TW200921819A - Method of producing multi-layer package substrate having a high thermal dissipation capacity - Google Patents

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200921819 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種高散熱性封裝基板之製作方 法，尤指一種以銅核基板為基礎，開始製作封裝基板 之製作方法’於其中’該封裝基板之結構係包括複數 個球側電性接腳接墊、一厚銅蝕刻線路及至少一增層 線路。 曰 【先前技術】 在-般多層封裝基板之製作上，其製作方式通常 係由一核心基板開始，經過鑽孔、電鍵金屬、塞孔及 雙面線路製料m成—雙㈣構之内層核心 板，之後再經由一線路增層製程完成一多層封裝基 板。如第2 1圖所示’其係為—有核層封裝基板之剖 面示意圖。首先，準備-核心基板6 0，其中，該核 心基板6 〇係由一具預定厚度之芯層6 0 1及形成於 此芯層6 0 1表面之線路層6 〇 2所構成，且該芯層 6 0 1中係形成有複數個f鍍導通孔6 Q 3，可藉以 連接該芯層6 〇 1表面之線路層6 〇 2。 接著如第22圖〜第25圖所示，對該核心基板 6 0實施線路增層製程H係於該核w基板6 0 表面形成一第一介電層6 1 ’且該第-介電層6 1表 面並形成有複數個第—開口 6 2 ’以露出該線路層6 02 ;之後’以無電電錢與電料方式於該第-介電 200921819 層6 1外霖:> φ 63上形成4 =形成—晶種層63，並於該晶種層 中並有複數個第二二:】6 4 ’且其圖案化阻層6 4 化線路之晶種心路出部份欲形成圖案 二開口 65中;=，接著，利用電鑛之方式於該第 導電盲孔67 弟—圖案化線路層66及複數個 7，並使其第一圖案化線路層6 6 過該複數個導雷言：„ e ^ ㈢b侍以透 6 做電與該核"基板6〇之線路層 4與钱刻，样^然後再進行移除該圖案化阻層6 同：:儿成後係形成一第一線路增層結構6a。 :矣’該法係可於該第—線路增層結 :表面再運用相同之方式形成-第二介電層68:一 線路層69之第二線路增層結構6二 法有佈線密度低、層數多及流程複雜等缺點。裝乍方 另外，亦有利用厚銅金屬板當核心材料之方法， 可於經過㈣及塞孔等方式完成―内層核心板後，，再 經由-線路增層製程以完成—多層封裝基板。如第2 6圖—第2811所不’其係為另—有核層封裝基板之 剖面示意圖。首先’準備-核心基板7 0，該核心基 板7 0係由-具駄厚度之金屬層利用飿刻與樹脂塞 孔7 0 1以及鑽孔與電鍍通孔7〇2等方式形成之單 層銅核心基板7 〇 ;之後，利用上述線路增層方式， 於該核心基板7 〇表面形成一第一介電層7丄及一第 一圖案化線路層7 2，藉此構成一具第一線路增層結 200921819 增層上f目同’係可再利用-次線路 此構成-具第-線路^ 圖案化線路層7 4 ’藉 -乐一綠路增層結構7 b 成一多層封褒基板。“，逐步增層方式形 心基板製作不易，且 法不僅其銅核 度低及流裎複雜等缺_ ’具有佈線密 使用者於實際使用時之所需。 肖者係無法付合 【發明内容】 性之==的係在於’使用本發明具高散熱 :土 ，所製造之尚散熱性封裝基板，係 相改善㈣核層基板板題、及簡化傳 統增層線路板製作流程之目的。 