TWI313291B - - Google Patents

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1313291 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種可右旌人？加、 子蓉株& 一 τ在接3 2個以上之半導體晶片等電 性之半導體梦署= 的距離且製得高可靠 電子零件用接荖-" + “牛用接者劑’使用該 背之半導體晶片積層體之製造方法以及丰 導體裝置。 衣^々在以及牛 【先前技術】 型化=年來’隨㈣於以半導體封裝為代表之電子零件小 導體曰層層複數㈣子零件，以製成多層半 積層體等電子裳t 3維構裝之方向前進。且就半導體晶片 、 ，件之更加小型化的研究亦持續進行著。 :之而來者例如，半導體晶片為極 ==上形成微細之配線。於此種3維構裝之： 體，係要求不會對各半導體晶片 持水平來進行積層。 且1示 針對此點，以往為了得到高可靠性 體，曾讲办料丁 η 干守體日日片積層

Lit 半導體晶片之導線加以保護的方法、及 :7平以進行積層，使間隔晶片（spacer chip)介於丰 導體晶片間的方法笙,_ )丨於丰 Μ . 荨。此種方法，例如在專利文獻丨中， :不-種在積層複數半導體晶片時，在一方半導 用以積層另一方半導體 狀後，再積層另一方之曰片…使間“物形成為散點 々I曰曰月的方法。 然而，此種方、、土 + Α 種方法中，於可達成半導體晶片之充分小型 5 1313291 化及高精確之水平積層的程度，欲控制間隔物之厚度及形 ·· 狀’極為困難。且，有步驟繁複的問題。 再者’於專利文獻2中’揭示一種於積層複數半導體 日 曰曰片時，在連接之半導體晶片間積層虛晶片（dummy Chip) 之方法。 然而，以此種方法得到之半導體晶片積層體，由於會 因虛晶片而增大半導體晶片積層體全體之厚度，故會有封 波1=7度之難以降低化’且須額外用以積層虛晶片之步驟的 I 問題。 又’另外亦有人研究配合有間隔物粒子之接著劑。 例如，於專利文獻3中，記載有以硬質塑膠微粒作為 必要成分之接著劑，此硬質塑膠微粒具有實質上規定接著 劑硬化後之膜厚的粒徑，並記載可用與平均粒徑2〇以瓜同 等厚度之接著劑來接合矽元件與導線架（lead frame)。 然而，即使使用配合有此種間隔物粒子之接著劑，所 得到之積層體的接著劑層其厚度參差不齊的問題仍然未獲 得解決（例如，於引用文獻3之實施例中，厚度之最大值與 最小值間之差達3〜5 // m)，即使僅添加與所欲膜厚大致同 等之間隔物粒子，亦無法精確控制膜厚，是其問題。 專利文獻1 日本特開2003 — 179200號公報 專利文獻2 .日本特開2〇〇6 — 668丨6號公報 專利文獻3 .曰本特開平丨丨—丨89765號公報 【發明内容】 鑑於上述現狀，本發昍々B认各 个赞明之目的在於，提供一種可在接 6 1313291 子個以上之半導體晶片等電子零件時，高精確地保持電 子零件間的距離且製得高可靠性之半導體裝置等電子零件 T電子零件用接著劑，使用該電子零件用接著劑之半導體 曰曰片積層體之製造方法以及半導體裝置。 本發明為-種電子零件用接著劑，係用以接合電子零 者’、3有具硬化性化合物及硬化劑之接著組成物、與 值旦在以下之間隔物粒子，於使用e型黏度計在 測1黏度時，於irpm之黏度在2〇〇pa. 3以下，於 之黏度在請a.s以下，且於0.5rpm之黏度為於咖之 』度的u〜3倍，於lrpm之黏度為於他㈣之黏度 〜5倍。 以下詳述本發明。 本發明人等，經潛心研究的結果，發現使用由接著組 成物、與具有既定範以Cv值的間隔物粒子所構成，並 使用E型黏度計於饥測量之黏度特性在既定範圍内之· 子零件用接㈣，進行電子零件接合時，可高精度地保= 電:零件間之距離，且所得到之電子零件裝置之可靠性非 常高’而完成本發明。 本發明之電子零件用接著劑，用E型黏度計於25它測 量黏度時，於lrpm之黏度上限為2〇〇Pa . s，於 黏度上限為lOOPa . s，且於〇.5rpm之黏度為於之= 度的U〜3倍，於lrpm之黏度為於1〇rpm之黏度的/ 倍。 本發明之電子零件用接著劑，藉由將使用e型黏度叶 •1313291 度定在上述範圍内，例如，在使用於製造 體晶片二=體時，在將電子零件用接著劑塗布於半導 維持”心至 以所欲的形狀順利地進行塗布，並可 導體=:層其他的半導體晶片。又，於積層其他半 電子㈣田” 了藉由在對位後進行加壓，將過剩的 零件用接者劑充分地擠出 下，便牛V體晶片間之距離（以 等之::間距離)成為與間隔物粒子之粒徑實質上相 =明之電子零❹接著劑，在使用e型黏度計於25 200p以度時，於1rpm之黏度上限為着a.s。若超過 芦體:二則在使用於製造晶片間距離小的半導體晶片積 物： 具有尚黏性，故難以縮小晶片間距離至間隔 困：子之粒㈣程度’尤其是晶片間距離在25…下時， 、性更為顯著。較佳之上限為i 5〇Pa . S。 又’於hpm之黏度之較佳下限為5〇pa.s。若未滿5〇1>3· =則在塗布後_層其他半導體晶片之間，將難以維持塗 夺之开/狀。X，例如，使用於積層引線接合bon—g) ，之半導體晶片的用途時，有時候會發生電子零件用接著 4與間隔物粒子-起流出至引線接合用電極區域之情形。 。^明之電子零件用接著劑，於使用£型黏度計在乃 C測量黏度時，於IOrpm之黏度上限為1〇〇Pa . s。若超過 l〇〇Pa . s ’則難以所欲之形狀進行塗布。較佳之上 75Pa . s 0 又’於lOrpm之黏度的較佳下限為5pa.s。若未滿5pa. 1313291 S，則在塗布後到積層其他半導體晶片之間，會難以維持塗 布時之形狀。又，例如使用於積層引線接合型半導體晶片 之用途時，有時候會發生電？I件用接著劑與間隔物粒子 一起流出至引線接合用電極區域之情形。 本發明之電子零件用接著劑，使用E型黏度計於25π 測量黏度時’ 〇.5rpm之黏度的下限為於lrpm之黏度的1 4 倍丄上限為3倍。若未滿14倍，則在塗布後到積層其他 半導體μ片之間，將難以維持塗布時之形狀。若超過3倍， 則在使用於製造晶片間距離為心m左右之半導體晶片積 層體時，由於具有高黏性，即使施以擠壓，過剩的電子零 件用接著劑亦不會被擠出，因此難以縮小晶片間距離至間 隔物粒子之粒徑的程度。較佳之下限為2倍。 .曰本發明之電子零件用接著劑’使用E型黏度計於25t :量黏度時，於1啊之黏度的下限為於IGrpm之黏度的2 仑上限為5倍。若未滿2倍，則難以在塗布本發明< $ 子零件用接著劑後，維持描繪形狀。若超過5 @，則在使 2於製造晶片間距離小的半導體晶片積層體時，由於具有 :黏性’故難以縮小晶片間距離至間隔物粒子之粒徑的程 二，尤其於晶月間距離在25…下時，困難性將更為顯 者。較佳之上限為3倍。 又’本發明之電子零件用接著劑，於接合上述電子零 明二有時會以高* 2rc之溫度來進行接合。此時，本發 時之、、下用接：劑，使用E型黏度計於接合電子零件 恤度（以下’亦稱為接合溫度）測量黏度時，於10rpm 9 1313291 之黏度以1 〇pa · 發明之電子零件用接著:二讀過…’則在以本 隔物粒子與電子零件零件時，將無法排除間 以缩小、Γ11的電子零件料著劑，而難 以縮、片間距離至間隔物 難 IPa . s。 ^ 更佳之上限為 左右又’上述接合溫度並無特別限制，通常在50〜l0(rc ”月之電子零件用接著劑含有硬化性化合物。 上述硬化性化合物並無特別限制 成聚合、聚縮合、臂入Λ 士、… J如Η吏用藉由加 進4子争 * 口 σ成、加成縮合、開環聚合反庫來 進订硬化之化合物。 應术 具體而言’可舉出例如尿素 苯酚化合物、間苯_祕#人^ —聚鼠胺化合物、 物…一 酚化合物、環氧化合物、丙烯酸化合 二曱酸I/物、聚醯胺化合物、聚苯并咪嗤化合物、笨 化合物、二甲苯化合物、院基苯化合物、 熱硬化性化合物。其中，在=、胺甲酸乙醋化合物等 ^ φ 7, - » 口後由於知·到之半導體裝置 二接合強度優異，因此以環氧化合 物、丙烯酸化合物為佳，尤 物為更佳。 d、有醯亞胺骨架之環氧化合 雙紛物並無特別限制，例如可舉出雙盼A型、 H u 'AD型、雙齡s型等雙紛型環氧樹脂；盼 一h 4之清漆型環氧樹脂；三苯盼甲烷 二縮水甘油醚等芳香族環氧樹脂；萘型環氧樹脂、聯苯型 1313291 %氧樹脂、苐型環氧樹脂、二氯苯二烯型環氧樹脂、間笨 二酚型環氧樹脂、及此等之氫化物等。其中，由於可得到 间耐熱性的電子零件用接著劑，因此較佳為含有選自由萘 型環氧樹脂、苐型環氧樹脂及間苯二酚型環氧樹脂所構 之群的至少一種。 上述萘型環氧樹脂中，市售品可舉出例如Hp—4〇32、 HP-4〇32D、HP—侧、Hp—侧（以上為大日本油墨化 學工業公司製）等。又，上述第型環氧樹脂中，市售品可舉 出例如 EX— 1010、1〇n、1〇12、_、1〇3〇、_、 051 1060(以上為長瀨化成公司製）；上述間苯二酚型環 氧樹脂之中，市售品可舉出Εχ—2〇1(長瀬化成公司製心 上述蔡型環氧樹脂、苐型環氧樹脂及間苯二紛型環 樹脂’以使用軟化點在6〇。 卢_ # 以下者為佳。藉由使用軟化點 戶tr用者’可減㈣以降低f子零件轉著劑之黏度 7使用的稀釋劑等液狀成分之添加份數，可得到於硬化時 及硬化後揮發成分少的電子零 仆J电于雾件用接者劑，較佳為使用軟 =40c以下者’更佳則為使用軟化點在室溫以下者。 上逑市售品中，以HP—4〇32、Hp—⑽Μ —201為佳。 i⑽ϋ入 上述硬化性化合物，為使用選自 型環氧樹脂及間苯-酚剞产备· 哀乳樹月曰第 ]本一酚型％巩樹脂所構成之 時’上述硬化性化合物中之選自上述由 型環氧樹脂及間苯二齡型環氧樹脂所構：:曰= 的配合量，較佳之下限為4 、> -種 /0 右未滿40重量％， 1313291 則會有無法得到具有足夠耐、 形。更佳之下限為6Q 電子零件用接者劑的情 %。 义。又，較佳之上限為90重量 上述環氧化合物，可使 ψ 丁一株工 使用進一步具有NBR、CTBN、 1 丁一歸、丙烯酸橡 物、可撓性严气外入^ 刀之橡膠改質環氧化合 物护可於衣羊。#環氧化合物。使用此種環氧化合 T，可於硬化後賦予柔軟性， 熱性優異者。X，亦可使用隸為耐，皿度錢性等耐 J便用以彺所公知的環氧化合物。 二：發明之電子零件用接著劑，上述硬化性化合物 ί “含有環氧化合物㈧，該環氧化合物⑷帶有在重複 單位中具有芳香環之十聚物（de⑽⑺以下的分子構造，且 於饥下為結晶性固體。藉由含有上述環氧化合物⑷， 本發明之電子零件用接著劑可順利達成在上述接合溫度之 黏度特性。 & 上述環氧化合物（A) ’為帶有在重複單位中具有芳香環 之十聚物以下的分子構造者。此種環氧化合物（A)之結晶性 極高’於25°C下為結晶性固體，並且具有在高於25。〇之 溫度區域下黏度急遽下降的性質。此係由於上述環氧化合 物（A)於25°C下如上述般為結晶性固體，然而由於為十聚 物以下之低分子量’因此加熱超過25°C，將會破壞結晶構 造致黏度降低。具體而言，上述環氧化合物（A)於251下 為結晶固體，於50〜80°C溫度範圍中以e型黏度計測量時 之黏度上限為IPa · s。若超過10聚物，則於5〇〜8(Γ(：溫 度範圍之黏度將變高’使用本發明之電子零件用接著劑於 12 1313291 上述接合溫度進行電子 間的間隔成為實質上,Γ ’將難以使電子零件 導致電子=二T於間隔物粒子之粒徑的距離，而 以下為更佳。又，;上述環氧化合物⑷以三聚物 4 4占度成為1 P 之 痒 5〇,，係考量在通常之雷…a S之-红域定為 中，對電子零件加敎力二零件積層體的製造步驟 化合物（A)成為結晶性 f麵氧 進行電子零件之接人^ 度U抑，係考量用以 行。 接合的接著劑塗布，通常是在室溫下進 此種分子構造，亦即， 且為十聚物以下之環氧化人、複早位中具有芳香環， 著劑，若使用於電子零件；等(之二本發明之電子零件用接 所接合之電子零件間的距二高精確地保持 置。 雕且侍到兩可靠性的電子裝 亦即’上述環氧化合物⑷，由於在重複單位 “ %，且於251下為結晶性固體，故含有該環最、方 明:電子零件用接著劑在抑下具;高黏二(： 於接合之電子零件上脖 尤各 左冲 ;;上述環氧化合物⑷由於可藉由加熱急遽地降二 故例如在進行電子零件彼此的積層時，可在不會殘2 劑在間隔物粒子與電子零件間之接耆 電子零件進行積層，可使得電子零株^電子零件與其他 此t J使得電子零件間的間隔成為與間隔 物粒子：粒：實質上相等的距離。又，於電子零件積層完 成後’右使咖度回至J 2rc ’則上述環氧化合物⑷之黏度 13 1313291 將似遽上升’故於電子零件彼此積層冑，本發明之電子零 件用接著劑不會擴散。X，上述環氧化合物⑷，由於财熱 ，優異’故含有該環氧化合物⑷之本發明之電子零件用接 著劑之耐熱性亦優異。

