TW200808932A - Adhesive for electronic components, method for manufacturing semiconductor chip laminate, and semiconductor device - Google Patents

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200808932 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種可在接合 子零件時，高精確地保持電子 性之半導體裝置等電子零件之 電子零件用接著劑之半導體晶 導體裝置。 2個以上之半導體晶片等電 零件間的距離且製得高可靠 電子零件用接著劑，使用該 片積層體之製造方法以及半 【先前技術】

隨之而來者例如，半導體晶片為極薄之薄膜，並且於 =導體晶片上形成微細之配線。於此冑3維構裝之半導體 晶片積層體，係要求不會對各半導體晶片造成損傷，且保 持水平來進行積層。 ,近年來，隨著對於以半導體封裝為代表之電子零件小 型化的要求’係朝向積層複數個電子零件，以製成多層半 導體晶片積層體之3維構裝之方向前進。且就半導體曰^片 積層體等電子零件之更加小型化的研究亦持續進行著。 針對此點，以往為了得到高可靠性的半導體晶片積層 體，曾研究對下層半導體晶片之導線加以保護的方法、I 為了保持水平以進行積層，使間隔晶片（spacerchip)介於半 導體晶片間的方法等。此種方法，例如在專利文獻丨中， 揭示一種在積層複數半導體晶片時，在一方半導體晶片之 用以積層另_方半導體晶片的面上，冑間隔物形成為散點 狀後’再積層另一方之晶片的方法。 然而’此種方法中，於可達成半導體晶片之充分小型 5 200808932 化及面精確之k、 . 、 水平積層的程度，欲控制間隔物之厚度及形 極為困難。且，有步驟繁複的問題。 曰片萨 於專利文獻2中，揭示一種於積層複數半導體 了在連接之半導體晶片間積層虛晶片（dumm h • 之方法。 、而M此種方法得到之半導體晶片積層體，由於會 狀:片而增大半導體晶片積層體全體之厚度，故會有封 ’二度之難以降低化，且須額外用以積層虛晶片之步驟的 P 問題。 又，另外亦有人研究配合有間隔物粒子之接著劑。 、、」如於專利文獻3巾，記载有U硬質塑膠微粒作為 =要成分之接著劑，此硬質塑膠微粒具有實質上規定接著 ^化後之膜厚的粒徑，並記載可用與平均粒徑心瓜同 等厚度之接著劑來接合石夕元件與導線架（ι—如㈣。 θ然而，即使使用配合有此種間隔物粒子之接著劑，所 • 2到之積層體的接著劑層其厚度參差不齊的問題仍然未獲 f解決（例如’於引用文獻3之實施例中，厚度之最大值與 :j值間之差達3〜5 " m) ’即使僅添加與所欲膜厚大致同 寺之間隔物粒子，亦無法精確控制膜厚，是其問題。 專利文獻1 .日本特開20〇3〜1792〇〇號公報 專利文獻2 ·日本特開2〇〇6 — 668ί6號公報 專利文獻3 ·日本特開平u — 189765號公報 【發明内容】 鑑於上述現狀，本發明之目的在於，提供一種可在接 6 200808932 合2個以上之半導體晶片等電子零件時，高精確地保持電 子零件間的距離且製得高可靠性之半導體裝置等電子零= 之電子零件用接著劑，使用該電子零件用接著劑之半導體 晶片積層體之製造方法以及半導體裝置。 、 本發明為一種電子零件用接著劑，係用以接合電子突 件者’其含有具硬化性化合物及硬化劑之接著组成物、與 CV值在10%以下之間隔物粒子，於使用E t測量黏度時，於-之黏度在請a.s以下，;；十^ 之黏度在1〇〇Pa. S以下，且於〇.5rpm之黏度為於咖之 黏度的1.4〜3倍，於lrpm之黏度為於…阳之黏度的2 〜5倍。 以下詳述本發明。

本發明人等’經潛心研究的結果，發現使用由接著电 成物、與具有既cv值的間隔物粒子所構成，並 使用E型黏度計於25t測量之黏度特性在既定範圍内之電 子零件用接著劑’進行電子零件接合時，可高精度地保持 =零件間之㈣’且所㈣之電子零件裝置之可靠性非 常鬲，而完成本發明。 —本發明之電子零件用接著劑，用E型黏度計於饥測 置黏度時，於lrpm之黏度上限為2〇〇pa s，於他㈣之 黏度上限為lOOPa · s，且於n i 一 1於〇.5rPm之黏度為於lrpm之黏 度的1 ·4〜3倍，於1 rpm之&痒去Μ 黏度為於l〇rpm之黏度的2〜5 倍〇 本發明之電子零件用接著劑 藉由將使用E型黏度計 7 200808932 ^ c測里之黏度疋在上述範圍内，例如，在使用於製造 半導體晶片積層體時，在將電子零件用接著劑塗布於半導 體晶片之步驟中，可u T 了以所欲的形狀順利地進行塗布，並可 2持該形狀至積層其他的半導體晶片。又，於積層其他半 體aa片之V驟令’可藉由在對位後進行加壓，將過剩的 電子零件用接著劑充分地擠出，使半導體晶片間之距離（以 下亦稱為曰曰片間距離）成為與間隔物粒子之粒徑實質上相 等之距離。 _。I發明之電子零件用接著劑，在使用E型黏度計於Μ C測量黏度時’於lrpm之黏度上限為2瞻a· s。若超過 2_a· s’則在使詩製造晶片間距離小的半導體晶片積 層體時，由於具有高黏性，故難以縮小晶片間距離至間隔 物粒子之粒徑的程度，尤其是晶片間距離在25 #瓜以下時， 困難性更為顯著。較佳之上限為j 5〇pa · S。 又，於lrpm之黏度之較佳下限為5〇pa.s。若未滿5〇pa · 鲁s’則在塗布後到積層其他半導體晶片之間，將難以維持塗 布時之形狀。又，例如，使用於積層引線接合（wireb〇nding) 型之半導體晶片的用途時，有時候會發生電子零件用接著 劑與間隔物粒子一起流出至引線接合用電極區域之情形。 本發明之電子零件用接著劑，於使用E型黏度計在乃 °C測量黏度時，於10rpm之黏度上限為l〇〇pa · s。若超過 l〇〇Pa· s，則難以所欲之形狀進行塗布。較佳之上限為 7 5 P a · s。 、 又’於lOrpm之黏度的較佳下限為5pa.s。若未滿5pa.

S 200808932 s，則在塗布後到積層其他半導體晶片之間，會難以維持塗 布時之形狀。又，例如使用於積層引線接合型半導體晶片 之用途時，有時候會發生電子零件用接著劑與間隔物粒子 一起流出至引線接合用電極區域之情形。 本發明之電子零件用接著劑，使用E型黏度計於25它 測$黏度時，〇_5rpm之黏度的下限為於lrpm之黏度的 倍，上限為3倍。若未滿1 ·4倍，則在塗布後到積層其他 半導體晶片之間，將難以維持塗布時之形狀。若超過3倍， _ 則在使用於製造晶片間距離為20 // m左右之半導體晶片積 層體時，由於具有高黏性，即使施以擠壓，過剩的電子零 件用接著劑亦不會被擠出，因此難以縮小晶片間距離至間 隔物粒子之粒徑的程度。較佳之下限為2倍。 本發明之電子零今用接著劑，使用E型黏度計於25它 測量黏度時，於lrpm之黏度的下限為於1〇rpm2黏度的2 倍，上限為5倍。若未滿2倍，則難以在塗布本發明之電 子零件用接著劑後，維持描繪形狀。若超過5倍，則在使 _ 肖於製造晶片間距離小的半導體晶片積層體時，由於具有 高黏性，故難以縮小晶片間距離至間隔物粒子之粒徑的程 ，，尤其於晶片間距離在25/Zm以下時，困難性將更為顯 著。較佳之上限為3倍。 又，本發明之電子零件用接著劑，於接合上述電子零 件時，有時會以高於25。〇：之溫度來進行接合。此時，本發 7之電子零件用接著劑，使用E型黏度計於接合電子零件 時之溫度（以下，亦稱為接合溫度）測量黏度時，於1〇卬瓜 9 200808932 之黏度以10Pa. s以下為佳。若超過1〇Pa· s，則在以本 發明之電子零件用接著劑接合電子零件時，將無法排除間 隔物粒子與電子零件間之過剩的電子零件用接著劑，而難 以縮小晶片間距離至間隔物粒子之粒徑。更佳之上限為 1P a · s。 、、 左右 又，上述接合溫度並無特別限制，通常在5〇〜i〇(rc 〇 本發明之電子零件用接著劑含有硬化性化合物。 上述硬化性化合物並無特別限制，例如可使用藉由加 成聚合、聚縮合、聚合加成、加成縮合、開環聚合反應來 進行硬化之化合物。 ”具體而可舉出例如尿素化合物、三聚氰胺化合物、 :iM匕合物、間苯二酚化合物、環氧化合物、丙烯酸化合 、聚酿化合物、聚醯胺化合物、聚苯并咪唾化合物、苯 :::二烯丙醋化合物、二甲苯化合物、烷基苯化合物、 衣氧基丙烯酸酯化合物、矽 m ’化口物、胺甲酸乙酯化合物等 …、更化性化合物。其中，在接人 接口後由於得到之半導體裝置 Γ =之可靠性及接合強度優異，因此以環氧化合 物為更佳。 尤以具有醯亞胺骨架之環氧化合 上述環氧化合物並無特別限制，例如 =型、雙…、雙…等雙 :^型、甲料漆型等之清漆型環氧樹脂；三苯紛甲烧 —油料芳香族環氧樹脂；萘型環氡樹脂、聯苯型 10 200808932 糸氧祕脂、第型環氧樹脂、二氯笨二烯型環氧樹脂、間笨 2酚型環氧樹脂、及此等之氫化物等。其中，由於可得到 咼耐熱性的電子零件用接著劑，因此較佳為含有選自由萘 型環氧樹脂、苐型環氧樹脂及間苯二龄型環氧樹脂所構: 之群的至少一種。 上述萘型環氧樹脂中，市售品可舉出例如Hp— 4〇32、 HP- 4〇32D、HP— 47〇〇、Hp— 47〇1(以上為大日本油墨化 予工業公司製）等。、又，上述苐型環氧樹脂中，市售品可舉 出例如 EX-1010、101卜 1012、1020、1030、1040、1〇5〇、 J51 1060(以上為長瀨化成公司製”上述間苯二酚型環 氧樹脂之中，市售品可舉出EX_2G1(長瀨化成公司製心 上述奈型裱氧樹脂、苐型環氧樹脂及間苯二酚型環氧 ㈣，以使用軟化點在⑽以下者為佳。藉由使用軟化點 在60C以下者，可減低用以降低電子零件用接著劑之黏度 所使用的稀釋劑等液狀成分之添加份數，可得到於硬化時 後揮發成分少的電子零件祕㈣，較佳為使用軟 ’ 40 c以下者，更佳則為使用軟化點在室溫以下者。 上述市售品中’以HP—彻2、HP—4〇32D、Ex—_、Εχ 一 2 01為佳。 =硬化性化合物，為使用選自由蔡型環氧樹脂、苐 型核乳树脂及間苯二盼型環氧樹脂所構成 時，上述硬化性化合物中之選自刊至夕種 刑俨气也t 物中之、自上述由奈型環氧樹脂、苐 t間苯二紛型環氧樹脂所構成之群的至少-種 的配σ里’杈佳之下限為4〇重量％。若未滿重量％， 200808932 性之電子零件用接著劑的情 又，較佳之上限為90重量 則會有無法得到具有足夠耐熱 形。更佳之下限為60重量％。 %。 取上述環氧化合物，可使用進一步具有NBR、CTBN、 聚丁二烯、丙烯酸橡膠等橡膠成分之橡膠改質環氧化人 物:可撓性環氧化合物等環氧化合物。使用此種環氧化: 寸可於硬化後賦予柔軟性，i成為耐溫度循環性等耐 熱性優異者。又，亦可使用以往所公知的環氧化合物。 又，本發明之電子零件用接著劑，上述硬化性化合物 f佳為含有環氧化合物（A)，該環氧化合物（A)帶有在重複 單位中具有芳香環之十聚物（decamer)以下的分子構造，且 於25 C下為結晶性固體。藉由含有上述環氧化合物（A)， 本發明之電子零件用接著劑可順利達成在上述接合溫度之 黏度特性。 上述裱氧化合物（A)，為帶有在重複單位中具有芳香環 之十聚物以下的分子構造者。此種環氧化合物（A)之結晶性 極高，於25°C下為結晶性固體，並且具有在高於25。〇之 溫度區域下黏度急遽下降的性質。此係由於上述環氧化合 物（A)於25 C下如上述般為結晶性固體，然而由於為十聚 物以下之低分子量，因此加熱超過25，將會破壞結晶構 造致黏度降低。具體而言，上述環氧化合物（A)於25 °C下 為結晶固體，於50〜80°C溫度範圍中以e型黏度計測量時 之黏度上限為1P a . s。右超過1 〇聚物，則於$ 〇〜t溫 度範圍之黏度將變高，使用本發明之電子零件用接著劑於 12 200808932 門的H l概度進彳了 f子零件之積層等，將難以使電子零件 二成為實質上相等於間隔物粒子之粒徑的距離，而 ¥致電子零件間史 而 以下為更不齊。上述環氧化合物⑷以三聚物 又，將上述黏度成為IPa · s之溫度區域定為 50〜80。〇，伤去旦+、立上 ^ ^ 中，、恭’、亏里在通吊之電子零件積層體的製造步驟 7件加熱加壓時的溫度條件。又，將上述 = 為結晶性固體之溫度定為25°c，係考量用以 仃屯|件之接合的接著劑塗布，通常是在室溫 行。 疋 此：分子構造，亦即，含有在重複單位中具有芳香環， —K物以下之％、氧化合物（A)之本發明之電子零件用接 =人右使用於電子零件間等之接合，則可高精確地保持 置口之電子零件間的距離，且得到高可靠性的電子裝

