TWI364805B - - Google Patents

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九、發明說明： 2012/1/K 【發明所屬之技術領域】 方本有關於—種無核層多層封裝基板之製作 9種以銅核基板為基礎，開始製作之夕 封裝基板之製作方法，於其中，該多層封 ^係包括具球側平面電性接腳接墊與至少—增層： 【先前技術】 在-般多層封裝基板之製作上 :由-核心基板開始，經過鑽孔 '電上 :面：=作等方式，完成-雙面結構之内層:： 板，之後再經由一線路增層製程完成 板。如第23圖所示，一古#^裝基 , 八係為一有核層封裝基板之剖 面不思圖。百先’準備-核心基板70,其中，外 :基：70係由一具預定厚度之芯層7〇ι及形成於 二曰1表面之線路層7 〇 2所構成，且該芯層 7 〇 1中係形成有複數個電鑛導通孔7 〇 3，以 連接該芯層7〇1表面之線路層702。 9 7。第2 4圖〜第2 7圖所示，對該核心基板 7 〇實把線路增層製程。首先，係於該心基板7 〇 表：形成一第一介電層71，且該第-介電層71表 =形成有複數個第—開σ72 ’以露出該線路層7 02 ’之後’以無電電鍍與電鍍等方式於該第一介電 1364805 層71外露之表面形成— v ^ . 日日種層7 3 ’並於該晶種層 “古 圖案化阻層7 4，且其圖案化阻層74 中並有複數個第二開口 7 ς ^ 7 5，以鉻出部份欲形成圖案 二：=:層73 ;接著，利用電鍍之方式於該第 形成一第—圖案化線路層7 6及複數個 目 ’並使其第一圖案化線路層7 6得以透 過該複數個導電盲孔”與該核心基板70=Ϊ 7 0 2做電性導通^ u之線路層 …、後再進订移除該圖案化阻層7 _/、蝕刻，待疋成後係形成一第一線路增層結構7a。 同樣地’縣射於該第—祕增層結構、之最外 層表面再運用相同之方式形成—第二介電層7 8及- 第二圖案化線路層7 9之第二線路增層結構7b，以逐 步增層方式形成-多層封裝基板。然而，此種製作方 法有佈線密度低、層數多及流程複雜等缺點。 另外，亦有利用厚銅金屬板當核心材料之方法， 可於經過侧及塞孔等方式完成一内層核心板後' 再 經由一線路增層製程以完成一多層封裝基板。如第2 8圖〜第3 〇圖所示，其係為另一有核層封裝基板之 剖面示意圖。首先’準備一核心基板8 〇，該核心基 板8 0係由一具預定厚度之金屬層利用蝕刻與樹脂塞 孔8 0 1以及鑽孔與電鍍通孔8 〇 2等方式形成之單 層銅核心基板8 〇 ;之後，利用上述線路增層方式早 於該核心基板80表面形成一第一介電層8丄及—第 一圖案化線路層8 2，藉此構成一具第一線路增層結 構8 a。該法亦與上述方法 2012/1% 同，係可再利用一次線路 二増層結構8a之最外層表面形 ,摇占一r曰8 3及一第二圖案化線路層8 4，, 此構成一具第二線路增層結構8b，以逐步增層方式; 成一多層封裝基板。辦 /曰層方式形 ^ ^ 、、，此種襄作方法不僅其銅核 ，製作不易，且亦與上述方法相同，具有佈線密 度低及流程複雜等缺點 ”、 使用者於實際使用時之所需。者係無法符合 【發明内容】 本發明之主要目的係在於，使用本發明JL高密产 法所製造之無核層多層封裝2 符仆值站^ 改善超薄核層基板板彎翹問題、及 間化傳統增層線路板製作流程。 W及 礎，鋼核基板為基 平面電性接_塾與至少=構33具球側 層飨败綠路。於其中，各增 盲、埋孔所i曰通貝J與球側連接之方式係以複數個電鍍 以提id一目的係在於，具有高密度增層線路 杈供電子兀件相連時所需之繞線。 為達以上之目❸，本發明 基板之製作方法，係先以光學鞋=封裝 板之第—面上形成複數個第一凹槽，藉以突顯 1364805 複數接腳之一部分。並以此複數接腳之第一面作為與 增層線路之電性連接墊。