此處’白知以往電子零件接合時所使用的接著劑，係 僅藉由添加稀釋劑來達成加熱時之低黏度，此種以往之接 著劑’於加熱時會有發生孔隙(v〇id)之問題 '然而，含有 上述環氧化合物⑷之本發明之電子零件用接著劑，由於係 藉由使其含有上述環氧化合物（A)以達成加熱時之低黏度， 故不會如同以往之僅添加稀釋劑以達成低黏度之接著劑般 發生孔隙。 +亦即’以本發明之電子零件用接著劑為厚度心瓜之 接著劑層’使該接著劑層於mt：硬化15分鐘所得之硬化 物’於26G°C之溫度條件下暴露H)秒鐘時，直徑ioo"m 以下之孔隙的發生率較佳的上限& i個，_2。上述硬化 =孔隙發生率右超過！個/ mm2，則在使用本發明之電 子零件用接著劑進行電子零件彼此的接 的連接可靠性會有不理想之㈣。 ，A、述裒氧化口物(A)’以在1分子中具有2個以上的環 :為仏藉由含有此種分子構造之環氧化合物（A)，可使 仔發明，電子零件用接著劑之接著性更加優異。 此種環氧化合物（A)只要具有上述分子構造即可，並益 广，例如可舉出苯齡型環氧化合物、萘型環氧化合 聊本型環氧化合物、間苯二酴型環氧化合物等。此等 1313291 衣虱化合物（A)之市

公司製）、W EX~201(^mAM i) yslv〜80XY(東都化成公司製）等。 、二:=明之電子零件用接著劑中，上述硬化性化 二 氧化合物(B)，此環氧化合物W於分子 二具有壤氧基，且於一方之環氧基與另 具有數目平均分子量為⑼〜軸之㈣骨架。乳土 物⑻It月電子零件用接著劑，藉由含有上述環氧化合 在常:心:低之:子零件用接著劑之硬化物，由於可逹成 佳，姑a #〜 冤子零件與基板之接著性亦 《故為耐^度循環性等耐熱性優異者。 上述環氧化合物（B)並無特別限制 聚丁二烯改質雙紛A縮水甘油鍵、" 了：：1，2- A縮水甘油醚、聚氧化 ，聚丁—烯改資雙酚 & 乳化丙烯改質雙酚A縮水甘油醚、聚氧 化乙烯改質雙酚A縮水甘 ^敬軋 甘油醚、丙烯酸橡膠改質雙酚A 水甘油醚、胺酯樹脂改質雙 .、、、 質雙齡A縮水甘油_、12 V縮水甘油驗、聚醋樹脂改 ，2—聚丁二稀改質縮水甘油醚、L4 ，丁 一烯改質縮水甘油醚、聚 醚、聚氡化乙烯改質缩水卄& 又買縮水甘油 、蝻艮甘油醚、丙烯酸橡膠改質 油醚、胺酯樹脂改質縮水# … 嘴尺甘油醚、聚酯樹脂改質 醚及此等之氫化物等。此辇貝绩扒甘油 此等裱氧化合物（B)可單獨使用，亦 可2種以上合併使用。其 足用丌 選自由丁二稀橡膠、氧圭使用得自上述柔軟骨架為 丙烯、氧化乙烯、丙烯酸橡膠及 此專之氫化物所構成之群中沾 ^ 物。 群中的至少1種化合物的環氧化合 15 1313291 又考里加快反應速度’較佳為使用例如1,2 —聚丁

一烯改質雙酚A縮水甘油醚、1，4 —聚丁二烯改質雙酚A 縮水甘油醚、聚氧化丙烯改質雙酚A縮水甘油醚、聚氧化 乙烯改咸雙酚A縮水甘油醚、丙烯酸橡膠改質雙酚a縮水 甘油醚胺I曰樹月曰改質雙酚A縮水甘油醚、聚酯樹脂改質 雙酚A縮水甘油醚等帶有芳香族骨架的環氧化合物。 上述環氧化合物（B)之中，芳香環與縮水甘油喊直接

連結者，由於反應速度更快，故更佳。此種環氧化合物之 市—可舉出例如EPB — 13(日本曹達公司製）m — 485〇(大曰本油墨公司製）等。 上述硬化性化合物，以一入 氧化合物為佳。辟由n…有有機·無機混成環 精由3有上迹有機•無機混成環氧化合物， "T使仔本發明之雷+靈杜田4立# ㈣H 電子零件轉著劑之彈㈣數之值上升至 可舉出：波：仙：機混成環氧化合物並無特別限制，例如 牛出二波拉仙E102(荒川化學公司製）等。 無特:::上::::無機混成環氧化合物時的配合量並 零件用接著_人有之t環氧化合物⑻等之本發明之電子 ^㈣所3有之硬化性化合物全部 伤，較佳的下限為丨舌旦八 重里 上述硬化性化合物之吸濕率 “上限為U%。具有此種吸 艮為更 如可舉出萘型環負榭P „ …之更化性化合物，例 蔚执’、氧树月曰、苐型環氧樹脂、二璜作1 , 氧射猎、苯料漆型環氧樹脂 烯型環 η本—酚清漆型樹脂等。 16 1313291 本發明之電子零件用接著劑，以進_ 少3有具有可盘 上述硬化性化合物反應之官能基的高分子化合物為佳。藉 由含有此種高分子化合物，可提高因熱而發生變二 合可靠性。 安 具有可與上述硬化性化合物反應之官能基的高分子化 口物’當使用環氧化合物作為上述硬化性化合物時，例如 :舉出具有胺基、胺酯基、醯亞胺基、氫氧基、羧基、環 氧基等之高分子化合物等，1中以具有環氧基之高：子化 合物為佳。藉由添加具有上述環氧基之高分子化合物電 子零件用接著劑之硬化物可呈現優異的可撓性。亦即，本 發明之電子零件用接著劑之硬化物，由於兼備得自為硬化 性化合物之在主鏈上具有多環烴骨架之環氧化合物的優異 機械強度、耐熱性及耐濕性、與得自具有上述環氧基之高 分子化合物的優異可撓性，因此耐冷熱循環性二回二 ㈣der reflow)性、尺寸安定性等皆優異，可發揮高接著可 靠性與高導通可靠性。 具有上述環氧基之高分子化合物，只要為在末端及/ 或側鏈（懸架位）具有環氧基之高分子化合物亦可，並益特 別限制，例如可舉出含環氧基之丙烯酸橡膠、含環氧基之 了：烯橡膠、雙酚型高分子量環氧樹脂、含環氧基之苯氧 树知3環氧基之丙烯酸樹脂、含環氧基之胺酯樹脂、含 %氧基之聚g旨樹脂等，纟中，由於可得到含有多量環氧基 之高分子化合物，且硬化物之機械強度與耐熱性更為^ 異因此較佳係使用含環氧基之丙烯酸樹脂。此等具有環 17 1313291 氧基之高分子化合物可單獨使用，亦可合併使用2種以上。 具有可與上述硬化性化合物反應的官能基之高分子化 合物’係使用上述具有環氧基之高分子化合物（尤其是含環 氧基之丙浠酸樹脂)時，重量平均分子量之較佳下限為i 萬。若未滿1帛’則本發明之電子零件用接㈣之成膜性 會不足，電子零件用接著劑之硬化物之可挽性會有無法充 分提雨之情形。