Η亦Ρ上述衩氧化合物（A)，由於在重複單位中具有芳 曰衣且於25 C下為結晶性固體，故含有該環氧化合物（八) 之本發明之電子零件用接著劑在饥下具有高黏度，塗布 於接口之電子I件上時，不會發生塗布形狀擴散的情形。 又，上述環氧化合物（A)由於可藉由加熱急遽地降低黏度， 故例如在進仃電子零件彼此的積層時，可在不會殘留接著 劑在間隔物粒子與電子零件間之下，將—電子零件與其他 電子零件進行制，可使得電子零件間的間隔成為與間隔 物粒子之粒彳k貝貝上相等的距離。又，於電子零件積層完 成後’若使溫度回到坑’則上述環氧化合物⑷之黏度 13 200808932 將急遽上升，故於電子零件彼此積層後，本發明之電子零 件用接著劑不會擴散。又，上述環氧化合物⑷，由於对熱 \棱八故含有該核氧化合物（A)之本發明之電子零件用接 著劑之耐熱性亦優異。

此處，習知以往電子零件接合時所使用的接著劑，係 僅藉由添加稀釋劑來達成加熱時之低黏度，此種以往之接 著劑：Γ加熱時會有發生孔隙(v〇id)之問題 '然而，含有 j述％乳化合物（A)之本發明之電子零件用接著劑，由於係 错由使其含有上述環氧化合物（A)以達成加熱時之低黏度―， 故不會如同以往之僅添加稀釋劑以達成低黏度之接著劑般 亦P，以本發明之電子零件用接著 接 ^ ▼ I y今、丨丁 π狡有劑馮厚度10 // m之 著劑層，使該接著劑層於17(rc硬化15分鐘所得之硬化 物’於260。。之溫度條件下暴露1〇秒鐘時，直徑⑽"m 以下之孔隙的發生率較佳的上限A 1個/rW。上述硬化 物：孔隙發生率若超過丨個，画2,則在使用本發明之電 子令件用接著劑進行電子零件彼此的接 的連接可純切㈣想之情形。 電子零件間 上述環氧化合物㈧，以在i分子中具有2個以上的環 =基為佳。精由含有此種分子構造之環氧化合物（A)，可使 付本發明之電子零件用接著劑之接著性更加優異。 此種環氧化合物⑷只要具有上述分子構造即可

特別限制，例如可舉出苯齡型環氧化合物、萘型環氧化I 物、聯笨型環氧化人舲 „ — _ 、 ^ ° 口勿、間本二酚型環氧化合物等。此等 200808932 %氧化合物（A)之市售品 公司製）、πη, 』如J舉出ΕΧ—201(長瀬產業 衣）YSLV〜80ΧΥ(東都化成公司製）等。 心二ί:明之電子零件用接著劑中，上述硬化性化 :端：1 氧化合物(Β)，此環氧化合物⑻於分子 ==基，且於一方之環氧基與另-方之環氧基間 平句为子量為50〜1〇00之柔軟骨架。 物之電子零件用接著劑，藉由含有上述環氧化合 在常1^^之電子零件用接著劑之硬化物，由於可達成 之低彈性係數，且電子零件與基板之接著性亦 佺，故為耐溫度循環性等耐熱性優異者。 上述環氧化合物⑻並無特別限制，例如可舉出12_ :丁二烯改質雙盼A縮水甘油喊、M—聚丁二烯改質雙 墙甘油_、聚氧化丙缔改質雙…水甘油趟：聚氧 、又盼細水甘油醚、丙烯酸橡膠改質雙酚Α =甘油越、胺醋樹脂改質雙紛A縮水甘油_、聚醋樹脂改 貝雙齡A縮水甘油键、Α聚丁二浠改質縮水甘油喊、14 -聚丁二烯改質縮水甘油_、聚氧化丙稀改質縮水 醚、聚氧化乙烯改質縮水甘油醚、丙浠酸橡膠改質甘 油醚、胺醋樹脂改質縮水甘油醚、聚醋樹脂改質縮 _及此等之氫化物等。此等環氧化合物（B)可單獨使用，亦 可2種以上合併使用。其中較佳使用得自上述柔軟骨 選自由丁二烯橡膠、氧化丙％、氧化乙烯、丙烯酸橡膠及 此等之氫化物所構成之群中的至少、i種化合物的環氧化合 物0 口 15 200808932 又，考量加快反應速度，較佳為使用例如丨，2一聚丁 二缚改質雙紛水甘油醚、W—聚丁二婦改質雙酴A 鈿水甘油醚、聚氧化丙烯改質雙酚A縮水甘油醚、聚氧化 乙烯改質雙盼A縮水甘油醚、丙婦酸橡膠改質雙紛A縮水 甘油驗、胺醋樹脂改質雙盼A縮水甘油_、聚酯樹脂改質 雙紛A縮水甘油醚等帶有芳香族骨架的環氧化合物。 上述環氧化合物（B)之中，芳香環與縮水甘油鱗基直接 連結者’由於反應速度更快，妓 述又旯厌故更佳。此種環氧化合物之 市售品可舉出例如EPB_13(日本曹達公司製）、ΕχΑ 一 48 5 0(大曰本油墨公司製）等。 ^述硬化性化合物’以進一步含有有機•無機混成環 乳口物為佳。藉由含有上述有機•無機混成環氧化合物， 可使得本發明之電子零件用接著劑之彈性係數之值上升至 所欲之值。 上述有機.無機混成環氧化合物並無特別限制，例如 可舉出空波拉仙E102(荒川化學公司製）等。 於含有上述有機·無機混成環氧化合物時的配合量並 4別限制，相對於上述環氧化合物（B)等 零件用接著劑所含有之硬化性化合物全部合計心： 刀車又佳的下限為i重量份’較佳的上限為1〇重量份。 上述硬化性化合物之吸濕率較佳的上限為Μ :.1%。具有此種吸濕率之硬化性化合物，例 牛出奈型環氧樹脂、第型環氧樹脂、二環戊二 乳相、苯紛清漆型環氧樹脂、間苯二料漆型樹脂等。、 200808932 本發明之電子零件用接著劑，以進一步含有具有可盘 上述硬化性化合物反應之官能基的高分子化合物為件二 由含有此種高分子化合物，可提高因熱而發生變形時的^ 合可靠性。 、' 具有可與上述硬化性化合物反應之官能基的高分子化 合物，當使用環氧化合物作為上述硬化性化合物時，例如 可舉出具有胺基、胺酯基、醯亞胺基、氫氧基、羧基、琴 氧基等之高分子化合物等，其中以具有環氧基之高分子= •合物為佳。藉由添加具有上述環氧基之高分子化合物，電 子零件用接著劑之硬化物可呈現優異的可撓性。亦即，本 發明之電子零件用接著劑之硬化物，由於兼備得自為硬化 性化合物之在主鏈上具有多環烴骨架之環氧化合物的優異 機械強度、耐熱性及耐濕性、與得自具有上述環氧基之高 分子化合物的優異可撓性，因此耐冷熱循環性、二回= (solder reflow)性、尺寸安定性等皆優異，可發揮高接著可 靠性與高導通可靠性。 具有上述環氧基之高分子化合物，只要為在末端及/ 或側鏈（懸架位）具有環氧基之高分子化合物亦可並無特 J F制例如可舉出含環氧基之丙烯酸橡膠、含環氧基之 y二烯橡膠、雙酚型高分子量環氧樹脂、含環氧基之苯氧 =曰、含ί哀氧基之丙烯酸樹脂、含環氧基之胺酯樹脂、含 %:基之聚酯樹脂等，其中’由於可得到含有多量環氧基 刀子化α物，且硬化物之機械強度與耐熱性更為優 異，因此較佳係使用切氧基之丙稀酸樹脂。&等具有環 17 200808932 氧基之高分子化合物可單獨使用，亦可合併使用2種以上。 具有可與上述硬化性化合物反應的官能基之高分子化 合物，係使用上述具有環氧基之高分子化合物（尤其是含環 氧基之丙烯酸樹脂）時，重量平均分子量之較佳下限為j 萬。若未滿1萬，則本發明之電子零件用接著劑之成膜性 會不足，電子零件用接著劑之硬化物之可撓性會有無法充 分提高之情形。

