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TWI341935B - Patterning substrates employing multiple chucks - Google Patents

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TWI341935B
TWI341935B TW096102304A TW96102304A TWI341935B TW I341935 B TWI341935 B TW I341935B TW 096102304 A TW096102304 A TW 096102304A TW 96102304 A TW96102304 A TW 96102304A TW I341935 B TWI341935 B TW I341935B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
holder
mold
substrate holder
nanoimprint
Prior art date
Application number
TW096102304A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200734706A (en
Inventor
Byung-Jin Choi
Sidlgata V Sreenivasan
Original Assignee
Molecular Imprints Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/565,350 external-priority patent/US7670529B2/en
Application filed by Molecular Imprints Inc filed Critical Molecular Imprints Inc
Publication of TW200734706A publication Critical patent/TW200734706A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI341935B publication Critical patent/TWI341935B/zh

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

1341935 九、發明說明: 【發明所屬之^技撕^領域】 發明領域 相關申請案的交互參照 5 本申請案請求2006年1月20曰提出申請的美國臨時專 利申請案第 60/760,738 號,名稱為 ’’Apparatus for and Methods for Nano-Imprinting with Multi-Substrate Chucks”、2006年9月27日提出申請的美國臨時專利申請案 第 60/827,125 號,名稱為”Apparatus and Method for 10 Nano-Imprinting with Multi-Substrate Chucks”、2006年4月 3 曰提出申請的美國臨時專利申請案第60/788,808號,名稱 為 ” Residual Layer Thickness Measurement and Correction”,之優先權;並且是2006年li月30曰提出申請、 名稱為’’Method and System for Double-Sided Patterning of 15 Substrates”的美國專利申請案第11/565,350號的部分連續申 請案的部分,該美國專利申請案第11/565,350號請求2005 年12月8日提出申請的美國臨時專利申請案第60/748,430號 的優先權’名稱為”Apparatus For and Methods For Imprinting, Aligning and Separation for Double Side 20 Imprinting”,其等全部内容業以參照方式併入本文。 發明背景 奈米製造包括非常小槊結構的製造,例如具有奈米或 更小等級特徵的。奈米製造具有相當大影響的一個領域是 5 -1341935 在積體電路的加工中。當半導體加工產業持續努力擴大產 量同時增加形成於基材上的單元面積線路時’奈米製造逐 漸變得重要。奈米製造提供較重大製程控制,同時容許所 形成結構的最小特徵尺寸進一步減小。其他採用奈米製造 5 的發展領域包括生物技術、光學技術、機械系統及類似領 域。 通常稱一例示性奈米製造技術為壓印微影技術。在很 多公開文獻中詳述了例示性的壓印微影製程’例如申請為 美國專利申請案第10/264,960號、名稱為’’Method and a 10 Mold to Arrange Features on a Substrate to Replicate Features having Minimal Dimensional Variability”之美國專 利申請案公開文獻第2004/0065976號;申請為美國專利申 請案第 10/264,926號、名稱為’’Method of Forming a Layer on a Substrate to Facilitate Fabrication of Metrology Standards'5 15 之美國專利申請案公開文獻第2004/0065252號;以及美國 專利案第 6,936,194 號、名稱為”Functional Patterning Material for Imprint Lithography Processes”,其等全部轉讓 給本發明的受讓人。 揭示於前述美國專利申請案公開文獻和美國專利案裏 20 的壓印微影技術包括,在可聚合層内形成凸紋圖案和將對 應該凸紋圖案的圖案轉移進下層基材内。該基材可定位於 運動平臺上以獲得所希望位置,從而便利將基材圖案化。 為達此目的,使用模板,以用該模板和該基材之間存在的 可成形液體,與該基材隔離開。將該液體固化以形成其内 6 1341935 % ' 5 • 記錄了圖案的固化層,該圖案與該模板接觸該液體的表面 形狀一致。然後,將該模板與該固化層分離,使得該模板 和該基材分離開。然後,該基材和該固化層經受製程,以 將對應該固化層内的圖案之凸紋圖像轉移進該基材内。 【發明内容】 發明概要 一種在奈米壓印微影系統内圖案化第一基材和第二基 材之方法,該方法包含:將該第一基材定位於一第一基材 夾具上;將一奈米壓印材料定位於該第一基材上;在該第 10 一基材和一奈米壓印模子組件之間獲得一空間關係,並用 該奈米壓印模子組件在該第一基材上的該奈米壓印材料中 壓印一圖案,並同時地將該第二基材定位於一第二基材夾 具上;將該奈米壓印模子組件與該第一基材上的該奈米壓 印材料分離;將一奈米壓印材料定位於該第二基材上;從 15 • 該第一基材夾具移除該第一基材,並同時地在該第二基材 和該奈米壓印模子組件之間獲得一空間關係,並用該奈米 壓印模子組件在該第二基材上的該奈米壓印材料中壓印一 圖案;將該奈米壓印模子組件與該第二基材上的該奈米壓 印材料分離;以及且該第一基材和該第二基材經受實質相 20 同的製程條件。 