-有可與上述硬化性化合物反應的官能基之高分子化 合物’係使用上述具有環氧基之高分子化合物（尤其是含環 乳基之丙稀酸樹脂）時，環氧當量之較佳下限為謂，較佳 為1 〇〇〇 S未滿200，貝ij本發明之電子零件用接著劑 之更化物的可撓性會有無法充分提高的情形，反之，若超 ° 則本發明之電子零件用接著劑之機械強度與耐轨 性會有不足之情形。 ”、 〃有可與上述硬化性化合物反應的官能基之高分子化 :物之配合置並無特別限制，對上述硬化性化合物100重 :伤’較佳之下限為i重量份’較佳之上限為Μ重量份。 :未滿1重量份，則無法得到耐熱變形之充分的可靠性， 右超過2G重量份’則會有耐熱性降低之情形。 本：明之電子零件用接著劑，為確保於Μ 性·#，亦可含有稀釋劑。 叩 ::稀釋劑並無特別限制，例如可舉出反 與非反應性稀釋劑等。 仰评％ 上述反應性稀釋劑可含有環氧化合物（Α2)。藉由含有 18 1313291 化溫 :種環氧化合物(A2)’可調節黏度’並可調節破壤轉 上述環氧化合物（A2)並無特別限制，例如可 A型環氧化合物、雙齡F型環氧化合物、 L - 骨架之十聚物以下之環氧化合物等。-有知肪族環狀 本發==Γ(Α2)之含有量並無特別限制，相對於 二電子零件用接著劑所含有之硬化性化合物之合計 重量=未Γ之下限為10重量份，較佳之上限“。 右未滿10重量份，則幾乎無法 之效果，若超…量份，則本發; =著劑會有無法得到後述之黏度特性的情形Q更佳之 下限為20重量份’更佳之上限為3〇重量份。 =如’硬化性化合物含有上述環氧化 上錢應性稀釋劑，較佳者可使用在重複單位中 族％狀骨架之十聚物以下的環氧化曰 =分子構造之環氧化合物⑷)，本發明之電子 劑，可確保於饥下之塗布性，並具有高耐濕Γ 上述環氧化合物⑷）若為超過十聚物者，則本發明之 電子零件用接著劑於25。〇下之黏声| @ > 件之塗布性不佳的情形。上=氧it有對_ 下為更佳。 衣氧化5物（A3)以五聚物以 合物ΠΓ物⑷)，只要為具有上述分子構造之化 化 了特職制，例如可舉出二氯戊二稀型環氧 %己说型環乳化合物等。此種環氧化合物⑷）之 19 1313291 市售品，例如可舉出EP — 4088S(阿迪卡公司製）、— 7200(大日本油墨化學公司製）等。 ±本發明之電子零件用接著劑含有上述環氧化合物（A3) 枯，上述環氧化合物（A)與環氧化合物（A3)之配合比例之 比，亦即（A3/A)或（A/A3)之較佳下限為0.5，較佳上限 為2。若未滿0 5或超過2 ,則由於上述環氧化合物（八）或 %虱化合物（A3)其中之一方的配合比例較多，致本發明之 電子零件用接著劑難以兼備上述黏度特性與高耐渴性 質。 例如，上述環氧化合物（A)之配合比例對上述環氧化合 物（A3)之配合比例之比（A3/A)若未滿〇·5，則本發明之電 子零件用接著劑無法具有足夠的耐濕性；上述環氧化合物 (A3)之配合比例對上述環氧化合物（Α)之配合比例之比（I〆 A3)若未滿〇.5 ’則本發明之電子零件用接著劑無法得到上 述之黏度特性。

又，本發明之電子零件用接著劑中之上述環氧化合物 (A3)的含有堇，並無特別限制，相對於本發明之電 用接著劑所含有之硬化性化合物之合言十1〇〇重量份，較佳 之下限為1〇重量份，較佳之上限為3〇重量份。若未滿1〇 重量份’則幾乎無法得到添加㈣氧化合物（Α3)的效果， 若超過30重量份，則本發明之電子零件用接著劑無法得 到上述之黏度特性。更佳之上限為2〇重量份。 又，只要在不妨礙本發明之目的的範圍，上述非反應 性稀釋劑並無特別限制，例如可舉出芳香族烴類、氣化； 20 1313291 香族烴類、醇類、酯類、醚類、酮類、二醇醚類（溶纖素） 類、脂環型烴類、脂肪族烴類等。 上述非反應性稀釋劑之含有量並無特別限制，較佳之 y限為1重量％，較佳之上限為2〇重量％。若未滿i重 量，則幾乎無法得到添加上述非反應性稀釋劑之效果， 若超過20重量％，則本發明之電子零件用接著劑之硬化 物會產生孔隙。

本發明之電子零件用接著劑含有上述稀釋劑時，該稀 釋劑於12(TC下之重量減少量及於15(Γ(：τ之重量減少量 的較佳上限為1 %。若超過丨％，則本發明之電子零件用 =著劑在硬化中及硬化後未反應物揮發，對生產性及所製 得之電子零件裝置有不良影響。 又，相較於上述環氧化合物（Α)等硬化性化合物，上述 稀釋劑以開始硬化溫度較低，硬化速度較大者為佳。 " 本發明之電子零件用接著劑含有硬化劑。 上述硬化劑並無特別限制，可自以往公知的硬化劑中， 依上述硬化性化合物來適當地選擇，使用環氧化合物作為 硬化性化合物時的硬化劑，例如可舉出三烷基四氫苯二曱 酸酐等加熱硬化型酸酐系硬化劑、笨㈣硬化劑、胺:硬 化劑、雙氰胺等之潛在性硬化劑（latent咖％吻叫 離子系觸媒型硬化劑等。此等硬化劑可單獨使用，亦可9 種以上合併使用。 =魏劑之配合量並無特別限制，岐用與上述硬 化性化5物之官能基等量反應之硬化劑時相對於上述硬 21 1313291 110當量為佳。又，若為使 ’則相對於上述硬化性化合 1重量份’較佳之上限為20 化性化合物之官能基量以90〜 用可作為觸媒之硬化劑的情況 物1 00重量份，較佳之下限為 重量份。 。上述硬化劑之熔點的較佳下限為12(TC。藉由定在12〇 °C以上，當加熱本發明之電子零件用接著劑日夺，可抑制膠 體化，順利地進行電子零件之接合及調整電子零件間的距 離。 上述熔點為120〇C以上之硬化劑，可舉出例如：5—(2,5 —二氧代四氫一 3—苯基）—3一甲基—3—環己烯—二 羧酸酐、™- 2090等之苯酚清漆樹脂、〖Η—·等之雙 盼Α清漆樹脂、KA— U65 #之鄰甲齡清漆樹脂、εη —

3636AS、EH— 3842、FH—cTT Η 3780、EH — 433 9S、— 4346S(以 上為旭電化工業公司製）等之雙氰胺。 又，亦可使用以溶點在12(^以上之材質被覆之微膠 囊型硬化劑。 本發明之電子零件用接著劑含有CV值在1G%以下之 間隔物粒子。 藉由3 #此種間隔物粒+，於使用|發明之電子零件 用接著劑積層2個以上的半導體晶片_，可不須透過虛晶 片等，保持半導體晶片^皮此的間隔為一定。 上述間隔物粒子之cv值上限為1〇%。若超過， 則會因粒徑之參差不―，而難以保持電子零件間的間隔為 一定’致無法充分達到作為間隔物粒子的功能。較佳之上 22 1313291 限為6%，更佳之上限為4%。 又，本說明書之「CV # 數值。 」係指藉由下式（1)求出之 =徑之CV值叫2/Dn2)x

工⑴中’ σ 2表粒徑之標準偏差，D 上述間隔物粒子之平均粒徑 ：平均粒徑。 達成所欲之晶片間距離的粒徑，較佳、之下

之上限為20。…若未滿3” 為3”’較佳 小£門瞌铷私工, J難以將晶片間距離縮 間㈣粒子之粒徑程度，若超過2一 ^，料導體晶 片彼此之$隔將會大於所需者。更 〜馬5#m，更佳 之上限為50“ m。 又住 上述間隔物之平均粒徑，較佳為間隔物粒子以外所添 加之固體成分之平均粒徑的^❺以上。若未滿U倍， 則難以確實將晶片間距離縮小至間隔物粒子之粒徑程度。 更佳為1.2倍以上。 上述間隔物粒子之以下式（2)表示之κ值之較佳下限為 980N/ mm2，較佳之上限為49〇〇N/ mm2 ° K=(3//~2) · F . S-3/2 . r-i/2 (2) 式（2)中，F、S分別表示樹脂微粒於1 〇%壓縮變形時 的荷重值（kgf)、壓縮位移（mm)，R則表示該間隔物粒子之 半徑（mm)。 上述K值可藉由以下之測量方法測量。 首先，在平滑表面之鋼板上散布粒子後，自其中選i 個粒子，用微壓縮測試機，以鑽石製之直徑50 " m之圓柱 23 1313291

的平滑端面壓縮M 山…，縮铽粒。此時’以電磁力之形式電性地檢測 出慶縮何重，以至π ^ 差動變壓器所致之位移電性地檢測出壓縮 4移g、又從所得到之壓縮位移—荷重之關係分別求出在 ^塵縮變形時的荷重值、ι縮位移，再從所得到的結果 鼻出K值。 上述間隔物粒子於20tl 10%壓縮變形狀態下解除時 的座縮回復率的較佳下限為⑽。使用具有此種I縮回復 率之間隔物粒子時’即使在積層之晶片間存在有大於平均 粒徑的粒子，亦可藉由晴形回復形狀，發揮作為間隙 調整材之作用。因而，可 j以更文疋的一疋間隔水平積層晶 片0 上述壓縮回復率可藉由下述測量方法測量P 藉由與上述測量K值時相同的方法，以差動變壓器所 致之位移電性地檢測出壓縮位移，於壓縮之後減低荷重至 反轉荷重(inverted load)值’測量此時之荷重與壓縮位移之 關係。由得到之結果算出壓縮回復率。惟，荷重除去之終 點，荷重值並非為零，而為〇.lkg以上之原點荷重值。”、 上述間隔物粒子之材質並無特別限制，以樹脂粒子為 佳。構成上述樹脂粒子之樹脂並無特別限制，例如可舉出 聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、$氯乙烯、聚四氟乙烯、 聚苯乙烯、聚曱基丙烯酸曱酯、聚對苯二曱酸乙二酯、聚 對笨二甲酸丁二醋、聚醯胺、聚醯亞胺、聚颯、聚^醚^ 聚縮醛等。其中，由於可易於調整間隔物粒子之硬度與回 復率且亦可提高耐熱性，因此以使用交聯樹脂為佳。 24 1313291 上述交聯樹脂並無特別限制，例如可舉出環氧樹脂、 苯紛樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酉旨樹脂、二乙稀^聚 合物、二乙烯苯—苯乙烯共聚物、二 职从奸 0婦本一丙烯酸酯共 聚物、本二甲酸二烯丙酯聚合物、r嫌 ^ ^ ^ —烯丙基異三聚氰酸酯 4 口物、本并胍胺聚合物等具有網目構造之樹脂。 尤以二乙烯苯聚合物、二乙稀苯—苯乙烯系聚合物、二乙 佳a/用)丙烯酸醋共聚物、苯二甲酸二稀丙醋聚合物 等為佳使用此等時，在接A a g您 如 對硬化製程、回焊 衣程4之熱處理製程有優異的耐性。 上述間隔物粒子，視需要以施行表面處理為佳。 々藉由對上述間隔物粒子施行表面處理，於本發 子令件用接著劑可實現上述之黏度特性。 -體亡理的方法並無特別限制，例如，於接著劑 現為疏水性的情況，較佳為對表㈣予親水基 種方法並無特別限岳丨I，点丨上 I 匕 i限制例如，在使用上述樹脂粒子作 隔物粒子時，可舉出以且 為間 的表面進行處理的方法等有親欠基之偶合劑來對樹脂粒子 上述間隔物粒子之形狀，以球狀為佳。 物粒子之長寬比之較 上述間隔 上限為1 · 1。藉由將長寬比定為 以下，可在積層半導體θ ‘" .1 安定地保持為—定^曰片時，將半導體晶片彼此之間隔 長徑與短徑有關，本說明書之長寬比’係與粒子之 長度除以短徑之長户夕枯、 扠又的比（長徑之 又之值）。此長寬比之值愈接近 _ 物粒子之形狀愈接近球形。 間隔 25 1313291 上述間隔物粒子之配合量 軔 較佳下限為〇.01重量％， 車乂佳上限為5重量％。 if本遙駚日 右未滿〇.01重量％，則在使用於製 。半導體日日片積層體時，盔 定地保持為-定，若超…:晶片彼此之間隔安 劑之⑽。 …®以’縣會降低作為接著