具有可與上述硬化性化合物反應的官能基之高分子化 合物，係使用上述具有環氧基之高分子化合物（尤其是含環 氧基之丙烯酸樹脂）時，環氧當量之較佳下限為2〇〇，較佳 上限為1GGG。若未滿2⑽，則本發明之電子零件用接著劑 之硬化物的可撓性會有無法充分提高的情形，反之，若超 過刪，則本發明之電子零件用接著劑之機械強度與耐熱 性會有不足之情形。 具有可與上述硬化性化合物反應的官能基之高分子化 :物之配合！並無特別限制’對上述硬化性化合物⑽重 :伤’較佳之下限為i重量份，較佳之上限為重量份。 f未滿1重量份，則無法得到耐熱變形之充分的可靠性， 右超過2〇重！份，則會有耐熱性降低之情形。 本發R電子料賴著劑，為確彳㈣饥下之塗布 陡專，亦可含有稀釋劑。 例如可舉出反應性稀釋劑 上述稀釋劑並無特別限制 與非反應性稀釋劑等。 藉由含有 上述反應性稀釋劑可含有環氧化合物（A2)。 18 200808932 此種環氧化合物（A2)，可調節黏度，並可調節玻璃轉化溫 度。 上述環氧化合物（A2)並無特別限制，例如可舉出雔 ^型環氧化合物、雙齡F型環氧化合物、具有脂肪族=狀 月架之十聚物以下之環氧化合物等。 上述環氧化合物（Α2)之含有量並無特別限制，相對於 本毛明之f子零件用接著劑所含有之硬化性化 =重量份，較佳之下限…量份，較佳之上限；:: =。若重量份，職乎無法得料加有環氧 口（A2)之效果’若超過60重量份，則本發明之電子烫 件用接著劑會有無法得職述之黏度特性的情^更佳; 下限為20重量份’更佳之上限為3〇重量份。 :，例如，硬化性化合物含有上述環氧化合物㈧時， 族；=稀釋劑，較佳者可使用在重複單位中具有脂肪 種：子十聚物以下的環氧化合物叫藉由含有此 劑，可本發明之電子零件用接著 呆於25C下之塗布性，並具有高耐濕性。 電子匕合物（A3)若為超過十聚物者，則本發明之 件之☆饥下之黏度會變高，會有對電子零 下為L:不佳的情形。上述環氧化合物(A3)以五聚物以

上述環氧化合物（A3),只I 八榀日 要為具有上述分子構造之化 1=可：並無特侧，例如可舉出二氯戊二稀型環氧 %己烷型裱氧化合物等。此種環氧化合物⑷)之 200808932 市售品，例如可舉出Ep—4〇88S(阿迪卡公司製）、Hp — 7 2 0 〇 (大曰本油墨化學公司製）等。 士本發明之電子零件用接著劑含有上述環氧化合物 k，上述環氧化合物（A)與環氧化合物（A3)之配合比例之 比，亦即（A3/A)或（A/A3)之較佳下限為0.5，較佳上限 :广若未滿0.5或超過2,則由於上述環氧化心⑷或: %氧化合物（A3)i中夕 ^ ^ 電子兩㈣U 方的配合比例較多，致本發明之 質子々件用接耆劑難以兼備上述黏度特性與高耐濕性等性 例如，上述環氧化合物⑷之配合比例對上述環氧化a =3)之配合,例之比(A3/a)若未滿〇5,則本發明之電 者劑無法具有足夠的耐濕性，·上述環氧化合物 A3)之配β比例對上试王夢气儿人 A3)若未、、S ^ 物（Α)之配合比例之比（A〆 a右禾滿0.5，則本發明 述之黏度雜。 子|剌接著劑無法得到上 明之電子零件用接著劑中之上述環氧化合物 (j j的兮有，亚益縣 …特別限制，相對於本發明 用接著劑所含有之硬化性化人⑻ ^之電子零件 W , &化合物之合計100重量份，較佳 之下限為1〇重量份知彳土 去曰 軚佳之上限為30重量份。若未滿μ 重量份，則幾乎盔法得ξι|夭上 里忉右禾滿1〇 若m“：加有環氧化合物(Α3)的效果， 右起過3 0重1份，則本 f ,j ± if ^ ^ X月之電子零件用接著劑無法得 到上述之黏度特性。更佳之上限為2〇重量份。 只要在不妨礙本發明之目的的範圍，上述非反岸 性稀釋劑並無特別限制— C非反應 可舉出芳香族烴類、氯化芳 20 200808932 香族經類、醇類、醋類、醚類、_類、二料類（溶纖素） 類、鹿環型烴類、脂肪族烴類等。 上述非反應性稀釋劑之含有量並無特別限制，較佳之 下限為1重量％ ’較佳之上限為2〇重量％。若未滿ι重 里％，則幾乎無法得到添加上述非反應性稀釋劑之效果， 若超過20重量％，則本發明之電子零件用接著劑之硬化 物會產生孔隙。

本發明之電子零件用接著劑含有上述稀釋劑時，該稀 釋劑於220^：下之重量減少量及於15〇它下之重量減少量 的較佳上限為1%。若超過1%，則本發明之電子零件用 接著劑在硬化中及硬化後未反應物揮發，對生產性及所製 得之電子零件裝置有不良影響。 又，相較於上述環氧化合物（A)等硬化性化合物，上述 稀釋劑以開始硬化温度較低，硬化速度較大者為佳。 本發明之電子零件用接著劑含有硬化劑。 上述硬化劑並無特別限制，可自以往公知的硬化劑中 依上述硬化性化合物來適當地選擇，使用環氧化合物作為 硬化性化合物時的硬化劑，例如可舉出三烷基四氫苯二甲 酸酐等加熱硬化型酸酐系硬化劑、苯酚系硬化劑、胺系硬 化劑、雙氰胺等之潛在性硬化劑（Iatent curing叫的。、陽 離子系觸媒型硬化劑等。此等硬化劑可單獨使用，亦可$ 種以上合併使用。 上述硬化劑之配合量並無特別限制，於使用與上述硬 化性化合物之官能基等量反應之硬化劑時，相對於上述硬 21 200808932 化性化合物之官能基量以90〜110當量為佳。又，若為使 用可作為觸媒之硬化劑的情況，則相對於上述硬化性化合 物100重量份，較佳之下限為1重量份，較佳之上限為20 重量份。 上述硬化劑之熔點的較佳下限為12(TC。藉由定在ι2〇 C以上’當加熱本發明之電子零件用接著劑時，可抑制膠 體化’順利地進行電子零件之接合及調整電子零件間的距 離0

上述熔點為120°C以上之硬化劑，可舉出例如：5一（2,5 —二氧代四氫一 3—苯基）一 3—甲基_3_環己烯—丨二一二 羧酸酐、TD— 2090等之苯酚清漆樹脂、KH—6〇21等之雙 酚A清漆樹脂、KA_ 1165等之鄰甲酚清漆樹脂、— 3636AS、EH- 3842、EH- 3780、EH- 4339S、EH- 4346S(以 上為旭電化工業公司製）等之雙氰胺。 又亦可使用以熔點在120°c以上之材質被覆之微膠 囊型硬化劑。 本發明之電子零件用接著劑含有CV值在1〇%以下之 間隔物粒子。 藉由含有此種間隔物粒子，於使用本發明之電子零件 用接著劑積層2個以上的半導體晶片日夺，可不須透過虛晶 片等，保持半導體晶片彼此的間隔為一定。 上述間隔物粒子之 則會因粒徑之參差不一 CV值上限為10%。若超過1〇% ’而難以保持電子零件間的間隔 定，致無法充分達到作為間隔物粒子的功能。較佳之 為 上 22 200808932 限為6% ’更佳之上限為。 係指藉由下式⑴求出之 又，本說明書之「CV值」 數值。 粒徑之 CVAW=(C72/Dn2) χ ι〇〇 式⑴令，.2表粒徑之標準偏差，〇η表數 一 、“上Ϊ間？物粒子之平均粒徑並無特別限制，可選二 達成所欲之晶片間距離的粒徑，較佳 ° 之上限為2〇0#m。若未谋3 卜民為，較佳

,,„ 滿3#m，則難以將晶片間距離墙 小至間隔物粒子之難程度，若超過_心，則半導體？ 片彼此之間隔將會大於所需者。更佳之下限為5心，更： 之上限為50# m。 1 土 上述間隔物之平均粒徑，較佳為間隔物粒子以外所六 加之固體成分之平均粒徑的^以上。若未滿Η倍:、 則難以確實將晶片間距離縮小至間隔物粒子之粒徑程度。 更佳為1 · 2倍以上。 上述間隔物粒子之以下式（2)表示之κ值之較佳下限為 980N/mm2，較佳之上限為 49〇〇N/mm2。 K=(3/ /~2) · F · S - 3/2 · R- 1/2 (2) 式（2)中’ F、S分別表示樹脂微粒於丨0 %壓縮變形時 的荷重值（kgf)、壓縮位移（mm)，r則表示該間隔物粒子之 半徑（mm)。 上述K值可藉由以下之測量方法測量。 首先’在平滑表面之鋼板上散布粒子後，自其中選1 個粒子’用微壓縮測試機，以鑽石製之直徑5〇 # m之圓柱 23 200808932 的平滑端面壓縮微粒 出壓縮荷重，以差動 位移。又，從所得到 10 %壓縮變形時的荷 算出K值。 。此時，以電磁力 變壓器所致之位移 之Μ縮位移一荷重 重值、壓縮位移， 之形式電性地檢測 電性地檢測出壓縮 之關係分別求出在 再從所得到的結果

上述間隔物粒子於2 〇 的壓縮回復率的較佳下限為 率之間隔物粒子時，即使在 粒徑的粒子，亦可藉由壓縮 調整材之作用。因而，可以 片0 自10%壓縮變形狀態下解除時 20%。使用具有此種壓縮回復 積層之晶片間存在有大於平均 k开> 回復形狀，發揮作為間隙 更安定的一定間隔水平積層晶 上述壓縮回復率可藉由下述測量方法測量。 藉由與上述測量K值時相同的方法，以差動變壓器所 致之位移電性地檢測縮位移，於壓縮之後減低荷重至 反轉荷重（inverted load)值，測量此時之荷重與壓縮位移之 關係。由得到之結果算出壓縮回復率。惟，荷重除去之終 點，荷重值並非為零，而為（Klkg以上之原點荷重值。 上述間隔物粒子之材質並無特別限制，以樹脂粒子為 佳。構成上述樹脂粒子之樹脂並無特別限制，例如可舉出 聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚四氧乙稀、 聚苯乙烯、聚甲基丙稀酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二§旨、取 對苯二甲酸丁二目旨、聚醯胺、聚醯亞胺、聚砜、聚苯鱗^ 聚縮醛等。其中，由於可易於調整間隔物粒子之硬度與回 復率且亦可提高耐熱性，因此以使用交聯樹脂為佳。 24 200808932

上述交聯樹脂並無特別限制，例如可舉出環氧樹脂、 苯酝树月曰、二聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、二乙烯苯聚 合物、二乙烯苯—苯乙烯共聚物、二乙烯苯一丙烯酸醋共 聚,、苯二甲酸二烯丙酯聚合物、三烯丙基異三聚氰酸酯 共水合物、苯并胍胺聚合物等具有網目構造之樹脂。其中 二乙烯苯聚合物、=乙烯苯_苯乙烯系聚合物、二乙 :苯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、苯二甲酸二烯丙酯聚合物 寺為佳。使用此等B寺’在接合晶片後，對硬化製程 '回焊 製程等之熱處理製程有優異的耐性。 上述間隔物粒子，視需要以施行表面處理為佳。 藉由對上述間隔物粒子施行表面處理，於本發明之電 子零件用接著劑可實現上述之黏度特性。 上述表面處理的方法並無特別限制，例如，於接著劑 全體呈現為疏水性的情況，較佳為對表面賦予親水基。此 種方法並無特別限制，例如，在使用上述樹脂粒子作為間

Pm物粒子日守$舉出以具有親水基之偶合劑來對樹脂粒子 的表面進行處理的方法等。

上述間隔物粒子之形狀，以球狀為佳。X ’上述間傾 物粒子之長寬比之較佳上限A hl。藉由將長寬比定為L 以下’可在積層半導體晶片時，將半導體晶片彼此之間隋 安定地保持為一定。X _ D ^ 一 又，本祝明書之長寬比，係與粒子之 長控與短徑有關，指長狎 贡仫之長度對短控之長度的比（長徑之 長度除以短徑之長声夕括λ ρ ^ X之值）。此長见比之值愈接近1，間隔 物粒子之形狀愈接近球形。 1 25 200808932 工迎间隔物粒 t 、丁人丨土 r限馬ϋ.οι重量％， 較锃上限為5重量％。若未 迕丰蔞駚曰y u a ·ϋ1重置％，則在使用於製 I丰¥體日日片積層體時，無法將 ^ ^ 4± ^ ^ 牛绔體日日片彼此之間隔安 疋地保持為一疋，若超過5重 劑之功能。 4里％’㈣㈣低作為接著