圖式簡單說明 第1圖是依據習知技藝,將模子分離開基材之微影系統 的簡化側視圖; 第2圖是操作第1圖所示基材之機器人的自頂向下所視 7 1341935 的圖式, 第3圖是顯示圖案化第1圖所示基材之方法的流程圖; 第4圖是將模子和分別定位於第一基材和第二基材夾 具上之第一基材和第二基材分離開的微影系統的簡化側視 5 圖; 第5圖是顯示圖案化第4圖所示的第一基材和第二基材 之方法的流程圖; 第6圖是第4圖所示之微影系統,在機器人將該第一基 材定位於該第一基材夾具上之情況下的簡化側視圖; 10 第7圖是第6圖所示之微影系統,在該第一基材將材料 定位於其上之情況下的簡化側視圖; 第8圖是第7圖所示之微影系統,在該模子接觸定位於 該第一基材上的該材料和該機器人將該第二基材定位於該 第二基材夾具上之情況下的簡化側視圖; 15 第9圖是第8圖所示之微影系統,在該模子和位於該第 一基材上之該材料分離之情況下的簡化側視圖; 第10圖是第9圖所示之微影系統,在該第二基材將材料 定位於其上之情況下的簡化側視圖; 第11圖是第10圖所示之微影系統,在該模子接觸定位 20 於該第二基材上的該材料和該機器人從該第一基材夾具移 除該第一基材之情況下的簡化側視圖; 第12圖是第11圖所示之微影系統,在該模子和位於該 第二基材上的該材料分離且第三基材定位於該第一基材夾 具上之情況下的簡化側視圖; 8 1341935 第13圖是第12圖所示之微影系統,在該第三基材將材 料定位於其上之情況下的簡化側視圖; 第14圖是第13圖所示之微影系統,在該模子接觸定位 於該第三基材上的該材料和該機器人從該第二基材夾具移 5 除該第二基材之情況下的簡化側視圖; 第15圖是顯示圖案化第4圖所示的第一基材和第二基 材之第一側面和第二側面之方法的流程圖; 第16圖是第10圖所示之微影系統,在該模子接觸定位 於該第二基材上的該材料和該機器人相對該模子翻轉該第 10 一基材之情況下的簡化側視圖; 第17圖是第16圖所示之微影系統,在該模子和位於該 第二基材上的該材料分離且該第一基材定位於位於第二位 置的該第一基材上之情況下的簡化側視圖; 第18圖是第17圖所示之微影系統,在該第一基材將材 15 料定位於其上之情況下的簡化側視圖; 第19圖是第18圖所示之微影系統,在該模子接觸定位 於該第一基材上的該材料和該機器人相對該模子翻轉該第 二基材之情況下的簡化側視圖; 第20圖是第19圖所示之微影系統,在該模子和位於該 20 第一基材上的該材料分離且該第二基材定位於位於第二位 置的該第二基材上之情況下的簡化側視圖; 第21圖是第20圖所示之微影系統,在該第二基材將材 料定位於其上之情況下的簡化側視圖; 第22圖是第21圖所示之微影系統,在該模子接觸定位 9 4341935 於該第二基材上的該材料和該機器人從該第一基材夾具移 除該第一基材之情況下的簡化側視圖; 第23圖是第22圖所示之微影系統,在該模子和位於該 第二基材上的該材料分離且第三基材定位於該第一基材夾 5 具上之情況下的簡化側視圖; 第24圖是第23圖所示之微影系統,在該第三基材將材 料定位於其上之情況下的簡化側視圖; 第25圖是第24圖所示之微影系統,在該模子接觸定位 於該第三基材上的該材料和該機器人從該第二基材夾具移 10 除該第二基材之情況下的簡化側視圖; 第26圖是第4圖所示之微影系統之簡化的自頂向下所 視的圖式,且該微影系統具有各自包含第一基材夾具和第 二基材夾具之第一模組和第二模組,且該等第一基材被圖 案化; 15 第27圖是第4圖所示之微影系統之簡化的自頂向下所 視的圖式,且該微影系統具有各自包含第一基材夾具和第 二基材夾具之第一模組和第二模組,且該等第二基材被圖 案化; 第28圖是將基材定位於其上之基材夾具的簡化側視 20 圖; 第29圖是第4圖所示之基材的部分的分解圖;以及 第30圖是第4圖所示之基材夾具的部分的分解圖。 【爽 3 較佳實施例之詳細說明 10 1341935 '參看第1圖,顯示在第一基材12a上形成凸紋圖案之系 統10。第一基材12a可耦接第一基材夾具Ma。第一基材夹 具14a可為任何夾具,包括但不限於此,真空的、銷型的、 溝槽型的、或電磁的’如名稱為’’High-Precision Orientation 5 Alignment and Gap Control Stages for Imprint Lithography Processes”的美國專利案第6,873,087號裏所述之,其全部内 容亦以參照方式併入本文。第一基材夾具14a可包含面對第 一基材12a之腔室16a。第一基材12a和第一基材夾具14a可 在第一平臺18和第二平臺20上受到支撐,且第一平臺18定 10 位於第一基材夾具14a和第二平臺20之間。進言之,第一平 臺18和第二平臺20可定位於基座22上。第一平臺18可提供 環繞第一軸線之運動,而第二平臺20可提供環繞第二軸線 之運動’該第二轴線與該第一袖線正交,即,第一袖線和 第二軸線是X轴和y軸。本發明裏的例示性平臺可在加利福 尼亞州Irvine的Newport公司的零部件編號XM200L350和 XM200S50中獲得。第一基材12a可進而包含通道24a。但 是,在另一實施例中,第一基材12a可實質沒有通道24a。 和第一基材12a隔開的是模板26,模板26具有自模板26 延伸往第一基材12a且其上具有圖案化表面3〇的凸台28。凸 20 台28也可稱作模子28。凸台28也可稱作奈米壓印模子28。 在另一實施例中’模板26可實質沒有模子28。模板26及/或 模子28可用如下材料形成’包括但不局限於此,熔融矽、 石英、石夕、有機聚合物、碎氧炫聚合物、硼石夕酸鹽玻璃、 氟碳聚合物、金屬以及硬化的藍寶石。如圖示,圖案化表 11 4341935 面30包含由多個隔開的凹槽32和凸出34所界定的特徵。但 是,在又一實施例中,圖案化表面3〇可為實質光滑的及/或 平面的。圖案化表面30可界定形成為圖案基礎的原始圖案 以形成於第一基材12a上,下面進一步描述。模板26可耦接 5 到模板夾具36,模板夾具36可為任何夾具,包括但不局限 於此,真空的、銷型的、槽型的或電磁的,如名稱 為’’High-Precision Orientation Alignment and Gap Control
Stages fo Imprint Lithography Processes” 的美國專利案第 6,873,087號所述之。進言之,模板夾具36可耦接到壓印頭 10 38以便利模板26和模子28的運動。舉例而言,壓印頭38可 為由三音圈致動器(未圖示)或其他線性致動器(未圖示)所 控制的三個自由度(兩個傾斜運動和一個平移運動)的平臺。 系統10進而包含第一流體分配器4〇a。第一流體分配器 40a可和第一基材12a流體連通,以將聚合材料42a定位於其 15 上,下面進一步描述。如圖示,第一流體分配器40a耦接到 模板夾具36,但疋,在另一貫施例中,第一流體分配器 可耦接到系統1〇的任一部件,即,模板26或壓印頭38。進 言之,系統10可包含任何數量的流體分配器,且第一流體 分配器4 0 a可在其内包含多個》配單元。本發明中的例示性 20 流體分配器可從位於聯合王國劍橋的Xaar公司的零部件名 稱Leopard中購得。 聚合材料42a可利用任何習知技術定位於第—基材12& 上,例如滴注分配、旋塗、無塗、薄膜沉積、厚膜沉積及 類似技術。如圖示,聚合材料42&可作為多個隔開的滴劑4如 12 1341935 疋位於第一基材12a上。在不例中’滴劑44a的各滴劑可具 有大約6皮升的單元容積。典型地,在模子28和第一基材12a 之間界定所需容積之前,聚合材料42a可定位於第一基材 12a上,後文進一步描述。但是,聚合材料42a可在獲得所 5 需容積之後填充該容積。 系統10進而包含能48的能源46,以沿路徑50導引能 48。壓印頭38與第一平臺18和第二平臺20被配置成,分別 佈置模子28和第一基材12a在路徑50内疊印和被處理,後文 進一步描述。抑或壓印頭38、第一平臺18和第二平臺2〇, 10 或者上述之組合,可改變模子28和第一基材12a之間的距離 以界定其等之間的所需容積’該容積由聚合材料42a填充。 在示例中,能源46可為He燈或He/Xe燈或以可發射3〇〇到38〇 nm範圍内的UV的光源為基礎的LED。 參看第1圖和第2圖,系統10進而包含用於將第—基材 15 l2a定位於第一基材失具i4a上和從第一基材失具14a移除 第一基材12a的機器人52。