又’於上述間隔物粒子之 物粒子之平均粒徑的固體成分 之較佳上限為1重量％。又， 化溫度以下。 外’含有具有大於上述間隔 時’此種固體成分之配合量 該固體成分之熔點較佳在硬 再者，固體成分之最大粒徑以間隔物粒子之平均粒徑 的u〜1_5倍為佳，以丨〗〜丨2倍為更佳。 本發明之電子零件用接著劑，為調整硬化速度與硬化 物之物性等’以進一步含有硬化促進劑為佳。

上述硬化促進劑並無特別限制，例如可舉出咪唑系硬 化促進劑、3級胺系硬化促進劑等，#中，由於可易於控 制為調整硬化速度與硬化物之物性等之反應系，因此較: 係使用咪唑系硬化促進劑。此等硬化促進劑，可單獨使用， 亦可2種以上合併使用。 上述咪唑系硬化促進劑並無特別限制，例如可舉出咪 唾之1位置以氰乙基保護之卜氰乙基—2—苯基味唑、或 以異二聚氰酸保護驗性者（商品名「2ma — 〇κ , ，TO PS1 」 Ly囤化 、工業公司製）等。此等咪唑系硬化促進劑可單獨使用，亦 可2種以上合併使用。 上述硬化促進劑之配合量並無特別限制，對上述環氧 26 1313291 明之電子零件用接著劑中所含有之硬化性 二：重量份，較佳之下限b重量份，較佳之上限 接著劑會有無法充分硬化之情形，若超過：:= 二發明之電子零❹接著劑之接合可靠性會有降低之情 本發明之電子零件用接著劑以進一步含 (fixot卿劇予劑為佳。藉由含有上述搖變性賦予劑Ϊ本 啦明之電子零件用接著劑可達成所欲之黏度行為模式。 亡：：變性賦予劑並無特別限制，例如可使用金屬微 化銘厌ΓΓ壤石夕土（fumed s出ca)、氧化1呂、氮化棚、氮 馱鋁等之無機微粒等。其中尤以燻矽土為佳。 又上述搖變性賦予劑，視雲0Γ m 理者，尤以使用表 用已施以表面處 衣®兴’ &水基之粒子為佳。 例如，以使用表面經疏水化之燦石夕土等為佳，、體而5， =搖變性賦予劑係使用粒子狀者時，平均粒徑之較 上限為1 // m。若超過i # m， 變性的情形。 H有無法發揮所欲之搖 隔物=變性賦予劑之配合量並無特別限制，於上述間 JW物粒子未施行表面處理之情 %，較佳之上限為則^未^下/為“重量 法得到充分的搖變性，若超過2〇重曰/量％，則會無 體晶片時電子裳…4 ，則在積層半導 為！重量劑之排出性會降低。更佳之下限 0 更佳之上限為10重量％。 27 1313291 本發明之電子零件用接著谢， 上述溶劑並無特別限制，例 亦+可含有溶劑。 化方香族烴類、氯化脂肪族烴類出方香族烴類、氯 二㈣（溶纖素）類、腊環型煙類:類、趟類、嗣 本發明之電子零件用接著劑 曰肪族煙類等。 子交換體。上述益機離子六垃㈣見而要亦可含有無機離 k…戮離子父換體中， 755

糸列（東亞合成公司製）等。售口口例如可舉出IXE 之較佳下限為！重量％，較佳切機離子交換體之配合量 本發明之電子零❹接著劑 夏心 可含有渗出防止劑、咪”燒偶合==，視需要亦 添加劑。 者丨生職予劑等之 本發明之電子零件用接著劑， 之多官能酸酐硬化劑所構成之粒子、與硬化：溫下為固體 藉由含有上述於常溫下為: 進劑。 在接著時進行加熱的時候，由於;化劑， 低黏度，容易達成間隙間距離，故佳：又降 故硬化後之耐熱性優異。 a為多官能， 上述於常溫下為固體之吝皆处純 制，例如，3官浐酸酐涵 此-酐硬化劑並無特別限 4肝硬化劑可舉出偏苯三酸酐等…

月匕以上之㈣硬化劑例如可舉出均苯四甲酸軒、二裳其S 四幾酸肝、甲基環己稀四敌酸酐、聚壬二酸軒等。—本基酮 由上述常溫下為固體之多官能酸肝硬化劑所 子，熔點之較佳下限為8〇〇c。 板 又’由上述常溫下為因坪 夕 為口體之夕吕能酸酐硬化劑所構成 28 1313291 =。之平均粒徑’較佳之下限為。·一，較佳之上限為 為固體之多官=電子零件用接著劑，較佳為含有常溫下 ^ 靶馱酐硬化劑所構成之粒子、盥常Μ下A 1 體之2官能酸酐硬化劑。 ”皿下為液 藉由含有常溫下為液 h 硬化物全體之耐熱性，故佳。酸肝硬化劑，可提高 子，可：出：下為固體之多官能酸酐硬化劑所構成之粒 卞了舉出與上述者相同者。 制上 =1為液體之2官能酸野硬化劑並無特別限 L ;r苯二甲酸酐、六氯苯二甲酸肝、甲基四 :甲基六氫苯二甲_、端甲“氫苯二甲 …甲基端甲撐四氯苯二甲酸肝、順丁稀二酸肝等。 俨”纟發明之電子零件用接著劑，於含有常溫下為固 體之&酐硬化劑粒子、盥當 '、田 ^皿下為液體之2官能酸酐硬化 幻的h況，亦可進一步含有上述硬化促進劑。 上述常溫下為固體之多官能酸酐硬化劑粒子、與常溫 下為液體之2官能酸酐硬化劑之組合，較佳為例如選自由 均苯四甲酸酐、二苯基酮四羧酸酐、甲基環己烯四羧酸酐 所構成之群中之丨種以上、與選自由甲基四氫苯二甲酸酐、 甲基六氫苯二甲酸酐、端甲撐四氫苯二甲酸酐、甲基端甲 擇四氫苯二f酸酐所構成之群中之1種以上的組合。 上述常溫下為固體之多官能酸酐硬化劑粒子、與常溫 下為液體之2官能酸酐硬化劑等之硬化劑的配合量並無特 29 1313291 別限制，硬化性化合物之官能基量除以硬化劑之鹼性基量 王體合計所得值之下限以〇.5為佳、上限以1.5為佳。若 未滿〇_5，則使用本發明之電子零件用接著劑之接合可靠 性會有變差之情形；若超過15，則本發明之電子零件用 接著劑之硬化會有不充分之情形，又，例如，於僅使用上 述常溫下為固體之3官能以上之酸酐硬化劑粒子的情況，

會有硬化物之耐熱性不佳之情形。更佳之下限為〇6，更 佳之上限為1.3。 ，一仙〜y &此敗即哎化劑粒子 ”常，下為《之2官㈣酐硬化劑之本發明之電子零件 2者劑中，上述常溫下為固體之多官能酸酐硬化劑粒子 刹吊溫下為液體之2官能_硬化劑之配合比並無特別限 制，將常溫下為固體之多官处 旦 夕g他馼酐硬化劑粒子之配合量（重 巧液體之2吕能酸酐硬化劑之配合量(重量 平义往卜限為〇」，較佳上限為1〇。若 會有硬化物之耐埶性j 4 _ 則 从入^ 佳之情形，若超過10,則合有石f # 物全體之強度不佳之情 則曰有硬化 限為5。 更佳之下限為〇.2,更佳之上 本發明之電子零件 經過iG分鐘後之反應率^者劑’於2G〜12G°c之條件下 則於晶片接合時會有無法4 5%為佳。若為5%以上， 本發明之電子零2 欲之距離之情形。 未滿m為佳。硬化時接著劑，硬化時之硬化收縮率以 造半導體晶片積層體之硬化收縮率若在W以上，於製 體時，有時候會因硬化時所產生之内部 30 1313291 應力，產生層間剝離之情形。

又，於本S兒明書中，上述硬化收縮率係指依據JIS A06024，可由硬化前後之比重差以體積收縮率（％)求出之 值。此情況，比重測量係於測量溫度25<t下進行。 又，本發明之電子零件用接著劑，係於矽晶圓之鏡面 上塗布〇.2mg形成直徑5〇〇 " m的圓形接著劑層，使該接 著劑層於17(TC、10 >鐘之條件下硬化成為硬化物時，自 該硬化物滲出之液狀成分之滲出距離以未滿一為佳。 上述液狀成分之滲出距離若為m以上，則使用本發明 之電子零件用接著劑接合電子零件時，接著劑之液狀成分 會滲出’可充分防止所謂之「滲出(Meed)現象」，可得到 可靠性j的電子零件’而可充分因應近年來之電子零件小 型化、高密集化。上述渗出距離之較佳上限為，更佳 上限為1 // m。 本β兒明書中’上述液狀成分係指於251下為液狀之成 分，本發明之電子零件用接著劑，上述液狀成分以含有硬 化I·生化σ物、硬化劑為佳，以含有硬化促進劑為更佳。 上述〜出距離，係指以光學顯微鏡觀察接著劑硬 化物時，存在接著劑硬化物周圍之色調不同部分往中心方 向的長度。 於下述之說明中，亦將自本發明之電子零件用接著劑 之硬化物之液狀成分之滲出距離滿足上述條件的性質，稱 為「低滲出性」。 本發明之電子零付·用七丨 千用接耆劑之上述低滲出性，可藉由 31 1313291 作法來適當地達成 有相當差異之2猫 F々B鄉^之親水性（疏水性） 著劑令所含有之無機微粒，其^之一無機微粒與接 -益機微粒^ 分的親水性（疏水性）較接近，而另 之差異較大來達狀成分的親水性(疏水性) 明之電子裳杜 由於3有此等無機微粒，本發 性。 肖接著劑亦可實現作為接著劑之適合的搖變 插 為於含有此等親水性(疏水性)有相當差里之2 ^月之電子零件用接著劑中，與上述 液狀成分之親水性（疏水性）接近之無機微粒，可發揮防止 自使用本發明之電子零件用接著劑所構成的接著劑層中渗 出上述液狀成分的作用。又，與上述液狀成分之親水性（疏 水性）差異較大之無機微粒，則在使用本發明之電子零件用 接著劑所構成的接著劑層中形成直鏈狀之連續體，可 實現上述搖變性之功能。 此處，一般係使用溶解度參數（sp值）作為表示上述液 狀成分之親水性的指標，用於接合2個以上之電子零件之 接著劑的液狀成分之sp值，通常要求在8〜14左右。另 一方面，用以表示上述無機微粒之填充劑之親水性的指 標，通常係使用疏水化度（M值）。 此表示液狀成分之親水性之指標的值、與表示無 機微粒之親水性之指標的Μ值，兩者之關係並無法直接換 算。 ' 然而，若依據本發明人等之研究，上述液狀成分之讣 32 1313291 值之8〜11，與上述無機微粒之M值之5〇以下大致對應 於比較近的親水性（疏水性），又，上述液狀成分之sp值之 1 1〜14，與上述無機微粒之M值之4〇以下則大致對應於 比較近的親水性（疏水性）。 因此，本發明之電子零件用接著劑，較佳為，含有將 上述液狀成分之SP值區分為8〜u與u〜14並對應於各 SP值範圍之具有最佳親水性（疏水性）之2種以上的無機微 粒0