;E:====H 再者’固體成分之最大粒徑 ,k Μ間隔物粒子之平均粒徑 的丨.1〜1.5倍為佳，以hl〜i 2倍為更佳。 本發明之電子零件用接著劑，為調整硬化速度與硬化 物之物性等，以進一步含有硬化促進劑為佳。 上述硬化促進劑並無特別限制，例如可舉出咪唑系硬 化促進#卜3級胺系硬化促進劑等’其中’由於可易於控 制為調整硬化速度與硬化物之物性等之反應系，因此較^ 係使用咪唑系硬化促進劑。此等硬化促進劑，可單獨使用^ 亦可2種以上合併使用。 上述咪唑系硬化促進劑並無特別限制，例如可舉出味 唑之1位置以氰乙基保護之1 _氰乙基一 2 —笨基咪唑、或 以異三聚氰酸保護鹼性者(商品名Γ2ΜΑ—〇κ」，四國化 成工業公司製）等。此等咪唑系硬化促進劑可單獨使用，亦 可2種以上合併使用。 上述硬化促進劑之配合量並無特別限制，對上述環氧 26 200808932 化。物寺之本1明之電子零件用接著劑 化合物二重量：，較佳之下限為^量份，== 為20重里伤。右未滿！重量份，則本發明 接著劑會有無法充分硬化之情形，若超量：件： :發明之電子零件用接著劑之接合可靠性會有降L: , 之電子零件用接著劑以進-步含有搖變性

(thix〇tr°py)賦予劑為佳。藉由含有上述搖變性賦予劑，本 發明之電子零件用接著劑可達成所欲之黏度行為模式。 上述搖變性賦予劑並益胜别 了釗1無特別限制’例如可使用金屬微 粒、碳酸鈣、燻矽土（fumed s n ^ )乳化鋁、氮化硼 '氮 化I呂、侧酸|呂等之益機料物望 ^ , …機微粒專。其中尤以燻矽土為佳。 又，上述搖變性賦予劑，視需要可使用已施以表面處 理者，尤以使用表面具有疏水基之粒 例如，以使用表面經疏水化之煉石夕土等為佳。/、體而5 土上述搖變性賦予劑係使用粒子狀者時，平均粒徑之較 佳上限為1…若超過i…貝4會有無法發揮所欲之搖 變性的情形。 上述搖變性賦予劑之配合量並無特別限制，於上述間 〇隔物粒子未施行表面處理之情況’較佳之下限4 0.5重量 %，較佳之上限為20重量％。若未滿〇 5重量％，則會無 法得到充分的搖變性，若超過2〇重量％，則在積層半導 體晶片時電子零件用接著劑之排出性會降低。更佳之下限 為1重量％ ’更佳之上限為10重量％。 27 200808932 本發明之電子零件用接著劑，視需要亦可含有溶劑 上述溶劑並無特別限制，例如可舉出芳香族力里 化芳香族烴類、氯化月旨肪族煙類、醇類n:二 類、二醇醚（溶纖素）類、月旨環型烴類、脂肪族煙類等j 本發明之電子零件用接著劑’視需要亦可含 子交換體。上述無機離子交換體中，市售品例如可舉： 系m東亞合成公司製)等。上述無機離子交換體之配合量 之#父佳下限為1重量％，較佳上限為10重量％。 里 本兔明之電子零件用接著劑，除上述之外，視 I:參出防止劑、卿歸劑等接著性賦予劑等： 之夕ΐ發明之電子零件用接著劑，以含有在常溫下為固體 之多Γ能酸酐硬化劑所構成之粒子、與硬化促㈣。 :由含有上述於常溫下為固體之多官能酸酐硬 在接者時進行加埶的士 …為候，由於可藉由使硬化劑熔融來降 度，谷易達成間隙間距離，故佳。又，藉由為多官能， 故硬化後之耐熱性優異。 制C於常溫下為固體之多官能酸野硬化劑並無特別限 例如’3官能酸酐硬化劑可舉出偏苯三酸肝等，4官 之酸肝硬化劑例如可舉出均苯四甲酸酐、二苯基酮 甲土衣己烯四羧酸酐、聚壬二酸酐等。 =上述$ ,皿下為固體之多官能酸肝硬 子，熔點之較佳下限為8〇。〇。 又，由上述常溫下為固體之多官能酸肝硬化劑所構成 28 200808932 之粒子之平均粒徑，較佳之下 i 0 # Hi。 …、·1 U m，較佳之上限為 又本發明之電子零件 為固體之多皆处滅 |^ ’較佳為含有當况丁 之夕呂迠酸酐硬化劑所 3有“下 體之2官能酸酐硬化劑。 之叔子、與常溫下為液 藉由含有常溫下為 硬化物全體之耐熱:=? 2官能酸肝硬化劑，可提高

」1 當 OW -T- VL 4带/皿下為固體之客 子，可舉出與上述者相同者。^硬化劑所構成之粒 t二常二ΤΓ官能_硬化劑並無特別限 氯苯二甲酸、六氯苯…酐、甲基四 酸酐、甲義端甲於土八虱本―甲酸酐、端甲撐四氫苯二甲 又甲^甲撐四氯苯二甲酸野、順丁烯二酸野等。 本發明之電子零件用 體之酸肝硬化劑粒子 3有吊-下為固 劑的情況，亦可H 下為液體之2官能酸軒硬化 、> v含有上述硬化促進劑。 上述常溫下^ ”、、口體之夕官能酸酐硬化劑粒子、盥當、、w 下為液體之2官处缺M ，、吊/皿 iA ^ ^ 此酸酐硬化劑之組合，較佳為例如選自由 构本四曱酸酐、- 、曰田 所構成之群中 羧酸酐、甲基環己烯四羧酸肝 φ ^ 之1種以上、與選自由甲基四氫苯二甲酸酐、 〒基六氫笨二审祕 樓四氯笨二二野、端甲樓四氫苯二甲酸酐、甲基端甲 义酐所構成之群中之1種以上的組合。 上述常溫& 卜為固體之多官能酸酐硬化劑粒子、 下為液體之2 ^At “ 一吊'皿 g犯酸酐硬化劑等之硬化劑的配合量並無特 29 200808932 別限制，硬化性化合物之官能基量除以硬化劑之鹼性基量 王體δ汁所付值之下限以〇 _ 5為佳、上限以1 · $為佳。若 未滿0.5,則使用本發明之電子零件用接著劑之接合可靠 性會有變差之情形；若超過L5，則本發明之電子零件用 接著劑之硬化會有不充分之情形，又，例如，於僅使用上 述常溫下為固體之3官能以上之酸酐硬化劑粒子的情況， 會有硬化物之耐熱性不佳之情形。更佳之下限& 〇·6，更 佳之上限為1.3。

又，含有上述常溫下為固體之多官能酸酐硬化劑粒子 與常溫下為液體之2官能酸酐硬化劑之本發明之電子零件 用接著劑中，_L述常溫下為㈣之多冑能酸肝硬化劑粒子 與常溫下為液體之2官能酸肝硬化劑之配合比並無特別限 將常温下為固體之多官能酸肝硬化劑粒子之配合量（重 量)除以常溫下為液體之2官能酸酐硬化劑之配合量(重量) 所得值之較佳下限為°，1，較佳上限為！〇。若未滿(M，則 會有硬化物之耐熱性不佳之情形1超過H)，則會有硬化 物全體之強度不佳之情形。更佳之下限為 限為5。 1之上 本毛明之電子零件用接著劑，於20〜12〇°C之條件下 經過10分鐘後之反應率以未滿5%為佳。若為5%以上， 則於晶片接合時會有無法達到所欲之距離之情形。 未滿本電子零件用接著劑，硬化時之硬化收縮率以 i 0 ’、、、土硬化時之硬化收縮率若在以上，於製 體晶片積層體時，有時候會因硬化時所產生之内部 30 200808932 應力，產生層間剝離之情形。 又’於本說明書中，上述硬化收縮率係指依據仍 A06024,可由硬化前後之比重差以體積收縮率⑻求出之 值。此情況，比重測量係於測量溫度25<)(：下進行。

又本^明之電子零件用接著劑，係於矽晶圓之鏡面 上塗布〇.2mg形成直徑5〇〇^m的圓形接著劑層，使該接 著劑層於17G°C、10分鐘之條件下硬化成為硬化物時，自 该硬化物滲出之液狀成分之滲出距離以未滿為佳。 上述液狀成分之渗出距離若為“m U上，則使用本發明 之電子零件用接著難合電子零件時，接著劑之液狀成分 會滲出，可充分防止所謂之「滲出(bleed)現象」，可得到 可靠性高的電子零件’而可充分因應近年來之電子零件小 型化、高錢化。上述滲出距離之較佳上限為，更佳 上限為1 // m。 本况明書中，上述液狀成分係指於25<>c下為液狀之成 分’本發明之電子零件用接著劑，上述液狀成分以含有硬 化I·生化口物、硬化劑為佳，以含有硬化促進劑為更佳。 又，上述渗出距離，係#以光學顯微鏡觀察接著劑硬 化物時，存在接著劑硬化物周圍之色調不同部分往中心方 向的長度。 於下述之％明中’亦將自本發明之電子零件用接著劑 之硬化物之液狀成分之滲出距離滿足上述條件的性 為「低滲出性」。 、 本發明之電子零件用接著劑之上述低渗出性’可藉由 31 200808932 下述2法來適當地達成，藉作為增黏劑之親水性（疏水性） #节田差”之2種以上無機微粒，其中之-無機微粒與接 者J中所合有之液狀成分的親水性（疏水性）較接近，而另 無機微粒與接著劑中所含有之液狀成分的親水性（疏水性） 之差異較大來達成。再者，由於含有此等無機微粒，本發 明之電子零件用接著劑亦可實㈣為接著劑之適合 性。 吾人認為於含有此等親水性（疏水性）有相當差異之2 種以上無機微粒之本發明之電子零件用接著劑中，與上述 液狀成分之親水性（疏水性）接近之無機微粒，可發揮防止 自使用本發明之電子零件用接著劑所構成的接著劑層中滲 出上述液狀成分的作用。又，與上述液狀成分之親水性（疏 水性）差異較大之無機微粒，則在使用本發明之電子零件用 接著劑所構成的接著劑層中形成直鏈狀之連續體，可發揮 實現上述搖變性之功能。 此處，一般係使用溶解度參數（SP值）作為表示上述液 狀成分之親水性的指標，用於接合2個以上之電子零件之 接著劑的液狀成分之SP值，通常要求在8〜14左右。另 一方面，用以表示上述無機微粒之填充劑之親水性的指 標，通常係使用疏水化度（]y[值）。 此表示液狀成分之親水性之指標的sp值、與表示無 機被粒之親水性之指標的Μ值，兩者之關係並無法直接換 算。 ' 然而，若依據本發明人等之研究，上述液狀成分之sp 32 200808932 〜11 ’與上述無機微粒之Μ值之5 0以下大致對應 於比#又近的親水性（疏水性），又，上述液狀成分之SP值之 11 14 ’與上述無機微粒之μ值之40以下則大致對應於 比較近的親水性（疏水性）。 口此本發明之電子零件用接著劑，較佳為，含有將 上述液狀成刀之sp值區分為8〜i丨與〗丨〜〗4並對應於各 SP值辄圍之具有最佳親水性（疏水性）之2種以上的無機微 粒0