機器人52可為該領域内所習知的 任何操縱機器人》在示例中,機器人52包含耦接到驅動裝 置56的臂件54。臂件54進而具有耦捿到臂件弘的端部受動 益58,以操縱第一基材12a。在示例中,端部受動器%可為 20 抓握邊緣式或薄型氣腔式夾具以保持基材12a,而不會接觸 将聚合材料42a定位于其上的第__基材i2a的區域,即第— 基材12a的主動區域。驅動裝置56可延伸或收縮臂件54、在 圓内水準地移動臂件54、或提供臂件Μ所需的任何運動。 驅動裝置56也可提供環繞上述的第_轴線和第二轴線的運 13 1341935 動。驅動裝置56也可環繞其袖線--即環繞接合處59~~~___ 轉動。臂件54也可環繞軸線55轉動以將第一基材12a相對模 子28翻轉180。,後文進一步描述。進言之,臂件54可環繞 接合處57轉動。再則’機器人52可在第一基材夾具14a和基 5 材盒(未圖示)之間運送第一基材12a。該基材盒(未圖示)可 在其内包含多個基材。 參看第1圖,系統10可由處理器58調節,處理器58與第 一平臺18和第二平臺20、壓印頭38、第一流體分配器40a、 能源46以及機器人52資料連通,依據存儲於記憶體6〇内的 10 電腦可讀取程式進行操作。 參看第i圖和第3圖,顯示依據習知技藝之用於處理第 一基材12a的製程流程。在步驟70,第一基材12a可定位於 第一基材夾具14a上。更詳細地,第一平臺18和第二平臺20 可將第一基材失具14a與機器人52成所需空間關係地進行 15 定位,使得機器人52可將第一基材12a定位於第一基材夾具 14a上。機器人52可從基材盒(未圖示)轉移第一基材12a並將 第一基材12a定位於第一基材夾具i4a上。在步驟72,第一 平臺18和第二平臺20可平移第一基材12a,使得可在第一基 材12a和第一流體分配器4〇a之間獲得所需位置。結果,第 20 一流體分配器40a可將聚合材料42a定位於第一基材12a 上’如前所提及之。聚合材料42a可係奈米壓印材料。 在步驟74’可在第一基材12a和模子28之間獲得所需空 間關係。更詳細地,第一平臺18和第二平臺20及壓印頭38 可定位第一基材夾具14a,使得第一基材12a可和模子28疊 14 1341935
印,並進而聚合材料42a填充第一基材12a和模子28之間的 所需容積。為便利填充凹槽32,在模子28和滴劑44a之間接 觸之前,模子28和滴劑44a之間的大氣可係氦飽和的、或被 完全抽空或部分地抽出氦氣。進言之,在步驟74,在所需 容積填充了聚合材料42a之後,能源46可產生能48,例如寬 頻帶的紫外線輻射,其引發第一聚合材料42a依照第一基材 12a的形狀和模子28的圖案化表面30進行固化及/或交聯。 在步驟76,模子28可與定位於第一基材na上的聚合材 料42a分離。在步驟78,第一基材12a可從第一基材夾具14a 卸下。更詳細地,第一平臺18和第二平臺20可將第一基材 12a與機器人52成所需空間關係地進行定位,使得機器人52 可從第一基材夾具14a移除第一基材I2a,並將第一基材12a 定位於該基材盒(未圖示)内。 為達此目的,在示例中,用於圖案化第—基材na的前 述製裎可具有每個基材三十四(34)秒的總製程時間。更詳細 地,在表1較清楚地顯示前述圖案化製程的各步驟時間:
Ί S^12a和第一流體分SeTi^^ 獲得所需空間關係以將聚合材料4 2 a定 於第一基材12a上 3巧關係且聚合材料42a填充第一基材丨 在第「¥^丨2a和模子28之
15 1341935 為達此目的’用於處理第一基材12a的前述方法之步驟 可依序進行。結果,系統10的部分可能沒有滿負荷地操作, 即’系統10的一部分可能相對系統10的其餘部分保持空 轉。更詳細地,1)將第一基材12a定位於第一基材夾具l4a 5 上(步驟1); 2)在第一基材12a和模子28之間獲得所需空間關 係且聚合材料42a填充第一基材12a和模子28之間的容積並 固化及/或交聯聚合材料42a(步驟3);以及3)從第一基材失 具14a移除第一基材12a(步驟5)之該等步驟,包含處理第_ 基材12a之大部分製程時間。結果’除此之外’壓印頭%及 10 7或模板26及/或模子28及/或機器人52還可能沒有滿負荷地 操作’即’在循環週期内保持空轉,這可能是不希望的。 為達此目的’為最大化系統10的效率,可需要對圖案化基 材之前述方法進行最佳化,更詳細地,可需要對步驟1、3 和5進行優化。因此,可使得處理多個基材之總生產量增加 15 (且相似地,每個基材的總處理時間減少),這可能是令人合 意的。為達此目的,以下描述同時處理多個基材之系統和 方法。 參看第4圖,顯示第一較佳實施例裏的系統10’。系統 10’可與前文參照第1圖所述的系統10相似,但是,系統1〇, 20 可包含耦接到第二基材夾具14b的第二基材12b。第二基材 12b和第二基材夹具14b可分別與前文參看第1圖所述的第 一基材12a和第一基材夾具14a相似。第二基材夾具14b可包 含面對第二基材12b的腔室16。第二基材12b和第二基材夾 具14b可在第一平臺18和第二平臺2〇上受到支撐。第二基材 16 1341935 12b可進而包含通道241)β但是,在另一實施例中,第二基 材12b可實質沒有通道24b。 系統10 ’進而包含與第一流體分配器4 〇 a相似的第二流 體分配器40b。如圖示,第二流體分配器4〇b耦接到模板夾 5 具36 ;但是’在另-實施例中,第二流體分配器40b可耦接 到系統10’的任何部件,即模板24或壓印頭38。對第二流體 分配器40b之控制可由與第二流體分配器4〇b連通的處理器 58進行調節。請注意為簡明揭示,機器人52顯示為兩個分 離的主體’且處理器58與第一平臺18和第二平臺20之間的 10 耦接未顯示。 參看第5圖和第6圖,顯示用於處理第一基材12a和第二 基材12b的製程流程。在步驟1〇〇,第一基材12a可定位於第 一基材夾具14a上。更詳細地,第一平臺18和第二平臺20可 將第一基材夾具14a與機器人52成所需空間關係地進行定 15 位,使得機器人52可將第一基材12a定位於第一基材夾具 14a上。機器人52可從基材盒(未圖示)轉移第一基材12a並將 第一基材12a定位於第一基材夾具i4a上。 參看第5圖和第7圖,在步驟1〇2,第一平臺18和第二平 臺20可平移第一基材夾具14a,使得可在第一基材12a和第 20 一流體分配器4〇a之間獲得所需位置以將聚合材料42a定位 於第一基材128上。 參看第5圖和第8圖,在步驟104,可在第一基材12a和 模子28之間獲得所需的空間關係。更詳細地,第一平臺18 和第二平臺20及壓印頭38可定位第一基材夾具14a,使得第 17 -1341935 一基材12a可與模子28疊印,且進而聚合材料42a填充第一 基材12a和模子28之間的所需容積。進言之,在步驟1〇4, 在所需谷積填充了聚合材料42a之後,能源46可產生能48, 例如寬頻帶的紫外線輻射,其引發聚合材料42a依照第一基 材12a的形狀和模子28的圖案化表面30進行固化及/成交 聯。為達此目的,處理第二基材12b可與處理第一基材12a 同時進行。更詳細地,在與步驟1〇4同時進行的步驟1〇6, 機器人52可從基材盒(未圖示)轉移第二基材12b,並將第二 基材12b定位於第二基材夾具14b上。 參看第5圖和第9圖’在步驟108 ’模子28可與定位於第 一基材12a上的聚合材料42a分離u在另一實施例中,步驟 108可與步驟104和步驟106同時發生。 參看第5圖和第10圖,在步驟110,第一平臺18和第二 平臺20可平移第二基材夾具14b,使得可在第二基材12b和 第二流體分配器40b之間獲得所需位置以將聚合材料42b定 位於第二基材12b上。如圖示,聚合材料42b可作為多個隔 開的滴劑44b定位於第二基材12b上。 參看第5圖和第11圖,在步驟112,可在第二基材12b和 模子28之間獲得所需空間關係。