專 本發明之次要目的係在於，從一 =始製作之封裝基板。其結構係包括複數個= 電接腳接墊、一厚銅钱刻線路及至少-增層線路 於/其中’電性接腳接塾與厚銅線路係由銅核基板之兩 面’刀職刻而成’且各增層線路與厚銅飾刻線路連接 之方式係以複數個電鍍盲'埋孔所導通。 本發明之另一目的係在於，製作厚銅飯刻線路時 -具選擇性地保留位於置晶位置下方之厚銅，以提供 置曰曰接塾’在該置晶接塾與增層線路上所形成之凹样 結構位置相符下’可使置晶時晶片能與下方金屬接^ 7 200921819 : = 以提供晶片運作時良好之散 有效地增加元件之散熱效果；同時，並^進而 南密度增層線路提供電子元件相連時所需之繞線有之 ，達以上之目的，本發明係—種高散熱 板之製作方法，传弁以氺與與旦， 、褒基 核A拓^ Μ關以式於-鋼 核基板之第-面上形成複數第一凹槽扪 接St並以此第一線路層作為“及:: 電性連接塾。之後於該第-線路層上形成 、盲孔以連接至少一增層線路，並在 之置晶側形成電性接塾，接著再於該銅核基板之^ ::乂相同方式形成複數第二凹槽，以突顯複數接腳之 「部分’最後係填入電性阻絕材料以形成一球側電性 連接塾。其t ’該增層線路上係具有至少―凹槽結構， ，凹槽，構係與厚銅蝕刻線路上之置晶接墊位置相 付’以提供置晶時晶片能與下方金屬接塾直接結合， 增加其散熱效果。 【實施方式】 μ參閱『第1圖』所示，係分別為本發明之製作 机私不意圖。如圖所示：本發明係一種高散熱性封裝 基板之製作方法，其至少包括下列步驟： (A )提供銅核基板1 1 :提供一銅核基板； (B )形成第一、二阻層及複數個第一開口 1 2 : 分別於該銅核基板之第一面上形成一第一阻層，以及 8 200921819 於該銅核基板之第二面 —μ、 μ,' 上形成一元全覆蓋狀之第二阻 ^成㈣並以曝光及顯影之方式在該第—阻層上 面；目弟-開口’以顯露其下該銅核基板之第一 (C) 形成第一凹神 . 3 1 3 .以蝕刻之方式於複數 個弟〜’口下方形成複數個第一凹槽； (D) 移除第一、b 除該第一阻層及令第層14 :以剝離之方式移 銅核基板；以―阻層’形成具有第—線路層之 (E )形成第一電性阻絕層1 . 印刷之方式於複數個第 r15.以直接壓合或 屏，m一 第—凹槽内形成-第-電性阻絕 曰 並·，、員路5亥第一線路層； (F")形成第—介電居月楚.H 第一線路層與該第—電“==屬層16 :於該 電層及-第-金屬層，亦=上直接壓合一第-介 層後，再形成該第—金屬^=取貼合該第-介電 Μ楚人β 屬層’於其中’該第一介電層 係形成有複數個定義置晶位置之中空 凹槽’亚顯露該第一線路層之金屬接塾； 方式於4 數個第二開口17:以雷射鑽孔之 η:，與該第-介電層上形成複數個第 一開口，並顯露其下之笛一 巾 二開口係可先做開線路層’其中，複數個第 由+鼾禮了丨® (Conf〇rmal Mask)後，再經 射鑽孔之方式形成，亦或係以直接雷射鑽孔 (LASERDirect)之方式形成；置接田射鑽孔 9 200921819 (Η)形成第三阻層丄8 :於該銅核基板之第二 面上形成一第三阻層； )九成第二金屬層19:以無電電鑛與電錄 ♦哲气於複數個第二開口中及複數個中空凹槽所顯露 苐一線路層上形成一第二金屬層； 第三移除第三阻層2Q ♦•以剝離之方式移除該 八（κ)形成第四、五阻層及複數個第三開口 2工： 該第二金屬層上形成-第四阻層，以及於該銅 ^二反之第二面上形成一完全覆蓋狀之第五阻層，於 數個第二二曝光及顯影之方式在該第四阻層上形成複 數個第二開口’以顯露其下之第二金屬層； ^移除顯露第―、二金屬層2 2 :以姓刻之 万式移除該第三閱 層； —]下方之第二金屬層及第一金屬 3 . 