士將上述液狀成分SP值調整於既定範圍内的方法並無 4寸別限制’例如可為考慮上述硬化性化合物及硬化劑等之 各SP值而適當選擇加以使用的方法等。 本發明之電子零件用接著劑’具體而言，於上述液狀 成分之sp值為8〜11(以下稱為液狀成分⑴）時，無機微粒， 以3有平肖_人粒徑之上限為5〇nm且疏水化度（M值）之 上限為5G的無機微粒⑷’與平均—次粒徑之上限為50nm 化度值)之下限為6"無機微粒(b)為佳。於此 寻、、且成之本發明之電子零件 ⑴，上述無機微粒⑷可;:用達接 二述無機微粒刚可發揮在佳之搖變二作 用0 的方法，具體而言，例如可你 班 又，夜狀成刀（1) 丁二烯改質環氧樹脂、矽_改 知 那玉衣虱树月曰 、、 文貝％乳樹脂等之方法。 上述無機微粒（A)及無機微粒 之千均一次粒徑之上 33 200808932 限為50nm。若超過50nm，則上述搖變性不佳，導致塗布 性變差或無法得到充分的低滲出性^較佳之上限為4〇nm， 更佳之上限為30nm。 t 2，本說明書中，上述平均一次粒徑係指無機粒子於 减集刖之粒担，係於良分散溶劑中藉由超音波等分散後， 以雷射式粒度分布計所測量之值。 上述無機微粒（A)之Μ值之上限為5G，上述無機微粒（b) 之Μ值之下限為6〇(5若上述無機微粒之μ值超過π， 則上述低滲出性不佳。又，上述無機微粒⑻之μ值若未 滿60，則上述搖變性不佳，導致塗布性變差。 本忒明書中，無機微粒之Μ值，係指對含有上述 無j微粒的水中滴入甲醇，測量無機微粒完全膨濁時之甲 醇漢度，該濃度即為Μ值。 *此處，调整無機微粒⑷及無機微粒⑻之Μ值於上述 方法並無特別限制，可舉出例如：對無機微 >德 存在於表面之親水基數的方法；對上述 :機微粒施行表面處理以改變存在於表面之親水基數二 行上當上述無機微粒選擇二氧化石夕微粒時，藉由進 水性）的方法，較佳者氧化係微粒之親水性（疏 化石夕微粒表面，調修飾未處理之二氧 夕. 厌含有1，以得到Μ值之上限為50 —虱化矽微粒（Ε)及Μ值之下限為 〃 … 的方法。 < Μ良為60之二氧化矽微粒（F) 34 200808932 此種碳含有量經調整之二氧化矽微粒（E)，具體而言， 可舉出例如MT — 10(0.9)、DM— 10(0.9)(以上皆為德山公 司製）等。又，上述碳含有量經調整之二氧化矽微粒（F)， 具體而言，可舉出例如PM - 20L(5.5)、HM — 30S(3.5)(以 上皆為德山公司製）等。又，上述各製品名稱後括弧内表示 之數值，係表示碳含有量（重量％)。

又’上述Μ值之上限為5 0之無機微粒（A)，具體而言 例如可使用DM — 10(48) ' MT— 10(47)(以上皆為德山公司 製）、R — 972(48)(德古薩公司製）等。又，上述各製品後括 弧内表示之數值為Μ值。 又，上述Μ值之下限為60之無機微粒（Β)，具體而言 例如可使用 ZD- 30ST(62)、HM_ 2〇L(64)、pM_ 2〇L(65)(以 j皆為德山公司製）、RX — 2〇〇(64)、R2〇2(65)(德古薩公司 製）等。又，上述各製品後於括弧内表示之數值為M值。 述具有Μ值之無機微粒（A)及無 右旦 租之合計含 量’㈣於本發明之電子零件用接著劑所含有之硬化性 化合物之合計100重量份’較佳之下述為2重量份，較佳 為1G 4量份。若未滿2重量份，則會有上述低滲 心：變性不佳之情形’若㈣10重量份，則本發明 电子零❹接著敎接著性會㈣低之㈣4佳之下 '^為4重量份，更佳之上限為8重量份。 上述無機㈣（A)及無機微粒（b)之配合比 Μ粒（A)1〇〇重量 t…、機 較 U錄⑻之較佳下限為3G重量份， 上限為600重量份。甚去、、戈2 里里伤右未滿30重量份，則會有上 35 200808932 述搖變性不佳致塗布性變差之情形。若超過6〇〇重量份， 則會有上述低滲出性不佳之情形。更佳之下限為5〇重量 份’更佳之上限為500重量份。

又，本發明之電子零件用接著劑，具體而言，於上述 液狀成分之sp值為u〜14(以下亦稱為液狀成分時， 無機微粒，較佳可使用含有平均一次粒徑之上限為 且疏水化度（Μ值）之上限為4〇之無機微粒（c)、與平均一 次粒徑之上限為50nm且疏水化度（M值）之下限為、5〇之無 機微粒（D)。此種組成之本發明之電子零件用接著劑，對I 述液狀成分（2)，上述無機微粒（c)可發揮達成上述低渗出 性之作用’上述無機微粒⑼可發揮賦予塗布所需之較佳搖 調製上述SP值之下限為u、上限為14之液狀成分⑺ :方：：具體而言，可舉出例如使用間苯二酚型環氧樹脂、 奈型環氧樹脂、丙二醇改質環氧樹脂等方法等。 上述無機微粒（C)及無機微粒（D)之平均一次粒护之上 限為若超過5Gnm，則上述搖變性不佳致塗ς性變 或無法得到充分的低渗出性。較佳之上限為4〜，更 么之上限為3 Onm。 ，述無機微粒⑹之厘值之上限為4〇，上述無機微粒⑼ 則上二:：為I上述無機微粒(〇之心若超過4〇, 二=渗出性會有不佳之情形。上述無機微粒⑼之M 值右未滿50,則上述搖變性會不佳，致有塗布性變 36 200808932 此處，將上述無機微粒（c)及無機微粒（]〇)之m值調整 於上㈣圍的方法’並無特別限制’例如可為與上述無機 微粒（A)及無機微粒（B)相同的方法。 —例如，選擇二氧化石夕微粒作為上述無機微粒時，以進 仃上述表面處理之方法調整該：氧切微粒之親水性（疏水 性）的方法，較佳者例如以__叫修飾未處理之二氧化石夕微 粒表面，調整碳含有量，以得到M值之上限為4〇之二氧 化石夕微粒⑹及M值之下限a 5G <二氧切微粒⑻的方 此等碳含有量經調整之二氧化矽微粒（G),具體而言可 例如可為QS—4〇(0)(德山公司製）等。又，上述碳含有量經 調整之二氧化矽微粒（H)，具體而言，例如可為DM — 3〇(ι·7)、KS-20S(2.0)(以上皆為德山公司製）等。又上 述各製品名稱後於括弧内表示之數值為碳含有 %)。 又，上述Μ值之上限為40之無機微粒（c)，具體而言， '可為QS 40(〇)(德山公司製）等。上述各製品名稱後於 括弧内表示之數值為Μ值。 上述Μ值之上限為50之無機微粒（D)，具體而言，例 如可為於上述無機微粒（Β)中所列舉者，以及dm—3〇(52)、 ，20S(56)(以上皆為德山公司製）、R_ 976(52)(德古薩公 一 ‘）# 又，上述各製品名稱後於括弧内表示之數值為μ 值。 " 上述具有Μ值之無機微粒（C)及無機微粒（D)之合計含 37 200808932 有量’相對於本發明之電 性化合物的合計⑽重！： 者劑中所含有之硬化 佳之上限為10重里伤’較佳之下限為2重量份，較 丧出性找里77。右未滿2重量份，則會有上述低 性不佳之情形，若超…量份，則本發 =了接著劑之接著性會有降低之情形。更佳之 為4重量份，更佳之上限為8重量份。 上述無機微粒（C)及無機微粒⑼之 機微粒（C)100曹旦& & J( 相對於無 ，‘、、、機微粒（D)之較佳下限為30重量 伤，較佳之上限為_重量份。若未豸3q重量份，則合 有上逑搖變性不佳致塗布性變差之情形。若超㉟_重^ 々則曰有上述低滲出性不佳之情形。更佳 重量份，更佳之上限為400重量份。 了限為5〇 i本發明之電子零件用接著劑例如可藉由下述方法製 k於3有硬化性化合物及硬化劑之接著組成物，視 =定量配合硬化促㈣、具有可與硬化性化合物反應之 吕月匕基的南分子化合物、搖變性賦予劑、其他添加劑等加 以混合後，再配合間隔物粒子的方法。 上述混合方法並無特別限制’可用例如使用均質分气 機〇H>nu>diSper)、萬用混合機、班伯利混合機、捏合機^ 之方法。 ' 藉由本發明之電子零件用接著劑接合之電子零件並無 特別限制，可舉出半導體晶片、感應器等。又，:可^用、 於變麼器零件用之線圈鐵心間隙形成用。上述變壓器愛件 之線圈鐵心並無特別限制，較佳者可使用例如耵型°或令 38 200808932 型。 *可糟由使用本發明之電子零件用接著劑將2個以上之 半導體曰曰片積層為多層，並以密封劑等加以密冑，來製作 半導體裝置。此種半導體裝置亦為本發明之一。本發明之 電子零件用接著劑，可特別適用於將半導體晶片積層為十 字形之情形。 又，本發明之電子零件用接著劑，不僅可使用於積層 2個以上之半導體晶片的情形，亦可適用作為以將晶片載 置於基板上、或接合感應器等零件為目的之接著劑。 藉由使用本發明之電子零件用接著劑，可積層2個以 上之半導m製造半導體晶片積層體。其製造方法， 係透過本發明之電子零件用接著劑積層2個以上之半導體 曰曰片，具有下述步驟··在一半導體晶片塗布前述電子零件 用接著劑之塗布步驟（i )、透過塗布於前述一半導體晶片之 電子零件用接著劑積層其他半導體晶片之半導體晶片積層 步驟（2)、及使上述一半導體晶片與其他半導體晶片間之電 子零件用接著劑硬化之硬化步驟（3)，於上述塗布步驟 中，將上述電子零件用接著劑塗布於上述一半導體晶片之 欲積層其他半導體晶片之區域的外緣部及中央部，且使塗 布於外緣部之該電子零件用接著劑之塗布量為中央部之塗 布量的2〜5倍。此種半導體晶片積層體之製造方法亦為 本發明之一。 使用本發明之電子零件用接著劑積層之半導體晶片並 無特別限制，可使用於各種半導體晶片。 39 200808932 /其中，由於本發明之電子零件用接著劑呈現上述之黏 度行為，因此亦可適用於例如積層引線接合連接型半導體 晶片的場合。尤其如圖丨所示，適用於使用本發明之電子 零件用接著劑1，埋入引線6,透過間隔物粒+ 2積:配 :於基1 5上之晶片3及4的情形。又，目】為示意顯示 用本發明之電子零件用接著劑所積層之半導體晶片 的截面圖。

