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TWI444775B - Sensitive radiation linear resin composition, interlayer insulating film and microlens, and the like - Google Patents

Sensitive radiation linear resin composition, interlayer insulating film and microlens, and the like Download PDF

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TWI444775B
TWI444775B TW097122312A TW97122312A TWI444775B TW I444775 B TWI444775 B TW I444775B TW 097122312 A TW097122312 A TW 097122312A TW 97122312 A TW97122312 A TW 97122312A TW I444775 B TWI444775 B TW I444775B
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methyl
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resin composition
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Masaaki Hanamura
Shin Yoshida
Takahiro Iijima
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Jsr Corp
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Description

敏輻射線性樹脂組成物，層間絕緣膜及微透鏡以及此等之成形方法
本發明關於敏輻射線性樹脂組成物、層間絕緣膜以及微透鏡以及其等之形成方法。
薄膜電晶體(以下稱為「TFT」)型液晶顯示元件或磁頭元件、積體電路元件、固體攝影元件等之電子零件中，一般為使以層狀配置之配線間絕緣而設有層間絕緣膜。作為形成層間絕緣膜之材料，由於較好者為用以獲得必要的圖案形狀的步驟數少且具有充分平坦性者，故廣泛使用有敏輻射線性樹脂組成物(參考特開2001－354822號及特開2001－343743號公報)。
上述電子零件中，例如TFT型液晶顯示元件由於經過在上述層間絕緣膜上形成透明電極膜進而在其上形成液晶定向膜之步驟所製造，故層間絕緣膜在透明電極膜形成步驟中暴露於高溫條件、暴露於電極圖案形成中所使用之光阻劑之剝離液中，故有必要對於該等具有充分抗性。
又近幾年來，TFT型液晶顯示元件朝大畫面化、高亮度化、高精細化、高速應答化、薄型化等發展，作為其所使用之層間絕緣膜形成用組成物要求有為高感度，且所形成之層間絕緣膜要求有關於低介電率、高透過率等方面之比以往更增高的高性能。
作為如此之低介電率、高透過率之層間絕緣膜已知有 丙烯酸系樹脂與重氮醌之組合(特開2005－320542)、或酚樹脂與重氮醌之組合(特開2003－255546)。然而，該等材料於膜形成後之加熱步驟會發生外逸氣體(out gas)，而有透明性降低等問題。
再者，由以往所知之敏輻射線性樹脂組成物形成層間絕緣膜時之顯影步驟中，即使顯像時間僅比最適時間略微過剩，則有圖案發生剝落之情況。
如此，由敏輻射線性樹脂組成物形成層間絕緣膜中，做為組成物要求有為高感度，且在形成步驟中的顯性步驟中即使顯像時間比特定時間更長時圖案不會發生剝落而顯示良好密著性且由該等所形成之層間絕緣膜要求有高耐熱性、高耐溶劑性、高介電率、高透過率等，但目前為止尚未知有可滿足該等要求之敏輻射線性樹脂組成物。
另一方面，作為傳真機、電子影印機、固體攝影元件等之晶片彩色濾光片之成像光學系或光纖連接器之光學系材料，使用有具有3~100 μm左右之透鏡直徑之微透鏡或使該等微透鏡規則配置之微透鏡陣列。
微透鏡或微透鏡陣列之形成，已知有下列方法：形成相當於透鏡之透鏡圖案後，藉由加熱處理而使其熔融流動，就此作微透鏡加以利用之方法，或使熔融流動之透鏡圖案作為光罩藉由乾蝕刻於基底轉印透鏡形狀之方法。上述透鏡圖案之形成廣泛使用有敏輻射線性樹脂組成物(參考特開平6－18702以及特開平6－136239號)。
不過，形成有如上述之微透鏡或微透鏡陣列之元件在 隨後為了去除成為配線形成部分之黏接墊上之各種絕緣膜，而塗佈平坦化膜以及蝕刻用光阻劑膜，使用所需光罩加以曝光、顯像，去除黏接墊部份之蝕刻光阻劑，接著，藉由蝕刻除去平坦化膜或各種絕緣膜，供給至使黏接墊部份露出之步驟中。因此微透鏡或微透鏡陣列於平坦化膜以及蝕刻光阻劑之塗膜形成步驟以及蝕刻步驟中之耐溶劑性及耐熱性變得有其必要。
為了形成此等微透鏡所用之敏輻射線性樹脂組成物要求有為高感度，且為使由其所形成之微透鏡具有所需曲率半徑者，要求為高耐熱性、高透過率等。
又，自以往已知之敏輻射線性樹脂組成物所獲得之微透鏡，於形成該等之際之顯像步驟中，即使顯像時間僅比最適時間略微過剩，由於顯像液浸透入圖案與基板間而易於發生剝落，故有必要嚴格控制顯像時間，而有製品良率方面的問題。
如上述，自敏輻射線性樹脂組成物形成微透鏡中，做為組成物要求有為高感度，且形成步驟中之顯像步驟中即使顯像時間比特定時間更長時，亦不會產生圖案剝落而顯示良好密著性且要求有作為微透鏡之良好熔融形狀(所需曲率半徑)、高耐熱性、高耐溶劑性、高透過率，但目前為止尚未知有可滿足該等要求之敏輻射線性樹脂組成物。
又，作為高耐熱性、高透明性、低介電率材料已知有矽氧烷聚合物，將其使用於層間絕緣膜亦為已知(特開2006－178436)。然而，矽氧烷聚合物為了展現充分的耐 熱性而有必要使矽氧烷聚合物充分交聯，因此必須在250~300℃以上之高溫燒成，因此有不適用於生產顯示元件之步驟中的問題。又，矽氧烷聚合物已嘗試應用於微透鏡，但目前為止尚未知有工業上成功的案例。
本發明係基於上述狀況而進行者。因此，本發明之目的係提供一種敏輻射線性樹脂組成物，該組成物可在低於250℃之燒成條件下，於用於形成層間絕緣膜時，可形成高耐熱性、高耐溶劑性、高透過率、低介電率之層間絕緣膜，又用於形成微透鏡時，可形成具有高透過率與良好熔融形狀之微透鏡。
本發明之其他目的係提供一種敏輻射線性樹脂組成物，該組成物具有高的敏輻射線性感度，在顯像步驟中超過最適顯像時間亦具有可形成良好圖案形狀之顯像裕度(margin)，且容易形成密著性優異之圖案狀薄膜。
本發明之進而其他目的係提供一種使用上述敏輻射線性樹脂組成物形成層間絕緣膜以及微透鏡之方法。
本發明之又其他目的係提供一種藉由本發明之方法形成之層間絕緣膜以及微透鏡。
本發明又其他目的以及優點可由下列說明而變得顯而易見。
依據本發明，第一，本發明之上述目的及優點係藉由下列而達成：一種敏輻射線性樹脂組成物，其含有： [A]具有選自由環氧乙烷基及氧雜環丁烷基所組成之群組之至少一種基及可加成反應於環氧乙烷基或氧雜環丁烷基之官能基之聚矽氧烷，以及[B]1,2－重氮醌化合物。
第二，本發明之上述目的及優點係藉由包含下列所述順序之下列步驟之層間絕緣膜或者微透鏡之形成方法而達成：(1)在基板上形成上述敏輻射線性樹脂組成物之被覆膜之步驟，(2)對該被覆膜之至少一部份照射輻射線之步驟，(3)使輻射線照射後之被覆膜顯像之步驟，及(4)加熱該顯像後之被覆膜之步驟。
第三，再者本發明之上述目的及優點係藉由以上述方法形成之層間絕緣膜或微透鏡而達成。
以下詳述本發明之敏輻射線性樹脂組成物。
[A]成分
本發明所用之[A]成分為具有選自由環氧乙烷基及氧雜環丁烷基組成之群組之至少一種之基，及可加成反應於環氧乙烷基或氧雜環丁烷基之官能基之聚矽氧烷。
上述可加成反應於環氧乙烷基或氧雜環丁烷基之官能基可舉例為例如羥基、巰基、胺基等。
本發明所用之[A]成分較好為例如含有下列之矽烷化合物之水解縮合物(以下稱為聚矽氧烷[A])：(a1)具有選自由環氧乙烷基及氧雜環丁烷基所組成之群組之至少一種基與水解性基之矽烷化合物(以下稱為「化合物(a1)」)，以及(a2)具有可加成反應於環氧乙烷基或氧雜環丁烷基之官能基與水解性基之矽烷化合物(以下稱為「化合物(a2)」)化合物(a1)較好為以下式(1)表示之化合物：(X1 Y1 )a SiR1 b R2 c (1)(式(1)中，X1 為環氧乙烷基、縮水甘油基、縮水甘油氧基、3,4－環氧基環己基或3－氧雜環丁烷基，但3－氧雜環丁烷基之3位置之碳可經碳數1~6之烷基取代，Y1 為單鍵、亞甲基或碳數2~6之伸烷基，R1 為碳數1~6之烷氧基或碳數2~6之醯氧基，R2 為碳數1~6之烷基或碳數6~12之芳基，a及b各獨立為1~3之整數，c為0~2之整數，且a＋b＋c＝4)。
上式(1)中在X1 之3－氧雜環丁烷基之3位置碳處取代之碳數1~6之烷基較好為碳數1~3之烷基，可舉例為例如甲基、乙基、正丙基等。Y1 較好為甲基或碳數2或3之伸烷基。Y1 之碳數2或3之伸烷基可舉例為例如伸乙基、三亞甲基等。R1 較好為碳數1~3之烷氧基或碳數2~4之醯基氧基，可舉例為例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、 第三丁氧基、乙醯基等。R2 較好為碳數1~4之烷基或碳數6~8之芳基，可舉例為例如甲基、乙基、苯基等。
此種化合物(a1)之具體例分別舉例為含有環氧乙烷基之矽烷化合物，例如縮水甘油氧基甲基三甲氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基三乙氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基三正丙氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基三異丙氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基三乙醯氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基甲基二甲氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基甲基二乙氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基甲基二正丙氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基甲基二異丙氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基甲基二乙醯氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基乙基二甲氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基乙基二乙氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基乙基二正丙氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基乙基二異丙氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基乙基二乙醯氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基苯基二甲氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基苯基二乙氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基苯基二正丙氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基苯基二異丙氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基苯基二乙醯氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基三甲氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基三乙氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基三正丙氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基三異丙氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基三乙醯氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基甲基二甲氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基甲基二乙氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基甲基二正丙氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基甲基二異丙氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基 甲基二乙醯氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基乙基二甲氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基乙基二乙氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基乙基二正丙氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基乙基二異丙氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基苯基二甲氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基苯基二乙氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基苯基二正丙氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基苯基二異丙氧基矽烷、2－縮水甘油氧基乙基苯基二乙醯氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基三正丙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基三異丙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基三乙醯氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基甲基二正丙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基甲基二異丙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基乙基二甲氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基乙基二乙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基乙基二正丙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基乙基二異丙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基苯基二甲氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基苯基二乙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基苯基二正丙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基苯基二異丙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基苯基二乙醯氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基三甲氧基矽烷 