更詳細地,第一平臺18和 第二平臺20及壓印頭38可定位第二基材夹具14b,使得第二 基材12b可與模子28疊印,且進而聚合材料42b填充第二基 材12b和模子28之間的所需容積。進言之,在步驟112,在 所需容積填充了聚合材料42b之後’能源46可產生能48 ’例 如寬頻帶的紫外線輻射,其引發聚合材料42b依照第二基材 18 1341935 12b的形狀和模子28的圖案化表面30進行固化及/或交聯。 在與步驟112同時進行的步驟114,機器人52可從第一基材 夾具14a轉移第一基材12a並將第一基材12a定位於基材盒 内(未圖示),且進而如第12圖所示,機器人52可將第三基材 5 12c定位於第一基材夾具14a上。機器人52可如第12圖示從 基材盒(未圖示)轉移第三基材12c,並將第三基材12c定位於 第一基材夾具14a上。 參看第5圖和第12圖所示,在步驟116,模子28可與定 位於第二基材12b上的聚合材料42b分離。在另一實施例 10 中,步驟116可與步驟112和步驟114同時發生。 參看第5圖和第13圖所示,在步驟118,第一平臺18和 第二平臺20可平移第三基材12c,使得可在第三基材12c和 第一流體分配器4 0 a之間獲得所需位置以將聚合材料4 2 c定 位於第三基材12c上。如圖示,聚合材料42c可作為多個隔 15 開的滴劑44b定位於第三基材12c上。 參看第5圖和第14圖,在步驟120,可在第三基材12c和 模子28之間獲得所需空間關係。更詳細地,第一平臺18和 第二平臺20及壓印頭38可定位第一基材夾具i4a,使得第三 基材12c可與模子28疊印,且進而聚合材料42c填充第三基 20 材12c和模子28之間的所需容積。進言之,在步驟120,在 所需容積填充了聚合材料42c之後,能源46可產生能48,例 如寬頻帶的紫外線輻射,其引發聚合材料42b依照第三基材 12c的形狀和模子28的圖案化表面30進行固化及/或交聯。在 與步驟120同時進行的步驟122 ’機器人52可從第二基材夾 19 ^41935 具14b轉移第二基材12b並將第二基材12b定位於基材盒内 (未圖示),且機器人52可將第四基材定位於第二基材夾具 上。機器人52可從基材盒(未圖示)轉移該第四基材,並 將5亥第四基材定位於第二基材夾具Mb上。機器人52可從基 材盒(未圖示)轉移該第四基材(未圖示)並將該第四基材定 位於第二基材夾具14b上。第三基材12c和該第四基材(未圖 不)’都與第一基材12a的相似,可經受與第一基材12a和第 二基材12b的相似的前述處理條件。 參看第4圖和第5圖,再則,與圖案化第一基材12a同時 進行,可在圖案化第二基材12b之前,在第二基材夾具14b 上對附加基材(未圖示)圖案化。更詳細地,在與步驟1 〇〇同 時進行的步驟126,先前定位於第二基材夾具14b上並在其 上定位聚合材料(未圖示)的附加基材(未圖示),可相似於第 u圖所示步驟112的,在其上形成圖案。進而,在步驟丨28, 模子28可與疋位於δ玄附加基材(未圖示)上的附加材料(未圖 示)分離,相似於第12圖所示步驟116所示的。為達此目的, 步驟106可進而包括移除該附加基材(未圖示),相似於第“ 圖所示步驟122的。再則,步驟刚也可進而包括將先前在 第一基材12a之前經圖案化和定位於第一基材失具14&上的 第二附加材料移除,相似於第11圖所示步驟14的。 在另實細•例中,第一流體分配器40a和第二流體分配 e4〇b可定位於系統11〇的外側,且第一基材12&和第二基材 12b分別具有在其上定位於系統110外側的聚合材料42a和 42b。在再另一實施例中’將聚合材料42a和42b定位於第一 20 1341935 • . * 4 :; 基材12a和第二基材12b上,係可任選的。 為達此目的,在示例中,前述用於第一基材12a和第二 基材12b的圖案化製程可具有每個基材二十(20)秒的總製程 時間。更詳細地’在表2中較清楚地顯示前述圖案化製程的 5 各步驟之所用時間。 表2
第一基材12a 第二基材12b 製程時間 (秒) 1 從第一基材夾具14a移除該 第二附加基材12a/將第一 基材12a定位於第一基材夾 具14a上 在附加基材和模子28之間 獲得所需空間關係,且定位 於其上的聚合材料填充該 附加基材和模子28之間的 所需容積並固化及/或交聯 該聚合材料/將模子28與聚 合材料42b分離 19 2 在第一基材12a和第一流體 分配器40a之間獲得所需空 間關係以將聚合材料42a定 位於第一基材12a上 1 3 在第一基材12a和模子28之 間獲得所需空間關係,且聚 合材料42a填充第一基材 12a和模子28之間的所需容 積,並固化及/或交聯聚合 材料42a/將模子28與聚合 材料42a分離 從第二基材夾具14b移除該 附加基材12b/將第二基材 12b定位於第二基材失具 14b上 19 4 在第二基材12b和第二流體 分配器40b之間獲得所需空 間關係以將聚合材料42b定 位於第二基材12b上 1 5 從第一基材夾具14a移除第 一基材12a/將第三基材丨2C 定位於第一基材夹具14a上 在第二基材12b和模子28之 間獲得所需空間關係,且聚 合材料42b填充第二基材 12b和模子28之間的所需容 積’並固化及/或交聯聚合 材料42b/將模子28與聚合 材料42b分離 19 .... 總" ΐΰ 20 21 —1341935 為達此目的,處理第一基材12a和第二基材12b的前述 方法之步驟可平行地執行。更詳細地,1)將基材定位於基 材夾具上或從基材夾具移除基材,和2)在該基材和模子之 間獲得所需空間關係,且聚合材料填充該基材和該模子之 5 間的所需容積並固化及/或交聯該聚合材料或將該模子與 該聚合材料分離,之步驟,平行地進行。結果,可使得處 理多個基材之總生產量增加(且相似地,每個基材的總處理 時間減少),這可能是令人合意的。 參看第4圖,在另一實施例中,第一平臺18和第二平臺 10 20可環繞正交於第一平臺18和第二平臺20延伸的第三軸線 轉動,即z軸,且可轉動超過180°。 參看第4圖和第15圖,如前所提及之,可採用前述方法 以分別在第一基材12a和第二基材12b的第一側面62a和第 一側面62b上形成圖案。為達此目的,在另一實施例中,可 15 需要分別在第一基材12a和第二基材丨2b的第二側面64a和 第二側面64b上形成圖案,且第二側面64a和第二側面64b分 別定位於第一側面62a和第一側面62b的相對側。 參看第6圖和第15圖,顯示用於處理第4圖所示的第一 基材12a的第一側面62a和第二側面64a與第二基材12b的第 20 一側面62b和第二側面64b的製程流程。這在圖案化過的媒 體壓印領域中可係需要的。在步驟200,第一基材12a可定 位於第一基材夾具14a上。更詳細地,第一平臺18和第二平 臺20可將第一基材夾具14a與機器人52成所需空間關係地 定位,使得機器人52可將第一基材12a定位於第一基材夾具 22 1341935 14a上。機器人52可從基材盒(未圖示)轉移第一基材丨2a,並 將第一基材12a定位於第一基材夾具14a上,使得第一側面 62a可定位於第一基材夾具I4a的對側。 參看第7圖和第15圖,在步驟202,第一平臺18和第二 5 平臺20可平移第一基材12a,使得可在第一基材12a和第一 流體分配器40a之間獲得所需位置以將聚合材料42a定位於 第一基材12a的第一側面62a上。 參看第8圖和第15圖中’在步驟204,可在第一基材na 和模子28之間獲得所需空間關係。更詳細地,第一平臺18 10 和第二平臺20及壓印頭38可定位第一基材夾具14a,使得第 一基材12a可與模子28疊印,且進而聚合材料42a填充第一 基材12a和模子28之間的所需容積。進言之,在步驟2〇4, 在所需容積填充了聚合材料42a之後,能源46可產生能48, 例如寬頻帶的紫外線輻射,其引發聚合材料42a依照第一基 15 材12a的第一側面62a的形狀和模子28的圖案化表面30進行 固化及/或交聯。