若使用本發明之電子零剌接著劑，則由於上述之黏 度行為，間隔物粒子不會流出至引線接合用連接電極部: 因而不會有間隔物粒子與引線接觸等的不良情形，故較 佳。其理由在於’在積層半導體晶片的製程中，若半導^ 晶片間距離接近於間隔物粒子之粒徑，則由於上述之黏度 行為，使間隔物粒子難以移動，而使得間隔物粒子不；： 出至引線接合用連接電極部之故。 又，積層之半導體晶片可為相同形狀或亦可為不同形 狀。 又，亦可在一基板相鄰並排2個以上厚度不同之半導 體晶片，然後將大小可涵蓋此等2個以上之半導體晶片的 半導體晶片，積層於上述2個以上之半導體晶片上。此情 況下，較佳為依晶片間狀況適#使用複數種間隔物粒子粒 徑不同之接著劑。 又亦了在一基板相鄰並排2個以上厚度不同之半導 體晶片時’依半導體晶片之厚度適當使用複數種間隔物粒 子粒徑不同之接著劑，使不同厚度之半導體晶片之上面的 40 200808932 间度為相同，而將大小可涵蓋 盍料度Μ之半導體晶片兩 者的+導體晶片積層於其上。 將上：；明之半導體晶片積層體之製造方法，首先是進行 =)边電子零件用接著劑塗布在—半導體晶片上之塗布步 上述塗布步驟⑴，係將上述電子零件用接著劑塗布於 μ-半導體晶片之欲積層上述其他半導體晶片之區域的 外緣部及中央部。藉由將卜 一

^丨冑由將上逑電子零件用接錢塗布於此 寻區域，以提高半導體晶片彼此之接著性。 *又，於上述塗布步驟⑴，係使塗布於外緣部之該電子 令件用接著劑之塗布量為中央部之塗布量的2〜5倍。以 此方式’藉由使外緣部之塗布量多於中央部之塗布量，於 後述之半導體晶片積層步驟⑺中，將半導體晶片彼此對位 進行緊磨時’可使電子零件用接著劑均勻地往接合部 矛:動行，其結果’可使得所製得之半導體晶片積層體具有 兩可靠性。外緣部塗布量若未滿中央部塗布量的2倍，則 由於要到達所欲的晶片間距離必須花費一定的壓力、時 門故生產性會降低，而若超過5倍時，則會發生孔隙。 故以3〜4倍為佳。 又，上述外緣部，係指以相當於自上述一半導體晶片 〃 ％層上述其他半導體晶片之區域的重心至外周之距離 的^)·7〜〇_9倍之點的集合作為内周時，内周與外周所圍成 區域又，上述中央部，係指以自上述重心之距離相當 於上述重心至外周之距離的〇·7〜〇·9倍，以較内周更内側 41 200808932 之點的集合作為最内周時’最内周所圍成之區域。 上述塗布步驟⑴之塗布方法並無特別限制，可使用例 如組合使用安裝有精密喷嘴之注射器（syHnge)等與配料器 (dispenser)等進行塗布的方法等。 於上述塗布步驟⑴中，，塗布電子零件用接著劑時之高 度並無特別限制，以所欲晶片間距離的2〜1〇倍為佳。尤 其於所欲晶片間距離為50" m以下及，或半導體晶片主面

的面積為8W以上的情況，塗布 < 高度之較佳上限為3〇〇 # m，更佳上限為200// m。 本發明之半導體晶片積層體之製造方法，其次係進行 透過塗布於上ϋ一半導體晶片的電子零件用帛著劑積層其 他半導體晶片之半導體晶片積層步驟。上述半導體晶片 積層步驟（2) ’係藉由透過電子零件用接著劑並將半導體晶 片彼此加以對位來進行積層。 於上述半導體晶片積層步驟（2)，以對積層於一半導體 晶片之其他半導體晶片進行緊壓為佳。藉由上述緊壓，可 充分地將電子零件用接著劑之過剩部分擠出，以進行積層 使其可藉由間隔物粒子來支撐半導體晶片間之間隔。 上述緊壓，以於0.01〜0 5MPa之壓力下進行〇」〜5 秒為佳。若未滿O.OIMPa或未滿〇」秒，則會有緊壓之效 果不佳的情形，若施加超過〇.5MPa之壓力或超過5秒， 則難以以良好的生產性製造半導體晶片積層體。故以〇 〇5 〜(K2MPa緊壓為佳。 上述半導體晶片積層步驟（2)，以藉由進行上述_緊壓使 42 200808932 晶片間距離縮小至所欲晶片間距離之丨〜i .2倍為佳。此 時，於晶片間距離大於間隔物粒子之粒徑的情^^後^ 之硬化步驟（3)中，較佳為藉由使電子零件用接著劑流動展 延，以使晶片間距離與間隔物粒子之粒徑實質上相同。"

本發明之半導體晶片積層體之製造方法中，接著係進 行使上述-半導體晶片與其他半導體晶片間之電子零件用 接著劑硬化之硬化步驟（3)。藉由使上述電子零件用接著劑 硬化，可得到半導體晶片積層體。又，上述硬化步驟，可 於每積層丨個半導體晶片時來進行，亦可於反復進行半導 體晶片之積層至所欲之層數後，再一次進行。 上述硬化之方法並無特別限制，可適當選擇依電子零 件用接著劑之硬化特性的硬化條件來使用，為防止孔隙之 產生及提高晶片間距離之精確&，較佳者$，在實質上未 開始產生硬化之7〇〜12(rc下進行1()分鐘〜2小時之預備 硬化後，再於120〜200t下進行硬化之方法。 於上述硬化步驟（3)後得到之半導體晶片積層體之晶片 間距離之參差度，在3(7下以未滿以m為佳。參差度若在 切下在5#m以上時’則會有發生引線接合不良、覆晶接 合不良之情形。又，口表示標準偏差。 (發明之效果） 4依=本發明，可提供可在接合2個以上之半導體晶片 等电子v件4 ’精確地保持電子零件間距離且可得到高可 靠性之半導體裝置等電子零件的電子零件用接著劑，使用 6亥電子零件用接著劑之半導體晶片積層體之製造方法及半 43 200808932 導體裝置。 【實施方式】 以下揭示實施例以更詳細說明本發明，惟，本發明並 非僅限制於此等實施例。又，垂 、 貝鉍例及比較例中記載之粒 位的測里，係使用粒徑測量機（柯爾達測量機π〆c 一 1 〇〇〇柯爾達私子公司製），κ值及壓縮回復率之測量，則 使用壓縮測試微小壓縮測試機（費雪扣t Hlooc，費雪儀器 公司製）。 (實施例1〜2，比較例i〜3，參考例1} (1)電子零件用接著劑之製作 依照表1之組成，使用均質混合機攪拌混合下述之間 隔物粒子以外之材料，製作接著組成物。對所製得之接著 、、且成物依表1之組成配合間隔物粒子，再使用均質分散 機進行攪拌混合，藉此製作電子零件用接著劑。 (硬化性化合物） 一壞戊二烯型環氧樹脂（HP - 7200HH，大曰本油墨公 司製） j 萘型環氧樹脂（HP— 4032D，大曰本油墨公司製，常溫 下為液狀） 苐t環氧树月曰（EX 1 〇20，長瀨產業公司製，炼點3 〇 °c ) 低黏度環氧樹脂（EP — 4088S，旭電化工業公司製，黏 度 250mPa · s/ 25°C ) (硬化劑） 酸酐（YH〜307，曰本環氧樹脂公司製） 44 200808932 (硬化促進劑） 喷唾化合物（2MA— OK，四國化成工業公司製） (搖變性賦予劑） 燦石夕土（AEROSIL R2〇2S，曰本阿艾羅吉爾公司製） (具有環氧基之高分子化合物） 含有環氧基之丙烯酸樹脂（卜連瑪CP — 30，日本環氧 樹脂公司製） (橡膠改質環氧樹脂） CTBN改質環氧樹脂（EPR— 4023，旭電化工業公司製） (間隔物粒子） 樹脂粒子（米克羅帕爾SP — 210，積水化學工業公司 製’平均粒徑：1〇 V m，CV值=4% ) 球狀二氧化矽（S430— 2，麥克隆公司製，平均粒徑： 8.4um，CV 值 >10% ) (2)半導體晶片積層體之製作 將所製得之電子零件用接著劑填充於10niL注射器（岩 下工程公司製），於注射器前端安裝精密喷嘴（岩下工程公 司製，噴嘴前端徑0.3mm)，使用配料裝置（SHOT MASTER 3 00，武藏工程公司製），以噴出壓〇.4M[Pa、半導體晶片與 針（needle)之間隙200 // m、塗布量5mg塗布於玻璃基板上。 使塗布寬為（接合部分外周部之塗布量/中央部之塗布 量）=4 〇 塗布後，使用覆晶接合劑（DB — 1 〇〇，澀谷工業公司 製），以0.15MPa之壓力緊壓5秒，藉此積層具有ι72個u〇 45 200808932 // m之形成為圓周狀之焊墊開口部的半導體晶片（晶片 1)(厚度80 # m、8mm X 12mm見方、網目狀圖案、|呂配 線：厚度0.7# m、L/S = 15/ 15、表面氮化矽膜厚度：i 〇 μ m)。然後，使用上述之配料裝置將電子零件用接著劑塗 布於晶片1，使用上述之接合裝置，以使晶片1的長邊與 晶片2的長邊交叉之方式載置與晶片1相同的半導體晶片 (晶片2)，在溫度25°C下，以iSMPa緊壓5秒，藉此來進 行積層。然後，在熱風乾燥爐内於8(TC下放置60分鐘後， 於150°C下加熱60分鐘，使電子零件用接著劑硬化，藉此 製成半導體晶片積層體。 (評價） 對實施例1〜2、比較例1〜3及參考例1中得到之電 子零件用接著劑及半導體晶片積層體，以下述方法進行評 結果不於表1。 (黏度之測量） 使用Ε型黏度測量裝置（商品名：VISCOMETER TV — 22,托奇（T0KI)產業（股）製，使用轉子：φ15ιηιη，設定溫 度：25°C)，測量於旋轉數0.5rpm之黏度（A)、lrpm之黏 度（B)及lOrpm之黏度（C)。並求出此等之黏度比（a/b)&(b /C)。 (垂流量）· 在石夕晶圓上’以作成直振lcm、高lmm之方式塗布所 得之電子零件用接著劑後，將矽晶圓垂直靜置，測量於25 46 200808932 t下電子零件用接著劑之移動量。 (晶片間距離之參差、間隔到達度） 就實施例卜2、比較例卜3 導體晶片積層體，製…試樣，使用㈣ =積=(K:NCE)公51製)測量各半導體晶片積層 體之知層狀悲。具體而言，係測量晶"與 段差，由測量值減去曰片戶 上面之 成去曰曰“度，以求出晶片1與晶片2門

,晶片間距離後，算出晶片間距離之參差度，以3σ(/ 準偏呈)表不。並算出(晶片間距離/間隔物微粒 粒徑）作為間隔到達度。 十句 (耐熱性測試） 將得到之半導體晶片積層體於125t:下乾燥6小時， 接著於挪80%之濕潤條件下處理48小時後H回焊 時相同之鳩。C、30秒條件下進行加熱處理。錢對此進 行3次加熱處理後的半導體晶片積層體，觀察是否發生層 間剝離。層間義之觀察’係使用超音波探查影像裝置㈤ — scope hyperII，日立建機精密科技公司製）進行。 再以混合酸除去半導體晶片積層體所用之電子零件用 接者劑’觀察半導體晶片表面之氮化石夕保護膜有否產生裂 痕。 就層間剝離及保護膜之裂痕，以下述基準進行評價， 藉此進行半導體晶片積層體之耐熱性評價。 Ο :未觀察到層間剝離及保護膜之裂痕。 △:可觀察到稍微有層間剝離或保護膜之裂痕。 47 200808932 .$到顯著的層間剝離或顯著 (溫度循環測試） 的保護臈裂痕。 對得到之半導體晶片 1?^°Γ nr η , 疋 4丁 Μ 5 5 C 下 9 分鐘、 125C下9分鐘為一循環 刀 環後之束道触 #衣之酿度錢測試，對進行画循 入片積層體觀察是否發生層間剝離。並以混 :::、+導體晶片積層體所用之電子零件用接著劑，觀 不蛤體晶片表面之氮化矽保護膜有否產生裂痕。 對層間剝離及保護膜之裂痕，以下述基準進行評價。 〇:未觀察到層間剝離及保護膜之裂痕。 △:可觀察到稍微有層間剝離或保護膜之裂痕。 x :可觀察到顯著的層間剝離或顯著的保護膜裂痕。