將上述液狀成分SP值調整於既定範圍内的方法並益 特別限制，例如可為考慮上述硬化性化合物及硬化劑等2 各SP值而適當選擇加以使用的方法等。 本發明之電子零件用接著劑，具體而言，於上述液狀 成分之SP值為8〜η(以下稱為液狀成分⑴）時，無機微粒， 以含有平均—次粒徑之上限為5〇nm且疏水化度（Μ值）之 上限為50的無機微粒⑷，與平均—次粒徑之上限為5 — 且疏水化度（Μ值）之下限為60的無機微粒（Β)為佳。於此 等組成之本發明之電子零件用接著劑，對上述液狀成分 (1) ’上述無機微粒（Α)可發揮達成上述低滲出性的作用， 上述無機微粒（Β)則可發揮在塗布時賦予較佳之搖變性的 用。 調製上述SP值之下限為8、上限為U之液狀成分⑴ 的方法’具體而言，例如可使用二環戊二婦型環氧樹脂、 丁二烯改質環氧樹脂、矽酮改質環氧樹脂等之方法。 上述無機微粒（Α)及無機微粒（Β)之平均一次粒徑之上 33 1313291 此種碳含有量經調整之二氧化矽微粒（E)，具體而言， 可舉出例如MT- 10(0·9)、DM — 1〇(〇巧（以上皆為德山公 3製）等又上述碳含有量經調整之二氧化石夕微粒（F)， 具體而言，可舉出例如PM—2〇L(5 5)、腿―3〇s(3.5)(以 上皆為德山公司製）等。又，上述各製品名稱後括弧内表示 之數值，係表示碳含有量（重量％)。 又，上述Μ值之上限為5〇之無機微粒（A)，具體而古 :如可使用DM 一寧)、MT_1〇(47)(以上皆為德山公司 W、R — 972(48)(德古薩公司製）等。又，上述各製品後括 狐内表示之數值為Μ值。 又’上述Μ值之下限為6〇之無機微粒⑻，具體而言 ·Τ(62)、ΗΜ—2GL(64)、pM—2QL(65)(以 :為‘山公司製)、RX — 2〇〇(64)、R2〇2(65)(德古薩公司 、 又’上述各製品後於括弧内表示之數值為M值。 上述具有M值之無機微粒（A)及無機微粒⑻之合計含 化^相對於本發明之電子零件用接著劑所含有之硬化性 °之合計100重量份，較佳之下述為2重量份，較佳 之上限為10重量份。若未滿2旁篁伤較佳 出性盒㈣k 力未滿2重讀，則會有上述低滲 之電；零件用形，若超㉟10重量份，則本發明 限二接著性會有降低之情形。更佳之下 室里知，更佳之上限為8重量份。 上述無機微粒（Α)及無機微粒（Β)之配八 微粒（Α)100重量份，| 。比，相對無機 f…、機微粒（Β)之較佳下限為m击曰 李父佳之上限為6〇〇重ip ^ ^ ^ 為30重置份， 巧_重里伤。若未滿30重量份，則會有上 35 '1313291 。若超過600 更佳之下限為 重量份， 50重量 述搖變性不佳致塗布性變差之情形 則會有上述低滲出性不佳之情形。 知更佳之上限為5 0 0重量份。 ……電子零件用接著劑，具體而言 液狀成分之SP值為u〜14f 、上述 無機微粒，較佳可使用人有= 狀成分（2))時， 竿乂隹了使用含有平均一次粒徑之上 且疏水化度（M值）之上限Λ d 〇nm ^上隈為4〇之無機微粒（c卜與

次粒徑之上限為5〇ηηι且疏水 瓜扒化度（M值）之下限為5〇 機微粒（D)。此種έ且赤之太i n口 ^ ^無 種、、’且成之本發明之電子零件用接著劑 述液狀成分（2)，上述並播與私^ π々 L粒⑹可發揮達成上述低滲出 作用，上述無機微粒⑼可發揮料塗布所需之較佳搖 變性之作用。 权住搖 調製上述SP值之下限為〗〗、 ^ 、 限马11上限為14之液狀成分（2) 的方法’具體而言，可舉出例 _ " j划使用間本一酚型環氧樹脂、 奈型環氧樹脂、丙二醇改質環氧樹脂等方法等。 上述無機微粒（C)及無機微粒（D)之平均一次粒徑之上 限為5〇nm。若超過5〇nm，則上述搖變性不佳致塗^性變 差’或無法得到充分的低渗出性。較佳之上限為4g，更 佳之上限為30nm。 上述無機微粒（C)之Μ值之上限為4〇，上述無機微粒（D) 之Μ值之下限為50。上述無機微粒（(：）之河值若超過4〇, 訂述低滲出性會有不佳之情形。上述無機微粒⑼之μ 值若未滿50，則上述搖變性會不佳，致有塗布性變差之情 形0 36 1313291 微粒（D)之Μ值調整 例如可為與上述無機 此處，將上述無機微粒（c)及無機 於上述範圍的方法’並無特別限制， U粒（A)及無機微粒（B)相同的方法。 y /做祖怍為上述無機微粒時，以進 y上述表面處理之方法調㈣：氧切錄域水性（疏水 生）的方法，較佳者例如以-ch3修飾未處理之二氧化石夕微 拉表面’調整碳含有量，以得到M值之上限為40之二氧 化石夕微粒（G)及Μ 夕nr 150 4

值之下限為50之二氧化矽微粒的方 法。 此#碳含有量經調整 —” 一^--刊⑴哼微祖，具體而言可 例如可為Qs—40(0)(德山公司製）等。又，上述碳含有量經 調整之二氧化矽微粒（H)，具體而言，例如可為DM — 30U’7)、KS- 2〇s(2.〇)(以上皆為德山公司製）等。又，上 迷各製品名稱後於括弧内表示之數值為碳含 %) 〇 上it Μ值之上限為40之無機微粒（c)，具體而言， 例如可為QS —40(0)(德山公司製）等。上述各製品名稱後於 括弧内表示之數值為Μ值。 上述Μ值之上限為5〇之無機微粒（D)，具體而言例 可為於上述無機微粒（Β)中所列舉者，以及DM — 30(52)、 20S(56)(以上皆為德山公司製）、R— 976(52)(德古薩公

司製）等。又，上述各製品名稱後於括弧内表示之數值為M 值。 上述具有Μ值之無機微粒（C)及無機微粒之合計含 37 1313291 有里，相對於本發明之電子零件用接著劑中所含有之硬化 性化合物的合外1 n舌田八 口汁100重罝份，較佳之下限為2重量份，較 佳之上限為1〇重量份。若未滿2重量份 渗出性與搖變性不佳之情形，若超過1〇重量份有則= =1重零！用接著劑之接著性會有降低之情形。更佳之 下限為4重1份’更佳之上限為8重量份。 ⑭上述無機微粒（〇及無機微粒⑼之配合比，相對於無 機微粒（c)1 〇〇重量份，盔機将輪、…' 份，較佳之上限為600 ;lt #T限為3°重量 有上述搖變性不户致Μ 右未滿3〇重量份，則會 二：Γ 布性變差之情形。若超過_重量 會更有Γ低渗出性不佳之情形。更佳之下… 重量伤，更佳之上限為彻重量份。

本發明之電子靈；杜Μ π i . 零件用接著劑例如可藉由下述方法M W於含有硬化性化合物方法I n m ^ ^ ^ a a ⑷ < 接者組成物，視需要 …篁配合硬化促進劑、具有可與硬化性 ， S能基的高分子化合物、搖變性賦予劑 ：應之 以混合後’再配合間隔物粒子的方法。加劑4加 上述混合方法並盖牡g丨丨止丨 機一s㈣、萬用 之方法。萬用處合機、班伯利混合機、捏合機等 藉由本發^電子零❹接㈣接合 2別限制，可舉出半導體晶片、感應器等子=牛並無 於變壓器零件用之綠固扯 亦可使用 線圈鐵心間隙形成用。上述變壓哭* 之線圈鐵心並無特別限制 以零件

佳者可使用例如EI型或EE 38 ’1313291 型。 个赏％之電子零件用接著劑將2個以上之 半導體晶片積層為多芦，* ,、，_ ^ 並以後、封劑等加以密封，來製作 半導體裝置。此種半導舻肚 等體裝置亦為本發明之一。本發明之 電子零件用接著劑，可牲拓丨、ώ m J特別適用於將半導體晶片積層為十 字形之情形。