之後於該複數接腳第—面上 形成獲數個電鍍盲孔以連接至少一增層線路，並在增 層線路之置晶側形成電性接墊；而接腳側則利用該銅 核基板之第二面形成球側圖案阻層，並於之後移除該 銅核基板，再接著填入電性阻絕材料以形成一带 性連接墊。 【實施方式】 立月/閱第1圖』所示，係為本發明之製作流程 不思圖。如圖所不：本發明係一種無核層多層封裝基 板之製作方法，其至少包括下列步驟： (A) 提供銅核基板1i:提供—銅核基板； (B) 形成第一、二阻層及複數個第一開口工2 . 分別於該銅核基板之第—面上形成-第-阻層，以及 於該銅核基板之第二面上形成—完全覆蓋狀之第二阻 層，於其中，並以曝光及顯影之方式在該第一阻層上 形成複數個第一開口，以顯露其下該銅核基板之第一 面； 以蝕刻之方式於複數 凹槽； (C)形成第一凹槽. 個第一開口下方形成複數個第一 (D )移除第一、 除該第一阻層及該第二 二阻層14:以剝離之方式移 阻層，形成具有接腳第一面之 銅核基板； 2012/1/j^· 銅核基板； 2012/1/j^· 印刷之 層； 匕，成第t性阻絕層丄5 :以直接壓合或 方式於複數個第一凹槽内形成一第一電性阻絕 (F)形成第一介電芦及當 ^ m m, λ η ^ ± 1电層及弟一金屬層16:於該 銅核基板之第一面盘兮笛 & /、β亥第一電性阻絕層上直接壓合一 第一介電層及一第一金凰 ^ 一入 I屬層，亦或係先採取貼合該第 一，丨電層後’再形成該第一金屬層； (G )形成複數個第二開口 i 7 :以雷射鑽孔之 方式於該第一金屬層與該第一介電層上形成複數個第 -開口’並顯露其下之銅核基板第—面，其中，複數 個第二開口係、可先做開銅S ( Conformal Mask)後， 再、’二由雷射鑽孔之方式形成，亦或係以直接雷射鑽孔 (LASER Direct)之方式形成； (H)形成第二金屬層丄8 :以無電電鍍與電鍍 •^方式於複數個第二開口中及該第一金屬層上形成一 第二金屬層，其中，該第二金屬層係作為與該銅核基 板第一面之電性連接用； (I )形成第三、四阻層及複數個第三開口 1 9 : 刀別於該第二金屬層上形成一第三阻層，以及於該銅 核基板之第二面上形成一完全覆蓋狀之第四阻層，於 其中’並以曝光及顯影之方式在該第三阻層上形成複 1364805 2012/l/^g 數個第三開口，以顯露其下之第二金屬層； (J )形成第-線路層2 〇 :以蝕刻之方式移除 該第三開口下方之第二金屬層及第一金屬層，並形成 一第一線路層； (K)完成具有銅核基板支撐並具電性連接之單 層增層線路基板21:以剝離之方式移除該第三阻層 及該第四阻層。至此，完成一具有銅核基板支標並丄 電性連接之單層增層線路基板，並可選擇先直接進行 步驟（L )或步驟（μ); (L )進行置晶侧線路層與球側平面電性接腳接 墊之製作22:當該單層增層線路基板先進行一置晶 側線路層與球側平面電性接腳接墊之製作時，係在該 第-線路層表面形成一第一防焊層，並以曝光及顯影 之方式在該第一防焊層上形成複數個第四開口，以顯 露線路增層結構作為電性連接墊之部分，接著再分別 於該銅核基板之第二面上形成一第五阻層，並且在該 第五阻層上以曝光及顯影之方式形成複數個第五開 口’以及於該第一防谭層上形成一完全覆蓋狀之第六 阻層。之後移除複數個第五開口下方之銅核基板，以 形成複數個第二凹槽’並再以剝離之方式移除該第五 阻層與該第六阻層，接著於複數個第二凹槽中形成一 第二電性阻絕層’並顯露出平面電性連接墊。最後， 係分別於複數個第四開口上形成一第一阻障層，以及 ⑽4805 於該平面電性連接墊上形成一第二阻障層。