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【Is 參考例i 1 CZ) οα CO 〇〇 I 1 CO CD oo oo 〇 1 < 1 LO CO i—1 s r—1 寸 CD f in oi 〇> CD o r-H CO 〇 <1 比較例3 LO CO τ—^ LO 1 1 οα LO oo 寸 CD r—Η 1 τ—Η LO τ*Ηι Cvl τ—H CO 0 01 CO 1 1 1 1 比較例2 LO CO r—4 LO 1 1 (XI LO oo OO 寸 CD τ—ί 1 CO in CO οα 寸 03 r1 \ Q oi <Z5 CO 〇 〇 比較例1 CZ> οα CO 1 1 CO CO OO oo CD 1 τ-Η 卜 CO r—4 r—t 05 CO LO r—H 05 oi d> LO T—H 〇 〇 實施例2 S 1 LO CO CO oo oo CD τ—Η 1 τ—Η <XI oa ί 1 LO 寸 寸 τ—H 卜 CsJ CD g r—Hi CO 〇 〇 實施例1 CO 1 1 CO CO oo oo Q τ—Η 1 D— r-H LO LO t-H 00 01 CD CD CD τ—H r-H CO 〇 〇 二環戊二烯型環氧樹脂 萘型環氧樹脂 苐型環氧樹脂 低黏度環氧樹脂 酸酐 0米0坐化合物 燻矽土 含有環氧基之丙烯酸樹脂 CTBN改質環氧樹脂 樹脂粒子 球狀二氧化矽 0. 5rpm(A) lrpm(B) 10rpm(C) A/B B/C 垂流量（隱） 間隔到達度 晶片間距離之參差 对熱性測試 溫度循環測試 硬化性化合物 硬化劑 硬化促進劑 搖變性賦予劑 具有環氧基之高分子 橡膠改質環氧樹脂 間隔物粒子 黏度(Pa · s) 黏度比 Μ φ ( •ifthl _ ) t i 200808932 (實施例3〜7、比較例4〜7) 依照表2之組成，將下述所示之間隔物粒子以外之各 材料，使用均質分散機攪拌混合，製作成接著組成物。於 所製得之接著組成物，依表2之組成配合間隔物粒子，再 使用均貝分散機攪拌混合，藉此製作成電子零件用接著 诏又，表2中各組成之配合量為重量份。 (環氧化合物（A)) 苯酝型％氧類（EX— 201，長瀨產業公司製，單體，25 °c下為結晶固體，熔點為3〇〜6〇<>c，5〇<t下之黏度為 250mPa · s) 結晶性環氧樹脂（YSLV— 8〇χγ，東都化成公司製，單 體，25°C下為結晶固體，熔點為80°C，80°C下之黏度為lPa· s) (環氧化合物（B)) 一環戊一埽型環氧類（EP — 4〇88S，阿迪卡公司製，單 體） 二環戊二烯型環氧化合物（HP — 7200(大日本油墨公司 製，五聚物） (其他環氧化合物） 雙紛A型環氧化合物（EP828，日本環氧樹脂公司製， 50C下之黏度為2Pa· s) 萘型環氧化合物（HP — 4032D，常溫為液狀，大曰本油 墨化學工業公司製，50°C下之黏度為5Pa · s) 雙紛A型環氧化合物（ΕΡ_ 100ι，日本環氧樹脂公司 50 200808932 製，常溫為固體，80°C下之黏度為20Pa · s) 苯酚型環氧化合物（EX— 141，長瀨產業公司製，常溫 為液狀，50°C下之黏度為7mPa · s) NBR改質雙A型環氧化合物（EPR— 4030，阿迪卡公司 製，常溫為液狀，50°C下之黏度為50Pa · s) (含有氧基之丙細酸糸南分子化合物） 含有％氧基之丙炸酸樹脂（卜連瑪CP — 3 0，日本環氧 樹脂公司製） _ (硬化劑） 酸酐（ΥΗ— 3〇6，日本環氧樹脂公司製） (硬化促進劑） 口米嗤化合物（2ΜΑ — ΟΚ，四國化成工業公司製） 增黏劑（R202，曰本阿艾羅吉爾公司製） (接者性賦予劑） 咪唑矽烷偶合劑（SP— 1000，日礦材料公司製） (間隔物粒子） 樹脂粒子（米克羅帕爾SP — 210，積水化學工業公司 製’平均粒徑：10# m，CV值=4%) (半導體晶片積層體之製作） 將得到之電子零件用接著劑填充於1〇mL注射器（岩下 工程公司製）中，於注射器前端安裝精密噴嘴（岩下工程公 司製’喷嘴前端徑0.3mm)，使用配料裝置（SHOT MASTER 300 ’武藏工程公司製），以噴出壓〇.4Mpa、半導體晶片與 針之間隙200 // m、塗布量5mg塗布於玻璃基板上。塗布 51 200808932 鑼 量係作成為（接合部分之外周部之塗布量/中央部之塗布 量)=4。 'k布後’使用覆晶接合劑（db — 1 〇〇，溫谷工業公司 製），在溫度6(TC或8(TC下，以〇.15MPa之壓力藉由緊壓 5秒，積層具有172個110//m之形成為圓周狀之焊墊開口 I5的半‘體日日片（晶片1)(厚度8〇 # m、gmm X 12mm見方、 網目狀圖案、鋁配線：厚度〇 7//m、L//s = i5/i5、表面 氮化石夕膜尽度· 1 · 〇 # m)。然後，使用上述之配料裝置將電 • 子零件用接著劑塗布於晶片1，使用上述之接合裝置，以 使曰曰片1的長邊與晶片2的長邊交叉之方式載置與晶片^ 相同的半導體晶片（晶片2)，在溫度60°C或8(TC下，以 〇.15MPa緊壓5移、，藉此來進行積層。然後，在熱風乾燥 爐内於80°C下放置60分鐘後，於15(rc下加熱6〇分鐘， 使電子零件用接著劑硬化，藉此製成半導體晶片積層體。 (評價） 對實施例3〜7、比較例4〜7得到之電子零件用接著 劑及半導體晶片積層體，以下述方法進行評價。結果示於 表2 〇 (黏度之測量（1)) 使用E型黏度測量裝置（商品名：VISCOMETER TV — 22 ’托奇產業（股）製，使用轉子：φ15ππη，設定溫度：25 °C )，測量於旋轉數（K5rpm之黏度（A)、lrpm之黏度⑻及 lOrpm之黏度（C)。並求出此等之黏度比（a/b)及（B/C)。 (黏度測量（2)) 52 200808932 使用E型黏度測量步w f 』里衣1 (商品名：VISCOMETER TV — 22，托奇產業（股）製，佬用M 7 ^衣便用轉子·· φΐ5ππη，設定溫度：25 °C )，測量於旋轉數1 〇rDm夕卖μ & 。。 。 P 黎度、60C或80C下於1 Orpm 之黏度。 (塗布形狀保持性） k布於玻璃基板上後，塗布形狀於剛塗布之後至黏合 為止之間，形狀崩壞未能保持良好的形狀者評價為χ，而 於剛塗布後至黏合為止之間，形狀可保持良好者評價為 〇。 (晶片間距離之參差） 對貫施例3〜7、比較例4〜7得到之半導體晶片積層 體，製作ίο個試樣，使用雷射位移計（KS— 11〇〇，克延斯 么司衣）測ϊ各半導體晶片積層體之積層狀態。具體而言， 係測量晶1 1與晶片2上面之段差，從測量值減去晶片厚 度以求出晶片1與晶片2間的晶片間距離後，算出晶片 間距離之參差度，以3 σ ( σ :標準偏差）表示。 (有無發生回焊裂痕） 將得到之半導體晶片積層體，於85它、85%之恒溫高 濕爐中放置24小時後，投入23(TC以上達20秒以上且最 同’皿度為260 C之IR回焊爐。投入後，以超音波探傷器（SAT) 觀察半導體裝置有無發生回焊裂痕。又，於表2中，係將 回焊裂痕之發生數表示為不良率。 (綜合評價） 貫施例3〜7及比較例4〜7中得到之電子零件用接著 53 200808932 劑及半導體晶片積層體之綜合評價，係以下述基準進 價。 口 ◎:可得到塗布形狀保持性優異、可極高精度控制晶 片間距離且㈣裂痕可靠性高之半導體^積層體的接著 劑。 〇 :可得到塗布形狀保持性優異、晶片間距離得以極 高精度地受到控制’但回焊裂痕可靠性猶差之半導體晶片 積層體的接著劑。 X ·無法精確地控制晶片間距離之接著劑。 54 200808932 55

Ig^iil^i^i^l^l^(3IQ,) 15mtefBl^lrml#( //13) 飴綷(2510°) 5tb B\c

A\B li^(pa · s) (250°)

^Hb#J 拷$

S 10 5m(c) rpm(B) 0. 5 rpmcA) sp—210 趂翁逡R202

2MA—0K YH—306 CP—30 EPRI4S0

Ex—141

Ep—lool

HPI4S2D EP—828 HP—7200

EPI4S8S

EX—212 YSLVI80XY 〇 2\6 000 10 〇 Ρ2

60OC 4·7 1.5 42 61 0·1 74 50 10 0.1 55 34 7 1·6 4·9 7 60OC 3MR ίο di 21Χ6 d—

Ipl 57 ife 8 Ik 5·0 8 mhm d— 10 d— Q\6 ◎ HH, 57 38 7 1·5 5k 7 6010° 0. 7N un 1. Q 1\6 d— 0.1 55 37 8 1.5 4_6 8 6QOC 2 d— 10 1.1 T7F d—

Ipl 230 180 95 1·3 1·9 95 6010° 20MR 23 5.2 —3. X

0.1 50 33 5 1.5 6· 6 H. goo 0·2 x d— 0.6 61X6 X 0.1 300 240 122 lrco 2·0 122 6010° 31MR 35 7100MNM x

79 53 8 1·5 6· 6 J— 6010° d—MR 5 3· 2 2\6 X 74 74 74 74 74 74 30 10 50 50 50 50 10 50 40 60 40 20 10 30 20 30 普17 10

Irrls害J 4： [rr'ls篷 5 74 30 N 60 ITrls篷 6 74 50 ITrSB Id— 200808932 (實施例8〜1〇、比較例8) 依下述表3之έ日4、 一夕 、、且成，使用均質分散機攪拌混合下述所 不之間隔物粒子以外夕欠 ^ 卜之各材料，製作成接著組成物。 到之接著組成物，依夺？ 於侍 表2之組成配合間隔物粒子，再使 均質分散機攪拌混合，笋 稭此製作成電子零件用接著劑。又， 表3中各組成之配合量為重量份。 (¾氧化合物）