又本心月之電子零件用接著劑，不僅可使用於積層 個以上之半導體晶片的情形，亦可適用作為以將晶片載 置於基板上、或接合感應器等零件為目的之接著劑。 藉由使用本發明之電子零件用接著劑，可積層2個以 上之半導體晶片製造半導體晶片積層體。其製造方法， 係透過本發明之電子零件用接著劑積層2個以上之半導體 曰曰片’具有下述步驟：在一半導體晶片塗布前述電子零件 用接著劑之塗布步驟⑴、透過塗布於前述—半導體晶片之 電子零件用接著劑積層其他半導體晶片之半導體晶片積層 步驟(2)、及使上述一半導體晶片與其他半導體晶片間之電 子零件用接著劑硬化之硬化步驟（3)，於上述塗布步驟⑴ 中，將上述電子零件用接著劑塗布於上述一半導體晶片之 欲積層其他半導體晶片之區域的外緣部及中央部，^使塗 布7外緣部之該電子零件用接著劑之塗布量為中央部之= 布里的2〜5倍。此種半導體晶片積層體之製造方法亦為 本發明之一。 使用本發明之電子零件用接著劑積層之半導體晶片並 無特別限制’可使用於各種半導體晶片。 39 •1313291 其中，由於本發明之電子零件用接著劑呈現上述之黏 度订為，因此亦可適用於例如積層引線接合連接型半導體 晶片的場合。尤其如圖1所示，適用於使用本發明之電子 =件用接著劑1，埋入引線6，透過間隔物粒子2積層配 置於基板5上之曰η 1 a …： 情形。又，圖1為示意顯示 1吏：本發明之電子零件用接著劑所積層之半導體晶片一例 的截面圖。 :使用本發明之電子零件用㈣劑1由於上述之黏 ^ 1隔物粒子不會流出至引線接合用連接電極部， 而：會有間隔物粒子與引線接觸等的不良情形，故較 。其理由在於’在積層半導體晶片的製程中，若半導體 晶片間距離接近於間隔物粒子之粒徑，則由於上述之黏产 :為，使間隔物粒子難以移動’而使得間隔物粒子不會； 出至引線接合用連接電極部之故。 狀。又’積層之半導體晶片可為相同形狀或亦可為不同形 :’亦可在一基板相鄰並排2個以上厚度不同 體曰曰片’然後將大小可涵蓋此等2個以上之半導體 半導體“，積層於上述2個以上之半導 曰: 況下，較佳為依晶片間狀況適當 此障 徑不同之接著劑。 “吏用複數種間隔物粒子粒 又’亦可在—基板相鄰並排2個以上厚度不同之半導 體晶片時，依半導體晶片之厚度適當使用 = 子粒徑不同之接著劑，使不同厚度之半導體晶 40 '1313291 高度為相同，而將大小可涵蓋該厚度不同之半導體晶片兩 - 者的半導體晶片積層於其上。 - 本發明之半導體晶片積層體之製造方法，首先是進行 將上述電子零件用接著劑塗布在一半導體晶片上之塗布步 驟⑴。 上述塗布步驟（1) ’係將上述電子零件用接著劑塗布於 上述-半導體晶片之欲積層上述其他半導體晶片之區域的 卜Ό及中央部。藉由將上述電子零件用接著劑塗布於此 ’等區域’以提高半導體晶片彼此之接著性。 兩又，於上述塗布步驟（1)，係使塗布於外緣部之該電子 零件用接著劑之塗布量為中央部之塗布量的2〜5倍。以 此方式，藉由使外緣部之塗布量多於中央部之塗布量，於 後述之半導體晶片積層步驟⑺中，將半導體晶片彼此對位 1進行緊壓時，可使電子零件用接著劑均句地往接合部 移動行，其結果，可使得所製得之半導體晶片積層體具有 •尚可靠性。外緣部塗布量若未滿中央部塗布量的2倍，則 由於要到達所欲的晶片間距離必須花費一定的壓力、時 間’故生產性會降低，而若超過5倍時，則會發生孔隙。 故以3〜4倍為佳。 又，上述外緣部，係指以相當於自上述一半導體晶片 之欲積層上述其他半導體晶片之區域的重心至外周之距離 。〇.9七之點的集合作為内周時，内周與外周所圍成 品域又上述中央部，係指以自上述重心之距離相當 於上述重心至外周之距離的倍，以較内周更内側 41 •1313291 之點的集合作為最内周時’最内周所圍成之區域。 ^述塗布步驟⑴之塗布方法並無特別限制，可使用例 如組合使用安裝有精密噴嘴之 . 射器（syringe)等與配料器 (d1Spenser)等進行塗布的方法等。 :上述塗布步驟⑴中’塗布電子零件用接著劑時之高 度並無特別限制，以所欲晶片間距料2〜ig卩為佳" 其於所欲晶片間距離為5〇…下及/或半導體晶…

的面積為8(W以上的情況，堂布之高度之較佳上限為綱 ，更佳上限為200 #m。 本發明之半導體晶片積層體之製造方法，其次係進行 透過塗布於上述-半導體晶片的電子零件用接著劑積層其 他半導體晶片之半導體晶片積層步驟（2)。上述半導體晶片 積層步驟⑺，係藉由透過電子零❹接著劑並將半導=晶 片彼此加以對位來進行積層。 以對積層於一半導體 。藉由上述緊壓，可 於上述半導體晶片積層步驟（2)， 晶片之其他半導體晶片進行緊壓為佳 ’以進行積層 充分地將電子零件用接著劑之過剩部分擠出 使其可藉由間隔物粒子來支撐半導體晶片間之間隔。 上述緊壓，以於0.01〜〇.5MPa之壓力下進行〇〗〜5 秒為佳。若未滿O.iHMPa或未滿秒，則會有緊壓之效 果不佳的情形，若施加超過〇.5MPa之壓力或超過5秒， 則難以以良好的生產性製造半導體晶片積層體。故以〇 〜〇.2MPa緊壓為佳。 上述半導體晶片積層步驟（2)，以藉由進行上述緊壓使 42 1313291 晶片間距離縮小至所欲晶片間距離之丨〜12倍為佳。此 '日寺，於晶片間距離大於間隔物粒子之粒徑的情況，於後述 之硬化步驟（3)中，較佳㈣由使電子零件轉著劑流動展 延，以使晶片間距離與間隔物粒子之粒徑實質上相同。 本發明之半導體晶片積層體之製造方法中，接著係進 . 行使上述一半導體晶片與其他半導體晶片間之電子零件用 •接著劑硬化之硬化步驟（3)。藉由使上述電子零件用接著劑 硬化，可得到半導體晶片積層體。又，上述硬化步驟，可 鲁於母積層1個半導體晶片時來進行，亦可於反復進行半導 體晶片之積層至所欲之層數後，再一次進行。 上述硬化之方法並無特別限制，可適當選擇依電子零 件用接著劑之硬化特性的硬化條件來使用，為防止孔隙之 產生及提高晶片間距離之精確度，較佳者為，在實質上未 開始產生硬化之70〜12(rc下進行1〇分鐘〜2小時之預備 硬化後，再於120〜200t下進行硬化之方法。 力上述硬化步驟（3)後得到之半導體晶片積層體之晶片 間距離之參差度’在以下以未滿為佳。參差度若在 3α下在5# m以上時，則會有發生引線接合不良、覆晶接 合不良之情形。又，σ表示標準偏差。 * (發明之效果） ^依據本發明，可提供可在接合2個以上之半導體晶片 2電子零件時，精確地保持電子零件間距離且可得到高可 靠性之半導體裝置等電子零件的電子零件用接著劑，使用 該電子零件用接著劑之半導體晶片積層體之製造方法及半 43 1313291 導體裝置。 【實施方式】 以下揭示實施例以更詳細說明本發明，惟，本發明並 非僅限制於此等實施例。又，實施例及比較例中記载之粒 位的’則量’係使用粒徑測量機（柯爾達測量機ZB / C — 1 000，柯爾達電子公司製）；κ值及壓縮回復率之測量則 使用壓縮測武微小壓縮測試機（費雪扣普H,費雪儀器 公司製）。 ° (貫施例1〜2 ’比較例1〜3，參考例1) (1)電子零件用接著劑之製作 依照表1之組成，使用均質混合機攪拌混合下述之間 隔物粒子以外之材料，製作接著組成物。對所製得之接著 組成物，依表1之組成配合間隔物粒子，再使用均質分散 機進行攪拌混合，藉此製作電子零件用接著劑。 (硬化性化合物） 二環戊二烯型環氧樹脂（HP — 7200HH，大日本油墨公 司製） 奈型環氧樹脂（HP — 4032D，大日本油墨公司製，常溫 下為液狀） 第型環氧樹脂（EX1 020，長瀨產業公司製，熔點3〇。^ ) 低黏度環氧樹脂（EP 一 4088S，旭電化工業公司製，黏 度 250mPa· s/25〇C) (硬化劑） 酸酐（YH~~3〇7，曰本環氧樹脂公司製） 44 1313291 (硬化促進劑） 咪唑化合物（2MA — OK，四國化成工業公司製） (搖變性賦予劑） 燻矽土（AEROSIL R202S，曰本阿艾羅吉爾公司製） (具有％氣基之馬分子化合物） 含有環氧基之丙烯酸樹脂（卜連瑪CP 一 30，曰本環氧 樹脂公司製） (橡膠改質環氧樹脂） CTBN改質環氧樹脂（EPR — 4〇23，旭電化工業公司製） (間隔物粒子） 樹脂粒子（米克羅帕爾SP — 210，積水化學工業公司 製’平均粒徑：10/z m，CV值=4%) 球狀二氧化矽（S430 — 2 ’麥克隆公司製’平均粒徑： 8.4um，CV 值 >1 〇% ) (2)半導體晶片積層體之製作 將所製得之電子零件用接著劑填充於l〇mL注射器（岩 下工程公司製），於注射器前端安裝精密喷嘴（岩下工程公 司製，喷嘴前端徑0_3mm)，使用配料裝置（SHOT MASTER 300，武藏工程公司製），以喷出壓〇 .4MPa、半導體晶片與 針（needle)之間隙200 /z m、塗布量5mg塗布於玻璃基板上。 使塗布量為（接合部分外周部之塗布量/中央部之塗布 量）=4。 塗布後’使用覆晶接合劑（DB — 1 〇〇，澀谷工業公司 製），以0.15MPa之壓力緊壓5秒，藉此積層具有172個110 45 Ί313291 # m之形成為圓周狀之焊墊開口部的半導體晶片（晶片 1)(厚度 8 0 // m。i _j- mm x 12麵見方、網目狀圖案、紹配

線：厚度0.7⑽、L//s = 15/15、表面氣化石夕膜厚度：1 〇 ㈣。然# ’使用上述之配料裝置將電子零件用接著劑塗 布於晶片i，使用上述之接合裝置，以使晶片1的長邊盘 晶片2的長邊交又之方式載置與晶片i相同的半導體晶片、 (晶片2)，在溫度2rc下，以15购緊麼5秒，藉此來進 打積層。然後，在熱風乾燥爐内於8〇t：下放置6〇分鐘後， 於150°C下加熱6G分鐘，使電子零件用接著劑硬化，藉此 製成半導體晶片積層體。 胃 (評價） 對實施例1〜2、比較例丨〜3及參考例丨中得到之電 子零件用接著劑及半導體晶片積層體，以下述方法進行評 價。 。 結果不於表1。 (黏度之測量） 使用E型黏度測量裝置（商品名：VISCOMETER TV — 22 ’托奇（TOKI)產業（股）製，使用轉子：φ15πιη1，設定溫 度.25C)，測量於旋轉數〇.5rpm之黏度（A)、lrpm之黏

度（B)及l〇rpm之黏度（〇。並求出此等之黏度比（A/B)及（B /C)。 (垂流量） 在石夕as圓上，以作成直徑1 cm、兩1 mm之方式塗布所 得之電子零件用接著劑後，將矽晶圓垂直靜置，測量於2 5 46 1313291 c下電子零件用接著劑之移動量。 (晶片間距離之參差、間隔到達度） 就實施例1〜2、比較例卜3及參相】中得到 導體晶片積層體，製作1〇個試樣，使用雷射位移叶⑽—