至此，完 成"、有70整圖案化之置晶側線路層與球側平面電性 連接墊，後續再至該步驟進行增層線路之製作， 其中，該第一、二阻障層係可為電鍍鎳金、無電鍍鎳 金、電鍍銀或電鍍錫中擇其一；以及 、 (M)進行線路增層結構製作2 3 ·•當該單層增 層線路基板先進行一線路增層結構之製作時，係在該 第一線路層與該第一介電層表面形成一第二介電層， " f以雷射鑽孔之方式在該第二介電層上形成複數個第 八開口，以顯露其下之第一線路層，接著以無電電鍛 與電鍍之方式於該第二介電層與複數個第六開口表面 形成一第一晶種層，再分別於該第一晶種層上形成一 第七阻層，以及於該銅核基板之第二面上形成一完全 覆盍狀之第八阻層，並利用曝光及顯影之方式於該第 七阻層上形成複數個第七開口，以顯露其下之第一晶 ，層，之後再以電鍍之方式於該第七開口中已顯露之 第一晶種層上形成一第三金屬層，最後以剝離之方式 移除該第七阻層與該第八阻層，並以蝕刻之方式移除 該第一晶種層，以在該第二介電層上形成一第二線路 層。至此，又再增加一層之線路增層結構，完成一具 有銅核基板支撐並具電性連接之雙層增層線路基板。 並可視需求重覆本步驟增加線路增層結構，以形成具 更多層之封裝基板，之後再至該步驟（L)進行置晶 11 1364805 2012/· 側線路層與球側單面電性接腳接墊之製作，其中，複 數個第六開口係可先做開銅窗後，再經由雷射鑽孔之 方式形成，亦或係以直接雷射鑽孔之方式形成。 於其中，上述該第一〜.八阻層係以貼合、印刷或 旋轉塗佈所為之乾膜或溼膜之高感光性光阻；該第 一、二電性阻絕層及該第一、二介電層係可為防焊綠 漆、環氧樹脂絕緣膜（Ajinomoto Boiild-up Film, ABF )、苯環丁稀（Benzocyclo-buthene，BCB )、雙馬 來亞酷胺-三氮雜苯樹脂（Bismaleimide Triazine， BT )、環氧樹脂板（FR4、FR5 )、聚醯亞胺（Polyimide, PI)、聚四氟乙稀（Poly(tetra-floroethylene)，PTFE )或 環氧樹脂及玻璃纖維所組成之一者。 請參閱『第2圖〜第1 2圖』所示，係分別為本 發明一實施例之多層封裝基板（一）剖面剖面示意圖、 本發明一實施例之多層封裝基板（二）剖面示意圖、 本發明一實施例之多層封裝基板（三）剖面示意圖、 本發明一實施例之多層封裝基板（四）剖面示意圖、 本發明一實施例之多層封裝基板（五）剖面示意圖、 本發明一實施例之多層封裝基板（六）剖面示意圖、 本發明一實施例之多層封裝基板（七）剖面示意圖、 本發明一實施例之多層封裝基板（八）剖面示意圖、 本發明一實施例之多層封裝基板（九）剖面示意圖、 本發明一實施例之多層封裝基板（十）剖面示意圖、 12 l3648〇5 2012/1// 及本發明-實施例之多層封裝基板（十一）剖面示意 圖。如圖所示：本發明於一較佳實施例中，係先提^ —銅核基板3 0，並分別於該銅核基板3 〇之第一面 上貼合一高感光性高分子材料之第一阻層3 2，以及 於該銅核基板3 0之第二面上貼合—高感光性高分子 材料之第二阻層3 2，並以曝光及顯影之方式在該第 一阻層3 1上形成複數個第一開口3 3，以顯露其下 该銅核基板3 0之第一面，而其第二面上之第二阻層 3 2則為完全覆蓋狀。接著以蝕刻之方式製作一蝕刻 凹槽34，其中，該銅核基板3〇係為一不含介電層 材料之銅板；該第一、二阻層3丄、3 2係為乾膜光 阻層。 接著，移除該第一、二阻層，以形成具有接腳第 —面之銅核基板3 〇。之後係印刷一第一電性阻絕層 3 5於該蝕刻凹槽中，並在該銅核基板3 〇之第一面 上壓合一第一介電層3 6及一第一金屬層3 7，再以 雷射鑽孔之方式於該第一金屬層37與該第一介電層 3 6上形成複數個第二開口 3 8 ’之後係以無電電鑛 與電鍍之方式於複數個第二開口 3 8及該第一金屬層 3 7表面形成一第二金屬層39 ’其中，該第一、二 金屬層37、39皆為銅，且該第二金屬層39係作 為與該銅核基板3〇第一面之電性連接用。 接著，分別於該第二金屬層3 9上貼合一高感光 13