兩末端又®7 A縮水甘油醚改質聚丁二烯（Ερβ 一 13 (日 本曹達公司製，常溫下為半固體） 兩末端縮水甘油醚改質氧化丙烯（EX—941，長瀨產業 公司製，常溫下為液體） (其他環氧化合物） 又酚A型裱氧化合物（EP — 828,日本環氧樹脂公司製， 50°C下之黏度為2Pa · s) (硬化劑） 2官能酸酐硬化劑（YH— 306，日本環氧樹脂公司製， 常溫下為液體） 由4官能酸酐硬化劑所構成之粒子（B_44〇〇，大曰本 油墨公司製，常溫下為固體，平均粒徑3 # m) (硬化促進劑） 口米嗤硬化促進劑（2MA — OK，四國化成公司製） (反應性稀釋劑） 二環戊二烯型環氧類（EP— 4088S，阿迪卡公司製，單 56 200808932 (搖變性賦予劑） 疏水性燻矽土（MT — 1 0，德山公司製） (接著性賦予劑） 咪唾矽烷偶合劑（SP— 1〇⑽，日礦材料公司製） (間隔物粒子） 樹月旨粒子（米克羅帕爾SP — 210,積水化學工業公司 製，平均粒徑：1〇μ m，CV值=4%) (評價）

對實施例8〜1〇及比較例8所調製之電子零件用接著 劑進行下述之評價。結果示於表3。 (黏度之測量） 使用E型黏度測量裝置（商品名：visc〇meTEII TV — 2托可產業（股）製，使用轉子：φ15 mm，設定溫度：2 5 °c)，測量於旋轉數0.5rpm之黏度（A)、lrpm之黏度（以及 l〇rpm之黏度（C)。並求出此等之黏度比。 (拉伸強度之測量） 將實施例8〜10及比較例8所調製之電子零件用接著 劑置入2麵X 5職χ 5〇mm之模具中，於17吖硬化Η 分鐘後，以手拉伸硬化物，可輕易拉裂者為X、隨強度增 強依序為Δ、〇 〇 χ，無法拉裂者則為「◎」。 (半導體晶片積層體之製作）

。將得到之電子零件祕㈣填充於注射器（岩下 A司製I於注射器前端安裝精密噴嘴(岩下工程公 〇 ，^前端# 〇.3mm)，使用配料裝置（SHOT 57 200808932 MASTER300,武藏工程公司製），以噴出壓〇4Mpa、半導 體晶片與針之間隙、塗布量5叫塗布於破璃基板 上。塗布量係作成為（接合部分之外周部之塗布量/中2部 之塗布量）=4。 塗布後，使用覆晶接合劑（DB — i 〇〇，澀谷工業公司 製)’在常溫下以0.1Mpa之壓力按# 5秒，藉此積層具有 172個11〇 之形成為圓周狀之焊墊開口部的半導體晶片 (晶片1)(厚度80# m、i〇mm x 1〇_見方、網目狀圖案、 鋁配線：厚度〇.7/zm、L/s=15/15、表面氮化矽膜厚度·· 1·0/ζ m)。於17(rc下進行加熱15分鐘，使電子零件用接 著劑硬化，藉此製作成半導體晶片積層體。 (半導體晶片之彎曲量之測量） 沿著所製作之半導體晶片積層體的半導體晶片之對角 線’使用雷射位移計（克延斯公司製，LT9010M，KS— 11〇〇) 測量彎曲量。 (引線接合性評價） 與半導體晶片積層體同樣地，在基板上積層半導體晶 片（曰日片2)(厚度80/z m、3mm X 3mm見方、網目狀圖案、 链配線：厚O^Vm'L/S^lS/lS、表面氮化矽膜厚度：lo # m)。然後，使此積層體於17〇。〇下硬化Η分鐘。再使用 引線接合機（Wire bonder)UTC2000(新川公司製）以直徑25 从m之引線進行引線接合。於引線頸部拉伸此引線，於引 線頸部斷裂者為〇，於接合部分斷裂者則為「X」。 (耐回焊性評價） 58 200808932 將製作之半導體晶片積層體，放置於85。〇85%之恆溫 高濕爐中24小時後，投入23〇^以上達2〇秒以上且最高 溫度為260 C之IR回焊爐中3次。投入後，以超音波探傷 裔（SAT)觀察半導體|置有無發生回淳裂冑，以下述基準 進行評價。 ◎:回焊裂痕發生數0/6 〇··回焊裂痕發生數1 / 6 (綜合評價） _ f施例8〜1 〇及比較例8所調製 及半導體晶片積層體之綜合評價“子零件用接著劑 之評價在50# m以下者為「◎」：半導體晶片之彎曲 價未滿100"m以下者為「〇」：體晶片之彎曲之評 評價在10—以上者為「、」。 導體晶片之彎曲之 59 200808932

Γ^Ι 比較例8 1 1 〇 CO 5 〇 LO 1 CO CO i—i CD LO oa o T 1 ( 1 < LO CN1I ◎ CD LO X 〇 X X 實施例10 Q LO CD CO 1 CZ5 r-H CO CO CD LO LO CO CO CO LO i—H 00 01 ◎ § 〇 ◎ ◎ 〇 實施例9 导 1 〇 τ—Η CO CO r-H cz> (XI LO CO oo CO τ—H 呀 τ—H oo od ◎ 〇 ◎ ◎ ◎ 實施例8 CD LO ! CD r-H CD CD τ· \ 〇· CD LO LO CO iO 呀 τ—Hi CO oi ◎ CD CO 〇 ◎ ◎ ◎ 1 EPB—13 EX - 941 oo CNI OO 1 Ο-. Μ ΕΡ—4088S YH-306 B-4400 2MA-0K 〇 I \ i s SP—210 0· 5 rpm (A)丨 1 rpm (B) 10 rpm (C) A/B B/C 拉伸強度 晶片彎曲量（#m) 引線接合性評價 耐回焊性評價 1 溫度循環測試 綜合評價 柔軟性環氧類 一般環氧類 反應性稀釋材 硬化劑 硬化促進劑 搖變性賦予劑 間隔物粒子 黏度(Pa · s) (25〇C) 黏度比 組成物 (重量份） 評價 09 200808932 w (產業上可利用性） 依據本發明，可提供在接合2個以上之半導體晶片等 '電子零件時，可高精度保持電子零件間的距離且可得到高 可罪性之半導體裝置等電子零件之電子零件用接著劑、使 用該電子零件用接著劑之半導體晶片積層體之製造方法以 及半導體裝置。 【圖式簡單說明】 圖1為示意地顯示使用本發明之電子零件用接著劑所 _貝層之半導體晶片一例的截面圖。 【主要元件符號說明】 1 電子零件用接著劑 2 間隔物粒子 3 晶片 4 晶片 5 基板

Claims (1)

1. 200808932 十、申請專利範園·· 1 · 一種電子零件用接著劑，係用以接合電子零件，其 特徵在於： 含有具硬化性化合物及硬化劑之接著組成物、與CV 值在10%以下之間隔物粒子；

   使用E型黏度計於25°C測量黏度時，Irpm之黏度為 200Pa · s以下，l〇rpm之黏度為100Pa · s以下，且〇.5rpm 之黏度為Irpm之黏度的1·4〜3倍，lrpm之黏度為1〇rpm 之黏度的2〜5倍。 2·如申請專利範圍第1項之電子零件用接著劑，其中， 使用E型黏度計於接合電子零件時之溫度下測量黏度時， 1 Orpm之黏度為iPa · s以下。 3.如申請專利範圍帛i或2項之電子零件用接著劑， 其中’硬化性化合物含有環氧化合物⑷，該環氧化合物⑷ 帶有在重複單位中具有芳香環之十聚物以下的分子構造， 且於2 5 °C下為結晶性固體。 4·如申請專利範圍第i、2岑 田^ 4 3項之電子零件用接著劑， 其中’硬化性化合物含有40重# y 里里/6以上之選自由萘型環 氧樹脂、薙型環氧樹脂及間笨_ I一紛型％乳樹脂所構成之群 中的至少一種。 5 ·如肀請專利範圍第1 δ 或4項之電子零件用接 硬化性化合物含有環氧化合物(Β)，該環氧化 合物⑻在"分子的兩端具有環氧基，且在一方之環氧基與另 -方之環氧基間具有數目平均分子量丨Μ〜刪之柔軟 著劑 62 200808932 « 骨架。 6.如"專利範圍第5項之電子零件用接著劑，其中， 柔軟骨架係來自選自由丁二烯 卜 埤橡膠、氧化丙烯、氧化乙烯、 丙烯I橡膠及此等之氫化物 ^ 傅風之群中的至少1種化合 物0 7·如申請專利範圍第5或 其中，環氧化-物(_ + 項之％子零件用接著劑’ 口物⑻進—步於分子内具有芳香族骨架。 8·如申請專利範圍第7頊夕f i兩

   乐項之電子零件用接著劑，直中， 縮水甘油醚基係直接鍵結於芳香族骨架。 八 9.如申請專利範圍第1、 電子零件用接著劑，其進一 應之官能基的高分子化合物 、4、5、6、7或8項之 步含有具可與硬化性化合物反

   1〇·如申請專利範圍第1、2、3、4、5 項之電子零件用接著劑’其含有常溫下為 肝硬化劑所構成之粒子、與硬化促進劑。 、6、7、8 或 9 固體之多官能酸 11 ·如申請專利範圍第 項之電子零件用接著劑， 酐硬化劑所構成之粒子、 化劑。 12、3、4、5、6、7、8 或 9 其含有常溫下為固體之多官能酸 與常溫下為液體之2官能酸酐硬 進；；=請專利範圍第11項之電子零件用接著劑，其 進一步含有硬化促進劑。 13.如申請專利範圍第 决解产=12項之電子零件用接著劑，其中，液狀成分之 W數⑽值)為8〜⑴並且含有平均-次粒徑為5 — 63 200808932 粒（A)、與平均 60以上之無機 以下且疏水化度（Μ值）為50以下之無機微 一次粒徑為5 Onm以下且疏水化度（Μ值）為 微粒（B)。 14.如申請專利範圍第i、2、3、4、5、6、7 /、8、9、 10、11或12項之電子零件用接著劑，其中，液狀成八 浴解度参數（SP值）為11〜14，並且含有平均一次粒和為 50nm以下且疏水化度（M值）為4〇以下之無機微粒⑴）、與

   平均一次粒徑為50nm以下且疏水化度（M值）為5〇以上、 無機微粒（D)。 之 15·如申請專利範圍第1、2、3、4、5、6、7、8、9 11、12、13或14項之電子零件用接著劑，直 子零件為半導體晶片。 、中’電 1 6. —種半導體晶片積層體之製造方法，係透過申請專 利範圍第 1、2、3、4、5、6、7、8、9、 10、 ι1λ 12、 13 W或15項之電子零件用接著劑，將2片以上之半導體晶 片加以積層，其特徵在於，具有下列步驟： 塗布步驟（1):在一半導體晶片上塗布該電子零件用接 著劑； ^ 半導體晶片積層步驟（2):透過塗布在該一半導體晶片 上之電子零件用接著劑，積層其他半導體晶片；及 硬化步驟（3) ··使該一半導體晶片與其他半導體晶片間 的電子零件用接著劑硬化； 於該塗布步驟（1)，將該電子零件用接著劑塗布於該_ 半導體晶片之積層該其他半導體晶片之區域的外緣部及中 64 200808932 央部，且使塗布於外緣部之該電子零件用接著劑之 為塗布於中央部之塗布量的2〜5倍 17.如中請專利範圍第項之半導體晶片積層體之製 μ方法其中，於半導體晶片積層步驟（2)，對積層於一半 導體晶片上的其他半導體晶片，α 〇 〇1〜〇 5Mpa按壓卜 5秒。 18. —種半導體裝置，其特徵在於： 係使用申請專利範圍第卜2、3、4、5、6、7、8、9

   1 U 12 13、14或15項之電子零件用接著劑而成。 十一、圖式： 如次頁。 65