測，克延斯（KEYENCE)公司製）測量各半導體晶片積芦 體之積層狀態。具體而言，係測量…與晶片2上面： 段差’由測量值減去晶片厚度，以求出晶"與晶片 之晶片間距離後，算出晶片間距離之參差度，卩；…： 標準偏差)表示。並算出(晶片間距離，間隔物微粒 粒徑）作為間隔到達度。 _ (耐熱性測試） 將得到之半導體晶片積層體於下乾燥6小時， 接著於鄭％之濕潤條件下處理48小時後，以與回烊 時相同之减、30秒條件下進行加熱處理。然後對此進 人加熱處理後的半導體晶片積層體，觀察是否發生層 間剝離。層間剝離之觀察，係❹超音波探查影像裝置（二 SC〇PehyperI1，日立建機精密科技公司製）進行。 —再以此合酸除去半導體晶片積層體所用之電子零件用 接者d H察半導體晶片表面之氮切保護膜有否產生裂 痕。 +就層間剝離及保護膜之裂痕，以下述基準進行評價， 藉此進行半導體晶片積層體之耐熱性評價。 〇.未觀察到層間剝離及保護臈之裂痕。 △.可觀察到稍微有層間剝離或保護膜之裂痕。 47 1313291 x ••可觀察到顯著的層間剝離或顯著的保護膜裂痕。 (溫度循環測試） 對得到之半導體晶片積層體，進行以一55。(：下9分鐘、 c下9分鐘為一循環之溫度循環測試，對進行1〇〇〇循 %後之半導體晶片積層體觀察是否發生層間剝離。並以混 口 ^除去半導體晶片積層體所用之電子零件用接著劑，觀 察半導體晶片表面之氮化秒保護膜有否產生裂痕。 對層間剝離及保護膜之裂痕，以下述基準進行評價。 〇.未觀察到層間剝離及保護膜之裂痕。 X .:觀察到稍微有層間剝離或保護膜之裂痕。 X ·可觀察到顯著的層間剝離或顯著的保護膜裂痕。

48 1313291

鬥Is 參考例11 03 CO 〇〇 1 1 CO CO OO OO 寸 ◦ Τ—^ 1 LO CO CO CD Γ··< CO 1 < LO Ο) «Ο cz> r—< CO 〇 < 比較例3 LTD CO Τ—Η LO 1 1 eg LO oo 寸 寸 〇 Τ—I 1 LO τ-Η οα i 1 CO o od CO 1 1 1 1 比較例2 LO CO r-H L〇 1 1 οα LO OO oo 寸 2 Τ—Η 1 CO in CO ΐ>- 寸 οα οα ί—Η 寸 t1 t 〇> od CO 〇 〇 比較例1 ο CO 卜 1 1 CO CO 00 oo 寸 1 Τ—Η y—i 卜 τ—Η CO τ—Η τ—Η CD CO LO l 1 CD od ο m r—i 〇 〇 實施例2 ο CN1 1 1-—1 m CO CO CO oo 〇 r—1 1 r-Η c>a οα τ—Η LO 寸 寸 i— i 卜 ο o o CO 〇 〇 實施例1 ◦ οα CD 卜 1 1 CO CD oo oo 〇 1 C— 卜 LO r 1 Ί $ LO i 1 oo οά CD o o r—< CO 〇 〇 二環戊二烯型環氧樹脂 奈型壞氧樹脂 苐型環氧樹脂 低黏度環氧樹脂 酸酐 13米峻化合物 燻矽土 含有環氧基之丙烯酸樹脂 CTBN改質環氧樹脂 樹脂粒子 球狀二氧化矽 0. 5rpm(A) lrpm(B) 10rpm(C) A/B B/C 垂流量(mm) 間隔到達度 晶片間距離之參差 耐熱性測試 溫度循環測試 硬化性化合物 硬化劑 硬化促進劑 搖變性賦予劑 具有環氧基之高分子 橡膠改質環氧樹脂 間隔物粒子 黏度(Pa · s) 黏度比 Μ 龚 ♦1 ( .Ifhil ψ>η ι〇Η ) 散ί κ 6寸 1313291 (實施例3〜7、比較例4〜7) 依知、表2之組成’將下述所示之間隔物粒子以外之各 材=，使用均質分散機攪拌混合，製作成接著組成物。於 所裝侍之接著組成物，依表2之組成配合間隔物粒子，再 使用均貝分散機攪拌混合，藉此製作成電子零件用接著 劑。又’表2中各組成之配合量為重量份。 (環氧化合物（A)) 苯酚型環氧類（EX— 201，長瀨產業公司製，單體，25 c下為結晶固體，熔點為3〇〜6〇£>c，5(rc下之黏度為 250mPa . s) 結μ性環氧樹脂（YSLV — 8〇χγ，東都化成公司製，單 體’25c下為結晶固體’熔點為8(rc，8(rc下之黏度為ipa. s) (環氧化合物（B)) 一環戊一稀型環氧類（EP — 408 8S，阿迪卡公司製，單 體） 一環戊二烯型環氧化合物（HP - 7200(大日本油墨公司 製，五聚物） (其他環氧化合物） 雙紛A型環氧化合物（Ep828，日本環氧樹脂公司製， 50°C下之黏度為2Pa . s) 秦型環氧化合物（HP— 4032D ’常溫為液狀，大日本油 墨化學工業公司製，50。(：下之黏度為5Pa . s) 雙紛A型環氧化合物（Ep — 1〇〇1，日本環氧樹脂公司 50 1313291 製’常溫為固體，80°C下之黏度為2〇pa · s) - 苯盼型環氧化合物（EX - 141，長瀨產業公司製，常溫 .為液狀，50°c下之黏度為7mPa · s) NBR改質雙a型環氧化合物（EPR— 4030，阿迪卡公司 製’常溫為液狀，50°c下之黏度為5〇pa . s) (含有環氧基之丙烯酸系高分子化合物） 含有環氧基之丙烯酸樹脂（卜連瑪CP—30，日本環氧 樹脂公司製） , (硬化劑） 酸酐（YH— 306，曰本環氧樹脂公司製） (硬化促進劑） 咪唑化合物（2MA — OK，四國化成工業公司製） 增黏劑（R202，曰本阿艾羅吉爾公司製） (接著性賦予劑） 咪唑矽烷偶合劑（SP — 1 000，日礦材料公司製） (間隔物粒子） 樹脂粒子（米克羅帕爾sp_210，積水化學工業公司 製，平均粒徑：10以m , CV值=4%) (半導體晶片積層體之製作） 字得到之電子零件用接著劑填充於1 注射器（岩下 制 U J T 於注射器前端安裝精密喷嘴（岩下工程公 司製’嘴嘴前端徑0·3職），使用配料裝置（SHOT MASTER 3〇0武藏工程公司製），以喷出壓〇_4MPa、半導體晶片與 巧隙200 // m、塗布量5mg塗布於玻璃基板上。塗布 51 1313291 * 里係作成為（接合部分之外周部之塗布量/中央部之塗布 、 量）=4。 .. 塗布後’使用覆晶接合劑（DB — 1〇〇，溫谷工業公司 製）’在溫度6〇。〇或8〇t下，以〇.15MPa之壓力藉由緊壓 5秒，積層具有1 72個11 ο μ m之形成為圓周狀之焊墊開口 部的半導體晶片（晶片1)(厚度80 " m、8rnin x 12mm見方、 網目狀圖案、鋁配線：厚度〇 7/z m、L/s = 15/ i5、表面 氮化石夕膜厚度.1. 〇 # m)。然後，使用上述之配料裝置將電 _ 子零件用接著劑塗布於晶片i，使用上述之接合農置，以 使曰曰片1的長邊與晶片2的長邊交又之方式載置與晶片丄 相同的半導體晶片（晶片2)，在溫度60。(：或80。(：下，以 〇_15MPa緊壓5秒’藉此來進行積層。然後，在熱風乾燥 爐内於80。。下放置60分鐘後’於15〇t：下加熱6〇分鐘， 使電子零件用接著劑硬化，藉此製成半導體晶片積層體。 (評價） 對實施例3〜7、比較例4〜7得到之電子零件用接著 劑及半導體晶片積層體，以下述方法進行評價。結果示於 表2。 (黏度之測量（1)) 使用E型黏度測量裝置（商品名：visc〇meter — 22 ’托奇產業（股;I製，使用轉子：⑴匪，設定溫度：乃 C)，測量於旋轉數〇.5rpm之黏度（A)、lrpm之黏度及 lOrpm之黏度（C)。並求出此等之黏度比（a/b)及（B/c)。 (黏度測量（2)) 52 1313291 使用E型黏度測量裝置（商品名：VISCOMETER TV-22’ 托奇產業 （股）製’使 用轉子 ： φΐ 5 mm ， 設 定溫度 ： 2 5 ) ’測量於旋轉數lOrpm之黏度、60°C或80。(：下於lOrpm 之黏度。 (塗布形狀保持性） 塗布於玻璃基板上後’塗布形狀於剛塗布之後至黏合 為必之間’形狀崩壞未能保持良好的形狀者評價為X，而 於剛塗布後至黏合為止之間，形狀可保持良好者評價為

〇。 (晶片間距離之參差） 對實施例3〜7、比較例4〜7得到之半導體晶片積層 體，製作ίο個試樣，使用雷射位移計（KS— 11〇〇，克延斯 公司製）測量各半導體晶片積層體之積層狀態。具體而言’ 係測量晶4 1與晶片2上面之段^，從測量值減去晶片厚 度’以求出晶4 1與晶片2間的晶片間距離後，算出晶片 間距離之參差度，w 3σ (σ :標準偏差）表示。 (有無發生回焊裂痕） 將得到之半導體晶片積層體，於⑽、85%之怪溫言 濕爐中放置24小時後，投人”n。 m冋 丁便才又入230 C以上達20秒以上且最 高溫度為26〇°C之1R回焊爐。投入後，以超音波探傷器(SAT) 硯察半導體裝置有無發生回焊裂痕。又，於表2中，係將 回焊裂痕之發生數表示為不良率。 (综合評價） 實施例3〜7及比較存丨丨」 -, 例4〜7中仔到之電子零件用接著 53 1313291 係以下述基準進行評 劑及半導體晶片積層體之綜合評價 價。 ◎:可得到塗布形狀保持性 Μ pa _ 1馒異、可極咼精度控制晶 片間距離且回烊裂痕可靠性高 劑。 導體曰日片積層體的接著

一 〇·可得到塗布形狀保持性優異、 间精度地受到控制，但回焊裂痕可靠性 積層體的接著劑。 晶片 稍差 間距離得以極 之半導體晶片 X:無法精確地控制晶片間距離之接著劑

54 1313291 55

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EP—4088S

Ex—201 YSLV—gXY 0.1 61 β 9 1.5 4.7 9 6010° 0.2 1^1 10 0100 2\6 IP1 55 1^ 7 1.6 4.9 7 6Qln° 3 yM 10 1.2 2\6 di 0· 1 57 尝 loo 1.4 5. 0 8 6010° 1 10 0100 0\6 d— 0· 1 57 38 7 1.5 5.4 7 6010° 0.7 1^1 10 1.0 1\6 0· 1 55 37 8 1.5 4.6 8goo 2 yM 10 1.1 1\6 PI 230 180 95 1.3 1·9 95 6QOC 20 1^1 23 5.2 0\6

0.1 50 33 5 1.5 6.6 5 6010° 0.2 IX d— 0.6 6\6 X 0· 1 300 240 122 1.3 2.0 122 6010° 31UM 35 7IOO 1\6 79 53 8 1.5 6.6 8 6QOC d— 74 74 74 74 74 74 74 30 50 ^ 50 il 50 50 50 fe, 40 60 40 20 10 30