、(3,4－環氧基環己基)甲基三乙氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基三正丙氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基三乙醯氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基甲基二甲氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基甲基二乙氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基甲基二正丙氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基甲基二乙醯氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基乙基二甲氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基乙基二乙氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基乙基二正丙氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基乙基二乙醯氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基苯基二甲氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基苯基二乙氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基苯基二正丙氧基矽烷、(3,4－環氧基環己基)甲基苯基二乙醯氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基三乙氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基三正丙氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基三乙醯氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基甲基二甲氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基甲基二乙氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基甲基二正丙氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基乙基二甲氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基乙基二乙氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基乙基二正丙氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基 環己基)乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基苯基二甲氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基苯基二乙氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基苯基二正丙氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基苯基二乙醯氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基三甲氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基三乙氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基三正丙氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基三乙醯氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基甲基二甲氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基甲基二正丙氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基乙基二甲氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基乙基二乙氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基乙基二正丙氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基苯基二甲氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基苯基二乙氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基苯基二正丙氧基矽烷、3－(3’,4’－環氧基環己基)丙基苯基二乙醯氧基矽烷等；含有氧雜環丁烷基之矽烷化合物為例如(氧雜環丁烷－3－基)甲基三甲氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基三乙氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基三正丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基三異丙氧基矽烷、 (氧雜環丁烷－3－基)甲基三乙醯氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二甲氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二乙氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二正丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二異丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二乙醯氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二甲氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二乙氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二正丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二異丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二乙醯氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二甲氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二乙氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二正丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二異丙氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二乙醯氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基三甲氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基三乙氧基矽烷、(氧雜環丁烷－3’－基)乙基三正丙氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基三異丙氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基三乙醯氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二甲氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二乙氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二正丙氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二異丙氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷 －3’－基)乙基乙基二甲氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二乙氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二正丙氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二異丙氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二甲氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二乙氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二正丙氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二異丙氧基矽烷、2－(氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二乙醯氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基三甲氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基三乙氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基三正丙氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基三異丙氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基三乙醯氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二甲氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二正丙氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二異丙氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二甲氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二乙氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二正丙氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二異丙氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3－(氧 雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二甲氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二乙氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二正丙氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二異丙氧基矽烷、3－(氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二乙醯氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基三甲氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基三乙氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基三正丙氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基三異丙氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基三乙醯氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二甲氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二乙氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二正丙氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二異丙氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二乙醯氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二甲氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二乙氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二正丙氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二異丙氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二乙醯氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二甲氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二乙氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二正丙氧基矽烷、(3－甲基氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二異丙氧基矽烷、(3－甲 基氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二乙醯氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基三甲氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基三乙氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基三正丙氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基三異丙氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基三乙醯氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二甲氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二乙氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二正丙氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二異丙氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二甲氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二乙氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二正丙氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二異丙氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二甲氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二乙氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二正丙氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二異丙氧基矽烷、2－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二乙醯氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基 )丙基三甲氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基三乙氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基三正丙氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基三異丙氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基三乙醯氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二甲氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二正丙氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二異丙氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二甲氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二乙氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二正丙氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二異丙氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二甲氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二乙氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二正丙氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二異丙氧基矽烷、3－(3’－甲基氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二乙醯氧基矽烷、(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)甲基三甲氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基三乙氧基矽烷、(3－乙基氧雜 環丁烷－3－基)甲基三正丙氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基三異丙氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基三乙醯氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二甲氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二乙氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二正丙氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二異丙氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基甲基二乙醯氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二甲氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二乙氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二正丙氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二異丙氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基乙基二乙醯氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二甲氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二乙氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二正丙氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二異丙氧基矽烷、(3－乙基氧雜環丁烷－3－基)甲基苯基二乙醯氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基三甲氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基三乙氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基三正丙氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基三異丙氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基三乙醯氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙 基甲基二甲氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二乙氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二正丙氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二異丙氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二甲氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二乙氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二正丙氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二異丙氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二甲氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二乙氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二正丙氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二異丙氧基矽烷、2－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)乙基苯基二乙醯氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基三甲氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基三乙氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基三正丙氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基三異丙氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基三乙醯氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二甲氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二乙氧基矽烷、 3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二正丙氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二異丙氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二甲氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二乙氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二正丙氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二異丙氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二甲氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二乙氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二正丙氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二異丙氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基苯基二乙醯氧基矽烷等。
該等中，就提高敏輻射線性樹脂組成物之敏感度、增大顯像裕度、改善耐熱性之觀點而言，較好使用3－縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基三乙氧基矽烷、3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基三甲氧基矽烷或3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基三乙氧基矽烷。該等化合物(a1)可單獨使用一種或組合兩種以上使用。
化合物(a2)中可加成反應於環氧乙烷基或氧雜環丁烷基之官能基可舉例為例如羥基、巰基、胺基等。該胺基較好為一級胺基或二級胺基。至於水解性基可舉例為例如烷氧基、醯氧基、烷氧基烷氧基等。該烷氧基所具有之碳數較好為1~6，醯氧基所具有之碳數較好為2~6，烷氧基烷氧基所具有之碳數較好為2~8。
化合物(a2)較好為以下式(2)表示之化合物：(X2 Y2 )d SiR3 e R4 f (2)(式(2)中，X2 為羥基、羥基苯基、羥基苯基羰基氧基、巰基或胺基，Y2 為單鍵、亞甲基、碳數2~6之伸烷基或以下式(2－1)表示之二價基：－Y3 －Z－Y4 － (2－1)(式(2－1)中，Y3 為亞甲基、碳數2~6之伸烷基或碳數6~12之伸芳基，Y4 為單鍵、亞甲基或碳數2~6之伸烷基，Z為硫原子或羥基亞甲基，但式(2－1)之左側與X2 基鍵結)，R3 為碳數1~6之烷氧基、碳數2~6之醯氧基或碳數2~8之烷氧基烷氧基，R4 為碳數1~6之烷基或碳數6~12之芳基，d及e各獨立為1~3之整數，f為0~2之整數，但d＋e＋f＝4)。
上式(2)中X2 之羥基苯基較好為4－羥基苯基，至於羥基苯基羰基氧基較好為對－羥基苯基羰基氧基。X2 之胺 基可為一級胺基或二級胺基，可舉例為例如一級胺基、N－苯基胺基、N－2－(胺基乙基)胺基等。Y2 較好為亞甲基或碳數2或3之伸烷基。Y2 之碳數2或3之伸烷基可舉例為例如伸乙基、三亞甲基等。R3 較好為碳數1~3之烷氧基、碳數2~4之醯氧基或碳數2~6之烷氧基烷氧基，可舉例為例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、乙醯基、甲氧基乙氧基等。R4 較好為碳數1~4之烷基或碳數6~8之芳基，可舉例為例如甲基、乙基、苯基等。