為達此目的,處理第二基材12b可與處理 第一基材12a同時進行。更詳細地,在與步驟204同時進行 的步驟206,機器人52可從基材盒(未圖示)轉移第二基材 12b,並將第二基材12b定位於第二基材夾具14b上,使得第 2〇 一側面62b可定位於第二基材夾具14b的對側。 參看第9圖和第15圖’在步驟207,模子28可與定位於 第一基材12a的第一側面62a上的聚合材料42a分離》在另— 實施例中,步驟207可與步驟204和步驟206同時發生。 參看第10圖和第15圖,在步驟208,第一平臺18和第二 23 1341935 平臺20可平移第二基材12b,使得可在第二基材12b和第二 流體分配器40b之間獲得所需位置以將聚合材料42b定位於 第二基材12b的第一側面62b上。如圖示,聚合材料42b可作 為多個隔開的滴劑44b定位於第二基材12b上。 5 參看第15圖和第16圖,在步驟210,可在第二基材12b 和模子28之間獲得所需空間關係。更詳細地,第一平臺18 和第二平臺20及壓印頭38可定位第二基材夾具14b,使得第 二基材12b可與模子28疊印,且進而聚合材料42b填充第二 基材12b和模子28之間的所需容積。進言之,在步驟210, 10 在所需容積填充了聚合材料42b之後,能源46可產生能48, 例如寬頻帶的紫外線輻射,其引發聚合材料42b依照第二基 材12b的第一側面62b的形狀和模子28的圖案化表面30進行 固化及/或交聯。在與步驟210同時進行的步驟212,機器人 52可從第一基材夾具14a轉移第一基材12a並環繞其軸線轉 15 動臂件54以將第一基材12a相對模子28翻轉180。,並進而機 器人52可將第一基材12a定位於第一基材夾具14a上,使得 第二側面64a可定位於第一基材夾具14a的對側,如第17圖 所示。再則,聚合材料42a可定位於第一基材夾具i4a的腔 室16a内’以減小 如果無法防止--對聚合材料42a的 2〇 損害。 參看第15圖和第17圖,在步驟216,模子28可與定位於 第二基材12b上的聚合材料42b分離。在另一實施例中,步 驟216可與步驟210和步驟212同時發生。 參看第15圖和第18圖,在步驟218,第一平臺18和第二 24 1341935 t 平臺20可平移第一基材12a,使得可在第一基材12a和第一 流體分配器40a之間獲得所需位置以將聚合材料42a’定位於 第一基材12a上。如圖示,聚合材料42a’可作為多個隔開的 滴劑44a’定位於第一基材12a上。 5 參看第15圖和第19圖,在步驟220,可在第一基材12a -' 和模子28之間獲得所需空間關係。更詳細地,第一平臺18 • 和第二平臺20及壓印頭38可定位第一基材夾具14a,使得第 一基材12a可與模子28疊印,且進而聚合材料42a’填充第一 φ 基材12a和模子28之間的所需容積。進言之,在步驟220, 10 在所需容積填充了聚合材料42a’之後,能源46可產生能 48,例如寬頻帶的紫外線輻射,其引發聚合材料42a’依照 第一基材12a的第二側面64a的形狀和模子28的圖案化表面 30進行固化及/或交聯。在與步驟220同時進行的步驟222, 機器人52可從第二基材夾具14b轉移第二基材12b並環繞其 15 軸線轉動臂件54以將第二基材12b相對模子28翻轉180°,並 進而機器人52可將第二基材12b定位於第二基材夾具Mb • 上,使得第二側面64a可定位於第一基材夾具14a的對側, 如第17圖所示。再則,聚合材料42a可定位於第二基材夹具 14b的腔室16b内,以減小——如果無法防止——對聚合材 20 料42b的損害。 參看第15圖和第20圖,在步驟224,模子28可與定位於 第一基材12a的第二側面64a上的聚合材料42a’分離。在另一 • 實施例中,步驟224可與步驟220和步驟222同時發生。 參看第15圖和第21圖,在步驟226,第一平臺18和第二 25 1341935 平臺20可平移第二基材夾具14b,使得可在第二基材12b和 第二流體分配器40b之間獲得所需位置以將聚合材料42b, 定位於第二基材12b的第二側面64b上。如圖示,聚合材料 42b’可作為多個隔開的滴劑44b’定位於第二基材〗2b上。 5 參看第15圖和第22圖’在步驟228,可在第二基材i2b 和模子28之間獲得所需空間關係。更詳細地,第一平臺18 和第二平臺20及壓印頭38可定位第二基材夾具14b,使得第 二基材12b可與模子28疊印,且進而聚合材料42b,填充第二 基材12b和模子28之間的所需容積。進言之,在步驟228, 1〇 在所需容積填充了聚合材料42b’之後,能源46可產生能 48,例如寬頻帶的紫外線輻射,其引發聚合材料42b’依照 第二基材12b的第二側面64b的形狀和模子28的圖案化表面 30進行固化及/或交聯。在與步驟228同時進行的步驟230, 機器人52可從第一基材夾具14a轉移第一基材12a,並將第 15 一基材12a定位於基材盒(未圖示)内,且進而機器人52可將 第三基材12c定位於第一基材夾具14a上。機器人52可從該 基材盒(未圖示)轉移第三基材12c,並將第三基材12c定位於 第一基材夾具14a上,使得第一侧面62c可定位於第一基材 夾具14a的對側。 2〇 參看第15圖和第23圖,在步驟232,模子28可與定位於 第二基材12b上的聚合材料42b’分離。在另一實施例中,步 驟232可與步驟228和步驟230同時發生。 參看第15圖和第24圖,在步驟234,第一平臺18和第二 平臺20可平移第三基材12c,使得可在第三基材12c和第一 26 1341935 流體分配器40a之間獲得所需位置以將聚合材料42c定位於 第三基材12(:上β如圖示,聚合材料42c可作為多個隔開的 滴劑44c定位於第三基材12c上。 參看第15圖和第25圖,在步驟236,可在第三基材12c 5 和模子28之間獲得所需空間關係。更詳細地,第一平臺18 和第二平臺20及壓印頭38可定位第一基材夾具14a,使得第 三基材12c可與模子28疊印,且進而聚合材料42c填充第三 基材12c和模子28之間的所需容積。進言之,在步驟236, 在所需容積填充了聚合材料42c之後,能源46可產生能48, 10 例如寬頻帶的紫外線輻射,其引發聚合材料42c依照第三基 材12c的第一表面62c的形狀和模子28的圖案化表面30進行 固化及/或交聯。在與步驟236同時進行的步驟238,機器人 52可從第二基材夾具14b轉移第二基材12b,並將第二基材 12b定位於基材盒(未圖示)内,且進而機器人52可將附加基 15 材(未圖示)定位於第二基材失具14b上。機器人52可從該基 材盒(未圖示)轉移該附加基材(未圖示),並將該附加基材定 位於第二基材失具14b上。第三基材12c和該附加基材可經 受前述處理條件,相似於第一基材12a和第二基材12b。 參看第4圖和第15圖,再則,與圖案化第一基材12a同 20 時進行’可在圖案化第二基材12b之前,在第二基材失具14b 上對附加基材(未圖示)圖案化。更詳細地,在與步驟200同 時進行的步驟240,先前定位於第二基材夾具14b上並在其 上定位聚合材料(未圖示)的附加基材(未圖示),可相似於第 22圓所示步驟228的,在其上的第二側面上形成圖案。進 27 1341935 而,在步驟242,模子28可與定位於該附加基材(未圖示)上 -二 的聚合材料(未圖示)分離,相似於第23圖所示步驟232所示 的。為達此目的,步驟206可進而包括移除該附加基材(未 圖示)’相似於第25圖所示步驟238的。再則,步驟200也可 5 進而包括將先前在第一基材12a之前經圖案化和定位於第 一基材夾具14a上的第二附加材料移除,相似於第22圖所示 步驟230的。 , 為達此目的’在示例中,用於圖案化第一基材12a的第 一側面62a和第二側面64a與第二基材12b的第一側面62b和 鲁 10 第二側面64b的前述製程,可具有每個基材四十(4〇)秒的總 製程時間。