1J046UJ 性高分子材料之第三 2〇,2/1^ 〇之第二面上貼d:40，以及於該銅核基板3 ., ° 呵感光性高分子材料之第四阻層 41，並以曝光及 士+机加仿- .•衫之方式於該第三阻層4 ◦上形 成複數個第三開口 4 9 n. ^ 4 Z ’以顯露其下之第二金屬層3 。之後係以蝕刻之方式移除該第三開口42下之第 二：金屬層’以形成1'線路層43，最後並移 除该第二、四阻層。？ μ 匕’元成一具有圖案化線路並 二該銅核基板30之接腳第—面連接之單層增層線路 基板3。 ^閱『第1 3圖〜第丄7圖』所示，係分別為 本發明之多層料基板（十二）剖面示意圖、 本發明-實施例之多層封裝基板（十三）剖面示意圖、 本發明—實施例之多層封裝基板（切）剖面示意圖、 本發明-實施例之多層封I基板（十五）剖面示意圖、 及本發明一實施例之多層封裝基板（十六）剖面示意 圖。如圖所示：在本發明較佳實施例中，係先行進^ 線路增層結構之製作。首先於該第一線路層4 3與哕 第一介電層3 6上貼壓合一為環氧樹脂絶緣臈材料之 第一介電層4 4 ’之後並以雷射鑽孔之方式於該第一 介電層4 4上形成複數個第四開口 4 5，以顯露其下 之第一線路層43，並在該第二介電層44與該第四 開口 4 5表面以無電電鍍與電鍍方式形成一第一曰 ^ 曰日1 里 層4 6。之後分別於該第一晶種層4 6上貼合—高成 14 1364805 2012/1如 光性高分子材料之第五阻層4 7，以及於該銅核基板 3 0之第二面上貼合一高感光性高分子材料之第六阻 層4 8，接著利用曝光及顯影之方式於該第五阻層4 7上形成複數個第五開口 4 9，然後再於複數第五開 口49中電鍍-第二金屬層5〇 ’最後移除該第五、 六阻層，並再以蝕刻之方式移除顯露之第一晶種層， 以形成一第二線路層5 1。至此，又再增加一層之線 路增層結構，完成一具有銅核基板支撐並具電性連接 之雙層增層線路基板4，於其中，該第一晶種層4 6 與該第三金屬層5 0皆為金屬銅。 請參閱『第1 8圖〜第2 2圖』所示’係分別為 本發明一實施例之多層封裝基板（十七）剖面示意圖、 本發明一實施例之多層封裝基板（十八）剖面示意圖、 本發明-實施例之多層封裝基板（十九）剖面示意圖、 本發明一實施例之多層封裝基板（二十）剖面示意圖、 及本發明一實施例之多層封裝基板（二十一）剖面示 意圖。如圖所示：之後，在本發明較佳實施例中係接 著進行置晶侧線路層與球側平面電性接腳接墊之製 作。首先於該第二線路層5丄表面塗覆一層絕緣保護 用之第一防焊層5 2，並以曝光及顯影之方式於該第 -防焊層5 2上形成複數個第六開口5 3，以顯露線 路增層結構作為電性連接墊。接著分別於該銅核基板 3 0之第二面上貼合一高感光性高分子材料之第七阻 15 1364805 2〇12/1/j^ 層54，以及於該第一防焊層5 2上貼合一高感光高 分子材料之第八阻層5 5，且該第七阻層5 4上並带 成有複數個第七開口 5 6。之後係移除複數個第七開 口 5 6下方之銅核基板3 〇，以形成複數個第二凹样 57，並再移除該第七、八阻層。接著於複數個第二 凹槽5 7中形成一第二電性阻絕層5 8，以顯露出平 面電性連接墊5 9。最後，係分別於複數個第六開口 5 3上形成一第一阻障層6 〇，以及於平面電性連接 塾5 9上形成一第二阻障層6 1。至此，完成—無核 層多層封裝基板5，其中，該第一、二阻障層6〇、 61皆為錄金層。 由上述可知，本發明係從銅核基板為基礎，開始 製作之多層封裝基板，其結構係包括具球側平面電性 接腳接墊與至少-增層線路。於其中，各增層線路及 置晶側與球側連接之方式係以複數個電鍍盲、埋孔所 導通。因此，本發明封裝基板之特色係在於具有高密 度增層線路以提供電子元件相連時所需之繞線。藉 此，使用本發明具高密度之增層線路封裝基板方法所 製造之無核層多層封裝基板，係可有效達到改善超薄 核層基板板彎_問題、及簡化傳統增層線路板製作流 程。 ,综上所述，本發明係一種無核層多層封裝基板之 衣作方法，可有效改善習用之種種缺點，其結構係具 16 2012/1/〆 有球側平面電性接腳接墊與至少一增層線路。