化合物(a2)之具體例分別舉例為含有羥基之矽烷化合物為例如羥基甲基三甲氧基矽烷、羥基甲基三乙氧基矽烷、羥基甲基三正丙氧基矽烷、羥基甲基三異丙氧基矽烷、羥基甲基三乙醯氧基矽烷、羥基甲基三(甲氧基乙氧基)矽烷、羥基甲基甲基二甲氧基矽烷、羥基甲基甲基二乙氧基矽烷、羥基甲基甲基二正丙氧基矽烷、羥基甲基甲基二異丙氧基矽烷、羥基甲基甲基二乙醯氧基矽烷、羥基甲基乙基二甲氧基矽烷、羥基甲基乙基二乙氧基矽烷、羥基甲基乙基二正丙氧基矽烷、羥基甲基乙基二異丙氧基矽烷、羥基甲基乙基二乙醯氧基矽烷、羥基甲基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、羥基甲基苯基二甲氧基矽烷、羥基甲基苯基二乙氧基矽烷、羥基甲基苯基二正丙氧基矽烷、羥基甲基苯基二異丙氧基矽烷、羥基甲基苯基二乙醯氧基矽烷、羥基甲基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、2－羥基乙基三甲氧基矽烷、2－羥基乙基三乙氧基矽烷、2－羥基乙基三正丙氧基矽烷、2－羥基乙基三異丙氧基矽烷、2－羥基 乙基三乙醯氧基矽烷、2－羥基乙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、2－羥基乙基甲基二甲氧基矽烷、2－羥基乙基甲基二乙氧基矽烷、2－羥基乙基甲基二正丙氧基矽烷、2－羥基乙基甲基二異丙氧基矽烷、2－羥基乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2－羥基乙基乙基二甲氧基矽烷、2－羥基乙基乙基二乙氧基矽烷、2－羥基乙基乙基二正丙氧基矽烷、2－羥基乙基乙基二異丙氧基矽烷、2－羥基乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2－羥基乙基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、2－羥基乙基苯基二甲氧基矽烷、2－羥基乙基苯基二乙氧基矽烷、2－羥基乙基苯基二正丙氧基矽烷、2－羥基乙基苯基二異丙氧基矽烷、2－羥基乙基苯基二乙醯氧基矽烷、2－羥基乙基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、3－羥基丙基三甲氧基矽烷、3－羥基丙基三乙氧基矽烷、3－羥基丙基三正丙氧基矽烷、3－羥基丙基三異丙氧基矽烷、3－羥基丙基三乙醯氧基矽烷、3－羥基丙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、3－羥基丙基甲基二甲氧基矽烷、3－羥基丙基甲基二乙氧基矽烷、3－羥基丙基甲基二正丙氧基矽烷、3－羥基丙基甲基二異丙氧基矽烷、3－羥基丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3－羥基丙基乙基二甲氧基矽烷、3－羥基丙基乙基二乙氧基矽烷、3－羥基丙基乙基二正丙氧基矽烷、3－羥基丙基乙基二異丙氧基矽烷、3－羥基丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3－羥基丙基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、3－羥基丙基苯基二甲氧基矽烷、3－羥基丙基苯基二乙氧基矽烷、3－羥基丙基苯基二正丙氧基矽烷、3－羥基丙 基苯基二異丙氧基矽烷、3－羥基丙基苯基二乙醯氧基矽烷、3－羥基丙基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、4－羥基苯基三甲氧基矽烷、4－羥基苯基三乙氧基矽烷、4－羥基苯基三正丙氧基矽烷、4－羥基苯基三異丙氧基矽烷、4－羥基苯基三乙醯氧基矽烷、4－羥基苯基三(甲氧基乙氧基)矽烷、4－羥基苯基甲基二甲氧基矽烷、4－羥基苯基甲基二乙氧基矽烷、4－羥基苯基甲基二正丙氧基矽烷、4－羥基苯基甲基二異丙氧基矽烷、4－羥基苯基甲基二乙醯氧基矽烷、4－羥基苯基乙基二甲氧基矽烷、4－羥基苯基乙基二乙氧基矽烷、4－羥基苯基乙基二正丙氧基矽烷、4－羥基苯基乙基二異丙氧基矽烷、4－羥基苯基乙基二乙醯氧基矽烷、4－羥基苯基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、4－羥基苯基苯基二甲氧基矽烷、4－羥基苯基苯基二乙氧基矽烷、4－羥基苯基苯基二正丙氧基矽烷、4－羥基苯基苯基二異丙氧基矽烷、4－羥基苯基苯基二乙醯氧基矽烷、4－羥基苯基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基三甲氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基三乙氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基三正丙氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基三異丙氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基三乙醯氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基三(甲氧基乙氧基)矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基甲基二甲氧基矽烷、4－羥 基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基甲基二乙氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基甲基二正丙氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基甲基二異丙氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基甲基二乙醯氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基乙基二甲氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基乙基二乙氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基乙基二正丙氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基乙基二異丙氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基乙基二乙醯氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基苯基二甲氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基苯基二乙氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基苯基二正丙氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基苯基二異丙氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基苯基二乙醯氧基矽烷、4－羥基－5－(對－羥基苯基羰基氧基)戊基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、以下式(a2－1)表示之化合物等：HO－Y3 －S－Y4 －Si(OR)3 (a2－1)(式(a2－1)中，Y3 以及Y4 與上式(2－1)中相同意義，R各獨立為碳數1~6之烷基或碳數2~6之醯基)； 含有巰基之化合物為例如巰基甲基三甲氧基矽烷、巰基甲基三乙氧基矽烷、巰基甲基三正丙氧基矽烷、巰基甲基三異丙氧基矽烷、巰基甲基三乙醯氧基矽烷、巰基甲基三(甲氧基乙氧基)矽烷、巰基甲基甲基二甲氧基矽烷、巰基甲基甲基二乙氧基矽烷、巰基甲基甲基二正丙氧基矽烷、巰基甲基甲基二異丙氧基矽烷、巰基甲基甲基二乙醯氧基矽烷、巰基甲基乙基二甲氧基矽烷、巰基甲基乙基二乙氧基矽烷、巰基甲基乙基二正丙氧基矽烷、巰基甲基乙基二異丙氧基矽烷、巰基甲基乙基二乙醯氧基矽烷、巰基甲基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、巰基甲基苯基二甲氧基矽烷、巰基甲基苯基二乙氧基矽烷、巰基甲基苯基二正丙氧基矽烷、巰基甲基苯基二異丙氧基矽烷、巰基甲基苯基二乙醯氧基矽烷、巰基甲基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、2－巰基乙基三甲氧基矽烷、2－巰基乙基三乙氧基矽烷、2－巰基乙基三正丙氧基矽烷、2－巰基乙基三異丙氧基矽烷、2－巰基乙基三乙醯氧基矽烷、2－巰基乙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、2－巰基乙基甲基二甲氧基矽烷、2－巰基乙基甲基二乙氧基矽烷、2－巰基乙基甲基二正丙氧基矽烷、2－巰基乙基甲基二異丙氧基矽烷、2－巰基乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2－巰基乙基乙基二甲氧基矽烷、2－巰基乙基乙基二乙氧基矽烷、2－巰基乙基乙基二正丙氧基矽烷、2－巰基乙基乙基二異丙氧基矽烷、2－巰基乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2－巰基乙基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、2－巰基乙基苯基二甲氧基矽烷、2－巰基 乙基苯基二乙氧基矽烷、2－巰基乙基苯基二正丙氧基矽烷、2－巰基乙基苯基二異丙氧基矽烷、2－巰基乙基苯基二乙醯氧基矽烷、2－巰基乙基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、3－巰基丙基三甲氧基矽烷、3－巰基丙基三乙氧基矽烷、3－巰基丙基三正丙氧基矽烷、3－巰基丙基三異丙氧基矽烷、3－巰基丙基三乙醯氧基矽烷、3－巰基丙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、3－巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3－巰基丙基甲基二乙氧基矽烷、3－巰基丙基甲基二正丙氧基矽烷、3－巰基丙基甲基二異丙氧基矽烷、3－巰基丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3－巰基丙基乙基二甲氧基矽烷、3－巰基丙基乙基二乙氧基矽烷、3－巰基丙基乙基二正丙氧基矽烷、3－巰基丙基乙基二異丙氧基矽烷、3－巰基丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3－巰基丙基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、3－巰基丙基苯基二甲氧基矽烷、3－巰基丙基苯基二乙氧基矽烷、3－巰基丙基苯基二正丙氧基矽烷、3－巰基丙基苯基二異丙氧基矽烷、3－巰基丙基苯基二乙醯氧基矽烷、3－巰基丙基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷等；含胺基之矽烷化合物可舉例為例如胺基甲基三甲氧基矽烷、胺基甲基三乙氧基矽烷、胺基甲基三正丙氧基矽烷、胺基甲基三異丙氧基矽烷、胺基甲基三乙醯氧基矽烷、胺基甲基三(甲氧基乙氧基)矽烷、胺基甲基甲基二甲氧基矽烷、胺基甲基甲基二乙氧基矽烷、胺基甲基甲基二正丙氧基矽烷、胺基甲基甲基二異丙氧基矽烷、胺基甲基甲 基二乙醯氧基矽烷、胺基甲基乙基二甲氧基矽烷、胺基甲基乙基二乙氧基矽烷、胺基甲基乙基二正丙氧基矽烷、胺基甲基乙基二異丙氧基矽烷、胺基甲基乙基二乙醯氧基矽烷、胺基甲基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、胺基甲基苯基二甲氧基矽烷、胺基甲基苯基二乙氧基矽烷、胺基甲基苯基二正丙氧基矽烷、胺基甲基苯基二異丙氧基矽烷、胺基甲基苯基二乙醯氧基矽烷、胺基甲基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、2－胺基乙基三甲氧基矽烷、2－胺基乙基三乙氧基矽烷、2－胺基乙基三正丙氧基矽烷、2－胺基乙基三異丙氧基矽烷、2－胺基乙基三乙醯氧基矽烷、2－胺基乙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、2－胺基乙基甲基二甲氧基矽烷、2－胺基乙基甲基二乙氧基矽烷、2－胺基乙基甲基二正丙氧基矽烷、2－胺基乙基甲基二異丙氧基矽烷、2－胺基乙基甲基二乙醯氧基矽烷、2－胺基乙基乙基二甲氧基矽烷、2－胺基乙基乙基二乙氧基矽烷、2－胺基乙基乙基二正丙氧基矽烷、2－胺基乙基乙基二異丙氧基矽烷、2－胺基乙基乙基二乙醯氧基矽烷、2－胺基乙基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、2－胺基乙基苯基二甲氧基矽烷、2－胺基乙基苯基二乙氧基矽烷、2－胺基乙基苯基二正丙氧基矽烷、2－胺基乙基苯基二異丙氧基矽烷、2－胺基乙基苯基二乙醯氧基矽烷、2－胺基乙基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、3－胺基丙基三甲氧基矽烷、3－胺基丙基三乙氧基矽烷、3－胺基丙基三正丙氧基矽烷、3－胺基丙基三異丙氧基矽烷、3－胺基丙基三乙醯氧基矽烷、3－胺 基丙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、3－胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3－胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、3－胺基丙基甲基二正丙氧基矽烷、3－胺基丙基甲基二異丙氧基矽烷、3－胺基丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3－胺基丙基乙基二甲氧基矽烷、3－胺基丙基乙基二乙氧基矽烷、3－胺基丙基乙基二正丙氧基矽烷、3－胺基丙基乙基二異丙氧基矽烷、3－胺基丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3－胺基丙基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、3－胺基丙基苯基二甲氧基矽烷、3－胺基丙基苯基二乙氧基矽烷、3－胺基丙基苯基二正丙氧基矽烷、3－胺基丙基苯基二異丙氧基矽烷、3－胺基丙基苯基二乙醯氧基矽烷、3－胺基丙基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三乙氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三正丙氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三異丙氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三乙醯氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基甲基二正丙氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基甲基二異丙氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基甲基二乙醯氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基乙基二甲氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基乙基 