成具有銅核基板支撐之雙層線路基板2 =以_之方式移除該第四阻層及該第五阻層，並 形成一弟二線路層。至此，士 之雙凡成一具有銅核基板支撐 又層線路基板’並可直接進行步驟（N);以及 進行置晶側線路層與球側電性接腳接塾之 •^乍2 4 .於該雙層線路基板上進行— 與球側電性接腳接塾之製作㈤側線路層 思圭 ?於其中，在該第二線跋 曰表面形成一第一防焊層’並以曝 該第一 P大卜曰a ，.’、員，iV之方式在 曰上形成複數個第四開口，以顯露線路增 10 200921819 層結構作為電性連接墊之部分，接著再分別於該第一 ==成rt覆蓋狀之第六阻層，以及於該銅 只土、 上幵/成一第七阻層，並且在該第七阻 層上以曝光及顯影之方式形成複數個第五開口，以 露其了該銅核基板之第二面。之後以蝕刻之方式於複 數個第五開口上形成複數個第二凹槽，並顯露複數個 第五開口下方之第一電性阻絕層或第一線路層，接著 再以剝離之方式移除該第六阻層及該第七阻層，以步 成複數個柱狀接腳，之後並於複數個第二凹槽内以直 接壓0或印刷之方式形成一第二電性阻絕層，以顯露 球側複數個電性接腳接墊，最後，分別於複數個第四 開口上形成-第—阻障層，以及於複數個電性接腳接 墊上形成-第二阻障層。至此，完成一具有完整圖案 化之置晶侧線路層與球側複數電性接腳接墊之封裝美 板，其中，該第一防焊層係以印刷、旋轉塗佈或噴$ 所為之高感光性液態光阻；該第一、二阻障層係可為 電鍍鎳金、無電鍍鎳金、電鍍銀或電鍍錫中擇其一。 —於其中，上述該第—七阻層係以貼合、印刷或 旋轉塗佈所為之乾膜或溼膜之高感光性光阻；該第 一電性阻絕層及該第一介電層係可為防焊綠漆、 裱氧樹脂絕緣膜（Ajinom〇t〇 Build-up Film, ABF)、苯 環丁烯（Benzocydo_buthene，BCB)、雙馬來亞醯胺_ 二氮雜苯樹脂（Bismaleimide Triazine, BT)、環氧樹脂 板（FR4、FR5 )、聚醯亞胺（p〇iyimide，pi )、聚四氟 200921819 乙烯（Poly(tetra-floroethylene)，PTFE)或環氧樹脂及 玻璃纖維所組成之一者。 層3 1上形成複數個第一開口 請參閱『第2圖〜第1 4圖』所示，係分別為本 發明一實施例之封裝基板（一）剖面剖面示意圖、本 發明一實施例之封裝基板（二）剖面示意圖、本發明 一實施例之封裝基板（三）剖面示意圖、本發明一實 施例之封裝基板（四）剖面示意圖、本發明一實施例 之封裝基板（五）剖面示意圖、本發明一實施例之封 裝基板（六）剖面示意圖、本發明一實施例之封裝基 板（七）剖面示意圖、本發明一實施例之封裝基板（八） 剖面示意圖、本發明一實施例之封裝基板（九）剖面 示意圖、本發明一實施例之封裝基板（十）剖面示意 圖、本發明一貫施例之封裝基板（—)剖面示意圖' 本發明一實施例之封裝基板（十二）剖面示意圖及本 發明一實施例之封裝基板（十三）剖面示意圖。