可利用 具有高密度增層線路提供電子元件相連時所需之繞 線。藉此，使用本發明具高密度之增層線路封裝基板 方法所製造之無核層多層封裝基板，係可有效達到改 善超薄核層基板板彎赵問題、及簡化傳統增層線路板 製作流程，進而使本發明之産生能更進步更實用、 更符合使用者之所須，確已符合發明專利申請之要 件，爰依法提出專利申請。 者惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已， 备=能以此限定本發明實施之範圍；故，凡依本發明 申明專利範圍及發明說明書内容所作之簡單的等效變 化與修饰’皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。 1364805 2012/1/^ 【圖式簡單說明】 第1圖，係本發明之製作流程示意圖。 第2圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（一）剖 面示意圖 第3圖，係本發明—實施例之多層封裝基板（二）剖 面示意圖。 第4圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（三）剖 面示意圖。 第5圖’係本發明一實施例之多層封裝基板（四）剖 面示意圖。 第6圖’係本發明一實施例之多層封裝基板（五）别 面示意圖。 第7圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（六）剖 面示意圖。 第8圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（七）剖 ，面示意圖。 第9圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（八）剖 面示意圖。 第1 0圖’係本發明一實施例之多層封裝基板（九） 剖面示意圖。 第1 1圖’係本發明一實施例之多層封裝基板（十） 剖面示意圖。 18 1364805 2012/1〆 第1 2圖’係本發明-實施例之多層封裝基板（十一） 到面示意圖。 第1 3圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（十二） 咅面示意圖。 第1 4圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（十三） 到面示意圖。 第1 5圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（十四.） 到面示意圖。 第1 6圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（十五） 剖面示意圖。 ^ 第1 7圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（十六） -· 剖面示意圖。 - 第1 8圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（十七） 剖面示意圖。 第1 9圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（十八） 則面示意圖。 第2 0圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（十九） 則面示意圖。 第2 1圖，係本發明一實施例之多層封裴基板（二十） 别面示意圖。 第2 2圖，係本發明一實施例之多層封裝基板（二十 一）剖面示意圖。 19 1364805 2012/， 第2 3圖，係習用有核層封裝基板之剖面示意圖。 第2 4圖，係習用實施線路增層（一）剖面示意圖。 第2 5圖，係習用實施線路增層（二）剖面示意圖。 