二乙氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基乙基二正丙氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基乙基二異丙氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基乙基二乙醯氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基苯基二甲氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基苯基二乙氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基苯基二正丙氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基苯基二異丙氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基苯基二乙醯氧基矽烷、N－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷、N－苯基－3－胺基丙基三甲氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基三乙氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基三正丙氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基三異丙氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基三乙醯氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、N－苯基－3－胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基甲基二正丙氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基甲基二異丙氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基甲基二乙醯氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基乙基二甲氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基乙基二乙氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基乙基二正丙氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基乙基二異丙氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基乙基二乙醯氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基 乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、N－苯基－3－胺基丙基苯基二甲氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基苯基二乙氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基苯基二正丙氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基苯基二異丙氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基苯基二乙醯氧基矽烷、N－苯基－3－胺基丙基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷等。
此等中，就所得層間絕緣膜或微透鏡之耐熱性、透明性、抗剝離液性等方面而言較適用者為羥基甲基三甲氧基矽烷、羥基乙基三甲氧基矽烷、三甲氧基矽烷基丙基－1－(4’－羥基苯基)丙基硫醚、三甲氧基矽烷基丙基－1－(2’－羥基苯基)丙基硫醚、三甲氧基矽烷基丙基－2－(4’－羥基苯基)丙基硫醚、三甲氧基矽烷基丙基－2－(2’－羥基苯基)丙基硫醚、三甲氧基矽烷基乙基－(4’－羥基苯基)硫醚、三甲氧基矽烷基丙基－(4’－羥基苯基)硫醚、3－巰基丙基三甲氧基矽烷、3－巰基丙基三乙氧基矽烷或胺基甲基三甲氧基矽烷。該等化合物(a2)可單獨使用一種或組合兩種以上使用。
聚矽氧烷(A)可為僅含有如上述化合物(a1)以及(a2)之矽烷化合物之水解縮合物，或除化合物(a1)及(a2)外亦可進一步含有(a3)除(a1)、(a2)以外之水解性矽烷化合物之矽烷化合物之水解縮合物。
上述化合物(a3)較好為以下式(3)表示之矽烷化合物：SiR5 g R6 h (3) (式(3)中，R5 為碳數1~6之烷氧基或碳數6~18之芳基氧基，其中芳基氧基之氫原子之一部份或全部可經鹵素原子、胺基、硝基或碳數1~6之烷基取代，R6 為碳數1~6之烷基、碳數2~6之烯基、碳數6~18之芳基或(甲基)丙烯醯氧基，其中芳基所具有之氫原子之一部份或全部可經鹵素原子、氰基、硝基或碳數1~6之烷基取代，(甲基)丙烯醯氧基亦可介以亞甲基或碳數2~6之伸烷基鍵結，g為1~4之整數，h為0~3之整數，但g＋h＝4)。
上述(3)中之R5 較好為碳數1~4之烷氧基或碳數6~12之芳氧基，可舉例為例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、苯氧基、萘氧基、4－氯苯氧基、4－氰基苯氧基、4－硝基苯氧基、4－甲苯氧基等。R6 較好為碳數1~3之烷基、碳數2~4之烯基、碳數6~12之芳基、或直接或介以亞甲基或碳數2~3之伸烷基鍵結之(甲基)丙烯醯氧基，其具體例可舉例為例如甲基、乙基、苯基、4－氯苯基、4－氰基苯基、4－硝基苯基、4－甲苯基、萘基、乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯醯氧基、(甲基)丙烯醯氧基甲基、2－(甲基)丙烯醯氧基乙基、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基等。
化合物(a3)之具體例可舉例為例如如四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四正丁氧基矽烷之四烷氧基矽烷；甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三正丙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷 、環己基三乙氧基矽烷之單烷基三烷氧基矽烷；如苯基三乙氧基矽烷、萘基三乙氧基矽烷、4－氯苯基三乙氧基矽烷、4－氰基苯基三乙氧基矽烷、4－硝基苯基三乙氧基矽烷、4－甲基苯基三乙氧基矽烷之單芳基三烷氧基矽烷；如苯氧基三乙氧基矽烷、萘氧基三乙氧基矽烷、4－氯苯氧基三乙氧基矽烷、4－氰基苯氧基三乙氧基矽烷、4－硝基苯氧基三乙氧基矽烷、4－甲基苯氧基三乙氧基矽烷之單芳氧基三烷氧基矽烷；如二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基二正丙氧基矽烷、甲基(乙基)二乙氧基矽烷、甲基(環己基)二乙氧基矽烷之二烷基二烷氧基矽烷；如甲基(苯基)二乙氧基矽烷之單烷基單芳基二烷氧基矽烷；如二苯基二乙氧基矽烷之二芳基二烷氧基矽烷；如二苯氧基二乙氧基矽烷之二芳基氧基二烷氧基矽烷；如甲基(苯氧基)二乙氧矽烷之單烷氧基單芳氧基二烷氧基矽烷；如苯基(苯氧基)二乙氧基矽烷之單芳基單芳基氧基矽烷；如三甲基乙氧基矽烷、三甲基正丙氧基矽烷、二甲基(乙基)乙氧基矽烷、二甲基(環己基)乙氧基矽烷之三烷基單烷氧基矽烷；如二甲基(苯基)乙氧基矽烷之二烷基單芳基單烷氧基矽烷； 如甲基(二苯基)乙氧基矽烷之單烷基二芳基單烷氧基矽烷；如三苯氧基乙氧基矽烷之三芳基氧基單烷氧基矽烷；如甲基(二苯氧基)乙氧基矽烷之單烷基二芳基氧基單烷氧基矽烷；如苯基(二苯氧基)乙氧基矽烷之單芳基二芳基氧基單烷氧基矽烷；如二甲基(苯氧基)乙氧基矽烷之二烷基單芳基氧基單烷氧基矽烷；如二苯基(苯氧基)乙氧基矽烷之二芳基單芳氧基單烷氧基矽烷；如甲基(苯基)(苯氧基)乙氧基矽烷之單烷基單芳基單芳氧基單烷氧基矽烷；如乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三正丙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三(甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基甲基二甲氧基矽烷、乙烯基甲基二乙氧基矽烷、乙烯基甲基二正丙氧基矽烷、乙烯基甲基二異丙氧基矽烷、乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷、乙烯基乙基二甲氧基矽烷、乙烯基乙基二乙氧基矽烷、乙烯基乙基二正丙氧基矽烷、乙烯基乙基二異丙氧基矽烷、乙烯基乙基二乙醯氧基矽烷、乙烯基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基苯基二甲氧基矽烷、乙烯基苯基二乙氧基矽烷、乙烯基苯基二正丙氧基矽烷、乙烯基苯基二異丙氧基矽烷、乙烯基苯基二乙醯氧基矽烷、乙烯基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷等含有乙烯基之 烷氧基矽烷；如烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、烯丙基三正丙氧基矽烷、烯丙基三異丙氧基矽烷、烯丙基三乙醯氧基矽烷、烯丙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、烯丙基甲基二甲氧基矽烷、烯丙基甲基二乙氧基矽烷、烯丙基甲基二正丙氧基矽烷、烯丙基甲基二異丙氧基矽烷、烯丙基甲基二乙醯氧基矽烷、烯丙基乙基二甲氧基矽烷、烯丙基乙基二乙氧基矽烷、烯丙基乙基二正丙氧基矽烷、烯丙基乙基二異丙氧基矽烷、烯丙基乙基二乙醯氧基矽烷、烯丙基乙基二(甲氧基乙氧基)矽烷、烯丙基苯基二甲氧基矽烷、烯丙基苯基二乙氧基矽烷、烯丙基苯基二正丙氧基矽烷、烯丙基苯基二異丙氧基矽烷、烯丙基苯基二乙醯氧基矽烷、烯丙基苯基二(甲氧基乙氧基)矽烷等含有烯丙基之烷氧基矽烷；如(甲基)丙烯醯氧基甲基三甲氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基三乙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基三正丙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基三異丙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基三乙醯氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基甲基二甲氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基甲基二乙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基甲基二正丙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基甲基二異丙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基甲基二乙醯氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基乙基二甲氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基乙基二乙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基 乙基二正丙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基乙基二異丙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基乙基二乙醯氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基苯基二甲氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基苯基二乙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基苯基二正丙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基苯基二異丙氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基甲基苯基二乙醯氧基矽烷、2－(甲基)丙烯醯氧基乙基三甲氧基矽烷、2－(甲基)丙烯醯氧基乙基三乙氧基矽烷、2－(甲基)丙烯醯氧基乙基三正丙氧基矽烷、2－(甲基)丙烯醯氧基乙基三異丙氧基矽烷、2－(甲基)丙烯醯氧基乙基三乙醯氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基乙基甲基二甲氧基矽烷、2－(甲基)丙烯醯氧基乙基甲基二乙氧基矽烷、2－(甲基)丙烯醯氧基乙基甲基二正丙氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基三正丙氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基三異丙氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙醯氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二正丙氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二異丙氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二乙醯氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基乙基二甲氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基乙基二乙氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基乙基二正丙 氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基乙基二異丙氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基乙基二乙醯氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基苯基二甲氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基苯基二乙氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基苯基二正丙氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基苯基二異丙氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基苯基二乙醯氧基矽烷之含有(甲基)丙烯基之矽烷等。