更詳細地,在表3中較清楚地顯示前述圖案化製 程的各步驟之所用時間。 表3 第一基材12a 第二基材12b 製程蜱 間(秒) 1 從第一基材夾具14a移除該第 二附加基材/將第一基材12a定 位於第一基材夾具14a上,使得 第一側面62a面對模子28 在附加基材和模子2 8之間獲 得所需空間關係,且定位於 其上的聚合材料填充該附加 基材和模子28之間的所需容 積並固化及/或交聯該聚合材 料/將模子28與聚合材料42b 分離 19 2 在第一基材12a和第一流體分 配器40a之間獲得所需空間關 係以將聚合材料42a定位於第 一基材12a的第一側面62a上 1 3 1----- 在第一基材12a和模子28之間 獲得所需空間關係,且聚合材 料42a填充第一基材12a和模子 28之間的所需容積,並固化及/ 或交聯聚合材料42a/將模子28 _______卑聚合材料42a分離 從第二基材夾具14b移除該 附加基材12b/將第二基材12b 定位於第二基材夾具Mb 上,使得第一側面62b面對模 子28 19 28 1341935 4 在第二基材12b和第二流體 分配器40b之間獲得所需空 間關係以將聚合材料42b定 位於第二基材12b的第一側 面62b上 1 5 從第一基材夾具14a移除第一 基材12a/翻轉第一基材12a/將 第一基材12a定位於第一基材 夾具14a上,使得第二側面64a 面對模子28 在第二基材12b和模子28之 間獲得所需空間關係,且聚 合材料42b填充第二基材12b 和模子28之間的所需容積, 並固化及/或交聯聚合材料 42b/將模子28與聚合材料42b 分離 19 6 在第一基材12a和第一流體分 配器40a之間獲得所需空間關 係以將聚合材料42a’定位於第 一基材12a的第二側面64a上 1 7 在第一基材12a和模子28之間 獲得所需空間關係,且聚合材 料42a’填充第一基材12a和模 子28之間的所需容積,並固化 及/或交聯聚合材料42b/將棋子 28與聚合材料42a分離 從第二基材夾具14b移除第 二基材12b/翻轉第二基材 12b/將第二基材12b定位於第 二基材夾具14b上,使得第二 側面64b面對模子28 19 8 在第二基材12b和第二流體 分配器40b之間獲得所需空 間關係以將聚合材料42b定 位於第二基材12b的第二側 面64b上 4 總/基材 40
為達此目的’處理第一基材12a的第一側面62a和第二 側面64a與第二基材12b的第一側面62b和第二側面64b的前 述方法之步驟可平行地執行。更詳細地,相似于前文關於 表2所述之’丨)將基材定位於基材夾具上或從基材夾具移除 基材,和2)在該基材和模子之間獲得所需空間關係,且聚 合材料填充該基材和該模子之間的所需容積並固化及/或 交聯該聚合材料或將該模子與該聚合材料分離,之步驟, 並行地進行。結果’可使得處理多個基材之總生產量增加 29 -1341935 (且相似地,每個基材的總處理時間減少),這可能是令人合 意的。為達此目的,前述製程可用在壓印微影系統中,此 外包括步驟重複系統和整片晶圓系統。系統之選擇為此領 域中具有通常知識者所熟知且視具體應用而定。 5 參看第26圖,在另一實施例中,系統110可包含任何數 量的基材夾具。在示例中,系統110可包含第一模組66a和 第二模組66b。第一模組66a可包含第一基材夾具14a和第二 基材夾具14b,且第二模組66b可包含第三基材夾具14c和第 四基材夾具14d。第三基材夾具14c和第四基材夾具14d可分 10 別相似于前文關於第4圖所述的第一基材夾具14a和第二基 材夾具14b的。為達此目的,第三基材夾具14c和第四基材 夾具14d可在其等上設有第三基材12c和第四基材12d,相似 于前文關於第4圖所述的第一基材12a和第二基材12b,且可 提交到與前文關於第15圖所述的實質相同的處理條件。更 15 詳細地,對於第一模組66a和第二模組66b之處理可並行地 進行,即,第一模組66a和第二模組66b之各模組可同時地 經受前文關於第15圖所述的製程。 在示例中,第一模組66a的第一基材12a和第二基材12b 之一基材與第二模組66b的第三基材12c和第四基材12d之 2〇 一基材可被圖案化,而同時地第一模組66a的第一基材12a 和第二基材12b之該餘下基材與第二模組66b的第三基材 12c和第四基材12d之該餘下基材可處於輸入/輸出製程中。 更詳細地,第一基材12a可相似于前文關於第8圖和第15圖 所述的步驟204和步驟206的被圖案化,且第三基材12c可相 30 1341935 似于前文關於第15圖和第22圖所述的步驟222和步驟226的 被圖案化。同時地,第二基材12b可相似于前文關於第8圖 和第15圖所述的步驟206的,定位於第二基材夾具14b上, 且第四基材12d可相似于前文關於第15圖和第25圖所述的 5 步驟230的,(或相似于前文關於第15圖和第19圖所述的步 驟230的)從第四基材夹具14d移除(或移除和翻轉)。請注意 為簡要圖示,模板26顯示為虛線矩形。 參看第27圖,在另一示例中,第二基材12b可相似于前 文關於第8圖和第15圖所述的步驟204和206的被圖案化,且 10 第四基材12d可相似于前文關於第15圖和第22圖所述的步 驟226的被圖案化。因此,第一基材12a可相似于前文關於 第8圖和第15圖所述的步驟206的定位於第一基材夾具14a 上’且第三基材12c可相似于前文關於第15圊和第25圖所述 的步驟230的(或相似于前文關於第15圖和第19圖所述的步 15 驟222的),從第三基材夾具14c移除(或移除並翻轉)。 為達此目的’採用第一模組66a和第二模組66b及關於 第15圖所述的製程,具有在其第一側面和第二側面上形成 圖案的基材可每隔η秒就形成,n秒是圖案化該基材的時間。 參看第28圖,顯示在其上定位了第一基材12a的第一基 20 材夾具14a的橫刮面圖。第一基材夾具14a可包含環繞第一 基材12a的主動區80而定位的多個不動區68。第一基材夾具 14a可進而包含可和泵浦系統84流體連通的通道82,以便利 在腔室16 a内獲得所需壓力。對泵浦系統8 4的控制可由處理 器58進行調節。 31 1341935 再則’可需要使第一基材12a和第二基材12b經受實質 相同的製程條件。為達此目的,參看第29圖,顯示第4圖所 示的第一基材12a的部分86,其中部分86顯示第一基材12a 的第一側面62a的平面度等級。第一側面62a包含多個丘部 5 和穀部;但是,僅顯示丘部88和穀部90。第一側面62a的多 個丘部和穀部界定第—側面62a的平面度的平均平面,顯示 為平面’a’。但是,第一側面62a的多個丘部和穀部可偏離平 面’a不同偏量’且其中為簡明起見,各偏離均可界定為△ devi。更詳細地,丘部88的頂峰可偏離平面,a,偏量,而 10 縠部9〇可偏離平面’a’偏量Δ2。以上可等效應用到第一基材 12a的第二側面64a以及第二基材12b的第一側面62b和第二 側面64b。參看第30圖,顯示第4圖所示的第一基材夾具14a 的部分92,其中部分92顯示第一基材夾具14a表面94的平面 度等級。表面94包含多個丘部和榖部;但是,僅顯示丘部 15 96和穀部98。表面94的多個丘部和穀部界定表面94的平面 度的平均平面,顯示為平面,b,。但是,表面94的多個丘部 和穀部可偏離平面,b,不同偏量,且其令為簡明起見’各偏 離均可界疋為△ dev;z。更詳細地,丘部96的頂峰可偏離平 面’b’偏量Λ3,而穀部98可偏離平面,b,偏量△<。以上可等 2〇 效應用到第二基材12b。為逹此目的’基材失具14b的表面 94厚度的偏離可低於第一基材i2a的第二側面623厚度 的偏離Adev】。結果,可便利使第一基材12a和第二基材12b 經受實質相同的製程條件。 