如圖 所示：本發明於-較佳實施例中，係先提供—銅核基 板3 0a，並分別於該銅核基板3 〇a之第一面上貼合 -高感光性高分子材料之第—阻層3 1，以及於該二 核基板3 0a t第二面上貼合一高感光性高分子材料 之：二阻層3 2，並以曝光及顯影之方式在該第一阻 ’以顯露其下該銅 核基板3 〇a之第一面，而豆第— 7，、乐―面上之第二阻 2則為完全覆蓋狀。接菩& ^ % 曰 筏者以蝕刻之方式製作一 槽3 4，並移除該第一、二阻層， ^以形成具有第一線 12 200921819 路層之銅核基板3 0b，隨後， 3 5於該第一凹槽3 4中，、 —第—電性阻絕層 其中，該銅核基板3 〇 a、3 〇’b露出該第一線路層， 料之厚銅板；該第—、二阻層b係為—不含介電層材 阻層，·該第一電性阻絕声 e 3 1、3 2係為乾膜光 接著，於該“=綠漆。 上塵合-第-介電層36及：；第=性阻絕層35 該第一介電層36及該第一金屬声=層37，其令 成形出複數個預作為定義 J已事先以銑刀 其散熱效果。之後再以接塾，藉以增加 第—介電層36上形成複數個第二開口3 二=並於該銅核基板3〇b之第二面上貼合一高 =性南分子材料之第三阻層4 0，並以無電電錢與 =鏟之方式於複數個第二開口 3 9及複數個中空凹槽 8下方之第一線路層表面形成一第二金屬層‘丄， 之後移除該第三阻層，其中，該第―、二金屬層3 7、 4 1皆為銅’且該第二金屬層4工係作為與該第一線 路層之電性連接用。 一接著，分別於該第二金屬層4丄上貼合一高感光 性问分子材料之第四阻層4 2，以及於該銅核基板3 〇 b之第—面上貼合一高感光性高分子材料之第五阻 層4 3 ’並曝光及顯影之方式於該第四阻層4 2上形 成複數個第三開口 4 4，以顯露其下之第二金屬層4 13 200921819 1。最後係以蝕刻之方式移除該第三開口 4 4下之第 一、二金屬層，並再移除該第四、五阻層，以形成一 第二線路層4 5。至此，完成一具有該銅核基板支撐 之雙層線路基板3。 請參閱『第1 5圖〜第2 0圖』所示，係分別為 本發明一實施例之封裝基板（十四）剖面示意圖、本 發明一實施例之封裝基板（十五）剖面示意^、本發 明一實施例之封裝基板（十六）剖面示意圖、本發明 一實施例之封裝基板（十七）剖面示意圖、本發明一 實施例之封裝基板（十八）剖面示意圖及本發^一實 把例之封裝基板（十九）剖面示意圖。如圖所示：在 本發明較佳實施例中，係接著進行置晶側線路層與球 側電性接腳接墊之製作。首先於該第二線路層4 5表 面塗覆一層絕緣保護用之第一防焊層4 6，並以曝光 及顯影之方式於該第-防焊層4 6上形成複數個第四 一 4 了，以顯露線路增層結構作為電性連接塾。接 著分別於該第-防焊層4 6上貼合一高感光性高分子 材料之第六阻層4 8，以及於該銅核基板3 〇b之第 二面上貼合一高感光性高分子材料之第七阻層49， 並以曝光及顯影之方式在該第七阻層4 個第五開口50,以顯露其下該銅核基板3〇b= 广而該第-防焊層4 6則以該第六阻層4 8完全 覆盍。之後係以蝕刻之方式製作一第二凹槽5 1，並 移除該第六、七阻層，以形成具複數個柱狀接腳之銅 14 200921819 核基板3 0 c，然後係印刷一第二電性阻絕層$ 2於該 第二凹槽5 1中，以顯露出複數個電性接腳接墊5 3，最後，分別於複數個第四開口 47上形成一第— 阻P早層5 4，以及於複數個電性接腳接墊5 3上形成 -第二阻障層55。至此，完成—具高散熱性之封裝 基板5，其中，該第二電性阻絕層5 2係為防焊綠漆； "玄第一、一阻障層5 4、5 5皆為鎳金層。 ,由上述可知，本發明係從銅核基板為基礎，開始 製作之封裝基板，其結構係包括複數個球側電性接腳 接墊、一厚銅蝕刻線路及至少一增層線路。於並中， 電性接腳接墊與厚銅線路係由鐘基板之兩面^別钱 刻而成，且各增層線路與厚銅蝕刻線路連接之方式係 以複數個電鍍盲、埋孔所導通。因此，本發明封裝基 板之特色係在於’製作厚銅餘刻線路時能具選擇性地 :留位於置晶位置下方之厚銅’以提供置晶接墊，同 槽：於，增層線路上形成至少-凹槽結構，且該凹 二亚/、厚銅敍刻線路上之置晶接塾位置相符，可 曰^置晶時晶片能與下方金屬接塾直接結合，以提供 L文^作時良好之散熱結構’進而有效增加元件之散 子ί件^且’其具有之高密度增層線路更可提供電 熱二=繞線。藉此’使用本發明具高散 係可有所製造之高散熱性封裝基板， 傳統Μ=改善超薄核層基板板f勉問題、及簡化 允曰層線路板製作流程之目的。 15 200921819 綜上所述，本發明係—種高散熱性封裝基板之製 作方法’可有效改善習用之種種缺點，利用於厚銅姓 刻線路時所選擇性地保留位於置晶位置下方之厚銅， 以及增層線路上所形成之中空凹槽，可使晶片能與下 方金屬接墊直接結合，有效地提供元件散熱之所需， 同時並可以其高密度增層線路提供電子元件相連時所 需之繞線，因此可有效改善超薄核層基板板·彎翹問題 及簡化傳、统增層、線路板製作流程之目#，進而使本發 ^産步1實用 '更符合使用者之所須，X 罐已符合發明專利中請之要件’妥依法提出專利申請。 惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已， 當不能以此限定本發明實施之範圍；《，凡依本 申請專利範圍及發明說明書内容所作之簡單的等^變 化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。 16 200921819 【圖式簡單說明】 第1圖，係本發明之製作流程示意圖。 第2圖，係本發明一實施例之封裝基板（一）剖面示 意圖。 第3圖，係本發明一實施例之封裝基板（二）剖面示 意圖。 第4圖，係本發明一實施例之封裝基板（三）剖面示 意圖。 第5圖，係本發明一實施例之封裝基板（四）剖面示 意圖。 第6圖，係本發明一實施例之封裝基板（五）剖面示 意圖。 第7圖，係本發明一實施例之封裝基板（六）剖面示 意圖。 第8圖，係本發明一實施例之封裝基板（七）剖面示 意圖。 第9圖’係本發明一實施例之封裝基板（八）剖面示 意圖。 第1 〇圖，係本發明一實施例之封裝基板（九）剖面 示意圖。 17 200921819 第1 1圖，係本發明一實施例之封裝基板（十）剖面 示意圖。 第1 2圖，係本發明一實施例之封裝基板（十一）剖 面示意圖。 第1 3圖，係本發明一實施例之封裝基板（十二）剖 面示意圖。 第1 4圖，係本發明一實施例之封裝基板（十三）剖 面示意圖。 第1 5圖，係本發明一實施例之封裝基板（十四）剖 面示意圖。 第1 6圖，係本發明一實施例之封裝基板（十五）剖 面示意圖。 第1 7圖，係本發明一實施例之封裝基板（十六）剖 面示意圖。 第1 8圖，係本發明一實施例之封裝基板（十七）剖 面示意圖。 第1 9圖，係本發明一實施例之封裝基板（十八）剖 面示意圖。 第2 0圖，係本發明一實施例之封裝基板（十九）剖 面示意圖。 