該等化合物(a3)中，就反應性以及所得層間絕緣膜或微透鏡之耐熱性、透明性、抗剝離液性方面而言，較適用者為四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、3－(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷或3－(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷。該等化合物(a3)可單獨使用一種或組合兩種以上使用。
本發明中較佳使用之聚矽氧烷[A]，以由化合物(a1)、(a2)及(a3)衍生之重複單位之合計為準，較好含有5~70重量%，最好10~60重量%之由化合物(a1)衍生之構成單位。若使用該構成單位未滿5重量%之共聚物時，會有在未滿250℃之燒成條件下所得之層間絕緣膜或微透鏡之耐熱性、表面硬度以及抗剝離液性降低之傾向， 另一方面若為該構成單位超過70重量%之共聚物，則有儲存安定性惡化之傾向。
本發明中較佳使用之聚矽氧烷[A]，以由化合物(a1)、(a2)及(a3)衍生之重複單位之合計為準，較好含有5~70重量%，最好10~60重量%之由化合物(a2)衍生之構成單位。若使用該構成單位未滿5重量%之共聚物時，會有在未滿250℃之燒成條件下所得之層間絕緣膜或微透鏡之耐熱性、表面硬度以及抗剝離液性降低之傾向，另一方面若為該構成單位超過70重量%之共聚物，則有儲存安定性惡化之傾向。
本發明中較佳使用之聚矽氧烷[A]，以由化合物(a1)、(a2)及(a3)衍生之重複單位之合計為準，較好含有10~90重量%，最好20~80重量%之由化合物(a3)衍生之構成單位。當該構成單位未達10重量%時，有敏輻射線性樹脂組成物之儲存安定性降低之傾向，另一方面當該構成單位之量超過90重量%時，會有所得層間絕緣膜或微透鏡之耐熱性、表面硬度以及抗剝離液性不足之情況。
本發明中較佳使用之聚矽氧烷[A]之具體例可舉例為例如3－縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、2－羥基乙基三甲氧基矽烷以及二甲基二甲氧基矽烷之水解縮合物，2－(3’,4’－環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3－巰基丙基三甲氧基矽烷以及苯基三甲氧基矽烷之水解縮合物，以及 3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3'－基)丙基三甲氧基矽烷、三甲氧基矽烷基丙基－2－(4’－羥基苯基)丙基硫醚及甲基三甲氧基矽烷水解縮合物。
本發明中較佳使用之聚矽氧烷[A]可藉由使如上述之化合物(a1)、(a2)及(a3)，較好在溶劑中，較好於觸媒存在下加以水解並縮合而合成。
聚矽氧烷[A]合成中可使用之溶劑可舉例為例如醇類、醚類、二醇醚類、乙二醇單烷基醚乙酸酯類、二乙二醇類、二乙二醇單烷基醚乙酸酯類、丙二醇單烷基醚類、丙二醇烷基醚乙酸酯類、丙二醇烷基醚丙酸酯類、芳香族烴、酮類、酯類等。
該等具體例分別舉例為醇類為例如甲醇、乙醇、苄基醇、2－苯基乙基醇、3－苯基－1－丙醇等；醚類為四氫呋喃等；二醇醚為例如乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚等；乙二醇單烷基醚乙酸酯為例如甲基溶纖素乙酸酯、乙基溶纖素乙酸酯、乙二醇單丁基醚乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯等；二乙二醇為例如二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇乙基甲基醚等；二乙二醇單烷基醚乙酸酯為例如二乙二醇單乙基醚乙酸酯等；丙二醇單烷基醚為例如丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙 基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚等；丙二醇單烷基醚丙酸酯為例如丙二醇單甲基醚丙酸酯、丙二醇單乙基醚丙酸酯、丙二醇單丙基醚丙酸酯、丙二醇單丁基醚丙酸酯等；丙二醇單烷基醚乙酸酯為例如丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丙基醚乙酸酯、丙二醇單丁基醚乙酸酯等；芳香族烴為例如甲苯、二甲苯等；酮類為例如甲基乙基酮、甲基異丙基酮、環己酮、4－羥基－4－甲基－2－戊酮等；酯類為例如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、2－羥基丙酸乙酯、2－羥基－2－甲基丙酸甲酯、2－羥基－2－甲基丙酸乙酯、羥基乙酸甲酯、羥基乙酸乙酯、羥基乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯、3－羥基丙酸甲酯、3－羥基丙酸乙酯、3－羥基丙酸丙酯、3－羥基丙酸丁酯、2－羥基－3－甲基丁酸甲酯、甲氧基乙酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、甲氧基乙酸丙酯、甲氧基乙酸丁酯、乙氧基乙酸甲酯、乙氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸丙酯、乙氧基乙酸丁酯、丙氧基乙酸甲酯、丙氧基乙酸乙酯、丙氧基乙酸丙酯、丙氧基乙酸丁酯、丁氧基乙酸甲酯、丁氧基乙酸乙酯、丁氧基乙酸丙酯、丁氧基乙酸丁酯、2－甲氧基丙酸甲酯、2－甲氧基丙酸乙酯、2－甲氧基丙酸丙酯、2－甲氧基丙酸丁酯、2－乙氧基丙酸甲酯、2－乙氧基丙酸乙酯、2－乙氧基丙酸丙酯、2－乙氧 基丙酸丁酯、2－丁氧基丙酸甲酯、2－丁氧基丙酸乙酯、2－丁氧基丙酸丙酯、2－丁氧基丙酸丁酯、3－甲氧基丙酸甲酯、3－甲氧基丙酸乙酯、3－甲氧基丙酸丙酯、3－甲氧基丙酸丁酯、3－乙氧基丙酸甲酯、3－乙氧基丙酸乙酯、3－乙氧基丙酸丙酯、3－乙氧基丙酸丁酯、3－丙氧基丙酸甲酯、3－丙氧基丙酸乙酯、3－丙氧基丙酸丙酯、3－丙氧基丙酸丁酯、3－丁氧基丙酸甲酯、3－丁氧基丙酸乙酯、3－丁氧基丙酸丙酯、3－丁氧基丙酸丁酯等。
該等溶劑中，以乙二醇烷基醚乙酸酯、二乙二醇、丙二醇單烷基醚或丙二醇烷基醚乙酸酯較佳，尤其以二乙二醇二甲基醚、二乙二醇乙基甲基醚、丙二醇甲基醚、丙二醇乙基醚、丙二醇甲基醚乙酸酯或3－甲氧基丙酸甲酯或該等之兩種以上之混合物較佳。溶劑之使用量以成為反應溶液中之化合物(a1)、(a2)及(a3)合計量之10~50重量%之量較佳，且以15~40重量%之量更佳。
用以合成聚矽氧烷[A]之水解及縮合反應較好在酸觸媒(例如鹽酸、硫酸、硝酸、甲酸、草酸、乙酸、三氟乙酸、三氟甲烷磺酸、酸性離子交換樹脂、各種路易斯酸等)或鹼性觸媒(例如氨、一級胺類、二級胺類、三級胺類、吡啶等含氮芳香族化合物；鹼性離子交換樹脂；氫氧化鈉等氫氧化物；碳酸鉀等碳酸鹽；乙酸鈉等羧酸鹽；各種路易斯鹼等)存在下進行。觸媒之使用量相對於化合物(a1)、(a2)及(a3)之合計1莫耳，較好為0.2莫耳以下，更好為0.00001~0.1莫耳。
水之使用量、反應溫度及反應時間係經適當設定。例如可採用下列條件。
水之使用量相對於化合物(a1)中之基R1 、化合物(a2)中之基R3 及化合物(a3)中之基R5 之合計量1莫耳，較好為0.1~3莫耳，更好為0.3~2莫耳，進而更好為0.5~1.5莫耳之量。
反應溫度較好為40~200℃，更好為50~150℃。
反應時間較好為30分鐘~24小時，更好為1~12小時。
化合物(a1)、(a2)及(a3)以及水可一次添加以一階段進行水解及縮合反應，或者化合物(a1)、(a2)及(a3)以及水可分段添加以多階段進行水解及縮合反應。
本發明中所用[A]成分之換算成聚苯乙烯之重量平均分子量(以下稱為「Mw」)較好為5×102 ~5×104 ，更好為1×103 ~3×104 。當Mw未達5×102 時，會有顯像裕度不充分之情況，所得被覆膜之殘膜率等降低，且所得層間絕緣膜或微透鏡之圖案形狀、耐熱性等劣化，另一方面當超過5×104 時，有敏感度下降使圖案形狀劣化之情況。含有如上述[A]成分之敏輻射線性樹脂組成物在顯像時不會發生顯像殘留且易於形成特定之圖案形狀。
[B]成分
本發明所用之[B]成分為藉由幅射線照射可產生羧酸 之1,2－重氮醌，可使用酚性化合物或醇性化合物(以下稱為「具有羥基之母核」)或具有胺基之母核與1,2－萘醌重氮基磺醯氯之縮合物。
具有上述羥基之母核可舉例為例如三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、五羥基二苯甲酮、六羥基二苯甲酮、(多羥基苯基)烷類以及其他具有羥基之母核。
該等具體例分別舉例為三羥基二苯甲酮為例如2,3,4－三羥基二苯甲酮、2,4,6－三羥基二苯甲酮等；四羥基二苯甲酮為2,2’,4,4’－四羥基二苯甲酮、2,3,4,3’－四羥基二苯甲酮、2,3,4,4’－四羥基二苯甲酮、2,3,4,2’－四羥基－4’－甲基二苯甲酮、2,3,4,4’－四羥基－3’－甲基二苯甲酮等；五羥基二苯甲酮為例如2,3,4,2’,6’－五羥基二苯甲酮等；六羥基二苯甲酮為例如2,4,6,3’,4’,5’－六羥基二苯甲酮、3,4,5,3’,4’,5’－六羥基二苯甲酮等；(多羥基苯基)烷類為例如雙(2,4－二羥基苯基)甲烷、雙(對－羥基苯基)甲烷、三(對－羥基苯基)甲烷、1,1,1－三(對－羥基苯基)乙烷、雙(2,3,4－三羥基苯基)甲烷、2,2－雙(2,3,4－三羥基苯基)丙烷、1,1,3－參(2,5－二甲基－4－羥基苯基)－3－苯基丙烷、4,4’－[1－[4－[1－[4－羥基苯基]－1－甲基乙基]苯基]亞乙基雙酚、雙(2,5－二甲基－4－羥基苯基)－2－羥基苯基甲烷、3,3,3’,3’－四甲基－1,1’－螺雙茚－ 5,6,7,5’,6’,7’－己醇、2,2,4－三甲基－7,2’,4’－三羥基黃烷等；其他具有羥基之母核為例如2－甲基－2－(2,4－二羥基苯基)－4－(4－羥基苯基)－7－羥基色烷、2－[雙{(5－異丙基－4－羥基－2－甲基)苯基}甲基]、1－[1－(3－{1－(4－羥基苯基)－1－甲基乙基}－4,6－二羥基苯基)－1－甲基乙基]－3－(1－(3－{1－(4－羥基苯基)－1－甲基乙基}－4,6－二羥基苯基)－1－甲基乙基)苯、4,6－雙{1－(4－羥基苯基)－1－甲基乙基}－1,3－二羥基苯等。
上述具有胺基之母核舉例為以胺基取代上述具有羥基之母核之羥基之化合物。
該等母核中，較好為2,3,4,4’－四羥基二苯甲酮、4,4’－[1－[4－[1－[4－羥基苯基]－1－甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚。
至於上述1,2－萘醌重氮基磺醯鹵較好為1,2－萘醌重氮基磺醯氯，至於其具體例舉例為1,2－萘醌重氮基－4－磺醯氯以及1,2－萘醌重氮基－5－磺醯氯，其中較好使用1,2－萘醌重氮基－5－磺醯氯。
縮合反應中，相對於酚性化合物或醇性化合物中之羥基數或具有胺基之母核之胺基數，較好使用相當於30~85莫耳%，更好50~70莫耳%之1,2－萘醌重氮基磺醯鹵。
縮合反應可以習知方法進行。
此處之[B]成分可單獨使用或組合兩種以上使用。
[B]成分之使用比例，相對於100重量份[A]成分，較好為1~25重量份，更好為5~20重量份。當該比例未達1重量份時，輻射線照射部分與未照射部分相對於作為顯像液之鹼性水溶液之溶解度差異小，會有難以圖案化之情況，且有所得層間絕緣膜或微透鏡之耐熱性及耐溶劑性變得不充分之情況。另一方面，當該比例超過25重量份時，輻射線照射部份對上述鹼性水溶液之溶解度變得不充分，而有顯像變困難之情況。
再者，已知藉由添加1,2－重氮醌化合物會損及所得硬化膜之光線透過率。過去已知之使用丙烯酸系樹脂或酚系樹脂之層間絕緣膜或微透鏡形成用組成物中，由於若未大量添加1,2－重氮醌化合物，則無法獲得所需之敏輻射線敏感度，故所得硬化膜之光線透過率提高有其限度。然而，由於本發明之敏輻射線性樹脂組成物與上述以往相較，可以較少的[B]1,2－重氮醌化合物量實現高的輻射線感度，所以具有在高放射線敏感度下形成具有高光線透過率硬化膜之優點。本發明之敏輻射線性樹脂組成物中[B]1,2－重氮醌化合物之使用量，進而相對於100重量份之[A]成分，可為15重量份以下。
其他成分
本發明之敏輻射線性樹脂組成物含有上述[A]成分及[B]成分做為必要成分，但可進一步視情況含有[C]敏熱性酸生成化合物、[D]具有至少一個乙烯屬不飽和雙鍵之聚 合性化合物、[E]環氧樹脂、[F]界面活性劑、[G]接著助劑等。
上述[C]敏熱性酸產生化合物可用於改善耐熱性或硬度。其具體例舉例為鋶鹽、苯并三唑鎓鹽、銨鹽、鏻鹽等鎓鹽。
上述鋶鹽之具體例舉例為烷基鋶鹽、苄基鋶鹽、二苄基鋶鹽、經取代之苄基鋶鹽等。
該等具體例分別列舉之烷基锍鹽為例如4－乙醯基苯基二甲基鋶六氟銻酸鹽、4－乙醯氧基苯基二甲基鋶六氟砷酸鹽、二甲基－4－(苄基氧基羰基氧基)苯基鋶六氟銻酸鹽、二甲基－4－(苯甲醯基氧基)苯基鋶六氟銻酸鹽、二甲基－4－(苯甲醯基氧基)苯基鋶六氟砷酸鹽、二甲基－3－氯－4－乙醯氧基苯基鋶六氟銻酸鹽等；苄基鋶鹽舉例為例如苄基－4－羥基苯基甲基鋶六氟銻酸鹽、苄基－4－羥基苯基甲基鋶六氟磷酸鹽、4－乙醯氧基苯基苄基甲基鋶六氟銻酸鹽、苄基－4－甲氧基苯基甲基鋶六氟銻酸鹽、苄基－2－甲基－4－羥基苯基甲基鋶六氟銻酸鹽、苄基－3－氯－4－羥基苯基甲基鋶六氟砷酸鹽、4－甲氧基苄基－4－羥基苯基甲基鋶六氟磷酸鹽等；二苄基鋶鹽舉例為例如二苄基－4－羥基苯基鋶六氟銻酸鹽、二苄基－4－羥基苯基鋶六氟磷酸鹽、4－乙醯氧基苯基二苄基鋶六氟銻酸鹽、二苄基－4－甲氧基苯基鋶六氟銻酸鹽、二苄基－3－氯－4－羥基苯基鋶六氟砷酸鹽、二苄基－3－甲基－4－羥基－5－第三丁基苯基鋶六氟 銻酸鹽、苄基－4－甲氧基苄基－4－羥基苯基鋶六氟磷酸鹽等；經取代之苄基鋶鹽舉例為例如對－氯苄基－4－羥基苯基甲基鋶六氟銻酸鹽、對－硝基苄基－4－羥基苯基甲基鋶六氟銻酸鹽、對－氯苄基－4－羥基苯基甲基鋶六氟磷酸鹽、對－硝基苄基－3－甲基－4－羥基苯基甲基鋶六氟銻酸鹽、3,5－二氯苄基－4－羥基苯基甲基鋶六氟銻酸鹽、鄰－氯苄基－3－氯－4－羥基苯基甲基鋶六氟銻酸鹽等。
上述苯并三唑鎓鹽之具體例舉例為例如3－苄基苯并三唑鎓六氟銻酸鹽、3－苄基苯并三唑鎓六氟磷酸鹽、3－苄基苯并三唑鎓四氟硼酸鹽、3－(對－甲氧基苄基)苯并三唑鎓六氟銻酸鹽、3－苄基－2－甲基硫基苯并三唑鎓六氟銻酸鹽、3－苄基－5－氯苯并三唑鎓六氟銻酸鹽等。
此等中，較好使用鋶鹽及苯并三唑鎓鹽，最好使用4－乙醯氧基苯基二甲基鋶六氟砷酸鹽、苄基－4－羥基苯基甲基鋶六氟銻酸鹽、4－乙醯氧基苯基苄基甲基鋶六氟銻酸鹽、二苄基－4－羥基苯基鋶六氟銻酸鹽、4－乙醯氧基苯基苄基鋶六氟銻酸鹽或3－苄基苯并三唑鎓六氟銻酸鹽。
該等之市售品舉例為例如SUNAID SI－L85、SUNAID SI－L110、SUNAID SI－L145、SUNAID SI－L150、SUNAID SI－L160(三新化學工業(股)製造)等。
[C]敏熱性酸產生化合物之使用比例，相對於成分 [A]100重量份，較好在20重量份以下，更好在5重量份以下。該用量超過20重量份時，於塗膜形成步驟中會析出析出物，造成塗膜形成阻礙之情況。
上述[D]具有至少一個乙烯屬不飽和雙鍵之聚合性化合物(以下有時稱為[D]成分)較好列舉為例如單官能基(甲基)丙烯酸酯、2官能基(甲基)丙烯酸酯或3官能基以上之(甲基)丙烯酸酯。
上述單官能基(甲基)丙烯酸酯可舉例為例如(甲基)丙烯酸2－羥基乙酯、(甲基)丙烯酸卡必醇酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸3－甲氧基丁酯、2－(甲基)丙烯醯氧基乙基－2－羥基丙基苯二酸酯等。該等之市售品舉例為例如ARONIX M－101、ARONIX M－111、ARONIX M－114(以上為東亞合成(股)製造)，KATARAD TC－110S、KATARAD TC－120S(以上為日本化藥(股)製造)，BISCOT 158、BISCOT 2311(以上為大阪有機化學工業(股)製造)