再則,第一流體分配器4〇a和第二流體分配器4〇b可互 32 1341935 相校準,使得第一基材12a和第二基材12b可經受實質相同 的製程條件。更詳細地’第一流體分配器4〇a可由處理器58 指示以將體積VI的聚合材料42a定位於第一基材12a上;但 是’第一流體分配器40a可將體積V2的聚合材料42a定位於 第一基材12a上,且體積V2不同於體積乂1而乂1是所希望容 積。這可源因於第一流體分配器4〇a的不校準,即,分配與 所指示的不同的容積。為達此目的,可對%和%之間的差 異進行計算,以使依據存儲在記憶體6〇裏的電腦可讀程式 進行操作的處理器58,可指示第一流體分配器40a將體積V3 定位於第一基材12a上以彌補該不校準,使得第一流體分配 器40a可將體積乂,定位於第一基材12a上。上述可等效應用 到第二流體分配器4〇b。為達此目的,可便利使第一基材i2a 和第二基材12b經受實質相同的製程條件。 再則’分別定位於第一基材12a和第二基材12b上的聚 合材料42a和42b ’因定位於不同基材夾具上可經受不同的 洛鍵條件’且因此,聚合材料42a和42b的容積可不同,這 是不希望的。更詳細地’與聚合材料42a、第一基材12a和 第一基材夾具14a相關聯的環境氣流和溫度,可不同于與聚 合材料42b、第二基材12b和第二基材夾具14b相關聯的環境 的。結果’第一流體分配器40a可將體積V4的聚合材料42a 定位於第一基材12a上,且第二流體分配器40b可將不同於 體積V4的體積V5的聚合材料42b定位於第二基材12b上以彌 補前述蒸鍍條件,使得在聚合材料42a和42b暴露於該蒸鍍 條件之後’聚合材料42a和42b分別包含體積V6*V7,且乂6 33 1341935 和乂7實質相同。 再則,第一流體分配器40a和第二流體分配器40b分別 相對於第一基材12a和第二基材12b之幾何位置,可實質上 相同,以便利第一基材12a和第二基材12b經受實質相同的 5 製程條件。更詳細地,第一流體分配器40a和第一基材12a 之間的距離可與第二流體分配器40b和第二基材12b之間的 · 距離實質相同。 _ 為進一步便利第一基材12a和第二基材12b經受實質相 同的製程條件,第一基材夾具14a和第二基材夾具14b的表 φ 10 面94之反射率可實質相同,使得聚合材料42a和42b之固化 及/或交聯可實質相同。 上述本發明的實施例僅是例示性的。在本發明範圍之 内,可對上面陳述的揭示内容進行多種變化和修改。因此, 本發明的範圍不應該局限於以上描述,而是應該參照所呈 15 申請專利範圍及其等等效範圍進行決定。 C圖式簡草說明3 第1圖是依據習知技藝,將模子分離開基材之微影系統 · 的簡化側視圖; 第2圖是操作第1圖所示基材之機器人的自頂向下所視 20 的圖式; 第3圖是顯示圖案化第1圖所示基材之方法的流程圖; 第4圖是將模子和分別定位於第一基材和第二基材夾 具上之第一基材和第二基材分離開的微影系統的簡化側視 園, 34 1341935 ;· 第5圖是顯示圖案化第4圖所示的第一基材和第二基材 之方法的流程圖; 第6圖是第4圖所示之微影系統,在機器人將該第一基 材定位於該第一基材夹具上之情況下的簡化側視圖; 5 第7圖是第6圖所示之微影系統,在該第一基材將材料 定位於其上之情況下的簡化側視圖; • 第8圖是第7圖所示之微影系統,在該模子接觸定位於 該第一基材上的該材料和該機器人將該第二基材定位於該 φ 第二基材夾具上之情況下的簡化側視圖; 10 第9圖是第8圖所示之微影系統,在該模子和位於該第 一基材上之該材料分離之情況下的簡化側視圖; 第10圖是第9圖所示之微影系統,在該第二基材將材料 定位於其上之情況下的簡化側視圖; 第11圖是第10圖所示之微影系統,在該模子接觸定位 15 於該第二基材上的該材料和該機器人從該第一基材夾具移 除該第一基材之情況下的簡化側視圖; • 第12圖是第11圖所示之微影系統,在該模子和位於該 第二基材上的該材料分離且第三基材定位於該第一基材夾 具上之情況下的簡化側視圖; 20 第13圖是第12圖所示之微影系統,在該第三基材將材 料定位於其上之情況下的簡化側視圖; 第14圖是第13圖所示之微影系統,在該模子接觸定位 於該第三基材上的該材料和該機器人從該第二基材夾具移 除該第二基材之情況下的簡化側視圖; 35 4341935 第15圖是顯示圖案化第4圖所示的第一基材和第二基 材之第一側面和第二側面之方法的流程圖; 第16圖是第圖所示之微影系統’在該模子接觸定位 於該第二基材上的該材料和該機器人相對該模子翻轉該第 一基材之情況下的簡化側視圖; 第17圖是第16圖所示之微影系統’在該模子和位於該 第二基材上的該材料分離且該第一基材定位於位於第二位 置的該第一基材上之情況下的簡化側視圖; 第18圖是第Π圖所示之微影系統’在該第一基材將材 料定位於其上之情況下的簡化側視圖; 第19圖是第丨8圖所示之微影系統’在該模子接觸定位 於該第一基材上的該材料和該機器人相對該模子翻轉該第 二基材之情況下的簡化側視圖·’ 第20圖是第19圖所示之微影系統’在該模子和位於該 第一基材上的該材料分離且該第二基材定位於位於第二位 置的該第二基材上之情況下的簡化側視圖; 第21圖是第20圖所示之微影系統’在該第二基材將材 料定位於其上之情況下的簡化側視圖; 第22圖是第21圖所示之微影系統,在該模子接觸定位 於該第二基材上的該材料和該機器人從該第一基材夾具移 除該第一基材之情況下的簡化側視圖; 第23圖是第22圖所示之微影系統,在該模子和位於該 第二基材上的該材料分離且第三基材定位於該第一基材夾 具上之情況下的簡化側視圖; 36 第24圖是第23圖所示之微影系統,在該第三基材將材 料定位於其上之情況下的簡化側視圖; 第25圖是第24圖所示之微影系統,在該模子接觸定位 於該第三基材上的該材料和該機器人從該第二基材夾具移 除該第二基材之情況下的簡化側視圖; 第26圖是第4圖所示之微影系統之簡化的自頂向下所 視的圖式,且該微影系統具有各自包含第一基材夾具和第 二基材夾具之第一模組和第二模組,且該等第一基材被圖 案化; 第27圖是第4圖所示之微影系統之簡化的自頂向下所 視的圖式,且該微影系統具有各自包含第一基材夾具和第 二基材夾具之第一模組和第二模組,且該等第二基材被圖 案化; 第28圖是將基材定位於其上之基材夾具的簡化側視 圖; 第29圖是第4圖所示之基材的部分的分解圖;以及 第30圖是第4圖所示之基材夾具的部分的分解圖。 【主要元件符號說明】 10…系統 14a…第一基材夾具 10’...系統 14b...第二基材夾具 12a…第一紐 16a...腔室 12b...第二基材 16b...腔室 12c...第三基材 18...第一平臺 12d··.第四基材 20...第二平臺 B41935 22…基座 24a···通道 24b·.·通道 26…模板 28.. .凸台/模子/壓印模子 30.. .圖案化表面 32.. .凹槽 34…凸出 36.. .模板夾具 38…壓印頭 40a...第一流體分配器 40b...第二流體分配器 42a...聚合材料 42a’...聚合材料 42b…聚合材料 42b,…聚合材料 42c…聚合材料 44a...滴劑 44a’...滴劑 44b...滴劑 44b’...滴劑 44c...滴劑 46.. .能源 48.. .能 50".雜 52.. .機器人 54···臂 55.. .軸線 56.. .驅動裝置 57…接合處 58.. .端部受動器/處理器 59.. .接合處 60…記憶體 62a...第一側面 62b...第一側面 64a…第二側面 64b...第二側面 66a...第一模組 66b...第二模組 68.. .不動區 70.. .步驟 72.. .步驟
38 1341935