18 200921819 第21圖，係習用有核層封裝基板之剖面示意圖。 第22圖，係習用實施線路增層（一）剖面示意圖。 第23圖，係習用實施線路增層（二）剖面示意圖。 第24圖’係習用實施線路增層（三）剖面示意圖。 第2 5圖’係習用實施線路增層（四）剖面示意圖。 第2 6圖，係另-習用有核層封裝基板之剖面示意圖 〇 第2 7圖，係另一習用之第一線路增層結構剖面示意 圖。 第2 8圖，係另一習用之第二路增層結構剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 (本發明部分） 步驟（A)〜（N) 11〜24 雙層線路基板3 封裝基板5 銅核基板3 0 a 具第一線路層之銅核基板3 〇 b 具柱狀接腳之銅核基板3 0 c 第一、二阻層3 1、3 2 第一開口 3 3 19 200921819 第一凹槽3 4 第一電性阻絕層3 5 第一介電層3 6 第一金屬層3 7 中空凹槽3 8 第二開口 3 9 第三阻層4 0 第二金屬層4 1 第四、五阻層42、43 第三開口 4 4 第二線路層4 5 第一防焊層4 6 第四開口 4 7 第六、七阻層48、49 第五開口 5 0 第二凹槽5 1 第二電性阻絕層5 2 電性接腳接墊5 3 第一、二阻障層54、55 (習用部分） 20 200921819 第一、二線路增層結構6 a、6 第一、二線路增層結構7 a、7 核心基板6 0 芯層6 0 1 線路層6 0 2 電鍍導通孔6 0 3 第一介電層6 1 第一開口 6 2 該晶種層6 3 圖案化阻層6 4 第二開口 6 5 第一圖案化線路層6 6 導電盲孔6 7 第二介電層6 8 第二圖案化線路層6 9 核心基板7 0 樹脂塞孔7 0 1 電鍍通孔7 0 2 第一介電層7 1 第一圖案化線路層7 2 200921819 第二介電層7 3 第二圖案化線路層7 4 22

Claims (1)

1. 200921819 十、申請專利範圍： 1 · 一種南散熱性封裝基板之製作方法，係至少包含下 列步驟： (A)提供一銅核基板； (B )分別於該銅核基板之第一面上形成一第一 阻層，以及於該銅核基板之第二面上形成一完全覆 蓋狀之第二阻層，於其中，該第一阻層上並形成複 數個第一開口’並顯露其下該銅核基板之第一面； (C)於複數個第一開口下方形成複數個第一凹 槽； (D )移除該第一阻層及該第二阻層，並形成具 有第一線路層之銅核基板； (E)於複數個第一凹槽内形成一第一電性阻絕 層’並顯露該第一線路層； (F )於該第-線路層與該第—電性阻絕層上妒 成-第-介電層及-第一金屬層，於其中，該第二 介電層及該第-金屬㈣形成有複數個定義置晶位 置之中空凹槽，並顯露該第—線路層之金屬接塾; (G)㈣第-金屬層與該第—介電層上形成複 數個第二開口’並顯露其下之第一線路層； 阻層； (Η )於戎銅核基板之第二面上形成一第 23 200921819 (ϊ )於複數個第二開口中及複數個中空凹槽所 顯露之第一線路層上形成一第二金屬層； (J )移除該第三阻層； (κ)为別於s亥第一金屬層上形成一第四阻層， 以及於該銅核基板之第二面上形成一完全覆蓋狀之 第五阻層，於其中，該第四阻層上並形成複數個第 三開口，並顯露其下之第二金屬層； (L)移除該第三開口下方之第二金屬層及第一 金屬層； # (M)移除該第四阻層及該第五阻層，並形成一 第二線路層。