第2 6圖，係習用實施線路增層（三）剖面示意圖。 第2 7圖，係習用實施線路增層（四）剖面示意圖。 第2 8圖，係另一習用有核層封裝基板之剖面示意圖。 第2 9圖，係另一習用之第一線路增層結構剖面示意 圖。 第3 0圖，係另一習用之第二路增層結構剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 (本發明部分） 步驟（A)〜（M) 11〜23 銅核基板3 0 第一、二阻層31、32 第一開口 3 3 蝕刻凹槽3 4 第一電性阻絕層3 5 第一介電層3 6 . 7 第一金屬層3 7 第二開口 3 8 20 1364805 2012/1〆 第二金屬層3 9 第三、四阻層40、41 第三開口 4 2 第一線路層4 3 第二介電層4 4 第四開口 4 5 第一晶種層4 6 第五、六阻層47、48 第五開口 4 9 第三金屬層5 0 第二線路層5 1 第一防焊層5 2 第六開口 5 3 第七、八阻層54、55 第七開口 5 6 第二凹槽5 7 第二電性阻絕層5 8 平面電性連接墊5 9 第一、二阻障層60、6 1 21 1364805 2012/1/^ (習用部分） 第一、二線路增層結構7 a、7 b 第一、二線路增層結構8 a、8 b 核心基板7 0 芯層7 0 1 線路層7 0 2 電鍵導通礼7 0 3 第一介電層7 1 第一開口 7 2 該晶種層7 3 圖案化阻層7 4 第二開口 7 5 第一圖案化線路層76 導電盲孔6 7 第二介電層6 8 : 第二圖案化線路層·6 9 核心基板8 0 樹脂塞孔8 0 1 電鍍通孔8 0 2 第一介電層8 1 22 1364805

2012/lM 一圖案化線路層8 2 二介電層8 3 二圖案化線路層8 4 23

Claims (1)

1364805 2012/1〆 十、申請專利範圍： 1 ·一種無核層多層封裝基板之製作方法，係至少包含 下列步驟： (A)提供一銅核基板； (B )分別於該銅核基板之第一面上形成一第 一阻層’以及於該銅核基板之第二面上形成一完全 覆蓋狀之第二阻層，於其中，該第一阻層上並形成 複數個第一開口，並顯露其下該銅核基板之第一 面； 凹槽； C)於複數個第一開口下方形成複數個第一 (D)移除該第-阻層及該第二阻層； 絕層;(E)於複數個第-凹槽内形成-第-電性阻 絕層上形成—第第-面與該第-電性阻 ，丨電層及-第-金屬層； (G)於該第一金屬 複數個第二開口， 。亥第一介電層上形成 颂路其下之鋼核基板第—面； (Η)於複數個第二 形成一第二金屬層；*口中及該第一金屬層上 24 1.364805 2012/1/0 (I )分別於該第二金屬層上形成一第三阻 層，以及於該銅核基板之第二面上形成一完全覆蓋 狀之第四阻層，於其中，該第三阻層上並形成複數 個第三開口； (J)移除該第三開口下方之第二金屬層及第 一金屬層，並形成一第一線路層； (κ)移除該第三阻層及該第四阻層；至此， 疋成一具有鋼核基板支撐並具電性連接之單層增 層線路基板，並可選擇先直接進行步驟（L·)或步 驟（M); (L )當該單層增層線路基板先進行一置晶側 線路層與球侧平面電性接腳接墊之製作時，係在該 第線路層表面形成一第一防焊層，並且在該第一 防焊層上係形成複數個第四開口，以顯露線路增層 結構作為電性連接墊之部分，接著再分別於該銅^ 基板之第二面上形成一第五阻層，並且在該第五阻 層上係形成複數個第五開口，以及於該第一防焊層 j形成一完全覆蓋狀之第六阻層，之後移除複數個 t五開口下方之銅核基板，以形成複數個第二凹 槽，並再移除該第五阻層與該第六阻層，接著於複 :個第二凹槽中形成一第二電性阻絕層，並顯露出 2面電性連接墊’最後，係分別於複數個第四開口 形成一第一阻障層，以及於該平面電性連接墊上 25 形成一第一阻障層；至此，完成一具有完整圖案化 之置晶側線路層與球側平面電性連接墊，後續再至 