74…步驟 76.. .步驟 78."步驟 80.. .主動區 82.. .通道 84.. .泵浦系統 86.. .部分 88.. .丘部 90.··穀部 92.. .部分 94.. .表面 96.. .丘部 98".穀部 100.. .步驟 102.. .步驟 104.. .步驟 106··.步驟 108…步驟 110.. .步驟 112.. .步驟 114.. .步驟 116.. .步驟 118.. .步驟 120…步驟 122·.·步驟 126··.步驟 128…步驟 200…步驟 202…步驟 204…步驟 206…步驟 207.. .步驟 208〜242...步驟 V!〜V7.·.容積 39

Claims (1)

  1. -H41935 第96102304號申請案申請專利範圍修正本 99.09J3. : _ 十、申請專利範圍: 1. 一種在奈米壓印微影系統内圖案化第一基材和第二基 材之方法,該方法包含: 將該第一基材定位於具有一腔室之一第一基材夾 5 具上,該第一基材之一第一側係朝一奈米壓印模子組件 定位,以及該第一基材之一第二側係朝該第一基材夾具 定位; · 將一奈米壓印材料定位於該第一基材之該第一側 上; · 10 在該第一基材和該奈米壓印模子組件之間獲得一 空間關係,並用該奈米壓印模子組件在該第一基材之該 第一側上的該奈米壓印材料中壓印一圖案,並同時地將 該第二基材定位於一第二基材夾具上; 將該奈米壓印模子組件與該第一基材上的該奈米 15 壓印材料分離; 將一奈米壓印材料定位於該第二基材上; 從該第一基材夾具移除該第一基材,並同時地在該 · 第二基材和該奈米壓印模子組件之間獲得一空間關 係,並用該奈米壓印模子組件在該第二基材上的該奈米 20 壓印材料中壓印一圖案; 將該奈米壓印模子組件與該第二基材上的該奈米 壓印材料分離;以及 使該第一基材和該第二基材經受實質相同的製程 條件; 40 其中移除該第-基材之步驟進_步包含,將該第一 基材相對該奈米料财纟時翻轉⑽度之步驟,使得 在該第-基材上的該奈米壓印材料定位於該第— 夾具的該腔室中。 i 如申請專利範圍第1項所述之方法,進-步包含從該第 —基材夾具移除S玄第二基材之步驟。 如申請專利範圍第2項所述之方法,其中移除該第二基 材之步驟進-步包含將該第二基材相對該奈米壓印模 子組件翻轉180度之步驟。 如申請專利I請第丨項所述之方法,其中定位該第一基 材之步驟進-步包含在一第三基材和該奈米壓印模子 組件之間獲得-空間關係,並於該第三基材上的一太米 壓印材料中形成—圖案,該第三基材定位於該第二i材 夾具上,之步驟。 如申請專職圍第1項㈣之方法,其中在該第一基材 和該奈米壓印模子組件之間獲得—空間關係之步驟進 —步包含同時地從該第二基材夾具移除—第三基材之 步驟。 如申請專利範項所述之方法,其中從該第一基材 夾具移除該第-基材之步驟進—步包含同時地將一第 二基材定位於該第一基材夾具上之步驟。 如申請專利範圍第〗項所述之方法,進一步包含環繞— 與該第一基材和該第二基材平行的轴線平移該第一基 材夹具和該第二基材夹具。 ^41935 5 10 .如申凊專利範圍第1項所述之方法,進一步包含環繞一 垂直於該第一基材和該第二基材的轴線轉動該第一基 材夹具和該第二基材夾具。 9· 一種用於在一奈米壓印微影系統裏處理第一基材和第 二基材之方法,該方法包含下列步驟: 在具有一腔室之一第一基材夾具和一奈米壓印模 子組件之間獲得一第一空間關係,並在一第二基材夾具 和該奈米壓印模子組件之間獲得不同於該第一空間關 係的一第二空間關係,使得可用該奈米壓印模子組件在 定位於該第一基材夾具上的該第一基材上的一奈米塵 印材料帽印-圖案,賴_在該第二基材和該第二 基材夾具之間獲得一所需空間關係; 將該奈米壓印模子組件與該第一基材上的該 壓印材料分離;以及 +
    15 將該第-基材相對該奈米騎模子組件翻轉ΐ8〇 度,使得在該第-基材上的該奈米壓印材狀位於該第 —基材夾具的該腔室内。 20 範圍第9項所述之方法,其中該第-基材和 苐一基材經受實質相同的製程條件。 如申請專利範圍第9項所述之方法,其中在 和=二基材失具之間獲得—所需㈣ —步包含將該第二基材定位於該第 步驟進 12‘如申請專利㈣第9項所述之方法中在^上。 和該第二基材夾具之間獲 ' 基材 于所需空間關係之步驟進
    42 1341935 ·; 一步包含移除該第二基材使其不再定位於該第二基材 夾具上。 13.如申請專利範圍第12項所述之方法,其中移除該第二基 材之步驟進一步包含將該第二基材相對該奈米壓印模 5 子組件翻轉180度之步驟。 ' 14.如申請專利範圍第9項所述之方法,進一步包含將該第 • 一基材定位於該第一基材炎具上。 15.如申請專利範圍第9項所述之方法,進一步包含將該奈 ^ 米壓印材料定位於該第一基材上。 10 16. —種用於圖案化第一基材和第二基材之方法,該方法包 含: 將該第一基材定位於具有一腔室之一第一基材夾 具上,該第一基材之一第一側係朝一模子組件定位,以 及該第一基材之一第二側係朝該第一基材夾具定位; 15 將一材料定位於該第一基材上; 在該第一基材和該模子組件之間獲得一空間關 • 係,並用該模子組件在該第一基材上的該材料中形成一 圖案,並同時地將該第二基材定位於一第二基材夾具 上; 20 將該模子組件與該第一基材上的該材料分離; 將一材料定位於該第二基材上; 從該第一基材夾具移除該第一基材,並同時地在該 第二基材和該模子組件之間獲得一空間關係,並用該模 子組件在該第二基材上的該材料中形成一圖案,其中移 43 1341935 除該第一基材包含將該第一基材相對該模子組件翻轉 ..· 180度,使得在該第一基材上的該材料定位於該第一基 材夾具的該腔室中; 將該模子組件與該第二基材上的該材料分離;以及 5 使該第一基材和該第二基材經受實質相同的製程 條件。 17. 如申請專利範圍第16項所述之方法,進一步包含從該第 -. 二基材夾具移除該第二基材之步驟。 18. 如申請專利範圍第17項所述之方法,其中移除該第二基 φ 10 材之步驟進一步包含將該第二基材相對該模子組件翻 轉180度之步驟。 19. 如申請專利範圍第16項所述之方法,其中定位該第一基 材之步驟進一步包含在一第三基材和該模子組件之間 獲得一空間關係,並於該第三基材上的一材料中形成一 15 圖案,該第三基材定位於該第二基材夾具上,之步驟。 20. 如申請專利範圍第16項所述之方法,其中在該第一基材 和該模子組件之間獲得一空間關係之步驟進一步包含 0 同時地從該第二基材夾具移除一第三基材之步驟。 21. 如申請專利範圍第16項所述之方法,其中從該第一基材 20 夾具移除該第一基材之步驟進一步包含同時地將一第 三基材定位於該第一基材夾具上之步驟。 44 1341935 七、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(4 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 10’…系統 12a...第一基材 12b...第二基材 14a...索一基粉爽具 14b...第二基材夾具 16a...腔室 16b...腔室 18…第一平臺 20.. .第二平臺 22.. .基座 24a...遠道 24b...通道 26.. .模板 28.. .凸台/模子/壓印模子 30.. .圖案化表面 32.. .凹槽 34.. .凸出 36.. .模板夾具 38.. .壓印頭 42a...聚合知料 42b...聚合材料 44a... /¾ fij 44b.··讀劑 446.. .能源 48.. .能 50.. .路徑 52.. .機器人 54·.·臂 56.. .驅動裝置 58.. .端部受動器/處理器 60.. .記憶體 62a…第一側面 62b.··第一側面 64a··.第二側面 64b 第二側面 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
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