Hta 20 30 HIJ7 10

Trls隻 4： rrK篷 5 74 30 60

Trbljtl^6 74 50

IrrK篷 7 Id~~ I313291 (實施例8〜1 Ο、比較例8) _、下述表3之組成，使用均質分散機攪拌混合下述所 7⑽物粒子以外之各材料，製作成接著組成物。於得 ^ 著、、且成物，依表2之組成配合間隔物粒子，再使用 句貝刀月欠機授拌混合，藉此製作成電子零件用接著劑。又， 表3中各組成之配合量為重量份。 (環氧化合物） 兩末端雙酚A縮水甘油醚改質聚丁二烯（EPB〜13 (日 本曹達公司製，常溫下為半固體） 兩末端縮水甘油醚改質氧化丙烯（Εχ_ 941，長瀨產業 公司製，常溫下為液體） (其他壤氧化合物） 雙酚Α型環氧化合物（ΕΡ — 828,日本環氧樹脂公司製， 50°C下之黏度為2Pa · s) (硬化劑） 2官能酸酐硬化劑（YH_ 306，日本環氧樹脂公司製， 常溫下為液體） 由4官能酸酐硬化劑所構成之粒子（B — 44〇〇，大日本 油墨公司製，常溫下為固體，平均粒徑3 # m) (硬化促進劑） 咪唑硬化促進劑（2MA — OK，四國化成公司製） (反應性稀釋劑） 一 ％_戊一稀型環氧類（EP — 4088S’阿迪卡公司製，單 體） 56 1313291 (搖變性賦予劑） 疏水性燻矽土（MT — 10，德山公司製） (接著性賦予劑） 咪唑矽烷偶合劑（SP — 1000，日礦材料公司製） (間隔物粒子） 樹脂粒子（米克羅帕爾SP — 210 ’積水化學工業公司 製，平均粒徑：10/z m，CV值=4%) (評價）

對實施例8〜10及比較例8所調製之電子零件用接著 劑進行下述之評價。結果示於表3。 (黏度之測量）

使用E型黏度測量裝置（商品名：VISC〇METER TV — 22托奇產業（股）製’使用轉子：φ15 mm，設定溫度：25 C)測里於方疋轉數〇.5rpm之黏度（a)、lrpm之黏度（b)及 1 Orpm之黏度（C)。並求出此等之黏度比（A/…及（B/ c)。 (拉伸強度之測量） ▲將實施例8〜1〇及比較例8所調製之電子零件用接著 劑置入2mm X 5mm X 50mm夕松η丄 m之模具中，於170〇C硬化15 分鐘後’以手拉伸硬化物’可輕易拉裂者為X、隨強度增 強依序為Δ、〇。又’無妹裂相為「◎」。 (半導體晶片積層體之製作） 將得到之電子零件用接著劑 ⑷嗔充於1 〇mL注射器（岩下 工程公司製）中，於注射器前端 勺制 +松a山 女裝精密喷嘴（岩下工程公 司製，嘴嘴刖端徑〇.3mm)，

’使用配料裝置（SHOT 57 1313291 MASTER3 00 ’武藏工程公司製），以噴出麼〇_4jyjpa、半導 體片與針之間隙200 # m、塗布量5mg塗布於玻璃基板 上。塗布量係作成為（接合部分之外周部之塗布量/中央部 之塗布量）=4。 塗布後’使用覆晶接合劑（DB — 1 〇〇，溫谷工業公司 製），在常溫下以〇_ 1 Mpa之壓力按押5秒，藉此積層具有 1 72個1 1 〇 # m之形成為圓周狀之焊墊開口部的半導體晶片 (b曰片1)(厚度80 " m、10mm X l〇mm見方、網目狀圖案、 鋁配線：厚度〇.7#m、L//s = 15/15、表面氮化矽膜厚度： 1.0 // m)。於17〇°C下進行加熱15分鐘，使電子零件用接 著劑硬化’藉此製作成半導體晶片積層體。 (半導體晶片之彎曲量之測量） 沿著所製作之半導體晶片積層體的半導體晶片之對角 線’使用雷射位移計（克延斯公司製，LT9010M，KS- ΐιοο) 測量彎曲量。 (引線接合性評價） 與半導體晶片積層體同樣地，在基板上積層半導體曰 片（晶片2)(厚度80" m、3mm X 3mm見方、網目狀圖案、 鋁配線·厚0.7 # m、l/ S = 1 5 / 1 5、表面氮化石夕膜厚度：\ 〇 私m)。然後’使此積層體於i7(rc下硬化η分鐘。再使用 引線接合機（Wire bonder)UTC2000(新川公司製）以直秤U # m之引線進行引線接合。於引線頸部拉伸此引線，於引 線頸部斷裂者為◦，於接合部分斷裂者則為「χ」。 (耐回焊性評價） 58 1313291 將製作之半導體晶片積層體，放置於8 5 °C 8 5 %之恆溫 咼濕爐中24小時後，投入23〇〇c以上達2〇秒以上且最高 溫度為260°C之iR回焊爐中3次。投入後，以超音波探傷 器（SAT)觀察半導體裝置有無發生回焊裂痕，以下述基準 進行評價。 ◎:回烊裂痕發生數0/6 〇：回焊裂痕發生數1/6 (綜合評價）

調製之電子零件用接著劑 ’係令半導體晶片之彎曲 ’半導體晶片之彎曲之評 ’以半導體晶片之彎曲之 實施例8〜1〇及比較例8所 及半導體晶片積層體之綜合評價 之評價在50/zm以下者為「◎」 價未滿100 μ m以下者為「〇」 評價在100/zm以上者為Γχ」。

59 1313291

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G) av-lOI 3\v 3\a ®^¥9τ CPS (s · BCLH)^蒜 (m7y)®l««»Km5m ^-ιφ^· S®H¥)s-m ϊ^ι- 1313291 (產業上可利用性） 依據本發明，可摇 j托仏在接合2個以上之半導體晶片等 電子零件時，可其择痒# u »精度保持電子零件間的距離且可得到高 可靠性之半導體裝置等命 4 %子零件之電子零件用接著劑、使 用該電子零件用接著劑 半導體晶片積層體之製造方法以 及半導體裝置。 【圖式簡單說明】 之電子零件用接著劑所

圖1為示意地顯示使用本發明 積層之半導體晶片一例的戴面圖。 【主要元件符號說明】 1 電子零件用接著劑 間隔物粒子 3 晶片 4 晶片 基板 引線

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Claims (1)

13 ΫΨ29Ψ·Μ^ 9ai26727 號(98 年 4 月修正)

、~公告本 十、申請專利範圍： 1. 一種電子零件用接著劑，係用以接合電子零件，其特 徵在於： 含有具硬化性化合物及硬化劑之接著組成物、與CV值 在10%以下之間隔物粒子； 使用E型黏度計於25〇c測量黏度時’ Upm之黏度為 200Pa . s以下，10rpm之黏度為1〇〇Pa . 8以下，且〇 5rpm 之黏度為lrpm之黏度的1>4〜3倍，lrpm之黏度為1〇rpm 之黏度的2 *^' 5倍。 2.如申請專利範圍第1項之電子零件用接著劑，其中， 使用E型黏度計於5G〜⑽。c測量黏度時，他㈣之黏度為 1 P a . s以下。 3·如申請專利範圍第1項之電子零件用接著劑，其中， 硬^化合物含有環氧化合物⑷，該環氧化合物⑷帶有在 重複單位中具有芳香環之十聚物以下的分子構造，且於25 C下為結晶性固體。 4. 如申晴專利範圍第丨項之電子零件用接著劑，， 硬化性化合物含右4 舌曰 第型…之選自由萘型環氧樹脂、 氧樹知及間苯二紛型環氧樹脂所構成之群中的至少 5. 如申D月專利範圍第1項之電子零件用接著劑，1 φ ,, 有衣氧化合物（B)，該環氧化合物八^ 的兩端具有環惫其 , 物（β)在分子 乳基’且在一方之環氧基與另一 具有數目平均分子旦或方之％氧基間 子里為50〜1〇00之柔軟骨 62 1313291 6. 如申請專利範圍第5項之電子零件用接著劑 柔軟骨架係來自選自由丁二烯橡膠、氧化兩烯、氧化乙 丙烯酸橡膠及此等之氫化物所構成之群中 物。 中的至少！種化合 其中 7. 如申請專利範圍第5項之電子零件用接著劑 環氧化合物（B)進一步於分子内具有芳香族骨架。 其中 8. 如申請專·圍第7項之f子零件用接著劑 縮水甘油喊基係直接鍵結於芳香族骨架。 9·如申請專利範圍第！項之電子零件用接著劑，立進— 步含有具可與硬化性化合物反應之官能基的高分子化合物。 ,10.如申請專利範圍帛！項之電子零件用接著劑，其人 有常溫下為固體之多官能酸酐硬化劑所構成 礓3 促進劑。 丁兴硬化 "•如申請專利範圍帛"員之電子零件用接著劑，其含 常溫下為固體之多官能酸酐硬化劑所構成之粒子、盥當、、田 下為液體之2官能酸酐硬化劑。 一 I2·如申請專利範圍第丨丨項之電子零件用接 一步含有硬化促進劑。 再進 、、13.如中請專利範圍第i項之電子零件用接著劑，其中， :狀成分之溶解度參數(sp值)為8〜"，並且含有平均、一欠 ::、為："以下且疏水化度(M值)為5。以下之無機微粒 ，、千均—次粒徑為50nm以下且疏水化度（M值）為6〇 上之無機微粒（B)。 63 1313291 專利範㈣丨項之電子零件用接 ， 液狀成分之溶解度參數（sp值）為n〜i4， -中 次粒徑為50nm以下a垆卜儿麻 δ有平均— m ώ 疏水化度°^值）為40以下之盔機微 (C)、與平均一攻瀚僻盔 …機U粒 人拉仫為5〇nm以下且疏水化度 以上之無機微粒（D)。 值）為50 如申請專利範圍第丨項之電子 電子零件為半導體W。 料轉錢，其中， 16.—種半導體晶片積層體之製造方法 利範圍第1項之雷早i杜田拉—宁边過申清專 $ 1項之電子零件用接者劑，將2片以上之半導 片加以積層’其特徵在於’具有下列步驟： 曰曰 劑；塗布步驟⑴：在—半導體晶片上塗布該電子零件用接著 半導體晶片積層步驟（2):透過塗布在該一半導體曰片上 之電子零件用接著劑，積層其他半導體晶片；及曰曰

:化步驟W使該—半導體晶片與其他半導體晶片間的 電子零件用接著劑硬化； :該塗布步驟⑴，將該電子零件用接著劑塗布於該—半 力體曰曰片之積層該其他半導體晶片之區域的外緣部及中央 ^且/塗布於外緣部之該電子零件用接著劑之塗布量為塗 ;中央部之塗布量的2〜5倍。 /7’如申請專利範圍第16項之半導體晶片積層體之製造 曰法其中，於半導體晶片積層步驟（2)，對積層於一半導體 片上的其他半導體晶片，以〇〇1〜〇 jMPa按壓1〜$秒。 64