上述2官能基(甲基)丙烯酸酯可舉例為例如(甲基)丙烯酸乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,6－己二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,9－壬二醇酯、聚二(甲基)丙烯酸丙二醇酯、二(甲基)丙烯酸四乙二醇酯、雙苯氧基乙醇芴二丙烯酸酯等。該等市售品舉例為例如ARONIX M－210、ARONIX M－240、ARONIX M－6200(以上為東亞合成(股)製造)，KATARAD HDDA、KATARAD HX－220、KATARAD R－604(以上為日本化藥(股)製造)， BISCOT 260、BISCOT 312、BISCOT 335HP(以上為大阪有機化學工業(股)製造)。
上述3官能基(甲基)丙烯酸酯可舉例為例如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三((甲基)丙烯醯氧基乙基)磷酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。該等市售品舉例為例如ARONIX M－309、ARONIX M－400、ARONIX M－405、ARONIX M－450、ARONIX M－7100、ARONIX M－8030、ARONIX M－8060(以上為東亞合成(股)製造)，KATARAD TMPTA、KATARAD DPHA、KATARAD DPCA－20、KATARAD DPCA－30、KATARAD DPCA－60、KATARAD DPCA－120(以上為日本化藥(股)製造)，BISCOT 295、BISCOT 300、BISCOT 360、BISCOT GPT、BISCOT 3PA、BISCOT 400(以上為大阪有機化學工業(股)製造)。
此等中較好使用3官能基以上之(甲基)丙烯酸酯，其中最佳者為三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。
該等單官能基、2官能基或3官能基以上之(甲基)丙烯酸酯可單獨使用或組合使用。[D]成分之使用比例，相對於成分[A]100重量份，較好為50重量份以下，更好為30重量份以下。
藉由以如此比例含有[D]成分，可提高由本發明之敏輻射線性樹脂組成物所得之層間絕緣膜或微透鏡之耐熱性以及表面硬度等。若該使用量超過50重量份，則在基板上形成敏輻射線性樹脂組成物之被覆膜之步驟中會造成膜粗糙。
上述[E]環氧樹脂只要不影響相溶性下則無特別限制。較佳可舉例為雙酚A型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、環狀脂肪族環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、使縮水甘油甲基丙烯酸酯(共)聚合形成之樹脂等。該等中，最佳為雙酚A型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂等。
[E]環氧樹脂之使用比例，相對於成分[A]100重量份，較好為30重量份以下。就由以此比例含有[E]環氧樹脂，可進一步提高由本發明之敏輻射線性樹脂組成物所得之層間絕緣膜或微透鏡之耐熱性及表面硬度。若該比例超過30重量份，則在基板上形成敏輻射線性樹脂組成物之被覆膜時，會有被覆之膜厚度均勻性不充分之情況。
又，當[A]成分亦可能稱為「環氧樹脂」，但具有鹼可溶性方面與[E]環氧樹脂不同。[E]環氧樹脂為鹼不溶性。
本發明之敏輻射線性樹脂組成物為了進一步提高塗佈性，可使用上述[F]界面活性劑。此處可使用之[F]界面活性劑較好為氟系界面活性劑、矽氧系界面活性劑及非離子 性界面活性劑。
氟系界面活性劑之具體例舉例除1,1,2,2－四氟辛基(1,1,2,2－四氟丙基)醚、1,1,2,2－四氟辛基己基醚、八乙二醇二(1,1,2,2－四氟丁基)醚、六乙二醇(1,1,2,2,3,3－六氟戊基)醚、八丙二醇二(1,1,2,2－四氟丁基)醚、六丙二醇二(1,1,2,2,3,3－六氟戊基)醚、全氟十二烷基磺酸鈉、1,1,2,2,3,3,9,9,10,10－十氟十二烷，1,1,2,2,3,3－六氟癸烷等外，亦可舉例為氟烷基苯磺酸鈉；氟烷基氧基伸乙基醚；氟烷基銨碘鎓鹽、氟烷基聚氧伸乙基醚、全氟烷基聚氧乙醇；全氟烷基烷醇酸酯；氟系烷酯等。
該等之市售品舉例為BM－1000、BM－1100(以上為BM Chemie公司製造)，MEGAFAX F142D，MEGAFAX F172、MEGAFAX F173、MEGAFAX F183、MEGAFAX F178、MEGAFAX F191、MEGAFAX F471(以上為大日本油墨化學工業(股)製造)，FLORARD FC－170C、FLORARD FC－171、FLORARD FC－430、FLORARD FC－431(以上為住友3M(股)製造)，SURFLON S－112、SURFLON S－113、SURFLON S－131、SURFLON S－141、SURFLON S－145、SURFLON S－382、SURFLON SC－101、SURFLON SC－102、SURFLON SC－103、SURFLON SC－104、SURFLON SC－105、SURFLON SC－106(旭硝子(股)製造)、F TOP EF301、F TOP EF303、F TOP EF352(新秋田化成(股)製造)。
上述矽氧烷系界面活性劑舉例為例如以DC3PA、DC7PA、FS－1265、SF－8482、SH11PA、SH21PA、SH28PA、SH29PA、SH30PA、SH－190、SH－193、SZ－6032(東麗．道康寧矽氧(股)製造)、TSF－4440、TSF－4300、TSF－4445、TSF－4446、TSF－4460、TSF－4452(日本Momentap．Perfoemance．Materials合同公司製造)等商品名銷售之者。
上述非離子性界面活性劑可使用例如聚氧乙烯基月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚等聚氧乙烯烷基醚類；聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等聚氧乙烯芳基醚類；聚氧乙烯二月桂酸酯、聚氧乙烯二硬脂酸酯等聚氧乙烯二烷酯類等；(甲基)丙烯酸系共聚物POLYFLON No.57、95(共榮社化學(股)製造)等。
該等界面活性劑可單獨使用或組合兩種以上使用。
該等[F]界面活性劑之用量，相對於成分[A]100重量份，較好在5重量份以下，更好在2重量份以下。當[F]界面活性劑之用量超過5重量份時，於基板上形成塗膜時，有易於產生塗膜之膜粗糙的情況。
本發明之敏輻射線性樹脂組成物中為了提高與基材之接著性，可使用[G]接著助劑。
此種[G]接著助劑較好使用官能性矽烷偶合劑，可舉例為例如具有羧基、甲基丙烯醯基、異氰酸酯基、環氧基等反應性取代基之矽烷偶合劑。具體而言可舉例為三甲氧基矽烷基苯甲酸、γ－甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷 、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙醯基三甲氧基矽烷、γ－異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、γ－縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、β－(3,4－環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷等。此等[G]接著助劑之用量，相對於成分[A]100重量份，較好在20重量份以下，更好在10重量份以下。若接著助劑之量超過20重量份，會有在顯像步驟中易於發生顯像殘留之情況。
敏幅射線性樹脂組成物
本發明之敏幅射線性樹脂組成物可藉由使上述[A]成分及[B]成分以及如上述任意添加之其他成分均勻混合而調製。本發明之敏幅射線性樹脂組成物較好以溶解於適當溶劑中之溶液狀態使用。例如藉由將[A]成分及[B]成分以及任意添加之其他成分以特定比例混合，可調製溶液狀態之敏幅射線性樹脂組成物。
本發明之敏幅射線性樹脂組成物之調製中所用之溶劑係使用可使[A]成分及[B]成分以及任意調配之其他成分之各成分均勻的溶解，且不與各成分反應者。
該等溶劑舉例為如用以合成作為[A]成分較佳使用之聚矽氧烷[A]之上述溶劑所列示者同樣的溶劑。
該等溶劑中，就各成分之溶解性、與各成分之反應性、塗膜形成容易性之觀點而言，較好使用醇類、二醇醚、乙二醇烷基醚、酯類及乙二醇。此等中，最好使用苄基醇、2－苯基乙基醇、3－苯基－1－丙醇、乙二醇單丁基醚 乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇乙基甲基醚、二乙二醇二甲基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、3－甲氧基丙酸甲酯或2－乙氧基丙酸乙酯，或該等之兩種以上之混合物。
作為本發明之敏幅射線性樹脂組成物之溶劑，於與高沸點溶劑併用時，其使用比例，相對於溶劑總量，較好為50重量%以下，更好為40重量%以下，又更好為30重量%以下。高沸點溶劑之使用比例若超過該使用量，會有塗膜之膜厚均勻性、敏感度以及殘膜率降低之情況。
將本發明之敏幅射線性樹脂組成物調製成溶液狀態時，溶液中除溶劑以外之其他成分(亦即[A]成分以及[B]成分及任意添加之其他成分之合計量)之比例(固成分濃度)雖可依據使用之目的及所需膜厚值等而任意設定，但較好為5~50重量%，更好為10~40重量%，進而更好為15~35重量%。
如此般調製之組成物溶液亦可使用孔徑0.2 μm左右之微孔隙過濾器過濾後提供使用。
層間絕緣膜、微透鏡之形成
接著敘述使用本發明之敏幅射線性樹脂組成物形成本發明之層間絕緣膜或微透鏡之方法。本發明之層間絕緣膜或微透鏡之形成方法包含以下所述順序之下列步驟：(1)在基板上形成本發明之敏輻射線性樹脂組成物之被覆膜之步驟， (2)對該被覆膜之至少一部份照射輻射線之步驟，(3)使輻射線照射後之被覆膜顯像之步驟，及(4)加熱該顯像後之被覆膜之步驟。
以下針對本發明之層間絕緣膜或微透鏡之形成方法之各步驟詳細加以說明。
(1)在基板上形成本發明之敏幅射線性樹脂組成物之被覆膜之步驟
步驟(1)中，係將本發明之組成物溶液塗佈在基板表面上，較好經由預烘烤去除溶劑，形成敏幅射線性樹脂組成物之被覆膜。
可使用之基板種類舉例為例如玻璃基板、矽基板以及在該等表面上形成各種金屬之基板。
至於組成物之塗佈方法並沒有特別限制，可採用例如噴霧法、輥塗法、旋轉塗佈法(旋塗法)、狹縫模嘴塗佈法、棒塗佈法、噴墨法等適宜之方法。尤其以旋塗法或狹縫模嘴塗佈法較佳。預烘烤條件依各種成分之種類、使用比例等而不同。例如可在60~110℃下進行30秒~15分鐘。
所形成之被覆膜之膜厚，以預烘烤後之值表示，於形成層間絕緣膜之情況下，較好為例如3~6 μm，於形成微透鏡之情況下，較好為例如0.5~3 μm。
(2)對該被覆膜之至少一部份照射幅射線之步驟
步驟(2)中，係使如上述形成之被覆膜之至少一部份照射輻射線。被覆膜之一部份照射輻射線可藉由例如通過具有特定圖案之光罩照射幅射線之方法進行。
隨後，藉由使用顯像液進行顯像處理去除輻射線之照射部份而進行圖案化。此時使用之輻射線舉例為例如紫外線、遠紫外線、X線、帶電粒子束等。
上述紫外線舉例為例如包含g線(波長436nm)、i線(波長365nm)等之輻射線。遠紫外線舉例為例如KrF準分子雷射等。X線舉例為例如同步加速器輻射線等。帶電粒子束舉例為例如電子束等。
該等中，以紫外線較佳，其中尤其以含有g線及i線中之一或二者之輻射線為最佳。
輻射線之照射量(曝光量)，於形成層間絕緣膜之情況下，以50~1,500 J/m2 較佳，於形成為透鏡之情況下，以50~2,000 J/m2 較佳。
(3)使輻射線照射後之被覆膜顯像之步驟
步驟(3)之顯像處理中使用之顯像液可使用例如氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水、乙胺、正－丙基胺、二乙胺、二乙胺乙醇、二正丙基胺、三乙胺、甲基二乙胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、吡咯、哌啶、1,8－二氮雜雙環[5.4.0]－7－十一碳烯、1,5－二氮雜雙環[4.3.0]－5－壬烷等鹼(鹼性化合物)之水溶液。又上述鹼性水溶液 中亦可適量添加例如甲醇、乙醇等水溶性有機溶劑及界面活性劑，或者使本發明之組成物溶解之各種有機溶劑作為顯像液使用。
至於顯像方法，可利用溢液法、浸漬法、搖動浸漬法、淋洗法等適宜之方法。此時之顯像時間隨著組成物之組成而不同，例如可為30~120秒之間。
又，過去已知之敏幅射線性樹脂組成物由於當顯像時間超過最適值之20~25秒時所形成之圖案會產生剝落，因此有必要嚴格控制顯像時間，但於本發明之敏幅射線性樹脂組成物之情況，在超過最適顯像時間30秒以上亦可形成良好之圖案，因此具有成品良率上的優點。
(4)將顯像後之被覆膜加熱之步驟
如上述般進行步驟(3)之顯像步驟後，對於經圖案化之薄膜較好以例如自來水洗淨進行洗滌處理。再者，較好藉由高壓水銀燈等全面性的照射輻射線(後曝光)，使該薄膜中殘存之1,2－重氮醌進行分解處理後，藉由加熱板、烘箱等加熱裝置對該薄膜進行加熱處理(後烘烤處理)，進行該薄膜之硬化處理。上述後曝光步驟之曝光量較好為2,000~5,000 J/m2 。又，該硬化處理之燒成溫度為例如120℃以上且未滿250℃。加熱時間隨著加熱設備種類而有不同，例如在加熱板上進行加熱處理時可為5~30分鐘，在烘箱中進行加熱處理時可為30~90分鐘。此時，可使用進行2次以上之加熱步驟之階段烘烤法。又，當在基 板上形成過去已知為高耐熱材料之由聚矽氧烷組成之感光性材料之被覆膜時，在250℃以上之高溫處理有其必要，但於本發明之敏輻射線性樹脂組成物時，由於該處理溫度可為未滿250℃，進而為240℃以下，又進而為230℃以下，因此具有亦適用於形成顯示元件之步驟中之優點。
據此，對於作為目的之層間絕緣膜或微透鏡，可在基板表面上形成圖案狀薄膜。
層間絕緣膜
如上述般形成之本發明層間絕緣膜，如由後述之實施例可了解，係對基板之密著性良好、耐溶劑性及耐熱性優異、具有高的透過率、介電率低之層間絕緣膜，而可適宜作為電子零件之層間絕緣膜。
微透鏡
如上述般形成之本發明微透鏡，由後述之實施例可了解，為對基板之密著性良好、耐溶劑性及耐熱性優異、且具有高的光線透過率及良好熔融形狀之微透鏡，而可適用作為固體攝影元件之微透鏡。
本發明之微透鏡形狀，如圖1(a)所示，為半凸透鏡形狀，顯示良好之聚光特性。
實施例
以下所示之合成例、實施例係更具體的說明本發明， 但本發明並不受下列實施例之限制。
[A]成分之合成例 合成例1
於裝置分餾管之500毫升三頸瓶中注入33.3克2－羥基乙基三甲氧基矽烷及72.1克二甲基二甲氧基矽烷，且於其中添加76.8克二乙二醇甲基乙基醚使之溶解，以磁石攪拌器攪拌所得溶液歷時30分鐘，且升溫至40℃。在30分鐘內將含1.4克草酸之43.3克離子交換水連續添加於其中。然後，使之在40℃下反應2小時後，使所得反應溶液在40℃下於1分鐘內減壓至10Torr(約1.33×103 Pa)，藉由維持在該減壓下60分鐘餾除副產物甲醇。隨後，使反應溶液在1小時內升溫至100℃，且一邊餾除水分一邊在100℃下反應2小時。使所得反應溶液冷卻至60℃，首先在30分鐘內連續添加47.2克之3－縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷，隨後於30分鐘內連續添加含0.4克草酸之10.8克離子交換水，在60℃下進行反應3小時。減壓下自反應溶液餾除甲醇及水，藉由添加二乙二醇甲基乙基醚使固成分濃度(溶液中所佔聚矽氧烷之重量比)成為40重量%，獲得含有聚矽氧烷[A－1]之溶液。聚矽氧烷[A－1]之換算成聚苯乙烯之重量平均分子量Mw為2,600。
