP2005051766A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Lg Electronics Inc | 移動通信端末機におけるアンテナの放射利得向上方法 |
| US7668575B2 (en) | 2003-07-30 | 2010-02-23 | Lg Electronics Inc. | System and method for obtaining radiation characteristics of built-in antenna in mobile communication terminal |
| WO2009129447A3 (en) * | 2008-04-17 | 2010-01-21 | Laird Technologies, Inc. | Integrated antenna and emi shielding support member for portable communications terminals |
| US8384604B2 (en) | 2008-04-17 | 2013-02-26 | Laird Technologies, Inc. | Integrated antenna and EMI shielding support member for portable communications terminals |
| KR101851955B1 (ko) | 2013-04-03 | 2018-04-25 | 로슈티슬라브 보로뒤미로비취 보센코 | 무선 용량성 신호 수신 및 송신 시스템 및/또는 무선 용량성 전력 공급 송신 시스템의 차동 용량성 안테나 포트의 병존 |
| WO2017110113A1 (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社トーキン | 電子装置及び電磁干渉抑制体の配置方法 |
| JP2017118015A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社トーキン | 電子装置及び電磁干渉抑制体の配置方法 |
| KR20180098368A (ko) * | 2015-12-25 | 2018-09-03 | 가부시키가이샤 토킨 | 전자 장치 및 전자 간섭 억제체의 배치방법 |
| US20190008079A1 (en) * | 2015-12-25 | 2019-01-03 | Tokin Corporation | Electronic device and method for disposing electromagnetic interference suppressor |
| TWI672092B (zh) * | 2015-12-25 | 2019-09-11 | 日商東金股份有限公司 | 電子裝置及電磁干擾抑制體的配置方法、與通信裝置 |
| US10729044B2 (en) * | 2015-12-25 | 2020-07-28 | Tokin Corporation | Electronic device and method for disposing electromagnetic interference suppressor |
| KR102441507B1 (ko) * | 2015-12-25 | 2022-09-06 | 가부시키가이샤 토킨 | 전자 장치 및 전자 간섭 억제체의 배치방법 |
| CN114447568A (zh) * | 2022-02-25 | 2022-05-06 | 维沃移动通信有限公司 | 天线组件和电子设备 |
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