該步驟（M)進行增層線路之製作；以及 (M)當該單層增層線路基板先進行一線路增 層結構製作時，係在該第一線路層與該第一介電層 表面形成-第二介電層’並且該第二介電層上係： 成f複數個第六開口，以顯露其下之第一線路層， 接著於該第二介電層與複數個第六開口表面形成 第一晶種層，再分別於該第一晶種層上形成—第 七阻層，以及於該銅核基板之第二面上形成一完全 覆蓋狀之第人阻層，其巾’該第七阻層上係形成有 複數個第七開口，以顯露其下之第一晶種層，之後 於該第七開口中已顯露之第一晶種層上形成一第 三金屬層’最後再移除該第玲層、八阻層及 該第一晶種層，以在該第二介電層上形成一第二線 路層；至此’完成—具有銅核基板支撐並具電性連 接之雙層增層線路基板，並可視需求重覆本步驟辦 加線路增層結構，以形成具更多層之封裝基板，: 後再至該步驟（L)進行置晶側線路層與球側平面 電性接腳接墊之製作。 2 ·依據申請專利範圍第工項所述之無核層多層封裝基 板之製作方法’其t ’該銅核基板係為： 層材料之銅板。 3 "包 26 2012/1/1< •依據中請專利範圍第丄項所述之無核層多層封裝基 板之製作方法，其中，該第—〜人阻層係以貼合、 I7刷或旋轉塗佈所為之乾膜或溼膜之高感光性光 阻。 4依據申π專利範圍第i項所述之無核層多層封裝基 板之製作方法’其中，複數個第一、三四、五及 七開口係以曝光及顯影之方式形成^ 5 ·依據申請專利範圍第1項所述之無核層多層封裝基 板之製作方法，其中，該步驟（c)形成複數個第 -凹槽、該步驟（J)移除該第一、二金屬層、該 步驟（L)形成複數個第二凹槽及該步驟（M)移 除該第一晶種層之方法係可為蝕刻。 據申吻專利範圍第1項所述之無核層多層封裝基 板之製作方法，其中’該第—〜讀層之移除方法 係可為軔離。 據申明專利範圍第1項所述之無核層多層封裝基 板之製作方法’其中，該第一、二電性阻絕層係以 直接壓合或印刷之方式形成。 據申明專利範圍第1項所述之無核層多層封裝基 t製作方法，其中，該第一、二電性阻絕層及該 W電層係可為防焊綠漆、環氧樹脂絕緣膜 27 1364805 2012/l/l·^ (Ajinomoto Build-up Film, ABF )、苯環丁烤 (Benzocyclo-buthene，BCB )、雙馬來亞睡胺-三氣 雜苯樹脂（Bismaleimide Triazine, BT)、環氧樹脂 板（FR4、FR5 ) ' 聚醯亞胺（Polyimide, PI)、聚 四氟乙稀（Poly(tetra-floroethylene)，PTFE )或環氧 樹脂及玻璃纖維所組成之一者。 9 ’依據申請專利範圍第1項所述之無核層多層封裝基 板之製作方法’其中，該步驟（F )係以直接壓合 該第一介電層及該第一金屬層於其上，或係採取貼 合该第一介電層後，再形成該第一金屬層。 0·依據申請專利範圍第1項所述之無核層多層封裝 基板之製作方法，其中，複數個第二、六開口係可 先做開銅窗（CGnfGrmalMaSk)後，再經由雷射鑽 孔之方式形成，亦或係以直接雷射鑽孔（LASER Dlrect)之方式形成。 丄丄 ，牛 j yn I 基板之製作方 蚵裝 一晶種層之刑士 丄 工葡增汉4弟 心成方式係可為無電電鍍與電鍍。 1 2 ·依據申請專利$闲a 基板之製作1項所述之無核層多層封裳 電鍍鎳金、益中，該第一、二阻障層係可為 …、屯鍍鎳金、電鍍銀或電鍍錫中擇其一。 28 1364805 2012/1/1^ 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（1 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 步驟（A)〜（M) 11〜23 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：