至此，完成—具有銅核基板支撑之雙 層線路基板，並直接進行步驟（N);以及 )於該雙層線路基板上進行-置晶側線路層 路：側電性接腳接塾之製作，於其中，在該第二‘ =面形成一第一防焊層，並且在該第一防谭層 為；=複數個第四開口’以顯露線路增層結構作 =連Ϊ塾之部分’接著再分別於該第-防焊層 板全覆蓋狀之第六阻層’以及於該銅核基 上係形成複數個第五門〇 亚且在泫弟七阻層 之第-ί x顯露其下該銅核基板 4; ,ΓΓ複數個第五開口上形成複數個第 槽，並顯露複數個第五開口下方之第-電性阻 24 200921819 絕層或第一線路層，接著再移除該第六阻層及該第 七阻層，以形成複數個柱狀接腳，之後並於複數個 第二凹槽内形成一第二電性阻絕層’以顯露球側複 數個電性接腳接墊，最後，分別於複數個第四開口 上形成一第一阻障層，以及於複數個電性接腳接墊 上形成一第二阻障層。至此，完成一封裝基板。 2 .依據申請專利範圍第i項所述之高散熱性封裝基板 之製作方法，其中，該銅核基板係為—不含介電層 材料之銅板。 3 ·依據申請專利職第1：^所述之高散熱性封裝基板 之製作方法，其中，該第一〜七阻層係以貼合、印 刷或旋轉塗佈所為之乾膜或澄臈之高感光性光阻。 4 專利範圍第i項所述之高散熱性封裝基板 -作方法’其中，複數個第一、三、四及五開口 系以曝光及顯影之方式形成。 利Ϊ圍第1項所述之高散熱性封裝基板 凹样，其中’該步驟（C)形成複數個第-:二;步驟（L)移除該第-、二金屬層、及步 (N)形成複數個第二凹槽之方法係可為钱刻： =述之高散熱性封裝基板 可為剝離。 七阻層之移除方法係 25 200921819 7·依據申請專利範圍第1項所述之高散熱性封裝基板 之製作方法，其中，該第一、二電性阻絕層係以直 接壓合或印刷之方式形成。 8 ·依據申請專利範圍第1項所述之高散熱性封裝基板 之製作方法，其中’該第一、二電性阻絕層及該第 一介電層係可為防焊綠漆、環氧樹脂絕緣膜 (Ajinomoto Build-up Film, ABF )、笨環丁烯 (Benzocyclo-buthene，BCB )、雙馬來亞醯胺 _三 ι 雜苯樹脂（BismaleimideTriazine，BT)、環氧樹脂 板（FR4、FR5 )、聚醯亞胺（p〇iyimide，pi )、聚 四氟乙烯（P〇ly(tetra_fl〇r〇ethylene)，PTFE)或環氧 樹脂及玻璃纖維所組成之一者。 依據申請專㈣圍第1項所述之高散熱性封裝基板 :製作方法’其中’該步驟（F)係以直接壓合該 第一介電層及該第-金屬層於其上，或係採取貼合 該第一介電層後，再形成該第一金屬層。 σ 0.依據申請專利範圍第1項所述之高散熱性封裝基 作方ΐ ’其中，該第—介電層及該第-金屬 曰π具有複數個中空凹槽結構之材料。 專利範圍第10項所述之高散熱性封裝 i方=:法’其中’複數個中空凹槽結構之形 式係可為沖壓、雷射或銑刀成形。 26 200921819 2依據申料利la圍第1項所述之高散熱性封裝基 板之衣作方法’其中’複數個第二開口係可先做開 銅窗（Confo刪i Mask) |，再經由雷射鐵孔之方 式形成，亦或係以直接雷射鑽孔（^㈣此⑽） 之方式形成。 i 3 .依據申請專利範圍 板之製作方法，其中 可為無電電鍍與電鍍 第1項所述之高散熱性封裝基 ，該第二金屬層之形成方式係 〇 板第二所述之高散熱性封裝基 轉塗佈或喷塗所為之高感光：f旋 板第3所述之高散熱性封裝基 27