合成例2
於裝置分餾管之500毫升三頸瓶中注入39.3克3－巰 基丙基三甲氧基矽烷及119.0克苯基三甲氧基矽烷，於其中添加76.8克二乙二醇甲基乙基醚使之溶解，以磁石攪拌器攪拌所得溶液歷時30分鐘，且升溫至40℃。在30分鐘內將含1.4克草酸之43.3克離子交換水連續添加於其中。然後，使之在40℃下反應2小時後，使所得反應溶液在40℃下於1分鐘內減壓至10Torr，藉由維持在該減壓下60分鐘餾除副產物甲醇。隨後，使反應溶液在1小時內升溫至100℃，且一邊餾除水分一邊在100℃下繼續反應2小時。使所得反應溶液冷卻至60℃，首先在30分鐘內連續添加49.3克之2－(3’,4’－環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷，隨後於30分鐘內連續添加含0.4克草酸之10.8克離子交換水，且在60℃下再進行反應3小時。減壓下自反應溶液餾除甲醇及水，藉由添加二乙二醇甲基乙基醚使固成分濃度成為40重量%，獲得含有聚矽氧烷[A－2]之溶液。聚矽氧烷[A－2]之換算成聚苯乙烯之重量平均分子量Mw為2,500。
合成例3
於裝置分餾管之500毫升三頸瓶中注入55.7克3－(3’－乙基氧雜環丁烷－3’－基)丙基三甲氧基矽烷、66.1克三甲氧基矽烷基丙基－2－(4’－羥基苯基)丙基硫醚及40.3克甲基三甲氧基矽烷，於其中添加139.7克甲基異丁基酮使之溶解，以磁石攪拌器攪拌所得溶液且使之升溫至60℃。在1小時內將含1.0克三乙胺之54.0克離子 交換水連續添加於其中。然後，在60℃下進行反應3小時後，使所得反應溶液冷卻至室溫。隨後，以200克1重量%之草酸水溶液洗淨兩次，接著以200克離子交換水進行洗淨。減壓下自所得有機層餾除醇及水，藉由添加二乙二醇乙基甲基醚使固成分濃度成為40重量%，獲得含有聚矽氧烷[A－3]之溶液。聚矽氧烷[A－3]之換算成聚苯乙烯之重量平均分子量Mw為2,400。
比較合成例1
於裝置分餾管之500毫升三頸瓶中注入88.5克甲基三甲氧基矽烷及69.4克苯基三甲氧基矽烷，於其中添加138.9克二丙酮醇使之溶解，以磁石攪拌器攪拌所得溶液，同時在30分鐘內連續添加含0.2克磷酸之54.0克離子交換水。然後使之在40℃下反應30分鐘後，於1小時升溫至100℃，一邊餾除甲醇與水一邊反應2小時。隨後，添加二丙酮醇及γ－丁內酯，藉由二丙酮醇/γ－丁內酯＝90/10(重量比)稀釋使固成分成為35重量%，獲得含有聚矽氧烷[a－1]之溶液。聚矽氧烷[a－1]之換算成聚苯乙烯之重量平均分子量Mw為2,900。
比較合成例2
於裝置有冷凝管及攪拌機之反應瓶中饋入8重量份之2,2’－偶氮雙(2,4－二甲基戊腈)及220重量份之二乙二醇乙基甲基醚，接著連續饋入20重量份之苯乙烯、20重 量份之甲基丙烯酸、40重量份之甲基丙烯酸縮水甘油酯及20重量份之甲基丙烯酸三環[5.2.1.02,6 ]癸－8－基酯，並經氮氣置換後，開始緩慢進行攪拌。使溶液溫度上升至70℃，在該溫度下維持5小時，獲得含有共聚物[a－2]之聚合物溶液。
共聚物[a－2]之換算成聚苯乙烯之重量平均分子量為7,500，分子量分布(Mw/Mn)為2.5。另外，此處所得聚合物溶液之固成分濃度為31.6重量%。
<敏輻射線性樹脂組成物之調製> 實施例1
使含有以上述合成例1合成之聚矽氧烷[A－1]之溶液以相當於聚矽氧烷[A－1]100重量份(固成分)之量與10重量份之作為成分[B]之4,4’－[1－[4－[1－[4－羥基苯基]－1－甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚(1.0莫耳)與1,2－萘醌重氮基－5－磺醯氯(2.0莫耳)之縮合物(B－1)混合，且以使固成分濃度成為30重量%添加二乙二醇乙基甲基醚並經均勻溶解後，以孔徑0.2 μm之薄膜過濾器過濾，調製敏輻射線性樹脂組成物之溶液(S－1)。
實施例2~7，比較例1~2
於實施例1中，除使用表1中所述之種類、量之[A]成分及[B]成分以外，如實施例1般進行，調製敏輻射線性樹脂組成物之溶液(S－2)~(S－7)以及(s－1)~(s－2 )。
又，於實施例2、3中，[B]成分之記載係分別併用兩種以上之1,2－重氮醌化合物。又，實施例5中除[A]成分與[B]成分外另添加[C]敏熱性酸產生化合物，實施例6中除[A]成分及[B]成分外另添加[E]成分。
實施例8
實施例7中，除使之溶解於二乙二醇乙基甲基醚/丙二醇單甲基醚乙酸酯＝6/4(重量比)中使固成分濃度成為20重量%，進而添加[F]界面活性劑以外，如實施例1般進行以調製敏輻射線性樹脂組成物之溶液(S－8)。
表1中成分簡寫意義分別如下：[B－1]：4,4’－[1－[4－[1－[4－羥基苯基]－1－甲基 乙基]苯基]亞乙基]雙酚(1.0莫耳)與1,2－萘醌重氮基－5－磺醯氯(2.0莫耳)之縮合物[B－2]：4,4”,4”－亞乙基參(苯酚)(1.0莫耳)與1,2－萘醌重氮基－5－磺醯氯(2.0莫耳)之縮合物[B－3]：2,3,4,4’－四羥基二苯甲酮(1.0莫耳)與1,2－萘醌重氮基－5－磺酸酯(2.44莫耳)[C－1]：SUNAID SI－L85(三新化學(股)製造)[E－1]：EPICOT 154(日本環氧樹脂(股)製造)[F－1]：SH－28PA(東麗．道康寧矽氧(股)製造)
<作為層間絕緣膜之性能評價> 實施例9~16，比較例3~4
使用如上述般製備之敏輻射線性樹脂組成物，如下列般評價作為層間絕緣膜之各種特性。
[敏感度之評價]
在矽基板上使用旋轉塗佈器，於實施例9~15及比較例3~4分別塗佈表2中所述之組成物後，在加熱板上於100℃下預烘烤2分鐘，形成膜厚4.0 μm之塗膜。實施例16係以狹縫模嘴塗佈器進行塗佈，在室溫下於15秒內減壓至0.5Torr餾除溶劑後，於加熱板上在100℃下預烘烤2分鐘，形成膜厚4.0 μm之塗膜。
所得塗膜上分別介以具有特定圖案之圖案光罩，以Canon(股)製造之PLA－501F曝光機(超高壓水銀燈) ，改變曝光時間進行曝光後，在25℃以2.38重量%四甲基氫氧化銨水溶液中以溢液法進行顯像80秒。接著以超純水進行1分鐘沖水喜淨，經乾燥在矽基板上形成圖案。此時，調查使3.0 μm之線與間隔(line and space)(10對1)之間隔．圖案完全溶解所需之最小曝光量。以該最小曝光量作為敏感度列於表2。
[顯像裕度之評價]
在矽基板上使用旋轉塗佈器，於實施例9~15及比較例3~4分別塗佈表2中所述之組成物後，在加熱板上於100℃下預烘烤2分鐘，形成膜厚4.0 μm之塗膜。實施例16係以狹縫模嘴塗佈器進行塗佈，在室溫下於15秒內減壓至0.5Torr餾除溶劑後，於加熱板上在100℃下預烘烤2分鐘，形成膜厚4.0 μm之塗膜。
所得塗膜分別介以具有3.0 μm之線與間隔(10對1)之圖案之光罩，使用Canon(股)製造之PLA－501F曝光機(超高壓水銀燈)，以上述針對「敏感度評價」調查之敏感度值相當之曝光量進行曝光，且在25℃下於2.38重量%四甲基氫氧化銨水溶液中改變顯像時間以溢液法進行顯像。接著以超純水進行1分鐘沖水洗淨後，經乾燥在矽基板上形成圖案。此時，以使線寬度為3 μm所需之顯像時間作為最適顯像時間且列於表2。另外，自最適之顯像時間繼續顯像時，測定至3.0 μm之線．間隔剝落為止之時間作為顯像裕度且列於表2。
[耐溶劑性之評價]
在矽基板上使用旋轉塗佈器，於實施例9~15及比較例3~4分別塗佈表2中所述之組成物後，在加熱板上於100℃下預烘烤2分鐘，形成塗膜。實施例16係以狹縫模嘴塗佈器進行塗佈，在室溫下於15秒內減壓至0.5Torr餾除溶劑後，於加熱板上在100℃下預烘烤2分鐘，藉此形成塗膜。
所得塗膜分別以Canon(股)製造之PLA－501F曝光機(超高壓水銀燈)，經累積照射量成為3,000J/m2 之方式加以曝光，使該矽基板在清潔烘箱中於220℃下加熱1小時，獲得膜厚約3.0 μm之硬化膜。測定所得硬化膜之膜厚(T1)。接著，使形成該硬化膜之矽基板浸漬在溫度控制在70℃之二甲基亞碸中20分鐘後，測定該硬化膜浸漬後膜厚(t1)，且計算出浸漬之膜厚變化率{| t1－T1 |/T1}×100[%]。結果列於表2。
又，由於耐溶劑性評價中不需要對形成之膜圖案化，因此省略掉幅射線照射步驟以及顯像步驟，僅進行塗膜形成步驟、後曝光步驟及加熱步驟後供評價。
[耐熱性之評價]
與上述[耐溶劑性之評價]同樣在矽基板上形成硬化膜，測定所得硬化膜之膜厚(T2)。接著，使附有該硬化膜之基板在清潔烘箱內於240℃下繼續烘烤1小時後，測定 該硬化膜繼續烘烤後之膜厚(t2)，計算出繼續烘烤後之膜厚變化率{| t2－T2 |/T2}×100[%]。結果列於表2。
[透明性之評價]
於上述[耐溶劑評價]中，取代矽基板而使用玻璃基板「CONING 7095」(康寧公司製)以外，同樣地在玻璃基板上形成硬化膜。使用分光光度計「150－20型雙光束(double beam)」((股)日立製作所)於400~800nm範圍之波長測定具有該硬化膜之玻璃基板之光線透過率。此時最低光線透過率之值列於表2。
[比介電率之評價]
與經研磨之SUS304製基板上，於實施例9~15以及比較例3~4，使用旋轉塗佈器分別塗佈表2中所述之組成物後，在加熱板上於100℃下預烘烤2分鐘，形成膜厚3.0 μm之塗膜。實施例16係以狹縫模嘴塗佈器進行塗佈，在室溫下於15秒內減壓至0.5Torr(約66.6Pa)餾除溶劑後，於加熱板上在100℃下預烘烤2分鐘，形成膜厚3.0 μm之塗膜。
所得塗膜分別以Canon(股)製造之PLA－501F曝光機(超高壓水銀燈)，以累積照射量為3,000J/m2 之方式曝光後，使各基板在清潔烘箱中於220℃下加熱1小時，在基板上形成硬化膜。以蒸鍍法在該硬化膜上形成Pt/Pd電極圖案，製備測定介電率用之樣品。在該基板上使用橫 河．Hewlett－Packard(股)製造之HP16451B電極及HP4284A Pireshijon LCR計，以CV法測定頻率10kHz下之比介電率。結果列於表2。
又，由於介電率評價中形成之膜不需要圖案化，因此省略掉輻射線照射步驟以及顯像步驟，僅進行塗膜形成步驟、後曝光步驟及加熱步驟供評價。
<作為微透鏡之性能評價> 實施例17~23，比較例5~6
使用如上述般調製之敏輻射線性樹脂組成物，如下評價作為微透鏡之各種特性。又耐溶劑性評價、耐熱性評價、透明性評價係參照作為上述層間絕緣膜之性能評價結果。
[敏感度之評價]
於矽基板上使用旋轉塗佈器分別塗佈表3中所記載之組成物後，在加熱板上於100℃下預烘烤2分鐘，形成膜厚2.0 μm之塗膜。所得塗膜介以具有特定圖案之圖案光罩，以Nikon(股)製造之NSR1755i7A縮小投影曝光機(NA＝0.50，λ＝365nm)，改變曝光時間加以曝光，且在25℃於2.38重量%四甲基氫氧化銨水溶液中以溢液法顯像1分鐘。接著以水洗滌，經乾燥在矽基板上形成圖案。調查0.8 μm線及間隔(1對1)之空間線寬成為0.8 μm所需之最小曝光量。以該最小曝光量作為敏感度且列於表3中。
[顯像裕度之評價]
於矽基板上使用旋轉塗佈器分別塗佈表3中所記載之組成物後，在加熱板上於100℃下預烘烤2分鐘，形成膜厚2.0 μm之塗膜。所得塗膜介以具有特定圖案之圖案光罩，以Nikon(股)製造之NSR1755i7A縮小投影曝光機(NA＝0.50，λ＝365nm)，以與上述「敏感度之評價」所調查之敏感度值相當之曝光量進行曝光，且在25℃以表3中所記載濃度之四甲基氫氧化銨水溶液中以溢液法顯像1分鐘。接著以水洗滌，經乾燥在矽基板上形成圖案。以0.8 μm線及間隔(1對1)之間隔線寬成為0.8 μm之必要顯像時間作為最適顯像時間且列於表3中。又，自最適 顯像時間繼續顯像時，測定至0.8 μm之圖案剝落為止之時間(顯像裕度)且列於表3中
[微透鏡之形成]
於矽基板上使用旋轉塗佈器分別塗佈表3中所述之組成物後，在加熱板上於100℃下預烘烤2分鐘，形成膜厚2.0 μm之塗膜。所得塗膜介以具有4.0 μm點．2.0 μm間隔圖案之圖案光罩，以Nikon(股)製造之NSR1755i7A縮小投影曝光機(NA＝0.50，λ＝365nm)，以與上述「敏感度之評價」調查之敏感度值相當之曝光量進行曝光，在25℃於2.38重量%之四甲基氫氧化銨水溶液中以溢液法顯像1分鐘。接著以水洗滌，經乾燥，在矽基板上形成圖案。隨後，以Canon(股)製造之PLA－501F曝光機(超高壓水銀燈)，以累積照射量成為3,000J/m2 之方式曝光。隨後在加熱板上於160℃下加熱10分鐘後，進一步在230℃下加熱10分鐘，且使圖案經熔融流動化並形成微透鏡。
所形成微透鏡之底部(與基板接觸之面)尺寸(直徑)及剖面形狀示於表3。微透鏡之底部尺寸超過4.0 μm未達5.0 μm時，較佳。該尺寸為5.0 μm以上時，為鄰接透鏡彼此間接觸之狀態，而較不佳。又，剖面形狀為圖1中所示之模式圖，為(a)之半凸透鏡形狀時為良好，於(b)般之略為梯形形狀之情況為不佳。
又，比較例5中，由於熔融流動化之微透鏡圖案分別 與鄰接之圖案接觸，因此無法進行底面直徑之測定以及剖面形狀之評價。
發明效果
本發明之敏輻射線性樹脂組成物在未達250℃之燒成條件下亦可形成對基板之密著性亦良好、耐溶劑性與耐熱性優異、具有高透過率、介電率低之層間絕緣膜。
又，本發明之敏輻射線性樹脂組成物可容易地形成具有高的敏輻射線敏感度，具有於顯像步驟中即使超過最適顯像時間仍可形成良好圖案形狀之顯像裕度，且密著性優異之圖案狀薄膜。
又，由上述組成物形成之本發明微透鏡為與基板之密著性良好、耐溶劑性與耐熱性優異且具有高的透過率與良好熔融形狀之微透鏡，而可適宜使用作為固體攝影件之微 透鏡。
圖1為微透鏡之剖面形狀之模式圖。

Claims (8)

  1. 一種敏輻射線性樹脂組成物，其特徵為含有：[A]具有選自由環氧乙烷基及氧雜環丁烷基所組成之群組之至少一種基及可加成反應於環氧乙烷基或氧雜環丁烷基之官能基之聚矽氧烷，其中前述[A]聚矽氧烷中可加成反應於環氧乙烷基或氧雜環丁烷基之官能基為羥基、巰基或胺基，以及[B]1,2-重氮醌化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項之敏輻射線性樹脂組成物，其中[A]聚矽氧烷為含有下列矽烷化合物之水解縮合物：(a1)具有選自由環氧乙烷基及氧雜環丁烷基所組成之群組之至少一種基與水解性基之矽烷化合物，以及(a2)具有可加成反應於環氧乙烷基或氧雜環丁烷基之官能基與水解性基之矽烷化合物。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之敏輻射線性樹脂組成物，其係用於形成層間絕緣膜。
  4. 一種形成層間絕緣膜之方法，其特徵為包含依下列所述順序之下列步驟：(1)在基板上形成申請專利範圍第3項之敏輻射線性樹脂組成物之被覆膜之步驟，(2)對該被覆膜之至少一部份照射輻射線之步驟，(3)使輻射線照射後之被覆膜顯像之步驟，及 (4)加熱該顯像後之被覆膜之步驟。
  5. 一種層間絕緣膜，其特徵為藉由申請專利範圍第4項之方法所形成。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之敏輻射線性樹脂組成物，其係用於形成微透鏡。
  7. 一種微透鏡之形成方法，其特徵為包含依下列所述順序之下列步驟：(1)在基板上形成申請專利範圍第6項之敏輻射線性樹脂組成物之被覆膜之步驟，(2)對該被覆膜之至少一部份照射輻射線之步驟，(3)使輻射線照射後之被覆膜顯像之步驟，及(4)加熱該顯像後之被覆膜之步驟。
  8. 一種微透鏡，其特徵為藉由申請專利範圍第7項之方法所形成。
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